TWI453305B - 電解用電極的製造方法 - Google Patents

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Description

電解用電極的製造方法
本發明係關於被應用於各種類型用於工業目的之電解作用的電解用電極之製造方法，特別係關於在用於工業目的之包括電解銅箔製造、藉由液態粉末進料之鋁電解電容器製造及連續鍍鋅鐵板製造(其與陽極端之氧產生關連)等電解過程中，具有高度耐久性的電解用電極之製造方法。
由塗覆以二氧化銥做為電極觸媒之金屬鈦基層所製成之陽極，由於其對於氧產生具有高抗性，而被廣泛應用於目前用於工業目的之電解作用過程中，包括電解銅箔製造、藉由液態粉末進料之鋁電解電容器製造、以及涉及在其陽極端產生氧的連續鍍鋅鐵板製造。然而，於此類型涉及在其陽極端產生氧之工業目的用電解作用中，為了要穩定產物遂添加有機物質或雜質元素，其會引起各種不同的電化學及化學反應。此等反應由於與氧產生關連之氫離子濃度增加(pH值降低)，而可能導致電極觸媒之消耗量更高。
由於二氧化銥所組成之電解觸媒被廣泛應用於氧產生之情況，電極消耗被認為係開始於消耗其本身，且伴隨發生電極基層因同樣原因產生的腐蝕，結果造成電極觸媒部份及內部之消耗與分離，電流強烈地流向該電極觸媒剩餘的部份上，而因此以加快的速度持續進行觸媒消耗。
習知上，為壓制電極基層之腐蝕性溶解，及有效電極觸媒持續從電極基層分離，遂應用各種代表性的例如，在鈦基層與電極觸媒層之間安插一中間層之方法。此類中間層係選擇具有較電極觸媒層低的電極活性及電子傳導性者，經設計成可藉由使電極基層與，造成腐蝕性電解質及pH值降低之氧產生區域隔離，而具有可減緩基層損傷的重要性。
於專利文獻1中，係揭示一種以鉭與/或鈮氧化物提供，其厚度介於0.001g/m2及1g/m2呈金屬之中間層，且其具有導電性跨越二氧化鈦塗層形成於基層的表面上。
於專利文獻2中，係揭示一種將鉭與/或鈮之氧化物添加至鈦與/或錫之氧化物的價數-控制之半導體。於專利文獻1及專利文獻2中所描述之方法已經廣泛應用在工業上。
於專利文獻3中，係揭示一種於藉由真空噴鍍而在基層表面製備得之，包含無晶粒間界之非晶形層的底塗層上所形成之金屬氧化物中間層。
然而，最近反映出對於高經濟效益之要求，操作條件已趨向更嚴苛且需要高耐久性的電極。於此等情況下，用於製備如專利文獻1-3中所描述之中間層的方法，已無法達到所希望之足夠效能。
為解決與製備專利文獻1-3中之中間層相關的問題，於專利文獻4中描述一種形成包含單層二氧化鈦之中間層的方法，其中鈦電極基層本身被電解氧化，以使位於該電極基層上之表面鈦被轉變成二氧化鈦。
於專利文獻4中所述之電極，藉由電解氧化作用所形成之中間層相當薄，而無法提供足夠的抗腐蝕性；因此在該經由電解氧化作用所製備得之第一中間層表面上，再藉由熱-分解方法形成第二層厚的二氧化鈦單層，而於其上架構電極觸媒層。
但是，專利文獻4中所描述之方法其可操作性差，較不經濟，且因為其在製備中間層時需要兩種操作製程而並不實用；更特別地，電解氧化與熱-分解需要兩種完全不同的裝備及機械。
於專利文獻5中，係揭示一種能夠與電極基層緊密結合之高抗腐蝕性、高密集的中間層，其包含藉由將介於電極基層與電極觸媒層間的電極基層進行高溫氧化處理，而製備得之高溫氧化物塗層。
根據專利文獻5，藉由將電極基層高溫氧化而製備得之氧化物塗層具有高抗腐蝕性與密度，且與電極基層緊密結合，而因此可保護電極基層，並能夠經由氧化物-氧化物鍵結，充分支撐主要包含氧化物之電極觸媒。
於專利文獻6中，係揭示一種具有雙層結構，以進一步強化專利文獻5中之方法的功效之中間層，其包含金屬氧化物與藉由高溫氧化作用而衍生自基層之高溫氧化物。
然而，由專利文獻5及專利文獻6所揭示之方法並不能充分形成，能夠與介於電極底層與電極觸媒間的電極基層緊密結合之高抗腐蝕性、高密集中間層，且無法獲得具有增加密度、電極抗腐蝕性及導電特性之電解用電極。
