TWI434141B - 感光性矽氧烷組成物、由它形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件 - Google Patents

感光性矽氧烷組成物、由它形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件 Download PDF

Info

Publication number
TWI434141B
TWI434141B TW096145065A TW96145065A TWI434141B TW I434141 B TWI434141 B TW I434141B TW 096145065 A TW096145065 A TW 096145065A TW 96145065 A TW96145065 A TW 96145065A TW I434141 B TWI434141 B TW I434141B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
compound
composition
decane
weight
Prior art date
Application number
TW096145065A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200836011A (en
Inventor
Mitsuhito Suwa
Original Assignee
Toray Industries
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries filed Critical Toray Industries
Publication of TW200836011A publication Critical patent/TW200836011A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI434141B publication Critical patent/TWI434141B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
    • H01L21/3122—Layers comprising organo-silicon compounds layers comprising polysiloxane compounds
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

感光性矽氧烷組成物、由它形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件
本發明係有關於一種感光性矽氧烷組成物、由它形成之硬化膜及具有硬化膜之元件，該感光性矽氧烷組成物係用以形成液晶顯示元件或有機EL顯示元件等的薄膜電晶體(TFT)基板用平坦化膜、半導體元件的層間絕緣膜、或是光導波路的芯或包層材。
近年來，在液晶顯示器或有機EL顯示器等，已如有一種提高顯示裝置的開口率之方法(參照專利文獻1)，作為實現更高精細、高解像度的方法。該方法係藉由在製造於基材上的TFT元件上塗布平坦化材料並使其熟化，在TFT元件上製造透明的耐熱性平坦化膜，來更有效率地使光線透射之方法。
此種TFT基板用平坦化膜在硬化後必須是高耐熱性、高透明性的材料，兼具此等特性之物已如有聚矽氧烷或矽氧聚醯亞胺先質(參照專利文獻2、3、4)。
通常將有機化合物使用於TFT基板用平坦化膜，其硬化膜除了耐熱性、透明性以外，亦會有無與由金屬或無機物所構成的基板表面或元件表面無法得到充分的黏著性之問題點。因此，為了改善黏著性，已知有一種組成物(參照專利文獻5)，係在酚系樹脂及醌二疊氮化合添加矽烷偶合劑而成，或是一種組成物(參照專利文獻6)，係在丙烯酸系樹脂及醌二疊氮化合添加矽烷偶合劑而成。任一種技術為了提升與基板的黏著性都是添加矽烷偶合劑。但是，以同樣的目的在聚矽氧烷添加矽烷偶合劑時，雖然能夠不損害高耐熱性、高透明性而得到與基板表面或元件表面之充分的黏著性，但是在硬化膜形成後，在為了加工硬化膜的上層而藉由鹼溶劑進行光阻剝離處理時，依照所使用的溶劑種類會有產生變形或裂縫等問題。
又，藉由在聚醯亞胺添加芳香族雙醯亞胺低聚物，能夠提升黏著性(參照專利文獻7)。但是因為芳香族雙醯亞胺低聚物會吸收可見光，將其添加在聚矽氧烷時，雖然能夠改善與基板表面或元件表面之充分的黏著性、且能夠抑制對鹼溶劑產生裂縫，但是會有透明性的問題。
另一方面，矽氧聚醯亞胺先質之在末端具有矽烷偶合劑結構的硬化膜，因為具有醯亞胺鍵，雖然與基板表面或元件表面具有良好的黏著性、及對鹼溶劑具有耐裂縫性，但是因為該醯亞胺先質具有醯胺酸結構，所以藉由熱使其變換成醯亞胺時，硬化收縮大、平坦化特性不充分。
專利文獻1：特開2006－227649號公報(申請專利範圍第1項)專利文獻2：特開2006－18249號公報(申請專利範圍第1項)專利文獻3：特開平8－259894號公報(申請專利範圍第1、2項)專利文獻4：特開平9－291150號公報(申請專利範圍第1項)專利文獻5：特開2003－43688號公報(第8頁)專利文獻6：特開2005－49691號公報(第18頁)專利文獻7：特開平10－1542號公報(申請專利範圍第1項)
本發明係基於上述情形而進行，提供一種感光性矽氧烷組成物，能夠得到一種硬化膜，該硬化膜具有低硬化收縮性、且熱硬化後具有高透明、能夠抑制對鹼溶劑產生裂縫、而且與基板的黏著性優良。
又，提供一種具有上述特性的耐熱性絕緣膜、TFT基板用平坦化膜、層間絕緣膜、或是芯或包層材等的元件材料。
亦即，本發明係一種感光性矽氧烷組成物，含有(a)聚矽氧烷、(b)醌二疊氮化合物、(c)溶劑、及一種類以上(d)通式(1)~(3)所示的醯亞胺矽烷化合物。
(各R1 各自可以相同亦可以不同，係表示碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、苯基、苯氧基或有此等取代基的有機基。又，R2 及R4 係表示碳數1~10的2價有機基、R3 係表示未含矽原子之碳數2~20的有機基(其中，通式(1)時，R3 係表示苯基以外的有機基，通式(2)時，R3 係表示脂環族基以外且未含有不飽和鍵之有機基),Ra 係表示氫原子或未含有矽原子之碳數1~20的有機基)
本發明的組成物在形成圖案時，能夠形成具有高敏感度、高解像度，且具有高透明性、耐溶劑性優良、對基板具有高黏著性的硬化膜。
本發明係一種感光性矽氧烷組成物，含有(a)聚矽氧烷、(b)醌二疊氮化合物、(c)溶劑、及一種類以上(d)通式(1)~(3)所示的醯亞胺矽烷化合物。
(各R1 各自可以相同亦可以不同，係表示碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、苯基、苯氧基或有此等取代基的有機基。又，R2 及R4 係表示碳數1~10的2價有機基、R3 係表示未含矽原子之碳數2~20的有機基(其中，通式(1)時，R3 係表示苯基以外的有機基，通式(2)時，R3 係表示脂環族基以外且未含有不飽和鍵之有機基)，Ra 係表示氫原子或未含有矽原子之碳數1~20的有機基)
在本發明所使用的(a)聚矽氧烷的結構沒有特別限定，較佳態樣可舉出混合通式(4)所示之有機矽烷1種以上並使其反應而得到的聚矽氧烷。
(R5 係表示氫、碳數1~10的烷基、碳數2~10的烯基、碳數6~15的芳基中任一者，複數個R5 可各自相同或不同。R6 係表示氫、碳數1~6的烷基、碳數1~6的醯基、碳數6~15的芳基中任一種，複個R6 可各自相同或不同。m係表示0至3的整數)
通式(4)的R5 所舉出的烷基、烯基、芳基任一者都可具有取代基，亦可以是未具有取代基的未取代物，能夠按照組成物的特性而選擇。烷基的具體例可舉出例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、正己基、正癸基、三氟甲基、2,2,2-三氟乙基、3,3,3-三氟丙基、3-環氧丙氧基丙基、2-(3,4-環氧環己基)乙基、3-胺基丙基、3-氫硫基丙基、及3-異氰酸丙基。烯基的具體例可舉出例如乙烯基、3-丙烯醯基丙基、3-甲基丙烯醯丙基等。芳基的具體例可舉出例如苯基、甲苯基、對羥基苯基、1-(對羥基苯基)乙基、2-(對羥基苯基)乙基、4-羥基-5-(對羥基苯基碳醯氧基)苯基、及萘基。
在通式(4)的R6 所舉出的烷基、醯基係任一者都可具有取代基，亦可以是未具有取代基的未取代物，能夠按照組成物的特而選擇。烷基的具體例可舉出例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基等。醯基的具體例可舉出乙醯基。芳基的具體例可舉出苯基。
通式(4)的m係表示0至3的整數。m=0時係4官能性矽烷、m=1時係3官能性矽烷、m=2時係2官能性矽烷、m=3時係1官能性矽烷。
通式(4)所示有機矽烷的具體例可舉出四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四乙醯氧基矽烷、四苯氧基矽烷等的4官能性矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、甲基三正丁氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙基三正丁氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、正丁基三甲氧基矽烷、正丁基三乙氧基矽烷、正己基三甲氧基矽烷、正己基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、3－甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3－甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3－丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、對羥基苯基三甲氧基矽烷、1－(對羥基苯基)乙基三甲氧基矽烷、2－(對羥基苯基)乙基三甲氧基矽烷、4－羥基－5－(對羥基苯基碳醯氧基)戊基三甲氧基矽烷、三氟甲基三甲氧基矽烷、三氟甲基三乙氧基矽烷、3,3,3－三氟丙基三甲氧基矽烷、3－胺基丙基三甲氧基矽烷、3－胺基苯基三乙氧基矽烷、3－環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3－環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、2－(3,4－乙氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3－氫硫基丙基三甲氧基矽烷等的3官能性矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基二乙醯氧基矽烷、二正丁基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷等的2官能性矽烷、三甲基甲氧基矽烷、三正丁基乙氧基矽烷等的1官能性矽烷。
此等有機矽烷之中，就硬化膜的耐裂縫性及硬度而言，以使用3官能性矽烷為佳。又，此等有機矽烷可單獨使用，亦可組合使用2種以上。
本發明的(a)聚矽氧烷亦可使用二氧化矽粒子共聚合而成的聚矽氧烷。二氧化矽粒子的共聚合方法可舉出由前述的有機矽烷所合成的聚矽氧烷與二氧化矽粒子反應之方法，或是使前述的有機矽烷與二氧化矽粒子反應來得到聚矽氧烷之方法。藉由在聚矽氧烷中組入二氧化矽粒子，在聚矽氧烷的至少一部分進行化學性鍵結(與二氧化矽粒子形成共價鍵)，能夠使聚矽氧烷的流動性下降，能夠抑制熱硬化時圖案下垂而提高熱硬化後的圖案解像度。
在使聚矽氧烷與二氧化矽粒子反應的方法，二氧化矽粒子能夠以作為組成物中的獨立成分的方式而被含有，亦可藉由預烘烤或硬化時的加熱，來組入聚矽氧烷中。
所使用二氧化矽粒子的數量平均分子量以2奈米~200奈米為佳，以5奈米~70奈米為更佳。小於2奈米時圖案解像度的提升不充分，大於200奈米時硬化膜產生光散射致使透明性下降。在此，二氧化矽粒子的數量平均粒徑係使用比表面積法換算值時，係將二氧化矽粒子乾燥後，進行焙燒並測定所得到的粒子的比表面積後，假設粒子為球狀而從比表面積求取粒徑，並以數量平均的方式求取平均粒徑。所使用的機器沒有特別限定，能夠使用ASAP 2020(Micromeritics公司製)等。
二氧化矽粒子能夠藉由在有機溶劑及鹼(較佳是氨)的存在下，使1種或2種以上烷氧基矽烷加水分解、縮聚之方法等來得到。分散在有機溶劑的二氧化矽粒子係藉由以有機溶劑取代水(水性二氧化矽粒子分散介質)而得到。分散介質的取代可舉出在水性二氧化矽粒子中添加有機溶劑，並藉由蒸餾等方法將水餾去之方法等。取決於溶劑的種類，亦有添加低級醇來使二氧化矽粒子的表面一部分酯化之情形。從與聚矽氧烷或或醌二疊氮化合物的相溶性而言，以分散在有機溶劑而成的二氧化矽粒子為佳。
二氧化矽粒子的具體例可舉出以異丙醇作為分散介質之粒徑12奈米的IPA－ST、以甲基異丁基酮作為分散介質之粒徑12奈米的MIBK－ST、以異丙醇作為分散介質之粒徑45奈米的IPA－ST－L、以異丙醇作為分散介質之粒徑100奈米的IPA－ST－ZL、以丙二醇一甲基醚作為分散介質之粒徑15奈米的PGM－ST(以上為商品名、日產化學工業(股)製)、以γ－丁內酯作為分散介質之粒徑12奈米的OSKAL101、以γ－丁內酯作為分散介質之粒徑60奈米的OSKAL105、以γ－丁內酯作為分散介質之粒徑120奈米的OSKAL106、分散介質為水之粒徑5~80奈米的KATAROID－S(以上為商品名、觸媒化成工業(股)製)、以丙二醇一甲基醚作為分散介質之粒徑16奈米的QUOTRON PL－2L－PGME、以γ－丁內酯作為分散介質之粒徑17奈米的QUOTRON PL－2L－BL、以雙丙酮醇作為分散介質之粒徑17奈米的QUOTRON PL－2L－DAA、分散介質為水之粒徑18~20奈米的QUOTRON PL－2L、GP－2L(以上為商品名、扶桑化學工業(股)製)、粒徑為100奈米之二氧化矽(SiO2 )SG－SO100(商品名、共立MATERIAL(股)製)、粒徑為5~50奈米之REOROSIL(商品名、TOKUYAMA(股)製)等。又，此等二氧化矽粒子可單獨使用，亦可組合使用2種以上。
又，所使用的二氧化矽粒子的表面具有反應性基時，就聚矽氧烷與二氧化矽粒子容易進行鍵結而使膜的強度變高而言，乃是較佳。反應性基可舉出矽烷醇、醇、及苯酚等的羥基、乙烯基、丙烯基、乙炔基、環氧基、及胺基等。藉由使二氧化矽粒子與具有反應性基的烷氧基矽烷反應，能夠得到在表面具有反應性基的二氧化矽粒子。當然，在只要不損害本發明的效果，亦可使用具有甲基、苯基等未具有反應性基的取代基之二氧化矽粒子。
使用二氧化矽粒子時的混合比率沒有特別限定，Si原子莫耳數時係相對於聚合物全體的Si原子莫耳數，以1~50%為佳。二氧化矽粒子大於50%時，聚矽氧烷與醌二疊氮的相溶性變差、硬化膜的透明性下降。
又，相對於聚合物全體的Si原子莫耳數之二氧化矽粒子的Si原子莫耳比，能夠從來自IR的Si－C鍵的尖峰與來自Si－O鍵的尖峰之積分比來求取。尖峰重疊太多而無法求取時，能夠藉由1 H－NMR、13 C－NMR、IR、TOF－MS等來決定粒子以外單體的結構，進而從元素分析法所產生的氣體與殘留的灰(假設全部為SiO2 )的比例來求取。
又，在聚矽氧烷中，就兼具膜的耐裂縫性及硬度而言，相對於Si原子，在聚矽氧烷中的苯基的含有率以20~70莫耳%為佳，以35~55莫耳%為更佳。苯基的含有率大於70莫耳%時硬度下降，苯基的含有率小於20莫耳%時耐裂縫性下降。苯基的含有率能夠藉由測定聚矽氧烷的29 Si－磁核共振譜，並從該鍵結有苯基之Si的尖峰面積與未鍵結有苯基之Si的尖峰的比來求取。
又，本發明所使用的聚矽氧烷的重量平均分子量(Mw)沒有特別限定，使用GPC(凝膠滲透色譜儀)測定並換算聚苯乙烯時以1000~100000為佳，以2000~50000為更佳。Mw小於1000時，塗膜性變差，大於100000時，圖案形成時在顯像液中的溶解性變差。在鹼水溶液可溶的聚矽氧烷以2000~50000為佳，聚矽氧烷的重量平均分子量以5000~100000為佳。Mw小於5000時，會有熱引起圖案產生下垂的溫度降低的情況。
在此所稱「在聚矽氧烷的至少一部分進行化學性鍵結(與二氧化矽粒子形成共價鍵結)」係指二氧化矽粒子的二氧化矽成分與基質的聚矽氧烷的一部分反應，並在聚矽氧烷中以一定密度組入二氧化矽粒子。其狀態夠藉由透射型電子顯微鏡(以下記載為TEM)觀察二氧化矽粒子與聚矽氧烷的境界部分來確認。在至少一部分形成化學性鍵結時，使用TEM觀察無法觀察到二氧化矽粒子與聚矽氧烷的境界線。又，在至少一部分形成化學性鍵結而成的系統比與將同量的二氧化矽粒子添加在聚矽氧烷而成的系統，從不僅是更能夠防止顯像時二氧化矽粒子從預烘烤膜析出，且能夠降低聚矽氧烷的流動性，而且能夠抑制熱硬化時的圖案下垂，來提升熱硬化後的圖案解像度而言，亦是較佳。
在本發明的聚矽氧烷，能夠藉由使上述的有機矽烷加水分解及部分縮合而得到。加水分解及部分縮合能夠使用通常的方法。例如，在混合物添加溶劑、水、及按照必要添加觸媒，並加熱攪拌。攪拌中亦可按照必要藉由蒸餾將加水分解副產物(甲醇等的醇類)或縮合副產物(水)餾去。
鍵結二氧化矽粒子時的聚矽氧烷之製法，能夠藉由在有機矽烷中添加溶劑、水、及按照必要添加觸媒來使有機矽烷加水分解，並使二氧化矽粒子與加水分解後的有機矽烷進行部分縮合而得到。二氧化矽粒子可以自開始即與聚矽氧烷共存，亦可以在使聚矽氧烷加水分解、聚合成為聚矽氧烷後添加二氧化矽粒子並進而加熱，就相溶性而言，可舉出的較佳方法係在有機矽烷剛加水分解後進行滴加之方法。
上述的反應溶劑沒有特別限定，通常能夠使用與後述(c)溶劑同樣之物。相對於有機矽烷或有機矽烷與二氧化矽粒子的合計量為100重量%，溶劑的添加量以10~1000重量%為佳。又，相對於1莫耳加水分解性基，在加水分解反應所使用的水的添加量以0.5~2莫耳為佳。
按照必要所添加的觸媒沒有特別限制，以使用酸觸媒、鹼觸媒為佳。酸觸媒的具體例，可舉出鹽酸、硝酸、硫酸、氟酸、磷酸、乙酸、三氟乙酸、甲酸、多元羧酸或其酐、及離子交換樹脂。鹼觸媒的具體例可舉出三乙胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、三己胺、三庚胺、三辛胺、二乙胺、三乙醇胺、二乙醇胺、氫氧化鈉、氫氧化鉀、具有胺基的烷氧基矽烷、及離子交換樹脂。相對於100重量%有機矽烷，觸媒的添加量以0.01~10重量%為佳。
又，從塗膜性、儲存安定性而言，加水分解、部分縮合後的聚矽氧烷溶液以未含有副產物之醇或水、觸媒為佳。亦可按照必要進行除去醇或水。除去方法沒有特別限定，較佳之除去醇或水的方法能夠使用以下方法，係在使用適當的疏水性溶劑稀釋聚矽氧烷溶液後，使用水洗淨數次，並使用蒸發器濃縮所得到的有機層之方法。又，觸媒的除去方法能夠使用以下方法，係上述水洗淨再加上使用、或單獨使用離子交換樹脂進行處理之方法。
本發明的感光性矽氧烷組成物含有(b)醌二疊氮化合物。含有(b)醌二疊氮化合物之感光性矽氧烷組成物，其曝光部能夠使用顯像液除去而形成正型。所使用的醌二疊氮的添加量沒有特別限制，係相對於(a)聚矽氧烷以3~30重量%，以為4~20重量%更佳。醌二疊氮的添加量少於3重量%時，曝光部與未曝光部的溶解對比太低，未具有實際上的感光性。又，為了得到更良好的溶解對比，以4重量%以上為佳。另一方面，醌二疊氮化合物的添加量大於30重量%時，聚矽氧烷與醌二疊氮化合物的相溶性變差而產生塗布膜白化、或在熱硬化時因為醌二疊氮化合物產生分解而引起著色顯著，致使硬化膜的無色透明性降性。
所使用的醌二疊氮化合物沒有特別限制，以萘醌二疊氮磺酸在具有酚性羥基的化合物酯鍵結而成的化合物為佳，可使用該化合物的酚性羥基的鄰位、及對位係各自獨立地表示氫、或通式(5)所示取代基的任一種之化合物。
(R7 ~R9 係各自獨立地表示碳數1~10的烷基、羧基、苯基、取代苯基的任一種。又，R7 與R8 、R7 與R9 、R8 與R9 亦可形成環。)
在通式(5)所示之取代基，R7 ~R9 係各自獨立地表示碳數1~10的烷基、羧基、苯基、取代苯基之任一種。烷基可具有取代基，亦可以是未具有取代基的未取代物，能夠按照組成物的特性而選擇。烷基的具體例可舉出例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正己基、環己基、正庚基、正辛基、三氟甲基、2－羧乙基等。又，在苯基取代的取代基可舉出羥基。又，R7 與R8 、R7 與R9 、R8 與R9 亦可形成環，具體例可舉出環戊環、環己環、金剛烷環、及第環。
酚性羥基的鄰位及對位係上述以外例如甲基時，會因熱硬化產生氧化分解，並形成以醌型結構為代表的共軛系化合物，致使硬化膜著色而無色透明性下降。又，此等醌二疊氮化合物能夠藉由具有酚性羥基的化合物與萘醌二疊氮磺醯氯之眾所周知的酯化反應來合成。
具有酚性羥基的化合物之具體例可舉出以下的化合物(商品名、本州化學工業(股)製)。
