JP2017039802A - 半導体素子保護用材料及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体素子保護用材料は、半導体素子を保護するために、前記半導体素子の表面上に塗布して、前記半導体素子の表面上に硬化物を形成するために用いられる半導体素子保護用材料であり、半導体素子と他の接続対象部材との間に配置されて、前記半導体素子と前記他の接続対象部材とを剥離しないように接着及び固定する硬化物を形成するものとは異なり、熱硬化性化合物と、硬化剤又は硬化触媒と、熱伝導率が10W/m・K以上であり、かつカップリング剤による表面処理物である熱伝導性粒子とを含み、23℃で液状である。
【選択図】図1
Description
(A)熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。(A)熱硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記半導体素子保護用材料100重量%中、(A1)エポキシ化合物の含有量は、好ましくは5重量%以上、より好ましくは8重量%以上、好ましくは15重量%以下、より好ましくは12重量%以下である。(A1)エポキシ化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、半導体素子保護用材料の塗布性、硬化物の柔軟性、耐湿性、硬化物の半導体素子に対する接着性がより一層良好になり、保護フィルムに対する貼り付きをより一層抑えることができる。
(B)硬化剤又は硬化触媒として、(B1)硬化剤を用いてもよく、(B2)硬化触媒を用いてもよい。(A1)エポキシ化合物を用いる場合には、(B1)硬化剤が好ましい。(A2)シリコーン化合物を用いる場合には、(B2)硬化触媒が好ましい。
(C)熱伝導率が10W/m・K以上であり、かつカップリング剤による表面処理物である熱伝導性粒子を用いることによって、放熱性に優れ、ボイドが少なく、絶縁性に優れている硬化物を得ることができる。(C)熱伝導性粒子は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(D)硬化促進剤の使用によって、硬化速度を速くし、半導体素子保護用材料を効率的に硬化させることができる。(D)硬化促進剤は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記半導体素子保護用材料は、カップリング剤を更に含んでもよい。カップリング剤の使用により、半導体素子保護用材料の硬化物の耐湿性がより一層高くなる。カップリング剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記半導体素子保護用材料は、半導体素子を保護するために、上記半導体素子の表面上に塗布して用いられる。上記半導体素子保護用材料は、半導体素子と他の接続対象部材との間に配置されて、上記半導体素子と上記他の接続対象部材とを剥離しないように接着及び固定する硬化物を形成するものとは異なる。上記半導体素子保護用材料は、半導体素子の表面を被覆する被覆材料であることが好ましい。上記半導体素子保護用材料は、半導体素子の側面上に塗布されないことが好ましい。上記半導体素子保護用材料は、上記半導体素子を封止するための材料とは異なることが好ましく、上記半導体素子を封止するための封止剤ではないことが好ましい。上記半導体素子保護用材料は、アンダーフィル材ではないことが好ましい。上記半導体素子が、第2の表面側に第1の電極を有し、上記半導体素子保護用材料は、上記半導体素子の上記第2の表面側とは反対の第1の表面上に塗布されて用いられることが好ましい。上記半導体素子保護用材料は、半導体装置において、半導体素子を保護するために、上記半導体素子の表面上に硬化物を形成するために好適に用いられる。上記半導体素子保護用材料は、半導体素子を保護するために、上記半導体素子の表面上に硬化物を形成するために好適に用いられ、かつ上記硬化物の上記半導体素子側とは反対の表面上に保護フィルムを配置して、半導体装置を得るために好適に用いられる。
EX−821(n=4)((A11)可撓性エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、エポキシ当量:185)
EX−830(n=9)((A11)可撓性エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、エポキシ当量:268)
EX−931(n=11)((A11)可撓性エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、エポキシ当量:471)
EX−861(n=22)((A11)可撓性エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、エポキシ当量:551)
jER828((A12)エポキシ化合物、三菱化学社製、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量:188)
jER834((A12)エポキシ化合物、三菱化学社製、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、軟化点:30℃、エポキシ当量:255)
[シリコーン化合物であるポリマーAの合成]
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン164.1g、メチルフェニルジメトキシシラン20.1g及び1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン4.7gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水35.1gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーAを得た。
合成に用いる有機珪素化合物の種類及び配合量をかえたこと以外はポリマーAの合成と同様にして、ポリマーB〜Dを得た。
(SiO4/2)0.20(ViMe2SiO1/2)0.40(Me3SiO1/2)0.40
数平均分子量 2000
フェニル基及びメチル基の含有比率は83.3モル%、ビニル基の含有比率は16.7モル%
(MeSiO3/2)0.20(PhMeSiO2/2)0.70(ViMe2SiO1/2)0.10
数平均分子量 4000
