TWI433731B - 基板塗佈裝置及基板塗佈方法 - Google Patents

基板塗佈裝置及基板塗佈方法 Download PDF

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Yoshinori Takagi
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Dainippon Screen Mfg
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Description

基板塗佈裝置及基板塗佈方法
本發明係關於一種例如對液晶用方形玻璃基板、半導體基板、薄膜液晶用可撓性基板、光罩用基板、彩色濾光片用基板等之精密電子裝置用基板、或與其類似之各種基板之表面塗佈處理液之基板塗佈裝置。
先前,於各種基板之製造步驟中,使用有對基板之表面塗佈處理液之基板塗佈裝置。作為上述基板塗佈裝置,已知一種狹縫塗佈機,其係一邊自狹縫噴嘴噴出處理液,一邊使該狹縫噴嘴相對於基板而進行相對地直進移動,以對整個基板塗佈處理液。尤其在對大型基板塗佈處理液時,難以採用一邊使基板旋轉一邊塗佈處理液之旋塗方式,因此,該種狹縫塗佈機為主流。
在該種直進型(線性塗佈方式)之基板塗佈裝置中,於產距時間(takt time)短縮化之觀點上,相較吸附保持基板而進行塗佈處理而言,更理想的是使基板懸浮搬送而進行塗佈處理。
又,於以線性塗佈方式進行抗蝕劑塗佈處理時,由於狹縫噴嘴與基板表面異物之接觸而導致的噴嘴之損傷或塗佈不良成為問題,因此對於噴嘴,需要一些保護機構。
於專利文獻1中,揭示有一種基板塗佈裝置,其在對吸附保持於吸附平台上之基板進行塗佈處理時,於噴嘴之行進方向前面設置有保護機構,在自基板之端部起掃描基板表面時,能夠檢測到基板前面之異物,保護噴嘴之前端。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-105623號公報
然而,在以懸浮搬送方式對基板進行抗蝕液等之處理液塗佈處理之情形時,欲使用噴嘴保護機構自基板之端部起掃描基板表面,則於噴嘴之下方不存在基板之狀態下必需使懸浮平台下降。因此,噴嘴前端之處理液會因自懸浮平台噴出、排放之空氣之流動而乾燥,從而在對基板進行塗佈處理時有塗佈不良之虞。
又,於噴嘴正下方存在有基板端部之狀態下,在使噴嘴下降時,不會產生上述問題,但無法測定開始塗佈之基板端部之實際的懸浮高度。又,如圖28所示,無法自基板之端部起對保護機構之間的基板表面進行異物檢測。
本發明係鑒於上述問題而完成者,其第1目的在於,在以懸浮搬送方式對基板進行處理液之塗佈處理時,防止因噴嘴前端之處理液之乾燥而導致的塗佈不良。
本發明之第2目的在於,可進行基板前端部之異物檢測,並且防止因噴嘴前端之處理液之乾燥而導致的塗佈不良。
為解決上述問題,技術方案1之發明係一種基板塗佈裝置,其特徵在於:其係用以對基板塗佈處理液者;其包含:懸浮平台,其藉由通過平台面上所設置之氣體孔之氣體流而於上述平台面上形成壓力氣體層,並藉由上述壓力氣體層而使基板懸浮;處理液供給機構,其自相對於上述基板進行相對移動之噴嘴將特定之處理液噴出至上述基板上,藉以將上述處理液塗佈於上述基板上;及氣體流控制機構,其在上述氣體流之形成狀態與停止狀態間進行切換;且在與上述相對移動同時進行之上述處理液噴出之前,設定空轉期間,於該期間在停止自上述噴嘴噴出上述處理液之狀態下,使上述噴嘴自上述懸浮平台上之偏離基板存在區域之位置相對移動至上述基板存在區域;上述氣體流控制機構係在上述空轉期間中之至少一部分期間內,暫時停止在上述噴嘴之正下方區域進行之上述氣體流之形成。
技術方案2之發明係如技術方案1之基板塗佈裝置,其中更包含使上述噴嘴在上述懸浮平台之上方空間升降之升降機構;上述空轉期間包含:上述噴嘴自特定之等待高度下降之下降期間、及在上述噴嘴成為下降狀態後於水平方向使上述噴嘴相對於上述基板而相對接近之水平移動期間;對上述基板上之上述處理液之塗佈,係在上述下降狀態下進行;在上述空轉期間中之至少上述水平移動期間內,停止上述氣體流之形成。
技術方案3之發明係如技術方案1或技術方案2之基板塗佈裝置,其中在上述懸浮平台上,將分別形成有氣體孔之複數之氣體流形成區域鄰接配置作為另一張板或一張板之 另一部分;對應於上述複數之氣體流形成區域之各者而設置有氣體流路之開閉機構;上述氣體流控制機構係僅針對上述複數之氣體流形成區域中、位在上述噴嘴之正下方且於其上不存在上述基板之區域,進行使用上述開閉機構之上述氣體流之形成之暫時停止。
技術方案4之發明係如技術方案1或技術方案2之基板塗佈裝置,其中於上述氣體流暫時停止之後,使用上述懸浮平台上所有的氣體孔重新開始形成氣體流,直至上述噴嘴自上述基板之塗佈開始位置開始噴出上述處理液為止。
技術方案5之發明係如技術方案1或技術方案2之基板塗佈裝置,其中更包含測定上述基板之懸浮高度之懸浮高度測定機構;並且上述處理液供給機構中更包含保護構件,其安裝於上述噴嘴中在進行上述相對移動時相當於前方之側,保護上述噴嘴之前端;在上述懸浮高度測定機構檢測出上述基板端部之塗佈開始位置之懸浮高度並且使上述噴嘴下降後,使上述噴嘴與上述基板進行相對移動,藉此使上述保護構件較上述噴嘴更先進入至基板端部。
技術方案6之發明係如技術方案1或技術方案2之基板塗佈裝置,其係預先決定因暫時停止上述氣體流之形成所致之上述基板之溫度變動之容許值,上述氣體流之形成之上述暫時停止狀態的持續時間係決定為上述溫度變動成為上述容許值以下之時間。
技術方案7之發明係如技術方案1或技術方案2之基板塗佈裝置,其中於上述懸浮平台上,混合形成有噴出氣體之 複數噴出孔、及抽吸上述氣體之複數抽吸孔;上述氣體流係在自上述複數噴出孔噴出之上述氣體由上述複數抽吸孔抽吸的過程中產生;上述氣體流控制機構係藉由開閉對上述複數噴出孔之氣體供給路徑、與開閉由上述複數抽吸孔之氣體抽吸路徑,而在上述氣體流之形成狀態與停止狀態間進行切換。
技術方案8之發明係一種基板塗佈方法,其特徵在於:其係用以將自特定之噴嘴噴出之處理液塗佈於基板者;其包括以下步驟:第1步驟,藉由通過平台面上所設置之氣體孔之氣體流而於上述平台面上形成壓力氣體層,並藉由上述壓力氣體層而使基板懸浮;針對上述平台面中偏離基板存在區域且為噴嘴之正下方之特定區域,暫時停止上述氣體流;使噴嘴自特定之等待高度朝向上述特定區域下降;使上述噴嘴與上述基板相對移動而使上述噴嘴到達上述基板之塗佈開始位置之上,開始自上述噴嘴噴出上述處理液;及重新開始針對上述特定區域進行上述氣體流之形成,直至開始進行上述處理液之噴出為止。
根據技術方案1至技術方案8之發明,於停止自噴嘴噴出處理液之狀態下,在使噴嘴自懸浮平台上之偏離基板存在區域之位置起相對移動至基板存在區域上方之空轉期間的至少一部分期間內,暫時停止偏離基板存在區域之區域中至少包含噴嘴正下方之區域之範圍內的氣體流之形成。因此,可抑制因用於形成氣體壓力層之氣體流之影響而導致噴嘴前端之處理液乾燥,且在進行塗佈處理時導致基板上發生塗佈不均之可能性。
又,尤其根據技術方案2之發明,由於停止在最易受到氣體流影響之水平移動期間內的氣體流之形成,因此處理液之防乾燥效果特別高。
又,尤其根據技術方案3之發明,可進行各別控制,在複數之氣體流形成區域中,對噴嘴正下方區域暫時停止氣體流之形成。因此,在使噴嘴接近基板時,可根據氣體流形成區域而變更氣體孔之分布狀況,從而可部分地利用廉價的板或板區劃。
又,尤其根據技術方案4之發明,在基板到達塗佈開始位置後,於所有的懸浮平台上形成壓力氣體層,因此即便為了進行塗佈處理而搬送基板,亦不會有基板撓曲之疑慮。
