CN107768526B - 量子点电致发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种量子点电致发光器件。该器件包括基板；像素限制结构，设置在基板上，相邻的像素限制结构之间具有子像素区域；量子点电致发光层结构，设置在子像素区域中，包括第一量子点电致发光层结构和第二量子点电致发光层结构；量子点光致发光层，设置在第一量子点电致发光层结构的远离基板的表面上，量子点电致发光器件还包括：耦合匹配层，设置在第二量子点电致发光层结构的远离基板的表面上、量子点光致发光层的远离基板的表面上以及像素限制结构的远离基板的表面上，耦合匹配层的折射率大于量子点电致发光层结构和量子点光致发光层中含有量子点的层结构的折射率。耦合匹配层破坏基板与空气界面的全反射，解决了色坐标漂移问题。

Description

量子点电致发光器件
技术领域
本发明涉及发光器件领域，具体而言，涉及一种量子点电致发光器件。
背景技术
现今主流的显示技术是LCD显示技术，其属于被动式发光，需要用背光源，存在着功耗居高不下，结构工艺复杂，成本高等诸多局限，而新兴起的有机发光器件(OLED)显示技术是主动式发光，由于使用有机发光材料，其寿命比LCD短很多，色域仅比LCD略高，而且OLED主流制备技术采用真空镀膜制程，成本比LCD大大增加。
顶发射的电致发光器件，光是从顶电极一侧出光，将像素驱动电路TFT制作在电致发光器件下方的基板上，这解决了器件像素驱动电路(薄膜晶体管TFT)和显示发光面积相互竞争的问题，大大提高器件的开口率，有利于制作高亮度、高分辨率的平板显示器件。为了使光的光取出效率达到最大，顶发射的电致发光器件一般采用反射率较高的金属作为底部反射电极，比如银电极，而顶部则为便于光取出的透明或半透明电极，比如ITO电极或厚度≤25nm的银电极。然而利用透明或半透明金属顶电极制备的顶发射电致器件时，由于顶部电极较高的反射率，会在器件中引入微腔效应，微腔效应是指在发光器件两电极之间中形成建设性干涉及破坏性干涉，而增强某特定波长的光，然而带来的缺点是不同角度的光强有所差异导致器件的视角变小，同时使颜色色坐标随视角的变化而变化。而有机发光器件(OLED)的有机发光材料半峰宽大，所以要利用微腔效应，微腔效应使得光的半峰宽变窄。
量子点显示技术具备全色域显示优势，色域值可以高达110％NTSC色域左右，超过传统的显示技术色域的覆盖率，展现出极致画质，从而更加自然原色的展现画面。其次，通过调节量子点晶粒尺寸，就可以方便、精确地调节其产生的光波波长，产生不同颜色的发光，从而可以更精准地控制色彩，达到精确的色彩还原显示效果，因此可以有效提升色彩的鲜艳度和真实感，提升画面层次，实现精准色彩表达。另外，量子点在红绿黄蓝四色上有着令人惊艳的表现能力，带来纯净的色彩显示。进一步地，量子点是无机材料，以其为材料设计的电视更加节能稳定，寿命长，成本低，将在同性能产品更加占据优势。但是，QLED存在上述微腔效应，量子点材料本身半峰宽较窄，所以量子点显示器件不需要利用微腔效应，但需要改善颜色色坐标随着视角的变化产生的漂移问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种量子点电致发光器件，以解决现有技术中量子点电致发光器件的颜色色坐标随着视角的变化产生的漂移问题。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种量子点电致发光器件，包括：基板；像素限制结构，设置在基板上，相邻的像素限制结构之间具有子像素区域；量子点电致发光层结构，设置在子像素区域中，包括第一量子点电致发光层结构和第二量子点电致发光层结构；量子点光致发光层，设置在第一量子点电致发光层结构的远离基板的表面上，量子点电致发光器件还包括：耦合匹配层，设置在第二量子点电致发光层结构的远离基板的表面上、量子点光致发光层的远离基板的表面上以及像素限制结构的远离基板的表面上，耦合匹配层的折射率大于量子点电致发光层结构和量子点光致发光层中含有量子点的层结构的折射率。
进一步地，上述耦合匹配层与层结构的折射率差值为0.2～1.0。
进一步地，形成上述耦合匹配层的材料选自Ta2O5、TiO2、Al2O3、ZnSe和ZnS中的一种或多种。
进一步地，上述耦合匹配层的厚度15nm～80nm之间。
进一步地，上述量子点光致发光层的厚度为2～5μm之间。
进一步地，上述量子点电致发光层结构为蓝光量子点电致发光层结构，量子点光致发光层为黄色量子点光致发光层或掺杂红色量子点的黄色量子点光致发光层，优选量子点光致发光层为掺杂红色量子点的黄色量子点光致发光层时，量子点光致发光层中红色量子点占总量子点的质量百分比为1～10％。
进一步地，上述量子点电致发光器件还包括滤光膜，滤光膜设置在位于量子点光致发光层上的耦合匹配层的远离基板的表面上。
进一步地，上述量子点电致发光器件还包括盖板，盖板设置在滤光膜以及耦合匹配层裸露且远离基板的表面上；或盖板设置在耦合匹配层和滤光膜之间。
进一步地，上述子像素区域设定为BGRRGB子像素阵列结构，滤光膜包括红色滤光膜和绿色滤光膜，红色滤光膜对应BGRRGB子像素阵列结构中的R区子像素设置，绿色滤光膜对应BGRRGB子像素阵列结构中的G区子像素设置，第一量子点电致发光层结构对应BGRRGB子像素阵列结构中的R区子像素和G区子像素设置，第二量子点电致发光层结构对应BGRRGB子像素阵列结构中的B区子像素设置。
进一步地，上述B区子像素的面积和R区子像素的面积相等，且G区子像素的面积为B区子像素面积的2倍。
进一步地，上述基板具有用于驱动像素的驱动电路，像素限制结构覆盖驱动电路设置，优选B区子像素和R区子像素的驱动电路单独控制，或优选相邻的同色区域的子像素采用同一个驱动电路控制。
进一步地，上述蓝光量子点电致发光结构层的发射光谱的峰值主波长在440～470nm，优选450nm。。
进一步地，上述黄色量子点光致发光层的被激发射的光谱主峰位在波长550～560nm之间。
应用本发明的技术方案，OLED或QLED由于各层材料的折射率差异，当光从OLED或QLED器件内部发射到空气中时，在器件内部会有部分光发生全反射，利用耦合匹配层破坏QLED基板与空气界面的全反射，从而减少光在微腔中停留即可减少微腔效应，进而有效地缓解或避免了由于微腔效应带来的量子点电致发光器件视角变小以及色坐标随着视角的变化产生的漂移问题。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了根据本发明一种优选实施方式提供的量子点电致发光器件的结构示意图；
图2示出了根据本发明实施例1的红光随视角角度变化的光谱图；
图3示出了根据本发明实施例2的红光随视角角度变化的光谱图；
图4示出了根据本发明实施例3的绿光随视角角度变化的光谱图；
图5示出了根据本发明实施例4的绿光随视角角度变化的光谱图；
图6示出了根据本发明实施例5的绿光随视角角度变化的光谱图；
图7示出了根据本发明实施例6的红光随视角角度变化的光谱图；
图8示出了根据本发明对比例1的红光随视角角度变化的光谱图；
图9示出了根据本发明对比例1的绿光随视角角度变化的光谱图；
图10示出了根据本发明实施例1、7至10的量子点电致发光器件的光谱图；以及
图11示出了根据本发明实施例1、11至12的量子点电致发光器件的光谱图。
其中，上述附图包括以下附图标记：
10、基板；11、驱动电路；20、像素限制结构；30、量子点电致发光层结构；31、第一量子点电致发光层结构；32、第二量子点电致发光层结构；34、阳极层；35、除阳极层外的其他量子点电致发光层结构的部件；40、量子点光致发光层；50、耦合匹配层；60、盖板；70、滤光膜；71、红色滤光膜；72、绿色滤光膜。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
根据背景技术所记载的，现有技术的量子点发光器件由于存在微腔效应，因此存在微腔效应所带来的缺陷，为了减少或者避免微腔效应，在本申请一种典型的实施方式中，提供了一种量子点电致发光器件，如图1所示，该量子点电致发光器件包括基板10、像素限制结构20、量子点电致发光层结构30和量子点光致发光层40；像素限制结构20设置在基板10上，相邻的像素限制结构20之间具有子像素区域；量子点电致发光层结构30设置在子像素区域中，包括第一量子点电致发光层结构31和第二量子点电致发光层结构32；量子点光致发光层40设置在第一量子点电致发光层结构31的远离基板10的表面上，量子点电致发光器件还包括耦合匹配层50，耦合匹配层50设置在第二量子点电致发光层结构32的远离基板10的表面上、量子点光致发光层40的远离基板10的表面上以及像素限制结构20的远离基板10的表面上，耦合匹配层50的折射率大于量子点电致发光层结构30和量子点光致发光层40中含有量子点的层结构的折射率。
本领域技术人员公知量子点电致发光层结构30和量子点光致发光层40中均具有含有量子点的层结构，比如量子点电致发光层结构30的发光层中含有量子点，那么该层就是含有量子点的层结构；量子点光致发光层40肯定有一层含有量子点，如果该结构只有一层时，该层即为含有量子点的层结构。
全反射又称全内反射，指光由光密介质(即对光的折射率大的介质)射到光疏介质(即对光的折射率小的介质)的界面时，全部被反射回原介质内的现象。OLED或QLED由于各层材料的折射率差异，当光从OLED或QLED器件内部发射到空气中时，在器件内部会有部分光发生全反射，利用耦合匹配层50破坏QLED基板与空气界面的全反射，从而减少光在微腔中停留，即可减少微腔效应，进而有效地缓解或避免了由于微腔效应带来的量子点电致发光器件视角变小以及色坐标随着视角的变化产生的漂移问题。
现有技术中常规的量子点电致发光层结构，如图1所示，包括所述两个电极层，位于两个电极层之间的量子点电致发光材料层、各个电极层和量子点电致发光材料层之间还可以有至少一层功能层，其中功能层选自空穴传输层、电子传输层空穴注入层、和电子注入层中的一层或多层。除阳极层外的阴极层、发光层、功能层称作除阳极层外的其他量子点电致发光层结构的部件35，阳极层34为反射率较高的金属膜层或合金膜层，其中除阳极层外的其他量子点电致发光层结构的部件35设置在基板的对应阳极层34的位置上。阴极层为光透射的材料层，从而使得量子点电致发光层结构的光线从顶部发射。第一量子点电致发光层结构31和第二量子点电致发光层结构32是按照发光颜色来区分，两者都具备阳极层34和除阳极层外的其他量子点电致发光层结构的部件35。
为了更好地解决上述技术问题，优选上述耦合匹配层50与层结构的折射率差值为0.2～1.0。
本申请的耦合匹配层50在解决本申请技术问题的同时，为了与阴极层的光透率大小基本相等，并具有高的光折射率，优选形成耦合匹配层50的材料选自Ta2O5、TiO2、Al2O3、ZnSe和ZnS中的一种或多种，但不限于上述材料。
进一步地，为了避免耦合匹配层50的加入对原有结构产生过多物理影响，优选上述耦合匹配层50的厚度15nm～80nm之间。15nm膜层以下厚度不易控制形成且耦合匹配层50的质量不理想，耦合匹配层50厚度大于80nm以上时，如果和其他层结构匹配不理想会对出光率有影响。耦合匹配层50厚度在15nm～80nm之间时，可见光的透过率达到70～90％，同时吸光率小于20％。对应第一量子点电致发光层结构31和第二量子点电致发光层结构32的耦合匹配层50可以厚度相同或者不同。
在本申请一种优选的实施例中，上述量子点光致发光层40的厚度为2～5μm之间。根据色度学原理，由两种波长的光混合所生成的光的色坐标在这两种波长的光的色坐标连线上。在CIE色度图上有一个白光等能区，色坐标在这一区域内的光都属于白光，颜色互补的两种光组合在一起就可以实现白光发射，上述量子点电致发光结构层激发量子点光致发光层中的量子点，由两者共同组合发光，本申请发明人发现可以调节光致发光层40的厚度得到量子点光致发光层的发光强度和电致发光结构层的发光强度不同的光强比。当量子点光致发光层40的厚度为2～5μm之间时，量子点光致发光层的发光强度和电致发光结构层的发光辐射强度之比接近1，此时色彩更加均衡且能量利用率高。
在本申请一种优选的实施例中，上述量子点电致发光层结构30为蓝光量子点电致发光层结构，上述量子点光致发光层40为黄色量子点光致发光层或掺杂红色量子点的黄色量子点光致发光层，优选量子点光致发光层40为掺杂红色量子点的黄色量子点光致发光层时，量子点光致发光层40中红色量子点占总量子点的百分比1～10％。黄色量子点光致发光层里掺杂红色量子点是为了进一步调节不同波长的光的发光峰值之间的平衡，以得到更好色度，更好亮度及效率的发光，用以匹配后续在上方设置的红色及绿色滤光膜。
利用上述结构，通电后蓝光量子点电致发光层结构发蓝光，蓝光激发黄色量子点光致发光层中的黄色量子点，蓝光和黄光混合产生白光。此外，因为量子点材料发光光谱半宽比较窄，加入红色量子点可以使红光光谱区域也产生发射光谱，这样在后续透过绿色滤光膜和红色滤光膜后色彩效果更加均衡。
在本申请另一种优选的实施例中，如图1所示，上述量子点电致发光器件还包括滤光膜70，滤光膜70设置在位于量子点光致发光层40上的耦合匹配层50的远离基板10的表面上。利用滤光膜70对产生的白光进行过滤或转换，得到相应颜色的光，即滤光膜可以是传统的滤光膜也可以是量子点光转换膜。
为了避免量子点电致发光器件被环境所损坏，优选如图1所示，上述量子点电致发光器件还包括盖板60，盖板60设置在滤光膜70裸露且远离基板10的表面上，此时优选盖板60和滤光膜70紧密贴合，减少空气的空隙，从而降低全反射的发生；或盖板60设置在耦合匹配层50和滤光膜70之间，此时优选盖板60和耦合匹配层50紧密贴合，减少空气的空隙，从而降低全反射的发生；当本身的结构难以和盖板贴合时，可以在空隙处引入透光树脂层来弥补空隙，比如在图1的第二量子点电致发光层结构32和盖板60之间的空隙中设置透光树脂层，优选透光树脂的折射率大于等于1.2。盖板60为玻璃盖板或者树脂盖板。
上述滤光膜70的设置方式可以根据对光颜色需求进行选择，优选上述子像素区域设定为BGRRGB(蓝绿红红绿蓝)子像素阵列结构，滤光膜70包括红色滤光膜71和绿色滤光膜72，红色滤光膜71对应BGRRGB子像素阵列结构中的R区子像素设置(即图1中写有R的区域)，绿色滤光膜72对应BGRRGB子像素阵列结构中的G区子像素设置(即图1中写有G的区域)，第一量子点电致发光层结构31对应BGRRGB子像素阵列结构中的R区子像素和G区子像素设置，第二量子点电致发光层结构32对应BGRRGB子像素阵列结构中的B区子像素设置(即图1中写有B的虚线框对应区域)。上述设置方式可以灵活设置R区子像素、B区子像素和G区子像素的不同面积组合，可以使发光材料的选择性提高，能提高颜色的调节性，同时也可以调节成白光，因为红、绿、蓝在白色的成色方面贡献是不一样的，其根本原因是由于人类眼睛的视网膜对于不同波长的光感觉不同而造成的。
在一种优选的实施例中，上述B区子像素的面积和R区子像素的面积相等，且G区子像素的面积为B区子像素面积的2倍。G区子像素面积大，使得量子点电致发光器件发出的绿光增多，有利于保护观看者的视力。上述R区子像素或者B区子像素的面积是指对应子像素的有效发光面积。
同时R区子像素、G区子像素、B区子像素的面积之比可以1：2：1或1：2：2或2：2：1或2：2：2等不同组合，可以使材料的选择性提高，能提高颜色的调节性，同时也可以调节成白光，因为红、绿、蓝在白色的成色方面贡献是不一样的。其根本原因是由于人类眼睛的视网膜对于不同波长的光感觉不同而造成的。发明人经过实验检验得到以下大约比例，简单红绿蓝亮度比为3：6：1。进一步优选如图1所示，上述基板10具有用于驱动像素的驱动电路11，像素限制结构20覆盖驱动电路11设置，其中优选B区子像素和R区子像素的驱动电路11单独控制，或优选相邻的同色区域的子像素采用同一个驱动电路11控制。其中B区子像素和R区子像素的驱动电路11单独控制、实现灵活控制两者与G区的匹配，即通过驱动电路控制绿光、红光和蓝光的实际出光面积，实现显示设备色彩的调整。
在本申请一种优选的实施例中，上述蓝光量子点电致发光层结构的发射光谱的峰值主波长450nm。优选上述黄色量子点光致发光层的被激发射的光谱主峰位在波长550～560nm之间。黄色量子点光致发光层能充分吸收450nm的蓝光，并且在550～560nm形成自身的发光波长，加上掺杂的红色量子点被激发，从而形成白光，经过绿色滤光膜及红色滤光膜，而发出绿光和红光。以下将结合实施例和对比例进一步说明本申请的有益效果。
图1所示的量子点电致发光器件可以采用以下方法制作：
步骤一：在制作好阳极层34和驱动电路11的基板10上制作像素限制结构20；
步骤二：用喷墨打印法制作量子点电致发光层结构30，该量子点电致发光层结构30包括作为空穴注入层的聚乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT：PSS)，作为空穴传输层的聚乙烯咔唑(PVK)材料，蓝光量子点电致发光材料层，作为电子传输兼电子注入层的ZnO材料；最后溶液法制备银透明电极或蒸镀法制备银透明电极；
步骤三：银透明电极上方喷涂或喷墨打印设置含黄色量子点的量子点光致发光层40，在B区子像素的正上方去除部分量子点光致发光层40；
步骤四：用蒸镀或溅镀或原子层沉积做15nm～80nm的耦合匹配层50；
步骤五：用玻璃进行封装或沉积一层防水氧无机氧化物薄膜进行封装，形成盖板60；
步骤六：在盖板上进行喷涂或打印绿色、红色量子点滤光层或贴上普通绿色或红色滤光膜作为器件的滤光膜70。
上述各制作方法均可采用现有技术，因此不再赘述。
实施例1
实施例1的量子点电致发光器件的结构如图1所示，其中，量子点电致发光层结构中的蓝光量子点材料为CdSe/CdS核壳量子点，表面配体为油酸根。量子点电致发光层的折射率为1.55，量子点光致发光层中的黄色量子点为CdSe/CdS核壳量子点，表面配体为油酸根。量子点光致发光层的折射率为1.55，耦合匹配层为厚度为25nm的Ta2O5层，且与蓝光量子点电致发光材料层的折射率差为0.55，与黄色量子点光致发光层的折射率差为0.55，黄色量子点光致发光层中黄色量子点的含量为10％，黄色量子点光致发光层其他成分主要是丙烯酸酯树脂，黄色量子点光致发光层厚度为2μm，盖板为玻璃盖板，红色滤光膜为掺有红色粒子的光阻剂，绿色滤光膜为掺有绿色粒子的光阻剂。
实施例2
与实施例1的区别在于耦合匹配层为厚度为25nm的TiO2，且与蓝光量子点电致发光材料层的折射率差为0.45，与黄色量子点光致发光层的折射率差为0.45。
实施例3
与实施例1的区别在于耦合匹配层为厚度为25nm的Al2O3，且与蓝光量子点电致发光材料层的折射率差为0.21，与黄色量子点光致发光层的折射率差为0.21。
实施例4
与实施例1的区别在于耦合匹配层为厚度为25nm的ZnSe，且与蓝光量子点电致发光材料层的折射率差为1，与黄色量子点光致发光层的折射率差为1。
实施例5
与实施例1的区别在于耦合匹配层为厚度为25nm的ZnS，且与蓝光量子点电致发光材料层的折射率差为0.8，与黄色量子点光致发光层的折射率差为0.8。
实施例6
与实施例1的区别在于耦合匹配层为厚度为25nm的Li2O，且与蓝光量子点电致发光材料层的折射率差为0.1，与黄色量子点光致发光层的折射率差为0.1。
实施例7
与实施例1的区别在于量子点电致发光层40中黄色量子点和红色量子点占量子点光致发光层的10％，其中红色量子点为总量子点含量的1％。
实施例8
与实施例1的区别在于量子点电致发光层40中黄色量子点和红色量子点占量子点光致发光层的10％，其中红色量子点为总量子点含量的5％。
实施例9
与实施例1的区别在于量子点电致发光层40中黄色量子点和红色量子点占量子点光致发光层的10％，其中红色量子点为总量子点含量的10％。
实施例10
与实施例1的区别在于量子点电致发光层40中黄色量子点和红色量子点占量子点光致发光层的10％，其中红色量子点为总量子点含量的15％。
实施例11
与实施例1的区别在于,黄色量子点光致发光层中黄色量子点的含量为5％，黄色量子点光致发光层厚度为5μm。
实施例12
与实施例1的区别在于,黄色量子点光致发光层中黄色量子点的含量为8％，黄色量子点光致发光层厚度为3.5μm。
对比例1
与实施例1的区别在于不设置耦合匹配层。
对实施例1至6和对比例1的量子点电致发光器件在相同的电流密度20mA/cm2下点亮，用Pr670光谱仪在不同角度下进行检测，检测结果见附图2至9，其中横坐标为波长(nm)，纵坐标为光辐射强度(w/m2/nm/sr)。
由图2、3、7与图8的对比可以看出，本申请的设置了耦合匹配层的量子点电致发光器件随视角角度变化不存在红光漂移；由图4至6和图9的对比可以看出，本申请设置了耦合匹配层的量子点电致发光器件随视角角度变化不存在绿光漂移。由图7和图8的对比可以看出，虽然设置了耦合匹配层，但折射率与量子点发光层折射率差值为0.1，器件发光光谱还存在稍微漂移，但比图8的漂移明显减弱。
对实施例1、7至10的量子点电致发光器件在相同电流密度20mA/cm2下点亮，用Pr670光谱仪进行检测，检测结果见附图10，其中横坐标为波长(nm)，纵坐标为光辐射强度(w/m2/nm/sr)。可以看出，掺杂了红色量子点材料的黄光量子点层，在红色区域也发光。可以根据掺杂红色量子点的量，达到调节光谱的作用，以调节出光色度。
对实施例1、11至12的量子点电致发光器件在相同电流密度20mA/cm2下点亮，用Pr670光谱仪进行检测，检测结果见附图11，其中横坐标为波长(nm)，纵坐标为光辐射强度(w/m2/nm/sr)。可以看出，黄光量子点层中黄色量子点的含量及厚度变化，蓝光发光强度与黄光发光强度会相对变化，黄光量子点层厚度变大，蓝光发光强度会减弱；反之，则增强。
从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：
OLED或QLED由于各层材料的折射率差异，当光从OLED或QLED器件内部发射到空气中时，在器件内部会有部分光发生全反射，利用耦合匹配层破坏QLED基板与空气界面的全反射，从而减少光在微腔中停留即可减少微腔效应，进而有效地缓解或避免了由于微腔效应带来的量子点电致发光器件视角变小以及色坐标随着视角的变化产生的漂移问题。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种量子点电致发光器件，包括：
基板(10)；
像素限制结构(20)，设置在所述基板(10)上，相邻的所述像素限制结构(20)之间具有子像素区域；
量子点电致发光层结构(30)，设置在所述子像素区域中，包括第一量子点电致发光层结构(31)和第二量子点电致发光层结构(32)；
量子点光致发光层(40)，设置在所述第一量子点电致发光层结构(31)的远离所述基板(10)的表面上，其特征在于，所述量子点电致发光器件还包括：
耦合匹配层(50)，设置在所述第二量子点电致发光层结构(32)的远离所述基板(10)的表面上、所述量子点光致发光层(40)的远离所述基板(10)的表面上以及所述像素限制结构(20)的远离所述基板(10)的表面上，所述耦合匹配层(50)的折射率大于所述第一量子点电致发光层结构(31)、所述第二量子点电致发光层结构(32)和所述量子点光致发光层(40)中含有量子点的层结构的折射率，所述耦合匹配层(50)与所述层结构的折射率差值为0.2～1.0。
2.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，形成所述耦合匹配层(50)的材料选自Ta2O5、TiO2、Al2O3、ZnSe和ZnS中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述耦合匹配层(50)的厚度15nm～80nm之间。
4.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述量子点光致发光层(40)的厚度为2～5μm之间。
5.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述量子点电致发光层结构(30)为蓝光量子点电致发光层结构，所述量子点光致发光层(40)为黄色量子点光致发光层或掺杂红色量子点的黄色量子点光致发光层。
6.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述量子点光致发光层(40)为掺杂红色量子点的黄色量子点光致发光层时，所述量子点光致发光层(40)中所述红色量子点的占总量子点的质量百分比为1～10％。
7.根据权利要求5或6所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述量子点电致发光器件还包括滤光膜(70)，所述滤光膜(70)设置在位于所述量子点光致发光层(40)上的所述耦合匹配层(50)的远离所述基板(10)的表面上。
8.根据权利要求7所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述量子点电致发光器件还包括盖板(60)，
所述盖板(60)设置在所述滤光膜(70)裸露且远离所述基板(10)的表面上；或
所述盖板(60)设置在所述耦合匹配层(50)和所述滤光膜(70)之间。
9.根据权利要求7所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述子像素区域设定为BGRRGB子像素阵列结构，所述滤光膜(70)包括红色滤光膜(71)和绿色滤光膜(72)，所述红色滤光膜(71)对应所述BGRRGB子像素阵列结构中的R区子像素设置，所述绿色滤光膜(72)对应所述BGRRGB子像素阵列结构中的G区子像素设置，且所述第一量子点电致发光层结构(31)对应所述BGRRGB子像素阵列结构中的R区子像素和G区子像素设置，所述第二量子点电致发光层结构(32)对应所述BGRRGB子像素阵列结构中的B区子像素设置。
10.根据权利要求9所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述B区子像素的面积和所述R区子像素的面积相等，且所述G区子像素的面积为所述B区子像素面积的2倍。
11.根据权利要求9所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述基板(10)具有用于驱动像素的驱动电路(11)，所述像素限制结构(20)覆盖所述驱动电路(11)设置。
12.根据权利要求11所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述B区子像素和所述R区子像素的驱动电路(11)单独控制。
13.根据权利要求11所述的量子点电致发光器件，其特征在于，相邻的同色区域的子像素采用同一个驱动电路(11)控制。
14.根据权利要求5所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述蓝光量子点电致发光层结构的发射光谱的峰值主波长在440～470nm。
15.根据权利要求14所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述蓝光量子点电致发光层结构的发射光谱的峰值主波长为450nm。
16.根据权利要求5或6所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述黄色量子点光致发光层的被激发射的光谱主峰位在波长550～560nm之间。
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