TWI458822B - 洗淨防蝕用組成物及半導體元件或顯示元件之製法 - Google Patents

洗淨防蝕用組成物及半導體元件或顯示元件之製法 Download PDF

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Description

洗淨防蝕用組成物及半導體元件或顯示元件之製法
本發明係有關於一種洗淨防蝕用組成物及使用該洗淨防蝕用組成物而成的半導體元件或顯示元件之製法，該洗淨防蝕用組成物在顯示元件或顯示元件之製程，能夠除去被處理物表面的蝕刻殘渣，防止含銅或銅合金的金屬配線產生變質，且能夠容易地除去在成膜製程之前黏附在金屬配線上的防蝕劑。
高積體化而成的LSI等的半導體元件之製造方法通常係使用微影法。藉由該微影法來製造半導體元件時通常是應用下述一系列的製程。首先，在矽晶圓等的基板上形成矽氧化膜等的層間絕緣膜，其目的係進行導電用配線材料之金屬膜等的導電薄膜或配線間的絕緣。隨後，在其表面均勻地塗布光阻劑來設置感光層，並對其選擇性地施行曝光及顯像處理來形成需要的光阻圖案。接著，藉由將該光阻圖案作為遮罩而選擇性地對下層部的薄膜施行蝕刻處理，在該薄膜形成需要的配線圖案。然後，採用一系列的製程用以完全除去光阻圖案。
近年來，半導體元件之高積體化進展，圖案加工尺寸亦必須逐漸微細化。伴隨著，在上述選擇性蝕刻處理，乾式蝕刻法逐漸成為主流。在乾式蝕刻處理，已知在所形成的圖案周邊部，會產生起因於乾式蝕刻氣體、光阻劑、被加工膜乾式蝕刻裝置內的處理室構件等之殘渣(以下稱為 「蝕刻殘渣」)。該蝕刻殘渣特別是殘留於通孔內部及其周邊部時，會導致高電阻化、或產生電短路等不良的情況。因為此種電路的微細化進展，以往大量使用作為配線材料之以鋁為主成分的材料，因為電阻高，難以使電路以指定的速度動作。因而，逐漸增加利用電阻比鋁低且遷移特性優良之銅。
但是，銅若連接絕緣材料時，擴散至絕緣材料致使其絕緣性降低。因此，必須設置用以防止銅的擴散之膜(以下，稱為「防止擴散膜」)。若除去蝕刻殘渣時，因為銅配線的一部分露出，在隨後的製程必須形成上述防止擴散膜。但是，除去蝕刻殘渣而銅露出時，因為銅非常容易變質，所以在被防止擴散膜保護之前會產生腐蝕刻或氧化等。具體例係如下舉出。
通常，在剛洗淨後，有使用有機溶劑或超純水來沖洗洗淨液之製程，但是洗淨液容易吸收大氣中的二氧化碳而呈弱酸性。使用該弱酸性的水洗淨銅時，可觀察到銅腐蝕。又，將銅放置在大氣中時，因大氣中的氧之作用，表面會被氧化。因為此種已變質的銅之電阻上升或與防止擴散膜之黏附力降低，變質腐蝕時會導致產生空隙。近年來，由於微細化逐漸進展，即便以往被容許之稍微變質，亦會對半導體元件產生重大的影響而成為不良的原因。考慮黏附防蝕劑用以防止露出的銅產生變質，作為防止此種不良之方法。
在堆積防止擴散膜之製程，對防止銅表面的腐蝕之有 效的防蝕劑係與變質的銅同樣地會成為電阻上升或成為與防止擴散膜的黏附性降低、產生空隙之原因。因此，必須將黏附的防蝕劑確實地除去至實用上沒有問題的程度，但是防蝕劑的除去並不容易。又，因為從銅表面除去防蝕劑後至堆積防止擴散膜，若銅長時間露出在大氣中時會產生變質，若未在即將堆積防止擴散膜之前除去防蝕劑時沒有效果。
