經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526522 A7 _8162pif.doc/QQ8 B7 五、發明說明（（） 本發明宣告日本專利申請案號2〇〇〇-266742，申請日 西元2〇〇〇年9月4日之優先權，其內容在此一倂做爲參 考。 本發明是有關於一種包括塑造帶電荷粒子束之裝置 之電子束曝光裝置，以及製造此裝置之方法。本發明特別 是有關於一種將帶電荷粒子束塑造成所需與精準之方型橫 切面形之裝置。 第1圖顯示具有開口區域506以容納電子束之橫切 面形狀之傳統裝置500。此裝置500包括一對約彼此平行 之葉片或條片502，以及垂直於葉片502之另一對葉片或 條片504。電子束之橫切面係由葉片對5〇2與504而形成 四方形，當束係通過裝置500之開口 506時。 用於形式電子束之橫切面之傳統裝置500係由精密 機器製造技術所製造。然而，幾年來，利用電子裝置之最 小化，比如半導體裝置，比如，電子束曝光裝置之電子束 之橫切面係需要形成高精準與細小四方形。因此，非常難 於利用傳統精密機器製造技術來製造裝置5〇〇。甚至，最 近，使用複數個電子束之電子束曝光裝置係在發展中。然 而’利用傳統精密機器製造技術係非常難以提供複數個開 口區域’用於使得複數個電子束之橫切面以高精密度而形 成於裝置500之既定位置。因此，幾乎無法實用或有效地 利用上述電子束曝光裝置。 · 因此，本發明之目的係提供塑造帶電荷粒子束之裝 置及此裝置之製造方法，其能克服上述習知技術之問題。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) _龜 4 526522 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 8 1 62pif . doc/ 0 0 8_B7___ 五、發明說明（1) 此目的係由合倂獨立項而達成。附屬項係定義更進一步之 本發明優點以及組合例。 根據本發明之第一觀點，包括塑造帶電荷粒子以提 供所需橫切面形狀之一種裝置係包括：一第一通道，形成 於該裝置之一基板上，該第一通道包括一對平行側邊；以 及一第二通道，形成於該裝置之該基板上，該第二通道係 重疊於該第一通道，且包括垂直於該第一通道之該對平行 側邊之一對垂直側邊；其中該開口係貫穿該裝置之該基板 且形成於該第一與第二通道之重疊區。 該第二通道與該第一通道係形成於該裝置之相對 側。 該第一通道之該對側邊間之間距係本質上相等於該 第二通道之該對側邊間之間距。貫穿該裝置之該開口係多 於一個。 . 根據本發明之第二觀點，一種裝置，包括具有橫切 面之一開口以塑造帶電荷粒子，包括：具有一孔洞形成於 其內之一基底，該孔洞具有本質上爲平行之一第一平行側 邊對與垂直於該第一平行側邊對之一第二平行側邊對；以 及一插入元件，接觸於該孔洞之內側表面；其中該插入元 件具有形成於該孔洞內之一開口，該插入元件之該開口係 貫穿該裝置之該基板且其頂端係尖於該孔洞之頂端。 根據本發明之第三觀點，一種裝置之製造方法，該 裝置包括塑造帶電荷粒子以提供所需橫切面形狀’包括： 形成具一第一孔洞之一第一層於一基板上’該第一孔洞包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I · ϋ H ϋ I I n ϋ I ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ I ϋ I ϋ ϋ I ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ n ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ n H ϋ - n ϋ 526522 A7 _8162pif.doc/0Q8_B7 五、發明說明（i ) 括一對平行側邊；形成具一第二孔洞之一第二層於該基板 上，該第二孔洞係包括垂直且重疊於該第一孔洞之該對平 行側邊之一對垂直側邊；其中該開口係貫穿該裝置之該基 板且形成於該第一與第二孔洞之重疊區；以及分割該基 板。 形成該第一層包括：形成一第一光阻圖樣於有該第 一孔洞形成之該基板之一區域上；以及選擇性形成該第一 層於該基板上；以及形成該第二層包括：形成一第二光阻 圖樣於有該第二孔洞形成之該第一層與該第一光阻圖樣之 一區域上；以及選擇性形成該第二層於該第一層上。 該基板係由導電材質所形成，且該第一層與該第二 層係由電鍍所形成。 該第一層係厚於該第一光阻圖樣，且該第二層係厚 於該第二光阻圖樣。 該方法更包括：從該基板分割該第一層，其中該第 二層係形成於原先接觸於該基板之該第一層之一表面上。 