JP2555225B2

JP2555225B2 - 荷電粒子露光用透過マスク

Info

Publication number: JP2555225B2
Application number: JP351691A
Authority: JP
Inventors: 樹一坂本; 悟山崎
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1991-01-17
Filing date: 1991-01-17
Publication date: 1996-11-20
Anticipated expiration: 2011-11-20
Also published as: JPH04243118A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、所望するパターンを開
口部として持つ荷電粒子露光用透過マスクに係り、詳し
くは、シリコン酸化膜を挟んで上層Ｓｉ板と支持Ｓｉ板
とを貼り合わせ接着した構造の荷電粒子露光用透過マス
クに関する。

【０００２】近年、集積回路の高密度化に伴い、長年微
細パターン形成の主流であったフォトリソグラフィーに
代わり、荷電粒子ビーム、例えば電子ビームやイオンビ
ームによる露光やＸ線を用いる新しい露光方法が検討さ
れ、実際に使用されるようになってきた。荷電粒子ビー
ム露光は、荷電粒子ビームを用いてパターン形成を行
う。電子線での形成は、ビームそのものを数Å程度にま
で絞ることができるために、ミクロン程度またはそれ以
下の微細なパターンを形成できることに大きな特徴があ
る。

【０００３】ところが、本露光方法はいわゆる“一筆書
き”の露光方法であるため、微細になればなる程小さな
ビームで露光しなければならなくなり、露光時間が莫大
に長くなってしまう。この問題解決のため、ブロック露
光方法が考案された。このブロック露光方法については
後述する。

【０００４】これらの露光方法で用いられる透過マスク
は、加工性や強度を考慮すると、Ｓｉ板を用いて形成す
るのが最もよいと言われている。Ｓｉ板を使用する場
合、各々の透過孔をＳｉ板の厚さ分だけ開けるのは不合
理であり、パターン形成領域はメンブレン状（薄膜状）
にして、その上でパターン形成するのが一般的である。

【０００５】

【従来の技術】透過マスクを構成するメンブレンは、20
μｍ以下程度にして形成するのが良いが20μｍ以下で制
御するのは難しく形成し難い。この制御は、通常エッチ
ングレートの結晶性及び不純物濃度依存性を使用する。
即ち、ＳｉエッチングをＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶
液で行う場合、Ｓｉ板の面方位が〔 100〕と〔 111〕と
では、30倍以上のエッチングレート差が生じ、一方Ｓｉ
板のボロン濃度が10²⁰個／cm³ 以上であると、Ｓｉ板の
面方位が〔 100〕と〔 111〕とは略同様のエッチングレ
ートとなる。従って、面方位が〔 100〕のウエハを使用
し、ステンシルになる部分にボロン濃度を10²⁰程度にし
ておき、エッチングを行う。ところが、ボロンをイオン
注入すると、エッチングレートを遅くするのに必要な濃
度である範囲が十分とれ難く、十分とるためには長時間
のイオン注入が必要になってしまう。一方、拡散を使用
してボロン濃度を10²⁰程度にする場合は、拡散の深さを
コントロールするのが困難である。更に、透過マスクの
強度的問題も残る。

【０００６】これらの問題点を解決するために本発明者
等は以前、貼り合わせ構造の透過マスクについて提案し
た。これは少なくともシリコン酸化膜を挟んで上層Ｓｉ
板と支持Ｓｉ板とを貼り合わせた構造であり、支持Ｓｉ
板を開口してステンシル部分を形成するというものであ
る。以下、具体的に図面を用いてその構造と製造方法に
ついて説明する。

【０００７】図11及び図12は従来の荷電粒子露光用透過
マスクを説明する図であり、図11は従来例の構造を示す
断面図、図12は従来例の製造方法を説明する図である。
これらの図において、 101は上層Ｓｉ板、 102は支持Ｓ
ｉ板、 103は支持Ｓｉ板 102上に形成されたシリコン酸
化膜、 104は上層Ｓｉ板 101に形成されたマスクパター
ン、 105は上層Ｓｉ板 101に形成された開口部、 106は
シリコン酸化膜 103に形成された開口部である。

