TWI503394B - 異方性導電膜、接合體、及接合體之製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於可將IC晶片、液晶顯示器(LCD)中的液晶面板(LCD面板)等之電路構件加以電氣及機械性地連接的異方性導電膜、以及使用該異方性導電膜的接合體、及該接合體之製造方法。
向來,就連接電路構件的手段而言,一般使用將有分散導電性粒子的熱硬化性樹脂塗布於剝離薄膜的帶狀連接材料(例如,異方性導電膜(ACF;Anisotropic Conductive Film))。
此異方性導電膜係例如,以將撓性印刷基板(flexible printed circuit,FPC)或IC晶片之端子、與LCD面板之玻璃基板上所形成的ITO(氧化銦錫,Indium Tin Oxide)電極加以連接的情形為開始,並使用於各種端子彼此接著的同時作電氣連接的情形。
近年之異方性導電膜於低溫短時間連接的需求增加,將丙烯酸系樹脂作為黏接劑的異方性導電膜正被使用著。然而,將丙烯酸系樹脂作為黏接劑的異方性導電膜與環氧系異方性導電膜相比下,極性降低(因樹脂中之羥基(hydroxyl group)量降低),有不能充分滿足對於電路構件所形成的配線材及絕緣膜的接著性的問題。
因此,關於間隔於第一電路構件及第二電路構件之間,使用於接著前述第一電路構件及前述第二電路構件的電路連接用接著薄膜,已提議具備黏著劑層A及於該黏著劑層A上積層的黏著劑層B,具有特定剝離強度,且前述黏著劑層B之厚度為0.1μm~5.0μm的電路連接用接著薄膜(專利文獻1)。然而,前述電路連接用接著薄膜,為了使壓著前的異方性導電膜之貼附工程良好地進行,而設計了絕緣性樹脂層,但對於電路構件所形成的絕緣膜的接著性並未充分檢討。
專利文獻2中已明示含有單官能丙烯酸酯的異方性導電膜,雖有關於對絕緣膜(氮化矽)之接著性的記載,但因為使用單官能丙烯酸酯,有引起黏接劑之凝集力降低,無法壓抑導電性粒子的排斥,而有連接信賴性降低的疑慮。
因此,企求於配置絕緣膜的電路構件之連接上,可以低溫短時間壓著,導通電阻低且接著性優異的異方性導電膜、以及使用該異方性導電膜的接合體、及該接合體之製造方法為目前的現狀。
[專利文獻1] 特開2008-288551號公報
[專利文獻2] 特開2008-291199號公報
本發明係以解決一直以來的前述問題,而達成以下目的為課題。即,本發明係以提供於配置絕緣膜的電路構件之連接上,可以低溫短時間壓著,導通電阻低且接著性優異的異方性導電膜、以及使用該異方性導電膜的接合體、及該接合體之製造方法為目的。
就解決前述課題的手段而言,如以下所示。即:
<1>一種異方性導電膜,其為用以將至少一部份形成絕緣膜的第一電路構件及第二電路構件加以電氣連接的異方性導電膜,其特徵為:其具有含導電性粒子的導電性粒子含有層、及由絕緣性黏著劑所形成的絕緣性接著層,前述絕緣性接著層之平均厚度為0.5μm~3μm,使前述絕緣性接著層硬化後之硬化物於30℃的儲存彈性模數(storage elastic modulus)為500MPa~1,500MPa。
<2>前述<1>記載之異方性導電膜,其中導電性粒子含有層及絕緣性接著層含有膜形成樹脂、自由基聚合性化合物、及聚合引發劑。
<3>一種接合體,其具有至少一部份形成絕緣膜的第一電路構件、第二電路構件、及間隔於前述第一電路構件與前述第二電路構件之間而將前述第一電路構件與前述第二電路構件加以電氣連接的異方性導電層,其特徵為:前述異方性導電層係由前述<1>或<2>任一項記載之異方性導電膜所形成,且
於前述第一電路構件側配置絕緣性接著層,於前述第二電路構件側配置導電性粒子含有層。
<4>如前述<3>記載之接合體,其中絕緣膜為含有氮化矽的膜。
<5>如前述<3>或<4>記載之接合體,其中第一電路構件為玻璃基板及塑膠基板任一者,第二電路構件為撓性基板及COF(覆晶薄膜(chip on film))基板任一者。
<6>如前述<5>記載之接合體,其中玻璃基板為具有IZO的玻璃基板。
<7>一種接合體之製造方法,其係製造如前述<3>至<6>中任一項記載之接合體的接合體之製造方法,其特徵為包含:配置工程,其係配置前述第一電路構件、前述第二電路構件、及異方性導電膜使其於第一電路構件側配置絕緣性接著層,於第二電路構件側配置導電性粒子含有層,接合工程,其係藉由加熱押壓構件將前述第一電路構件及前述第二電路構件任一者加以加熱及押壓,而將前述第一電路構件及前述第二電路構件加以接合。
依據本發明,可解決一直以來的前述問題,而達成前述目的,於配置絕緣膜的電路構件之連接,可以低溫短時間壓著,可提供導通電阻低且接著性優異的異方性導電膜、以及使用該異方性導電膜的接合體、及該接合體之製造方法。
[用以實施發明之形態]
(異方性導電膜)
本發明之異方性導電膜為用以將第一電路構件及第二電路構件作電氣連接的異方性導電膜,其至少具有導電性粒子含有層及絕緣性接著層,更因應需要具有其他層。
<第一電路構件>
就前述第一電路構件而言,只要為至少一部份形成絕緣膜的電路構件即可,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例形成絕緣膜之玻璃基板、塑膠基板、IC晶片、TAB帶等。
