TWI474415B - 樹脂密封型半導體裝置 - Google Patents

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Toshiyuki Tamate
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Shindengen Electric Mfg
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Description

樹脂密封型半導體裝置
本發明涉及一種樹脂密封型半導體裝置的製造方法、樹脂密封型半導體裝置及樹脂密封型半導體裝置用的引線框架。
將半導體元件及安裝該半導體元件的晶片座(die pad)等的半導體元件安裝部進行樹脂密封而形成的樹脂密封型半導體裝置(例如,參照非專利文獻1),被廣泛應用於各種電子機器。
圖11是表示非專利文獻1公開的樹脂密封型半導體裝置900的外觀結構的斜視圖。由於圖11是表示外觀結構的圖,因此沒有標示內部存在的半導體元件等。另外,圖11所示的樹脂密封型半導體裝置900(指以往的樹脂密封型半導體裝置900)是單列直插式橋式整流二極體。
如圖11所示,以往的樹脂密封型半導體裝置900具有樹脂密封型半導體裝置主體910,作為與外部相連的連接端子的多個(4個)外引腳(第1外引腳821、822及第2外引腳823、824)。圖11中的符號H,是在樹脂密封型半導體裝置主體910的背面側(圖1中紙面的內側)安裝圖中未標示的散熱片時的螺孔。另外,圖11中的符號831是圖1中未標示的繫桿(tie bar)的殘餘部,對此將在後文中敍述。
另外,當對第1外引腳821、822及第2外引腳823、824整體進行說明時,則以“外引腳821~824”進行表述。
圖12是表示用於以往的樹脂密封型半導體裝置900的引線框架800(以往的引線框架800)的結構的斜視圖。以往的引線框架800主要具有由第1晶片座811及第2晶片座812等構成的半導體元件安裝部810,作為與外部相連的連接端子的外引腳821~824,被設置為將外引腳821~824的間隙相連接且在樹脂密封步驟中作為防止樹脂流出的樹脂密封部的繫桿830,被設置為將外引腳821~824的各端部相連接、用於保持引線框架800的剛性的輔助桿840。另外,繫桿830及輔助桿840最終將從外引腳821~824分離。
以往的樹脂密封型半導體裝置900可通過下述各步驟製造。另外,下述步驟為概要步驟。
首先進行引線框架準備步驟,準備圖12所示的引線框架800。然後進行半導體元件安裝步驟,將半導體元件(圖中未標示)安裝在半導體元件安裝部810(第1晶片座811及第2晶片座812),安裝完成後進行樹脂密封步驟。樹脂密封步驟是使用樹脂密封用模具將半導體元件及半導體元件安裝部810等覆蓋,在該樹脂密封用模具的內部充入樹脂,形成樹脂密封型半導體裝置主體910(參照圖1)。隨後,通過進行將繫桿830及輔助桿840從外引腳821~824分離的繫桿分離步驟,即可完成圖11所示的樹脂密封型半導體裝置900的製造。
圖13是為了說明製造以往的樹脂密封型半導體裝置900時的繫桿分離步驟,將主要部分(外引腳821~824及繫桿830的部分)放大顯示的示意圖。另外,圖13是顯示衝孔模具P與繫桿830及外引腳821~824的位置關係的圖,因此省略了樹脂密封型半導體裝置主體910的內部結構等的圖示。另外,在圖13中,對於與圖11及圖12中相同的構成要素,則標記相同的符號。
在圖13中,以灰色表示的部分,是在進行樹脂密封時被繫桿830擋住的樹脂硬化後形成的,被稱為樹脂毛邊(dam burr)。即,在以往的樹脂密封型半導體裝置900中,如圖13所示,在樹脂密封型半導體裝置主體910的下端面911與繫桿830的上端邊830a之間,存在在上下方向(箭頭y-y’方向)具有一定寬度w的空間部,在該空間部會產生樹脂毛邊(附有DB符號)。
從外引腳821~824將繫桿830分離時,如圖13所示,使用由點劃線表示的衝孔模具P切斷繫桿830。另外,在圖13中,僅標示了在位於第1外引腳821和繫桿830的連接部的圖中未標示的右側部對繫桿830進行切斷的情況,實際上在其他部分也同樣進行繫桿830的切斷。通過進行上述切斷步驟,即可製造圖11所示的樹脂密封型半導體裝置900。另外,在切斷繫桿830時,可以使用多個衝孔模具同時進行多個位置的切斷。
但是,在通過圖13所示的繫桿切斷步驟切斷繫桿830時,雖然樹脂毛邊DB的一部分也會被衝孔模具P切斷,但仍會殘存未被衝孔模具P切斷的樹脂毛邊DB。
另外,在進行繫桿切斷步驟時,如果將衝孔模具P設定在圖13所示的位置切斷繫桿830,則會產生繫桿830的殘存部831(繫桿殘存部831)。在以往的樹脂密封型半導體裝置900中,該繫桿殘存部831是因衝孔模具P與各個外引腳821~824及繫桿830的位置重合上的限制等產生的。
