TWI488354B - Electronic Parts - Google Patents

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TWI488354B
TWI488354B TW100117927A TW100117927A TWI488354B TW I488354 B TWI488354 B TW I488354B TW 100117927 A TW100117927 A TW 100117927A TW 100117927 A TW100117927 A TW 100117927A TW I488354 B TWI488354 B TW I488354B
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Takahiro Mori
Hiroshi Masuda
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Murata Manufacturing Co
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12Coupling devices having more than two ports
    • H01P5/16Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
    • H01P5/18Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
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Description

電子零件
本發明係關於一種電子零件,更特定而言,係關於內設有方向性耦合器之電子零件。
作為習知電子零件,已知例如專利文獻1記載之晶片型方向性耦合器(以下,僅稱為方向性耦合器)。在該方向性耦合器,係藉由積層長方形之複數個電極基板構成積層構造體。又,在電極基板上設有作為主線路之U字狀之帶狀線電極(以下,僅稱為主線路)及作為副線路之U字狀之帶狀線電極(以下,僅稱為副線路)。然而,主線路係設在與副線路不同之電極基板上。亦即,主線路及副線路在積層方向排列。再者,在積層構造體之側面設有主線路及副線路連接之外部電極。
然而,專利文獻1記載之方向性耦合器,若欲使其小型化,則具有製造困難之問題。更詳細而言,在該方向性耦合器,在積層構造體之側面形成有外部電極。因此,外部電極係藉由在裁切母積層構造體製得積層構造體後施加導電性糊之塗布而形成。因此,若方向性耦合器之小型化進展,則必須在小積層構造體進行導電性糊之塗布,因此外部電極之形成困難。
又,專利文獻1記載之方向性耦合器具有主線路與副線路之耦合度低之問題。更詳細而言,主線路及副線路係分別設在一層電極基板,在積層方向彼此耦合。因此,為了提高主線路與副線路之耦合度,將主線路與副線路間之層形成較薄,在積層方向使主線路與副線路僅可能接近即可。然而,由於加工上之限制有使電介質層變薄之界限,因此無法使主線路與副線路之耦合度變高。
專利文獻1:日本特開平5-152814號公報
因此,本發明之目的在於提供一種能容易形成外部電極且使主線路與副線路以高耦合度耦合之電子零件。
本發明一形態之電子零件,具備:積層體,係藉由積層複數個絕緣體層而構成;主線路,具有第1螺旋狀部,該第1螺旋狀部具有與積層方向平行之第1中心軸;副線路,係藉由與該主線路電磁耦合構成方向性耦合器,且具有第2螺旋狀部,該第2螺旋狀部具有與積層方向平行之第2中心軸;第1外部電極及第2外部電極,係設在位於積層方向之兩端之該積層體之至少一方之端面,且分別電氣連接於該主線路之兩端;以及第3外部電極及第4外部電極,係設在位於積層方向之兩端之該積層體之至少一方之端面,且分別電氣連接於該副線路之兩端;設有該主線路之第1區域與設有該副線路之第2區域在積層方向重疊。
根據本發明,能容易形成外部電極且使主線路與副線路以高耦合度耦合。