フェニル基及びメチル基の含有比率は94.7モル%、ビニル基の含有比率は5.3モル%
(PhSiO3/2)0.80(ViMe2SiO1/2)0.20
数平均分子量 1700
フェニル基及びメチル基の含有比率は85.7モル%、ビニル基の含有比率は14.3モル%
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジフェニルジメトキシシラン80.6g、及び1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン45gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、酢酸100gと水27gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーEを得た。
フジキュアー7000(富士化成社製、23℃で液状、アミン化合物)
MEH−8005(明和化成社製、23℃で液状、アリルフェノールノボラック化合物)
白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体
SA−102(サンアプロ社製、DBUオクチル酸塩)
FAN−f05(古河電子社製、窒化アルミニウム、熱伝導率:100W/m・K、球状、平均粒子径:6μm)が表面処理された熱伝導性粒子
FAN−f50(古河電子社製、窒化アルミニウム、熱伝導率:100W/m・K、球状、平均粒子径:30μm)が表面処理された熱伝導性粒子
CB−P05(昭和電工社製、酸化アルミニウム、熱伝導率:20W/m・K、球状、平均粒子径:4μm)が表面処理された熱伝導性粒子
CB−P40(昭和電工社製、酸化アルミニウム、熱伝導率:20W/m・K、球状、平均粒子径:44μm)が表面処理された熱伝導性粒子
SSC−A15(信濃電気精錬社製、炭化ケイ素、熱伝導率:100W/m・K、球状、平均粒子径:19μm)が表面処理された熱伝導性粒子
SSC−A30(信濃電気精錬社製、炭化ケイ素、熱伝導率:100W/m・K、球状、平均粒子径:34μm)が表面処理された熱伝導性粒子
(C’)その他の熱伝導性粒子:表面処理品
HS−306(マイクロン社製、酸化ケイ素、熱伝導率:2W/m・K、球状、平均粒子径:2.5μm)が表面処理された熱伝導性粒子
HS−304(マイクロン社製、酸化ケイ素、熱伝導率:2W/m・K、球状、平均粒子径:25μm)が表面処理された熱伝導性粒子
KBM−403(信越化学工業社製、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、エポキシ基を有する)
T2869(東京化成工業社製、トリメトキシ(2−フェニルエチル)シラン、芳香族基を有する)
KBM−903(信越化学工業社製、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノ基を有する)
KBM−803(信越化学工業社製、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、チオール基を有する)
KBE−9007(信越化学工業社製、3−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン、イソシアネート基を有する)
KBM−9659(信越化学工業社製、トリス−(トリメトキシシリルプロピル)イソシエアヌレート、イソシアヌレート基を有する)
CB−P05(昭和電工社製、酸化アルミニウム、熱伝導率:20W/m・K、球状、平均粒子径:4μm)
CB−P40(昭和電工社製、酸化アルミニウム、熱伝導率:20W/m・K、球状、平均粒子径:44μm)
カップリング剤:KBM−403(信越化学工業社製、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、エポキシ基を有する)
ハイワックス200PF(三井化学社製、ポリエチレンワックス)
湿式法による熱伝導性粒子の表面処理
熱伝導性粒子100重量部をアンモニア水でpH10に調整した水:イソプロピルアルコール=1:1(体積比)の溶液200重量部中に分散し、さらに熱伝導性粒子に対して1重量%のカップリング剤を添加し、1時間攪拌を行った。攪拌後、遠心分離で上澄みを除去し、熱伝導性粒子を真空オーブン中にて60℃で12時間加熱乾燥を行うことで、カップリング剤による表面処理物である熱伝導性粒子を得た。
配合成分の種類及び配合量を下記の表1に示すように変更したこと以外は実施例1と同様にして、半導体素子保護用材料を得た。
(1)25℃における粘度の測定
B型粘度計(東機産業社製「TVB−10型」)を用いて半導体素子保護用材料の25℃における10rpmでの粘度(Pa・s)を測定した。
B型粘度計で測定した10rpm時、1rpm時の粘度から、下記式でチキソ指数を算出し、チキソ指数の値によって塗布性を評価した。
○:チキソ指数が1.7以上、2.3以下
△:チキソ指数が1.7未満、又は2.3を超える
得られた半導体素子保護用材料を150℃で2時間加熱し、硬化させ、100mm×100mm×厚さ50μmの硬化物を得た。この硬化物を評価サンプルとした。
得られた半導体保護用材料をPETフィルム上にスキージーを用いて、気泡が入らないように約1mmの厚さで塗布し、150℃に設定したIRオーブン中で10分以上加熱した。熱硬化させた硬化物の表面に存在するボイドの個数を数え、以下の基準で評価した。
○:ボイドなし
△:1〜3個のボイドがある
×:4個以上のボイドがある
得られた半導体素子保護用材料をPETフィルム状にスキージーを用いて、気泡が入らないように塗布した。塗布した半導体素子保護用材料をオーブンで150℃で2時間加熱し、得られた硬化物を評価サンプルとして得た。得られた評価サンプルの体積抵抗率を日置電機社製ディジタル超絶縁/微小電流計「DSM−8104」、及び平板試料用電極「SME−8311」を用いて測定した。このとき、評価サンプルの厚みはマイクロメーターで測定した値を使用した。体積抵抗率が高いほど絶縁性に優れており、絶縁性を以下の基準で判定した。
○:体積抵抗率が1×1010(Ω・cm)以上
△:体積低効率が1×1010(Ω・cm)以上、5×1010(Ω・cm)未満
×:体積抵抗率が1×1010(Ω・cm)未満
2…半導体素子
2a…第1の表面
2b…第2の表面
2A…第1の電極
3,3X…硬化物
4…接続対象部材
4a…表面
4A…第2の電極
5…他の硬化物
6…導電性粒子
7…保護フィルム
