TWI478213B - Charge particle beam drawing device and charged particle beam drawing method - Google Patents

Charge particle beam drawing device and charged particle beam drawing method Download PDF

Info

Publication number
TWI478213B
TWI478213B TW101142595A TW101142595A TWI478213B TW I478213 B TWI478213 B TW I478213B TW 101142595 A TW101142595 A TW 101142595A TW 101142595 A TW101142595 A TW 101142595A TW I478213 B TWI478213 B TW I478213B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
opening
particle beam
charged particle
drawing device
aperture
Prior art date
Application number
TW101142595A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201338015A (zh
Inventor
Takanao Touya
Munehiro Ogasawara
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Publication of TW201338015A publication Critical patent/TW201338015A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI478213B publication Critical patent/TWI478213B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices
    • G21K5/08—Holders for targets or for other objects to be irradiated
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31774—Multi-beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31776—Shaped beam

Description

荷電粒子束描畫裝置及荷電粒子束描畫方法
本發明係關於荷電粒子束描畫裝置及荷電粒子束描畫方法。
擔負半導體裝置之微細化進展之微影技術，在半導體製造製程中，也是產生圖案之極為重要的製程。近年來，伴隨LSI之高集成化，半導體裝置所被要求之電路線寬年年更為微細化。為了要對此等半導體裝置形成所期望之電路圖案，需要高精度的原圖圖案(也稱為網線或光罩)。此處，電子線(電子束)描畫技術，本質上具有優異的解析性，被使用於高精度的原圖圖案的產生。
於上述之電子束描畫中，被要求更高精度的試料面內，例如光罩面內的線寬均勻性。此處於此種電子束描畫中，基於電子在偏向器被充電，電子束產生漂移，產生描畫的位置精度劣化的現象。
為了提升描畫的位置精度，則需抑制電子束之漂移。
於專利文獻1揭示有：使用電子束遮蔽能力高之鎢來製造孔隙，來提高孔隙開口部的加工精度的技術。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平6-120126號公報
