TWI472263B - 發光裝置及電子裝置 - Google Patents

發光裝置及電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI472263B
TWI472263B TW96107036A TW96107036A TWI472263B TW I472263 B TWI472263 B TW I472263B TW 96107036 A TW96107036 A TW 96107036A TW 96107036 A TW96107036 A TW 96107036A TW I472263 B TWI472263 B TW I472263B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
light
emitting layer
light emitting
insulating film
Prior art date
Application number
TW96107036A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200740275A (en
Inventor
Masahiro Takahashi
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Lab filed Critical Semiconductor Energy Lab
Publication of TW200740275A publication Critical patent/TW200740275A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI472263B publication Critical patent/TWI472263B/zh

Links

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A63—SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
    • A63H—TOYS, e.g. TOPS, DOLLS, HOOPS OR BUILDING BLOCKS
    • A63H27/00—Toy aircraft; Other flying toys
    • A63H27/004—Means for launching objects from aircraft, e.g. pilot, missiles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A63—SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
    • A63H—TOYS, e.g. TOPS, DOLLS, HOOPS OR BUILDING BLOCKS
    • A63H27/00—Toy aircraft; Other flying toys
    • A63H27/02—Model aircraft
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A63—SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
    • A63H—TOYS, e.g. TOPS, DOLLS, HOOPS OR BUILDING BLOCKS
    • A63H27/00—Toy aircraft; Other flying toys
    • A63H27/14—Starting or launching devices for toy aircraft; Arrangements on toy aircraft for starting or launching
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A63—SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
    • A63H—TOYS, e.g. TOPS, DOLLS, HOOPS OR BUILDING BLOCKS
    • A63H29/00—Drive mechanisms for toys in general
    • A63H29/24—Details or accessories for drive mechanisms, e.g. means for winding-up or starting toy engines
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

發光裝置及電子裝置
本發明係關於能夠將經過電極的光擷取的裝置。例如，本發明關於具有發光元件的發光裝置或液晶顯示裝置。
對平面顯示器如液晶面板等的改善正在進行，以企圖實現圖像的高清晰度化、低耗電量化以及長壽命化。為了使將電致發光元件(以下，稱為EL元件)使用於像素的電致發光面板(以下，稱為EL面板)實用化，需要實現以更低耗電量進行更鮮明、更明亮的顯示，以有效地利用自發光面板的特性。為了達到該目的，正在進行對用於EL元件的材料的電流亮度特性等電力效率的改善。然而，電力效率的改善也有界限。
將在EL元件的發光層發出的光從面板得到的效率(光擷取效率)只是20%左右。光擷取效率那樣低的原因如下，即當在發光層發出的光到達折射率不同的膜的介面時被全反射，並且被全反射的光在EL元件的內部傳播時衰減，或者從發光元件的側面，例如從玻璃基板的端面放射被全反射的光。
在專利文件1(日本專利特開2002－278477號)中，記載減少被全反射的光量而提高光擷取效率的EL元件。在專利文件1中，藉由在透明導電層的擷取光一側的表面上提供具有近於空氣的折射率的低折射率層，而提高光擷取效率。
然而，在專利文件1中，儘管可以改善在透明導電層和空氣層之間被全反射的光量，但擔心在透明導電層和低折射率層的介面中增加被全反射的光量。本發明的目的之一在於減少經過電極後的光被全反射之數量，並藉此提高光擷取效率。
本發明的發光裝置所提供的發光元件，包括例如：作為發光材料而使用有機材料的有機EL元件；作為發光材料而使用無機材料的無機EL元件；使用化合物半導體等半導體的發光二極體等。本發明的發光元件依照第一電極、發光層、第二電極的順序在基板上堆疊而形成。在該發光層所發出的光經過相對於第一電極的第二電極發出。發光裝置包括至少一發光元件。可選擇地，發光裝置包括至少一發光區域(可從第二電極擷取光的區域)。
第一電極是能夠反射來自發光層的光之電極。可選擇地，第一電極也可以是能夠傳送來自發光層的光之電極。第二電極是能夠傳送來自發光層的光之電極。
在第一電極和第二電極之間提供至少一發光層。在電極之間可提供複數個發光層。在發光元件是有機EL元件的情況下，除了發光層以外，可適當地提供各層，例如電子注入層、電子傳輸層、電洞阻擋層、電洞傳輸層、電洞注入層、和其他等數個層。在發光元件是無機EL元件的情況下，可以在發光層和第一電極之間以及在發光層和第二電極之間提供絕緣層，或者可以在發光層和第一電極之間、或在發光層和第二電極之間提供絕緣層。
選擇性地提供一或複數個本體，以與第二電極的擷取光之表面接觸。本體的折射率並未特別限制，然而較佳地，其折射率與發光層的折射率相等或比發光層的折射率大。
「選擇性地提供本體」意謂著提供本體，以使得在發光區域中存有未在第二電極的上方提供本體的區域。換言之，第二電極的表面具有由本體覆蓋的區域和未被本體覆蓋的區域。當如此配置本體時，本體具有不平行於第二電極和本體之間的介面的表面。
在發光層中所產生的光直接或者被第一電極反射而入射於第二電極。部分到達第二電極和本體之間的介面的光不被全反射而可以傳送經過第二電極。注意的是，當本體的折射率與發光層的折射率相等或比發光層的折射率大時，所有的光不被全反射而可以入射於第二電極和本體之間的介面。此可從幾何光學的司乃爾定律以及全反射條件推導而得。