又,尤其根據技術方案5之發明,可使用噴嘴前端之保護構件自基板之端部起掃描基板表面,因此能夠檢測到基板整個面之異物。
又,尤其根據技術方案6之發明,可更定量地抑制因停止懸浮平台上之壓力氣體層之形成而導致的基板溫度變動之影響,因此於進行塗佈處理時,可抑制因基板側之溫度變動而導致的塗佈不均。
又,尤其根據技術方案7之發明,利用氣體之噴出與抽吸,藉由懸浮平台上之氣體流而形成壓力氣體層,因此,可取得壓力氣體層之壓力平衡,從而能更穩定地進行基板之懸浮。
以下,一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態。
再者,於以下之說明中,在表示方向及朝向時,適當地使用圖中所示之三維XYZ正交座標。此處,X軸及Y軸方向表示水平方向,Z軸方向表示鉛垂方向(+Z側為上側,-Z側為下側)。又,為方便起見,將X軸方向作為左右方向(關於基板搬送,+X側為下游側,-X側為上游側),將Y軸方向作為深度方向(+Y側,-Y側)。
<1.基板處理裝置之概要>
圖1係表示本發明之實施形態之基板處理裝置1之概略構成的俯視圖。圖2係表示噴嘴單元5及噴嘴洗淨等待單元9已卸除時的本發明之實施形態之基板處理裝置1之概略構成的俯視圖。
基板處理裝置1之構成為使噴出處理液且形成為狹縫之長條的噴嘴與基板進行相對移動以對基板之表面塗佈處理液之裝置(狹縫塗佈機)。該裝置1係被利用於對基板塗佈作為處理液之抗蝕液之製程等,來作為選擇性地蝕刻形成於基板表面之電極層等之前處理。成為狹縫塗佈機之塗佈對象之基板中,代表性的係用以於液晶顯示裝置中製造畫面面板之方形的玻璃基板,但亦可為半導體基板、薄膜液晶用可撓性基板、光罩用基板、彩色濾光片用基板等之其他基板。
基板處理裝置1之機械性構成大致分為:接收自上游單元搬送而來之水平姿勢之矩形基板W並朝(+X)方向搬送之基板搬送裝置2;對基板W塗佈處理液之塗佈裝置3;及出口懸浮平台11。利用該基板處理裝置1塗佈處理液後之基板W自出口懸浮平台11藉由移載機械手36而移載至減壓乾燥單元37、38中之任一者,已塗佈之處理液受到減壓乾燥。其後,將基板W移載至與減壓乾燥單元38於上下方向上積層之交接位置39,進而交給用於下一步驟之其他裝置。
基板搬送裝置2大致分為:搬送自上游單元傳送而來之基板W之滾子輸送機30;藉由壓縮空氣而使基板W懸浮之入口懸浮平台10;將基板W自滾子輸送機30移載至入口懸浮平台10之移載單元6;及吸附保持基板W之兩側端而將其搬送至下游之基板搬送夾盤8。又,基板塗佈裝置3大致分為:具備噴出處理液之狹縫噴嘴55之噴嘴單元5;對狹縫噴嘴55進行洗淨之噴嘴洗淨等待單元9;及進行塗佈處理之塗佈平台4。
透過該基板處理裝置1之整體而觀察時,基板搬送區間TR根據基板支持方式之不同而大致分為3個區間。
(1)接觸支持區間TA:
上游側之接觸支持區間TA成為「滾子搬送方式」,其係一方面以與基板W之下表面接觸之滾子排列來支持基板W,一方面藉由各滾子之旋轉而搬送基板。該「滾子搬送方式」下的基板支持成為與基板W之下表面接觸而支持基板W之「接觸支持形式」之一態樣。以存在於基板處理裝置1前段側之上游單元進行之搬送亦成為滾子搬送方式。
(2)懸浮支持區間TC1、TC2:
夾持有後述之支持形式轉換區間TB而位於接觸支持區間TA下游側之懸浮支持區間TC1、TC2係藉由壓縮空氣而使基板懸浮來支持基板W。一般而言,使基板懸浮而支持基板之形式係「懸浮支持形式」,但本實施形態中成為懸浮搬送方式,其係一方面藉由加壓氣體(具體指壓縮空氣)而實現懸浮支持形式,一方面吸附保持基板之兩側端而使基板移動。區間TC1、TC2中之區間TC1係與處理液之塗佈直接相關的塗佈用搬送區間,區間TC2係用以將基板交付至移載機械手36之出口區間。
(3)支持形式轉換區間:TB
設置於上述2種區間TA、(TC1、TC2)之間的支持形式轉換區間TB係在接觸支持區間TA與懸浮支持區間TC1、TC2之間用以轉換基板之支持方式的區間。從基板之搬送方式而非基板之支持形式之觀點考慮,支持形式轉換區間TB係在作為接觸支持區間TA中的「接觸搬送方式」之「滾子搬送方式」、與懸浮支持區間TC1、TC2中的「懸浮搬送方式」之間,轉換基板之搬送方式的區間。
圖3係表示控制部7、及主要由該控制部7所控制之各功能部之關係的示圖。控制部7係使用電腦而構成,根據電腦中所安裝之程式、裝置各部之特性資料、及各基板之處理順序(配方(recipe))而控制裝置各部,進行一連串的基板之連續處理。關於作為控制對象之各部之功能,將於各自之相關部位進行敍述。
<2.各部之構成>
<●滾子輸送機30>
滾子輸送機30係接觸式之搬送裝置,其使旋轉之複數之滾子301之外周面的最上部抵接於基板W之下表面,以對基板W賦予推進力,使其向下游方向移動。在作為驅動源之馬達35與1根旋轉軸302、進而在分別鄰接之旋轉軸302彼此間,架設有正時皮帶32(參照圖6),因此,能夠以相同的時序對各旋轉軸302賦予相同的旋轉速度。與後述之移載單元6之滾子601不同,該等複數之滾子301係設於固定高度而構成與基板之下表面接觸之滾子群。
於該滾子輸送機30中,在與X軸方向平行之兩端部之一方設置有減速感測器(未圖示),在較該減速感測器之設置位置更靠基板W之搬送方向下游側,設置有停止感測器(未圖示)。所搬送之基板W之前端WE(參照圖12)被減速感測器檢測到,藉此,滾子301之旋轉速度得以減速,停止感測器檢測到基板W之前端WE,從而使滾子301之旋轉停止。如此,藉由事前降低所搬送之基板W之速度而可使施加於基板W上之衝擊達到最小限度,之後可停止基板W。
<●移載單元6>
於滾子輸送機30之下游側設置有移載單元6。該移載單元6係設置於滾子輸送機30與入口懸浮平台10之間隔空間內,並包含懸浮墊64與移載升降滾子輸送機60。
懸浮墊64係自各上表面對基板W之下表面噴出壓縮氣體、例如噴出空氣而使基板W懸浮,以非接觸狀態來支持基板W之懸浮機構。懸浮墊64係由使用以噴出空氣之多數之噴出孔64a(參照圖12)分布於上表面而設置之長方形狀之構件所構成,其上表面成為氣體噴射面。自噴出孔64a不斷噴出空氣。該懸浮墊64係以長度方向與基板W之搬送方向平行之方式,沿Y軸方向隔開特定間隔而設置有複數個。該等複數之懸浮墊64之集合體係作為基板W之懸浮平台而發揮功能,各懸浮墊64成為其構成要素之單位懸浮平台。
在隔開特定間隔而排列之懸浮墊64間之空隙中,移載升降滾子輸送機60之包含複數之滾子601之滾子群係位於使各滾子601外周面之最上部之旋轉方向與懸浮墊64之長度方向成平行的朝向,旋轉軸602貫通滾子601之旋轉中心。如後述之圖4及圖5所示,懸浮墊64存在於旋轉軸602之上方,該旋轉軸602大致水平地排列,並且以與懸浮墊64之長度方向正交之方式而貫通複數之滾子601之旋轉中心。
關於滾子601及旋轉軸602之驅動,與滾子輸送機30同樣地,在作為驅動源之馬達65與1根旋轉軸602、進而在各自大致水平地鄰接之旋轉軸602彼此間,架設有正時皮帶62(參照圖6),故能夠以相同的時序對構成移載升降滾子輸送機60之各旋轉軸602賦予相同的旋轉速度。
於各滾子601之旋轉軸602之下方,設置有例如油缸般之升降機構66(參照圖4),該升降機構66與各滾子601之旋轉軸602係經由構件而連結。因此,配合該升降機構66之驅動,移載升降滾子輸送機60一邊保持大致水平一邊於Z軸方向升降。
圖4係移載升降滾子輸送機60上升時之移載單元6的YZ剖面圖。圖5係移載升降滾子輸送機60下降時之移載單元6的YZ剖面圖。