根據本發明之第四觀點，一種裝置之製造方法，該 裝置包括具有橫切面之一開口以塑造帶電荷粒子，包括： 形成包括一第一平行側邊對之一第一通道於一基底上；以 及形成一第二通道於該基底上，該第二通道係具有重疊且 重疊於該第一通道之該第一平行側邊之一第二平行側邊 對；其中該開口係貫穿該裝置且形成於該第一與第二通道 之重疊區。 該第二通道與該第一通道係形成於該基底之相對 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂---------線J 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526522 A7 B7 8162pif.doc/008 五、發明說明（β ) 側。 根據本發明之第五觀點，一種裝置之製造方法，該 裝置包括具有所選擇橫切面之一開口以塑造帶電荷粒子， 包括：形成具有一孔洞形成於其內之一基底，該孔洞係具 有本質上爲平行之一第一平行側邊對與垂直於該第一平行 側邊對之一第二平行側邊對所定義；以及形成一插入元件 於該孔洞內以接觸於該孔洞之內側表面；其中該插入元件 具有形成於該孔洞內之一開口，該插入元件之該開口係貫 穿該裝置且其頂端係尖於該孔洞之頂端。 根據本發明之第六觀點，一種電子束曝光裝置以曝 光一電子束於一晶圓之一所需區域上，包括：一電子槍以 產生該電子束；一電子透鏡以調整該電子束之聚焦；一偏 移器，以偏移於一晶圓上之一所需區域上之該電子束；塑 造該電子束至具既定橫切面形狀之一裝置；以及一晶圓平 台以支撐一晶圓；其中塑造該電子束之裝置包括：在該裝 置之一基板內之一第一通道，該第一通道具有一對平行側 邊·，在該裝置之該基板內之一第二通道，該第二通道具有 垂直且重疊於該第一通道之該對平行側邊之一對垂直側 邊；以及一開口，其貫穿該裝置且係形成於重疊之該第一 與第二通道所定義之一區域上。 根據本發明之第七觀點，一種塑造一帶電荷粒子束 之裝置，包括：在該裝置內之一第一通道，該第一通道具 有一對平行側邊；在該裝置內之一第二通道，該第二通道 具有垂直且重疊於該第一通道之該對平行側邊之一對垂直 7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -—Aw________ir---------—Aw---------------------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 297公釐） 526522 A7 8162pif.doc/008 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（〔） 標號說明： 10 :電子槍 14 :第一塑造裝置 16 :第一多軸電子透鏡 18 :第一塑造偏移器 2 0 :第_^*塑造偏移器 22 :第二塑造裝置 24 :第二多軸電子透鏡 26 :空白孔徑陣列 28 :電子束切割單元 34 :第三多軸電子透鏡 36 :第四多軸電子透鏡 38 :副偏移器 40 ··第一線圏 42 :主偏移器 44 ··晶圓 46 :晶圓平台 48 :晶圓平台驅動器 50 :第二線圈 52 :同軸透鏡 80 :電子束控制器 82 :多軸電子透鏡控制器 84 :塑造偏移控制器 86 : BAA裝置控制器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
^1 ϋ ϋ n ϋ ϋ ϋ I ϋ n ϋ ϋ ϋ n ϋ ϋ I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 526522 A7 8162pif.doc/008 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（9 ) 90 :同軸透鏡控制器 92 :副偏移器控制器 94 :主偏移器控制器 96 :晶圓平台控制器 100 :電子束曝光裝置 110 :電子束塑造單元 112 :曝光開關單元 114 :投射單元 112 :曝光開關單元 120 :個別控制單元 130 : —般控制單元 140 :控制區 150 :曝光單元 201 :基板 202 :第一層 204 :第二層 206與208 :突出物 210 :第一通道 212 :基底 214 :插入元件 216 :突出物 220 ··第二通道 222 :第一光阻圖樣 224 :第二光阻圖樣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 象
