TWI846756B - 異向性薄膜、及異向性薄膜的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明所欲解決的問題在於提供一種異向性導電薄膜，其能夠將具有微細的圖案之電路電極彼此電性連接，且可靠性高。 本發明的解決手段是一種異向性薄膜，其含有絕緣性樹脂及粒子群，該異向性薄膜的特徵在於：前述粒子群是以黏結劑來黏結複數個粒子彼此而得之粒子的群組，並且，前述粒子群規則地排列，且其間隔為1μm～1000μm。

Description

異向性薄膜、及異向性薄膜的製造方法

本發明有關一種異向性薄膜，尤其有關一種異向性導電薄膜。又，本發明有關一種異向性薄膜的製造方法，尤其有關一種異向性導電薄膜的製造方法。

近年來，當將液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等的平板顯示器或精密機器的電子零件彼此連接時，是使用異向性導電薄膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)來取代焊料。前述異向性導電薄膜，是由含有導電性粒子之絕緣性樹脂所構成，被配置在電路電極之間，能夠藉由利用加壓、加熱來壓接，從而實行電路之間的電性連接。

作為異向性導電薄膜的一般的製造方法，存在一種方法，是將絕緣性樹脂與導電性粒子混合，並加以塗佈。專利文獻1是藉由下述方式來製造異向性導電薄膜：塗佈聚乙烯醇縮丁醛樹脂與環氧樹脂之混合物，該混合物含有平均粒徑為10μm且最大粒徑為15μm的錫鉛焊料粒子。專利文獻2是將平均粒徑為2μm的鎳粒子與苯氧基樹脂混合，並使用塗佈裝置，來製造異向性導電薄膜。專利文獻3是藉由下述方式來製造異向性導電薄膜：將平均粒徑為20μm的鍍銀樹脂粒子混合至絕緣性樹脂中，並加以塗佈。

然而，這些異向性導電薄膜，會發生粒子彼此凝聚的情形等，而難以使粒子均勻地分散，因此難以一面維持異向性導電薄膜的平面方向的絕緣性，一面保持目標的導電性區域。如果為了防止粒子彼此凝聚而減少粒子的濃度，則難以保持異向性導電薄膜的剖面方向的導電性。因此，無法將具有微細的圖案之電路電極彼此電性連接。

專利文獻4中報告了一種異向性導電薄膜，其藉由使導電性粒子吸附在具有比導電性粒子的粒徑更小的孔之多孔板上，並加以轉印，從而導電性粒子規律地排列。專利文獻5中報告了一種異向性導電薄膜，其藉由在金屬模具中排列導電性粒子，並加以轉印，從而導電性粒子規律地排列。

然而，電路電極是以點的方式與導電性粒子接觸並連接，因此有時因反覆進行低溫、高溫的熱衝擊等而導致不導通。 [先前技術文獻] (專利文獻)

專利文獻1：日本特開平5-154857號公報 專利文獻2：日本特開2008-112713號公報 專利文獻3：日本特開2015-147832號公報 專利文獻4：日本特開2005-209454號公報 專利文獻5：日本特開2018-090768號公報

[發明所欲解決的問題] 本發明是有鑑於上述問題點而完成，其目的在於提供一種異向性導電薄膜，其能夠將具有微細的圖案之電路電極彼此電性連接，且可靠性高。又，進一步，本發明的目的在於提供一種異向性薄膜，其不限定於導電性的情況，具有藉由粒子群而得的微細且正確的圖案。又，本發明的目的在於提供一種異向性導電薄膜的製造方法，該異向性導電薄膜是在薄膜狀絕緣性樹脂組成物中以相等間隔的方式排列導電性粒子群而得，且可靠性高。進一步，本發明的目的在於提供一種異向性薄膜的製造方法，該異向性薄膜不限定於導電性的情況，具有藉由粒子群而得的微細且正確的圖案。 [解決問題的技術手段]

為了達成上述目的，本發明提供一種異向性薄膜，其含有絕緣性樹脂及粒子群，其中，前述粒子群是以黏結劑來黏結複數個粒子彼此而得之粒子的群組，並且，前述粒子群規則地排列，且其間隔為1μm～1000μm。

若是這種異向性薄膜，則能夠更穩定地連接具有微細的圖案之電路電極、或微細的電子零件和元件等。進一步，由於是具有藉由粒子群而得的微細且正確的圖案之異向性薄膜，因此能夠應用於各種用途。

又，較佳是前述絕緣性樹脂與前述粒子群在－50℃～200℃的範圍內的線膨脹係數的差異為1～200ppm/K。

若是這樣的線膨脹係數的差異，則即便溫度變化，電子零件亦變得更不易從異向性薄膜脫落。

進一步，能夠將前述黏結劑設為與前述絕緣性樹脂相同組成的樹脂組成物。

如果使用同種樹脂，則黏結劑與絕緣性樹脂能夠相容，且能夠提高異向性薄膜的強度。

又，前述黏結劑能夠設為與前述絕緣性樹脂不同組成的樹脂組成物。

如果使用不同種樹脂，則即便組成物(黏結劑與粒子之混合物)含有粒子，仍能夠使該組成物與絕緣性樹脂的線膨脹係數匹配，因此較佳。

又，前述粒子可以是導電性粒子，前述粒子群可以是導電性粒子群。

若將粒子設為這種粒子，則能夠將本發明的異向性薄膜製成一種異向性導電薄膜，該異向性導電薄膜能夠將具有微細的圖案之電路電極彼此電性連接，且可靠性高。

又，前述粒子可以是熱傳導性粒子，前述粒子群可以是熱傳導性粒子群。

若將粒子設為這種粒子，則能夠將本發明的異向性薄膜製成一種異向性熱傳導薄膜。

又，前述粒子可以是螢光體，前述粒子群可以是螢光體粒子群。

若將粒子設為這種粒子，則能夠將本發明的異向性薄膜製成一種異向性螢光體薄膜。

又，前述粒子可以是磁性粒子，前述粒子群可以是磁性粒子群。

若將粒子設為這種粒子，則能夠將本發明的異向性薄膜製成一種異向性磁性薄膜。

又，前述粒子可以是電磁波吸收填料，前述粒子群可以是電磁波吸收填料粒子群。

若將粒子設為這種粒子，則能夠將本發明的異向性薄膜製成一種異向性電磁波吸收薄膜。

又，較佳是前述異向性薄膜的厚度為1μm～2000μm。

若是這種異向性薄膜，則因絕緣性樹脂部分與粒子群的熱膨脹係數(CTE)的差異所導致的影響較小，因而電子零件變得不易從異向性薄膜脫落。

又，較佳是前述粒子的平均粒徑以藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置所測得的中值粒徑計為0.01～100μm。

若在此範圍內，則能夠高度填充粒子。

又，較佳是前述粒子群具有1～1000μm的寬度。

若在此範圍內，則能夠活用絕緣性樹脂與粒子群各自的優點，因此較佳。

又，較佳是前述粒子群的寬度為前述粒子的平均粒徑的5倍以上。

若在此範圍內，則作為粒子群能夠更確實地發揮粒子的功能，因此較佳。

又，較佳是前述粒子群的理論平均粒子數為50～1×10⁹ 個。

若在此範圍內，則能夠將粒子群形成為柱狀，因此較佳。

又，較佳是前述粒子群的形狀為圓柱狀或角柱狀。

若在此範圍內，則變得容易發揮作為粒子群的功能的異向性，因此較佳。

又，較佳是前述粒子群的下表面的面積相對於上表面的面積的比值為0.5～10。

若在此範圍內，則變得容易發揮作為粒子群的功能的異向性，亦變得容易製造，因此較佳。

又，較佳是前述粒子群的厚度為前述異向性薄膜的厚度的50%以上。

此時，例如，從製作出來的異向性導電薄膜的上方壓抵電極時，變得容易確保通電。

又，較佳是前述粒子群在前述異向性薄膜的至少其中一方的表面露出。

例如，藉由導電性粒子群在異向性導電薄膜的至少其中一方的表面露出，能夠在不以較大的力量來熱壓接異向性導電薄膜的情況下，確保導通。

又，較佳是在前述至少其中一方的表面露出的前述粒子群的面積比例為20～90%。

若在此範圍內，則異向性薄膜能夠保持較高的柔軟性，並且能夠確實地發揮目標的功能。

又，較佳是：前述絕緣性樹脂，在未硬化狀態下，25℃時呈可塑性的固體或半固體狀。

如果絕緣性樹脂具有這樣的性狀，則例如壓接電子零件時能夠變形，並且藉由使其完全地硬化，能夠獲得良好的黏合力。

又，較佳是前述粒子包含金屬粒子。

本發明能夠適當地使用這種粒子。尤其，金屬粒子由於電阻較小，且亦能夠在高溫進行燒結，因此能夠較佳地使用。

又，較佳是前述絕緣性樹脂含有絕緣性無機粒子。

藉由含有絕緣性無機粒子，能夠降低絕緣性樹脂的硬化物的熱膨脹係數。

此時，前述絕緣性無機粒子可以是白色顏料。

若將絕緣性無機粒子設為這種絕緣性無機粒子，則能夠將本發明的異向性薄膜製成例如反射薄膜。

又，前述絕緣性樹脂可含有中空粒子。

藉由含有中空粒子，能夠將本發明的異向性薄膜製成中空薄膜。

又，前述絕緣性樹脂的硬化物在10GHz時的相對介電常數為3.5以下。

若是這種硬化物，則例如能夠減少電路器件的傳遞損耗。

又，前述異向性薄膜可以是導電薄膜、熱傳導薄膜、螢光體薄膜、磁性薄膜、電磁波吸收薄膜、反射薄膜及中空薄膜之中的任一種。

本發明的異向性薄膜，能夠使用在這樣的用途。

又，本發明提供一種異向性薄膜的製造方法，是製造異向性薄膜的方法，該製造方法包含下述步驟： (1)將粒子與黏結劑混合來製備組成物的步驟；及， (2)將前述組成物填充到已施加凹凸圖案之模具中來製作粒子群的步驟，該粒子群是複數個前述粒子彼此黏結而得。

若是這樣的異向性薄膜的製造方法，則藉由利用模具，能夠效率良好地製造可靠性高的各種異向性薄膜，該異向性薄膜的粒子群是以相等間隔的方式排列。

又，較佳是在前述(2)步驟後，進一步包含下述步驟： (3)將前述粒子群轉印到未硬化的薄膜狀絕緣性樹脂組成物上的步驟；及， (4)按壓已轉印到前述薄膜狀絕緣性樹脂組成物上的前述粒子群，來將其埋設於前述薄膜狀絕緣性樹脂組成物中的步驟。

若是這樣的異向性薄膜的製造方法，則藉由利用模具，進行轉印並加以壓入，能夠效率良好地製造可靠性高的各種異向性薄膜，該異向性薄膜是在薄膜狀絕緣性樹脂組成物中以相等間隔的方式排列粒子群而得。

又，作為前述步驟(1)中使用的黏結劑，能夠使用與前述步驟(3)中使用的絕緣性樹脂相同組成的樹脂組成物。

如果使用同種樹脂，則黏結劑與絕緣性樹脂能夠相容，且能夠提高異向性薄膜的強度。

又，作為前述步驟(1)中使用的黏結劑，能夠使用與前述步驟(3)中使用的絕緣性樹脂不同組成的樹脂組成物。

如果使用不同種樹脂，則即便組成物含有粒子，仍能夠使該組成物與絕緣性樹脂的線膨脹係數匹配，因此較佳。

又，可將前述粒子設為導電性粒子，且可將前述粒子群設為導電性粒子群。

若是這樣的異向性薄膜的製造方法，則能夠效率良好地製造一種連接性能良好且可靠性高的異向性導電薄膜，該異向性性導電薄膜是在薄膜狀絕緣性樹脂組成物中以相等間隔的方式排列導電性粒子群而得。

又，可將前述粒子設為熱傳導性粒子，且可將前述粒子群設為熱傳導性粒子群。

本發明的異向性薄膜的製造方法，能夠製造異向性熱傳導薄膜。

又，可將前述粒子設為螢光體，且可將前述粒子群設為螢光體粒子群。

本發明的異向性薄膜的製造方法，能夠製造異向性螢光體薄膜。

又，可將前述粒子設為磁性粒子，且可將前述粒子群設為磁性粒子群。

本發明的異向性薄膜的製造方法，能夠製造異向性磁性薄膜。

又，可將前述粒子設為電磁波吸收填料，且可將前述粒子群設為電磁波吸收填料粒子群。

本發明的異向性薄膜的製造方法，能夠製造異向性電磁波吸收薄膜。

又，較佳是：作為前述步驟(3)中使用的絕緣性樹脂，使用下述絕緣性樹脂：在未硬化狀態下，25℃時呈可塑性的固體或半固體狀的絕緣性樹脂。

若絕緣性樹脂是這樣的性狀，則壓接電子零件時能夠變形，並且如果使其完全地硬化，則能夠獲得良好的黏合力。

較佳是使用含有絕緣性無機粒子之絕緣性樹脂來作為前述步驟(3)中使用的絕緣性樹脂。

藉由含有絕緣性無機粒子，能夠降低絕緣性樹脂的硬化物的熱膨脹係數。

又，可將前述絕緣性無機粒子設為白色顏料。

本發明的異向性薄膜的製造方法，能夠製造例如反射薄膜。

又，可使用含有中空粒子之絕緣性樹脂來作為前述步驟(3)中使用的絕緣性樹脂。

本發明的異向性薄膜的製造方法，能夠製造例如中空薄膜。

較佳是：作為前述模具，使用已施加凹凸圖案之模具，該凹凸圖案使埋設於前述異向性薄膜中的粒子群之中的鄰接的2個的間隔成為1μm～1000μm。

若使用這種模具，則能夠使粒子群規則地排列。

又，較佳是將前述粒子的平均粒徑設為以藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置所測得的中值粒徑計為0.01～100μm。

若在此範圍內，則能夠高度填充粒子。

較佳是將前述粒子群設為具有1～1000μm的寬度。

若在此範圍內，則能夠活用絕緣性樹脂與粒子群各自的優點，因此較佳。

又，較佳是將前述粒子群的寬度設為前述粒子的平均粒徑的5倍以上。

若在此範圍內，則作為粒子群能夠更確實地發揮粒子的功能，因此較佳。

又，較佳是將前述粒子群的理論平均粒子數設為50～1×10⁹ 個。

若在此範圍內，則能夠將粒子群形成為柱狀，因此較佳。

又，較佳是將前述粒子群的形狀設為圓柱狀或角柱狀。

若在此範圍內，則變得容易發揮作為粒子群的功能的異向性，因此較佳。

又，較佳是將前述粒子群的下表面的面積相對於上表面的面積的比值設為0.5～10。

若在此範圍內，則變得容易發揮作為粒子群的功能的異向性，亦變得容易製造，因此較佳。

又，較佳是將前述粒子群的厚度設為前述異向性薄膜的厚度的50%以上。

此時，例如，從製作出來的異向性導電薄膜的上方壓抵電極時，變得容易確保通電。

又，較佳是使前述粒子群在前述異向性薄膜的至少其中一方的表面露出。

例如，藉由導電性粒子群在異向性導電薄膜的至少其中一方的表面露出，能夠在不以較大的力量來熱壓接異向性導電薄膜的情況下，確保導通。

此時，較佳是將在前述至少其中一方的表面露出的前述粒子群的面積比例設為20～90%。

若在此範圍內，則異向性薄膜能夠保持較高的柔軟性，並且能夠確實地發揮目標的功能。

又，較佳是將前述異向性薄膜製成導電薄膜、熱傳導薄膜、螢光體薄膜、磁性薄膜、電磁波吸收薄膜、反射薄膜及中空薄膜之中的任一種。

本發明的異向性薄膜，能夠使用在這樣的用途。 [發明的功效]

如以上所述，本發明是一種異向性薄膜，其具有藉由粒子群而得的微細且正確的圖案，因此能夠應用於各種用途。尤其，本發明提供一種高可靠性的異向性導電薄膜，其能夠將具有非常微細的圖案之電路電極彼此電性接合，藉此能夠達成電子機器的小型化、薄型化、輕量化，並且亦能夠耐受熱衝擊等。又，本發明提供一種高可靠性的異向性導電薄膜的製造方法，該異向性導電薄膜能夠將具有非常微細的圖案之電路電極彼此電性接合，藉此能夠達成電子機器的小型化、薄型化、輕量化，並且亦能夠耐受熱衝擊等。進一步，本發明提供各種異向性薄膜的製造方法，該異向性薄膜不限定於導電性的情況，可靠性高，並且具有藉由粒子群而得的微細且正確的圖案。

如以上所述，要求開發一種異向性導電薄膜，其能夠將具有微細的圖案之電路電極彼此電性連接，且可靠性高。又，要求開發一種異向性薄膜，其不限定於導電性的情況，具有藉由粒子群而得的微細且正確的圖案。又，本發明的目的在於提供一種異向性導電薄膜的製造方法，該異向性薄膜是在薄膜狀絕緣性樹脂組成物中以相等間隔的方式排列導電性粒子群而得，且可靠性高。

本發明人為了達成上述目的而專心研究，結果發現一種異向性導電薄膜，其含有絕緣性樹脂及導電性粒子群，其中，前述導電性粒子群包含被黏結劑黏結的導電性粒子，並且，前述導電性粒子群規則地排列，且其間隔為1μm～1000μm，若使用該異向性導電薄膜，則能夠在沒有短路的情況下將具有微細的圖案之電路電極彼此電性連接，從而完成本發明。

又，本發明人發現一種異向性導電薄膜的製造方法，其包含下述步驟： (1)將導電性粒子與黏結劑混合來製備導電性組成物的步驟； (2)將前述導電性組成物填充到已施加凹凸圖案之模具中來製作導電性粒子群的步驟； (3)將前述導電性粒子群轉印到未硬化的薄膜狀絕緣性樹脂組成物上的步驟；及， (4)按壓已轉印到前述薄膜狀絕緣性樹脂組成物上的前述導電性粒子群，來將其埋設於前述薄膜狀絕緣性樹脂組成物中的步驟。 若是該異向性導電薄膜的製造方法，則能夠製造一種可靠性高的異向性導電薄膜，該異向性導電薄膜是在薄膜狀絕緣性樹脂組成物中以相等間隔的方式排列導電性粒子群而得，從而完成本發明。