【專利文獻1】日本特公昭60-21232號公報
【專利文獻2】日本特公昭60-22074號公報
【專利文獻3】日本專利第2761751號公報
【專利文獻4】日本特開平7-90665號公報
【專利文獻5】日本特開2004-360067號公報
【專利文獻6】日本特開2007-154237號公報
本發明目的在於解決習知技藝之如前述所提及的問題，並提供具有較高密度、更高電極抗腐蝕性及增強導電特性之電解用電極，以及彼等之製造方法用於各種類型供工業目的用之電解作用。
為達到該等目的，本發明(做為用以解決該等問題之第一種方式)係提供一種電解用電極的製造方法，其特徵在於：藉由電弧離子噴鍍方法(以下稱為AIP方法)，於包含閥金屬或閥金屬合金之電極基層表面上，形成一層包含其含有結晶形鉭組成與結晶形鈦組成之閥金屬或閥金屬合金的電弧離子噴鍍底塗層(以下稱為AIP底塗層)之方法，於其中係將含有閥金屬做為主要元素之金屬化合物溶液塗覆於該AIP底塗層之表面上，隨後藉由熱燒結而使該包含含有結晶形鉭組成與結晶形鈦組成之閥金屬或閥金屬合金的AIP底塗層中僅鉭組成轉變成非晶形物質，並在該包含含 有已轉變之非晶形物質鉭組成與結晶形鈦組成的AIP底塗層之表面上形成包含閥金屬氧化物組成做為主要成分之氧化物中間層的熱燒結方法，以及於該氧化物中間層的表面上形成電極觸媒層之方法。
本發明(做為用以解決該等問題之第二種方式)係提供一種電解用電極的製造方法，其特徵為於該熱燒結方法中，該熱燒結方法之燒結溫度為530℃或以上，且該熱燒結之燒結時間為40分鐘或以上。
本發明(做為用以解決該等問題之第三種方式)係提供一種電解用電極的製造方法，其特徵為於該熱燒結方法中，該熱燒結方法之燒結溫度為550℃或以上，且該熱燒結之燒結時間為60分鐘或以上；僅有該AIP底塗層中之鉭組成被轉變成非晶形物質；及於同時閥金屬組成係部份被氧化。
本發明(做為用以解決該等問題之第四種方式)係提供一種電解用電極的製造方法，其特徵為形成含有該閥金屬組成之金屬氧化物中間層的金屬氧化物，為至少一種選自鈦、鉭、鈮、鋯及鉿之金屬的氧化物。
本發明(做為用以解決該等問題之第五種方式)係提供一種電解用電極的製造方法，其特徵為在形成該電極觸媒層時，係藉由熱分解方法形成該電極觸媒層。
本發明(做為用以解決該等問題之第六種方式)係提供一種根據申請專利範圍第1項之電解用電極的製造方法，其特徵為包含該閥金屬或閥金屬合金之電極基層係鈦或鈦基合金。
本發明(做為用以解決該等問題之第七種方式)係提供電解用電極的製造方法，其特徵為形成該AIP底塗層之閥金屬或閥金屬合金，係由至少一種選自鈮、鋯及鉿之金屬與鉭及鈦所組成。
以下將詳細說明本發明。
圖1為一種本發明電解電極之概念圖實例。
於本發明，係將包含閥金屬或閥金屬合金之電極基層1清洗，以去除殘留在表面上的雜質，例如油類與潤滑脂、切割碎片及鹽類。可利用之清洗方法包括水洗、鹼洗淨、超音波洗滌、蒸汽沖洗及擦淨。藉由進一步的表面噴砂或蝕刻處理，使其變得粗糙及增大表面積，電極基層1可增加其結合強度，並實質上降低電解電流密度。蝕刻處理可較單純表面清洗更加強表面清潔效果。蝕刻係於或接近沸點溫度下，使用非-氧化性酸類例如鹽酸、硫酸及草酸或彼等之混合酸類，或使用硝酸氫氟酸在接近室溫下進行。之後，以純水清洗隨後再進行充分乾燥而完成。在用純水清洗之前，可希望地先以大量自來水洗滌。
於本案說明書中，閥金屬係指鈦、鉭、鈮、鋯、鉿、釩、鉬及鎢。應用鈦或鈦底合金做為，用於包含閥金屬或閥金屬合金之電極的基層用代表性材料。應用鈦或鈦底合金之優點包括(除了其高抗腐蝕性及經濟效益之外)，比強度(強度/比重)大及相對上較容易進行加工操作，例如壓延與切割(由於最近加工技術的發展)。
本發明之電極可呈簡單的桿狀或平板狀，或經由機械加工而呈複雜之形狀。表面可為平滑或多孔的。於本文中“電極之表面”意指，其在浸潤時能夠與電解質接觸的任何部份。
