CN101106181B - 有机发光器件 - Google Patents
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- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 146
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 397
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 28
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 21
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- -1 poly (phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 4
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000003351 Melanosis Diseases 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920001795 coordination polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014698 Brassica juncea var multisecta Nutrition 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 241000251184 Rajiformes Species 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
一种有机发光器件，包括：衬底，设置在所述衬底上的有机发光元件，设置在所述有机发光元件上的密封部件，设置在所述衬底、有机发光元件或密封部件的一个表面上的1/4波长层，以及设置在所述衬底、有机发光元件、密封部件或1/4波长层的一个表面上的线性偏振层，所述线性偏振层比1/4波长层更加接近于图像显示表面。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光器件。更具体地说，本发明涉及一种能够防止由于外界光线反射所引起的对比度下降的有机发光器件。
背景技术
有机发光器件(OLEDs)是一种自发光器件，它可以具有比液晶显示器更高的亮度，并且由于不需要使用背光单元所以它可以做得更薄。然而，OLEDs在较为明亮(例如，在阳光下)的环境中观看图像时会因为光线的反射而降低对比度。
一种提高OLEDs对比度的方法是采用圆偏振器。在常规OLEDs中所使用的圆偏振器是一种通过使用黏合剂将线性的偏振薄膜和λ/4延迟薄膜粘附在图像显示器的表面上所制成的薄膜。然而，很难制成相当薄的薄膜型圆偏振器，因为薄膜型圆偏振器可以包括多层薄膜和一层黏合层。此外，由于图像要透射过构成圆偏振器的所有薄膜，甚至要透射过黏合层，因此会降低光的透射效率以及会降低亮度。
发明内容
因此，本发明的一个实施例的特征是提供一种有机发光器件，它基本克服了由于现有相关技术的限制和不足所引起的一个或多个问题。
因此，本发明的一个实施例的特征是提供一种薄的有机发光器件。
因此，本发明的一个实施例的特征是提供一种具有较高对比度的有机发光器件。
因此，本发明的一个实施例的特征是提供一种不会降低亮度的有机发光器件。
本发明中至少一项上述和其它特征可通过提供一种有机发光器件来实现，该有机发光器件可以包括：衬底、可以设置在衬底上的有机发光元件、可以设置在有机发光元件上的密封部件、可以设置在衬底、有机发光元件、或者密封部件中的一个表面上的1/4波长层、和可以设置在衬底、有机发光元件、密封部件、或者1/4波长层的一个表面上的线性偏振层，线性偏振层比1/4波长层更接近于图像显示表面。
图像显示表面可以是衬底的一个表面。线性偏振层可以设置在该衬底上，1/4波长层可以设置在线性偏振层上，以及有机发光元件可以设置在1/4波长层上。1/4波长层可以设置在衬底的一个表面上，有机发光元件可以设置在1/4波长层上，以及线性偏振层可以设置在衬底与1/4波长层相对的一个表面上。1/4波长层可以设置在衬底与有机发光元件相对的表面上，以及线性偏振层可以设置在1/4波长层上。图像显示表面可以是密封部件的一个表面。1/4波长层可以设置在有机发光元件上，以及线性偏振层可以设置在1/4波长层上。
有机发光器件可以包括设置在线性偏振层上的保护层。有机发光器件可以包括设置在有机发光元件上的保护层，1/4波长层可以设置在保护层上，以及线性偏振层可以设置在1/4波长层上。有机发光器件可以包括设置在有机发光元件上的保护层，1/4波长层可以设置在有机发光元件上，保护层可以设置在1/4波长层上，以及线性偏振层可以设置在保护层上。保护层可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料中的至少一种。有机发光器件可以包括插入在衬底和有机发光元件之间的反射层，1/4波长层可以设置在反射层上，有机发光元件可以设置在1/4波长层上，以及线性偏振层可以设置在有机发光元件上。
密封部件可以是一种透明的衬底，1/4波长层可以设置在密封部件与有机发光元件相对的表面上，线性偏振层可以设置在1/4波长层上。密封部件可以是透明衬底，1/4波长层可以设置在密封部件面对着有机发光元件的表面上，线性偏振层可以设置在密封部件与1/4波长层相对的表面上。密封部件可以是透明衬底，线性偏振层可以设置在密封部件面对着有机发光元件的表面上，以及1/4波长层可以设置在线性偏振层上。有机发光元件可以是无源阵列有机发光单元。
本发明中至少一项上述和其它特征可通过提供一种有机发光器件来实现，该有机发光器件可以包括：衬底、可以设置在衬底上的薄膜晶体管、可以设置在衬底上的有机发光元件、有机发光元件与薄膜晶体管电连接，可以设置在有机发光元件上的密封部件、可以设置在衬底、薄膜晶体管、有机发光元件、或者密封部件的一个表面上的1/4波长层、和可以设置在衬底、薄膜晶体管、有机发光元件、密封部件、或者1/4波长层的一个表面上的线性偏振层、该线性偏振层比1/4波长层更接近于图像显示表面。
