TWI452622B - Substrate cleaning device - Google Patents

Substrate cleaning device Download PDF

Info

Publication number
TWI452622B
TWI452622B TW100133707A TW100133707A TWI452622B TW I452622 B TWI452622 B TW I452622B TW 100133707 A TW100133707 A TW 100133707A TW 100133707 A TW100133707 A TW 100133707A TW I452622 B TWI452622 B TW I452622B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cleaning
substrate
cleaning liquid
liquid
glass substrate
Prior art date
Application number
TW100133707A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201236075A (en
Inventor
Kazuo Jodai
Original Assignee
Dainippon Screen Mfg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Mfg filed Critical Dainippon Screen Mfg
Publication of TW201236075A publication Critical patent/TW201236075A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI452622B publication Critical patent/TWI452622B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

基板洗淨裝置
本發明係關於一種利用氫氟酸等洗淨液對液晶顯示裝置(LCD,Liquid Crystal Display)或電漿顯示器(PDP,Plasma Display Panel)等平板顯示器(FPD,Flat Panel Display)用玻璃基板、有機EL(Electro Luminescence,電致發光)用玻璃基板、光罩用玻璃基板、太陽能電池面板用基板、光碟用基板等基板進行洗淨之基板洗淨裝置。
例如,於製造LCD時,將非晶矽層形成於玻璃基板上,並對此矽層表面之自然氧化膜進行蝕刻處理,於洗淨及乾燥處理後,照射雷射使非晶矽層熔融再結晶。此時,例如,如專利文獻1所記載採用以下之構成:於蝕刻步驟後之洗淨步驟中,一面使基板低速旋轉一面供給洗淨液,利用基板之表面張力對基板整個面在形成洗淨液之液膜之狀態下實施洗淨處理,然後使基板高速旋轉以去除洗淨液。
然而,由於近年來基板之大型化,如專利文獻1所記載之發明,一面使基板旋轉一面進行洗淨處理之方法變得困難。因此,有提出一面沿水平方向搬送基板,一面對基板之表面供給洗淨液而對基板進行洗淨處理之方法。
即,於專利文獻2中,揭示有一種基板處理裝置,其處理步驟雖然為剝離步驟而非洗淨步驟,但藉由一面利用複數個搬送輥朝水平方向搬送基板,一面自與基板之表面為對向所配置之噴霧噴嘴對基板之表面供給剝離液,並利用剝離液處理基板。於此專利文獻2所記載之基板處理裝置中,供給至基板之表面之剝離液會被回收並進行再利用。
又,於專利文獻3中,揭示有一種基板處理裝置,其具備有:搬送輥,其沿水平方向搬送基板;處理液吐出噴嘴,其形成有處理液吐出口,且配置於此處理液吐出口與基板之表面之間並藉由處理液之液膜而成為液密狀態的位置;積蓄液保持構件,其具備有處理液保持面且配置於可在處理液吐出口與處理液保持面之間形成處理液之積蓄液的位置;及一對背面洗淨部,其對基板之背面供給洗淨液。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2003-17461號公報
[專利文獻2]日本專利特開2004-146414號公報
[專利文獻3]日本專利特開2010-219187號公報
於採用將專利文獻2所記載之裝置利用於基板之洗淨,並將經循環之洗淨液進行再利用之構成的情形時,金屬離子或其他污染成分將溶解至作為洗淨液之氫氟酸中。然後,若於利用氫氟酸之洗淨後進行淋洗時氫氟酸與純水混合,就會存在溶解於氫氟酸中之此等金屬離子或其他污染成分析出至基板上,並進入在淋洗時成長之自然氧化膜中,成為粒子或異物而固著於基板上之問題。
另一方面,於專利文獻3所記載之基板處理裝置中,雖不會產生此一問題,但為了獲得充分之洗淨效果,必須重複進行複數次相同之洗淨處理步驟,此時,由於在此基板處理裝置並不循環使用洗淨液,故存在整個洗淨處理所需之洗淨液之使用量變多之問題。