如圖4所示,上升時滾子601之位置係其外周面之最上部與基板W之下表面接觸之位置,其係較藉由自噴出孔64a噴出空氣而使基板W懸浮之高度更高的位置。又,如圖5所示,於下降時,滾子601之外周面之最上部下降至較懸浮墊64之上表面更低的位置為止。於上升時,與滾子輸送機30同樣地,旋轉之滾子601之外周面之最上部抵接於基板W之下表面,以對基板W賦予推進力,使基板W向下游方向移動。
該移載升降滾子輸送機60於上升之狀態下旋轉,藉此,基板W自滾子輸送機30向入口懸浮平台10被搬送。在基板W通過滾子輸送機30時,移載升降滾子輸送機60會下降至較懸浮墊64之上表面更下方。因此,移載單元6對基板W之支持僅成為懸浮墊64之懸浮力,與入口懸浮平台10上之懸浮力協動而使基板W懸浮,從而轉變為與滾子等下部機構為非接觸狀態。
該移載單元6之搬送方向(+X方向)之長度、即圖1中之支持形式轉換區間TB之長度變得短於搬送方向上之基板W之長度。換言之,對搬送方向(+X方向)上特定長度之基板W進行處理之裝置1中,移載單元6之搬送方向(+X方向)之長度變得短於該特定長度。因此,可縮短基板處理線之全長。
圖6係滾子輸送機30與移載單元6之側視圖。如圖6所示,滾子輸送機30與移載單元6鄰接配置但並未連結,在空間上完全分離作為各別之裝置。此時,升降輸送支撐框架69自側面觀察時看起來好像連結著,但實際上如圖7所示之A部分之俯視圖,在空間上並未連結。因此,伴隨滾子輸送機30之滾子驅動而產生之振動不會由移載單元6傳遞至下游側。其結果為,於後述之處理液塗佈處理中,可防止因無用之振動而產生之塗佈不均。
<●入口懸浮平台10>
於移載單元6之下游側設置有入口懸浮平台10。該入口懸浮平台10上,遍及1張板狀平台面之整個面而分布形成有多數之空氣之噴出孔10a,可藉由壓縮空氣之噴出而產生的氣體壓力使基板W懸浮,且可使基板W相對於入口懸浮平台10之上表面、即相對於氣體噴射面而成為非接觸狀態。此時基板W之懸浮高度為10~500微米。入口懸浮平台10之上述基板懸浮原理係與移載單元6之懸浮墊64之平行排列為相同。
如圖12所示,於基板處理裝置1之基板搬送路徑上,在較相對於基板W之搬送方向平行之基板W之兩邊沿Y軸方向更外側的位置(以下稱為「側方位置」)上,設置有導輥102p~102s。於移載單元6之(+Y)側設置有導輥102p,於(-Y)側設置有導輥102r,於入口懸浮平台10之(+Y)側設置有導輥102q,於(-Y)側設置有導輥102s。在未對入口懸浮平台10進行基板W之搬送之情形時,該導輥102p~102s位於退避位置(與相當於基板W之側邊之移動軌跡的線分離之位置),但在基板搬送時,藉由安裝於導輥102p~102s上之導輥油缸(未圖示),使平行於搬送方向的基板W之兩邊以朝向與X軸平行的基板W之中心線而自兩側擠壓之方式接觸。導輥102p~102s設置成其旋轉軸與Z軸平行,藉此,自移載單元6轉移至入口懸浮平台10時,可使藉由滾子輸送機30及移載升降滾子輸送機60之滾子601之旋轉所賦予之推進力僅於搬送方向傳遞,因此可防止基板W之橫向偏移。
於入口懸浮平台10之與X軸方向平行之兩端部的一方,與滾子輸送機30同樣地設置有減速感測器(未圖示)與停止感測器(未圖示),可使基板W之搬送速度減速,並可在入口懸浮平台10上之特定之停止位置使基板W之搬送停止。
如圖15所示,用以對藉由入口懸浮平台10之停止感測器而停止之基板W進行對準處理之對準處理銷105c~105f係設置於移載單元6與入口懸浮平台10之周圍。具體而言,與相對於X軸方向平行的基板W之兩邊相接之對準處理銷105g~105j在移載單元6與入口懸浮平台10之側方位置上,於(+Y)側設置有105g、105h,於(-Y)側設置有105i、105j,且與基板W之與X軸方向平行之兩邊相接。相對於搬送方向而與後端之基板W之一邊相接的對準處理銷105e、105f係在滾子輸送機30與移載單元6之邊界上沿Y軸方向配置。而且,相對於搬送方向而與前端之基板W之一邊相接的對準處理銷105c、105d係設置於與對準處理銷105c、105d相合之較大的凹部內,且沿Y軸方向而設置,上述凹部形成於較入口懸浮平台10上位於停止位置之基板W之前端的一邊更靠近下游側之入口懸浮平台10上。上述的與平行於Y軸方向之基板W之前端WE及後端之兩邊相接的對準處理銷105c~105f,在通常之搬送基板時,為了不妨礙基板搬送而退避至滾子輸送機30與移載單元6之邊界、且形成於入口懸浮平台10上之凹部之下方。該等於進行對準處理時,因對準處理銷油缸(未圖示)之動作而於基板搬送路徑之上方伸長至可與基板W抵接之位置,且與基板W抵接之最上端之部分因會在基板方向上改變位置,故而會與基板W之平行於Y軸方向之兩邊相接。如此一來,基板W藉由設置於共計8處之各對準處理銷105c~105f之動作而被定位於正確的停止位置。
<●塗佈平台4>
於入口懸浮平台10之下游存在塗佈平台4。於該塗佈平台4上,自狹縫噴嘴55對基板W塗佈抗蝕液作為處理液。
該塗佈平台4與入口懸浮平台10同樣地,於平台表面分布形成有多數之小孔。惟在入口懸浮平台10上,小孔僅進行空氣之噴出,而在塗佈平台4上,亦形成有不僅用於噴出空氣、亦用於抽吸空氣之小孔。亦即,如圖8所示,存在於塗佈平台4上之多數之小孔(氣體孔)係分類為壓縮空氣之噴出孔40a、41a與抽吸孔40b、41b。如此進行空氣之噴出及抽吸,從而自噴出孔40a、41a噴出至平台面上之壓縮空氣之空氣流在向水平方向擴散後,自與該等噴出孔40a、41a鄰接之抽吸孔40b、41b被抽吸,懸浮之基板W與塗佈平台4上表面之間的空氣層(壓力氣體層)中之壓力平衡變得更加穩定。
該塗佈平台4被分為2部分,圖8係被分為2部分之塗佈平台4之俯視圖。
對於停止於入口懸浮平台10上之基板W,一邊藉由基板搬送夾盤8而抽吸保持其側端部,一邊於(+X)方向被搬送並暫時停止於塗佈平台4上。將該停止之基板W之前端WE之正下方的位置作為板邊界St,於該板邊界St上,將構成塗佈平台4之板分為2部分。將較板邊界St更位於(-X)方向之板作為塗佈前平台40,並將更位於(+X)方向之板作為塗佈後平台41。
圖9表示塗佈前平台40及塗佈後平台41中之空氣之供給流路與抽吸流路。空氣之供給流路係在以調溫單元202而使被壓縮機等壓縮機構201壓縮後的空氣達到特定之溫度後,分支為塗佈前平台40與塗佈後平台41各自之流路。藉由調溫單元202而將空氣設定為特定之溫度係為了與外部氣溫無關地將空氣保持為一定之溫度狀態。分支後之空氣在各自之流路中通過過濾器12、22而得以淨化,在經針閥(needle valve)13、23調節壓力之後,通過流量計14、24、壓力計15、25、氣動閥16、26後,自塗佈前平台40及塗佈後平台41中之噴出孔40a及41a而噴出。空氣供給之開始及停止係藉由來自控制部7(圖3)之指令訊號而開閉氣動閥16、26來執行。控制部7亦進行壓縮空氣之壓力控制。
空氣之抽吸中,使用鼓風機18、28作為抽吸機構,驅動馬達(未圖示)受到反相控制。在來自設置於塗佈前平台40及塗佈後平台41上之抽吸孔40b及41b之抽吸流路中,設置有壓力計17、27,可測定抽吸流路中之壓力。又,於抽吸流路中設置有泄放閥19、29。因此,在抽吸流路內之壓力較由鼓風機18、28之旋轉所獲得之抽吸壓力更高時,可將抽吸流路內之空氣自泄放閥19、29排放至外部,藉此進行用以將抽吸流路內之壓力保持為一定之微調整。
作為空氣供給機構之壓縮機構201為1台,藉由分支而可針對每個平台分配流路。另一方面,作為抽吸機構之鼓風機18、28係針對各平台中之每個抽吸流路而設置。
如此,塗佈平台4被分為2個,且內部之流路在塗佈前平台40與塗佈後平台41中被分割,故可針對每個平台來調節空氣之噴出與抽吸。亦即,可各別地控制2個平台40、41中之壓力氣體層(空氣流),不僅可使壓縮空氣之噴出與抽吸之雙方同時進行,亦可僅對其中一方暫時停止空氣之噴出與抽吸。
