TWI464798B - A substrate processing apparatus and a substrate processing method - Google Patents
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Description
本發明係關於一種藉由處理液對LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)或PDP(Plasma Display Panel，電漿顯示面板)等FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用玻璃基板、有機EL(Electro-Luminescence，電致發光元件)用玻璃基板、光罩用玻璃基板、太陽電池面板用基板、光碟用基板或印刷基板等方形基板進行處理之基板處理裝置及基板處理方法。
例如，於利用蝕刻液處理基板之基板處理裝置中為如下構成，即，一面藉由搬送輥支撐基板之下表面而沿水平方向進行搬送，一面向基板之表面供給蝕刻液而對基板進行蝕刻處理。
再者，於專利文獻1中，揭示有將晶圓以傾斜狀態浸漬於藉由溢流而產生上升流之洗淨液中，並且自晶圓之橫向將兆頻超音波振動賦予至洗淨液之基板清洗裝置。
專利文獻1：日本專利特開平7-211684號公報
於上述藉由搬送輥支撐基板之下表面而進行搬送之習知之基板處理裝置中，供給至基板之蝕刻液可能會流回至基板之背面側而滲入至搬送輥之表面與基板之背面之間。於此種情況下，伴隨因搬送輥之旋轉而產生之基板之移動，滲入至搬送輥之表面與基板之背面之間的蝕刻液亦移動，從而該蝕刻液會呈條帶狀地殘存於基板之背面側。
例如，於為藉由氫氟酸對生成於玻璃基板之表面上之氧化矽膜進行蝕刻處理的蝕刻處理步驟之情況下，該基板之處理步驟存在基板之背面側由如上述般呈條帶狀殘存之處理液蝕刻之問題。於產生此種現象之情況下，會於玻璃基板之背面側產生蝕刻不均，從而無法均勻地對基板之表面及背面兩面進行蝕刻處理。此種問題於藉由搬送輥於處理室內使基板僅以固定時間往返移動而進行處理之情況下尤其成為問題。
再者，上述專利文獻1所記載之基板清洗裝置係用於防止清洗槽與基板之交叉污染者，但其無法應對搬送大型基板而進行處理之情況。
本發明係為了解決上述課題而完成者，其目的在於提供一種可均勻地處理基板之表面及背面兩面之基板處理裝置及基板處理方法。
第1發明係一種基板處理裝置，其係將方形之基板浸漬於處理液中而進行處理者，其特徵在於包括：處理槽，其處理
上述基板；搬送輥，其配設於上述處理槽內，且沿水平方向搬送上述基板；液位調整機構，其包括：供給手段，其自蓄積有處理液之蓄積槽向上述處理槽內供給處理液；及排出手段，其將處理液自上述處理槽排出至上述蓄積槽；且於較藉由上述搬送輥搬送之基板之上表面更上方之位置與較藉由上述搬送輥搬送之基板之下表面更下方之位置之間，變更上述處理槽中之處理液之液位；以及處理液吐出手段，其於上述基板配置於處理槽內所蓄積之處理液中之狀態下，自上述搬送輥之下方吐出處理液，藉此使上述基板浮起至較上述搬送輥更上方之位置為止。
第2發明係如第1發明所記載之基板處理裝置，其包括防浮起構件，該防浮起構件係防止上述基板浮起至蓄積於上述處理槽內之處理液之液面為止。
第3發明係如第2發明，其中，上述防浮起構件係配設於在上述基板藉由上述處理液吐出手段浮起至較上述搬送輥更上方之位置時可與該基板中之朝向上述搬送輥之基板搬送方向的一對端緣抵接之位置，且具有相對於上述基板之主面傾斜之傾斜面。
第4發明係如第3發明，其中，上述防浮起構件具有外徑隨著朝向上方而增大且軸芯配設於朝向垂直方向之方向的圓錐台形狀，且其係配設於可與藉由上述處理液吐出手段而浮起至較上述搬送輥更上方之位置的基板之端緣抵接之位
置。
第5發明係如第1發明，其中，上述搬送輥包括一對抵接部，該一對抵接部僅與朝向該搬送輥之基板搬送方向的一對端緣抵接。
