JP2002075849A - 電子ビーム露光装置、荷電粒子線を整形する部材及びその製造方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置、荷電粒子線を整形する部材及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 荷電粒子線の断面形状を所望の形状に整形で
きる部材を提供する。 【解決手段】 略平行な２辺を有する第１の溝部２１０
と、略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を有する
第２の溝部２２０とを含み、略平行な２辺と、略垂直に
重なる２辺とが形成する領域は、部材を貫通する貫通部
２３０を形成することを特徴とする部材２００。第２の
溝部２２０は、第１の溝部２１０が設けられた面と反対
の面に設けられることが好ましい。
きる部材を提供する。 【解決手段】 略平行な２辺を有する第１の溝部２１０
と、略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を有する
第２の溝部２２０とを含み、略平行な２辺と、略垂直に
重なる２辺とが形成する領域は、部材を貫通する貫通部
２３０を形成することを特徴とする部材２００。第２の
溝部２２０は、第１の溝部２１０が設けられた面と反対
の面に設けられることが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線整形部
材及びその製造方法に関する。特に本発明は、荷電粒子
線を精度よく矩形形状に整形できる部材に関する。
材及びその製造方法に関する。特に本発明は、荷電粒子
線を精度よく矩形形状に整形できる部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、電子ビームの断面形状を整形す
る開口領域を有する従来の部材５００を示す。部材５０
０は、略平行に設けられた２枚のブレード５０２と、ブ
レード５０２に対して略垂直に設けられた２枚のブレー
ド５０４とを備える。２枚のブレード５０２と、２枚の
ブレード５０４とが形成する開口領域に電子ビームを照
射することにより、電子ビームの断面形状を矩形に整形
する。
る開口領域を有する従来の部材５００を示す。部材５０
０は、略平行に設けられた２枚のブレード５０２と、ブ
レード５０２に対して略垂直に設けられた２枚のブレー
ド５０４とを備える。２枚のブレード５０２と、２枚の
ブレード５０４とが形成する開口領域に電子ビームを照
射することにより、電子ビームの断面形状を矩形に整形
する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図１に示す従来の電子
ビームの断面形状を整形する部材５００は、精密機械加
工技術を用いて作成される。しかしながら、近年、半導
体デバイスなどの電子デバイスの微細化に伴い、例えば
電子ビーム露光装置においては、電子ビームを微小な矩
形形状に整形しなくてはならず、精密機械加工により当
該部材を作成するのが困難になってきている。また、近
年、複数の電子ビームを用いて露光処理を行う電子ビー
ム露光装置の開発が進んでいる。しかしながら、従来の
精密機械加工技術を用いて作成された部材５００では、
複数の電子ビームを精度よく矩形形状に整形する複数の
開口領域を、細かいピッチで、かつ所望の位置に設ける
ことが非常に困難であり、電子ビーム露光装置を実用化
する上で、非常に大きな障害となっている。
ビームの断面形状を整形する部材５００は、精密機械加
工技術を用いて作成される。しかしながら、近年、半導
体デバイスなどの電子デバイスの微細化に伴い、例えば
電子ビーム露光装置においては、電子ビームを微小な矩
形形状に整形しなくてはならず、精密機械加工により当
該部材を作成するのが困難になってきている。また、近
年、複数の電子ビームを用いて露光処理を行う電子ビー
ム露光装置の開発が進んでいる。しかしながら、従来の
精密機械加工技術を用いて作成された部材５００では、
複数の電子ビームを精度よく矩形形状に整形する複数の
開口領域を、細かいピッチで、かつ所望の位置に設ける
ことが非常に困難であり、電子ビーム露光装置を実用化
する上で、非常に大きな障害となっている。
【０００４】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできる荷電粒子線整形部材及びその製造方法を提供
することを目的とする。この目的は特許請求の範囲にお
ける独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成され
る。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定す
る。
とのできる荷電粒子線整形部材及びその製造方法を提供
することを目的とする。この目的は特許請求の範囲にお
ける独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成され
る。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定す
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第１の形
態によると、荷電粒子線の断面形状を整形する貫通部を
有する部材であって、略平行な２辺を有する第１の溝部
と、略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を有する
第２の溝部とを含み、略平行な２辺と、略垂直に重なる
２辺とが形成する領域は、部材を貫通する貫通部を形成
することを特徴とする部材を提供する。
態によると、荷電粒子線の断面形状を整形する貫通部を
有する部材であって、略平行な２辺を有する第１の溝部
と、略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を有する
第２の溝部とを含み、略平行な２辺と、略垂直に重なる
２辺とが形成する領域は、部材を貫通する貫通部を形成
することを特徴とする部材を提供する。
【０００６】更に、第２の溝部は、第１の溝部が設けら
れた面と反対の面に設けられることが好ましく、また、
略平行な２辺の間隔と、略垂直に重なる２辺の間隔は、
実質的に等しいことが好ましく、また、複数の貫通部を
有することが好ましい。
れた面と反対の面に設けられることが好ましく、また、
略平行な２辺の間隔と、略垂直に重なる２辺の間隔は、
実質的に等しいことが好ましく、また、複数の貫通部を
有することが好ましい。
【０００７】本発明の第２の形態によると、荷電粒子線
の断面形状を整形する貫通部を有する部材であって、略
平行な２辺と、略平行な２辺に対して略垂直な２辺とを
含む開口部を有する基材と、開口部に内接するように設
けられた内接部材とを含み、内接部材は更に内側に、開
口部よりも頂角が鋭く、部材を貫通する貫通部を有する
ことを特徴とする部材を提供する。
の断面形状を整形する貫通部を有する部材であって、略
平行な２辺と、略平行な２辺に対して略垂直な２辺とを
含む開口部を有する基材と、開口部に内接するように設
けられた内接部材とを含み、内接部材は更に内側に、開
口部よりも頂角が鋭く、部材を貫通する貫通部を有する
ことを特徴とする部材を提供する。
【０００８】本発明の第３の形態によると、荷電粒子線
の断面形状を整形する貫通部を有する部材の製造方法で
あって、略平行な２辺を含む第１の開口部を有する第１
の膜を、基板に形成する工程と、略平行な２辺に対して
略垂直に重なる２辺を含み、略平行な２辺と略垂直に重
なる２辺とが形成する領域が、部材を貫通する貫通部を
形成する第２の開口部を有する第２の膜を、第１の膜に
形成する工程と、基板を剥離する工程とを備えることを
特徴とする部材の製造方法を提供する。
の断面形状を整形する貫通部を有する部材の製造方法で
あって、略平行な２辺を含む第１の開口部を有する第１
の膜を、基板に形成する工程と、略平行な２辺に対して
略垂直に重なる２辺を含み、略平行な２辺と略垂直に重
なる２辺とが形成する領域が、部材を貫通する貫通部を
形成する第２の開口部を有する第２の膜を、第１の膜に
形成する工程と、基板を剥離する工程とを備えることを
特徴とする部材の製造方法を提供する。
【０００９】更に、第１の膜を形成する工程は、基板の
第１の開口部を形成する領域に、第１のレジストパター
ンを形成する工程と、基板に、選択的に第１の膜を形成
する工程とを含み、第２の膜を形成する工程は、第１の
膜及び第１のレジストパターンの第２の開口部を形成す
る領域に、第２のレジストパターンを形成する工程と、
第１の膜に、選択的に第２の膜を形成する工程とを含ん
でもよい。
第１の開口部を形成する領域に、第１のレジストパター
ンを形成する工程と、基板に、選択的に第１の膜を形成
する工程とを含み、第２の膜を形成する工程は、第１の
膜及び第１のレジストパターンの第２の開口部を形成す
る領域に、第２のレジストパターンを形成する工程と、
第１の膜に、選択的に第２の膜を形成する工程とを含ん
でもよい。
【００１０】また、基板は、導電性を有する材料により
形成され、第１の膜、及び第２の膜は、電鋳により形成
されてもよく、また、第１の膜は、第１のレジストパタ
ーンより厚く形成され、第２の膜は、第２のレジストパ
ターンより厚く形成されてもよい。また、基板から、第
１の膜を剥離する工程を更に備え、第２の膜は、第１の
膜が基板に接触していた面に形成されてもよい。
形成され、第１の膜、及び第２の膜は、電鋳により形成
されてもよく、また、第１の膜は、第１のレジストパタ
ーンより厚く形成され、第２の膜は、第２のレジストパ
ターンより厚く形成されてもよい。また、基板から、第
１の膜を剥離する工程を更に備え、第２の膜は、第１の
膜が基板に接触していた面に形成されてもよい。
【００１１】本発明の第４の形態によると、荷電粒子線
の断面形状を整形する貫通部を有する部材の製造方法で
あって、略平行な２辺を有する第１の溝部を基材に形成
する工程と、略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺
を含み、略平行な２辺と略垂直に重なる２辺とが形成す
る領域が、基材を貫通する貫通部を形成するように第２
の溝部を基材に形成する工程とを備えることを特徴とす
る部材の製造方法を提供する。更に、第２の溝部は、第
１の溝部が形成された基材の面と反対の面に形成される
ことが好ましい。
の断面形状を整形する貫通部を有する部材の製造方法で
あって、略平行な２辺を有する第１の溝部を基材に形成
する工程と、略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺
を含み、略平行な２辺と略垂直に重なる２辺とが形成す
る領域が、基材を貫通する貫通部を形成するように第２
の溝部を基材に形成する工程とを備えることを特徴とす
る部材の製造方法を提供する。更に、第２の溝部は、第
１の溝部が形成された基材の面と反対の面に形成される