例如,在欲使塗佈後平台41之空氣之噴出及抽吸單獨停止時,對於噴出,使氣動閥26全部關閉,對於抽吸,使與鼓風機28之驅動馬達(未圖示)連接之反相器(未圖示)停止,藉此可實現上述的單獨控制。氣動閥26或上述反相器係作為控制用以形成壓力氣體層之空氣流之氣體流控制機構而發揮功能。
<●噴嘴單元5>
圖10係基板搬送夾盤8、噴嘴單元5、及噴嘴洗淨等待單元9之YZ剖面圖。
對基板W之表面塗佈抗蝕液之噴嘴單元5係設置於塗佈平台4之上方,且具有圖10所示之橋接結構。該種橋接結構係由例如將碳纖維增強樹脂作為骨材之噴嘴支持部、及支持其兩端而使其升降之升降機構所構成。於噴嘴支持部上設置有狹縫噴嘴55。該狹縫噴嘴55係自形成於其下端之狹縫狀的噴出口55a朝基板W之上表面噴出由處理液供給機構(未圖示)所供給之抗蝕液。該噴出口55a相對於塗佈平台4為大致水平,且沿Y軸方向而延伸。
噴嘴之升降機構係設置於噴嘴支持部之兩端,主要係由作為驅動源之伺服馬達59及滾珠螺桿58而構成。藉由該伺服馬達59,噴嘴支持部沿著在相對於塗佈平台4之鉛垂方向上延伸之滾珠螺桿58而受到升降驅動,狹縫噴嘴55之噴出口55a與基板W之間隔得到調節。
於該升降機構中,在基板搬送路徑之兩端(-Y側、+Y側)與基板不相接之位置上,沿X軸方向設置有噴嘴單元行進導引器51。
2個噴嘴單元線性馬達(-Y側、+Y側)各自之固定片係在本體裝置之Y軸方向之側面沿X軸方向而設置,各自之移動片係被固設於升降機構之外側。在該等固定片與移動片之間所產生之磁相互作用下,噴嘴單元5沿噴嘴單元行進導引器51而移動。
關於2個噴嘴單元線性標度尺52,亦分別設置於本體裝置之兩端(-Y側、+Y側)。該噴嘴單元線性標度尺52係檢測噴嘴單元5之移動位置,因此控制部7可根據該檢測結果而控制噴嘴單元線性馬達53之驅動,控制噴嘴單元5於X軸方向上之移動,亦即控制狹縫噴嘴55對於基板表面之掃描。
於進行塗佈處理時,在自狹縫噴嘴55之噴出口55a噴出抗蝕液之狀態下,使基板搬送夾盤8保持基板W之兩端而於(+X)軸方向以特定之速度進行水平移動。
基板搬送夾盤8係用以保持下表面為非接觸狀態之基板W之邊緣並向下游方向搬送基板W之裝置。於原點狀態下,基板搬送夾盤8位於橫跨懸浮墊64與入口懸浮平台10而停止的基板W之平行於X軸方向之兩端部的正下方。亦即,為移載單元6與入口懸浮平台10位於夾持基板W之位置之內側的結構。
如圖1等所示,基板搬送夾盤8沿基板搬送路徑,不僅向入口懸浮平台10、塗佈平台4及出口懸浮平台11之兩側部,而且向移載單元6之兩側部延伸。又,藉由基板搬送夾盤8而搬送基板W之搬送速度、藉由滾子輸送機30之各滾子301之旋轉而搬送基板的基板搬送速度、及藉由處於上升狀態之移載單元6之各滾子601之旋轉而搬送基板的基板搬送速度為相同速度,且被統一為特定的基準速度。其中,此處所謂的「搬送速度」係規定為除搬送開始及結束時之加減速期間以外的穩態速度區間之速度。藉此,於使先後複數之基板在裝置1內同時移動之期間內,為防止基板彼此碰撞,使基板間無多餘間隔即可。
如圖10所示,基板搬送夾盤8成為左右對稱(在+Y側與-Y側對稱)結構,於左右分別包含:吸附保持基板W之夾盤部88;用以於X軸方向移動之搬送夾盤行進導引器81;產生用於上述移動之驅動力的搬送夾盤線性馬達83;及用以檢測基板W之位置的搬送夾盤線性標度尺82。
如圖4、圖5所示,夾盤部88可藉由夾盤升降油缸85之動作而升降。由於夾盤部88上升,使得+Y側、-Y側之基板W之兩端部之下表面受到支持並被吸附保持。
於該夾盤部88之下方,在基板搬送路徑之兩端(-Y側、+Y側),較噴嘴單元行進導引器51更靠內側之位置上,沿X軸方向設置有搬送夾盤行進導引器81。
2個搬送夾盤線性馬達(-Y側、+Y側)各自之固定片係在基板處理裝置1之Y軸方向上之最內側的側面沿X軸方向而設置。各自之移動片係被固設於基板搬送夾盤8上。在該等固定片與移動片之間所產生之磁相互作用下,基板搬送夾盤8沿搬送夾盤行進導引器81而移動。
關於2個搬送夾盤線性標度尺82,亦分別設置於基板處理裝置1之兩端(-Y側、+Y側)。該搬送夾盤線性標度尺82係檢測基板搬送夾盤8之移動位置,因此控制部7可根據該檢測結果而進行基板位置之控制。
噴嘴洗淨等待單元9係在狹縫噴嘴55對基板W之表面進行塗佈處理之後,洗淨被抗蝕液污染之噴嘴前端,並用以對接下來的塗佈處理而調整狹縫噴嘴55之噴出口55a之狀態的裝置。因此,其包含成為來自狹縫噴嘴55之抗蝕液之噴出對象的大致圓筒狀之輥95。
如圖10所示,該噴嘴洗淨等待單元9係沿X軸方向而設置於較基板搬送路徑更外側且較噴嘴單元5更內側之位置上。於噴嘴洗淨等待單元9中,亦於左右(-Y側、+Y側)分別包含:噴嘴洗淨等待單元行進導引器91、噴嘴洗淨等待單元線性馬達93、及噴嘴洗淨等待單元線性標度尺92。
沿Y軸方向觀察時,噴嘴洗淨等待單元行進導引器91係位於噴嘴單元行進導引器51與搬送夾盤行進導引器81之間,且沿X軸方向而設置於基板搬送路徑之兩端(-Y側、+Y側)。
設置於兩端(-Y側、+Y側)之噴嘴洗淨等待單元之2個線性馬達93中,各自之固定片係在基板處理裝置1之Y軸方向之內側的側面沿X軸方向而設置。又,各自之移動片係被固設於噴嘴洗淨等待單元9上。在該等固定片與移動片之間所產生之磁相互作用下,噴嘴洗淨等待單元9沿噴嘴洗淨等待單元行進導引器91而移動。
關於2個噴嘴洗淨等待單元線性標度尺92,亦分別設置於基板處理裝置1之兩端(-Y側、+Y側)。該噴嘴洗淨等待單元線性標度尺92係檢測噴嘴洗淨等待單元9之移動位置,因此控制部7可根據該檢測結果而控制噴嘴洗淨等待單元9之位置。
該噴嘴洗淨等待單元9中,主要包含輥95、洗淨單元99、及輥槽96等。於該洗淨單元99中,對塗佈處理後之狹縫噴嘴55之噴出口55a進行洗淨。在使狹縫噴嘴55接近輥95外周面之狀態下自噴出口55a噴出一定的抗蝕液後,於噴出口55a會形成抗蝕液之儲液。如此在噴出口55a均勻地形成有儲液後,可高精度地進行其後之塗佈處理。如此一來,狹縫噴嘴55之噴出口55a被初始化(以下稱為「預噴出」),並包含於接下來的塗佈處理中。輥95之旋轉係藉由輥旋轉馬達98之驅動而進行。於輥95旋轉時將下端浸漬於輥槽96內所儲存之洗淨液中,藉此去除附著於輥95上之抗蝕液。
如圖18所示,於噴嘴單元5之狹縫噴嘴55上,安裝有用以保護噴嘴前端之保護構件57。其係在噴嘴單元5掃描基板表面時,當基板上存在異物的情況下,用以抑制噴嘴前端與異物接觸而可能導致狹縫噴嘴55破損。因此,當狹縫噴嘴55對基板上進行掃描時,在較噴嘴前端更先進入至基板W之位置處安裝板狀之保護構件57,以使板面相對於基板面而正交,且使板之下表面位於較狹縫噴嘴55之前端更靠下方。當存在異物時,該異物會與保護構件57接觸而產生振動,且該振動可傳遞至狹縫噴嘴55。於狹縫噴嘴55上,設置有用以檢測振動之振動感測器55S,且所檢測到之電氣訊號被輸入至控制部7,藉此瞭解異物之存在,從而強制性地停止狹縫噴嘴55之掃描。
又,於狹縫噴嘴55上,在水平方向使基板W與狹縫噴嘴55進行相對移動時,在較保護構件57更先進入至基板W上方區域之位置處,設置有用以非接觸地檢測出基板W之懸浮高度之懸浮高度檢測感測器58。藉由該懸浮高度檢測感測器58而可測定懸浮之基板W與塗佈平台4上表面之間隔距離,並隨著該檢測值,經由控制部7而可調整狹縫噴嘴55下降之位置。作為檢測感測器58,可使用光學式感測器或超音波式感測器等。
