JP2002289675A - 真空吸着装置 - Google Patents

真空吸着装置

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JP2002289675A
JP2002289675A JP2001083748A JP2001083748A JP2002289675A JP 2002289675 A JP2002289675 A JP 2002289675A JP 2001083748 A JP2001083748 A JP 2001083748A JP 2001083748 A JP2001083748 A JP 2001083748A JP 2002289675 A JP2002289675 A JP 2002289675A
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Japan
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conductive film
wafer
stage plate
suction
sintered body
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JP2001083748A
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Yasuhiro Nakahori
安浩 中堀
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Kyocera Corp
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Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ステージ板を介してウエハに熱を短時間で均一
に伝えるとともに、高精度な保持を行う。 【解決手段】ステージ板1の一主面Aをウエハ吸着面と
する真空吸着装置であって、前記ステージ板1は熱伝導
率が90W/m・K以上の窒化アルミニウム質焼結体か
ら成り、かつ少なくとも一主面A上に純度98.5重量
%以上のニッケルからなる導電膜2が被着されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置
や、半導体ウエハ検査装置等において、半導体ウエハ等
を真空吸着によって精度よく保持することができる真空
吸着装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体製造装置や、半導体ウ
エハ上に形成されたIC、LSI等の電子回路の電気的
特性を評価する検査装置において、ウエハを精度よく保
持する真空吸着装置が用いられている。
【0003】かかる真空吸着装置は、図2に示すように
アルミナ質焼結体からなる円盤状のステージ板11と、
該ステージ板11の主面上に、ニッケルからなる導電膜
12が被着されており、前記ステージ板11に多数の吸
着孔を備えたものであり、導電膜12の上面にウエハ1
3を載置するとともに吸着孔を介して真空吸着する仕組
みである(実開昭62−180944号公報参照)。
【0004】また、ステージ板11をアルミナ質焼結体
や炭化珪素質焼結体からなる多孔質セラミックスで形成
し、その主面上に導電膜12を形成してなり、ステージ
板11の微小空孔を介してウエハ13を吸着保持するも
のである(特開平4−35827号公報参照)。
【0005】これら真空吸着装置のステージ板11は、
ウエハ13を精度よく保持するため、また、ステージ板
11の主面上に被着する導電膜12との密着強度を高い
ものとするため、機械的特性の優れたアルミナ質焼結体
や炭化珪素質焼結体により形成されており、その主面上
に電気的特性や耐食性に優れるニッケルからなる導電膜
12を被着することによってウエハ13との導通を確保
し、その上面に半導体ウエハ等を精度良く保持するもの
である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】近年、ウエハの電気的
特性の評価は、様々な温度条件のもとで行われるように
なり、例えば、ウエハを150℃程度の高温に加熱して
評価する場合には、ステージ板の下面にヒータを備え、
このヒータを介してステージ板及びその上面に保持され
たウエハを所定温度まで加熱することによって行われ
る。
【0007】しかしながら、従来の図2に示すような真
空吸着装置では、ステージ板11と、その主面上に被着
するニッケルからなる導電膜12との密着強度を高いも
のとするため、アルミナ質焼結体や炭化珪素質焼結体か
らなるステージ板11が用いられており、これらアルミ
ナ質焼結体や炭化珪素質焼結体からなるステージ板11
は、熱伝導率が小さく、ステージ板11を所定温度(例
えば150℃)まで加熱するのに長時間を要してしま
い、ウエハ13の検査にも長時間を要するという欠点を
有していた。
【0008】また、ステージ板11の熱伝導率が低い
