KR101163789B1 - 투명전극 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 그리드 전극, 상기 그리드 전극 위에 형성된 나노금속층 및 상기 그리드 전극 및 나노 금속층 위에 형성된 전도성 고분자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 투명전극은 각종 디스플레이 장치의 투명전극으로 이용시 제조 비용을 절감할 수 있고, 연속공정에 의해 제작이 가능하므로 생산성을 향상시킬 수 있다.
투명전극, 기판, 그리드 전극, 나노금속층, 전도성 고분자층

Description

투명전극 및 그의 제조방법{TRANSPARENT ELECTRODE AND PRAPARATION METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 투명 전극의 단면개략도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 투명 전극의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 3a 및 3b는 본 발명의 실시예에서 제조된 투명 전극의 주사전자현미경 사진이다.
도 4a 및 4b는 실시예 및 비교예에서 제조된 투명전극의 투과도에 대한 저항 변화를 도시한 그래프이다.
도 5a 및 5b는 실시예 및 비교예에서 제조된 투명전극의 파장에 따른 투과도 변화를 나타낸 그래프이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 기판 20: 그리드 전극
30: 나노금속층 40 : 전도성 고분자층
본 발명은 투명전극 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 투명 기판 위에 형성된 그리드 전극, 나노금속층 및 전도성 고분자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조공정성이 우수하고 제조 가격이 저렴한 투명전극 및 그의 제조방법에 관계한다.
투명 기판 위에 도전막이 형성된 투명전극은 이미지센서, 태양전지, 액정 디스플레이 장치, 유기 EL 디스플레이, 터치 스크린 패널 등 빛의 통과와 전도성 등 두 가지 특성을 동시에 필요로 하는 소자에 폭 넓게 사용되고 있다.
디지털 방송이 상용화되고 있고 고해상도 대면적의 디스플레이 장치에 대한 수요가 급증하고 있어 LCD와 PDP를 비롯한 평판디스플레이 장치가 대중화 되고 있다. 한편, 최근 위성 DMB 및 지상파 DMB와 같은 방송과 통신이 결합된 형태의 디지털 멀티미디어 방송(Digital Multimedia Broadcasting) 서비스가 시행되고 유비쿼터스 컴퓨팅이 가능해짐에 따라서 플렉서블 디스플레이(Flexible display)에 대한 관심도 높아지고 있다. 따라서 디스플레이 분야에서는 TFT-LCD나 PDP, 유기 EL의 뒤를 이어 차세대 디스플레이로서 플렉서블 디스플레이가 주목 받고 있다.
플렉서블 디스플레이를 구현하는 방법으로는 기존의 디스플레이 장치의 원리를 활용하여 기존의 유리기판을 플렉서블 기판으로 바꾸거나 스위칭 소자를 유기반도체인 OTFT로 바꾸는 것을 통하여 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 다른 방법으로는 전자종이(e-paper), 입자를 이용한 전기영동 디스플레이 장치, 캡 슐을 이용한 전기영동 디스플레이 장치, 트위스트 볼(twistball)을 이용한 전기영동 디스플레이 장치 등의 형태로 구현할 수 있다.
플렉서블 디스플레이 장치 등의 각종 디스플레이 장치의 전극으로 기존에는 ITO(indium tin oxide) 전극이 주로 사용되고 있는데, 이는 ITO가 유리기판 위에 박막을 형성하기 쉽고 광투과 특성 및 우수한 도전성을 갖고 있기 때문이다. ITO 전극의 제조시에는 진공증착 장비를 사용하게 되는데, 그 중에서도 특성이 가장 우수한 스퍼터링 장비가 많이 사용되고 있다.　 스퍼터링에 의해 투명전극을 제조하는 경우에는 처리 온도가 200도 이상, 때로는 400도 이상의 고온이 된다. 액정 디스플레이 장치, 이미지 센서의 투명전극으로 사용하는 경우에는 이 정도의 고온으로도 실리콘 기판이 손상될 수 있다. 특히 이와 같이 공정온도가 높으면 플렉서블 디스플레이를 제조하는 경우에는 사용할 수 없다. 더욱이 ITO 전극의 경우에는 유연성이 낮고 플렉서블 디스플레이에 사용할 경우 내구성이 떨어지는 문제점을 가진다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 극복하기 위한 것으로, 본 발명의 하나의 목적은 고투과도 및 저저항 특성을 가지며 저가의 단순 공정에 의해 제조될 수 있는 투명전극을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 제조비용이 저렴하고 제조공정이 단순화된 투명전극의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 투명 전극을 포함하는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 양상은
투명 기판;
상기 투명 기판 상에 형성된 그리드 전극;
상기 그리드 전극 위에 형성된 나노금속층; 및
상기 그리드 전극 및 나노 금속층 위에 형성된 전도성 고분자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극에 관계한다.
본 발명에서 기판은 유리 및 석영과 같은 투명 무기 기판이거나 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET;polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN; polyethylene naphathalate), 폴리에틸렌 설폰(PES: polyethylene sulfone), 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 아크릴 수지, 올레핀 말레이미드 공중합체, 노르보넨계 수지 로 구성되는 군에서 선택되는 투명 플라스틱 기판일 수 있다.
나노 금속층은 팔라듐, 니켈, 구리, 백금, 금 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있고, 금속 나노입자의 입도는 3 내지 40 나노미터인 것이 바람직하다.
전도성 고분자층을 형성하는 전도성 고분자는 아닐린계 호모 폴리머 또는 코폴리머, 피롤계 호모폴리머 또는 코폴리머, 및 비닐피리딘계 호모폴리머 또는 코폴 리머로 구성되는 군에서 선택되는 것일 수 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 양상은
투명 기판 상에 그리드 전극을 형성하는 단계;
그리드 전극 위에 금속 나노입자를 포함하는 나노금속층을 형성하는 단계; 및
나노금속층이 형성된 투명 기판 위에 전도성 고분자를 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법에 관계한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 양상은 상기 투명 전극을 포함하는 디스플레이 장치에 관계한다.
이하에서 첨부 도면을 참고하여 본 발명에 관하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 투명 전극은 그리드 전극이 형성된 투명 기판 위에 나노금속층 및 전도성 고분자층이 차례로 형성된 것으로, 투과도의 저하 없이 저저항 특성을 시현한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 투명전극의 단면 개략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 투명 전극은 투명 기판(10), 그리드 전극(20), 나노금속층(30) 및 전도성 고분자층(40)을 포함하여 구성된다.
본 발명의 투명 전극에서 상기 투명기판(10)으로는 투명성을 갖고 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 석영 및 유리와 같은 투명 무기 기판이 사용되거나 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET;polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN; polyethylene naphathalate), 폴리에틸렌 설폰(PES: polyethylene sulfone), 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 아크릴 수지, 올레핀 말레이미드 공중합체, 노르보넨계 수지 등의 투명 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. 내열성이 요구되는 경우 올레핀 말레이미드 공중합체, 노르보넨계 수지가 좋으며, 그렇지 않은 경우 폴리에스테르 필름이나 아크릴 수지 등을 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 그리드 전극(20)은 투명 기판 위에 금속 메쉬층이 형성된 구조로, 이러한 그리드 전극은 스크린 방법, 잉크젯 방법, 및 디스펜스 방법, 버블젯 방법, 광촉매를 이용하는 방법, 열증발법에 의한 방법 등 본 발명이 속하는 분야에 알려진 임의의 방법에 의해 형성될 수 있다.
광촉매를 이용하여 그리드 전극을 형성하는 경우에는 광촉매 화합물을 기판에 코팅하여 광촉매 필름을 형성하고, 상기 광촉매 필름 상에 수용성 고분자 화합물을 코팅하여 수용성 고분자 층을 형성한다. 이어서 상기 광촉매 필름 및 수용성 고분자 층을 선택적으로 노광하여 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 수득한다. 상기 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 도금처리하여 금속결정을 성장시키면 금속패턴이 형성된 그리드 전극이 수득된다.
본 발명에서 나노 금속층(30)은 팔라듐, 니켈, 구리, 백금, 금 또는 이들의 합금으로 구성되는 군에서 선택되는 재료로 형성될 수 있고, 나노금속층을 구성하는 금속 나노입자의 입도는 3 내지 40 나노미터인 것이 바람직하다.
본 발명의 투명 전극에서 그리드 전극(20)과 전도성 고분자층(40) 사이에 나노금속층(30)이 형성되면, 금속 나노입자가 전하를 포획하는 역할을 수행하므로 전기전도도가 향상된다. 또한 나노금속층의 금속입자의 입도는 빛의 파장 보다 적기 때문에 투명전극의 투과도를 해하지 않으면서 전기전도도를 향상시켜, 본 발명의 투명전극은 고투과도와 저저항 특성을 갖는다.
본 발명에서 전도성 고분자층(40)을 형성하는 전도성 고분자 재료는 특별히 제한되지 않고 전기전도성을 갖는 고분자라면 어느 것이나 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용가능한 전도성 고분자의 예는 아닐린계 호모 폴리머 또는 코폴리머, 피롤계 호모폴리머 또는 코폴리머, 및 비닐피리딘계 호모폴리머 또는 코폴리머를 포함하나 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 사용가능한 전도성 고분자의 구체적인 예는 폴리-3-헥실티오펜, 폴리피롤, 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, (폴리(1-메톡시-4-(O-디스퍼스 레드1))-2,5-페닐렌-비닐렌), 폴리인돌, 폴리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리피리딘비닐, 및 폴리피리딘 등을 포함한다.
본 발명의 다른 양상은 상술한 투명전극의 제조방법에 관계한다. 본 발명의 방법에 의해 투명전극을 제조하는 경우에는 (i) 투명 기판 상에 그리드 전극을 형성하고, (ii) 그리드 전극 위에 금속 나노입자를 포함하는 나노금속층을 형성한다. 끝으로 (iii) 나노금속층이 형성된 투명 기판 위에 전도성 고분자층을 형성한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 투명 전극의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다. 이하에서 도 2를 참고하여 각 단계에 대해서 보다 상게하게 설명한다. 각 단계에서 사용되는 재료는 위에서 투명전극과 관련하여 설명한 바와 동일하다.
i) 그리드 전극 형성 단계
본 발명에서 그리드 전극의 형성방법은 특별히 제한되지 않는데, 예를 들어 스크린 방법, 잉크젯 방법, 디스펜스 방법, 버블젯 방법, 광촉매를 이용하는 방법, 열증발법에 의한 방법 등 본 발명이 속하는 기술 분야에 알려진 임의의 방법에 의해 형성될 수 있다.
광촉매를 이용하여 그리드 전극을 형성하는 경우에는 광촉매 화합물을 기판에 코팅하여 광촉매 필름을 형성하고, 상기 광촉매 필름 상에 수용성 고분자 화합물을 코팅하여 수용성 고분자 층을 형성한다. 이어서 상기 광촉매 필름 및 수용성 고분자 층을 선택적으로 노광하여 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 수득한다. 상기 결정성장용 핵의 잠재적 패턴을 도금처리하여 금속결정을 성장시켜 금속패턴이 형성된 그리드 전극을 형성할 수 있다.
상기 광촉매 필름은 노광 전에는 비활성이나 자외선 등의 광을 조사받는 경우 활성화되어 반응성이 강해지는 광촉매 화합물로 형성할 수 있다. 상기 광촉매 화합물은 자외선 노광시 노광 부위에 전자 여기가 일어나 환원성 등의 활성을 띄게 된다. 따라서 광촉매 필름을 미세 패턴이 형성되어 있는 포토 마스크를 통해 선택적으로 노광하면, 노광된 부분에서만 구리, 백금, 팔라듐 등의 금속이온의 환원 이 일어나 다음 단계에서 금속 패턴을 형성할 수 있다.
이러한 광촉매 화합물로서 구체적으로는 열처리에 의해 투명한 TiO2 를 형성할 수 있는 Ti를 포함한 유기금속화합물을 예로 들 수 있다. 보다 구체적으로는 테트라이소프로필티타네이트(tetraisopropyltitanate), 테트라-n-부틸티타네이트(tetra-n-butyl titanate), 테트라키스(2-에틸-헥실)티타네이트[tetrakis(2-ethyl-hexyl)titanate], 폴리부틸티타네이트(polybutyltitanate) 등을 사용할 수 있으나, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다.
상기 광촉매 화합물은 이소프로필 알코올 등과 같은 적절한 용매에 녹여 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 프린팅 등의 방법에 의해 기판에 코팅될 수 있다.
상기와 같은 코팅 이후에는 200 ℃ 이하의 온도에서 20 분 이하의 조건으로 핫 플레이트 또는 순환식 오븐(convection oven)에서 가열함으로써 광촉매층을 형성한다.
상기와 같이 형성된 광촉매층 위에 수용성 고분자 화합물을 코팅하여 수용성 고분자층을 형성한다. 구체적으로 수용성 고분자를 물에 2~30 중량%의 농도로 녹여 스핀 코팅 등의 일반적인 코팅 방법에 따라 코팅한 후 가열하여 수용성 고분자층을 형성하게 된다.
수용성 고분자층은 후속하는 자외선 노광시 광환원(Photoreduction)을 촉진시켜 광촉매 활성을 향상시키는 역할을 한다. 이때 사용되는 수용성 고분자로는 폴리비닐알코올, 폴리비닐페놀, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아마이 드, 젤라틴 등의 단일 중합체 혹은 공중합체 등을 예로 들 수 있다.
이어서 광촉매 필름 및 수용성 고분자 층의 복합구조를 선택적으로 노광하여 광촉매 패턴을 형성한다. 이렇게 해서 형성되는 광촉매 패턴은 후속하는 도금처리에 있어 금속결정 성장의 핵으로써 작용한다. 이때 노광분위기 또는 노광량 등에는 별도의 제한이 없으며, 사용하는 광촉매 화합물의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다.
수득한 결정성장용 핵의 잠재적 패턴 또는, 필요에 따라, 상기 패턴에 금속입자를 침적시킨 패턴을 도금처리하면 패턴화된 결정성장용 핵 위에 금속결정이 성장되어 패턴화된 그리드 전극이 수득된다.
본 발명에서 그리드 전극의 선폭 또는 밀도 등은 요구되는 투명 전극의 투과도 또는 가요성(flexibility), 기계적 강도 등을 고려해서 조절할 수 있다.
ii ) 나노금속층 형성 단계
본 발명에서 나노금속층 형성시에는 금속나노입자의 콜로이드 용액을 제조하여 그리드 전극이 형성된 기판을 이러한 콜로이드 용액에 소정 시간 침지시킨 후 건조한다.
금속 나노입자의 콜로이드 용액은 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 이를 위해 예컨대 금속 나노입자 화합물 용액을 유기 보호 콜로이드와 혼화한 후 환원제 용액과 혼합한다. 이 경우 유기 보호 콜로이드는 바람직하지 못한 금속나노입자들간의 응집에 대해 금속 나노입자 콜로이드 용액을 안정화하는 역할을 한다.
필요시는 금속 나노 입자 화합물을 유기 용매와 비례하여 수용액 중에 용해시킬 수 있다. 콜로이드 용액에서 용매로서는 물이 경제적인 이유로 적합하다. 금속 콜로이드 용액 중의 금속 농도는 50 mg/l 내지 1000 mg/l의 범위에 있다.
제조될 콜로이드 용액을 안정화하기 위해, 보호 콜로이드로서 유기 화합물을 사용한다. 이를 위해, 이온성이나 비이온성, 바람직하게는 수용성 중합체를 사용한다. 한편, 단백질, 펩티드, 다당류, 젤라틴, 한천, 아라비아검, 탄닌과 같은 천연 중합체 및 다른 한편으로는 알킬 또는 히드록시알킬셀룰로오스, 폴리비닐 피리딘, 피롤리돈, 메틸케톤, 알콜, 아세테이트, 폴리아민, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리아크릴레이트 및 그들의 유도체, 폴리에틸렌 글리콜, 그의 유도체 및 그의 공중합체 및 이들 화합물들의 혼합물과 같은 합성 중합체가 적합하다. 폴리비닐피롤리돈 및 특히 폴리(4-비닐피롤리돈) 이 적합하다.
환원제로서는 금속 입자(예컨대, 금속 팔라듐)로 금속 화합물(예컨대, 팔라듐 화합물)을 환원시킬 수 있는 화합물을 사용한다. 적당한 환원제의 예들은 알칼리금속 붕산 수소화물, 금속 하이포아인산염, 알칼리 금속 아인산염, 인산, 포름산, 포름알데히드, 히드라진 및 히드라진 수화물과 같은 그의 유도체 및 그의 염, 히드라진 황산염, 포름산염, 이염소화물, 일질산염, 일염소화물, 옥살레이트, 하이포아인산염, 아인산염, 오르토인산염, 및 타르트레이트 및 그의 유도체, 1,1-디메틸히드라진, 1,2-디메틸히드라진, 메틸 히드라진, 에틸 히드라진, 페닐히드라진, 이소프로필히드라진 및 그의 히드로클로라이드 및 히드라조에탄산, 또한 히드록실아민 및 알파- 및 베타- 히드록실아민과 같은 그의 유도체 등을 포함한다.
금속나노입자 콜로이드 용액을 제조하기 위해, 금속 성분을 함유하는 초기 용액을 바람직하게는 환원제 수용액과 혼합한다. 혼합 후, 용액을 예컨대 50 내지 70 ℃까지 가열 승온시키고, 필요시는 추가로 환원제를 첨가한다. 이어서 제조된 금속나노입자 콜로이드 용액에 그리드 전극이 형성된 기판을 5분 내지 15분간 침지시킨 후 탈이온수로 세정하여 건조시킨다.
iii ) 전도성 고분자층 형성 단계
금속 나노입자층이 형성 후에는 그 위에 전도성 고분자층을 형성한다. 이때 전도성 고분자로는 아닐린계 호모 폴리머 또는 코폴리머, 피롤계 호모폴리머 또는 코폴리머, 및 비닐피리딘계 호모폴리머 또는 코폴리머로 구성되는 군에서 선택되는 전도성 고분자를 사용할 수 있다. 구체적으로 전도성 고분자로는 폴리-3-헥실티오펜, 폴리피롤, 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, (폴리(1-메톡시-4-(O-디스퍼스 레드1))-2,5-페닐렌-비닐렌), 폴리인돌, 폴리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리피리딘비닐, 또는 폴리피리딘 등을 사용할 수 있다.
이러한 전도성 고분자를 포함하는 용액을 준비한 후 스프레잉, 스핀 코팅, 딥핑, 프린팅, 닥터블레이딩, 스퍼터링, 전기영동 등의 임의의 방법에 의해 코팅한다.
이때 사용가능한 용매로는 클로로포름, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 사이클로펜탄온, 사이클로헥산온, 메틸에틸케톤, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸아세테이트, 에틸렌글리콜, 톨루엔, 크실렌, 테트라하이드로퓨란, 다이메틸포름아미드, 클로로벤젠, 및 아세토니트릴로 구성되는 군에서 선택되는 용매를 단독으로 사용하거나 2종 이상을 임의의 비율로 혼합하여 사용할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같은 본 발명의 투명 전극의 제조방법은 여러 차례 반복 실시되어 다층의 투명전극을 형성할 수 있다. 이와 같이 다층 투명전극을 제조하는 경우에도 투과도 등의 저하가 심하지 아니하여 각종 디스플레이 장치의 투명전극으로 사용시 투과도 및 전기전도도 면에서 우수한 특성을 제공할 수 있다.
본 발명의 투명 전극은 이미지센서, 태양전지, 액정 디스플레이 장치, 유기 EL 디스플레이, 터치 스크린 패널 등의 각종 디스플레이 장치의 투명전극으로 응용될 수 있다.
이하에서 실시예를 들어 본 발명에 관하여 더욱 상세하게 설명할 것이나, 이들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로, 본 발명의 보호범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
실시예 1
i) 그리드 전극의 제조 및 표면 처리
폴리부틸티타네이트의 이소프로판올 용액(2.5 중량%)을 스핀 코팅에 의해 투명 폴리에스테르 필름에 도포하고, 이를 150℃에서 5분간 건조시켜 필름 두께 100㎚ 정도의 이산화티탄 도막을 조성하였다. 폴리사이언스(Polyscience)사의 분자 량 25,000인 폴리비닐알코올 고분자의 수용액(5중량%)에 고분자 중량에 대해 1중량부의 트리에탄올 아민을 광증감제로 첨가하여 교반한 후 상기의 이산화티탄 필름 도막 위에 코팅하고 60℃에서 2분간 건조시켰다. 이와 같이 준비된 광촉매 필름을 미세 패턴이 형성되어 있는 포토 마스크를 통해 넓은 파장범위(broad range)의 자외선으로 조사하였다(미국 오리엘사의 UV 노광 장비를 사용). 노광 후 PdCl2 0.6g 및 HCl 1㎖를 물 1l에 녹여 제조한 용액에 침지하여 노광 부위에 Pd 금속입자가 표면에 침적되도록 하여 Pd가 침적된 결정성장핵의 패턴이 형성된 기판 (1)을 수득하였다.
상기에서 준비된 기판 (1)을 무전해 동도금액(CuSO4?H2O 12g, KNaC4H4O6?H2O 55g, NaOH 18g, Na2CO3　 10g, Na2S2O3?H2O 0.0002g, CH2O (40%) 20㎖, 물 1l)에 약 10분간 침지하여 동(Cu) 배선 패턴을 수득하였다.
이상과 같이 해서 그리드 전극이 형성된 투명 기판을 탈이온수 1 리터에 H3PO4 3ml가 첨가된 인산 수용액(pH=2.0)을 제조한 후 20도에서 1분간 기판을 침지시켜 세정하였다.
나노금속층 형성
H2PdCl4 (0.0887g)과 폴리비닐피롤리돈(PVP)(0.8325g)을 탈이온수 75 ml와 환원제인 포름알데히드 65 ml가 섞여 있는 용매에 첨가하였다. 이어서 0.1 M의 메 탄올성 NaOH을 10ml 을 첨가한 후, 3시간 교반하여 팔라듐 나노입자 콜로이드 용액을 준비하였다.
전단계에서 수득된 표면처리된 기판을 아래와 같이 제조된 Pd 나노입자 콜로이드 용액에 5분간 침지시킨 후, 탈이온수로 세정하여 80℃에서 1시간 동안 건조시켰다.
전도성 고분자층 형성
팔라듐 나노입자가 도포된 박막 위에 전도성 폴리머를 코팅하였다. 이 때 전도성 고분자로는 바이엘(bayer)사의 PVPCH 8000[폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)과 폴리(스티렌 설포네이트)의 혼합 고분자]를 탈이온수에 분산시켜 스핀코팅에 의해 도포한 후, 150℃에서 1시간 동안 건조시켰다.
도 3a 및 3b에는 본 실시예에서 수득된 나노금속층이 형성된 투명전극의 주사전자현미경사진으로, 도 3b는 도 3a의 사진을 확대한 것이다. 도 3a 및 3b에 도시한 바와 같이, 본 발명의 투명 전극에서는 전극 표면 전체에 금속 나노 입자가 분포하고 있으며 이들의 크기는 약 10 nm 정도 되었다.
비교예 1
실시예 1에서와 동일한 방법에 의해 제조된 그리드 전극이 형성된 투명 전극을 나노 금속층 형성 단계를 생략하고 바로 그 위에 실시예 1과 동일한 방법에 의해 전도성 고분자층을 형성하여 종래 기술에 의한 투명전극을 제조하였다.
실시예와 비교예에서 제조된 투명전극의 투과도 및 표면저항을 아래의 방법에 의해 평가하여 도 4a-4b 및 도 5a-5b에 그래프로 나타내었다.
*투명 전극의 물성 평가
(1) 투과도 측정
투과도는 UV-Visible spectrophotometer에 의해 측정하였다.
(2) 표면 저항( Sheet Resistance ) 측정
표면저항(Ω/□)은 잘 알려져 있는 포-포인트 프로브 (four-point probe)방법에 의해 측정하였다.
실시예 및 비교예에서 제조된 투명전극에 대해서 투과도에 따른 표면 저항을 측정하여 도 4a 및 4b에 각각 나타내었다. 도 4a에 도시된 바와 같이 본 발명의 투명 전극의 경우에는 전 영역에서 광 투과도가 65% 이상, 표면저항이 1000 Ω/□이하의 특성을 갖게 되어 이미지센서, 태양전지, 액정 디스플레이 등의 투명전극으로서 우수한 특성을 제공할 수 있음을 확인할 수 있다. 이와 대조적으로 그리드 전극 위에 전도성 고분자층을 형성한 비교예의 경우에는 전류가 흐르지 아니하여 표면저항을 측정하는 것이 불가능하였다.
도 5a 및 5b는 실시예 및 비교예에서 다층 전극을 제조하기 위해 전체 공정을 반복 실시한 경우의 각 사이클 마다 파장에 따른 투과도의 변화를 나타낸 그래프이다. 즉, 기판 위에 그리드 전극을 형성시, 전 공정을 1회 실시한 경우, 2회 반복시 및 3회 반복시의 투과도의 변화를 나타낸 것이다.
이상에서 바람직한 구현예를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 본 발명의 보호범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있으므로, 이러한 다양한 변형예들도 본 발명의 보호 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명의 투명전극은 투과도가 높고 저항이 낮아서 각종 디스플레이 장치의 전극으로 응용될 수 있다.
또한 본 발명의 투명 전극의 제조방법은 고가의 진공장비를 필요로 하는 스퍼터링 공정 등을 거치지 않고 도금 공정(wet process)에 의해 실시할 수 있어 고투과도 및 저저항의 투명전극을 저가의 단순 공정에 의해 제조할 수 있는 이점을 갖는다.
스퍼터링 등을 이용하는 종래 기술에서는 공정온도가 200℃ 이상으로 고온이었으나, 본 발명에서와 같이 도금 공정 등을 이용하면 공정온도를 75℃ 미만으로 낮출 수 있어 플렉서블 디스플레이 장치용의 플렉서블 투명전극을 제조할 수 있다.
더욱이, 본 발명의 방법에 의하면 연속공정(roll-to-roll)에 의해 투명전극을 제조할 수 있고, 도금 공정을 통해 전극을 형성하므로 대면적의 전극의 제조시에도 높은 균일도의 대면적 전극을 제조할 수 있다.

Claims (16)

  1. 투명 기판;
    상기 투명 기판 상에 형성된 그리드 전극;
    상기 그리드 전극 위에 형성된 나노금속층; 및
    상기 그리드 전극 및 나노 금속층 위에 형성된 전도성 고분자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 기판이 유리 및 석영과 같은 투명 무기 기판이거나 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 설폰, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 아크릴 수지, 올레핀 말레이미드 공중합체, 노르보넨계 수지로 구성되는 군에서 선택되는 투명 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 투명전극.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 나노 금속층이 팔라듐, 니켈, 구리, 백금, 금 또는 이들의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 나노금속층의 금속입자의 입도가 3 내지 40 나노미터인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 전도성 고분자층을 형성하는 전도성 고분자가 아닐린계 호모 폴리머 또는 코폴리머, 피롤계 호모폴리머 또는 코폴리머, 및 비닐피리딘계 호모폴리머 또는 코폴리머로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 투명전극.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 전도성 고분자가 폴리-3-헥실티오펜, 폴리피롤, 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, (폴리(1-메톡시-4-(O-디스퍼스 레드1))-2,5-페닐렌-비닐렌), 폴리인돌, 폴리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리피리딘비닐, 및 폴리피리딘으로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 투명전극.
  7. 투명 기판 상에 그리드 전극을 형성하는 단계;
    그리드 전극 위에 금속 나노입자를 포함하는 나노금속층을 형성하는 단계; 및
    나노금속층이 형성된 투명 기판 위에 전도성 고분자를 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 기판이 유리 및 석영과 같은 투명 무기 기판이거나 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 설폰, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 아크릴 수지, 올레핀 말레이미드 공중합체, 노르보넨계 수지로 구성되는 군에서 선택되는 투명 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 나노 금속층을 팔라듐, 니켈, 구리, 백금, 금 또는 이들의 합금으로 형성되는 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 나노금속층의 금속입자의 입도가 3 내지 40 나노미터인 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법.
  11. 제 7항에 있어서, 상기 전도성 고분자층을 형성하는 전도성 고분자가 아닐린계 호모 폴리머 또는 코폴리머, 피롤계 호모폴리머 또는 코폴리머, 및 비닐피리딘계 호모폴리머 또는 코폴리머로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  12. 제 7항에 있어서, 상기 전도성 고분자가 폴리-3-헥실티오펜, 폴리피롤, 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, (폴리(1-메톡시-4-(O-디스퍼스 레드1))-2,5-페닐렌-비닐렌), 폴리인돌, 폴리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리피리딘비닐, 및 폴리피리딘으로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  13. 제 7항에 있어서, 상기 그리드 전극 형성 단계는 스크린 방법, 잉크젯 방법, 및 디스펜스 방법, 버블젯 방법, 광촉매를 이용하는 방법, 열증발법으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  14. 제 7항에 있어서, 상기 나노금속층 형성 단계가 그리드 전극이 형성된 기판을 금속 나노입자의 콜로이드 용액에 침지시킨 후 건조시키는 단계임을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  15. 제 7항에 있어서, 상기 전도성 고분자층 형성 단계는 전도성 고분자를 포함하는 용액을 스프레잉, 스핀 코팅, 딥핑, 프린팅, 닥터블레이딩, 스퍼터링, 또는 전기영동 방법에 의해 코팅하는 단계임을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법.
  16. 제 1항의 투명 전극을 포함하는 디스플레이 장치.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060007503A (ko) * 2004-07-20 2006-01-26 삼성코닝 주식회사 가요성 기판 상의 고전도성 금속 패턴 형성 방법 및 이를이용한 전자파 차폐 필터
EP1983592A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-22 Nederlandse Organisatie voor Toegepast-Natuuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Method for manufacturing an electrode
EP4071785A1 (en) * 2008-02-28 2022-10-12 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor
EP2260366B1 (en) 2008-02-28 2018-09-19 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor having varying sheet resistance
US8284332B2 (en) * 2008-08-01 2012-10-09 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor with low visibility conductors
US8425792B2 (en) 2008-02-28 2013-04-23 3M Innovative Properties Company Methods of patterning a conductor on a substrate
EP2260367A4 (en) 2008-02-28 2014-05-14 3M Innovative Properties Co TOUCH SCREEN SENSOR WITH LADDERS OF LIGHT VISIBILITY
KR101030497B1 (ko) * 2008-12-26 2011-04-21 전자부품연구원 플렉서블 디스플레이 장치용 입력장치, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치
KR20100084252A (ko) * 2009-01-16 2010-07-26 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널
US9581870B2 (en) 2009-08-13 2017-02-28 3M Innovative Properties Company Conducting film or electrode with improved optical and electrical performance for display and lighting devices and solar cells
KR101103914B1 (ko) * 2009-11-06 2012-01-12 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101172206B1 (ko) * 2010-10-06 2012-08-07 엘지이노텍 주식회사 태양 전지
WO2013096036A1 (en) 2011-12-22 2013-06-27 3M Innovative Properties Company Electrically conductive article with high optical transmission
JP2015507560A (ja) 2011-12-22 2015-03-12 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 炭素コーティングされた物品及びその製造方法
CN104106024B (zh) 2012-02-10 2017-06-09 3M创新有限公司 用于触摸传感器电极的网格图案
KR101315065B1 (ko) * 2012-03-08 2013-10-08 한국과학기술원 태양전지 및 그 제조방법
JP5224203B1 (ja) 2012-07-11 2013-07-03 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサ、タッチパネル装置および表示装置
WO2014088798A1 (en) 2012-12-07 2014-06-12 3M Innovative Properties Company Electrically conductive articles
CN104393194A (zh) * 2014-12-10 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性电极、其制作方法、电子皮肤及柔性显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003203683A (ja) 2001-12-28 2003-07-18 Fujikura Ltd 光電変換素子用導電性ガラス
JP2005044544A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Fujikura Ltd 透明電極用基材、光電変換素子及び色素増感太陽電池

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6763167B2 (en) * 2000-12-20 2004-07-13 Polaroid Corporation Integral organic light emitting diode fiber optic printhead
CN100380596C (zh) * 2003-04-25 2008-04-09 株式会社半导体能源研究所 液滴排出装置、图案的形成方法及半导体装置的制造方法
DE10324880B4 (de) * 2003-05-30 2007-04-05 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von OLEDs
JP4475016B2 (ja) * 2003-06-30 2010-06-09 東レ株式会社 ハードコートフィルム、反射防止フィルムおよび画像表示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003203683A (ja) 2001-12-28 2003-07-18 Fujikura Ltd 光電変換素子用導電性ガラス
JP2005044544A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Fujikura Ltd 透明電極用基材、光電変換素子及び色素増感太陽電池

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US20070181878A1 (en) 2007-08-09
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