以下,說明本發明實施形態之電子零件。
(電子零件之構成)
以下,參照圖式說明本發明實施形態之電子零件之構成。圖1係實施形態之電子零件10a的立體圖。圖2係實施形態之電子零件10a的分解立體圖。以下,將電子零件10a之積層方向定義為z軸方向,在從z軸方向俯視時,將沿著電子零件10a之長邊之方向定義為x軸方向,將沿著電子零件10a之短邊之方向定義為y軸方向。x軸、y軸、z軸彼此正交。
電子零件10a,如圖1及圖2所示,具備積層體12、外部電極14(14a~14d)、主線路ML及副線路SL。
積層體12,如圖1所示,呈長方體狀,內設有主線路ML及副線路SL。在積層體12,以分別位於z軸方向之正方向側及負方向側之面為端面S1,S2。又,在積層體12,以分別位於y軸方向之正方向側及負方向側之面為上面S3及下面S4。又,在積層體12,以分別位於x軸方向之正方向側及負方向側之面為側面S5,S6。此處,下面S4為構裝面。亦即,在將電子零件10a構裝於電路基板時,下面S4與電路基板之構裝面對向。
積層體12,如圖2所示,係藉由從z軸方向之正方向側往負方向側依序排列積層絕緣體層16(16a~16h)而構成。藉此,積層體12以z軸方向與電路基板之構裝面平行之方式構裝於電路基板。絕緣體層16分別呈長方形,藉由電介質材料製作。以下,將絕緣體層16在z軸方向之正方向側之面稱為表面,將絕緣體層16在z軸方向之負方向側之面稱為背面。
外部電極14a,14b,如圖2所示,係分別設在積層體12之端面S1。亦即,設在絕緣體層16a之表面。此外,外部電極14a較外部電極14b更位於x軸方向之正方向側。外部電極14a,14b僅設在積層體12之端面S1,未設在積層體12之上面S3、下面S4及側面S5,S6。
又,外部電極14c,14d,如圖2所示,係分別設在積層體12之端面S2。亦即,設在絕緣體層16h之背面。此外,外部電極14c較外部電極14d更位於x軸方向之正方向側。外部電極14c,14d僅設在積層體12之端面S2,未設在積層體12之上面S3、下面S4及側面S5,S6。
主線路ML係連接於外部電極14a,14b間,如圖2所示,具有螺旋狀部Sp1及導通孔導體b1,b7~b12。螺旋狀部Sp1,係在從z軸方向之正方向側俯視時繞順時針旋轉並從z軸方向之正方向側往負方向側行進之螺旋形狀之訊號線。亦即,螺旋狀部Sp1具有與z軸方向平行之中心軸Ax1。螺旋狀部Sp1具有訊號導體18(18a~18f)及導通孔導體b2~b6。
訊號導體18係分別由導電性材料構成,將線狀導體彎折製作。以下,在從z軸方向之正方向側俯視時,將訊號導體18之繞順時針方向之上游側端部稱為上游端,將訊號導體18之繞順時針方向之下游側端部稱為下游端。
導通孔導體b2~b6分別在z軸方向貫通絕緣體層16b~16f,將訊號導體18彼此加以連接。更詳細而言,導通孔導體b2將訊號導體18a之下游端與訊號導體18b之上游端加以連接。導通孔導體b3將訊號導體18b之下游端與訊號導體18c之上游端加以連接。導通孔導體b4將訊號導體18c之下游端與訊號導體18d之上游端加以連接。導通孔導體b5將訊號導體18d之下游端與訊號導體18e之上游端加以連接。導通孔導體b6將訊號導體18e之下游端與訊號導體18f之上游端加以連接。
導通孔導體b1,如圖2所示,在z軸方向貫通絕緣體層16a,將螺旋狀部Sp1在z軸方向之正方向側之端部(亦即,訊號導體18a之上游端)與外部電極14a加以連接。
導通孔導體b7~b12,如圖2所示,分別在z軸方向貫通絕緣體層16f,16e,16d,16c,16b,16a,將螺旋狀部Sp1在z軸方向之負方向側之端部(亦即,訊號導體18f之下游端)與外部電極14b加以連接。導通孔導體b7~b12係藉由彼此連接構成一個導通孔導體。以上述方式,主線路ML係電氣連接於外部電極14a,14b間。此外,主線路ML,如圖2所示,係設在設有絕緣體層16a~16g之區域A1。
副線路SL係連接於外部電極14c,14d間,藉由與主線路ML電磁耦合構成方向性耦合器。副線路SL,如圖2所示,具有螺旋狀部Sp2及導通孔導體b20,b21,b26~b31。
螺旋狀部Sp2,係在從z軸方向之正方向側俯視時繞逆時針旋轉並從z軸方向之負方向側往正方向側行進之螺旋形狀之訊號線。亦即,螺旋狀部Sp2具有與z軸方向平行之中心軸Ax2。中心軸Ax2,如圖2所示,在從z軸方向俯視時,與中心軸Ax1一致。藉此,螺旋狀部Sp1與螺旋狀部Sp2,在從z軸方向俯視時,以一致之狀態重疊。螺旋狀部Sp2係藉由訊號導體19(19a~19e)及導通孔導體b22~b25構成。
訊號導體19係分別由導電性材料構成,將線狀導體彎折製作。以下,在從z軸方向之正方向側俯視時,將訊號導體19之繞逆時針方向之上游側端部稱為上游端,將訊號導體19之繞逆時針方向之下游側端部稱為下游端。
導通孔導體b22~b25分別在z軸方向貫通絕緣體層16f,16e,16d,16c,將訊號導體19彼此加以連接。更詳細而言,導通孔導體b22將訊號導體19a之下游端與訊號導體19b之上游端加以連接。導通孔導體b23將訊號導體19b之下游端與訊號導體19c之上游端加以連接。導通孔導體b24將訊號導體19c之下游端與訊號導體19d之上游端加以連接。導通孔導體b25將訊號導體19d之下游端與訊號導體19e之上游端加以連接。
導通孔導體b20,b21,如圖2所示,在z軸方向貫通絕緣體層16h,16g,將螺旋狀部Sp2在z軸方向之負方向側之端部(亦即,訊號導體19a之上游端)與外部電極14c加以連接。導通孔導體b20,b21係藉由彼此連接構成一個導通孔導體。
導通孔導體b26~b31,如圖2所示,分別在z軸方向貫通絕緣體層16h,16g,16f,16e,16d,16c,將螺旋狀部Sp2在z軸方向之正方向側之端部(亦即,訊號導體19e之下游端)與外部電極14d加以連接。導通孔導體b26~b31係藉由彼此連接構成一個導通孔導體。以上述方式,副線路SL係電氣連接於外部電極14c,14d間。此外,副線路SL,如圖2所示,係設在設有絕緣體層16c~16h之區域A2。以此方式,區域A1與區域A2在z軸方向重疊。
又,在電子零件10a,訊號線路18b,18c,18d,18e,18f與訊號線路19e,19d,19c,19b,19a係設在相同之絕緣體層16上。
在以上述方式構成之電子零件10a,外部電極14a係使用為輸入埠,外部電極14b係使用為主輸出埠,外部電極14c係使用為監測器輸出埠,外部電極14d係使用為50Ω終端埠。
(方向性耦合器之製造方法)
以下,參照圖1及圖2說明電子零件10a的製造方法。
首先,準備應成為絕緣體層16的陶瓷坯片。接著,在應成為絕緣體層16的陶瓷坯片分別形成導通孔導體b1~b12,b20~b31。在導通孔導體b1~b12,b20~b31之形成時,對應成為絕緣體層16的陶瓷坯片照射雷射光束形成導通孔。接下來,使用印刷塗布等方法在該導通孔填充Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等的導電性糊。
接著,在應成為絕緣體層16b~16g的陶瓷坯片之表面上用網版印刷法或光微影法等方法塗布將Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等作為主要成分的導電性糊,以形成訊號導體18,19。此外,在形成訊號導體18,19時,進行對導通孔之導電性糊之填充亦可。
又,在應成為絕緣體層16a的陶瓷坯片之表面上及應成為絕緣體層16h的陶瓷坯片之背面上用網版印刷法或光微影法等方法塗布將Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等作為主要成分的導電性糊,以形成外部電極14a~14d。
接著,將各陶瓷坯片積層。具體而言,將應成為絕緣體層16a~16h的陶瓷坯片依照從Z軸方向之正方向側往負方向側之順序並排之方式逐一積層、壓接。藉由上述步驟,形成母積層體。此母積層體,係藉由靜水壓加壓等進行正式壓接。
接著,藉由切刀將母積層體裁切以獲得既定尺寸之積層體12。之後,對未燒成之積層體12進行脫結合劑處理及燒成。
藉由以上步驟,獲得燒成後之積層體12。對積層體12施加筒式加工,進行去角。
最後,在外部電極14的表面實施鍍鎳(Ni)/鍍錫(Sn)。經過以上的步驟,完成圖1所示的電子零件10a。
(效果)
在以上述方式構成之電子零件10a,能容易形成外部電極14。更詳細而言,在電子零件10a,外部電極14係設在積層體12之端面S1,S2。因此,可藉由網版印刷等方法對積層前之陶瓷坯片形成外部電極14。亦即,不須在裁切後之小積層體12形成外部電極14。因此,能容易形成外部電極14。
又,在電子零件10a,能使主線路ML與副線路SL以高耦合度耦合。更詳細而言,在電子零件10a,如圖2所示,設有主線路ML之區域A1與設有副線路SL之區域A2在z軸方向重疊。因此,主線路ML與副線路SL接近之部分變長。其結果,能使主線路ML與副線路SL以高耦合度耦合。
再者,在電子零件10a,在從z軸方向俯視時,中心軸Ax1與中心軸Ax2重疊。因此,在主線路ML產生之電場或磁場之大半通過副線路SL內,在副線路SL產生之電場或磁場之大半通過主線路ML內。其結果,能使主線路ML與副線路SL以更高耦合度耦合。
再者,在電子零件10a,構成主線路ML之螺旋狀部Sp1之訊號導體18與構成副線路SL之螺旋狀部Sp2之訊號導體19係形成在相同之絕緣體層上。是以,能使訊號導體18,19間之浮游電容減少。因此,訊號導體18與訊號導體19電容性耦合,能防止隔離度特性惡化。
(第1變形例)
以下,參照圖式說明第1變形例之電子零件10b。圖3係變形例之電子零件10b~10d的外觀立體圖。圖4係第1變形例之電子零件10b的分解立體圖。
在電子零件10a,在積層體12設有外部電極14a~14d。另一方面,在電子零件10b,如圖3所示,除了外部電極14a~14d之外,亦設有外部電極14e,14f。
再者,在電子零件10a,在積層體12內僅設有主線路ML與副線路SL。另一方面,在電子零件10b,如圖4所示,在積層體12內,除了主線路ML與副線路SL之外,亦設有接地導體22(22a,22b)。
外部電極14e,在端面S1係設成被外部電極14a,14b挾持。另一方面,外部電極14f,在端面S2係設成被外部電極14c,14d挾持。
在絕緣體層16a與絕緣體層16b之間設有絕緣體層16i。在絕緣體層16i設有導通孔導體b41,b42。導通孔導體b41將導通孔導體b1與導通孔導體b2加以連接。導通孔導體b42將導通孔導體b11與導通孔導體b12加以連接。
又,接地導體22a呈長方形,係設在絕緣體層16i之表面。接地導體22a係藉由設在絕緣體層16a之導通孔導體b43與外部電極14e連接。然而,與導通孔導體b41,b42絕緣。
在絕緣體層16g與絕緣體層16h之間設有絕緣體層16j。在絕緣體層16j設有導通孔導體b44,b45。導通孔導體b44將導通孔導體b20與導通孔導體b21加以連接。導通孔導體b45將導通孔導體b30與導通孔導體b31加以連接。
又,接地導體22b呈長方形,係設在絕緣體層16j之表面。接地導體22b係藉由設在絕緣體層16j,16h之導通孔導體b46,b47與外部電極14f連接。然而,與導通孔導體b44,b45絕緣。
在以上述方式構成之電子零件10b,外部電極14a係使用為輸入埠,外部電極14b係使用為主輸出埠,外部電極14c係使用為監測器輸出埠,外部電極14d係使用為50Ω終端埠,外部電極14e,14f係使用為接地埠。
在以上述方式構成之電子零件10b,螺旋狀部Sp1,Sp2係被接地導體22a,22b從z軸方向之兩側挾持。因此,可抑制雜訊侵入至螺旋狀部Sp1,Sp2。
又,藉由調整接地導體22a與螺旋狀部Sp1之距離、接地導體22b與螺旋狀部Sp2之距離,能將主線路ML與副線路SL之阻抗分別設定成所欲值。
(第2變形例)
以下,參照圖式說明第2變形例之電子零件10c。圖5係第2變形例之電子零件10c的分解立體圖。圖6係第2變形例之電子零件10c的電路圖。
在電子零件10b,在積層體12內僅設有主線路ML、副線路SL及接地導體22。另一方面,在電子零件10c,如圖5及圖6所示,在積層體12內,除了主線路ML、副線路SL及接地導體22之外,亦設有電容器C1~C3。
在絕緣體層16i與絕緣體層16b之間設有絕緣體層16k,16l。在絕緣體層16k設有導通孔導體b47,b48。在絕緣體層161設有導通孔導體b49,b50。導通孔導體b47,b49將導通孔導體b41與導通孔導體b2加以連接。導通孔導體b48,b50將導通孔導體b42與導通孔導體b11加以連接。
在絕緣體層16k之表面設有電容器導體24a,24b。電容器導體24a,24b分別與接地導體22a對向,藉此構成電容器C1,C2。又,電容器導體24a,24b係分別連接於導通孔導體b41,b42。藉此,電容器C1,C2係分別連接於螺旋狀部Sp1之兩端與外部電極14e之間。
在絕緣體層16l之表面設有電容器導體26。電容器導體26與電容器導體24a,24b對向,藉此構成電容器C3。藉此,電容器C3,如圖6所示,與螺旋狀部Sp1並聯。
上述電容器C1~C3構成π型低通濾波器。藉此,可抑制在主線路ML產生雜訊。
(第3變形例)
以下,參照圖式說明第3變形例之電子零件10d。圖7係第3變形例之電子零件10d的分解立體圖。圖8係第3變形例之電子零件10d的電路圖。
在電子零件10b,在積層體12內僅設有主線路ML、副線路SL及接地導體22。另一方面,在電子零件10d,如圖7及圖8所示,在積層體12內,除了主線路ML、副線路SL及接地導體22之外,亦設有電阻R1,R2。
在絕緣體層16g與絕緣體層16j之間設有絕緣體層16k,16l。在絕緣體層16k設有導通孔導體b51,b52及連接導體30。在絕緣體層16l設有導通孔導體b53,b54。導通孔導體b51,b53將導通孔導體b21與導通孔導體b44加以連接。導通孔導體b52,b54及連接導體30將導通孔導體b30與導通孔導體b45加以連接。
在絕緣體層16l之表面設有作為電阻R1,R2之電阻導體32a,32b。電阻導體32a,32b分別係藉由高電阻材料構成,為蜿蜒狀。電阻導體32a,32b之一端分別連接於導通孔導體b51,b52。電阻導體32a,32b之另一端彼此連接。此外,電阻導體32a,32b之另一端18係藉由設在絕緣體層16k之導通孔導體b55連接於接地導體22b。藉此,電阻R1,R2係分別設在螺旋狀部Sp2之兩端與外部電極14f之間。
藉由電阻R1,外部電極14c與副線路SL之連接部係連接於接地電極14f,藉由電阻R2,外部電極14d與副線路SL之連接部係連接於接地電極14f。此處,電阻R1,R2作用為衰減器,能使輸出至監測器輸出埠及50Ω終端埠之訊號衰減至既定值。
(第4變形例)
以下,參照圖式說明第4變形例之電子零件10e。圖9係第4變形例之電子零件10e的分解立體圖。
在電子零件10e,對電子零件10a追加訊號導體19f及導通孔導體b32,b33。訊號導體19f構成副線路SL之一部分,為設在絕緣體層16b上之線狀導體。亦即,訊號導體19f與訊號導體18a同樣地設在絕緣體層16b上。
以下,在從z軸方向之正方向側俯視時,將訊號導體19之繞逆時針方向之上游側端部稱為上游端,將訊號導體19之繞逆時針方向之下游側端部稱為下游端。導通孔導體b32,b33在z軸方向貫通絕緣體層16b。導通孔導體b32將訊號導體19e之下游端與訊號導體19f之上游端加以連接。導通孔導體b33將訊號導體19f之下游端與導通孔導體b26加以連接。
如上述,訊號導體18a,18b,18c,18d,18e,18f與訊號導體19f,19e,19d,19c,19b,19a係設在相同之絕緣體層16上。亦即,在電子零件10e,在設有訊號導體18之所有絕緣體層16上設有訊號導體19。
根據電子零件10e,在電子零件10e,在設有訊號導體18之所有絕緣體層16上設有訊號導體19。因此,主線路ML與副線路SL以更高耦合度耦合。
(第5變形例)
以下,參照圖式說明第5變形例之電子零件10f。圖10係第5變形例之電子零件10f的分解立體圖。