第6發明係如第5發明，其中，上述抵接部包括複數個輥狀構件，該複數個輥狀構件係與上述搬送輥之上述基板之搬送方向相正交，且以朝向水平方向之軸為中心而相互配設於同軸上，並且於上述基板之中央部側其直徑較小，於上述基板之端緣部側其直徑較大。
第7發明係如第5發明，其中，上述抵接部具有如下圓錐台形狀，即，與上述搬送輥之上述基板之搬送方向正交，且以朝向水平方向之軸為中心而配設，並且於上述基板之中央部側其直徑較小，於上述基板之端緣部側其直徑較大。
第8發明係如第1發明，其包括複數個導輥，該複數個導輥係僅以與上述基板中之朝向上述搬送輥之基板搬送方向的一對端緣間之距離相同之距離而相互間隔開，並且能夠以朝向垂直方向之軸為中心而旋轉。
第9發明係如第8發明，其中，上述導輥與上述基板之搬送速度同步旋轉。
第10發明係如第9發明，其中，上述導輥於較上述搬送輥之上端更上方且較蓄積於上述處理槽內之處理液之液面更下方之位置包括凸緣部。
第11發明係如第1發明，其包括導引構件，該導引構件係配設於僅以與上述基板中之朝向上述搬送輥之基板搬送方向的一對端緣間之距離相比更大之距離而相互間隔開之位置，且可抵接至上述一對端緣；並且包括處理液噴出部，該處理液噴出部藉由沿與上述搬送輥之基板搬送方向交叉之方向噴出上述處理液，而於上述基板藉由上述處理液吐出手段浮起至較上述搬送輥更上方之位置時，使該基板朝其一端緣抵接於上述導引構件之方向移動。
第12發明係如第1至第11發明中任一項，其中，上述處理液係用以對基板進行蝕刻處理之蝕刻液。
第13發明係一種基板處理方法，其係將方形之基板浸漬於處理液中而進行處理者，其特徵在於包括：處理液供給步驟，其向處理槽供給處理液而於處理槽內蓄積處理液；基板搬入步驟，其藉由搬送輥搬送基板而使其進入至蓄積有上述處理液之處理槽內；處理液吐出步驟，其藉由自上述基板之下表面吐出處理液，而使上述基板浮起至較上述搬送輥更上方且較蓄積於上述處理槽內之處理液之液面更下方之位置為止；基板下降步驟，其停止處理液之吐出而使上述基板下降至與上述搬送輥抵接之位置為止；及基板搬出步驟，其藉由上述搬送輥搬送上述基板而使其自處理槽退出。
第14發明係如第13發明，其中，於上述基板下降步驟與上述基板搬出步驟之間，包括處理液排出步驟，該處理液排
出步驟係排出蓄積於上述處理槽中之處理液。
根據第1及第13發明，可防止於基板之背面側產生之處理不均，從而可均勻地處理基板之表面及背面兩面。
根據第2發明，可防止基板浮起至處理液之液面為止，從而可均勻地處理基板之表面及背面兩面。
根據第3及第4發明，無論基板之朝向搬送方向的一對端緣間之寬度尺寸如何，均可防止基板浮起至處理液之液面為止。
根據第5發明，藉由防止基板之端緣以外之部分與搬送輥接觸，可防止於基板之背面側產生處理不均，從而可均勻地處理基板之表面及背面兩面。
根據第6發明及7發明，即使於基板之朝向搬送方向的一對端緣間之寬度尺寸不同之情況下，亦可僅支撐基板之端緣而搬送基板。
根據第8發明，即使於基板浮起之情況下，亦可將基板之位置維持為固定。
根據第9發明，可不損傷基板之端緣地引導基板。
根據第10發明，可防止基板浮起至處理液之液面為止，從而可均勻地處理基板之表面及背面兩面。
根據第11發明，於基板浮起之情況下，無論基板之朝向搬送方向的一對端緣間之寬度尺寸如何，均可將基板之位置
維持為固定。
根據第12發明，可均勻地對基板之表面及背面兩面進行蝕刻處理。
根據第14發明，可降低基板搬出步驟中之處理液之帶走量。
以下，基於圖式說明本發明之實施形態。圖1係本發明之基板處理裝置之側視概要圖，圖2係表示其主要部分之前視概要圖。又，圖3係表示防浮起構件61與搬送輥21之配置關係之平面圖。再者，於圖1中，已省略防浮起構件61等之圖示。
該基板處理裝置係用於藉由蝕刻液對玻璃基板100進行蝕刻處理者，其包括將玻璃基板100自其下表面支撐而搬送之數個搬送輥21。又，該基板處理裝置包括：處理槽11，其用以處理玻璃基板100；處理液之回收槽12；及蓄積槽13，其蓄積處理液。又，該基板處理裝置包括作為自搬送輥21之下方朝向玻璃基板100吐出蝕刻液之蝕刻液吐出手段的多數個噴霧噴嘴22。