在該等操作後，藉由AIP方法於該包含閥金屬或閥金屬合金之電極基層1之表面上，形成包含其含有結晶形鉭物質或鈦組成之閥金屬或閥金屬合金的AIP底塗層2。
應用於形成包含其含有結晶形鉭物質，或鈦組成之閥金屬或閥金屬合金的AIP底塗層之可希望金屬組合包括鉭與鈦，或鉭與鈦加上至少一種選自鈮、鋯及鉿三種元素之金屬。當AIP底塗層2係使用此等金屬藉由AIP方法，形成於電極基層1之表面上時，則存在AIP底塗層2中的金屬，將全部皆為結晶形物質。
AIP方法是一種用於形成強健且緊密的塗層之方法，其中係使用金屬標靶(蒸發源)做為用以在真空中引起弧放電的陰極；所產生之電能瞬間將標靶金屬蒸發及放電至真空中；而偏壓(負壓)係加載於塗層物體上以加速金屬離子，達到與反應氣體粒子一起緊密黏合至塗層物體之表面上。當應用AIP方法時，可使用非常強的弧放電能量來製備超硬塗層。
而且，真空弧放電之特性使標靶材料產生高離子化速率，能夠容易地在高速下製造緊密且高黏附性之塗層。
乾燥塗覆技術包括，PVD(物理蒸汽沈積)與CVD(化學蒸汽沈積)。AIP方法(為PVD之一種代表性離子噴鍍方法)則是利用真空弧放電之特殊離子噴鍍製程。
因此，AIP方法容易產生高的蒸發速率。又，其能夠使具有高熔點之金屬蒸發，或使藉由具有不同蒸汽壓之物質所製備得之合金標靶材料，大約在合金組成流份下蒸發，其通常由其他類型離子噴鍍方法認為具有困難。AIP方法為形成本發明底塗層之必要方法。
於該專利文獻3之第2頁右欄第20-30行中曾揭示，“應用藉由真空濺鍍(vacuum sputtering)進行之薄塗層製備方法，做為用以在金屬性基層上形成此類材料非晶形層的方法。若使用真空濺鍍方法，則容易得到呈非晶形狀態且無晶粒間界之薄塗層。關於真空濺鍍，可應用各種方法例如DC濺鍍、高頻波濺鍍、離子噴鍍及簇離子束，其中可視需要地控制諸如真空度、基層溫度、標靶平板之組成或純度、沈積速率(輸入功率)等參數，以獲得具有所希望特性之薄塗層。”且於專利文獻3之實施例1與2(第3頁右欄及之後)中，係使用高頻波濺鍍方法。然而，不像AIP方法，此高頻波濺鍍方法具有下列弱點：標靶金屬之蒸發速率低，且當合金標靶材料係藉由將具有不同融合點或蒸汽壓之物質，例如鉭與鈦組合而製備得時，所形成的合金比例並不恆定。
於專利文獻3之實施例1與2(第3頁右欄及之後)中，係使用高頻波濺鍍方法。然而，當應利用鉭與鈦做為用於此高頻波濺鍍方法之標靶金屬時，該二種金屬皆產生非晶形薄塗層。而在本 發明之AIP方法中，所有金屬皆變成結晶形薄塗層。反之，藉由真空濺鍍法例如DC濺鍍、高頻波濺鍍、離子噴鍍及簇離子束(如專利文獻3中所述)，結果與藉由高頻波濺鍍所得者相同，即無法產生如藉由AIP方法所得之緊密且強健的塗層。
包含其含有結晶形鉭與鈦組成之閥金屬或閥金屬合金的AIP底塗層2之可允許厚度通常為0.1-10μm，其視需要地係從諸如抗腐蝕性及產量等實用性觀點來選擇。
然後，在將包含電極觸媒之電極觸媒層3塗覆於該AIP底塗層2的表面上之前，先塗上閥金屬或閥金屬合金之溶液，隨後進行熱燒結方法與熱分解方法，其可將AIP底塗層中之鉭組成轉變成非晶形狀態，而形成包含閥金屬氧化物做為主要成分之氧化物中間層4。
用於形成氧化物中間層4，係塗佈主要含有閥金屬做為主要元素之氧化物，包括五價鉭、鈮及釩的氧化物，其藉由與四價鈦基層組合而構成價數-控制半導體；與六價鉬氧化物組合之五價鉭、鈮及釩的氧化物；或四價鈦、鋯及錫之氧化物與五價鉭、鈮、釩及銻氧化物組合，其構成單相價數-控制半導體；或是非定比鈦、鉭、鈮、錫與鉬氧化物之n-型半導體。
尤其，最適合的材料為由至少一種選自五價鉭、鈮之金屬所成的氧化物層，或是由至少一種選自四價鈦及錫之金屬氧化物與由至少一種選自五價鉭及鈮之金屬氧化物所成的混合氧化物。
如後述之實施例中所示，根據本發明，在形成含有閥金屬氧 化物組成做為主要成分之氧化物中間層4時，該熱燒結方法之較佳煅燒溫度為530℃或以上，且時間長度為40分鐘。