即,如圖13所示,例如在圖示右側的第1外引腳821與繫桿830的連接部進行切斷時,如果衝孔模具P被配置為左側的側端邊Pd與第1外引腳821的側端邊的線L0(圖中以虛線表示)一致,則可以在不產生繫桿殘存部831的情況下切斷繫桿830。但是,由於各個外引腳821~824的寬度存在公差,因而還存在難以在全部外引腳821~824上準確地沿側端邊的線L0進行切斷的問題。因此,以往是在圖13所示的位置進行切斷。
按上述方法製造的樹脂密封型半導體裝置900,在向電子機器的基板(圖中未標示)上安裝時,一般是在將外引腳821~824插入基板上設置的安裝孔後,通過焊接等進行固定。這時,由於近年來電子機器的小型化,對於樹脂密封型半導體裝置,在向基板上安裝時,也要求從基板至樹脂密封型半導體裝置主體910的上端面的高度(安裝高度)更低。
【先行技術文獻】
【專利文獻】
【非專利文獻1】產品資訊>半導體產品>二極體>橋接二極體>導線插入型、[online]、新電元工業株式會社、[2010年9月16日檢索]、網路、<URL:http://www.shindengen.co.jp/product/semi/list_detail_NEW.php?category_id=01&sub_id=03&product_id=D25JAB80V>
但是,在以往的樹脂密封型半導體裝置900中,在將外引腳821~824插入基板上設置的安裝孔時,由於繫桿殘存部831起到了阻擋的作用,使外引腳821~824的插入量受到限制,因而存在樹脂密封型半導體裝置900的安裝高度過高的課題。
作為解決這一問題的方法之一,可以考慮將繫桿830的位置盡可能設置在外引腳821~824的上部(靠近樹脂密封型半導體裝置主體910側)。即,繫桿830的設置,如果使樹脂密封型半導體裝置主體910的下端面911與繫桿830的上端邊830a之間產生的空間部的寬度w(參照圖13)更小,繫桿殘存部831也會靠近樹脂密封型半導體裝置主體910,因此在將樹脂密封型半導體裝置900安裝在基板上時,可以使樹脂密封型半導體裝置900的安裝高度更低。
但是,如果將繫桿830的位置設置在靠近樹脂密封型半導體裝置主體910側,在將繫桿830從外引腳821~824分離時,即使以高精度配置衝孔模具P,但由於作為切斷對象的各個樹脂密封型半導體裝置900的尺寸存在公差,因而會存在衝孔模具P的上端邊Pa(參照圖13)接觸到樹脂密封型半導體裝置主體910,將樹脂密封型半導體裝置主體910的一部分切除的危險。為防止這種情況發生,如果將衝孔模具P的位置向下(圖13中的y’方向)降低,使衝孔模具P的上端邊Pa不接觸樹脂密封型半導體裝置主體910,則會在繫桿830的上端邊830a附近產生切斷不完全,又產生了無法將繫桿830從外引腳821~824分離的課題。
因此,本發明的目的在於,提供一種在向基板上安裝樹脂密封型半導體裝置時,安裝高度比以往的樹脂密封型半導體裝置更低,且在進行繫桿的分離時,可以適當切斷繫桿的樹脂密封型半導體裝置的製造方法、樹脂密封型半導體裝置及樹脂密封型半導體裝置用的引線框架。
[1] 本發明的樹脂密封型半導體裝置的製造方法,其特徵在於,具有:用於準備引線框架的引線框架準備步驟,所述引線框架具有安裝半導體元件的半導體元件安裝部、作為與外部連接的端子的多個外引腳、以及與該多個外引腳之間相連接且在樹脂密封步驟中作為防止樹脂流出的樹脂密封部的繫桿;將所述半導體元件安裝在半導體元件安裝部的半導體元件安裝步驟;使用樹脂密封用模具將所述半導體元件和所述半導體元件安裝部覆蓋後,在該樹脂密封用模具的內部充入樹脂,形成樹脂密封型半導體裝置主體的樹脂密封步驟;將所述多個外引腳從所述繫桿分離的繫桿分離步驟。在所述引線框架準備步驟中,準備引線框架,所述引線框架在所述多個外引腳與所述繫桿的各連接部的各角部中位於所述樹脂密封型半導體裝置主體側的各角部,設有在該各角部的所述外引腳的寬度比該外引腳的其他部分的寬度狹小、同時在該角部的所述繫桿的寬度比該繫桿的其他部分的寬度狹小的凹槽部,在所述繫桿分離步驟中,使用衝孔模具進行所述繫桿的分離,所述衝孔模具一側的側端邊位於所述外引腳的內側且存在於所述凹槽部,另一側的側端邊位於所述外引腳的外側,在所述樹脂密封型半導體裝置主體側的上端邊存在於所述凹槽部,與所述上端邊相對的下端邊位於比所述繫桿的下端邊更下側的位置。
通過本發明的樹脂密封型半導體裝置的製造方法,在繫桿從外引腳分離的狀態時,由於不會產生繫桿的殘存部,在將外引腳插入基板的安裝孔安裝樹脂密封型半導體裝置時,外引腳的插入量就不會受到繫桿殘存部的限制。因此,樹脂密封型半導體裝置的安裝高度可以比以往的樹脂密封型半導體裝置更低。另外,由於引線框架上存在上述的凹槽部,與凹槽部對應的部分形成有空間部,因而可以為分離繫桿時的切斷衝孔模具的配置提供充分的空間。這樣,在進行繫桿的分離時,就可以適當切斷繫桿。另外,在本說明書中,繫桿的上端邊或側端邊“存在於凹槽部”是指,繫桿的上端邊或側端邊的一部分到達凹槽部的狀態。
[2] 在本發明的樹脂密封型半導體裝置的製造方法中,所述引線框架中所述繫桿設置的理想狀態,是將所述繫桿的上端邊設置在所述樹脂密封型半導體裝置主體的下端面附近的位置。