於處理槽11中形成有玻璃基板100之搬入口43及搬出口44，並且配設有打開及關閉搬入口43之擋閥14以及打開及關閉搬出口44之擋閥15。又，於該處理槽11之下表面附設有蝕刻液之供給管16及蝕刻液之排出管17。供給管16
係經由管路31及配設於管路31處之泵24而與蓄積槽13連結。又，排出管17係經由管路33及配設於管路33處之開關閥26而與蓄積槽13連結。進而，各噴霧噴嘴22係經由管路32及配設於管路32處之流量可變泵25而與蓄積槽13連結。
該流量可變泵25例如具有包括換流器之流量調整電路，且其用於藉由調整自各噴霧噴嘴22吐出之蝕刻液之流量而使玻璃基板100浮起至較搬送輥21更上方之位置為止。再者，亦可代替使用流量可變泵25而使用普通泵，且於該普通泵與各噴霧噴嘴22之間配設流量調整閥，藉此調整自各噴霧噴嘴22吐出之蝕刻液之流量。
回收槽12係用以回收自處理槽11等流下之蝕刻液者。於該回收槽12之下表面附設有蝕刻液之回收管18。回收管18係經由管路34及配設於管路34處之開關閥27而與蓄積槽13連結。又，於與處理槽11之搬出口44相對向且處於回收槽12之上方之位置，配設有用以除去附著於玻璃基板100上之蝕刻液之一對氣刀23。
如圖2所示，搬送輥21包括：一對抵接部50，其僅抵接玻璃基板100之朝向搬送方向之一對端緣；及連結軸54，其連結該等抵接部50。又，各抵接部50包括與玻璃基板100之搬送方向正交，且以朝向水平方向之軸為中心而互相配設於同軸上之3個呈圓盤形狀之輥狀構件51、52、53。該等
輥狀構件51、52、53越配置於玻璃基板100之中央部側則其直徑越小，越配置於端緣部側則其直徑越大。再者，於圖2中，為便於理解，將輥狀構件51、52、53之外徑圖示為大於實際。
如圖2及圖3所示，於蓄積於處理槽11內之蝕刻液之液面中的複數個搬送輥21間之位置，配設有防浮起構件61，該防浮起構件61係於使玻璃基板100浮起至較搬送輥21之更上方而進行處理時防止該玻璃基板100浮起至蓄積於處理槽11內之蝕刻液之液面為止。該防浮起構件61具有外徑隨著朝向上方而增大且軸芯配設於朝向垂直方向之方向的圓錐台形狀。該防浮起構件61係支撐為相對於朝向垂直方向之支軸62而可旋轉。如下所述，該防浮起構件61於可與藉由自各噴霧噴嘴22吐出之蝕刻液之作用而移動至較搬送輥21之更上方的玻璃基板100之兩端緣抵接之位置，以固定間距配置有複數個。具有該圓錐台形狀之防浮起構件61之錐體面(側面)為相對於玻璃基板100之主面而傾斜之傾斜面。
圖4係表示本發明之基板處理裝置之主控制系統之方塊圖。
該基板處理裝置包括：ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)81，其存儲有裝置之控制所需之動作程式；RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)82，其於控
制時暫時儲存資料等；及CPU(Central Processing Unit，中央處理器)83，其執行邏輯運算；且包括控制裝置整體之控制部80。該控制部80經由介面84而與圖1所示之流量可變泵25、泵24、開關閥26、27連接。又，該控制部80經由介面84而亦與用以對搬送輥21進行旋轉驅動之馬達28連接。
再者，泵24、開關閥26及控制部80係作為本發明之液位調整機構而發揮作用，該液位調整機構係於較藉由搬送輥21搬送之玻璃基板100之上表面更上方之位置與較藉由搬送輥21搬送之玻璃基板100之下表面更下方之位置之間，變更處理槽11中之蝕刻液之液位。又，流量可變泵25及控制部80係作為本發明之處理液吐出手段而發揮作用，該處理液吐出手段係於玻璃基板100配置於處理槽11內所蓄積之處理液中之狀態下，自搬送輥21之下方吐出蝕刻液，藉此使玻璃基板100浮起至較搬送輥21更上方之位置為止。
繼而，對使用上述基板處理裝置之玻璃基板100之處理步驟進行說明。圖5係表示使用本發明之基板處理裝置的玻璃基板100之蝕刻處理步驟之說明圖。又，圖6係表示使用本發明之基板處理裝置的玻璃基板100之蝕刻處理步驟之流程圖。進而，圖7及圖8係表示蝕刻處理中之基板處理裝置之主要部分之前視概要圖。再者，圖7係表示對朝向搬送方向之一對端緣間之距離(寬度尺寸)較小的玻璃基板100進行