本發明係用以解決上述問題所完成者,其目的在於提供一種可一面減少洗淨液之使用量,一面防止粒子或異物固著於基板上,而充分清潔地洗淨基板之基板洗淨裝置。
於技術方案1所記載之發明係一種基板洗淨裝置,其係藉由對基板之表面供給洗淨液而洗淨基板之表面者,其特徵在於具備有第1洗淨部、第2洗淨部、以及氣刀,上述第1洗淨部包括:第1搬送機構,其沿水平方向搬送基板;儲存槽,其儲存洗淨液;噴霧噴嘴,其將儲存於上述儲存槽之洗淨液供給至利用上述第1搬送機構所搬送的基板之表面;及回收機構,其將自上述噴霧噴嘴供給至上述基板之洗淨液回收至上述儲存槽;上述第2洗淨部包括:第2搬送機構,其於使基板之主面成為大致水平方向之狀態下支持並沿水平方向搬送該基板;洗淨液吐出噴嘴,其沿與利用上述第2搬送機構之基板之搬送方向交叉的方向延設有朝向下方之洗淨液吐出口,並且上述洗淨液吐出口與利用上述第2搬送機構所搬送之基板之表面的距離,被配置在使其等之間藉由自上述洗淨液吐出口所吐出的洗淨液之液膜而成為液密狀態的位置;積蓄液保持構件,其在與上述洗淨液吐出口對向之位置具備有保持洗淨液之積蓄液之洗淨液保持面,且上述洗淨液吐出口與上述洗淨液保持面之距離,被配置在可於其等之間形成洗淨液之積蓄液之位置;及背面洗淨部,其相對於上述洗淨液吐出噴嘴及上述積蓄液保持構件,於利用上述第2搬送機構之基板搬送方向之下游側,對利用上述第2搬送機構所搬送的基板之背面供給純水;上述氣刀係配設於上述第1洗淨部之噴霧噴嘴與上述第2洗淨部之洗淨液吐出噴嘴之間,用以自上述基板之表面去除洗淨液。
於技術方案2所記載之發明,係如技術方案1之發明,其中,上述第1搬送機構係以第1洗淨部之基板表面之接觸角成為既定之大小以上的搬送速度搬送基板。
於技術方案3所記載之發明,係如技術方案2之發明,其中,其具備有:記憶部,其記憶洗淨液之濃度、與用以使基板表面之接觸角成為既定之大小以上所需之處理時間的關係;且其根據自上述噴霧噴嘴對基板之表面供給之洗淨液的濃度、與用以使上述基板表面之接觸角成為既定之大小以上所需之處理時間的關係,決定利用上述第1搬送機構之基板的搬送速度。
於技術方案4所記載之發明,係如技術方案3之發明,其中,上述接觸角之大小為50度以上。
於技術方案5所記載之發明,係如技術方案1至技術方案4中任一項之發明,其中,上述第1洗淨部之噴霧噴嘴,係對利用上述第1搬送機構所搬送之基板之兩面供給洗淨液。
技術方案6所記載之發明,係如技術方案1至技術方案4中任一項之發明,其中,上述第2洗淨部之背面洗淨部,於其上表面具備有保持純水之積蓄液之純水保持面。
根據技術方案1所記載之發明,藉由第1、第2洗淨部及氣刀之作用,可一面減少洗淨液之使用量,一面防止粒子或異物固著於基板上,充分清潔地洗淨基板。
根據技術方案2至技術方案4所記載之發明,利用第1洗淨部洗淨至一定程度後,藉由利用第2洗淨部洗淨此基板,可一面防止粒子或異物固著於基板上,一面減少洗淨液之使用量。
根據技術方案5所記載之發明,可防止自基板之表面所產生之洗淨殘渣污染基板之背面。
根據技術方案6所記載之發明,藉由純水之液膜使基板之背面與背面洗淨部之間成為液密狀態,可充分地淋洗基板之背面。
以下,根據圖式針對本發明之實施形態進行說明。圖1係關於本發明之基板洗淨裝置之側面概要圖。
此基板洗淨裝置係於對在表面形成有非晶矽層之玻璃基板100進行雷射退火前,用以對形成於矽層表面之氧化膜進行洗淨處理者。於此洗淨處理所使用之洗淨液,係使用氫氟酸(氟化氫水/氟化氫(HF/Hydrogen fluoride))。此基板洗淨裝置具備有第1洗淨部101、第2洗淨部102、以及配設於此等第1洗淨部101與第2洗淨部102之間之氣刀8。
首先,針對第1洗淨部101進行說明。第1洗淨部101係利用噴霧噴嘴1以循環之洗淨液用以對玻璃基板100進行洗淨處理者。此第1洗淨部101具備有:複數個搬送輥9,其沿水平方向搬送玻璃基板100;儲存槽12,其儲存洗淨液;噴霧噴嘴1,其將儲存於此儲存槽12之洗淨液供給至利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100的表面及背面兩面;及回收槽19,其將自此噴霧噴嘴1供給至玻璃基板100之洗淨液回收至儲存槽12。再者,此第1洗淨部101內之複數個搬送輥9,係作為本發明之第1搬送機構而發揮功能。
構成第1搬送機構之複數個搬送輥9係構成為:於支持矩形狀之玻璃基板100之下表面兩端部的狀態下,自圖1之左方向朝右方向搬送該玻璃基板100。此時,搬送輥9係以使玻璃基板100之主面朝向水平方向之狀態進行搬送。然而,亦可以玻璃基板100之主面與水平方向交叉之方式,於使玻璃基板100之主面傾斜之狀態下支持並搬送該玻璃基板100,藉此提高玻璃基板100表面之洗淨液之置換性。