電子束漂移產生之原因，被認為是，存在有透過形成電子束之孔隙而散射的電子。為了抑制電子之散射，可以考慮使孔隙變厚。但是，會產生孔隙的開口部之端部(邊緣部)的加工精度惡化，電子束的成形精度劣化的問題。
本發明係考慮上述情形所完成者，其目的在於提供：可以兼顧荷電粒子束的成形精度的確保，及荷電粒子束的漂移抑制的荷電粒子束描畫裝置及荷電粒子束描畫方法。
本發明之一型態的荷電粒子束描畫裝置，其特徵為具備：可以載置試料之工作台、及射出照射試料之荷電粒子束之照射部、及具有第1開口部，形成前述荷電粒子束之孔隙，前述孔隙係具有第1構件與第2構件之層積構造，前述第2構件的前述第1開口部端部的位置，係對於前述第1構件的前述第1開口部端部的位置更為後退。
於上述型態之荷電粒子束描畫裝置中，以前述第2構件的荷電粒子束透過率比前述第1構件小為佳。
於上述型態之荷電粒子束描畫裝置中，其中進而具備：面積比前述第1開口部小的第2開口部、及和前述第2開口部相同形狀的第3開口部，前述第2構件的前述第2及第3開口部端部的位置，各別對於前述第1構件的前述第2及第3開口部端部的位置更為後退。
於上述型態之荷電粒子束描畫裝置中，於前述第1開口部端部，以前述第1構件和前述第2構件之邊界具有空隙為佳。
本發明之一型態之荷電粒子束描畫方法，係將試料載置於工作台，朝向前述試料射出荷電粒子束，利用具有第1開口部之孔隙，來形成前述荷電粒子束的荷電粒子束描畫方法，其特徵為：前述孔隙係具有第1構件及第2構件的層積構造，前述第2構件的前述第1開口部端部的位置，係對於前述第1構件的前述第1開口部端部的位置更為後退。
如依據本發明，可以提供：能兼顧荷電粒子束的成形精度的確保，及荷電粒子束的漂移抑制的荷電粒子束描畫裝置及荷電粒子束描畫方法。
以下，一面參照圖面一面說明本發明之實施型態。以下，於實施型態中，作為荷電粒子束之一例，就使用電子束之構造做說明。但是，荷電粒子束並不限定於電子束，也可以使用離子束等之荷電粒子之離子束。
本說明書中，所謂描畫資料，係描畫於試料之圖案的基本資料。描畫資料係將以CAD等由設計者所產生的設計資料，轉換為可在描畫裝置內進行運算處理的格式之資 料。圖形等的描畫圖案，例如係被以圖形的頂點等之座標定義。
(第1實施型態)
本實施型態之荷電粒子束描畫裝置，係具備：可以載置試料之工作台、及射出照射試料之荷電粒子束之照射部、及具有第1開口部，形成荷電粒子束之孔隙，孔隙係具有第1構件與第2構件之層積構造。第2構件的前述第1開口部端部的位置，係對於第1構件的第1開口部端部的位置更為後退。
本實施型態之荷電粒子束描畫裝置，係具備第1構件和第2構件之層積構造。然後，藉由將第1構件的開口部端部做得薄些，可以確保開口部端部的加工精度。另一方面，藉由層積開口部端部的位置對於第1構件較為後退之第2構件，可以提升孔隙的電子束阻止能力。因此，可以抑制電子通過孔隙而散射所引起的電子束之漂移。
第2圖係表示本實施型態之描畫裝置的構造概念圖。
第2圖中，描畫裝置100係具備：描畫部150及控制部160。描畫裝置100係成為荷電粒子束描畫裝置的一例。描畫裝置100係對試料101描畫所期望之圖案。
描畫部150係具有：電子鏡筒102、描畫室103。於電子鏡筒102內配置有：電子槍201、照明透鏡202、遮蔽(BLK)偏向器212、遮蔽(BLK)孔隙214、第1孔隙203、投影透鏡204、偏向器205、第2孔隙206、物鏡 207、及偏向器208。
於描畫室103內配置有可被移動地配置之XY工作台105。另外，於XY工作台105上配置有試料101。作為試料101，例如包含於晶圓轉印圖案之曝光用的光罩。作為光罩，則包含還未被做任何描畫之空白光罩。
控制部160係具有：驅動電路108、磁碟裝置109、偏向控制電路110、數位類比轉換器(DAC)112、114、116、控制計算機120、及記憶體121。
對控制計算機120輸入被記憶於磁碟裝置109之描畫資料。被輸入控制計算機120之資訊或運算處理中及處理後的各資訊，每次被記憶於記憶體121。