處理之情況，圖8係表示對朝向搬送方向之一對端緣間之距離(寬度尺寸)較大的玻璃基板100進行處理之情況。
於藉由該基板處理裝置對玻璃基板100進行蝕刻處理時，首先自蓄積槽13向處理槽11供給蝕刻液而於處理槽11內蓄積蝕刻液(步驟S1)。此時，關閉開關閥26，並且藉由泵24之作用，經由管路31而將蓄積槽13內之蝕刻液輸送至處理槽11，藉此使蝕刻液之液位處於較搬送輥21之上表面之更上方。於該蝕刻液供給步驟中，搬入口43係藉由擋閥14而關閉，搬出口44係藉由擋閥15而關閉。
於該狀態下，如圖1及圖5(a)所示，藉由搬送輥21搬送玻璃基板100而將該玻璃基板100搬入至處理槽11(步驟S2)。此時，玻璃基板100係藉由搬送輥21中之抵接部50支撐而搬送。該抵接部50於僅抵接玻璃基板100之朝向搬送方向之一對端緣之狀態下，對應於玻璃基板100之搬送速度而旋轉。
即，於對朝向搬送方向之一對端緣間之距離(寬度尺寸)較小的玻璃基板100進行處理之情況下，如於圖7中以假想線所示，玻璃基板100係於朝向搬送方向之一對端緣藉由輥狀構件53支撐且藉由輥狀構件52引導之狀態下得以搬送。又，於對朝向搬送方向之一對端緣間之距離(寬度尺寸)較大的玻璃基板100進行處理之情況下，如於圖8中以假想線所示，玻璃基板100係於朝向搬送方向之一對端緣藉由輥狀構
件52支撐且藉由輥狀構件51引導之狀態下得以搬送。
於該基板搬入步驟中，將搬入口43之擋閥14打開。因此，處理槽11內之蝕刻液自搬入口43流下至回收槽12，並經由管路34而回收至蓄積槽13。即使於該情況下亦可藉由將泵24之蝕刻液之供給量維持於固定量以上，而使處理槽11中之蝕刻液之液位維持為固定。
若玻璃基板100已完全收納於處理槽11內，則藉由擋閥14關閉搬入口43。繼而，藉由利用流量可變泵25之作用自噴霧噴嘴22吐出蝕刻液，而如圖5(b)所示，使玻璃基板100浮起至較搬送輥21更上方且較蓄積於處理槽11中之蝕刻液之液面更下方之位置為止(步驟S3)。藉由將該狀態維持固定時間而執行對玻璃基板100之蝕刻處理。於該情況下，由於玻璃基板100之背面係自搬送輥21隔開，因此可防止於玻璃基板100之背面側產生之不均，從而可均勻地處理玻璃基板100。
於該蝕刻處理時，係藉由利用流量可變泵25之作用控制自噴霧噴嘴22吐出之蝕刻液之流量而使玻璃基板100浮起至較搬送輥21更上方之位置為止。於該蝕刻處理時，在玻璃基板100較大程度地浮起至搬送輥21之上方之情況下，如於圖7及圖8中以實線所示，該玻璃基板100之兩端緣與具有圓錐台形狀之防浮起構件61之錐體面(側面)抵接。因此，可有效地防止玻璃基板100浮起至蓄積於處理槽11內
之蝕刻液之液面為止。
於該情況下，由於防浮起構件61具有外徑隨著朝向上方而增大且軸芯配設於朝向垂直方向之方向的圓錐台形狀，因此如圖7及圖8所示，無論玻璃基板100中之朝向搬送方向之一對端緣間之距離(寬度尺寸)如何，均可有效地防止該玻璃基板100之浮起。
若玻璃基板100已充分進行蝕刻處理，則停止自噴霧噴嘴22吐出蝕刻液，並如圖5(c)所示，使玻璃基板100下降至與搬送輥21抵接之位置為止(步驟S4)。藉由該下降步驟，玻璃基板100由搬送輥21支撐。
繼而，排出蓄積於處理槽11內之蝕刻液(步驟S5)。於該蝕刻液排出步驟中，藉由停止泵24，並且將開關閥26打開，而經由管路33將處理槽11內之蝕刻液回收至蓄積槽13。於該蝕刻液排出步驟中，將搬入口43之擋閥14打開，並且將搬出口44之擋閥15打開，而使處理槽11內之蝕刻液亦自該等搬入口43及搬出口44排出。自搬入口43及搬出口44排出之蝕刻液由回收槽12接收，並經由管路34及開關閥27回收至蓄積槽13。
若處理槽11內之蝕刻液之排出已完成，則如圖5(d)所示，藉由搬送輥21搬送玻璃基板100而使玻璃基板100自處理槽11退出(步驟S6)。此時，於對朝向搬送方向之一對端緣間之距離(寬度尺寸)較小的玻璃基板100進行處理之情況