【０００８】次に、その製造方法について説明する。ま
ず、図12（ａ) 〜（ｃ）に示すように、膜厚 500μｍ程
度の上層Ｓｉ板 101と熱酸化によって膜厚５〜15μｍ程
度のシリコン酸化膜 103が形成された膜厚 500μｍ程度
の支持Ｓｉ板 102とをメルトさせて貼り合わせ接着す
る。

【０００９】次に、図12（ｄ）に示すように、厚膜の上
層Ｓｉ板 101を研磨により所定の厚さ（例えば10μｍ程
度）まで削り出し薄膜化する。上層Ｓｉ板 101は一般的
には20μｍ以下まで薄膜化するのがよく、これはそれ以
上厚くするとマスクの厚さ部分の影響が露光するパター
ンに及ぼすからである。

【００１０】次に、図12（ｅ）に示すように、ＲＩＥ等
により上層Ｓｉ板 101をパターニングしてマスクパター
ン 104を形成する。次に、図12（ｆ）に示すように、支
持Ｓｉ板 102をＫＯＨ水溶液等により異方性エッチング
して開口部 105を形成する。この場合、例えば500μｍ
厚の上層Ｓｉ板 101を用い 500μｍ□のマスクパターン
104であった場合、上層Ｓｉ板 101には約1200μｍ□の
大きさの開口部 105を開け形成しておく必要がある。こ
れはエッチングによるパターシフトが起こるためであ
る。当然ながら、支持基板 102は面方位が〔 100〕であ
る必要があり、エッチングはシリコン酸化膜 103で停止
させることができる。

【００１１】そして、開口部 105を介してマスクパター
ン 104下のシリコン酸化膜 103部分を除去することによ
り、図11に示すような所望のマスクパターン 104を有す
る透過マスクを得ることができる。

【００１２】このように各物質間のエッチングレートの
違いにより開口部を開けるので、上層Ｓｉ板 101のパタ
ーニングはシリコン酸化膜 103まで到達しており、シリ
コン酸化膜 103を透過しない範囲であるのが良い。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の荷電粒
子露光用透過マスクでは、支持Ｓｉ板 102と上層Ｓｉ板
101間がシリコン酸化膜 103で完全に絶縁される構造で
あったため、所望の透過孔パターンをステッパー等で露
光している間は問題ないが、マスク作成のターンアラン
ドを向上するために荷電粒子ビームで露光しようとした
場合、上層Ｓｉ板101がチャージアップし易いという問
題があった。

【００１４】また、透過マスクとして使用する際、荷電
粒子ビームが上層Ｓｉ板 101上に照射されるので、上層
Ｓｉ板 101に帯電・溶解防止のために金属膜を付着させ
ればよいと考えられるが、この金属膜付着が完全でなか
った場合や、使用中にマスクが加熱され又はスパッタさ
れた結果として導通性が低下した場合も、チャージアッ
プを起こしてしまう。

【００１５】更に、このチャージアップという問題は、
ウエハ周辺で上層Ｓｉ板 101からシリコン酸化膜 103を
跨がって支持Ｓｉ板 102まで導電層を付着させれば解決
するが、ウエハ周辺で行うと、その他の加工が困難にな
る上に剥がれ易く不良が発生し易いという問題があっ
た。

【００１６】また、上層Ｓｉ板 101からシリコン酸化膜
103を通過するように穴を開けて導電膜を形成すればよ
いとも考えられるが、その他の独立した工程になってし
まい、工数が増加するうえに電子ビームが照射される
時、迷ビームが発生し易くなってしまうという問題があ
った。