這樣,樹脂密封型半導體裝置主體與繫桿之間就會呈幾乎不存在空間部的狀態,從而可以抑制樹脂毛邊的產生。另外,樹脂密封型半導體裝置主體的下端面附近的位置,可以是樹脂密封型半導體裝置主體與繫桿之間完全不存在空間部的狀態,但考慮到樹脂密封用模具的精度等,也可以存在具有0.05 mm~0.10 mm左右寬度的空間部。
[3] 在本發明的樹脂密封型半導體裝置的製造方法中,所述衝孔模具的上端邊的理想狀態,是位於所述繫桿的上端邊的更下側且存在於所述凹槽部。
這樣,即使樹脂密封型半導體裝置主體與繫桿之間為幾乎不存在空間部的狀態,在使用衝孔模具進行將繫桿從外引腳的分離時,衝孔模具也不會接觸樹脂密封型半導體裝置主體,從而可以防止衝孔模具切削樹脂密封型半導體裝置主體或繫桿上產生切削殘餘。
[4] 在本發明的樹脂密封型半導體裝置的製造方法中,所述凹槽部在以所述外引腳側為該凹槽部的起點、以所述繫桿側為凹槽部的終點時,從該凹槽部的起點至凹槽部的終點最好形成為曲線。
通過這樣的凹槽部,可以形成使所述角的外引腳的寬度小於該外引腳的其他部分的寬度、同時使所述角的所述繫桿的寬度小於該繫桿的其他部分的寬度的凹槽部。
[5] 在本發明的樹脂密封型半導體裝置的製造方法中,所述曲線最好為圓弧。
通過將凹槽部設為圓弧,可以容易且適當的設置凹槽部。
[6] 在本發明的樹脂密封型半導體裝置的製造方法中,所述凹槽部在以所述外引腳側為該凹槽部的起點、以所述繫桿側為該凹槽部的終點時,從所述凹槽部的起點至凹槽部的終點最好形成為具有多個角部的直線。
通過這樣的凹槽部的形狀,可以形成使所述角的外引腳的寬度小於該外引腳的其他部分的寬度、同時使所述角的所述繫桿的寬度小於該繫桿的其他部分的寬度的凹槽部。
[7] 在本發明的樹脂密封型半導體裝置的製造方法中,所述凹槽部的起點被設置為比所述繫桿的上端邊更靠近所述樹脂密封型半導體裝置主體側。
通過這樣設定凹槽部的起點,在繫桿從外引腳分離的狀態時,可以使所述角部的外引腳的寬度低於該外引腳的其他部分的寬度。因此,在將外引腳插入基板的安裝孔時,可以將外引腳插入至外引腳的根部,從而可以使樹脂密封型半導體裝置的安裝高度低於以往的樹脂密封型半導體裝置。
[8] 本發明的樹脂密封型半導體裝置,是根據上述[1]~[7]任一項所述的樹脂密封型半導體裝置的製造方法製造的樹脂密封型半導體裝置,所述樹脂密封型半導體裝置主體,在從該樹脂密封型半導體裝置主體的正面側或背面側的至少一側觀看時,該樹脂密封型半導體裝置主體的所述下端面,是從所述多個外引腳的各根部側向該下端面的緣部上升傾斜的傾斜面。
通過本發明的樹脂密封型半導體裝置,在通過將多個外引腳插入基板安裝樹脂密封型半導體裝置的狀態時,多個外引腳的各根部可以從外部目視。這樣就容易對多個外引腳對於基板是否為適當插入的狀態進行檢查,即樹脂密封型半導體裝置的外觀檢查。另外,對多個外引腳對於基板是否為適當插入的狀態的檢查稱為“安裝狀態檢查”。
[9] 在本發明的樹脂密封型半導體裝置中,當所述樹脂密封型半導體裝置為安裝在基板上的狀態時,所述樹脂密封型半導體裝置主體的所述傾斜面中所述多個外引腳的各根部的理想狀態,是在所述樹脂密封型半導體裝置主體上形成有可以目視所述多個外引腳的各根部的外觀檢查用凹槽部。
這樣,樹脂密封型半導體裝置主體除下端面為傾斜面以外,由於該傾斜面的外引腳的各根部形成有外觀檢查用凹槽部,可以進行更加確切的安裝狀態檢查。
[10] 在本發明的樹脂密封型半導體裝置中,所述外觀檢查用凹槽部的內部上端面,最好是從所述各根部側向所述外觀檢查用凹槽部的開口部上升傾斜的傾斜面。
通過外觀檢查用凹槽部這樣的結構,檢查者在安裝後僅通過從斜上方觀察樹脂密封型半導體裝置,即可適當進行安裝狀態的檢查,從而可以謀求安裝狀態檢查的效率化。
[11] 本發明的引線框架的特徵在於:具有安裝半導體元件的半導體元件安裝部、作為與外部連接的端子的多個外引腳、以及與該多個外引腳之間相連接且在樹脂密封步驟中作為防止樹脂流出的樹脂密封部的繫桿,其中所述多個外引腳與所述繫桿的各連接部的各角部中,位於所述樹脂密封型半導體裝置主體側的各角部,設有在該各角部的所述外引腳的寬度比該外引腳的其他部分的寬度狹小、同時在該角部的所述繫桿的寬度比該繫桿的其他部分的寬度狹小的凹槽部。
使用這樣的引線框架,根據上述[1]~[7]的任一項所述的樹脂密封型半導體裝置的製造方法製造的樹脂密封型半導體裝置,均可獲得與上述[1]~[7]的任一項所述的樹脂密封型半導體裝置的製造方法所述效果相同的效果。另外,在本發明的引線框架中,最好具有與上述[2]、[4]~[7]相同的特徵。
下面對本發明的實施方式進行說明。另外,實施方式中的樹脂密封型半導體裝置,是以單列直插式橋式整流二極體
實施方式一
圖1是表示實施方式一的引線框架100的結構的說明圖。另外,圖1所示的引線框架100是與一個樹脂密封型半導體裝置相對應的引線框架。
如圖1所示,實施方式一的引線框架100具有:半導體元件安裝部110,作為與外部相連接的端子的多個(4個)外引腳(第1外引腳121、122及第2外引腳123、124),被設置為將該第1外引腳121、122及第2外引腳123、124的各導線間相連接且在樹脂密封步驟中作為防止樹脂流出的樹脂密封部的繫桿130,以及被設置為將第1外引腳121、122及第2外引腳123、124的各先端部相連接、用於保持引線框架100的剛性的輔助桿140。另外,繫桿130及輔助桿140最終將從外引腳(第1外引腳121、122及第2外引腳123、124)分離。