根據本發明，本體係提供以使得具有不平行於第二電極和本體之間的介面的表面，藉此儘可能將入射於本體的光擷取到外部。這是因為，即使以被本體的頂表面全反射之入射角而入射於本體的頂表面上的光，在被全反射後入射於該表面時可以被擷取到外部。換言之，在本發明中，入射於本體的光在本體內部被全反射，並藉此使得入射於本體和空氣之間的介面的光的入射角比臨界角小；因此，增加從本體擷取到外部的光量。在本發明中，藉由提供本體，可以減少在第二電極的頂表面被全反射的光量，並且在本體中使入射的光散射；因此，可以從本體有效率地擷取光。因此，可以改善光擷取效率。如上所述，在本發明中，在擷取光的電極之表面上形成凸部，以使在發光元件中的光散射，並藉此擷取到外部。本發明尤其適用於具有從上方擷取光的頂部發光(Top Emission)結構之發光元件。這是因為，即使在底部發光(Bottom Emission)結構的情況下，即使當玻璃之表面上形成凹凸時，也可以擷取傳送經過玻璃的光；然而，無法擷取在發光元件內部所傳播的光。然而，在頂部發光的情況下，所有的光在發光元件之內部傳播；因此，使用本發明，可增加從發光元件擷取的光之機率。
在本發明中，可以在第二電極的表面上提供保護膜，並且在其上選擇性地提供至少一本體。可以使用氧化矽(SiOy ,0<y≦2)、氮化矽(SiNx ,0<x≦4/3)、氮氧化矽(SiNx Oy ,0<x<4/3,0<y<2,0<3x＋2y≦4)等，作為保護膜。
本發明的本體並不只適用於自發光型發光元件及發光裝置。例如，本發明的本體可以適用於透射型或半透射型液晶顯示裝置。藉由在液晶顯示裝置之像素電極的表面上提供本體，可以將傳送經過像素電極的光有效率地擷取到外部。在半透射型液晶顯示裝置的情況下，可以在像素電極中使光通過的區域中選擇性地提供本體。
當選擇性地提供至少一本體在第二電極的上方時，可以改善來自第二電極的光之光擷取效率。當改善光擷取效率時，可以獲得具有低耗電量的裝置。
關於本發明的實施方式以及實施例，以下將參照附圖進行說明。此外，本發明可以以多個不同方式來實施。可以不脫離本發明的宗旨及其範圍地改變其形態。本發明不應該被解釋為僅限定在實施方式所記載的內容中。再者，可以適當地組合各實施方式，而不脫離本發明的宗旨。
實施方式1
將參照第1A至6C圖而說明此實施方式。
第1A至1C圖表示此實施方式的發光裝置。第1A圖是俯視圖，第1B圖是第1A圖的a－b的剖視圖，第1C圖是本體的外觀圖。
在基板100的上方提供有發光元件。在發光元件中，從基板100一側按第一電極101、發光層102、第二電極103的順序堆疊。接觸於第二電極103的表面而選擇性地提供複數個本體104。
基板100只要成為發光元件的支撐基體即可，例如可以使用石英基板、半導體基板、玻璃基板、塑膠基板、具有可撓性的塑膠薄膜等。另外，因為不是從基板100一側擷取光的結構，所以基板並不需要是透明的，而且它既可以是有色的，又可以是不透明的。
第一電極101具有反射在發光層102發出的光的功能。藉由使用由金屬、合金形成的具有反射性的導電膜而形成第一電極101。作為金屬膜，可以舉出金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鋁(Al)等。另外，可以舉出鎂和銀的合金、鋁和鋰的合金等，作為合金膜。可以藉由濺射法、氣相沈積法等來形成這些形成第一電極101的膜。
藉由氣相沈積法等在第一電極101的上方形成發光層102。發光層102是含有發光物質的層。對發光層102可以使用已知的材料，並且可以使用低分子系材料或高分子系材料。此外，作為形成發光層102的材料，除了只由有機化合物材料形成的材料以外，還可以使用由在有機化合物材料中混合無機化合物的材料、只由無機化合物材料形成的材料。另外，根據形成發光層102的材料而例如從使用金屬掩模的氣相沈積法、不使用金屬掩模的液滴噴射法(典型的是噴墨法)、旋塗法、浸塗法等中選擇，作為發光層102的製造方法。
在發光層102的上方形成第二電極103。第二電極103是在發光層102發出的光能夠穿過的電極。在發光層102產生的光直接或被第一電極101反射而從第二電極103擷取。
典型地由透明導電膜形成第二電極103。特別，當發光元件是有機EL元件時，也可以使用在第一電極101一側形成厚度是1 nm至50 nm，較佳5 nm至20 nm左右那樣非常薄的金屬等可見光的透過率低的材料，然後在其上堆疊透明導電膜的導電膜，以使調整第二電極的功函數。在此情況下，作為形成得非常薄的薄膜，可以使用金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)等。可以藉由使用如濺射法、氣相沈積法等來形成這種薄膜。
注意的是，此外，可以與第二電極103同樣地提供第一電極101而作為光能夠穿過的電極(透明電極)。
用於第一電極101、第二電極103的透明導電膜的材料，典型地是金屬氧化物。例如有選自鋅(Zn)、銦(In)、錫(Sn)中的元素的氧化物，或者對這些氧化物加上摻雜物的化合物。作為氧化鋅的摻雜物，有Al、Ga、B、In等。此外，含有這些摻雜物的氧化鋅分別稱為AZO、GZO、BZO、IZO。另外，作為氧化鋅的摻雜物，可以使用Si。作為氧化銦的摻雜物，有Sn、Ti等。含有Sn的氧化銦稱為ITO(氧化銦錫)。作為氧化錫的摻雜物，有Sb、F等。再者，作為透明導電膜，可以使用將選自上述氧化鋅、氧化銦、氧化錫、以及含有摻雜物的這些氧化物中的兩種氧化物混合的化合物。
本發明的發光元件不侷限於第1A至1C圖所示的結構，只要是在兩個電極之間至少具有一個發光層的結構即可。按照發光層包含的發光材料是有機化合物還是無機化合物，將利用電致發光的發光元件區別成兩種。前者一般地稱為有機EL元件，並且後者一般地稱為無機EL元件。
例如，當發光元件是有機EL元件時，除了發光層以外，還可以自由組合具有功能性的層諸如電子注入層、電子傳輸層、電洞阻擋層、電洞傳輸層、電洞注入層等。此外，可以在電極之間提供複數個發光層。
另外，可以形成發光元件而作為無機EL元件。根據元件的結構，將無機EL元件分類為分散型無機EL元件和薄膜型無機EL元件。分散型無機EL元件和薄膜型無機EL元件的差異在於，前者具有將發光材料的粒子分散在黏著劑中的發光層，並且後者具有由發光材料的薄膜形成的發光層。然而，分散型無機EL元件和薄膜型無機EL元件的共同點在於，兩個都需要由高電場加速的電子。有兩種類型：利用施體能級和受體能級的施體－受體重新組合型發光、以及利用金屬離子的內層電子躍遷的局部發光，作為要得到的發光的機構。一般地，在很多情況下，將施體－受體重新組合型發光使用於分散型無機EL元件，而且將局部發光使用於薄膜型無機EL元件。
與第二電極103的表面接觸地選擇性地提供複數個本體104。在第1A至1C圖中，本體104的立體形狀是具有矩形底面的柱形。從容易使在發光層102發出的光穿過的材料中選擇形成本體104的材料。此外，本體104的折射率較佳與發光層102的折射率相等或比發光層102的折射率大。當如此調整折射率時，入射於第二電極103和本體104的介面的光不被該介面全反射，並且可以進入本體104的內部，結果可以進一步提高光擷取效率。
由於本體104具有不平行於本體和第二電極103的介面的面，所以即使以被本體104的頂表面全反射的入射角光進入本體104，也可以從本體104的所述面將光擷取到外部。因此，可以增加從第二電極103擷取的光量。
可以使本體104的高度在50 nm至100 μm(包括50 nm和100 μm)的範圍內。另外，底面的一邊長度在對於第二電極103能夠選擇性地提供本體104的範圍內，即可。因此，可以使本體104的底面的一邊長度在50 nm至100 μm(包括50 nm和100 μm)的範圍內。
柱形的本體104的底面形狀不侷限於矩形，而且可以是多邊形諸如三角形、矩形、五角形等。
在第1A至1C圖中提供有複數個本體104，然而如第2A至2C圖所示，可以在第二電極103的上方選擇性地提供一個本體105。第2A圖是俯視圖，第2B圖是沿著第2A圖的虛線a－b切斷的剖視圖，第2C圖是在第2A圖中的矩形區域C切下的本體的外觀圖。