如圖8及圖9所說明,塗佈平台4被分為2部分,可在各自之平台上各別地調節空氣之供給流路與抽吸流路。因此,在基板W之前端WE朝塗佈前平台40之正上方移動之階段,可維持該塗佈前平台40上之空氣之噴出‧抽吸,並且對於在該階段基板W尚未到達上方之區域之塗佈後平台41,可停止該塗佈後平台41上之空氣之噴出與抽吸。因此,在噴嘴正下方不存在基板W之狀態下,即便使狹縫噴嘴55下降至塗佈開始高度,亦可防止由於該區域(塗佈後平台41之存在區域)中之空氣之噴出與抽吸而導致的狹縫噴嘴55之噴出口55a之處理液乾燥。因此,可防止由於噴嘴前端之處理液之一部分乾燥而導致的處理液噴出不良,從而可防止基板W之塗佈不良。
又,由於狹縫噴嘴55下降後可於水平方向對基板W進行掃描,故最初進入至基板前端WE之噴嘴高度檢測感測器58可檢測出狹縫噴嘴55開始塗佈之基板之前端WE之實際的正確的懸浮高度。因此,噴嘴單元5可對狹縫噴嘴55之下降高度進行微調整,並且可使狹縫噴嘴55之噴出口55a之高度對應於實際上進行塗佈處理時之噴嘴前端與基板表面之特定間隔而進入至基板之前端WE,使噴嘴前端到達塗佈開始位置SP。通常,該塗佈開始位置SP係較基板之前端WE稍靠近基板W中央側之位置,但亦可係與基板之前端WE大致相同的位置。又,由於狹縫噴嘴55可自基板W之端部開始掃描,因此對於基板整個面上之異物,可藉由保護構件57與振動感測器55S而進行異物之檢測。於塗佈平台4之下游設置有出口懸浮平台11。該出口懸浮平台11上,與入口懸浮平台10同樣地形成有用以噴出氣體之噴出孔11a,進而,以與基板W之整個面對向之方式,穿過噴出孔11a之間隙並隔開特定間隔地配置有提昇銷115。提昇銷115藉由設置於出口懸浮平台11下方之提昇銷升降機構(未圖示)而於鉛垂方向(Z軸方向)得以升降驅動。於下降時,提昇銷115之前端下降至出口懸浮平台11之上表面以下,於上升時,提昇銷115之前端上升至將基板W交付至移載機械手36之位置為止。由於提昇銷115上升,使得基板W之下表面受到支持而被提昇,因此基板W自出口懸浮平台11之上表面剝離。設置於出口懸浮平台11下游之移載機械手36於提昇銷115之間插入有移載叉,自提昇銷115進行基板W之交接。
<3.基板處理裝置之動作>
其次,對基板處理裝置1之基本動作之流程進行說明。
圖11係與基板W之處理狀況相應的主要功能部之動作之時序圖。該時序圖表示在基板W受到連續處理之狀況下各裝置之功能部之連動的情形。
時序圖中之步驟分為(A)至(E)該5步驟。
●第1階段=(A)至(B):
‧使基板W0停止於塗佈開始位置SP而開始進行塗佈處理為止的步驟;
‧將下一處理預定之基板W自停止於滾子輸送機30之停止位置之狀態起開始向移載單元6搬送為止的步驟。
●第2階段=(B)至(C):
‧對基板W0進行塗佈處理時之步驟;
‧將基板W轉置於入口懸浮平台10為止的步驟。
●第3階段=(C)至(D):
‧對基板W0之塗佈處理結束而停止於出口懸浮平台11為止的步驟;
‧對基板W進行對準處理之步驟。
●第4階段=(D)至(E):
將基板W0搬送至下游側之裝置之步驟;
對基板W進行對準處理後保持該狀態而進行塗佈處理之準備步驟。
●第5階段=(E)至(A):
相當於將基板W移動至塗佈開始位置SP為止的步驟;
滾子輸送機30將進行下一處理之基板搬入至停止位置為止。
以下具體地說明該等基板處理裝置1之動作,為了說明基板W相對於基板處理裝置1而被搬入、搬出之情形,重複2次執行圖11中之步驟(A)至(E),以便容易理解。於第1週期中,圖11中附有右上斜影線之基板Wb相當於注視基板W,於第2週期中,附有右下斜影線之基板Wa相當於注視基板W。
<3-1.第1次:第1階段(A)~(B)>
圖12係表示以滾子輸送機30來搬送基板W之情形之俯視圖。其中,除該圖12以外,圖13、圖15、圖17、圖23、圖24中為方便圖示,並未描繪出較所注視之基板W更領先之基板。
圖11及圖12中,於上游單元中經處理之基板W被轉移至固定式之滾子輸送機30上,以便搬送至下游步驟。由該滾子輸送機30之旋轉而使基板W之下表面與滾子之外周面之最上部相接,因此基板W朝(+X)方向被賦予推進力,並朝下游方向被搬送。在滾子輸送機30之與X軸方向平行之兩端部的一方,設置有減速感測器與停止感測器。若減速感測器檢測到被搬送之基板W之前端WE,則滾子輸送機30之旋轉速度將減速,從而基板W之搬送速度變慢。而且,若停止感測器檢測到基板W之前端WE,則滾子輸送機30之旋轉將停止,從而停止基板W之搬送。
於步驟(B)之前,滾子輸送機30重新開始旋轉。此時,移載升降滾子輸送機60成上升狀態,於步驟(B)中,滾子輸送機30與移載升降滾子輸送機60為了搬送基板W而同時進行旋轉驅動。於圖11中,第1週期中與該階段之噴嘴相關之動作係關於對領先之基板Wa塗佈處理液者,因此與對注視基板W之處理無關。
<3-2.第1次:第2階段(B)~(C)>
圖13係表示基板W通過移載單元6而被搬入至入口懸浮平台10之情形的俯視圖。圖14係表示基板W通過移載單元6而被搬入至入口懸浮平台10之情形的XZ剖面圖。
如圖11所示,空氣處於自移載單元6之懸浮墊64不斷噴出之狀態,於步驟(B)~(C)之期間,移載升降滾子輸送機60存在於上升位置。滾子輸送機30與移載升降滾子輸送機60係以相同的旋轉速度旋轉,將基板W搬送至設置於移載單元6下游之入口懸浮平台10上。圖11中未表示,入口懸浮平台10之空氣亦處於不斷噴出之狀態。因此,基板W中之進入至入口懸浮平台10之部分係以懸浮於入口懸浮平台10上之狀態而行進。
此時,設置於移載單元6與入口懸浮平台10之側方之導輥102p~102s進出,並與基板W之平行於X軸方向之兩邊抵接。基板W之平行於X軸方向之兩邊受到導輥102p~102s之擠壓,因此基板W於橫穿基板搬送路徑之方向上之位置受到限制,故不會朝該方向偏移而是被搬送至下游方向。如此一來,由於存在導輥102p~102s,故傳遞至基板W之推進力藉由滾子輸送機30與移載升降滾子輸送機60而全部一致地朝向下游方向,從而可防止基板W偏移。
此時,滾子輸送機30與移載單元6作為各別的裝置而完全分開(即,在空間上非接觸),故滾子輸送機30之振動不會傳遞至移載單元6。因此,可防止因無用之振動而對領先的基板之塗佈處理造成惡劣影響。
於入口懸浮平台10中,與滾子輸送機30同樣地設置有減速感測器與停止感測器。藉由減速感測器檢測到被搬送之基板W之前端WE而降低移載單元6之移載升降滾子輸送機60之旋轉速度。
於被搬送之基板W之後端已通過滾子輸送機30之停止感測器之階段,停止滾子輸送機30之驅動。而且,基板W僅藉由移載升降滾子輸送機60之驅動而被搬送至入口懸浮平台10,直至入口懸浮平台10之停止感測器檢測到被搬送之基板W之前端WE為止。由於被入口懸浮平台10之停止感測器檢測到,故移載升降滾子輸送機60之旋轉停止。
再者,第1週期中之步驟(B)~(D)中,基板搬送夾盤8之動作係用以搬送領先的基板者,因此說明該階段之省略。
<3-3.第1次:第3階段(C)~(D)>
圖15係表示將基板W轉置於移載單元6中並停止之情形的俯視圖。圖16係表示移載單元6下降從而基板W成為非接觸狀態之情形的XZ剖面圖。
若將被搬送之基板W之後端完全轉置於移載單元6上,基板W在橫跨移載單元6與入口懸浮平台10之狀態下停止,則已上升的移載升降滾子輸送機60會下降至滾子601之外周面之最上部較懸浮墊64之上表面更下方之位置為止。如此一來,基板W之整個面會因懸浮墊64與入口懸浮平台10之空氣噴出而懸浮,從而懸浮墊64或入口懸浮平台10成為非接觸狀態。
移載單元6較基板W之長度更短,故於移載單元6上之基板W中,在移載升降滾子輸送機60之上方與懸浮墊64之上方,因氣流之溫度下降程度之不同而導致的基板W之溫度不均勻性變低。因此,可抑制因基板W之溫度分布(溫度之不均勻性)而導致的塗佈不均。