儲存於儲存槽12內之洗淨液,係藉由配設於管路13中之泵15之作用,經由過濾器14及上下分歧之管路16、17,對配設於利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之上下的噴霧噴嘴1供液,並自此噴霧噴嘴1供給至利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之表面及背面兩面的整個區域。然後,自玻璃基板100所流下之洗淨液,係經由回收槽19回收至儲存槽12,並再次對噴霧噴嘴1供液。
於此第1洗淨部101與後述第2洗淨部102之間,即,於第1洗淨部101之噴霧噴嘴1、與第2洗淨部102之洗淨液吐出噴嘴2之間,配設有自玻璃基板101之表面去除洗淨液之上下一對的氣刀8。此等氣刀8係藉由對玻璃基板100之兩面噴出高壓之氣體,用以將附著於玻璃基板100之兩面之洗淨液去除者。藉由此氣刀8之作用,亦可將自玻璃基板100所流下之洗淨液,經由回收槽19回收至儲存槽12。
接著,針對第2洗淨部102進行說明。第2洗淨部102係藉由洗淨液吐出噴嘴2隨時對玻璃基板100之表面供給新的洗淨液而對玻璃基板100之表面進行洗淨處理,同時對玻璃基板100之背面供給純水用以淋洗玻璃基板100之背面者。
圖2係表示將第2洗淨部102之主要部分放大之側視圖。
如圖1及圖2所示,此第2洗淨部102具備有:複數個搬送輥9,其於使玻璃基板100之主面成為大致水平方向之狀態下支持並沿水平方向搬送該玻璃基板;洗淨液吐出噴嘴2,其對利用此搬送輥9所搬送之玻璃基板100之表面供給洗淨液;儲存槽22,其儲存新的洗淨液;泵25,其用以將此儲存槽22內之洗淨液經由管路23而供給至洗淨液供給噴嘴2;積蓄液保持構件3,其用以在與洗淨液供給噴嘴2之間形成洗淨液之積蓄液;一對背面洗淨部4,其對玻璃基板100之背面供給純水用以進行淋洗;儲存槽44,其儲存純水;一對泵45,其用以將此儲存槽44內之純水經由各管路46而供給至各背面洗淨部4;及回收槽29,其將自玻璃基板100所流下之少量之洗淨液及純水回收至排水口48。再者,此第2洗淨部102內之複數個搬送輥9,係作為本發明之第2搬送機構而發揮功能。
接著,針對第2洗淨部102之洗淨液吐出噴嘴2之構成進行說明。圖3係洗淨液吐出噴嘴2之仰視圖。
此洗淨液吐出噴嘴2係具有在與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100對向之下表面,形成有多個洗淨液吐出口21之構成。此等洗淨液吐出口21係列設在與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之搬送方向正交的方向上。此洗淨液吐出口21例如具有0.5mm左右之直徑,且於洗淨液吐出噴嘴2之長度方向(與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之搬送方向正交的方向),以5 mm至10 mm左右之間距所形成。此洗淨液吐出口21係設置於遍及玻璃基板100之寬度方向(與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之搬送方向正交的方向)之整個區域。
於洗淨玻璃基板100時,自此洗淨液吐出口21吐出洗淨液,並供給至玻璃基板100之表面。此時,如後述,洗淨液吐出口21與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之表面的距離,由於必須使其等之間藉由自洗淨液吐出口21所吐出之洗淨液之液膜成為液密狀態,因此較佳為儘可能小者。另一方面,若使洗淨液吐出口21與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之表面的距離過小,則存在玻璃基板100與洗淨液吐出噴嘴2碰撞之危險。為了一面避免玻璃基板100與洗淨液吐出噴嘴2之碰撞,一面藉由洗淨液之液膜而使洗淨液吐出噴嘴2與玻璃基板100之表面之間成為液密狀態,洗淨液吐出噴嘴2之洗淨液吐出口21(即,洗淨液吐出噴嘴2之下表面)與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之表面的距離D1(參照圖2)較佳係設為1 mm至2 mm者。
又,為了使洗淨液吐出噴嘴2與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之表面之間,藉由自洗淨液吐出口21所吐出之洗淨液的液膜而成為液密狀態,較佳為將洗淨液吐出噴嘴2之下表面之形狀設為平面狀、或者將由包含玻璃基板100之搬送方向與垂直方向之平面所形成的剖面形狀設為下方凸出的圓弧狀。藉由採用此一形狀,可於洗淨液吐出噴嘴2與玻璃基板100之表面之間形成洗淨液之液膜,而可容易地達成液密狀態。再者,為了使洗淨液吐出噴嘴2之下表面成為如上述下方凸出之圓弧狀,只要將洗淨液吐出噴嘴2由例如於其下端部形成有複數個洗淨液吐出口之管所構成即可。而且,此洗淨液吐出噴嘴2之材質,較佳為採用金屬離子等不會溶出,可確保洗淨之清潔性之例如氟樹脂製者。