亦即，本發明是一種異向性薄膜，其含有絕緣性樹脂及粒子群，其中，前述粒子群是以黏結劑來黏結複數個粒子彼此而得之粒子的群組，並且，前述粒子群規則地排列，且其間隔為1μm～1000μm。又，本發明是一種異向性薄膜的製造方法，其是製造異向性薄膜的方法，該製造方法包含下述步驟：(1)將粒子與黏結劑混合來製備組成物的步驟；及，(2)將前述組成物填充到已施加凹凸圖案之模具中來製作粒子群的步驟，該粒子群是複數個前述粒子彼此黏結而得。以下，詳細地說明本發明，但是本發明不限定於這些說明。

＜＜異向性薄膜＞＞ 本發明提供一種異向性薄膜，其含有絕緣性樹脂及粒子群，其中，前述粒子群是以黏結劑來黏結複數個粒子彼此而得之粒子的群組，並且，前述粒子群規則地排列，且其間隔為1μm～1000μm。

以下，列舉下述態樣作為例子來進行說明：將粒子設為導電性粒子，將粒子群設為導電性粒子群，將異向性薄膜設為異向性導電薄膜。但是，本態樣亦能夠同樣地應用於將粒子設為熱傳導性粒子、螢光體、磁性粒子、電磁波吸收填料等的情況。

第1圖是表示本發明的異向性導電薄膜的一例的示意圖。本發明的異向性導電薄膜10，含有絕緣性樹脂1及導電性粒子群2。導電性粒子群2，其特徵在於：包含被黏結劑3黏結的導電性粒子4，並且規則地排列，其間隔A為1μm～1000μm。 以下，詳細敘述本發明的異向性導電薄膜10的各成分。

[絕緣性樹脂] 作為用於本發明的絕緣性樹脂1，並無特別限制，可列舉：丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、纖維素樹脂、苯乙烯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂等熱塑性樹脂；矽氧樹脂、環氧樹脂、矽氧･環氧樹脂、馬來醯亞胺樹脂、酚樹脂、全氟聚醚樹脂等的熱硬化性樹脂等；考慮到耐熱性、耐光性，較佳是矽氧樹脂、環氧樹脂、馬來醯亞胺樹脂等的熱硬化性樹脂。

進一步，絕緣性樹脂1，較佳是：在未硬化或被稱為B階段的半硬化狀態下，25℃時呈可塑性的固體或半固體；更佳是：在未硬化狀態下，25℃時呈可塑性的固體或半固體。如果具有這樣的性狀，則壓接電子零件時能夠變形，並且藉由使其完全地硬化，能夠獲得良好的黏合力。

再者，在本說明書中，「半固體」是指下述物質狀態：具有可塑性，成形成特定形狀時能夠保持其形狀至少1小時，較佳是8小時以上。因此，例如，雖然25℃時具有非常高的黏度的流動性物質在本質上具有流動性，但是由於非常高的黏度，因此在至少1小時這樣的短時間內對於被賦予的形狀無法以肉眼確認到變化(亦即變形)時，該物質可謂處於半固體的狀態。

絕緣性樹脂1，可包含絕緣性無機粒子。作為絕緣性無機粒子，並無特別限制，可列舉例如：二氧化矽、碳酸鈣、鈦酸鉀、玻璃纖維、二氧化矽中空球、玻璃中空球、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、氧化鈹、鈦酸鋇、硫酸鋇、氧化鋅、氧化鈦、氧化鎂、氧化銻、氫氧化鋁、氫氧化鎂等；較佳是二氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、氧化鋅。藉由含有這些絕緣性無機粒子，能夠降低絕緣性樹脂1的硬化物的熱膨脹係數。

作為絕緣性無機粒子的粒徑，並無特別限制，較佳是以藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置所測得的中值粒徑計為0.05～10μm，更佳是0.1～8μm，進一步更佳是0.5～5μm。若在此範圍內，則容易均勻地分散在絕緣性樹脂中，亦不會隨時間沉澱，因此較佳。進一步，較佳是絕緣性無機粒子的粒徑相對於異向性導電薄膜10的厚度T為50%以下。若粒徑相對於異向性導電薄膜10的厚度T為50%以下，則容易使絕緣性無機粒子均勻地分散在絕緣性樹脂1中，進一步亦容易平整地塗佈異向性導電薄膜10，因此較佳。

作為前述絕緣性無機粒子的含量，並無特別限制，較佳是絕緣性樹脂1的質量的30～95質量%，更佳是40～90質量%，進一步更佳是50～85質量%。若在此範圍內，則能夠有效地降低絕緣性樹脂1的熱膨脹係數，並且，成形成薄膜狀並完全硬化後，不會變脆，因此較佳。

又，本發明中使用的絕緣性樹脂1，較佳是其硬化物在10GHz時的相對介電常數為3.5以下。若是這種硬化物，則能夠減少傳遞損耗。此處，相對介電常數，是指藉由下述方式所測得的值：以180℃×2小時的條件來使絕緣性樹脂1完全硬化，並將其硬化物製成縱30mm×橫40mm及厚度100μm的試驗片，然後連接網路分析儀(Keysight公司製造，商品型號：E5063-2D5)與帶狀線(KEYCOM股份有限公司製造)來進行測量。

以下，敘述用於本發明的絕緣性樹脂和絕緣性無機粒子的具體例。作為特佳地用於本發明的絕緣性樹脂，是上述絕緣性樹脂中的矽氧樹脂、環氧樹脂、馬來醯亞胺樹脂。又，作為特佳地使用的絕緣性無機粒子，是上述絕緣性無機粒子中的白色顏料及中空粒子。以下，進一步詳細地說明這些絕緣性樹脂和絕緣性無機粒子。其中，中空粒子不限定於無機粒子。

＜矽氧樹脂＞ 在本發明中，作為能夠作為絕緣性樹脂使用的矽氧樹脂，並無特別限定，可列舉例如：加成硬化型矽氧樹脂、縮合硬化型矽氧樹脂等。

作為加成硬化型矽氧樹脂的例子，特佳是以下述成分作為必要成分之組成物：(A)具有非共軛雙鍵之有機矽化合物(例如含烯基二有機聚矽氧烷)、(B)有機氫聚矽氧烷、及(C)鉑系觸媒。以下，說明這些(A)～(C)成分。

>(A)成分：具有非共軛雙鍵之有機矽化合物> 作為(A)成分的具有非共軛雙鍵之有機矽化合物，可例示由下述通式(1)表示的分子鏈兩末端被含脂肪族不飽和基三有機矽氧基封閉之直鏈狀二有機聚矽氧烷等的有機聚矽氧烷。 式(1)中，R¹¹ 表示含非共軛雙鍵一價烴基，R¹² ～R¹⁷ 各自表示相同或不同種的一價烴基，a和b是滿足0≦a≦500、0≦b≦250且0≦a＋b≦500的整數。

上述通式(1)中，R¹¹ 是含非共軛雙鍵一價烴基，較佳是以碳數為2～8的烯基作為代表的具有脂肪族不飽和鍵之含非共軛雙鍵一價烴基，更佳是以碳數為2～6的烯基作為代表的具有脂肪族不飽和鍵之含非共軛雙鍵一價烴基。又，R¹² ～R¹⁷ 各自是相同或不同種的一價烴基，可列舉：較佳是碳數為1～20的烷基、烯基、芳基、芳烷基等，特佳是碳數為1～10的烷基、烯基、芳基、芳烷基等。又，其中R¹⁴ ～R¹⁷ 更佳是脂肪族不飽和鍵除外之一價烴基，特佳是不具有烯基等的脂肪族不飽和鍵之烷基、芳基、芳烷基等。進一步，其中R¹⁶ 、R¹⁷ 較佳是芳香族一價烴基，特佳是苯基和甲苯基等的碳數為6～12的芳基等。

上述通式(1)中，a和b是滿足0≦a≦500、0≦b≦250且0≦a＋b≦500的整數，a較佳是10≦a≦500，b較佳是0≦b≦150，並且，a＋b較佳是滿足10≦a＋b≦500。

由上述通式(1)表示的有機聚矽氧烷，能夠藉由例如下述化合物的鹼平衡反應來獲得：環狀二苯基聚矽氧烷、環狀甲基苯基聚矽氧烷等的環狀二有機聚矽氧烷；及，構成末端基的二苯基四乙烯基二矽氧烷、二乙烯基四苯基二矽氧烷等的二矽氧烷；此時，在藉由鹼觸媒(尤其是KOH等的強鹼)來實行的平衡反應中，即便少量的觸媒亦會以不可逆反應來進行聚合，因此僅定量地進行開環聚合且末端封閉率亦較高，故通常不含有矽烷醇基和氯成分。

作為由上述通式(1)表示的有機聚矽氧烷，具體而言，可例示下述有機聚矽氧烷。 上述式中，k、m是滿足0≦k≦500、0≦m≦250且0≦k＋m≦50的整數，更佳是滿足5≦k＋m≦250且0≦m／(k＋m)≦0.5的整數。

作為(A)成分，除了由上述通式(1)表示的具有直鏈結構之有機聚矽氧烷以外，亦能夠使用由下述通式(2)表示的包含3官能性矽氧烷單元、4官能性矽氧烷單元等且具有立體網狀結構之有機聚矽氧烷。這種具有非共軛雙鍵之有機矽化合物，可使用單獨1種，亦可將2種以上混合使用。 式(2)中，R⁸ 互相獨立地為從碳數為1～12的飽和烴基或碳數為6～12的芳香族烴基、及碳數為2～10的烯基中選出來的基團，其中，由R⁸ 表示的基團的至少2個是烯基，r是0～100的整數，s是0～300的整數，t是0～200的整數，u是0～200的整數，1≦t＋u≦400，2≦r＋s＋t＋u≦800，且r、s、t及u是上述有機聚矽氧烷在一分子中具有至少2個烯基的值。

由上述通式(1)表示的具有直鏈結構之有機聚矽氧烷與由上述通式(2)表示的具有網狀結構之有機聚矽氧烷，可各自單獨使用，亦可併用。

(A)成分的具有非共軛雙鍵之有機矽化合物中的具有非共軛雙鍵之基團(例如鍵結於矽(Si)原子上的烯基等的具有雙鍵之一價烴基)的量，較佳是全部一價烴基(鍵結於矽原子上的全部一價烴基)中的0.1～20莫耳%，更佳是0.2～10莫耳%，特佳是0.2～5莫耳%。若具有非共軛雙鍵之基團的量為0.1莫耳%以上，則硬化後能夠獲得良好的硬化物；若是20莫耳%以下，則硬化後的機械特性良好，因此較佳。

又，(A)成分的具有非共軛雙鍵之有機矽化合物，較佳是具有芳香族一價烴基(鍵結於矽原子上的芳香族一價烴基)，芳香族一價烴基的含量，較佳是全部一價烴基(鍵結於矽原子上的全部一價烴基)的0～95莫耳%，更佳是10～90莫耳%，特佳是20～80莫耳%。樹脂中包含適量的芳香族一價烴基的話，具有下述優點：硬化後的機械特性良好且容易製造。

>(B)成分：有機氫聚矽氧烷> 作為(B)成分，較佳是一分子中具有2個以上的鍵結於矽原子上的氫原子(以下稱為「SiH基」)之有機氫聚矽氧烷。若是一分子中具有2個以上的SiH基之有機氫聚矽氧烷，則能夠作為交聯劑發揮作用，藉由(B)成分中的SiH基與(A)成分的乙烯基、其他烯基等的含非共軛雙鍵之基團進行加成反應，來形成硬化物。

又，(B)成分的有機氫聚矽氧烷，較佳是具有芳香族一價烴基。如此一來，若是具有芳香族一價烴基之有機氫聚矽氧烷，則能夠提高與上述(A)成分的相容性。這種有機氫聚矽氧烷，可使用單獨1種，亦可將2種以上混合使用，例如，能夠使其包含具有芳香族烴基之有機氫聚矽氧烷來作為(B)成分的一部分或全部。

作為(B)成分的有機氫聚矽氧烷，並無特別限定，可列舉例如：1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、參(二甲基氫矽氧基)甲基矽烷、參(二甲基氫矽氧基)苯基矽烷、1-環氧丙氧基丙基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1,5-環氧丙氧基丙基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1-環氧丙氧基丙基-5-三甲氧基矽基乙基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、兩末端被三甲基矽氧基封閉之甲基氫聚矽氧烷、兩末端被三甲基矽氧基封閉之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、兩末端被二甲基氫矽氧基封閉之二甲基聚矽氧烷、兩末端被二甲基氫矽氧基封閉之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、兩末端被三甲基矽氧基封閉之甲基氫矽氧烷-二苯基矽氧烷共聚物、兩末端被三甲基矽氧基封閉之甲基氫矽氧烷-二苯基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物、三甲氧基矽烷聚合物、由(CH₃ )₂ HSiO_1/2 單元與SiO_4/2 單元所構成之共聚物、由(CH₃ )₂ HSiO_2/2 單元、(CH₃ )₂ SiO_2/2 及(C₆ H₅ )SiO_3/2 單元所構成之共聚物、由(CH₃ )₂ HSiO_1/2 單元、SiO_4/2 單元及(C₆ H₅ )SiO_3/2 單元所構成之共聚物等。

又，亦能夠使用由下述結構表示的化合物、或將這些化合物作為材料來使用而獲得之有機氫聚矽氧烷。

(B)成分的有機氫聚矽氧烷的分子結構，可以是直鏈狀、環狀、分枝狀、立體網狀結構之中的任一種，一分子中的矽原子數(或在聚合物的情況下為聚合度)較佳是2以上，更佳是3～500，特佳是4～300左右。

(B)成分的有機氫聚矽氧烷的摻合量，較佳是：相對於(A)成分的1個烯基等的具有非共軛雙鍵之基團，(B)成分中的SiH基成為0.7～3.0個的量；特佳是1.0～2.0個。

>(C)成分：鉑系觸媒> 作為(C)成分的鉑系觸媒，可列舉例如：氯鉑酸、醇改質氯鉑酸、具有螯合物結構之鉑錯合物等。這些鉑系觸媒，能夠使用單獨1種，亦能夠使用2種以上的組合。

(C)成分的鉑系觸媒的摻合量，可以是硬化有效量(所謂的觸媒量)，通常相對於(A)成分和(B)成分的總質量100質量份，較佳是以鉑族金屬的質量換算為0.1～500ppm，特佳是在0.5～100ppm的範圍內。

作為縮合硬化型矽氧樹脂的例子，可列舉含有下述成分之組成物： (A-1)由下述平均組成式(3)表示的有機聚矽氧烷，其以聚苯乙烯基換算的重量平均分子量的最大值為1×10⁴ 以上， 式(3)中，R¹ 獨立地為碳原子數為1～12的烷基、烯基、芳基或這些基團的鹵素取代基、或是氫原子，X獨立地為-Si(R² R³ R⁴ )(R² 、R³ 及R⁴ 是烷基、烯基、芳基或這些基團的鹵素取代基、或是氫原子)、碳原子數為1～6的烷基、烯基、烷氧烷基、醯基或氫原子，a是1.00～1.50的數，b是滿足0＜b＜2的數，且1.00＜a＋b＜2.00；及， 作為(A-2)硬化劑的縮合觸媒。 以下，詳細地說明該適當的組成物。

[(A-1)有機聚矽氧烷] (A-1)成分，是一種由上述平均組成式(3)表示的有機聚矽氧烷，其以聚苯乙烯基換算的重量平均分子量的最大值為1×10⁴ 以上。

上述式(3)中，作為由R¹ 表示的烷基，可列舉例如：甲基、乙基、丙基、丁基等。作為烯基，可列舉例如乙烯基。作為芳基，可列舉例如苯基。其中，作為R¹ ，較佳是甲基、苯基。作為鹵素取代基的例子，可列舉：三氯甲基、三氟甲基、3,3,4,4,5,5,6,6,6-九氟己基等。

上述式(3)中，由X表示的-Si(R² R³ R⁴ )，如下所述，是水解後的有機聚矽氧烷中的羥基經矽烷化(silylation)而得，矽基的R² 、R³ 及R⁴ 是非反應性的經取代或未被取代的一價烴基，可例示：甲基、乙基、丙基等的烷基；乙烯基等的烯基；苯基等的芳基；及，這些基團的鹵素取代有機基團等。作為鹵素取代基的例子，可列舉：三氯甲基、三氟甲基、3,3,4,4,5,5,6,6,6-九氟己基等。

又，上述式(3)中，作為由X表示的烷基，可列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基等。作為烯基，可列舉例如乙烯基。作為烷氧烷基，可列舉例如：甲氧乙基、乙氧乙基、丁氧乙基等。作為醯基，可列舉例如：乙醯基、丙醯基等。

上述式(3)中，a較佳是1.00～1.50的數，b較佳是滿足0＜b＜2的數，特佳是滿足0.01≦b≦1.0的數，尤其更佳是滿足0.05≦b≦0.7的數。當a為1.00以上時，不用擔心使所獲得的組成物片材硬化而獲得的被膜會有龜裂；當a為1.50以下時，不用擔心被膜的韌性變差、變脆。當b大於0時，對於基材的黏合性充分；當b小於2時，能夠確實地獲得硬化被膜。又，a＋b較佳是1.00≦a＋b≦1.50，更佳是1.10≦a＋b≦1.30。

本成分的有機聚矽氧烷，例如是藉由使由下述通式(4)或(5)表示的矽烷化合物水解縮合來獲得， 式(4)、(5)中，R⁵ 獨立地與前述所定義的R¹ 相同，R⁶ 獨立地與前述所定義的X中的除了-Si(R² R³ R⁴ )以外的基團相同，c是1～3的整數； 或是藉由使由上述通式(4)或(5)表示的矽烷化合物與由下述通式(6)或(7)表示的矽酸烷基酯及/或該矽酸烷基酯的縮聚合物(聚矽酸烷基酯)(以下，亦將兩者合稱為「(聚)矽酸烷基酯」)共水解縮合來獲得， 式(6)中，R⁶ 獨立地與前述所定義的X中的除了-Si(R² R³ R⁴ )以外的基團相同。 這些矽烷化合物及(聚)矽酸烷基酯，各自可使用單獨1種，亦可將2種以上併用。又，本成分的有機聚矽氧烷的合成法不限定於此。

作為由上述通式(4)或(5)表示的矽烷化合物，可列舉例如：甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、甲基苯基二甲氧基矽烷、甲基苯基二乙氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、乙基二甲氧基矽烷、苯基二甲氧基矽烷、甲基三氯矽烷、乙基三氯矽烷、苯基三氯矽烷、二甲基二氯矽烷、二苯基二氯矽烷、甲基苯基二氯矽烷、甲基二氯矽烷、乙基二氯矽烷、苯基二氯矽烷等；較佳是甲基三甲氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、甲基三氯矽烷、甲基二氯矽烷、苯基三氯矽烷。這些矽烷化合物，可使用單獨1種，亦可將2種以上併用。

作為由上述通式(6)表示的矽酸烷基酯，可列舉例如：四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四異丙基矽烷等的四氧烷基矽烷；作為前述矽酸烷基酯的聚縮合物(聚矽酸烷基酯)，可列舉例如：聚矽酸甲酯、聚矽酸乙酯等。這些(聚)矽酸烷基酯，可使用單獨1種，亦可將2種以上併用。

其中，從使所獲得的硬化物的耐龜裂性和耐熱性更優異來看，本成分的有機聚矽氧烷，較佳是由下述矽烷所構成：20～75莫耳%的甲基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、甲基三氯矽烷、苯基三氯矽烷等的三烷氧基矽烷、三氯矽烷；及，80～25莫耳%的二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二氯矽烷等的二烷氧基矽烷、二氯矽烷；更佳是由25～65莫耳%的三烷氧基矽烷、三氯矽烷及75～35莫耳%的二烷氧基矽烷、二氯矽烷所構成。

在本發明的較佳實施形態中，本成分的有機聚矽氧烷，能夠藉由對由上述式(4)表示的矽烷化合物實行一次水解與二次水解的二階段的水解、縮合反應來獲得，或能夠藉由對該矽烷化合物與(聚)矽酸烷基酯實行一次水解與二次水解的二階段的水解、縮合反應來獲得，例如能夠應用以下條件。

由上述式(4)表示的矽烷化合物和(聚)矽酸烷基酯，通常，較佳是溶於醇類、酮類、酯類、賽珞蘇(cellosolve)類、芳香族化合物類等的有機溶劑中來使用。作為此處使用的有機溶劑，具體而言，例如，較佳是甲醇、乙醇、異丙醇、異丁醇、正丁醇、2-丁醇等的醇系，從使所獲得的組成物的硬化性和硬化物的強韌性變優異來看，更佳是異丁醇。

進一步，由上述式(4)表示的矽烷化合物、(聚)矽酸烷基酯，較佳是：併用例如乙酸、鹽酸、硫酸等的酸觸媒作為水解觸媒，來實行水解縮合。進行一次水解縮合時，相對於上述矽烷化合物或上述矽烷化合物與(聚)矽酸烷基酯中的烷氧基的合計量1莫耳，所添加的水量通常是0.9～1.5莫耳，較佳是1.0～1.2莫耳。如果此摻合量滿足0.9～1.5莫耳的範圍，則所獲得的組成物的作業性優異，且能夠使其硬化物的強韌性優異。

一次水解、縮合物的有機聚矽氧烷以聚苯乙烯換算的重量平均分子量的最大值，較佳是5×10³ ～6×10⁴ ，特佳是1×10⁴ ～4×10⁴ 。

再者，此處，重量平均分子量，是指藉由凝膠滲透層析(GPC)所測得的以聚苯乙烯作為標準物質的重量平均分子量，該凝膠滲透層析是以下述條件來進行測定。 [測定條件] ･展開溶劑：四氫呋喃(THF) ･流量：0.6mL/min ･偵測器：示差折射率偵測器(RI) ･管柱：TSK Guardcolumn SuperH-L ･TSKgel SuperH4000(6.0mm內徑(I.D.)×15cm×1) ･TSKgel SuperH3000(6.0mm內徑×15cm×1) ･TSKgel SuperH2000(6.0mm內徑×15cm×2) (皆為東曹公司製造) ･管柱溫度：40℃ ･試料注入量：20μL(濃度為0.5重量%的THF溶液)

可進一步根據需要來進行二次水解、縮合反應。二次水解、縮合反應，是對藉由一次水解、縮合反應所獲得的有機聚矽氧烷使用二次水解、縮合反應觸媒，來製造高分子量的有機聚矽氧烷。

作為二次水解、縮合反應觸媒，能夠使用作為陰離子交換樹脂的聚苯乙烯系陰離子交換樹脂。作為聚苯乙烯系陰離子交換樹脂，能夠適當地使用DIAION(商品名，三菱化學股份有限公司製造)，作為產品名，可列舉：DIAION SA系列(SA10A、SA11A、SA12A、NSA100、SA20A、SA21A)、DIAION PA系列(PA308、PA312、PA316、PA406、PA412、PA418)、DIAION HPA系列(HPA25)、DIAION WA系列(WA10、WA20、WA21J、WA30)等

其中，尤其能夠適當地使用由下述結構式(8)表示的SA10A。SA10A，是一種含水分系的聚苯乙烯系陰離子交換樹脂，SA10A中的水分藉由SA10A的鹼性離子交換樹脂的觸媒效果來使反應進行。

相對於一次水解物的聚矽氧烷的非揮發成分(以150℃/1小時的條件進行乾燥)，此二次水解的觸媒量是1質量%～50質量%，較佳是5質量%～30質量%。若是1質量%以上，則高分子量化的反應能夠以充分的速率進行；並且，若是50質量%以下，則不用擔心膠化。二次水解的觸媒，可使用單獨1種，亦可將2種以上併用。

此二次水解反應的溫度，較佳是0℃～40℃，尤其若是15℃～30℃，則反應能夠良好地進行。若是0℃以上，則反應能夠以充分的速率進行；並且，若是40℃以下，則不用擔心膠化。

又，此二次水解反應，較佳是在溶劑中實行，較佳是將固體成分濃度設為50質量%至95質量%來實行反應，特佳是設為65質量%～90質量%來實行反應。若固體成分濃度為50質量%以上，則反應能夠以充分的速率進行；並且，若是95質量%以下，則不用擔心反應較快而膠化。

用於二次水解的溶劑，並無特別限定，較佳是沸點為60℃以上的溶劑，可列舉例如：苯、甲苯、二甲苯等的烴系溶劑；四氫呋喃、1,4-二噁烷等的醚系溶劑；甲基乙基酮等的酮系溶劑；1,2-二氯乙烷等的鹵化烴系溶劑；甲醇、乙醇、異丙醇、異丁醇等的醇系溶劑；八甲基環四矽氧烷、六甲基二矽氧烷等；進一步，能夠使用：賽珞蘇乙酸酯、環己酮、丁酸賽珞蘇、甲基卡必醇、卡必醇、丁基卡必醇、二乙基卡必醇、環己醇、二乙二醇二甲醚(diglyme)、三乙二醇三甲醚(triglyme)等的沸點為150℃以上的有機溶劑等。這些有機溶劑，能夠使用單獨1種，亦可將2種以上併用。作為溶劑，較佳是二甲苯、異丁醇、二乙二醇二甲醚、三乙二醇三甲醚，特佳是異丁醇。

二次水解、縮合物的有機聚矽氧烷以聚苯乙烯換算的重量平均分子量的最大值，較佳是1×10⁴ 以上，特佳是3×10⁴ ～4×10⁵ 。若重量平均分子量的最大值為1×10⁴ 以上，則不用擔心硬化後的被膜容易會有龜裂而變得不易獲得50μm以上的厚度的被膜。

藉由此二次水解所獲得的高分子量的有機聚矽氧烷，由於是高分子量，因此存在下述問題點：易於因殘存的羥基的縮合而容易膠化。膠化的問題點，能夠藉由下述方式解決：使殘留的羥基矽烷化，而獲得穩定的高分子量的有機聚矽氧烷。

作為藉由具有非反應性取代基之矽基來使有機聚矽氧烷中殘留的羥基的矽烷化的方法，可例示下述方法：與三烷基鹵矽烷反應的方法；使用六烷基二矽氮烷、N,N-二乙胺基三烷基矽烷、N-(三烷基矽基)乙醯胺、N-甲基(三烷基矽基)乙醯胺、N,O-雙(三烷基矽基) 乙醯胺、N,O-雙(三烷基矽基)胺基甲酸酯、N-三烷基矽基咪唑等的含氮之矽烷化劑的方法；與三烷基矽烷醇反應的方法；及，在弱酸性下與六烷基二矽氧烷反應的方法。當使用三烷基鹵矽烷時，可使鹼共存來中和所產生的副產物的鹵化氫。當使用含氮之矽烷化劑時，可添加三甲基氯矽烷、硫酸銨等的觸媒。具體而言，較佳是下述方法：在三乙胺共存下使用三甲基氯矽烷作為矽烷化劑。

在溶劑中亦能夠實行矽烷化的反應，亦能夠省略溶劑。作為適當的溶劑，可例示：苯、甲苯、二甲苯等的芳香族烴溶劑；己烷、庚烷等的脂肪族烴溶劑；乙醚、四氫呋喃等的醚系溶劑；丙酮、甲基乙基酮等的酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等的酯系溶劑；氯仿、三氯乙烷、四氯化碳等的鹵化烴溶劑；以及，二甲基甲醯胺、二甲基亞碸等。這樣的矽烷化的反應溫度，適當是0℃～150℃，較佳是0℃～60℃。

由於使用藉由上述製造方法所獲得的(A-1)成分的高分子量的有機聚矽氧烷，硬化後的被膜具有下述優異的特性：為高強度，且可撓性、黏合性良好，進一步能夠形成50μm以上的厚膜的片材。

[(A-2)縮合觸媒] (A-2)成分的縮合觸媒，是為了使前述(A-1)成分的有機聚矽氧烷硬化所需要的成分。作為縮合觸媒，並無特別限定，從該有機聚矽氧烷的穩定性、所獲得的硬化物的硬度、無黃變性等優異來看，通常使用有機金屬系觸媒。作為此有機金屬系觸媒，可列舉例如含有下述原子之有機金屬系觸媒：鋅(Zn)、鋁(Al)、鈦(Ti)、錫(Sn)、鈷(Co)等；較佳是含有鋅、鋁、鈦原子之有機金屬系觸媒，具體而言，能夠適當地使用有機酸鋅、路易士酸觸媒、鋁化合物、有機鈦化合物等，具體而言，可例示：辛酸鋅、苯甲酸鋅、對三級丁基苯甲酸鋅、月桂酸鋅、硬脂酸鋅、氯化鋁、過氯酸鋁、磷酸鋁、異丙醇鋁、乙醯丙酮鋁、丁氧基雙乙基乙醯乙酸鋁、鈦酸四丁酯、鈦酸四異丙酯、辛酸錫、環烷酸鈷、環烷酸錫等；其中，具體而言，能夠較佳地使用乙醯丙酮鋁、Acetope Al-MX3(Hope製藥股份有限公司製造)。這些縮合觸媒，可使用單獨1種，亦可將2種以上併用。

相對於(A-1)成分的有機聚矽氧烷100質量份，(A-2)成分的縮合觸媒的添加量較佳是設為0.05～10質量份，特佳是設為0.1～5質量份，若添加量為0.05質量份以上，則不用擔心變得缺乏硬化性；若是10質量份以下，則不用擔心膠化。

＜環氧樹脂＞ 在本發明中，作為能夠作為絕緣性樹脂使用的環氧樹脂，並無特別限定，可列舉例如下述在室溫呈液狀或固體的公知的環氧樹脂：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-雙酚型環氧樹脂、或4,4’-雙酚型環氧樹脂這樣的雙酚型環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、萘二酚型環氧樹脂、參酚甲烷型環氧樹脂、肆酚乙烷型環氧樹脂、及苯酚雙環戊二烯酚醛清漆型環氧樹脂的芳香環經氫化而得的環氧樹脂；脂環式環氧樹脂等。又，能夠根據需要，並根據目的來併用固定量的上述以外的環氧樹脂。

環氧樹脂，能夠製成包含環氧樹脂之絕緣性樹脂組成物，此組成物中能夠包含環氧樹脂的硬化劑。作為這種硬化劑，能夠使用：苯酚酚醛清漆樹脂、各種胺衍生物、酸酐、或使部分酸酐基開環而生成羧酸而得的硬化劑等。其中，較佳是使用苯酚酚醛清漆樹脂。尤其，環氧樹脂與苯酚酚醛清漆樹脂的混合比，較佳是以環氧基與酚性羥基的比率成為1：0.8～1.3的方式來混合。

進一步，為了促進環氧樹脂與硬化劑的反應，可使用作為反應促進劑(觸媒)的咪唑衍生物、膦衍生物、胺衍生物、有機鋁化合物等的金屬化合物等。

包含環氧樹脂之絕緣性樹脂組成物中，能夠進一步根據需要而添加各種添加劑。例如，為了改善樹脂的性質的目的，能夠根據目的來適當添加、摻合下述各種添加劑：熱塑性樹脂、熱塑性彈性體、有機合成橡膠、聚矽氧等的低應力劑；蠟類、鹵素捕捉劑等。

＜馬來醯亞胺樹脂＞ 作為適合用來作為本發明的絕緣性樹脂的馬來醯亞胺樹脂，可列舉例如下述通式(9)所示的馬來醯亞胺化合物。

通式(9)中，A獨立地表示包含環狀結構之四價有機基團。B獨立地為可包含二價雜原子之碳數為6以上的伸烷基。Q獨立地為可包含二價雜原子之碳數為6以上的伸芳基。W與B或Q相同。n是0～100，m表示0～100的數。

通式(9)中的A表示包含環狀結構之四價有機基團，特佳是由下述結構式表示的四價有機基團中的任一者。 再者，上述結構式中的未鍵結有取代基之原子鍵結，是在通式(9)中與形成環狀醯亞胺結構的羰基碳鍵結。

又，通式(9)中的B獨立地為可包含二價雜原子之碳數為6以上的伸烷基，較佳是碳數為8以上的伸烷基。通式(9)中的B進一步更佳是由下述結構式表示的具有脂肪族環之伸烷基中的任一者。 再者，上述結構式中的未鍵結有取代基之原子鍵結，是在通式(9)中與形成環狀醯亞胺結構的氮原子鍵結。

Q獨立地為可包含二價雜原子之碳數為6以上的伸芳基，較佳是碳數為8以上的伸芳基。通式(9)中的Q進一步更佳是由下述結構式表示的具有芳香族環之伸芳基中的任一者。

通式(9)中的n是0～100的數，較佳是0～70的數。通式(9)中的m是0～100的數，較佳是0～70的數。其中，n或m中的至少一者是正數。

作為高分子的馬來醯亞胺，能夠使用下述市售品：BMI-2500、BMI-2560、BMI-3000、BMI-5000、BMI-6000、BMI-6100(以上是Designer Molecules Inc.製造)等。又，環狀醯亞胺化合物，可使用單獨1種，亦可將複數種併用。

為了使上述馬來醯亞胺樹脂硬化，可包含反應起始劑並製成組成物。作為反應起始劑，並無特別限制，可列舉：熱自由基聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、熱陰離子聚合起始劑、及光聚合起始劑等。

作為熱自由基聚合起始劑，可列舉例如：過氧化甲基乙基酮、過氧化甲基環己酮、過氧化乙醯乙酸甲酯、過氧化乙醯丙酮、1,1-雙(三級丁基過氧基)3,3,5-三甲基環己烷、1,1-雙(三級己基過氧基)環己烷、1,1-雙(三級己基過氧基)3,3,5-三甲基環己烷、1,1-雙(三級丁基過氧基)環己烷、2,2-雙(4,4-二(三級丁基)過氧基環己基)丙烷、1,1-雙(三級丁基過氧基)環十二烷、4,4-雙(三級丁基過氧基)戊酸正丁酯、2,2-雙(三級丁基過氧基)丁烷、1,1-雙(三級丁基過氧基)-2-甲基環己烷、氫過氧化三級丁基、氫過氧化對薄荷烷(p-menthane hydroperoxide)、氫過氧化1,1,3,3-四甲基丁基、氫過氧化三級己基、過氧化二異丙苯、2,5-二甲基-2,5-雙(三級丁基過氧基)己烷、α,α’-雙(三級丁基過氧基)二異丙苯、三級丁基過氧化異丙苯、過氧化二(三級丁基)、2,5-二甲基-2,5-雙(三級丁基過氧基)己炔-3、過氧化異丁醯、過氧化3,5,5-三甲基己醯、過氧化辛醯、過氧化月桂醯、過氧化肉桂酸、過氧化間甲苯甲醯、過氧化苯甲醯、過氧二碳酸二異丙酯、過氧二碳酸雙(4-三級丁基環己基)酯、過氧二碳酸二-3-甲氧基丁酯、過氧二碳酸二-2-乙基己酯、過氧二碳酸二(二級丁基)酯、過氧二碳酸二(3-甲基-3-甲氧丁基)酯、過氧二碳酸二(4-三級丁基環己基)酯、α,α’-雙(新癸醯基過氧基)二異丙苯、過氧新癸酸異丙苯酯、過氧新癸酸1,1,3,3,-四甲基丁酯、過氧新癸酸1-環己基-1-甲基乙基酯、過氧新癸酸三級己酯、過氧新癸酸三級丁酯、過氧新戊酸三級己酯、過氧新戊酸三級丁酯、2,5-二甲基-2,5-雙(2-乙基己醯基過氧基)己烷、1,1,3,3-過氧-2-乙基己酸四甲基丁酯、過氧-2-乙基己酸1-環己基-1-甲基乙酯、過氧-2-乙基己酸三級己酯、過氧-2-乙基己酸三級丁酯、過氧異丁酸三級丁酯、過氧馬來酸三級丁酯、過氧月桂酸三級丁酯、過氧3,5,5-三甲基己酸三級丁酯、O,O-過氧碳酸三級丁酯異丙酯、O,O-過氧碳酸三級丁酯-2-乙基己酯、2,5-二甲基-2,5-雙(苯甲醯基過氧基)己烷、過氧乙酸三級丁酯、過氧苯甲酸三級己酯、過氧間甲苯甲醯基苯甲酸三級丁酯、過氧苯甲酸三級丁酯、過氧間苯二甲酸二(三級丁基)酯、O,O-過氧碳酸三級丁酯烯丙酯、3,3’,4,4’-四(三級丁基過氧基羰基)二苯基酮等的有機過氧化物；2,2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙醯胺)、2,2’-偶氮雙(N-環己基-2-甲基丙醯胺)、2,2’-偶氮雙[N-(2-甲基丙基)-2-甲基丙醯胺]、2,2’-偶氮雙[N-(2-甲基乙基)-2-甲基丙醯胺]、2,2’-偶氮雙(N-己基-2-甲基丙醯胺)、2,2’-偶氮雙(N-丙基-2-甲基丙醯胺)、2,2’-偶氮雙(N-乙基-2-甲基丙醯胺)、2,2’-偶氮雙[2-甲基-N-(2-羥基乙基)丙醯胺]、2,2’-偶氮雙[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙醯胺]、2,2’-偶氮雙{2-甲基-N-[1,1-雙(羥基甲基)-2-羥基乙基]丙醯胺}、2,2’-偶氮雙[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙醯胺]、1,1’-偶氮雙(1-環己烷甲酸甲酯)等的偶氮化合物；較佳是過氧化二異丙苯、過氧化二(三級丁基)、過氧化異丁醯、2,2’-偶氮雙(N-丁基-2-甲基丙醯胺)、2,2’-偶氮雙[N-(2-甲基乙基)-2-甲基丙醯胺]，進一步更佳是過氧化二異丙苯、過氧化二(三級丁基)、過氧化異丁醯。