【００１７】そこで、本発明は、透過マスクを構成する
上層シリコン板に荷電粒子ビームを照射した際、上層シ
リコン板のチャージアップを生じ難くすることができる
とともに、迷ビームを発生し難くすることができ、不良
が発生し難い安定した構造の荷電粒子露光用透過マスク
を提供することを目的としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明による荷電粒子露
光用透過マスクは上記目的達成のため、荷電粒子ビーム
を用いて所望のパターンを形成するためのマスクパター
ンが上層シリコン板に形成され，該上層シリコン板と支
持シリコン板とがシリコン酸化膜を挟んで貼り合わせ接
着され、該マスクパター下の該支持シリコン板に該荷電
粒子ビームが通過する第１の開口部が形成され、該マス
クパターンが形成されている領域下以外の該支持シリコ
ン板に該上層シリコン板直下まで貫通する第２の開口部
が形成され、該第２の開口部内で上層シリコン板と該支
持シリコン板とを電気的に導通させる導電性膜が形成さ
れ構成されてなるものである。この場合、第１の開口部
内で上層シリコン板と支持シリコン板とを電気的に導通
させる導電性膜を形成してもよい。

【００１９】本発明による荷電粒子露光用透過マスクは
上記目的達成のため、荷電粒子ビームを用いて所望のパ
ターンを形成するためのマスクパターンが上層シリコン
板に形成され、該上層シリコン板と支持シリコン板とが
シリコン酸化膜を挟んで貼り合わせ接着され、該マスク
パターン下の該支持シリコン板に該荷電粒子ビームが通
過する第１の開口部が形成され、該マスクパターンが形
成されている領域下以外の該支持シリコン板に該上層シ
リコン板直下まで貫通する第２の開口部が形成され、該
第２の開口部内で上層シリコン板と該支持シリコン板と
を電気的に導通させる導電性膜が形成されてなるもので
ある。

【００２０】本発明においては、導電性膜がポリシリコ
ンであってもよい。本発明のマスクは電子ビームが照射
されることで 600〜 800℃に昇温する。シリコン上に金
属を付着させてこの温度程度に上げると、一部の金属を
除いてＳｉ内に拡散したりＳｉが折出したりするため、
使用できる金属は高融点金属となるが、それを使用する
より、ポリシリコンの方が膜厚を十分確保したものを付
着することができ好ましい。

【００２１】

【作用】本発明では、図１に示すように、開口部４ｂ、
６ｂ内で上層Ｓｉ板１と支持Ｓｉ板２とを電気的に導通
させる金属膜８を形成する構造にしたため、上層Ｓｉ板
１と支持Ｓｉ板２とを完全に導通させることができる。
このため、上層Ｓｉ板１に荷電粒子ビームを照射した
際、上層Ｓｉ板１のチャージアップを生じ難くすること
ができるとともに、従来の上層Ｓｉ板１からシリコン酸
化膜３に開口部を開けて導電物質を埋め込む場合のよう
に発生し易かった迷ビームを発生し難くすることができ
る。

【００２２】

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１及び図２は本発明に係る荷電粒子露光用透過マスクの
一実施例を説明する図であり、図１は一実施例の構造を
示す断面図、図２は一実施例の製造方法を説明する図で
ある。これらの図において、１は上層Ｓｉ板、２は支持
Ｓｉ板、３は支持Ｓｉ板２上に形成されたシリコン酸化
膜、４ａ、４ｂは支持Ｓｉ板２に形成された開口部、５
は上層Ｓｉ板１に形成されたマスクパターン、６ａ、６
ｂはシリコン酸化膜３に形成された開口部、７はポリＳ
ｉ等からなるマスク、８はＴａ等からなる金属膜であ
る。

【００２３】次に、その製造方法について説明する。ま
ず、図２（ａ）に示すように、膜厚 500μｍ程度で４″
φ程度の上層Ｓｉ板１と熱酸化によって膜厚 0.5〜１μ
ｍ程度のシリコン酸化膜３が形成された膜厚500μｍ程
度での４″φ程度の支持Ｓｉ板２とをメルトさせて貼り
合わせ接着する。上層Ｓｉ板１の厚さは20μｍ以下が好
ましく、更に好ましくは５〜15μｍ程度である。20μｍ
より厚くなると、露光の際Ｓｉ板の厚さの影響がパター
ンに現れてしまうからである。