接著,針對第2洗淨部102之積蓄液保持構件3之構成進行說明。圖4係表示積蓄液保持構件3之概要之圖式,圖4(a)係積蓄液保持構件3之縱剖視圖,又,圖4(b)係積蓄液保持構件3之局部俯視圖。而且,圖5係積蓄液保持構件3之局部立體圖。
此積蓄液保持構件3係用以在與洗淨液吐出噴嘴2之間形成洗淨液之積蓄液者。此積蓄液保持構件3在與洗淨液吐出噴嘴2之洗淨液吐出口21對向之位置,具備有保持洗淨液之積蓄液之洗淨液保持面31。而且,於該洗淨液保持面31,凹設有洗淨液之積蓄液保持用之凹部32。
此凹部32係用以將洗淨液之積蓄液較佳地保持於洗淨液保持面31所使用。即,作為積蓄液保持構件3之材質,較佳為採用金屬離子等不會溶出,可確保洗淨之清潔性之與洗淨液吐出噴嘴2相同的例如氟樹脂製者。於此,氟樹脂具有較強之排斥洗淨液之斥液性。因此,洗淨液容易自積蓄液保持構件3之洗淨液保持面31流下。為了防止如此之洗淨液的流下,於洗淨液保持面31上係形成有凹部32。再者,於使用氯乙烯等樹脂作為積蓄液保持構件3之材質之情形時,亦可省略此凹部32。
如圖4及圖5所示,此凹部32具有朝積蓄液保持構件3之長度方向(與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之搬送方向正交的方向)延伸之形狀。此凹部32係形成於遍及玻璃基板100之寬度方向(與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之搬送方向正交的方向)之整個區域。然而,此凹部32並不限定於此一形狀者。
於對玻璃基板100供給洗淨液之前之階段,如後述,必須自洗淨液吐出噴嘴2之洗淨液吐出口21吐出洗淨液,且於洗淨液吐出噴嘴2與積蓄液保持構件3之洗淨液保持面31之間形成洗淨液之積蓄液。為此,洗淨液吐出噴嘴2與積蓄液保持構件3之洗淨液保持面31之距離,較佳為於玻璃基板100可通過之範圍內儘可能小者。另一方面,若使積蓄液保持構件3與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之背面的距離過小,則存在玻璃基板100與積蓄液保持構件3碰撞之危險。為了一面避免玻璃基板100與積蓄液保持構件3之碰撞,一面於洗淨液吐出噴嘴2與積蓄液保持構件3之間形成洗淨液之積蓄液,將積蓄液保持構件3之洗淨液保持面31與利用搬送輥9所搬送玻璃基板100之背面的距離D2(參照圖2)較佳係設為1 mm至2 mm者。
再者,形成於洗淨液吐出噴嘴2與積蓄液保持構件3之洗淨液保持面31之間的洗淨液之積蓄液,無需形成於洗淨液吐出噴嘴2與積蓄液保持構件3之洗淨液保持面31之間的整個區域。例如,亦可於沿洗淨液吐出噴嘴2之長度方向之若干區域,存在局部未形成有積蓄液之區域。若於洗淨液吐出噴嘴2與積蓄液保持構件3之洗淨液保持面31之間之固定的區域形成有積蓄液,則當利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之前端部進入積蓄液時,可使形成於洗淨液吐出噴嘴2與積蓄液保持構件3之洗淨液保持面31之間之固定的區域之積蓄液擴散至洗淨液吐出噴嘴2與積蓄液保持構件3之洗淨液保持面31之間的整個區域。
接著,針對第2洗淨部102之背面洗淨部4之構成進行說明。圖6係表示背面洗淨部4之概要之圖式,圖6(a)係背面洗淨部4之局部立體圖,又,圖6(b)係背面洗淨部4之縱剖視圖。
此背面洗淨部4係用以洗淨玻璃基板100之背面者。此背面洗淨部4如圖1及圖2所示,係沿著利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之搬送方向而配設有一對。此背面洗淨部4之上表面成為保持洗淨液之積蓄液之洗淨液保持面42。而且,於此洗淨液保持面42凹設有洗淨液之積蓄液保持用之凹部43,且於此凹部43內形成有洗淨液吐出口41。
凹部43係用以將洗淨液之積蓄液較佳地保持於洗淨液保持面42所使用。即,作為背面洗淨部4之材質,較佳為採用金屬離子等不會溶出,可確保處理之清潔性之與洗淨液吐出噴嘴2或積蓄液保持構件3相同的例如氟樹脂製者。於此,氟樹脂具有較強之排斥洗淨液之斥液性。因此,洗淨液容易自背面洗淨部4之洗淨液保持面42流下。為了防止如此之洗淨液的流下,於洗淨液保持面42上係形成有凹部43。再者,於使用氯乙烯等樹脂作為背面洗淨部4之材質之情形時,亦可省略此凹部43。
如圖6(a)所示,此凹部43具有朝背面洗淨部4之長度方向(與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之搬送方向正交的方向)延伸之形狀。此凹部43係形成於遍及玻璃基板100之寬度方向(與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之搬送方向正交的方向)之整個區域。而且,洗淨液吐出口41係沿著凹部43而列設有複數個。