在非接觸狀態下停止的基板W之搬送方向之前後及左右,設置有用以於特定之停止位置上進行定位之對準處理銷105c~105j。在基板W之側方位置上,設置於(+Y)側之對準處理銷105g、105h及設置於(-Y)側之對準處理銷105i、105j係藉由對準處理銷油缸(未圖示)而於水平方向朝基板W移動,並與基板W之與X軸方向平行之兩邊相接。用於前後定位之對準處理銷105c~105f在較基板W之搬送路徑更下方等待,故藉由對準處理銷升降油缸之上升驅動,上述對準處理銷105c~105f上升至平台上表面與基板W抵接之位置為止,進而,與基板W抵接之最上端之部分藉由在基板方向上改變位置而與基板W之前端WE及後端之兩邊相接。如此一來,基板W藉由各對準處理銷105c~105j之動作而被定位於正確的停止位置。
<3-4.第1次:第4階段(D)~(E)>
基板W係藉由對準處理銷105c~105j而進行對準處理。其間,對於已搬送之前經塗佈處理之基板W0(圖11之基板Wa)之基板搬送夾盤8,停止夾盤部88之吸附,在使夾盤部88下降至較基板W0之邊緣更低之高度的狀態下,為了進行基板W之搬送而朝向初始位置於(-X)方向移動。圖11之基板搬送夾盤8之動作中,標註有(-)記號之期間相當於此。再者,基板搬送夾盤8之動作之步驟(C)等中,標註有(+)記號之期間係基板搬送夾盤8朝(-X)方向之移動期間。
對於已進行基板W0之塗佈處理之狹縫噴嘴55,為了進行噴嘴之洗淨與預噴出而於(+X)方向水平移動,且朝向塗佈後平台41之上方移動。
<3-5.第1次:第5階段(E)~(A)>
圖17係表示基板W於塗佈開始位置SP上停止,且下一處理預定之基板W1存在於滾子輸送機30之停止位置之情形的俯視圖。
朝(-X)方向移動之基板搬送夾盤8係在藉由對準處理銷105c~105f而被正確地定位並已停止之基板W之與搬送方向平行的基板W之兩端之兩邊下方的位置上停止。而且,基板搬送夾盤8藉由夾盤升降油缸85之動作而使夾盤部88上升並吸附於基板W下表面之兩端。如圖11中所示,該用於吸附之抽吸係在與基板W接觸之前開始。因此,基板W被夾盤部88保持,基板搬送夾盤8朝向(+X)方向移動,基板W係在懸浮之狀態下被搬送至塗佈平台4。
塗佈平台4因構成該平台之板被分為2張而被分為塗佈前平台40與塗佈後平台41。藉由基板搬送夾盤8,基板W被搬送至其前端WE位於該2張板之邊界線St之上方為止。
圖18係表示狹縫噴嘴55進行預噴出之情形的XZ剖面圖。圖19係表示噴嘴洗淨等待單元9移動至退避位置之情形的XZ剖面圖。
噴嘴單元5係在狹縫噴嘴55存在於塗佈後平台41的上方之位置上停止。噴嘴洗淨等待單元9根據狹縫噴嘴55之位置而移動,進行狹縫噴嘴55之噴出口55a之洗淨及預噴出。藉由預噴出而使狹縫噴嘴55之前端初始化後,噴嘴洗淨等待單元9朝向(-X)方向移動而退避。
又,與用以使基板W移動至塗佈開始位置SP之基板搬送夾盤8之移動同步,亦驅動滾子輸送機30,於圖15所示之上游單元中,將已進行前處理之下一處理預定之基板W1搬送至滾子輸送機30上之停止位置為止。
<3-6.第2次:第1階段(A)~(B)>
圖20係表示狹縫噴嘴55下降至塗佈開始高度之情形的XZ剖面圖。圖21係表示狹縫噴嘴55朝塗佈開始位置SP水平移動之情形的XZ剖面圖。又,圖26中表示出圖21之部分放大圖,圖27所示的圖相當於狹縫噴嘴55到達塗佈開始位置SP而開始塗佈後平台41之壓縮空氣之噴出與抽吸之情形的部分放大圖。於看作第2週期之圖11中,領先之基板Wa相當於此處所注視之基板W。
由於噴嘴洗淨等待單元9退避,使得狹縫噴嘴55與塗佈後平台41之間可空出空間。狹縫噴嘴55於該空間內下降至設定之下降位置,亦即下降至塗佈開始高度為止。下降至塗佈開始高度之狹縫噴嘴55會於(-X)方向移動至基板W之前端WE附近之塗佈開始位置SP。
當狹縫噴嘴55移動至塗佈開始位置SP時,首先由噴嘴高度檢測感測器58進入至基板W之前端WE即塗佈開始位置SP。由於可藉由噴嘴高度檢測感測器58而檢測出塗佈開始位置SP之實際懸浮高度,因此狹縫噴嘴55會一面進行用以將狹縫噴嘴55之高度設為實際塗佈高度之微調整,並於(-X)方向移動。繼而,板形狀之保護構件57自基板之前端WE進入而對基板表面上進行掃描。由於是從基板之前端WE起進行掃描,故可檢測到基板整個面上之異物。此時狹縫噴嘴55之高度與實際進行塗佈時之高度為同等之位置。當狹縫噴嘴55到達塗佈開始位置SP時,狹縫噴嘴55朝(-X)方向之移動便停止。
在自狹縫噴嘴55開始下降起直至到達塗佈開始位置SP為止之期間,暫時停止先前為了將周圍溫度保持一定而進行之自塗佈後平台41之噴出孔41a噴出壓縮空氣、及由抽吸孔41b抽吸空氣。藉此,空氣流(氣體流)之形成(乃至於壓力氣體層之形成)亦暫時停止。
即,狹縫噴嘴55自等待位置開始下降直至結束下降之下降期間,及狹縫噴嘴55在下降結束後保持未噴出處理液之狀態下開始水平移動直至狹縫噴嘴55到達基板W之塗佈開始位置SP為止的水平移動期間之任一者,均屬於狹縫噴嘴55未噴出處理液而移動之「空轉期間」,於該空轉期間中之至少一部分期間內,停止在相當於狹縫噴嘴55之正下方區域進行之塗佈後平台41之空氣流之形成(壓力空氣層之形成)(設為OFF(斷開)狀態)。
較好的是,在上述下降期間中直到狹縫噴嘴55下降結束為止,使空氣之噴出及抽吸轉為OFF狀態,並且在狹縫噴嘴55水平移動直到到達基板W之塗佈開始位置SP為止,持續空氣流之OFF狀態。
更好的是,將上述下降期間與上述水平移動期間兩者設為空氣流之暫時停止期間。
上述空氣流之暫時停止之進行範圍,係包含偏離基板存在區域之區域中的至少噴嘴正下方之區域。
藉此,當狹縫噴嘴55下降而接近塗佈後平台41時,可防止因空氣之噴出與抽吸之影響而導致狹縫噴嘴55之噴出口55a之處理液乾燥。因此,在實際對基板表面進行塗佈處理時,可抑制條紋狀之不均或噴出不良之情形發生。
如圖28所示,假設:使狹縫噴嘴55自上方之等待位置下降至基板之前端WE之正上方的情況下,即便不暫時停止由塗佈後平台41所進行的空氣流之形成,狹縫噴嘴55前端之處理液亦不會乾燥。然而,於此情形時,由於保護構件57不會對基板W之前端WE附近之正上方進行掃描,因此,即便於前端WE附近存在有異物,亦無法藉由保護構件57而排除或檢測。因此,有可能會因異物而導致狹縫噴嘴55之前端污損。所以,較理想的是,使狹縫噴嘴55自基板W之前端WE下降至偏離水平方向之位置後進入至基板W之前端WE,但就此點而言,以如上所述暫時停止在塗佈後平台41所進行之空氣流之形成特別有效。
另一方面,於較上述下降期間更前之期間內,使空氣流為ON(接通)狀態。其原因在於,若空氣噴出之停止時間過長,則環境溫度將變動,基板W之溫度將變化,隨此可能導致基板W之熱變形或塗佈時之不均。因此,較好的是,將空氣流之形成之暫時的停止狀態之持續時間實驗性地決定作為基板之溫度變動達到特定之容許值以下的時間,藉此可防止因基板側之溫度變動而導致塗佈不良。
考慮到狹縫噴嘴55在越接近塗佈後平台41時,越容易受到自塗佈後平台41噴出之空氣流之影響,故在僅針對上述空轉期間之一部分而使空氣流暫時停止的情況下,宜使上述下降期間與水平移動期間中之水平移動期間包含於空氣流之暫時停止期間。
在狹縫噴嘴55到達塗佈開始位置SP後,使之前已停止、即已成為OFF狀態之塗佈後平台41重新開始進行空氣之噴出及抽吸而成為ON狀態。因此,使用塗佈平台4上之所有的空氣孔再次進行壓力空氣層之形成,於此狀態下,狹縫噴嘴55開始實施自塗佈開始位置SP進行處理液之塗佈。又,基板搬送夾盤8開始向塗佈後平台41側(+X方向)移動,藉此,開始進行基板W相對於狹縫噴嘴55之相對移動。因此,於實際之處理液之塗佈動作時,在塗佈平台4之整個範圍內形成有壓力空氣層,從而穩定地進行基板W之懸浮支持。
又,在基板搬送夾盤8開始移動之同時搬送下一處理預定之基板W1,因此滾子輸送機30與位於上升位置之移載升降滾子輸送機60開始驅動。
<3-7.第2次:第2階段(B)~(C)>
圖22係表示進行塗佈處理之情形的XZ剖面圖。圖23係表示進行塗佈處理之情形的俯視圖。
如圖22所示,在夾盤部88保持有基板W之兩端之狀態下,基板搬送夾盤8以特定之速度向下游方向移動。狹縫噴嘴55在到達塗佈開始位置SP後被固定之狀態下,自噴出口55a持續供給抗蝕液,基板W於懸浮狀態下朝下游方向移動,藉此對基板W之表面進行塗佈處理。即,直至狹縫噴嘴55下降並到達塗佈開始位置SP為止,基板W懸浮並停止,狹縫噴嘴55朝(-X)方向移動,但在狹縫噴嘴55到達塗佈開始位置SP之後,基板W朝(+X)方向移動,藉此,利用狹縫噴嘴55與基板W之相對移動而開始進行塗佈掃描。
此時,下一處理預定之基板W1自滾子輸送機30通過移載單元6而被搬送至入口懸浮平台10。而且,橫跨入口懸浮平台10與移載單元6而停止。
<3-8.第2次:第3階段(C)~(D)>
對於下一處理預定之基板W1,移載升降滾子輸送機60下降,從而成為整個面懸浮之狀態。而且,藉由對準處理銷105c~105j而進行對準處理。
基板W穿過狹縫噴嘴55之正下方,塗佈處理結束後,基板W藉由基板搬送夾盤8之驅動而通過塗佈後平台41,並朝出口懸浮平台11被搬送。
<3-9.第2次:第4階段(D)~(E)>
在進行塗佈處理後,狹縫噴嘴55朝(+X)方向水平移動,直至最初下降到的位置為止,然後自該位置上升至原先之噴嘴高度。而且,已退避之噴嘴洗淨等待單元9朝(+X)方向移動,針對下一塗佈處理而進行狹縫噴嘴55之洗淨及預噴出。
圖24係表示將基板W搬送至出口懸浮平台11之情形的俯視圖。在將基板W搬送至出口懸浮平台11後,夾盤部88會因基板搬送夾盤8之夾盤升降油缸85之動作而降低至下降位置,從而基板W兩端之吸附保持被解除。然後,在夾盤部88位於下降位置之狀態下,基板搬送夾盤8為了進行下一處理預定之基板W1之搬送而向初始位置移動。由於基板W與下一處理預定之基板W1之搬送間隔較密,故下一處理預定之基板W1在整個面已懸浮之狀態下等待基板搬送夾盤8。因此,在已使夾盤部88上升之狀態下,為了接觸到處於懸浮狀態下之下一處理預定之基板W1而使夾盤部88下降,基板搬送夾盤8返回至初始位置。
藉由設置於出口懸浮平台11上之空氣之噴出孔11a,隔開特定間隔而配置之提昇銷115群會相對於處於非接觸狀態之基板W而上升,支持基板W之下表面並提昇。設置於下游之移載機械手36之移載叉進入至提昇銷115之間隙而接收基板W,並移載至減壓乾燥單元37。移載機械手36將基板W移載至減壓乾燥單元37,並且移載至減壓乾燥單元38與減壓乾燥單元38之積層結構且朝向下游方向的交接位置39等。
其後,基板W1以與基板W相同之方式被實施塗佈處理,並向下游方向被搬送。以上為基板處理裝置1所進行之處理之流程。
<4.變形例>
於上述實施形態中,在基板W通過移載單元6後搬入下一處理預定之基板W1,但並不限定於該種形態。
在由基板搬送夾盤8所搬送、且要進行塗佈處理之基板W之後端未通過移載單元6之狀態下,亦可進行下一處理預定之基板W1之搬送。於此情形時,由於正進行塗佈處理之基板W之後端仍殘留,故本來應上升之移載升降滾子輸送機60必需於下降之狀態下將下一處理預定之基板W1接收至移載單元6中。
因此,在進行塗佈處理之基板W之後端已通過移載單元6之階段,移載升降滾子輸送機60之滾子601會以與滾子輸送機30之旋轉相同的旋轉速度而旋轉並上升。對於最初僅以滾子輸送機30之旋轉所產生之推進力而向移載單元6搬送之下一處理預定之基板W1,其下表面被自中途上升之移載升降滾子輸送機60之滾子601而支持,並且藉由滾子601之旋轉而被賦予推進力。然後,進行基板W1之搬送,直至入口懸浮平台10之停止感測器檢測到的位置為止。
如此一來,可同等地設定滾子輸送機30之滾子301之旋轉、移載升降滾子輸送機60之滾子601之旋轉、及基板搬送夾盤8之搬送速度,因此,在進行基板W之塗佈動作之期間,可使下一處理預定之基板W1搬入至移載單元6。藉此,可使基板W與基板W1之搬送間隔更密,因此可進一步縮短處理所需之時間。
又,於上述實施形態中,塗佈平台4之板係被分為2部分者,但並不限定於此。圖25係由被分為3部分之板所構成之塗佈平台130。此時,將各板作為塗佈前平台110、主塗佈平台118、塗佈後平台120。
於主塗佈平台118上,設置於平台面上之氣體孔形成為空氣之噴出孔118a與抽吸孔118b變得密集之構成。相對於此,於兩端之塗佈前平台110與塗佈後平台120上,為如下之構成:與主塗佈平台118相比,噴出孔110a與抽吸孔110b、噴出孔120a與抽吸孔120b之密度較低,孔間之距離較長。
於此情形時,基板W停止,以使搬送方向上之基板W之前端WE位於主塗佈平台118之區域邊界Sc之位置。區域邊界Sc並非不同的板之邊界,而是於1張板之大致中央所規定之概念性的區域邊界。狹縫噴嘴55位於較主塗佈平台118之區域邊界Sc更靠下游側之塗佈後平台120之上方。此時,板被分為3份,但內部之空氣流路成為由較區域邊界Sc更上游側、更下游側而分離為2個系統之結構。
與上述實施形態同樣地,狹縫噴嘴55自停止位置下降至塗佈開始高度為止,然後自該位置朝(-X)方向水平移動。自該下降開始起,直至狹縫噴嘴55到達基板W上之塗佈開始位置為止,使來自位於較區域邊界Sc更下游側的噴出孔118a、120a及抽吸孔115b、120b之空氣之噴出及抽吸暫時停止。如此一來,與上述實施形態同樣地,可防止在下降期間狹縫噴嘴55之噴出口55a乾燥。
關於板,提高噴出孔與抽吸孔之密度後,可使基板W更穩定地懸浮,但在加工上耗費成本。於此情形時,尤其欲使基板W穩定地懸浮之區域係對所搬送之基板W進行塗佈處理之區域。因此,僅對位於該區域下方之主塗佈平台118採用噴出孔118a與抽吸孔118b之密度較高之精密的板,便可充分地獲得必要之效果。如此將板分為3部分而分開使用,藉此,於兩端之塗佈前平台110、與塗佈後平台120中,可使用較主塗佈平台118之板而言空氣之噴出孔110a、120a及抽吸孔110b、120b之密度更降低之廉價的板。
塗佈平台130之構成為板被分為3部分,但與板被分為幾部分無關,一般可分為複數張。在狹縫噴嘴55自上升位置起下降而到達基板W上之塗佈開始位置為止,只要可暫時停止較搬送方向上之基板W前端之位置更下游側之區域的空氣之噴出及抽吸,則內部之空氣流路亦可被分為若干條流路。
又,若構成為使內部之空氣流路分開而可獨立地進行ON/OFF控制,則板亦可不進行物理性地分割。
就一般表現而言,為如下構成:分別形成有氣體孔之複數之氣體流形成區域係作為其他板或一張板之其他部分而鄰接配置,與該等複數之氣體流形成區域各自對應地設置有氣體流路之開閉機構。而且,複數之氣體流形成區域中,僅針對存在於噴嘴正下方且於其上不存在基板之區域,使用上述開閉機構暫時停止氣體流之形成,藉此,可獲得與上述實施形態相同之結果。
又,於上述實施形態中,狹縫噴嘴55下降並朝(-X)方向移動而到達基板W之塗佈開始位置SP,但亦可為如下之機構:狹縫噴嘴55下降,基板W朝(+X)方向移動而使狹縫噴嘴55之噴出口55a到達塗佈開始位置SP。於此情形時,在狹縫噴嘴55下降之期間,使來自上方不存在基板W之區域之塗佈平台4的空氣之噴出及抽吸停止。而且,基板W於(+X)方向朝向狹縫噴嘴55移動,於狹縫噴嘴55之噴出口55a已到達塗佈開始位置SP之階段,重新開始進行空氣之噴出與抽吸。如此一來,可防止狹縫噴嘴55之噴出口55a乾燥。
又,使用空氣作為用以使基板W懸浮之壓縮氣體較為典型,但在厭氧製程中之基板搬送中,亦可將氮氣等壓縮而用作惰性氣體。