另外,在實施方式一及後述的實施方式二的說明中,當對第1外引腳121、122及第2外引腳123、124整體進行說明時,則以“外引腳121~124”進行表述。
半導體元件安裝部110具有第1晶片座111和第2晶片座112。第1晶片座111具有分別載放1個半導體元件(圖1中未標示)的2個半導體元件載放面111a、111b,以及連接半導體元件載放面111a、111b的第1連接部111c。第2晶片座112具有分別載放1個半導體元件(圖1中未標示)的2個半導體元件載放面112a、112b,以及連接半導體元件載放面112a、112b的第2連接部112c。
另外,第1外引腳121、122中的第1外引腳121是與第1晶片座111形成為一體,先端部被設置為向箭頭y’方向伸展;第1外引腳121、122中的第1外引腳122是與第2晶片座112形成為一體,先端部被設置為向箭頭y’方向伸展。
另外,第2外引腳123、124中的第2外引腳123被配置為與第2晶片座112隔離,同時在後端側具有連接部123a,先端側被配置為向箭頭y’方向伸展;第2外引腳123、124中的第2外引腳124被配置為與第1晶片座111隔離,同時在後端側具有連接部124a,先端側被配置為向箭頭y’方向伸展。
另外,繫桿130被設置為與第1外引腳121、122及第2外引腳123、124垂直的方向,與第1外引腳121、122及第2外引腳123、124形成為一體。而且,在繫桿130與第1外引腳121、122及第2外引腳123、124的各個連接部的箭頭y方向側(半導體元件安裝110側)的各角部,分別形成有凹槽部C。圖1中的虛線圓A內標示有第1外引腳121與繫桿130的連接部的放大圖。另外,其他的連接部也為同樣的結構。
另外,繫桿130被設置在盡可能靠近半導體元件安裝部110側的位置。具體是,在後述的通過樹脂密封步驟形成樹脂密封型半導體裝置主體210(參照圖3(d))時,在靠近樹脂密封型半導體裝置主體210的下端面的位置設置繫桿130。對此將在後文中詳細說明。
以第1外引腳121與繫桿130的連接部為例對凹槽部C進行說明,則如虛線圓A內所示,通過在繫桿130上形成凹槽,使凹槽部C處的繫桿130的寬度低於該繫桿130的其他部分的寬度a,同時,通過在第1外引腳121上形成凹槽,使凹槽部C處的第1外引腳121的寬度低於該第1外引腳121的其他部分的寬度b。在其他的連接部也同樣形成這樣的凹槽部C。
即,同樣以第1外引腳121與繫桿130的連接部為例對凹槽部C進行說明,當以第1外引腳121側作為該凹槽部C的起點Ps、以繫桿130側為凹槽部C的終點Pe時,從該凹槽部C的起點Ps至終點Pe被形成為曲線形凹陷。其他連接部的凹槽部C也同樣。
圖2是表示凹槽部C的尺寸的說明圖。在圖2中,也對第1外引腳121與繫桿130的連接部的凹槽部C進行說明。另外,在實施方式一的引線框架100中,繫桿的寬度a為0.8 mm,外引腳121~124(圖2中為第1外引腳121)的寬度b均為1.0 mm。
在具有這樣的寬度的第1外引腳121及繫桿130中,從凹槽部C處的繫桿130上端邊的延長線L1至凹槽部C的最深部的深度c為0.2 mm,從第1外引腳121的側端邊的延長線L0至凹槽部C的最深部的深度d為0.2 mm。另外,這樣的各部位的尺寸(a=0.8 mm、b=1.0 mm、c=d-0.2 mm)僅為一個實例,並不以此為限。
在圖2中,對第1外引腳121與繫桿130的連接部的凹槽部C的尺寸進行了說明,其他連接部的凹槽部C也具有同樣的尺寸。另外,對於這樣設置凹槽部C可以獲得的效果,將在後文中說明。
圖3(a)至圖3(d)是表示實施方式一的樹脂密封型半導體裝置的製造方法的說明圖。另外,圖3(a)至圖3(d)中僅顯示至樹脂密封步驟。
圖3(a)是準備引線框架的引線框架準備步驟,在這裡準備的引線框架,是圖1所示的引線框架100。另外,在圖2中,為了圖的簡化,省略了部分符號。
圖3(b)及圖3(c)是表示安裝半導體元件的半導體元件安裝步驟的示意圖。如圖3(b)所示,在半導體元件安裝步驟中,在第1晶片座111的半導體元件載放面111a、111b上,將半導體元件(二極體)151、152以載放的狀態固定,同時在第2晶片座112的半導體元件載放面112a、112b上,將半導體元件(二極體)153、154以載放的狀態固定。
接下來,如圖3(c)所示,第1連接端子161的一端與半導體元件152、153相連接,同時,另一端與第2外引腳124的連接部124a相連接,將半導體元件152、153與第2外引腳124進行電氣連接。另外,第2連接端子162的一端與半導體元件151、154相連接,同時,另一端與第2外引腳123的連接部123a相連接,將半導體元件151、154與第2外引腳123進行電氣連接。