於洗淨玻璃基板100時,如後述,自此洗淨液吐出口41吐出洗淨液,並供給至玻璃基板100之背面。此時,如後述,洗淨液保持面42與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之背面的距離,由於必須使其等之間藉由自洗淨液吐出口41所吐出之洗淨液之液膜而成為液密狀態,因此較佳為儘可能小者。另一方面,若使背面洗淨部4與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之背面的距離過小,則存在玻璃基板100與背面洗淨部4碰撞之危險。為了一面避免玻璃基板100與背面洗淨部4之碰撞,一面藉由洗淨液之液膜使背面洗淨部4之洗淨液保持面42與玻璃基板100之背面之間成為液密狀態,將背面洗淨部4中之洗淨液保持面42與利用搬送輥9所搬送之玻璃基板100之背面的距離D2(參照圖2)較佳係設為1 mm至2 mm者。
圖7至圖11係表示利用第2洗淨部102之玻璃基板100之洗淨及淋洗動作的說明圖。再者,於圖7至圖11中,僅表示第2洗淨部102之一對背面洗淨部4中之上游側的背面洗淨部4。另一背面洗淨部4亦執行與上游側之背面洗淨部4相同之動作。
於利用複數個搬送輥9沿水平方向所搬送之玻璃基板100之前端到達第2洗淨部102之前,如圖7所示,自洗淨液吐出噴嘴2之洗淨液吐出口21吐出少量之洗淨液,預先於洗淨液吐出噴嘴2之洗淨液吐出口21與積蓄液保持構件3之洗淨液保持面31之間,先形成洗淨液的積蓄液51。又,於背面洗淨部4之洗淨液保持面42上,先形成洗淨液之積蓄液61。
於此狀態下,若進一步利用搬送輥9繼續玻璃基板100之搬送,則如圖8所示,玻璃基板100之前端將進入形成於洗淨液吐出噴嘴2與積蓄液保持構件3之間之洗淨液的積蓄液51中。當玻璃基板100之前端到達洗淨液之積蓄液51,就會自洗淨液吐出噴嘴2吐出洗淨液。再者,自洗淨液吐出噴嘴2之洗淨液之吐出,既可於玻璃基板100之前端到達洗淨液的積蓄液51之前開始,亦可用以洗淨玻璃基板100,而於裝置運轉之期間繼續且持續地吐出洗淨液。
於此狀態下進一步沿水平方向搬送玻璃基板100之情形時,如圖9所示,於洗淨液吐出噴嘴2與玻璃基板100之表面之間形成有洗淨液的液膜52,而洗淨液吐出噴嘴2與玻璃基板100之表面之間,係藉由洗淨液之液膜52而成為液密狀態。即,於玻璃基板100之前端進入形成於洗淨液吐出噴嘴2與積蓄液保持構件3之間之洗淨液的積蓄液51中之後,藉由洗淨液之表面張力使自洗淨液吐出噴嘴2所吐出之洗淨液被拉伸,而將洗淨液不被排斥地擴大塗佈於玻璃基板100之整個表面。於此時,即便沿洗淨液吐出噴嘴2之長度方向之若干區域存在局部未形成有積蓄液之區域,伴隨著玻璃基板100繼續移動,此等區域亦會由洗淨液所填滿,洗淨液吐出噴嘴2與玻璃基板100之表面之間,係藉由洗淨液之液膜52而成為液密狀態。於此,所謂液密狀態,係指其等之間全部由洗淨液所填滿之狀態。
然後,於藉由洗淨液之液膜52使洗淨液吐出噴嘴2與玻璃基板100之間成為液密之狀態下沿水平方向搬送玻璃基板100,如圖10所示,藉此維持洗淨液吐出噴嘴2與玻璃基板100之表面之間藉由洗淨液之液膜52而維持在液密狀態,對玻璃基板100之表面之整個區域供給洗淨液。
再者,於玻璃基板100之前端進入形成於洗淨液吐出噴嘴2與積蓄液保持構件3之間之洗淨液的積蓄液51中時,如圖8所示,洗淨液亦到達玻璃基板100之背面側。此洗淨液係藉由背面洗淨部4而洗淨。
即,如圖10所示,在沿水平方向所搬送之玻璃基板100之前端到達背面洗淨部4之前,於背面洗淨部4之洗淨液保持面42(參照圖6)形成有自洗淨液吐出口41所吐出之洗淨液的積蓄液61。於此狀態下,若玻璃基板100被進一步搬送而通過背面洗淨部4,則於玻璃基板100之背面與背面洗淨部4之洗淨液保持面42之間將形成洗淨液的液膜62,且玻璃基板100之背面與背面洗淨部4之間,係藉由洗淨液之液膜62而成為液密狀態。
於此一狀態下,藉由繼續搬送玻璃基板100,如圖11所示,於玻璃基板100之表面形成洗淨液之液膜52而對其整個面供給洗淨液,並於玻璃基板100之背面形成洗淨液之液膜62而洗淨其整個面。
再者,於上述實施形態中,雖然在第2洗淨部102中,於玻璃基板100之主面成為水平方向之狀態下支持並沿水平方向搬送該玻璃基板,但玻璃基板100亦可略微地傾斜例如1度左右。即,此第2洗淨部102之洗淨方式並不限定於準確地沿水平方向支持玻璃基板100之情形,亦可應用於沿大致水平方向進行支持之情形。
圖12係表示本發明之基板洗淨裝置主要之電氣構成的方塊圖。
此基板洗淨裝置具備有控制整個裝置之控制部80。此控制部80具備有:驅動控制部81,其控制上述第1洗淨部101及第2洗淨部102之搬送輥9之旋轉速度;記憶部82,其記憶各種資料;輸入部83,其係由操作員於離線或在線狀態下輸入資料;及顯示部84,其顯示各種資訊。於記憶部82中記憶有表示第1處理部101之洗淨處理時之作為洗淨液之氫氟酸的濃度、處理時間、及玻璃基板100表面之接觸角之關係,即洗淨液之濃度與用以使基板100之表面之接觸角成為既定之大小以上所需的處理時間之關係的資料。此資料係預先以實驗方式所求出者。