ことが好ましい。
【００１２】本発明の第５の形態によると、荷電粒子線
の断面形状を整形する貫通部を有する部材の製造方法で
あって、略平行な２辺と、略平行な２辺に対して略垂直
な２辺とを含む開口部を基材に形成する工程と、開口部
に内接する内接部材を形成する工程とを備え、内接部材
は、開口部よりも頂角が鋭く、部材を貫通する貫通部を
形成するように設けられることを特徴とする部材の製造
方法を提供する。
の断面形状を整形する貫通部を有する部材の製造方法で
あって、略平行な２辺と、略平行な２辺に対して略垂直
な２辺とを含む開口部を基材に形成する工程と、開口部
に内接する内接部材を形成する工程とを備え、内接部材
は、開口部よりも頂角が鋭く、部材を貫通する貫通部を
形成するように設けられることを特徴とする部材の製造
方法を提供する。
【００１３】本発明の第６の形態によると、電子ビーム
を用いて、ウェハに所望のパターンを露光する電子ビー
ム露光装置であって、電子ビームを発生する電子銃と、
電子ビームの焦点を調整する電子レンズと、電子ビーム
を所望の位置に偏向させる偏向器と、電子ビームの断面
形状を整形する整形部材と、ウェハを載置するウェハス
テージとを備え、整形部材は、略平行な２辺を有する第
１の溝部と、略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺
を有する第２の溝部とを含み、略平行な２辺と、略垂直
に重なる２辺とが形成する領域は、部材を貫通する貫通
部を形成し、電子ビームは、貫通部を通過して整形され
ることを特徴とする電子ビーム露光装置を提供する。
を用いて、ウェハに所望のパターンを露光する電子ビー
ム露光装置であって、電子ビームを発生する電子銃と、
電子ビームの焦点を調整する電子レンズと、電子ビーム
を所望の位置に偏向させる偏向器と、電子ビームの断面
形状を整形する整形部材と、ウェハを載置するウェハス
テージとを備え、整形部材は、略平行な２辺を有する第
１の溝部と、略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺
を有する第２の溝部とを含み、略平行な２辺と、略垂直
に重なる２辺とが形成する領域は、部材を貫通する貫通
部を形成し、電子ビームは、貫通部を通過して整形され
ることを特徴とする電子ビーム露光装置を提供する。
【００１４】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
【００１６】図２は、本発明の一実施形態に係る電子ビ
ーム露光装置１００の構成を示す。電子ビーム露光装置
１００は、電子ビームによりウェハ４４に所定の露光処
理を施すための露光部１５０と、露光部１５０に含まれ
る各構成の動作を制御する制御系１４０を備える。
ーム露光装置１００の構成を示す。電子ビーム露光装置
１００は、電子ビームによりウェハ４４に所定の露光処
理を施すための露光部１５０と、露光部１５０に含まれ
る各構成の動作を制御する制御系１４０を備える。
【００１７】露光部１５０は、筐体８内部で、複数の電
子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に整形
する電子ビーム整形手段１１０と、複数の電子ビームを
ウェハ４４に照射するか否かを、電子ビーム毎に独立に
切替える照射切替手段１１２と、ウェハ４４に転写され
るパターンの像の向き及びサイズを調整するウェハ用投
影系１１４を含む電子光学系を備える。また、露光部１
５０は、パターンを露光すべきウェハ４４を載置するウ
ェハステージ４６と、ウェハステージ４６を駆動するウ
ェハステージ駆動部４８とを含むステージ系を備える。
子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に整形
する電子ビーム整形手段１１０と、複数の電子ビームを
ウェハ４４に照射するか否かを、電子ビーム毎に独立に
切替える照射切替手段１１２と、ウェハ４４に転写され
るパターンの像の向き及びサイズを調整するウェハ用投
影系１１４を含む電子光学系を備える。また、露光部１
５０は、パターンを露光すべきウェハ４４を載置するウ
ェハステージ４６と、ウェハステージ４６を駆動するウ
ェハステージ駆動部４８とを含むステージ系を備える。
【００１８】電子ビーム整形手段１１０は、複数の電子
ビームを発生させる電子銃１０と、電子ビームを通過さ
せることにより、電子ビームの断面形状を所望の形状に
整形する複数の貫通部を有する部材である第１整形部材
１４及び第２整形部材２２と、複数の電子ビームを独立
に収束し、電子ビームの焦点を調整する第１多軸電子レ
ンズ１６と、第１整形部材１４を通過した複数の電子ビ
ームを独立に偏向する第１整形偏向部１８及び第２整形
偏向部２０とを有する。
ビームを発生させる電子銃１０と、電子ビームを通過さ
せることにより、電子ビームの断面形状を所望の形状に
整形する複数の貫通部を有する部材である第１整形部材
１４及び第２整形部材２２と、複数の電子ビームを独立
に収束し、電子ビームの焦点を調整する第１多軸電子レ
ンズ１６と、第１整形部材１４を通過した複数の電子ビ
ームを独立に偏向する第１整形偏向部１８及び第２整形
偏向部２０とを有する。
【００１９】第１整形部材１４及び第２整形部材２２
は、電子ビームの断面形状を所望の形状に整形する部材
であって、略平行な２辺を有する第１の溝部と、当該略
平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を有する第２の
溝部とを含み、当該略平行な２辺と、当該略垂直に重な
る２辺とが形成する領域は、当該部材を貫通する貫通部
を有することが望ましい。
は、電子ビームの断面形状を所望の形状に整形する部材
であって、略平行な２辺を有する第１の溝部と、当該略
平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を有する第２の
溝部とを含み、当該略平行な２辺と、当該略垂直に重な
る２辺とが形成する領域は、当該部材を貫通する貫通部
を有することが望ましい。
【００２０】第１整形部材１４及び第２整形部材２２
は、電子ビームが照射される面に、接地された白金など
の金属膜を有してもよい。第１整形部材１４及び第２整
形部材２２を形成する材料及び／又は当該金属膜は、高
融点金属材料であることが望ましい。第１整形部材１４
及び第２整形部材２２に含まれる複数の開口部の断面形
状は、電子ビームを効率よく通過させるために、電子ビ
ームの照射方向に沿って広がりを有してもよい。
は、電子ビームが照射される面に、接地された白金など
の金属膜を有してもよい。第１整形部材１４及び第２整
形部材２２を形成する材料及び／又は当該金属膜は、高
融点金属材料であることが望ましい。第１整形部材１４
及び第２整形部材２２に含まれる複数の開口部の断面形
状は、電子ビームを効率よく通過させるために、電子ビ
ームの照射方向に沿って広がりを有してもよい。
【００２１】照射切替手段１１２は、複数の電子ビーム
を独立に収束し、電子ビームの焦点を調整する第２多軸
電子レンズ２４と、複数の電子ビームを、電子ビーム毎
に独立に偏向させることにより、電子ビームをウェハ４
４に照射するか否かを、電子ビーム毎に独立に切替える
ブランキング・アパーチャ・アレイ（ＢＡＡ）デバイス
２６と、電子ビームを通過させる複数の開口部を含み、
ＢＡＡデバイス２６で偏向された電子ビームを遮蔽する
電子ビーム遮蔽部材２８とを有する。電子ビーム遮蔽部
材２８に含まれる複数の開口部の断面形状は、電子ビー
ムを効率良く通過させるために、電子ビームの照射方向
に沿って広がりを有してもよい。
を独立に収束し、電子ビームの焦点を調整する第２多軸
電子レンズ２４と、複数の電子ビームを、電子ビーム毎
に独立に偏向させることにより、電子ビームをウェハ４
４に照射するか否かを、電子ビーム毎に独立に切替える
ブランキング・アパーチャ・アレイ（ＢＡＡ）デバイス
２６と、電子ビームを通過させる複数の開口部を含み、
ＢＡＡデバイス２６で偏向された電子ビームを遮蔽する
電子ビーム遮蔽部材２８とを有する。電子ビーム遮蔽部
材２８に含まれる複数の開口部の断面形状は、電子ビー
ムを効率良く通過させるために、電子ビームの照射方向
に沿って広がりを有してもよい。
【００２２】ウェハ用投影系１１４は、複数の電子ビー
ムを独立に収束し、電子ビームの照射径を縮小する第３
多軸電子レンズ３４と、複数の電子ビームを独立に収束
し、電子ビームの焦点を調整する第４多軸電子レンズ３
６と、複数の電子ビームを、ウェハ４４の所望の位置
に、電子ビーム毎に独立に偏向する副偏向部３８と、対
物レンズとして機能する、電子ビームを収束する第１コ
イル４０及び第２コイル５０を有する同軸レンズ５２
と、複数の電子ビームを、略同一の方向に所望量だけ偏
向させる主偏向部４２とを有する。主偏向部４２は、電
界を利用して高速に複数の電子ビームを偏向することが
可能な静電型偏向器であることが好ましく、対向する４
組の電極を有する円筒型均等８極型の構成、もしくは８
極以上の電極を含む構成を有することがさらに好まし
い。また、同軸レンズ５２は、ウェハ４４に対して、多
軸電子レンズより近傍に設けられることが好ましい。
ムを独立に収束し、電子ビームの照射径を縮小する第３
多軸電子レンズ３４と、複数の電子ビームを独立に収束
し、電子ビームの焦点を調整する第４多軸電子レンズ３
６と、複数の電子ビームを、ウェハ４４の所望の位置
に、電子ビーム毎に独立に偏向する副偏向部３８と、対
物レンズとして機能する、電子ビームを収束する第１コ
イル４０及び第２コイル５０を有する同軸レンズ５２
と、複数の電子ビームを、略同一の方向に所望量だけ偏
向させる主偏向部４２とを有する。主偏向部４２は、電
界を利用して高速に複数の電子ビームを偏向することが
可能な静電型偏向器であることが好ましく、対向する４
組の電極を有する円筒型均等８極型の構成、もしくは８
極以上の電極を含む構成を有することがさらに好まし
い。また、同軸レンズ５２は、ウェハ４４に対して、多
軸電子レンズより近傍に設けられることが好ましい。
【００２３】制御系１４０は、統括制御部１３０及び個
別制御部１２０を備える。個別制御部１２０は、電子ビ
ーム制御部８０と、多軸電子レンズ制御部８２と、整形
偏向制御部８４と、ＢＡＡデバイス制御部８６と、同軸
レンズ制御部９０と、副偏向制御部９２と、主偏向制御
部９４と、ウェハステージ制御部９６とを有する。統括
制御部１３０は、例えばワークステーションであって、
個別制御部１２０に含まれる各制御部を統括制御する。
電子ビーム制御部８０は、電子ビーム発生部１０を制御
する。多軸電子レンズ制御部８２は、第１多軸電子レン
ズ１６、第２多軸電子レンズ２４、第３多軸電子レンズ
３４及び第４多軸電子レンズ３６に供給する電流を制御
する。
別制御部１２０を備える。個別制御部１２０は、電子ビ
ーム制御部８０と、多軸電子レンズ制御部８２と、整形
偏向制御部８４と、ＢＡＡデバイス制御部８６と、同軸
レンズ制御部９０と、副偏向制御部９２と、主偏向制御