(アルミナ質焼結体の熱伝導率:30W/m・K、炭化
珪素質焼結体の熱伝導率:60W/m・K)ため、ウエ
ハ13の面内温度が均一になり難く、正確な電気的特性
の評価を行うことができないという欠点を有していた。
【0009】さらに、高温下での検査に用いる際、ステ
ージ板11の温度上昇にともないステージ板11と導電
膜12との熱膨張係数の差に起因して、導電膜12の密
着強度が低下し、剥離しやすいという欠点を有してい
た。
【0010】本発明は、上述の欠点に鑑み案出されたも
のであって、その目的は、ステージ板を介してウエハに
熱を短時間で均一に伝えるとともに、高精度な検査を行
うことができる真空吸着装置を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、ステージ板の
一主面をウエハ吸着面とする真空吸着装置であって、前
記ステージ板は熱伝導率が90W/m・K以上の窒化ア
ルミニウム質焼結体から成り、かつ少なくとも一主面上
に純度98.5重量%以上のニッケルからなる導電膜が
被着されていることを特徴とするものである。
【0012】また、本発明は、前記導電膜にボロンを含
有することを特徴とするものである。
【0013】さらに、前記導電膜の厚みが5μm以下で
あることを特徴とするものである。
【0014】またさらに、前記導電膜の上面に、さらに
金膜を被着させたことを特徴とするものである。
【0015】本発明の真空吸着装置によれば、ステージ
板が熱伝導率、剛性の高い窒化アルミニウム質焼結体か
ら成ることから、ステージ板を短時間で所定温度まで加
熱し、ウエハの面内温度を均一として正確な評価を行う
ことができ、且つ耐食性や機械的強度等が優れているた
め、ウエハを高精度に保持することができる。また、窒
化アルミニウム質焼結体から成るステージ板の主面上に
純度98.5重量%以上のニッケルからなる導電膜を被
着させたことから、導電膜のステージ板に対する被着強
度が強いものとなり、様々な温度条件の下でも導電膜が
ステージ板より剥離することはない。
【0016】また、本発明の真空吸着装置によれば、前
記導電膜にボロンを含有させたり、厚みを5μm以下と
しておくと導電膜のステージ板に対する被着強度がより
一層強いものとなり、真空吸着装置としての信頼性が極
めて高いものとなる。
【0017】さらに、前記導電膜の上面に、金膜を被着
させておくと、導電膜上に保持するウエハに金属汚染が
生じるのを有効に防止することができ、これによって例
えば、ウエハの電気的特性の評価を極めて正確となすこ
とができる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を用いて説明する。
【0019】図1(a)は本発明の真空吸着装置の一実
施形態を示す平面図、(b)は同図(a)のX−X線に
おける断面図であり、真空吸着装置は、一主面A側がウ
エハ吸着面となっているステージ板1と、該ステージ板
1の一主面A側に被着された導電膜2とで構成されてい
る。
【0020】前記ステージ板1は、熱伝導率が90W/
m・K以上の窒化アルミニウム質焼結体で形成されてお
り、該熱伝導率が90W/m・K以上の窒化アルミニウ
ム質焼結体は、例えば、主原料としての窒化アルミニウ
ム91〜99.5重量%に、焼結助剤としてY23、E
23、Yb23などの周期律表3a族元素の酸化物を
0.5〜9重量%の割合で添加混合するとともに有機バ
インダーを添加して原料粉末を調整し、しかる後、この
原料粉末を金型プレス、冷間静水圧プレス、ドクターブ
レード法、圧延法等のテープ成形法、押し出し成形等に
より所定形状に成形して成形体を得、最後に真空中また
は窒素中で脱脂するとともに窒素等の非酸化雰囲気中、
1700℃〜1950℃、特に1750℃〜1900℃
で1〜数時間焼成することによって製作される。
【0021】前記ステージ板1を形成する窒化アルミニ
ウム質焼結体は、剛性や機械的強度が高く、かつハロゲ
ンガスやプラズマに対して優れた耐食性を有することか
ら、ハロゲンガスやプラズマを使用する半導体製造装置
でのウエハを保持する真空吸着装置として好適に使用で
きる。
【0022】また、前記ステージ板1を形成する窒化ア
ルミニウム質焼結体はその熱伝導率が90W/m・K以
上であり、熱を伝え易いことから、ステージ板1の上
面、即ち、ウエハ吸着面に保持されたウエハ3をステー
ジ板1の下面に配したヒーター等によって加熱する際、
そのヒーター等による熱はステージ板1の全面に速やか
に伝達して、ウエハ3を短時間に、かつ面内温度を均一
温度として加熱することができ、これによってウエハ3
の電気的特性を評価する際にはその評価を極めて正確と
なすことができる。
【0023】なお、前記ステージ板1を形成する窒化ア
ルミニウム質焼結体はその熱伝導率が90W/m・K未
満であると熱の伝達が悪く、また熱の伝達にばらつきが
発生し易くなり、ステージ板1のウエハ吸着面に保持さ
れたウエハ3をステージ板1の下面に配したヒーター等
によって加熱する際、ウエハ3の加熱に時間を要した
り、ウエハ3の面内温度が不均一となってウエハ3の電