如此，為了得到高精確度、高品質的半導體元件，在剛使用洗淨液除去蝕刻殘渣後至即將於表面堆積防止擴散膜之前，抑制包含腐蝕之銅的變質，在形成防止擴散膜之製程使潔淨的表面露出係非常重要的。因此，要求一種兼具洗淨與防蝕之洗淨液，其具有除去蝕刻殘渣的能力，且在剛除去蝕刻殘渣後至即將於表面堆積防止擴散膜之前能夠抑制銅的變質，進而在堆積防止擴散膜時能夠供潔淨的銅表面。
對應銅配線之洗淨液，先前有提案揭示一種洗淨液(特開2002－289569號公報)，其係由氟化銨、極性有機溶劑、水及環氧聚醯胺所構成。但是該技術即便能夠防止洗淨中的變質，但是無法防止洗淨後的變質。亦即，無法防止前述銅配線的變質。
含有對應銅配線的防蝕劑之洗淨液，有提案揭示一種洗淨液(特表2005－502734號公報)，其係含有1,3－二羰基化合物作為防蝕劑。但是，該洗淨液在剛洗淨後必須有使用超純水或有機溶劑沖洗之製程，此時防蝕劑亦被除去。因 此，無法防止洗淨後的腐蝕。
此等技術以外，含有對應銅配線的防蝕劑之洗淨液，有提案(特開2001－22096號公報、特開2003－35963號公報、特開2003－167360號公報)揭示含有苯并三唑化合物、乙烯基羧酸或還原劑做為防蝕劑之洗淨液。如前述，防蝕劑係在剛除去蝕刻殘渣後至即將堆積防止擴散膜之前保護銅配線，只有在即將堆積防止擴散膜之前完全地被脫離時才能夠得到防止銅配線變質之效果。亦即，使用防蝕劑時不僅是洗淨中的防蝕，且若沒有在適當的時序進行除去防蝕劑則不能得到高品質的半導體元件。該等前述技術對於除去防蝕劑之方法完全沒有任何揭示或暗示。
在特開2002－97584號公報，記載一種洗淨液作為半導體晶圓上的銅配線之防蝕劑，該洗淨液係添加具有嘌呤、菸鹼酸等含有氮原子的六員環之雜環化合物而成。該防蝕劑未被除去，或是在該銅配線上製造矽氮化膜時被除去，但是關於從洗淨後至製造矽氮化膜所產生的銅配線之防蝕，完全沒有任何揭示或暗示。
在特開2001－279231號公報，提案揭示一種銅配線的防蝕劑，其係含有聯二吡啶、雙酚、乙烯基吡啶、柳醛肟、7－羥基－5－甲基－1,3,4－三氮吲哚、2－胺基－1,3,4－噻二唑等具有雜五員環的化合物之液體。但是，該技術係研磨製程之技術，其目的並非從除去殘渣製程至即將堆積防止擴散膜之前抑制銅配線的腐蝕。
在特開2000－282096號公報、特開2005－333104號公報 ，揭示一種含有咪唑類、噻唑類及三唑類作為防蝕劑之洗淨液，但是未揭示關於防蝕劑之除去方法。
由上述，得知強烈希望有一種洗淨液，從除去殘渣製程至即將在銅配線的表面堆積防止擴散膜之前能夠抑制銅配線的腐蝕，且在堆積防止擴散膜時能夠容易地除去防蝕劑成分，來提供潔淨的銅表面。
本發明係提供一種洗淨防蝕用組成物，在具有含銅金屬配線之半導體元件或顯示元件之製程，其能夠發揮能夠除去在蝕刻處理後堅固地黏附被處理物表面之蝕刻殘渣且不會對半導體元件或顯示元件造成損傷之「洗淨性」；防止所得到潔淨的金屬配線受到腐蝕之「防蝕性」；及在即將使用防止擴散膜覆蓋金屬配線之前能夠藉由規定的處理將防蝕成分容易地從金屬配線除去之「易除去性」。
又，提供一種半導體元件或顯示元件之製法，使用該洗淨防蝕用組成物能夠邊洗淨除去蝕刻殘渣防止含銅金屬配線的變質。
為了解決上述課題，本發明者等進行檢討各種洗淨成分及防蝕劑成分時，發現特定的吡唑衍生物、三唑衍生物、胺基羧酸類及二硫醚化合物之任一者的防蝕劑與特定洗淨劑之組合，能夠滿足上述「洗淨性」、「防蝕性」及「易除去性」，而完成了本發明。
亦即，本發明係如下述。