本體105的立體形狀是具有複數個開口部分的長方體。本體105和本體104具有如下關係：在第1A至1C圖中，在沒有本體104的區域中有本體105，並且在有本體104的區域中沒有本體105。本體105的開口部分的形狀是跟本體104一樣的稜柱形。本體105的開口部分的形狀(開口部分的底面的形狀)不侷限於矩形，而且可以是多邊形諸如三角形、矩形、五角形等。
可以使本體105的高度在50 nm至100 μm(包括50 nm和100 μm)的範圍內。另外，本體105的寬度105a在對於第二電極103能夠選擇性地提供本體105的範圍內，即可。因此，可以使本體105的寬度105a在50 nm至100 μm(包括50 nm和100 μm)的範圍內。
另外，如第3圖所示，可以提供具有將稜柱體組成為井字形的立體形狀的本體106。可以與本體105同樣地決定本體106的尺寸。
此外，如第4A、4B圖所示，可以在一個第二電極103的上方提供複數個本體105、本體106。
可以在第二電極103的表面上設置保護膜，並且在保護膜的表面上提供形成本體。作為保護膜，可以使用氧化矽(SiOy ,0<y≦2)、氮化矽(SiNx ,0<x≦4/3)、氮氧化矽(SiNx Oy ,0<x<4/3,0<y<2,0<3x＋2y≦4)等。保護膜的厚度較佳為0.1 μm或更大即可，較佳在0.1 μm至10 μm(包括0.1 μm和10 μm)的範圍內。
如實施方式2所述，藉由將密封用的基板固定在提供有元件的元件基板上來密封發光元件。在元件基板和密封用的基板之間充滿由氣體或樹脂形成的密封劑。在樹脂充滿的情況下，填充液相狀態的樹脂並使它硬化，但是擔心當使樹脂硬化時，對形成發光元件的膜施加力，而影響發光元件的特性。因為可以消除上述那樣的影響，所以保護膜的厚度較佳為1 μm或更大。
可以藉由使用壓印技術、利用轉印技術而能夠形成納米水準的立體結構物的納米壓印技術來形成本體。壓印技術、納米壓印技術是不使用光刻過程而能夠形成微小立體結構物的技術。
本發明的目的之一也是提供適宜製造如上述本體那樣微小的立體結構物的壓印技術、納米壓印技術。使用第5A至5D圖而說明利用壓印技術(在此，也包括奈米壓印技術)形成本體的方法。
準備形成有第一電極101、發光層102、第二電極103的基板100。藉由旋塗法、絲網印刷、分配器方法等的方法，在第二電極103的表面上提供用於形成本體的樹脂材料202。在此，使用熱固性樹脂材料，作為樹脂材料202。此外，還可以使用紫外線固化樹脂、熱可塑性樹脂。根據樹脂的性質，可以改變使樹脂硬化的步驟(第5A圖)。
準備具有對應於本體的立體結構的凹凸的壓模200。壓模200由石英形成。在壓模200的凹凸的表面上形成氧化鈦201。形成氧化鈦201的事實是壓模200的特徵。在後面說明其詳細情況(第5B圖)。
壓模200可以利用壓印機的垂直運動機構而升降。在壓印機的壓力機(press)上配置基板100(第5C圖)。
將壓模200加熱到預定的溫度後，利用壓印機的垂直運動機構使壓模200下降而使它接觸到樹脂材料202。然後，利用壓力機給壓模200加壓，並將壓模200的凹凸面壓到樹脂材料202，且將壓模200的表面的凹凸形狀轉寫於樹脂材料202(第5D圖)。
在壓著壓模200的情況下，將壓模200加熱，並且使因壓模200變形的樹脂材料202的一部分硬化，而形成本體203。此時，也將基板100加熱(第6A圖)。
在將壓模200和基板100冷卻到室溫後，停止使用壓力機的加壓，而使壓模200上升，將本體203從壓模200分離。
如此，在壓印技術中，在將壓模壓到樹脂材料的情況下，進行加熱和冷卻。因為壓模和樹脂材料的熱膨脹率不同，所以當進行冷卻時，樹脂材料和壓模的收縮程度產生差別，而硬化的樹脂材料進入在壓模的表面的凹部中，不容易將樹脂材料從壓模剝離。在此情況下，如果使壓模上升，有可能硬化的樹脂材料變形，或者樹脂材料從第二電極103剝落。
使用由氧化鈦201覆蓋的壓模200，以便解除這種問題。使壓模200上升之前，經過壓模200將紫外光204傳送到氧化鈦201(第6B圖)。
利用紫外光204使氧化鈦活化而發生催化作用，因此氧化鈦201與本體203(硬化的樹脂材料202)的緊密性減少。因此，當使壓模200上升時，不使本體203變形，而可以將壓模200從本體203分離。
在照射紫外光204後，使壓模200上升，以從本體203分離壓模200(第6C圖)。
一邊將基板100與壓模200相對地轉移，一邊重複第5D圖以後的步驟，而在第二電極103上的所希望的位置形成本體203。
使用在其表面上提供有氧化鈦的壓模的壓印技術，除了本發明的本體形成以外，還可以適用於使用現有壓印技術的形成立體結構的普通步驟。例如，可以適用於資訊存儲介質的圖案形成或電機零部件的圖案形成。
實施方式2
在此實施方式中，將說明利用電晶體控制發光元件的驅動的有源型發光裝置。
在此實施方式中，將參照第7A和7B圖描述在像素部中具有適用本發明而製造的發光元件的發光裝置。第7A圖是表示發光裝置的俯視圖，第7B圖是沿著虛線A－A'及B－B'切斷第7A圖的發光裝置的剖視圖。由虛線表示的符號601是驅動電路區域(源極驅動電路)、符號602是像素部、以及符號603是驅動電路區域(閘極驅動電路)。此外，符號604是密封基板、符號605是密封劑、並且符號607是由密封劑605包圍的空間。
注意的是，引線608是用來將輸入到源極驅動電路601或閘極驅動電路603的信號傳送的佈線。並且引線608從用作外部輸入端子的FPC(可撓性印刷電路)609接受視訊信號、時鐘信號、啟動信號、重定信號等。雖然在此處僅示出了FPC，但也可以將印刷佈線板(PWB)安裝於FPC。在本說明書中的發光裝置是不僅包括發光裝置的主體，而且還包括安裝有FPC或PWB的發光裝置。
接下來將參照第7B圖描述截面結構。在元件基板610的上方形成驅動電路區域及像素部。此處示出作為驅動電路區域的源極驅動電路601和像素部602中的一個像素。
注意的是，源極驅動電路601包括藉由組合n通道型薄膜電晶體(以下，稱為TFT)623和p通道型TFT 624形成的CMOS電路。另外，由已知的CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成驅動電路即可。此外，在此實施方式中，雖然示出了在基板的上方形成驅動電路和像素部的驅動器一體型，但是沒必要使用它。可以將驅動電路不形成在基板上，而形成在離基板的地方。此外，TFT的結構沒有特別的限制。可以使用交錯型TFT或反交錯型TFT。此外，用於TFT的半導體膜的結晶性也沒有特別的限制。可以使用非晶半導體膜或結晶半導體膜。此外，半導體材料沒有限制，並且可以使用無機化合物或有機化合物。
像素部602包括複數個像素，每個像素都具有開關TFT 611、電流控制TFT 612、以及電連接到電流控制TFT 612的汲極的第一電極613。此外，形成絕緣物614來覆蓋第一電極613的端部。此處，絕緣物614由正型感光丙烯樹脂膜形成。
為了提高覆蓋性，形成絕緣物614以使其上端部或下端部成為曲面。例如，當將正型感光丙烯用作絕緣物614的材料時，較佳僅使絕緣物614的上端部具有帶有曲率半徑(0.2到3 μm)的曲面。此外，作為絕緣物614，都可以使用藉由光照射變成在刻蝕劑中不能溶解的負型感光丙烯或藉由光照射變成在刻蝕劑中能溶解的正型感光丙烯。
在第一電極613的上方分別形成有發光層616及第二電極617。第一電極613及第二電極617中的至少第二電極617具有透光性，並且可以將在發光層616發出的光擷取到外部。
在第二電極617上設置有實施方式1所示的本體600。在第7A和7B圖中，在第二電極617的整個面上方設置有本體。此外，例如也可以只在第二電極617的發光區域(發光元件618所包括的區域)中提供本體。
可以使用各種方法，作為第一電極613、發光層616、以及第二電極617的形成方法。具體而言，可以使用物理氣相成長法(PVD)諸如電阻加熱氣相沉積法或電子束氣相沉積(EB氣相沉積)法等的真空氣相沉積法、濺射法等，化學氣相成長法(CVD)諸如有機金屬CVD法、氫化物傳輸減壓CVD法等，或者原子層外延法(ALE)等。此外，還可以使用噴墨法、旋塗法等。此外，還可以使用不同的成膜方法來形成各電極和各層。
藉由使用密封劑605將密封基板604和元件基板610彼此貼合，而獲得在元件基板610、密封基板604、以及密封劑605所包圍的空間607中提供有發光元件618的結構。此外，在空間607中填充有填充劑。除了在空間607中填充有惰性氣體(氮或氬等)的情況以外，還有在空間607中填充有由樹脂形成的密封劑的情況。
注意的是，環氧系樹脂較佳用於密封劑605。該材料較佳是使儘可能少的濕氣和氧透過的材料。此外，作為用於密封基板604的材料，除了玻璃基板或石英基板以外，還可以使用由FRP(玻璃纖維增強塑膠)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯等形成的塑膠基板。
實施方式3
在第8圖中示出適當地使用本發明來製造的無源型發光裝置的立體圖。
在第8圖中，在基板951上方提供有第一電極952、第二電極956、以及在其之間的發光層955。第二電極956是透射型電極。第一電極952既可以是反射型電極，又可以是透射型電極。第一電極952和第二電極956是條形電極，並且使彼此直角交叉地提供。第一電極952和第二電極956交叉的區域是發光區域(發光元件)。藉由在第二電極956的上方提供長方體的本體950，而提高光擷取效率。當然，本體950的形狀可以是其他形狀。
第一電極952的端部由絕緣層953覆蓋。並且，在絕緣層953的上方提供有分隔層954。分隔層954的側壁具有越接近於基板表面，一方側壁和另一方側壁的間隔越小的坡度。換句話說，分隔層954的短邊方向的截面是梯形，其底邊(朝與絕緣層953的面方向相同的方向且與絕緣層953接觸的一邊)短於上邊(朝與絕緣層953的面方向相同的方向且不與絕緣層953接觸的一邊)。像這樣，藉由提供分隔層954，可以防止靜電等導致的發光元件的缺陷。
與第7A和7B圖中的有源矩陣型發光裝置同樣，也在第8圖中的無源矩陣型發光裝置中利用密封劑而固定密封用基板。
實施方式4
可以使用本發明的發光裝置而作為電子裝置的顯示部。在此實施方式中，將說明使用這種發光裝置的電子裝置。此實施方式所示的電子裝置具有實施方式1、2或3所示的發光元件。由此，可以提供降低了耗電量的電子裝置。
可以舉出攝影機、數位相機、護目鏡型顯示器、導航系統、音訊再生裝置(汽車音響、音響元件等)、電腦、遊戲機、可擕式資訊終端(移動電腦、手機、可擕式遊戲機、電子書等)、提供有記錄媒體的圖像再生裝置(具體地，再生數位通用光碟(DVD)等記錄媒體的內容並且具有將再生的圖像顯示的顯示裝置的裝置)等，作為適當地使用本發明而製造的電子裝置。在第9A至9D圖中示出這些電子裝置的具體例子。
第9A圖表示利用本發明的電視裝置，其包括框體9101、支撐台9102、顯示部9103、喇叭部9104、以及視訊輸入端子9105等。在該電視裝置中，將類似於實施方式1、2或3描述的發光元件排列成矩陣而形成顯示部9103。藉由提高該發光元件的光擷取效率，可以企圖實現電視裝置本身的低耗電量化。因此，可以製造適應居住環境的電視機。
第9B圖表示利用本發明的電腦，其包括主體9201、框體9202、顯示部9203、鍵盤9204、外部連接埠9205、以及定位滑鼠9206等。在該電腦中，將發光元件排列成矩陣而形成顯示部9203。藉由提高發光元件的光擷取效率，可以企圖實現電腦本身的低耗電量化。
第9C圖表示手機，其包括主體9401、框體9402、顯示部9403、音訊輸入部9404、音訊輸出部9405、操作鍵9406、外部連接埠9407、以及天線9408等。在該手機中，將發光元件排列成矩陣而形成顯示部9403。因為該發光元件的光擷取效率被提高，所以可以企圖實現手機的低耗電量化，而且使它成為更方便的手機。
第9D圖表示攝影機而作為影像拍攝裝置。攝影機包括主體9501、顯示部9502、框體9503、外部連接埠9504、遠端控制接收部9505、影像接收部9506、電池9507、音訊輸入部9508、操作鍵9509、以及取景器9510等。在該攝影機中，將發光元件排列成矩陣而形成顯示部9502。因為該發光元件的光擷取效率被提高，所以可以企圖實現攝影機本身的低耗電量化，而且使它成為更方便的攝影機。
如上所述，本發明的發光裝置的應用範圍非常廣泛，該發光裝置可以應用到各種領域的電子裝置中。藉由應用本發明，可以製造耗電量低的電子裝置。
實施方式5
本發明的發光裝置也可以用作照明設備。將參照第10圖描述將使用本發明的發光元件用於照明設備的一個方式。
第10圖表示將使用本發明的發光裝置用作背光燈的液晶顯示裝置的一個實例。第10圖所示的液晶顯示裝置包括框體901、液晶層902、背光燈903、以及框體904，其中液晶層902連接到驅動器IC 905。此外，作為背光燈903使用本發明的發光裝置，並且經過端子906將電流供給於背光燈903。
藉由將應用本發明的發光裝置使用為液晶顯示裝置的背光燈，可以獲得明亮且耗電量低的背光燈。由於應用本發明的發光裝置是面發光照明設備並且可以實現大面積化，所以可以實現背光燈的大面積化並且還可以實現液晶顯示裝置的大螢幕化。此外，由於發光裝置是薄型並且其耗電量低，因而還可以實現顯示裝置的薄型化、低耗電量化。
當然，作為液晶顯示裝置的背光燈以外的平面狀的照明設備，可以使用本發明的發光裝置。
實施例1
示出藉由計算驗證利用本體提高光擷取效率的效果。假定以有機EL元件作為發光元件。另外，藉由計算來算出三個發光元件A至C的光擷取效率。在第11A至11C圖中，分別表示發光元件A至C的剖視圖、發光元件A至C的俯視圖。
第11A圖所示的發光元件A是不提供本體的元件。在發光元件A中，提供有第一電極11、第二電極12以及在其間的發光層13。在第一電極11和發光層13之間提供有電子傳輸層14，並且在第二電極12和發光層13之間提供有電洞傳輸層15。
第一電極11由鋁形成，第二電極12由ITO形成，發光層13是共同沉積三(8－喹啉醇合)鋁(簡稱，Alq3)和香豆素6(在此，寫為C6)的薄膜。電子傳輸層14由4，4’－雙[N－(1－萘基)－N－苯胺]聯苯(簡稱，α－NPD)形成，並且電洞傳輸層15由Alq3形成。
表1表示發光元件A的結構、用於計算的膜厚以及折射率(實部和虛部)。折射率是對製造的發光元件A的500 nm的波長進行測定的值。
第11B圖所示的發光元件B除了提供有本體16以外，具有與發光元件A相同的結構。本體16是一邊長度為0.1 μm的立方體，並且以0.1 μm的間隔在x和y方向上被配置。
第11C圖所示的發光元件C除了提供有本體17以外，具有與發光元件A相同的結構。本體17和本體16有如下關係：在有本體17的區域中沒有本體16，並且在沒有本體17的區域中有本體16。並且本體17是高度為0.1 μm的長方體。在該長方體中，以0.1 μm的間隔在x和y方向上提供有一邊為0.1 μm的立方體的開口部分。
關於上述發光元件A至C，計算擷取到外部的光量。當進行計算時，使用藉由時域有限差分法(Finite－Difference－Time－Domain,FDTD法)來解麥斯威爾(Maxwell)方程式的方法。當進行計算時，使用RSoft Design Group Japan KK銷售的FullWAVE。
如第11A圖所示，設想x、y、z座標軸的方向。如第12圖所示，對入射於以虛線表示的長方體20的側面以及頂表面的光量進行計算。長方體的尺寸是1.4 μm(x)×1.4 μm(y)×0.9 μm(z)。作為境界條件，使用吸收境界條件。
假設光源發射500 nm的單一波長。利用x、y、z座標表示光源的位置。將z座標固定在離電洞傳輸層15和發光層13的介面有10 nm上方，並且使x、y座標變化。x、y座標分別在－100 nm至100 nm(包括－100 nm和100 nm)的範圍內以20 nm間隔設定。然後，根據在利用x、y座標表示的點設置的光源的數量，進行計算。另外，對穿過上述長方體20的側面和頂表面的光量進行累計，以得到從發光元件獲取的光量。
此時，將空間網格尺寸(x,y,z)分別設定為10 nm，並且將時間網格尺寸設定為1.92466×10－18 秒。實際上，作為時間網格尺寸，使用在此時間內光前進在具有折射率1的媒體中的距離5.77nm，而對光量進行計算。