又,於上述實施形態之基板處理裝置中,在將由滾子搬送機構所接收之基板交付至懸浮搬送機構時使用移載單元,但本發明亦可適用於如下形態之裝置:藉由移載單元(支持形式轉換機構)將由懸浮搬送機構所接收之基板交付至滾子搬送機構側。
進而,於本實施形態中,噴嘴洗淨等待單元9係沿X軸方向可移動之機構,但不可移動亦無妨。亦即,在噴嘴單元5移動之情形時,噴嘴洗淨等待單元9亦可被固定。於此情形時,成為未設置噴嘴洗淨等待單元9之噴嘴洗淨等待單元線性標度尺92、噴嘴洗淨等待單元線性馬達93之結構。為了可手動地移動噴嘴洗淨等待單元9而僅設置噴嘴洗淨等待單元行進導引器91,為了於搬送過程中不發生移動而以鎖機構來固定。
1...基板處理裝置
2...基板搬送裝置
3...基板塗佈裝置
4...塗佈平台
5...噴嘴單元
6...移載單元
7...控制部
8...基板搬送夾盤
9...噴嘴洗淨等待單元
10...入口懸浮平台
10a、11a、40a、41a...噴出孔
11...出口懸浮平台
16、26...氣動閥
18、28...鼓風機
40...塗佈前平台
40a、41a...噴出孔
40b、41b...抽吸孔
41...塗佈後平台
55...狹縫噴嘴
55a...噴出口
55S...振動感測器
57...保護構件
58...滾珠螺桿
60...移載升降滾子輸送機
64...懸浮墊
95...輥
96...輥槽
99...洗淨單元
SP...塗佈開始位置
St...板邊界
W、W0、W1、Wa、Wb...基板
WE...基板之前端
X、Y、Z...方向
圖1係本發明之基板處理裝置之俯視圖。
圖2係噴嘴單元及噴嘴洗淨等待單元已卸除時的圖1之基板處理裝置之俯視圖。
圖3係表示基板處理裝置之控制機構之方塊圖。
圖4係上升時的移載單元之YZ剖面圖。
圖5係下降時的移載單元之YZ剖面圖。
圖6係滾子輸送機及移載單元之XZ側視圖。
圖7係升降輸送機支撐框架之俯視圖。
圖8係本實施形態之塗佈平台之俯視圖。
圖9係表示對圖8所示之塗佈平台供給及抽吸空氣之流路的XZ剖面圖。
圖10係本發明之基板處理裝置之YZ剖面圖。
圖11係表示本發明之基板處理裝置之動作的時序圖。
圖12係部分地表示本發明之基板處理裝置之處理流程的俯視圖。
圖13係部分地表示本發明之基板處理裝置之處理流程的俯視圖。
圖14係部分地表示本發明之基板處理裝置之處理流程的XZ剖面圖。
圖15係部分地表示本發明之基板處理裝置之處理流程的俯視圖。
圖16係部分地表示本發明之基板處理裝置之處理流程的XZ剖面圖。
圖17係部分地表示本發明之基板處理裝置之處理流程的俯視圖。
圖18係部分地表示本發明之基板處理裝置之處理流程的XZ剖面圖。
圖19係部分地表示本發明之基板處理裝置之處理流程的XZ剖面圖。
圖20係部分地表示本發明之基板處理裝置之處理流程的XZ剖面圖。
圖21係部分地表示本發明之基板處理裝置之處理流程的XZ剖面圖。
圖22係部分地表示本發明之基板處理裝置之處理流程的XZ剖面圖。
圖23係部分地表示本發明之基板處理裝置之處理流程的俯視圖。
圖24係部分地表示本發明之基板處理裝置之處理流程的俯視圖。
圖25係變形例之塗佈平台之俯視圖。
圖26係表示根據噴嘴與基板之位置關係所進行的空氣流之ON/OFF切換之部分放大圖。
圖27係表示根據噴嘴與基板之位置關係所進行的空氣流之ON/OFF切換之部分放大圖。
圖28係表示使噴嘴在基板上下降之狀況之部分放大圖。
9...噴嘴洗淨等待單元
10...入口懸浮平台
10a、11a、40a、41a...噴出孔
11...出口懸浮平台
40...塗佈前平台
40b、41b...抽吸孔
41...塗佈後平台
55...狹縫噴嘴
55a...噴出口
55S...振動感測器
57...保護構件
58...滾珠螺桿
95...輥
96...輥槽
99...洗淨單元
SP...塗佈開始位置
St...板邊界
W...基板
WE...基板前端
X、Y、Z...方向

Claims (8)

  1. 一種基板塗佈裝置,其特徵在於:其係用以對基板塗佈處理液者;其包含:懸浮平台,其藉由通過平台面上所設置之氣體孔之氣體流而於上述平台面上形成壓力氣體層,並藉由上述壓力氣體層而使基板懸浮;處理液供給機構,其自相對於上述基板進行相對移動之噴嘴將特定之處理液噴出至上述基板上,藉以將上述處理液塗佈於上述基板上;及氣體流控制機構,其在上述氣體流之形成狀態與停止狀態間進行切換;且在與上述相對移動同時進行之上述處理液噴出之前,設定空轉期間,於該期間在停止自上述噴嘴噴出上述處理液之狀態下,使上述噴嘴自上述懸浮平台上之偏離基板存在區域之位置相對移動至上述基板存在區域;上述氣體流控制機構係在上述空轉期間中之至少一部分期間內,暫時停止在上述噴嘴之正下方區域進行之上述氣體流之形成。
  2. 如請求項1之基板塗佈裝置,其中更包含使上述噴嘴在上述懸浮平台之上方空間升降之升降機構;上述空轉期間包含:上述噴嘴自特定之等待高度下降之下降期間、及在上述噴嘴成為下降狀態後於水平方向使上述噴嘴相對於上述基板而相對接近之水平移動期間; 對上述基板上之上述處理液之塗佈,係在上述下降狀態下進行;在上述空轉期間中之至少上述水平移動期間內,停止上述氣體流之形成。
  3. 如請求項1或2之基板塗佈裝置,其中在上述懸浮平台上,將分別形成有氣體孔之複數之氣體流形成區域鄰接配置作為另一張板或一張板之另一部分;對應於上述複數之氣體流形成區域之各者而設置有氣體流路之開閉機構;上述氣體流控制機構係僅針對上述複數之氣體流形成區域中、位在上述噴嘴之正下方且於其上不存在上述基板之區域,進行使用上述開閉機構之上述氣體流之形成之暫時停止。
  4. 如請求項1或2之基板塗佈裝置,其中於上述氣體流暫時停止之後,重新開始進行使用上述懸浮平台上所有的氣體孔之氣體流之形成,直至開始進行上述噴嘴自上述基板之塗佈開始位置噴出上述處理液為止。
  5. 如請求項1或2之基板塗佈裝置,其中更包含測定上述基板之懸浮高度之懸浮高度測定機構;並且上述處理液供給機構更包含保護構件,其安裝於上述噴嘴中在進行上述相對移動時相當於前方之側,保護上述噴嘴之前端; 在上述懸浮高度測定機構檢測出上述基板端部之塗佈開始位置之懸浮高度並且使上述噴嘴下降後,使上述噴嘴與上述基板進行相對移動,藉此使上述保護構件較上述噴嘴更先進入至基板端部。
  6. 如請求項1或2之基板塗佈裝置,其係預先決定因暫時停止上述氣體流之形成所致之上述基板之溫度變動之容許值,上述氣體流之形成之上述暫時停止狀態的持續時間係決定為上述溫度變動成為上述容許值以下之時間。
  7. 如請求項1或2之基板塗佈裝置,其中於上述懸浮平台上,混合形成有噴出氣體之複數噴出孔、及抽吸上述氣體之複數抽吸孔;上述氣體流係在自上述複數噴出孔噴出之上述氣體由上述複數抽吸孔抽吸的過程中產生;上述氣體流控制機構係藉由開閉對上述複數噴出孔之氣體供給路徑、與開閉由上述複數抽吸孔之氣體抽吸路徑,而在上述氣體流之形成狀態與停止狀態間進行切換。
  8. 一種基板塗佈方法,其特徵在於:其係用以將自特定之噴嘴噴出之處理液塗佈於基板者;其包括以下步驟:藉由通過平台面上所設置之氣體孔之氣體流而於上述平台面上形成壓力氣體層,並藉由上述壓力氣體層而使基板懸浮之第1步驟; 針對上述平台面中偏離基板存在區域且為噴嘴正下方之特定區域,暫時停止上述氣體流;使噴嘴自特定之等待高度朝向上述特定區域下降;使上述噴嘴與上述基板相對移動而使上述噴嘴到達上述基板之塗佈開始位置之上,開始自上述噴嘴噴出上述處理液;及重新開始針對上述特定區域進行上述氣體流之形成,直至開始進行上述處理液之噴出為止。
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