TWI503803B - 顯示器及照明裝置及太陽能電池用之具有增進光學及電學性能之導電膜或電極 - Google Patents

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Description

顯示器及照明裝置及太陽能電池用之具有增進光學及電學性能之導電膜或電極
膽固醇型液晶(ChLC)材料由向列型液晶及對掌性添加劑組成，其等混合在一起以自發形成具有明確界定螺距的螺旋結構。此螺距決定藉由材料所反射之光之波長及因此決定其色彩。色彩亦可藉由改變向列型液晶與對掌性組份的比來調整。可藉由應用一合適的驅動方案而使ChLC顯示器中之一像素在其平面反射(彩色)狀態與其半透明焦點圓錐狀態之間切換。
圖1繪示一單色ChLC顯示器10，其包含具有如圖所示般組態之下列諸層之一堆疊：一基板12、一電極14、一ChLC材料16、一電極18、一基板20、及一黑色吸收體22。來自ChLC材料16之反射26導致所顯示的色彩。一全彩ChLC顯示器可藉由堆疊一組RGB面板而建構，其中個別RGB子像素彼此重疊且反射不同的光譜區。顯示面板的背面塗佈吸收未被前面層反射之光之寬頻吸收體22。黑色吸收體包含下列例示性材料：KRYLON不光滑或光滑黑色丙烯酸琺瑯質噴漆。
圖2繪示用於ChLC顯示器之一先前技術電極30。一基板38為裝置提供支撐。該先前技術電極包含藉由一連續層之介電聚合物34分開之兩層透明導電氧化物(TCO)層32及36。
如圖1所示之介面反射24及28可發生在該等層之間，舉例而言，在基板與電極之介面處，且此等介面反射係非所需，因為其等使裝置性能劣化。其他類型之反射及透射顯示器中的反射損失亦有損其等之性能。此外，對於撓性顯示器及固態照明裝置而言，諸如銦錫氧化物(ITO)之標準TCO的脆性可能導致裝置由於破裂及TCO的導電性損失而過早出現故障。
根據本發明之一種導電膜或電極包含一基板及藉由一透明或半透明中介層分開之兩個透明或半透明導電層。有助於減少併入此電極之一裝置中所發生的非所要的介面反射之該中介層包含該兩個導電層之間之導電路徑。該中介層亦增進導電層在撓曲或彎曲狀態下的耐久性。中介層及導電層之間導電路徑的使用容許較薄之個別導電層。與具有相同組合導電層厚度的單個導電層相比，更薄的個別導電層更具撓性。將單個厚導電層撓曲會導致破裂，在此條件下兩個更薄導電層可保持完好。兩個導電層之間的導電路徑亦提供冗餘的電路徑使得一導電層中之破裂不會導致導電性的整體喪失。在單個厚導電層中，破裂可能導致開路及裝置的過早故障。可選擇中介層以使導電層的整體撓性最佳化。
隨附圖式係併入本說明書並構成本說明書的一部分，且與描述一起解釋本發明的優點及原理。
本發明之實施例係關於具有增進電學及光學性質之裝置基板電極。該等電極可用於任何顯示器，其中舉例而言諸層之間產生的反射有損裝置性能。該等電極亦可與多種類型之顯示材料(諸如ChLC材料或電致變色材料)一起使用。術語顯示材料指的是藉由一顯示裝置中之一電極而活化之任何類型之材料。可併入該等電極之其他顯示裝置包含液晶顯示裝置、電泳、無機電致發光、聚合物分散液晶及無機發光二極體(OLED)裝置。該等電極亦可用於非顯示裝置，諸如舉例而言被動窗、智慧型窗、太陽能電池、固態照明及電光裝置。
本發明之其他實施例包含未被用作一顯示裝置電極之一導電膜。此一導電膜可用於其中導電性提供紅外反射之一膜應用中。此等膜應用之實例包含下列內容：窗、照明、建築、汽車、器具及科學儀器。導電膜亦可用於照明及投影器，其中可見光被膜透射，且紅外熱被膜反射。
該電極或導電膜包含具有特定折射率之兩個或更多導電層，中間導電層或絕緣層具有一不同折射率且具有導電路徑。導電層及中介層各係透明或半透明。當將此等基板併入一ChLC顯示器內時，調諧電極堆疊內的個別層之厚度及個別層之光學折射率使非所要的菲涅爾(Fresnel)反射最小化。在一較佳實施例中，導電層係對稱，意謂著其具有相同厚度。在其他實施例中，導電層可以具有不同的厚度。
此電極構造明顯地增進顯示器的黑色位準、色彩飽和度及因此增進顯示器的對比度。此外，中介層允許電極之導電層之間的電接觸。因此，多層電極的導電性高於堆疊內個別導電層之導電性。由於顯示器的大小受限於電極的薄膜電阻，因此多層電極致能製造更大顯示面板。使用多層電極而製造的顯示器與具有單層電極的裝置相比展現明顯增進電學及光學性能。
與以習知向列型液晶(NLC)為主的顯示器不同，ChLC顯示器無需偏光器或濾色器，故導致可能較低的成本之一更簡單的裝置構造。在一全彩NLC顯示器中，紅-綠-藍色(RGB)子像素係並列配置。因此，僅三分之一之觀看區域被個別RGB原色之每一者所佔據。另一方面，各ChLC RGB子像素反射一單原色而透射其他兩個原色。
一ChLC顯示器中各子像素包含夾在兩個導電基板之間之ChLC材料。可使用一光學黏著劑使子像素結合在一起。或者，可在各基板的兩側塗佈導體並使其圖案化，免除光學黏著層。可包含紅色及黃色濾色器以增進色彩飽和度及使色彩偏移連同視角最小化。藉由來自各子像素之反射的和決定所觀察到的各堆疊像素的色彩。整個觀看區域由RGB原色使用導致明顯增進亮度。
在其開啟(反射)狀態中，由於折射率不匹配，一像素所反射的光包含在各介面上之ChLC平面反射及非所要的菲涅爾反射，如反射24及28所代表(見圖1)。菲涅爾反射通常為寬頻且因此使顯示器的色彩飽和度劣化。在其關閉狀態中，一像素所反射的光包含來自半透明焦點圓錐狀態之散射及介面菲涅爾反射。此等反射使顯示器的黑色位準劣化且因此使對比劣化。
菲涅爾反射的量級取決於介面處折射率的比。在垂直入射時，其係藉由下列方程式決定： 其中n 係具有折射率n 2、n 1之兩種介質的相對率。菲涅爾反射在具有最高相對率的介面處最強。圖1所示之裝置10之各層之折射率如下：對於電極，n=2.0；對於基板，n=1.65；且對於ChLC材料，n=1.55。因此，在裝置10中，最高率段差發生在高率銦錫氧化物(ITO)透明電極與聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板或ChLC之間的介面處。裝置10包含兩個ITO/PET及兩個ITO/ChLC介面。取決於照明及觀看幾何形狀，來自此等介面的寬頻菲涅爾反射可能超過ChLC的反射率，使顯示器性能明顯劣化。