部９４と、ウェハステージ制御部９６とを有する。統括
制御部１３０は、例えばワークステーションであって、
個別制御部１２０に含まれる各制御部を統括制御する。
電子ビーム制御部８０は、電子ビーム発生部１０を制御
する。多軸電子レンズ制御部８２は、第１多軸電子レン
ズ１６、第２多軸電子レンズ２４、第３多軸電子レンズ
３４及び第４多軸電子レンズ３６に供給する電流を制御
する。
【００２４】整形偏向制御部８４は、第１整形偏向部１
８及び第２整形偏向器２０を制御する。ＢＡＡデバイス
制御部８６は、ＢＡＡデバイス２６に含まれる偏向電極
に印加する電圧を制御する。同軸レンズ制御部９０は、
同軸レンズ５２に含まれる第１コイル４０及び第２コイ
ル５０に供給する電流を制御する。主偏向制御部９４
は、主偏向部４２に含まれる偏向電極に印加する電圧を
制御する。ウェハステージ制御部９６は、ウェハステー
ジ駆動部４８を制御し、ウェハステージ４６を所定の位
置に移動させる。
８及び第２整形偏向器２０を制御する。ＢＡＡデバイス
制御部８６は、ＢＡＡデバイス２６に含まれる偏向電極
に印加する電圧を制御する。同軸レンズ制御部９０は、
同軸レンズ５２に含まれる第１コイル４０及び第２コイ
ル５０に供給する電流を制御する。主偏向制御部９４
は、主偏向部４２に含まれる偏向電極に印加する電圧を
制御する。ウェハステージ制御部９６は、ウェハステー
ジ駆動部４８を制御し、ウェハステージ４６を所定の位
置に移動させる。
【００２５】本実施形態に係る電子ビーム露光装置１０
０の動作について説明する。まず、電子銃１０が、複数
の電子ビームを生成する。電子ビーム発生部１０におい
て、発生された電子ビームは、第１整形部材１４に照射
され、整形される。第１整形部材１４を通過した電子ビ
ームは、第１整形部材１４に含まれる貫通部の形状に対
応する矩形の断面形状をそれぞれ有する。
０の動作について説明する。まず、電子銃１０が、複数
の電子ビームを生成する。電子ビーム発生部１０におい
て、発生された電子ビームは、第１整形部材１４に照射
され、整形される。第１整形部材１４を通過した電子ビ
ームは、第１整形部材１４に含まれる貫通部の形状に対
応する矩形の断面形状をそれぞれ有する。
【００２６】第１多軸電子レンズ１６は、矩形に整形さ
れた複数の電子ビームを独立に収束し、第２整形部材２
２に対する電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独
立に行う。第１整形偏向部１８は、矩形に整形された複
数の電子ビームを、電子ビーム毎に独立して、第２整形
部材に対して所望の位置に偏向する。第２整形偏向部２
０は、第１整形偏向部１８で偏向された複数の電子ビー
ムを、電子ビーム毎に独立に第２整形部材２２に対して
略垂直方向に偏向する。その結果、電子ビームが、第２
整形部材２２の所望の位置に、第２整形部材２２に対し
て略垂直に照射されるように調整する。矩形形状を有す
る複数の貫通部を含む第２整形部材２２は、各貫通部に
照射された矩形の断面形状を有する複数の電子ビーム
を、ウェハ４４に照射されるべき所望の矩形の断面形状
を有する電子ビームにさらに整形する。
れた複数の電子ビームを独立に収束し、第２整形部材２
２に対する電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独
立に行う。第１整形偏向部１８は、矩形に整形された複
数の電子ビームを、電子ビーム毎に独立して、第２整形
部材に対して所望の位置に偏向する。第２整形偏向部２
０は、第１整形偏向部１８で偏向された複数の電子ビー
ムを、電子ビーム毎に独立に第２整形部材２２に対して
略垂直方向に偏向する。その結果、電子ビームが、第２
整形部材２２の所望の位置に、第２整形部材２２に対し
て略垂直に照射されるように調整する。矩形形状を有す
る複数の貫通部を含む第２整形部材２２は、各貫通部に
照射された矩形の断面形状を有する複数の電子ビーム
を、ウェハ４４に照射されるべき所望の矩形の断面形状
を有する電子ビームにさらに整形する。
【００２７】第２多軸電子レンズ２４は、複数の電子ビ
ームを独立に収束して、ＢＡＡデバイス２６に対する電
子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に行う。第
２多軸電子レンズ２４より焦点調整された電子ビーム
は、ＢＡＡデバイス２６に含まれる複数のアパーチャを
通過する。
ームを独立に収束して、ＢＡＡデバイス２６に対する電
子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に行う。第
２多軸電子レンズ２４より焦点調整された電子ビーム
は、ＢＡＡデバイス２６に含まれる複数のアパーチャを
通過する。
【００２８】ＢＡＡデバイス制御部８６は、ＢＡＡデバ
イス２６に形成された、各アパーチャの近傍に設けられ
た偏向電極に電圧を印加するか否かを制御する。ＢＡＡ
デバイス２６は、偏向電極に印加される電圧に基づい
て、電子ビームをウェハ４４に照射させるか否かを切替
える。電圧が印加されたときは、アパーチャを通過した
電子ビームは偏向され、電子ビーム遮蔽部材２８に含ま
れる開口部を通過できず、ウェハ４４に照射されない。
電圧が印加されないときには、アパーチャを通過した電
子ビームは偏向されず、電子ビーム遮蔽部材２８に含ま
れる開口部を通過することができ、電子ビームはウェハ
４４に照射される。
イス２６に形成された、各アパーチャの近傍に設けられ
た偏向電極に電圧を印加するか否かを制御する。ＢＡＡ
デバイス２６は、偏向電極に印加される電圧に基づい
て、電子ビームをウェハ４４に照射させるか否かを切替
える。電圧が印加されたときは、アパーチャを通過した
電子ビームは偏向され、電子ビーム遮蔽部材２８に含ま
れる開口部を通過できず、ウェハ４４に照射されない。
電圧が印加されないときには、アパーチャを通過した電
子ビームは偏向されず、電子ビーム遮蔽部材２８に含ま
れる開口部を通過することができ、電子ビームはウェハ
４４に照射される。
【００２９】ＢＡＡデバイス２６により偏向されない電
子ビームは、第３多軸電子レンズ３４により電子ビーム
径を縮小されて、電子ビーム遮蔽部材２８に含まれる開
口部を通過する。第４多軸電子レンズ３６が、複数の電
子ビームを独立に収束して、副偏向部３８に対する電子
ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に行い、焦点
調整をされた電子ビームは、副偏向部３８に含まれる偏
向器に入射される。
子ビームは、第３多軸電子レンズ３４により電子ビーム
径を縮小されて、電子ビーム遮蔽部材２８に含まれる開
口部を通過する。第４多軸電子レンズ３６が、複数の電
子ビームを独立に収束して、副偏向部３８に対する電子
ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に行い、焦点
調整をされた電子ビームは、副偏向部３８に含まれる偏
向器に入射される。
【００３０】副偏向制御部９２が、副偏向部３８に含ま
れる複数の偏向器を独立に制御する。副偏向部３８は、
複数の偏向器に入射される複数の電子ビームを、電子ビ
ーム毎に独立にウェハ４４の所望の露光位置に偏向す
る。副偏向部３８を通過した複数の電子ビームは、第１
コイル４０及び第２コイル５０を有する同軸レンズ５２
により、ウェハ４４に対する焦点が調整され、ウェハ４
４に照射される。
れる複数の偏向器を独立に制御する。副偏向部３８は、
複数の偏向器に入射される複数の電子ビームを、電子ビ
ーム毎に独立にウェハ４４の所望の露光位置に偏向す
る。副偏向部３８を通過した複数の電子ビームは、第１
コイル４０及び第２コイル５０を有する同軸レンズ５２
により、ウェハ４４に対する焦点が調整され、ウェハ４
４に照射される。
【００３１】露光処理中、ウェハステージ制御部９６
は、ウェハステージ駆動部４８を制御して、一定方向に
ウェハステージ４６を動かす。ＢＡＡデバイス制御部８
６は露光パターンデータに基づいて、電子ビームを通過
させるアパーチャを定め、各アパーチャに対する電力制
御を行う。ウェハ４４の移動に合わせて、電子ビームを
通過させるアパーチャを適宜、変更し、さらに主偏向部
４２及び副偏向部３８により電子ビームを偏向すること
により、ウェハ４４に所望の回路パターンを露光するこ
とが可能となる。
は、ウェハステージ駆動部４８を制御して、一定方向に
ウェハステージ４６を動かす。ＢＡＡデバイス制御部８
６は露光パターンデータに基づいて、電子ビームを通過
させるアパーチャを定め、各アパーチャに対する電力制
御を行う。ウェハ４４の移動に合わせて、電子ビームを
通過させるアパーチャを適宜、変更し、さらに主偏向部
４２及び副偏向部３８により電子ビームを偏向すること
により、ウェハ４４に所望の回路パターンを露光するこ
とが可能となる。
【００３２】本発明による電子ビーム露光装置１００
は、電子ビームの断面形状を所望の矩形形状に整形する
ことができる。そのため、例えば直線形状を有する配線
パターンを露光するときに、ウェハ４４に対して、電子
ビームをパルス的に照射して露光する場合であっても、
当該直線形状を露光することができる。また、本発明に
よる電子ビーム露光装置１００は、ブロック露光方式
や、ＢＡＡ方式といった露光装置であってもよい。
は、電子ビームの断面形状を所望の矩形形状に整形する
ことができる。そのため、例えば直線形状を有する配線
パターンを露光するときに、ウェハ４４に対して、電子
ビームをパルス的に照射して露光する場合であっても、
当該直線形状を露光することができる。また、本発明に
よる電子ビーム露光装置１００は、ブロック露光方式
や、ＢＡＡ方式といった露光装置であってもよい。
【００３３】図３は、図２を参照して、第１整形部材１
４及び第２整形部材２２である電子ビームなどの荷電粒
子線の断面形状を整形する複数の貫通部を有する部材２
００を示す。図３（ａ）は、部材２００の上面図を示
し、また、図３（ｂ）は、図３（ａ）中のＡＡ’におけ
る断面図を示す。
４及び第２整形部材２２である電子ビームなどの荷電粒
子線の断面形状を整形する複数の貫通部を有する部材２
００を示す。図３（ａ）は、部材２００の上面図を示
し、また、図３（ｂ）は、図３（ａ）中のＡＡ’におけ
る断面図を示す。
【００３４】部材２００は、図３（ａ）及び図３（ｂ）
に示すように、略平行な２辺を有する第１の溝部２１０
と、略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を有する
第２の溝部２２０とを含む。また、当該略平行な２辺
と、当該略垂直に重なる２辺とが形成する領域は、当該
部材を貫通する貫通部２３０を形成する。そして、照射
された電子ビームは、貫通部２３０を通過することによ
り所望の形状に整形される。具体的には、貫通部２３０
の形状、又は貫通部２３０が有する頂角の形状に整形さ
れる。
に示すように、略平行な２辺を有する第１の溝部２１０
と、略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を有する