一種洗淨防蝕用組成物，其係使用於具有含銅金屬配線之半導體元件或顯示元件等的製程，含有防蝕劑成分及洗淨劑成分，前述防蝕劑成分係選自由吡唑、3,5－二甲基吡唑、3,5－吡唑二羧酸一水合物、吡唑－1－甲脒鹽酸鹽、3－胺基－5－羥基吡唑、1－苯基吡唑、3－胺基－4－苯基吡唑、1,2,4－三唑、4－胺基－3,5－二甲基－1,2,4－三唑、亞胺基二乙酸、羥基伸乙二胺三乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、羥乙基亞胺基二乙酸、三伸乙四胺六乙酸、伸乙二胺二丙酸鹽酸鹽、二異丙基二硫醚、二丁基二硫醚及二乙基二硫醚所組成群組之至少1種，而前述洗淨劑成分係選自由氟化銨、氟化四甲銨、乙酸銨、乙酸、乙醛酸、草酸、抗壞血酸、1,2－二胺基丙烷及二甲基乙醯胺所組成群組之至少1種。
又，係一種半導體元件或顯示元件之製法，包含以下製程：配線圖案形成製程，其係在基板上依照順序形成作為導電用配線使用之含銅的導電薄膜及用以進行配線間的絕緣之層間絕緣膜，並在該表面塗布光阻劑來形成感光層且對其施行選擇性曝光及顯像處理來形成光阻圖案，並且以該光阻圖案作為遮罩而施行蝕刻處理後，藉由灰化除去光阻劑來形成配線圖案；洗淨處理製程，其係藉由洗淨處理來除去蝕刻處理後 的蝕刻殘渣；加熱處理製程，其係在前述洗淨處理製程後施行加熱處理；及防止擴散膜形成製程，其係在藉由前述加熱處理而露出的配線圖案表面形成防止擴散膜；前述洗淨處理製程之洗淨處理係使用如申請專利範圍第1項之洗淨防蝕用組成物，且前述加熱處理製程之加熱處理的條件係壓力為0.001~600Pa、溫度為100℃~300℃。
 實施發明之最佳形態 [1.洗淨防蝕用組成物]
本發明的洗淨防蝕用組成物係含有規定的防蝕劑成分與規定的洗淨劑成分。以下，係就此等來加以說明。
(防蝕劑成分) 本發明之防蝕劑成分係與洗淨劑成分一同混合，所以不可阻礙洗淨，且為了確保潔淨的金屬配線表面，必須藉由規定的處理(減壓加熱)來完全地除去。防蝕劑成分若不只是黏附金屬配線而且亦黏附洗淨對象之一的金屬配線氧化物時，無法得到充分的洗淨能力。因此，選擇能夠選擇性地黏附於清淨的金屬配線之防蝕劑成分係必要的。又，防蝕劑成分若與金屬配線堅強地結合時，難以藉由減壓加熱來從金屬配線表面除去。因此，選擇具有以適當力量黏附的性質之防蝕劑成分係必要的。
本發明所使用的防蝕劑成分(防蝕劑)，首先可舉出具有含有2或3個氮原子的雜環且其氮的至少2個係相鄰之化合物或其衍生物，具體上係使用吡唑或特定的吡唑衍生物或1,2,3－三唑衍生物、1,2,4－三唑衍生物等特定的三唑衍生物。或是使用特定的胺基聚羧酸類、特定的二硫醚化合物。該等防蝕劑成分可單獨使用，或組合使用2種以上。
洗淨防蝕用組成物中的防蝕劑成分之濃度係以0.001~5質量%為佳，以0.005~3質量%為更佳。防蝕劑成分的濃度為0.001質量%以上時，能夠使銅配線的防蝕效果充分，為5質量%以下時，能夠謀求防蝕效果與經濟性的平衡。
吡唑或特定的吡唑衍生物或特定的三唑衍生物係使用吡唑、吡唑－1－甲脒鹽酸鹽、3,5－二甲基吡唑、3,5－吡唑二羧酸一水合物、3－胺基－5－羥基吡唑、1－苯基吡唑、3－胺基－4－苯基吡唑、1,2,3－三唑、1,2,4－三唑、3－胺基－1,2,4－三唑、4－胺基－1,2,4－三唑及4－胺基－3,5－二甲基－1,2,4－三唑之任一種。