就前述絕緣膜而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例含有氮化矽的膜等。
就前述絕緣膜之形狀而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例圖案(pattern)狀等。
就前述玻璃基板而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例具有IZO(氧化銦錫)的玻璃基板等。
前述第一電路構件具有配線材。就前述配線材而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,鋁、鉻、鈦、銅、鉬等之金屬;ITO、IZO等之金屬氧化物(透明電極材料)等。
就前述第一電路構件之表面而言,例如,可舉例前述絕緣膜與前述配線材所形成的表面。就此表面之態樣而言,例如,可舉例前述絕緣膜與前述配線材係交互而有規則配列的態樣、隨機配置的態樣等。
<第二電路構件>
就前述第二電路構件而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例撓性基板(FPC)、COF(chip on film,覆晶薄膜)基板、玻璃製之LCD基板、玻璃製之PDP基板、玻璃製之有機EL基板等。
前述第二電路構件具有配線材。就前述配線材而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例Cu、NiSn、NiAu等。
<導電性粒子含有層>
就前述導電性粒子含有層而言,只要為含有導電性粒子的層即可,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例至少含有導電性粒子,且含有膜形成樹脂、自由基聚合性化合物、聚合引發劑,更因應必要而含有矽烷偶合劑等之其他成分的層。
-導電性粒子-
就前述導電性粒子而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例金屬粒子、金屬被覆樹脂粒子等。
就前述金屬粒子而言,例如,可舉例鎳、鈷、銀、銅、金、鈀等。此等可使用單獨1種,亦可併用2種以上。此等中,以鎳、銀、銅為較佳。以防止此等表面氧化為目的,亦可使用此等之表面上施予金、鈀的粒子。再者,亦可使用此等之表面施以金屬突起或有機物作的絕緣皮膜。
就前述金屬被覆樹脂粒子而言,例如,可舉例樹脂芯之表面以鎳、銅、金、及鈀任一者之金屬被覆的粒子。同樣地,亦可使用前述樹脂芯之最外表面施以金、鈀的粒子。再者,亦可使用前述樹脂芯之表面施以金屬突起或有機物作的絕緣皮膜。
就對前述樹脂芯之金屬之被覆方法而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例無電解鍍敷法、濺鍍法等。
就前述樹脂芯之材料而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例苯乙烯-二乙烯苯共聚合體、苯并胍胺樹脂、交聯聚苯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯-二氧化矽複合樹脂等。
就前述導電性粒子含有層中的前述導電性粒子之含量而言,並未特別限制,可經由電路構件之配線間隔、或連接面積等而適宜調整。
-膜形成樹脂-
就前述膜形成樹脂而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例苯氧基樹脂、環氧基樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂等。前述膜形成樹脂係可使用單獨1種,亦可併用2種以上。此等中,基於製膜性、加工性、連接信賴性之觀點,以苯氧基樹脂為特佳。
前述苯氧基樹脂係為由雙酚A及表氯醇(epichlorohydrin)所合成的樹脂,可使用適宜合成者,亦可使用市售品。
就前述導電性粒子含有層中的前述膜形成樹脂之含量而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇。
-自由基聚合性化合物-
就前述自由基聚合性化合物而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例丙烯酸化合物、液狀丙烯酸酯等,具體而言,可舉例丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、含有磷酸基的丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二丙烯酸酯、四亞甲基二醇四丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二丙烯醯氧基丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基甲氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基乙氧基)苯基]丙烷、二環戊烯基丙烯酸酯、三環癸烷基丙烯酸酯、三(丙烯醯氧基乙基)三聚異氰酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯、環氧基丙烯酸酯等。又,前述丙烯酸酯亦可使用甲基丙烯酸酯。此等可使用單獨1種,亦可併用2種以上。