线性偏振层可以设置在衬底上，1/4波长层可以设置在线性偏振层上，以及薄膜晶体管和有机发光元件可以设置在1/4波长层上。线性偏振层可以设置在薄膜晶体管上，以及1/4波长层可以设置在线性偏振层上。有机发光器件可以进一步包括覆盖着薄膜晶体管的保护层，线性偏振层可以设置在保护层上，以及1/4波长层可以设置在线性偏振层上。
线性偏振层可以设置在衬底上，薄膜晶体管可以设置在线性偏振层上，以及1/4波长层可以设置在薄膜晶体管上。线性偏振层和1/4波长层中至少一个可以插入在构成薄膜晶体管的各层之间。线性偏振层可以设置在衬底与薄膜晶体管相对的表面上，1/4波长层可以设置在薄膜晶体管上。1/4波长层可以设置在衬底的一个表面上，薄膜晶体管可以设置在1/4波长层上，以及线性偏振层可以设置在衬底与1/4波长层相对的表面上。有机发光器件可以是前向发射的有源阵列有机发光器件。
附图简述
本发明的上述和其它特征和优点将通过参照附图的详细示例性实施例的描述而变得更加显而易见。附图包括：
图1示出了根据本发明一个实施例的背向发射型有机发光器件(OLEDs)的示意剖面图；
图2示出了根据本发明一个实施例，如图1所示背向发射型OLEDs的线性偏振层的透视图；
图3示出了根据本发明另一个实施例，如图1所示背向发射型OLEDs的线性偏振层的剖面图；
图4是图3所示线性偏振层中的线条网格的第一和第二部件的密度与线条网格厚度的关系图形；
图5和图6示出了根据本发明其它实施例的图1所示背向发射型OLEDs的线性偏振层的剖面图；
图7示出了根据本发明一个实施例的图1所示背向发射型OLEDs的1/4波长层的剖面图；
图8和图9示出了根据本发明其它实施例的背向发射型OLEDs的示意剖面图；
图10至图16示出了根据本发明一些实施例的前向发射型OLEDs的示意剖面图；
图17示出了根据本发明一个实施例的背向发射型无源阵列(PM)OLEDs的剖面图；
图18示出了根据本发明一个实施例的背向发射型有源阵列(AM)OLEDs的剖面图；
图19示出了根据本发明另一个实施例的背向发射型AM-OLEDs的剖面图；
图20示出了根据本发明一个实施例的前向发射型PM-OLEDs的剖面图；以及，
图21示出了根据本发明一个实施例的前向发射型AM-OLEDs的剖面图。
具体实施方式
题为“有机发光器件”的韩国专利申请No.10-2006-0066269已于2006年7月14日向韩国知识产权局提交，这里以全部引用方式包含在此。
以下将参照用于图示说明本发明示例性实施例的附图更加全面地描述本发明。然而，本发明可以各种不同的方式实施，并且不应该被认为是对以下所阐述的实施例的限制。此外，这些实施例的提供有益于披露更加全面和完整，并且有益于将本发明的保护范围完整地传递给本领域的技术人员。
在附图中，为说明的清楚起见，将各层和各个区域的尺寸都放大了。还应该理解的是，当一层或一个元件被称之为“在另一层或者衬底上”时，它可以是直接在另一层或衬底上，或者也可以存在着中间层。此外，还应该理解的是，当一层被称之为“在另一层之下”时，它可以是直接在另一层之下，也可以存在着一层或多层的中间层。另外，还应该理解的是，当一层被称之为“在两层之间”时，它可以是只有一层在这两层之间，也可以存在着一层或多层的中间层。在全文中，相同的标号表示相同的元件。
采用本发明的发光器件，可以获得下列优点。
第一，可以采用薄膜形成工艺来形成圆偏振层，从而可以避免外界光线的反射，产生更好的对比度。
第二，不需要使用黏合剂来粘结圆偏振层，因此可以减小显示器件的厚度和防止亮度的降低。
现在，将参照显示本发明示例性实施例的附图更加全面地描述本发明。
图1示出了根据本发明一个实施例的背向发射型有机发光器件(OLEDs)的示意剖面图。
参照图1，OLEDs可以包括由透明材料所制成的衬底1，依次层叠在衬底1上的线性偏振层22、1/4波长层21和有机发光元件3。尽管没有显示，但是可以用于密封有机发光元件3的密封部件，例如，玻璃、薄膜部件、金属管帽等也可以设置在有机发光元件3上。
衬底1可以是透明的玻璃衬底，主要是由诸如SiO2、硼硅酸盐玻璃等所制成。尽管没有显示，但是可以在衬底1上设置缓冲层，以便于增加衬底的平整性和防止杂质的渗入。缓冲层可以由诸如SiO2和/或SiNx等所制成。衬底1不限于以上所说明的实例。衬底1也可以由诸如透明塑料材料等所制成。
线性偏振层22可以设置在衬底1上，1/4波长层21可以设置在线性偏振层22上。有机发光元件3可以设置在1/4波长层21上。线性偏振层22和1/4波长层21可以层叠在一起，使得线性偏振层22更接近于外界光线的入射面，并且1/4波长层21可以设置在线性偏振层22的表面上，该表面与外界光线的入射面相对。任何光透射层都可以插入在线性偏振层22和1/4波长层21之间。
有机发光元件3可以包括第一电极层31和第二电极层33，这两个电极层是相互面对面的，并且发射层32可以插入在这两者之间。
第一电极层31可以由透明且导电的材料所制成，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、In2O3、ZnO等等。第一电极层31可以使用光刻技术进行图形化。在无源(PM)OLEDs中，第一电极层31的图形可以是相互以预定间隔空间分开的条状线条。在有源(AM)OLEDs中，第一电极层31的图形可以对应于像素。此外，在AM-OLEDs中，包括至少一个TFT的薄膜晶体管(TFT)可以设置在第一电极层31之下的衬底1上，并且第一电极层31可以电连接着TFT层。以下对PM-OLEDs和AM-OLEDs作更详细的描述。
以透明电极方式所构成的第一电极层31可以在连接至外部端子(未显示)时用作为阳极。第二电极层33可以设置在第一电极层31上。第二电极层33可以是反射电极并且可以由诸如铝、银、钙等材料中的至少一种材料所制成。第二电极层33可以在连接至第二电极端子(未显示)时用作为阴极。