此等之中，較佳是吡唑－1－甲脒鹽酸鹽、3,5－二甲基吡唑、3,5－吡唑二羧酸一水合物、3－胺基－5－羥基吡唑、1－苯基吡唑、3－胺基－4－苯基吡唑、1,2,4－三唑及4－胺基－3,5－二甲基－1,2,4－三唑。又，最佳是3,5－二甲基吡唑。
特定的胺基聚羧酸類係使用伸乙二胺四羧酸、羥基伸乙二胺三乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、亞胺二乙酸、羥乙基亞胺二乙酸、三伸乙四胺六乙酸、二胺基環己烷四乙酸、二伸乙三胺五乙酸及伸乙二胺二丙酸鹽之任一種。此等之中，較佳是亞胺二乙酸、羥基伸乙二胺三乙酸、乙二醇醚 二胺四乙酸、羥乙基亞胺二乙酸、三伸乙四胺六乙酸及伸乙二胺二丙酸鹽，特佳是亞胺基二乙酸、羥基伸乙二胺三乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、三伸乙四胺六乙酸及伸乙二胺二丙酸鹽。
特定的二硫醚化合物係使用二乙基二硫醚、二異丙基二硫醚、二丁基二硫醚之任一種。其中較佳是二乙基二硫醚及二異丙基二硫醚，特佳是二乙基二硫醚。
以對清淨的金屬配線具選擇性且以適當力量黏附之方式來選擇防蝕劑成分係必要的。通常氮、氧、硫係容易與銅形成錯合物。推測上述化合物係與銅形成錯合物來顯示防蝕效果。又，推測藉由立體障礙或電子密度能夠抑制成為適當的結合力。上述的防蝕劑成分係例如使用在200℃左右可脫離者為佳。
本發明之防蝕劑能夠以將上述特定的防蝕劑成分混合於水溶液或水溶性有機溶劑而成的狀態來添加於後述的洗淨劑成分中。
水溶性有機溶劑可例示N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、N-甲基-2-吡咯啶酮、γ-丁內酯及乙二醇一甲基醚等，但是未限定於此等。
(洗淨劑成分)
洗淨劑成分(洗淨劑)係使用氟化銨、氟化四甲銨、乙酸銨、乙酸、乙醛酸、草酸、抗壞血酸、1,2-二胺基丙烷及二甲基乙醯胺之任一者。其中，較佳是氟化銨、氟化四甲銨、乙酸銨、乙酸、及1,2-二胺基丙烷。
洗淨防蝕用組成物中的洗淨劑成分的濃度以0.01~90質量%為佳，以0.03~86質量%為更佳。濃度為0.01質量%以上時，能夠使洗淨效果充分，90質量%以下時，能夠謀求洗淨效果與經濟性之平衡。
本發明的洗淨防蝕用組成物能夠藉由混合上述特定的防蝕劑成分及洗淨劑成分(各自的成分亦可以混合在特定的溶劑中)而得到。又，洗淨防蝕用組成物在不損害本發明的目的之範圍，亦可以調配以往使用作為洗淨液之添加劑。
本發明的洗淨防蝕用組成物能夠應用的半導體元件及顯示元件若是配線材料係以Cu作為主成分時沒有特別限定。可舉出例如矽、非晶質矽、多晶矽、玻璃等的基板材料；氧化矽、氮化矽、碳化矽及該等的衍生物等的絕緣材料；鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭及該等的衍生物等的阻障材料；含有以銅為主成分且含鎢、鈦－鎢、鋁、鋁合金、鉻、鉻合金等的配線材料之半導體元件及顯示元件、或鎵－砷、鎵－磷、銦－磷等的化合物半導體、或鉻氧化物等的氧化物半導體等。
[2.半導體元件或顯示元件的製法]
本發明的半導體元件或顯示元件的製法，包含以下製程：配線圖案形成製程，其係在基板上依照順序形成作為導電用配線使用之含銅的導電薄膜及用以進行配線間的絕緣之層間絕緣膜，並在該表面塗布光阻劑來形成感光層且對其施行選擇性曝光及顯像處理來形成光阻圖案，並且以該光阻圖案作為遮罩而施行蝕刻處理後，藉由灰化除去光 阻劑來形成配線圖案；洗淨處理製程，其係藉由洗淨處理來除去蝕刻處理後的蝕刻殘渣；加熱處理製程，其係在前述洗淨處理製程後施行加熱處理；及防止擴散膜形成製程，其係在藉由前述加熱處理而露出的配線圖案表面形成防止擴散膜；在洗淨處理製程之洗淨處理係使用本發明的洗淨防蝕用組成物。
洗淨處理的溫度以在20~50℃的範圍為佳，可按照擇蝕刻條件或所使用半導體基體而適當地選擇。
洗淨處理能夠按照必要並用超音波。藉由洗淨處理除去半導體基體上的蝕刻殘渣後之沖洗液，不必使用如醇之有機溶劑而只要使用水沖洗即充分。洗淨處理後，因為配線圖案的露出部分防蝕劑係以適當的黏附力(能夠藉由後述的加熱處理而除去的程度之黏附力)覆蓋，即便隨後長期間保存亦能夠繼續顯現防蝕效果。
在加熱處理製程之加熱處理時，在藉由後述的防止擴散膜形成製程形成防止擴散膜之前，必須使防蝕劑成分脫離至實用上無問題之程度。因此，加熱處理時設定規定減壓度係必要的，該壓力為0.001~600Pa。進行脫離時之壓力大於600Pa時，防蝕劑成分未被除去至實用上無問題之程度而殘留於銅表面。又，應用大於600Pa時而完全脫離之化合物作為本發明的目的之防蝕劑成分時，即便在25℃左右的條件，會有一部分防蝕劑產生脫離致使防蝕效果不充分的情形。從實用上的觀點，進行脫離時之壓力下限為 0.001Pa。
在上述記載之減壓下，為了使本發明的防蝕劑成分脫離至實用上無問題之程度之溫度(加熱處理溫度)為100℃~300℃，以120℃~280℃為佳，以150℃~250℃為更佳。
在溫度小於100℃而完全脫離時，即便25℃左右的條件，會有一部分防蝕劑產生脫離致使防蝕效果不充分的情形。必須大於300℃才會脫離時，在脫離防蝕劑之製程時會造成損傷。
又，在上述配線圖案形成製程所應用之各層的形成條件或材料、蝕刻條件等能夠應用先前通常已知的技術。又，在防止擴散膜形成製程之防止擴散膜的材料或形成方法亦能夠應用先前通常已知的技術。
接著，藉由實施例及比較例更具體地說明本發明。但是，本發明完全未限定於此等實施例。
(半導體元件的製造) 如下進行，來製造半導體元件。
首先，如第1圖所示，在銅配線之導電薄膜1上藉由CVD法依照順序堆積碳化矽膜2及層間絕緣膜之Low－k膜3。隨後，塗布光阻劑並使用通常的光學技術加工光阻劑。使用乾式蝕刻技術將Low－k膜3及碳化矽膜2蝕刻加工成需要的圖案並形成通孔，且藉由灰化除去光阻劑，來製造半導體元件。在製造後的半導體元件之通孔內壁係黏附者蝕刻殘渣4。
[實施例1~20及比較例1~20]
在下述洗淨劑成分混合下述表1及表2所示之防蝕劑成分，來製造實施例1~20及比較例1~20的洗淨防蝕用組成物。使用該等的洗淨防蝕用組成物來進行下述評價。
(洗淨劑成分) A液：0.4質量%氟化銨、0.03質量%乙醛酸、剩餘部分為水 B液：12質量%乙酸、15.2質量%乙酸銨、57.5質量%二甲基乙醯胺、1質量%氟化銨、剩餘部分為水 C液：3.4質量%草酸、0.05質量%抗壞血酸、剩餘部分為水 D液：0.1質量%1,2－二胺基丙烷、0.5質量%氟化四甲銨、1.5質量%乙酸、剩餘部分為水
(評價1：洗淨性) 將如第1圖所示之半導體元件浸漬在各洗淨防蝕用組成物，於25℃浸漬2分鐘後，使用超純水沖洗並乾燥。經過上述製程後，使用掃描型電子顯微鏡(SEM、日立HIGHTECHNOLOGIES公司製S－5500)觀察表面狀態，洗淨性係評價蝕刻殘渣的除去性、銅配線體的腐蝕及Low－k材料的損傷。
(評價2：防蝕性) 為了確認防蝕劑的防蝕能力，將全面鍍敷銅膜而形成的矽晶圓，在各洗淨防蝕用組成物中於25℃浸漬2分鐘後，使用超純水沖洗並乾燥。隨後，將該矽晶圓於25℃浸漬於熔解二氧化碳而成的超純水(比電阻為0.2M Ω．cm， 以下稱為碳酸水)5分鐘。使用SEM觀察所得到的銅表面，來判斷銅的腐蝕。認為銅腐蝕者係防蝕劑未具有功能。
(評價3：防蝕性) 為了確認防蝕劑之抑制銅變質的能力，將全面鍍敷銅膜而形成的矽晶圓，在各洗淨防蝕用組成物中於25℃浸漬2分鐘後，使用超純水沖洗並乾燥。隨後，在22℃、濕度45%的潔淨室內放置3天後，使用X射線光電子分光裝置(XPS、VG Scientific公司製)測定銅的狀態。
(評價4：易除去性) 為了確認從防蝕劑成分的銅表面之脫離性(除去性)而進行下述實驗。首先，將全面鍍敷銅膜而形成的矽晶圓，在25℃浸漬於下述表1~表3所示洗淨防蝕用組成物中在評價2觀察到具有效果者2分鐘後，使用超純水沖洗並乾燥。將該銅膜於0.1Pa的減壓下、200℃加熱5分鐘。隨後，於25℃浸漬在碳酸水5分鐘並使用SEM觀察銅表面。在評價2觀察到具有效果之洗淨防蝕用組成物，在銅表面係形成用以防止受到碳酸水腐蝕之膜。藉由減壓加熱黏附有保護膜之銅膜將保護膜從銅表面除去時，接著浸漬在碳酸水時，應該能夠觀察到在銅表面產生腐蝕。因此，雖然在評價2使用SEM觀察時無法觀察到銅產生腐蝕係良好的結果，但是在評價4使用SEM觀察時，能夠觀察到銅產生腐蝕係良好的結果
上述表中的各評價指標係如下所示。又，評價為「◎」及「○」時，係實用上無問題的水準。
(評價1的蝕刻殘渣除去性) ◎：完全被除去。
○：大致完全被除去。
△：一部分殘留。
×：大部分殘留。
(評價1之銅的防蝕性)
◎：完全未認定有腐蝕。
○：幾乎未認定有腐蝕。
△：認定有凹陷狀或坑狀的腐蝕。
×：認定在銅層的全面有腐蝕並且認定銅層後退。
(評價1之Low－k材料的損傷)
◎：完全未認定形狀有變化。
○：幾乎未認定形狀有變化。
△：認定有形狀有少許變化。
×：認定有形狀有大的變化。
(評價2)
◎：完全未認定有腐蝕。
○：幾乎未認定有腐蝕。
△：認定有凹陷狀或坑狀的腐蝕。
×：認定在銅層的全面有腐蝕並且認定銅層後退。
(評價3)
◎：完全未觀察到銅的變質物。
○：幾乎未觀察到銅的變質物。
△：觀察到少許銅的變質物。
×：觀察到大量銅的變質物。
(評價4)
◎：認定在銅的全面有腐蝕。
○：認定在銅的一部分有腐蝕。
△：幾乎未認定銅有腐蝕。
×：完全未認定銅有腐蝕。
如表1所示，在實施例1~20，不會損傷洗淨液(洗淨劑成分)的性能，洗淨後之銅表面的保護效果亦優良且能夠藉由減壓加熱而容易地除去。
1‧‧‧導電薄膜
2‧‧‧碳化矽膜
3‧‧‧Low－K膜
4‧‧‧蝕刻殘渣
第1圖係模式性顯示乾式蝕刻後所形成蝕刻殘渣的狀態之部分剖面圖。
1‧‧‧導電薄膜
2‧‧‧碳化矽膜
3‧‧‧Low－K膜
4‧‧‧蝕刻殘渣

Claims (6)

  1. 一種洗淨防蝕用組成物，其係使用於具有含銅金屬配線之半導體元件或顯示元件的製程，且由防蝕劑成分、洗淨劑成分及剩餘部分之水或水溶性有機溶劑所構成，該防蝕劑成分係選自由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3,5-吡唑二羧酸一水合物、吡唑-1-甲脒(carboxamidine)鹽酸鹽、3-胺基-5-羥基吡唑、1-苯基吡唑、3-胺基-4-苯基吡唑、1,2,4-三唑、4-胺基-3,5-二甲基-1,2,4-三唑、亞胺基二乙酸、羥基伸乙二胺三乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、羥乙基亞胺基二乙酸、三伸乙四胺六乙酸、伸乙二胺二丙酸鹽酸鹽、二異丙基二硫醚、二丁基二硫醚及二乙基二硫醚所組成群組之至少1種，而該洗淨劑成分係選自由氟化銨、氟化四甲銨、乙酸銨、乙酸、乙醛酸、草酸、抗壞血酸、1,2-二胺基丙烷及二甲基乙醯胺所組成之群組中之至少1種。
  2. 如申請專利範圍第1項之洗淨防蝕用組成物，其中防蝕劑成分係選自由1,2,4-三唑、4-胺基-3,5-二甲基-1,2,4-三唑、亞胺基二乙酸、羥基伸乙二胺三乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、羥乙基亞胺基二乙酸、三伸乙四胺六乙酸、伸乙二胺二丙酸鹽酸鹽、二異丙基二硫醚、二丁基二硫醚及二乙基二硫醚所組成之群組中之至少1種。
  3. 如申請專利範圍第1項之洗淨防蝕用組成物，其中該防蝕劑成分係在壓力為0.001~600Pa、加熱處理溫度為100 ℃~300℃脫離。
  4. 如申請專利範圍第1項之洗淨防蝕用組成物，其中該防蝕劑成分的濃度為0.001~5質量%，且該洗淨劑成分的濃度為0.01~90質量%。
  5. 一種半導體元件之製法，其包含以下製程：配線圖案形成製程，其係在基板上依照順序形成作為導電用配線使用之含銅的導電薄膜及用以進行配線間的絕緣之層間絕緣膜，並在該表面塗布光阻劑來形成感光層且對其施行選擇性曝光及顯像處理來形成光阻圖案，並且以該光阻圖案作為遮罩而施行蝕刻處理後，藉由灰化除去光阻劑來形成配線圖案；洗淨處理製程，其係藉由洗淨處理來除去蝕刻處理後的蝕刻殘渣；加熱處理製程，其係在該洗淨處理製程後施行加熱處理；及防止擴散膜形成製程，其係在藉由該加熱處理而露出的配線圖案表面形成防止擴散膜；該洗淨處理製程之洗淨處理係使用如申請專利範圍第1項之洗淨防蝕用組成物，且該加熱處理製程之加熱處理的條件係壓力為0.001~600Pa、溫度為100℃~300℃。
  6. 一種顯示元件之製法，其包含以下製程：配線圖案形成製程，其係在基板上依照順序形成作為導 電用配線使用之含銅的導電薄膜及用以進行配線間的絕緣之層間絕緣膜，並在該表面塗布光阻劑來形成感光層且對其施行選擇性曝光及顯像處理來形成光阻圖案，並且以該光阻圖案作為遮罩而施行蝕刻處理後，藉由灰化除去光阻劑來形成配線圖案；洗淨處理製程，其係藉由洗淨處理來除去蝕刻處理後的蝕刻殘渣；加熱處理製程，其係在該洗淨處理製程後施行加熱處理；及防止擴散膜形成製程，其係在藉由該加熱處理而露出的配線圖案表面形成防止擴散膜；該洗淨處理製程之洗淨處理係使用如申請專利範圍第1項之洗淨防蝕用組成物，且該加熱處理製程之加熱處理的條件係壓力為0.001~600Pa、溫度為100℃~300℃。
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