JPS6049626A - 荷電ビ−ム偏向器の製造方法 - Google Patents
荷電ビ−ム偏向器の製造方法Info
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- JPS6049626A JPS6049626A JP15636883A JP15636883A JPS6049626A JP S6049626 A JPS6049626 A JP S6049626A JP 15636883 A JP15636883 A JP 15636883A JP 15636883 A JP15636883 A JP 15636883A JP S6049626 A JPS6049626 A JP S6049626A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路等の微細なパターン形成に用
いられる電子ビームあるいはイオンビームによる荷電ビ
ーム露光装置における荷電ビーム偏向器の製造方法に関
するもので、特に各ビームごとに夫々独立な制御機能を
備えたマルチビーム方式の露光装置に用いる偏向器の電
極及びその配線の製造を簡易化することを図ったもので
ある。
いられる電子ビームあるいはイオンビームによる荷電ビ
ーム露光装置における荷電ビーム偏向器の製造方法に関
するもので、特に各ビームごとに夫々独立な制御機能を
備えたマルチビーム方式の露光装置に用いる偏向器の電
極及びその配線の製造を簡易化することを図ったもので
ある。
従来、荷電ビームによる露光装置として、単一ビームを
用いたスポットビーム、固定成形ビーム、可変成形ビー
ムの各方式が開発されている。しかし、これらの方式は
いずれも単一ビームを用いる方式であることから高密度
なノくターンが要求されるＬＳＩパターン描画用として
は、描画時間が長くスループットが小さいという問題が
生じているスループットを向上するために、多数のビー
ムを同時に発生するマルチビーム方式が有望である。
用いたスポットビーム、固定成形ビーム、可変成形ビー
ムの各方式が開発されている。しかし、これらの方式は
いずれも単一ビームを用いる方式であることから高密度
なノくターンが要求されるＬＳＩパターン描画用として
は、描画時間が長くスループットが小さいという問題が
生じているスループットを向上するために、多数のビー
ムを同時に発生するマルチビーム方式が有望である。
マルチビーム方式では、各ビームを同じように偏向、ブ
ランキング等の制御をするものと、各ビームを独立に制
御するものがある。前者では、偏向器、ブランカ等は一
個ずつでよいが、後者では各ビームに対して、偏向器、
ブランカ等のｉｌｊ制御手段が必要と々る。従って、ビ
ームの本数が多くなると、偏向器、ブランカ等の制御手
段の数も比例して増加するので、微小外構端の偏向器、
ブランカを多数組み入れた制御機構が必要と々る。本発
明は、後者のマルチビーム方式用の偏向器あるいはブラ
ンカを提供するものである。第１図にマルチビーム方式
に用いる偏向器あるいはブランカの概念図を示す。１１
は、複数個の開口を有するアレイスリットであり、１２
１ｄ各開口に対応させてある一対の偏向あるいはブラン
カの機能を持つ電極であり、開口の数と同数ある。開口
を通過する荷電ビームは、電極１２に電圧をかけて偏向
やビームオン・オフのブランキング動作をさせる制御回
路１６により制御される。ところで、この開口の像を電
子光学系により縮小して、微細パターン描画に適用する
場合を考えると開口の大きさは数百μｍ以下の非常に小
さいものと々す、電極１２の寸法も同様に微小となる。
ランキング等の制御をするものと、各ビームを独立に制
御するものがある。前者では、偏向器、ブランカ等は一
個ずつでよいが、後者では各ビームに対して、偏向器、
ブランカ等のｉｌｊ制御手段が必要と々る。従って、ビ
ームの本数が多くなると、偏向器、ブランカ等の制御手
段の数も比例して増加するので、微小外構端の偏向器、
ブランカを多数組み入れた制御機構が必要と々る。本発
明は、後者のマルチビーム方式用の偏向器あるいはブラ
ンカを提供するものである。第１図にマルチビーム方式
に用いる偏向器あるいはブランカの概念図を示す。１１
は、複数個の開口を有するアレイスリットであり、１２
１ｄ各開口に対応させてある一対の偏向あるいはブラン
カの機能を持つ電極であり、開口の数と同数ある。開口
を通過する荷電ビームは、電極１２に電圧をかけて偏向
やビームオン・オフのブランキング動作をさせる制御回
路１６により制御される。ところで、この開口の像を電
子光学系により縮小して、微細パターン描画に適用する
場合を考えると開口の大きさは数百μｍ以下の非常に小
さいものと々す、電極１２の寸法も同様に微小となる。
電極が数百μｍ以下と々ると電極を機械的に組み立てる
ととは、きわめて困難である。従来、このような微小な
寸法の多数の部品からなる偏向器、ブランカを具体的に
形成した例はない。
ととは、きわめて困難である。従来、このような微小な
寸法の多数の部品からなる偏向器、ブランカを具体的に
形成した例はない。
本発明の目的は、多数のビームを同時に発生するマルチ
ビーム方式の荷電ビーム露光装置に使用する偏向器の製
造において、微小な開口の形成と、それに続く電極及び
配線を容易に行カうことのできる製造法を提供すること
にある。
ビーム方式の荷電ビーム露光装置に使用する偏向器の製
造において、微小な開口の形成と、それに続く電極及び
配線を容易に行カうことのできる製造法を提供すること
にある。
本発明の特徴は、上記目的を達成するために、（イ）機
械加工可能々薄板の片面上の中央部に格子状の溝を切る
と同時に同じ片面上の周辺部を上記溝と同じ深さだけ削
り取る工程と、（ロ）上記溝の中に充填物を充填すると
ともに上記薄板の全体を上記充填物で覆い固化させる工
程と、（ハ）次に、」１記薄板の表面が露出する壕で充
填物の表面を研磨する工程と、（ニ）エツチング処理に
より薄板を除去し充填物だけを残す工程と、（ホ）充填
物に形成された開口の内面に電極を付着する工程とから
・ ６ ・ 成る製造方法とするにある。
械加工可能々薄板の片面上の中央部に格子状の溝を切る
と同時に同じ片面上の周辺部を上記溝と同じ深さだけ削
り取る工程と、（ロ）上記溝の中に充填物を充填すると
ともに上記薄板の全体を上記充填物で覆い固化させる工
程と、（ハ）次に、」１記薄板の表面が露出する壕で充
填物の表面を研磨する工程と、（ニ）エツチング処理に
より薄板を除去し充填物だけを残す工程と、（ホ）充填
物に形成された開口の内面に電極を付着する工程とから
・ ６ ・ 成る製造方法とするにある。
以下、本発明の荷電ビーム偏向器の実施例を示して、そ
の構造、製造法について詳細に説明する。
の構造、製造法について詳細に説明する。
本発明の荷電ビーム偏向器の基本構成を、第２図に示す
。ここで、２１はアレイスリット、２２は基板、２６は
開口、２４は電極である。基板２２に複数個の開口２６
を形成し、開口２３の内面に偏向用の電極２４を形成す
る。開口２３の大きさは、アレイスリットを通過するビ
ームが電極２４に当たらないように設定される。ここで
、アレイスリットは８０１１ｍ角の開口が１２０μｍピ
ッチで並んでいるものとする。この時、開口２６は、１
００μｍ角を１２０ｚｚｍピッチで形成すればよい。１
ず、このような開口を形成する方法を以下に説明する。
。ここで、２１はアレイスリット、２２は基板、２６は
開口、２４は電極である。基板２２に複数個の開口２６
を形成し、開口２３の内面に偏向用の電極２４を形成す
る。開口２３の大きさは、アレイスリットを通過するビ
ームが電極２４に当たらないように設定される。ここで
、アレイスリットは８０１１ｍ角の開口が１２０μｍピ
ッチで並んでいるものとする。この時、開口２６は、１
００μｍ角を１２０ｚｚｍピッチで形成すればよい。１
ず、このような開口を形成する方法を以下に説明する。
なおここでは２×２に配列した偏向器の場合で説明する
。
。
捷ず始めに、金属薄板の表面に、機械加工、電子ビーム
加工等により、格子状の溝を切っていく。
加工等により、格子状の溝を切っていく。
金属薄板は、例えば銅のように加工の容易々もの・ ４
・ であればどんなものでもよい。このようにして得られる
構造を、第６図に示す。ここで、６１は溝、６２は金属
薄板の周辺部である。溝６１が格子状に形成された部分
が後に開口を取り囲む部分となる。
・ であればどんなものでもよい。このようにして得られる
構造を、第６図に示す。ここで、６１は溝、６２は金属
薄板の周辺部である。溝６１が格子状に形成された部分
が後に開口を取り囲む部分となる。
金属薄板周辺部６２は、溝と同じ深さだけ金属薄□板を
削り増って形成した部分で、後に電極や配線を増りつけ
るだめの基板を形成するために必要なものである。次に
、第６図の構造から開口を形成する方法を説明する。第
４図に、開口の形成方法を示す。ここで、４１は金属、
４２は溝、４６は金属薄板周辺部分、４４は充填物、４
５は開口、４６は基板である。第４図は、第６図の構造
を横方向から見た断面で開口の形成工程を表わしている
。
削り増って形成した部分で、後に電極や配線を増りつけ
るだめの基板を形成するために必要なものである。次に
、第６図の構造から開口を形成する方法を説明する。第
４図に、開口の形成方法を示す。ここで、４１は金属、
４２は溝、４６は金属薄板周辺部分、４４は充填物、４
５は開口、４６は基板である。第４図は、第６図の構造
を横方向から見た断面で開口の形成工程を表わしている
。
第４図（１）は、第６図の構造を横方向から見た断面で
あり、溝４２が形成されている。第４図（２）は（１）
において、全体を樹脂あるいはガラス等で覆い、溝の中
にも充填させて、充填物４４を形成したところである。
あり、溝４２が形成されている。第４図（２）は（１）
において、全体を樹脂あるいはガラス等で覆い、溝の中
にも充填させて、充填物４４を形成したところである。
次に、第４図（３）のように充填物の表面を研磨して金
属を露出させる。さらに、金属のエツチングを行えば、
第４図（４）に示すように開口４５を持った基板４６が
得られる。基板４６は充填物でできている。第４図（４
）を開口を加工する前である第６図と同じ方向から見た
図を第５図に示す。５１が開［］、５２が基板である。
属を露出させる。さらに、金属のエツチングを行えば、
第４図（４）に示すように開口４５を持った基板４６が
得られる。基板４６は充填物でできている。第４図（４
）を開口を加工する前である第６図と同じ方向から見た
図を第５図に示す。５１が開［］、５２が基板である。
第５図の開口５１の内面に電極を形成するには、開口５
１に玄・」シて斜め方向から金属を蒸着すれはよい。
１に玄・」シて斜め方向から金属を蒸着すれはよい。
なお、基板５２の表面に金属が蒸着されカいようにする
には、開口の大きさより少し小さい孔の開いたマスクを
もちいればよい。このようにして、電極を形成すると、
第６図の構造が得られる。ここで、６１は開［１，６２
は電極、６６は基板である。
には、開口の大きさより少し小さい孔の開いたマスクを
もちいればよい。このようにして、電極を形成すると、
第６図の構造が得られる。ここで、６１は開［１，６２
は電極、６６は基板である。
電極６２に、配線を接続するために基板６６の表面に配
線用の金属を蒸着する。配線用の金属を蒸着した図を第
７図に示す。ここで、７１は配線用金属、７２は電極、
７６は開［］である。配配線合金を蒸着した面にホトレ
ジストを塗布し、通常の光露光、エツチングプロセスを
利用して所望の配線パタンを形成して、偏向器が完成す
る。
線用の金属を蒸着する。配線用の金属を蒸着した図を第
７図に示す。ここで、７１は配線用金属、７２は電極、
７６は開［］である。配配線合金を蒸着した面にホトレ
ジストを塗布し、通常の光露光、エツチングプロセスを
利用して所望の配線パタンを形成して、偏向器が完成す
る。
以上説明したように、本発明によれば、荷電ビーム露光
装置に採用される、多数の微小なビームを得てそれぞれ
独立にオン・オフの制御を行なって複雑々Ｌ Ｓ Ｉ等
のパターンを一度に露光することを可能とするマルチビ
ーム方式の偏向器を、機械加工と通常の光露光、エツチ
ングプロセスを利用して容易に、しかも高精度に製造す
ることができる。
装置に採用される、多数の微小なビームを得てそれぞれ
独立にオン・オフの制御を行なって複雑々Ｌ Ｓ Ｉ等
のパターンを一度に露光することを可能とするマルチビ
ーム方式の偏向器を、機械加工と通常の光露光、エツチ
ングプロセスを利用して容易に、しかも高精度に製造す
ることができる。
第１図は本発明が適用される荷電ビーム偏向器の概念図
、第２図は第１図に示す偏向器の基本構成図、第６図は
本発明における製造工程の途中の金属薄板に溝を加工し
た状態での斜視図、第４図は同じく開口を形成する工程
を説明する断面図、第５図は充填物に開口が形成された
状態を示す斜視図、第６図は電極形成後の断面図、第７
図は配線用金属を表面に蒸着した状態を示す図である。 符号の説明 １１．２１・・・アレイスリット １２．２４．６２．７２・・・電極 １６・・・ブランキング回路 ２２．４６．５２．６３・・・基板 ２３．４５．５１．６１．７６・・・開口６１．４２・
・・溝 ろ２．４６・・・金属薄板周辺部 ４１・・・金属薄板 ４４・・・充填物 ７１・・・配線用金属 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 中村純之助 １Ｐ５関 第４ 図 十６図 亡１ 第７図 ３
、第２図は第１図に示す偏向器の基本構成図、第６図は
本発明における製造工程の途中の金属薄板に溝を加工し
た状態での斜視図、第４図は同じく開口を形成する工程
を説明する断面図、第５図は充填物に開口が形成された
状態を示す斜視図、第６図は電極形成後の断面図、第７
図は配線用金属を表面に蒸着した状態を示す図である。 符号の説明 １１．２１・・・アレイスリット １２．２４．６２．７２・・・電極 １６・・・ブランキング回路 ２２．４６．５２．６３・・・基板 ２３．４５．５１．６１．７６・・・開口６１．４２・
・・溝 ろ２．４６・・・金属薄板周辺部 ４１・・・金属薄板 ４４・・・充填物 ７１・・・配線用金属 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 中村純之助 １Ｐ５関 第４ 図 十６図 亡１ 第７図 ３
Claims (1)
- 基板に２次元マトリックス状に開口を設は各開口の内面
に電極を形成して構成されるマルチビーム方式の荷電ビ
ーム偏向器の製造において、（イ）機械加工可能な薄板
の片面上の中央部に格子状の溝を切ると同時に同じ片面
上の周辺部を上記溝と同じ深さだけ削り取る工程と、（
ロ）上記溝の中に充填物を充填するとともに」−記薄板
の全体を上記充填物で覆い固化させる工程と、（ハ）次
に、」１記薄板の表面が露出するまで上記充填物を研磨
する工程と、（ニ）エツチング処理により薄板を除去し
充填物だけを残す工程と、（ホ）充填物に形成された開
口の内面に電極を付着する工程とから成る荷電ビーム偏
向器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15636883A JPS6049626A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 荷電ビ−ム偏向器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15636883A JPS6049626A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 荷電ビ−ム偏向器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049626A true JPS6049626A (ja) | 1985-03-18 |
Family
ID=15626221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15636883A Pending JPS6049626A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 荷電ビ−ム偏向器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049626A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62118526A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-05-29 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 荷電粒子ビ−ム リソグラフイ−方法および装置 |
| JPS63269524A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | Canon Inc | 荷電ビ−ム装置 |
| US5205770A (en) * | 1992-03-12 | 1993-04-27 | Micron Technology, Inc. | Method to form high aspect ratio supports (spacers) for field emission display using micro-saw technology |
| US5484314A (en) * | 1994-10-13 | 1996-01-16 | Micron Semiconductor, Inc. | Micro-pillar fabrication utilizing a stereolithographic printing process |
| US5492234A (en) * | 1994-10-13 | 1996-02-20 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating spacer support structures useful in flat panel displays |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP15636883A patent/JPS6049626A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62118526A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-05-29 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 荷電粒子ビ−ム リソグラフイ−方法および装置 |
| JPS63269524A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | Canon Inc | 荷電ビ−ム装置 |
| US5205770A (en) * | 1992-03-12 | 1993-04-27 | Micron Technology, Inc. | Method to form high aspect ratio supports (spacers) for field emission display using micro-saw technology |
| US5484314A (en) * | 1994-10-13 | 1996-01-16 | Micron Semiconductor, Inc. | Micro-pillar fabrication utilizing a stereolithographic printing process |
| US5492234A (en) * | 1994-10-13 | 1996-02-20 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating spacer support structures useful in flat panel displays |
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