類似此方法，在該氧化物中間層4上形成電極觸媒層3，使介於該AIP底塗層2、氧化物中間層4與電極觸媒層3間之邊界黏合更加緊密。
換言之，該等步驟係如下所述：形成AIP底塗層2→塗佈含有閥金屬做為主要元素之金屬化合物的溶液→藉由熱燒結方法形成氧化物中間層4→藉由下述方法形成電極觸媒層3：塗佈含有閥金屬做為主要成分之金屬化合物的溶液→熱燒結方法，防止在AIP底塗層2與電極觸媒層3間的界面處發生分離。
再者，藉由塗佈含有閥金屬做為主要元素之金屬化合物溶液，隨後經熱燒結方法而製備得之含有閥金屬做為主要成分的氧化物中間層4，對於覆蓋有因熱燒結方法所產生之加熱氧化物塗層的電極觸媒層3及AIP底塗層2，仍保有相當高的黏合功效(在彼等之氧化物/氧化物/氧化物結合界面)，其中各別構成組成經由共同的熱擴散作用，而展現出組成間的局部連續。
此氧化物中間層4功用係做為AIP底塗層2之保護層，其為增強電極基層1之抗腐蝕性的主因，且亦提供與AIP底塗層2及電極觸媒層3之高黏合功效，預防在界面處發生分離。
於本發明，該氧化物中間層之可希望厚度通常為10nm或以上。
做為熱分解方法之一種實例，係將五氯化鉭溶於鹽酸之溶液 塗佈於，位在該金屬鈦電極基層1上之AIP底塗層2上。當於550℃或以上，施予經由熱分解方法之熱處理達至少60分鐘時，即形成氧化物中間層4；同時，該AIP底塗層2中之鉭組成轉變成非晶形，且一部份含有鉭組成與鈦組成之閥金屬或閥金屬合金被氧化；在AIP底塗層2之表面上形成氧化物中間層4；且可增強與藉由熱分解方法而於該表面上所製備得之電極觸媒層3的黏合功效。
對抗熱氧化之抗-熱分解效應(由藉由該熱燒結方法製備得之呈非晶形相的AIP底塗層所提供)為，(在表面)含有緊密、相當薄的高溫氧化塗層(氧化物中間層4)之含氧層，由高溫氧化塗層產生之緻密化效應，以及由高溫氧化塗層產生之錨定效應，不僅減輕所描述電極活化物質之塗覆程序中的熱效應，亦緩和電極在使用時之熱化學氧化及腐蝕作用，其預期為造成電極耐久性之主因。
接著，將具有貴金屬或貴金屬氧化物做為主要觸媒之電極觸媒層3，安裝於以該方法形成的金屬氧化物中間層4上。
所利用之電極觸媒係適宜地選自鉑、氧化釕、氧化銥、氧化銠、氧化鈀等，取決於電解作用之類型而單獨或組合使用。氧化銥係最適合做為用於氧產生(其中需要高耐久性對抗諸如，所產生的氧、低pH值及有機雜質等因素)之電極。為了增強與基層之黏合力或電解作用中之耐久性，可希望地將諸如氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮與氧化錫等物質混合。
此電極觸媒層之可應用塗覆方法包括，熱分解法、溶膠-凝膠法、漿塗法、電泳法、CVD法及PVD法。尤其，以如經詳細描述於JP 48-3954 B，及JP 46-21884 B中之熱分解法非常適合，其中係將含有構成該塗層主要物質之成分的化學化合物溶液塗佈在基質上，隨後進行乾燥及熱燒結方法，以經由熱分解與熱合成反應形成目標氧化物。
做為電極觸媒層成分之金屬化合物，此類所列物質係例如溶解於有機溶液之金屬醇化物、主要溶解於強酸水溶液之金屬氯化物或硝酸鹽、及溶解於潤滑油中之樹脂酸鹽。對於該等物質，係添加鹽酸、硝酸、草酸做為安定劑，且視需要地添加水楊酸、己酸2-乙酯、乙醯丙酮、EDTA、乙醇胺、檸檬酸、乙二醇做為用於製備塗層溶液之絡合劑，使用已知的塗覆工具與方法包括塗刷、滾筒、噴霧、旋轉套筒、印刷及靜電塗層，將其塗佈於該氧化物中間層之表面上。經過乾燥後，在氧化性大氣例如於空氣中之熔爐中進行熱燒結方法。
以下列述關於本發明之電解用電極及其製造的具體實施例與比較實施例，然而，其並非必然用於限制本發明。
實施例1
將JIS第1級鈦薄板之表面，以藉由鑄鐵柵網(尺寸G120)進行之乾式噴砂處理，隨後於經煮沸-濃縮之鹽酸水溶液中酸洗10分鐘，做為電極基層的清洗程序。將經清洗之電極基層安裝於具有Ti-Ta合金標靶做為蒸發源之電弧離子噴鍍單元中，並將Ti-Ta 合金塗層塗佈於基層的表面上成為底塗層。塗覆條件如表1中所示。
從做為與該電極基層平行之監察目的所安裝之不鏽鋼板的螢光X-射線分析得知，該合金層之組成與標靶物相同。
然而，在塗覆上AIP底塗層後所進行之X-射線繞射顯示，於基層整體本身觀察到清楚的結晶高峰，且其屬於AIP底塗層，證明該底塗層包含呈六方密集堆積(hcp)之鈦，與體心立方(bcc)之鉭，具有少量單斜晶系的結晶形物質。
然後，將藉由5g/l五氯化鉭溶解於濃鹽酸中而製備得之塗層溶液塗佈在該AIP底塗層之表面上，隨後加以乾燥並於525℃下，於空氣循環型電熱爐中進行熱分解80分鐘，而形成氧化鉭層。X-射線繞射分析說明寬型之鉭相屬於AIP底塗層，證明該底塗層之鉭相經由熱處理而從結晶形物質被轉變成非晶形的。此外，亦觀察到屬於該鈦基層與AIP底塗層之清楚鈦相高峰。
接著，將藉由將四氯化銥與五氯化鉭溶解於濃鹽酸中而製備得之塗層溶液，塗佈於在該AIP底塗層之表面上所形成的氧化鉭中間層上，隨後加以乾燥並於535℃下，於空氣循環型電熱爐中進行熱分解15分鐘，而形成包含氧化銥與氧化鉭之混合氧化物的電極觸媒層。該塗層溶液之塗佈量，係依可使每次處理的塗層厚度大約為1.0g/m2 (以銥金屬同等量計)來決定。重複塗覆與燒結之程序十二次，而獲得12g/m2 (以銥金屬同等量計)之電極觸媒層。
針對此樣本進行之X-射線繞射分析說明，氧化銥之清楚高峰屬於電極觸媒層，而鈦相之清楚高峰屬於該鈦基層與AIP底塗層。而且，觀察到屬於AIP底塗層之鉭相的寬型，證明甚至在經過進行熱燒結以獲得電極觸媒層之後，AIP底塗層之鉭相仍保持非晶形狀態。
針對以該方法所製備得之電解用電極，進行下列電解壽命之評估。
電流強度：500A/dm2
電解溫度：60℃
電解質：150g/l硫酸水溶液
相對電極：Zr板
電池電壓從初始電池電壓增加2.0V時之時間點，即認為是電解壽命的終點。
表2列示此電極之電解壽命。
當於形成氧化物中間層之步驟中的熱燒結方法之燒結溫度設定於530℃或以下時，相較於表2中之比較實施例1，所提供具有氧化鉭中間層之電極，顯示與不具有該中間層之電極相當的電極壽命。但是，在直接位於AIP底塗層上之電極基層處的腐蝕發展並不相同。
實施例2與3
以與實施例1相同之方法，經由AIP處理製得Ti-Ta合金塗層鈦基層。將藉由五氯化鉭溶解於濃鹽酸中而製備得之塗層溶液塗佈在該AIP底塗層上，隨後加以乾燥並於如表2中所列示之各種溫度及燒結時間下，於空氣循環型電熱爐中進行熱處理，而形成氧化鉭中間層。
在經熱分解後，進行X-射線繞射分析，從其結果顯示屬於該AIP底塗層之鉭相的寬型出現於所有電極上，且該底塗層之鉭相已經由熱燒結過程，從結晶物質被轉變成非晶形。此外，亦觀察到屬於該鈦基層與AIP底塗層的鈦相之清楚高峰。
接著，以與實施例1相同之方法形成電極觸媒層，並於相同程序完成電解壽命之評估。如由表2中之結果顯示，電極壽命係隨著該氧化物中間層之燒結溫度及燒結時間的增加而被延長。圖2A例舉說明實施例2之電極在電解作用後，以SEM造影的剖面圖。如圖2A中所示，於經電解作用後之實施例2電極中，電解質並無侵入基層與AIP底塗層間的邊界，而因此在基層處未觀察到任何腐蝕斑點。
同樣地，於經電解作用後之實施例3電極中，電解質並無侵入基層與AIP底塗層間的邊界，而因此在基層處未觀察到任何腐蝕斑點。
實施例4～7
以與實施例1相同之方法，經由AIP處理製得Ti-Ta合金塗層鈦基層。將藉由五氯化鉭溶解於濃鹽酸中而製備得之塗層溶液塗佈在該AIP底塗層上，隨後加以乾燥並於如表2中所列示之各種溫度及燒結時間下，進行熱處理而形成氧化鉭中間層。
在經熱分解後，進行X-射線繞射分析，從其結果顯示有出現屬於該AIP底塗層之鉭相的寬型及氧化鉭與氧化鉭之高峰，且該底塗層之鉭相已經由熱燒結過程，從結晶物質被轉變成非晶形，且同時一部份被轉化成氧化物(Ta2 O5 )。此外，觀察到屬於該鈦基層與AIP底塗層之鈦相的清楚高峰，而當燒結溫度為575℃或以上且燒結期為60分鐘或以上時，亦觀察到屬於該AIP底塗層之鈦氧化物高峰。從此等觀察得知，該底塗層之鈦相被部份氧化(TiO)。然而，於實施例4中，僅觀察到鉭氧化物。
然後，以與實施例1相同之方法製備電極觸媒層，並於相同程序評估電解壽命。電解壽命之結果列示於表2中。
如由表2中之結果得知，當燒結溫度為550℃或以上，燒結期為60分鐘或以上，且AIP底塗層變成一種含氧層時，電極壽命被進一步延長。
樣本重量因該中間層之熱處理所產生的變化，係列示於表2之“底塗層中組成因中間層之熱處理所產生的相轉變及重量變化”欄中。
比較實施例1
藉由AIP處理製得Ti-Ta合金塗層鈦基層。以與實施例2相同之方法，於空氣循環型電熱爐中產生熱分解塗層，惟於實施例2中有塗佈五氯化鉭溶解於濃鹽酸溶液之塗層。
X-射線繞射分析顯示，有出現屬於該合金底塗層之鉭相的寬型，且該底塗層之鉭相已經由熱燒結過程，從結晶物質被轉變成非晶形。此外，觀察到屬於該鈦基層與合金底塗層之鈦相的清楚高峰。
然後，以與實施例2相同之方法形成電極觸媒層，並於相同程序評估電解壽命，其結果列示於表2中。
得知，相較於實施例2，比較實施例1之電極壽命被縮短許多。電極壽命終點經測定為，當電壓從於所模擬嚴苛操作條件下進行之電解作用開始，至增加了2V時的時間點。圖2B例舉說明比較實施例1之電極在電解作用後，以SEM造影的剖面圖。如圖2B中所示，於經電解作用後之比較實施例1電極中，在基層處觀察到因電解質經由AIP底塗層之裂縫(其中有些加速龜裂的痕跡)，侵入基層與AIP底塗層間的邊界所引起之腐蝕。相反地，在實施例2中於基層上未觀察到腐蝕斑點，甚至於AIP底塗層中有出現裂縫。此現象共通地於所有實施例與比較實施例之個案中確認。由此等觀察結果得知，氧化物中間層之功能在於防止電解質侵入因斷層造成的裂縫中，而因此可控制該基層之腐蝕。
比較實施例2
藉由AIP處理製得Ti-Ta合金塗層鈦基層。以與實施例5相同之方法，於空氣循環型電熱爐中產生熱分解塗層，惟其並未塗佈五氯化鉭溶解於濃鹽酸溶液之塗層。
X-射線繞射分析顯示，在所有電極中有出現屬於該AIP底塗層之鉭相的寬型及氧化鉭與氧化鉭之高峰，且該底塗層之鉭相已經由熱燒結過程，從結晶物質被轉變成非晶形，且一部份被轉化成氧化物。
然後，以與實施例5相同之方法形成電極觸媒層，並於相同程序評估電解壽命。如表2之硫酸電解壽命欄中所示，相較於實施例5之2350小時，其壽命變為僅有1802小時，證明鉭中間層之提供可增進電極的電解壽命。
比較實施例3
藉由AIP處理製得Ti-Ta合金塗層鈦基層。以與實施例2相同之方法，直接在AIP底塗層上形成電極觸媒層，惟其並未塗佈五氯化鉭溶解於濃鹽酸溶液之塗層，且未施予在空氣循環型電熱爐中進行的熱處理。
相較於實施例2(其中係藉由於530℃下進行熱處理180分鐘而製備得氧化物中間層)之1952小時，其壽命變為僅有1637小時。
其甚至未達到比較實施例1(其中僅於530℃下進行熱處理180分鐘，而無安裝氧化物及層)之1790小時。從此等比較得知，AIP底塗層之熱處理及氧化物中間層二要素，皆為增進電極的電解壽命的原因。
比較實施例4
如同實施例1，使用以噴砂與酸洗淨處理之鈦基層(但不具有經由AIP處理的Ti-Ta塗層)，直接於該鈦基層上施予五氯化鉭溶解於濃鹽酸之塗層溶液，隨後加以乾燥並於與實施例2相同之熱處理條件下，於空氣循環型電熱爐中進行熱分解塗層，而形成氧化鉭層。以相同方法評估電解壽命，而僅產生只有1320小時之電解壽命，且之後電池電壓急劇升高。
如上所述，根據本發明，包含其含有結晶形鉭組成與結晶形鈦組成之閥金屬或閥金屬合金的AIP底塗層，係藉由AIP方法形成於包含閥金屬或閥金屬合金之電極基層的表面上，然後將含有閥金屬做為主要元素之金屬化合物溶液塗覆於該AIP底塗層之表面上，隨後進行熱燒結方法而使AIP底塗層之鉭組成轉變成非晶形狀態，同時形成包含閥金屬氧化物做為主要成分之氧化物中間層，以及進行熱燒結方法以於該氧化物中間層的表面上形成電極觸媒層。經由熱燒結方法形成該氧化物中間層，可強化包括AIP底塗層與各別界面等層。換言之，於AIP底塗層之鉭組成的非晶形相中實質上並不存在結晶形平面，而不發生移動及位錯增生，故因此不會由於用以形成電極觸媒層之熱燒結過程造成晶粒生長，亦不會發生因位錯移動之熱分解。熱分解僅會對於呈結晶相之鈦組成發生，可減輕對於整個AIP底塗層之熱分解。
AIP底塗層之熱分解係以表面形狀或結構改變之形式呈現，留下在AIP底塗層與藉由熱燒結方法所堆層之電極觸媒層間形成空隙的危險。將AIP底塗層轉變為非晶形，將可減低該潛在的危險。
又，關於AIP底塗層中呈結晶相之鈦組成，用以於該氧化物中間層之熱燒結過程，會導致內部應力(在未來是造成變形的原因)變少，故其作用係做為退火，而因此由用以形成電極觸媒層之熱燒結過程造成的熱變形被減少許多，因為在電極基層之AIP處理後不久之AIP底塗層中，仍保留大量內部應力，就如同其他 物理或化學蒸汽沈積與噴度法一樣。
然而，晶粒生長或移動及位錯增生(造成該變形)，為於加熱期間所產生的現象之一。在用以形成該氧化物中間層與電極觸媒層的熱燒結方法中，常重複過程快速加熱至快速冷卻之過程，其將會對具有熱膨脹係數與基層不同的AIP底塗層造成很大衝擊。
已知，AIP底塗層與基層係於原子層次上緊密結合，然後，該熱衝擊會加載於AIP底塗層較弱的部份上，而不可避免地在AIP底塗層中產生斷層。
於用以形成該氧化物中間層之熱燒結方法中，該含有閥金屬組成做為主要成分，藉由塗覆上含有閥金屬做為主要元素之金屬化合物溶液，隨後進行熱燒結方法而製備得之氧化物中間層，為具有微孔之“柔韌的結構”，從其已將受熱分解之成分排空。因此，對於AIP底塗層之斷層具有一些下述的能力，氧化物中間層形成於AIP底塗層上，以致能遮蓋其中的斷層。當後續形成電極觸媒層時，氧化物中間層不僅作用於防止電解質組成侵入斷層中，且在電極實際用於電解操作時，亦作用於防止電解質組成侵入斷層中。
其原因在於，隨著電極觸媒層之觸媒組成消耗量增加，由於熱分解及排空組成物而造成微孔增大；然而，含有閥金屬做為主要成分之氧化物中間層的微孔大小並未改變。因此，可抑制於電解期間在基層上，可能因電解質已經達到介於基層與AIP底塗層間之邊界所引起的腐蝕發展。已經由實驗證實，在具有閥金屬組 成做為主要成分之氧化物中間層已經形成多次，且當電解壽命經判定為從於嚴苛電解模擬條件下，開始操作至電壓增加2V之時間(而非電壓增加1V之時間)時，此等功能更為加強。
該含有閥金屬組成做為主要成分，藉由塗覆含有閥金屬組成做為主要成分之金屬化合物溶液，隨後進行熱燒結方法而形成之氧化物中間層證明，與塗覆有經過熱燒結方法所製得之高溫氧化物薄膜的AIP底塗層，具有相當良好的黏合性質，因為彼等之構成組成在介於該高溫氧化物薄膜與氧化物間之連結界面處相互地熱擴散，導致構成組成的局部連續。此氧化物中間層(與AIP底塗層之高溫氧化物塗層一致化)增進電極基層之抗-腐蝕性質，做為用於補強及亦抑制界面處之分離現象的保護層，基於得自位於樣化物/氧化物黏合界面之局部連續構成組成，維持與AIP底塗層及電極觸媒層二者的良好黏合性質。
再者，根據本發明，當具有閥金屬組成做為主要成分之氧化物中間層係經由熱燒結方法形成時，可藉由應用於溫度為530℃或以上，且時間達40分鐘或以上之燒結條件，而增加此氧化物中間層之強度，導致補強與AIP底塗層之高溫氧化物塗層的黏合。該增強效用之結果，抑制電解質侵入AIP底塗層之斷層中，以保護電極基層並能延長電極壽命。
而且，根據本發明，於熱燒結方法中，若將燒結溫度設定於550℃或以上，及燒結時間達60分鐘或以上，則AIP底塗層之鉭組成被轉變成非晶形；且閥金屬組成被部份氧化，AIP底塗層變 成含有氧化物之層，而於AIP底塗層表面上產生的高溫氧化塗層，與一部份所含有而呈廣泛分散於AIP底塗層之氧化物結合，藉由“錨定效應(anchor effect)”而達到與該AIP底塗層更強力黏合。該增強效用之結果，保護AIP底塗層與電極基層之斷層不受電解質侵入，而因此能延長電極壽命，忍受嚴苛的電解環境。
包含含有閥金屬組成做為主要成分之氧化物的氧化物中間層，擁有針對該包含閥金屬或閥金屬合金，塗覆有AIP底塗層之電極基層，及該AIP底塗層的高保護作用；而因此(甚至在電極被使用到達其壽命終點時)預期可將包含閥金屬或閥金屬合金，塗覆有AIP底塗層之電極基層於再循環時，再利用做為主要構成要件(未去除昂貴的AIP底塗層)。
本申請案主張日本專利申請案2008-89251號(申請日為2008年3月31日)之優先權，其教示內容係以其完整性以引用方式納入本文。
1‧‧‧電極基層
2‧‧‧AIP底塗層
3‧‧‧電極觸媒層
4‧‧‧氧化物中間層
圖1為列示本發明電解用電極之一種實例的概念圖。
圖2A為電極在經本發明實施例2之電解作用後的剖面SEM影像。
圖2B為電極在經本發明比較實施例1之電解作用後的剖面SEM影像。
1．．．電極基層
2．．．AIP底塗層
3．．．電極觸媒層
4．．．氧化物中間層

Claims (6)

  1. 一種電解用電極的製造方法，其特徵在於包含：藉由電弧離子噴鍍方法於包含閥金屬或閥金屬合金之電極基層表面上，形成一層包含其含有結晶形鉭組成與結晶形鈦組成之閥金屬或閥金屬合金的電弧離子噴鍍底塗層之步驟，於其中係將含有閥金屬做為主要元素之金屬化合物溶液塗覆於該電弧離子噴鍍底塗層之表面上，隨後藉由熱燒結而使該包含含有結晶形鉭組成與結晶形鈦組成之閥金屬或閥金屬合金的電弧離子噴鍍底塗層中僅鉭組成轉變成非晶形物質，並在該包含含有已轉變之非晶形物質鉭組成與結晶形鈦組成的電弧離子噴鍍底塗層之表面上，形成包含閥金屬氧化物組成做為主要成分之氧化物中間層的熱燒結步驟，以及於該氧化物中間層的表面上，形成至少一種選自鉑、氧化釕、氧化銥、氧化銠、氧化鈀做為主要觸媒之電極觸媒層之步驟，該閥金屬係至少一種選自鈦、鉭、鈮、鋯、鉿、釩、鉬及鎢，該閥金屬合金係以該閥金屬為主要成分之合金，該閥金屬氧化物係該閥金屬或該閥金屬合金之氧化物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電解用電極的製造方法，於該熱燒結步驟，其中該燒結溫度設定於530℃或以上，且該燒結時間設定為40分鐘或以上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電解用電極的製造方法，於該熱燒結步驟，其中該燒結溫度設定於550℃或以上，而該燒結時間 設定為60分鐘或以上；且僅該AIP底塗層中之鉭組成被轉變成非晶形物質，並在含有已轉變之非晶形物質鉭組成與結晶形鈦組成的電弧離子噴鍍底塗層之表面上，形成包含閥金屬氧化物組成做為主要成分之氧化物中間層，同時該電弧離子噴鍍底塗層中之閥金屬組成被部份轉變成閥金屬氧化物。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電解用電極的製造方法，於該方法係應用熱分解方法形成該電極觸媒層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電解用電極的製造方法，包含該閥金屬或閥金屬合金之電極基層係由鈦或鈦基合金製成。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電解用電極的製造方法，用於形成該電弧離子噴鍍底塗層之閥金屬或閥金屬合金，係由至少一種選自鈮、鋯及鉿之金屬與鉭及鈦所組成。
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