此外，發光元件B的本體16和發光元件C的本體17的實部的折射率都是2，其虛部的折射率都是0，並且發光元件B的本體16和發光元件C的本體17的折射率比發光層13的折射率大。
在上述的條件下，對從發光元件A至C擷取的光量進行計算。第13圖表示計算結果。第13圖中的圖表表示當作為參考值而使用的發光元件A的光量是1.0時的發光元件B和發光元件C的光量。根據計算結果，發光元件B的光量是1.17，並且發光元件C的光量是1.38。經過計算而明確如下事實，即藉由提供本體，可以增加從發光元件能夠擷取的光量。
發光元件C的光擷取效率比發光元件B的光擷取效率好。這是因為如下的緣故。換言之，在本發明中，在提供有本體的部分中可以減少全反射量。發光元件C具有更大的本體與第二電極連接的區域面積，因此光擷取效率成為更高。
本說明書根據2006年3月3日在日本專利局受理的日本專利申請編號2006－058753而製作，所述申請內容包括在本說明書中。
11．．．第一電極
12．．．第二電極
13．．．發光層
14．．．電子傳輸層
15．．．電洞傳輸層
16．．．本體
17．．．本體
100．．．基板
101．．．第一電極
102．．．發光層
103．．．第二電極
104．．．本體
105．．．本體
105a．．．寬度
106．．．本體
200．．．壓模
201．．．氧化鈦
202．．．樹脂材料
203．．．本體
204．．．紫外光
601．．．驅動電路區域
602．．．像素部
603．．．驅動電路區域
604．．．密封基板
605．．．密封材料
607．．．空間
608．．．引線
609．．．可撓性印刷電路
610．．．元件基板
611．．．開關TFT
612．．．電流控制TFT
613．．．第一電極
614．．．絕緣物
616．．．發光層
617．．．第二電極
618．．．發光元件
623．．．n通道TFT
624．．．p通道TFT
901．．．框體
902．．．液晶層
903．．．背光燈
904．．．框體
905．．．驅動器IC
906．．．端子
950．．．本體
951．．．基板
952．．．第一電極
953．．．絕緣層
954．．．分隔層
955．．．發光層
956．．．第二電極
9101．．．框體
9102．．．支撐台
9103．．．顯示部
9104．．．喇叭部
9105．．．視訊輸入端子
9201．．．主體
9202．．．框體
9203．．．顯示部
9204．．．鍵盤
9205．．．外部連接埠
9206．．．定位滑鼠
9401．．．主體
9402．．．框體
9403．．．顯示部
9404．．．音訊輸入部
9405．．．音訊輸出部
9406．．．操作鍵
9407．．．外部連接埠
9408．．．天線
9501．．．主體
9502．．．顯示部
9503．．．框體
9504．．．外部連接埠
9505．．．遠端控制接收部
9506．．．影像接收部
9507．．．電池
9508．．．音訊輸入部
9509．．．操作鍵
9510．．．取景器
在伴隨的圖式中：第1A至1C圖是表示發光裝置的結構之圖式(實施方式1)；第2A至2C圖是表示發光裝置的結構之圖式(實施方式2)；第3圖是表示發光裝置的結構之圖式(實施方式3)；第4A和4B圖是表示發光裝置的結構之圖式(實施方式4)；第5A至5D圖是說明發光裝置的製造方法之圖式(實施方式5)；第6A至6C圖是說明發光裝置的製造方法之圖式(實施方式6)；第7A和7B圖是表示發光裝置的結構之圖式(實施方式7)；第8圖是表示發光裝置的結構之圖式(實施方式8)；第9A至9D圖是表示利用本發明的電子裝置的情況之圖式(實施方式9)；第10圖是表示適用本發明的液晶顯示裝置的情況之圖式(實施方式10)；第11A至11C圖是表示用於計算的發光元件的結構之圖式(實施例1)；第12圖是表示對光量進行計算的區域之圖式(實施例1)；第13圖是表示藉由計算而算出的從發光元件能夠發出的光量的圖表(實施例1)。
100．．．基板
101．．．第一電極
102．．．發光層
103．．．第二電極
104．．．本體

Claims (12)

  1. 一種發光裝置，包含：基板；在該基板上方的第一電極；在該第一電極上方的發光層；在該發光層上方的第二電極；選擇性地設置在該第二電極的表面上方且與該第二電極的表面接觸的複數個本體；在該第一電極上方的絕緣膜，其中該發光層和該第二電極設置在該絕緣膜上方，並且該絕緣膜覆蓋該第一電極的邊緣部；以及在該絕緣膜上方的本體，其中，該第二電極傳送在該發光層所產生的光，其中，該本體的折射率與該第二電極的折射率相等或比該第二電極的折射率大，以及其中，該本體的折射率與該發光層的折射率相等或比該發光層的折射率大。
  2. 一種發光裝置，包含：基板；在該基板上方的第一電極；在該第一電極上方的發光層；在該發光層上方的第二電極；選擇性地設置在該第二電極的表面上方且與該第二電極的表面接觸的本體； 在該第一電極上方的絕緣膜，其中該發光層和該第二電極設置在該絕緣膜上方，並且該絕緣膜覆蓋該第一電極的邊緣部；以及在該絕緣膜上方的本體，其中，該第二電極傳送在該發光層所產生的光，其中，該本體的折射率與該第二電極的折射率相等或比該第二電極的折射率大，以及其中，該本體的折射率與該發光層的折射率相等或比該發光層的折射率大。
  3. 一種發光裝置，包含：基板；在該基板上方的第一電極；在該第一電極上方的發光層；在該發光層上方的第二電極；形成在該第二電極的表面上的薄膜，其中該薄膜的厚度等於或大於1μm；選擇性地設置在該薄膜的表面上的複數個本體；在該第一電極上方的絕緣膜，其中該發光層和該第二電極設置在該絕緣膜上方，並且該絕緣膜覆蓋該第一電極的邊緣部；以及在該絕緣膜上方的本體，其中，該第二電極傳送在該發光層所產生的光。
  4. 一種發光裝置，包含：基板； 在該基板上方的第一電極；在該第一電極上方的發光層；在該發光層上方的第二電極；形成在該第二電極的表面上的薄膜，其中該薄膜的厚度等於或大於1μm；選擇性地設置在該薄膜的表面上的本體；在該第一電極上方的絕緣膜，其中該發光層和該第二電極設置在該絕緣膜上方，並且該絕緣膜覆蓋該第一電極的邊緣部；以及在該絕緣膜上方的本體，其中，該第二電極傳送在該發光層所產生的光。
  5. 一種發光裝置，包含：基板；在該基板上方的第一電極；在該第一電極上方的發光層；在該發光層上方的第二電極；選擇性地設置在該第二電極的表面上方且與該第二電極的表面接觸的複數個本體；形成在該基板上方且與該第一電極電連接的薄膜電晶體；在該第一電極上方的絕緣膜，其中該發光層和該第二電極設置在該絕緣膜上方，並且該絕緣膜覆蓋該第一電極的邊緣部；以及在該絕緣膜上方的本體， 其中，該第二電極傳送在該發光層所產生的光，其中，該本體的折射率與該第二電極的折射率相等或比該第二電極的折射率大，以及其中，該本體的折射率與該發光層的折射率相等或比該發光層的折射率大。
  6. 一種發光裝置，包含：基板；在該基板上方的第一電極；在該第一電極上方的發光層；在該發光層上方的第二電極；選擇性地設置在該第二電極的表面上方且與該第二電極的表面接觸的本體；形成在該基板上方且與該第一電極電連接的薄膜電晶體；在該第一電極上方的絕緣膜，其中該發光層和該第二電極設置在該絕緣膜上方，並且該絕緣膜覆蓋該第一電極的邊緣部；以及在該絕緣膜上方的本體，其中，該第二電極傳送在該發光層所產生的光，其中，該本體的折射率與該第二電極的折射率相等或比該第二電極的折射率大，以及其中，該本體的折射率與該發光層的折射率相等或比該發光層的折射率大。
  7. 一種發光裝置，包含： 基板；在該基板上方的第一電極；在該第一電極上方的發光層；在該發光層上方的第二電極；形成在該第二電極的表面上的薄膜，其中該薄膜的厚度等於或大於1μm；選擇性地設置在該薄膜的表面上的複數個本體；形成在該基板上方且與該第一電極電連接的薄膜電晶體；在該第一電極上方的絕緣膜，其中該發光層和該第二電極設置在該絕緣膜上方，並且該絕緣膜覆蓋該第一電極的邊緣部；以及在該絕緣膜上方的本體，其中，該第二電極傳送在該發光層所產生的光。
  8. 一種發光裝置，包含：基板；在該基板上方的第一電極；在該第一電極上方的發光層；在該發光層上方的第二電極；形成在該第二電極的表面上的薄膜，其中該薄膜的厚度等於或大於1μm；選擇性地設置在該薄膜的表面上的本體；形成在該基板上方且與該第一電極電連接的薄膜電晶體； 在該第一電極上方的絕緣膜，其中該發光層和該第二電極設置在該絕緣膜上方，並且該絕緣膜覆蓋該第一電極的邊緣部；以及在該絕緣膜上方的本體，其中，該第二電極傳送在該發光層所產生的光。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之發光裝置，其中，該本體包含一樹脂材料。
  10. 一種包含顯示部的電子裝置，包含如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之發光裝置。
  11. 如申請專利範圍第3、4、7和8項中任一項所述之發光裝置，其中，該薄膜為保護膜。
  12. 如申請專利範圍第1、2、5和6項中任一項所述之發光裝置，其中，該第二電極的表面具有被該本體所覆蓋的第一區域以及未被該本體所覆蓋的第二區域。
TW96107036A 2006-03-03 2007-03-01 發光裝置及電子裝置 TWI472263B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006058753 2006-03-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200740275A TW200740275A (en) 2007-10-16
TWI472263B true TWI472263B (zh) 2015-02-01

Family

ID=38038931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW96107036A TWI472263B (zh) 2006-03-03 2007-03-01 發光裝置及電子裝置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20070205418A1 (zh)
EP (1) EP1830422A3 (zh)
KR (1) KR20070090757A (zh)
CN (2) CN102354731B (zh)
TW (1) TWI472263B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1830421A3 (en) * 2006-03-03 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and sheet-like sealing material
WO2007145103A1 (en) * 2006-06-14 2007-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
DE102007058453A1 (de) * 2007-09-10 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
TWI458126B (zh) * 2009-12-10 2014-10-21 Nat Inst Chung Shan Science & Technology 以奈米壓印形成發光元件之薄膜結構的製造方法
CN102386340A (zh) * 2010-09-02 2012-03-21 奇美电子股份有限公司 影像显示系统
JP6110695B2 (ja) 2012-03-16 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN103824946A (zh) * 2012-11-19 2014-05-28 海洋王照明科技股份有限公司 一种聚合物太阳能电池及其制备方法
WO2014106938A1 (ja) * 2013-01-07 2014-07-10 富士電機株式会社 透明有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
CN103490020A (zh) * 2013-09-30 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置、照明装置
KR102307788B1 (ko) * 2013-11-11 2021-10-05 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 Oled 디바이스용 나노구조체
AU2014371573B2 (en) * 2013-12-27 2017-09-21 Jx Nippon Oil & Energy Corporation Light-emitting element
CN107768526B (zh) * 2016-08-22 2021-06-01 纳晶科技股份有限公司 量子点电致发光器件
EP3699970A4 (en) 2017-10-20 2021-07-14 Pioneer Corporation ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND ELECTROLUMINESCENT MODULE
WO2019222405A1 (en) * 2018-05-18 2019-11-21 Corning Incorporated Light extraction apparatus and flexible oled displays
CN108878491B (zh) * 2018-06-29 2021-04-20 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其有机发光显示装置
US10964905B2 (en) 2019-04-08 2021-03-30 Interdigital Ce Patent Holdings Organic light emitting diode cell comprising a set of right circular hollow cylinders

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6844672B2 (en) * 2001-07-11 2005-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
TW200505281A (en) * 2003-03-25 2005-02-01 Univ Kyoto Light-emitting element and organic electro-luminescence light-emitting element

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996027757A1 (en) * 1995-03-03 1996-09-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light directing film having variable height structured surface and light directing article constructed therefrom
US6309580B1 (en) * 1995-11-15 2001-10-30 Regents Of The University Of Minnesota Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography
EP1376228B1 (en) 1997-08-08 2010-10-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Process for producing a lens