【００２４】次に、図２に（ｂ）に示すように、厚膜の
上層Ｓｉ板１を研磨により所定の厚さ、例えば10μｍ程
度まで削り出し薄膜化する。次に、図２（ｃ）に示すよ
うに、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 膜及びＳｉＯ₂ 膜等からなるマスク
（図示せず）を用い、支持Ｓｉ板２をＫＯＨ水溶液等に
より異方性エッチングしてシリコン酸化膜３が露出され
た開口部４ａ、４ｂを形成する。開口部４ｂは開口部４
ａの周囲に例えば４箇所形成される。次いで、ＲＩＥ等
により上記マスクを除去する。

【００２５】次に、図２（ｄ）に示すように、ＲＩＥ等
により上層Ｓｉ板１をパターニングして荷電粒子ビーム
を用いて所望のパターンを形成するためのマスクパター
ン５を形成した後、ＲＩＥ等により開口部４ａ、４ｂを
介してシリコン酸化膜３をエッチングして開口部６ａ、
６ｂを形成する。この時、マスクパターン５下の支持Ｓ
ｉ板２に上層Ｓｉ板１直下まで貫通する開口部４ａ、６
ａが形成されるとともに、マスクパターン５が形成され
ている領域下以外の支持Ｓｉ板２に上層Ｓｉ板１直下ま
で貫通する開口部４ｂ、６ｂが形成される。開口部４
ｂ、６ｂは開口部４ａ、６ａ周囲に例えば４箇所形成さ
れる。

【００２６】次に、図２（ｅ）に示すように、開口部４
ａ、６ａ内にレジスト等のマスク７を形成した後、スパ
ッタ法等により開口部４ｂ、６ｂ内の上層Ｓｉ板１と支
持Ｓｉ板２を導通させるようにＴａを堆積して金属膜８
を形成する。

【００２７】そして、リフトオフ法により金属膜８が形
成されたマスク７を除去することにより、図１に示すよ
うな荷電粒子露光用透過マスクを得ることができる。

【００２８】すなわち、上記実施例では、上層Ｓｉ板１
と支持Ｓｉ板２とをシリコン酸化膜３を挟んで貼り合わ
せ接着し、マスクパターン５下の支持Ｓｉ板２に荷電粒
子ビームが通過する開口部４ａ、６ａを形成するととも
に、マスクパターン５が形成されている領域下以外の支
持Ｓｉ板２に上層Ｓｉ板１直下まで貫通する開口部４
ｂ、６ｂを形成し、この開口部４ｂ、６ｂ内で上層Ｓｉ
板１と支持Ｓｉ板２とを電気的に導通させるように金属
膜８を形成して構成している。このように、開口部４
ｂ、６ｂ内で上層Ｓｉ板１と支持Ｓｉ板２とを電気的に
導通させる金属膜８を形成する構造にしたため、上層Ｓ
ｉ板１と支持Ｓｉ板２とを完全に導通させることができ
る。このため、上層Ｓｉ板１に荷電粒子ビームを照射し
た際、上層Ｓｉ板１のチャージアップを生じ難くするこ
とができるとともに、従来の上層Ｓｉ板１からシリコン
酸化膜３に開口部を開けて導電物質を埋め込む場合のよ
うに発生し易かった迷ビームを発生し難くすることがで
きる。

【００２９】また、開口部４ｂ、６ｂ及び金属膜８の形
成は、通常プロセスで行われている堆積法、フォトリソ
グラフィープロセス、エッチングプロセスで済み、特に
荷電粒子ビームを通過させるための開口部４ａ、４ｂを
形成すると同時に、開口部４ｂ、６ｂを形成することが
できる等、特別な工程を追加することなく形成すること
ができ、不良が発生し難い安定した構造の荷電粒子露光
用透過マスクを得ることができる。

【００３０】更に、上記実施例では、開口部４ｂ、６ｂ
を、支持部に対する開口部のためのパターニングに利用
することができるとともに、所望の透過孔パターンとの
間の位置合わせにも利用することができる。従って、マ
スクその物の信頼性向上に著しく寄与させることができ
る。