在電子零件10f,主線路ML之兩端係分別連接於外部電極14a,14d。又,副線路SL之兩端係分別連接於外部電極14b,14c。亦即,在電子零件10f,主線路ML、副線路SL之兩端係引出至彼此對向之端面S1,S2。
如上述,藉由形成電子零件10f之外部電極14a~14d,能在維持高耦合度之狀態下增加電子零件10f連接至電路基板上之類型。因此,電路基板之設計自由度變高。
(其他實施形態)
上述實施形態所示之電子零件10a~10f並不限於上述說明之構成,在其要旨範圍內可進行變更。
在電子零件10a~10f,中心軸Ax1,Ax2,在從z軸方向俯視時,係以一致之狀態重疊。然而,中心軸Ax1,Ax2不一致重疊亦可。例如,在從z軸方向俯視時,使中心軸Ax1,Ax2不一致,藉由調整中心軸Ax1與Ax2之距離,將主線路ML與副線路SL之耦合度自由調整為所欲狀態亦可。然而,在此情形,較佳為,在從z軸方向俯視時,螺旋狀部Sp1,Sp2重疊。
又,外部電極14a,14b係設在端面S1,外部電極14c,14d係設在端面S2,但外部電極14a~14d之配置並不限於此。外部電極14a,14b之至少一方設在端面S2亦可,外部電極14c,14d之至少一方設在端面S1亦可。
如上述,本發明在電子零件有用,尤其是在能容易形成外部電極且使主線路與副線路以高耦合度耦合之點優異。
A1,A2...區域
Ax1,Ax2...中心軸
C1~C3...電容器
ML...主線路
R1,R2...電阻
SL...副線路
Sp1,Sp2...螺旋狀部
10a~10f...電子零件
12...積層體
14a~14f...外部電極
16a~16l...絕緣體層
圖1係實施形態之電子零件的立體圖。
圖2係實施形態之電子零件的分解立體圖。
圖3係變形例之電子零件的外觀立體圖。
圖4係第1變形例之電子零件的分解立體圖。
圖5係第2變形例之電子零件的分解立體圖。
圖6係第2變形例之電子零件的電路圖。
圖7係第3變形例之電子零件的分解立體圖。
圖8係第3變形例之電子零件的電路圖。
圖9係第4變形例之電子零件的分解立體圖。
圖10係第5變形例之電子零件的分解立體圖。
A1,A2...區域
Ax1,Ax2...中心軸
ML...主線路
SL...副線路
Sp1,Sp2...螺旋狀部
10a...電子零件
12...積層體
14a~14d...外部電極
16a~16h...絕緣體層
18a~18f,19a~19e...訊號導體
b1~b12,b20~b31...導通孔導體

Claims (18)

  1. 一種電子零件,具備:積層體,係藉由積層複數個絕緣體層而構成;主線路,具有第1螺旋狀部,該第1螺旋狀部具有與積層方向平行之第1中心軸;副線路,係藉由與該主線路電磁耦合構成方向性耦合器,且具有第2螺旋狀部,該第2螺旋狀部具有與積層方向平行之第2中心軸;第1外部電極及第2外部電極,係設在位於積層方向之兩端之該積層體之一方之端面,且分別電氣連接於該主線路之兩端;以及第3外部電極及第4外部電極,係設在位於積層方向之兩端之該積層體之另一方之端面,且分別電氣連接於該副線路之兩端;設有該主線路之第1區域與設有該副線路之第2區域在積層方向重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子零件,其中,該第1螺旋狀部與該第2螺旋狀部,在從積層方向俯視時重疊。
  3. 如申請專利範圍第2項之電子零件,其中,該第1中心軸與該第2中心軸,在從積層方向俯視時重疊。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件,其進一步具備:第5外部電極,係設在該積層體之該一方之端面;以及 第1電容器及第2電容器,係分別連接於該第1螺旋狀部之兩端與該第5外部電極之間。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件,其進一步具備:第6外部電極,係設在該積層體之該另一方之端面;以及第1電阻及第2電阻,係分別連接於該第2螺旋狀部之兩端與該第6外部電極之間。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件,其中,該第1螺旋狀部係藉由第1訊號導體及第1導通孔導體連接而構成;該第2螺旋狀部係藉由第2訊號導體及第2導通孔導體連接而構成;該第1訊號導體之至少一部分與該第2訊號導體之至少一部分係設在相同之該絕緣體層上。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電子零件,其係以該複數個絕緣體層之積層方向與電路基板之構裝面成為平行之方式構裝於電路基板上。