作為熱陽離子聚合起始劑，可列舉例如：(4-甲基苯基)[4-(2-甲基丙基)苯基]錪陽離子、(4-甲基苯基)(4-異丙基苯基)錪陽離子、(4-甲基苯基)(4-異丁基)錪陽離子、雙(4-三級丁基)錪陽離子、雙(4-十二烷基苯基)錪陽離子、(2,4,6-三甲基苯基)[4-(1-甲基乙酸乙基醚)苯基]錪陽離子等的芳香族錪鹽；二苯基[4-(苯基硫基)苯基]鋶陽離子、三苯基鋶陽離子、烷基三苯基鋶陽離子等的芳香族鋶鹽；較佳是(4-甲基苯基)[4-(2-甲基丙基)苯基]錪陽離子、(4-甲基苯基)(4-異丙基苯基)錪陽離子、三苯基鋶陽離子、烷基三苯基鋶陽離子，進一步更佳是(4-甲基苯基)[4-(2-甲基丙基)苯基]錪陽離子、(4-甲基苯基)(4-異丙基苯基)錪陽離子。

作為熱陰離子聚合起始劑，可列舉例如：2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-苯基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑等的咪唑類、三乙胺、三乙二胺、2-(二甲基胺基甲基)苯酚、1,8-二氮-雙環(5,4,0)十一-7-烯、參(二甲基胺基甲基)苯酚、苯甲基二甲基胺等的胺類；三苯基膦、三丁基膦、三辛基膦等的膦類；較佳是2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、三乙胺、三乙二胺、1,8-二氮-雙環(5,4,0)十一-7-烯、三苯基膦、三丁基膦，進一步更佳是2-乙基-4-甲基咪唑、1,8-二氮-雙環(5,4,0)十一-7-烯、三苯基膦。

作為光聚合起始劑，並無特別限制，可列舉：二苯基酮等的苯甲醯基化合物(或苯基酮化合物)，尤其是1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙-1-酮等的在羰基的α-位的碳原子上具有羥基之苯醯基化合物(或苯基酮化合物)；2-甲基-1-(4-甲基硫苯基)-2-嗎啉基丙-1-酮、2-苯甲基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-1-丁酮、2-二甲基胺基-2-(4-甲基-苯甲基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁-1-酮等的α-烷基胺基苯酮化合物；2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、雙醯基單有機氧化膦、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4,-三甲基戊基氧化膦等的醯基氧化膦化合物；異丁基苯偶姻醚等的苯偶姻醚化合物；苯乙酮二乙基縮酮等的縮酮化合物；噻噸酮(thioxanthone)系化合物；苯乙酮系化合物等。尤其是由紫外線(UV)-發光二極體(LED)所產生的放射線是單一波長，因此當使用UV-LED作為光源時，使用在340～400nm的區域具有吸收光譜的峰之α-烷基胺基苯基酮化合物、醯基氧化膦化合物的光聚合起始劑是有效的。

這些起始劑成分，可使用單獨1種，亦可將2種以上併用。起始劑成分的含量，並無特別限定，相對於馬來醯亞胺樹脂成分100質量份，是0.01～10質量份，較佳是0.05～8質量份，進一步更佳是0.1～5質量份。若在此範圍內，則能夠使絕緣性樹脂組成物充分硬化。

＜白色顏料＞ 白色顏料，是為了提高反射體(reflector)等的應用所需的白色度而摻合。例如，作為白色顏料，可列舉：以二氧化鈦、氧化釔作為代表的稀土類氧化物；硫酸鋅、氧化鋅、及氧化鎂等；這些白色顏料，能夠單獨使用或將複數種合併使用。

其中，為了更提高白色度，較佳是使用二氧化鈦。此二氧化鈦的單位晶格，存在金紅石(rutile)型、銳鈦礦(anatase)型、板鈦礦(brookite)型，皆能夠使用，從二氧化鈦的白色度或光催化能力的觀點來看，較佳是使用金紅石型。

又，二氧化鈦的平均粒徑和形狀亦無特別限定，平均粒徑較佳是0.05～5.0μm，其中，更佳是1.0μm以下，進一步更佳是0.30μm以下。

為了提高與前述絕緣性樹脂的濕潤性或相容性及分散性或流動性，上述二氧化鈦較佳是經表面處理，更佳是從二氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、多元醇及有機矽化合物中選出來的至少1種以上、尤其是2種以上的經以處理劑進行表面處理而成者。

又，為了提高摻合有白色顏料之絕緣性樹脂的初始反射率並提高流動性，較佳是經以有機矽化合物進行處理後的二氧化鈦。作為有機矽化合物的例子，可列舉：氯矽烷和矽氮烷、具有環氧基和胺基等的反應性官能基之矽烷偶合劑等的單體有機矽化合物；矽氧油和矽氧樹脂等的有機聚矽氧烷等。再者，亦可使用硬脂酸這樣的有機酸等通常用於二氧化矽的表面處理的其他處理劑，亦可用上述以外的處理劑進行表面處理，亦可用複數種的處理劑來進行表面處理。

＜中空粒子＞ 作為中空粒子，可列舉：無機中空粒子、或能夠藉由熱而膨脹的未膨脹或已膨脹的有機樹脂製微小中空粒子、已膨脹的中空粒子、和熱膨脹性微膠囊等。作為無機中空粒子，可列舉：二氧化矽中空球、碳中空球、氧化鋁中空球、矽酸鋁中空球及氧化鋯中空球等；作為能夠藉由熱而膨脹的未膨脹或已膨脹的有機樹脂製微小中空粒子、已膨脹的中空粒子，可列舉：酚樹脂中空球及塑膠中空球等；作為熱膨脹性微膠囊，可例示具有由有機樹脂所構成之外殼且內包有異丁烷、異戊烷等的烴系溶劑這樣的揮發性物質或低沸點物質而構成之熱膨脹性微膠囊，該有機樹脂是由從偏二氟乙烯、丙烯腈、甲基丙烯腈、丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯中選出來的單體的聚合物或上述單體的2種以上的共聚物所形成。

[導電性粒子群] 本發明的導電性粒子群2，是指以黏結劑3來黏結導電性粒子4而得之集合體，且是處於下述狀態的部分：2個以上的導電性粒子4接觸。

＜導電性粒子＞ 作為導電性粒子4，並無特別限制，能夠根據目的來適當選擇，可列舉例如：金屬粒子、金屬被覆粒子、導電性高分子粒子等。

作為前述金屬粒子的例子，可列舉：金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鋁、鎳(Ni)、鐵(Fe)、鈦、錳(Mn)、鋅、鎢(W)、鉑(Pt)、鉛(Pb)、錫等的金屬單質；或，焊料、鋼、不鏽鋼等的合金。這些金屬粒子各自可使用單獨1種，亦可將2種以上併用。

作為前述金屬被覆粒子的例子，可以是：以金屬來被覆丙烯酸樹脂、環氧樹脂等的樹脂粒子的表面而得的金屬被覆粒子；或，以金屬來被覆玻璃或陶瓷等的無機粒子而得的金屬被覆粒子。作為粒子表面的金屬被覆方法，並無特別限制，可列舉例如：無電解鍍覆法、濺鍍法等。

此處，作為被覆粒子表面的金屬的例子，可列舉：金、銀、銅、鐵、鎳、鋁等。

作為前述導電性高分子粒子的例子，可列舉：碳、聚乙炔奈米粒子、聚吡咯奈米粒子等。

這些導電性粒子之中，金屬粒子由於電阻較小，亦能夠以高溫進行燒結，因此能夠較佳地使用。

導電性粒子4，只要在與電路電極電性連接時具有導電性即可。例如，即便是粒子表面施加有絕緣被膜之粒子，若電性連接時粒子能夠變形，從而金屬粒子露出，則為導電性粒子。

根據上述理由，作為導電性粒子4，為了改善與黏結劑3的揉合性、親和性等的目的，可使用經以矽烷偶合劑等的表面處理劑進行處理的導電性粒子。

作為導電性粒子4的平均粒徑，並無特別限制，以藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置所測得的中值粒徑計，較佳是0.01～100μm，更佳是0.01～50μm，進一步更佳是0.05～30μm，極佳是0.1～10μm。若在此範圍內，則能夠高度填充導電性粒子。又，可併用2種以上的不同粒徑的導電性粒子4。

＜黏結劑＞ 本發明的導電性粒子群2的黏結劑3，是用以黏結導電性粒子4彼此。作為黏結劑3，並無特別限制，可列舉例如：熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂等。若是熱硬化性樹脂，則熱壓接時能夠在確保通電的狀態下進行硬化，因此能夠成為高可靠性。若是熱塑性樹脂，則熱壓接後能夠藉由冷卻至室溫來維持確保通電的狀態。

又，作為黏結劑3使用的樹脂的種類，可與下述薄膜狀絕緣性樹脂組成物(形成異向性導電薄膜10的基材的薄膜狀絕緣性樹脂組成物)中使用的絕緣性樹脂1的種類相同亦可不同。如果使用同種樹脂，則黏結劑3與薄膜狀絕緣性樹脂1能夠相容，且能夠提高異向性導電薄膜10的強度，因此較佳；如果使用不同種樹脂，則即便導電性組成物(黏結劑3與導電性粒子4之混合物)含有導電性粒子4，仍能夠使該導電性組成物與薄膜狀絕緣性樹脂1的線膨脹係數匹配，因此較佳。

作為前述熱硬化性樹脂，可列舉例如：矽氧樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽氧･環氧樹脂、馬來醯亞胺樹脂、酚樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等；作為前述熱塑性樹脂，可列舉例如：全氟聚醚樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、纖維素樹脂、苯乙烯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂等；考慮到耐熱性、耐光性，較佳是矽氧樹脂、環氧樹脂、馬來醯亞胺樹脂等的熱硬化性樹脂。

進一步，前述熱硬化性樹脂，較佳是：在未硬化或被稱為B階段的半硬化狀態下，25℃時呈可塑性的固體或半固體；更佳是：在未硬化狀態下，25℃時呈可塑性的固體或半固體。如果具有這樣的性狀，則壓接電子零件時能夠變形，並且藉由使其完全地硬化，能夠在與導電性粒子4之間獲得良好的黏合力。 導電性粒子群2，能夠藉由下述方式製備：加入60～98質量%的導電性粒子4，並配合導電性粒子4而加入2～40質量%的黏結劑3，然後裝入市售的攪拌機(商品名：THINKY CONDITIONING MIXER(THINKY股份有限公司製造)等)中，進行攪拌1～5分鐘左右，或使用三輥研磨機(井上製作所股份有限公司製造等)來均勻地加以混合。

＜粒子群＞ 此處，粒子群，是在所謂的功能性薄膜中用以發揮其功能的部分(功能性部分)。當該功能性部分是由單粒子所形成時，該單粒子的形狀成為球狀或半球狀，且僅在一點與接觸薄膜的元件等進行接觸。也就是說，連接穩定性不充分。又，關於單粒子本身的形狀，有時存在缺陷或形狀偏差，當以單粒子形成功能性部分時，會在功能性部分反映出其缺陷或形狀的偏差，因此還是會對連接穩定性造成不良影響。進一步，在單粒子的情況下，如果缺少一個粒子，則會完全喪失該部分的功能，因此必須在目標處排列單粒子，在成本方面亦不利。相對於此，本發明的異向性薄膜中，該功能性部分是由被黏結劑黏結的複數個粒子所構成之粒子群，因此能夠以複數點或面來與元件接觸，因而能夠確保與元件等穩定地連接。又，粒子群是由複數個粒子所構成，因此每個單粒子的缺陷或形狀的偏差不會對功能性部分(亦即粒子群)的形狀造成影響，在這一點上亦能夠確保與元件等穩定地連接，進一步能夠配合元件的電極部分等的形狀來改變粒子群的形狀。

又，粒子群所具有的寬度，較佳是1～1000μm，更佳是3～800μm，進一步更佳是5～500μm，特佳是10～100μm。若在此範圍內，則能夠活用絕緣性樹脂與粒子群各自的優點，因此較佳。再者，粒子群的寬度，是指一個粒子群中所屬的粒子的最大的粒子間距離。

又，粒子群的寬度，必須比粒子更大，較佳是5倍以上，更佳是10倍以上～1000倍以下。若在此範圍內，則作為粒子群能夠更充分地發揮粒子的功能，因此較佳。

又，粒子群的理論平均粒子數，較佳是50～1×10⁹ 個，更佳是100～1×10⁸ 個，進一步更佳是200～1×10⁷ 個。若在此範圍內，則能夠容易將粒子群形成為柱狀，因此較佳。

此處，理論平均粒子數，是指相當於粒子群中包含的粒子的密度(體積密度)之參數，能夠用以下方式求得。首先，將構成粒子群的粒子全部視為球體，並由該粒子的平均粒徑求得前述粒子的平均體積。繼而，將前述粒子群的體積除以前述平均體積而得的值，設為前述粒子群中的理論平均粒子數。再者，當併用不同的平均粒徑的2種以上的粒子時，將各粒子的平均粒徑的加權平均值設為構成該粒子群的粒子的平均粒徑。

本發明人發現為了發揮該粒子的特性，前述粒子群中的粒子數亦即粒子密度是很重要的。然而，要實測粒子群中的粒子數，非常困難且不切實際。發明人研究的結果，發現以下所示的理論平均粒子數作為粒子密度的替代參數是有用的。

又，較佳是粒子群的形狀為圓柱狀或角柱狀。所謂角柱狀，可列舉：三角柱、四角柱、五角柱、六角柱等。上底面與下底面可以是完全相同的形狀，亦可不同。

又，粒子群的下表面的面積相對於上表面的面積的比值較佳是0.5～10，更佳是0.6～5，進一步更佳是0.8～2。若在此範圍內，則變得容易發揮作為粒子群的功能的異向性，因此較佳。

又，粒子群，能夠根據粒子群中包含的粒子的種類而製成具有各種功能。例如，作為粒子，能夠設為導電性粒子、熱傳導性粒子、螢光體、磁性粒子、電磁波吸收填料，此時，粒子群各自成為導電性粒子群、熱傳導性粒子群、螢光體粒子群、磁性粒子群、電磁波吸收填料粒子群。以下，詳細地說明能夠用於本發明的粒子群的熱傳導性粒子、螢光體、磁性粒子、及電磁波吸收填料。

＜熱傳導性粒子＞ 作為熱傳導性粒子，並無特別限制，考慮到熱傳導率，較佳是從金屬粒子、氮化硼、氮化鋁、氮化矽、氧化鈹、氧化鎂、氧化鋅、氧化鋁中選擇至少1種，其中，較佳是金屬粒子、氮化硼、氮化鋁、氧化鋁、氧化鎂。

作為前述金屬粒子的例子，可列舉：金、銀、銅、鈀、鋁、鎳、鐵、鈦、錳、鋅、鎢、鉑、鉛、錫等的金屬單質；或，焊料、鋼、不鏽鋼等的合金；可較佳地列舉：銀、銅、鋁、鎳、鐵、鈦、鎢、焊料、鋼、不鏽鋼。這些金屬粒子各自可使用單獨1種，亦可將2種以上併用。

作為前述熱傳導性粒子的形狀，並無特限制，可列舉例如：球狀、鱗片狀、片狀、針狀、棒狀、橢圓狀等；其中，較佳是球狀、鱗片狀、橢圓狀、棒狀，進一步更佳是球狀、鱗片狀、橢圓狀。

＜螢光體＞ 作為螢光體，無機螢光體、有機螢光體皆能夠使用，作為有機螢光體，亦能夠使用錯合形成的有機螢光體。再者，從螢光體的耐熱性等可靠性的觀點來看，較佳是無機螢光體。

作為無機螢光體，能夠使用例如能夠吸收源自以氮化物系半導體作為發光層之半導體發光二極體的光並將波長轉換成不同波長的光之無機螢光體。作為這種無機螢光體，可列舉例如：主要以銪(Eu)、鈰(Ce)等的鑭系元素來進行活化的氮化物系螢光體、氮氧化物系螢光體；主要利用Eu等的鑭系元素、Mn等的過渡金屬系元素來進行活化的鹼土金屬鹵磷灰石螢光體、鹼土金屬硼酸鹵素螢光體、鹼土金屬鋁酸鹽螢光體、鹼土金屬矽酸鹽螢光體、鹼土金屬硫化物螢光體、稀土類硫化物螢光體、鹼土金屬硫代鎵酸鹽螢光體、鹼土金屬氮化矽螢光體、鍺酸鹽螢光體；主要以Ce等的鑭系元素來進行活化的稀土類鋁酸鹽螢光體、稀土類矽酸鹽螢光體；主要以Eu等的鑭系元素來進行活化的Ca-Al-Si-O-N系氧氮化物玻璃螢光體等。再者，這些無機螢光體，可單獨使用，亦可將2種以上組合使用。作為具體例，可例示下述無機螢光體，但不限定於這些無機螢光體。

作為主要以Eu、Ce等的鑭系元素來進行活化的氮化物系螢光體，可例示：M₂ Si₅ N₈ ：Eu、MSi₇ N₁₀ ：Eu、M_1.8 Si₅ O_0.2 N₈ ：Eu、M_0.9 Si₇ O_0.1 N₁₀ ：Eu(M是從鍶(Sr)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、及鋅中選出來的1種以上)等。

作為主要以Eu、Ce等的鑭系元素來進行活化的氧氮化物系螢光體，可例示MSi₂ O₂ N₂ ：Eu(M是從Sr、Ca、Ba、Mg、及Zn中選出來的1種以上)等。

作為主要利用Eu等的鑭系元素、Mn等過渡金屬系元素來進行活化的鹼土金屬鹵磷灰石螢光體，可例示M₅ (PO₄ )₃ X：Z(M是從Sr、Ca、Ba、及Mg中選出來的1種以上，X是從氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、及碘(I)中選出來的1種以上，Z是從Eu、Mn、及Eu與Mn中選出來的1種以上)等。

作為主要利用Eu等的鑭系元素、Mn等過渡金屬系元素來進行活化的鹼土金屬硼酸鹵素螢光體，可例示M₂ B₅ O₉ X：Z(M是從Sr、Ca、Ba、及Mg中選出來的1種以上，X是從F、Cl、Br、及I中選出來的1種以上，Z是從Eu、Mn、及Eu與Mn中選出來的1種以上)等。

作為主要利用Eu等的鑭系元素、Mn等過渡金屬系元素來進行活化的鹼土金屬鋁酸鹽螢光體，可例示：SrAl₂ O₄ ：Z、Sr₄ Al₁₄ O₂₅ ：Z、CaAl₂ O₄ ：Z、BaMg₂ Al₁₆ O₂₇ ：Z、BaMg₂ Al₁₆ O₁₂ ：Z、BaMgAl₁₀ O₁₇ ：Z(Z是從Eu、Mn、及Eu與Mn中選出來的1種以上)等。

作為主要利用Eu等的鑭系元素、Mn等過渡金屬系元素來進行活化的鹼土金屬矽酸鹽螢光體，可例示：(BaMg)Si₂ O₅ ：Eu、(BaSrCa)₂ SiO₄ ：Eu等。

作為主要利用Eu等的鑭系元素、Mn等過渡金屬系元素來進行活化的鹼土金屬硫化物螢光體，可例示：(Ba,Sr、Ca)(Al, Ga)2S4；Eu等。

作為主要利用Eu等的鑭系元素、Mn等過渡金屬系元素來進行活化的稀土類硫化物螢光體，可例示：La₂ O₂ S：Eu、Y₂ O₂ S：Eu、Gd₂ O₂ S：Eu等。

作為主要利用Eu等的鑭系元素、Mn等過渡金屬系元素來進行活化的鹼土金屬硫代鎵酸鹽螢光體，可例示MGa₂ S₄ ：Eu等(M是從Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中選出來的1種以上)等。

作為主要利用Eu等的鑭系元素、Mn等過渡金屬系元素來進行活化的鹼土金屬氮化矽螢光體，可例示：(Ca,Sr,Ba)AlSiN₃ ：Eu、(Ca,Sr,Ba)₂ Si₅ N₈ ：Eu、SrAlSi₄ N₇ ：Eu等。

作為主要利用Eu等的鑭系元素、Mn等過渡金屬系元素來進行活化的鍺酸鹽螢光體，可例示Zn₂ GeO₄ ：Mn等。

作為主要以Ce等的鑭系元素來進行活化的稀土類鋁酸鹽螢光體，可例示：Y₃ Al₅ O₁₂ ：Ce、(Y_0.8 Gd_0.2 )₃ Al₅ O₁₂ ：Ce、Y₃ (Al_0.8 Ga_0.2 )₅ O₁₂ ：Ce、(Y,Gd)₃ (Al,Ga)₅ O₁₂ 等的YAG系螢光體等。又，亦能夠使用以鋱(Tb)、鎦(Lu)等來取代部分或全部的釔(Y)而得的Tb₃ Al₅ O₁₂ ：Ce、Lu₃ Al₅ O₁₂ ：Ce等。

作為主要以Ce等的鑭系元素來進行活化的稀土類矽酸鹽螢光體，可例示Y₂ SiO₅ ：Ce,Tb等。

Ca-Al-Si-O-N系氧氮化物玻璃螢光體，是指一種以氧氮化物玻璃作為母體材料之螢光體，其中，以莫耳%表示，將CaCO₃ 設為換算成CaO是20～50莫耳%，將Al₂ O₃ 設為0～30莫耳%，將SiO設為25～60莫耳%，將AlN設為5～50莫耳%，將稀土類氧化物或過渡金屬氧化物設為0.1～20莫耳%，且5種成分的合計量成為100莫耳%。再者，以氧氮化物玻璃作為母體材料之螢光體，較佳是氮含量為15質量%以下。又，較佳是：除了稀土類氧化物離子以外，還以稀土類氧化物的狀態包含作為敏化劑的其他稀土類元素離子；較佳是在螢光體中包含0.1～10莫耳%的範圍的含量的作為敏化劑的其他稀土元素離子，來作為共活化劑。

作為其他螢光體，可列舉ZnS：Eu等。又，作為上述以外的矽酸鹽系螢光體，可列舉：(BaSrMg)₃ Si₂ O₇ ：Pb、(BaMgSrZnCa)₃ Si₂ O₇ ：Pb、Zn₂ SiO₄ ：Mn、BaSi₂ O₅ ：Pb等。

又，上述無機螢光體中，亦能夠使用下述無機螢光體：包含從鋱、銅、銀、金、鉻(Cr)、釹(Nd)、鏑(Dy)、鈷、鎳、及鈦中選出來的1種以上來取代Eu之無機螢光體；或，除了Eu外還含有選自Tb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Ti中的一種以上之無機螢光體。

又，若是上述無機螢光體以外的螢光體且具有與上述無機螢光體相同性能、功效，則能夠作為本發明的粒子使用。

上述無機螢光體的性狀，並無特別限定，能夠使用例如粉末狀的無機螢光體。又，無機螢光體粉末的形狀，並無特別限定，可列舉例如：球狀、鱗片狀、片狀、針狀、棒狀、橢圓狀等；其中，較佳是球狀、鱗片狀、片狀，進一步更佳是球狀、片狀。

作為有機螢光體，能夠使用例如作為主要以Eu等的鑭系元素來進行活化的有機螢光體和有機錯合物螢光體等，能夠使用：9,10-二芳基蒽衍生物、芘(pyrene)、蔻(coronene)、苝(perylene)、紅螢烯(rubrene)、1,1,4,4-四苯基丁二烯、參(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-quinolinolato)aluminum)錯合物、參(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁錯合物、雙(8-羥基喹啉)鋅錯合物、參(4-甲基-5-三氟甲基-8-羥基喹啉)鋁錯合物、參(4-甲基-5-氰基-8-羥基喹啉)鋁錯合物、雙(2-甲基-5-三氟甲基-8-羥基喹啉)[4-(4-氰基苯基)苯酚]鋁錯合物、雙(2-甲基-5-氰基-8-羥基喹啉)[4-(4-氰基苯基)苯酚]鋁錯合物、參(8-羥基喹啉)鈧錯合物、雙[8-(對甲苯磺醯基)胺基喹啉]鋅錯合物及鎘錯合物、1,2,3,4-四苯基環戊二烯、五苯基環戊二烯、聚[2,5-二庚基氧基對苯乙烯]、香豆素(coumarin)系螢光體、苝系螢光體、吡喃(pyran)系螢光體、蒽酮(anthrone)系螢光體、卟啉(porphyrin)系螢光體、喹吖酮(quinacridone)系螢光體、N,N’-二烷基取代喹吖酮系螢光體、  萘二甲醯亞胺系螢光體、N,N’-二芳基取代吡咯并吡咯(pyrrolopyrrole)系螢光體、或銥(Ir)錯合物等的磷光性發光體等。

＜磁性粒子＞ 作為磁性粒子，能夠適當使用：鐵、鈷、鎳等的鐵磁性(ferromagnetism)金屬單質；不鏽鋼、磁性不鏽鋼(Fe-Cr-Al-Si合金)、鐵矽鋁合金(sendust，Fe-Si-Al合金)、高導磁合金(permalloy，Fe-Ni合金)、矽銅(Fe-Cu-Si合金)、Fe-Si合金、Fe-Si―B(-Cu-Nb)合金、Fe-Si-Cr-Ni合金、Fe-Si-Cr合金、Fe-Si-Al-Ni-Cr合金等的磁性金屬合金；赤鐵礦(Fe₂ O₃ )、磁鐵礦(Fe₃ O₄ )等的金屬氧化物；Mn-Zn系鐵氧體、Ni-Zn系鐵氧體、Mg-Mn系鐵氧體、Zr-Mn系鐵氧體、Ti-Mn系鐵氧體、Mn-Zn-Cu系鐵氧體、鋇鐵氧體、鍶鐵氧體等的鐵氧體(ferrite)類。

作為前述磁性粒子的形狀，並無特別限制，可列舉例如：球狀、鱗片狀、片狀、針狀、棒狀、橢圓狀、多孔狀等；其中，較佳是球狀、鱗片狀、橢圓狀、片狀、多孔狀，進一步更佳是球狀、鱗片狀、片狀、多孔狀。

當要獲得多孔狀的磁性粒子時，能夠藉由下述方式獲得：造粒時，添加碳酸鈣等的孔洞調整劑來實行造粒，並加以煅燒。又，亦能夠藉由添加能夠阻礙鐵氧體化反應中的粒子成長的材料，來在鐵氧體內部形成複雜的空隙。作為這種材料，可列舉：氧化鉭、氧化鋯等。

＜電磁波吸收填料＞ 作為電磁波吸收性填充劑，能夠應用以導電性粒子、碳粒子作為代表的介電損耗性電磁波吸收材料、和以鐵氧體、軟磁性金屬粉作為代表的磁損耗性電磁波吸收材料等。

作為導電性粒子，能夠使用：金屬粒子、導電性金屬氧化物粒子、由導電性高分子所構成之粒子、被覆有金屬之粒子等。

作為金屬粒子的例子，可列舉：金、銀、銅、鈀、鋁、鎳、鐵、鈦、錳、鋅、鎢、鉑、鉛、錫等的金屬單質；或，焊料、鋼、不鏽鋼等的合金。這些金屬粒子各自可使用單獨1種，亦可將2種以上併用。

作為金屬氧化物系粒子，能夠使用由具有導電性的金屬氧化物也就是氧化鋅、氧化銦、氧化錫等所構成之粒子。這些金屬氧化物系粒子各自可使用單獨1種，亦可將2種以上併用。

作為由導電性高分子所構成之粒子的例子，可列舉：聚乙炔粒子、聚噻吩粒子、聚乙炔粒子、聚吡咯粒子、或表面被覆有這些導電性高分子之粒子等。

作為被覆有金屬之粒子的例子，可以是以金屬來被覆丙烯酸樹脂、環氧樹脂等的樹脂粒子的表面而得的粒子、或是以金屬來被覆玻璃或陶瓷等的無機粒子而得的粒子。作為表面的金屬被覆方法，並無特別限制，可列舉例如：無電解鍍覆法、濺鍍法等。

此處，作為被覆粒子表面的金屬的例子，可列舉：金、銀、銅、鐵、鎳、鋁等。

作為介電損耗性電磁波吸收材料，能夠使用：碳黑、乙炔黑、科琴黑(Ketjenblack)、石墨、碳奈米管、石墨烯、富勒烯(fullerene)、碳奈米螺旋管(carbon nanocoil)、碳微米螺旋管、碳纖維等。

作為軟磁性合金粉末，從供給穩定性、價格等方面來看，較佳是包含鐵元素之軟磁性合金粉末，特佳是包含15質量%以上的鐵之軟磁性合金粉末。作為這種軟磁性合金粉末，可列舉例如：羰基鐵、電解鐵、Fe-Cr系合金、Fe-Si系合金、Fe-Ni系合金、Fe-Al系合金、Fe-Co系合金、Fe-Al-Si系合金、Fe-Cr-Si系合金、Fe-Cr-Al系合金、Fe-Si-Ni系合金、Fe-Si-Cr-Ni系合金等；但是不限定於這些軟磁性合金粉末。這些軟磁性金屬粉末，可使用單獨1種，亦可將2種以上組合使用。軟磁性合金粉末的形狀，可單獨使用扁平狀、粒子狀之中的任一種，亦可將兩種併用。

作為鐵氧體粉末，具體而言，能夠使用：Mg-Zn系鐵氧體、Ni-Zn系鐵氧體、Mn-Zn系鐵氧體等的尖晶石(spinel)型鐵氧體；Ba₂ Co₂ Fe₁₂ O₂₂ 、Ba₂ Ni₂ Fe₁₂ O₂₂ 、Ba₂ Zn₂ Fe₁₂ O₂₂ 、Ba₂ Mn₂ Fe₁₂ O₂₂ 、Ba₂ Mg₂ Fe₁₂ O₂₂ 、Ba₂ Cu₂ Fe₁₂ O₂₂ 、Ba₃ Co₂ Fe₂₄ O₄₁ 等的六角晶體鐵淦氧(ferroxplana，Y型、Z型)型六方晶鐵氧體；以BaFe₁₂ O₁₉ 、SrFe₁₂ O₁₉ 及/或BaFe₁₂ O₁₉ 、SrFe₁₂ O₁₉ 的Fe元素被Ti、Co、Mn、Cu、Zn、Ni、Mg取代而得的化合物作為基本組成之磁鐵鉛礦(magnetoplumbite，M型)型六方晶鐵氧體等；但是不限定於這些鐵氧體粉末。這些鐵氧體粉末，可使用單獨1種，亦可將2種以上組合使用。

[異向性薄膜] 又，如上所述，本發明的異向性薄膜，能夠藉由選擇粒子群中包含的粒子的種類，來製成例如導電薄膜、熱傳導薄膜、螢光體薄膜、磁性薄膜、電磁波吸收薄膜、反射薄膜及中空薄膜。以下，詳細地說明將本發明的異向性薄膜製成異向性導電薄膜的態樣，本態樣亦能夠應用於熱傳導薄膜、螢光體薄膜、磁性薄膜、電磁波吸收薄膜、反射薄膜及中空薄膜等。

[異向性導電薄膜] 本發明的異向性導電薄膜10，其特徵在於：導電性粒子群2規則地排列，且其間隔A為1μm～1000μm，較佳是3～800μm，更佳是5～500μm，進一步更佳是10～100μm。如果未以此範圍的間隔A來排列，則變得難以一面確保厚度方向T的導電性，一面在沒有不良的情形下確保面方向的絕緣性。

異向性導電薄膜10的厚度T，較佳是1μm～2000μm，更佳是1μm～500μm，進一步更佳是10μm～300μm。若在此範圍內，則因絕緣性樹脂1部分與導電性粒子群2的熱膨脹係數(CTE)的差異所導致的影響較小，因而晶片不會變得容易脫落，因此較佳。

又，導電性粒子群2的厚度，能夠根據異向性導電薄膜10的厚度T來決定，較佳是導電性粒子群2的厚度相對於異向性導電薄膜10的厚度T為50%～150%，更佳是70%～100%。若導電性粒子群2的厚度在此範圍內，則從製作出來的異向性導電薄膜10的上方壓抵電極時，變得容易確保通電。

進一步，導電性粒子群2，較佳是在異向性導電薄膜10的至少其中一方的表面露出。導電性粒子群2的厚度為異向性導電薄膜10的厚度T的100%，是指導電性粒子群2在異向性導電薄膜10的兩表面露出，亦即貫穿。藉由導電性粒子群2在至少其中一方的表面露出，能夠在不以較大的力量來熱壓接異向性導電薄膜10的情況下，確保導通，因此較佳，更佳是導電性粒子群2貫穿異向性導電薄膜10。

又，此時，更佳是在至少其中一方的表面露出的粒子群的面積比例為20～90%。若在此範圍內，則異向性薄膜能夠保持較高的柔軟性，並且能夠確實地發揮目標的功能。

又，較佳是絕緣性樹脂與粒子群在－50℃～200℃的範圍內的線膨脹係數的差異為1～200ppm/K。

若設為這樣的線膨脹係數的差異，則即便溫度變化，電子零件亦變得更不易從異向性薄膜脫落。

又，本發明的異向性導電薄膜10，可配置有對於絕緣性樹脂1具有脫模性的樹脂薄膜。具有脫模性的樹脂薄膜，能夠根據絕緣性樹脂1的種類來最佳化，具體而言，可列舉：塗覆有氟系樹脂之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜、塗覆有矽氧樹脂之PET薄膜；聚四氟乙烯(PTFE)、乙烯-四氟乙烯(ETFE)、氯三氟乙烯(CTFE)等的氟系樹脂薄膜等。藉由此具有脫模性的樹脂薄膜，從而異向性導電薄膜10變得容易操作，且能夠防止灰塵等異物附著。

作為本發明的異向性導電薄膜10的製造方法，例如，將黏結劑3與導電性粒子4均勻地混合來製備導電性組成物後，以下述實施例的方式來將此導電性組成物填充到已施加凹凸圖案之矽晶圓基材等的模具中，來形成導電性粒子群2。然後，將導電性粒子群2轉印到薄膜狀絕緣性樹脂1上並加以壓入。以此方式進行，能夠製造異向性導電薄膜10。

由於包含將粒子群埋設於絕緣性樹脂中的步驟，因此粒子群的硬度較佳是絕緣性樹脂的硬度以上。藉此，粒子群能夠在維持著其形狀的狀態下埋設於絕緣性薄膜中。再者，作為埋設步驟中的依據日本工業標準(JIS)K 6253-3：2012所記載的方法所測得的粒子群的硬度，較佳是根據A型硬度計為20以上，更佳是根據A型硬度計為40～根據D型硬度計為50。又，作為此時的絕緣性樹脂的硬度，較佳是根據E型硬度計為60以上，更佳是根據E型硬度計為80～根據D型硬度計為30。

又，硬化後(亦即使用異向性薄膜時)依據JIS K 6253-3：2012所記載的方法所測得的硬度，較佳是在以下範圍內。亦即，黏結劑的硬度，較佳是根據A型硬度計為30以上，更佳是根據D型硬度計為40～根據D型硬度計為95。粒子群的硬度，較佳是根據A型硬度計為30以上，更佳是根據D型硬度計為40～根據D型硬度計為95。絕緣性樹脂的硬度，較佳是根據A型硬度計為20以上，更佳是根據D型硬度計為30～根據D型硬度計為90。

再者，作為本發明的異向性導電薄膜10的使用方法，當配置有具有脫模性的樹脂薄膜時，是將其剝離後，將異向性導電薄膜10夾於線路基板電極部分與半導體的電極部分之間，並加以加熱、壓接，藉此能夠獲得異向導電性(anisotropic conductivity)。作為加熱時的溫度，較佳是100℃～300℃，更佳是120℃～250℃，進一步更佳是150℃～200℃。作為壓接時的壓力，較佳是0.01MPa～100MPa，更佳是0.05MPa～80MPa，進一步更佳是0.1MPa～50MPa。

又，熱壓接溫度時的導電性粒子群2的儲存彈性模數，較佳是異向性導電薄膜10的儲存彈性模數的0.7倍以上，較佳是1.0倍以上。若在此範圍內，則能夠藉由加熱來使絕緣性樹脂1的黏度下降，且變得容易藉由施加壓力來將半導體的電極部分壓抵在線路基板電極部分上。又，在能夠進行低溫燒結的導電性粒子4的情況下，能夠藉由加熱來使導電性粒子4燒結，從而獲得穩定的導通。

獲得上述導通狀態後，進一步進行加熱硬化，藉此使異向性導電薄膜10的絕緣性樹脂1硬化。作為此硬化條件，較佳是以100～300℃加熱0.5～5小時，更佳是以150～250℃加熱1～4小時。

＜＜異向性薄膜的製造方法＞＞ 又，本發明提供一種異向性薄膜的製造方法，是製造異向性薄膜的方法，該製造方法包含下述步驟： (1)將粒子與黏結劑混合來製備組成物的步驟；及， (2)將前述組成物填充到已施加凹凸圖案之模具中來製作粒子群的步驟，該粒子群是複數個前述粒子彼此黏結而得。

以下，列舉下述態樣作為例子來進行說明：將粒子設為導電性粒子，將粒子群設為導電性粒子群，將異向性薄膜設為異向性導電薄膜。本態樣亦能夠同樣地應用於將粒子設為熱傳導性粒子、螢光體、磁性粒子、電磁波吸收填料等的情況。

[藉由本發明的製造方法而得的異向性導電薄膜] 第1圖是表示藉由本發明的製造方法所製造的異向性導電薄膜的一例的示意圖。本發明的異向性導電薄膜10，含有絕緣性樹脂1及導電性粒子群2。導電性粒子群2，包含被黏結劑3黏結的導電性粒子4，並且以相等間隔的方式規則地排列。

這種異向性導電薄膜，能夠將具有非常微細的圖案之電路電極彼此電性接合，藉此能夠達成電子機器的小型化、薄型化、輕量化，並且亦能夠耐受熱衝擊等，且可靠性高。

[異向性導電薄膜的製造方法] [步驟1(製備步驟)] 作為本發明的異向性導電薄膜10的製造方法，首先，具有將導電性粒子4與黏結劑3混合來製備導電性組成物的步驟。以下詳細地敘述。

作為此處所用的導電性粒子和黏結劑，能夠使用在異向性薄膜的段落所說明的相同的導電性粒子和黏結劑。

[將導電性粒子與黏結劑混合來製備導電性組成物的方法] 作為將導電性粒子4與黏結劑3混合來製備導電性組成物的方法，並無特別限制，能夠藉下述方式製備：加入60～98質量%的導電性粒子4、2～40質量%的比例的黏結劑3，然後裝入市售的攪拌機(商品名：THINKY CONDITIONING MIXER(THINKY股份有限公司製造)等)中，進行攪拌1～5分鐘左右，或使用三輥研磨機(井上製作所股份有限公司製造等)來均勻地加以混合。當導電性組成物的黏度較高時，可加入能夠溶解導電性粒子4或黏結劑3的溶劑。

此導電性組成物的性狀，能夠根據下述將導電性組成物填充到已施加凹凸圖案之模具中的方法來適當選擇。例如，當在模具的邊緣塗佈前述導電性組成物，並以橡膠刮刀等進行刮漿來進行填充時，前述導電性組成物，較佳是25℃時呈液狀；當將導電性組成物塗佈成薄膜狀，並對塗佈後的薄膜壓抵模具來進行填充時，較佳是25℃時呈固體或半固體狀。

[步驟2(填充步驟)] 繼前述製備步驟之後，具有將前述導電性組成物填充到已施加凹凸圖案之模具中來製作導電性粒子群2的步驟。以下詳細地敘述。

作為用於本發明的已施加凹凸圖案之模具，並無特別限制，可以是金屬模具，亦可以是下述模具：以阻劑等來製作與希望的模具相反的凹凸圖案，並以樹脂等來製模而得的模具。

作為用以製作前述已施加凹凸圖案之模具的樹脂，可列舉熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂，若是對於導電性粒子群2具有脫模性的樹脂，則變得容易進行下述轉印步驟，因此較佳。換言之，對於導電性粒子群2使用沒有黏著性、黏合性的樹脂，不用擔心在下述轉印步驟中絕緣性粒子群的形狀變形，因而較佳。

凹凸圖案的凹部的間隔，較佳是1μm～1000μm，更佳是3～800μm，進一步更佳是5～500μm，極佳是10～100μm。若使用這種模具，則埋設於異向性導電薄膜10中的導電性粒子群2之中的鄰接的2個的間隔A亦變成與凹凸圖案的凹部的間隔相同，從而能夠使導電性粒子群2規則地排列。

作為將前述導電性組成物填充到已施加凹凸圖案之模具中的方法，並無特別限制，例如，可在模具的邊緣塗佈前述導電性組成物，並以橡膠刮刀等來進行刮漿，亦可預先將前述導電性組成物塗佈成薄膜狀，並將模具對塗佈後的薄膜進行壓抵。若是前者的方法，則能夠以溶劑等進行稀釋，並高度填充前述導電性組成物的導電性粒子4，因此較佳；若是後者的方法，能夠容易維持前述導電性組成物的形狀，因此較佳。

可將藉由僅實行步驟(1)、及步驟(2)所獲得者亦即在模具的凹部形成粒子群而得者，設為異向性薄膜，亦可將進一步實行下述步驟(3)、及步驟(4)而獲得者，設為異向性薄膜。

作為所製作的粒子群，能夠設為與在異向性薄膜的段落所說明的粒子群相同。

又，粒子群，能夠根據粒子群中包含的粒子的種類而製成具有各種功能。例如，作為粒子，能夠設為導電性粒子、熱傳導性粒子、螢光體、磁性粒子、電磁波吸收填料，此時，粒子群各自成為導電性粒子群、熱傳導性粒子群、螢光體粒子群、磁性粒子群、電磁波吸收填料粒子群。作為能夠用於本發明的粒子群的熱傳導性粒子、螢光體、磁性粒子、及電磁波吸收填料，能夠使用與在異向性薄膜的段落所說明的相同的熱傳導性粒子、螢光體、磁性粒子、及電磁波吸收填料。

[步驟3(轉印步驟)] 繼前述填充步驟之後，較佳是具有將前述導電性粒子群2轉印到未硬化的薄膜狀絕緣性樹脂組成物上的步驟。以下詳細地敘述。

[薄膜狀絕緣性樹脂組成物] 本發明中使用的薄膜狀絕緣性樹脂組成物，能夠形成異向性導電薄膜10的基材，以絕緣性樹脂1作為必要成分，且可包含絕緣性無機粒子等。

作為用於本發明的絕緣性樹脂1，並無特別限制，可列舉：丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、纖維素樹脂、苯乙烯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、三聚氰胺樹脂等熱塑性樹脂；矽氧樹脂、環氧樹脂、矽氧･環氧樹脂、馬來醯亞胺樹脂、酚樹脂、全氟聚醚樹脂等的熱硬化性樹脂等；考慮到耐熱性、耐光性，較佳是矽氧樹脂、環氧樹脂、馬來醯亞胺樹脂等的熱硬化性樹脂。

進一步，前述絕緣性樹脂組成物，較佳是：在未硬化或被稱為B階段的半硬化狀態下，25℃時呈可塑性的固體或半固體；更佳是：在未硬化狀態下，25℃時呈可塑性的固體或半固體。如果具有這樣的性狀，則壓接電子零件時能夠變形，並且如果使其完全地硬化，則能夠獲得良好的黏合力。

作為絕緣性無機粒子，並無特別限制，可列舉例如：二氧化矽、碳酸鈣、鈦酸鉀、玻璃纖維、二氧化矽中空球、玻璃中空球、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、氧化鈹、鈦酸鋇、硫酸鋇、氧化鋅、氧化鈦、氧化鎂、氧化銻、氫氧化鋁、氫氧化鎂等；較佳是二氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、氧化鋅。藉由含有這些絕緣性無機粒子，能夠降低絕緣性樹脂1的硬化物的熱膨脹係數。

作為前述絕緣性無機粒子的粒徑，並無特別限制，較佳是以藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置所測得的中值粒徑計為0.05～10μm，更佳是0.1～8μm，進一步更佳是0.5～5μm。若在此範圍內，則容易均勻地分散在絕緣性樹脂1中，亦不會隨時間沉澱，因此較佳。進一步，較佳是絕緣性無機粒子的粒徑相對於異向性導電薄膜10的厚度T為50%以下。若粒徑相對於異向性導電薄膜10的厚度T為50%以下，則容易使絕緣性無機粒子均勻地分散在絕緣性樹脂1中，進一步亦容易平整地塗佈異向性導電薄膜10，因此較佳。

作為前述絕緣性無機粒子的含量，並無特別限制，較佳是前述絕緣性樹脂組成物整體的質量的30～95質量%，更佳是40～90質量%，進一步更佳是50～85質量%。若在此範圍內，則能夠有效地降低前述絕緣性樹脂組成物的熱膨脹係數，並且，成形成薄膜狀並完全硬化後，不會變脆，因此較佳。

作為將導電性粒子群2轉印到未硬化的薄膜狀絕緣性樹脂組成物上的方法，可列舉例如下述方法：藉由將前述薄膜狀絕緣性樹脂組成物加熱至40℃～120℃來使其具有黏著性，並在其上放置含有前述填充步驟中製作的導電性粒子群2之模具，然後冷卻至40℃以下後，卸下模具。

作為特佳地用於本發明的絕緣性樹脂，是上述絕緣性樹脂中的矽氧樹脂、環氧樹脂、馬來醯亞胺樹脂。又，作為特佳地使用的絕緣性無機粒子，是上述絕緣性無機粒子中的白色顏料及中空粒子。作為該等的具體例，可列舉在異向性薄膜的段落所說明者。其中，中空粒子不限定於無機粒子。

[步驟4(埋設步驟)] 繼前述轉印步驟之後，較佳是具有下述步驟：按壓已轉印到前述薄膜狀絕緣性樹脂組成物上的前述導電性粒子群2，來將其埋設於前述薄膜狀絕緣性樹脂組成物中。以下詳細地敘述。

作為按壓已轉印到前述薄膜狀絕緣性樹脂組成物上的導電性粒子群2的方法，並無特別限制，可列舉從導電性粒子群2的上方進行壓製、或以輥子來進行輾壓等。此時，必要時可先加熱至40℃～120℃來降低薄膜的彈性模數，再進行按壓。

又，可同時實行步驟3(轉印步驟)與步驟4(埋設步驟)。作為同時實行的方法，可列舉例如下述方法：將步驟2(填充步驟)中填充的導電性組成物暫時轉印到平整的橡膠片材等，並將該橡膠片材等熱壓製成薄膜狀絕緣性樹脂組成物狀。

又，可先將樹脂製的保護薄膜載置於前述薄膜狀絕緣性樹脂組成物上，再按壓導電性粒子群2。前述保護薄膜，較佳是具有脫模性的薄膜。

作為導電性粒子群2的厚度，較佳是前述薄膜狀絕緣性樹脂組成物(異向性導電薄膜10)的厚度的50%～150%，更佳是70%～100%。若導電性粒子群2的厚度在此範圍內，則從製作出來的異向性導電薄膜10的上方壓抵電極時，變得容易確保通電。

又，較佳是使導電性粒子群2在異向性導電薄膜10的至少其中一方的表面露出。導電性粒子群2的厚度為異向性導電薄膜10的厚度T的100%，是指導電性粒子群2在異向性導電薄膜10的兩表面露出，亦即貫穿。藉由導電性粒子群2在至少其中的一方的表面露出，能夠在不以較大的力量來熱壓接異向性導電薄膜10的情況下，確保導通，因此較佳，更佳是導電性粒子群2貫穿異向性導電薄膜10。

又，此時，更佳是在至少其中一方的表面露出的粒子群的面積比例為20～90%。若在此範圍內，則異向性薄膜能夠保持較高的柔軟性，並且能夠確實地發揮目標的功能。

由於包含將粒子群埋設於絕緣性樹脂中的步驟，因此粒子群的硬度較佳是絕緣性樹脂的硬度以上。藉此，粒子群能夠在維持著其形狀的狀態下埋設於絕緣性薄膜中。再者，作為埋設步驟中的依據JIS K 6253-3：2012所記載的方法所測得的粒子群的硬度，較佳是根據A型硬度計為20以上，更佳是根據A型硬度計為40～根據D型硬度計為50。又，作為此時的絕緣性樹脂的硬度，較佳是根據E型硬度計為60以上，更佳是根據E型硬度計為80～根據D型硬度計為30。

又，硬化後(亦即使用異向性薄膜時)依據JIS K 6253-3：2012所記載的方法所測得的硬度，較佳是在以下範圍。亦即，黏結劑的硬度，較佳是根據A型硬度計為30以上，更佳是根據D型硬度計為40～根據D型硬度計為95。粒子群的硬度，較佳是根據A型硬度計為30以上，更佳是根據D型硬度計為40～根據D型硬度計為95。絕緣性樹脂的硬度，較佳是根據A型硬度計為20以上，更佳是根據D型硬度計為30～根據D型硬度計為90。

以上，關於本發明的異向性薄膜的製造方法，作為其一態樣，主要列舉異向性導電薄膜作為例子來進行說明，上述內容亦能夠適用於異向性熱傳導薄膜、異向性螢光體薄膜、異向性磁性薄膜、異向性電磁波吸收薄膜、異向性反射薄膜及異向性中空薄膜的製造方法中的任一者。 [實施例]

以下，示出合成例、實施例及比較例，來更詳細地說明本發明，但是本發明不限於下述實施例。

在下述實施例中，重量平均分子量，是藉由凝膠滲透層析(GPC)所測得的以聚苯乙烯作為標準物質的重量平均分子量，該凝膠滲透層析是根據以下條件來進行測定。又，在下述合成例中，Me是甲基，Ph是苯基，Vi是乙烯基。

[測定條件] 展開溶劑：四氫呋喃(THF) 流量：0.6mL/min 偵測器：示差折射率偵測器(RI) 管柱：TSK Guardcolumn SuperH-L TSKgel SuperH4000(6.0mm內徑(I.D.)×15cm×1) TSKgel SuperH3000(6.0mm內徑×15cm×1) TSKgel SuperH2000(6.0mm內徑×15cm×2) (皆為東曹公司製造) 管柱溫度：40℃ 試料注入量：20μL(濃度為0.5重量%的THF溶液)

>絕緣性樹脂的合成> [合成例1] >含烯基有機聚矽氧烷的合成> 將1142.1g(87.1mol%)的苯基三氯矽烷、529g(3.2mol%)的ClMe₂ SiO(Me₂ SiO)₃₃ SiMe₂ Cl、及72.4g(9.7mol%)的二甲基乙烯基氯矽烷溶於甲苯溶劑後，滴入水中，來進行共水解，進一步藉由水洗、鹼清洗來中和、脫水後，減壓餾除溶劑，而獲得25℃時呈固體狀且軟化點為45℃的含苯基之乙烯基矽氧樹脂A1。重量平均分子量是63000。分析所獲得的矽氧樹脂A1，結果可知為由下述結構式表示的矽氧樹脂： 上述式中，二甲基矽氧烷單元表示具有連續的嵌段結構。

[合成例2] >有機氫聚矽氧烷的合成> 將1142.1g(87.1mol%)的苯基三氯矽烷、529g(3.2mol%)的、ClMe₂ SiO(Me₂ SiO)₃₃ SiMe₂ Cl、及69g(9.7mol%)的甲基二氯矽烷溶於甲苯溶劑後，滴入水中，來進行共水解，進一步藉由水洗、鹼清洗來中和、脫水後，減壓餾除溶劑，而獲得25℃時呈固體狀且軟化點為40℃的含苯基之氫矽氧樹脂A2。重量平均分子量是58000。分析所獲得的矽氧樹脂A2，結果可知為由下述結構式表示的矽氧樹脂： 上述式中，二甲基矽氧烷單元表示具有連續的嵌段結構。