US6617784B1 (en) * 1998-06-08 2003-09-09 3M Innovative Properties Company Electroluminescent device and method for producing the same
JP2001051272A (ja) * 1999-08-11 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フロントライト及び電子機器
TW480722B (en) * 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
US7432634B2 (en) 2000-10-27 2008-10-07 Board Of Regents, University Of Texas System Remote center compliant flexure device
US6882102B2 (en) * 2000-02-29 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US6777871B2 (en) * 2000-03-31 2004-08-17 General Electric Company Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction
TW516164B (en) * 2000-04-21 2003-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and electrical appliance using the same
JP2002050471A (ja) 2000-08-01 2002-02-15 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2002151274A (ja) * 2000-11-13 2002-05-24 Sharp Corp 発光装置
US6783719B2 (en) * 2001-01-19 2004-08-31 Korry Electronics, Co. Mold with metal oxide surface compatible with ionic release agents
JP4378891B2 (ja) 2001-03-15 2009-12-09 パナソニック電工株式会社 アクティブマトリクス型発光素子及びその製法
JP2003154546A (ja) 2001-11-22 2003-05-27 Cleanup Corp 光触媒性被膜を有する樹脂成形体の製造方法
KR100581850B1 (ko) * 2002-02-27 2006-05-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치와 그 제조 방법
US7579771B2 (en) * 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2004014385A (ja) 2002-06-10 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN100341712C (zh) 2002-06-20 2007-10-10 奥博杜卡特股份公司 模型工具制造方法及模型工具
JP4216008B2 (ja) * 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ｄｖｄプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
SG130013A1 (en) * 2002-07-25 2007-03-20 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating light emitting device
JP2004152663A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Seiko Epson Corp 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器並びに表示パネルの製造方法
JP4350996B2 (ja) * 2002-11-26 2009-10-28 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置
KR100521272B1 (ko) * 2002-12-20 2005-10-12 삼성에스디아이 주식회사 휘도가 개선된 유기전계 발광표시장치
KR100563046B1 (ko) * 2003-03-06 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR100999974B1 (ko) 2003-03-12 2010-12-13 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 일렉트로루미네센스 소자
JP4186847B2 (ja) 2003-03-18 2008-11-26 三菱化学株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
JP4317375B2 (ja) 2003-03-20 2009-08-19 株式会社日立製作所 ナノプリント装置、及び微細構造転写方法
JP4822243B2 (ja) 2003-03-25 2011-11-24 国立大学法人京都大学 発光素子及び有機エレクトロルミネセンス発光素子
WO2004086471A1 (en) * 2003-03-27 2004-10-07 Korea Institute Of Machinery & Materials Uv nanoimprint lithography process using elementwise embossed stamp and selectively additive pressurization
JP4526776B2 (ja) * 2003-04-02 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
US20040202865A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Andrew Homola Release coating for stamper
US7102175B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
US20040217702A1 (en) * 2003-05-02 2004-11-04 Garner Sean M. Light extraction designs for organic light emitting diodes
JP2005050708A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Samsung Sdi Co Ltd 光学素子用基板及び有機エレクトロルミネッセンス素子並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US7150844B2 (en) * 2003-10-16 2006-12-19 Seagate Technology Llc Dry passivation process for stamper/imprinter family making for patterned recording media
KR100563059B1 (ko) 2003-11-28 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조에 사용되는레이저 열전사용 도너 필름
EP1548856A3 (en) * 2003-12-26 2012-08-08 Nitto Denko Corporation Electroluminescence device, planar light source and display using the same
JP5005164B2 (ja) * 2004-03-03 2012-08-22 株式会社ジャパンディスプレイイースト 発光素子，発光型表示装置及び照明装置
TWI256269B (en) * 2004-03-05 2006-06-01 Toshiba Matsushita Display Tec Method of manufacturing display device
US7419912B2 (en) * 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
JP2005313484A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Tamura Plastic Mfg Co Ltd 合成樹脂成型品及び合成樹脂成型品の製造方法
JP2005327788A (ja) 2004-05-12 2005-11-24 Hitachi Cable Ltd 微細パターン形成用モールド及びその製造方法
JP2006032088A (ja) 2004-07-15 2006-02-02 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び、それを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置
US7579775B2 (en) * 2004-12-11 2009-08-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescence display device with improved external light coupling efficiency and method of manufacturing the same
JP2006332019A (ja) 2005-04-28 2006-12-07 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
US7767129B2 (en) * 2005-05-11 2010-08-03 Micron Technology, Inc. Imprint templates for imprint lithography, and methods of patterning a plurality of substrates
US20070267764A1 (en) 2005-10-25 2007-11-22 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Mold for photocuring nano-imprint and its fabrication process
US7594839B2 (en) * 2006-02-24 2009-09-29 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
EP1830421A3 (en) * 2006-03-03 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and sheet-like sealing material

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6844672B2 (en) * 2001-07-11 2005-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
TW200505281A (en) * 2003-03-25 2005-02-01 Univ Kyoto Light-emitting element and organic electro-luminescence light-emitting element

Also Published As

Publication number Publication date
US20070205418A1 (en) 2007-09-06
US20130273675A1 (en) 2013-10-17
TW200740275A (en) 2007-10-16
EP1830422A2 (en) 2007-09-05
CN102354731A (zh) 2012-02-15
CN102354731B (zh) 2016-08-17
EP1830422A3 (en) 2012-03-07
CN101030621A (zh) 2007-09-05
CN101030621B (zh) 2011-12-28
KR20070090757A (ko) 2007-09-06
US8927307B2 (en) 2015-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI472263B (zh) 發光裝置及電子裝置
US7554263B2 (en) Light emitting device having transparent film varying refractive index and manufacturing method thereof
CN100566491C (zh) 显示装置
JP4713010B2 (ja) 発光装置及びその作製方法
JP4927217B2 (ja) 発光装置
TW550832B (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
TW566054B (en) Light emitting device
KR100941129B1 (ko) 발광장치 및 그의 제조방법
CN101106181B (zh) 有机发光器件
US7572037B2 (en) Light emitting device, display device and a method of manufacturing display device
US9685489B2 (en) OLED pixel structure and OLED display device
TWI704671B (zh) 顯示裝置以及其驅動方法
TWI401992B (zh) 影像顯示裝置、影像顯示系統及其製造方法
JP2004214010A (ja) 発光装置
JP2002202737A (ja) 発光素子の製造方法、発光素子
JP2007242927A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
KR20060027330A (ko) 광학 디바이스 및 유기 ｅｌ 디스플레이
JP2018014320A (ja) 表示装置
WO2014020850A1 (en) Light emitting device, display unit including the same, and electronic apparatus
JP2007265988A (ja) 発光装置および電子機器
JP4522760B2 (ja) 発光装置及び発光装置の作製方法
TW202234695A (zh) 顯示裝置
CN114156325A (zh) 一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法
JP2002352962A (ja) 有機発光素子およびその製造方法、有機発光表示装置および照明装置
TWI290381B (en) Organic electroluminescent double sided display device

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees