TWI439168B - 發光裝置之製造方法 - Google Patents

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TWI439168B
TWI439168B TW099125232A TW99125232A TWI439168B TW I439168 B TWI439168 B TW I439168B TW 099125232 A TW099125232 A TW 099125232A TW 99125232 A TW99125232 A TW 99125232A TW I439168 B TWI439168 B TW I439168B
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Description

發光裝置之製造方法
本發明關於發光裝置、顯示裝置、及發光裝置之製造方法。
以發光裝置而言，係有例如使用有機EL(electroluminescence)元件作為發光元件的發光裝置。有機EL元件係具備：陽極電極、陰極電極、及形成在該等一對電極間的有機EL層(發光層)。1個有機EL元件成為1像素。
上述發光層係例如日本特開2002-75640之揭示所示，以覆蓋被隔牆所分隔的基板上的區域的方式，一次形成複數個像素份。在此，被隔牆所分隔的基板上的區域，亦即指藉由隔牆與基板所形成的溝槽的底面。
作為如此發光層之製造方法，例如有以下所示之方法。首先，將含有發光層材料的溶液(以下稱為印墨)，塗佈在藉由隔牆及形成有複數個電極(例如複數個陽極電極等複數個像素電極)的基板所形成的溝槽。印墨的塗佈係藉由噴墨列印或噴嘴列印等來進行。接著，藉由使所塗佈的印墨乾燥，形成覆蓋藉由隔牆及基板所形成的溝槽的底面的發光層。
在此，發光層係以全部覆蓋基板上的複數個電極的方式形成為宜。因此，構成為：將印墨以覆蓋藉由隔牆及基板所形成的溝槽的底面全面的方式進行塗佈，使其乾燥，以形成發光層。
但是，本案發明人即使欲以覆蓋溝槽之底面全面的方式塗佈印墨，藉此形成發光層，亦會有在溝槽底面形成未被發光層所覆蓋的區域的情形。
又，認為如此的現象亦會在具有與有機EL元件相同構成的其他發光元件的形成中發生。
本發明具有以下優點：可提供可在被隔牆所分隔的溝槽的底面，使未被前述發光層所覆蓋的區域消失或減少之發光裝置、電子機器、及發光裝置之製造方法。
用以獲得上述優點之本發明之發光裝置，係具備具有發光元件之至少一個像素所構成的發光裝置，其具備：基板；隔牆，係形成在前述基板上；及前述發光元件的發光層，係形成在被前述隔牆所分隔之至少一個溝槽內，前述隔牆具有：複數個第1隔牆，係朝前述第1方向延伸所形成；及至少1個第2隔牆，係朝與前述第1方向正交的第2方向延伸，且以將前述複數個第1隔牆端部彼此連結的方式所形成，前述第2隔牆的撥液度係低於前述各第1隔牆之沿著前述第1方向之兩端間之中央區域的撥液度。
用以獲得上述優點之本發明之電子機器具有操作部、及顯示部，前述顯示部具備顯示與顯示資料相對應之畫像資訊的顯示裝置，前述顯示裝置具備：基板；隔牆，係形成在前述基板上；及前述發光元件的發光層，係形成在被前述隔牆分隔之至少一個溝槽內，前述隔牆具有：複數個第1隔牆，係朝前述第1方向延伸而形成；及至少1個第2隔牆，係朝與前述第1方向正交的第2方向延伸，且以將前述各第1隔牆端部彼此連結的方式形成，前述第2隔牆的撥液度係低於前述各第1隔牆之沿著前述第1方向之兩端間之中央區域的撥液度。
用以獲得上述優點之本發明之發光裝置之製造方法，該發光裝置具備具有發光元件之至少一個像素，該製造方法包含：隔牆形成步驟，係在基板上，將複數個第1隔牆，以朝第1方向延伸且將前述發光元件之發光層之形成區域加以分隔的方式形成，將至少1個第2隔牆，以朝與前述第1方向正交的第2方向延伸且將前述複數個第1隔牆的端部彼此連結的方式形成；及撥液度調整步驟，係以使前述第2隔牆的撥液度低於前述各第1隔牆之沿著前述第1方向之兩端間之中央區域的撥液度的方式，調整前述各第1隔牆與前述第2隔牆之撥液度。
 發明的詳細說明
參照圖示，說明本發明之一實施形態。其中，本發明並非藉由下述說明的實施形態(亦包含圖式記載的內容)予以限定。可對在下列說明的實施形態施加變更。亦可適當刪除下列說明的實施形態的構成要素。
其中，以下係針對採用有機EL元件作為發光元件的發光裝置(顯示裝置)加以說明，但是本發明之發光裝置亦可為採用有機EL元件以外的發光元件者。
首先，針對本實施形態之發光裝置1之構成概要加以說明。
第1圖係顯示本發明之一實施形態之發光裝置之構成概要圖。
發光裝置1係具備在一面上形成有配設有複數個像素PIX之顯示區域150的基板100。該基板100例如為將形成有複數個基板100之大基板分割成各基板100所形成者。
如第1圖所示，在基板100之一面上的顯示區域150係以矩陣狀配設有具備以R(紅)、G(綠)、B(藍)之任何發光色發光的發光元件的複數個像素PIX。各像素PIX，具備以R(紅)發光色發光之發光元件的複數個像素PIX、具備以G(綠)發光色發光之發光元件的複數個像素PIX、具備以B(藍)發光色發光之發光元件的複數個像素PIX係分別沿著行方向並排排列，並且，沿著列方向，依照：具備以R(紅)發光色發光之發光元件的像素PIX、具備以G(綠)發光色發光之發光元件的像素PIX、具備以B(藍)發光色發光之發光元件的像素PIX的順序予以排列。
此外，如第1圖所示，在基板100的一面上係形成有將各像素PIX之發光元件的形成區域分隔的隔牆200。被該隔牆200包圍的複數區域成為形成有複數個像素PIX之發光元件的區域。被隔牆200包圍之複數區域的各個係在行方向上排列成長條狀。隔牆200係具有：朝行方向延伸所形成的部分；及朝列方向延伸，且與朝行方向所形成之部分的兩端部相連接所形成的部分。隔牆200之朝行方向延伸所形成的部分係形成在於列方向上鄰接配設之各像素PIX之發光元件形成區域間的區域。如後所述，在基板100的一面上與隔牆200的下面之間，係形成有用以驅動像素PIX中之發光元件的各種電晶體、各種電容器或各種配線等。
接著，將本實施形態之發光裝置1之製造方法(發光裝置之製造方法)，參照第2圖至第15圖加以說明。
第2圖係用以說明本發明之一實施形態之發光裝置之製造方法的流程圖。
第3～6圖係用以說明本發明之一實施形態之發光裝置之製造方法的圖。第2圖係顯示形成基板及隔牆之階段中的基板及隔牆的圖，第4圖係顯示第3圖中之第1隔牆與第2隔牆的關係圖，第5圖係顯示形成基板、隔牆、及發光層之階段中的基板、隔牆、及發光層的圖，第6圖係顯示形成基板、隔牆、發光層、及對向電極之階段中的基板、隔牆、發光層、及對向電極的圖。
第7A圖、第7B圖係第6圖中的Ⅶ-Ⅶ概略剖面圖。
又，在第3圖等中，為方便起見，將基板100的方向相對第1圖改變90度，將圖式左右方向作為行方向予以圖示。
如第2圖所示，發光裝置之製造方法係概略上先形成基板100(步驟S101)。接著，在步驟S101中所形成的基板100形成隔牆200(步驟S102)。
接著，在隔牆200的表面進行表面處理(步驟S103)。接著，在已進行步驟S103表面處理之開口部201內塗佈印墨，形成發光層300(步驟S104)。
接著，形成對向電極400(步驟S105)，接著，進行密封(步驟S106)。藉由以上來製造發光裝置1。
以下，針對各製造步驟詳加說明。
(1)步驟S101
在步驟S101中，形成基板100。在此，以基板100而言，可利用周知構成者，因此在以下僅就基板100之製造方法及基板100之構造之一例概略說明。又，關於基板100的構成及形成方法，將第7A圖、第7B圖所示構成作為一例而進行參照及說明。
基板100，具體而言，係準備基材110，在所準備的基材110上，如例如第7A圖、第7B圖所示，形成依序積層有複數層的積層體120，藉此形成基板100。基板100係具備基材110及積層體120。積層體120係例如形成為既定的平面形狀且由電極層、半導體層、及絕緣層等複數層所構成。接著，藉由該積層體120，形成有構成使發光層300發光之電路的各種電晶體、各種電容器、及各種配線等。亦即，基板100(積層體120)係適當具備：構成使發光層300發光之電路之各種電晶體、各種電容器、及各種配線等。在此，平面形狀係指由基板100表面(形成積層體120之側的面)的上方觀看基板100之方向時的形狀。
在此說明基板100之形成方法之一例之概略。
在基板100之形成方法之一例中，首先準備由玻璃基板等所構成的透明基材110。
接著，在該基材110上，藉由濺鍍法或真空蒸鍍法等，形成由例如Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜、AlNdTi合金膜、或MoNb合金膜等所構成的導電膜。
接著，將所形成的導電膜圖案化成既定形狀。藉此，配線121、及電晶體122的閘極電極122g等被形成在基材110上。又，在此的電晶體122為例如用以驅動發光層的發光驅動電晶體。此外，在此的配線121係例如將用以選擇使發光之發光元件的選擇電晶體的汲極電極、及驅動發光裝置的資料驅動器作電性連接的資料線。
接著，藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)法等，在配線121及閘極電極122g上形成絕緣膜123。
接著，在所形成的絕緣膜123上，藉由CVD法等，形成由非晶矽等所構成的半導體層。
接著，在所形成的半導體層上，藉由CVD法等，形成由例如SiN等所構成的絕緣膜。接著，將所形成的絕緣膜藉由光微影等進行圖案化，形成既定形狀的阻擋膜124。
接著，在半導體層及阻擋膜124上，藉由CVD法等，形成由含有n型雜質的非晶矽等所構成的膜。
接著，將該膜與半導體層藉由光微影等進行圖案化，藉此形成半導體層125與歐姆接觸層126、127。
接著，藉由濺鍍法、真空蒸鍍法等，在絕緣膜123上，覆蓋ITO等透明導電膜、或光反射性導電膜及ITO等透明導電膜後，藉由光微影進行圖案化而形成像素電極129。
接著，在絕緣膜123形成接觸孔，其係用以形成將形成在不同層的導電層(例如電晶體電極或配線)彼此電性連接的接觸部的貫穿孔。
接著，在形成有接觸孔的絕緣膜123上，例如，覆蓋由Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜或AlNdTi合金膜、MoNb合金膜等所構成的源極-汲極導電膜藉由濺鍍法、真空蒸鍍法等，藉由光微影進行圖案化而形成汲極電極122d及源極電極122s。此外，與此同時適當形成前述接觸部。源極電極122s係分別以與像素電極129的一部分相重疊的方式形成。
接著，將由氮化矽膜等絕緣性材料所構成的層間絕緣層藉由CVD法等，以覆蓋汲極電極122d及源極電極122s等的方式形成在絕緣膜123上。
接著，藉由光微影，在層間絕緣層形成所希望形狀的開口部251。
如此一來，形成具備使複數個像素電極129露出之開口部251的層間絕緣膜250(參照第7A圖及第7B圖)。
如上所述，形成積層體120。
又，在上述製程中，除了電晶體122以外，亦適當形成有例如選擇電晶體等其他電晶體。
此外，在上述製程中，除了配線121以外，適當形成有例如與既定高電位電源直接或間接相連接，且被施加比被施加至對向電極400的基準電壓為充分電位高的既定高電位的電壓(供給電壓)的陽極線(供給電壓線)等。此外，例如用於發光元件之發光的電容器等亦被適當形成。
層間絕緣膜250係將相鄰的像素電極129彼此絕緣，並且將在形成層間絕緣膜250前的積層體120表面露出的元件及配線等與外部電性絕緣保護。以保護對象的元件而言，係有電晶體122等。以保護對象的配線而言，係有電源供給線等。
(2)步驟S102
在步驟S102中，係在步驟S101中所形成的基板100形成隔牆200。
在此說明隔牆200之製造方法之一例。
在隔牆200之製造方法之一例中，首先，以覆蓋層間絕緣膜250(基板100)的方式，將感光性聚醯亞胺等絕緣材料塗佈在形成有層間絕緣膜250的基板100上。
接著，透過與所希望形狀相對應的遮罩，將所塗佈的絕緣材料進行曝光及顯影。藉此將感光性聚醯亞胺等絕緣材料進行圖案化，形成具有所希望形狀之開口部201的隔牆200(參照第7A圖)。
在此，開口部201係例如形成為與開口部251相配合的形狀。複數個像素電極129係透過開口部251而露出。
在第7A圖所示構成中，隔牆200係形成為與層間絕緣膜250相對應的形狀。
此時，開口部251的內壁面、與開口部201的內壁面係例如如第7A圖所示形成為同一平面。但是，兩者亦可具有段差而形成，而非為同一平面。
此外，隔牆200之開口部201的內壁面係例如如第7A圖所示，相對法線方向(相對基材100的表面(形成積層體120的面)垂直的方向)具有傾斜。但是，開口部201的內壁面亦可以沿著前述法線方向的形狀來形成。
此外，隔牆200亦可為形成為第7B圖所示形態者。在第7B圖所示構成中，隔牆200係形成在層間絕緣膜250上，並且覆蓋層間絕緣膜250的開口部251而形成。
後述之親液化處理及撥液化處理係對隔牆200的表面來施行。
在此，在第7A圖所示構成中，層間絕緣膜250之側面的一部分露出於開口部251的內壁面。在該構成中，對隔牆200的表面進行後述的撥液化處理時，亦對層間絕緣膜250之露出於開口部251的面施行撥液化處理，而會有使其潤濕性降低的情形。因此，在本實施形態中，較佳為形成為如第7B圖所示之隔牆200覆蓋層間絕緣膜250的開口部251，而作成層間絕緣膜250不會露出的形態。
隔牆200係提高離基板表面的高度，用以使在形成發光層300時所塗佈的印墨不會進入其他區域者。通常隔牆200的高度係高於層間絕緣膜250。
隔牆200係將印墨分隔而規定發光層300之形狀者。隔牆200係以由絕緣性材料所構成為宜。
如第3圖等所示，隔牆200的開口部201係規定發光層300的形狀。開口部201係朝行方向以長條狀排列。
開口部201係平面形狀成為例如長邊方向(行方向)中的兩端呈閉口之大致長方形的形狀。藉此，形成在開口部201的發光層300係形成為跨越在行方向上並排成一列的複數個像素，形成為與開口部201的平面形狀相對應之大致長方形的形狀。在此，開口部201的平面形狀並非侷限於兩端呈閉口的形狀，亦可為一端閉口、另一端開口。
又，在第3圖等所記載的隔牆200之Ⅶ-Ⅶ剖面圖為如第7A圖所示之構成的情況，由於隔牆200的高度高於層間絕緣膜250，因此在第3圖等中，為了易於理解，而適當省略圖示開口部251等。此外，第3圖等所記載的隔牆之Ⅶ-Ⅶ剖面圖亦可為如第7B圖所示之構成。
如第4圖所示，隔牆200係具備朝行方向延伸、且彼此並行配設的複數個第1隔牆220。第1隔牆220係在第4圖中以深灰色所示的部分。接著，複數個第1隔牆220係構成複數組形成為長條狀的一對第1隔牆A、B、C、...。列方向中相鄰的二個第1隔牆220構成一對第1隔牆A、B、C、...。在此，所謂列方向係指相對行方向垂直的方向，為第4圖中的圖式上下方向。
相對一個第1隔牆220，在列方向中的兩側各有一個的二個第1隔牆220的情形下，中央的第1隔牆220係位於其兩側，構成二個第1隔牆220各個、及2組一對第1隔牆A、B。
亦即，有一個第1隔牆220(例如，第4圖中由上數來第2個的第1隔牆220)兼作為二組的第1隔牆(例如A及B)的情形。
隔牆200，只要為至少具備一組一對第1隔牆220的形狀即可。
第1隔牆220係朝第1方向(行方向)呈長邊的形狀，具有大致長方形(亦包含長方形)的形狀。
此外，如第4圖所示，隔牆200係在第1隔牆A、B、C、...的長邊方向，具備將一對第1隔牆A、B、C、...之各自的一端彼此連結的第2隔牆230。第2隔牆230在第4圖中係施予陰影的區域(該陰影並非表示剖面者)。在此，第2隔牆230係形成在第1隔牆220的兩端。
亦即，隔牆200係在各第1隔牆220的兩端具備二個第2隔牆230，其將第1隔牆A、B、C、...之各個長邊方向中的一對第1隔牆A、B、C、...的一端彼此連結。
又，隔牆200亦可為僅在第1隔牆A、B、C、...的一端具備一個第2隔牆230者。亦即，第2隔牆230只要至少一個即可。在第2隔牆230為一個的情形，開口部201係平面形狀成為長邊方向中的一端呈閉口、另一端呈開口的形狀(在此為大致長方形)。
第1隔牆220與第2隔牆230係一體形成。接著，藉由第1隔牆220與第2隔牆230而形成開口部201。
由開口部201、及藉由開口部201所露出的基板100的區域，形成有溝槽。亦即，藉由第1隔牆220、第2隔牆230、及基板100而形成有溝槽。
又，隔牆200的形狀亦可為其他形狀。隔牆200亦可為開口部201成為格子狀的形狀。此時，只要將朝長邊方向延伸的隔牆考慮為第1隔牆220，將垂直於長邊方向延伸的隔牆考慮為第2隔牆230即可。
(3)步驟S103
在步驟S103中，係在隔牆200的表面(亦適當包含開口部201的內壁面)進行表面處理。
本案發明人在以往以前述之表面處理而言，係從對由開口部201露出的基板100的區域、與隔牆200的表面全面進行親液化處理之後，再對隔牆200的表面全面進行撥液化處理。
藉由該撥液化處理，被塗佈在隔牆200之開口部201(溝槽)的印墨會由隔牆200的表面彈開。藉此防止印墨越過隔牆200(尤其第1隔牆220)而進入相鄰溝槽。
但是，本案發明人發現當進行如此之表面處理，在溝槽塗佈印墨而形成發光層300時，會有發生在溝槽的底面(藉由開口部201所規定的基板100的表面)形成有未被發光層300覆蓋的區域的現象的情形。
接著，藉由該現象，位於第1隔牆220之長邊方向中的端部附近的1至複數個像素電極129等會有不會被發光層300覆蓋的情形。
又，以親液化處理而言，係有藉由照射紫外線光所為之處理或O2 (氧)電漿處理等。此外，撥液化處理係有CF4 (四氟甲烷)電漿處理等。
如此之處理係可利用例如日本專利第3328297號公報所記載的周知技術。
又，撥液性係表示以既定基準以上的程度彈開水系溶媒、或有機系溶媒的任一者的性質。此外，親液係表示以未達既定基準的程度彈開水系溶媒、或有機系溶媒的任一者的性質(亦即，不會以既定基準以上的程度彈開的性質)。在此可使用例如接觸角的角度的值來作為既定基準，例如將接觸角為40度以下時稱為具有親液性，當接觸角為50度以上時稱為具有撥液性。
第8圖係第6圖中的Ⅷ-Ⅷ概略剖面圖。
第9圖係顯示上述之本案發明人利用以往所進行之發光裝置之製造方法來形成發光層時之發光層之形狀之一例圖。
本案發明人經各種研究結果，發現在溝槽的底面形成有未被發光層300覆蓋的區域的上述現象的原因係如以下所示。
上述習知的撥液化處理中，由於係將隔牆200全體作撥液化處理，因此第2隔牆230的表面亦予以撥液化。在該撥液化後將印墨塗佈於溝槽時，尤其以覆蓋溝槽底面全面的方式塗佈印墨，因此以使印墨的液面成為如第8圖之液面301的形狀的方式(在噴嘴列印的情形等，有液面的端部移動至更為外側的情形)，以印墨充滿溝槽內的方式予以塗佈。
此時，由於第2隔牆230被撥液化，因此塗佈在第2隔牆230上的印墨會被隔牆230的表面彈開。被彈開的印墨會被推回至開口部201之長邊方向中的開口部201的內側。
藉此，如第8圖之液面302所示，一旦，以充滿溝槽內的方式予以塗佈的印墨的液面302的開口部201的長邊方向的端部，係被隔牆230的表面彈開，而移動至比開口部201的端部更為內側。因此，實際形成之開口部201的長邊方向中的發光層399的端部成為比開口部201的端部更位於內側(參照第9圖)。
本案發明人發現：基於如此之原因，即使以覆蓋溝槽之底面全面的方式在溝槽塗佈印墨而形成發光層399，亦會發生在溝槽的底面形成有未被發光層399覆蓋的區域的現象。預料以往係因如此之現象而形成有未被發光層399所覆蓋的區域，而進行將該區域預先設為虛擬像素區域。此時，必須將供獲得所需顯示區域用的基板100的尺寸僅加大設置虛擬像素區域的程度。
又，在第8圖中係適當省略基板100所具備的元件、層間絕緣膜250等。尤其在第8圖中，隔牆200被誇張描繪，元件及層間絕緣膜250等係予以省略。此外，在第9圖中係適當省略像素電極129等。
於是，本案發明人經各種研究結果，發現例如在步驟S103的處理中，藉由進行將第2隔牆230的撥液度形成為比第1隔牆220之長邊方向中的第1隔牆220的中央的撥液度還低的處理，可解決或改善上述不良情形。
亦即，若第2隔牆230的撥液度相對較低，可防止或減輕被塗佈在溝槽的印墨被第2隔牆230彈開。因此，如上所述，可防止或減輕印墨被推回至前述長邊方向中的開口部201的內側(推回印墨)。藉此，能夠不會在藉由隔牆200與基板100所形成的溝槽底面發生未被發光層300覆蓋的區域、或者使未覆蓋的區域比習知更為減少。在此，在上述習知發光裝置之製造方法中，發光層399的端部有多少程度比開口部201的端部成為更為內側，並不穩定，因此必須將上述虛擬像素區域形成為較大。但是，在本實施形態中，即使發光層399的端部位於比開口部201的端部更為內側，其量亦僅為些微而較為穩定。因此，即使設置上述虛擬像素區域，亦可將該虛擬像素區域形成為比習知還小。接著藉此，可將供獲得所需顯示區域用的基板100的尺寸形成為比習知還小。
在此，撥液度係依例如預定區域中與印墨的接觸角或平均單位面積的撥液物質的量來決定。亦即，平均單位面積的撥液物質的量愈多，撥液度愈高。
第1隔牆220的中央的撥液度，只要為第1隔牆220的中央表面的區域(例如以第4圖的虛線圓圈225所包圍的區域)的撥液度即可。中央係指除了中心以外，亦包含其附近。
第2隔牆230的撥液度，係以至少包含構成例如第2隔牆230中的開口部201的內壁面的面的區域(例如第4圖的虛線圓圈235所包圍的區域)、或者至少包含位於該面之外側的隔牆230的表面的區域的區域(例如第4圖的虛線圓圈236所包圍的區域)的撥液度為宜。
這是因為考慮到該等區域對於推回上述印墨貢獻大的區域。
尤其，撥液度係可藉由計測例如前述區域中的平均單位面積的撥液物質的量來加以掌握。
例如，在將虛線圓圈225之區域之平均單位面積的撥液物質的量、與虛線圓圈235的區域或上述虛線圓圈236的區域的平均單位面積的撥液物質的量相比較的情況，藉由加多虛線圓圈225的區域的平均單位面積的撥液物質的量，使第2隔牆230的撥液度低於前述長邊方向中的第1隔牆220的中央的撥液度。
撥液物質係指例如氟、或氟系化合物等使用在撥液處理的物質(具有撥液性的物質)。
如此一來，第1隔牆220的中央的表面係以比第2隔牆230的表面包含較多撥液物質的方式進行處理，藉此如上所述，可消除或減少在藉由隔牆200與基板100所形成的溝槽底面中未被發光層300所覆蓋的區域。
在此，針對可適用於步驟S103中的表面處理的二個實施例加以說明。
又，針對下述說明的親液化及撥液化的方法，係可適當採用上述周知方法。此外，下述O2 (氧)電漿處理係可適當變更為藉由適當照射紫外線光所為之處理等。此外，下述CF4 電漿處理亦可適當變更為其他處理。
a.第1實施例
首先，針對可適用於步驟S103中的表面處理的第1實施例加以說明。
第10圖係可用以說明可適用在第2圖之步驟S103之表面處理的第1實施例的流程圖。
第11A、11B圖～第13圖係用以說明第1實施例之親液化處理之一例的圖。
在該第1實施例中，首先，對由開口部201露出的基板100的區域、與隔牆200的表面全面，進行親液化處理(步驟S103a)。
具體而言，藉由將O2 電漿照射在包含：由開口部201露出的基板100的區域、與隔牆200的表面全面的區域(參照第11A圖的2點鏈線)，將該等區域親液化。
該親液化處理係可使用例如周知的平行平板型或桶式的電漿照射裝置來進行。此時，將在步驟S102中形成有隔牆200的基板100設置在該電漿照射裝置內，對由開口部201露出的基板100的區域及隔牆200的表面全面照射一次O2 電漿，藉此可總括一次進行親液化處理。
此外，亦可使用光點型的電漿照射裝置9來進行該親液化處理。此時的構成顯示於第11A圖。
在此，將光點型的電漿照射裝置9的概要顯示於第11B圖。如第11B圖所示，光點型的電漿照射裝置9係在內部具備電漿發生用的電極9b，對電極9b施加高頻電壓9c。接著，具有在電極9b間被供給含有CF4 或O2 與氬等的氣體，而生成與所供給的氣體相對應的電漿的反應器9a，由被設在反應器9a之前端部分的開口部9d，將在反應器9a內所生成的電漿作成光點式(局部)的電漿噴射P1而放出的裝置。
此時，如第11圖所示，將電漿照射裝置9如箭號500般移動，對包含由開口部201露出的基板100的區域與隔牆200的表面全面的區域照射O2 電漿噴射P1。
藉由該處理，能將殘留在由開口部201露出的基板100的區域、與隔牆200的表面全面的殘留物等去除，將該等區域親液化。
接著，將隔牆200的全面進行撥液化處理(步驟S103b)。
具體而言，如第12圖所示，藉由光點型的電漿照射裝置9，對隔牆200的全面照射CF4 電漿噴射P2(參照2點鏈線)。
其中，在第12圖中，電漿照射裝置9係如箭號510所示進行移動，對隔牆200的全面照射CF4 電漿噴射P2。電漿照射裝置9，只要是以不會照射在透過開口部201而露出的基板100的表面的方式進行移動，對隔牆200全面照射CF4 電漿噴射P2即可。藉由如此之CF4 電漿處理，在隔牆200的表面殘留氟，隔牆200的表面進行撥液化。
接著，將第2隔牆230進行親液化處理(步驟S103c)。
具體而言，如第13圖所示，藉由光點型的電漿照射裝置9，對第2隔牆230照射O2 電漿噴射P3(參照2點鏈線)。
又，在第13圖中，電漿照射裝置9係如箭號520所示進行移動，對第2隔牆230照射O2 電漿噴射P3。被照射O2 電漿噴射P3的區域係藉由O2 來去除氟而進行親液化。
如以上所示，進行使第2隔牆230的撥液度低於前述長邊方向中的第1隔牆220的中央的撥液度的處理。
又，第11圖至第13圖中的陰影及影線係用以使第1隔牆220與第2隔牆230較為明顯者(在第15圖中亦同)。尤其，第11圖至第13圖中的影線並非為表示剖面者(在第15圖中亦同)。
又，在將隔牆200撥液化後，將第2隔牆230親液化意指包含亦針對第1隔牆220之長邊方向中的第1隔牆220的端部，進行親液化處理(參照第13圖)。
藉此，第1隔牆220的端部的撥液度係低於第1隔牆的中央的撥液度。藉此，可更加防止或減輕印墨的推回。
又，在將第2隔牆230進行親液化時，以至少將第2隔牆230之開口部201側的表面(尤其構成開口部201的內壁面)進行親液化為宜。藉此，可精度佳地防止或減輕印墨的推回。
如上所述，在將第1隔牆220與第2隔牆230進行撥液化之後，至少將第2隔牆230進行親液化，藉此可在習知的平常撥液化處理之後，將第2隔牆230進行親液化。
此外，第2隔牆230由於區域較窄，因此電漿照射裝置9的移動距離小。因此，僅對以往所進行的處理施加些微改變，即可輕易地進行使第2隔牆230的撥液度低於前述長邊方向中之第1隔牆220中央的撥液度的處理。
b.第2實施例
接著，針對可適用於步驟S103中之表面處理的第2實施例加以說明。
第14圖係用以說明可適用於第2圖之步驟S103之表面處理的第2實施例的流程圖。
第15圖係用以說明第2實施例之撥液化處理之一例圖。
在該第2實施例中，首先，對由開口部201露出的基板100的區域、及隔牆200的表面全面進行親液化處理(步驟S103d)。
該處理係與上述第1例中的步驟S103a的處理相同，故省略說明。
接著，在第1隔牆220作撥液化處理(步驟S103e)。
具體而言，如第15圖所示，藉由光點型的電漿照射裝置9，將CF4 電漿噴射P4照射在第1隔牆220(參照2點鏈線)。
又，在第15圖中，電漿照射裝置9係如箭號般動作，將CF4 電漿噴射P4照射在第1隔牆220。此時，電漿照射裝置9，只要是以不會照射在透過開口部201露出的基板100的表面的方式進行移動，將CF4 電漿噴射P4照射在隔牆200的全面即可。此外，至第1隔牆220的長邊方向中的第1隔牆220的端為止，並不需要照射CF4 電漿噴射P4。
藉由將第1隔牆220的長邊方向中的第1隔牆220的端部進行親液化，使第1隔牆220的端部的撥液度變得低於第1隔牆的中央的撥液度。藉此，可更加防止或減輕印墨的推回。
藉由該CF4 電漿處理，在第1隔牆220的表面殘留氟，第1隔牆220的表面被撥液化。如此一來，進行使第2隔牆230的撥液度低於前述長邊方向中的第1隔牆220的中央的撥液度的處理。
如上所述，將第1隔牆220的至少一部分(尤其包含長邊方向中之第1隔牆220的中央的大部分(例如90%以上))進行撥液化，不將第2隔牆230進行撥液化，藉此與第1例相比，可減少電漿處理的次數。
又，只要第2隔牆230的撥液度不會低於第1隔牆220之長邊方向中的第1隔牆220的中央的撥液度的話，便亦可在第1例及第2例中，省略步驟S103a或步驟S103d。在此情形下，亦會有獲得與上述為相同的效果的情形。
(4)步驟S104
在步驟S104中係形成發光層300。
具體而言，將第1印墨塗佈在開口部201內(溝槽)。接著，藉由使所塗佈的第1印墨中的溶媒乾燥，來形成發光層300。此外，在發光裝置1具有R(Red)、G(Green)、及B(Blue)之像素的情形下，則分別塗佈印墨(尤其形成後述之中心層的印墨)。
第1印墨係含有可發光之周知的高分子發光材料，例如聚對伸苯基乙烯系或聚芴系等含有共軛雙鍵聚合物的發光材料。該高分子發光材料溶解或分散在溶媒的液體即成為印墨。溶媒係例如水系溶媒或四氫萘、四甲苯、三甲苯、或二甲苯等有機溶媒。使用如此之第1印墨所形成的層為進行發光的層，成為發光層300的中心的層。以下將該層在稱為中心層。
塗佈第1印墨的方法係利用使用吐出噴嘴而持續吐出印墨的噴嘴列印、或藉由噴墨所為之噴墨列印等予以實現。如上所述，第1印墨係以覆蓋溝槽的底面全面的方式予以塗佈(參照第8圖的液面301)。此時，第2隔牆230不被撥液化(尤其是被親液化)，因此可防止或減輕印墨的推回。因此，可使在藉由壁200與基板100所形成的溝槽底面中不被發光層300覆蓋的區域消失或減少。在第5圖等中，在溝槽的底面不被發光層300所覆蓋的區域已消失。
此外，使所塗佈的第1印墨中的溶媒乾燥的方法係可採用在大氣環境中的乾燥、在氮氣環境中的乾燥、在真空中的乾燥、或在該等任一氣體環境中的加熱乾燥等周知方法。
發光層300係藉由利用像素電極129(陽極電極)及對向電極(陰極電極)400所施加的電壓來進行發光的層。
在上述中，發光層300係由中心層所形成，但是發光層300亦可為如第16圖所示，具備中心層310、電洞注入層330、及中間層350者。發光層300只要是至少具備中心層310者即可。
在發光層300具備電洞注入層330的情形，在形成上述中心層310前，將第2印墨塗佈在開口部201內(溝槽)，使所塗佈的第2印墨中的溶媒乾燥，藉此形成電洞注入層330。
該電洞注入層330係形成在像素電極129與中心層310(中間層350)之間。電洞注入層330係具有對中心層310供給電洞的功能。電洞注入層330係由可注入/輸送電洞(hole)的有機高分子系的材料，例如屬於導電性聚合物的聚伸乙二氧基噻吩(PEDOT)與屬於摻雜物的聚苯乙烯磺酸酯(PSS)所構成。亦即，第2印墨係前述有機高分子系的材料溶解或分散在水系溶媒或四氫萘、四甲苯、三甲苯、或二甲苯等有機溶媒的溶媒的液體。塗佈第2印墨的方法係利用例如使用吐出噴嘴而持續吐出印墨的噴嘴列印、或藉由噴墨所為之噴墨列印等予以實現。第2印墨係以覆蓋溝槽之底面全面的方式予以塗佈(與第8圖的液面301相同)。此時，第2隔牆230未被撥液化(尤其是被親液化)，因此可防止或減輕印墨的推回。因此，可使在藉由隔牆200與基板100所形成的溝槽的底面中未被發光層300(尤其是電洞注入層330)覆蓋的區域消失或減少。
又，在形成電洞注入層330後，亦可進行與前述步驟S103相同的處理。藉此，可更加防止或減輕在形成中心層310或後述中間層350時的第1印墨或第2印墨的推回。
在發光層300具備中間層350的情形，在形成上述中心層310前，將第3印墨塗佈在開口部201內(溝槽)，使所塗佈的第3印墨中的溶媒乾燥，藉此形成中間層350。該中間層350係形成在電洞注入層330與中心層310之間。中間層350係具有阻擋來自電洞注入層330的電子，在發光層300內使電子與電洞容易再結合的功能，提高發光層300的發光效率。中間層350係由阻擋來自發光層45的電子之由適當有機高分子系材料所構成。亦即，第3印墨係前述有機高分子系的材料溶解或分散在水系溶媒或四氫萘、四甲苯、三甲苯、或二甲苯等有機溶媒的溶媒的液體。
塗佈第3印墨的方法係例如利用使用吐出噴嘴而持續吐出印墨的噴嘴列印、或藉由噴墨所為之噴墨列印等來實現。第3印墨係以覆蓋溝槽之底面全面的方式予以塗佈(與第8圖的液面301相同)。其中，在形成中間層350之後，亦可進行與前述步驟S103相同的處理。藉此，可更加防止或減輕形成中心層310時的第1印墨的推回。
(5)步驟S105
在步驟S105中係形成對向電極400。
對向電極400係被形成在發光層300之上。對向電極400係具有：由導電材料，例如Li、Mg、Ca、Ba等工作函數低的材料所構成的電子注入性的下層、與由Al等光反射性導電金屬所構成的上層的積層構造。對向電極400係由在形成發光層300後之基板之大致全面所形成的一個電極積層體所構成(參照第6圖)。
對向電極400係被施加有例如屬於接地電位的共通電壓Vss。
對向電極400係藉由真空蒸鍍或濺鍍所形成。
各發光元件係藉由各像素電極129，位於與各像素電極重疊的位置的發光層300的各區域，及位於透過發光層300而與各像素電極重疊的位置的對向電極400的各區域所構成。
(6)步驟S106
在步驟S106中係進行密封。
在形成有複數個具有發光元件的複數個像素PIX的顯示區域150的外側，在電極400形成後的基板100上塗佈由紫外線硬化樹脂、或熱硬化樹脂所構成的密封樹脂，將未圖示的密封基板與基板100貼合。
接著藉由紫外線或熱來使密封樹脂硬化。藉此將基板100與密封基板相接合。
藉由以上來製造發光裝置1。
本實施形態之發光裝置1係將基板100的第2隔牆230的撥液度設定為低於第1隔牆220的長邊方向中的第1隔牆220的中央的撥液度。
此外，本實施形態之發光裝置1係如上所述，第1隔牆220的中央的表面係構成為比第2隔牆230的表面含有較多的撥液物質。
藉此，在該發光裝置1中，如上述說明般，可使得在藉由隔牆200(一對第1隔牆(A、B、C、...)及至少一個第2隔牆230)與基板100所形成的溝槽底面，不會發生未被發光層300覆蓋的區域、或者使未被覆蓋的區域比習知還少。
針對使用本實施形態之發光裝置1的電子機器加以說明。
採用如此之構成的發光裝置1被用在例如數位相機、個人電腦、或行動電話等電子機器的顯示部(display)。
具體而言，數位相機910係例如如第17圖及第18圖所示，具備操作部911及顯示部912。將發光裝置1使用在該顯示部912。
同樣地，個人電腦920係如第19圖所示，具備操作部921及顯示部922，發光裝置1被使用在顯示部921。
再者，如第20圖所示，行動電話930具備操作部931及顯示部932，發光裝置1被使用在顯示部931。
在上述實施形態中，發光裝置1係作為將發光層300所出射的光由基材110側出射至外部之所謂底部發射型發光裝置加以說明。但是，發光裝置1亦可為將例如發光層300所出射的光由基材110的相反側出射至外部的頂部發射型發光裝置。
此外，上述實施形態中的印墨塗佈方法(印刷方法)並非侷限於上述噴嘴列印等，例如亦可為活版印刷、快乾印刷(flexographic printing)等凸版印刷法、橡皮印刷(offset printing)等平板印刷、凹版印刷(gravure printing)等凹版印刷、網版印刷等孔版印刷等。
此外，本實施形態中的發光裝置1係如上所述可使用在顯示裝置，但是亦可另外將發光裝置1使用在例如對印表機的感光鼓照射光的印表頭等曝光裝置。
1．．．發光裝置
9．．．電漿照射裝置
9b．．．電極
9c．．．高頻電壓
9d．．．開口部
45．．．發光層
100．．．基板
110．．．基材
120．．．積層體
121．．．配線
122．．．電晶體
122d．．．汲極電極
122g．．．閘極電極
122s．．．源極電極
123．．．絕緣膜
124．．．阻擋膜
125．．．半導體層
126、127．．．歐姆接觸層
129．．．像素電極
150．．．顯示區域
200．．．隔牆
201．．．開口部
220．．．第1隔牆
225．．．虛線圓圈
230．．．第2隔牆
235．．．虛線圓圈
236．．．虛線圓圈
250．．．層間絕緣膜
251．．．開口部
300．．．發光層
301．．．液面
302．．．液面
310．．．中心層
350．．．中間層
399．．．發光層
400．．．對向電極
500．．．箭號
510．．．箭號
910．．．數位相機
911．．．操作部
912．．．顯示部
920．．．個人電腦
921．．．操作部
922．．．顯示部
930．．．行動電話
931．．．操作部
932．．．顯示部
PIX．．．像素
9a．．．反應器
520．．．箭頭
P1、P2 P3、P4．．．電漿噴射
A、B、C D、E、F．．．第一隔牆
第1圖係顯示本發明之一實施形態之發光裝置之構成概要圖。
第2圖係用以說明本發明之一實施形態之發光裝置之製造方法的流程圖。
第3圖係用以說明本發明之一實施形態之發光裝置之製造方法的圖，顯示形成基板及隔牆之階段中的基板及隔牆的圖。
第4圖係顯示在第3圖中，第1隔牆與第2隔牆的關係圖。
第5圖係用以說明本發明之一實施形態之發光裝置之製造方法的圖，顯示形成基板、隔牆、及發光層之階段中的基板、隔牆、及發光層的圖。
第6圖係用以說明本發明之一實施形態之發光裝置之製造方法的圖，顯示形成基板、隔牆、發光層、及對向電極之階段中的基板、隔牆、發光層、及對向電極的圖。
第7A、7B圖係第6圖中的Ⅶ-Ⅶ概略剖面圖。
第8圖係第6圖中的Ⅷ-Ⅷ概略剖面圖。
第9圖係顯示本案發明人利用以往所進行之發光裝置之製造方法所形成之發光層之形狀之一例圖。
第10圖係用以說明第2圖之步驟S103之第1例的流程圖。
第11A、11B圖係用以說明第1例之親液化處理之一例圖。
第12圖係用以說明第1例之撥液化處理之一例圖。
第13圖係用以說明第1例之親液化處理之一例圖。
第14圖係用以說明第2圖之步驟S103之第2例的流程圖。
第15圖係用以說明第2例之撥液化處理之一例圖。
第16圖係顯示本發明之一實施形態之發光裝置所具備之發光層之其他例的剖面圖。
第17圖係將本發明之一實施形態之發光裝置使用在顯示部之數位相機的圖。
第18圖係將本發明之一實施形態之發光裝置使用在顯示部之數位相機的圖。
第19圖係將本發明之一實施形態之發光裝置使用在顯示部之筆記型個人電腦的圖。
第20圖係將本發明之一實施形態之發光裝置使用在顯示部之行動電話機的圖。
100．．．基板
129．．．像素電極
201．．．開口部
220．．．第1隔牆
225．．．虛線圓圈
230．．．第2隔牆
235．．．虛線圓圈
236．．．虛線圓圈
A、B、C D、E、F．．．第一隔牆

Claims (4)

  1. 一種發光裝置之製造方法，該發光裝置具備具有發光元件之至少一個像素，該製造方法包含：隔牆形成步驟，係在基板上，將複數個第1隔牆，以朝第1方向延伸且將前述發光元件之發光層之形成區域加以分隔的方式形成，將至少1個第2隔牆，以朝與前述第1方向正交的第2方向延伸且將前述複數個第1隔牆的端部彼此連結的方式形成；及撥液度調整步驟，係以使前述第2隔牆的撥液度低於前述各第1隔牆之沿著前述第1方向之兩端間之中央區域的撥液度的方式，調整前述各第1隔牆與前述第2隔牆之撥液度，前述撥液度調整步驟包含：第1電漿照射步驟，係對前述基板的上面、前述各第1隔牆、及前述第2隔牆照射氧電漿，將前述基板的上面、前述各第1隔牆、及前述第2隔牆進行親液化；第2電漿照射步驟，係一面維持前述基板的上面之親液性，一面對前述各第1隔牆與前述第2隔牆照射CF4 電漿，將前述各第1隔牆與前述第2隔牆進行撥液化；第3電漿照射步驟，係一面維持前述各第1隔壁的撥液性，一面對前述第2隔牆照射氧電漿，將前述第2隔牆進行親液化。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置之製造方法，其中前 述第2電漿照射步驟包含：一面使包含前述CF4 電漿的前述電漿噴射由將電漿噴射(plasma jet)局部放出的光點型電漿照射裝置放出，一面使該電漿照射裝置沿著前述各第1隔牆與前述第2隔牆移動，對前述各第1隔牆與前述第2隔牆照射前述CF4 電漿的步驟，第3電漿照射步驟包含：一面使包含前述氧電漿的前述電漿噴射由前述電漿照射裝置放出，一面使該電漿照射裝置沿著前述第2隔牆移動，而對前述第2隔牆照射前述氧電漿的步驟。
  3. 一種發光裝置之製造方法，該發光裝置具備具有發光元件之至少一個像素，該製造方法包含：隔牆形成步驟，係在基板上，將複數個第1隔牆，以朝第1方向延伸且將前述發光元件之發光層之形成區域加以分隔的方式形成，將至少1個第2隔牆，以朝與前述第1方向正交的第2方向延伸且將前述複數個第1隔牆的端部彼此連結的方式形成；及撥液度調整步驟，係以使前述第2隔牆的撥液度低於前述各第1隔牆之沿著前述第1方向之兩端間之中央區域的撥液度的方式，調整前述各第1隔牆與前述第2隔牆之撥液度，前述撥液度調整步驟包含：第1電漿照射步驟，係對前述基板的上面、前述各第1隔牆、及前述第2隔牆照射氧電漿，將前述基板的 上面、前述各第1隔牆、及前述第2隔牆進行親液化；第2電漿照射步驟，係僅對包含前述各第1隔牆之至少上述中央的區域之區域照射CF4 電漿，將包含前述各第1隔牆之至少上述中央的區域之區域進行撥液化。
  4. 如申請專利範圍第3項之發光裝置之製造方法，其中前述第2電漿照射步驟包含：一面使包含前述CF4 電漿的前述電漿噴射由將電漿噴射(plasma jet)局部放出的光點型電漿照射裝置放出，一面使該電漿照射裝置沿著包含前述各第1隔牆之至少上述中央的區域移動，對包含前述各第1隔牆之至少上述中央的區域照射前述CF4 電漿的步驟。
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