Claims (12)
- 半導体素子を保護するために、前記半導体素子の表面上に塗布して、前記半導体素子の表面上に硬化物を形成するために用いられる半導体素子保護用材料であり、
半導体素子と他の接続対象部材との間に配置されて、前記半導体素子と前記他の接続対象部材とを剥離しないように接着及び固定する硬化物を形成するものとは異なり、
熱硬化性化合物と、硬化剤又は硬化触媒と、熱伝導率が10W/m・K以上であり、かつカップリング剤による表面処理物である熱伝導性粒子とを含み、
23℃で液状である、半導体素子保護用材料。 - 前記カップリング剤が、エポキシ基、芳香族基、アミノ基、メルカプト基、イソシアネート基、又はイソシアヌレート基を有するカップリング剤である、請求項1に記載の半導体素子保護用材料。
- 前記熱伝導性粒子が、アルミナ、窒化アルミニウム又は炭化ケイ素である、請求項1又は2に記載の半導体素子保護用材料。
- 前記熱伝導性粒子が球状である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体素子保護用材料。
- 前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物又はシリコーン化合物を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体素子保護用材料。
- 前記硬化剤がアリルフェノールノボラック化合物である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体素子保護用材料。
- 前記熱硬化性化合物が、可撓性エポキシ化合物を含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体素子保護用材料。
- 前記熱硬化性化合物が、前記可撓性エポキシ化合物と、可撓性エポキシ化合物とは異なるエポキシ化合物とを含む、請求項7に記載の半導体素子保護用材料。
- 半導体素子を保護するために、前記半導体素子の表面上に硬化物を形成し、かつ前記硬化物の前記半導体素子側とは反対の表面上に保護フィルムを配置して、半導体装置を得るために用いられるか、又は、半導体素子を保護するために、前記半導体素子の表面上に硬化物を形成し、かつ前記硬化物の前記半導体素子側とは反対の表面が露出している半導体装置を得るために用いられる、請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体素子保護用材料。
- 半導体素子と、
前記半導体素子の第1の表面上に配置された硬化物とを備え、
前記硬化物が、請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体素子保護用材料の硬化物である、半導体装置。 - 前記半導体素子が、前記第1の表面側とは反対の第2の表面側に第1の電極を有し、前記半導体素子の第1の電極が、第2の電極を表面に有する接続対象部材における前記第2の電極と電気的に接続されている、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記硬化物の前記半導体素子側とは反対の表面上に、保護フィルムが配置されているか、又は、前記硬化物の前記半導体素子側とは反対の表面が露出している、請求項10又は11に記載の半導体装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018221681A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | 日立化成株式会社 | 封止用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
WO2018221682A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | 日立化成株式会社 | 圧縮成型用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
WO2019021824A1 (ja) * | 2017-07-24 | 2019-01-31 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 熱伝導性シリコーンゲル組成物、熱伝導性部材および放熱構造体 |
US11549043B2 (en) | 2017-07-24 | 2023-01-10 | Dow Toray Co., Ltd. | Multicomponent-curable thermally-conductive silicone gel composition, thermally-conductive member and heat dissipation structure |
US11578245B2 (en) | 2017-07-24 | 2023-02-14 | Dow Toray Co., Ltd. | Thermally-conductive silicone gel composition, thermally-conductive member, and heat dissipation structure |
WO2023017678A1 (ja) * | 2021-08-10 | 2023-02-16 | 富士フイルム株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
KR20240101780A (ko) | 2021-11-16 | 2024-07-02 | 나믹스 가부시끼가이샤 | 에폭시 수지 조성물, 액상 컴프레션 몰드재, 글로브 탑재, 및 반도체 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006232950A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用液状エポキシ樹脂組成物、半導体装置及びその製造方法 |
JP2009179771A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Panasonic Corp | 熱伝導性樹脂ペーストおよびそれを用いた光ディスク装置 |
JP2010248277A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-11-04 | Panasonic Corp | 熱伝導性樹脂ペーストおよびそれを用いた光ディスク装置 |