第２の溝部２２０とを含む。また、当該略平行な２辺
と、当該略垂直に重なる２辺とが形成する領域は、当該
部材を貫通する貫通部２３０を形成する。そして、照射
された電子ビームは、貫通部２３０を通過することによ
り所望の形状に整形される。具体的には、貫通部２３０
の形状、又は貫通部２３０が有する頂角の形状に整形さ
れる。
【００３５】第２の溝部２２０は、図３（ｂ）に示すよ
うに、部材２００において、第１の溝部２１０が設けら
れた面と反対の面に設けられることが望ましい。また、
第１の溝部２１０が有する当該略平行な２辺の間隔と、
第２の溝部２２０が有する当該略垂直に重なる２辺の間
隔は、実質的に等しいことが好ましい。具体的には、貫
通部２３０は、部材２００を電子ビームが照射される方
向から見た場合に、実質的に正方形であることが好まし
い。他の実施形態において貫通部２３０は、他の矩形形
状を有してもよい。
うに、部材２００において、第１の溝部２１０が設けら
れた面と反対の面に設けられることが望ましい。また、
第１の溝部２１０が有する当該略平行な２辺の間隔と、
第２の溝部２２０が有する当該略垂直に重なる２辺の間
隔は、実質的に等しいことが好ましい。具体的には、貫
通部２３０は、部材２００を電子ビームが照射される方
向から見た場合に、実質的に正方形であることが好まし
い。他の実施形態において貫通部２３０は、他の矩形形
状を有してもよい。
【００３６】本発明による荷電粒子線の断面形状を整形
する部材２００は、第１の溝部２１０及び第２の溝部２
２０を有することより、直角又は略直角な頂角を有する
貫通部を形成することができる。そのため、照射された
当該荷電粒子線の断面形状を、直角又は略直角な頂角を
有する矩形形状に整形することができる。また、貫通部
２３０の形状を、微小な矩形形状に整形することがで
き、更に、部材２００の所望の位置に複数の貫通部２３
０を、非常に精度良く、かつ容易に形成することができ
る。また、複数の所望の形状を持つ貫通部２３０をそれ
ぞれ所望の位置に有する複数の部材２００を、同時に、
かつ容易に形成することができる。
する部材２００は、第１の溝部２１０及び第２の溝部２
２０を有することより、直角又は略直角な頂角を有する
貫通部を形成することができる。そのため、照射された
当該荷電粒子線の断面形状を、直角又は略直角な頂角を
有する矩形形状に整形することができる。また、貫通部
２３０の形状を、微小な矩形形状に整形することがで
き、更に、部材２００の所望の位置に複数の貫通部２３
０を、非常に精度良く、かつ容易に形成することができ
る。また、複数の所望の形状を持つ貫通部２３０をそれ
ぞれ所望の位置に有する複数の部材２００を、同時に、
かつ容易に形成することができる。
【００３７】図４は、貫通部２３０を有する部材２００
の他の実施例を示す。図４において右図は、部材２００
の上面図を示し、左図は当該上面図のＡＡ’における断
面図を示す。図４（ａ）に示すように、部材２００は、
第１の膜２０２及び第２の膜２０４を有してもよい。こ
のとき、第１の溝部２１０は、第１の膜２０２に設けら
れるのが好ましく、また、第２の溝部２２０は、第２の
膜２０４に設けられるのが好ましい。また、第１の溝部
２１０及び第２の溝部２２０は、それぞれ第１の膜２０
２及び第２の膜２０４を貫通する開口部であってよい。
の他の実施例を示す。図４において右図は、部材２００
の上面図を示し、左図は当該上面図のＡＡ’における断
面図を示す。図４（ａ）に示すように、部材２００は、
第１の膜２０２及び第２の膜２０４を有してもよい。こ
のとき、第１の溝部２１０は、第１の膜２０２に設けら
れるのが好ましく、また、第２の溝部２２０は、第２の
膜２０４に設けられるのが好ましい。また、第１の溝部
２１０及び第２の溝部２２０は、それぞれ第１の膜２０
２及び第２の膜２０４を貫通する開口部であってよい。
【００３８】図４（ｂ）に示すように、第１の膜２０２
及び第２の膜２０４は、それぞれ第１の溝部２１０及び
第２の溝部２２０に対して突出する突出部（２０６、２
０８）を有してもよい。突出部（２０６、２０８）は、
第１の膜２０２及び第２の膜２０４が庇形状を有するよ
うに形成されるのが好ましい。また、第１の膜２０２及
び第２の膜２０４が、それぞれ第１の溝部２１０及び第
２の溝部２２０に接する面における、突出部（２０６、
２０８）が設けられない領域の表面粗さより、突出部の
先端が形成する面の表面粗さは少ないことが好ましい。
例えば、第１の膜２０２及び第２の膜２０４は、電気め
っきや電着などの電鋳により形成されるのが好ましい。
及び第２の膜２０４は、それぞれ第１の溝部２１０及び
第２の溝部２２０に対して突出する突出部（２０６、２
０８）を有してもよい。突出部（２０６、２０８）は、
第１の膜２０２及び第２の膜２０４が庇形状を有するよ
うに形成されるのが好ましい。また、第１の膜２０２及
び第２の膜２０４が、それぞれ第１の溝部２１０及び第
２の溝部２２０に接する面における、突出部（２０６、
２０８）が設けられない領域の表面粗さより、突出部の
先端が形成する面の表面粗さは少ないことが好ましい。
例えば、第１の膜２０２及び第２の膜２０４は、電気め
っきや電着などの電鋳により形成されるのが好ましい。
【００３９】図４（ｃ）に示すように、開口部を有する
基材２１２と、当該開口部の内部に内接するように設け
られた内接部材２１４とを含み、内接部材２１４は更に
内側に、当該開口部よりも頂角が鋭く、部材２００を貫
通する貫通部２３０を有してもよい。当該開口部は、略
平行な２辺と、当該略平行な２辺に垂直な２辺とを含む
ことが好ましい。他の実施例において、内接部材２１４
は、部材２００の電子ビームが照射される面にも設けら
れてよく、また、部材２００の当該照射される面と反対
の面にも設けられてよい。内接部材２１４は、当該開口
部よりも、貫通部２３０が鋭い頂角を有するように設け
られればよい。
基材２１２と、当該開口部の内部に内接するように設け
られた内接部材２１４とを含み、内接部材２１４は更に
内側に、当該開口部よりも頂角が鋭く、部材２００を貫
通する貫通部２３０を有してもよい。当該開口部は、略
平行な２辺と、当該略平行な２辺に垂直な２辺とを含む
ことが好ましい。他の実施例において、内接部材２１４
は、部材２００の電子ビームが照射される面にも設けら
れてよく、また、部材２００の当該照射される面と反対
の面にも設けられてよい。内接部材２１４は、当該開口
部よりも、貫通部２３０が鋭い頂角を有するように設け
られればよい。
【００４０】図４（ｄ）に示すように、部材２００は、
開口部を有する基材２１２と、当該開口部の内部に突出
するように設けられた突出部２１６とを含み、突出部２
１６が形成する領域と、当該開口部とが貫通部２３０を
形成してもよい。当該開口部は、略平行な２辺と、当該
略平行な２辺に垂直な２辺とを含むことが好ましい。ま
た、突出部２１６が形成する領域が有する頂角は、当該
開口部が有する頂角より鋭いことが好ましい。また、突
出部２１６の先端が形成する面の表面粗さは、基材２１
２が当該開口部に接する面の表面粗さより少ないことが
更に好ましい。例えば、基材２１２を電鋳により形成
し、突出部２１６を設けることにより、突出部２１６の
先端が形成する面の表面粗さを少なくすることができ
る。そして、部材２００は、照射された荷電粒子線の断
面形状を、略直角な頂角及び略直線な辺を有する矩形形
状に整形することができる。
開口部を有する基材２１２と、当該開口部の内部に突出
するように設けられた突出部２１６とを含み、突出部２
１６が形成する領域と、当該開口部とが貫通部２３０を
形成してもよい。当該開口部は、略平行な２辺と、当該
略平行な２辺に垂直な２辺とを含むことが好ましい。ま
た、突出部２１６が形成する領域が有する頂角は、当該
開口部が有する頂角より鋭いことが好ましい。また、突
出部２１６の先端が形成する面の表面粗さは、基材２１
２が当該開口部に接する面の表面粗さより少ないことが
更に好ましい。例えば、基材２１２を電鋳により形成
し、突出部２１６を設けることにより、突出部２１６の
先端が形成する面の表面粗さを少なくすることができ
る。そして、部材２００は、照射された荷電粒子線の断
面形状を、略直角な頂角及び略直線な辺を有する矩形形
状に整形することができる。
【００４１】図５は、本発明の一実施形態に係る荷電粒
子線の断面形状を整形する貫通部を有する部材２００の
製造方法を示す。図５において右図は、それぞれの製造
工程における部材２００の上面図を示し、左図は当該上
面図のＡＡ’における断面図を示す。まず、基板２３２
を用意する。基板２３２は、基材２２６と、基材２２６
を形成する材料より高い導電性を有する導電性膜２２８
とを有するのが好ましい。他の実施例において、基板２
３２は、基材２２６を導電性の高い材料により形成する
ことにより、導電性膜２２８を有しなくてもよい。
子線の断面形状を整形する貫通部を有する部材２００の
製造方法を示す。図５において右図は、それぞれの製造
工程における部材２００の上面図を示し、左図は当該上
面図のＡＡ’における断面図を示す。まず、基板２３２
を用意する。基板２３２は、基材２２６と、基材２２６
を形成する材料より高い導電性を有する導電性膜２２８
とを有するのが好ましい。他の実施例において、基板２
３２は、基材２２６を導電性の高い材料により形成する
ことにより、導電性膜２２８を有しなくてもよい。
【００４２】図５（ａ）は、基板２３２において後述す
る第１の開口部を形成する領域に、第１のレジストパタ
ーン２２２を形成する工程を示す。まず、基板２３２上
にレジストをスピンコート法により塗布する。次に、当
該レジストに露光及び現像処理をすることにより、所望
のパターンを有する第１のレジストパターン２２２を得
る。第１のレジストパターン２２２は、略平行な２辺を
含むように形成される。当該露光処理は、光源としてレ
ーザ光、電子ビームなどの荷電粒子線、あるいはＸ線な
どを用いてよい。また、当該レジストは、当該露光処理
に用いる光源に対応するレジストが用いられるのが望ま
しい。例えば、当該レジストは、ポジ型であっても、ネ
ガ型であってもよく、また、感光性を有するポリイミド
や電子線レジストであってよい。
る第１の開口部を形成する領域に、第１のレジストパタ
ーン２２２を形成する工程を示す。まず、基板２３２上
にレジストをスピンコート法により塗布する。次に、当
該レジストに露光及び現像処理をすることにより、所望
のパターンを有する第１のレジストパターン２２２を得
る。第１のレジストパターン２２２は、略平行な２辺を
含むように形成される。当該露光処理は、光源としてレ
ーザ光、電子ビームなどの荷電粒子線、あるいはＸ線な
どを用いてよい。また、当該レジストは、当該露光処理
に用いる光源に対応するレジストが用いられるのが望ま
しい。例えば、当該レジストは、ポジ型であっても、ネ
ガ型であってもよく、また、感光性を有するポリイミド
や電子線レジストであってよい。
【００４３】また、第１のレジストパターン２２２を形
成する工程は、基板２３２に中間層を形成する工程と、
第１のレジストパターン２２２をマスクとして当該中間
層をエッチングする工程とを更に有してもよい。当該中
間層は、基板２３２と、当該レジストとの間に設けられ
る。また、当該中間層は、例えば、当該露光処理におい
て、照射された光源が基板２３２で反射されるのを低減
させる反射防止膜であってよい。当該中間層は、第１の
レジストパターン２２２をマスクとしてドライエッチン
グされるのが好ましい。また、第１のレジストパターン
２２２を形成する工程は、印刷により第１のレジストパ
ターンを形成する工程であってもよい。
成する工程は、基板２３２に中間層を形成する工程と、
第１のレジストパターン２２２をマスクとして当該中間
層をエッチングする工程とを更に有してもよい。当該中
間層は、基板２３２と、当該レジストとの間に設けられ
る。また、当該中間層は、例えば、当該露光処理におい
て、照射された光源が基板２３２で反射されるのを低減
させる反射防止膜であってよい。当該中間層は、第１の
レジストパターン２２２をマスクとしてドライエッチン
グされるのが好ましい。また、第１のレジストパターン
２２２を形成する工程は、印刷により第１のレジストパ
ターンを形成する工程であってもよい。
【００４４】図５（ｂ）は、第１の膜２０２を形成する
工程を示す。基材２３２に、例えば金（Ａｕ）、白金
（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）あるいはニッケル（Ｎｉ）などの
材料を含む第１の膜２０２を形成する。本実施例におい
て、第１の膜２０２は、電鋳により基板２３２に選択的
に形成される。第１の膜２０２の厚さは、第１のレジス
トパターン２２２の厚さと略等しい厚さに形成されるの
が好ましい。
工程を示す。基材２３２に、例えば金（Ａｕ）、白金
（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）あるいはニッケル（Ｎｉ）などの
材料を含む第１の膜２０２を形成する。本実施例におい
て、第１の膜２０２は、電鋳により基板２３２に選択的
に形成される。第１の膜２０２の厚さは、第１のレジス
トパターン２２２の厚さと略等しい厚さに形成されるの
が好ましい。
【００４５】図５（ｃ）は、第１の膜２０２及び第１の
レジストパターン２２２に、後述する第２の開口部を形
成する領域に、第２のレジストパターン２２４を形成す
る工程を示す。第１の膜２０２及び第１のレジストパタ
ーン２２２上に、レジストを塗布し、露光及び現像処理
を行うことにより、第２のレジストパターン２２４を得
る。第２のレジストパターン２２４は、第１のレジスト
パターン２２２が有する当該略平行な２辺に対して、略
垂直に重なる２辺を有するように形成される。
レジストパターン２２２に、後述する第２の開口部を形
成する領域に、第２のレジストパターン２２４を形成す
る工程を示す。第１の膜２０２及び第１のレジストパタ
ーン２２２上に、レジストを塗布し、露光及び現像処理
を行うことにより、第２のレジストパターン２２４を得
る。第２のレジストパターン２２４は、第１のレジスト
パターン２２２が有する当該略平行な２辺に対して、略
垂直に重なる２辺を有するように形成される。
【００４６】図５（ｄ）は、第２の膜２０４を形成する
工程を示す。第１の膜２０２に、例えば金（Ａｕ）、白
金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）あるいはニッケル（Ｎｉ）など
の材料を含む第２の膜２０４を形成する。本実施例にお
いて、第２の膜２０４は、電鋳により第１の膜２０２に
選択的に形成される。第２の膜２０４の厚さは、第２の
レジストパターン２２４の厚さと略等しい厚さに形成さ
れるのが好ましい。
工程を示す。第１の膜２０２に、例えば金（Ａｕ）、白
金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）あるいはニッケル（Ｎｉ）など
の材料を含む第２の膜２０４を形成する。本実施例にお
いて、第２の膜２０４は、電鋳により第１の膜２０２に
選択的に形成される。第２の膜２０４の厚さは、第２の
レジストパターン２２４の厚さと略等しい厚さに形成さ
れるのが好ましい。
【００４７】他の実施例において、第２の膜２０４は、
第１の膜２０２が、基板２３２に接触した面に成長させ
てもよい。まず、第１の膜２０２を形成した後、基板２
３２から第１の膜２０２を、例えば導電性膜２２８を溶
解して剥離し、第１の膜２０２を得る。次に、剥離され
た第１の膜２０２を、基板２３２と接触していた面と反
対の面と、基板２３２とが接触するように、基板２３２
に再度接合する。次に、第１の膜２０２及び基板２３２
に、レジストを塗布し、露光及び現像処理を行い、第２
のレジストパターン２２４を形成する。そして、第１の
膜２０２が、基板２３２に接触していた面に第２の膜２
０４を形成する。第１の膜２０２を形成した後、第１の
膜２０２を反転させて第２の膜２０４を形成することに
より、第１の膜２０２及び第２の膜２０４を、内部応力
が大きい材料により形成した場合であっても、部材２０
０の反りを抑えることができる。
第１の膜２０２が、基板２３２に接触した面に成長させ
てもよい。まず、第１の膜２０２を形成した後、基板２
３２から第１の膜２０２を、例えば導電性膜２２８を溶
解して剥離し、第１の膜２０２を得る。次に、剥離され
た第１の膜２０２を、基板２３２と接触していた面と反
対の面と、基板２３２とが接触するように、基板２３２
に再度接合する。次に、第１の膜２０２及び基板２３２
に、レジストを塗布し、露光及び現像処理を行い、第２
のレジストパターン２２４を形成する。そして、第１の
膜２０２が、基板２３２に接触していた面に第２の膜２
０４を形成する。第１の膜２０２を形成した後、第１の
膜２０２を反転させて第２の膜２０４を形成することに
より、第１の膜２０２及び第２の膜２０４を、内部応力
が大きい材料により形成した場合であっても、部材２０
０の反りを抑えることができる。
【００４８】図５（ｅ）は、基板２３２を剥離する工程
を示す。まず、第１のレジストパターン２２２及び第２
のレジストパターン２２４を、例えばレジスト剥離液を
用いて除去する。次に、基板２３２を剥離して、略平行
な２辺を含む第１の開口部２４２を有する第１の膜２０
２と、当該略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を
有する第２の開口部２４４を含み、当該略平行な２辺と
当該略垂直に重なる２辺とが形成する領域が、部材２０
０を貫通する貫通部２３０を形成する第２の開口部を有
する第２の膜２０４とを有する部材２００を得る。本実
施例においては、基板２３２に含まれる導電性膜２２８
を、エッチング液などを用いて選択的に溶解することに
より、部材２００を得る。別の実施例においては、基板
２３２を機械的に剥離してもよい。
を示す。まず、第１のレジストパターン２２２及び第２
のレジストパターン２２４を、例えばレジスト剥離液を
用いて除去する。次に、基板２３２を剥離して、略平行
な２辺を含む第１の開口部２４２を有する第１の膜２０
２と、当該略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を
有する第２の開口部２４４を含み、当該略平行な２辺と
当該略垂直に重なる２辺とが形成する領域が、部材２０
０を貫通する貫通部２３０を形成する第２の開口部を有
する第２の膜２０４とを有する部材２００を得る。本実
施例においては、基板２３２に含まれる導電性膜２２８
を、エッチング液などを用いて選択的に溶解することに
より、部材２００を得る。別の実施例においては、基板
２３２を機械的に剥離してもよい。
【００４９】図６は、本発明の他の実施形態に係る部材
２００の製造方法を示す。図６において右図は、それぞ
れの製造工程における部材２００の上面図を示し、左図
は当該上面図のＡＡ’における断面図を示す。まず、基
板２３２を用意する。基板２３２は、基材２２６と、基
材２２６を形成する材料より高い導電性を有する導電性
膜２２８とを有するのが好ましい。他の実施例におい
て、基板２３２は、基材２２６を導電性の高い材料によ
り形成することにより、導電性膜２２８を有しなくても
よい。
２００の製造方法を示す。図６において右図は、それぞ
れの製造工程における部材２００の上面図を示し、左図
は当該上面図のＡＡ’における断面図を示す。まず、基
板２３２を用意する。基板２３２は、基材２２６と、基
材２２６を形成する材料より高い導電性を有する導電性
膜２２８とを有するのが好ましい。他の実施例におい
て、基板２３２は、基材２２６を導電性の高い材料によ
り形成することにより、導電性膜２２８を有しなくても
よい。
【００５０】図６（ａ）は、第１のレジストパターン２
２２を形成する工程を示す。基板２３２にレジストを塗
布し、露光及び現像処理を行うことにより、第２のレジ
ストパターン２２４を得る。第１のレジストパターン２
２２は、略平行な２辺を有することが望ましい。
２２を形成する工程を示す。基板２３２にレジストを塗
布し、露光及び現像処理を行うことにより、第２のレジ
ストパターン２２４を得る。第１のレジストパターン２
２２は、略平行な２辺を有することが望ましい。
【００５１】図６（ｂ）は、第１の膜２０２を形成する
工程を示す。基材２３２に、例えば金（Ａｕ）、白金
（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）あるいはニッケル（Ｎｉ）などの
材料を含む第１の膜２０２を形成する。第１の膜２０２
の厚さは、第１のレジストパターン２２２の厚さより厚
く形成されるのが望ましい。第１の膜２０２を、第１の
レジストパターン２２２より厚く形成することにより、
第１の膜２０２を第１のレジストパターン２２２の上面
を覆う（オーバーハングする）ように形成する。本実施
例において、第１の膜２０２は、電気めっきにより基板
２３２に選択的に形成される。また、当該電気めっきの
プロセスパラメータを調整することにより、第１の膜２
０２が、第１のレジストパターン２２２に接しない面の
表面粗さは、第１の膜２０２が、第１のレジストパター
ン２２２に接する面の表面粗さより少なく形成されるの
が望ましい。当該プロセスパラメータは、電気めっき
で、めっき液に添加される添加剤の種類、組成、あるい
は濃度などであってよい。
工程を示す。基材２３２に、例えば金（Ａｕ）、白金
（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）あるいはニッケル（Ｎｉ）などの
材料を含む第１の膜２０２を形成する。第１の膜２０２
の厚さは、第１のレジストパターン２２２の厚さより厚
く形成されるのが望ましい。第１の膜２０２を、第１の
レジストパターン２２２より厚く形成することにより、
第１の膜２０２を第１のレジストパターン２２２の上面
を覆う（オーバーハングする）ように形成する。本実施
例において、第１の膜２０２は、電気めっきにより基板
２３２に選択的に形成される。また、当該電気めっきの
プロセスパラメータを調整することにより、第１の膜２
０２が、第１のレジストパターン２２２に接しない面の
表面粗さは、第１の膜２０２が、第１のレジストパター
ン２２２に接する面の表面粗さより少なく形成されるの
が望ましい。当該プロセスパラメータは、電気めっき
で、めっき液に添加される添加剤の種類、組成、あるい
は濃度などであってよい。
【００５２】図６（ｃ）は、基板２３２から、第１の膜
２０２を剥離する工程を示す。まず、第１のレジストパ
ターン２２２を除去する。次に、基板２３２から第１の
膜２０２を、例えば導電性膜２２８を溶解して剥離し、
第１の膜２０２を得る。
２０２を剥離する工程を示す。まず、第１のレジストパ
ターン２２２を除去する。次に、基板２３２から第１の
膜２０２を、例えば導電性膜２２８を溶解して剥離し、
第１の膜２０２を得る。
【００５３】図６（ｄ）は、第２のレジストパターン２
２４を形成する工程を示す。まず、剥離された第１の膜
２０２を、基板２３２と接触していた面と反対の面と、
基板２３２とが接触するように、基板２３２に再度接合
する。次に、第１の膜２０２及び基板２３２に、レジス
トを塗布し、露光及び現像処理を行い、第２のレジスト
パターン２２４を形成する。第２のレジストパターン２
２４は、第１のレジストパターン２２２が有する当該略
平行な２辺に対して、略垂直に重なる２辺を有するよう
に形成される。
２４を形成する工程を示す。まず、剥離された第１の膜
２０２を、基板２３２と接触していた面と反対の面と、
基板２３２とが接触するように、基板２３２に再度接合
する。次に、第１の膜２０２及び基板２３２に、レジス
トを塗布し、露光及び現像処理を行い、第２のレジスト
パターン２２４を形成する。第２のレジストパターン２
２４は、第１のレジストパターン２２２が有する当該略
平行な２辺に対して、略垂直に重なる２辺を有するよう
に形成される。
【００５４】図６（ｅ）は、第２の膜２０４を形成する
工程を示す。第１の膜２０２に、例えば金（Ａｕ）、白
金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）あるいはニッケル（Ｎｉ）など
の材料を含む第２の膜２０４を形成する。第２の膜２０
４の厚さは、第２のレジストパターン２２４の厚さより
厚く形成されるのが望ましい。第２の膜２０４を、第２
のレジストパターン２２４より厚く形成することによ
り、第２の膜２０４を第２のレジストパターン２２４の
上面を覆う（オーバーハングする）ように形成する。
工程を示す。第１の膜２０２に、例えば金（Ａｕ）、白
金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）あるいはニッケル（Ｎｉ）など
の材料を含む第２の膜２０４を形成する。第２の膜２０
４の厚さは、第２のレジストパターン２２４の厚さより
厚く形成されるのが望ましい。第２の膜２０４を、第２
のレジストパターン２２４より厚く形成することによ
り、第２の膜２０４を第２のレジストパターン２２４の
上面を覆う（オーバーハングする）ように形成する。
【００５５】図６（ｆ）は、基板２３２を剥離する工程
を示す。まず、第１のレジストパターン２２２及び第２
のレジストパターン２２４を、例えばレジスト剥離液を
用いて除去する。次に、基板２３２を剥離して、略平行
な２辺を含む第１の開口部２４２を有する第１の膜２０
２と、当該略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を
有する第２の開口部２４４を含み、当該略平行な２辺と
当該略垂直に重なる２辺とが形成する領域が、部材２０
０を貫通する貫通部２３０を形成する第２の開口部を有
する第２の膜２０４とを有する部材２００を得る。本実
施例においては、基板２３２に含まれる導電性膜２２８
を、エッチング液などを用いて選択的に溶解することに
より、部材２００を得る。
を示す。まず、第１のレジストパターン２２２及び第２
のレジストパターン２２４を、例えばレジスト剥離液を
用いて除去する。次に、基板２３２を剥離して、略平行
な２辺を含む第１の開口部２４２を有する第１の膜２０
２と、当該略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を
有する第２の開口部２４４を含み、当該略平行な２辺と
当該略垂直に重なる２辺とが形成する領域が、部材２０
０を貫通する貫通部２３０を形成する第２の開口部を有
する第２の膜２０４とを有する部材２００を得る。本実
施例においては、基板２３２に含まれる導電性膜２２８
を、エッチング液などを用いて選択的に溶解することに
より、部材２００を得る。
【００５６】本実施形態において、第１の膜２０２及び
第２の膜２０４を、それぞれ第１のレジストパターン２
２２及び第２のレジストパターン２２４の上面を覆うよ
うに形成することにより、第１のレジストパターン２２
２及び第２のレジストパターン２２４の側面が凹凸を有
する場合であっても、荷電粒子線を整形する面における
第１の膜２０２及び第２の膜２０４の表面粗さを非常に
少なくすることができる。従って、部材２００に照射さ
れた荷電粒子線を、非常に精度よく、矩形形状に整形す
ることができる。
第２の膜２０４を、それぞれ第１のレジストパターン２
２２及び第２のレジストパターン２２４の上面を覆うよ
うに形成することにより、第１のレジストパターン２２
２及び第２のレジストパターン２２４の側面が凹凸を有
する場合であっても、荷電粒子線を整形する面における
第１の膜２０２及び第２の膜２０４の表面粗さを非常に
少なくすることができる。従って、部材２００に照射さ
れた荷電粒子線を、非常に精度よく、矩形形状に整形す
ることができる。
【００５７】図７は、本発明の他の実施形態に係る部材
２００の製造方法を示す。図７において右図は、それぞ
れの製造工程における部材２００の上面図を示し、左図
は当該上面図のＡＡ’における断面図を示す。
２００の製造方法を示す。図７において右図は、それぞ
れの製造工程における部材２００の上面図を示し、左図
は当該上面図のＡＡ’における断面図を示す。
【００５８】図７（ａ）に示すように、基材２１２の両
面にレジスト２４６を塗布する。基材２１２は、シリコ
ン（Ｓｉ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、タングステン
（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）などを含む材料であってよ
い。
面にレジスト２４６を塗布する。基材２１２は、シリコ
ン（Ｓｉ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、タングステン
（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）などを含む材料であってよ
い。
【００５９】図７（ｂ）は、第１のレジストパターン２
２２及び第２のレジストパターン２２４を形成する工程
を示す。塗布されたレジスト２４６を、露光及び現像処
理することにより、後述する第１の溝部に対応し、略平
行な２辺を有する第１のレジストパターン２２２、及び
後述する第２の溝部に対応し、当該略平行な２辺に対し
て略垂直に重なる２辺を有する第２のレジストパターン
２２４を形成する。第２のレジストパターン２２４は、
第１のレジストパターン２２２が形成された基材２１２
の面と反対の面に形成されるのが好ましい。
２２及び第２のレジストパターン２２４を形成する工程
を示す。塗布されたレジスト２４６を、露光及び現像処
理することにより、後述する第１の溝部に対応し、略平
行な２辺を有する第１のレジストパターン２２２、及び
後述する第２の溝部に対応し、当該略平行な２辺に対し
て略垂直に重なる２辺を有する第２のレジストパターン
２２４を形成する。第２のレジストパターン２２４は、
第１のレジストパターン２２２が形成された基材２１２
の面と反対の面に形成されるのが好ましい。
【００６０】図７（ｃ）は、第１の溝部２１０及び第２
の溝部２２０を形成する工程を示す。第１のレジストパ
ターン２２２をマスクとして、基材２１２をエッチング
することにより、略平行な２辺を有する第１の溝部２１
０を形成する。第１の溝部２１０は、基材２１２を貫通
しないようにエッチングして形成されるのが望ましい。
続いて、第２のレジストパターン２２４をマスクとし
て、基材２１２をエッチングすることにより、当該略平
行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を含み、当該略平
行な２辺と当該略垂直に重なる２辺とが形成する領域
が、基材２１２を貫通するように、基材２１２をエッチ
ングすることにより第２の溝部２２０を形成する。第２
の溝部２２０は、基材２１２の当該領域だけが貫通する
ようにエッチングして形成されるのが望ましい。
の溝部２２０を形成する工程を示す。第１のレジストパ
ターン２２２をマスクとして、基材２１２をエッチング
することにより、略平行な２辺を有する第１の溝部２１
０を形成する。第１の溝部２１０は、基材２１２を貫通
しないようにエッチングして形成されるのが望ましい。
続いて、第２のレジストパターン２２４をマスクとし
て、基材２１２をエッチングすることにより、当該略平
行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を含み、当該略平
行な２辺と当該略垂直に重なる２辺とが形成する領域
が、基材２１２を貫通するように、基材２１２をエッチ
ングすることにより第２の溝部２２０を形成する。第２
の溝部２２０は、基材２１２の当該領域だけが貫通する
ようにエッチングして形成されるのが望ましい。
【００６１】続いて、図７（ｄ）に示すように、第１の
レジストパターン２２２及び第２のレジストパターン２
２４を除去して、略平行な２辺を有する第１の溝部２１
０と、当該略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を
有する第２の溝部２２０とを含み、当該略平行な２辺と
当該略垂直に重なる２辺とが形成する領域が、基材２１
２を貫通する貫通部を形成する部材２００を得る。
レジストパターン２２２及び第２のレジストパターン２
２４を除去して、略平行な２辺を有する第１の溝部２１
０と、当該略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を
有する第２の溝部２２０とを含み、当該略平行な２辺と
当該略垂直に重なる２辺とが形成する領域が、基材２１
２を貫通する貫通部を形成する部材２００を得る。
【００６２】図８は、本発明の他の実施形態に係る部材
２００の製造方法を示す。図８において右図は、それぞ
れの製造工程における部材２００の上面図を示し、左図
は当該上面図のＡＡ’における断面図を示す。
２００の製造方法を示す。図８において右図は、それぞ
れの製造工程における部材２００の上面図を示し、左図
は当該上面図のＡＡ’における断面図を示す。
【００６３】まず、図８（ａ）に示すように、基板２３
２に貼り合わせた基材２１２に、レジスト２４６を塗布
する。基板２３２は、後述する工程との兼ね合いによ
り、絶縁性を有することが好ましい。
２に貼り合わせた基材２１２に、レジスト２４６を塗布
する。基板２３２は、後述する工程との兼ね合いによ
り、絶縁性を有することが好ましい。
【００６４】図８（ｂ）は、略平行な２辺と、当該略平
行な２辺に対して略垂直な２辺とを含む開口部２５０
を、基材２１２に形成する工程を示す。まず、レジスト
２４６を露光及び現像処理することにより、開口部２５
０に対応し、略平行な２辺と、当該略平行な２辺に対し
て略垂直な２辺とを含むレジストパターン２４８を形成
する。次に、レジストパターン２４８をマスクとして、
基材２１２をエッチングして、開口部２５０を形成す
る。開口部２５０は、基材２１２と基板２３２との接触
面に対して略垂直形状を有するように形成されてもよ
く、また、当該エッチング方向に対して狭まるように形
成されてもよい。
行な２辺に対して略垂直な２辺とを含む開口部２５０
を、基材２１２に形成する工程を示す。まず、レジスト
２４６を露光及び現像処理することにより、開口部２５
０に対応し、略平行な２辺と、当該略平行な２辺に対し
て略垂直な２辺とを含むレジストパターン２４８を形成
する。次に、レジストパターン２４８をマスクとして、
基材２１２をエッチングして、開口部２５０を形成す
る。開口部２５０は、基材２１２と基板２３２との接触
面に対して略垂直形状を有するように形成されてもよ
く、また、当該エッチング方向に対して狭まるように形
成されてもよい。
【００６５】図８（ｃ）は、開口部２５０に内接する内
接部材２１４を形成する工程を示す。内接部材２１４
は、開口部２５０の内部だけに内接するように設けられ
るのが好ましい。本実施例において内接部材２１４は、
電気めっきにより導電性を有する基材２１２だけに選択
的に成長させ、開口部２５０よりも頂角が鋭く、部材２
００を貫通する貫通部２３０を形成する。
接部材２１４を形成する工程を示す。内接部材２１４
は、開口部２５０の内部だけに内接するように設けられ
るのが好ましい。本実施例において内接部材２１４は、
電気めっきにより導電性を有する基材２１２だけに選択
的に成長させ、開口部２５０よりも頂角が鋭く、部材２
００を貫通する貫通部２３０を形成する。
【００６６】図８（ｄ）は、基板２３２を剥離する工程
を示す。まず、レジストパターン２４８を除去する。次
に、基板２３２を剥離することにより、貫通部２３０を
有する部材２００を得る。
を示す。まず、レジストパターン２４８を除去する。次
に、基板２３２を剥離することにより、貫通部２３０を
有する部材２００を得る。
【００６７】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００６８】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、微小な矩
形形状を持つ貫通部を有する部材を、非常に精度よく、
かつ容易に形成することができる。
形形状を持つ貫通部を有する部材を、非常に精度よく、
かつ容易に形成することができる。
【図１】電子ビームの断面形状を整形する開口領域を有
する従来の部材５００を示す。
する従来の部材５００を示す。
【図２】本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置
１００の構成を示す。
１００の構成を示す。
【図３】図２を参照して、第１整形部材１４及び第２整
形部材２２である電子ビームなどの荷電粒子線の断面形
状を整形する複数の貫通部を有する部材２００を示す。
形部材２２である電子ビームなどの荷電粒子線の断面形
状を整形する複数の貫通部を有する部材２００を示す。
【図４】貫通部２３０を有する部材２００の他の実施例
を示す。
を示す。
【図５】本発明の一実施形態に係る荷電粒子線の断面形
状を整形する貫通部を有する部材２００の製造方法を示
す。
状を整形する貫通部を有する部材２００の製造方法を示
す。
【図６】本発明の他の実施形態に係る部材２００の製造
方法を示す。
方法を示す。
【図７】本発明の他の実施形態に係る部材２００の製造
方法を示す。
方法を示す。
【図８】本発明の他の実施形態に係る部材２００の製造
方法を示す。
方法を示す。
８・・・筐体、１０・・・電子銃、１４・・・第１整形
部材、１６・・・第１多軸電子レンズ、１８・・・第１
整形偏向部、２０・・・第２整形偏向部、２２・・・第
２整形部材、２４・・・第２多軸電子レンズ、２６・・
・ブランキング・アパーチャ・アレイ・デバイス、２８
・・・電子ビーム遮蔽部材、３４・・・第３多軸電子レ
ンズ、３６・・・第４多軸電子レンズ、３８・・・副偏
向部、４０・・・第１コイル、４２・・・主偏向部、４
４・・・ウェハ、４６・・・ウェハステージ、４８・・
・ウェハステージ駆動部、５０・・・第２コイル、５２
・・・同軸レンズ、８０・・・電子ビーム制御部、８２
・・・多軸電子レンズ制御部、８４・・・整形偏向制御
部、８６・・・ＢＡＡデバイス制御部、９０・・・同軸
レンズ制御部、９２・・・副偏向制御部、９４・・・主
偏向制御部、９６・・・ウェハステージ制御部、１００
・・・電子ビーム露光装置、１１０・・・電子ビーム整
形手段、１１２・・・照射切替手段、１１４・・・ウェ
ハ用投影系、１２０・・・個別制御部、１３０・・・統
括制御部、１４０・・・制御系、１５０・・・露光部、
２００・・・部材、２０２・・・第１の膜、２０４・・
・第２の膜、２０６、２０８・・・突出部、２１０・・
・第１の溝部、２１２・・・基材、２１４・・・内接部
材、２１６・・・突出部、２２０・・・第２の溝部、２
２２・・・第１のレジストパターン、２２４・・・第２
のレジストパターン、２２６・・・基材、２２８・・・
導電性膜、２３０・・・貫通部、２３２・・・基板、２
４２・・・第１の開口部、２４４・・・第２の開口部、
２４６・・・レジスト、２４８・・・レジストパター
ン、２５０・・・開口部、５００・・・部材、５０２、
５０４・・・ブレード、５０６・・・開口領域
部材、１６・・・第１多軸電子レンズ、１８・・・第１
整形偏向部、２０・・・第２整形偏向部、２２・・・第
２整形部材、２４・・・第２多軸電子レンズ、２６・・
・ブランキング・アパーチャ・アレイ・デバイス、２８
・・・電子ビーム遮蔽部材、３４・・・第３多軸電子レ
ンズ、３６・・・第４多軸電子レンズ、３８・・・副偏
向部、４０・・・第１コイル、４２・・・主偏向部、４
４・・・ウェハ、４６・・・ウェハステージ、４８・・
・ウェハステージ駆動部、５０・・・第２コイル、５２
・・・同軸レンズ、８０・・・電子ビーム制御部、８２
・・・多軸電子レンズ制御部、８４・・・整形偏向制御
部、８６・・・ＢＡＡデバイス制御部、９０・・・同軸
レンズ制御部、９２・・・副偏向制御部、９４・・・主
偏向制御部、９６・・・ウェハステージ制御部、１００
・・・電子ビーム露光装置、１１０・・・電子ビーム整
形手段、１１２・・・照射切替手段、１１４・・・ウェ
ハ用投影系、１２０・・・個別制御部、１３０・・・統
括制御部、１４０・・・制御系、１５０・・・露光部、
２００・・・部材、２０２・・・第１の膜、２０４・・
・第２の膜、２０６、２０８・・・突出部、２１０・・
・第１の溝部、２１２・・・基材、２１４・・・内接部
材、２１６・・・突出部、２２０・・・第２の溝部、２
２２・・・第１のレジストパターン、２２４・・・第２
のレジストパターン、２２６・・・基材、２２８・・・
導電性膜、２３０・・・貫通部、２３２・・・基板、２
４２・・・第１の開口部、２４４・・・第２の開口部、
２４６・・・レジスト、２４８・・・レジストパター
ン、２５０・・・開口部、５００・・・部材、５０２、
５０４・・・ブレード、５０６・・・開口領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｗ Ｆターム(参考） 2H097 AA03 CA16 5C033 BB02 BB08 5C034 BB05 5F056 AA07 AA33 EA03 EA04
Claims (14)
- 【請求項１】 荷電粒子線の断面形状を整形する貫通部
を有する部材であって、 略平行な２辺を有する第１の溝部と、 前記略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を有する
第２の溝部とを含み、 前記略平行な２辺と、前記略垂直に重なる２辺とが形成
する領域は、前記部材を貫通する前記貫通部を形成する
ことを特徴とする部材。 - 【請求項２】 前記第２の溝部は、前記第１の溝部が設
けられた面と反対の面に設けられることを特徴とする請
求項１に記載の部材。 - 【請求項３】 前記略平行な２辺の間隔と、前記略垂直
に重なる２辺の間隔は、実質的に等しいことを特徴とす
る請求項１又は２に記載の部材。 - 【請求項４】 複数の前記貫通部を有することを特徴と
する請求項１から３のいずれかに記載の部材。 - 【請求項５】 荷電粒子線の断面形状を整形する貫通部
を有する部材であって、 略平行な２辺と、前記略平行な２辺に対して略垂直な２
辺とを含む開口部を有する基材と、 前記開口部に内接するように設けられた内接部材とを含
み、 前記内接部材は更に内側に、前記開口部よりも頂角が鋭
く、前記部材を貫通する前記貫通部を有することを特徴
とする部材。 - 【請求項６】 荷電粒子線の断面形状を整形する貫通部
を有する部材の製造方法であって、 略平行な２辺を含む第１の開口部を有する第１の膜を、
基板に形成する工程と、 前記略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を含み、
前記略平行な２辺と前記略垂直に重なる２辺とが形成す
る領域が、前記部材を貫通する前記貫通部を形成する第
２の開口部を有する第２の膜を、前記第１の膜に形成す
る工程と、 前記基板を剥離する工程とを備えることを特徴とする部
材の製造方法。 - 【請求項７】 前記第１の膜を形成する工程は、 前記基板の前記第１の開口部を形成する領域に、第１の
レジストパターンを形成する工程と、 前記基板に、選択的に前記第１の膜を形成する工程とを
含み、 前記第２の膜を形成する工程は、 前記第１の膜及び前記第１のレジストパターンの前記第
２の開口部を形成する領域に、第２のレジストパターン
を形成する工程と、 前記第１の膜に、選択的に前記第２の膜を形成する工程
とを含むことを特徴とする請求項６に記載の部材の製造
方法。 - 【請求項８】 前記基板は、導電性を有する材料により
形成され、前記第１の膜、及び前記第２の膜は、電鋳に
より形成されることを特徴とする請求項６又は７に記載
の部材の製造方法。 - 【請求項９】 前記第１の膜は、前記第１のレジストパ
ターンより厚く形成され、 前記第２の膜は、前記第２のレジストパターンより厚く
形成されることを特徴とする請求項８に記載の部材の製
造方法。 - 【請求項１０】 前記基板から、前記第１の膜を剥離す
る工程を更に備え、前記第２の膜は、前記第１の膜が前
記基板に接触していた面に形成されることを特徴とする
請求項６から９のいずれかに記載の部材の製造方法。 - 【請求項１１】 荷電粒子線の断面形状を整形する貫通
部を有する部材の製造方法であって、 略平行な２辺を有する第１の溝部を基材に形成する工程
と、 前記略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を含み、
前記略平行な２辺と前記略垂直に重なる２辺とが形成す
る領域が、前記基材を貫通する前記貫通部を形成するよ
うに第２の溝部を前記基材に形成する工程とを備えるこ
とを特徴とする部材の製造方法。 - 【請求項１２】 前記第２の溝部は、前記第１の溝部が
形成された基材の面と反対の面に形成されることを特徴
とする請求項１１に記載の部材の製造方法。 - 【請求項１３】 荷電粒子線の断面形状を整形する貫通
部を有する部材の製造方法であって、 略平行な２辺と、前記略平行な２辺に対して略垂直な２
辺とを含む開口部を基材に形成する工程と、 前記開口部に内接する内接部材を形成する工程とを備
え、 前記内接部材は、前記開口部よりも頂角が鋭く、前記部
材を貫通する前記貫通部を形成するように設けられるこ
とを特徴とする部材の製造方法。 - 【請求項１４】 電子ビームを用いて、ウェハに所望の
パターンを露光する電子ビーム露光装置であって、 前記電子ビームを発生する電子銃と、 前記電子ビームの焦点を調整する電子レンズと、 前記電子ビームを所望の位置に偏向させる偏向器と、 前記電子ビームの断面形状を整形する整形部材と、 前記ウェハを載置するウェハステージとを備え、 前記整形部材は、 略平行な２辺を有する第１の溝部と、 前記略平行な２辺に対して略垂直に重なる２辺を有する
第２の溝部とを含み、 前記略平行な２辺と、前記略垂直に重なる２辺とが形成
する領域は、前記部材を貫通する前記貫通部を形成し、
前記電子ビームは、前記貫通部を通過して整形されるこ
とを特徴とする電子ビーム露光装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000266742A JP2002075849A (ja) | 2000-09-04 | 2000-09-04 | 電子ビーム露光装置、荷電粒子線を整形する部材及びその製造方法 |
| KR1020010051705A KR20020018950A (ko) | 2000-09-04 | 2001-08-27 | 전자빔 노광장치, 하전 입자선을 정형하는 부재 및 그제조방법 |
| DE10143096A DE10143096A1 (de) | 2000-09-04 | 2001-09-03 | Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung, Bauteil zur Formung eines Korpuskularstrahls und Verfahren zur Herstellung dieses Bauteils |
| GB0121380A GB2367689A (en) | 2000-09-04 | 2001-09-04 | Device for shaping a beam of charged particles and method for manufacturing the device |
| US09/946,395 US20020027204A1 (en) | 2000-09-04 | 2001-09-04 | Electron beam exposure apparatus, device for shaping a beam of charged particles and method for manufacturing the device |
| TW090121829A TW526522B (en) | 2000-09-04 | 2001-09-04 | Electron beam exposure apparatus, device for shaping a beam of charged particles and method for manufacturing the device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000266742A JP2002075849A (ja) | 2000-09-04 | 2000-09-04 | 電子ビーム露光装置、荷電粒子線を整形する部材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002075849A true JP2002075849A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18753781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000266742A Withdrawn JP2002075849A (ja) | 2000-09-04 | 2000-09-04 | 電子ビーム露光装置、荷電粒子線を整形する部材及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020027204A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002075849A (ja) |
| KR (1) | KR20020018950A (ja) |
| DE (1) | DE10143096A1 (ja) |
| GB (1) | GB2367689A (ja) |
| TW (1) | TW526522B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002103765A1 (fr) * | 2001-06-18 | 2002-12-27 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition a faisceau electronique, procede d'exposition a faisceau electronique, procede de fabrication de semi-conducteurs et procede de mesure de la forme de faisceau electronique |
| US6768125B2 (en) * | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Ims Nanofabrication, Gmbh | Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate |
| EP1482532A1 (en) * | 2003-05-26 | 2004-12-01 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Gradient field deflector |
| GB2408383B (en) | 2003-10-28 | 2006-05-10 | Ims Nanofabrication Gmbh | Pattern-definition device for maskless particle-beam exposure apparatus |
| JP5897888B2 (ja) | 2011-12-07 | 2016-04-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4086127A (en) * | 1977-07-01 | 1978-04-25 | Westinghouse Electric Corporation | Method of fabricating apertured deposition masks used for fabricating thin film transistors |
| JPS56125832A (en) * | 1980-03-07 | 1981-10-02 | Hitachi Ltd | Iris aperture for shaping in charged particle radiation device |
| JPS5875832A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-07 | Fujitsu Ltd | 荷電ビ−ム露光装置用の角形アパ−チヤ作成方法 |
| JPH02295040A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-05 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム装置 |
| JP2001244171A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Nikon Corp | ビーム成形アパーチャ、ビーム成形アパーチャの製造方法、荷電粒子線露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
-
2000
- 2000-09-04 JP JP2000266742A patent/JP2002075849A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-08-27 KR KR1020010051705A patent/KR20020018950A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-09-03 DE DE10143096A patent/DE10143096A1/de not_active Withdrawn
- 2001-09-04 TW TW090121829A patent/TW526522B/zh active
- 2001-09-04 GB GB0121380A patent/GB2367689A/en not_active Withdrawn
- 2001-09-04 US US09/946,395 patent/US20020027204A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020027204A1 (en) | 2002-03-07 |
| TW526522B (en) | 2003-04-01 |
| GB0121380D0 (en) | 2001-10-24 |
| GB2367689A (en) | 2002-04-10 |
| DE10143096A1 (de) | 2003-03-27 |
| KR20020018950A (ko) | 2002-03-09 |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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