接下來進行樹脂密封步驟,如圖3(d)所示,樹脂密封步驟是使用樹脂密封用模具M(參照圖4)將第1晶片座111及第2晶片座112、各半導體元件151~154、第1連接端子161及第2連接端子162等覆蓋後,向模具M的內部充入樹脂並使充入的樹脂硬化。另外,圖3(d)中的符號210表示的是通過樹脂的硬化而形成的樹脂密封型半導體裝置主體,符號H表示的是在安裝樹脂密封型半導體裝置主體210背面側的圖中未標示的散熱片時,為了讓散熱片安裝用的螺絲通過的螺絲孔。
如上所述,實施方式一的引線框架100中,繫桿130被設置為存在於樹脂密封型半導體裝置主體210的下端面附近的位置。因此,樹脂密封型半導體裝置主體210的下端面211(參照圖5(a)及圖5(b))與繫桿130的上端邊130a(參照圖5(a)及圖5(b))之間幾乎不形成空間部。由此,在實施方式一的樹脂密封型半導體裝置的製造方法中,在進行樹脂密封步驟時幾乎不會產生樹脂毛邊DB。
圖4是表示在樹脂密封步驟中使用的樹脂密封用模具M內部的樹脂密封型半導體裝置主體210與繫桿130的位置關係的斷面圖。另外,由於圖4是表示在樹脂密封用模具M內部的樹脂密封型半導體裝置主體210與繫桿130的位置關係的圖,因此省略了樹脂密封型半導體裝置主體210記憶體在的半導體元件及外引腳121~124等的構成要素的圖示。另外,在圖4中,影線部分表示模具,具有上模M2和下模M1。使用這樣的樹脂密封用模具M進行樹脂密封步驟。另外,對於樹脂密封步驟的各步驟,省略了圖示及詳細的說明,大概來說,就是將安裝了半導體元件的引線框架100(參照圖3(c))收納在下模M1後,使上模M2與下模M1相吻合,向下模M1與上模M2之間形成的空間部充入樹脂,並使充入的樹脂硬化。
在圖4中,以灰色(網格)顯示的部分為樹脂密封弄半導體裝置主體210及繫桿130。如圖4所示,繫桿130位於樹脂密封型半導體裝置主體210的下端面211附近的位置,因而在樹脂密封型半導體裝置主體210的下端面211與繫桿130的上端邊130a之間幾乎不會形成空間部,從而不會產生樹脂毛邊。
另外,在圖4的實例中,顯示的是樹脂密封型半導體裝置主體210與繫桿130之間完全不存在空間部的狀態。這樣,雖然樹脂密封型半導體裝置主體210與繫桿130之間完全不存在空間部是理想的狀態,但實際上,考慮到樹脂密封用模具M的精度、引線框架100的加工精度,樹脂密封用模具M內配置的外引腳121~124的配置精度等,形成了具有極小(0.05 mm~0.10 mm左右)寬度w(參照圖13)的空間部。
在圖3(d)所示的樹脂密封步驟結束後,接下來進行分離繫桿130的繫桿分離步驟。另外,在繫桿分離步驟中,在將繫桿130從外引腳121~124分離的同時,還包含將輔助桿140從外引腳121~124分離的的步驟。
圖5(a)及圖5(b)是表示繫桿分離步驟的說明圖。另外,圖5(a)及圖5(b)所示的是外引腳121~124與繫桿130的多個連接部中的1個連接部(第1外引腳121與繫桿130的連接部)的放大圖。圖5(a)所示的是將繫桿130從第1外引腳121分離前的狀態,圖5(b)所示的是將繫桿130從第1外引腳121分離後的狀態。另外,在圖5(a)及圖5(b)中,對於凹槽部C是按照圖中左起的順序作為凹槽部C1、C2進行說明。
繫桿分離步驟是將圖中點劃線所示的矩形的衝孔模具P設定在圖5(a)所示的位置進行切斷。這時,在凹槽部C1,衝孔模具P的上端邊Pa位於繫桿130的上端邊130a的延長線L1的更下側(箭頭y’方向),且存在於凹槽部C1,衝孔模具P的下端邊Pb位於繫桿130的下端邊130b的更下側,衝孔模具P的一側的側端邊Pc位於第1外引腳121的內側且存在於凹槽部C1,另一側的側端邊Pd位於第1外引腳121的外側,在衝孔模具P這樣的配置狀態下進行切斷。
另外,在凹槽部C2側,衝孔模具P的上端邊Pa位於繫桿130的上端邊130a的延長線L1的更下側且存在於凹槽部C2,衝孔模具P的下端邊Pd位於繫桿130的下端邊130b的更下側,衝孔模具P的一側的側端邊Pc位於第1外引腳121的外側,另一側的側端邊Pd位於第1外引腳121的內側且存在於凹槽部C1,在衝孔模具P這樣的配置狀態下進行切斷。
圖5(b)是表示如圖5(a)所示配置衝孔模具切斷繫桿130後的狀態的示意圖。另外,繫桿130的切斷,可以使用1個衝孔模具P依次對凹槽部C1、C2進行,也可以使用分別對應各個切斷位置的多個衝孔模具同時進行。在圖5(a)及圖5(b)中,僅對第1外引腳121與繫桿130的連接部的繫桿130的分離進行了說明,其他連接部也可同樣進行繫桿的分離。
通過上述方式在引線框架100上形成凹槽部C,在進行如圖5(a)及圖5(b)所示的繫桿130的分離時,凹槽部C對應的部分變為空間部,從而可以使衝孔模具P的配置具有充分的空間。因此,可以解決衝孔模具P切削樹脂密封型半導體裝置210、繫桿130的上端邊附近存在殘存部的問題。
另外,在實施方式一的引線框架100中,繫桿130被設置為存在於樹脂密封型半導體裝置主體210的下端面211附近的位置。因此,在進行樹脂密封步驟時,在樹脂密封型半導體裝置210與繫桿130之間,幾乎不會產生樹脂毛邊,但可能會在凹槽部C對應的空間部產生樹脂毛邊。