気的特性を評価する際にその評価が不正確なものとなっ
てしまう。従って、前記ステージ板1を形成する窒化ア
ルミニウム質焼結体はその熱伝導率が90W/m・K以
上のものに特定される。
【0024】また前記ステージ板1の熱伝導率は、レー
ザーフラッシュ法により測定することができる。
【0025】さらに前記ステージ板1はウエハ吸着面と
なる一主面Aに導電膜2が被着されており、該導電膜2
は、その上面に保持されるウエハ3の電気的特性を検査
する際、ウエハ3に電気を流すための電極として作用す
る。
【0026】前記導電膜2はニッケル等の金属材料で形
成されており、メッキ法等によってステージ板1のウエ
ハ吸着面となる一主面Aに所定厚みに被着される。
【0027】前記導電膜2は、メッキ法によって形成し
た場合、該メッキ法は、施工温度が低いため、ステージ
板1をなす窒化アルミニウム質焼結体と導電膜2との熱
膨張係数の差より生じる熱応力によって導電膜2が剥離
するのを防止することができ、ステージ板1に強固に被
着させることができる。
【0028】なお、前記導電膜2をステージ板1のウエ
ハ吸着面となる一主面Aに被着させる際、ステージ板1
の一主面Aの表面をダイヤモンド加工やブラスト処理等
により表面粗さが(Ra)で0.8〜2.0μmとなる
ように若干粗しておくと導電膜2の被着強度が強いもの
となる。
【0029】但し、ブラスト処理によってステージ板1
のウエハ吸着面の平坦度が低下する恐れがあるため、番
手の低いダイヤモンドツール等を用いて平坦度を保った
まま表面を加工するのが好ましい。従って、導電膜2を
ステージ板1のウエハ吸着面となる一主面Aに強固に被
着させるためには、前記ステージ板1の一主面Aの表面
を表面粗さが(Ra)で0.8〜2.0μmとなるよう
に、例えばステージ板1の一主面Aを、#60のダイヤ
モンドツールにて加工することによって行われる。
【0030】さらに、前記導電膜2はこれを純度が9
8.5重量%以上のニッケルで形成しておくと、純度が
98.5%以上のニッケルは窒化アルミニウム質焼結体
に対する密着性が良いことからステージ板1に導電膜2
を極めて強固に被着させることができ、これによって様
々な温度条件の下でも導電膜2がステージ板1より剥離
することはなくなる。従って、前記導電膜2はこれを純
度が98.5重量%以上のニッケルで形成しておくこと
が好ましい。
【0031】またさらに、前記導電膜2はその内部にボ
ロンを0.2〜1.0重量%含有させておくとステージ
板1に対する導電膜2の被着強度をより一層高くするこ
とができる。従って、前記導電膜2はその内部にボロン
を0.2〜1.0重量%含有させて置くことが好まし
い。
【0032】なお、前記導電膜2に含まれるニッケル、
ボロンはICP発光分光分析で確認することができる。
【0033】前記導電膜2は、またその厚みが5μmを
越えると導電膜2を形成する際に発生する内部応力が大
きくなり、該内部応力によって導電膜2がステージ板1
より剥離しやすくなる傾向がある。従って、導電膜2を
ステージ板1に強固に被着させておくには導電膜2の厚
みを5μm以下、好適には3μm以下としておくことが
好ましく、ウエハ3に対する電気伝導および導電膜2を
被着させる作業性を考慮すると導電膜2は1μm〜5μ
m、好適には1μm〜3μmの厚みとしておくのがよ
い。
【0034】さらに、前記導電膜2はその上面に金膜を
形成することが好ましい。これは導電膜2の上面に保持
されたウエハ3への金属汚染を防止し、ウエハ3の電気
的特性の評価を極めて正確となすためである。金膜の厚
みとしては、導電膜2を完全に被覆し、導電膜2のウエ
ハ3に対する汚染を防止し得るに必要な1μm以上とし
ておくことが好ましい。この金膜は、例えば、メッキ法
を採用することによって導電膜2の上面に形成される。
【0035】またさらに前記導電膜2を被着したステー
ジ板1は、図1に示すようにウエハ3を吸着保持するウ
エハ吸着面に複数の吸着孔4および同心円状に吸着溝5
が形成されている。
【0036】前記吸着孔4は、ステージ板1の内部に設
けられた横方向からの貫通穴もしくは止まり穴からなる
吸着用横穴4Aと、直接ウエハ吸着面に形成された吸着
溝5と、吸着用横穴4Aと吸着溝5とをつなぐ吸着用縦
穴4Bとからなり、吸着孔4の径は0.3〜1mm、吸
着溝5の幅は0.3〜1mmとすることが好ましい。前
記吸着孔4の径および吸着溝5の幅が0.3mm未満と
なると、空気抵抗が大きくなり過ぎ、充分な吸引力を得
ることができず、1mmを超えると吸着孔4によって吸
着される部分のみ窪んで平坦度が低下する恐れがあるた
めである。
【0037】前記ウエハ吸着面上に保持されるウエハ3
は、非常に薄く、高精度なプロービング精度(電気特性
を検査するために、配線が形成されたウエハにピンを接
触させる際の位置決め精度)が要求されるため、複数の
吸着溝5を同心円状に設けることによってウエハ3全体
を均一に吸着することが好ましい。
【0038】なお、前記導電膜2が被着されたステージ
板1は、そのウエハ吸着面の平坦度が5μm以下である
ことが好ましい。ウエハ吸着面の平坦度が5μmを超え
ると、ウエハ3を真空吸着する際、リークが発生しやす
く、十分な吸着力を得ることができないため、ウエハ3
の固定が不十分となり、プロービング時の位置ずれを生
じる恐れがある。前記ウエハ吸着面の平坦度を5μm以
下とすることによって、吸着孔4および吸着溝5を介し
て真空吸着されるウエハ3を精度よく保持することがで
きる。
【0039】なお、本発明の真空吸着装置は、上述の実
施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱
しない範囲であれば、種々の変更は可能である。
【0040】
【実施例】(実施例1)先ず、図1に示すような直径1
00mm、厚み10mmのステージ板を窒化アルミニウ
ム質焼結体によって形成し、その一主面上に表1に示す
如く各種ニッケルからなる導電膜を所定の厚みにメッキ
法により被着した。
【0041】その後、上述のステージ板を大気中で20
0℃の温度で24時間熱処理を行い、ステージ板の一主
面に被着された導電膜の様子を目視および実体顕微鏡に
て観察し、さらにテープテストを行った。
【0042】その結果を表1に示す。
【0043】
【表1】
【0044】表1より明らかなように、導電膜を形成す
るニッケルの純度が98.5重量%未満であるもの(試
料No.7〜9)は、導電膜の厚みが3μmの薄いもの
においても、熱処理後に腫れが発生したものや、テープ
テストによって導電膜が剥離、または一部剥離している
ことが判る。
【0045】これに対し、ニッケルの純度が98.5重
量%以上のもの(試料No.1〜6)は、熱処理後に脹
れが発生することはなく、密着強度が高いことが判る。
【0046】さらに、ニッケルの純度が98.5重量%
以上の試料のうち導電膜の厚みが5μm以下の(試料N
o.1、2、4、5)ものは、テープテストにおいても
剥離が発生することはなく、より密着強度が高くなって
いることが判る。
【0047】
【発明の効果】本発明の真空吸着装置によれば、ステー
ジ板が熱伝導率、剛性の高い窒化アルミニウム質焼結体
から成ることから、ステージ板を短時間で所定温度まで
加熱し、ウエハの面内温度を均一として正確な評価を行
うことができ、且つ耐食性や機械的強度等が優れている
ため、ウエハを高精度に保持することができる。また、
窒化アルミニウム質焼結体から成るステージ板の主面上
に純度98.5重量%以上のニッケルからなる導電膜を
被着させたことから、導電膜のステージ板に対する被着
強度が強いものとなり、様々な温度条件の下でも導電膜
がステージ板より剥離することはない。
【0048】また、本発明の真空吸着装置によれば、前
記導電膜にボロンを含有させたり、厚みを5μm以下と
しておくと導電膜のステージ板に対する被着強度がより
一層強いものとなり、真空吸着装置としての信頼性が極
めて高いものとなる。
【0049】さらに、前記導電膜の上面に、金膜を被着
させておくと、導電膜上に保持するウエハに金属汚染が
生じるのを有効に防止することができ、これによって例
えば、ウエハの電気的特性の評価を極めて正確となすこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の真空吸着装置の一実施形態を
示す上面図であり、図(b)は同図(a)のX−X線断
面図である。
【図2】従来の真空吸着装置を示す概略断面図である。
【符号の説明】
1:ステージ板 2:導電膜 3:ウエハ 4:吸着孔 5:吸着溝

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ステージ板の一主面をウエハ吸着面とする
    真空吸着装置であって、前記ステージ板は熱伝導率が9
    0W/m・K以上の窒化アルミニウム質焼結体から成
    り、かつ少なくとも一主面上に純度98.5重量%以上
    のニッケルからなる導電膜が被着されていることを特徴
    とする真空吸着装置。
  2. 【請求項2】前記導電膜にボロンを含有することを特徴
    とする請求項1に記載の真空吸着装置。
  3. 【請求項3】前記導電膜の厚みが5μm以下であること
    を特徴とする請求項1または2記載の真空吸着装置。
  4. 【請求項4】前記導電膜の上面に、さらに金膜を被着さ
    せたことを特徴とする請求項1乃至3に記載の真空吸着
    装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7153365B2 (en) 2002-12-27 2006-12-26 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Tray for substrate
JP2014036141A (ja) * 2012-08-09 2014-02-24 Tazmo Co Ltd 吸着定盤
CN111863650A (zh) * 2020-07-14 2020-10-30 南昌凯迅光电有限公司 一种改善led芯片外观的测试方法

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