【００３１】次に、本発明に係る透過マスクを用いてブ
ロック露光について説明する。

【００３２】図３は一実施例の透過マスクを有する露光
装置の構成を示す図である。図３に示すように、露光装
置は露光部１０と制御部50とに分かれる。露光部10は、
カソード電極11、グリッド電極12及びアノード13を有す
る荷電粒子ビーム発生源14と、荷電粒子ビームを例えば
矩形状に形成する第１のスリット15と、成形されたビー
ムを収束する第１の電子レンズ16と、偏向信号Ｓ₁ に応
じてビーム位置を偏向するためのスリットデフレクタ17
と、対向して設けられた第２、第３のレンズ18、19と、
この第２、第３レンズ18、19の間に水平方向に移動可能
に装着された透過マスク20と、透過マスク20の上下方向
に配置されて各々位置情報Ｐ₁ 〜Ｐ₄ に応じて第２・第
３レンズ18、19の間のビームを偏向し、透過マスク上20
の複数の透過孔の１つを選択する第１〜第４の偏向器21
〜24と、ブランキング信号に応じてビームを遮断し、若
しくは通過させるブランキング25と、第４のレンズ26
と、アパーチャ27と、リフォーカスコイル28と、第５の
レンズ29と、フォーカスコイル30と、スティグコイル31
と、第６のレンズ32と、露光位置決定信号Ｓ₂ 、Ｓ₃ に
応じてウエハ上のビーム位置決めをするメインデフコイ
ル33及びサブデフレクタ34と、ウエハを搭載してＸ−Ｙ
方向に移動可能なステージ35と、第１〜第４のアライメ
ントコイル36〜39とを有している。

【００３３】一方、制御部50は、集積回路装置の設計デ
ータを記憶した記憶媒体51と、荷電粒子ビーム全体を制
御するＣＰＵ52と、ＣＰＵ52によって取り込まれた例え
ば描画情報、そのパターンを描画すべきウエハＷ上の描
画位置情報及び透過マスク20のマスク情報の各種情報を
転送するインターフェイス53と、インターフェイス53か
ら転送された描画パターン情報及びマスク情報を保持す
るデータメモリ54と、その描画パターン情報及びマスク
情報にしたがって例えば透過マスクの透過孔の１つを指
定し、その指定透過孔の透過マスク上での位置を示す位
置データを発生するとともに、描画すべきパターン形状
と指定透過孔形状との形状差に応じた偏向値Ｈを演算す
る処理を含む各種処理を行う指定手段、保持手段、演算
手段及び出力手段としてのパターン制御コントローラ55
と、上記偏向値Ｈから偏向信号Ｓ ₁ を生成するアンプ部
55と、必要に応じて透過マスク20を移動させるマスク移
動機構57と、ブランキング制御回路58と、ブランキング
信号Ｓ_Bを生成するアンプ部59とを備えるとともに、イ
ンターフェイス53から転送された描画位置情報にしたが
って描画処理シーケンスを制御するシーケンスコントロ
ーラ60と、必要に応じてステージを移動させるステージ
制御機構61と、ステージ位置を検出するレーザ干渉計62
と、ウエハ上の露光位置を演算する偏向制御回路63と、
露光位置決定信号Ｓ₂ 、Ｓ₃ を生成するアンプ部64、65
とを備えている。

【００３４】次に、本発明に係る透過マスク20について
具体的に説明する。図４（ａ）、（ｂ）は、各々一実施
例の透過マスクの表面及び裏面を示す全体平面図であ
る。図４（ａ）に示すように、透過マスク20は約50mm□
程度の大きさからなり、その中には10〜20mm□からなる
パターン形成領域 201と、５×10mm□からなり、第１シ
リコン板１と支持シリコン板３とを電気的に導通させる
ための導通用開孔部形成領域 202が複数個ある。図４
（ａ）に示すように、パターン形成領域 201には所定の
ピッチ間隔ＥＬでマトリクス配置された多数（図では９
個）のエリアＥ₁ 〜Ｅ₉ が設けられており、１つのエリ
アの大きさは透過マスクにおけるビームの最大偏向範囲
に対応した大きさ、例えばおよそ１〜５mm□である。Ｅ
₁ 〜Ｅ₉ の基準点（図中●で示す）には各々ＸＹ座標値
が与えられており、例えばエリア座標Ｅ_XY＝（１、１）
とした場合、Ｅ₇ を表現していることとする。

【００３５】１つのエリア内には図５に示すように、所
定のピッチＢＬでマトリクス配列された多数（図では、
36個）のブロックＢ₁ 〜Ｂ₂₆が設けられており、１つの
ブロックの大きさは透過マスク上におけるビームの大き
さに相当し、例えば 100〜 500μｍ□程度である。つま
り、1 つのブロックの内に、一露光単位のマスクパター
ン５が形成されているマスクパターン５の選択は、それ
が形成されているブロックを選択することで行う。つま
り、図６に示すように、Ｂ₁ 〜Ｂ₂₆の基準点にも各々Ｘ
Ｙ座標が与えられており、例えば、ブロック座標Ｂ_XY＝
（１、２）とした場合、Ｂ₂₂の基準点を示していること
となる。

【００３６】すなわち、エリア座標Ｅ_XYとブロック座標
Ｂ_XYの指定によって任意のエリア内の任意のブロックを
表現することができる。例えば、Ｅ_XY＝（１、１）、Ｂ
_XY＝（１、２）とした場合、Ｅ₇ のエリアのＢ₂₂のブロ
ックを指定したこととなり、従って１つのマスクパター
ンを指定したこととなる。一方、図４（ｂ）に示すよう
に、パターン形成領域 202に相当する部分には、第１の
開口 401〜 402が形成されており、導通用開口部形成領
域には第２の開口 601〜 602が形成されている。第１の
開口はマスクパターンが形成してある領域、いわゆるエ
リア部に相当する支持基板３が開口されていればよく、
401に示すようにエリア１つに付き１つずつ開口してあ
っても 402に示すように、複数個のエリアに渡り１つの
開口部になってあっても良い。なお、第２の開口部は 6
01ａ〜 601ｄに示すように２mm×３mm□程度の長方形が
複数個から構成されているが、前述のように、支持部の
開口部に対する透過パターンの位置合わせを行う場合
は、 602ａ〜 602ｄに示すように、小さ目の開口部とし
ておけば良い。図中、開口部が２重に見えるのは開口を
異方性エッチングで形成するためであって、２重に見え
る内側が第１シリコン板１に相当する部分である。な
お、図４（ａ）で１つのエリアの４隅に位置するハッチ
ングで示したブロックＢ₁ 、Ｂ₆ 、Ｂ₃₁、Ｂ₃₆は、可変
矩形用の透過孔である。なお、図７は一実施例のブロッ
クに形成されている一露光単位マスクパターン５の例を
示す図である。

【００３７】なお、上記実施例では、開口部４ａ、６ａ
内にマスク７を形成し、開口部４ｂ、６ｂ内に埋め込む
ように全面に金属膜８を形成した後、リフトオフ法によ
り金属膜８が形成されたマスク７を除去して上層Ｓｉ板
１と支持Ｓｉ板２を導通させる金属膜８を開口部４ｂ、
６ｂ内に形成する場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、図８（ａ）、（ｂ）に示
すように、スパッタ法等により開口部４ｂ、６ｂ内を埋
め込むように全面にＴａを堆積して金属膜８を形成し、
金属膜８上にレジストマスク９を形成し、このレジスト
マスク９を用い、ＲＩＥ等により開口部４ａ、６ａ内の
金属膜８をエッチングした後、レジストマスク９を除去
することにより、上層Ｓｉ板１と支持Ｓｉ板２を導通さ
せる金属膜８を開口部４ｂ、６ｂ内に形成する場合であ
ってもよい。

【００３８】また、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、
ＣＶＤ法等により開口部４ｂ、６ｂ内を埋め込むように
全面に導電性ポリＳｉを堆積して導電性ポリＳｉ膜10を
形成した後、ＲＩＥ等により上層Ｓｉ板１及び導電性ポ
リＳｉ膜10をパターニングしてマスクパターン５を形成
するとともに、上層Ｓｉ板１と支持Ｓｉ板２を導通させ
る導電性ポリＳｉ膜10を開口部４ｂ、６ｂ内に形成する
場合であってもよい。

【００３９】上記各実施例は、マスクパターン５下の支
持シリコン板２に荷電粒子ビームが通過する開口部４
ａ、６ａが形成されるとともに、マスクパターン５が形
成されている領域下以外の支持シリコン板２に上層シリ
コン板１直下まで貫通する開口部４ｂ、６ｂが形成さ
れ、この開口部４ｂ、６ｂ内で上層シリコン板１と支持
シリコン板２とを電気的に導通させる導電性膜８が形成
され構成されてなる場合について説明したが、図10に示
すように、マスクパターン５下の支持シリコン板２に荷
電粒子ビームが通過する開口部４ａ、６ａが形成され、
この開口部４ａ、６ａ内で上層シリコン板１と支持シリ
コン板２とを電気的に導通させる導電性膜８が形成され
構成されてなる場合であってもよい。この場合、導電性
膜８にポリＳｉを用いれば、所望のパターンを形成する
エッチング時に透過孔となる部分が一緒にエッチングさ
れるため、工程を減らすことができる。この場合、先に
開口部４ａ、６ａを開けてポリシリコン付着後にマスク
パターン５を作成すれば良い。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、透過マスクを構成する
上層シリコン板に荷電粒子ビームを照射した際、上層シ
リコン板のチャージアップを生じ難くすることができる
とともに、迷ビームを発生し難くすることができ、不良
が発生し難い安定した構造の透過マスクを得ることがで
きるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】一実施例の構造を示す断面図である。

【図２】一実施例の製造方法を説明する図である。

【図３】一実施例の透過マスクを有する露光装置の構成
を示す図である。

【図４】一実施例の透過マスクの平面図である。

【図５】一実施例の透過マスクの１つのエリアを示す図
である。

【図６】一実施例の１つのエリア内の各ブロックを示す
図である。

【図７】一実施例のブロックに形成された透過孔の例を
示す図である。

【図８】他の実施例の製造方法を説明する図である。

【図９】他の実施例の製造方法を説明する図である。

【図10】他の実施例の構造を示す断面図である。

【図11】従来例の構造を示す断面図である。

【図12】従来例の製造方法を説明する図である。

【符号の説明】

１上層Ｓｉ板２支持Ｓｉ板３シリコン酸化膜４ａ、４ｂ開口部５マスクパターン６ａ、６ｂ開口部８金属膜 10 導電性ポリＳｉ膜

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】荷電粒子ビームを用いて所望のパターン
を形成するためのマスクパターン（５）が上層シリコン
板（１）に形成され、該上層シリコン板（１）と支持シ
リコン板（２）とがシリコン酸化膜（３）を挟んで貼り
合わせ接着され、該マスクパターン（５）下の該支持シ
リコン板（２）に該荷電粒子ビームが通過する第１の開
口部（４ａ、６ａ）が形成され、該マスクパターン
（５）が形成されている領域下以外の該支持シリコン板
（２）に該上層シリコン板（１）直下まで貫通する第２
の開口部（４ｂ、６ｂ）が形成され、該第２の開口部
（４ｂ、６ｂ）内で上層シリコン板（１）と該支持シリ
コン板（２）とを電気的に導通させる導電性膜（８）が
形成され構成されてなることを特徴とする荷電粒子露光
用透過マスク。
【請求項２】荷電粒子ビームを用いて所望のパターン
を形成するためのマスクパターン（５）が上層シリコン
板（１）に形成され、該上層シリコン板（１）と支持シ
リコン板（２）とがシリコン酸化膜（３）を挟んで貼り
合わせ接着され、該マスクパターン（５）下の該支持シ
リコン板（２）に該荷電粒子ビームが通過する開口部
（４ａ、６ａ）が形成され、該開口部（４ａ、６ａ）内
で上層シリコン板（１）と該支持シリコン板（２）とを
電気的に導通させる導電性膜（８）が形成され構成され
てなることを特徴とする荷電粒子露光用透過マスク。
【請求項３】前記導電性膜（８）がポリシリコン膜で
あることを特徴とする請求項１又は２の荷電粒子露光用
透過マスク。