萘醌二疊氮磺酸能夠使用4－萘醌二疊氮磺酸或5－萘醌二疊氮磺酸。因為4－萘醌二疊氮磺酸酯化合物在i射線(波長365奈米)區域具有吸收，能夠適合i射線曝光。又，因為5－萘醌二疊氮磺酸酯化合物係在廣泛的範圍具有吸收，所以適合廣闊範圍的波長。以依照曝光波長來選擇4－萘醌二疊氮磺酸酯化合物、及5－萘醌二疊氮磺酸酯化合物為佳。亦可混合4－萘醌二疊氮磺酸酯化合物與5－萘醌二疊氮磺酸酯化合物而使用。
萘醌二疊氮化合物的分子量以300~1500為佳，以350~1200為更佳。萘醌二疊氮化合物的分子量大於1500時，4~10重量%的添加量時會有無法形成圖案的可能性。另一方面，萘醌二疊氮化合物的分子量小於300時，會有無色透明性降低的可能性。
本發明的感光性矽氧烷組成物含有(c)溶劑。溶劑沒有特別限制，以使用具有醇性羥基的化合物及/或具有羰基的環狀化合物為佳。使用此等的溶劑時，聚矽氧烷與醌二疊氮化合物係均勻地溶解，即便將組成物塗布製膜，膜亦不會白化而能夠達成高透明性。
具有醇性羥基的化合物沒有特別限制，以在大氣壓下大氣污染的沸點為110~250℃的化合物為佳。沸點高於250℃時，膜中的殘餘溶劑量變多，在熱硬化時的膜收縮變大而無法得到良好的平坦性。另一方面，沸點低於110℃時在塗布時，乾燥太快而膜表面變為粗糙等致使塗膜性變差。
具有醇性羥基化合物的具體例可舉出乙醯甲醇、3－羥基－3－甲基－2－丁酮、4－羥基－3－甲基－2－丁酮、5－羥基－2－戊酮、4－羥基－4－甲基－2－戊酮(雙丙酮醇)、乳酸乙酯、乳酸丁酯、丙二醇一甲基醚、丙二醇一乙基醚、丙二醇一正丙基醚、丙二醇一正丁基醚、丙二醇一第三丁基醚、3－甲氧基－1－丁醇、及3－甲基－3－甲氧基－1－丁醇。其中，以具有羰基的化合物為更佳，以使用雙丙酮醇為特佳。此等具有醇性羥基的化合物，可單獨、或混合使用2種以上。
具有羰基的環化合物沒有特別限制，以在大氣壓下的沸點為150~250℃之化合物為佳。沸點高於250℃時，膜中的殘餘溶劑量變多，在熱硬化時的膜收縮變大而無法得到良好的平坦性。另一方面，沸點低於150℃時在塗布時，乾燥太快而膜表面變為粗糙等致使塗膜性變差。
具有羰基的環狀化合物的具體例可舉出γ－丁內酯、γ－戊內酯、δ－戊內酯、碳酸丙烯酯、N－甲基吡咯啶酮、環己酮、及環庚酮。此等之中，特別以使用γ－丁內酯為佳。此等具有羰基的環狀化合物可單獨、或混合使用2種以上。
上述具有醇性羥基的化合物及具有羰基的環狀化合物可單獨、或各自混合使用。混合使用時，其重量比率沒有特別限制，以具有醇性羥基的化合物/具有羰基的環狀化合物＝(99~50)/(1~50)為佳，以(97~60)/(3~40)為更佳。具有醇性羥基的化合物多於99重量%(具有羰基的環狀化合物小於1重量%)時，聚矽氧烷與醌二疊氮化合物的相溶性變差、硬化膜白化而透明性下降。又，具有醇性羥基的化合物少於50重量%(具有羰基的環狀化合物多於50重量%)時，聚矽氧烷中的未反應矽醇基容易產生縮合反應，致使儲存安定性變差。
又，本發明的感光性矽氧烷組成物只要不損害本發明的效果，亦可含有其他的溶劑。其他的溶劑可舉出乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、丙二醇一甲基醚乙酸酯、3－甲氧基－1－丁基乙酸酯、及3－甲基－3－甲氧基－1丁基乙酸酯等的酯類、甲基異丁基酮、二異丙基酮、及二異丁基酮等的酮類、二乙基醚、二丙基醚、二正丁基醚、二苯基醚、二甘醇一甲基乙基醚、及二伸丙甘醇二甲基醚等的醚類。相對於聚矽氧烷，溶劑的添加量以100~1000重量%的範圍為佳。
本發明的感光性矽氧烷組成物含有一種類以上(d)通式(1)~(3)所示的醯亞胺矽烷化合物。(d)所示的化合物係在將組成物熱硬化後有助於提升膜的耐藥品性、及提升與基板的黏著性。
(各R1 各自可以相同亦可以不同，係表示碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、苯基、苯氧基或有此等取代基的有機基。又，R2 及R4 係表示碳數1~10的2價有機基、R3 係表示未含矽原子之碳數2~20的有機基(其中，通式(1)時，R3 係表示苯基以外的有機基，通式(2)時，R3 係表示脂環族基以外且未含有不飽和鍵之有機基)，Ra 係表示氫原子或未含有矽原子之碳數1~20的有機基)
本發明的(d)的醯亞胺矽烷化合物中，通式(1)及(2)所示之醯亞胺矽烷化合物係將下述的異氰酸酯基矽烷化合物與酸二酐藉由眾所周知的直接醯亞胺化，能夠容易地得到。
NCO－R2 －Si－(R1 )3 、NCO－R4 －Si－(R1 )3 (R1 各自可以相同亦可以不同，係表示碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、苯基、苯氧基或有此等取代基的有機基)
烷基的具體例以碳數1~6個的烷基為佳，可舉出甲基、乙基、正丙基、及異丙基。其中，從容易製造而言，以甲基、乙基為佳。又，烷氧基的具體例以碳數1~6個的烷氧基為佳，可舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、及異丙氧基。其中，從容易製造而言，以甲氧基、乙氧基為佳。又，亦可以是有烷基、烷氧基、苯基、苯氧基取代的有機基，可舉出1－甲氧基丙基等。
又，R2 及R4 係表示碳數1~10的2價的有機基。具體例可舉出亞甲基、伸乙基、正伸丙基、正伸丁基、正伸戊基、羥亞甲基、羥伸乙基、羥正伸丙基、羥正伸丁基、及羥正戊基等。其中，從容易製造而言，以亞甲基、伸乙基、正伸丙基、及正伸丁基為佳。
又，R3 在通式(1)係表示酸二酐的結構成分，該酸二酐係含有芳香族環或脂肪族環之有機基，其中以碳原子數5~20的4~14價的有機基為佳。酸二酐的具體例可舉出3,3’,4,4’－聯苯基四羧酸二酐、2,3,3’,4’－聯苯基四羧酸二酐、2,2’,3,3’－聯苯基四羧酸二酐、3,3’,4,4’－二苯基酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’－二苯基酮四羧酸二酐、2,2－雙(3,4－二羧基苯基)丙烷二酐、2,2－雙(2,3－二羧基苯基)丙烷二酐、1,1－雙(3,4－二羧基苯基)乙烷二酐、1,1－雙(2,3－二羧基苯基)乙烷二酐、雙(3,4－二羧基苯基)甲烷二酐、雙(2,3－二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4－二羧基苯基)碸二酐、雙(3,4－二羧基苯基)醚二酐、1,2,5,6－萘四羧酸二酐、9,9－雙(3,4－二羧基苯基)茀酸二酐、9,9－雙{4－(3,4－二羧基苯氧基)苯基}茀酸二酐、2,3,6,7－萘四羧酸二酐、2,3,5,6－吡啶四羧酸二酐、3,4,9,10－苝四羧酸二酐、2,2－雙(3,4－二羧基苯基)六氟丙烷二酐、3,3’,4,4’－二苯基碸四羧酸二酐等的芳香族四羧酸二酐、或加氫焦蜜石酸二酐、丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4－環戊烷四羧酸二酐、1,2,3,4－環丁烷四羧酸二酐、RIKASID TDA－100(商品名、新日本理化(股)公司製)、RIKASID BT－100(商品名、新日本理化(股)公司製)、EPICLON B－4400(商品名、大日本油墨化學工業(股)公司製)、下述結構的脂肪族的四羧酸二酐等。
R3 係甲苯基、萘基等的芳香族基時，因為由該組成物所得到的硬化膜含有與著色源的上述芳香族醯亞胺低聚物類似結構的化合物，所以膜的透明性有降低的可能性。又，含有上述的芳香族基時，會有與聚矽氧烷的相溶性降低之情形。而且，製造塗布膜時會有產生相分離、引起膜的白濁，且光透射率降低的情形。因此，R3 係芳香族基時添加量有限制，所以R3 以脂肪族有機基為特佳。R3 係脂肪族有機基時，因為無著色源的結構、且與聚矽氧烷的相溶性亦高，所以作為硬化膜時不會造成白濁化，而能夠具有高的光透射率。在以下舉出通式(1)所示化合物的特佳具體例。本發明可使用通式(1)所示的醯亞胺矽烷化合物，可單獨使用、亦可組合使用2種以上。
又，R3 在通式(2)係表示酸酐的結構成分，該酸酐係含有順丁烯二酸酐以下的脂肪族環之2價~14價的有機基，可舉出碳原子數4~20的有機基。
酸酐的具體例可舉出琥珀酸、戊二酸、4－甲基環己烷－1,2－二羧酸酐、順式－4－環己烯－1,2－二羧酸酐、順式－1,2－環己烷二羧酸酐、甲基－5－降烯－2,3－二羧酸酐、5－降烯－2,3－二羧酸酐(以上、東京化成工業(股)公司製)、3,4,5,6－四氫酞酸酐(和光純藥工業(股)公司製)、及RIKASID HNA(商品名、新日本理化(股)公司製)、RIKASID HNA－100(商品名、新日本理化(股)公司製)。此等之中，特別是以琥珀酸、戊二酸、4－甲基環己烷－1,2－二羧酸酐、及5－降烯－2,3－二羧酸酐為佳。其中，就透明性、黏著性觀點以琥珀酸酐、戊二酸酐、5－降烯－2,3－二羧酸酐為特佳。此等在通式(2)，R3 係表示脂環族基以外而未含有不飽和鍵、未含有矽原子之碳數2~20的有機基。
本發明(d)的醯亞胺矽烷化合物之中，通式(3)的醯亞胺矽烷化合物能夠從胺化合物及含酸酐之化合物，藉由經由眾所周知的醯胺酸之醯亞胺化而容易地得到。
能夠由下述一級胺(胺化合物)、及下述含酸酐之矽烷化合物(含酸酐之化合物)得到。
(R1 可以相同亦可以不同，係表示碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、苯基、苯氧基或有此等取代基的有機基)
烷基的具體例係以碳數1~6個的烷基為佳，可舉出甲基、乙基、正丙基、及異丙基。其中，從容易製造而言，以甲基、乙基為佳。又，烷氧基的具體例以碳數1~6個的烷氧基為佳，可舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、及異丙氧基。其中，從容易製造而言，以甲氧基、乙氧基為佳。又，亦可以是有烷基、烷氧基、苯基、苯氧基取代的有機基，可舉出1－甲氧基丙基等。
R2 係表示碳數1~10的2價的有機基。具體例可舉出亞甲基、伸乙基、正伸丙基、正伸丁基、正伸戊基、羥亞甲基、羥伸乙基、羥正伸丙基、羥正伸丁基、及羥正戊基等。其中，從容易製造而言，以亞甲基、伸乙基、正伸丙基、及正伸丁基為佳。
Ra 係表示上述一級胺的結構成分，係表示未含矽原子之碳數1~20的有機基，有機基的具體可舉出可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、環己基、2－羥乙基、苯基、苯基、甲氧基苯基、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、及異丙氧基。其中，就容易製造而言，以甲氧基、乙氧基為佳。又，亦可以是有烷基、烷氧基、苯基、苯氧基取代的有機基，可舉出1－甲氧基丙基等。其中，從高黏著性的顯現及取得容易而言，以氫原子、甲基、乙基、第三丁基、2－羥乙基、苯基為佳。