[合成例3] >雙馬來醯亞胺的合成> 在196g的丙酮中添加144g(1.0mol)的1,8-二胺基辛烷、196g(2.0mol)的馬來酸酐，並在室溫攪拌3小時。在50℃將丙酮從所獲得的溶液中餾除，並加入82g(1.0mol)的乙酸鈉、204g(2.0mol)的乙酸酐，然後在80℃攪拌1小時。然後，加入500g的甲苯，進一步水洗、脫水後，減壓餾除溶劑，而獲得25℃時呈固體狀且軟化點為80℃的α,ω-雙馬來醯亞胺辛烷A3。

>組成物(糊料)的製備> [製備例1] 混合10g的合成例1中合成的乙烯基矽氧樹脂A1、10g的合成例2中合成的氫矽氧樹脂A2、0.2mg的1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷鉑(0)錯合物(鉑濃度為1質量%)、60mg的乙炔基環己醇、10g的甲苯、120g的銀填料(平均粒徑為1.5μm)，來製備銀糊料1。

[製備例2] 混合10g的合成例3中合成的α,ω-雙馬來醯亞胺辛烷A3、5g的甲苯、100g的銅填料(平均粒徑為1.5μm) ，來製備銅糊料。

[製備例3] 混合10g的環氧樹脂(商品型號：jER-1256，三菱化學股份有限公司製造)、20g的環己酮、30g的銀奈米填料(平均粒徑為20nm)，來製備銀糊料2。

[製備例4] 混合10g的環氧樹脂(商品型號：jER-1256，三菱化學股份有限公司製造)、20g的環己酮、80g的銀填料(平均粒徑為5μm)、10g的銀奈米填料(平均粒徑為20nm)，來製備銀糊料3。

[製備例5] 混合10g的BMI-1500(Designer Molecules Inc.公司製造)、5g的甲苯、80g的氮化鋁(平均粒徑為2μm)，來製備熱傳導性粒子糊料。

[製備例6] 混合10g的合成例1中合成的乙烯基矽氧樹脂A1、10g的合成例2中合成的氫矽氧樹脂A2、0.2mg的1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷鉑(0)錯合物(鉑濃度為1質量%)、60mg的乙炔基環己醇、10g的甲苯、20g的黃色螢光體(三菱化學公司製造，平均粒徑為2μm)，來製備黃色螢光體糊料。

[製備例7] 混合10g的合成例1中合成的乙烯基矽氧樹脂A1、10g的合成例2中合成的氫矽氧樹脂A2、0.2mg的1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷鉑(0)錯合物(鉑濃度為1質量%)、60mg的乙炔基環己醇、10g的甲苯、20g的紅色螢光體CASN(三菱化學公司製造，平均粒徑為2μm)，來製備紅色螢光體糊料。進一步將CASN變更成綠色螢光體β-SIALON(三菱化學公司製造，平均粒徑為3μm)，藉此製備綠色螢光體糊料。進一步將CASN變更成藍色螢光體SBCA(三菱化學公司製造，平均粒徑為2μm)，藉此製備藍色螢光體糊料。

[製備例8] 混合10g的BMI-3000(Designer Molecules Inc.公司製造)、5g的甲苯、80g的Fe-Cr-Al-Si合金(平均粒徑為4μm)，來製備磁性粒子糊料。

[製備例9] 混合10g的BMI-5000(Designer Molecules Inc.公司製造)、5g的甲苯、80g的Ba₂ Co₂ Fe₁₂ O₂₂ 鐵氧體(平均粒徑為6μm)，來製備電磁波吸收粒子糊料。

>異向性導電薄膜的製造> [實施例1] 混合100g的合成例1中合成的乙烯基矽氧樹脂A1、100g的合成例2中合成的氫矽氧樹脂A2、2mg的1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷鉑(0)錯合物(鉑濃度為1質量%)、600mg的乙炔基環己醇、100g的甲苯，來製作有機聚矽氧烷組成物。使用自動塗佈裝置PI-1210(TESTER產業股份有限公司製造)，在ETFE(乙烯-四氟乙烯)薄膜上塗佈前述有機聚矽氧烷組成物，並成形成具有縱150mm×橫150mm及厚度40μm的膜狀。然後，藉由進行100℃×30分鐘的加熱，來使甲苯揮發，從而製作縱150mm×橫150mm及厚度30μm且25℃時呈固體狀的未硬化矽氧樹脂薄膜。又，在矽晶圓基材上形成氧化膜，並使用公知的光刻法，來製作正方形且凸圖案的一邊的長度為30μm、高度為30μm、間隔為30μm的凹凸圖案，然後澆注縮合硬化型的製模用細氧橡膠KE-12(信越化學工業股份有限公司製造)並加以硬化，而製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的與矽氧晶圓基材相反的凹圖案的一邊的長度為30μm、高度為30μm、間隔為30μm。將製備例1中製備的銀糊料1刮入矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成銀粒子群，然後在60℃將其轉印到前述未硬化矽氧樹脂薄膜上(第3圖)。然後，對未硬化矽氧樹脂薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述銀粒子群壓入未硬化矽氧樹脂薄膜中(第4-1圖)，而製造未硬化的異向性導電薄膜，該薄膜的厚度為30μm，且銀粒子群是以一邊的長度為30μm、厚度為30μm、間隔為30μm的方式規則地排列(第2圖)。理論平均粒子數是約1900個，粒子群是四角柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。再者，第4-2圖是將第4-1圖擴大後的圖，可知所製造的異向性導電薄膜的導電性粒子群，在維持著其形狀的狀態下，埋設於絕緣性薄膜中。

[實施例2] 藉由與實施例1相同的方法，來將前述有機聚矽氧烷組成物成形成縱150mm×橫150mm及厚度300μm的膜狀。然後，藉由進行100℃×30分鐘的加熱，來使甲苯揮發，從而製作縱150mm×橫150mm×厚度200μm且25℃時呈固體狀的未硬化矽氧樹脂薄膜。又，藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的凹圖案的一邊的長度為80μm、高度為100μm、間隔為80μm。將製備例2中製備的銅糊料刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成銅粒子群，然後在60℃將其轉印到前述未硬化矽氧樹脂薄膜上。然後，對未硬化矽氧樹脂薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述銅粒子群壓入未硬化矽氧樹脂薄膜中，而製造未硬化的異向性導電薄膜，該薄膜的厚度為200μm，且銅粒子群是以一邊的長度為80μm、厚度為100μm、間隔為80μm的方式規則地排列(第5圖)。理論平均粒子數是約45000個，粒子群是四角柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。

[實施例3] 混合100g的合成例3中合成的α,ω-雙馬來醯亞胺辛烷A3、1g的過氧苯甲酸三級丁酯、100g的二甲苯，來製備馬來醯亞胺樹脂組成物。藉由與實施例1相同的方法，來將前述馬來醯亞胺樹脂組成物成形成縱150mm×橫150mm×厚度20μm的膜狀。然後，藉由進行110℃×30分鐘的加熱，來使二甲苯揮發，從而製作縱150mm×橫150mm×厚度10μm且25℃時呈固體狀的未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜。藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的凹圖案的一邊的長度為5μm、高度為5μm、間隔為5μm。將製備例3中製備的銀糊料2刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成銀粒子群，然後在80℃將其轉印到前述未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜上。然後，對未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述銀粒子群壓入未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜中，而製造未硬化的異向性導電薄膜，該薄膜的厚度為10μm，且銀粒子群是以一邊的長度為5μm、厚度為5μm、間隔為5μm的方式規則地排列(第6圖)。理論平均粒子數是約4×10⁶ 個，粒子群是四角柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。

[實施例4] 混合100g的環氧樹脂jER-1256B40(三菱化學股份有限公司製造，40質量%的甲基乙基酮[MEK]溶液)、40g的jER-828EL(三菱化學股份有限公司製造)、0.8g的2-乙基-4-甲基咪唑、40g的MEK，來製備環氧樹脂組成物。藉由與實施例1相同的方法，來將前述環氧樹脂組成物成形成具有縱150mm×橫150mm×厚度200μm的膜狀。然後，進行40℃×30分鐘的加熱，來使MEK揮發，而製作縱150mm×橫150mm×厚度100μm且25℃時呈固體狀的未硬化環氧樹脂薄膜。又，藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的凹圖案的一邊的長度為80μm、高度為80μm、間隔為80μm。將製備例4中製備的銀糊料3刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成銀粒子群，然後在30℃將其轉印到前述未硬化環氧樹脂薄膜上。然後，對未硬化環氧樹脂薄膜進行50℃×5分鐘的熱壓製，來將銀粒子群壓入前述未硬化環氧樹脂薄膜中，而製造未硬化的異向性導電薄膜，該薄膜的厚度為100μm，且銀粒子群是以一邊的長度為80μm、厚度為80μm、間隔為80μm的方式規則地排列(第7圖)。理論平均粒子數是約1000個，粒子群是四角柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。

[實施例5] 混合100g的環氧樹脂jER-1256B40(三菱化學股份有限公司製造，40質量%的甲基乙基酮[MEK]溶液)、40g的jER-828EL(三菱化學股份有限公司製造)、0.8g的2-乙基-4-甲基咪唑、100g的MEK，來製備環氧樹脂組成物。藉由與實施例1相同的方法，來將前述環氧樹脂組成物成形成具有縱150mm×橫150mm×厚度10μm的膜狀。然後，進行40℃×30分鐘的加熱，來使MEK揮發，而製作縱150mm×橫150mm×厚度3μm且25℃時呈固體狀的未硬化環氧樹脂薄膜。又，藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的凹圖案的一邊的長度為1μm、高度為2μm、間隔為1.5μm。將製備例3中製備的銀糊料2刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成銀粒子群，然後在30℃將其轉印到前述未硬化環氧樹脂薄膜上。然後，對未硬化環氧樹脂薄膜進行50℃×5分鐘的熱壓製，來將銀粒子群壓入前述未硬化環氧樹脂薄膜中，而製造未硬化的異向性導電薄膜，該薄膜的厚度為3μm，且銀粒子群是以一邊的長度為1μm、厚度為2μm、間隔為1.5μm的方式規則地排列(第8圖)。理論平均粒子數是約60000個，粒子群是四角柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。

[實施例6] 一面以50℃進行加熱一面混合100g的合成例3中合成的α,ω-雙馬來醯亞胺辛烷A3與1g的過氧苯甲酸三級丁酯，來製備馬來醯亞胺樹脂組成物。藉由與實施例1相同的方法，一面以50℃進行加熱一面將前述馬來醯亞胺樹脂組成物成形成縱150mm×橫150mm×厚度500μm的膜狀，然後冷卻，藉此製作25℃時呈固體狀的未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜。藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的凹圖案的一邊的長度為1000μm、高度為500μm、間隔為1000μm。將製備例2中製備的銅糊料刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成銅粒子群，然後在80℃將其轉印到前述未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜上。然後，對未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述銅粒子群壓入未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜中，而製造未硬化的異向性導電薄膜，該薄膜的厚度為500μm，且銅粒子群是以一邊的長度為1000μm、厚度為500μm、間隔為1000μm的方式規則地排列(第9圖)。理論平均粒子數是約3×10⁷ 個，粒子群是四角柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。

[實施例7] 藉由與實施例1相同的方法，來將前述有機聚矽氧烷組成物成形成縱150mm×橫150mm及厚度900μm的膜狀。然後，藉由進行100℃×30分鐘的加熱，來使甲苯揮發，從而製作縱150mm×橫150mm×厚度600μm且25℃時呈固體狀的未硬化矽氧樹脂薄膜。又，藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的凹圖案的一邊的長度為500μm、高度為500μm、間隔為500μm。將製備例1中製備的銀糊料1刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成銀粒子群，然後在60℃將其轉印到前述未硬化矽氧樹脂薄膜上。然後，對未硬化矽氧樹脂薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述銀粒子群壓入未硬化矽氧樹脂薄膜中，而製造未硬化的異向性導電薄膜，該薄膜的厚度為600μm，且銀粒子群是以一邊的長度為500μm、厚度為500μm、間隔為500μm的方式規則地排列(第10圖)。理論平均粒子數是約9×10⁶ 個，粒子群是四角柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。

[實施例8] 混合80g的合成例3中合成的α,ω-雙馬來醯亞胺辛烷A3、1g的過氧苯甲酸三級丁酯、100g的二甲苯，來製備馬來醯亞胺樹脂組成物。藉由與實施例1相同的方法，來將前述馬來醯亞胺樹脂組成物成形成縱150mm×橫150mm×厚度50μm的膜狀。然後，藉由進行110℃×30分鐘的加熱，來使二甲苯揮發，從而製作縱150mm×橫150mm×厚度20μm且25℃時呈固體狀的未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜。藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的凹圖案的一邊的長度為5μm、高度為5μm、間隔為5μm。將製備例3中製備的銀糊料2刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成銀粒子群，然後在80℃將其轉印到前述未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜上。然後，藉由對前述薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述銀粒子群壓入未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜中，從而製造未硬化的異向性導電薄膜，該薄膜的厚度為20μm，且銀粒子群是以一邊的長度為5μm、厚度為5μm、間隔為5μm的方式規則地排列(第11圖)。理論平均粒子數是約4×10⁶ 個，粒子群是四角柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。

[實施例9] 混合100g的BMI-3000J(Designer Molecules Inc.公司製造)、1g的過氧化二異丙苯、100g的二甲苯，來製備馬來醯亞胺樹脂組成物。藉由與實施例1相同的方法，來將前述馬來醯亞胺樹脂組成物成形成縱150mm×橫150mm×厚度600μm的膜狀。然後，藉由進行110℃×30分鐘的加熱，來使二甲苯揮發，從而製作縱150mm×橫150mm×厚度500μm且25℃時呈固體狀的未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜。藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的六邊形凹圖案的最長對角線的長度為500μm、高度為5μm、間隔為5μm。將製備例5中製備的熱傳導性粒子糊料刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成熱傳導性粒子群，然後在80℃將其轉印到前述未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜上。然後，藉由對前述薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述熱傳導性粒子群壓入未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜中，從而製造未硬化的異向性熱傳導薄膜，該薄膜的厚度為500μm，且六邊形的熱傳導性粒子群是以最長的粒子間距離的長度為500μm、厚度為500μm、間隔為50μm的方式規則地排列(第12圖)。理論平均粒子數是約2×10⁶ 個，粒子群是六角柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。

[實施例10] 混合100g的合成例1中合成的乙烯基矽氧樹脂A1、100g的合成例2中合成的氫矽氧樹脂A2、200g的二氧化鈦PF-691(石原產業股份有限公司製造)、2mg的1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷鉑(0)錯合物(鉑濃度為1質量%)、600mg的乙炔基環己醇、100g的甲苯，來製作有機聚矽氧烷組成物。藉由與實施例1相同的方法，來將前述有機聚矽氧烷組成物成形成縱150mm×橫150mm及厚度50μm的膜狀。然後，藉由進行100℃×30分鐘的加熱，來使甲苯揮發，從而製作縱150mm×橫150mm及厚度40μm且25℃時呈固體狀的未硬化矽氧樹脂薄膜。藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的凹圖案的一邊的長度為40μm、高度為40μm、間隔為40μm。將製備例6中製備的黃色螢光體糊料刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成螢光體粒子群，然後在60℃將其轉印到前述未硬化矽氧樹脂薄膜上。然後，對未硬化矽氧樹脂薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述螢光體粒子群壓入未硬化矽氧樹脂薄膜中，而製造未硬化的附有反射體之異向性螢光體薄膜，該薄膜的厚度為40μm，且螢光體粒子群是以一邊的長度為40μm、厚度為40μm、間隔為40μm的方式規則地排列(第13圖)。理論平均粒子數是約1900個，粒子群是四角柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。

[實施例11] 混合100g的BMI-3000J(Designer Molecules Inc.公司製造)、1g的過氧化二異丙苯、100g的二甲苯，來製備馬來醯亞胺樹脂組成物。藉由與實施例1相同的方法，來將前述馬來醯亞胺樹脂組成物成形成縱150mm×橫150mm×厚度40μm的膜狀。然後，藉由進行110℃×30分鐘的加熱，來使二甲苯揮發，從而製作縱150mm×橫150mm×厚度30μm且25℃時呈固體狀的未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜。藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的凹圖案的一邊的長度為30μm、高度為30μm、間隔為150μm。將製備例7中製備的紅色螢光體糊料刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成紅色螢光體粒子群，然後在80℃將其轉印到前述未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜上。然後，藉由對前述薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述紅色螢光體粒子群壓入未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜中。繼而，將製備例7中製備的綠色螢光體糊料刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成綠色螢光體粒子群，然後以從紅色螢光體粒子群偏移30μm的方式，在80℃將其轉印到前述未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜上。然後，藉由對前述薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述綠色螢光體粒子群壓入未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜中。同樣地亦以偏移30μm的方式轉印製備例7中製備的藍色螢光體糊料，並壓入未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜中，而製造未硬化的異向性紅綠藍(RGB)螢光體薄膜，該薄膜的厚度為30μm，且螢光體粒子群是以一邊的長度為30μm、厚度為30μm、螢光體粒子群的間隔為30μm的方式規則地排列(第14圖)。理論平均粒子數是約450個，粒子群是四角柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。

[實施例12] 混合100g的BMI-3000J(Designer Molecules Inc.公司製造)、1g的過氧化二異丙苯，來製備馬來醯亞胺樹脂組成物。使用自動塗佈裝置PI-1210(TESTER產業股份有限公司製造)，一面加熱至100℃一面在ETFE(乙烯-四氟乙烯)薄膜上塗佈前述馬來醯亞胺樹脂組成物，而製作縱150mm×橫150mm及厚度2000μm且25℃時呈固體狀的未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜。藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的圓形凹圖案的直徑的長度為800μm、高度為1500μm、間隔為100μm。將製備例8中製備的磁性粒子糊料刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成磁性粒子群，然後在80℃將其轉印到前述未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜上。然後，藉由對前述薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述磁性粒子群壓入未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜中，從而製造未硬化的異向性磁性薄膜，該薄膜的厚度為2000μm，且磁性粒子群是以直徑的長度為800μm、厚度為1500μm、間隔為100μm的方式規則地排列(第15圖)。理論平均粒子數是約3×10⁶ 個，粒子群是圓柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。

[實施例13] 混合100g的BMI-3000J(Designer Molecules Inc.公司製造)、1g的過氧化二異丙苯、50g的中空粒子SiliNax(日鐵礦業股份有限公司製造，粒徑為80～130nm)、100g的二甲苯，來製備馬來醯亞胺樹脂組成物。藉由與實施例1相同的方法，來將前述馬來醯亞胺樹脂組成物成形成縱150mm×橫150mm×厚度120μm的膜狀。然後，藉由進行110℃×30分鐘的加熱，來使二甲苯揮發，從而製作縱150mm×橫150mm×厚度100μm且25℃時呈固體狀的未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜。藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的六邊形凹圖案的最長對角線的長度為200μm、高度為100μm、間隔為40μm。將製備例9中製備的電磁波吸收粒子糊料刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成電磁波吸收粒子群，然後在80℃將其轉印到前述未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜上。然後，藉由對前述薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述電磁波吸收粒子群壓入未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜中，從而製造未硬化的含中空粒子之異向性電磁波吸收薄膜，該薄膜的厚度為100μm，且電磁波吸收粒子群是以最長的粒子間距離的長度為200μm、厚度為100μm、間隔為40μm的方式規則地排列(第16圖)。理論平均粒子數是約2900個，粒子群是六角柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。

[比較例1] 混合20g的合成例1中合成的乙烯基矽氧樹脂A1、20g的合成例2中合成的氫矽氧樹脂A2、0.2mg的1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷鉑(0)錯合物(鉑濃度為1質量%)、60mg的乙炔基環己醇、10g的甲苯、1g的經鍍金處理的導電性微粒子(商品名：Micropearl AU，積水化學股份有限公司製造，平均粒徑為7.25μm)，來製作有機聚矽氧烷組成物。藉由與實施例1相同的方法，來將前述有機聚矽氧烷組成物成形成具有縱150mm×橫150mm×厚度10μm的膜狀。然後，進行100℃×30分鐘的加熱，來使甲苯揮發，而製造縱150mm×橫150mm×厚度8μm且25℃時呈未硬化的固體狀的導電薄膜，其中，導電性粒子未形成導電性粒子群且稀疏地存在(第17圖)。

[比較例2] 混合10g的銀填料(平均粒徑為3μm)、3g的環己酮，來製備不含黏結劑之銀糊料。藉由與實施例3相同的方法，來製作縱150mm×橫150mm×厚度30μm且25℃時呈未硬化的固體狀的馬來醯亞胺樹脂薄膜。藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的凹圖案的一邊的長度為30μm、高度為30μm、間隔為30μm。將前述銀糊料刮入矽氧模具的凹部中，並使其乾燥來形成銀粒子群，然後在80℃將其轉印到前述未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜上，結果前述銀粒子群是在變形的狀態下被轉印。然後，對未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述銀粒子群壓入前述未硬化馬來醯亞胺樹脂薄膜中，而製造未硬化的導電薄膜，該薄膜的厚度為30μm，且銀粒子群稀疏地存在(第18圖)

[比較例3] 混合100g的環氧樹脂jER-1256B40(三菱化學股份有限公司製造，40質量%的甲基乙基酮[MEK]溶液)、40g的jER-828EL(三菱化學股份有限公司製造)、0.8g的2-乙基-4-甲基咪唑、200g的MEK，來製備環氧樹脂組成物。藉由與實施例1相同的方法，來將前述環氧樹脂組成物成形成具有縱150mm×橫150mm×厚度5μm的膜狀。然後，進行40℃×30分鐘的加熱，來使MEK揮發，而製作縱150mm×橫150mm×厚度2μm且25℃時呈固體狀的未硬化環氧樹脂薄膜。藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的凹圖案的一邊的長度為1μm、高度為1μm、間隔為0.5μm。將製備例4中製備的銀糊料3刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成銀粒子群，然後在30℃將其轉印到前述未硬化環氧樹脂薄膜上，但是鄰接的銀奈米粒子黏在一起(第19圖)。

[比較例4] 藉由與實施例1相同的方法，來將前述有機聚矽氧烷組成物成形成縱150mm×橫150mm及厚度300μm的膜狀。然後，藉由進行100℃×30分鐘的加熱，來使甲苯揮發，從而製作縱150mm×橫150mm×厚度200μm且25℃時呈固體狀的未硬化矽氧樹脂薄膜。藉由與實施例1相同的方法，來製作附有凹凸圖案之矽氧模具，該矽氧模具的凹圖案的一邊的長度為1200μm、高度為200μm、間隔為1200μm。將製備例1中製備的銀糊料1刮入前述矽氧模具的凹部，並使其乾燥來形成銀粒子群，然後在60℃將其轉印到前述未硬化矽氧樹脂薄膜上。然後，對未硬化矽氧樹脂薄膜進行100℃×5分鐘的熱壓製，來將前述銀粒子群壓入未硬化矽氧樹脂薄膜中，而製造未硬化的異向性導電薄膜，該薄膜的厚度為200μm，且銀粒子群是以一邊的長度為1200μm、厚度為200μm、間隔為1200μm的方式規則地排列(第20圖)。理論平均粒子數是約2×10⁷ 個，粒子群是四角柱狀，下表面相對於上表面的面積的面積比是約1。

[通電試驗] 在基板的電極上貼附實施例1～8、比較例1～4中製造的未硬化的異向性導電薄膜，並在其上，藉由取放來在實施例1、2、4及比較例1、2中壓抵200μm×200μm及厚度50μm的倒裝晶片LED，在實施例3、5、8及比較例3中壓抵20μm×50μm及厚度10μm的倒裝晶片LED，在實施例6、7及比較例4中壓抵2000μm×3000μm及厚度300μm的倒裝晶片LED，然後分別以180℃×2小時的條件進行完全硬化，而製作試驗體。對前述試驗體進行通電，並測量亮燈的數量。結果如表1所示。

[熱衝擊試驗] 對於前述通電試驗後的20個該試驗體，實行－40℃～120℃、1000次的熱衝擊試驗，然後再次實行前述通電試驗，並測量亮燈的數量。結果如表1所示。

[表1]

如表1所示，本發明的異向性導電薄膜，與以往的異向性導電薄膜不同，對於具有微細的電極之半導體裝置亦能夠在不會短路的情形下確保通電，進一步在熱衝擊試驗後亦能夠確保通電。

與比較例1、2不同，實施例1～8的異向性導電薄膜中，形成有導電性粒子群，該導電性粒子群包含被黏結劑黏結的導電性粒子。進一步，與比較例3、4不同，這些導電性粒子群是在間隔為1μm～1000μm的範圍內規則地排列。 由以上可知，若是具有上述特徵之本發明的異向性導電薄膜，則能夠將具有非常微細的圖案之電路電極彼此電性連接，且可靠性高。 進一步可知，由於是一種異向性薄膜，其具有藉由粒子群而得的微細且正確的圖案，因此如實施例9～13所示，能夠應用於異向性熱傳導薄膜、異向性螢光體薄膜、異向性磁性薄膜、異向性電磁波吸收薄膜等各種用途。

又，比較例1是以未使用已施加凹凸圖案之模具的方式來混合導電性粒子。進一步，比較例2是以不使用黏結劑的方式來製作導電性粒子群。結果，比較例1未形成導電性粒子群，比較例2的導電性粒子群變形且稀疏地存在。在熱衝擊試驗前後的通電試驗中，比較例1、2為劣於實施例1～8的結果。

因此，可知若是本發明的異向性導電薄膜的製造方法，則能夠效率良好且確實地製造一種異向性導電薄膜，該異向性導電薄膜能夠將具有非常微細的圖案之電路電極彼此電性連接，且可靠性高。 進一步，如實施例9～13所示，藉由改變粒子群的種類，亦能夠效率良好且確實地製造異向性熱傳導薄膜、異向性螢光體薄膜、異向性磁性薄膜、異向性電磁波吸收薄膜等的薄膜。

再者，本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，任何具有實質上與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想相同的構成且發揮相同功效者，皆包含在本發明的技術範圍內。

1:絕緣性樹脂 1a:未硬化矽氧薄膜 2:導電性粒子群 2a:銀粒子群 3:黏結劑 4:導電性粒子 5:ETFE(乙烯-四氟乙烯)薄膜 10:異向性導電薄膜 A:鄰接的導電性粒子群的間隔 T:異向性導電薄膜的厚度

第1圖是表示本發明的異向性導電薄膜或藉由本發明的製造方法所製造的異向性導電薄膜的一例的示意圖。 第2圖是實施例1中製造的異向性導電薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為30μm且具有銀粒子群的寬度為30μm、厚度為30μm、間隔為30μm的圖案。 第3圖是實施例1中製造的薄膜且經轉印銀粒子群後的剖面圖。 第4-1圖是實施例1中製造的薄膜且經熱壓來將銀粒子群壓入薄膜中之後的剖面圖。 第4-2圖是將第4-1圖的剖面圖的一部分擴大後的圖。 第5圖是實施例2中製造的異向性導電薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為200μm且具有銅粒子群的寬度為80μm、厚度為100μm、間隔為80μm的圖案。 第6圖是實施例3中製造的異向性導電薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為10μm且具有銀粒子群的寬度為5μm、厚度為5μm、間隔為5μm的圖案。 第7圖是實施例4中製造的異向性導電薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為100μm且具有銀粒子群的寬度為80μm、厚度為80μm、間隔為80μm的圖案。 第8圖是實施例5中製造的異向性導電薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為3μm且具有銀粒子群的寬度為1μm、厚度為2μm、間隔為1.5μm的圖案。 第9圖是實施例6中製造的異向性導電薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為500μm且具有銅粒子群的寬度為1000μm、厚度為500μm、間隔為1000μm的圖案。 第10圖是實施例7中製造的異向性導電薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為600μm且具有銀粒子群的寬度為500μm、厚度為500μm、間隔為500μm的圖案。 第11圖是實施例8中製造的異向性導電薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為20μm且具有銅粒子群的寬度為5μm、厚度為5μm、間隔為5μm的圖案。 第12圖是實施例9中製造的異向性熱傳導薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為500μm且具有熱傳導性粒子群的寬度為500μm、厚度為500μm、間隔為50μm的圖案。 第13圖是實施例10中製造的異向性螢光體薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為40μm且具有螢光體粒子群的寬度為40μm、厚度為40μm、間隔為40μm的圖案。 第14圖是實施例11中製造的異向性螢光體薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為30μm且具有螢光體粒子群的寬度為30μm、厚度為30μm、間隔為30μm的圖案。 第15圖是實施例12中製造的異向性磁性薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為2000μm且具有磁性粒子群的寬度為800μm、厚度為1500μm、間隔為100μm的圖案。 第16圖是實施例13中製造的異向性電磁波吸收薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為100μm且具有電磁波吸收粒子群的寬度為200μm、厚度為100μm、間隔為40μm的圖案。 第17圖是比較例1中製造的薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為8μm且稀疏地存在有導電性粒子。 第18圖是比較例2中製造的薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為30μm且稀疏地存在有銀粒子。 第19圖是比較例3中製造的薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為2μm且銀粒子黏在一起。 第20圖是比較例4中製造的異向性導電薄膜的俯視圖，該薄膜的厚度為200μm且具有銀粒子群的寬度為1200μm、厚度為200μm、間隔為1200μm的圖案。

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國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

1:絕緣性樹脂

2:導電性粒子群

3:黏結劑

4:導電性粒子

10:異向性導電薄膜

A:鄰接的導電性粒子群的間隔

T:異向性導電薄膜的厚度

Claims (31)

1. 一種異向性薄膜，其含有絕緣性樹脂及粒子群，該異向性薄膜的特徵在於：前述粒子群是以黏結劑來黏結複數個粒子彼此而得之粒子的群組，並且，前述粒子群規則地排列，且其間隔為1μm~1000μm；前述粒子是螢光體，且前述粒子群是螢光體粒子群；前述異向性薄膜的厚度為1μm~2000μm；前述粒子群具有1~1000μm的寬度；前述粒子群的寬度為前述粒子的平均粒徑的5倍以上；前述粒子群的厚度為前述異向性薄膜的厚度的50%以上；前述絕緣性樹脂選自矽氧樹脂、環氧樹脂、及馬來醯亞胺樹脂；並且，前述粒子群的理論平均粒子數為50~1×10⁹個。
2. 如請求項1所述之異向性薄膜，其中，前述絕緣性樹脂與前述粒子群在-50℃~200℃的範圍內的線膨脹係數的差異為1~200ppm/K。
3. 如請求項1所述之異向性薄膜，其中，前述黏結劑是與前述絕緣性樹脂相同組成的樹脂組成物。
4. 如請求項1所述之異向性薄膜，其中，前述 黏結劑是與前述絕緣性樹脂不同組成的樹脂組成物。
5. 如請求項1~4中任一項所述之異向性薄膜，其中，前述粒子的平均粒徑以藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置所測得的中值粒徑計為0.01~100μm。
6. 如請求項1~4中任一項所述之異向性薄膜，其中，前述粒子群的形狀為圓柱狀或角柱狀。
7. 如請求項1~4中任一項所述之異向性薄膜，其中，前述粒子群的下表面的面積相對於上表面的面積的比值為0.5~10。
8. 如請求項1~4中任一項所述之異向性薄膜，其中，前述粒子群在前述異向性薄膜的至少其中一方的表面露出。
9. 如請求項8所述之異向性薄膜，其中，在前述至少其中一方的表面露出的前述粒子群的面積比例為20~90%。
10. 如請求項1~4中任一項所述之異向性薄膜，其中，前述絕緣性樹脂，在未硬化狀態下，25℃時呈可塑性的固體或半固體狀。
11. 如請求項1~4中任一項所述之異向性薄膜，其中，前述粒子包含金屬粒子。
12. 如請求項1~4中任一項所述之異向性薄膜，其中，前述絕緣性樹脂含有絕緣性無機粒子。
13. 如請求項12所述之異向性薄膜，其中，前述絕緣性無機粒子是白色顏料。
14. 如請求項1~4中任一項所述之異向性薄膜，其中，前述絕緣性樹脂含有中空粒子。
15. 如請求項1~4中任一項所述之異向性薄膜，其中，前述絕緣性樹脂的硬化物在10GHz時的相對介電常數為3.5以下。
16. 如請求項1~4中任一項所述之異向性薄膜，其中，前述異向性薄膜是螢光體薄膜、反射薄膜及中空薄膜之中的任一種。
17. 一種異向性薄膜的製造方法，是製造包含絕緣性樹脂及粒子群之異向性薄膜的方法，該製造方法包含下述步驟：(1)將粒子與黏結劑混合來製備組成物的步驟；及，(2)將前述組成物填充到已施加凹凸圖案之模具中來製作粒子群的步驟，該粒子群是複數個前述粒子彼此黏結而得；並且，將前述粒子設為螢光體，且將前述粒子群設為螢光體粒子群；將前述粒子群設為具有1~1000μm的寬度；將前述粒子群的寬度設為前述粒子的平均粒徑的5倍以上； 將前述粒子群的厚度設為前述異向性薄膜的厚度的50%以上；將前述異向性薄膜的厚度設為1μm~2000μm；將前述絕緣性樹脂設為選自矽氧樹脂、環氧樹脂、及馬來醯亞胺樹脂；並且，將前述粒子群的理論平均粒子數設為50~1×10⁹個。
18. 如請求項17所述之異向性薄膜的製造方法，其中，在前述(2)步驟後，進一步包含下述步驟：(3)將前述粒子群轉印到未硬化的薄膜狀絕緣性樹脂組成物上的步驟；及，(4)按壓已轉印到前述薄膜狀絕緣性樹脂組成物上的前述粒子群，來將其埋設於前述薄膜狀絕緣性樹脂組成物中的步驟。
19. 如請求項18所述之異向性薄膜的製造方法，其中，作為前述步驟(1)中使用的黏結劑，使用與前述步驟(3)中使用的絕緣性樹脂相同組成的樹脂組成物。
20. 如請求項18所述之異向性薄膜的製造方法，其中，作為前述步驟(1)中使用的黏結劑，使用與前述步驟(3)中使用的絕緣性樹脂不同組成的樹脂組成物。
21. 如請求項18~20中任一項所述之異向性薄膜的製造方法，其中，作為前述步驟(3)中使用的絕緣性樹脂，使用下述絕緣性樹脂：在未硬化狀態下，25℃時呈可塑性的固體或半固體狀的絕緣性樹脂。
22. 如請求項18~20中任一項所述之異向性薄膜的製造方法，其中，使用含有絕緣性無機粒子之絕緣性樹脂來作為前述步驟(3)中使用的絕緣性樹脂。
23. 如請求項22所述之異向性薄膜的製造方法，其中，將前述絕緣性無機粒子設為白色顏料。
24. 如請求項18~20中任一項所述之異向性薄膜的製造方法，其中，使用含有中空粒子之絕緣性樹脂來作為前述步驟(3)中使用的絕緣性樹脂。
25. 如請求項18~20中任一項所述之異向性薄膜的製造方法，其中，作為前述模具，使用已施加凹凸圖案之模具，該凹凸圖案使埋設於前述異向性薄膜中的粒子群之中的鄰接的2個的間隔成為1μm~1000μm。
26. 如請求項17~20中任一項所述之異向性薄膜的製造方法，其中，將前述粒子的平均粒徑設為以藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置所測得的中值粒徑計為0.01~100μm。
27. 如請求項17~20中任一項所述之異向性薄膜的製造方法，其中，將前述粒子群的形狀設為圓柱狀 或角柱狀。
28. 如請求項17~20中任一項所述之異向性薄膜的製造方法，其中，將前述粒子群的下表面的面積相對於上表面的面積的比值設為0.5~10。
29. 如請求項17~20中任一項所述之異向性薄膜的製造方法，其中，使前述粒子群在前述異向性薄膜的至少其中一方的表面露出。
30. 如請求項29所述之異向性薄膜的製造方法，其中，將在前述至少其中一方的表面露出的前述粒子群的面積比例設為20~90%。
31. 如請求項17~20中任一項所述之異向性薄膜的製造方法，其中，將前述異向性薄膜製成螢光體薄膜、反射薄膜及中空薄膜之中的任一種。