在PM-OLEDs中，第二电极层33可以是与第一电极层31的图形相互垂直的条状线条。在AM-OLEDs中，第二电极层33可以与各个像素相对应。在AM-OLEDs中，第二电极层33可以覆盖着将要显示图像的有源区域的整个表面。以下将提供详细的描述。
第一电极层31的极性与第二电极层33的极性相反。
发射层32插入在第一电极层31和第二电极层33之间并且可以响应第一电极层31和第二电极层33的电驱动来发光。发射层32可以由诸如低分子量的有机材料、聚合有机材料等制成。
当发射层32采用低分子量有机材料制成时，则在面对着第一电极层31的有机发射层的一个表面上层叠空穴传输层和空穴注入层，以及在面对着第二电极层33的有机发射层的一个表面上层叠电子传输层和电子注入层。除了空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层之外，可以根据需要形成各种不同的其它层。
这里所使用的低分子量有机材料包括但并不限制于例如，铜酞菁染料(copper phthalocyanine(CuPc))、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺(N，N′-di(naphthalene-1-yl)-N，N′-diphenyl-benzidine(NPB))、三-8-羟基喹啉铝(tris-8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3))等等。
当发射层32是由聚合有机材料所制成时，只可以将空穴传输层(HTL)设置在有机发射层面对着第一电极层31的一个表面上。聚合空穴传输层可以使用聚-(2，4)-亚乙基-二羟基噻吩(poly-(2，4)-ethylene-dihydroxy thiophene(PEDOT))、聚苯胺(polyaniline(PANI))等材料采用喷墨打印或旋涂的方法沉积在第一电极层31上。聚合有机发射层可以由诸如聚苯乙烯(poly(phenylene vinylene)(PPV))、可溶性PPV、氰基-PPV和聚烷基芴(polyfluorene)等等所制成。有机发射层可以采用诸如喷墨打印、旋涂、激光热转移等常规方法以彩色图形的方式所制成。
在一般的背向反射型结构中，由有机发光元件的发射层所发出的光可以直接射向衬底1，并且用户可以观察到投影在衬底下侧上的图像，正如图1所示。在这种背向发射型的结构中，外界的光线(例如日光)可以通过衬底入射到结构中，从而降低对比度。
然而，根据本发明，线性偏振层22和1/4波长层21可以构成圆偏振器，从而使得外界光线的反射最小化。
在入射在衬底1下侧上的外界光线中，对应于线性偏振层22吸收轴的光分量可以在线性偏振层22中被吸收，而对应于线性偏振层22传输轴的光分量可以透过线性偏振层22。对应于线性偏振层的传输轴的光分量可以在透过1/4波长层21的同时转换成以一个方向旋转的圆偏振光分量，并且随后从有机发光元件3的第二电极层33反射回来。当光分量从第二电极层33反射回来时，以一个方向旋转的圆偏振的光分量就可以转换成以相反方向旋转的圆偏振的光分量。当圆偏振的光分量再次透过1/4波长层21时，以其它方向旋转的圆偏振光分量就可以转换成与线性偏振层22的传输轴垂直的线性偏振光分量。于是，线性偏振的光分量就可以沿着线性偏振层22的吸收轴被吸收到线性偏振层22中，使得它们不会从衬底1的下侧发射出来。因此，就可以使得外界光线的反射最小化，从而获得更好的对比度。
此外，由于线性偏振层22和1/4波长层21可以直接设置在衬底1上而不再需要插入黏合剂，因此相对于一般的OLEDs而言，就可以减小OLEDs的厚度。另外，由于它们没有黏合层，就不会像在一般的OLEDs中那样，因为光分量透过黏合层而引起的图像缺失或传输损失，从而可产生更好的亮度。
线性偏振层22和1/4波长层21可以采用各种薄膜形成方法来制成，例如，浸渍镀膜、喷雾、铸造、刀刻镀膜、线条镀膜、凹版印刷，等等。
图2示出了根据本发明一个实施例的线性偏振层22。
参照图2，多条线条网格221可以预定的间距相互分开设置在衬底1上。线条网格221可以具有一定的宽度(例如，大约几十纳米)和一定的间距(例如，大约几十至几百纳米)。
线条网格221可以在相对于外界光线入射的方向上具有低的反射率。尽管通过由线性偏振层22和1/4波长层(参见图1中的21)所构成的圆偏振可以降低外界光线的反射，但是圆偏振不能够防止外界光线入射的第一平面上，即，在与衬底1相接触的线条网格221的表面上(参见图2)所产生的光反射。
就此而言，为了降低相对于外界光线入射方向的线条网格221的反射率，线条网格221可以通过诸如石墨和金属等的共同沉积来形成。石墨可以是，例如，一般的石墨等，也可以使用在沉积上添加氮或氢所获得的CN或CH石墨。金属可以是，例如，Al、Ag、W、Au，等等。
为了使线条网格221具有线性偏振层22的功能，线条网格221可以是纳米图形并且具有高的电导性或者高的K值，其中K是光吸收因子。由单纯石墨所制成的线条网格的K值仅仅只是由单金属(例如，Al等)所制成的线条网格的K值的1/10。于是，线条网格221可以采用诸如石墨和金属的组合以便于最优化K值的等等方法来制成。石墨的反射率大约是铝的反射率的10-20％。
石墨与金属的组合可以通过以上所讨论的石墨与金属的共同沉积的方法或者通过在石墨薄膜上掺入金属的方法来实现。这时，它可以将金属的最终含量较佳地调节到例如大约5wt％或者更低些，以便于防止由于金属而增加反射率。
以上所讨论的含有金属的石墨薄膜可以是使用诸如干法蚀刻工艺的纳米图形，该工艺包括可以使用诸如SiO2或SiNx硬掩膜来进行的光刻(PR)工艺。
图3示出了根据本发明另一实施例的低反射线性偏振层22。
参照图3，线条网格222可以包括第一成分222a和第二成分222b，其中，第一成分222a可以例如是透明材料，而第二成分222b例如可以是金属。第一成分222a和第二成分222b在线条网格222的厚度方向上都可以具有浓度梯度。这里，在线条网格222中的第一成分222a的含量可以随着接近于衬底1而增加，并且在线条网格222中的第二成分222b的含量可以随着远离于衬底1而增加。
也就是说，如图4所示，为了在衬底1上形成线条网格222，可以沉积第一成分222a和第二成分222b，并使得第一成分222a的浓度梯度可以与第二成分222b的浓度梯度相反。相对于第二成分222b的第一成分222a的比例可以随着线条网格222的厚度的减小而增加，相对于第一成分222a的第二成分222b的比例可以随着线条网格222的厚度的增加而增加。于是，在位置接近于衬底1的线条网格222的区域中第一成分222a的含量可以起主导作用，而在位置远离衬底1的线条网格222的区域中第二成分222b的含量可以起主导作用。
第一成分222a可以是选自透明绝缘材料，例如，SiOx(x≥1)、SiNx(x≥1)、MgF2、CaF2、Al2O3、SnO2等，和透明导电材料，例如，ITO、IZO、ZnO、In2O3等中的至少一种透明材料。
第二成分222b可以是选自诸如Fe、Co、V、Ti、Al、Ag、Si、Cr、Mo、Ge、Y、Zn、Zr、W、Ta、Cu、Pt等中的至少一种材料。
随着具有浓度梯度的金属和透明材料混合物所制成的线条网格222的厚度增加，不透明金属与透明材料的比率可以增加，从而产生可以防止界面反射的折射系数差异。于是，可以实现把入射到线条网格222的光线吸收。
图5示出了根据本发明另一实施例的低反射的线性偏振层22。
参照图5，低反射层223a可以沉积在接近于外界光线的入射一侧，即，在衬底1的附近，而金属层223b可以在低反射层223a上。这样做，可以减小或者防止在线条网格223表面上的入射光线的反射，即，在邻近衬底1的线条网格223的表面上。低反射层223a可以由诸如CdSe、CdTe、Ru等制成。
图6示出了根据本发明另一实施例的低反射的线性偏振层22。
参照图6，具有悬浮结构的线条网格224可以设置在衬底1上。线条网格224可以由诸如Al、Au、Ag、W等金属所制成。线条网格224可以通过形成具有开孔的光刻(PR)图形、在开孔中沉积金属以及剥离PR图形的方法来制成。
线条网格224可以使用诸如化学方法等进行表面黑化处理。当线条网格224是由诸如铝所制成时，则可以采用酸来去除表面氧化层并随后使用诸如在大约1L水中加入大约5ml的硝酸、大约25g的硝酸铜和大约10g的高锰酸钾的溶剂来进行表面黑化处理。线条网格224可以减小或防止外界光线的反射。
再次参照图1，可以将1/4波长层21设置在用于防止外界光线反射的线性偏振层22上，并1/4波长层21的实施例如图7所示。
参照图7，1/4波长层21可以通过使用诸如无机材料的倾斜沉积来制成。在这种情况下，微圆柱211可以倾斜于线性偏振层22表面的方向延伸。微圆柱211可以沿着晶体生长的方向对准。当沉积无机材料时，无机材料可以圆柱形状生长。于是，当使用倾斜沉积的方法时，这些圆柱就可以相对于图7所示水平方向的预定角度倾斜。其结果是，1/4波长层21可以是双折射的。
一种无机材料可以用于形成1/4波长层21，例如，TiO2，TaOx等。当1/4波长层21由诸如CaO、BaO等所制成时，1/4波长层21除了具有双折射性能之外还可以具有潮气吸收的性能。
线性偏振层22和1/4波长层21也可以使用各种不同的其它方法来制成。以上所讨论的线性偏振层22和1/4波长层21可以应用于本发明的所有其它实施例，正如以上所讨论的那样。上述参照图2至图7所讨论的各个不同的实施例都是基于图1所示的背向发射型OLEDs，但是在考虑外界光线的入射作改进之后，也可以应用于前向发射型OLEDs。
图8示出了根据本发明另一实施例的背向发射型OLEDs的剖面图。参照图8，线性偏振层22可以设置在衬底1面对着外面的表面上，而1/4波长层21可以设置在衬底1的另一表面上。有机发光元件3可以设置在1/4波长层21上。这些结构元件与以上所讨论的那些元件相类似。根据本发明的这一实施例，入射在衬底1上的外界光线可以在穿过线性偏振层22的同时转换成平行于线性偏振层22传输轴的线性偏振光。线性偏振光可随后穿透过衬底1并且可以在穿过1/4波长层21的同时转换成以一个方向旋转的圆偏振光。以一个方向旋转的圆偏振光可以由第二电极层33反射并随后转换成以另一方向旋转的圆偏振光。当光再次透过1/4波长层21时，以另一方向旋转的圆偏振光可以转换成与线性偏振层22的传输轴垂直的线性偏振光。于是，线性偏振光就不能透过线性偏振层22，并且所反射的外界光线就不会出现在衬底1的下侧外面。
图9示出了根据本发明另一实施例的背向发射型OLEDs的剖面图。参照图9，1/4波长层21和线性偏振层22可以依次设置在衬底面向外面的表面上，并且有机发光元件3可以设置在衬底1的另一表面上。这些结构元件类似于以上所讨论的元件。根据本发明该实施例。可以防止外界光线的反射，从而改善对比度。
根据本发明以上所讨论的实施例，有可能降低一般OLEDs结构由于使用黏合剂来粘结分隔开的偏振薄膜所引起的厚度增加的缺陷。
本发明上述实施例已经就背向发射型OLEDs以衬底方向显示图像进行了讨论，但是本发明并不限制于此。本发明也可以应用于前向发射型OLEDs，它可以显示在衬底的相对方向来自发射层的图像。
图10示出了根据本发明一个实施例的前向发射型OLED的剖面图。参照图10，反射层34可以设置在衬底1上，并且有机发光元件3可以设置在反射层34上。用于密封有机发光元件3的密封部件(未显示)可以设置在有机发光元件3上。
衬底1可以是以上所讨论的透明玻璃衬底，但是衬底1可以不一定透明。除了采用玻璃之外，衬底1也可以采用诸如塑料材料、金属材料等制成。当衬底1由金属所制成时，可以在金属的表面上设置绝缘薄膜。
在衬底1表面的反射层34可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其组合物等所制成。第一电极层31可以设置在反射层34上，并且第一电极层34可以采用具有高的功函数的材料，例如，ITO、IZO、ZnO、In2O3等。在这种情况下，第一电极层31用作为阳极。如果第一电极层31用作为阴极的话，则第一电极层31可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其组合物等所制成。下文中，本发明就第一电极层31用作为阳极进行讨论。
第二电极层33可以作为传输电极来形成。于是，第二电极层33可以由具有低的功函数的金属或者合金，例如，Li、Ca、LiF/Ca，LiF/Al、Al、Mg、Ag等形成的半透明的薄膜所制成。当由诸如ITO、IZO、ZnO和In2O3制成的透明和导电的结构是这类金属半透明的薄膜时，可以克服由于半透明薄膜的厚度所引起的高阻抗问题。
发射层32可以插入在第一电极层31和第二电极层33之间，并且可以采用上述方式予以描述。
在本发明的实施例中，1/4波长层21和线性偏振层22可以依次设置在第二电极层33上。
入射在图像显示表面上的外界光线，即，来自上侧的外界光线(如图10中所观察到的)，可以依次透过线性偏振层22和1/4波长层21。在从有机发光元件3或者反射层34的各层反射之后，入射的光线就不能透过1/4波长层21。该原理正如以上所讨论的那样，并因此省略其详细的描述。
如图11所示，当1/4波长层21和线性偏振层22设置在第二电极层33上，保护层4可以设置在第二电极层33上，并1/4波长层21和线性偏振层22可以设置在保护层4上。保护层4可以用于在1/4波长层21形成期间防止损坏第二电极层33，并且保护层4可以由诸如透明的无机材料、透明的有机材料等制成。
无机材料的实例可以包括：例如，金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物，及其这些材料的组合等等。金属氧化物可以是，例如，硅的氧化物、铝的氧化物、钛的氧化物、铟的氧化物、锡的氧化物、铟锡的氧化物，及其这些材料的组合等等。金属氮化物可以是，例如，铝的氮化物、硅的氮化物，及其这些材料的组合等等。金属碳化物可以是，例如，硅的碳化物等等，而金属氮氧化物可以是，例如，硅的氮氧化物等等。无机材料也可以是，例如，硅、硅的陶瓷衍生物、金属的陶瓷衍生物等等。此外，无机材料可以是，例如，类金刚石碳(DLC)等等。
有机材料的实例包括，例如，有机聚合物、无机聚合物、有机金属聚合物、混合有机/无机聚合物等等。也可以使用有机树脂，例如，丙烯酸树脂、甲基丙酸烯树脂等等。
尽管没有示出，但是保护层4也可以设置在1/4波长层21和线性偏振层22之间，或者，也可以设置在线性偏振层22上。
图12示出了根据本发明另一实施例的前向发射型OLEDs。图12所示的前向发射型OLEDs类似于图11，除了薄膜型密封部件5可以设置在线性偏振层22上之外。
薄膜型密封部件5可以用于保护有机发光元件3免于遭受外界的潮气、氧化的侵袭等等，并且可以包括至少一层无机材料层51和至少一层有机材料层52。无机材料层51和有机材料层52可以交替层叠。其它结构性元件可以类似于以上所讨论的，并因此而省略其详细的描述。
无机材料层51可以由诸如金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物，及其这些材料的组合等等所制成。金属氧化物可以是，例如，硅的氧化物、铝的氧化物、钛的氧化物、铟的氧化物、锡的氧化物、ITO、IZO，及其这些材料的组合等等。金属氮化物可以是，例如，铝的氮化物、硅的氮化物，及其这些材料的组合等等。金属碳化物可以是，例如，硅的碳化物，等等，而金属氮氧化物可以是，例如，硅的氮氧化物，等等。无机材料也可以是，例如，硅、硅的陶瓷衍生物、金属的陶瓷衍生物，等等。此外，无机材料可以是，例如，DLC，等等。
无机材料层51可以采用诸如沉积工艺，等等所制成。在这种情况下，存在着在无机材料层51中不利的多孔生长。为了防止在相同位置中的孔的连续生长，可以沉积有机材料层52。有机材料层52并不限于纯的有机材料，只要存在着聚合物就可以，并且有机材料层52可以由诸如有机聚合物、无机聚合物、有机金属聚合物、混合有机/无机聚合物，等等所制成。较佳的是，可以使用有机树脂，例如，丙烯酸树脂、甲基丙酸烯树脂，等等。
图12示出了无机材料层51、有机材料层52以及附加的无机材料层53可以依次层叠在线性偏振层22上，但是本发明并不限制于该结构。另外，无机材料层可以夹在两层有机材料层之间，以便于形成薄膜型密封部件5。多层有机材料层和多层无机材料层也可以层叠在一起。薄膜型密封部件5并不限制于图12所说明的实施例，并且也可以应用于本发明的其它实施例。
图13示出了根据本发明另一实施例的前向发射型OLEDs。参照图13，1/4波长层21和线性偏振层22可以设置在反射层34和有机发光元件3之间。正如以上所讨论的那样，以箭头方向入射在前向发射型OLEDs上的外界光线可以在它透过线性偏振层22的同时转换成平行于线性偏振层22传输轴的线性偏振光。线性偏振光可以在它透过1/4波长层21的同时转换成以一个方向旋转的圆偏振光。以一个方向旋转的圆偏振光可以由反射层34反射，并随后转换成以另一方向旋转的圆偏振光。在光线再次透过1/4波长层21时，以另一方向旋转的圆偏振光可以转换成与线性偏振层22的传输轴垂直的线性偏振光。该线性偏振光不能透过线性偏振层22，并因此图像显示表面的外侧就不会出现反射的外界光线。
尽管没有显示，但是1/4波长层21、有机发光元件3和线性偏振层22也都可以依次层叠在反射层34上。
图14示出了根据本发明另一实施例可以使用透明衬底5’作为密封部件的前向发射型OLEDs。
在本发明的该实施例中，透明衬底材料可以是，例如，玻璃、塑料，等等。
参照图14，1/4波长层21和线性偏振层22可以依次设置在透明衬底5’的上表面上，即，在透明衬底5’面向外侧的表面上。
图15示出了根据本发明另一实施例的前向发射型OLEDs。在图15中，1/4波长层21可以设置在透明衬底5’面向有机发光元件3的表面上。线性偏振层22可以设置在透明衬底5’的另一表面上。图16示出了线性偏振层22和1/4波长层21可以依次设置在透明衬底5’面向有机发光元件3的表面上。
根据本发明上述实施例的前向发射型OLEDs，线性偏振层可以沉积成面对着外界光线，并且1/4波长层可以设置在线性偏振层与外界光线相对的一侧。于是，根据以上所讨论的相同原理可以防止外界光线的反射。
在图14至16所示的实施例中，尽管没有显示，但是可以在透明衬底5’和有机发光元件3之间充满惰性气体，例如，氮气、氩气等等，并且还可以沉积有机或无机材料，以便于改善有机发光元件3的密封性能。
图17示出了根据本发明一个实施例的背向发射型PM-OLEDs。
参照图17，并如图1所示，线性偏振层22和1/4波长层21可以依次设置在衬底1上，并且有机发光元件3可以设置在1/4波长层21上。
第一电极层31可以条状图形形成在1/4波长层21上，并且内部绝缘薄膜37可以设置在第一电极层31上，以便于将第一电极层31分隔。与第一电极层31垂直的隔离柱35可以设置在内部绝缘薄膜37上，以便于采用隔离柱35对发射层32和第二电极层33进行图形化。，使得它们与第一电极层31相交叉。密封部件(未显示)可以设置在第二电极层33上，以便于保护有机发光元件3免于环境空气的侵袭。在某些情况下，发射层32和第二电极层33也可以不使用隔离柱来进行图形化。
在图17所示的结构中，类似于图1所示的结构，入射在衬底下侧的外界光线不会反射，从而可改善对比度，并可以减小显示器件的整体厚度。
尽管没有显示，但是图8和9所示的结构也可以应用于图17所示的PM-OLEDs。
图18示出了根据本发明一个实施例的背向发射型AM-OLEDs。
参照图18，薄膜晶体管(TFT)可以设置在衬底1的上表面上。各个像素可以包括至少一个TFT。TFT可以电连接着有机发光元件3。
TFT可以包括在衬底1上的缓冲层11，并且半导体有源层12可以预定的图形形成在缓冲层11上。诸如SiO2、SiNx等所制成的栅极绝缘薄膜13可以设置在半导体有源层12上，而栅极电极14可以设置在部分栅极绝缘薄膜13上。栅极电极14可以连接着能够施加TFTON/OFF信号的栅极线(未显示)。内部绝缘层15可以设置在栅极电极14上，而源极/漏极电极16可以通过接触孔连接着半导体有源层12的源极/漏极区域。附加的源极/漏极电极17可以构成TFT。在本发明中，电极17可以用作为源极电极，而电极16可以用作为漏极电极。可以作为替换的是，电极17可以用作为漏极电极，而电极16可以用作为源极电极。
TFT可以采用钝化层来覆盖和保护。根据图18所示的实施例，钝化层可以由例如依次层叠的线性偏振层22和1/4波长层21所构成。
可以用作为阳极的第一电极层31可以设置在1/4波长层21上，并且可以由采用绝缘材料所制成的像素定义层36来覆盖。在像素定义层36中可以形成开孔，而发射层32可以形成在开孔所定义的区域中。第二电极层33可以设置在发射层32上，使得第二电极层33可以覆盖所有的像素。
在以上所讨论的AM型的结构中，依次层叠在TFT上的线性偏振层22和1/4波长层21可以防止入射在衬底1下侧上的外界光线的反射(正如图18中所观察到的那样)。
参照图19，可以使用有机材料和/或无机材料将钝化层18分别设置在TFT上，以及线性偏振层22和1/4波长层21可以依次设置在钝化层18上。
在该背向发射型AM-OLEDs中，具有面对着外界光线的线性偏振层22和面对着有机发光元件3的1/4波长层21，线性偏振层22和1/4波长层21可以设置在诸如衬底1、TFT、有机发光元件3等等的任一表面上。也就是说，类似于图1、8和9所示的结构，1/4波长层21和/或线性偏振层22可以设置在衬底1的一个表面和/或另一表面上，而TFT和有机发光元件3可以设置1/4波长层21和/或线性偏振层22上。1/4波长层21和/或线性偏振层22也可以插入在构成TFT的各层之间的界面上。
图20示出了根据本发明一个实施例的前向发射型PM-OLEDs。
参照图20，以及类似于图13所示的那样，反射层34可以设置在衬底1上，1/4波长层21和线性偏振层22可以依次设置在反射层34上，并且有机发光元件3可以设置在线性偏振层22上。
第一电极层31可以条状图形形成在线性偏振层22，并且内部绝缘薄膜37可以设置在第一电极层31上，以便于分隔第一电极层31。与第一电极层31垂直的隔离柱35可以沉积在内部绝缘薄膜37上，以便于对发射层32和第二电极层33进行图形化。发射层32和第二电极层33可以采用隔离柱35来进行图形化，使得它们与第一电极层31相交叉。密封部件(未显示)可以设置在第二电极层33上，以便于保护有机发光元件3免于环境空气的侵袭。在某些情况下，发射层32和第二电极层33可以不使用隔离柱来进行图形化。
根据图20所示的结构，正如以上参照图13所讨论的那样，来自外界的入射光线不会被反射，从而可以改善对比度，并且可以减小显示器件的整体厚度。
尽管没有显示，但是如图10至12和14至16所示的结构都可以应用于图20所示的前向发射型PM-OLEDs。
图21示出了根据本发明一个实施例的前向发射型AM-OLEDs。
参照图21，TFT可以设置在衬底1上。各个像素可以包括至少一个TFT，并且TFT可以电连接着有机发光元件3。TFT的结构可以是以上参照图18所讨论的结构，并因此而省略其详细的描述。
TFT可以采用钝化层18进行覆盖，并且反射层34可以设置在钝化层18上。可以用作为阳极的第一电极层31可以设置在反射层34上，并且第一电极层31可以采用由绝缘材料所制成的像素定义层36进行覆盖。在像素定义层36中可形成开孔，并且发射层32可以设置在由开孔所定义的区域中。第二电极层33可以设置在发射层32上，以便于覆盖所有的像素。
在本发明的该实施例中，线性偏振层22和1/4波长层21可以依次沉积在用作为薄膜型密封部件5’的衬底材料面对着有机发光元件3的表面上，这类似于图16所示的实施例。因此，线性偏振层22和1/4波长层21可以防止入射在薄膜型密封部件5’(原英文中的标号为5，根据附图中的标识应该为5’)上侧的光线反射(正如图21中所观察到的那样)。
尽管没有显示，但是图10至15所示的结构也都可以应用于图21所示的前向发射型AM-OLEDs。
本发明以上所讨论的实施例并不限制于OLEDs，并且也可以应用于，例如，无机发光器件、诸如LCDs的其它平板显示器、电子发射器件，等等。
本文已经披露了本发明的示例性实施例。并且尽管采用了一些专业术语，但是这些术语都只能适用于一般描述性概念和采用一般描述性概念来加以解释，这些不限制本发明的目的。因此，应该理解的是，本领域的技术人员可以在不背离权利要求所阐述的本发明的精神和范围的条件下在形式和细节上作出各种不同的变化。
Claims (20)
1.一种有机发光器件，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的有机发光元件；
设置在所述有机发光元件上的密封部件；
设置在所述衬底、有机发光元件或密封部件的一个表面上的1/4波长层；以及
设置在所述衬底、有机发光元件、密封部件或1/4波长层的一个表面上的线性偏振层，所述线性偏振层比1/4波长层更接近于图像显示表面，所述线性偏振层为线条网格。
2.如权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述图像显示表面是所述衬底的一个表面。
3.如权利要求2所述的有机发光器件，其特征在于，所述线性偏振层设置在所述衬底上，所述1/4波长层设置在所述线性偏振层上，以及所述有机发光元件设置在所述1/4波长层上。
4.如权利要求2所述的有机发光器件，其特征在于，所述1/4波长层设置在所述衬底的一个表面上，所述有机发光元件设置在所述1/4波长层上，以及所述线性偏振层设置在所述衬底与所述1/4波长层相对的一个表面上。
5.如权利要求2所述的有机发光器件，其特征在于，所述1/4波长层和线性偏振层依次设置在所述衬底与所述有机发光元件相对的一个表面上。
6.如权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述图像显示表面是所述密封部件的一个表面。
7.如权利要求6所述的有机发光器件，其特征在于，所述1/4波长层设置在所述有机发光元件上，以及所述线性偏振层设置在所述1/4波长层上。
8.如权利要求7所述的有机发光器件，其特征在于，还包括设置在所述线性偏振层上的保护层。
9.如权利要求6所述的有机发光器件，其特征在于，还包括设置在所述有机发光元件上的保护层；
其中，所述1/4波长层设置在所述保护层上，以及所述线性偏振层设置在所述1/4波长层上。
10.如权利要求6所述的有机发光器件，其特征在于，还包括设置在所述有机发光元件上的保护层；
其中，所述1/4波长层形成在所述有机发光元件和保护层之间，以及所述线性偏振层设置在所述保护层上。
11.如权利要求8所述的有机发光器件，其特征在于，所述保护层包括有机绝缘材料或者无机绝缘材料中的至少一种。
12.如权利要求6所述的有机发光器件，其特征在于，还包括插入在所述衬底和有机发光元件之间的反射层；
其中，所述1/4波长层设置在所述反射层和有机发光元件之间，以及所述线性偏振层设置在所述有机发光元件上。
13.如权利要求6所述的有机发光器件，其特征在于，所述密封部件是透明的衬底，以及所述1/4波长层和线性偏振层依次设置在所述密封部件与所述有机发光元件相对的一个表面上。
14.如权利要求6所述的有机发光器件，其特征在于，所述密封部件是透明的衬底，所述1/4波长层设置在所述密封部件面对着所述有机发光元件的一个表面上，以及所述线性偏振层设置在所述密封部件与所述1/4波长层相对的一个表面上。
15.如权利要求6所述的有机发光器件，其特征在于，所述密封部件是透明的衬底，所述线性偏振层设置在所述密封部件面对着所述有机发光元件的一个表面上，以及所述1/4波长层设置在所述线性偏振层面对着所述有机发光元件的一个表面上。
16.如权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述有机发光元件是无源阵列有机发光单元。
17.如权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，还包括：
设置在所述衬底上的薄膜晶体管，所述有机发光元件电连接着所述薄膜晶体管。
18.如权利要求17所述的有机发光器件，其特征在于，所述图像显示表面是所述衬底的一个表面，并且还至少具有下列之一：
a)其中，所述线性偏振层设置在所述衬底上，所述1/4波长层设置在所述线性偏振层上，以及所述薄膜晶体管和有机发光元件都设置在所述1/4波长层上；
b)其中，所述线性偏振层设置在所述薄膜晶体管上，以及所述1/4波长层设置在所述线性偏振层上；
c)其中，所述有机发光器件还包括覆盖着所述薄膜晶体管的保护层，所述线性偏振层设置在所述保护层上，以及所述1/4波长层设置在所述线性偏振层上；
d)其中，所述线性偏振层设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管设置在所述线性偏振层上，以及所述1/4波长层设置在所述薄膜晶体管上；
e)其中，所述线性偏振层和1/4波长层中至少一个插入在构成所述薄膜晶体管的各层之间；
f)其中，所述线性偏振层设置在所述衬底与所述薄膜晶体管相对的一个表面上，以及所述1/4波长层设置在所述薄膜晶体管上；
g)其中，所述1/4波长层设置在所述衬底的一个表面上，所述薄膜晶体管设置在所述1/4波长层上，以及所述线性偏振层设置在所述衬底与所述1/4波长层相对的一个表面上；或者，
h)其中，所述1/4波长层和线性偏振层依次设置在所述衬底与所述有机发光元件相对的一个表面上。
19.如权利要求17所述的有机发光器件，其特征在于，所述图像显示表面是所述密封部件的一个表面，并且还至少具有下列之一：
a)其中，所述1/4波长层设置在所述有机发光元件上，以及所述线性偏振层设置在所述1/4波长层上；
b)其中，所述有机发光器件还包括在所述线性偏振层上的保护层，所述保护层是由无机或有机绝缘材料所制成的；
c)其中，所述有机发光器件还包括在有机发光元件上的保护层，所述1/4波长层设置在所述保护层上，以及所述线性偏振层设置在所述1/4波长层上；
d)其中，所述有机发光器件还包括在有机发光元件上的保护层，所述1/4波长层插入在所述有机发光元件跟保护层之间，以及所述线性偏振层设置在所述保护层上；
e)其中，所述有机发光器件还包括反射层，所述反射层插入在所述衬底和有机发光元件之间，所述1/4波长层设置在所述反射层和有机发光元件之间，以及所述线性偏振层设置在所述有机发光元件上；
f)其中，所述密封部件是透明的衬底，所述1/4波长层设置在所述密封部件与所述有机发光元件相对的一个表面上，以及所述线性偏振层设置在所述1/4波长层上；
g)其中，所述密封部件是透明的衬底，所述1/4波长层设置在所述密封部件面对着所述有机发光元件的一个表面上，以及所述线性偏振层设置在所述密封部件与所述1/4波长层相对的一个表面上；或者，
h)其中，所述密封部件是透明的衬底，所述线性偏振层设置在所述密封部件面对着所述有机发光元件的一个表面上，以及所述1/4波长层设置在所述线性偏振层面对着所述有机发光元件的一个表面上。
20.如权利要求17所述的有机发光器件，其特征在于，所述有机发光器件是前向发射的有源阵列有机发光器件。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2006-0066269 | 2006-07-14 | ||
| KR1020060066269A KR100838066B1 (ko) | 2006-07-14 | 2006-07-14 | 유기 발광 장치 |
| KR1020060066269 | 2006-07-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101106181A CN101106181A (zh) | 2008-01-16 |
| CN101106181B true CN101106181B (zh) | 2010-09-15 |
Family
ID=38610559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007101024658A Active CN101106181B (zh) | 2006-07-14 | 2007-04-27 | 有机发光器件 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7947973B2 (zh) |
| EP (1) | EP1879242B1 (zh) |
| JP (1) | JP4695616B2 (zh) |
| KR (1) | KR100838066B1 (zh) |
| CN (1) | CN101106181B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008513841A (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-01 | ラディアント イメージズ インコーポレーテッド | マイクロディスプレイ |
| EP1662589A3 (en) | 2004-11-30 | 2010-09-15 | LG Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having a polarizer |
| TWI341948B (en) * | 2005-05-20 | 2011-05-11 | Epson Imaging Devices Corp | Display device |
| KR100795811B1 (ko) * | 2006-10-24 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 편광자 및 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
-
2006
- 2006-07-14 KR KR1020060066269A patent/KR100838066B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-03-13 JP JP2007063933A patent/JP4695616B2/ja active Active
- 2007-03-30 US US11/729,840 patent/US7947973B2/en active Active
- 2007-04-27 CN CN2007101024658A patent/CN101106181B/zh active Active
- 2007-05-18 EP EP07108485.9A patent/EP1879242B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080006922A (ko) | 2008-01-17 |
| EP1879242A1 (en) | 2008-01-16 |
| KR100838066B1 (ko) | 2008-06-16 |
| CN101106181A (zh) | 2008-01-16 |
| US20080048558A1 (en) | 2008-02-28 |
| EP1879242B1 (en) | 2015-11-11 |
| JP2008021633A (ja) | 2008-01-31 |
| US7947973B2 (en) | 2011-05-24 |
| JP4695616B2 (ja) | 2011-06-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20090123 Address after: Gyeonggi Do Korea Suwon Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do Korea Suwon Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd. |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
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|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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|
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