訂---------線II 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 526522 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 8162pif . doc/008_B7___ 五、發明說明（Θ ) 226基底 228 :導電膜 230 :開口 232 :基板 246 :光阻 2 4 8 :光阻圖樣 250 :孔洞 500 :裝置 502、504 :葉片 506 :開口區域 較佳實施例 本發明將根據較佳實施例進行說明，其非用以限定 本發明之範圍，只用於舉例說明。在實施例中所描敘之特 徵與組合例對本發明而言並非必要。 在此，名詞”通道（channel)”係描敘如溝槽（trench)， 切痕（cut)，溝（furrow)或凹槽（groove)等之結構，其形成於 基底或基板中。 參考第2〜8圖，其詳細描述本發明之實施例。底下 之實施例並非用以限定本發明之範圍，且根據實施例之本 發明特徵對本發明之實務並非必要。 第2圖顯示根據本發明之實施例之電子束曝光裝置 100。電子束曝光裝置100包括：在晶圓44上進行電子束 曝光製程之曝光單元15〇，以及控制曝光單元150內部元 件之操作之控制區140。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -------------AW--------訂·--------—.^w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526522 A7 i^?pif.cioc/008 B7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（ 曝光單元150包括··電子束塑造單元110，其產生複 數個電子束與將電子束之橫切面塑造成所需形狀；曝光開 關單元112，根據電子束是否要曝光於晶圓44上而獨立地 開關電子束；以及投射單元114，以調整轉印至晶圓44之 圖樣之方向與大小。曝光單元150更包括平台區/其具有 晶圓平台46以支撐其上有圖樣轉印之晶圓44以及驅動晶 圓平台46之晶圓平台驅動器,48。 電子束塑造單元110包括：電子槍10以產生複數個 電子束；第一塑造裝置14與第二塑造裝置22，其分別具 有複數個開口以將通過開口之電子束之橫切面塑造成所需 形狀；第一多軸電子透鏡16，藉由獨立地集中個別電子束 而調整電子束之聚焦；以及第一塑造偏移器18與第二塑 造偏移器2〇，其獨立地將通過第一塑造裝置14之個別電 子束給予偏斜。 第一塑造裝置14將電子束之橫切面形成所需形狀， 且具有約彼此平行之兩側之第一通道，以及重疊於第一通 道之第二通道，其兩側約垂直於第一道通之兩側。較好是， 穿過第一塑造裝置U之開口係形成於由第一與第二通道 之兩側重疊所定義之區域。第二塑造裝置22具有與第^ 塑造裝置14之相同功能與架構。 一 第一塑造裝置I4與第二塑造裝置22分別具有由 等所形成之金屬膜，以將有電子束照射於其上之第〜 衣置14與第一塑造裝置22之表面接地。較好是利用货卜 點金屬材質來形成第一塑造裝置Η與第二塑造裝竃2=、 請 先 閱 讀 背 意 事 項 再 填 寫 本 頁
526522 A7 8 162pif.doc/0〇 8 B7 五、發明說明（β) /或金屬膜。第一及/或第二塑造裝置14及/或22之各開口 可沿著電子束之發射方向做得較寬，如第2圖之橫切面所 示，以使得電子束更有效地通過相關開口。 曝光開關單元112包括：第二多軸電子透鏡24，藉 由獨立集中電子束以調整電子束之聚焦；空白孔徑陣列 (blank aperture array，BAA)26(BAA)，根據是否電子束要曝 光於晶圓44上，藉由偏斜各電子束而獨立決定切換電子 束，以及電子束切割單元28具有讓電子束通過之複數個 開口，以切割被空白孔徑陣列26所偏斜之電子束。電子 束切割單元28之各開口可沿著電子束之發射方向做得較 寬，如第2圖之橫切面所示，以使得電子束更有效地通過 相關開口。 投射單元114包括：第三多軸電子透鏡34，藉由獨 立集中各別電子束而減少電子束之橫切面；第四多軸電子 透鏡36藉由獨立集中各別電子束而言整電子束之聚焦； 副偏移器38，獨立將各電子束偏斜至晶圓44之既定位置 上；同軸透鏡52，其當成接物透鏡，具有第一與第二線圏 40與50以集中電子束；主偏移器42，只將所需電子束量 集中於相同方向。主偏移器42可爲靜態電子類型偏斜器， 其利用電場而高速偏斜複數個E束，且包括圓形八極架 構，其具有彼此相對之四對電極，或多於8個電極。同軸 透鏡52係較好接近於晶圓44，比起第四多軸電子透鏡3 6。 控制區140包括一般控制單元130與個別控制單元 120。個別控制單元120包括：電子束控制器80，多軸電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -· 訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 526522 __r 1. 6 2 p i f . d o c / 0 0 8_B7 ---------- 五、發明說明（（I ) 子透鏡控制器82，塑造偏移控制器84，BAA裝置控制器 ^ 86，同軸透鏡控制器90，副偏移器控制器92，主偏移器 控制器94與晶圓平台控制器96。一般控制單元130比如 爲工作站，一般控制個別控制單元120內之各控制器。電 子束控制器80控制電子槍1〇。多軸電子透鏡控制器82控 制提供至第一多軸電子透鏡16，第二多軸電子透鏡24， 第三多軸電子透鏡34與第四多軸電子透鏡36之電流。 塑造偏移控制器84控制第一塑造偏移器18與第二 塑造偏移器20。BAA裝置控制器86控制施加至空白孔徑 陣列26內部之偏斜電極之電壓。同軸透鏡控制器90控制 提供至同軸透鏡52內之第一線圈40與第二線圈50之電 流。主偏移器控制器94控制施加至主偏移器42內之偏斜 電極之電壓。晶圓平台控制器96控制晶圓驅動器48以將 晶圓平台46移動至望定位置。 現在將詳細描敘本發明電子束曝光裝置100之操作。 首先，電子槍1〇產生複數個電子束。由電子槍10所產生 之電子束係由第一塑造裝置14所射出與塑造。通過第一 塑造裝置I4之各電子束具有根據第一塑造裝置14之開口 | 之方型橫切面。 2 具方型橫切面之各電子束係被第一多軸電子透鏡16 | 所獨立集中，且各電子束之聚焦係被第一多軸電子透鏡16 | 獨立調整成相關於第二塑造裝置22。具方型橫切面之各電 | 子束係獨立偏斜至第二塑造裝置22上之所需位置。被第 | 一塑造偏移器18所偏斜之各電子束係被第二塑造偏移器 % 製 I__ u 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A‘1規格（21Qx 297公------- --------1----銕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 五 _I_____ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526522 A7 _ 8162pif.doc/QQ8_ B7 、發明說明（lv) 20所獨1L並垂直偏斜成相關於第二塑造裝置22。第一多 軸電子透鏡16與第一塑造偏移器18之上述操作係對各電 子束執行’無關於其他電子束，也就是，第一多軸電子透 鏡16與第一塑造偏移器18之操作係獨立執行於各電子束 上，使得各電子束不會彼此影響或不被其他電子束之操作 所影響。因此，電子束係受控成垂直照射於第二塑造裝置 22之所需位置上。具方型開口之第二塑造裝置22更將照 射至第二塑造裝置22且具方型橫切面之該些電子束塑造 成更所需與更精準之方型橫切面，使得電子束適合於照射 於晶圓44上。 藉由第二多軸電子透鏡24,各電子束係獨立地集中， 且各電子束之聚焦係獨立地相對於空白孔徑陣列26而調 整。被第二多軸電子透鏡24調整過聚焦之各電子束係通 過空白孔徑陣列26內之各孔徑。 BAA裝置控制器86決定是否電壓要施加至靠近空白 孔徑陣列26內之各孔徑位置之各偏斜電極。空白孔徑陣 列26根據施加至各偏斜電極之電壓而控制各電子束之射 出。在施加電壓之情況下，通過孔徑之電子束並不會照射 在晶圓44上，因爲電子束係被偏斜且無法通過電子束切 割單元28內之開□。在未施加電壓之情況下，通過孔徑 之電子束會照射在晶圓44上，因爲電子束並沒被偏斜且 能夠通過電子束切割單元28內之開口。 未被空白孔徑陣列26偏斜之電子束之橫切面係被第 三多軸電子透鏡34所減少且通過電子束切割單元28內之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526522 A7 8 1 62pif . doc / 0 0 8 β7 五、發明說明（ο) 開口。藉由第四多軸電子透鏡36，複數個電子束係獨立地 集中，且電子束之聚焦係相對於副偏移器38而獨立地調 整。聚焦被調整之電子束係射入至副偏移器38內之偏斜 元件。 副偏移器38內之複數偏斜元件係被副偏移器控制器 92獨立控制。射入至副偏移器38之偏斜器之複數個電子 束係由副偏移器38來獨立偏斜至晶圓44之所需曝光位 置。 在曝光時，晶圓平台控制器96係控制晶圓平台驅動 器48使得晶圓平台46係依既定方向移動。baA裝置控制 器86根據曝光圖樣資料而決定電子束通過之孔徑，並對 各孔徑進行功率控制。回應於晶圓44之程動，藉由適合 切換電子束通過之孔徑，以及藉由主偏移器42與副偏移 器38來偏斜電子束，可能將所需電路圖樣曝光於晶圓44 上。 .根據電子束曝光裝置100，電子束之橫切面可形成所 需之方型。因此，比如，在曝光具有直線之導線圖樣時， 可能在晶圓44上有直線圖樣，其具有以脈衝形式將電子 束射出之曝光孔徑。甚至，電子束曝光裝置100也可當成 方塊曝光類型或BAA類型裝置。 第3(a)與3(b)圖顯示裝置200，比如第一塑造裝置14 或第二塑造裝置22，其具有複數個開口以塑造帶電荷粒子 束。第3(a)與3(b)圖係從裝置200之線A-A'所看到之平面 圖與剖面圖。 冬紙過用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 29T^i" ---------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526522 A7 B7 R162pif.doc/0Q8 五、發明說明（ 如第3(a)與3(b)圖所顯7K，裝置2〇〇具有基板 (substrate)201，其上具有：第一通道210，其具彼此平行 之兩側邊；以及第二通道220，其具有約垂直於第一通道 210之兩側邊之兩側邊。甚至，開口 230係形成於由第一 通道210與第二通道220之兩對側邊所定義之區域上。因 此，所射出之電子束係由通過開口 23〇而塑造成所需形狀。 具體地說，所通過之電子束之橫切面形狀係相關於開口 230 之形狀或開口 230之頂點形狀。 如第3(b)圖所示，較好係形成第二通道220與第一通 道210於基板201之相對面上。甚至，較好是第一通道210 之兩側邊間距本質上係相同於第二通道220之兩側邊間 距。具體地說，較好是使得開口 110一本質上爲方型，當由 電子槍10之角度看來時。根據本發明之另一實施例，開 口 230之形狀可爲方型，而非正方形。 根據本發明，裝置200，其形成帶電荷粒子束之橫切 面形狀，可利用第一通道210與第二通道220而具有本質 上直角頂端之開口。因此，可能形成具有本質上直角頂點 之方型柱切區之帶電荷粒子束。甚至，因爲可能將開口 230 形成微小方型，可能準確地與輕易形成複數個開口 230於 裝置200之所需位置上。甚至，可能同時形成其上有所需 形狀之複數個開口 230形成於各所需位置之複數個裝置 200 〇 第4(a)至4(d)圖顯示具開口 230之裝置200之另一實 施例。在第4(a)至4(d)圖中，右側之圖係裝置200之平面 ------------0--------訂---------線·. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 17 526522
Bl62pif . doc/008 A7 B7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、發明說明（β) 圖，後在左側之圍係從裝置200之線Α_Α'所視之橫切面 圖。如第4(a)圖所示，裝置200具有第一與第二層202與 204。在此例中，較好是形成第一通道210於第一層202 上，以及形成第二通道220於第二層204上。甚至，第一 與第二通道210與220可分別爲貫穿第一與第二層202與 204之孔洞。 如第4(b)圖所示，第一與第二層202與204具有從第 一與第二通道210與220突出之突出物206與208。突出 物206與208較好是第一與第二層202與204之上蓋物或 凸出。甚至，較好是，有突出物206與208形成之第一與 第二層202與204之表面粗糙區係小於未有突出物206與 208形成之面域。比如，第一與第二層202與204係較好 由電極沉積所形成，比如電鑛或電極形成。 如第.4(c)圖所示，裝置200係爲具有貫穿其本身之孔 洞之基底(base)212，其中基底212包括插入元件214，其 具有頂端比基底212之該孔洞之頂端更尖。212之孔洞具 有本質上爲平行之一第一對側邊以及本質上爲垂直之一第 二對側邊，第二對側邊係本質上垂直於該第一對側邊。根 據本實施例，插入元件（inscribed element)214可位於裝置 2〇〇之面對電子槍10之表面上，或在面對電子槍1〇之相 ¥寸表面上。較好是，插入元件2 14之開口 2 3 0之頂端係尖 於基底212之孔洞之頂端。 如第4(d)圖所示，裝置200可爲具有孔洞之基底212 與朝著孔洞內側而形成之突出物216，使得孔洞與突出物 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 ---------------------訂------^—線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526522 A7 8162pif.doc/008 B7 五、發明說明（（c) 216構成開口 23 0。基底212之孔洞具有本質上爲平行之 一第一對側邊以及本質上爲垂直之一第二對側邊，第二對 側邊係本質上垂直於該第一對側邊。較好是，突出物216 所形成之頂端係尖於基底212之孔洞之頂端。甚至’較好 是突出物216之表面粗糙區係小於基底212之孔洞之表面 粗糙區。比如，藉由形成突出物216貫穿基底212之電沉 積，可能使得突出物216之表面粗糙區較小。因而’利用 裝置200,可能形成具有本質上爲直角頂端之方型橫切面 之帶電粒子束。 第5(a)至5(e)圖顯示根據本發明之塑造帶電荷粒子束 之製造裝置200之方法。在第5(a)至5(e)圖中，在右側之 圖係各製程之裝置200之平面圖，而在左側係各製程時’ 在裝置200之線A-A'處所看之橫切面圖。首先，係準備 基板（substrate)232。基板232係較好包括基底226與導電 膜228，導電膜228係由比起基底226有較高導電性之材 質所形成。根據本發明之實施例，由於基板係由高導電材 質所形成，基板232不包括導電膜228。 第5(a)圖顯示形成第一光阻圖樣222於基板232上之 有第一孔洞形成之區域上之製程，如後所述。首先，光阻 係由旋轉覆蓋法而覆蓋於基板232上。接著，第一光阻圖 樣222係由包括曝光與印刷製程之微影製程所形成。第一 光阻圖樣222係包括本質上爲平行之一對側邊。爲曝光製 程，電射，帶電荷粒子束，如果電子束或X光係當成光源。 甚至，光阻較好根據所用光源而選擇。比如，光阻可爲正 --------------------訂---------線"^1^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格(21Q χ视公髮） 526522
五、發明說明（〇) 或負型光阻，具光感性之多硫亞氨或電子束光阻。 甚至，形成第一光阻圖樣222之製程更包括形成中 介層（未示出）於基板232上之製程，以及利用該第一光阻 圖樣2U當成光罩而蝕刻該中介層。中介層係形成於基板 232與第一光阻圖樣222之間。甚至，中介層可爲抗反射 層，其減少曝光時，光源從基板之反射量。較好是進行乾 蝕刻於中介層上，利用該第一光阻圖樣222當成光罩。甚 至，形成該第一光阻圖樣222之製程可爲印刷該第一光阻 圖樣222之製程。 第5(b)圖顯示形成第一層202之製程。第一層202係 形成於基板232上，其材質係從金，鉑，銅或鎳之群組所 選出。根據本實施例，第一層202係由電沉積而選擇性成 於基板232上。較好是，第一層202之厚度本質上相同於 第一光阻圖樣222之厚度。 第5(c)圖顯示形成第二光阻圖樣224於第一層202與 第一光阻圖樣2U上之有第二孔洞形成處上。光阻係覆蓋 於第一層2〇2與第一光阻圖樣222上，接著第二光阻圖樣 224係由包括曝光與印刷製程之微影製程所形成。第二光 阻圖樣224係包括本質上爲垂直之一對側邊，其垂直與重 疊於上述之第一光阻圖樣222之平行側邊。 第5(d)圖顯示形成第二層2〇4之製程。第二層204係 形成於第一層2〇2上，其材質係從金，鈾，銅或鎳之群組 所選出。根據本實施例，第二層204係由電沉積而選擇性 成於第一層202上◦較好是，第二層204之厚度本質上相 20 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂------ 線碎 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526522 A7 ----^816 2pif.doc/008 R7 五、發明說明（0) 同於第二光阻圖樣224之厚度。 根據本發明之另一實施例，較好是藉由翻轉第一層 202，形成第二層204於面對基板232之第一層2〇2之表 面上。首先，在形成第一層202後，藉由熔化導電膜228， 第一層202係分隔於基板232。其次，原先接觸到隔開第 一層202之基板232之該側邊之相對側邊係再次附著至基 板232。其次，光阻係覆蓋於第一層202與基板232上， 且第二光阻圖樣224係由微影製程而形成。接著，第二層 2〇4係形成於原先接觸基板232之第一層202之表面上。 可能有效壓抑裝置200之彎曲，即使當第一與第二層202 與204係由高內應力材質所形成，因爲在形成第一層202 後將之翻轉’弟一*層204係形成於第一^層202上。 弟5(e)圖顯不將基板232分割之製程。首先，第一'與 第二光阻圖樣222與224係由光阻分割溶解法所移除。接 著，裝置200係包括：具第一孔洞242之第一層202，第 一孔洞242具有一對平行側邊；以及具第二孔洞22之第 二層2〇4，第一孔洞M4具有一對垂直側邊，其垂直且重 疊於第一孔洞242之上述側邊，第一與第二孔洞242與244 之重疊區係形成貫穿裝置200之開口 230。根據本實施例， 基板232內之導電膜228係選擇性熔解與由蝕刻劑所移 除。根據本發明之另一實施例，基板232可機械式移除。 第6(a)至6(f)圖顯示根據本發明之製造裝置200之另 一實施例。在第6(a)至6(f)圖中，右側之圖係裝置2〇〇在 各製程之平面圖，而左側之圖係在各製程時，從裝置2⑽ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ;0--------訂---------線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 尺度(CNSM-—-- 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526522 A7 8162pif.cl〇c/008 B7 發明說明（（q ) 之線A-A'所看得之橫切面圖。首先，係準備基板232。基 板232係較好包括基底226與導電膜228，導電膜228係 由比起基底226有較高導電性之材質所形成。根據本發明 之另一實施例，由於基板係由高導電材質所形成，基板232 不包括導電膜228。 第6(a)圖顯示形成第一光阻圖樣222之製程。首先， 光阻係覆蓋於基板232上’接著，第一光阻圖樣222係由 包括曝光與印刷製程之微影製程所形成。第一光阻圖樣222 係包括本質上爲平行之一對側邊。 第6(b)圖顯不形成弟一層202之製程。第一層202係 形成於基板232上，其材質係從金，鉛，銅或鎳之群組所 選出。較好是，第一層202之厚度本質上相同於第一光阻 圖樣222之厚度。甚至，第一層202係覆蓋第一光阻圖樣 222之頂表面之一部份，藉由使得第一層202厚於第一光 阻圖樣222。根據本實施例，第一層202係由電沉積而選 擇性形成。甚至，藉由調整電沉積之參數，第一層202係 使成使得第一層202之粗糙表面區域，第一層202未接觸 至第一光阻圖樣222之處，係低於第一層202之表面（在 此處，第一層202係接觸至第一光阻圖樣222)。電沉積之 製程參數包括加至電沉積溶液之添加物之類型，構造，密 度等。 第6(c)圖顯示從基板232分割第一層202之製程。首 先，第一光阻222係移除。接著，第一層202係藉由溶解 導電膜228而從基板232分割。 22 本纸張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） ---------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526522 A7 8l62pif . doc/0 〇 8 B7 五、發明說明（y ) 第6(d)圖顯示形成第二光阻圖樣224之製程。首先， 原先接觸到分割出第一層202之基板232之該側邊之相對 側邊係附著至基板232。接著，光阻係覆蓋於第一層與基 板232上，接著第二光阻圖樣224係由包括曝光與印刷製 程之微影製程所形成。第二光阻圖樣224係包括一對側邊， 其本質上垂直且重疊於當將第一光阻圖樣222移除時形成 於第一層2〇2內之開口之側邊。 第6(e)圖顯示形成第二層204之製程。第二層2〇4係 形成於第一層202上，其材質係從金，鉑，銅或鎳之群組 所選出。較好是，第二層204之厚度本質上較厚於第二光 阻圖樣224之厚度。甚至，藉由使得第二層204之厚度本 質上較厚於第二光阻圖樣224之厚度，第二層204係覆蓋 第二光阻圖樣224之頂表面之一部份。 第6(f)圖顯示分割基板232之製程。首先，第二光阻 圖樣224係由光阻分割溶液所移除。接著，裝置200係包 括：具第一孔洞242之第一層202，第一孔洞242具有一 對平行側邊；以及具第二孔洞22之第二層2〇4，第一孔洞 244具有一對垂直側邊，其垂直且重疊於第一孔洞242之 上述側邊，第一與第二孔洞242與244之重疊區係形成貫 穿裝置200之開口 230。根據本實施例，爲形成裝置200， 基板232內之導電膜228係選擇性熔解與由蝕刻劑所移 除。 根據本實施例，藉由分成形成第一與第二層202與204 來覆蓋第一與第二光阻圖樣2U與224之部份頂表面，有 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -.Aw 訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526522 A7 8l62pif.doc/008 R7 五、發明說明（/|) 可能形成第一與第二層202與2〇4之塑造帶電荷粒子束之 粗糖表面區爲非常低，即使當第一與第二光阻圖樣222與 224具不等側邊。因而，可能塑造帶電荷粒子束來具有高 精確方型橫切面。 ’ 第7(a)至7(d)圖顯示根據本發明之製造裝置200之另 一實施例。在第7(a)至7(f)圖中，右娜之圖係裝置200在 各製程之平面圖，而左側之圖係在各製程時，從裝置200 之線A-A'所看得之橫切面圖。 如第7(a)圖所示，光阻246係覆蓋於基底212之兩側。 基底212係由矽，矽化碳，鎢或鉬等群組所選出之材質所 形成。 第7(b)圖顯示形成第一與第二光阻圖樣222與224之 製程。藉由進行包括曝光與印刷製程之微影技術，覆蓋光 阻246係包括：具一對本質上平行側邊之第一光阻圖樣 222，其係相關於第一通道；以及具一對本質上垂直且重 疊於該第一光阻圖樣222之平行側邊之側邊之第二光阻圖 樣224，其係相關於第二通道，第一與第二通道將於底下 描敘。第二光阻圖樣224係較好形成於有第一光阻圖樣222 形成之相對側。 第7(c)圖顯示形成第一與第二通道210與220之製 程。藉由將第一光阻圖樣222當成光罩，具平行側邊之第 一通道210係藉由蝕刻基底212而形成。第一通道210並 未貫穿基底212。接著，利用第二光阻圖樣224當成光罩， 具一對本質上垂直且重疊於該第一光阻圖樣222之平行側 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) -- -------------*-------訂------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ' 526522 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 — 8162pif.d〇^y00j_BZ_ 五、發明說明（々V) 邊之側邊之第二光阻圖樣224係藉由蝕刻基底212而形 成，第一與第二通道210與220之重疊區域係貫穿基底 212。第二通道220係使得基底212之相關區域係被蝕刻 製程所貫穿° 接著，如第7(d)圖所示，第一與第二光阻圖樣222與 224係移除’裝置1 2〇〇係包括：具一對本質上平行側邊之 第一光阻圖樣222 ;以及具一對本質上垂直且重疊於該第 一光阻圖樣222之平行側邊之側邊之第二光阻圖樣224’ 第一與第二通道210與220之重疊區域係形成會貫穿基底 212 之開口 230。 第8(a)至8(d)圖顯示根據本發明之製造裝置200之另 一實施例。在第8(a)至8(d)圖中’右側之圖係裝置200在 各製程之平面圖’而左側之圖係在各製程時’從裝置200 之線Α-ΑΛ所看得之橫切面圖。 如第8(a)圖所示，光阻246係覆蓋於附著至基板232 之基底212之上。考慮底下之製程，基板係較好由非絕緣 材質所形成。 第8(b)圖顯示形成孔洞250之製程，孔洞250具有平 行側邊與垂直於該平行側邊之一對垂直側邊。首先，藉由 包括曝光與印刷製程於光阻上，光阻圖樣248係具有 一對平行側邊以及垂直於該平行側邊之一對垂直側邊。接 著，孔洞25〇係利用將光阻圖樣248當成光罩來蝕刻基底 212而形成。較好是，孔洞係垂直形成於基底212與基板 232內，且孔洞250之直行沿著蝕刻方向係變小。 ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 5 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 526522 A7 五、發明說明（d) 第8(c)圖顯示形成插入元件或插入物214之製私^ 好是，插入物2丨4係接觸孔洞250之內側表面。根據此貫 施例，，開口 230係由插入物214所形成，而插入物214係 選擇性形成於基底212上，且透過電鍍而由導電材質所开夕 成，開口 23〇之頂端係尖於孔洞25〇之頂端。 第8(d)圖顯示分割基板232之製程。首先，光阻圖樣 248係移除。接著，藉由分割基板232，裝置2〇〇係完成 且具有開口 230。 / 由上述可知，根據本發明，能準確地且輕易地形成 包括微小方型橫切面區之開口之裝置。 綜上所述’雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如 上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不 脫離本發明之精神和範圍內’當可作各種之更動與潤飾， 因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者 , 爲準。 --------------------^---------^ . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 26