TWI467136B - 功能元件、功能元件之製造方法、物理量感測器及電子機器 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種功能元件、功能元件之製造方法、物理量感測器及電子機器者。
作為功能元件，已知一種物理量感測器元件，其包含固定配置之固定電極、及相對於固定電極而隔開間隔地對向且可移位地設置之可動電極，根據固定電極與可動電極之間之靜電電容而檢測加速度、角速度等物理量(例如，參照專利文獻1)。
例如，專利文獻1中記載之物理量感測器元件使用單層之半導體基板或SOI(Silicon On Insulator，絕緣層上覆矽)基板，固定電極及可動電極分別具有以成梳齒狀之方式排列之複數個電極指，且以相互嚙合之方式配置。
又，專利文獻1中記載之物理量感測器元件中，於可動電極之鄰接之2個電極指之間，以相對之方式設置有固定電極之2個電極指，且該固定電極之2個電極指彼此電性絕緣。藉此，可分別測定固定電極之該2個電極指之一電極指及與其對向之可動電極之電極指之間的靜電電容、及固定電極之該2個電極指之另一電極指及與其對向之可動電極之電極指之間的靜電電容，並根據該等之測定結果(使用所謂差動檢測方式)而檢測物理量。
然而，專利文獻1中記載之物理量感測器元件中，為使固定電極及可動電極各自不導通而需要將電極指個別地絕緣分離，從而製造效率差。又，於上述差動檢測方式中，若固定電極及可動電極之厚度較大(縱橫比較高)則感度提高。然而，於專利文獻1之情形時，需要於基板之厚度方向實施第1蝕刻之後，於橫向實施第2蝕刻，為使固定電極及可動電極之厚度變大而需要預先加厚基板，自製造效率之觀點出發，加大電極之厚度較為困難。又，SOI基板通常較為昂貴，從而存在產品成本變高之問題。
[專利文獻1]日本專利第4238437號公報
本發明之目的在於提供一種實現高感度化、製造效率之改善、低成本化、高可靠性化之至少一者之功能元件、功能元件之製造方法、物理量感測器、及具有該物理量感測器之電子機器。
上述目的可藉由下述之本發明而達成。
本發明之功能元件之特徵在於包含：絕緣基板；可動部；可動電極指，其設置於上述可動部上；及固定電極指，其設置於上述絕緣基板上，且與上述可動電極指對向地配置；上述固定電極指包含：第1固定電極指，其配置於上述可動電極指之一側；及第2固定電極指，其配置於上述可動電極指之另一側；且上述第1固定電極指與上述第2固定電極指係彼此分開而配置。
根據具有如此構成之本發明之功能元件，於絕緣基板上形成有固定電極指，因此無需對可動電極指及固定電極指分別埋入絕緣膜而進行絕緣分離，從而製造效率非常佳。又，無需使用昂貴之SOI基板，因此可抑制產品成本。
又，可由與絕緣基板不同之另外之基板而統一形成可動部、可動電極指及固定電極指，因此製造效率非常佳，又，可動電極指及固定電極指之各自可僅藉由基板之厚度方向之蝕刻而形成，因此與專利文獻1相比較，可容易加厚電極指，例如於將功能元件用作物理量感測器元件之情形時可謀求高感度化。
本發明之功能元件較佳為：於上述絕緣基板上設置有固定部，上述可動部經由連結部而連接於上述固定部。
藉此，若例如將彈簧構件用於連結部，則能夠可移位地支撐可動部，可將功能元件應用於物理量感測器元件等。
本發明之功能元件較佳為：於上述絕緣基板上設置有與上述第1固定電極指電性連接之第1配線、及與上述第2固定電極指電性連接之第2配線之至少一方之配線。
藉此，於例如將功能元件用作物理量感測器元件之情形時，可藉由第1配線及第2配線而分別測定第1固定電極指與可動電極指之間之靜電電容、及第2固定電極指與可動電極指之間之靜電電容，根據該等之測定結果，若進行例如差動運算則可高精度地檢測物理量。又，上述第1配線及第2配線等配線設置於絕緣基板之固定電極指側之面上，因此可確保較大之配線之形成區域之面積，從而可防止配線彼此短路。
本發明之功能元件較佳為：於上述絕緣基板設置有凹部，上述配線設置於上述凹部內。
藉此，可防止第1配線及第2配線自絕緣基板之表面突出。因此，可防止第1配線及第2配線與其他部位之意外之電性連接(短路)。
本發明之功能元件較佳為：上述第1固定電極指及上述第2固定電極指之至少一方經由具有導電性之突起而連接於上述配線。
藉此，例如以導電性之突起連接第1配線與第1固定電極指之間，並以導電性之突起連接第2配線與第2固定電極指之間，由此可使固定電極指與配線之間確實地取得導通，從而可實現可靠性較高之功能元件。
本發明之功能元件較佳為：上述配線包含設置有絕緣膜之部分。
藉此，可藉由絕緣膜而確實地防止配線與其他部位之意外之電性連接(短路)，從而可實現可靠性較高之功能元件。
本發明之功能元件較佳為：於上述第1固定電極指及上述第2固定電極指之至少一者設置有於厚度方向貫通之導體部，上述導體部連接於上述配線。
藉此，例如若於絕緣基板上接合固定電極指之後，於貫通固定電極指之孔之內部成膜導體部而使第1固定電極指與第1配線電性連接、及使第2固定電極指與第2配線電性連接，則可更確實地連接固定電極指與配線，因此可實現可靠性較高之功能元件。
本發明之功能元件較佳為：上述配線包含透光性之電極材料。
藉此，於絕緣基板為例如玻璃等透明基板之情形時，可自絕緣基板之與固定電極指相反之面側容易辨認存在於絕緣基板之固定電極指側之面上的異物等。因此，可提供可靠性優異之功能元件。
本發明之功能元件較佳為：上述絕緣基板包含含有鹼金屬離子之材料，上述固定電極指包含半導體，上述固定電極指藉由陽極接合法而接合於上述絕緣基板。
藉此，例如若於藉由陽極接合而接合絕緣基板與半導體基板之後實施蝕刻處理，則可統一形成可動部、可動電極指及固定電極指，因此可實現製造效率優異之功能元件。
本發明之功能元件較佳為：上述固定電極指由單一之構件構成。
藉此，例如若使用半導體基板而一體地形成第1固定電極指彼此或第2固定電極指彼此，則可降低固定電極指間之電阻。其結果，於將功能元件用作物理量感測器元件之情形時可提高檢測精度。
本發明之功能元件較佳為：上述第1固定電極指及上述第2固定電極指分別設置複數個，上述第1固定電極指彼此及上述第2固定電極指彼此之至少一者設置為一體。
藉此，無需如專利文獻1般於固定電極指及可動電極指之一部分中埋入絕緣膜而進行絕緣分離，從而可實現製造效率優異之功能元件。
本發明之功能元件之製造方法之特徵在於包含以下步驟：於第1基板上形成空洞部；於上述第1基板上載置第2基板；藉由蝕刻上述第2基板而形成設置於上述第1基板上之固定部、包含可動電極指且配置於上述空洞部上之可動部、連結上述可動部及上述固定部之連結部、及設置於上述第1基板上且與上述可動電極指對向地配置之固定電極指。
藉此，可藉由蝕刻處理而統一形成固定部、可動部、連結部、固定電極指、及可動電極指，因此可提供一種製造效率優異之功能元件之製造方法。
本發明之物理量感測器之特徵在於包含本發明之功能元件。
藉此，可實現具有上述效果之物理量感測器。
本發明之電子機器之特徵在於包含本發明之功能元件。
藉此，可實現具有上述效果之電子機器。
以下，一面參照隨附圖式一面對本發明之功能元件、功能元件之製造方法、物理量感測器及電子機器之較佳實施形態進行說明。
<第1實施形態>
圖1係表示本發明之第1實施形態之功能元件之立體圖，圖2係表示圖1所示之功能元件之平面圖，圖3係圖2中之A-A線剖面圖，圖4係圖3之局部放大圖(局部放大剖面圖)，圖5係圖2中之B-B線剖面圖，圖6係圖5之局部放大圖(局部放大剖面圖)。再者，以下，為便於說明，將圖2中之紙面近前側稱為「上」，將紙面內側稱為「下」，將右側稱為「右」，將左側稱為「左」。又，圖1~3、5中圖示有X軸、Y軸及Z軸作為彼此正交之3個軸。又，以下將與X軸平行之方向(左右方向)稱為「X軸方向」，將與Y軸平行之方向稱為「Y軸方向」，將與Z軸平行之方向(上下方向)稱為「Z軸方向」。又，圖1~3、5、7、8中，為便於說明，省略下述之絕緣膜6及與其對應者(絕緣膜106、106A)之圖示。再者，於本實施形態中，對將功能元件用作用以測定加速度、角速度等物理量之物理量感測器元件之情形之例進行說明。
(功能元件)
圖1所示之功能元件1包含絕緣基板2、接合並支撐於該絕緣基板2之元件片(基體)3、電性連接於元件片3之導體圖案4、及以覆蓋元件片3之方式設置之蓋構件5。
以下，依序詳細地說明構成功能元件1之各部分。
(絕緣基板)
絕緣基板2具有支撐元件片3之功能。
該絕緣基板2形成板狀，於其上表面(一方之面)設置有空洞部21。於俯視絕緣基板2時，該空洞部21以包含下述之元件片3之可動部33、可動電極部36、37及連結部34、35之方式形成，且具有內底。上述空洞部21構成防止元件片3之可動部33、可動電極部36、37及連結部34、35接觸於絕緣基板2之退避部。藉此，可容許元件片3之可動部33之移位。
再者，該退避部亦可為於厚度方向貫通絕緣基板2之開口部而代替空洞部21(凹部)。又，於本實施形態中，空洞部21之俯視形狀形成四邊形(具體而言為長方形)，但並非限定於此。