  8. 一種電子零件,具備:積層體,係藉由積層複數個絕緣體層而構成;主線路,具有第1螺旋狀部,該第1螺旋狀部具有與積層方向平行之第1中心軸;副線路,係藉由與該主線路電磁耦合構成方向性耦合器,且具有第2螺旋狀部,該第2螺旋狀部具有與積層方 向平行之第2中心軸;第1外部電極及第2外部電極,係設在位於積層方向之兩端之該積層體之至少任一方之端面,且分別電氣連接於該主線路之兩端;以及第3外部電極及第4外部電極,係設在位於積層方向之兩端之該積層體之至少任一方之端面,且分別電氣連接於該副線路之兩端;設有該主線路之第1區域與設有該副線路之第2區域在積層方向重疊;其進一步具備:第5外部電極,係設在該積層體之至少任一方之端面;以及第1電容器及第2電容器,係分別連接於該第1螺旋狀部之兩端與該第5外部電極之間。
  9. 如申請專利範圍第8項之電子零件,其中,該第1螺旋狀部與該第2螺旋狀部,在從積層方向俯視時重疊。
  10. 如申請專利範圍第9項之電子零件,其中,該第1中心軸與該第2中心軸,在從積層方向俯視時重疊。
  11. 如申請專利範圍第8至10項中任一項之電子零件,其進一步具備:第6外部電極,係設在該積層體之至少任一方之端面;以及第1電阻及第2電阻,係分別連接於該第2螺旋狀部之兩端與該第6外部電極之間。
  12. 如申請專利範圍第8至10項中任一項之電子零件,其中,該第1螺旋狀部係藉由第1訊號導體及第1導通孔導體連接而構成;該第2螺旋狀部係藉由第2訊號導體及第2導通孔導體連接而構成;該第1訊號導體之至少一部分與該第2訊號導體之至少一部分係設在相同之該絕緣體層上。
  13. 如申請專利範圍第8至10項中任一項之電子零件,其係以該複數個絕緣體層之積層方向與電路基板之構裝面成為平行之方式構裝於電路基板上。
  14. 一種電子零件,具備:積層體,係藉由積層複數個絕緣體層而構成;主線路,具有第1螺旋狀部,該第1螺旋狀部具有與積層方向平行之第1中心軸;副線路,係藉由與該主線路電磁耦合構成方向性耦合器,且具有第2螺旋狀部,該第2螺旋狀部具有與積層方向平行之第2中心軸;第1外部電極及第2外部電極,係設在位於積層方向之兩端之該積層體之至少任一方之端面,且分別電氣連接於該主線路之兩端;以及第3外部電極及第4外部電極,係設在位於積層方向之兩端之該積層體之至少任一方之端面,且分別電氣連接於該副線路之兩端;設有該主線路之第1區域與設有該副線路之第2區域 在積層方向重疊;其進一步具備:第6外部電極,係設在該積層體之至少任一方之端面;以及第1電阻及第2電阻,係分別連接於該第2螺旋狀部之兩端與該第6外部電極之間。
  15. 如申請專利範圍第14項之電子零件,其中,該第1螺旋狀部與該第2螺旋狀部,在從積層方向俯視時重疊。
  16. 如申請專利範圍第15項之電子零件,其中,該第1中心軸與該第2中心軸,在從積層方向俯視時重疊。
  17. 如申請專利範圍第14至16項中任一項之電子零件,其中,該第1螺旋狀部係藉由第1訊號導體及第1導通孔導體連接而構成;該第2螺旋狀部係藉由第2訊號導體及第2導通孔導體連接而構成;該第1訊號導體之至少一部分與該第2訊號導體之至少一部分係設在相同之該絕緣體層上。
  18. 如申請專利範圍第14至16項中任一項之電子零件,其係以該複數個絕緣體層之積層方向與電路基板之構裝面成為平行之方式構裝於電路基板上。
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