但是,由於凹槽部C對應的空間部是非常小的空間部,所以樹脂毛邊的量也會非常小,另外,在使用衝孔模具P進行繫桿130的分離時,在凹槽部C對應的空間部產生的樹脂毛邊幾乎同時被切斷。即使在進行分離後仍然殘存一些樹脂毛邊,但由於殘存的樹脂毛邊非常少,所以可以很容易除去。
通過上述的步驟,即可製造實施方式一的樹脂密封型半導體裝置200。
圖6是表示實施方式一的樹脂密封型半導體裝置200的外觀結構的示意圖。圖7是表示將實施方式一的樹脂密封型半導體裝置200安裝在基板600時的安裝高度與以往的樹脂密封型半導體裝置900相比較的示意圖。如圖6所示,實施方式一的樹脂密封型半導體裝置200的外觀結構,具有樹脂密封型半導體裝置主體210和外引腳121~124。
實施方式一的樹脂密封型半導體裝置200,在使用衝孔模具P進行繫桿130的分離步驟後,外引腳121~124與繫桿130的連接部不會像以往一樣存在繫桿殘存部831(參照圖11),且該連接部比各個外引腳121~124的其他部分都狹小(參照圖6)。
因此,在將實施方式一的樹脂密封型半導體裝置200安裝在基板600時,如圖7所示,可以將外引腳121~124插入基板600直至樹脂密封型半導體裝置200的下端面211接觸基板600的狀態。所以,與以往的樹脂密封型半導體裝置900相比,實施方式一的樹脂密封型半導體裝置200僅由於不存在繫桿殘存部831(在該實例中為Δh)就可以降低安裝高度。
以上是對製造1個樹脂密封型半導體裝置200的情況進行了說明,引線框架100也是以對應1個樹脂密封型半導體裝置200的引線框架作為實例,但實際上,引線框架是多個引線框架相連的狀態。
圖8是表示多個引線框架相連接的狀態的示意圖。在圖8中,是存在4個引線框架(引線框架100A、100B、100C、100D)的情況的實例。
這樣,在多個引線框架相連的狀態時,處於對向位置的引線框架(在圖8中,引線框架100A與引線框架100B、引線框架100C與引線框架100D),其自身的繫桿在其對向的引線框架中起到圖1所示的輔助桿140的作用。即,引線框架100B的繫桿130起到引線框架100A的輔助桿140(參照圖1)的作用,引線框架100A的繫桿130起到引線框架100B的輔助桿140(參照圖1)的作用。在引線框架100C及引線框架100D中也是同樣的結構。
另外,在各引線框架100A、100B、100C、100D中,在外引腳121~124與繫桿130的各連接部,分別形成有凹槽部C。而且,在各引線框架100A、100B、100C、100D進行圖3(a)~(d)所示的步驟後,通過在各引線框架100A、100B、100C、100D進行在圖5(a)及圖5(b)中說明的繫桿分離步驟,可以製造多個樹脂密封型半導體裝置。
實施方式二
圖9(a)及圖9(b)是表示實施方式二的樹脂密封型半導體裝置202的結構示意圖。圖9(a)是表示將實施方式二的樹脂密封型半導體裝置202安裝在基板600上的狀態的正面圖,圖9(b)是表示將實施方式二的樹脂密封型半導體裝置202安裝在基板600上的狀態的側面圖。其中,圖9(b)所示的一部分為斷面。另外,在圖9(b)中,以圖的左側為正面側,圖的右側為背面側。
另外,實施方式二的樹脂密封型半導體裝置202與實施方式一的樹脂密封型半導體裝置200相比,除樹脂密封型半導體裝置主體210的外觀形狀不同外,其他部分為同樣的結構,可以通過與實施方式一的樹脂密封型半導體裝置的製造方法相同的步驟進行製造。
如圖9(a)及圖9(b)所示,在實施方式二的樹脂密封型半導體裝置202中,樹脂密封型半導體裝置主體210的下端面211、上端面212及各個側端面213、214為傾斜面。該傾斜面是在樹脂密封步驟中,通過向圖中未標示的模具中充入樹脂,形成樹脂密封型半導體裝置主體210後,為了從樹脂密封型半導體裝置主體210上取下上模及下模的傾斜面。其中,在實施方式二的樹脂密封型半導體裝置202中,下端面211的傾斜面尤為重要,因此在這裡對下端面211進行說明。
下端面211是以樹脂密封型半導體裝置主體210中的外引腳121~124的各根部為界,具有向正面側的緣部上升的傾斜面和向背面側的緣部上升的傾斜面。向正面側的緣部上升的傾斜面為正面側傾斜面211a,向背面側的緣部上下方向的位置漸漸變高的傾斜面為背面側傾斜面211b。
另外,在下端面211的一側傾斜面(正面側傾斜面211a)的外引腳121~124的各根部,形成有外觀檢查用的凹槽部221~224。該外觀檢查用凹槽部221~224,是在通過將外引腳121~124插入基板600而將樹脂密封型半導體裝置202安裝在基板600上的狀態時,使外引腳121~124的各根部可以易於目視。另外,外觀檢查用凹槽部221~224的各上端面221a~224a是從該外觀檢查用凹槽部221~224的開口部起向外引腳121~124的各根部下降的傾斜面。
這樣,樹脂密封型半導體裝置主體210的下端面211呈傾斜面,從而,在樹脂密封型半導體裝置202已安裝的狀態時,可以從外部目視外引腳121~124的各根部。因此,實施方式二的樹脂密封型半導體裝置202,可以易於對多個外引腳是否為適當插入基板的狀態進行檢查,即外觀檢查(安裝狀態檢查)。