JP2013504684A (ja) * | 2009-09-14 | 2013-02-07 | ナミックス株式会社 | 高密度相互接続フリップチップのためのアンダーフィル |
JP2016023310A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-02-08 | 積水化学工業株式会社 | 半導体素子保護用材料及び半導体装置 |
-
2015
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006232950A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用液状エポキシ樹脂組成物、半導体装置及びその製造方法 |
JP2009179771A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Panasonic Corp | 熱伝導性樹脂ペーストおよびそれを用いた光ディスク装置 |
JP2010248277A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-11-04 | Panasonic Corp | 熱伝導性樹脂ペーストおよびそれを用いた光ディスク装置 |
JP2013504684A (ja) * | 2009-09-14 | 2013-02-07 | ナミックス株式会社 | 高密度相互接続フリップチップのためのアンダーフィル |
JP2016023310A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-02-08 | 積水化学工業株式会社 | 半導体素子保護用材料及び半導体装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7148508B2 (ja) | 2017-05-31 | 2022-10-05 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 圧縮成型用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
WO2018221682A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | 日立化成株式会社 | 圧縮成型用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP7148507B2 (ja) | 2017-05-31 | 2022-10-05 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 封止用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
WO2018221681A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | 日立化成株式会社 | 封止用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
JPWO2018221681A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2020-07-09 | 日立化成株式会社 | 封止用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
JPWO2018221682A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2020-08-06 | 日立化成株式会社 | 圧縮成型用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
CN111051433A (zh) * | 2017-07-24 | 2020-04-21 | 陶氏东丽株式会社 | 导热性硅酮凝胶组合物、导热性部件及散热构造体 |
WO2019021824A1 (ja) * | 2017-07-24 | 2019-01-31 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 熱伝導性シリコーンゲル組成物、熱伝導性部材および放熱構造体 |
US11549043B2 (en) | 2017-07-24 | 2023-01-10 | Dow Toray Co., Ltd. | Multicomponent-curable thermally-conductive silicone gel composition, thermally-conductive member and heat dissipation structure |
US11578245B2 (en) | 2017-07-24 | 2023-02-14 | Dow Toray Co., Ltd. | Thermally-conductive silicone gel composition, thermally-conductive member, and heat dissipation structure |
US11674040B2 (en) | 2017-07-24 | 2023-06-13 | Dow Toray Co., Ltd. | Thermally-conductive silicone gel composition, thermally-conductive member, and heat dissipation structure |
WO2023017678A1 (ja) * | 2021-08-10 | 2023-02-16 | 富士フイルム株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
KR20240101780A (ko) | 2021-11-16 | 2024-07-02 | 나믹스 가부시끼가이샤 | 에폭시 수지 조성물, 액상 컴프레션 몰드재, 글로브 탑재, 및 반도체 장치 |
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---|---|
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