R3 係表示上述含酸酐之矽烷中的酸酐的結構成分，該酸酐係含有芳香族環或脂肪族環之有機基，可舉出碳原子數4~20的3~14價的有機基。酸酐具體上可舉出順丁烯二酸酐、酞酸酐、甲基酞酸酐、琥珀酸、戊二酸、4－甲基環己烷－1,2－二羧酸酐、順式－4－環己烯－1,2－二羧酸酐、順式－1,2－環己烷二羧酸酐、1,8－萘二甲酸酐、甲基－5－降烯－2,3－二羧酸酐、5－降烯－2,3－二羧酸酐(以上、東京化成工業(股)公司製)、3,4,5,6－四氫酞酸酐(和光純藥工業(股)公司製)、RIKASID HNA(商品名、新日本理化(股)公司製)、及RIKASID HNA－100(商品名、新日本理化(股)公司製)。此等之中，特別是以酞酸酐、琥珀酸、戊二酸、4－甲基環己烷－1,2－二羧酸酐、1,8－萘二甲酸酐、5－降烯－2,3－二羧酸酐、及甲基酞酸酐為佳。其中，從透明性、黏著性的觀點，以琥珀酸酐、戊二酸酐、及5－降烯－2,3－二羧酸酐為特佳。
而且，通式(2)的矽烷化合物亦能夠藉由上述通式(3)的矽烷化合物的合成法，亦即由下述胺基矽烷化合物(作為胺化合物)與酸酐得到。
(R1 可以相同亦可以不同，係表示碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、苯基、苯氧基或有此等取代基的有機基)
烷基的具體例係以碳數1~6個的烷基為佳，可舉出甲基、乙基、正丙基、及異丙基。其中，從容易製造而言，以甲基、乙基為佳。
又，R2 從容易製造而言，以亞甲基、伸乙基、正伸丙基、及正伸丁基為佳。又，從副產物之著色的觀點，通式(2)的矽烷化合物係與通式(1)的矽烷化合物同樣，以由異氰酸酯基矽烷化合物及酸酐所構成的直接醯亞胺化法為特佳。
此等由通式(1)~(3)所示之醯亞胺矽烷化合物之中，因為醯亞胺基的氮原子與矽原子係傾向於透過醯亞胺基的C＝O而鍵結，能夠與基板有效率地相互作用，以通式(3)所示之醯亞胺矽烷化合物為特佳。
在此，通常梯狀的交聯聚合物之聚矽氧烷，其硬化膜係脆的。特別是使硬化膜浸漬在鹼性的溶劑中時，會產生裂縫等問題點。通式(1)~(3)所示之化合物，因為內部具有耐溶劑性、高黏著性、高柔軟性的醯亞胺部位且兩末端係矽烷化合物，添加有該化合物的組成物在硬化時，與聚矽氧烷反應時醯亞胺部藉由有機鍵而被硬化膜捕捉，能夠使硬化膜變為柔軟、且提升耐溶劑性。而且，該化合物因為未具有如上述之醯亞胺先質的醯胺酸結構，不會有因受熱變換為醯亞胺所產生的硬化收縮，所以具有良好的平坦化特性。
相對於聚矽氧烷，通式(1)~(3)所示醯亞胺矽烷化合物的添加量以0.1~10重量%的範圍為佳。少於0.1重量%時黏著性或耐溶劑性的效果不充分，大於20重量%時，進行圖案化時會顯現作為可塑劑的功能，會有產生圖案下垂且解像度低落的情形。
而且，本發明的感光性矽氧烷組成物在不損害本發明效果的範圍，亦可使用熱酸產生劑。
所使用熱酸產生劑之較佳具體例可舉出例如SI－60、SI－80、SI－100、SI－110、SI－145、SI－150、SI－60L、SI－80L、SI－100L、SI－110L、SI－145L、SI－150L、SI－160L、SI－180L(任一者都是三新化學工業(股)製)、4－羥基苯基二甲基鋶、苄基－4－羥基苯基甲基鋶、2－甲基苄基－4－羥基苯基甲基鋶、2－甲基苄基－4－乙醯基苯基甲基鋶、2－甲基苄基－4－苯甲醯氧基苯基甲基鋶、此等的甲磺酸鹽、三氟甲磺酸鹽、樟腦磺酸鹽、及對甲苯磺酸鹽。以4－羥基苯基二甲基鋶、苄基－4－羥基苯基甲基鋶、2－甲基苄基－4－羥基苯基甲基鋶、2－甲基苄基－4－乙醯基苯基甲基鋶、2－甲基苄基－4－苯甲醯氧基苯基甲基鋶、此等的甲磺酸鹽、三氟甲磺酸鹽、樟腦磺酸鹽、及對甲苯磺酸鹽為更佳。又，此等化合物可單獨使用，亦可混合使用2種以上。
相對於100重量份矽氧烷聚合物，熱酸產生劑的較佳添加量為0.01~10重量份，以0.01~0.5重量份為更佳。小於0.01重量份時矽氧烷聚合物無法充分地發揮作為交聯促進劑的功能而變為低硬度的膜，大於10重量份時，敏感度下降或產生裂縫而造成透明性低落。
而且，本發明的感光性矽氧烷聚合物亦可含有熱交聯性化合物。熱交聯性化合物係熱硬化時使聚矽氧烷交聯之化合物，係藉由交聯而被收納在聚矽氧烷骨架中的化合物。藉由含有熱交聯性化合物，硬化膜的交聯度變高。藉此，能夠提升硬化膜的耐溶劑性。
熱交聯性化合物若係在熱硬化時使聚矽氧烷交聯、且被捕捉於聚矽氧烷骨架中的化合物時沒有特別限定，較佳之物可舉出具有2個以上選自通式(6)所示的基、環氧結構、及氧雜環丁烷結構所組成群組的結構之化合物。上述結構的組合沒有特別限定，所選擇的結構以相同之物為佳。
R10 係表示氫、碳數1~10的烷基中任一者，化合物中的複數個R10 可各自相同或不同。
在具有2個以上通式(6)所示的基之化合物，R10 係表示氫、碳數1~10的烷基中任一者，化合物中的複數個R10 可各自相同或不同。烷基的具體例可舉出例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、正己基、及正癸基。
具有2個以上通式(6)所示的基之化合物的具體例可舉出例如以下的三聚氰胺衍生物或尿素衍生物(商品名、三和化學(股)製)、及酚性化合物(商品名、本州化學工業(股)製)。
具有2個以上環氧結構之化合物的具體例可舉出“EPORAIT”40E、“EPORAIT”100E、“EPORAIT”200E、“EPORAIT”400E、“EPORAIT”70P、“EPORAIT”200P、“EPORAIT”400P、“EPORAIT”1500NP、“EPORAIT”80MF、“EPORAIT”4000、“EPORAIT”3002(以上商品名、共榮社化學工業(股)製)、“DENACOL”EX－212L、“DENACOL”EX－214L、“DENACOL”EX－216L、“DENACOL”EX－850L、“DENACOL”EX－321L(以上商品名、NAGASECHEMTEX(股)製)、GAN、GOT、EPPN502H、NC3000、NC6000(以上商品名、日本化藥(股)製)、“EPICOAT”828、“EPICOAT”1002、“EPICOAT”1750、“EPICOAT”1007、YX8100－BH30、E1256、E4250、E4275(以上商品名、JAPAN EPOXY RESINS(股)製)、“EPICRON”EXA－9583、HP4032、“EPICRON”N695、HP7200(以上商品名、大日本油墨化學工業(股)公司製)、“DEPIK”S、“DEPIK”G、“DEPIK”P(以上商品名、日產化學工業(股)製)、“EPOTOT”YH－434L(商品名、東都化成(股)製)等。
具有2個以上氧雜環丁烷結構之化合物的具體例可舉出OXT－121、OXT－221、OX－SQ－H、OXT－191、PNOX－1009、RSOX(以上商品名、東亞合成(股)製)、ETANAKOL OXBP、ETANAKOL OXTP(以上商品名、宇部興產(股)製)等。
又，上述的熱交聯性化合物可單獨使用，亦可混合使用2種以上。
熱交聯性化合物的添加量沒有特別限制，相對於聚矽氧烷以0.1~10重量%的範圍為佳。熱交聯性化合物的添加量小於0.1重量%時，聚矽氧烷的交聯不充分而效果差。另一方面，熱交聯性化合物的添加量多於10重量%時，硬化膜的無色透明性降低、或組成物的儲存安定性降低。
本發明的感光性矽氧烷組成物亦可按照必要添加溶解抑制劑、界面活性劑、安定劑、及消泡劑等的添加量。
說明使用本發明的感光性矽氧烷組成物之硬化膜的形成方法。將本發明的感光性矽氧烷組成物，藉由旋轉塗布、浸漬塗布、及狹縫塗布等眾所周知的方法塗布在基底基板上,並藉由加熱板、烘箱等加熱裝置預烘烤。預烘烤係在50~150℃的範圍進行30秒~30分鐘，預烘烤後的膜厚度以0.1~15微米為佳。
預烘烤後，使用步進機、鏡射光罩調準器(MPA；mirror projection mask aligner)、及平行光線光罩調準器(PLA；parallel light mask aligner)等的紫外可見曝光機，透過需要的光罩以10~4000J/m2 左右(換算波長365奈米曝光量)進行圖案化曝光。又，本發明的感光性矽氧烷組成物係藉由PLA曝光時敏感度以100~4000J/m2 為佳。敏感度比4000J/m2 低時，因為圖案形成時的放射線曝光時間變長，致使生產力降低，或是因為增加放射線曝光量，來自基底基板的反射量增多，致使圖案形狀變差。
在藉由前述的PLA的圖案曝光之敏感度，能夠藉由以下的方法求取。使用旋轉塗布器將組成物以任意的轉數旋轉塗布於矽晶圓上，並使用加熱板在115℃預烘烤2分鐘，來製造膜厚度4微米的膜。使用PLA(CANON(股)製PLA－501F)並透過測定用的灰階光罩進行超高壓水銀燈曝光後，使用自動顯示裝置(瀧澤產業(股)製AD－2000)以2.38重量%氫氧化四銨水溶液浸置式顯像任意時間，隨後以水沖洗30秒鐘。對所形成的圖案求取以10微米的線與間隙為1對1的寬度的方式進行解像的曝光量並將其作為敏感度。
圖案曝光後，藉由顯像使曝光部溶解能夠得到正型的圖案。顯像方法以藉由沖洗、浸漬、及浸置式等方法浸漬於顯像液5秒~10分鐘為佳。顯像液能夠使用眾所周知的鹼顯像液。具體例可舉出含有鹼金屬的氫氧化物、碳酸鹽、磷酸鹽、矽酸鹽、及硼酸鹽等無機鹼，2－二乙胺乙醇、一乙醇胺、二乙醇胺等胺類、氫氧化四甲銨、及膽鹼等的4級銨鹽之1種或2種以上之水溶液。
顯像後，用水潤濕為佳，接著可在50~150℃的範圍下，進行烘烤乾燥。接著，以進行漂白曝光為佳。藉由漂白曝光能夠將在膜中所殘餘未反應的醌二疊氮化合物光分解，來更提高膜的光透明性。漂白曝光的方法係使用PLA等的紫外可見曝光機，以100~4000J/m2 左右(換算波長365奈米曝光量)全面地曝光。
隨後，使用加熱板、烘箱等加熱裝置在150~450℃的範圍進行熱硬化1小時左右。解像度以10微米以下為佳。
本發明的感光性矽氧烷組成物能夠形成在波長400奈米時膜厚度每3微米的透射率為95%以上之硬化膜，以具有98%以上為更佳。
光透射率低於95%時，使用作為液晶顯示元件的TFT基板用平坦化膜時，背光通過時會產生色變化而致使白色顯示帶黃色。
前述在波長400奈米時膜厚度每3微米的透射率能夠藉由以下的方法求取。使用旋轉塗布器將組成物任意的轉數旋轉塗布於TEMPAX(商品名)玻璃上，並使用加熱板在115℃進行預烘烤2分鐘。隨後，漂白曝光係使用PLA，藉由超高壓水銀燈以6000J/m2 左右(換算波長365奈米曝光量)對膜全面進行曝光，並使用烘箱在空氣中250℃熱硬化1小時來製造硬化膜。使用島津製作所製MultiSpec－1500測定所得到的硬化膜的紫外可見吸收光譜，來求取膜厚度每3微米在波長400奈米的透射率。
該硬化膜能夠適合使用於顯示元件的TFT用平坦化膜、半導體元件的層間絕緣膜、或是光導波路的芯或包層材。
本發明的元件，舉例有顯示元件、半導體元件或光導波路材料。
因為本發明的元件具有上述本發明的高解像度、高硬度、高透明性、及高耐熱性的硬化膜，特別是使用作為TFT平坦化膜之液晶顯示器或有機EL顯示元件具有優良的畫面明亮度及信賴性。
實施例
以下使用實施例來說明本發明，但是本發明的態樣未限定於此等實施例。又，實施例所使用的化合物中，所使用的略語係如下所示。
DAA：雙丙酮醇EDM：二甘醇乙基甲基醚HPE：2－羥基丙酸乙酯GBL：γ－丁內酯SiDA：1,3－雙(3－胺基丙基)四甲基二矽氧烷。
合成例1 聚矽氧烷溶液(i)的合成在500毫升的三口燒瓶中添加74.91克(0.65莫耳)甲基三甲氧基矽烷、69.41克(0.35莫耳)苯基三甲氧基矽烷、及150.36克雙丙酮醇(DAA)，並在室溫邊攪拌邊以10分鐘添加磷酸水溶液(在55.8克水中使0.338克磷酸(相對於添加的單體為0.2重量%)溶解而成)。隨後，將燒瓶浸漬在70℃的油浴並攪拌1小時後，以30分鐘將油浴升溫至115℃。在升溫開始1小時後，溶液的內溫到達100℃，此後加熱攪拌2小時(內溫為100~110℃)。在反應中，副產物之甲醇、水合計餾出115克。在所得到的聚矽氧烷的DAA溶液，以聚合物濃度成為43重量%的方式添加DAA而得到聚矽氧烷溶液(i)。所得到的聚合物的重量平均分子量(Mw)為6000，相對於Si原子，苯基的含量為35%。聚合物的重量平均分子量係使用GPC(凝膠滲透色譜儀)(展開溶劑：四氫呋喃、展開速度：0.4毫升/分鐘)並換算聚苯乙烯來測定。苯基的含有率係使測定聚矽氧烷的29 Si－磁核共振譜，從鍵結有該苯基的Si的尖峰面積與未鍵結有該苯基的Si的尖峰面積的比來測定。
合成例2 聚矽氧烷溶液(ii)的合成在500毫升的三口燒瓶中添加63.39克(0.55莫耳)甲基三甲氧基矽烷、69.41克(0.35莫耳)苯基三甲氧基矽烷、及24.64克(0.1莫耳)2－(3,4－環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、及150.36克DAA，並在室溫邊攪拌邊以10分鐘添加磷酸水溶液(在55.8克水中使0.338克磷酸(相對於添加的單體為0.2重量%)溶解而成)。隨後，將燒瓶浸漬在70℃的油浴並攪拌1小時後，以30分鐘將油浴升溫至115℃。在升溫開始1小時後，溶液的內溫到達100℃，此後加熱攪拌2小時(內溫為100~110℃)。在反應中，副產物之甲醇、水合計餾出115克。在所得到的聚矽氧烷的DAA溶液，以聚合物濃度成為43重量%的方式添加DAA而得到聚矽氧烷溶液(ii)。所得到的聚合物的重量平均分子量(Mw)為5000，相對於Si原子，苯基的含量為35%。
合成例3 聚矽氧烷溶液(iii)的合成在500毫升的三口燒瓶中添加23.84克(0.175莫耳)甲基三甲氧基矽烷、99.15克(0.5莫耳)苯基三甲氧基矽烷、及12.32(0.05莫耳)2－(3,4－環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、62.58克(矽烷原子數為27.5莫耳)二氧化矽粒子DAA溶劑分散液QUOTRON PL－2L－DAA(扶桑化學工業(股)製：固體成分26.4重量%)、及209.47克DAA，並在室溫邊攪拌邊以30分鐘添加磷酸水溶液(在40.05克水中使0.181克磷酸溶解而成)。隨後，將燒瓶浸漬在40℃的油浴並攪拌30分鐘後，以30分鐘將油浴升溫至115℃。在升溫開始1小時後，溶液的內溫到達100℃，此後加熱攪拌45分鐘(內溫為100~110℃)。在反應中，副產物之甲醇、水合計餾出89克。在所得到的聚矽氧烷的DAA溶液，以聚合物濃度成為43重量%的方式添加DAA而得到聚矽氧烷溶液(iii)。所得到的聚合物的重量平均分子量(Mw)為5500，相對於Si原子，苯基的含量為50莫耳%。
合成例4 醌二疊氮化合物(iv)的合成在乾燥氮氣流下，使21.23克(0.05莫耳)TrisP－PA(商品名、本州化學工業(股)製)、及37.62克(0.14莫耳)5－萘醌二疊氮磺醯氯溶解於450克1.4－二烷中並使其為室溫。在此，以系統內不超過35℃以上的方式滴加50克1.4－二烷與混合的15.58克(0.154莫耳)三乙胺。滴加後，在30℃攪拌2小時。將三乙胺鹽過濾，並將過濾液投入水中。隨後，藉由過濾來收集析出的沈澱。使用真空乾燥機乾燥該沈澱，得到酯化率93%之下述結構的醌二疊氮化合物(iv)。
合成例5 醌二疊氮化合物(v)的合成在乾燥氮氣流下，使15.32克(0.05莫耳)TrisP－HPA(商品名、本州化學工業(股)製)、及30.9克(0.115莫耳)5－萘醌二疊氮磺醯氯溶解於450克1.4－二烷中並使其為室溫。在此，以系統內為不超過35℃以上的方式滴加50克1.4－二烷與混合的13.03(0.127莫耳)三乙胺。滴加後，在30℃攪拌2小時。將三乙胺鹽過濾，並將過濾液投入水中。隨後，藉由過濾來收集析出的沈澱。使用真空乾燥機乾燥該沈澱，得到酯化率為93%之下述結構的醌二疊氮化合物(v)。
合成例6 醯亞胺矽烷化合物(vi)的合成在40克GBL，添加32.84克(160毫莫耳)異氰酸酯基丙基三甲氧基矽烷並攪拌使其溶解。添加17.93克(80毫莫耳)加氫焦蜜石酸二酐並在室溫攪拌片刻後，再於140℃攪拌2小時。將所得到的溶液使用GBL稀釋使固體成分濃度成為20%，而得到下述結構所示的醯亞胺矽烷化合物(vi)。
合成例7 醯亞胺矽烷化合物(vii)的合成在40克GBL，添加34.46克(160毫莫耳)異氰酸酯基丙基二乙基乙氧基矽烷並攪拌使其溶解。添加24.82克(80毫莫耳)4,4’－羥基二酞酸二酐並在室溫攪拌片刻後，再於140℃攪拌2小時。將所得到的溶液使用GBL稀釋使固體成分濃度成為20%，而得到下述結構所示的醯亞胺矽烷化合物(vii)。
合成例8 醯亞胺矽烷化合物(viii)的合成在40克GBL，添加25.17克(160毫莫耳)異氰酸酯基丙基三甲基矽烷並攪拌使其溶解。添加15.69克(80毫莫耳)1,2,3,4－環丁烷四羧酸二酐並在室溫攪拌片刻後，再於160℃攪拌2小時。將所得到的溶液使用GBL稀釋使固體成分濃度成為20%，而得到下述結構所示的醯亞胺矽烷化合物(viii)。
合成例9 醯亞胺矽烷化合物(ix)的合成在40克GBL，添加19.79克(80毫莫耳)異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷並攪拌使其溶解。添加16.42克(80毫莫耳)異氰酸酯基丙基三甲氧基矽烷並攪拌使其溶解。添加24.02克(80毫莫耳)RIKASID BT－100(商品名、新日本理化(股)公司製)並在室溫攪拌片刻後，再於160℃攪拌2小時。將所得到的溶液使用GBL稀釋使固體成分濃度成為20%，而得到下述結構所示的醯亞胺矽烷化合物(ix)。
合成例10 芳香族雙醯亞胺低聚物(x)合成在具備有攪拌機、回流冷卻器、及氮氣導入管的容器中加入32.58克(220毫莫耳)配酸酐、1.39克γ－甲吡啶、130.3克N－甲基－2－吡咯啶酮(以下簡稱為NMP)，並對此滴加將24.8克SiDA(100毫莫耳)溶解於99.4克NMP而成之物，且在氮氣、氮氣環境下攪拌2小時。隨後，加入40.8克(400毫莫耳)乙酸酐，並在氮氣環境下邊攪拌邊加熱升溫至70℃，且在70℃反應4小時。反應結束後冷卻至室溫，並投入約2000毫升的水，得到43.24克雙醯亞胺粉末。測定該雙醯亞胺粉末的紅外吸收光譜，確認在1726cm－1 、1780cm－1 有醯亞胺環的特性吸收。將所得到的雙醯亞胺粉末溶解於GBL使固體成分濃度為20%，而得到下述結構所示的芳香族雙醯亞胺低聚物(x)溶液。
合成例11 矽氧聚醯亞胺先質化合物(xi)的合成在40克GBL，添加35.42克(160毫莫耳)胺基丙基三乙氧基矽烷並攪拌使其溶解。添加24.82克(80毫莫耳)4,4’－羥基二酞酸二酐並在室溫攪拌片刻後，再於40℃攪拌2小時。將所得到的溶液使用GBL稀釋使固體成分濃度成為20%的方式，而得到下述結構所示的矽氧聚醯亞胺先質化合物(xi)。
合成例12 丙烯酸樹脂溶液(xii)的合成在500毫升的三口燒瓶中，添加5克2,2’－偶氮雙(2,4－二甲基戊腈)、及200克二甘醇乙基甲基醚(EDM)200克。隨後，添加25克苯乙烯、20克甲基丙烯酸、45克甲基丙烯酸環氧丙酯、10克參環[5.2.1.02,6 ]癸烷－8－基－甲基丙烯酸酯，並在室溫攪拌片刻後，以氮氣取代燒瓶內。隨後，將燒瓶浸漬70℃的油浴並加熱攪拌5小時。在所得到的丙烯酸樹脂的EDM溶液，添加EDM使聚合物濃度成為43重量%，而得到丙烯酸樹脂溶液(xii)。又，所得到的的聚合物的重量平均分子量(Mw)為15000。
合成例13 酚醛清漆樹脂溶液(xiii)的合成在安裝有冷卻管及攪拌機之2升的可折卸燒瓶，加入172.8克(1.6莫耳)間甲酚、36.6克(0.3莫耳)2,3－二甲基苯酚、12.2克(0.1莫耳)3,4－二甲基苯酚、12.6克(甲醛：1.5莫耳)37重量%甲醛溶液、12.6克(0.1莫耳)二水合草酸、及554克甲基異丁基酮，並攪拌30分鐘後，靜置1小時。藉由傾析除去已分離成二層之上層，並添加2－羥基丙酸乙酯(HPE)，且藉由減壓濃縮來除去殘餘的甲基異丁基酮、及水，得到酚醛清漆樹脂溶液。在所得到酚醛清漆樹脂的HPE溶液添加HPE使聚合物濃度成為43重量%，而得到酚醛清漆樹脂的HPE溶液(xiii)。
又，實施例等所使用的化合物的結構係如下所示。
合成例14 醯亞胺矽烷化合物(vi－2)的合成在40克GBL，添加32.84克(160毫莫耳)異氰酸酯基丙基三甲氧基矽烷並攪拌使其溶解。添加23.70克(160毫莫耳)酞酸酐並在室溫攪拌片刻後，再於140℃攪拌2小時。將所得到的溶液使用GBL稀釋使固體成分濃度成為20%的方式，而得到下述結構所示的醯亞胺矽烷化合物(vi－2)。
合成例15 醯亞胺矽烷化合物(vii－2)的合成在40克GBL，添加34.46克(160毫莫耳)異氰酸酯基丙基二乙基乙氧基矽烷並攪拌使其溶解。添加18.26克(160毫莫耳)戊二酸酐並在室溫攪拌片刻後，再於60℃攪拌2小時。在140℃攪拌2小時。將所得到的溶液使用GBL稀釋使固體成分濃度成為20%的方式，而得到下述結構所示的矽聚醯亞胺先質化合物(vii－2)。
合成例16醯亞胺矽烷化合物(viii－2)的合成在400克雙丙酮醇，添加35.42克(160毫莫耳)胺基丙基三乙氧基矽烷、及16.01克(160毫莫耳)琥珀酸酐並暫時在室溫攪拌後，於60℃攪拌2小時。隨後升溫至160℃，邊使雙丙酮醇與水共沸、邊反應6小時。
將所得到的溶液使用雙丙酮醇稀釋使固體成分濃度成為20%，而得到下述結構所示的醯亞胺矽烷化合物(viii－2)。
合成例17醯亞胺矽烷化合物(vi-3)的合成
在400克丙二醇一甲基醚添加41.97克(160毫莫耳)3-三甲氧基矽烷基丙基琥珀酸酐、及11.70克(160毫莫耳)第三丁胺，並在室溫攪拌片刻後，再於60℃攪拌2小時。隨後升溫至140℃，邊使丙二醇一甲基醚與水共沸、邊反應6小時。
將所得到的溶液使用雙丙酮醇稀釋使固體成分濃度成為20%，而得到下述結構所示的醯亞胺矽烷化合物(vi-3)。
合成例18醯亞胺矽烷化合物(vii-3)的合成
在400克雙丙酮醇，添加23.71克(80毫莫耳)2-三甲氧基矽烷乙基酞酸酐、及4.89克(80毫莫耳)一乙醇胺並在室溫攪拌片刻後，再於60℃攪拌2小時。隨後升溫至140℃，邊使雙丙酮醇與水共沸、邊反應6小時。
將所得到的溶液使用雙丙酮醇稀釋使固體成分濃度成為20%，而得到下述結構所示的醯亞胺矽烷化合物(vii－3)。
合成例19 醯亞胺矽烷化合物(viii－3)的合成在400克丙二醇一甲基醚乙酸酯，添加20.99克(80毫莫耳)3－三甲氧基矽烷基丙基琥珀酸酐、及7.45克苯胺(80毫莫耳)、並在室溫攪拌片刻後，再於60℃攪拌2小時。隨後升溫至160℃，邊使丙二醇一甲基醚乙酸酯與水共沸、邊反應6小時。
將所得到的溶液使用雙丙酮醇稀釋使固體成分濃度成為20%的方式，而得到下述結構所示的醯亞胺矽烷化合物(viii－3)。
實施例1在黃燈下，將0.333克(8重量份)醌二疊氮化合物(iv)、0.095克(2重量份)苄基－4－羥基苯基甲基鋶三氟甲磺酸鹽(三新化學工業(股)公司製)、0.095克(2重量份)“NIKALAC”MX－270(商品名、三和CHEMICAL(股)製)、以組成物整體的DAA/γ－丁內酯(GBL)重量比成為70/30的方式溶解0.403克DAA、於2.498克GBL中，並添加0.476克(換算固體成分為2重量份)醯亞胺矽烷化合物(vi)、11.08克(相當100重量份聚矽氧烷)聚矽氧烷溶液(i)、0.008克(相對於組成物總量為濃度50ppm)聚矽氧烷系界面活性劑之BYK－333(BYK－Chemie Japan(股)製)而攪拌。接著，使用0.45微米的過濾器進行過濾，得到感光性矽氧烷組成物。將所得到的感光性矽氧烷組成物作為組成物1。
將所製造的組成物1使用旋轉塗布器(MIKASA(股)製1H－360S)以任意的轉速旋轉塗布於TEMPAX玻璃板(旭TECHNO GLASS板(股)製)上，並使用加熱板(大日本屏幕製造(股)製SCW－636)在100℃預烘烤2分鐘，來製造膜厚度4微米的預烘烤膜。使用平行光線光罩調準器(以下稱為PLA)(CANON(股)製PLA－501F)，並使用灰階光罩對所製造的預烘烤膜以最大i射線曝光量為20~2000 J/m2 照射g射線＋h射線＋i射線(具有約350奈米~450奈米的波長的光)。又，灰階光罩係指能夠藉由從光罩上進行2000 J/m2 曝光，而在光罩下階段性整批地以1%(20J/m2 )至100%(2000 J/m2 )曝光之光罩。隨後，使用自動顯示裝置(瀧澤產業(股)製AD－2000)以2.38wt%氫氧化四銨水溶液(ELM－D、三菱GAS化學(股)製)沖洗顯像80秒，接著以水沖洗30秒鐘。隨後，漂白曝光係使用PLA－501F(CANON(股)製)，對膜全面使用超高水銀燈以6000 J/m2 (換算波長365奈米曝光量)進行曝光。隨後，加熱板(大日本SCREEN製造(股)製SCW－636)在90℃軟烘烤2分鐘，接著，使用烘箱(ESPEC(股)製IHPS－222)在空氣中220℃熟化1小時而製得硬化膜。將所得到的硬化膜作為附帶圖案熟化膜。在實施例1~8，組成係如表1，評價結果係如表2所示。表中的評價係使用以下方法進行。又，下述的(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、及(8)的評價，基板係使用矽晶圓，(6)、(7)的評價，基板係使用TEMPAX玻璃板。
(1)膜厚度測定使用大日本屏幕製造(股)製RAMDAES STM－602，以折射係數1.50測定預烘烤膜及硬化膜的厚度。
(2)殘膜率殘膜率係將組成物塗布在矽晶圓上，並在100℃的加熱板預烘烤120秒後進行顯像，將預烘烤後的膜厚度為(I)、顯像後的未曝光部膜厚度為(II)時，能夠藉由殘膜率(%)＝(II)×100/(I)算出。
(3)敏感度將曝光、顯像後以1對1的寬度形成10微米的線與間隙圖案之曝光量(以下，將其稱為最合適曝光量)作為敏感度。
(4)解像度在最合適曝光量顯像後，將所得到的最小圖案尺寸作為顯像後解像度，將熟化後的最小圖案尺寸作為熟化後解像度。
(5)硬化收縮率硬化收縮率係將組成物塗布在矽晶圓上，並在100℃的加熱板預烘烤120秒後，接著進行顯像，6000 J/m2 的漂白曝光、在90℃軟烘烤2分鐘後，並在220℃熟化1小時而得到硬化膜，將顯像後的未曝光部膜厚度為(I)、熟化後的未曝光部膜厚度為(II)時，能夠藉由殘膜率(%)＝{1－(II)/(I)}×100算出。
(6)光透射率的測定使用MultiSpec－1500(島津製作所(股)製)，首先只有測定TEMPAX玻璃板，並將紫外可見吸收光譜作為參照。接著將如上述形成於TEMPAX玻璃板的各預烘烤膜以2.38%四甲銨水溶液在23℃沖洗顯像60秒，並使用PLA(CANON(股)製PLA－501F)以i射線換算為6000 J/m2 照射。在90℃軟烘烤2分鐘後，並進而在烘箱中以220℃熟化1小時，而在玻璃上形成硬化膜。將其作為試樣，使用該試樣以單射束測定，來求取每3微米在波長400奈米的光透射率，並根據參照算出硬化膜的透射率。
(7)黏著性的評價在TEMPAX玻璃板塗布組成物，並預烘烤、曝光、及熟化處理來形成薄膜。依據JIS K5400 8.5.2(1990年)棋盤格膠黏帶法進行測定。在TEMPAX玻璃板上的薄膜表面使用切割刀以到達玻璃板的質地的方式，以1毫米間隔切下正交縱橫各11根平行直線，來製造100個1毫米×1毫米的方形格。在被切下的薄膜表面貼上玻璃紙黏著膠帶(寬度＝18毫米、黏著力＝3.7N/10毫米)，並使用橡皮擦(JIS S6050合格品)擦拭使黏附，而且拿起膠黏帶的一端，以對板保持直角，藉由目視瞬間剝離時的方形格殘餘數來評價。
(8)耐溶劑性將形成於矽晶圓上之附帶圖案的熟化膜，在一乙醇胺/二甲基亞碸＝70/30(重量比)中於80℃浸漬10分鐘後，進水純水沖洗5分鐘並噴吹氮氣來除去水。對40微米的取樣方形圖案的4個邊緣部(由各角的頂點半徑1微米以內)，使用大日本屏幕製造(股)製RAMDAES STM－602目視評價浸漬前後有無產生裂縫，將在4個邊緣確認的裂縫總根數作為耐溶劑性指標。
實施例2除了以聚矽氧烷(ii)代替聚矽氧烷(i)、使用10重量%醌二疊氮化合物(iv)、以醯亞胺矽烷化合物(vii)代替醯亞胺矽烷化合物(vi)、及未使用苄基－4－羥基苯基甲基鋶三氟甲磺酸鹽、及“NIKALAC”MX－270以外，其他與實施例1同樣地進行，得到組成物2。各評價結果係如表2所示。
實施例3除了以二氧化矽粒子PL－2L－DAA與27.5莫耳%Si原子共聚合而成的聚矽氧烷(iii)代替聚矽氧烷(i)、使用4重量份醌二疊氮化合物(iv)、以8重量份醯亞胺矽烷化合物(viii)代替2重量份醯亞胺矽烷化合物(vi)、及未使用苄基－4－羥基苯基甲基鋶三氟甲磺酸鹽、及“NIKALAC”MX－270以外，其他與實施例1同樣地進行，得到組成物3。各評價結果係如表2所示。
實施例4除了在聚矽氧烷(i)，添加二氧化矽粒子DAA溶劑分散液QUOTRON PL－2L－DAA(扶桑化學工業(股)製：固體成分26.4重量%)使Si原子成為27.5莫耳%，並使用8重量份醌二疊氮化合物(v)、以9重量份醯亞胺矽烷化合物(ix)代替2重量份醯亞胺矽烷化合物(vi)、及未使用“NIKALAC”MX－270以外，其他與實施例1同樣地進行，得到組成物4。各評價結果係如表2所示。
實施例5除了醌二疊氮化合物(v)代替醌二疊氮化合物(iv)、0.5重量份醯亞胺矽烷化合物(vi)代替2重量份醯亞胺矽烷化合物(vi)以外，其他與實施例1同樣地進行，得到組成物5。各評價結果係如表2所示。
實施例6除了將0.476克(換算固體成分為2重量份)醯亞胺矽烷化合物(vi)變更為2.856克(換算固體成分為12重量份)以外，其他與實施例1同樣地進行，得到組成物6。各評價結果係如表2所示。
實施例7除了將0.476克(換算固體成分為2重量份)醯亞胺矽烷化合物(vi)變更為0.019克(換算固體成分為0.08重量份)以外，其他與實施例1同樣地進行，得到組成物7。各評價結果係如表2所示。
實施例8在具有100奈米氮化矽膜作為保護膜之TFT基板上，塗布組成物1的感光性矽氧烷組成物，並藉由上述硬化膜形成方法，在與汲極的共同配線相向且形成有保持電容的部分上形成接觸洞。以該硬化膜作為罩幕而對該保護膜進行乾式蝕刻，來使汲極露出。接著，在其表面藉由濺射蒸鍍法形成厚度130奈米的ITO透明電極膜，並在該ITO透明電極膜上塗布光阻，且使用通常的光微影法藉由曝光、顯像來圖案化，進行濕式蝕刻除去ITO的不需要部分，隨後，將光阻在鹼溶劑之一乙醇胺/二甲基亞碸＝70/30(重量比)中於80℃浸漬10分鐘後，進行純水沖洗5分鐘，使用氮氣噴吹除去水，來形成圖案化成為100微米間隙的條紋形狀的ITO像素電極時，感光性矽氧烷組成物的硬化膜與保護膜及ITO的黏附性良好、且由於低硬化收縮性，能夠得到平坦性或透明性高、且不會產生裂縫之良好的元件。
實施例9除了使用組成物2的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件時，感光性矽氧烷組成物的硬化膜與保護膜及ITO的黏附性良好、且由於低硬化收縮性，能夠得到平坦性或透明性高、且不會產生裂縫之良好的元件。
實施例10除了使用組成物3的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件時，感光性矽氧烷組成物的硬化膜與保護膜及ITO的黏附性良好、且由於低硬化收縮性，能夠得到平坦性或透明性高、且不會產生裂縫之良好的元件。
實施例11除了使用組成物4的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件時，感光性矽氧烷組成物的硬化膜與保護膜及ITO的黏附性良好、且由於低硬化收縮性，能夠得到平坦性或透明性高、且不會產生裂縫之良好的元件。
實施例12除了使用組成物5的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件時，感光性矽氧烷組成物的硬化膜與保護膜及ITO的黏附性良好、且由於低硬化收縮性，能夠得到平坦性或透明性高、且不會產生裂縫之良好的元件。
實施例13除了將2重量份醯亞胺矽烷化合物(vii)變更為5重量份醯亞胺矽烷化合物(vii－2)以外，其他與實施例2同樣地進行，得到組成物16。各評價結果係如表2所示。
實施例14除了將8重量份醯亞胺矽烷化合物(viii)變更為2重量份醯亞胺矽烷化合物(viii－2)以外，其他與實施例3同樣地進行，得到組成物17。各評價結果係如表2所示。
實施例15除了將2重量份醯亞胺矽烷化合物(vi)變更為2重量份醯亞胺矽烷化合物(vi－3)以外，其他與實施例1同樣地進行，得到組成物18。各評價結果係如表2所示。
實施例16除了將2重量份醯亞胺矽烷化合物(vii)變更為4重量份醯亞胺矽烷化合物(vii－3)以外，其他與實施例2同樣地進行，得到組成物19。各評價結果係如表2所示。
實施例17除了將8重量份醯亞胺矽烷化合物(viii)變更為0.5重量份醯亞胺矽烷化合物(viii－3)以外，其他與實施例3同樣地進行，得到組成物20。各評價結果係如表2所示。
實施例18除了使用組成物17的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件時，感光性矽氧烷組成物的硬化膜與保護膜及ITO的黏附性良好、且由於低硬化收縮性，能夠得到平坦性或透明性高、且不會產生裂縫之良好的元件。
實施例19除了使用組成物18的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件時，感光性矽氧烷組成物的硬化膜與保護膜及ITO的黏附性良好、且由於低硬化收縮性，能夠得到平坦性或透明性高、且不會產生裂縫之良好的元件。
實施例20
除了使用組成物19的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件時，感光性矽氧烷組成物的硬化膜與保護膜及ITO的黏附性良好、且由於低硬化收縮性，能夠得到平坦性或透明性高、且不會產生裂縫之良好的元件。
實施例21
除了使用組成物20的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件時，感光性矽氧烷組成物的硬化膜與保護膜及ITO的黏附性良好、且由於低硬化收縮性，能夠得到平坦性或透明性高、且不會產生裂縫之良好的元件。
比較例1
除了未使用醯亞胺矽烷化合物(vii)以外，其他與實施例2同樣地進行，得到組成物8。各評價結果係如表2所示。
比較例2
除了將2重量份醯亞胺矽烷化合物(vi)變更為5重量份芳香族雙醯亞胺低聚物(x)以外，其他與實施例1同樣地進行，得到組成物9。各評價結果係如表2所示。
比較例3
除了將2重量份醯亞胺矽烷化合物(vi)變更為10重量份矽氧聚醯亞胺先質化合物(xi)以外，其他與實施例1同樣地進行，得到組成物10。各評價結果係如表2所示。
比較例4除了將2重量份醯亞胺矽烷化合物(vi)變更為1重量份β－(3,4－環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)公司製、商品名：KBM－303)以外，其他與實施例1同樣地進行，得到組成物11。各評價結果係如表2所示。
比較例5在黃燈下，將2.64克(30重量份)醌二疊氮化合物(iv)、及0.88克(10重量份)EPICOAT828(JAPAN EPOXY RESINS(股)製)溶解於5.94克EDM。添加20.52克(相當於100重量份丙烯酸樹脂)丙烯酸樹脂溶液(xii)、0.0015克(相對於組成物總量為濃度50ppm)BYK－333(BYK－Chemie Japan(股)製)而攪拌。接著，使用0.45微米的過濾器進行過濾、且將所得到的組成物作為組成物12。
比較例6在黃燈下，使0.965克(10重量份)醌二疊氮化合物(iv)、6.58克HPE溶解。添加22.44(相當於100重量份酚醛清漆樹脂)克酚醛清漆樹脂溶液(xiii)、0.0015克(相對於組成物總量為濃度50ppm)BYK－333(BYK－Chemie Japan(股)製)而攪拌。接著，使用0.45微米的過濾器進行過濾、且將所得到的組成物作為組成物13。
比較例7在黃燈下，將2.64克(30重量份)醌二疊氮化合物(iv)、0.88克(10重量份)EPICOAT828(JAPAN EPOXY RESINS(股)製)、及0.476克(換算固體成分為2重量份)醯亞胺矽烷化合物(vi)溶解於5.94克EDM。添加20.52克(相當於100重量份丙烯酸樹脂)丙烯酸樹脂溶液(xii)、0.0015克(相對於組成物總量為濃度50ppm)BYK－333(BYK－Chemie Japan(股)製)而攪拌。接著，使用0.45微米的過濾器進行過濾、且將所得到的組成物作為組成物14。
比較例8在黃燈下，使0.956克(10重量份)醌二疊氮化合物(iv)、6.58克HPE、及0.476克(換算固體成分為2重量份)醯亞胺矽烷化合物(vi)溶解。添加22.44(相當於100重量份酚醛清漆樹脂)克酚醛清漆樹脂溶液(xiii)、0.0015克(相對於組成物總量為濃度50ppm)BYK－333(BYK－Chemie Japan(股)製)而攪拌。接著，使用0.45微米的過濾器進行過濾、且將所得到的組成物作為組成物15。
比較例9除了使用組成物8的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件，但是在硬化膜有裂縫而無法得到沒有缺陷之良好的元件。
比較例10除了使用組成物9的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件，但是在硬化膜有裂縫而無法得到沒有缺陷之良好的元件。
比較例11除了使用組成物12的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件，但是在黏著性或平坦性、透明性有問題，且在硬化膜有裂縫而無法得到沒有缺陷之良好的元件。
比較例12除了使用組成物15的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件，但是在黏著性或平坦性、透明性有問題，且在硬化膜有裂縫而無法得到沒有缺陷之良好的元件。
比較例13除了將2重量份醯亞胺矽烷化合物(vi)變更為7重量份醯亞胺矽烷化合物(vi－2)以外，其他與比較例7同樣地進行，得到組成物21。各評價結果係如表2所示。
比較例14除了將2重量份醯亞胺矽烷化合物(vii)變更為0.5重量份醯亞胺矽烷化合物(vii－2)以外，其他與比較例8同樣地進行，得到組成物22。各評價結果係如表2所示。
比較例15除了將2重量份醯亞胺矽烷化合物(vi)變更為2重量份醯亞胺矽烷化合物(vi－3)以外，其他與比較例7同樣地進行，得到組成物23。各評價結果係如表2所示。
比較例16除了將2重量份醯亞胺矽烷化合物(vii)變更為5重量份醯亞胺矽烷化合物(vii－3)以外，其他與比較例8同樣地進行，得到組成物24。各評價結果係如表2所示。
比較例17除了使用組成物22的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件，但是在黏著性或平坦性、透明性有問題，且在硬化膜有裂縫而無法得到沒有缺陷之良好的元件。
比較例18除了使用組成物23的感光性聚矽氧烷組成物以外，其他與實施例8同樣地進行來製造TFT元件，但是在黏著性或平坦性、透明性有問題，且在硬化膜有裂縫而無法得到沒有缺陷之良好的元件。
產業上之利用可能性
本發明能夠利用作為用以形成液晶顯示元件或有機EL顯示元件等的薄膜電晶體(TFT)基板用平坦化膜、半導體元件的層間絕緣膜、或是光導波路的芯或包層材的材料。

Claims (5)

  1. 一種感光性矽氧烷組成物，係含有(a)聚矽氧烷、(b)醌二疊氮化合物、(c)溶劑、及一種類以上(d)通式(1)~(3)所示的醯亞胺矽烷化合物， (各R1 各自可以相同亦可以不同，係表示碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、苯基、苯氧基或有此等取代基的有機基；又，R2 及R4 係表示碳數1~10的2價有機基、R3 係表示未含矽原子之碳數2~20的有機基(其中，通式(1)時，R3 係表示苯基以外的有機基，通式(2)時，R3 係表示脂環族基以外且未含有不飽和鍵之有機基)，Ra 係表示氫原子或未含有矽原子之碳數1~20的有機基)。
  2. 如申請專利範圍第1項之感光性矽氧烷組成物，其中相對於聚矽氧烷，(d)通式(1)~(3)所示化合物的總含量為0.1~10重量%。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之感光性矽氧烷組成物，其中該(a)聚矽氧烷係共聚物，且該聚矽氧烷含有二氧化矽粒子，而該二氧化矽粒子以化學性鍵結於該聚矽氧烷的至少一部分。
  4. 一種硬化膜，係塗布如申請專利範圍第1至3項中任一項之感光性矽氧烷組成物並形成圖案而得到之硬化膜，且在波長400奈米時膜厚度每3微米的光透射率為95%以上。
  5. 一種元件，係具備如申請專利範圍第4項所記載之硬化膜。
TW096145065A 2006-11-30 2007-11-28 感光性矽氧烷組成物、由它形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件 TWI434141B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006323302 2006-11-30
JP2007148924 2007-06-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200836011A TW200836011A (en) 2008-09-01
TWI434141B true TWI434141B (zh) 2014-04-11

Family

ID=39467736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096145065A TWI434141B (zh) 2006-11-30 2007-11-28 感光性矽氧烷組成物、由它形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8338510B2 (zh)
JP (1) JP5034901B2 (zh)
KR (1) KR101408725B1 (zh)
CN (1) CN101542394B (zh)
TW (1) TWI434141B (zh)
WO (1) WO2008065944A1 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4967687B2 (ja) * 2007-01-29 2012-07-04 東レ株式会社 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
CN101910318B (zh) 2008-01-28 2012-10-24 东丽株式会社 硅氧烷类树脂组合物
JP5200742B2 (ja) * 2008-08-01 2013-06-05 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性組成物、その製造方法、ならびにパターン形成方法
JP5504689B2 (ja) * 2008-11-28 2014-05-28 東レ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物およびそれを用いたタッチパネル用材料
KR20100066808A (ko) * 2008-12-10 2010-06-18 주식회사 동진쎄미켐 포지티브형 감광성 유-무기 하이브리드 절연막 조성물
JP5338532B2 (ja) * 2009-07-13 2013-11-13 Ｊｎｃ株式会社 ポジ型感光性組成物
CN102472964B (zh) * 2009-09-29 2013-08-07 东丽株式会社 正型感光性树脂组合物、使用其的固化膜及光学设备
KR101761181B1 (ko) * 2010-06-09 2017-07-25 도레이 카부시키가이샤 감광성 실록산 조성물, 그것으로부터 형성된 경화막 및 경화막을 갖는 소자
JP5707407B2 (ja) 2010-08-24 2015-04-30 メルクパフォーマンスマテリアルズＩｐ合同会社 ポジ型感光性シロキサン組成物
CN103765254B (zh) * 2011-08-29 2016-04-06 东丽株式会社 着色树脂组合物及树脂黑色矩阵基板
JP5884837B2 (ja) * 2012-02-07 2016-03-15 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JP5983936B2 (ja) * 2012-11-19 2016-09-06 Jsr株式会社 液晶配向剤
JP6057698B2 (ja) * 2012-12-25 2017-01-11 東レ・ダウコーニング株式会社 イミド基含有有機ケイ素化合物の製造方法
JP6070589B2 (ja) 2014-01-24 2017-02-01 信越化学工業株式会社 シランカップリング剤及びその製造方法、プライマー組成物並びに塗料組成物
TWI540396B (zh) * 2014-02-18 2016-07-01 奇美實業股份有限公司 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件
KR20180124911A (ko) * 2016-03-31 2018-11-21 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 부동태화 박막 트랜지스터 소자
FR3052785B1 (fr) * 2016-06-16 2019-12-13 Safran Electrical & Power Melanges refrigerants pour une utilisation au sein de dispositifs d'echange de chaleur dans le domaine de l'aerospatiale
JP2018189738A (ja) * 2017-04-28 2018-11-29 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ ポジ型感光性シロキサン組成物、およびそれを用いて形成した硬化膜
JP2023521590A (ja) * 2020-09-21 2023-05-25 エルジー・ケム・リミテッド フレキシブルディスプレイ装置製造用複合基板、これを利用したフレキシブルディスプレイ装置の製造方法、およびフレキシブルディスプレイ装置用積層体

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH635828A5 (de) 1978-08-30 1983-04-29 Ciba Geigy Ag N-substituierte imide und bisimide.
US5055549A (en) * 1989-01-18 1991-10-08 Chisso Corporation Process for preparing photosensitive heat-resistant polymer
JP3017845B2 (ja) 1990-11-15 2000-03-13 鐘淵化学工業株式会社 反応性ケイ素基含有イミド化合物の製法
JP3449858B2 (ja) 1996-06-25 2003-09-22 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP3422703B2 (ja) 1997-12-11 2003-06-30 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
KR20060126920A (ko) * 2003-10-24 2006-12-11 니폰 가야꾸 가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물 및 그 경화 피막을 갖는 필름
JP4655914B2 (ja) 2005-12-13 2011-03-23 東レ株式会社 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP5169027B2 (ja) * 2006-05-29 2013-03-27 東レ株式会社 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP4967687B2 (ja) * 2007-01-29 2012-07-04 東レ株式会社 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR101408725B1 (ko) 2014-06-17
US20100129618A1 (en) 2010-05-27
JP5034901B2 (ja) 2012-09-26
KR20090084872A (ko) 2009-08-05
US8338510B2 (en) 2012-12-25
TW200836011A (en) 2008-09-01
CN101542394A (zh) 2009-09-23
JP2009015285A (ja) 2009-01-22
WO2008065944A1 (fr) 2008-06-05
CN101542394B (zh) 2012-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI434141B (zh) 感光性矽氧烷組成物、由它形成之硬化膜、及具有硬化膜之元件
JP4853228B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子、並びにパターン形成方法
TWI442185B (zh) 感光性組成物、由其形成之硬化膜、及具有該硬化膜之元件
KR101739607B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 그것으로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
JP5003081B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP4967687B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP2006293337A (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP2008208342A (ja) 樹脂組成物、硬化膜、および硬化膜を有するカラーフィルタ
JP2009042422A (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
US9063419B2 (en) Photo-curing polysiloxane composition and application thereof
TWI459145B (zh) 光硬化性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件
US9389509B2 (en) Photosensitive polysiloxane composition, protecting film and element having the protecting film
JP5169027B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP2007226214A (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
TWI506374B (zh) 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件
US8828640B2 (en) Photo-curing polysiloxane composition and application thereof
US20150346601A1 (en) Photosensitive polysiloxane composition, protective film and element having the protective film
JP5056260B2 (ja) 感光性シロキサン組成物およびその製造方法、並びにそれから形成された硬化膜および硬化膜を有する素子
TWI721145B (zh) 正型感光性聚矽氧烷組成物
TWI827824B (zh) 正型感光性樹脂組成物、硬化膜的製造方法、硬化膜、光學元件以及電子材料
JP4670665B2 (ja) 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
TW201339762A (zh) 光硬化性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件