又，於絕緣基板2之上表面，於上述空洞部21之外側沿其外周而設置有凹部22、23、24。該凹部22、23、24於俯視時形成與導體圖案4對應之形狀。具體而言，凹部22形成與下述之導體圖案4之配線41及電極44對應之形狀，凹部23形成與下述導體圖案4之配線42及電極45對應之形狀，凹部24形成與下述之導體圖案4之配線43及電極46對應之形狀。
又，凹部22之設置有電極44之部位之深度較凹部22之設置有配線41之部位更深。同樣地，凹部23之設置有電極45之部位之深度較凹部23之設置有配線42之部位更深。又，凹部24之設置有電極46之部位之深度較凹部24之設置有配線43之部位更深。
藉由如此般加深凹部22、23、24之一部分之深度，可於製造下述之功能元件1時，於將形成元件片3之前之基板103接合於基板102A時(參照圖7)，防止該基板103與電極44、45、46接合。
作為上述絕緣基板2之構成材料，具體而言，較佳為使用高電阻之矽材料、玻璃材料，特別於以矽材料為主材料而構成元件片3之情形時，較佳為使用含有鹼金屬離子(可動離子)之玻璃材料(例如，派熱司(Pyrex)玻璃(登錄商標)般之硼矽酸玻璃)。藉此，於以矽為主材料而構成元件片3之情形時，可將絕緣基板2與元件片3進行陽極接合。
又，絕緣基板2之構成材料較佳為與元件片3之構成材料之熱膨脹係數差儘可能地小。具體而言，較佳為絕緣基板2之構成材料與元件片3之構成材料之熱膨脹係數差為3 ppm/℃以下。藉此，即便於接合絕緣基板2與元件片3時等暴露於高溫下，亦可減少絕緣基板2與元件片3之間之殘留應力。
(元件片)
元件片3包含固定部31、32、可動部33、連結部34、35、可動電極部36、37、及固定電極部38、39。
上述元件片3會根據例如加速度、角速度等物理量之變化，而一面使連結部34、35進行彈性變形，一面使可動部33及可動電極部36、37於X軸方向(+X方向或-X方向)移位。伴隨此移位，可動電極部36與固定電極部38之間之間隙、及可動電極部37與固定電極部39之間之間隙的大小分別發生變化。即，位隨此移位，可動電極部36與固定電極部38之間之靜電電容、及可動電極部37與固定電極部39之間之靜電電容的大小分別發生變化。因此，可根據該等靜電電容而檢測加速度、角速度等物理量。
該固定部31、32、可動部33、連結部34、35及可動電極部36、37係一體地形成。
固定部31、32分別接合於上述絕緣基板2之上表面。具體而言，固定部31係於-X方向側(圖中左側)之部分接合於絕緣基板2之上表面之空洞部21，又，固定部32係於+X方向側(圖中右側)之部分接合於絕緣基板2之上表面之空洞部21。又，固定部31、32於俯視時設置成分別橫跨空洞部21之外周緣。
再者，固定部31、32之位置及形狀等係根據連結部34、35、導體圖案4等之位置及形狀等而決定者，並非限定於以上所述者。
於上述2個固定部31、32之間設置有可動部33。本實施形態中，可動部33形成於X軸方向延伸之長條形狀。再者，可動部33之形狀係根據構成元件片3之各部分之形狀、大小等而決定者，並非限定於以上所述者。
上述可動部33經由連結部34而連結於固定部31，並且經由連結部35而連結於固定部32。更具體而言，可動部33左側之端部經由連結部34而連結於固定部31，並且可動部33右側之端部經由連結部35而連結於固定部32。
該連結部34、35係相對於固定部31、32而可移位地連結可動部33。本實施形態中，連結部34、35以使可動部33可如圖2中箭形符號a所示般於X軸方向(+X方向或-X方向)移位之方式構成。
若進行具體說明，則連結部34包含2個樑341、342。而且，樑341、342分別形成一面於Y軸方向蜿蜒一面於X軸方向延伸之形狀。換言之，樑341、342分別形成沿Y軸方向折返複數次(本實施形態中為3次)之形狀。再者，各樑341、342之折返次數可為1次或2次，亦可為4次以上。
同樣地，連結部35包含形成一面於Y軸方向蜿蜒一面於X軸方向延伸之形狀之2個樑351、352。
再者，連結部34、35只要為相對於絕緣基板2而可移位地支撐可動部33者，則並不限定於以上所述者，例如，亦可包含自可動部33之兩端部分別朝+Y方向及-Y方向延伸之1對樑。
於如此般相對於絕緣基板2而朝X軸方向可移位地被支撐之可動部33之寬度方向之一側(+Y方向側)設置有可動電極部36，而於另一側(-Y方向側)設置有可動電極部37。
可動電極部36具有自可動部33朝+Y方向突出並以成梳齒狀之方式排列之複數個可動電極指361~365。該可動電極指361、362、363、364、365係自-X方向側朝+X方向側依序排列。同樣地，可動電極部37具有自可動部33朝-Y方向突出並以成梳齒狀之方式排列之複數個可動電極指371~375。該可動電極指371、372、373、374、375係自-X方向側朝+X方向側依序排列。
如此複數個可動電極指361~365及複數個可動電極指371~375分別排列設置於可動部33移位之方向(即Y軸方向)上。藉此，可根據可動部33之移位而使下述之固定電極指382、384、386、388與可動電極部36之間之靜電電容、及固定電極指381、383、385、387與可動電極部36之靜電電容有效率地變化。同樣地，可根據可動部33之移位而使下述之固定電極指392、394、396、398與可動電極部36之間之靜電電容、及固定電極指391、393、395、397與可動電極部36之靜電電容有效率地變化。因此，將功能元件1用作物理量感測器元件之情形時可使功能元件1成為檢測精度優異者。
上述可動電極部36相對於固定電極部38而隔開間隔地對向。又，可動電極部37相對於固定電極部39而隔開間隔地對向。
固定電極部38具有以形成相對於上述可動電極部36之複數個可動電極指361~365而隔開間隔地嚙合之梳齒狀之方式排列之複數個固定電極指381~388。該複數個固定電極指381~388之與可動部33為相反側之端部分別於+Y方向側之部分接合於絕緣基板2之上表面之空洞部21。而且，各固定電極指381~388中，將其被固定之側之端作為固定端，自由端向-Y方向延伸。
該固定電極指381~388係自-X方向側朝+X方向側依序排列。而且以如下方式而設置：固定電極指381、382成對，且與上述可動電極指361、362之間相對；固定電極指383、384成對，且與可動電極指362、363之間相對；固定電極指385、386成對，且與可動電極指363、364之間相對；固定電極指387、388成對，且與可動電極指364、365之間相對。
此處，固定電極指382、384、386、388分別為第1固定電極指，固定電極指381、383、385、387分別為於絕緣基板2上相對於該第1固定電極指而隔開空隙(間隙)地分開之第2固定電極指。如此，複數個固定電極指381~388包含交替排列之複數個第1固定電極指及複數個第2固定電極指。換言之，於可動電極指之一側配置有第1固定電極指，於另一側配置有第2固定電極指。
該第1固定電極指382、384、386、388與第2固定電極指381、383、385、387係於絕緣基板2上彼此分離。換言之，第1固定電極指382、384、386、388、第2固定電極指381、383、385、387於絕緣基板2上並未彼此連結而孤立成島狀。藉此，可將第1固定電極指382、384、386、388與第2固定電極指381、383、385、387電性絕緣。因此，可分別測定第1固定電極指382、384、386、388與可動電極部36之間之靜電電容、及第2固定電極指381、383、385、387與可動電極部36之間之靜電電容，並根據該等之測定結果而高精度地檢測物理量。
於本實施形態中，固定電極指381~388於絕緣基板2上彼此分離。換言之，固定電極指381~388各自於絕緣基板2上並未彼此連結而孤立成島狀。藉此，可使固定電極指381~388之於Y軸方向之長度一致。因此，可一面確保為取得各固定電極指381~388與絕緣基板2之各接合部之充分之接合強度而必需之面積，一面謀求固定電極指381~388之小型化。因此，可一面使功能元件1之耐衝擊性優異，一面謀求功能元件1之小型化。
同樣地，固定電極部39具有以形成相對於上述可動電極部37之複數個可動電極指371~375而隔開間隔地嚙合之梳齒狀之方式排列之複數個固定電極指391~398。該複數個固定電極指391~398之與可動部33為相反側之端部分別於-Y方向側之部分接合於絕緣基板2之上表面之空洞部21。而且，各固定電極指391~398中，將其被固定之側之端作為固定端，自由端朝+Y方向延伸。
該固定電極指391、392、393、394、395、396、397、398係自-X方向側朝+X方向側依序排列。而且以如下方式而設置：固定電極指391、392成對，且與上述可動電極指371、372之間相對；固定電極指393、394成對，且與可動電極指372、373之間相對；固定電極指395、396成對，且與可動電極指373、374之間相對；固定電極指397、398成對，且與可動電極指374、375之間相對。