另外,除了樹脂密封型半導體裝置主體210的下端面211為傾斜面外,通過在外引腳121~124的各根部形成外觀檢查用的凹槽部221~224,可以切實地進行安裝狀態的檢查。
而且,外觀檢查用凹槽部221~224的各上端面221a~224a,是從開口部側向外引腳121~124的各根部下降的傾斜面,因而在樹脂密封型半導體裝置202安裝在基板上的狀態下進行安裝狀態的檢查時,檢查者僅通過從斜上方觀看安裝後的樹脂密封型半導體裝置202,即可以進行適當的安裝狀態檢查,從而可以謀求安裝狀態檢查的效率化。
特別是如本發明的樹脂密封型半導體裝置,繫桿130被設置在樹脂密封型半導體裝置主體210附近,在將樹脂密封型半導體裝置安裝在基板上的狀態時,可以很容易對外引腳121~124在基板上的安裝狀態進行確認。
另外,本發明並不限於上述的實施方式,只要在不脫離本發明的要點的範圍內,還可以有各種變形方式。例如,可以是下述(1)~(5)所示的變形方式。
(1)在上述的各實施方式中,凹槽部C被形成為從凹槽部C的起點Ps至凹槽部C的終點Pe為圓弧,這裡也可以不是圓弧,而是橢圓等的曲線,另外,從凹槽部C的起點Ps至凹槽部C的終點Pe還可以被形成為具有多個角部的直線。
圖10是表示凹槽部C的變形例的說明圖。圖10所示的凹槽部C,是表示在某個連接部(第1外引腳121與繫桿130的連接部)設置的凹槽部C的示意圖。如圖10所示,從凹槽部C的起點Ps至凹槽部C的終點Pe被形成為具有3個90度的角部的直線。在形成圖10所示的凹槽部C時,將衝孔模具P按圖10中的點劃線配置,通過切斷繫桿130,可以將繫桿130分離。將凹槽部C形成為圖10所示的形狀,也可以獲得與上述各實施方式相同的效果。
(2)在上述各實施方式中,是以單列直插式橋式整流二極體作為樹脂密封型半導體裝置為例進行說明的,但本發明並不限於單列直插式橋式整流二極體,例如,功率MOSFET、IGBT、閘流電晶體等的3端子樹脂密封型半導體裝置也可適用本發明。
(3)在上述各實施方式中,作為連接端子,使用的是由板狀金屬部件製作的連接端子161、162,但本發明並不以此為限,還可以使用線狀的連接端子。這時,半導體元件151、154與第2外引腳123的連接及半導體元件152、153與第2外引腳124的連接,可以分別使用線焊接的手法進行連接。
(4)在上述實施方式二中,分別將樹脂密封型半導體裝置主體的下端面211、上端面212及各個側端面213、214設為傾斜面,實際上,也可以僅將下端面211設為傾斜面,另外,還可以僅將下端面211上在進行外觀檢查時與檢查者的視線方向相對的部分設為傾斜面。例如,在從正面側觀看樹脂密封型半導體裝置主體210進行外觀檢查時,在圖9(a)及圖9(b)的實例中,可以僅形成正面側傾斜面211a,在該正面側傾斜面211a上形成外觀檢查用凹槽部221~224。另外,在從背面側觀看樹脂密封型半導體裝置主體210進行外觀檢查時,可以僅形成背面側傾斜面211b,在該背面側傾斜面211b上形成外觀檢查用凹槽部221~224。
(5)本發明的引線框架,並不限於在上述各實施方式中說明的結構的引線框架100,只要具有繫桿,還可以是各種結構的引線框架。
100、100A、100B、100C、100D、800...引線框架
110、810...半導體元件安裝部
111、811...第1晶片座
111a、111b、112a、112b...半導體元件載放面
111c、112c、123a、124a...連接部
112、812...第2晶片座
121、122、123、124、821、822、823、824...外引腳
130、830...繫桿
130a、830a...繫桿的上端邊
130b...繫桿的下端邊
140、840...輔助桿
151、152、153、154...半導體元件
161、162...連接端子
200、202、900...樹脂密封型半導體裝置
210、910...樹脂密封型半導體裝置主體
211、911...下端面
211a...正面側傾斜面
211b...背面側傾斜面
212...上端面
213、214...側端面
221~224...外觀檢查用凹槽部
221a~224a...外觀檢查用凹槽部的上端面
600...基板
831...繫桿殘存部
A...虛線圓
a、b、w...寬度
C、C1、C2...凹槽部
c、d...深度
DB...樹脂毛邊
H...符號
L0...外引腳的側端邊延長線
L1‧‧‧繫桿的上端邊延長線
M‧‧‧模具
M1‧‧‧下模
M2‧‧‧上模
P‧‧‧衝孔模具
Pa‧‧‧衝孔模具的上端邊
Pb‧‧‧衝孔模具的下端邊
Pc、Pd‧‧‧衝孔模具的側端邊
Pe‧‧‧終點
Ps‧‧‧起點
圖1是表示實施方式一的引線框架100的結構的說明圖。
圖2是表示凹槽部C的尺寸的說明圖。
圖3(a)至圖3(d)是表示實施方式一的樹脂密封型半導體裝置的製造方法的說明圖。
圖4是表示在樹脂密封步驟中使用的樹脂密封用模具M內部的樹脂密封型半導體裝置主體210與繫桿130的位置關係的斷面圖。
圖5(a)及圖5(b)是表示繫桿分離步驟的說明圖。
圖6是表示實施方式一的樹脂密封型半導體裝置200的外觀結構的示意圖。
圖7是表示將實施方式一的樹脂密封型半導體裝置200安裝在基板600時的安裝高度與以往的樹脂密封型半導體裝置相比較的示意圖。
圖8是表示多個引線框架相連接的狀態的示意圖。
圖9(a)及圖9(b)是表示實施方式二的樹脂密封型半導體裝置202的說明圖。
圖10是表示凹槽部C的變形例的說明圖。
圖11是表示非專利文獻1公開的樹脂密封型半導體裝置900的外觀結構的斜視圖。
圖12是表示以往的樹脂密封型半導體裝置900中使用的引線框架800的結構的斜視圖。
圖13是表示在製造以往的樹脂密封型半導體裝置900時繫桿分離步驟中的主要部位放大圖。
121...外引腳
130...繫桿
130a...繫桿的上端邊
130b...繫桿的下端邊
210...樹脂密封型半導體裝置主體
211...下端面
C1、C2...凹槽部
L1...繫桿的上端邊延長線
P...衝孔模具
Pa...衝孔模具的上端邊
Pb...衝孔模具的下端邊
Pc、Pd...衝孔模具的側端邊

Claims (9)

  1. 一種樹脂密封型半導體裝置,所述樹脂密封型半導體裝置由以下樹脂密封型半導體裝置的製造方法來製造,包括:用於準備引線框架的引線框架準備步驟,所述引線框架具有安裝半導體元件的半導體元件安裝部、作為與外部連接的端子的多個外引腳、以及與該多個外引腳之間相連接且在樹脂密封步驟中作為防止樹脂流出的樹脂密封部的繫桿;將所述半導體元件安裝在半導體元件安裝部的半導體元件安裝步驟;將所述半導體元件和所述半導體元件安裝部用樹脂密封用模具覆蓋後,在該樹脂密封用模具的內部充入樹脂,形成樹脂密封型半導體裝置主體的樹脂密封步驟;以及將所述多個外引腳從所述繫桿分離的繫桿分離步驟;在所述引線框架準備步驟中,準備引線框架,所述引線框架的所述多個外引腳與所述繫桿的各連接部的各角部中,在位於所述樹脂密封型半導體裝置主體側的各角部,設有在該各角部的所述外引腳的寬度比該外引腳的其他部分的寬度狹小、同時在該角部的所述繫桿的寬度比該繫桿的其他部分的寬度狹小的凹槽部,在所述繫桿分離步驟中, 使用衝孔模具進行所述繫桿的分離,所述衝孔模具一側的側端邊位於所述外引腳的內側且存在於所述凹槽部,另一側的側端邊位於所述外引腳的外側,作為所述樹脂密封型半導體裝置主體側的端邊的上端邊存在於所述凹槽部,與所述上端邊相對的下端邊位於比所述繫桿的下端邊更下側的位置,並且所述樹脂密封型半導體裝置特徵在於:所述樹脂密封型半導體裝置主體,在從該樹脂密封型半導體裝置主體的正面側或背面側的至少一側觀看時,該樹脂密封型半導體裝置主體的下端面,是從多個外引腳的各根部側向該下端面的緣部上升傾斜的傾斜面;其中,當所述樹脂密封型半導體裝置為安裝在基板上的狀態時,所述樹脂密封型半導體裝置主體的所述傾斜面中所述多個外引腳的各根部,在所述樹脂密封型半導體裝置主體上形成有可以目視所述多個外引腳的各根部的外觀檢查用凹槽部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂密封型半導體裝置,其中:所述引線框架上設置有所述繫桿,所述繫桿的上端邊被設置在所述樹脂密封型半導體裝置主體的下端面的附近位置。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之樹脂密封型半導體裝置,其中:所述衝孔模具的上端邊位於所述繫桿的上端邊的下 側,且存在於所述凹槽部。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之樹脂密封型半導體裝置,其中:所述凹槽部在以所述外引腳側為該凹槽部的起點、以所述繫桿側為該凹槽部的終點時,從該凹槽部的起點至終點形成為曲線。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之樹脂密封型半導體裝置,其中:所述曲線為圓弧。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之樹脂密封型半導體裝置,其中:所述凹槽部在以所述外引腳側為該凹槽部的起點、以所述繫桿側為該凹槽部的終點時,從所述凹槽部的起點至凹槽部的終點形成為具有多個角部的直線。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之樹脂密封型半導體裝置,其中:所述凹槽部的起點被設置為比所述繫桿的上端邊更靠近所述樹脂密封型半導體裝置的主體側。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之樹脂密封型半導體裝置,其中:所述凹槽部的起點被設置為比所述繫桿的上端邊更靠近所述樹脂密封型半導體裝置的主體側。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂密封型半導體裝置,其中: 所述外觀檢查用凹槽部的內部上端面,是從所述各根部側向所述外觀檢查用凹槽部的開口部上升傾斜的傾斜面。
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