記憶體121、偏向控制電路110、磁碟裝置109、140介由未圖示出之匯流排被連接於控制計算機120。偏向控制電路110被連接於DAC112、114、116。DAC112被連接於BLK偏向器212。DAC114被連接於偏向器205。DAC116被連接於偏向器208。
第2圖中，針對說明本實施型態上所必要的構造部分做記載。對於描畫裝置100，不用說通常包含必要的其它構造。
第3圖係說明本實施型態之可變成形電子描畫的動作圖。以下，一面參照第2圖、第3圖，一面說明藉由描畫裝置100之描畫方法。
電子束200從成為照射部的一例之電子槍201被射出。從電子槍201射出之電子束200，係藉由照明透鏡 202照明具有矩形，例如長方形的孔之第1孔隙203全體。
於第1孔隙203形成有用以使電子束200成形之矩形，例如長方形的開口部411。於此處，將電子束200形成為長方形。
然後，通過第1孔隙203之第1孔隙影像之電子束200，係藉由投影透鏡204被投影於第2孔隙206上。於第2孔隙206形成有將通過開口411之電子束200成形為所期望的矩形形狀之開口部421。
在第2孔隙206上之第1孔隙影像的位置，係藉由偏向器205(第2圖)被偏向控制。然後，通過開口部421的特定的一部份，可以使電子束形狀與尺寸改變。其結果，電子束200被形成。
然後，通過第2孔隙206之第2孔隙影像的電子束200，係藉由物鏡207(第2圖)進行對焦，且藉由偏向器208被偏向。其結果，被照射於連續移動之XY工作台105上的試料101之所期望位置。
XY工作台105之移動，係藉由驅動電路108被驅動。偏向器205之偏向電壓係藉由偏向控制電路110及DAC114被控制。偏向器208的偏向電壓係藉由偏向控制電路110及DAC116被控制。
如此，可以通過開口411及可變形成開口421之兩方的矩形形狀，被描畫於試料101的描畫區域。將使通過開口411及可變形成開口421之兩方，來製作任意形狀之方 式稱為可變成形方式。
於此處，試料101上的電子束200，在達到使所期望的照射量射入試料101之照射時間t的情形，則如下述般予以遮蔽。即為了不對試料101上照射必要以上之電子束200，例如以靜電型BLK偏向器212使電子束200偏向，且以BLK孔隙214來截斷電子束200。藉此，使得電子束200不會到達試料101面上。BLK偏向器212的偏向電壓，係藉由偏向控制電路110及DAC112被控制。
電子束ON(遮蔽OFF)之情形，從電子槍201被射出之電子束200，以第2圖中之實線所示軌道前進。另一方面，在電子束OFF(遮蔽ON)之情形，從電子槍201射出之電子束200，以第2圖中之點線所示軌道前進。另外，電子鏡筒102內及描畫室103內，係藉由未圖示出之真空泵被抽真空，成為比大氣壓還低壓力之真空環境。
第1圖係表示本實施型態之孔隙的構造之模型圖。第1(a)圖為上視圖，第1(b)圖為第1(a)圖之AA剖面圖。
於本實施型態中，第2圖、第3圖之第1孔隙203或第2孔隙206可適用第1圖之孔隙10。
孔隙10係具備第1開口部12。電子束通過此第1開口部12被成形。第1(b)圖之剖面圖中之第1開口部12的大小，例如為20μm~50μm之程度。
孔隙10係具備第1構件14a及第2構件16a之層積構造。於本實施型態中，第2構件16a係位於電子槍201 側。即成為電子束被照射於第2構件16a的上面之構造。
第1構件14a及第2構件16a係以相同材料形成，例如係以矽形成。於加工時，可以適用既有的半導體製程、將雜質抑制得很低等因素，材料以使用矽為佳。例如也可以使用：氮化矽、碳化矽、鍺化矽等之半導體、金屬或金屬化合物。
然後如第1圖所示般，第2構件16a之第1開口部端部(開口部邊緣)的位置，係對於第1構件14a之第1開口部端部(開口部邊緣)的位置更為後退。換言之，第2構件16a的開口部，係比第1構件14a的開口部大，相互之開口部端部不重疊地被層積。
第11圖係先前技術的孔隙之剖面圖。如第11圖所示般，孔隙為單層，且開口部端部的孔隙之厚度在比較薄之情形，通過孔隙的電子散射，在偏向器被充電，成為電子束之漂移產生的原因。
第4圖係表示電子的透過率和矽膜厚的關係圖。電子束的射入能量假定為50keV。由第4圖可以明白，矽膜厚在1μm時，為100%，5μm時，為90%左右透過，但在20μm時，成為1%以下。如此，從抑制電子之透過的觀點，矽的孔隙之厚度，以20μm以上為佳。
如使孔隙的厚度變厚，孔隙的加工變得困難，孔隙的開口端部的加工精度降低。因此，電子束成形的精度降低，描畫精度劣化。例如，為了獲得微細的半導體產品用之光罩加工足夠的加工精度，孔隙的厚度，以5μm以下為 佳。
於本實施型態中，以加工精度為優先，將第1構件14a之開口部端部的膜厚設定為5μm以下。然後，藉由層積開口部端部的膜厚t2 比第1構件14a的開口部端部的膜厚t1 還厚的第2構件16b，使第2構件的荷電粒子束透過率比第1構件還小。藉此，可以充分遮蔽電子的通過。因此，可以一面保持孔隙的開口部邊緣的加工精度，一面抑制電子束的漂移。
例如，第1構件14a及第2構件16b都是矽的情形，膜厚t1 與膜厚t2 之和，以在20μm以上為佳。
第2構件16a之開口部端部從第1構件14b的開口部端部之後退量(第1(b)圖中之d)，從抑制電子的透過量之觀點，愈小愈好。後退量d，以5μm以下為佳，以3μm以下更佳。
後退量d如太小，擔心第2構件16a之開口端部會對孔隙特性造成影響。另外，藉由將第1構件14a與第2構件16b予以貼合來製造之情形，確保後退量之貼合變得困難。因此，後退量d以0.5μm以上為佳，以1μm以上更佳。
如依據本實施型態之荷電粒子束描畫裝置，得以實現兼顧荷電粒子束的成形精度之確保與荷電粒子束之漂移抑制的荷電粒子束描畫裝置。另外，如依據使用本實施型態之荷電粒子束描畫裝置的描畫方法，藉由荷電粒子束之成形精度的確保與荷電粒子束之漂移抑制，可以實現高精度 之描畫。
(第2實施型態)
本實施型態在第1構件與第2構件係以不同材料形成之外，係和第1實施型態相同。因此，與第1實施型態重複的內容，省略其說明。
第5圖係表示本實施型態的孔隙之構造的剖面模型圖。孔隙20的第1構件14b與第2構件16b係以不同材料形成。然後，第2構件16b的電子透過率，係比第1構件14b的電子透過率還小。
第1構件14b例如為矽。另外，第2構件16b係比矽不易透過電子的材料(原子量大的材料)。例如以電子遮蔽能力高、不易成為描畫裝置內的污染源之高熔點金屬，例如鉬、鎢、鉭等為佳。
如依據本實施型態，藉由將比第1構件14b不易透過電子的材料適用於第2構件16b，可以使第2構件16b的膜厚變薄。
(第3實施型態)
本實施型態在第1構件和第2構件係以同樣的製造方法形成以外，和第1實施型態相同。因此，與第1實施型態重複的內容，省略其說明。
第6圖係表示本實施型態之孔隙的構造之剖面模型圖。孔隙30之第1構件14c與第2構件16c，係以同樣的 製造方法所形成。以下，以第1構件14c及第2構件16c都是矽之情形為例做說明。
第7圖係表示本實施型態之孔隙的製造方法圖。首先，如第7(a)圖所示般，藉由蝕刻加工矽基板，形成第1構件14c。接著，如第7(b)圖所示般，以第1構件14c相同的製造方法，形成第2構件16c。之後，如第7(c)圖所示般，使第2構件16c反向，與第1構件14c接合。貼合可以使用接著劑，也可以鏡面研磨相互的表面予以壓著。
如依據本實施型態，以同樣的製程來製造第1構件14c與第2構件16c，孔隙的製造變得容易。
(第4實施型態)
本實施型態係在第1開口部端部，於第1構件和第2構件的邊界有空隙之外，與第1實施型態相同。因此，與第1實施型態重複的內容，省略其說明。
第8圖係表示本實施型態之孔隙的構造之剖面模型圖。如圖所示般，於第1開口部12之端部，在第1構件14d與第2構件16d的邊界，設置有空隙。
如依據本實施型態，在第2構件16d電子被遮蔽時，即使藉由電子的能量，第2構件16d高溫化而產生熱變形，在與在第1構件14d之間有空隙，此變形不易傳達至在第1構件14d，特別是其開口部端部。因此，在第1構件14d之變形不易產生，電子束成形的精度劣化受到抑 制。
空隙的尺寸，可考慮第2構件16d的熱變形對在第1構件14d之影響程度、加工的容易性等而適當地決定。例如，第8圖之橫方向的長度，為1μm~5μm，空隙的上下方向的寬度為0.5μm~2μm。
(第5實施型態)
本實施型態係進而具備：面積比第1開口部小之第2開口部、及和第2開口部相同形狀的第3開口部，除了第2構件的第2及第3開口部端部的位置，各別對於第1構件的第2及第3開口部端部的位置更為後退以外，和第1實施型態相同。因此，與第1實施型態重複的內容，省略其說明。
第9圖係表示本實施型態之孔隙的構造模型圖。第9(a)圖為上視圖，第9(b)圖為第9(a)圖的BB剖面圖。
孔隙50係具備：面積比第1開口部12小的第2開口部22、及和第2開口部22相同形狀的第3開口部24。第2開口部22與第3開口部24係在貼合第1構件14e與第2構件16e來製造孔隙時，作用為此2個開口部對位用之配合標記。因此，第1構件14e與第2構件16e之配合精度提高。
另外，面積小之第2開口部22或第3開口部24，例如也可作為監視電子束的束強度用之監視標記利用。從作 為監視標記利用的觀點，第2開口部22及第3開口部24雖以正方形或圓形為佳，但也可以採用長方形或其它形狀。
另外，從作為對位用之配合標記來利用的觀點，第2開口部22及第3開口部24之尺寸，係以小者為佳。由此觀點，第2開口部22及第3開口部24之邊或直徑，以在1μm以下為佳。
另外，進而藉由設置第4開口部，將配合標記做成3處，可以實現更高的配合精度。
如依據本實施型態，孔隙製造變得容易，製造精度提高。因此，例如可以容易地縮小從第1構件14e的開口部端部起之第2構件16e的後退量。進而電子束的強度分布之監視也成為可能。
(第6實施型態)
本實施型態在開口部的形狀不同以外，和第1實施型態相同。因此，與第1實施型態重複的內容，省略其說明。
第10圖係表示本實施型態的孔隙之構造的上面模型圖。孔隙60的開口部12，不是矩形，而是組合矩形和六角形之形狀。
如依據本實施型態，藉由和另外一片之例如矩形孔隙組合，不單可將電子束形成為矩形，也可以形成為三角形、其它的多角形。
以上，一面參照具體例，一面說明實施型態。但是本發明並不限定於此等之具體例。
另外，關於裝置構造或控制手法等，非本發明之說明直接必要部分等，雖省略其記載，但可以適當地選擇使用必要的裝置構造或控制手法。例如，關於控制描畫裝置100的控制部構造，雖省略其記載，但不用說可以適當地選擇使用必要的控制部構造。
其它具備本發明的要素，該業者可以適當地設計變更之全部的荷電粒子束描畫裝置及荷電粒子束描畫方法，係被包含於本發明之範圍。
10‧‧‧孔隙
12‧‧‧第1開口部
14a-f‧‧‧第1構件
16a-f‧‧‧第2構件
22‧‧‧第2開口部
24‧‧‧第3開口部
30‧‧‧孔隙
40‧‧‧孔隙
50‧‧‧孔隙
60‧‧‧孔隙
100‧‧‧描畫裝置
101‧‧‧試料
105‧‧‧XY工作台
200‧‧‧電子束(荷電粒子束)
201‧‧‧電子槍(照射部)
203‧‧‧第1孔隙
206‧‧‧第2孔隙
第1圖係表示第1實施型態之孔隙的構造模型圖。
第2圖係表示第1實施型態之描畫裝置的構造概念圖。
第3圖係說明第1實施型態之可變成形電子描畫的動作圖。
第4圖係表示電子之透過率和矽膜厚之關係圖。
第5圖係表示第2實施型態之孔隙構造的剖面模型圖。
第6圖係表示第3實施型態之孔隙構造的剖面模型圖。
第7圖係表示第3實施型態之孔隙的製造方法圖。
第8圖係表示第4實施型態之孔隙構造的剖面模型 圖。
第9圖係表示第5實施型態之孔隙構造模型圖。
第10圖係表示第6實施型態之孔隙構造的上面模型圖。
第11圖係先前技術的孔隙剖面圖。
10‧‧‧孔隙
12‧‧‧第1開口部
14a‧‧‧第1構件
16a‧‧‧第2構件

Claims (5)

  1. 一種荷電粒子束描畫裝置，其特徵為：具備：可以載置試料之工作台、及射出照射試料之荷電粒子束之照射部、及具有第1開口部，形成前述荷電粒子束之孔隙，及配置於前述工作台與前述孔隙之間的物鏡、前述孔隙係具有第1構件與被貼合於前述第1構件的第2構件之層積構造，前述第2構件的前述第1開口部端部的位置，係對於前述第1構件的前述第1開口部端部的位置後退0.5um以上、5um以下；由前述第2構件的前述第1開口部端部突出的前述第1構件的前述第1開口部端部，實質上係具有一定之厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之荷電粒子束描畫裝置，其中，前述第2構件之荷電粒子束透過率，係比前述第1構件還小。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之荷電粒子束描畫裝置，其中進而具備：面積比前述第1開口部小的第2開口部、及和前述第2開口部相同形狀的第3開口部，前述第2構件的前述第2及第3開口部端部的位置，各別對於前述第1構件的前述第2及第3開口部端部的位置更為後退。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之荷電粒子束描畫裝置，其中於前述第1開口部端部，在前述第1構件 和前述第2構件的邊界，有空隙。
  5. 一種荷電粒子束描畫方法，係將試料載置於工作台，朝向前述試料射出荷電粒子束，利用具有第1開口部之孔隙，來形成前述荷電粒子束，透過配置於前述工作台與前述孔隙之間的物鏡，將前述荷電粒子束照射至前述試料的荷電粒子束描畫方法，其特徵為：前述孔隙係具有第1構件及被貼合於前述第1構件的第2構件的層積構造，前述第2構件的前述第1開口部端部的位置，係對於前述第1構件的前述第1開口部端部的位置後退0.5um以上、5um以下；由前述第2構件的前述第1開口部端部突出的前述第1構件的前述第1開口部端部，實質上係具有一定之厚度。
TW101142595A 2011-12-07 2012-11-15 Charge particle beam drawing device and charged particle beam drawing method TWI478213B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011267800A JP5897888B2 (ja) 2011-12-07 2011-12-07 荷電粒子ビーム描画装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201338015A TW201338015A (zh) 2013-09-16
TWI478213B true TWI478213B (zh) 2015-03-21

Family

ID=48572280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101142595A TWI478213B (zh) 2011-12-07 2012-11-15 Charge particle beam drawing device and charged particle beam drawing method

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8791422B2 (zh)
JP (1) JP5897888B2 (zh)
KR (1) KR101456193B1 (zh)
TW (1) TWI478213B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9589762B2 (en) * 2012-06-01 2017-03-07 Siemens Aktiengesellschaft Deflection plate and deflection device for deflecting charged particles
JP6349944B2 (ja) * 2014-05-13 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
CN105070345A (zh) * 2015-08-28 2015-11-18 上海核工程研究设计院 一种可拆式辐照监督样品盒
CN111108582A (zh) * 2017-08-08 2020-05-05 Asml荷兰有限公司 带电粒子阻挡元件、包括这样的元件的曝光装置以及使用这样的曝光装置的方法
JP6819509B2 (ja) * 2017-08-10 2021-01-27 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP7219660B2 (ja) * 2019-04-09 2023-02-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及びアパーチャ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5097138A (en) * 1989-08-07 1992-03-17 Hitachi, Ltd. Electron beam lithography system and method
US6797956B2 (en) * 2002-01-10 2004-09-28 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Electron microscope with annular illuminating aperture

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0684492A (ja) * 1992-03-09 1994-03-25 Topcon Corp 電子顕微鏡
JP3288767B2 (ja) * 1992-09-30 2002-06-04 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置
JP3118390B2 (ja) 1995-03-16 2000-12-18 ホーヤ株式会社 転写マスクの製造方法
JPH08315760A (ja) * 1995-05-23 1996-11-29 Hitachi Ltd ビーム成形絞りとその作成方法およびこれを用いた荷電粒子ビーム露光装置
JP2785790B2 (ja) * 1996-02-23 1998-08-13 日本電気株式会社 荷電粒子ビーム露光装置用アパーチャマスクとその製造方法
JP3422226B2 (ja) * 1997-07-16 2003-06-30 凸版印刷株式会社 アパーチャ及びその製造方法
JP2908433B1 (ja) 1998-06-05 1999-06-21 株式会社東芝 ビーム成形用アパーチャマスク及び荷電ビーム露光装置
JP2000243335A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> アパーチャ保持機構
JP2002075849A (ja) * 2000-09-04 2002-03-15 Advantest Corp 電子ビーム露光装置、荷電粒子線を整形する部材及びその製造方法
JP2002141271A (ja) * 2000-11-01 2002-05-17 Advantest Corp 電子ビーム露光装置
JP2002237441A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Advantest Corp スリット製造方法、スリット、及び電子ビーム露光装置
DE602005012945D1 (de) * 2005-07-20 2009-04-09 Zeiss Carl Sms Gmbh Teilchenstrahlbelichtungssystem und Vorrichtung zur Strahlbeeinflussung
DE102005040267B4 (de) * 2005-08-24 2007-12-27 Universität Karlsruhe Verfahren zum Herstellen einer mehrschichtigen elektrostatischen Linsenanordnung, insbesondere einer Phasenplatte und derartige Phasenplatte
JP5275396B2 (ja) * 2011-03-17 2013-08-28 株式会社東芝 電子ビーム照射装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5097138A (en) * 1989-08-07 1992-03-17 Hitachi, Ltd. Electron beam lithography system and method
US6797956B2 (en) * 2002-01-10 2004-09-28 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Electron microscope with annular illuminating aperture

Also Published As

Publication number Publication date
US20130149646A1 (en) 2013-06-13
US8791422B2 (en) 2014-07-29
JP2013120833A (ja) 2013-06-17
KR101456193B1 (ko) 2014-11-03
JP5897888B2 (ja) 2016-04-06
KR20130064024A (ko) 2013-06-17
TW201338015A (zh) 2013-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI478213B (zh) Charge particle beam drawing device and charged particle beam drawing method
TWI399781B (zh) 荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法
JP7030663B2 (ja) 半導体装置及び荷電粒子線露光装置
TWI665707B (zh) Multi-charged particle beam shielding device and multi-charged particle beam irradiation device
JP5525936B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US8468473B1 (en) Method for high volume e-beam lithography
TW201707040A (zh) 多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法
TW200908089A (en) Writing method and charged particle beam writing apparatus
TWI743712B (zh) 多帶電粒子束描繪裝置
TW201351055A (zh) 荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法
KR20160000431A (ko) 표면 처리 장치
JP5662763B2 (ja) ステージ装置およびこれを用いた電子ビーム描画装置
JP5859951B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP7219660B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及びアパーチャ
JP2016149400A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置の評価方法
JP2010267725A (ja) 荷電粒子ビーム描画方法
US9343323B2 (en) Method of producing aperture member
JP2007048804A (ja) 荷電ビーム描画装置及び荷電ビームの成形方法
JP5010513B2 (ja) アライメントマーク判定装置、アライメントマーク生成装置、描画装置及び描画方法
JP4649187B2 (ja) 荷電ビーム描画データの作成方法、荷電ビーム描画方法および荷電ビーム描画装置
JP2010135248A (ja) 荷電粒子ビームの評価基板
JP2013115373A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
US10459355B2 (en) Template substrate and manufacturing method thereof
WO2021100132A1 (ja) ラメラグリッドおよび解析システム
JP2010212583A (ja) 成形アパーチャ部材のクリーニング方法及び描画方法