下，如於圖7中以假想線所示，玻璃基板100亦係於朝向搬送方向之一對端緣藉由輥狀構件53支撐且藉由輥狀構件52引導之狀態下得以搬送。又，於對朝向搬送方向之一對端緣間之距離(寬度尺寸)較大的玻璃基板100進行處理之情況下，如於圖8中以假想線所示，玻璃基板100係於朝向搬送方向之一對端緣藉由輥狀構件52支撐且藉由輥狀構件51引導之狀態下得以搬送。
而且，於通過處理槽11中之搬出口44的玻璃基板100之兩面，自氣刀23噴出壓縮空氣。藉此，附著於玻璃基板100之兩面之蝕刻液被除去而滴下至回收槽12。於該基板搬出步驟中，由於處理槽11中未蓄積有處理液，且附著於玻璃基板100上之蝕刻液係藉由一對氣刀23而除去，因此可減少帶給至下一階段之處理步驟之蝕刻液之量。
繼而，對本發明之其他實施形態進行說明。圖9係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置之主要部分之前視概要圖。又，圖10及圖11係表示蝕刻處理中之基板處理裝置之主要部分之前視概要圖。再者，圖10係表示對朝向搬送方向之一對端緣間之距離(寬度尺寸)較小的玻璃基板100進行處理之情況，圖11係表示對朝向搬送方向之一對端緣間之距離(寬度尺寸)較大的玻璃基板100進行處理之情況。
該第2實施形態之搬送輥21包括一對抵接部55及連結軸54。即，於上述第1實施形態中，作為搬送輥21中之抵接
部50，如圖2、圖7及圖8所示，係採用包括互相配設於同軸上之3個呈圓盤形狀之輥狀構件51、52、53者。與此相對，於該第2實施形態中，如圖9至圖11所示，作為抵接部55，係採用具有如下圓錐台形狀者，即，與玻璃基板100之搬送方向正交，且配設於朝向水平方向之連結軸54之兩端，並且於玻璃基板100之中央部側其直徑較小，於玻璃基板100之端緣部側其直徑較大。再者，於圖9至圖11中，為便於理解，亦係將抵接部55之外徑圖示為大於實際。
於使用該第2實施形態之搬送輥21之情況下，如於圖10及圖11中以假想線所示，無論玻璃基板100中之朝向搬送方向之一對端緣間之距離(寬度尺寸)如何變動，均可將玻璃基板100維持於既定之位置(將玻璃基板100中之朝向搬送方向之一對端緣間的中心位置維持為固定)而進行搬送。
繼而，進而說明本發明之另一實施形態。圖12係表示本發明之第3實施形態之基板處理裝置之主要部分之前視概要圖。
如圖12所示，於藉由搬送輥21搬送之玻璃基板100之與搬送方向正交之方向上之兩端部，配設有能以朝向垂直方向之軸為中心而旋轉之導輥63。該導輥63沿玻璃基板100之端緣以成對之狀態排列設置有複數個。又，該導輥63藉由未圖示之馬達之驅動，與藉由搬送輥21搬送之玻璃基板100之搬送速度同步旋轉。該導輥63於上述蝕刻液吐出步驟
中，係作為如下導引構件而發揮作用，即，該導引構件於玻璃基板100浮起至搬送輥21之上方之位置為止時，引導該玻璃基板100之與搬送方向正交之方向之兩端部。
該導輥63間之距離與玻璃基板100中之朝向搬送方向之一對端緣間之距離(寬度尺寸)一致。即，於該實施形態中，前提係對玻璃基板100中之朝向搬送方向之一對端緣間之距離(寬度尺寸)相同的標準尺寸之玻璃基板100進行處理。
於該導輥63之較搬送輥21之上端更上方且較蓄積於處理槽11內之蝕刻液之液面更下方之位置，配設有凸緣部64。該凸緣部64係作為用以防止玻璃基板100浮起至蓄積於處理槽11內之蝕刻液之液面為止的防浮起構件而發揮作用。
繼而，進而說明本發明之另一實施形態。圖13至圖15係表示本發明之第4實施形態之基板處理裝置之主要部分之前視概要圖。
於該第4實施形態之基板處理裝置中，搬送輥21包括：複數個輥狀構件57；及連結軸54，其將該等輥狀構件57連結。又，該第4實施形態之基板處理裝置包括導輥65，該導輥65係配設於僅以與玻璃基板100之朝向搬送輥21之玻璃基板100之搬送方向的一對端緣間之距離(寬度尺寸)相比更大之距離相互間隔開之位置，且可抵接至玻璃基板100之端緣。該導輥65係配設為能以朝向垂直方向之軸66為中心而旋轉。而且，於該等導輥65之間，配設有與第1、
第2實施形態相同之防浮起構件61。
又，該第4實施形態之基板處理裝置包括複數個噴霧噴嘴71，該噴霧噴嘴71藉由沿與搬送輥21之玻璃基板100之搬送方向交叉之方向噴出蝕刻液，而於玻璃基板100浮起至較搬送輥21更上方之位置時，使該玻璃基板100朝其一端緣抵接於導輥65之方向移動。又，於處理槽11之與噴霧噴嘴71相對向之位置，配設有打開及關閉形成於此處之開口部之擋閥72。
自圖1所示之蓄積槽13向該噴霧噴嘴71供給蝕刻液。又，於將擋閥72打開之情況下，處理槽11內之蝕刻液於流下至圖1所示之回收槽12之後，被輸送至蓄積槽13。再者，自噴霧噴嘴71朝向擋閥72方向之蝕刻液之流動方向為與自圖1所示之搬入口43朝向搬出口44之玻璃基板100之搬送方向正交的方向。
於在該第4實施形態之基板處理裝置中執行蝕刻處理之情況下，與第1實施形態之情況相同，如圖5(a)所示，玻璃基板100係藉由搬送輥21搬送而搬入至處理槽11。詳細而言，如圖13所示，玻璃基板100係藉由搬送輥21中之輥狀構件57支撐而搬送。於搬送過程中，玻璃基板100之一端緣與導輥65抵接，因此，玻璃基板100係於藉由該導輥65引導之狀態下得以搬送。
若玻璃基板100已完全收納於處理槽11內，則與第1實
施形態之情況相同，藉由擋閥14關閉搬入口43。繼而，藉由利用流量可變泵25之作用自噴霧噴嘴22吐出蝕刻液，而如圖5(b)所示，使玻璃基板100浮起至較搬送輥21更上方且較蓄積於處理槽11中之蝕刻液之液面更下方之位置為止。於該情況下，如圖14所示，玻璃基板100懸浮於相互成對之導輥65之間之位置。藉由將該狀態維持固定時間而執行對玻璃基板100之蝕刻處理。
若玻璃基板100已充分進行蝕刻處理，則停止自噴霧噴嘴22吐出蝕刻液，如圖5(c)所示，使玻璃基板100下降至與搬送輥21抵接之位置為止。於該情況下，如圖15所示，將擋閥72打開，且自噴霧噴嘴71噴出蝕刻液。藉此，玻璃基板100朝擋閥72之方向移動，於玻璃基板100藉由搬送輥21支撐時，如於圖15中以實線所示，玻璃基板100之一端緣與導輥65抵接。
於該狀態下，與第1實施形態相同，藉由停止泵24，並且將開關閥26打開，而經由管路33將處理槽11內之蝕刻液回收至蓄積槽13。此時，亦可繼續自噴霧噴嘴71噴出蝕刻液。其後，藉由搬送輥21支撐玻璃基板100而進行搬送。於該情況下，亦與圖13所示之情況相同，玻璃基板100之一端緣與導輥65抵接，從而玻璃基板100係於藉由該導輥65引導之狀態下得以搬送。
如上所述，於該第4實施形態之基板處理裝置中，無論玻
璃基板100中之朝向搬送方向之一對端緣間之距離(寬度尺寸)如何變動，均可將玻璃基板100維持於既定之位置(將玻璃基板100中之一端緣之位置維持為固定)而進行搬送。
再者，於上述第1、第2、第4實施形態中，為了防止玻璃基板100浮起至蓄積於處理槽11內之蝕刻液之液面為止，使用有具有外徑隨著朝向上方而增大且軸芯配設於朝向垂直方向之方向之圓錐台形狀的複數個防浮起構件61。然而，若其配設於在玻璃基板100浮起至較搬送輥21更上方之位置時可與玻璃基板100中之朝向搬送方向之一對端緣抵接之位置，且具有相對於玻璃基板100之主面而傾斜之傾斜面，則可使用其他形狀之防浮起構件。作為此種防浮起構件，亦可使用具有相對於玻璃基板100之主面而傾斜之傾斜面，且朝向玻璃基板100之搬送方向之長尺寸構件。
又，於上述實施形態中，係將本發明應用於對玻璃基板100進行蝕刻處理之基板處理裝置及基板處理方法，然而亦可將本發明應用於進行蝕刻以外之清洗、顯影及剝離等各種處理之基板處理裝置及基板處理方法，進而，亦可將本發明應用於對其他類型之基板，例如對印刷基板進行該等各種處理之基板處理裝置及基板處理方法。
11‧‧‧處理槽
12‧‧‧回收槽
13‧‧‧蓄積槽
14、15‧‧‧擋閥
16‧‧‧供給管
17‧‧‧排出管
18‧‧‧回收管
21‧‧‧搬送輥
22‧‧‧噴霧噴嘴
23‧‧‧氣刀
24‧‧‧泵
25‧‧‧流量可變泵
26、27‧‧‧開關閥
28‧‧‧馬達
31、32、33、34‧‧‧管路
43‧‧‧搬入口
44‧‧‧搬出口
50‧‧‧抵接部
51、52、53‧‧‧輥狀構件
54‧‧‧連結軸
55‧‧‧抵接部
57‧‧‧輥狀構件
61‧‧‧防浮起構件
62‧‧‧支軸
63‧‧‧導輥
64‧‧‧凸緣部
65‧‧‧導輥
66‧‧‧軸
71‧‧‧噴霧噴嘴
72‧‧‧擋閥
80‧‧‧控制部
81‧‧‧ROM
82‧‧‧RAM
83‧‧‧CPU
84‧‧‧介面
100‧‧‧玻璃基板
圖1係本發明之基板處理裝置之側視概要圖。
圖2係表示本發明之基板處理裝置之主要部分之前視概
要圖。
圖3係表示防浮起構件61與搬送輥21之配置關係之平面圖。
圖4係表示本發明之基板處理裝置之主要控制系統之方塊圖。
圖5(a)至(d)係表示使用本發明之基板處理裝置的玻璃基板100之蝕刻處理步驟之說明圖。
圖6係表示使用本發明之基板處理裝置的玻璃基板100之蝕刻處理步驟之流程圖。
圖7係表示蝕刻處理中之基板處理裝置之主要部分之前視概要圖。
圖8係表示蝕刻處理中之基板處理裝置之主要部分之前視概要圖。
圖9係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置之主要部分之前視概要圖。
圖10係表示蝕刻處理中之基板處理裝置之主要部分之前視概要圖。
圖11係表示蝕刻處理中之基板處理裝置之主要部分之前視概要圖。
圖12係表示本發明之第3實施形態之基板處理裝置之主要部分之前視概要圖。
圖13係表示本發明之第4實施形態之基板處理裝置之主
要部分之前視概要圖。
圖14係表示本發明之第4實施形態之基板處理裝置之主要部分之前視概要圖。
圖15係表示本發明之第4實施形態之基板處理裝置之主要部分的前視概要圖。
11‧‧‧處理槽
12‧‧‧回收槽
13‧‧‧蓄積槽
14、15‧‧‧擋閥
16‧‧‧供給管
17‧‧‧排出管
18‧‧‧回收管
21‧‧‧搬送輥
22‧‧‧噴霧噴嘴
23‧‧‧氣刀
24‧‧‧泵
25‧‧‧流量可變泵
26、27‧‧‧開關閥
31、32、33、34‧‧‧管路
43‧‧‧搬入口
44‧‧‧搬出口
100‧‧‧玻璃基板
Claims (12)
- 一種基板處理裝置，其係將方形之基板浸漬於處理液中而進行處理者，其特徵在於包括：處理槽，其處理上述基板；搬送輥，其配設於上述處理槽內，且沿水平方向搬送上述基板；液位調整機構，其包括：供給手段，其自蓄積有處理液之蓄積槽向上述處理槽內供給處理液；及排出手段，其將處理液自上述處理槽排出至上述蓄積槽；且於較藉由上述搬送輥搬送之基板之上面更上方之位置與較藉由上述搬送輥搬送之基板之下面更下方之位置之間，變更上述處理槽中之處理液之液位；以及處理液吐出手段，其於上述基板配置於處理槽內所蓄積之處理液中之狀態下，自上述搬送輥之下方吐出處理液，藉此使上述基板浮起至較上述搬送輥更上方之位置為止；更進一步包括有防浮起構件，該防浮起構件係防止上述基板浮起至蓄積於上述處理槽內之處理液之液面為止；上述防浮起構件係配設於在上述基板藉由上述處理液吐出手段浮起至較上述搬送輥更上方之位置時可與該基板中之朝向上述搬送輥之基板搬送方向的一對端緣抵接之位置，且具有相對於上述基板之主面而傾斜之傾斜面。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 上述防浮起構件具有外徑隨著朝向上方而增大且軸芯配設於朝向垂直方向之方向的圓錐台形狀，且其係配設於可與藉由上述處理液吐出手段而浮起至較上述搬送輥更上方之位置的基板之端緣抵接之位置。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述搬送輥包括一對抵接部，該一對抵接部僅與朝向該搬送輥之基板搬送方向的一對端緣抵接。
- 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述抵接部包括複數個輥狀構件，該複數個輥狀構件係與上述搬送輥之上述基板之搬送方向正交，且以朝向水平方向之軸為中心而相互配設於同軸上，並且於上述基板之中央部側其直徑較小，於上述基板之端緣部側其直徑較大。
- 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述抵接部具有如下圓錐台形狀，即，與上述搬送輥之上述基板之搬送方向正交，且以朝向水平方向之軸為中心而配設，並且於上述基板之中央部側其直徑較小，於上述基板之端緣部側其直徑較大。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其包括複數個導輥，該複數個導輥係僅以與上述基板中朝向上述搬送輥之基板搬送方向的一對端緣間之距離相同之距離而相互間隔開，並且能以朝向垂直方向之軸為中心而旋轉。
- 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中， 上述導輥與上述基板之搬送速度同步旋轉。
- 一種基板處理裝置，其係將方形之基板浸漬於處理液中而進行處理者，其特徵在於包括：處理槽，其處理上述基板；搬送輥，其配設於上述處理槽內，且沿水平方向搬送上述基板；液位調整機構，其包括：供給手段，其自蓄積有處理液之蓄積槽向上述處理槽內供給處理液；及排出手段，其將處理液自上述處理槽排出至上述蓄積槽；且於較藉由上述搬送輥搬送之基板之上面更上方之位置與較藉由上述搬送輥搬送之基板之下面更下方之位置之間，變更上述處理槽中之處理液之液位；以及處理液吐出手段，其於上述基板配置於處理槽內所蓄積之處理液中之狀態下，自上述搬送輥之下方吐出處理液，藉此使上述基板浮起至較上述搬送輥更上方之位置為止；更進一步包括有複數個導輥，該複數個導輥係僅以與上述基板中朝向上述搬送輥之基板搬送方向的一對端緣間之距離相同之距離而相互間隔開，並且能以朝向垂直方向之軸為中心而旋轉；上述導輥係與上述基板之搬送速度同步旋轉，並且於較上述搬送輥之上端更上方且較蓄積於上述處理槽內之處理液之液面更下方之位置具備凸緣部。
- 一種基板處理裝置，其係將方形之基板浸漬於處理液中而進行處理者，其特徵在於包括：處理槽，其處理上述基板；搬送輥，其配設於上述處理槽內，且沿水平方向搬送上述基板；液位調整機構，其包括：供給手段，其自蓄積有處理液之蓄積槽向上述處理槽內供給處理液；及排出手段，其將處理液自上述處理槽排出至上述蓄積槽；且於較藉由上述搬送輥搬送之基板之上面更上方之位置與較藉由上述搬送輥搬送之基板之下面更下方之位置之間，變更上述處理槽中之處理液之液位；以及處理液吐出手段，其於上述基板配置於處理槽內所蓄積之處理液中之狀態下，自上述搬送輥之下方吐出處理液，藉此使上述基板浮起至較上述搬送輥更上方之位置為止；更進一步包括有導引構件，該導引構件係配設於僅以與上述基板中朝向上述搬送輥之基板搬送方向的一對端緣間之距離相比更大之距離而相互間隔開之位置，且可抵接至上述一對端緣；並且包括處理液噴出部，該處理液噴出部藉由沿與上述搬送輥之基板搬送方向交叉之方向噴出上述處理液，而於上述基板藉由上述處理液吐出手段浮起至較上述搬送輥更上方之位置時，使該基板朝其一端緣抵接於上述導引構件之方向 移動。
- 如申請專利範圍第1至9項中任一項之基板處理裝置，其中，上述處理液係用以對基板進行蝕刻處理之蝕刻液。
- 一種基板處理方法，其係將方形之基板浸漬於處理液中而進行處理者，其特徵在於包括：處理液供給步驟，其向處理槽供給處理液而於處理槽內蓄積處理液；基板搬入步驟，其藉由搬送輥搬送基板而使其進入至蓄積有上述處理液之處理槽內；處理液吐出步驟，其藉由自上述基板之下面吐出處理液，而使上述基板浮起至較上述搬送輥更上方且較蓄積於上述處理槽內之處理液之液面更下方之位置為止；基板下降步驟，其停止處理液之吐出而使上述基板下降至與上述搬送輥抵接之位置為止；及基板搬出步驟，其藉由上述搬送輥搬送上述基板而使其自處理槽退出。
- 如申請專利範圍第11項之基板處理方法，其中，於上述基板下降步驟與上述基板搬出步驟之間，包括處理液排出步驟，該處理液排出步驟係排出蓄積於上述處理槽中之處理液。
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