圖13係表示洗淨液之濃度與用以使基板100之表面之接觸角成為既定之大小以上所需的處理時間之關係之圖。
如此圖所示,例如於使用濃度(質量百分比濃度)為1%之氫氟酸作為洗淨液之情形時,處理時間約15秒時玻璃基板100之表面之接觸角將成為50度,而處理時間約18秒時玻璃基板100之表面之接觸角則成為60度。又,於使用濃度為0.5%之氫氟酸作為洗淨液之情形時,處理時間約22秒時玻璃基板100之表面之接觸角將成為50度,而處理時間約28秒時玻璃基板100之表面之接觸角則成為60度。此一洗淨液之濃度、與用以使基板100之表面之接觸角成為既定之大小以上所需的處理時間之關係,係藉由預先使用相同之洗淨裝置,使洗淨液之濃度與玻璃基板100之搬送速度改變而實驗性地進行處理所求出者。
於利用具有如上述所構成之基板洗淨裝置執行玻璃基板100之洗淨處理時,首先以使於第1處理部101中經洗淨處理之玻璃基板100之接觸角成為既定之大小以上的方式,決定利用第1洗淨部101之搬送輥9之玻璃基板100的搬送速度。
即,於第1洗淨部101之玻璃基板100之洗淨程度較小之情形時,於第2洗淨部102所需之玻璃基板100之洗淨時間會變長。於第2洗淨部102中,由於都使用新的洗淨液,故於第2洗淨部102之洗淨時間變長之情形時,會發生消耗之洗淨液之量增多之問題。因此,於本發明之基板洗淨裝置中,係藉由適當地設定第1洗淨部101之搬送輥9之旋轉速度,將第1洗淨部101之玻璃基板100之洗淨度維持於一定程度以上。
更具體而言,考慮到玻璃基板100之洗淨達成度與玻璃基板100之表面之接觸角存在相關關係,將於第1洗淨部101執行洗淨處理後之玻璃基板100之表面的接觸角設為50度以上,更佳係設為60度以上,藉此減少於基板洗淨裝置整體所使用之洗淨液之量。
於此時,控制部80讀取記憶部82所記憶之資料,根據利用第1洗淨部101進行洗淨處理後之玻璃基板100之表面所需之接觸角的資訊、及當時所使用洗淨液之濃度的資訊,對第1洗淨部101之搬送輥9之旋轉速度進行運算。然後,控制部80會對驅動控制部81下達指令,使驅動控制部81控制第1洗淨部101之搬送輥9之旋轉速度。
若此一準備步驟結束,則自第1洗淨部101至第2洗淨部102依次搬送玻璃基板100,並進行其洗淨處理。藉此,首先於第1洗淨部101中,對玻璃基板100進行洗淨至其表面之接觸角成為50度以上,更佳係成為60度以上為止。於此時,由於洗淨液係經由回收槽19被回收至儲存槽12而循環利用,故不需要大量之洗淨液。
當玻璃基板100自第1洗淨部101搬送至第2洗淨部102時,藉由上下一對氣刀8之作用,將附著於玻璃基板100之兩面之洗淨液去除。藉此,可防止受到污染之洗淨液被帶進第2洗淨部102。藉由此氣刀8之作用,自玻璃基板100流下之洗淨液亦經由回收槽19被回收至儲存槽12。
然後,玻璃基板100係搬送至第2洗淨部102,繼續進行進一步之洗淨處理。於此第2洗淨部102中,藉由洗淨液吐出噴嘴2隨時對玻璃基板100之表面供給新的洗淨液用以對玻璃基板100之表面進行洗淨處理。此時,由於玻璃基板100已於第1洗淨部101中被洗淨,故金屬離子或其他污染成分溶解至洗淨液中之比例較小,又,由於在第2洗淨部102都使用新的洗淨液,故即便於洗淨後之淋洗時洗淨液與純水混合,溶解於洗淨液中之此等金屬離子或其他污染成分亦不會析出至玻璃基板100上,可防止粒子或異物固著於玻璃基板100上之問題的產生。
又,於此第2洗淨部102中,藉由對玻璃基板100之背面供給純水以淋洗玻璃基板100之背面,可淋洗繞至玻璃基板100之背面之洗淨液,而使玻璃基板100成為清潔之基板。
再者,於上述實施形態中,在第1洗淨部101中藉由適當地設定搬送輥9之旋轉速度,可將第1洗淨部101之玻璃基板100之洗淨度維持於一定程度以上。此時,可使第2洗淨部102之搬送輥9之旋轉速度與第1洗淨部101之搬送輥9之旋轉速度相同,又,亦可使兩者不同。
1...噴霧噴嘴
2...洗淨液吐出噴嘴
3...積蓄液保持構件
4...背面洗淨部
8...氣刀
9...搬送輥
12、22、44...儲存槽
13...管路
14...過濾器
15、25、45...泵
16、17、23、46...管路
19、29...回收槽
21、41...洗淨液吐出口
31、42...洗淨液保持面
32、43...凹部
48...排水口
51、61...積蓄液
52、62...液膜
80...控制部
81...驅動控制部
82...記憶部
83...輸入部
84...顯示部
100...玻璃基板
101...第1洗淨部
102...第2洗淨部
D1、D2...距離
圖1係關於本發明之基板洗淨裝置之側面概要圖。
圖2係將第2洗淨部102之主要部分放大表示之側視圖。