此處，固定電極指392、394、396、398分別為第1固定電極指，固定電極指391、393、395、397分別為於絕緣基板2上相對於該第1固定電極指而隔開空隙(間隙)地分開之第2固定電極指。如此，複數個固定電極指391~398包含交替排列之複數個第1固定電極指及複數個第2固定電極指。換言之，於可動電極指之一側配置有第1固定電極指，於另一側配置有第2固定電極指。
與上述之固定電極部38同樣地，該第1固定電極指392、394、396、398與第2固定電極指391、393、395、397於絕緣基板2上彼此分離。藉此，可分別測定第1固定電極指392、394、396、398與可動電極部37之間之靜電電容、及第2固定電極指391、393、395、397與可動電極部37之間之靜電電容，並根據該等之測定結果而高精度地檢測物理量。
於本實施形態中，與上述之固定電極部38同樣地，複數個固定電極指391~398於絕緣基板2上彼此分離。藉此，可一面使各固定電極指391~398與絕緣基板2之各接合部之面積充分大，一面謀求固定電極指391~398之小型化。因此，可一面使功能元件1之耐衝擊性優異，一面謀求功能元件1之小型化。
上述元件片3(即固定部31、32、可動部33、連結部34、35、複數個固定電極指381~388、391~398及複數個可動電極指361~365、371~375)係藉由蝕刻下述之1個基板103而形成者。
藉此，可加厚固定部31、32、可動部33、連結部34、35、複數個固定電極指381~388、391~398及複數個可動電極指361~365、371~375之厚度。又，可使該等厚度簡單且高精度地一致。因此，可謀求功能元件1之高感度化，並且可使功能元件1之耐衝擊性提高。
又，作為元件片3之構成材料，只要可進行基於上述靜電電容之變化之物理量之檢測，則並無特別限定，但較佳為半導體，具體而言，較佳為使用例如單晶矽、多晶矽等矽材料。
即，固定部31、32、可動部33、連結部34、35、複數個固定電極指381~388、391~398及複數個可動電極指361~365、371~375較佳為分別以矽為主材料而構成。
矽可藉由蝕刻而高精度地加工。因此，藉由以矽為主材料而構成元件片3，可使元件片3之尺寸精度優異，其結果，可謀求作為物理量感測器元件之功能元件1之高感度化。又，矽疲勞較少，故而亦可使功能元件1之耐久性提高。
又，較佳為於構成元件片3之矽材料中摻雜有磷、硼等雜質。藉此，可使元件片3之導電性優異。
又，元件片3如上所述藉由將固定部31、32及固定電極部38、39接合於絕緣基板2之上表面而支撐於絕緣基板2。於本實施形態中，經由下述之絕緣膜6而接合絕緣基板2與元件片3。
上述元件片3(具體而言，上述之固定部31、32及各固定電極指381~388、391~398)與絕緣基板2之接合方法並無特別限定，但較佳為使用陽極接合法。藉此，可將固定部31、32及固定電極部38、39(各固定電極指381~388、391~398)牢固地接合於絕緣基板2。因此，可使功能元件1之耐衝擊性提高。又，可將固定部31、32及固定電極部38、39(各固定電極指381~388、391~398)高精度地接合於絕緣基板2之所需位置。因此，可謀求作為物理量感測器元件之功能元件1之高感度化。該情形時，如上所述以矽為主材料而構成元件片3，且以含有鹼金屬離子之玻璃材料而構成絕緣基板2。
(導體圖案)
導體圖案4設置於上述絕緣基板2之上表面(固定電極部38、39側之面)上。
該導體圖案4包含配線41、42、43、及電極44、45、46。
配線41設置於上述絕緣基板2之空洞部21之外側，以沿空洞部21之外周之方式而形成。而且，配線41之一端部於絕緣基板2之上表面之外周部(絕緣基板2上之蓋構件5之外側之部分)上連接於電極44。
上述配線41電性連接於上述元件片3之作為第1固定電極指之各固定電極指382、384、386、388及各固定電極指392、394、396、398。此處，配線41係與各第1固定電極指電性連接之第1配線。
又，配線42於上述配線41之內側、且上述絕緣基板2之空洞部21之外側沿其外周緣而設置。而且，配線42之一端部係以相對於上述電極44而隔開間隔地排列之方式於絕緣基板2之上表面之外周部(絕緣基板2上之蓋構件5之外側之部分)上連接於電極45。
配線43係以自絕緣基板2上之與固定部31之接合部延伸至絕緣基板2之上表面之外周部(絕緣基板2上之蓋構件5之外側之部分)上之方式而設置。而且，配線43之與固定部31為相反側之端部係以相對於上述電極44、45而隔開間隔地排列之方式於絕緣基板2之上表面之外周部(絕緣基板2上之蓋構件5之外側之部分)上連接於電極46。
作為上述配線41~43之構成材料，只要分別為具有導電性者，則並無特別限定，可使用各種電極材料，可舉出例如ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)、In3
O3
、SnO2
、含有Sb之SnO2
、含有Al之ZnO等之氧化物(透明電極材料)、Au、Pt、Ag、Cu、Al或含有該等之合金等，可將該等中之1種或2種以上組合而使用。
其中，作為配線41~43之構成材料，較佳為使用透明電極材料(特別是ITO)。若配線41、42分別包含透明電極材料，則當絕緣基板2為透明基板之情形時，可自絕緣基板2之與固定電極部38、39相反之面側容易辨認絕緣基板2之固定電極部38、39側之面上所存在的異物等。因此，可更確實地提供功能元件1作為高感度之物理量感測器元件。
又，作為電極44~46之構成材料，與上述配線41~43同樣地，只要分別為具有導電性者，則並無特別限定，可使用各種電極材料。於本實施形態中，作為電極44~46之構成材料，使用與下述之突起471、472、481、482之構成材料相同者。
將上述配線41、42(第1配線及第2配線)設置於絕緣基板2之上表面，藉此，可經由配線41而測定第1固定電極指382、384、386、388與可動電極部36之間之靜電電容及第1固定電極指392、394、396、398與可動電極部37之間之靜電電容，並且可經由配線42而測定第2固定電極指381、383、385、387與可動電極部36之間之靜電電容及第2固定電極指391、393、395、397與可動電極部37之間之靜電電容。
於本實施形態中，藉由使用電極44及電極46而可測定第1固定電極指382、384、386、388與可動電極部36之間之靜電電容及第1固定電極指392、394、396、398與可動電極部37之間之靜電電容。又，藉由使用電極45及電極46而可測定第2固定電極指381、383、385、387與可動電極部36之間之靜電電容及第2固定電極指391、393、395、397與可動電極部37之間之靜電電容。
又，上述配線41、42係設置於絕緣基板2之上表面上(即固定電極部38、39側之面上)，故而容易進行相對於固定電極部38、39之電性連接及其定位。因此，可使功能元件1之可靠性(特別是耐衝擊性及檢測精度)提高。
又，配線41及電極44設置於上述絕緣基板2之凹部(第1凹部)22內，配線42及電極45設置於上述絕緣基板2之凹部(第2凹部)23內，配線43及電極46設置於上述絕緣基板2之凹部(第3凹部)24內。藉此，可防止配線41~43自絕緣基板2之板面突出。因此，可一面確實地將各固定電極指381~388、391~398與絕緣基板2接合(固定)，一面進行固定電極指382、384、386、388、392、394、396、398與配線41之電性連接及固定電極指381、383、385、387、391、393、395、397與配線42之電性連接。同樣地，可一面確實地將固定部31與絕緣基板2接合(固定)，一面進行固定部31與配線43之電性連接。此處，於將配線41~43之厚度分別設為t，將上述凹部22~24之設置有配線41之部分之深度分別設為d時，滿足t<d之關係。
特別於作為第1配線之配線41上，設置有具有導電性之第1突起的複數個突起481及複數個突起482。複數個突起481對應於複數個作為第1固定電極指之固定電極指382、384、386、388而設置，複數個突起482對應於複數個作為第1固定電極指之固定電極指392、394、396、398而設置。
而且，經由複數個突起481而將固定電極指382、384、386、388與配線41電性連接，並且經由複數個突起482而將固定電極指392、394、396、398與配線41電性連接。
藉此，可一面防止配線41與其他部位之意外之電性連接(短路)，一面進行各固定電極指382、384、386、388、392、394、396、398與配線41之電性連接。
同樣地，於作為第2配線之配線42上，設置有具有導電性之第2突起即複數個突起471及複數個突起472。複數個突起471對應於複數個作為第2固定電極指之固定電極指381、383、385、387而設置，複數個突起472對應於複數個作為第2固定電極指之固定電極指391、393、395、397而設置。
而且，經由複數個突起471而將固定電極指381、383、385、387與配線42電性連接，並且經由複數個突起472而將固定電極指391、393、395、397與配線42電性連接。
藉此，可一面防止配線42與其他部位之意外之電性連接(短路)，一面進行各固定電極指381、383、385、387、391、393、395、397與配線42之電性連接。
作為上述突起471、472、481、482之構成材料，只要分別為具有導電性者，則並無特別限定，可使用各種電極材料，可較佳地使用例如Au、Pt、Ag、Cu、Al等之金屬單體或含有該等之合金等之金屬。使用上述金屬而構成突起471、472、481、482，藉此可減小配線41、42與固定電極部38、39之間之接點電阻。
又，於將配線41~43之厚度分別設為t，將上述凹部22~24之設置有配線41之部分之深度分別設為d，將突起471、472、481、482之高度分別設為h時，滿足d≒t+h之關係。
又，如圖4、6所示，於配線41~43上設置有絕緣膜6。而且，上述各突起471、472、481、482、50上未形成絕緣膜6而露出有突起之表面。該絕緣膜6具有防止導體圖案4與元件片3之意外之電性連接(短路)之功能。藉此，可一面更確實防止配線41、42與其他部位之意外之電性連接(短路)，一面進行各第1固定電極指382、384、386、388、392、394、396、398與配線41之電性連接及各第2固定電極指381、383、385、387、391、393、395、397與配線42之電性連接。又，可一面更確實防止配線43與其他部位之意外之電性連接(短路)，一面進行固定部31與配線43之電性連接。
於本實施形態中，絕緣膜6除下述之突起471、472、481、482、50及電極44~46之形成區域外，遍及絕緣基板2之上表面之大致整個區域而形成。再者，絕緣膜6之形成區域只要可覆蓋配線41~43，則並不限定於此，例如，亦可形成除絕緣基板2之上表面之與元件片3之接合部位或與蓋構件5之接合部位以外之形狀。
又，於將配線41~43之厚度分別設為t，將上述凹部22~24之設置有配線41之部分之深度分別設為d時，滿足d>t之關係。藉此，例如如圖4所示，於固定電極指391與配線41上之絕緣膜6之間形成有間隙221。雖未圖示，但與該間隙221相同之間隙亦形成於其他各固定電極指與配線41、42上之絕緣膜6之間。於下述功能元件1之製造中，上述間隙亦同樣地形成於基板102與基板103之間，且可排出陽極接合時所產生之氣體。
又，如圖6所示，於蓋構件5與配線43上之絕緣膜6之間形成有間隙222。雖未圖示，但與該間隙222相同之間隙亦形成於蓋構件5與配線41、42上之絕緣膜6之間。可使用該等間隙一面降低蓋構件5內之壓力，一面填充惰性氣體。再者，於藉由接著劑而接合蓋構件5與絕緣基板2時，該等間隙亦可藉由接著劑而堵塞。
作為上述絕緣膜6之構成材料，並無特別限定，可使用具有絕緣性之各種材料，但於絕緣基板2包含玻璃材料(特別是添加有鹼金屬離子之玻璃材料)之情形時，較佳為使用二氧化矽(SiO2
)。藉此，可防止如上所述之意外之電性連接，並且即便於絕緣基板2之上表面之與元件片3之接合部位存在絕緣膜6，亦可將絕緣基板2與元件片3進行陽極接合。
又，絕緣膜6之厚度(平均厚度)並無特別限定，但較佳為10~1000 nm左右，更佳為10~200 nm左右。若於該厚度範圍內形成絕緣膜6，則可防止如上所述之意外之電性連接。又，於絕緣基板2包含含有鹼金屬離子之玻璃材料，且以矽為主材料而構成元件片3之情形時，即便於絕緣基板2之上表面之與元件片3之接合部位存在絕緣膜6，亦可經由絕緣膜6而將絕緣基板2與元件片3進行陽極接合。
(蓋構件)
蓋構件5具有保護上述元件片3之功能。
該蓋構件5形成板狀，於其一方之面(下表面)上設置有凹部51。該凹部51形成為容許元件片3之可動部33及可動電極部36、37等之移位。
而且，蓋構件5之下表面之較凹部51更靠外側之部分與上述絕緣基板2之上表面接合。於本實施形態中，經由上述絕緣膜6而將絕緣基板2與蓋構件5接合。
作為蓋構件5與絕緣基板2之接合方法，並無特別限定，可採用例如使用接著劑之接合方法、陽極接合法、直接接合法等。
又，作為蓋構件5之構成材料，只要為可發揮如上所述之功能者，則並無特別限定，可較佳地使用例如矽材料、玻璃材料等。
(功能元件之製造方法)
其次，說明本發明之功能元件之製造方法。再者，以下對製造上述功能元件1之情形之一例進行說明。
圖7及圖8分別為用以說明圖1所示之功能元件之製造方法之圖，圖9係用以說明圖7(c)所示之步驟(形成配線、接點、絕緣膜之步驟)之圖。再者，圖7及圖8分別表示與圖1中之A-A線剖面對應之剖面。
再者，以下，以絕緣基板2包含含有鹼金屬離子之玻璃材料、且元件片3包含矽之情形為例進行說明。
[1]
首先，如圖7(a)所示，準備作為第1基板之基板102。
該基板102係經過下述步驟而成為絕緣基板2者。
又，基板102包含含有鹼金屬之玻璃材料。
[2]
其次，如圖7(b)所示，藉由蝕刻基板102之上表面而形成空洞部21、及凹部22、23。此時，圖7(b)中雖未圖示，但藉由上述蝕刻亦同時形成凹部24。藉此，獲得形成有空洞部21與凹部22~24之基板102A。
作為上述空洞部21與凹部22~24之形成方法(蝕刻方法)，並無特別限定，例如可將電漿蝕刻、反應性離子蝕刻、離子束蝕刻、光輔助蝕刻等之物理蝕刻法、濕式蝕刻等之化學蝕刻法等中之1種或2種以上組合而使用。再者，於以下各步驟之蝕刻中，亦可使用相同之方法。
又，於進行如上所述之蝕刻時，可較佳地使用例如藉由光微影法而形成之遮罩。又，反覆進行遮罩形成、蝕刻、遮罩去除而可依序形成空洞部21與凹部22~24。而且，該遮罩係於蝕刻後被去除。作為該遮罩之去除方法，例如，於遮罩包含抗蝕材料之情形時可使用抗蝕剝離液，而於遮罩包含金屬材料之情形時可使用如磷酸溶液般之金屬剝離液等。
再者，例如亦可藉由使用灰階遮罩作為遮罩而統一形成空洞部21與凹部22~24(深度不同之複數個凹部)。
[3]
其次，如圖7(c)所示，於基板102A之上表面上形成導體圖案4。其後，圖7(c)中雖未圖示，但形成絕緣膜106A。
此處，絕緣膜106A係經過下述之個片化而成為絕緣膜6者。
以下，根據圖9，對導體圖案4及絕緣膜106A之形成進行詳細描述。再者，於圖9中，代表性地圖示基板102A之與固定電極指391之接合部附近之導體圖案4及絕緣膜106A之形成。
於形成導體圖案4時，首先，如圖9(a)所示，於凹部22內形成配線41，並且於凹部23內形成配線42。此時，圖9中雖未圖示，但於凹部24內，與配線41、42同時形成有配線43。
作為配線41、42、43之形成方法(成膜方法)，並無特別限定，可舉出例如真空蒸鍍、濺鍍(低溫濺鍍)、離子電鍍等幹式電鍍法、電解電鍍、非電解鍍敷等濕式電鍍法、噴塗法、薄膜之接合等。再者，於以下各步驟之成膜中，亦可使用相同之方法。
而且，如圖9(b)所示，於配線42上形成(成膜)有複數個突起472。此時，圖9(b)中雖未圖示，但於配線42上，與突起472同時形成有複數個突起471及電極45。又，於配線41上，與突起472同時形成有複數個突起481、複數個突起482及電極44。又，於配線43上，與突起472同時形成有突起50及電極46。
其次，如圖9(c)所示，以覆蓋配線41、42等之方式，於基板102A之上表面形成(成膜)絕緣膜106。
其次，如圖9(d)所示，去除絕緣膜106之與各突起472對應之部分。又，圖9(d)中雖未圖示，但絕緣膜106之與各突起471、突起50及電極44~46對應之部分亦被去除。藉此，獲得使電極44~46露出、並且各突起471、472、50貫通之絕緣膜106A。
以上述方式，獲得導體圖案4及絕緣膜106A。
[4]
其次，如圖7(d)所示，於基板102A之上表面，以陽極接合法而接合作為第2基板之基板103。藉此，基板103與各突起471、472、50得以連接。
該基板103係經由下述之薄壁化、圖案化及分離而成為元件片3者。
又，基板103係矽基板。
又，基板103之厚度較元件片3之厚度厚。藉此，可使基板103之處理性提高。再者，基板103之厚度亦可與元件片3之厚度為相同。該情形時，省略下述薄壁化步驟[5]即可。
[5]
其次，使基板103薄壁化而獲得如圖7(e)所示之基板103A。
該薄壁化係以使基板103A之厚度與元件片3之厚度為相同之方式而進行。
又，基板103之薄壁化方法並無特別限定，但可較佳地使用例如CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨)法、乾式拋光法。
[6]
其次，藉由蝕刻基板103A而獲得如圖8(a)所示之元件片3。
[7]
其次，如圖8(b)所示，於基板102A之上表面接合具有凹部51之蓋構件105。藉此，獲得以收納元件片3之方式接合基板102A與蓋構件105而成之接合體101。
該蓋構件105係經由下述之個片化而成為蓋構件5者。
[8]
其次，藉由對接合體101進行個片化(切割)而獲得如圖8(c)所示之功能元件1。
根據以上說明之第1實施形態之功能元件1，由於複數個第1固定電極指(固定電極指382、384、386、388、392、394、396、398)與複數個第2固定電極指(固定電極指381、383、385、387、391、393、395、397)彼此電性絕緣，故而可分別測定第1固定電極指與可動電極部36、37之間之靜電電容、及第2固定電極指與可動電極部36、37之靜電電容，並根據該等之測定結果而高精度地檢測物理量。
又，可由與絕緣基板2不同之另外之基板形成(特別是總括形成)固定部31、32、可動部33、連結部34、35、複數個固定電極指381~388、391~398及複數個可動電極指361~365、371~375。因此，可加厚該等各可動電極指及各固定電極指之厚度而謀求功能元件1之高感度化。又，可加厚固定部31、32、可動部33及連結部34、35之厚度而使功能元件1成為耐衝擊性優異者。
<第2實施形態>
其次，對本發明之功能元件之第2實施形態進行說明。
圖10係表示本發明之第2實施形態之功能元件之平面圖。
除固定電極部之構成不同以外，本實施形態之功能元件與上述第1實施形態之功能元件為相同。
再者，於以下說明中，關於第2實施形態之功能元件，以與上述實施形態之不同點為中心進行說明，關於相同之事項則省略其說明。又，圖10中，對與上述第1實施形態相同之構成標註相同符號。
本實施形態之功能元件1A係於絕緣基板2之上表面接合有元件片3A。
元件片3A包含固定部31、32、可動部33、連結部34、35、可動電極部36、37、及固定電極部38A、39A。
固定電極部38A具有基部389，其係將以形成相對於可動電極部36之複數個可動電極指361~365而隔開間隔地嚙合之梳齒狀之方式排列之複數個固定電極指381A~388A、與固定電極指382A、384A、386A、388A形成為一體而成者。
上述複數個固定電極指381A~388A之與可動部33為相反側之端部及基部389分別於+Y方向側之部分接合於絕緣基板2之上表面之空洞部21。而且，各固定電極指381A~388A中，將其被固定之側之端作為固定端，自由端朝-Y方向延伸。
該固定電極指381A、382A、383A、384A、385A、386A、387A、388A係自-X方向側朝+X方向側依序排列。而且以如下方式而設置：固定電極指381A、382A與上述可動電極指361、362之間相對；固定電極指383A、384A與可動電極指362、363之間相對；固定電極指385A、386A與可動電極指363、364之間相對；固定電極指387A、388A與可動電極指364、365之間相對。
此處，固定電極指382A、384A、386A、388A分別為第1固定電極指，固定電極指381A、383A、385A、387A分別為於絕緣基板2上相對於該第1固定電極指而隔開空隙地分開之第2固定電極指。如此，複數個固定電極指381A~388A包含交替排列之複數個第1固定電極指及複數個第2固定電極指。
同樣地，固定電極部39A具有基部399，其係將以形成相對於上述可動電極部37之複數個可動電極指371~375而隔開間隔地嚙合之梳齒狀之方式排列之複數個固定電極指391A~398A、與固定電極指392A、394A、396A、398A形成為一體。上述複數個固定電極指391A~398A之與可動部33為相反側之端部及基部399分別於-Y方向側之部分接合於絕緣基板2之上表面之空洞部21。而且，各固定電極指391A~398A中，將其被固定之側之端作為固定端，自由端朝+Y方向延伸。
該固定電極指391A、392A、393A、394A、395A、396A、397A、398A係自-X方向側朝+X方向側依序排列。而且以如下方式而設置：固定電極指391A、392A與上述可動電極指371、372之間相對；固定電極指393A、394A與可動電極指372、373之間相對；固定電極指395A、396A與可動電極指373、374之間相對；固定電極指397A、398A與可動電極指374、375之間相對。
此處，固定電極指392A、394A、396A、398A分別為第1固定電極指，固定電極指391A、393A、395A、397A分別為於絕緣基板2上相對於該第1固定電極指而隔開空隙地分開之第2固定電極指。如此，複數個固定電極指391A~398A包含交替排列之複數個第1固定電極指及複數個第2固定電極指。
上述元件片3A中，使作為第1固定電極指之固定電極指382A、384A、386A、388A自基部389突出而形成為一體。藉此，可減小固定電極指382A、384A、386A、388A之間之電阻。其結果，可提高功能元件1A之檢測精度。同樣地，使作為第1固定電極指之固定電極指392A、394A、396A、398A自基部399突出而形成為一體。藉此，可減小固定電極指392A、394A、396A、398A之間之電阻。其結果，可提高功能元件1A之檢測精度。
根據以上說明之第2實施形態之功能元件1A，與上述第1實施形態之功能元件1同樣地，亦可謀求高感度化，並且可形成耐衝擊性優異者。
<第3實施形態>
其次，對本發明之功能元件之第3實施形態進行說明。
圖11係表示本發明之第3實施形態之功能元件之平面圖，圖12係圖11所示之功能元件之局部放大剖面圖。
除固定電極部之構成不同以外，本實施形態之功能元件與上述第1實施形態之功能元件為相同。
再者，於以下說明中，關於第3實施形態之功能元件，以與上述實施形態之不同點為中心進行說明，關於相同之事項則省略其說明。又，圖11、12中，對於與上述第1實施形態相同之構成標註相同符號。
本實施形態之功能元件1B係於絕緣基板2之上表面接合有元件片3B。
元件片3B包含固定部31、32、可動部33、連結部34、35、可動電極部36、37、及固定電極部38B、39B。
固定電極部38B具有以形成相對於可動電極部36之複數個可動電極指361~365而隔開間隔地嚙合之梳齒狀之方式排列之複數個固定電極指381B~388B。
上述複數個固定電極指381B~388B之與可動部33為相反側之端部分別於+Y方向側之部分接合於絕緣基板2之上表面之空洞部21。而且，各固定電極指381B~388B中，將其被固定之側之端作為固定端，自由端朝-Y方向延伸。
該固定電極指381B、382B、383B、384B、385B、386B、387B、388B係自-X方向側朝+X方向側依序排列。而且以如下方式而設置：固定電極指381B、382B與上述可動電極指361、362之間相對；固定電極指383B、384B與可動電極指362、363之間相對；固定電極指385B、386B與可動電極指363、364之間相對；固定電極指387B、388B與可動電極指364、365之間相對。
此處，固定電極指382B、384B、386B、388B分別為第1固定電極指，固定電極指381B、383B、385B、387B分別為於絕緣基板2上相對於該第1固定電極指而隔開空隙地分開之第2固定電極指。如此，複數個固定電極指381B~388B包含交替排列之複數個第1固定電極指及複數個第2固定電極指。
特別於作為第1固定電極指之各固定電極指382B、384B、386B、388B中，設置有於其厚度方向貫通之作為第1導體部之導體部73。經由該導體部73而將各固定電極指382B、384B、386B、388B電性連接於配線41。又，於作為第2固定電極指之各固定電極指381B、383B、385B、387B中，設置有於其厚度方向貫通之作為第2導體部之導體部71。經由該導體部71而將各固定電極指381B、383B、385B、387B電性連接於配線42。
同樣地，固定電極部39B具有以形成相對於上述可動電極部37之複數個可動電極指371~375而隔開間隔地嚙合之梳齒狀之方式排列之複數個固定電極指391B~398B。上述複數個固定電極指391B~398B之與可動部33為相反側之端部分別於-Y方向側之部分接合於絕緣基板2之上表面之空洞部21。而且，各固定電極指391B~398B中，將其被固定之側之端作為固定端，自由端朝+Y方向延伸。
該固定電極指391B、392B、393B、394B、395B、396B、397B、398B係自-X方向側朝+X方向側依序排列。而且以如下方式而設置：固定電極指391B、392B與上述可動電極指371、372之間相對；固定電極指393B、394B與可動電極指372、373之間相對；固定電極指395B、396B與可動電極指373、374之間相對；固定電極指397B、398B與可動電極指374、375之間相對。
此處，固定電極指392B、394B、396B、398B分別為第1固定電極指，固定電極指391B、393B、395B、397B分別為於絕緣基板2上相對於該第1固定電極指而隔以空隙地分開之第2固定電極指。如此，複數個固定電極指391B~398B包含交替排列之複數個第1固定電極指及複數個第2固定電極指。
特別於作為第1固定電極指之各固定電極指392B、394B、396B、398B中，設置有於其厚度方向貫通之作為第1導體部之導體部74。經由該導體部74而將各固定電極指392B、394B、396B、398B電性連接於配線41。又，於作為第2固定電極指之各固定電極指391B、393B、395B、397B中，設置有於其厚度方向貫通之作為第2導體部之導體部72。經由該導體部72而將各固定電極指391B、393B、395B、397B電性連接於配線42。
此處，對導體部71~74進行具體說明。再者，導體部71~74為彼此相同之構成，故而以設置於固定電極指391B中之導體部71為代表進行說明。
如圖12所示，於固定電極指391B上，形成有於其厚度方向貫通之貫通孔3911。該貫通孔3911係形成於與配線42上之突起472對應之位置，於貫通孔3911之內周面上及突起472上形成有導體部71。
藉由設置上述導體部71~74，可分別更確實使作為第1固定電極指之各固定電極指382、384、386、388、392、394、396、398與作為第1配線之配線41電性連接、及作為第2固定電極指之各固定電極指381、383、385、387、391、393、395、397與作為第2配線之配線42電性連接。
上述導體部71~74可藉由使用上述之成膜方法而形成。
根據以上說明之第3實施形態之功能元件1B，與上述第1實施形態之功能元件1同樣地，亦可謀求高感度化，並且可形成耐衝擊性優異者。
(物理量感測器)
其次，根據圖13說明使用本發明之功能元件之物理量感測器。
圖13係表示本發明之物理量感測器之一例之模式圖。
圖13所示之物理量感測器200包含上述功能元件1、及電性連接於功能元件1之電子零件201。
電子零件201係例如積體電路元件(IC，Integrated Circuit)，具有驅動功能元件1之功能。藉由於該電子零件201中形成角速度檢測電路或加速度檢測電路而可將物理量感測器200作為陀螺感測器或加速度感測器而構成。
再者，圖13中圖示物理量感測器200具有1個功能元件1之情形，但物理量感測器200亦可具有複數個功能元件1。又，物理量感測器200亦可具有功能元件1、及與功能元件1不同之構成之功能元件。
上述物理量感測器200由於具有感度及耐衝擊性優異之功能元件1，故而具有優異之可靠性。
(電子機器)
其次，說明本發明之電子機器。
圖14係表示應用本發明之電子機器之行動型(或筆記型)個人電腦之構成之立體圖。
於該圖中，個人電腦1100包含具有鍵盤1102之主體部1104、及顯示單元1106，顯示單元1106經由鉸鏈構造部而可旋動地支撐於主體部1104。
於上述個人電腦1100中內置有功能元件1。
圖15係表示應用本發明之電子機器之行動電話機(亦包含PHS，Personal Handy-phone System，個人手持電話系統)之構成之立體圖。
於該圖中，行動電話機1200具有天線(未圖示)、複數個操作按鈕1202、聽筒1204及話筒1206，於操作按鈕1202與聽筒1204之間配置有顯示部。
於上述行動電話機1200中內置有功能元件1。
圖16係表示應用本發明之電子機器之數位靜態相機之構成的立體圖。再者，於該圖中，亦簡易地圖示與外部機器之連接。
此處，通常之相機係藉由被攝體之光像而使銀鹽照相膠片感光，相對於此，數位靜態相機1300係藉由CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)等攝像元件而將被攝體之光像進行光電轉換並生成攝像信號(圖像信號)。
於數位靜態相機1300之機殼(機體)1302之背面設置有顯示部，成為根據CCD之攝像信號而進行顯示之構成，顯示部係作為將被攝體當作電子圖像進行顯示之取景器而發揮功能。
又，於機殼1302之正面側(圖中背面側)，設置有光學透鏡(攝像光學系)或包含CCD等之受光單元1304。
若攝影者確認顯示部中顯示之被攝體像並按下快門按鈕1306，則該時間點之CCD之攝像信號被傳送、儲存於記憶體1308中。
又，於該數位靜態相機1300中，於機殼1302之側面設置有視頻信號輸出端子1312、及資料通訊用之輸入輸出端子1314。而且，如圖所示，分別視需要而於視頻信號輸出端子1312上連接有電視監視器1430，於資料通訊用之輸入輸出端子1314上連接有個人電腦1440。進而，形成為如下構成：藉由特定之操作，將儲存於記憶體1308中之攝像信號輸出至電視監視器1430或個人電腦1440。
於上述數位靜態相機1300中內置有功能元件1。
該電子機器由於具有高感及耐衝擊性優異之功能元件1，故而具有優異之可靠性。
再者，除圖14之個人電腦(行動型個人電腦)、圖15之行動電話機、及圖16之數位靜態相機之外，本發明之電子機器可應用於例如噴墨式噴出裝置(例如噴墨印表機)、膝上型個人電腦、電視、攝像機、錄影機、汽車導航裝置、呼叫器、電子記事簿(亦包含帶通訊功能)、電子辭典、電子計算機、電子遊戲機、文字處理機、工作站、電視電話、防盜用電視監視器、電子雙筒望遠鏡、POS(point of sale，銷售點)終端、醫療機器(例如電子體溫計、血壓計、血糖計、心電圖測量裝置、超音波診斷裝置、電子內視鏡)、魚群探測機、各種測定機器、計量儀器類(例如車輛、航空機、船舶之計量儀器類)、及飛行模擬器(Flight Simulator)等。
以上，根據圖示之實施形態對本發明之功能元件、功能元件之製造方法、物理量感測器及電子機器進行了說明，但本發明並不限定於該等。
例如，若以成梳齒狀之方式排列之複數個固定電極指之至少1個固定電極指相對於其他固定電極指而於絕緣基板上分離，則固定電極部並不限定於上述之實施形態。
又，固定電極部之複數個固定電極指、及以與其嚙合之方式設置之可動電極部之複數個可動電極指之個數、配置及大小等之形態並不限定於上述實施形態。
又，可以使可動部於Y軸方向移位之方式構成，亦可以使可動部繞與X軸平行之軸線而旋動之方式構成。該情形時，根據由可動電極指與固定電極指之對向面積之變化所引起之靜電電容變化而檢測物理量即可。
又，於上述實施例中，對將功能元件1用作物理量感測器元件之情形進行了說明，但並不限於物理量感測器元件，亦可將本發明之功能元件用作例如藉由對固定電極指與可動電極指施加不同之電壓並借助庫倫力驅動可動電極指而以固有頻率振盪之共振器。
1、1A、1B．．．功能元件
2．．．絕緣基板
3、3A、3B．．．元件片
4．．．導體圖案
5．．．蓋構件
6、106、106A．．．絕緣膜
21．．．空洞部
22、23、24、51．．．凹部
31、32．．．固定部
33．．．可動部
34、35．．．連結部
36、37．．．可動電極部
38、38A、38B、39、39A、39B．．．固定電極部
41、42、43．．．配線
44、45、46．．．電極
50、471、472、481、482．．．突起
71、72、73、74．．．導體部
101．．．接合體
102、102A、103、103A．．．基板
105．．．蓋構件
200．．．物理量感測器
201．．．電子零件
221、222．．．間隙
341、342、351、352．．．樑
361~365、371~375．．．可動電極指
381~388、391~398、381A~388A、391A~398A、381B~388B、391B~398B．．．固定電極指
389、399．．．基部
1100．．．個人電腦
1102．．．鍵盤
1104．．．主體部
1106．．．顯示單元
1200．．．行動電話機
1202．．．操作按鈕
1204．．．聽筒
1206．．．話筒
1300．．．數位靜態相機
1302．．．機殼
1304．．．受光單元
1306．．．快門按鈕
1308．．．記憶體
1312．．．視頻信號輸出端子
1314．．．輸入輸出端子
1430．．．電視監視器
1440．．．個人電腦
3911．．．貫通孔
圖1係表示本發明之第1實施形態之功能元件之立體圖。
圖2係表示圖1所示之功能元件之平面圖。
圖3係圖2中之A-A線剖面圖。
圖4係圖3之局部放大圖(局部放大剖面圖)。
圖5係圖2中之B-B線剖面圖。
圖6係圖5之局部放大圖(局部放大剖面圖)。
圖7(a)-(e)係用以說明圖1所示之功能元件之製造方法之圖。
圖8(a)-(c)係用以說明圖1所示之功能元件之製造方法之圖。
圖9(a)-(d)係用以說明圖7(c)所示之步驟(形成配線、接點、絕緣膜之步驟)之圖。
圖10係表示本發明之第2實施形態之功能元件之平面圖。
圖11係表示本發明之第3實施形態之功能元件之平面圖。
圖12係圖11所示之功能元件之局部放大剖面圖。
圖13係表示本發明之物理量感測器之一例之模式圖。
圖14係本發明之電子機器(筆記型電腦)。
圖15係本發明之電子機器(行動電話機)。
圖16係本發明之電子機器(數位靜態相機)。
1．．．功能元件
2．．．絕緣基板
3．．．元件片
4．．．導體圖案
5．．．蓋構件
21．．．空洞部
31、32．．．固定部
33．．．可動部
34、35．．．連結部
36、37．．．可動電極部
38、39．．．固定電極部
41、42、43．．．配線
44、45、46．．．電極
50、471、472、481、482．．．突起
51．．．凹部
341、342、351、352．．．樑
361~365、371~375．．．可動電極指
381~388、391~398．．．固定電極指
Claims (14)
- 一種功能元件，其特徵在於包含：絕緣基板，其包含含有鹼金屬離子之材料；及固定電極，其設置於上述絕緣基板上，且包含半導體；上述固定電極係藉由陽極接合法而接合於上述絕緣基板。
- 如請求項1之功能元件，其包含可動電極，該可動電極與上述固定電極對向地配置；上述固定電極包含：第1固定電極，其配置於上述可動電極之一側；及第2固定電極，其配置於上述可動電極之另一側，上述第1固定電極與上述第2固定電極係彼此分開而配置。
- 如請求項2之功能元件，其中於上述絕緣基板設置有固定部，上述可動電極經由連結部而連接於上述固定部。
- 如請求項1至3之任一功能元件，其中於上述絕緣基板設置有與上述固定電極電性連接之配線。
- 如請求項4之功能元件，其中於上述絕緣基板設置有凹部，上述配線設置於上述凹部內。
- 如請求項5之功能元件，其中上述固定電極經由具有導電性之突起而連接於上述配線。
- 如請求項4之功能元件，其中上述配線包含設置有絕緣膜之部分。
- 如請求項4之功能元件，其中於上述固定電極設置有於厚度方向貫通之導體部，上述導體部連接於上述配線。
- 如請求項4之功能元件，其中上述配線包含透光性之電極材料。
- 如請求項1至3之任一功能元件，其中上述固定電極由單一之構件構成。
- 如請求項1至3之任一功能元件，其中上述固定電極設置有複數個，複數之上述固定電極彼此係設置為一體。
- 一種功能元件之製造方法，其特徵在於包含以下步驟：藉由陽極接合法，將包含半導體之第2基板接合於包含含有鹼金屬離子之材料的第1基板；藉由蝕刻上述第2基板而形成設置於上述第1基板上之固定電極。
- 一種物理量感測器，其特徵在於包含請求項1至3之任一功能元件。
- 一種電子機器，其特徵在於包含請求項1至3之任一功能元件。
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| JP6331535B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2018-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子機器および移動体 |
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| CN105301283B (zh) * | 2014-06-17 | 2019-02-19 | 精工爱普生株式会社 | 功能元件、电子设备及移动体 |
| JP6330530B2 (ja) * | 2014-07-07 | 2018-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体 |
| JP2016042074A (ja) | 2014-08-13 | 2016-03-31 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、電子機器および移動体 |
| JP2016095143A (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-26 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体 |
| JP6575187B2 (ja) * | 2015-07-10 | 2019-09-18 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体 |
| JP6485260B2 (ja) * | 2015-07-10 | 2019-03-20 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体 |
| JP2017053742A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器、および移動体 |
| JP6750439B2 (ja) | 2016-09-30 | 2020-09-02 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子デバイス装置、電子機器および移動体 |
| JP6866624B2 (ja) * | 2016-12-07 | 2021-04-28 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 |
| JP2019045287A (ja) | 2017-09-01 | 2019-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、電子機器、および移動体 |
| JP6896576B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2021-06-30 | 株式会社東芝 | ガスセンサおよびその製造方法 |
| DE102020210119A1 (de) | 2020-08-11 | 2022-02-17 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Antriebsstruktur, mikromechanisches System, Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Systems, Verfahren zum Betreiben eines mikromechanischen Systems |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW512231B (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-01 | Mitsubishi Electric Corp | Acceleration sensor and method for preparing the same |
| CN1605871A (zh) * | 2004-10-18 | 2005-04-13 | 北京大学 | 梳齿电容式z轴加速度计及其制备方法 |
| US20100176466A1 (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | Denso Corporation | Semiconductor device and method of making the same |
Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0543901B1 (en) | 1990-08-17 | 1995-10-04 | Analog Devices, Inc. | Monolithic accelerometer |
| US5314572A (en) * | 1990-08-17 | 1994-05-24 | Analog Devices, Inc. | Method for fabricating microstructures |
| JP2602999B2 (ja) | 1991-01-22 | 1997-04-23 | 三菱電機株式会社 | プログラマブルコントローラ |
| JP3367113B2 (ja) | 1992-04-27 | 2003-01-14 | 株式会社デンソー | 加速度センサ |
| CA2154357C (en) | 1993-02-04 | 2004-03-02 | Kevin A. Shaw | Microstructures and single-mask, single-crystal process for fabrication thereof |
| DE4419844B4 (de) | 1994-06-07 | 2009-11-19 | Robert Bosch Gmbh | Beschleunigungssensor |
| JP3312158B2 (ja) * | 1994-11-08 | 2002-08-05 | オムロン株式会社 | 半導体物理量センサ |
| JPH08186275A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Murata Mfg Co Ltd | 振動素子およびその作製方法 |
| DE19537814B4 (de) * | 1995-10-11 | 2009-11-19 | Robert Bosch Gmbh | Sensor und Verfahren zur Herstellung eines Sensors |
| DE19758847B4 (de) | 1996-02-05 | 2007-10-31 | Denso Corp., Kariya | Halbleitersensor für eine physikalische Grösse |
| JP3430771B2 (ja) * | 1996-02-05 | 2003-07-28 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサの製造方法 |
| US5880369A (en) * | 1996-03-15 | 1999-03-09 | Analog Devices, Inc. | Micromachined device with enhanced dimensional control |
| JP2002510139A (ja) | 1998-01-15 | 2002-04-02 | コーネル・リサーチ・ファンデーション・インコーポレイテッド | ミクロ加工デバイスのトレンチアイソレーション |
| JP4003326B2 (ja) * | 1998-02-12 | 2007-11-07 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサおよびその製造方法 |
| JP4238437B2 (ja) * | 1999-01-25 | 2009-03-18 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサとその製造方法 |
| DE10066435B4 (de) * | 1999-07-26 | 2012-03-08 | Denso Corporation | Halbleitersensor für eine physikalische Größe |
| US6536280B1 (en) * | 2000-09-12 | 2003-03-25 | Ic Mechanics, Inc. | Thin film MEMS sensors employing electrical sensing and force feedback |
| EP1396727A4 (en) * | 2001-06-13 | 2009-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | SILICON DEVICE |
| DE10196538B3 (de) * | 2001-06-21 | 2015-08-13 | Mitsubishi Denki K.K. | Herstellungsverfahren für einen Dünnschicht-Konstruktionskörper |
| JP2003240797A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加速度センサ |
| JP2003344445A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 慣性力センサ |
| JP2004028912A (ja) | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電容量型加速度センサおよびその製造方法 |
| JP2004294332A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
| JP2004325361A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Fujikura Ltd | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 |
| JP2004361388A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 容量型慣性力検出装置 |
| US7267006B2 (en) * | 2004-02-27 | 2007-09-11 | Bae Systems Plc | Accelerometer |
| JP2006349563A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | 慣性力センサ |
| JP2007051935A (ja) | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Alps Electric Co Ltd | 静電容量型圧力センサ及び静電容量型圧力センサの製造方法 |
| US8176782B2 (en) * | 2006-04-28 | 2012-05-15 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Capacitive sensor |
| JP2008039565A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Seiko Epson Corp | 電子機器及び電子機器の時刻修正方法 |
| US7616153B2 (en) | 2006-08-04 | 2009-11-10 | Seiko Epson Corporation | Electronic device and time adjustment method |
| JP2008039595A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Alps Electric Co Ltd | 静電容量型加速度センサ |
| JP2008039593A (ja) | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Alps Electric Co Ltd | 静電容量型加速度センサ |
| JP2010186956A (ja) | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Seiko Instruments Inc | ガラス封止型パッケージの製造方法、ガラス封止型パッケージの製造装置および発振器 |
| JP5083256B2 (ja) * | 2009-03-20 | 2012-11-28 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8220330B2 (en) | 2009-03-24 | 2012-07-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Vertically integrated MEMS sensor device with multi-stimulus sensing |
| JP5750867B2 (ja) * | 2010-11-04 | 2015-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサーおよび電子機器 |
| JP5790297B2 (ja) * | 2011-08-17 | 2015-10-07 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー及び電子機器 |
-
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-
2011
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-
2015
- 2015-06-16 US US14/740,911 patent/US9678100B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW512231B (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-01 | Mitsubishi Electric Corp | Acceleration sensor and method for preparing the same |
| CN1605871A (zh) * | 2004-10-18 | 2005-04-13 | 北京大学 | 梳齿电容式z轴加速度计及其制备方法 |
| US20100176466A1 (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | Denso Corporation | Semiconductor device and method of making the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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