就前述導電性粒子含有層中的前述自由基聚合性化合物之含量而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇。
-聚合引發劑-
就前述聚合引發劑而言,只要可使前述自由基聚合性化合物聚合者即可,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,藉由熱或光而發生自由基的聚合引發劑為較佳。
就前述藉由熱或光而發生自由基的聚合引發劑而言,有機過氧化物為較佳,由反應性及保存安定性的觀點,1分鐘半衰期溫度為90℃~180℃,且10小時半衰期溫度為40℃以上的有機過氧化物為更佳。
為了以10秒鐘以下進行接合,1分鐘半衰期溫度為180℃以下者為較佳。10小時半衰期溫度為40℃以下時,冷藏5℃以下之保管有時變困難。
就藉由熱而發生自由基的聚合引發劑而言,例如,可舉例有機過氧化物、偶氮化合物等。就前述有機過氧化物而言,例如,可舉例過氧化苯甲醯、三級丁基過氧化物等。就前述偶氮化合物而言,例如,可舉例2,2’-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)、2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)(V-65)、2,2’-偶氮雙異丁腈(AIBN)、2,2’-偶氮雙(2-甲基丁腈)、1,1-偶氮雙(環己烷-1-甲腈)、2,2’-偶氮雙[2-甲基-N-[1,1-雙(羥基甲基)-2-羥基乙基]丙醯胺]、二甲基2,2’-偶氮雙(2-甲氧基丙酸酯)等。此等可使用單獨1種,亦可併用2種以上。
就經由光而發生自由基的聚合引發劑而言,例如,可舉例苯烷基酮(alkylphenone)、苯偶姻(benzoin)、二苯甲酮(benzophenone)、二羰基(dicarbonyl)化合物、噻噸酮(thioxanthone)、醯基膦氧化物(acylphosphine oxide)、或此等之衍生物等。此等可使用單獨1種,亦可併用2種以上。
就前述導電性粒子含有層中的前述聚合引發劑之含量而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇。
-矽烷偶合劑-
就前述矽烷偶合劑而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例環氧系矽烷偶合劑、丙烯酸系矽烷偶合劑、硫醇系矽烷偶合劑、胺系矽烷偶合劑等。
就前述導電性粒子含有層中的前述矽烷偶合劑之含量而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇。
就前述導電性粒子含有層之平均厚度而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,但1μm~100μm為較佳,4μm~30μm為更佳。前述平均厚度低於1μm時,電路間有無法充分填充導電性粒子含有層的情形,超過100μm時,有無法充分排除導電性粒子含有層而產生導通不良的情形。前述平均厚度於前述較佳範圍時,導電性粒子含有層被適度地填充,於接著性、及導通信賴性之觀點為有利的。
其中,前述平均厚度為測量任意5處時之平均值。
<絕緣性接著層>
前述絕緣性接著層係由絕緣性黏著劑所形成。
就前述絕緣性黏著劑而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例至少含有膜形成樹脂、自由基聚合性化合物、及聚合引發劑之絕緣性黏著劑,更因應必要,含有矽烷偶合劑等之其他成分的絕緣性黏著劑。就前述膜形成樹脂、前述自由基聚合性化合物、前述聚合引發劑、及前述矽烷偶合劑而言,可舉例與前述導電性粒子含有層之說明中記載的前述膜形成樹脂、前述自由基聚合性化合物、前述聚合引發劑、及前述矽烷偶合劑相同者。
前述絕緣性接著層之平均厚度為0.5μm~3μm,1μm~3μm為較佳。前述平均厚度低於0.5μm時,接著強度會降低,一旦超過3μm,則導通電阻會變大。
其中,前述平均厚度為測量任意5處時之平均值。
使前述絕緣性接著層硬化後之硬化物之30℃的儲存彈性模數係為500MPa~1,500MPa,以500MPa~1,000MPa為較佳。前述儲存彈性模數低於500MPa時,導通電阻變高,超過1,500MPa時,接著強度會變低。
前述儲存彈性模數,例如,可藉由以下之方法加以測量。
於經剝離處理的PET上形成平均厚度為20μm之前述絕緣性接著層。接著,將此絕緣性接著層放入200℃之加熱爐,藉由30分鐘加熱使前述絕緣性接著層硬化,而獲得硬化物。將此硬化物自經前述剝離處理的PET剝離,切成3.5mm×0.4mm之長條形,作為測量試料。此測量試料之30℃的儲存彈性模數使用動態黏彈性(dynamic viscoelasticity)測量器(DDV-01FP,ORIENTEC公司製,頻率11Hz,升溫速度3℃/分鐘)來測量。
就使前述絕緣性接著層硬化後之硬化物之30℃的儲存彈性模數成為500MPa~1,500MPa的方法而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例形成前述絕緣性接著層之際,適宜調整原材料(例如,前述膜形成樹脂、
前述自由基聚合性化合物、前述聚合引發劑等)之摻合量的方法。於適宜調整前述摻合量下,可提高前述儲存彈性模數。例如,經由增加前述自由基聚合性化合物之摻合量,可提高儲存彈性模數。
(接合體)
本發明之接合體係至少具有第一電路構件、第二電路構件、異方性導電層,更因應必要而具有其他構件。
就前述第一電路構件、及前述第二電路構件而言,可舉例與於本發明之前述異方性導電膜之說明中記載的前述第一電路構件、及前述第二電路構件相同者。
前述異方性導電層係由本發明之前述異方性導電膜所形成。前述異方性導電層係間隔於前述第一電路構件及前述第二電路構件之間,將前述第一電路構件及前述第二電路構件作電氣連接。
前述接合體中,於前述第一電路構件側配置前述異方性導電膜之前述絕緣性接著層,前述第二電路構件側配置前述異方性導電膜之前述導電性粒子含有層。藉由如此配置,於加熱及押壓前述第二電路構件來製造前述接合體之際,可獲得前述絕緣性接著層為適度地流動,且接著性良好的接合體。
又,於前述接合體,前述絕緣性接著層與於前述第一電路構件所形成的絕緣膜接合。
(接合體之製造方法)
本發明之接合體之製造方法至少含有配置工程及接合工程,更因應必要而含有其他工程。
依據本發明之接合體之製造方法,本發明之前述接合體被製造。
<配置工程>
就前述配置工程而言,只要為配置前述第一電路構件、前述第二電路構件、及前述異方性導電膜使其於前述接合體中,成為於前述第一電路構件側配置前述絕緣性接著層,於前述第二電路構件側配置前述導電性粒子含有層即可,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇。
就前述導電性粒子含有層、前述絕緣性接著層、前述第一電路構件、前述第二電路構件、及前述異方性導電膜而言,可各別舉例於本發明之前述異方性導電膜之說明中所記載者。
<接合工程>
就前述接合工程而言,只要為藉由加熱押壓構件而加熱及押壓前述第一電路構件及前述第二電路構件任一者,而將前述第一電路構件及前述第二電路構件加以接合的工程即可,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,但由獲得前述絕緣性接著層之較適度的流動的觀點,以藉由加熱押壓構件而加熱及押壓前述第二電路構件者為較佳。
就前述加熱押壓構件而言,例如,可舉例具有加熱機構的押壓構件。就前述具有加熱機構的押壓構件而言,例如,可舉例加熱工具(heat tool)等。
就前述加熱之溫度而言,只要為前述導電性粒子含有層、及前述絕緣性接著層硬化的溫度即可,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,但140℃~200℃為較佳。
就前述押壓之壓力而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,但0.1MPa~10MPa為較佳。
就前述加熱及押壓之時間而言,並未特別限制,可因應目的而適宜選擇,例如,可舉例0.5秒鐘~120秒鐘。
其中,使用第1圖至第3圖來呈現本發明之接合體之製造方法之一例。第1圖為顯示本發明之異方性導電膜之一例的概略剖面圖。第2圖為顯示配置工程中的第一電路構件、第二電路構件、及異方性導電膜之配置之一例的概略剖面圖。第3圖為顯示本發明之接合體之一例的概略剖面圖。
首先,如第1圖所示,準備異方性導電膜1。前述異方性導電膜1具有導電性粒子含有層2及絕緣性接著層3。前述導電性粒子含有層2含有導電性粒子4。接著,就前述配置工程而言,如第2圖所示,將第一電路構件5、第二電路構件9、及前述異方性導電膜1,於所獲得的前述接合體,以於前述第一電路構件5側配置前述絕緣性接著層3,前述第二電路構件9側配置前述導電性粒子含有層2的方式,配置前述第一電路構件5、前述第二電路構件9、及前述異方性導電膜1。其中,前述第一電路構件5具有玻璃基板6、絕緣膜7及配線材8。前述第二電路構件9為撓性基板,具有聚醯亞胺薄膜10及配線材11。接著,就前述接合工程而言,藉由加熱押壓構件(圖未顯示)將前述第二電路構件9加熱及押壓而將前述第一電路構件5及前述第二電路構件9接合,前述第一電路構件5之前述配線材8、及前述第二電路構件9之前述配線材11,係間隔前述異方性導電膜1之硬化物(異方性導電層)中之前述導電性粒子4而被電氣連接,獲得接合體(第3圖)。
[實施例]
以下,說明本發明之實施例,但本發明並未限定於此等任一實施例。
(製造例1)
<摻合物之調製>
使用以下之表1所示摻合之摻合物,實施各實施例、比較例。
表1中摻合之數值之單位為「質量份」。表1中之各成分如下。又,表1記載之UR-1350及UR-8200之摻合量為固體含量之摻合量。
UR-1350:聚酯胺基甲酸酯樹脂,東洋紡績公司製,以甲基乙基酮/甲苯=65/35(質量比)之混合溶媒溶解為33質量%者。
UR-8200:聚酯胺基甲酸酯樹脂,東洋紡績公司製,以甲基乙基酮/甲苯=50/50(質量比)之混合溶液溶解為33質量%者,
IRR214:自由基聚合性化合物,DAICEL-CYTEC公司製
U-340A:自由基聚合性化合物,新中村化學工業公司製
EB-600:自由基聚合性化合物,DAICEL-CYTEC公司製
P-1M:含有磷酸基之丙烯酸酯(自由基聚合性化合物),共榮社化學公司製
KBM-503:矽烷偶合劑,信越化學工業公司製
PERHEXA C:聚合引發劑,日油公司製
<儲存彈性模數之測量>
於經剝離處理的PET上,以乾燥後之平均厚度成為20μm的方式塗布上述摻合物,置入200℃之加熱爐中,加熱30分鐘使前述摻合物硬化。將硬化的摻合物(硬化物)自經前述剝離處理的PET剝離,切成3.5mm×0.4mm之長條狀,作為測量試料。
此測量試料之30℃的儲存彈性模數使用動態黏彈性測量器(DDV-01FP,ORIENTEC公司製,頻率11Hz,升溫速度3℃/分鐘)來測量。結果顯示於表1。
(實施例1)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物1,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為19μm,形成導電性粒子含有層。
將摻合物3塗布於經剝離處理的PET上使乾燥後之平均厚度成為1μm,而形成絕緣性接著層。
使所獲得的導電性粒子含有層及絕緣性接著層貼合,而製作異方性導電膜。
<評價>
-連接電阻(導通電阻)之評價-
就評價電路構件而言,使用COF(Sony Chemical & Information Device股份有限公司製之評價用電路構件、S’perflex基材、50μm間隔之厚度8μm的Cu/厚度38μm的鍍Sn的圖案)及IZO塗布玻璃(Sony Chemical & Information Device股份有限公司製之評價用電路構件,全部表面塗布IZO的厚度0.7mm之玻璃)。
將異方性導電膜切成1.5mm寬,使前述異方性導電膜之絕緣性接著層與前述IZO塗布玻璃接著的方式,將前述IZO塗布玻璃貼附。於前述異方性導電膜之導電性粒子含有層上,配置前述COF後,以1.5mm寬下使用加熱工具,間隔作為緩衝材之厚度100μm的Teflon(註冊商標),於接合條件190℃、3MPa、5秒鐘,將前述COF加熱及押壓,進行接合而獲得接合體。
於製作的接合體,使用數位萬用表(digital multi-meter 7555,橫河電機公司製),以4端子法電流1mA,測量初期之連接電阻(導通電阻)、及於溫度85℃及濕度85%RH之條件之下保管500小時後之連接電阻(導通電阻)。結果顯示於表2-1。
-接著強度之評價-
就評價電路構件而言,使用COF(Sony Chemical & Information Device股份有限公司製之評價用電路構件、S’perflex基材、50μm間隔之厚度8μm之Cu/厚度38μm之鍍Sn的圖案)及氮化矽塗布玻璃(Sony Chemical & Information Device股份有限公司製之評價用電路構件,於全部表面塗布氮化矽的厚度0.7mm之玻璃)。
將異方性導電膜切成1.5mm寬,使前述異方性導電膜之絕緣性接著層與前述氮化矽塗布玻璃接著的方式,將前述氮化矽塗布玻璃貼附。於前述異方性導電膜之導電性粒子含有層上,配置前述COF後,以1.5mm寬下使用加熱工具,間隔作為緩衝材之厚度100μm的Teflon(註冊商標),於接合條件190℃、3MPa、5秒鐘,將前述COF加熱及押壓,進行接合而獲得接合體。
於製作的接合體,使用拉伸試験機(tensile testing machine)(RTC1201,A&D公司製),以測量速度50mm/秒,將COF吊起來測量初期之接著強度、及測量於溫度85℃及濕度85%RH之條件下保管500小時後之接著強度。結果顯示於表2-1。
(實施例2)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物1,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為17μm,形成導電性粒子含有層。
將摻合物4塗布於經剝離處理的PET上使乾燥後之平均厚度成為3μm,而形成絕緣性接著層。
使所獲得的導電性粒子含有層及絕緣性接著層貼合,而製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-1。
(實施例3)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物1,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為19μm,形成導電性粒子含有層。
將摻合物4塗布於經剝離處理的PET上使乾燥後之平均厚度成為1μm,而形成絕緣性接著層。
使所獲得的導電性粒子含有層及絕緣性接著層貼合,而製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-1。
(實施例4)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物1,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為19.5μm,形成導電性粒子含有層。
將摻合物4塗布於經剝離處理的PET上使乾燥後之平均厚度成為0.5μm,形成絕緣性接著層。
使所獲得的導電性粒子含有層及絕緣性接著層貼合,而製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-1。
(實施例5)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物1,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為19μm,形成導電性粒子含有層。
將摻合物5塗布於經剝離處理的PET上使乾燥後之平均厚度成為1μm,形成絕緣性接著層。
使所獲得的導電性粒子含有層及絕緣性接著層貼合,而製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-1。
(實施例6)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物3,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為19μm,形成導電性粒子含有層。
將摻合物4塗布於經剝離處理的PET上使乾燥後之平均厚度成為1μm,形成絕緣性接著層。
使所獲得的導電性粒子含有層及絕緣性接著層貼合,而製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-1。
(實施例7)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物1,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為19μm,形成導電性粒子含有層。
將摻合物7塗布於經剝離處理的PET上使乾燥後之平均厚度成為1μm,形成絕緣性接著層。
使所獲得的導電性粒子含有層及絕緣性接著層貼合,而製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-1。
(實施例8)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物1,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為19μm,形成導電性粒子含有層。
將摻合物8塗布於經剝離處理的PET上使乾燥後之平均厚度成為1μm,形成絕緣性接著層。
使所獲得的導電性粒子含有層及絕緣性接著層貼合,而製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-1。
(比較例1)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物1,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為20μm,製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-2。
(比較例2)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物4,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為20μm,製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-2。
(比較例3)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物1,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為19μm,形成導電性粒子含有層。
將摻合物2塗布於經剝離處理的PET上使乾燥後之平均厚度成為1μm,形成絕緣性接著層。
使所獲得的導電性粒子含有層及絕緣性接著層貼合,而製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-2。
(比較例4)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物1,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為14μm,形成導電性粒子含有層。
將摻合物4塗布於經剝離處理的PET上使乾燥後之平均厚度成為6μm,形成絕緣性接著層。
使所獲得的導電性粒子含有層及絕緣性接著層貼合,而製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-2。
(比較例5)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物1,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為16μm,形成導電性粒子含有層。
將摻合物4塗布於經剝離處理的PET上使乾燥後之平均厚度成為4μm,形成絕緣性接著層。
使所獲得的導電性粒子含有層及絕緣性接著層貼合,而製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-2。
(比較例6)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物1,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為19.9μm,形成導電性粒子含有層。
將摻合物4塗布於經剝離處理的PET上使乾燥後之平均厚度成為0.1μm,形成絕緣性接著層。
使所獲得的導電性粒子含有層及絕緣性接著層貼合,而製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-2。
(比較例7)
<異方性導電膜之製作>
於摻合物1,使導電性粒子(AUL704,積水化學工業公司製)分散成為粒子密度為10,000個/mm2
。將分散後之摻合物塗布於經剝離處理的PET上使成為乾燥後之平均厚度為19μm,形成導電性粒子含有層。
將摻合物6塗布於經剝離處理的PET上使乾燥後之平均厚度成為1μm,形成絕緣性接著層。
使所獲得的導電性粒子含有層及絕緣性接著層貼合,而製作異方性導電膜。
於所獲得的異方性導電膜,進行與實施例1相同之評價。結果顯示於表2-2。
由表2-1~表2-2之結果,實施例1~8之絕緣性接著層的平均厚度為0.5μm~3μm,且使絕緣性接著層硬化後之硬化物之30℃中的儲存彈性模數為500MPa~1,500MPa的本發明之異方性導電膜,有可能於低溫短時間壓著,導通電阻於初期及80℃、85%RH下保管500小時後為良好,且接著強度於初期及80℃、85%RH下保管500小時後為良好。
另一方面,不具有絕緣性接著層的比較例1之異方性導電膜,保管500小時後之接著強度為0.5N/cm的低值。不具有絕緣性接著層的比較例2之異方性導電膜係導通電阻高,尤其保管500小時後之導通電阻為41.1Ω的高值。使絕緣性接著層硬化後之硬化物之30℃中的儲存彈性模數為1,600MPa的比較例3之異方性導電膜,前述儲存彈性模數為高,且保管500小時後之接著強度成為4.3N/cm的低值。絕緣性接著層之平均厚度為6μm的比較例4之各向異性導電性薄膜、及絕緣性接著層之平均厚度為4μm的比較例5之各向異性導電性薄膜係絕緣性接著層之平均厚度為厚的,且保管500小時後之導通電阻各別成為11.2Ω、及7.7Ω的高值。絕緣性接著層之平均厚度為0.1μm的比較例6之各向異性導電性薄膜係絕緣性接著層之平均厚度為薄的,且保管500小時後之接著強度為4.0N/cm的低值。使絕緣性接著層硬化後之硬化物之30℃中的儲存彈性模數為400MPa的比較例7之異方性導電膜系係前述儲存彈性模數為低,且500小時保管後之導通電阻成為6.0Ω的高值。
[產業上之利用可能性]
本發明之異方性導電膜其因於配置絕緣膜的電路構件之連接有可能於低溫短時間壓著,導通電阻低且接著性優異,故可適當地使用於IC晶片、液晶顯示器(LCD)中的液晶面板(LCD面板)等之電路構件之電氣及機械性地連接。
1...異方性導電膜
2...導電性粒子含有層
3...絕緣性接著層
4...導電性粒子
5...第一電路構件
6...玻璃基板
7...絕緣膜
8...配線材
9...第二電路構件
10...聚醯亞胺薄膜
11...配線材
第1圖為顯示本發明之異方性導電膜之一例的概略剖面圖。
第2圖為顯示配置工程中的第一電路構件、第二電路構件、及異方性導電膜之配置之一例的概略剖面圖。
第3圖為顯示本發明之接合體之一例的概略剖面圖。
2...導電性粒子含有層
3...絕緣性接著層
4...導電性粒子
5...第一電路構件
6...玻璃基板
7...絕緣膜
8...配線材
9...第二電路構件
10...聚醯亞胺薄膜
11...配線材
Claims (7)
- 一種異方性導電膜,其為用以將至少一部份形成絕緣膜的第一電路構件及第二電路構件加以電氣連接的異方性導電膜,其特徵為:其具有含導電性粒子的導電性粒子含有層、及由絕緣性黏著劑所形成的絕緣性接著層,其中前述絕緣性接著層之平均厚度為0.5μm~3μm,使前述絕緣性接著層硬化後之硬化物於30℃的儲存彈性模數(storage elastic modulus)為500MPa~1,000MPa。
- 如申請專利範圍第1項記載之異方性導電膜,其中導電性粒子含有層及絕緣性接著層含有膜形成樹脂、自由基聚合性化合物、及聚合引發劑。
- 一種接合體,其具有至少一部份形成絕緣膜的第一電路構件、第二電路構件、及間隔於前述第一電路構件與前述第二電路構件之間而將前述第一電路構件與前述第二電路構件加以電氣連接的異方性導電層,其特徵為:前述異方性導電層係為用以將至少一部份形成絕緣膜的前述第一電路構件及前述第二電路構件加以電氣連接之異方性導電膜,具有含有導電性粒子的導電性粒子含有層及由絕緣性黏著劑所形成的絕緣性接著層,前述絕緣性接著層之平均厚度為0.5μm~3μm,使前述絕緣性接著層硬化後之硬化物於30℃的儲存彈性模數為500MPa~1,000MPa的異方性導電膜所形成,於前述第一電路構件側配置前述絕緣性接著層,於前述第 二電路構件側配置前述導電性粒子含有層。
- 如申請專利範圍第3項記載之接合體,其中絕緣膜為含有氮化矽的膜。
- 如申請專利範圍第3項記載之接合體,其中第一電路構件為玻璃基板及塑膠基板任一者,第二電路構件為撓性基板及覆晶薄膜(COF)基板任一者。
- 如申請專利範圍第5項記載之接合體,其中玻璃基板為具有氣化銦錫(IZO)的玻璃基板。
- 一種接合體之製造方法,其係製造具有至少一部份形成絕緣膜的第一電路構件、第二電路構件、及間隔於前述第一電路構件及前述第二電路構件之間而將前述第一電路構件及前述第二電路構件加以電氣連接的異方性導電層的接合體之方法,其中前述異方性導電層為用以將至少一部份形成絕緣膜的前述第一電路構件及前述第二電路構件加以電氣連接的異方性導電膜,其具有含有導電性粒子的導電性粒子含有層、及由絕緣性黏著劑所形成的絕緣性接著層,其中前述絕緣性接著層之平均厚度為0.5μm~3μm,由使前述絕緣性接著層硬化後之硬化物於30℃的儲存彈性模數為500MPa~1,000MPa的異方性導電膜所形成,並於前述第一電路構件側配置前述絕緣性接著層,於前述第二電路構件側配置前述導電性粒子含有層;該方法之特徵為包含:配置工程,其係配置前述第一電路構件、前述第二電路構件、及前述異方性導電膜,使於前述第一電路構件側配置 前述絕緣性接著層,於前述第二電路構件側配置前述導電性粒子含有層,以及接合工程,其係藉由加熱押壓構件將前述第一電路構件及前述第二電路構件任一者加以加熱及押壓,而將前述第一電路構件及前述第二電路構件接合。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010256057A JP5823117B2 (ja) | 2010-11-16 | 2010-11-16 | 異方性導電フィルム、接合体、及び接合体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201221613A TW201221613A (en) | 2012-06-01 |
TWI503394B true TWI503394B (zh) | 2015-10-11 |
Family
ID=43835282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100139348A TWI503394B (zh) | 2010-11-16 | 2011-10-28 | 異方性導電膜、接合體、及接合體之製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5823117B2 (zh) |
KR (1) | KR101344965B1 (zh) |
CN (1) | CN102782945A (zh) |
TW (1) | TWI503394B (zh) |
WO (1) | WO2012066897A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
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---|---|---|---|---|
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JP5672201B2 (ja) | 2011-09-07 | 2015-02-18 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム及び接続構造体の製造方法 |
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-
2010
- 2010-11-16 JP JP2010256057A patent/JP5823117B2/ja active Active
-
2011
- 2011-10-21 KR KR1020127017685A patent/KR101344965B1/ko active IP Right Grant
- 2011-10-21 WO PCT/JP2011/074265 patent/WO2012066897A1/ja active Application Filing
- 2011-10-21 CN CN2011800104715A patent/CN102782945A/zh active Pending
- 2011-10-28 TW TW100139348A patent/TWI503394B/zh active
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR101344965B1 (ko) | 2013-12-24 |
CN102782945A (zh) | 2012-11-14 |
WO2012066897A1 (ja) | 2012-05-24 |
KR20120106789A (ko) | 2012-09-26 |
TW201221613A (en) | 2012-06-01 |
JP5823117B2 (ja) | 2015-11-25 |
JP2011049184A (ja) | 2011-03-10 |
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