圖3係洗淨液吐出噴嘴2之仰視圖。
圖4(a)及(b)係表示積蓄液保持構件3之概要圖。
圖5係積蓄液保持構件3之局部立體圖。
圖6(a)及(b)係表示背面洗淨部4之概要圖。
圖7係表示利用本發明之基板洗淨裝置進行玻璃基板100之洗淨動作的說明圖。
圖8係表示利用本發明之基板洗淨裝置進行玻璃基板100之洗淨動作的說明圖。
圖9係表示利用本發明之基板洗淨裝置進行玻璃基板100之洗淨動作的說明圖。
圖10係表示利用本發明之基板洗淨裝置進行玻璃基板100之洗淨動作的說明圖。
圖11係表示利用本發明之基板洗淨裝置進行玻璃基板100之洗淨動作的說明圖。
圖12係表示本發明之基板洗淨裝置主要之電氣構成的方塊圖。
圖13係表示洗淨液之濃度與用以使玻璃基板100之表面之接觸角成為既定之大小以上所需的處理時間之關係之圖。
1...噴霧噴嘴
2...洗淨液吐出噴嘴
3...積蓄液保持構件
4...背面洗淨部
8...氣刀
9...搬送輥
12、22、44...儲存槽
13、23...管路
14...過濾器
15、25、45...泵
16、17、46...管路
19、29...回收槽
48...排水口
100...玻璃基板
101...第1洗淨部
102...第2洗淨部

Claims (6)

  1. 一種基板洗淨裝置,其係藉由對基板之表面供給洗淨液而洗淨基板之表面者,其特徵在於,具備有第1洗淨部、第2洗淨部、以及氣刀;上述第1洗淨部包括:第1搬送機構,其沿水平方向搬送基板;儲存槽,其儲存洗淨液;噴霧噴嘴,其將儲存於上述儲存槽之洗淨液供給至利用上述第1搬送機構所搬送的基板之表面;及回收機構,其將自上述噴霧噴嘴供給至上述基板之洗淨液回收至上述儲存槽;上述第2洗淨部包括:第2搬送機構,其於使基板之主面成為大致水平方向之狀態下支持並沿水平方向搬送該基板;洗淨液吐出噴嘴,其沿與利用上述第2搬送機構之基板之搬送方向交叉的方向延設有朝向下方之洗淨液吐出口,並且上述洗淨液吐出口與利用上述第2搬送機構所搬送之基板之表面的距離,被配置在使其等之間藉由自上述洗淨液吐出口所吐出的洗淨液之液膜而成為液密狀態的位置;積蓄液保持構件,其在與上述洗淨液吐出口對向之位置具備有保持洗淨液之積蓄液之洗淨液保持面,且上述洗淨液吐出口與上述洗淨液保持面之距離,被配置在可於其等之間形 成洗淨液之積蓄液之位置;及背面洗淨部,其相對於上述洗淨液吐出噴嘴及上述積蓄液保持構件,於利用上述第2搬送機構之基板搬送方向之下游側,對利用上述第2搬送機構所搬送的基板之背面供給純水;上述氣刀係配設於上述第1洗淨部之噴霧噴嘴與上述第2洗淨部之洗淨液吐出噴嘴之間,用以自上述基板之表面去除洗淨液。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨裝置,其中,上述第1搬送機構係以第1洗淨部之基板表面之接觸角成為既定之大小以上的搬送速度搬送基板。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板洗淨裝置,其中,具備有:記憶部,其記憶洗淨液之濃度、與用以使基板表面之接觸角成為既定之大小以上所需之處理時間的關係;且其根據自上述噴霧噴嘴對基板之表面所供給之洗淨液的濃度、與用以使上述基板表面之接觸角成為既定之大小以上所需之處理時間的關係,決定利用上述第1搬送機構之基板的搬送速度。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板洗淨裝置,其中,上述接觸角之大小為50度以上。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板洗淨裝置,其中, 上述第1洗淨部之噴霧噴嘴,係對利用上述第1搬送機構所搬送之基板之兩面供給洗淨液。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板洗淨裝置,其中,上述第2洗淨部之背面洗淨部,於其上表面具備有保持純水之積蓄液之純水保持面。
TW100133707A 2011-02-17 2011-09-20 Substrate cleaning device TWI452622B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011031827A JP2012170828A (ja) 2011-02-17 2011-02-17 基板洗浄装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201236075A TW201236075A (en) 2012-09-01
TWI452622B true TWI452622B (zh) 2014-09-11

Family

ID=46885600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100133707A TWI452622B (zh) 2011-02-17 2011-09-20 Substrate cleaning device