相形之下，本發明之實施例之電極設計得到良好的光學及電學性能兩者。電極設計中的中介層係具有實現兩個導電層之間之電接觸之導電路徑之一透明或半透明層。可藉由控制中介層的厚度及沈積條件而使路徑自然形成。亦可調整最靠近基板之第一導電層之化學及物理性質以藉由改變中介層的潤濕性質而使此等路徑形成，使得中介層間斷以容許相鄰層之間之電接觸。或者，可使用諸如雷射剝蝕、離子轟擊或濕/乾蝕刻來產生路徑。
可使用諸如濺鍍、電子束及熱蒸鍍之氣相沈積技術沈積 中介層。中介層可包含聚合物(包含共聚物，諸如聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚烯烴、聚環氧化物、聚醚及類似物)及無機材料(諸如金屬氧化物、氮化物、碳化物及其等之混合物)。較佳的非導電性中介層包含聚丙烯酸酯及氧化矽。亦可使用溶液塗佈形成中介層。亦可使用一種超障壁膜製程，其中一單體係蒸鍍至基板上並就地固化。如美國專利第5,440,446號、第5,877,895號及第6,010,751號(其等全數以引用的方式併入本文中)所述，超障壁膜包含多層膜，其舉例而言藉由在一玻璃或其他適當基板上的許多層中依序真空沈積兩種無機介電材料，或有機材料及有機聚合物的交替層製成。
一實施例係繪示為圖3之多層裝置電極40。此電極包含藉由一較低率之透明層或半透明層46而分開之兩個高率導電層42及50(其為TCO或半透明導電氧化物)，該較低率之透明層或半透明46具有導電路徑，其包括延伸穿過該透明層46中之孔隙48以連接電極42及50之導電連結44。一基板52為裝置提供支撐。該等層被繪成隔開以闡釋本概念。如圖3所示，導電層42實質上與導電層50共同延伸。
在另一實施例中，如圖4之多層裝置電極54中所示，中介層係與任一側上的導電層相比具有較低折射率之一透明或半透明導體。在電極54中，中間導電層58可提供兩個相鄰導電層56及60(其係TCO或半透明導電氧化物)之間之連續導電路徑。基板62為顯示器提供支撐。中介層58可包括一經溶液塗佈或電沈積之導電聚合物。其亦可為一經氣相沈積之透明導體。導電聚合物包含下列例示性材料：聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩及PEDOT/PSS(聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸)。導電層的組合厚度係藉由薄膜電阻要求限制，同時使個別層的厚度最佳化以得到所要的光學性質。
在又另一實施例中，如圖5之多層裝置電極64中所示，中介層包括分散在一黏合劑中的導電顆粒。黏合劑68中的導電顆粒70提供TCO或半透明導電氧化物之導電層66及72之間之導電路徑。一基板74為裝置提供支撐。黏合劑可導電或絕緣。導電顆粒可為有機、無機或金屬。導電顆粒亦包含塗佈金屬之顆粒。可藉由改變黏合劑及導電顆粒之體積分率而調整中介層的折射率。
多層電極的基質及嵌入的導電奈米顆粒包含下列內容。基質可包含任何透明或半透明(導電或絕緣)聚合物(舉例而言，丙烯酸酯、甲基丙烯酸脂或上文所列的導電聚合物)或一種透明或半透明導電無機材料(諸如，上文所列的TCO)或絕緣無機材料(SiO2 、矽氮化物(Six Ny )、氧化鋅(Zn O)、氧化鋁(Al2 O3 )或氟化鎂(MgF2 ))。導電奈米顆粒可包含諸如上文所列之導電聚合物、金屬(舉例而言，銀、金、鎳、鉻)或塗佈金屬之顆粒。若基質導電，則奈米顆粒可絕緣，特定言之，其等可為上文所列絕緣材料(舉例而言，SiO2 、矽氮化物、氧化鋅或其他絕緣材料)之奈米顆粒。
使用多層電極之裝置之基板可包含用於製作顯示器或電子裝置之任何類型之基板材料。可藉由使用玻璃或其他材料而使基板具有剛性。亦可藉由使用塑膠或其他材料而使基板彎曲或具撓性。可使用下列例示性材料製作基板：玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚碸(PES)、聚芳酯化合物(PAR)、聚醯亞胺(PI)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、多環烯烴(PCO)、三乙酸纖維素(TAC)及聚胺甲酸酯(PU)。
用於基板的其他適當材料包含氯三氟乙烯-偏二氟烯共聚物(CTFE/VDF)、乙烯-氯三氟乙烯共聚物(ECTFE)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、氟化乙烯丙烯共聚物(FEP)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、過氟化烷-四氟乙烯共聚物(PFA)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氟乙烯(PVF)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(TFE/HFP)、四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物(THV)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物(HFP/VDF)、四氟乙烯-丙烯共聚物(TFE/P)及四氟乙烯-過氟甲醚共聚物(TFE/PFMe)。
其他適當基板包含障壁膜及超障壁膜。障壁膜之一實例係描述於美國專利第7,468,211號，其係以引用的方式全數併入本文中。如美國專利第5,440,446號、第5,877,895號及第6,010,751號(其等以引用的方式全數併入本文中)所述，超障壁膜包含多層膜，其係舉例而言藉由在一玻璃或其他適當基板上的許多層中依序真空沈積兩種無機介電質材料，或有機材料及有機聚合物的交替層而製成。
用於多層電極之TCO包含下列例示性材料：ITO、氧化錫、鎘氧化物(CdSn2 O4 、CdGa2 O4 、CdIn2 O4 、CdSb2 O6 、CdGeO4 )、銦氧化物(In2 O3 、Ga、GaInO3 (Sn、Ge)、(GaIn)2 O3 )、鋅氧化物(ZnO(Al)、ZnO(Ga)、ZnSnO3 、Zn2 SnO4 、Zn2 In2 O5 、Zn3 In2 O6 )及鎂氧化物(MgIn2 O4 、MgIn2 O4 --Zn2 In2 O5 )。
如圖6及圖7所示，雖然上述實施例包含藉由一中介層分開之兩個透明或半透明導電層，但是可取決於所要的光學及電學性質添加額外透明或半透明導電及中介層。圖6及圖7所示之裝置電極76及90包含下列用作單個電極之層：多個透明或半透明導電層78、82及86、該等導電層之間之中間透明或半透明層80及84、及一基板88。亦可添加額外導電層及中介層使得電極具有針對一特定裝置經最佳化或調諧之任何數量之層。此外，當電極與顯示裝置一起使用時，取決於切換機構(舉例而言，電流或磁場驅動)，與顯示介質相接觸之層可為絕緣或導電，諸如圖6所示之導電層78或圖7所示之一絕緣層92。此外，可針對所要的最終用途將多層電極「調諧」為具有不同光學性質。舉例而言，針對一所要用途或性質(諸如為了與一多層障壁基板或一OLED光學腔匹配以增進光輸出耦合)，可以改變中介層之材料及層之厚度。
對於一三色ChLC顯示器，可針對一特定波長範圍設計或調諧各色彩之電極以使介面反射最小化。表1包含針對一ChLC顯示裝置中之個別色彩(RGB ChLC材料層)之最佳化電極構造之奈米(nm)厚度。
多層電極可與其他顯示裝置，諸如電泳裝置(包含Bridgestone粉的使用)、聚合物分散液晶(PDLC)裝置及無機電致發光(IEL)顯示器及照明裝置一起使用。電泳、PDLC及IEL裝置之實例係分別描述於美國專利第7,365,900號、第5,629,783號及第7,538,483號，其等係以引用的方式全數併入本文中。Bridgestone粉係描述於來自Bridgestone Corporation標題為「Quick Response-Liquid Powder Display(QR-LPD)」之出版物且亦描述於美國專利第7,495,820號，其係以引用的方式全數併入本文中。
多層電極亦可與OLED顯示器及照明裝置一起使用。OLED指的是包含有機發光材料之電致發光裝置。舉例而言，發光材料可包含小分子(SM)發射體、SM摻雜聚合物(亦指分子摻雜聚合物或MDP)、發光聚合物(LEP)、摻雜LEP、混合LEP或此等材料之任何組合。此發光材料可單獨提供或與任何其他有機或無機材料(舉例而言，包含在OLED裝置中起作用或不起作用的黏合劑、色彩轉換材料、散射材料及電解液)組合提供。電解液之添加提供用於諸如美國專利第5,682,043號(其係以引用的方式全數併入本文中)所描述之發光電化學電池(LEC)。LEC係具有如美國專利第7,115,216號(其係以引用的方式全數併入本文中)所描述之製造優點之OLED種類。有機發光材料及額外材料諸如電荷注入及輸送材料通常作為單層或多層夾在兩個平面電極(該等電極之一者通常為透明)之間以產生擴散光源或像素化顯示器。R. H. Friend等人(「Electroluminescence in Conjugated Polymers」，Nature，第397期，1999年，第121頁，其係以引用的方式全數併入本文中)描述此材料之一電致發光機制。
圖8係繪示可併入多層電極之一發光裝置100之一透視圖。裝置100包含具有如所示般組態之下列層之一堆疊：一基板102、一電極104、一發光材料106、一電極108、及一基板110。電極104及106之一者或兩者可用上述多層電極實施例實施。發光材料106在被活化時發射如箭頭112所示之光且發光材料可包含OLED或IEL材料或用於顯示器或固態照明裝置之其他類型之發光材料。裝置100亦可具有額外層，諸如一IEL裝置之電極與發光層之間之絕緣層。
圖9係可併入多層電極之一太陽能電池120之一透視圖。太陽能電池120包含具有如所示般組態之下列層之一堆疊：一基板122、一電極124、一活性材料126、一電極128、及一基板130。電極124及126之一者或兩者可用上述多層電極實施例實施。活性材料126吸收如箭頭132所示用於活化太陽能電池之光以將光能轉換為電能。太陽能電池包含光伏打電池，尤其是有機光伏打(OPV)太陽能電池。OPV太陽能電池之一實例係描述於美國專利第5,350,459號，其係以引用的方式全數併入本文中。太陽能電池接收光之一側上之作為多層電極之部分之一TCO電極可降低反射率損失且因此增進太陽能電池的裝置效率。太陽能電池亦可包含障壁膜以保護電池及尤其是活性材料不受環境影響。
實例 實例1
製造具有圖4所示之三層電極設計之基板。中介層由使用上文所述之超障壁製程沈積的丙烯酸酯所組成，且兩個導電層由濺鍍沈積的ITO所組成。如表2所示，在一卷0.005英吋厚的PET上製造具有不同中介層及ITO層厚度之三層電極。
個別層厚度係藉由橫跨ITO及超障壁膜沈積源的速率(以每分鐘英尺(fpm)計)所決定。越快的速率產生越薄的層。使用量測兩個ITO層之組合導電性之一非接觸探針(Delcom)及量測頂部暴露表面之導電性之一表面接觸4探針儀器量測此等樣品之薄膜電阻。兩種量測技術在量測誤差內得到相同的薄膜電阻值，表示中介層允許兩個相鄰ITO層之間的電接觸。
對比使用具有經率匹配的三層電極之基板與使用單層非經率匹配電極之基板所製造之全彩RGB ChLC裝置。使用非經率匹配電極的寬頻介面反射要明顯得多。相對於具有經率數匹配電極之裝置此等反射使色彩飽和度劣化。
具有經率匹配電極之裝置的色域為具有非經率匹配電極之裝置的三倍。更強的介面反射亦使具有非經率匹配電極之裝置之黑色位準相對於具有經率匹配電極之裝置的黑色位準劣化。因此，具有經率匹配電極之裝置之對比率(定義為白色狀態之亮度(CIE Y)對於黑色狀態之亮度之比)要高得多。
亦用三層電極基板製造裝置，其中中介層由一種無機材料SiO2 而非超障壁膜層組成。三層電極由ITO(20 nm)/SiO2 (42 nm)/ITO(20 nm)組成，其等係濺鍍至5 mil PTE(Dupont Teijin，ST-504)上。當併入ChLC RGB裝置時，此等基板亦展現增進的電學及光學性質。具有經率匹配的三層電極的裝置的色彩飽和度(色域)及對比度兩者皆明顯較高。三層經率匹配電極的色域大超過四倍且對比高超過五倍。
三層電極設計亦實現低薄膜電阻與良好光學性能之結合。各中間低率層允許在相鄰透明導電層之間之電接觸。因此，多層電極之導電性係藉由所有導電層之組合厚度決定。用具有三層電極之基板製造一顯示器。與使用一單層電極之基板相比，此基板較低的薄膜電阻(大約100 ohms/sq)實現優異的顯示器均勻度，而橫跨顯示器的圖案無衰落。觀察到的色彩飽和度及顯示器均勻度兩者皆非常好。
實例2
用如實例1所使用之相同製程在PET膜上製造一多層ITO/聚合物/ITO堆疊。一種雷射剝蝕技術係用於界定用於OLED製造之電極。在OLED製造之前，在氮氣氛圍中將具有ITO/聚合物/ITO多層堆疊之PET膜在80℃下預烤整夜以將水分從膜移除。緊接在用一標準氧氣電漿程序處理該膜以將有機殘留物從ITO表面移除及調諧ITO表面特性以得到OLED最佳性能後，即開始OLED製造。在真空系統中在基礎壓力大約10-6 torr下藉由標準熱沈積製造OLED。沈積下列OLED構造：HIL(300 nm)/HTL(40 nm)/EML(30 nm，6%摻雜物)/ETL(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(200 nm)。
完成後，用利用SAES吸氣劑作為一種乾燥劑及去氧劑的3M囊封障壁膜在囊封膜與OLED陰極之間囊封OLED。障壁膜係如美國專利第7,018,713號所述而製備之5 mil PET。去氧劑係來自購自美國科羅拉多州Colorado Springs的SAES Getters之CaO。標準PET/ITO(100 nm)基板上的參考OLED及PET/ITO/聚合物/ITO多層堆疊上的OLED係根據上述例行程序製造。
使用Keithley 2400電源計作為電流源/電壓偵測器及PhotoResearch PR650攝影機作為照度及光譜偵測器來記錄所製造OLED的照度-電壓-電流(LIV)特性及電致發光光譜。具有多層堆疊ITO的裝置顯示與參考裝置非常類似的LIV行為，其指示多層堆疊的ITO具有與參考ITO均等的電性能，且多層堆疊ITO未引致額外的光學損失。亦在不同角度記錄參考裝置及多層堆疊ITO裝置兩者之照度及電致發光光譜，且發現兩者之ITO展現與因多層ITO堆疊而稍微削弱的光學腔效應非常類似的角度性能。
10．．．單色ChLC顯示器
12．．．基板
14．．．電極
16．．．ChLC材料
18．．．電極
20．．．基板
22．．．黑色吸收體
24．．．介面反射
26．．．反射
28．．．介面反射
30．．．先前技術電極
32．．．透明導電氧化物(TCO)層
34．．．連續介電質聚合物層
36．．．透明導電氧化物(TCO)層
38．．．基板
40．．．多層裝置電極
42．．．導電層
44．．．導電連接
46．．．透明層或半透明層
48．．．孔隙
50．．．導電層
52．．．基板
54．．．多層裝置電極
56．．．導電層
58．．．中介層
60．．．導電層
62．．．基板
64．．．多層裝置電極
66．．．導電層
68．．．黏合劑
70．．．導電顆粒
72．．．導電層
74．．．基板
76．．．裝置電極
78．．．導電層
80．．．中介層
82．．．導電層
84．．．中介層
86．．．導電層
88．．．基板
90．．．裝置電極
92．．．絕緣層
100．．．發光裝置
102．．．基板
104．．．電極
106．．．發光材料
108．．．電極
110．．．基板
112．．．箭頭
120．．．太陽能電池
122．．．基板
124．．．電極
126．．．活性材料
128．．．電極
130．．．基板
132．．．箭頭
圖1係一單色ChLC顯示器構造之一透視圖；
圖2係用於一ChLC顯示器之一先前技術電極之一圖式；
圖3係具有之一中介層與導電路徑之一裝置電極之一圖式；
圖4係具有一中間導電層之一裝置電極之一圖式；
圖5係一中介層(其具有分散在一黏合劑中之導電顆粒)之一裝置電極之一圖式；
圖6係具有多個中介層及待與一顯示介質接觸之一導電層之一裝置電極之一圖式；
圖7係具有多個中介層及待與一顯示介質接觸之一絕緣層之一裝置電極之一圖式；
圖8係繪示一發光裝置之一透視圖；及
圖9係繪示一太陽能電池之一透視圖。
40．．．多層裝置電極
42．．．導電層
44．．．導電連接
46．．．透明層或半透明層
48．．．孔隙
50．．．導電層
52．．．基板

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，其包括如以下順序配置之層：一第一基板；一第一電極；一顯示材料；一第二電極；及一第二基板，其中該等第一及第二電極之至少一者包括：一第一透明或半透明導電層；一第二透明或半透明導電層；及定位在該等第一及第二導電層之間之一透明或半透明中介層，其中該中介層包含一介電質，其中該中介層包含延伸經過該中介層而介於該等第一及第二導電層之間並接觸該等第一及第二導電層之導電透明或半透明路徑，其中該等第一及第二導電層各包含一片材料，並且該第一導電層實質上與該第二導電層共同延伸。
  2. 如請求項1之裝置，其中該等第一及第二導電層各包括一透明或半透明導電氧化物。
  3. 如請求項1之裝置，其中該中介層包括一介電聚合物材料或一無機介電材料。
  4. 如請求項1之裝置，其中該中介層包含一導電層，其具有與該等第一及第二導電層之折射率不同之一折射率。
  5. 如請求項1之裝置，其中該等導電路徑包括延伸穿過該 等第一及第二導電層之間之孔隙之導電連結。
  6. 如請求項1之裝置，其中該中介層包括一黏合劑，且其中該等導電路徑包括懸浮在該黏合劑中且延伸在該等第一及第二導電層之間之導電顆粒。
  7. 如請求項1之裝置，其進一步包括定位在該第一導電層與該顯示材料之間之一絕緣層。
  8. 如請求項1之裝置，其中該第一導電層之一厚度係與該第二導電層之一厚度大體上相同。
  9. 如請求項1之裝置，其中該等第一及第二基板之至少一者包括聚對苯二甲酸乙二酯。
  10. 如請求項1之裝置，其中該等第一及第二基板之至少一者包括一障壁層。
  11. 如請求項1之裝置，其中該顯示材料包括一OLED材料。
  12. 如請求項1之裝置，其中該顯示材料包括一IEL材料。
  13. 如請求項1之裝置，其中該顯示材料包括一電泳材料。
  14. 如請求項1之裝置，其中該顯示材料包括一聚合物分散液晶材料。
  15. 一種固態照明元件，其包括如以下順序配置之層：一第一基板；一第一電極；一發光材料；一第二電極；及一第二基板，其中該等第一及第二電極之至少一者包括： 一第一透明或半透明導電層；一第二透明或半透明導電層；及定位在該等第一及第二導電層之間之一透明或半透明中介層，其中該中介層包含一介電質，其中該中介層包含延伸經過該中介層而介於該等第一及第二導電層之間並接觸該等第一及第二導電層之透明或半透明導電路徑，其中該等第一及第二導電層各包含一片材料，並且該第一導電層實質上與該第二導電層共同延伸。
  16. 如請求項15之固態照明元件，其中該發光材料包括一OLED材料。
  17. 如請求項15之固態照明元件，其中該發光材料包括一IEL材料。
  18. 一種太陽能電池，其包括如以下順序配置之層：一第一基板；一第一電極；一活性材料，其係用於將光能轉換為電能；一第二電極；及一第二基板，其中該等第一及第二電極之至少一者包括：一第一透明或半透明導電層；一第二透明或半透明導電層；及定位在該等第一及第二導電層之間之一透明或半透明中介層，其中該中介層包含一介電質， 其中該中介層包含延伸經過該中介層而介於該等第一及第二導電層之間並接觸該等第一及第二導電層之導電透明或半透明路徑，其中該等第一及第二導電層各包含一片材料，並且該第一導電層實質上與該第二導電層共同延伸。
  19. 如請求項18之太陽能電池，其中該活性材料包括一有機光伏打材料。
  20. 如請求項18之太陽能電池，其中該等第一及第二基板之至少一者包括一障壁膜。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9581870B2 (en) * 2009-08-13 2017-02-28 3M Innovative Properties Company Conducting film or electrode with improved optical and electrical performance for display and lighting devices and solar cells
US8730184B2 (en) * 2009-12-16 2014-05-20 3M Innovative Properties Company Touch sensitive device with multilayer electrode having improved optical and electrical performance
US20130226268A1 (en) * 2010-07-26 2013-08-29 Merck Patent Gmbh Nanocrystals in devices
US8941006B2 (en) 2011-02-25 2015-01-27 Fina Technology, Inc. Apparatus and method for extending polyolefin containing photovoltaic panel life span
CN103597431B (zh) * 2011-06-09 2017-03-22 3M创新有限公司 具有多层电极和垫层的触敏装置
KR20140035991A (ko) 2011-06-09 2014-03-24 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 다층 전극 및 기초층이 있는 터치 감지 장치를 만드는 방법
WO2012175902A1 (en) * 2011-06-23 2012-12-27 Mfn Technology Limited Method of making a structure comprising coating steps and corresponding structure and devices
GB2497958B (en) * 2011-12-23 2018-06-27 Braghiroli Marco Photovoltaic sleeve for street lights and the like
EP2833427A4 (en) 2012-05-09 2016-02-24 Lg Chemical Ltd ORGANIC ELECTROCHEMICAL DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
TWI486832B (zh) * 2012-11-01 2015-06-01 Transtouch Technology Inc 導電基板、應用其之觸控面板與全平面觸控顯示裝置
GB201301683D0 (en) 2013-01-30 2013-03-13 Big Solar Ltd Method of creating non-conductive delineations with a selective coating technology on a structured surface
US10580918B2 (en) 2013-11-01 2020-03-03 The Regents Of The University Of Michigan Decorative dual-function photovoltaic devices generating angle insensitive transmissive or reflective colors
US9818976B2 (en) * 2014-05-13 2017-11-14 Apple Inc. Encapsulation layers with improved reliability
KR102240456B1 (ko) * 2014-07-30 2021-04-15 에스케이하이닉스 주식회사 광학적 관통 비아를 가지는 반도체 소자
KR20160100006A (ko) * 2015-02-13 2016-08-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치용 구조체 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR101707737B1 (ko) * 2015-06-04 2017-02-16 고려대학교 산학협력단 태양 전지용 전극 구조물 및 이의 제조방법
US9595448B2 (en) * 2015-06-29 2017-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for cleaning plasma processing chamber and substrate
EP3133649A1 (en) * 2015-08-18 2017-02-22 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Flexible functionalized film
EP3391135B1 (de) 2015-12-16 2022-05-11 Saint-Gobain Glass France Elektrisch schaltbare verglasung umfassend flächenelektroden mit anisotroper leitfähigkeit
TWI582663B (zh) * 2016-03-25 2017-05-11 聯相光電股份有限公司 整合太陽能發電與觸控功能的結構
GB2549133B (en) 2016-04-07 2020-02-19 Power Roll Ltd Gap between semiconductors
GB2549134B (en) 2016-04-07 2020-02-12 Power Roll Ltd Asymmetric groove
GB2549132A (en) 2016-04-07 2017-10-11 Big Solar Ltd Aperture in a semiconductor
GB201617276D0 (en) 2016-10-11 2016-11-23 Big Solar Limited Energy storage
GB2565041B (en) * 2017-06-19 2021-12-29 Liddle Richard Transparent structure with electrically conductive elements
US10886033B2 (en) * 2017-09-28 2021-01-05 Regents Of The University Of Minnesota Conductive films
CN108957813B (zh) * 2018-08-24 2021-11-12 南京京东方显示技术有限公司 一种反射式显示器及其制造方法
CN109275210B (zh) * 2018-10-12 2021-02-09 重庆墨希科技有限公司 一种基于石墨烯的高可靠性的发热膜及其制备方法
KR20220108275A (ko) * 2021-01-26 2022-08-03 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치
US20230082112A1 (en) * 2021-09-16 2023-03-16 Gentex Corporation Electro-optic element electrodes

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5667853A (en) * 1995-03-22 1997-09-16 Toppan Printing Co., Ltd. Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same
TW565812B (en) * 2000-07-21 2003-12-11 Ebauchesfabrik Eta Ag Display assembly including an electro-optical cell and a photovoltaic cell
JP2005019056A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Toray Ind Inc 複合透明導電性基材とそれを用いたディスプレイ
US20080038529A1 (en) * 2004-09-13 2008-02-14 Tokuyuki Nakayama Transparent Conductive Film and Method of Fabricating the Same, Transparent Conductive Base Material, and Light-Emitting Device
TW200813549A (en) * 2006-07-06 2008-03-16 Intematix Corp Photo-luminescence color liquid crystal display
WO2009050145A1 (fr) * 2007-10-16 2009-04-23 Avancis Gmbh & Co. Kg Perfectionnements apportés à un boîtier de connexion pour éléments capables de collecter de la lumière
TW200929120A (en) * 2007-12-24 2009-07-01 Ignis Innovation Inc Display system with a solar cell and device having the same

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58139647U (ja) 1982-03-17 1983-09-20 株式会社東芝 漏電しゃ断器の表示装置
JP2728248B2 (ja) 1987-07-24 1998-03-18 富士通株式会社 投写型液晶表示装置
JPH01261495A (ja) 1988-04-13 1989-10-18 Fujitsu Ltd 相転移型液晶材料
JPH02199790A (ja) * 1989-01-27 1990-08-08 Furukawa Electric Co Ltd:The エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法
JPH05308146A (ja) 1992-05-01 1993-11-19 Ricoh Co Ltd 有機光起電力素子
US5440446A (en) 1993-10-04 1995-08-08 Catalina Coatings, Inc. Acrylate coating material
US5629783A (en) 1993-10-05 1997-05-13 Casio Computer Co., Ltd. Active matrix polymer dispersed liquid crystal display device with flourescent film
US5682043A (en) 1994-06-28 1997-10-28 Uniax Corporation Electrochemical light-emitting devices
US5877895A (en) 1995-03-20 1999-03-02 Catalina Coatings, Inc. Multicolor interference coating
AU706253B2 (en) 1995-06-26 1999-06-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Transflective displays with reflective polarizing transflector
JP3981164B2 (ja) 1995-10-20 2007-09-26 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP3785675B2 (ja) 1996-04-26 2006-06-14 旭硝子株式会社 透明導電膜付き基体及びその製造方法
US5672937A (en) 1996-06-12 1997-09-30 Choi; Kue Byung Light-transmitting electroconductive plastic film electrodes and method of manufacture
JPH1031210A (ja) 1996-07-12 1998-02-03 Fuji Xerox Co Ltd 反射型カラー表示装置
JPH118075A (ja) * 1997-06-16 1999-01-12 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子
US5920080A (en) * 1997-06-23 1999-07-06 Fed Corporation Emissive display using organic light emitting diodes
GB9724142D0 (en) 1997-11-14 1998-01-14 Central Research Lab Ltd A liquid crystal display device
US6839108B1 (en) 1998-05-16 2005-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
CA2353506A1 (en) 1998-11-02 2000-05-11 3M Innovative Properties Company Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays
JP3599089B2 (ja) 1998-11-11 2004-12-08 富士ゼロックス株式会社 多色表示装置
WO2000033129A1 (en) 1998-12-01 2000-06-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color filter layer of cholesterically ordered material, and reflective lcd provided with such a color filter layer
US6597419B1 (en) 1999-07-02 2003-07-22 Minolta Co., Ltd. Liquid crystal display including filter means with 10-70% transmittance in the selective reflection wavelength range
US6812977B1 (en) 1999-11-22 2004-11-02 Minolta Co., Ltd. Liquid crystal element
JP3888413B2 (ja) 2000-01-14 2007-03-07 富士ゼロックス株式会社 表示素子、書き込み方法および書き込み装置
JP4468546B2 (ja) 2000-04-13 2010-05-26 三井化学株式会社 透明電極
WO2003002908A1 (en) 2000-06-26 2003-01-09 Reveo, Inc. Backlight for a liquid crystal display having high light-recycling efficiency
US6784965B2 (en) 2000-11-14 2004-08-31 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2002311449A (ja) 2001-02-06 2002-10-23 Seiko Epson Corp 液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器
ITRM20010124A1 (it) 2001-03-12 2002-09-12 Univ Roma Pannello di visualizzazione a cristalli liquidi.
JP2002287135A (ja) 2001-03-28 2002-10-03 Minolta Co Ltd 反射型液晶表示素子
WO2003003108A1 (fr) 2001-06-29 2003-01-09 Citizen Watch Co., Ltd. Ecran lcd et procede de fabrication correspondant
US6967640B2 (en) 2001-07-27 2005-11-22 E Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic display with integrated driver
JP2003057648A (ja) 2001-08-13 2003-02-26 Minolta Co Ltd 反射型液晶表示装置
KR100814339B1 (ko) 2001-11-16 2008-03-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 콜레스테릭 액정 컬러필터를 가지는 반사형 액정표시장치
US7115216B2 (en) 2001-12-20 2006-10-03 Add-Vision, Inc. Screen printable electroluminescent polymer ink
US20050105026A1 (en) 2002-01-17 2005-05-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Combination of cholesteric layer and alignment layer
US20030160923A1 (en) 2002-02-19 2003-08-28 Yao-Dong Ma Full color cholesteric displays employing cholesteric color filter
JP2003280029A (ja) 2002-03-25 2003-10-02 Alps Electric Co Ltd 液晶表示装置
US6873393B2 (en) 2002-06-15 2005-03-29 Yao-Dong Ma Reflective cholesteric displays without using Bragg reflection
JP4047095B2 (ja) 2002-08-07 2008-02-13 三洋電機株式会社 無機電界発光素子およびその製造方法
KR100439650B1 (ko) 2002-08-14 2004-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 콜레스테릭 액정 컬러필터를 이용한 반사형 액정표시장치
KR100550735B1 (ko) * 2002-11-16 2006-02-08 엘지이노텍 주식회사 Ｐ형 질화갈륨계 화합물 반도체의 전극 구조 및 전극구조의 형성 방법
KR100632668B1 (ko) 2003-08-22 2006-10-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자의 투명전극 및 그 제조방법
KR100460085B1 (ko) 2002-12-27 2004-12-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 콜레스테릭 액정 컬러필터를 포함하는 반사형 액정표시장치
US6950157B2 (en) 2003-06-05 2005-09-27 Eastman Kodak Company Reflective cholesteric liquid crystal display with complementary light-absorbing layer
JPWO2005076064A1 (ja) 2004-02-04 2007-10-18 株式会社ブリヂストン 情報表示装置
JP2006031771A (ja) 2004-07-13 2006-02-02 Pioneer Electronic Corp 収差補正素子、光ピックアップ及び情報機器
US20060063015A1 (en) 2004-09-23 2006-03-23 3M Innovative Properties Company Protected polymeric film
US20060087863A1 (en) 2004-10-11 2006-04-27 Jin-Sung Choi Optical lens system, backlight assembly and display device
KR100682870B1 (ko) * 2004-10-29 2007-02-15 삼성전기주식회사 다층전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자
GB0425276D0 (en) 2004-11-16 2004-12-15 Magink Display Technologies In Cholesteric liquid crystal display device
TWI317828B (en) 2004-12-07 2009-12-01 Ind Tech Res Inst Method and device of color cholesteric liquid crystal
TWI291490B (en) 2004-12-31 2007-12-21 Ind Tech Res Inst Dichroic dye, composition thereof, and liquid crystal composition, microencapsulated liquid crystal composition and liquid-crystal display element employing the same
GB2424305A (en) 2005-01-21 2006-09-20 Magink Display Technologies In Batteryless display apparatus
US7630029B2 (en) 2005-02-16 2009-12-08 Industrial Technology Research Institute Conductive absorption layer for flexible displays
EP1852740A4 (en) 2005-02-21 2008-11-05 Fujitsu Ltd LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT
EP1720149A3 (en) 2005-05-02 2007-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7295266B2 (en) 2005-05-20 2007-11-13 Industrial Technology Research Institute Reflective layer field blooming layer for lc display
US7586664B2 (en) 2005-07-01 2009-09-08 Ppg Industries Ohio, Inc. Transparent electrode for an electrochromic switchable cell
JPWO2007004286A1 (ja) 2005-07-04 2009-01-22 富士通株式会社 液晶表示素子
JP5070827B2 (ja) 2006-01-12 2012-11-14 セイコーエプソン株式会社 電気泳動シート、電気泳動装置、電気泳動装置の製造方法および電子機器
KR101163789B1 (ko) * 2006-02-07 2012-07-09 삼성전자주식회사 투명전극 및 그의 제조방법
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
JP2009021073A (ja) 2007-07-11 2009-01-29 Sumitomo Chemical Co Ltd 自発光型素子及び照明装置並びに表示装置
JP5245113B2 (ja) 2007-12-14 2013-07-24 コニカミノルタ株式会社 透明補助電極フィルム及び透明補助電極フィルムの製造方法と、透明導電性フィルム及び透明導電性フィルムの製造方法
KR101563025B1 (ko) * 2007-12-28 2015-10-23 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 가요성 캡슐화 필름 및 그의 제조 방법
US20090316060A1 (en) * 2008-06-18 2009-12-24 3M Innovative Properties Company Conducting film or electrode with improved optical and electrical performance
US9581870B2 (en) * 2009-08-13 2017-02-28 3M Innovative Properties Company Conducting film or electrode with improved optical and electrical performance for display and lighting devices and solar cells

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5667853A (en) * 1995-03-22 1997-09-16 Toppan Printing Co., Ltd. Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same
TW565812B (en) * 2000-07-21 2003-12-11 Ebauchesfabrik Eta Ag Display assembly including an electro-optical cell and a photovoltaic cell
JP2005019056A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Toray Ind Inc 複合透明導電性基材とそれを用いたディスプレイ
US20080038529A1 (en) * 2004-09-13 2008-02-14 Tokuyuki Nakayama Transparent Conductive Film and Method of Fabricating the Same, Transparent Conductive Base Material, and Light-Emitting Device
TW200813549A (en) * 2006-07-06 2008-03-16 Intematix Corp Photo-luminescence color liquid crystal display
WO2009050145A1 (fr) * 2007-10-16 2009-04-23 Avancis Gmbh & Co. Kg Perfectionnements apportés à un boîtier de connexion pour éléments capables de collecter de la lumière
TW200929120A (en) * 2007-12-24 2009-07-01 Ignis Innovation Inc Display system with a solar cell and device having the same

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Publication number Publication date
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