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2012170828A (zh)
KR (1) KR20120094823A (zh)
TW (1) TWI452622B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111463152B (zh) * 2020-04-17 2023-03-14 重庆芯洁科技有限公司 半导体衬底的高压水洗设备及其使用方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200937557A (en) * 2007-12-18 2009-09-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus
TW201005854A (en) * 2008-04-11 2010-02-01 Dainippon Screen Mfg Device and method for treating substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200937557A (en) * 2007-12-18 2009-09-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus
TW201005854A (en) * 2008-04-11 2010-02-01 Dainippon Screen Mfg Device and method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120094823A (ko) 2012-08-27
JP2012170828A (ja) 2012-09-10
TW201236075A (en) 2012-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI464798B (zh) A substrate processing apparatus and a substrate processing method
JP2006278606A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2011071385A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2009178672A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6520928B2 (ja) エッチング装置、エッチング方法、基板の製造方法、および基板
TWI364069B (en) Apparatus for treating substrates
TWI452622B (zh) Substrate cleaning device
JPH1187210A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5518133B2 (ja) 化学研磨装置
KR101100961B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101099576B1 (ko) 세정액 공급 및 회수 시스템
JP2014069126A (ja) 基板処理装置
TWI343842B (zh)
JP2010103383A (ja) 基板処理装置
JP5785454B2 (ja) 基板処理装置
JP6047359B2 (ja) 基板洗浄装置
JP4365192B2 (ja) 搬送式基板処理装置
WO2014069577A1 (ja) 板ガラス洗浄装置および板ガラス洗浄方法
JP2010131485A (ja) 基板の液切り装置および液切り方法
JP2005064312A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2014082407A (ja) ウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法
JP2013191651A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2011066352A (ja) 基板の製造装置及び製造方法
JP5694029B2 (ja) 基板処理装置および搬送ローラ
JP2011067782A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees