TW202304599A - 塗佈處理裝置、塗佈處理方法及塗佈處理程式 - Google Patents

Abstract

實施形態之塗佈處理裝置，係具備有：平台(54~56)；托架(50)；搬送部；升降機構(510)；及控制部(81)。平台(54~56)，係藉由氣體的風壓，使基板(S)上浮。托架(50)，係具備有：複數個吐出噴頭，被配置於平台(54~56)的上方，吐出機能液。搬送部，係保持從平台(54~56)上浮的基板(S)且使其沿著搬送方向移動。升降機構(510)，係在進行對基板(S)吐出機能液的處理位置與比處理位置上方的退避位置之間，使托架(50)升降。控制部(81)，係執行：第1移動處理，在由搬送部所進行的基板(S)之搬送開始後且對基板(S)吐出機能液開始之前，控制升降機構(510)，使托架(50)從退避位置移動至處理位置；及第2移動處理，在對基板(S)吐出機能液結束後，控制升降機構(510)，使托架(50)從處理位置移動至退避位置。

Description

塗佈處理裝置、塗佈處理方法及塗佈處理程式

本揭示，係關於塗佈處理裝置、塗佈處理方法及塗佈處理程式。

以往，已知一種「以噴墨方式，將塗佈液的液滴塗佈於所搬送之基板」的液滴吐出裝置。

在專利文獻1，係揭示有一種塗佈裝置，其具備有：平台部，以氣體的風壓使基板浮起預定高度；及複數個吐出噴頭，對從該平台部浮起預定高度的基板，從上方滴下機能液的液滴。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2018-126718號公報

[本發明所欲解決之課題]

本揭示，係提供一種「抑制因機能液的乾燥所致之吐出不良」的技術。 [用以解決課題之手段]

本揭示之一態樣的塗佈處理裝置，係具備有：平台；托架；搬送部；升降機構；及控制部。平台，係藉由氣體的風壓，使基板上浮。托架(CARRIAGE)，係具備有：複數個吐出噴頭，被配置於平台的上方，吐出機能液。搬送部，係保持從平台上浮的基板且使其沿著搬送方向移動。升降機構，係在進行對基板吐出機能液的處理位置與比處理位置上方的退避位置之間，使托架升降。控制部，係執行：第1移動處理，在由搬送部所進行的基板之搬送開始後且對基板吐出機能液開始之前，控制升降機構，使托架從退避位置移動至處理位置；及第2移動處理，在對基板吐出機能液結束後，控制升降機構，使托架從處理位置移動至退避位置。 [發明之效果]

根據本揭示，可抑制因機能液的乾燥所致之吐出不良。

以下，參閱附加圖面，詳細地說明本申請案所揭示之塗佈處理裝置、塗佈處理方法及塗佈處理程式的實施形態。另外，並非藉由以下所示之實施形態來限定所揭示的塗佈處理裝置、塗佈處理方法及塗佈處理程式。

在以下參閱的各圖面中，係為了容易理解說明，而表示「規定相互正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向」的正交座標系統。

又，在此，係規定前後方向並規定左右方向，該前後方向，係將Y軸正方向設成為前方，將Y軸負方向設成為後方，該左右方向，係將X軸正方向設成為右方，將X軸負方向設成為左方。又，規定上下方向，該上下方向，係將Z軸正方向設成為上方，將Z軸負方向設成為下方。基板處理裝置1，係一邊從後方朝向前方沿著前後方向搬送基板S，一邊處理基板S。亦即，基板處理裝置1，係一邊沿著搬送方向(Y軸正方向)搬送基板S，一邊處理基板S。

＜整體構成＞ 參閱圖1，說明關於實施形態之基板處理裝置1的整體構成。圖1，係表示實施形態的基板處理裝置1之一部分的示意平面圖。基板處理裝置1，係一邊沿水平方向搬送工件即基板S，一邊以噴墨方式對基板S進行描繪。基板S，係例如被使用於平板顯示器的基板。

基板處理裝置1，係具備有：第1搬送平台2；第2搬送平台3；搬送部4；及描繪部5。又，基板處理裝置1，係具備有：沖洗部6；檢查部7；及控制裝置8。

第1搬送平台2及第2搬送平台3，係具有多數個噴出口(未圖示)。平台，係從噴出口朝向基板S之下面噴吹經壓縮的氣體(例如，空氣)，藉由該氣體的風壓使基板S上浮。

第1搬送平台2及第2搬送平台3，係沿著基板S的搬送方向排列。具體而言，第1搬送平台2，係被配置於比第2搬送平台3更靠基板S之搬送方向上的上游側(Y軸負方向側)，第2搬送平台3，係被配置於比第1搬送平台2更靠基板S之搬送方向上的下游側(Y軸正方向側)。又，在第1搬送平台2與第2搬送平台3之間，係配置有描繪部5。如此一來，第1搬送平台2、第2搬送平台3及描繪部5，係沿著Y軸正方向以第1搬送平台2、描繪部5及第2搬送平台3的順序排列。

搬送部4，係保持從第1搬送平台2、第2搬送平台3及後述的第1處理平台54~第3處理平台56(參閱圖2)上浮的基板S且使其沿著搬送方向(Y軸正方向)移動。具體而言，搬送部4，係具備有：一對導引軌41、41；一對移動部42、42；及複數個(在此，係四個)保持部43。

一對導引軌41、41，係被排列於左右方向(X軸方向)且沿著搬送方向(Y軸正方向)延伸。

一對導引軌41、41，係被配置為在左右方向(X軸方向)夾著第1搬送平台2、第2搬送平台3及後述的第1處理平台54~第3處理平台56。具體而言，一對導引軌41、41中之一方，係被配置於第1搬送平台2、第2搬送平台3及後述的第1處理平台54~第3處理平台56的X軸正方向側。一對導引軌41、41中之另一方，係被配置於第1搬送平台2、第2搬送平台3及後述的第1處理平台54~第3處理平台56的X軸負方向側。一對導引軌41、41，係例如藉由花崗岩所構成。

一對移動部42、42，係與一對導引軌41、41對應地設置。具體而言，一對移動部42、42中之一方，係被設置於一對導引軌41、41中之一方上，沿著一方的導引軌41移動。又，一對移動部42、42中之另一方，係被設置於一對導引軌41、41中之另一方上，沿著另一方的導引軌41移動。一對移動部42、42，係分別具有馬達等的驅動部，可各自獨立地移動。

複數個保持部43，係分別被設置於一對移動部42、42上，從基板S的下方吸附保持基板S。

具體而言，複數個(在此，係四個)保持部43中之兩個保持部43、43，係被設置於一對移動部42、42中之一方上，剩餘兩個的保持部43、43，係被設置於一對移動部42、42中之另一方上。另外，複數個保持部43之數量，係並不限定於四個。

在實施形態中，複數個(在此，係四個)保持部43，係從基板S之下方吸附保持基板S的四角。搬送部4，係使用複數個保持部43，保持藉由第1搬送平台2等而上浮之基板S的四角，並使用一對移動部42、42，使所保持的基板S沿著搬送方向(Y軸正方向)移動。

描繪部5，係被配置於第1搬送平台2與第2搬送平台3之間。描繪部5，係藉由從基板S之上方朝向基板S吐出機能液的方式，對基板S的板面進行描繪。

在此，參閱圖2~圖4，說明關於描繪部5的構成。圖2，係表示實施形態的描繪部5之構成的示意平面圖。圖3，係表示實施形態的托架50之構成的示意平面圖。圖4，係表示實施形態的描繪部5之構成的示意側視圖。

如圖2所示般，描繪部5，係具備有：第1托架群51；第2托架群52；第3托架群53；第1處理平台54；第2處理平台55；及第3處理平台56。

第1托架群51、第2托架群52及第3托架群53，係沿著搬送方向排列。具體而言，係從搬送方向的上游側以第1托架群51、第2托架群52及第3托架群53該順序排列。

第1托架群51、第2托架群52及第3托架群53，係分別包含有複數個(在此，係六個)托架50。在第1托架群51、第2托架群52及第3托架群53之各者中，複數個托架50，係被排列於與搬送方向正交的方向(X軸方向)。

如圖3所示般，托架50，係例如平板狀之構件。在托架50，係設置有複數個吐出噴頭500。作為一例，在圖3所示之例子中，在托架50，係沿著X軸方向及Y軸方向呈矩陣狀地設置有合計12個吐出噴頭500。另外，在此，係雖表示了12個吐出噴頭500被設置於托架50時之例子，但吐出噴頭500的個數亦可多於12個或亦可少於12個。

吐出噴頭500，係例如從托架50的上方被插入至開口部(未圖示)，該開口部，係被形成於托架50。而且，吐出噴頭500，係藉由未圖示的固定部被固定於托架50。

吐出噴頭500，係例如壓電方式的噴嘴頭。在吐出噴頭500之下面(與基板S的對向面)，係形成有複數個吐出孔(未圖示)。複數個吐出孔，係例如沿著X軸方向及Y軸方向被設成為矩陣狀。

吐出噴頭500，係具有未圖示的泵部。泵部，係被構成為包含儲存機能液之空腔、使空腔之體積變化的壓電元件或振動板等，藉由將電壓施加至壓電元件而使振動板振動的方式，使空腔之體積變化且使機能液的液滴從各吐出孔吐出。此外，在吐出噴頭500，係設置有機能液導入部或頭部基板等，該機能液導入部，係經由供給管被連接於機能液槽，該頭部基板，係經由可撓性扁平纜線被連接於控制裝置8(參閱圖1)。

複數個托架50，係從複數個吐出噴頭500對沿著搬送方向(Y軸正方向)所搬送的基板S吐出機能液。機能液，係墨水。

如圖4所示般，描繪部5，係具備有：複數個升降機構510。複數個升降機構510，係以一對一的方式與複數個托架50對應地設置。升降機構510，係使對應的托架50升降。具體而言，升降機構510，係在進行對基板S吐出機能液的處理位置與比處理位置上方的退避位置之間，使托架50升降。

另外，在此，係雖設成為在一個托架50設置一個升降機構510者，但升降機構510，係只要對於第1托架群51、第2托架群52及第3托架群53分別設置一個即可。

第1處理平台54、第2處理平台55及第3處理平台56，係沿著基板S的搬送方向(Y軸正方向)排列。具體而言，係沿著搬送方向以第1處理平台54、第2處理平台55及第3處理平台56該順序排列。另外，在搬送方向(Y軸正方向)中，第1搬送平台2位於第1處理平台54的上游側，第2搬送平台3位於第3處理平台56的下游側。

第1處理平台54、第2處理平台55及第3處理平台56，係分別與第1托架群51、第2托架群52及第3托架群53對應地設置。具體而言，第1處理平台54，係被配置於第1托架群51的下方，第2處理平台55，係被配置於第2托架群52的下方，第3處理平台56，係被配置於第3托架群53的下方。

第1處理平台54、第2處理平台55及第3處理平台56，係朝向基板S的下面吐出經壓縮的氣體(例如，空氣)，並且吸引基板S與平台之間的空氣，藉此，可調整基板S的上浮高度。

具體而言，第1處理平台54、第2處理平台55及第3處理平台56，係分別具備有：供氣部520；吸引部530；及大氣開放閥550。以下，列舉出第1處理平台54為例，說明關於供氣部520、吸引部530及大氣開放閥550。

複數個噴出口(未圖示)與複數個吸引口(未圖示)開口於第1處理平台54的上面。供氣部520，係經由供氣管521被連接於複數個噴出口，對複數個噴出口供給經壓縮的氣體。又，吸引部530，係經由吸引管531被連接於複數個吸引口，經由複數個吸引口吸引第1處理平台54之上面側的氛圍。

大氣開放閥550，係被設置於從供氣管521分歧的分歧管551。藉由大氣開放閥550被開放的方式，從供氣部520經由供氣管521被供給至第1處理平台54之氣體的一部分，係從分歧管551被排出至外部。藉此，從複數個噴出口噴出之氣體的風壓變弱。如此一來，大氣開放閥550，係調整從第1處理平台54所噴出之氣體的風壓之風壓調整部的一例。

返回到圖1，說明關於沖洗部6。沖洗部6，係被配置於在搬送方向中比描繪部5更下游側，使用於定期地排出吐出噴頭500內之機能液的沖洗處理。

沖洗部6，係具備有：基底部61；及承接部62，被配置於基底部61上。基底部61，係被設置於一對導引軌41、41上，可沿著一對導引軌41、41移動。承接部62，係例如由多孔質狀之樹脂等所構成，承接從複數個吐出噴頭500所吐出的機能液。在承接部62，係連接有未圖示的排液管，承接部62承接到的機能液，係經由排液管被排出。

檢查部7，係被配置於在搬送方向中比沖洗部6更下游側，檢查機能液是否從複數個吐出噴頭500正常地被吐出。在此，進一步參閱圖5及圖6，說明關於檢查部7的構成。圖5，係表示實施形態的沖洗部6及檢查部7之動作例的示意側視圖。圖6，係表示實施形態的沖洗部6及檢查部7之動作例的示意側視圖。

檢查部7，係具備有：基底部71；複數個滾筒紙72；及攝像部73(參閱圖5及圖6)。基底部71，係被設置於一對導引軌41、41上，可沿著一對導引軌41、41移動。複數個(在此，係三個)滾筒紙72，係沿著搬送方向被排列配置於基底部71上。複數個滾筒紙72，係分別對應於第1托架群51、第2托架群52及第3托架群53。攝像部73，係拍攝被吐出至滾筒紙72的機能液。如圖5及圖6所示般，攝像部73，係被配置於在搬送方向中比描繪部5更下游側。攝像部73，係被配置於充分遠離描繪部5之位置，具體而言，係被配置於比至少已通過描繪部5的基板S更下游側。

控制裝置8，係控制檢查部7之基底部71，使基底部71配置於描繪部5的下方。接著，控制裝置8，係控制描繪部5，使機能液對複數個滾筒紙72吐出。接著，控制裝置8，係使檢查部7之基底部71位於攝像部73的下方。而且，控制裝置8，係控制攝像部73，從上方拍攝滾筒紙72。具體而言，在攝像部73，係設置有未圖示的移動機構。控制裝置8，係控制未圖示的移動機構，一邊使攝像部73沿Y軸方向及X軸方向移動，一邊從上方拍攝滾筒紙72。另外，檢查部7，係亦可具備有與複數個滾筒紙72對應的複數個攝像部73。在該情況下，未圖示之移動機構，係亦可為「被設置於各攝像部73，使各攝像部73沿著X軸方向移動」者。拍攝結果，係被輸出至控制裝置8，藉由控制裝置8，判定機能液是否正常地被吐出。

由檢查部7所進行的檢查處理，係例如在藉由描繪部5對基板S之描繪結束後予以進行。又，由沖洗部6所進行的沖洗處理，係例如在藉由描繪部5對基板S之描繪結束後、在進行對於下一基板S的描繪處理之前予以進行。具體而言，控制裝置8，係在檢查部7之基底部71從描繪部5的下方移動後，控制沖洗部6之基底部61，使基底部61配置於描繪部5的下方。而且，控制裝置8，係控制描繪部5，使機能液對沖洗部6的承接部62吐出。

如此一來，在實施形態之基板處理裝置1中，係被構成為沖洗部6與檢查部7可在一對導引軌41、41上獨立地移動。又，在實施形態之基板處理裝置1中，係被配置於檢查部7之攝像部73遠離描繪部5的位置。藉由設成為該構成，例如可在使用攝像部73拍攝複數個滾筒紙72的期間，開始由沖洗部6所進行的沖洗處理及對於下一基板S的描繪處理。因此，根據實施形態之基板處理裝置1，可縮短包含有描繪處理、檢查處理及沖洗處理之一連串基板處理的處理時間。

其次，參閱圖7，說明關於控制裝置8的構成。圖7，係表示實施形態的控制裝置8之構成的方塊圖。

控制裝置8，係例如電腦，如圖7所示般，具備有控制部81與記憶部82。在記憶部82，係儲存有控制在基板處理裝置1中所執行之各種處理的程式。控制部81，係藉由讀出並執行被記憶於記憶部82之程式(基板搬送程式之一例)的方式，控制基板處理裝置1的動作。

另外，該程式，係亦可為被記錄於電腦可讀取的記憶媒體者，且亦可為從記憶媒體被安裝於控制裝置8的記憶部82者。作為電腦可讀取之記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

控制部81，係控制器(controller)。控制部81，係例如藉由下述方式來實現：藉由CPU(Central Processing Unit)或MPU(Micro Processing Unit)等，將RAM作為作業區域執行被記憶於控制裝置8內部之記憶裝置的各種程式。又，控制部81，係控制器，例如藉由ASIC(Application Specific Integrated Circuit)或FPGA(Field Programmable Gate Array)等的集成電路來實現。控制部81，係具備有搬送控制部811、描繪控制部812、升降控制部813及平台控制部814，實現或執行以下所說明的處理之功能或作用。

記憶部82，係例如藉由RAM(Random Access Memory)、快閃記憶體(Flash Memory)等的半導體記憶體元件或硬碟、光碟等的記憶裝置來實現。如圖7所示般，記憶部82，係記憶描繪間隙資訊821。

描繪間隙資訊821，係指「針對每個吐出噴頭500表示了在預定基板通過吐出噴頭500之下方的期間之從吐出噴頭500至預定基板上的機能液之彈著位置為止的距離之變化」的資訊。

圖8，係表示關於某吐出噴頭500的描繪間隙資訊821之一例的圖。在圖8中，係將「以橫軸作為基板位置，以縱軸作為描繪間隙」的曲線圖表示為描繪間隙資訊821。基板位置，係指例如在將吐出噴頭500之正下方設成為0mm的情況下之沿著搬送方向(Y軸正方向)之基板的位置。又，描繪間隙，係指從吐出噴頭500至預定基板上的機能液之彈著位置為止的距離。

記憶部82，係針對每個吐出噴頭500記憶如圖8所示般的資訊作為描繪間隙資訊821。

描繪間隙資訊821，係藉由使用了預定基板例如在表面未形成膜之測定用的基板(以下，記載為「測定用基板」)之事前的測定所獲得。在此，一邊參閱圖9，一邊說明關於描繪間隙資訊821的作成方法。圖9，係用於說明實施形態之描繪間隙資訊821的作成方法之一例的圖。

如圖9所示般，基板處理裝置1，係亦可具備有：第1測定部91；及移動機構92。第1測定部91，係例如雷射位移計，測定從測定用基板之上方至測定用基板之上面為止的垂直距離。第1測定部91，係例如被配置於吐出噴頭500附近。又，第1測定部91，係例如被配置於與吐出噴頭500同等的高度位置。

移動機構92，係使第1測定部91沿著X軸方向及Y軸方向移動。藉此，可使第1測定部91位於各吐出噴頭500附近。

控制部81，係例如在使第1測定部91配置於某吐出噴頭500附近的狀態下，一邊使用搬送部4使測定用基板沿搬送方向移動，一邊使用第1測定部91測定描繪間隙。控制部81，係取得第1測定部91的測定結果(具體而言，係第1測定部91之從基準位置至測定用基板之上面為止的距離)作為從吐出噴頭500至機能液之彈著位置為止的距離亦即描繪間隙。

接著，控制部81，係在使用移動機構92使第1測定部91配置於另外的吐出噴頭500附近後，一邊再次使用搬送部4使測定用基板沿搬送方向移動，一邊使用第1測定部91測定描繪間隙。針對所有的吐出噴頭500重覆像這樣的處理，藉此，控制部81，係可作成描繪間隙資訊821。

另外，在此，雖藉由使用移動機構92使第1測定部91移動的方式，使其位於各吐出噴頭500附近，但基板處理裝置1，係亦可具備有與複數個吐出噴頭500對應的複數個第1測定部91。在該情況下，不需要移動機構92。又，基板處理裝置1，係未必需要具備第1測定部91。亦即，在作成描繪間隙資訊821的情況下，第1測定部91，係亦可為被安裝於描繪部5者。

另外，描繪間隙資訊821中之「從吐出噴頭500至預定基板上的機能液之彈著位置為止的距離之變化」，係亦可由從第1處理平台54~第3處理平台56的上面至預定基板之下面為止的距離(亦即，上浮高度)來表示。

搬送控制部811，係控制搬送部4，進行基板S的搬送處理。具體而言，係控制複數個保持部43吸附保持基板S，並控制一對移動部42、42，使基板S沿搬送方向(Y軸正方向)移動。

描繪控制部812，係控制描繪部5所具有的複數個吐出噴頭500，進行對於基板S的描繪處理。具體而言，描繪控制部812，係從複數個吐出噴頭500對藉由搬送處理沿著搬送方向(Y軸正方向)所搬送的基板S吐出機能液。

在此，描繪控制部812，係亦可基於上述描繪間隙資訊821，進行「針對每個吐出噴頭調整機能液之吐出時間點」的時間點調整處理。具體而言，描繪控制部812，係基於描繪間隙資訊821，調整假設沒有描繪間隙之偏差時的機能液之吐出時間點。

例如，在圖8所示的描繪間隙資訊821中，基板位置P1處之描繪間隙比基準值C大。換言之，基板位置P1處之測定用基板的上浮高度比基準低。在該情況下，描繪控制部812，係控制與圖8所示的描繪間隙資訊821對應之吐出噴頭500，將該吐出噴頭500的吐出時間點比假設沒有描繪間隙之偏差時的吐出時間點提前。藉此，可抑制機能液之彈著位置往搬送方向上游側(Y軸負方向側)偏移的情形。

又，在圖8所示的描繪間隙資訊821中，基板位置P2處之描繪間隙比基準值C小。換言之，基板位置P2處之測定用基板的上浮高度比基準高。在該情況下，描繪控制部812，係控制與圖8所示的描繪間隙資訊821對應之吐出噴頭500，使該吐出噴頭500的吐出時間點比假設沒有描繪間隙之偏差時的吐出時間點延遲。藉此，可抑制機能液之彈著位置往搬送方向下游側(Y軸正方向側)偏移的情形。

如此一來，描繪控制部812，係亦可基於描繪間隙資訊821，進行「針對每個吐出噴頭調整機能液之吐出時間點」的時間點調整處理。藉此，例如可抑制一對導引軌41、41之變形等的來自基板處理裝置1之描繪間隙的偏移。因此，根據實施形態之基板處理裝置1，可使描繪處理的精度提升。

圖10，係表示實施形態的第2測定部93之配置的示意平面圖。如圖10所示般，實施形態之基板處理裝置1，係亦可具備有複數個第2測定部93。

複數個第2測定部93，係被配置於比描繪部5所具備的複數個托架50更靠搬送方向上游側。又，複數個第2測定部93，係例如被排列配置於與搬送方向正交的方向(X軸方向)。在此，係表示「複數個第2測定部93的數量與沿著X軸方向排列之複數個托架50相同數量且以相同間隔排列」時的例子。不限於此，複數個第2測定部93之數量，係亦可少於沿著X軸方向排列之複數個托架50的數量或亦可多於沿著X軸方向排列之複數個托架50的數量。

第2測定部93，係例如雷射位移計，測定基板S的上方之從基準位置至基板S之上面為止的垂直距離。第2測定部93，係例如被配置於與吐出噴頭500同等的高度位置。

描繪控制部812，係除了上述描繪間隙資訊821以外，亦可考慮來自實際進行描繪之基板S的描繪間隙例如因被形成於基板S之膜的膜厚或基板S之翹曲等而引起的描繪間隙，調整機能液之吐出時間點。亦即，描繪控制部812，係亦可一邊使用第2測定部93來測定從基準位置至基板S之板面為止的距離，一邊基於所獲得的測定結果與預先取得的描繪間隙資訊821來執行時間點調整處理。

例如，基板S在基板位置P1(參閱圖8)處朝下方翹曲。在該情況下，機能液之彈著位置，係與在基板位置P1沒有翹曲的情形相比，往搬送方向上游側偏移。描繪控制部812，係基於第2測定部93的測定結果，進一步調整吐出時間點，藉此，可抑制因該基板S的翹曲所致之彈著位置的偏移。因此，根據實施形態之基板處理裝置1，可使描繪處理的精度提升。

升降控制部813，係執行「藉由控制複數個升降機構510的方式，在描繪處理中，使複數個托架50在處理位置與退避位置之間移動」的移動處理。

具體而言，升降控制部813，係執行第1移動處理與第2移動處理。第1移動處理，係指「在由搬送部4所進行的基板S之搬送開始後且對基板S吐出機能液開始之前，控制升降機構510，使托架50從退避位置移動至處理位置」的處理。又，第2移動處理，係指「在對基板S吐出機能液結束後，控制升降機構，使托架從處理位置移動至退避位置」的處理。第1移動處理及第2移動處理，係針對每個第1托架群51、第2托架群52及第3托架群53來執行。

平台控制部814，係執行「控制第1處理平台54~第3處理平台56，在描繪處理中，調整從第1處理平台54~第3處理平台56所噴出的氣體之風壓」的壓力變更處理。

具體而言，平台控制部814，係執行第1壓力變更處理與第2壓力變更處理。第1壓力變更處理，係指「在由搬送部4所進行的基板S之搬送開始後且對基板S吐出機能液開始之前，控制大氣開放閥550，將風壓從第1壓力變更成比第1壓力大之第2壓力」的處理。又，第2壓力變更處理，係指「在對基板S吐出機能液結束後，控制大氣開放閥550，將風壓從第2壓力變更成第1壓力」的處理。

第1壓力變更處理及第2壓力變更處理，係針對每個第1處理平台54、第2處理平台55及第3處理平台56來執行。具體而言，平台控制部814，係在對於第1處理平台54之第1壓力變更處理中，在從第1托架群51對基板S吐出機能液開始之前，控制第1處理平台54的大氣開放閥550，將風壓從第1壓力變更成第2壓力。又，平台控制部814，係在對於第2處理平台55之第1壓力變更處理中，在從第2托架群52對基板S吐出機能液開始之前，控制第2處理平台55的大氣開放閥550，將風壓從第1壓力變更成第2壓力。又，平台控制部814，係在對於第3處理平台56之第1壓力變更處理中，在從第3托架群53對基板S吐出機能液開始之前，控制第3處理平台56的大氣開放閥550，將風壓從第1壓力變更成第2壓力。

又，平台控制部814，係在對於第1處理平台54之第2壓力變更處理中，在從第1托架群51對基板S吐出機能液結束後，控制第1處理平台54的大氣開放閥550，將風壓從第2壓力變更成第1壓力。又，平台控制部814，係在對於第2處理平台55之第2壓力變更處理中，在從第2托架群52對基板S吐出機能液結束後，控制第2處理平台55的大氣開放閥550，將風壓從第2壓力變更成第1壓力。又，平台控制部814，係在對於第3處理平台56之第2壓力變更處理中，在從第3托架群53對基板S吐出機能液結束後，控制第3處理平台56的大氣開放閥550，將風壓從第2壓力變更成第1壓力。

＜基板處理裝置之處理流程＞ 其次，參閱圖11~圖17，說明關於實施形態之基板處理裝置1執行的處理中之第1移動處理、第2移動處理、第1壓力變更處理及第2壓力變更處理的程序。圖11，係表示實施形態之基板處理裝置1執行的處理中之第1移動處理、第2移動處理、第1壓力變更處理及第2壓力變更處理之程序的流程圖。圖11所示之各處理，係依照控制裝置8的控制來執行。

又，圖12，係表示第1移動處理、第2移動處理、第1壓力變更處理及第2壓力變更處理開始之前的描繪部5之狀態的圖。圖13，係表示對於第1托架群51之第1移動處理及第1壓力變更處理之動作例的圖。圖14，係表示對於第2托架群52之第1移動處理及第1壓力變更處理之動作例的圖。圖15，係表示對於第3托架群53之第1移動處理及第1壓力變更處理之動作例的圖。又，圖16，係表示對於第1托架群51之第2移動處理及第2壓力變更處理之動作例的圖。圖17，係表示對於第2托架群52之第2移動處理及第2壓力變更處理之動作例的圖。

如圖11所示般，控制部81，對在搬送方向(Y軸正方向)上被配置於最上游側的第1托架群51執行第1移動處理，並且對第1處理平台54執行第1壓力變更處理(步驟S101)。

具體而言，如圖12所示般，在對於第1托架群51之第1移動處理及第1壓力變更處理的開始前，第1托架群51~第3托架群53，係位於退避位置。又，第1處理平台54~第3處理平台56的各大氣開放閥550被開啟，藉此，從第1處理平台54~第3處理平台56所噴出之氣體的風壓，係被調整成第1壓力。

如此一來，在實施形態之基板處理裝置1中，係在對於基板S之描繪處理的開始前，事先使第1托架群51~第3托架群53從第1處理平台54~第3處理平台56分離。藉此，可抑制滯留於吐出噴頭500的機能液因從第1處理平台54~第3處理平台56所噴出之氣體而乾燥的情形。亦即，可抑制因機能液的乾燥所致之吐出不良。

又，在對於基板S之描繪處理的開始前，事先減弱從第1處理平台54~第3處理平台56所噴出之氣體的風壓，藉此，可進一步抑制滯留於吐出噴頭500的機能液因從第1處理平台54~第3處理平台56所噴出之氣體而乾燥的情形。

步驟S101之處理，係在由搬送部4所進行的基板S之搬送開始後且對基板S吐出機能液開始之前予以進行。例如，步驟S101之處理，係在藉由搬送部4所搬送的基板S進入至第1處理平台54之前予以進行。如圖13所示般，控制部81，係控制與第1托架群51所含有的複數個吐出噴頭500對應之複數個升降機構510，使上述複數個吐出噴頭500從退避位置移動至處理位置。又，控制部81，係關閉第1處理平台54的大氣開放閥550，將從第1處理平台54所噴出之氣體的風壓從第1壓力變更成第2壓力。

在此，亦考慮在描繪處理的開始前，事先使來自第1處理平台54之氣體的噴出停止。然而，當使來自第1處理平台54之氣體的噴出完全停止時，則即便在第1壓力變更處理中開始氣體的噴出，直至風壓穩定為止亦耗費時間。在該情況下，例如直至風壓穩定為止，必須等待基板S進入第1處理平台54，從而導致對於基板S之處理時間變長。

對此，在實施形態之基板處理裝置1中，係使用作為風壓調整部的大氣開放閥550，將被供給至第1處理平台54之氣體的一部分排出至第1處理平台54以外的場所。亦即，在實施形態之基板處理裝置1中，係一邊持續來自第1處理平台54之氣體的噴出，一邊減弱風壓。藉此，在第1壓力變更處理中，可縮短直至氣體之風壓穩定為止的時間。因此，可抑制對於基板S之處理時間變長的情形。

接著，控制部81，係執行對於第2托架群52之第1移動處理及對於第2處理平台55之第1壓力變更處理(步驟S102)。步驟S102之處理，係例如在基板S進入第1處理平台54後、進入第2處理平台55之前予以執行。

如圖14所示般，控制部81，係控制與第2托架群52所含有的複數個吐出噴頭500對應之複數個升降機構510，使上述複數個吐出噴頭500從退避位置移動至處理位置。又，控制部81，係關閉第2處理平台55的大氣開放閥550，將從第2處理平台55所噴出之氣體的風壓從第1壓力變更成第2壓力。

接著，控制部81，係執行對於第3托架群53之第1移動處理及對於第3處理平台56之第1壓力變更處理(步驟S103)。步驟S103之處理，係例如在基板S進入第2處理平台55後、進入第3處理平台56之前予以執行。

如圖15所示般，控制部81，係控制與第3托架群53所含有的複數個吐出噴頭500對應之複數個升降機構510，使上述複數個吐出噴頭500從退避位置移動至處理位置。又，控制部81，係關閉第3處理平台56的大氣開放閥550，將從第3處理平台56所噴出之氣體的風壓從第1壓力變更成第2壓力。

接著，控制部81，係執行對於第1托架群51之第2移動處理及對於第1處理平台54之第2壓力變更處理(步驟S104)。步驟S104之處理，係例如在基板S通過第1處理平台54後、通過第2處理平台55之前予以執行。

如圖16所示般，控制部81，係控制與第1托架群51所含有的複數個吐出噴頭500對應之複數個升降機構510，使上述複數個吐出噴頭500從處理位置移動至退避位置。又，控制部81，係開啟第1處理平台54的大氣開放閥550，將從第1處理平台54所噴出之氣體的風壓從第2壓力變更成第1壓力。

接著，控制部81，係執行對於第2托架群52之第2移動處理及對於第2處理平台55之第2壓力變更處理(步驟S105)。步驟S105之處理，係例如在基板S通過第2處理平台55後、通過第3處理平台56之前予以執行。

如圖17所示般，控制部81，係控制與第2托架群52所含有的複數個吐出噴頭500對應之複數個升降機構510，使上述複數個吐出噴頭500從處理位置移動至退避位置。又，控制部81，係開啟第2處理平台55的大氣開放閥550，將從第2處理平台55所噴出之氣體的風壓從第2壓力變更成第1壓力。

接著，控制部81，係執行對於第3托架群53之第2移動處理及對於第3處理平台56之第2壓力變更處理(步驟S106)。步驟S106之處理，係例如在基板S通過第3處理平台56後予以執行。

控制部81，係控制與第3托架群53所含有的複數個吐出噴頭500對應之複數個升降機構510，使上述複數個吐出噴頭500從處理位置移動至退避位置。又，控制部81，係開啟第3處理平台56的大氣開放閥550，將從第3處理平台56所噴出之氣體的風壓從第2壓力變更成第1壓力。藉此，描繪部5，係返回到圖12所示的狀態。

(第1變形例) 圖18，係表示實施形態之第1變形例的描繪部5之構成的示意側視圖。如圖18所示般，基板處理裝置1，係亦可在吸引部530中之氛圍的吸引路徑具備有大氣開放閥560。

大氣開放閥560，係被設置於從吸引管531分歧的分歧管561。藉由大氣開放閥560被開放的方式，從設置於第1處理平台54、第2處理平台55及第3處理平台56之上面的吸引口經由吸引管531被吸引至吸引部530之氛圍的一部分，係從分歧管561被排出至外部。藉此，在第1處理平台54、第2處理平台55及第3處理平台56之上面產生的吸引力會變弱。如此一來，大氣開放閥560，係調整吸引部530所產生的吸引力之吸引力調整部的一例。

第1變形例之控制部81，係執行第1吸引力變更處理與第2吸引力變更處理。第1吸引力變更處理，係指「在由搬送部4所進行的基板S之搬送開始後且對基板S吐出機能液開始之前，控制大氣開放閥560，將吸引力從第1吸引力變更成比第1吸引力大之第2吸引力」的處理。具體而言，控制部81，係藉由關閉大氣開放閥560的方式，將吸引力從第1吸引力變更成第2吸引力。

又，第2吸引力變更處理，係指「在對基板S吐出機能液結束後，控制大氣開放閥560，將吸引力從第2吸引力變更成第1吸引力」的處理。具體而言，控制部81，係藉由開啟大氣開放閥560的方式，將吸引力從第2吸引力變更成第1吸引力。

該些第1吸引力變更處理及第2吸引力變更處理，係與第1壓力變更處理及第2壓力變更處理相同地，針對每個第1處理平台54、第2處理平台55及第3處理平台56來執行。

例如，控制部81，係在圖11所示之流程圖的步驟S101中，對第1處理平台54執行第1壓力變更處理及第1吸引力變更處理。又，控制部81，係在步驟S102中，對第2處理平台55執行第1壓力變更處理及第1吸引力變更處理。又，控制部81，係在步驟S103中，對第3處理平台56執行第1壓力變更處理及第1吸引力變更處理。

又，控制部81，係在步驟S104中，對第1處理平台54執行第2壓力變更處理及第2吸引力變更處理。又，控制部81，係在步驟S105中，對第2處理平台55執行第2壓力變更處理及第2吸引力變更處理。又，控制部81，係在步驟S105中，對第3處理平台56執行第2壓力變更處理及第2吸引力變更處理。

如此一來，控制部81，係亦可進行第1吸引力調整處理及第2吸引力調整處理。藉此，可抑制因被吸引至第1處理平台54、第2處理平台55及第3處理平台56之氛圍的氣流所致之機能液的乾燥。因此，可更確實地抑制滯留於吐出噴頭500之機能液的乾燥。亦即，可更確實地抑制因機能液的乾燥所致之吐出不良。

另外，在此，係說明了關於執行第1壓力變更處理及第2壓力變更處理與第1吸引力調整處理及第2吸引力調整處理兩者時的例子。不限於此，控制部81，係亦可不執行第1壓力變更處理及第2壓力變更處理而執行第1吸引力調整處理及第2吸引力調整處理。在該情況下，基板處理裝置1，係未必需要具備有作為風壓調整部的大氣開放閥550。

(第2變形例) 圖19，係表示實施形態之第2變形例的描繪部之構成的示意側視圖。另外，在此，係省略表示第2托架群52及第2處理平台55。第2處理平台55之構成，係與第1處理平台54及第3處理平台56相同。

如圖19所示般，在第2變形例之描繪部5中，各處理平台54~56，係具有：複數個第1控制區域101，可個別地控制空氣的吐出･吸引。複數個第1控制區域101，係沿著基板S的搬送方向(Y軸正方向)排列，與托架50所具備的複數個吐出噴頭500對應。亦即，在第2變形例之描繪部5中，係在托架50所具備的各吐出噴頭500之正下方分別各配置一個第1控制區域101。

又，各處理平台54~56，係在吐出噴頭500不位於上方的區域具有第2控制區域102。第2控制區域102，係鄰接設置於複數個第1控制區域101。具體而言，第2控制區域102，係相對於複數個第1控制區域101，被配置於基板S的搬送方向(Y軸正方向)上游側或下游側。

各第1控制區域101及第2控制區域102，係被連接於供氣部520。具體而言，供氣部520，係被連接於集合供氣管525，各第1控制區域101及第2控制區域102，係經由個別供氣管526被連接於集合供氣管525。亦即，各第1控制區域101及第2控制區域102，係經由集合供氣管525及個別供氣管526被連接於供氣部520。

在集合供氣管525，係設置有壓力計131與壓力調整部132。壓力計131，係檢測集合供氣管525中之空氣的壓力。壓力調整部132，係例如手動式之調整器，調整集合供氣管525中之空氣的壓力。

在被連接於第1控制區域101之個別供氣管526，係設置有：過濾器111；開關閥112；壓力計113；及壓力調整部114。過濾器111、開關閥112、壓力計113及壓力調整部114，係從靠近供氣部520之側，以壓力調整部114、壓力計113、開關閥112及過濾器111的順序設置。過濾器111，係從流動於個別供氣管526的空氣去除異物。另外，為了維持風壓之上升的響應性，過濾器111，係壓力損失儘可能少的類型為較佳。開關閥112，係例如電磁閥，開關個別供氣管526。壓力計113，係檢測個別供氣管526中之空氣的壓力。壓力調整部114，係例如電空調整器，調整個別供氣管526中之空氣的壓力。

在被連接於第2控制區域102之個別供氣管526，係設置有：壓力計121；及壓力調整部122。壓力計121，係檢測個別供氣管526中之空氣的壓力。壓力調整部122，係例如手動式之調整器，調整個別供氣管526中之空氣的壓力。

又，各第1控制區域101，係被連接於第1吸引部530A。具體而言，第1吸引部530A，係被連接於集合吸引管535A，各第1控制區域101，係經由個別供氣管536A被連接於集合吸引管535A。亦即，各第1控制區域101，係經由集合吸引管535A及個別供氣管536A被連接於第1吸引部530A。在個別供氣管536A，係設置有開關閥115。開關閥115，係例如電磁閥，開關個別供氣管536A。

又，各第2控制區域102，係被連接於第2吸引部530B。具體而言，第2吸引部530B，係被連接於集合吸引管535B，各第2控制區域102，係經由個別供氣管536B被連接於集合吸引管535B。亦即，各第2控制區域102，係經由集合吸引管535B及個別供氣管536B被連接於第2吸引部530B。

開口於處理平台54~56之上面的複數個噴出口，係例如經由被形成於處理平台54~56之內部的空間與個別供氣管526連接。相同地，開口於處理平台54~56之上面的複數個吸引口，係例如經由被形成於處理平台54~56之內部的空間與個別供氣管536A或個別供氣管536B連接。

在此，當將基板S的搬送方向上之噴出口與吸引口的間隔設成為D1並將基板S的搬送方向上之吐出噴頭500的寬度設成為D2時，則間隔D1與間隔D2之關係，係D1=n×D2(n，係正整數)為較佳。

在第2變形例中，控制部81，係從複數個第1控制區域101中之位於基板S的搬送方向之上游側的第1控制區域101，依序開始來自複數個噴出口之空氣的噴出。具體而言，控制部81，係在基板S通過第1控制區域101之上方的預定時間前，開啟其第1控制區域101的開關閥112，藉此，使空氣從其第1控制區域101噴出。

其後，控制部81，係從複數個第1控制區域101中之位於基板S的搬送方向之上游側的第1控制區域101，依序使來自複數個噴出口之空氣的噴出停止。具體而言，控制部81，係在基板S已通過第1控制區域101之上方的預定時間後，關閉其第1控制區域101的開關閥112，藉此，使來自其第1控制區域101之空氣的噴出停止。

如此一來，第2變形例之描繪部5，係可針對與複數個吐出噴頭500對應的複數個第1控制區域101各者，控制空氣之噴出的開始及停止。因此，根據第2變形例之基板處理裝置1，可進一步抑制因機能液的乾燥所致之吐出不良。

另外，控制部81，係從複數個第1控制區域101中之位於基板S的搬送方向之上游側的第1控制區域101，依序開始來自複數個吸引口之空氣的吸引。具體而言，控制部81，係在基板S通過第1控制區域101之上方的預定時間前，開啟其第1控制區域101的開關閥115，藉此，開始其第1控制區域101之空氣的吸引。相同地，控制部81，係從複數個第1控制區域101中之位於基板S的搬送方向之上游側的第1控制區域101，依序使來自複數個吸引口之空氣的吸引停止。具體而言，控制部81，係在基板S通過了第1控制區域101之上方的預定時間後，關閉其第1控制區域101的開關閥115，藉此，使其第1控制區域101之空氣的吸引停止。

又，在第2變形例中，控制部81，係藉由開啟開關閥112的方式，使空氣從被設置於第1控制區域101的複數個噴出口噴出。此時，控制部81，係以使個別供氣管526中之空氣的壓力(換言之，從噴出口所噴出之空氣的風壓)成為預先設定之起動時壓力(第3壓力)的方式，控制壓力調整部114。其後，控制部81，係例如在從開啟開關閥112起經過了預先設定的時間後，控制壓力調整部114，將個別供氣管526中之空氣的壓力變更成比起動時壓力低的正常壓力(第4壓力)。控制部81，係基於壓力計113的檢測結果控制壓力調整部114，藉此，可將從噴出口噴出之空氣的風壓調整成第3壓力或第4壓力。

如此一來，控制部81，係將剛開啟開關閥112後之空氣的壓力(第3壓力)設定為比其後的壓力(第4壓力)高，藉此，可使開始來自複數個噴出口之空氣的噴出時的風壓之上升的響應性提升。藉由設成為該構成，由於在基板S即將要通過第1控制區域101之前，可事先使空氣的噴出停止，因此，可進一步抑制因機能液的乾燥所致之吐出不良。

如上述般，實施形態之塗佈處理裝置(作為一例，基板處理裝置1)，係具備有：平台(作為一例，第1處理平台54、第2處理平台55及第3處理平台56)；托架(作為一例，托架50)；搬送部(作為一例，描繪部5)；升降機構(作為一例，升降機構510)；及控制部(作為一例，控制部81)。平台，係藉由氣體的風壓，使基板(作為一例，基板S)上浮。托架，係具備有：複數個吐出噴頭(作為一例，吐出噴頭500)，被配置於平台的上方，吐出機能液。搬送部，係保持從平台上浮的基板且使其沿著搬送方向移動。升降機構，係在進行對基板吐出機能液的處理位置與比處理位置上方的退避位置之間，使托架升降。控制部，係執行：第1移動處理，在由搬送部所進行的基板之搬送開始後且對基板吐出機能液開始之前，控制升降機構，使托架從退避位置移動至處理位置；及第2移動處理，在對基板吐出機能液結束後，控制升降機構，使托架從處理位置移動至退避位置。

因此，根據實施形態之塗佈處理裝置，可抑制因機能液的乾燥所致之吐出不良。

實施形態之塗佈處理裝置，係亦可具備有：複數個托架(作為一例，第1托架群51、第2托架群52及第3托架群53)，沿著搬送方向而排列；及複數個升降機構，與複數個托架對應地設置。在該情況下，控制部，係亦可控制複數個升降機構，針對每個托架進行第1移動處理及第2移動處理。藉此，例如由於在機能液的吐出即將要開始之前，可事先使吐出噴頭配置於退避位置，因此，可更確實地抑制因機能液的乾燥所致之吐出不良。

實施形態之塗佈處理裝置，係亦可具備有：風壓調整部(作為一例，大氣開放閥550)，調整從平台所噴出之氣體的風壓。在該情況下，控制部，係亦可執行：第1壓力變更處理，在由搬送部所進行的基板之搬送開始後且對基板吐出機能液開始之前，控制風壓調整部，將風壓從第1壓力變更成比第1壓力大的第2壓力；及第2壓力變更處理，在對基板吐出機能液結束後，控制風壓調整部，將風壓從第2壓力變更成第1壓力。如此一來，藉由事先減弱從平台所噴出之氣體的風壓的方式，可更確實地抑制因機能液的乾燥所致之吐出不良。

實施形態之塗佈處理裝置，係亦可具備有：複數個托架(作為一例，第1托架群51、第2托架群52及第3托架群53)，沿著搬送方向排列；複數個平台(作為一例，第1處理平台54、第2處理平台55及第3處理平台56)，沿著搬送方向排列，且分別被配置於複數個托架各自的下方；及複數個風壓調整部，與複數個平台對應地設置。在該情況下，控制部，係亦可在第1壓力變更處理中，針對每個平台，在從對應的托架對基板吐出機能液開始之前，控制風壓調整部，將風壓從第1壓力變更成第2壓力，在第2壓力變更處理中，針對每個平台，在從對應的托架對基板吐出機能液結束後，控制風壓調整部，將風壓從第2壓力變更成第1壓力。藉此，例如由於在機能液的吐出即將要開始之前，可事先減弱從平台所噴出之氣體的風壓，因此，可更確實地抑制因機能液的乾燥所致之吐出不良。

實施形態之塗佈處理裝置，係亦可具備有：複數個升降機構，與複數個托架(作為一例，第1托架群51、第2托架群52及第3托架群53)對應地設置。在該情況下，控制部，係亦可控制複數個升降機構，針對每個托架，進行第1移動處理及第2移動處理，並控制複數個風壓調整部，針對每個平台，進行第1壓力變更處理及第2壓力變更處理。如此一來，藉由事先使吐出噴頭退避並且減弱從平台所噴出之氣體的風壓的方式，可更確實地抑制因機能液的乾燥所致之吐出不良。

實施形態之塗佈處理裝置，係亦可具備有：供氣部(作為一例，供氣部520)，對被設置於平台的複數個噴出口供給氣體。在該情況下，風壓調整部，係亦可為被設置於氣體之供給路徑(作為一例，供氣管521)的大氣開放閥。藉此，例如在第1壓力變更處理中，可縮短直至氣體之風壓穩定為止的時間。因此，可抑制對於基板之處理時間變長的情形。

實施形態之塗佈處理裝置，係亦可具備有：吸引部(作為一例，吸引部530)，經由被設置於平台的複數個吸引口吸引氛圍；及吸引力調整部(作為一例，大氣開放閥560)，調整吸引部所產生的吸引力。在該情況下，控制部，係亦可執行：第1吸引力變更處理，在由搬送部所進行的基板之搬送開始後且對基板吐出機能液開始之前，控制吸引力調整部，將吸引力從第1吸引力變更成比第1吸引力大的第2吸引力；及第2吸引力變更處理，在對基板吐出機能液結束後，控制吸引力調整部，將吸引力從第2吸引力變更成第1吸引力。藉此，可抑制因被吸引至平台之氛圍的氣流所致之機能液的乾燥。因此，可更確實地抑制因機能液的乾燥所致之吐出不良。

吸引力調整部，係亦可為被設置於氛圍之吸引路徑(作為一例，吸引管531)的大氣開放閥。藉此，例如在第1吸引力變更處理中，可縮短直至吸引力穩定為止的時間。因此，可抑制對於基板之處理時間變長的情形。

控制部，係亦可基於描繪間隙資訊(作為一例，描繪間隙資訊821)，執行「針對每個吐出噴頭調整機能液之吐出時間點」的時間點調整處理，該描繪間隙資訊，係針對每個吐出噴頭表示了在預定基板(作為一例，測定用基板)通過吐出噴頭之下方的期間之從吐出噴頭至機能液的彈著位置為止之距離的變化。藉此，例如可抑制搬送部之變形等的來自塗佈處理裝置之描繪間隙的偏移。因此，可使描繪處理的精度提升。

實施形態之塗佈處理裝置，係亦可具備有：測定部(作為一例，第2測定部93)，被設置於比托架更靠搬送方向的上游側，測定基板的上方之從基準位置至基板之板面為止的距離。在該情況下，控制部，係亦可一邊使用測定部來測定從基準位置至基板之板面為止的距離，一邊基於所獲得的測定結果與預先取得的描繪間隙資訊來執行時間點調整處理。藉此，例如可考慮來自實際進行描繪之基板的描繪間隙例如因被形成於基板之膜的膜厚或基板之翹曲等而引起的描繪間隙，調整機能液之吐出時間點。因此，可使描繪處理的精度進一步提升。

另外，吾人認為本次所揭示之實施形態，係在所有方面皆為例示而非限定者。實際上，上述實施形態，係可藉由多種形態來實現。又，上述實施形態，係亦可在不脫離添附之申請專利範圍及其意旨的情況下，以各種形態進行省略、置換、變更。

S:基板 1:基板處理裝置 2:第1搬送平台 3:第2搬送平台 4:搬送部 5:描繪部 6:沖洗部 7:檢查部 8:控制裝置 41:導引軌 42:移動部 43:保持部 50:托架 51:第1托架群 52:第2托架群 53:第3托架群 54:第1處理平台 55:第2處理平台 56:第3處理平台 81:控制部 82:記憶部 500:吐出噴頭 510:升降機構 550:大氣開放閥

[圖1]圖1，係表示實施形態的基板處理裝置之一部分的示意平面圖。 [圖2]圖2，係表示實施形態的描繪部之構成的示意平面圖。 [圖3]圖3，係表示實施形態的托架之構成的示意平面圖。 [圖4]圖4，係表示實施形態的描繪部之構成的示意側視圖。 [圖5]圖5，係表示實施形態的沖洗部及檢查部之動作例的示意側視圖。 [圖6]圖6，係表示實施形態的沖洗部及檢查部之動作例的示意側視圖。 [圖7]圖7，係表示實施形態的控制裝置之構成的方塊圖。 [圖8]圖8，係表示關於某吐出噴頭的描繪間隙資訊之一例的圖。 [圖9]圖9，係用於說明實施形態之描繪間隙資訊的作成方法之一例的圖。 [圖10]圖10，係表示實施形態的第2測定部之配置的示意平面圖。 [圖11]圖11，係表示實施形態之基板處理裝置執行的處理中之第1移動處理、第2移動處理、第1壓力變更處理及第2壓力變更處理之程序的流程圖。 [圖12]圖12，係表示第1移動處理、第2移動處理、第1壓力變更處理及第2壓力變更處理開始之前的描繪部之狀態的圖。 [圖13]圖13，係表示對於第1托架群之第1移動處理及第1壓力變更處理之動作例的圖。 [圖14]圖14，係表示對於第2托架群之第1移動處理及第1壓力變更處理之動作例的圖。 [圖15]圖15，係表示對於第3托架群之第1移動處理及第1壓力變更處理之動作例的圖。 [圖16]圖16，係表示對於第1托架群之第2移動處理及第2壓力變更處理之動作例的圖。 [圖17]圖17，係表示對於第2托架群之第2移動處理及第2壓力變更處理之動作例的圖。 [圖18]圖18，係表示實施形態之第1變形例的描繪部之構成的示意側視圖。 [圖19]圖19，係表示實施形態之第2變形例的描繪部之構成的示意側視圖。

2:第1搬送平台

3:第2搬送平台

5:描繪部

50:托架

51:第1托架群

52:第2托架群

53:第3托架群

54:第1處理平台

55:第2處理平台

56:第3處理平台

510:升降機構

520:供氣部

521:供氣管

530:吸引部

531:吸引管

550:大氣開放閥

551:分歧管

S:基板

Claims (12)

1. 一種塗佈處理裝置，其特徵係，具備有：平台，藉由氣體的風壓，使基板上浮； 托架，具備有：複數個吐出噴頭，被配置於前述平台的上方，吐出機能液； 搬送部，保持從前述平台上浮的前述基板且使其沿著搬送方向移動； 升降機構，在進行對前述基板吐出前述機能液的處理位置與比前述處理位置上方的退避位置之間，使前述托架升降；及 控制部，係執行：第1移動處理，在由前述搬送部所進行的前述基板之搬送開始後且對前述基板吐出前述機能液開始之前，控制前述升降機構，使前述托架從前述退避位置移動至前述處理位置；及第2移動處理，在對前述基板吐出前述機能液結束後，控制前述升降機構，使前述托架從前述處理位置移動至前述退避位置。
2. 如請求項1之塗佈處理裝置，其中，具備有： 複數個前述托架，沿著前述搬送方向排列；及 複數個前述升降機構，與複數個前述托架對應地設置， 前述控制部，係控制複數個前述升降機構，針對每個前述托架進行前述第1移動處理及前述第2移動處理。
3. 如請求項1之塗佈處理裝置，其中，具備有： 風壓調整部，調整從前述平台所噴出之前述氣體的風壓， 前述控制部，係執行：第1壓力變更處理，在由前述搬送部所進行的前述基板之搬送開始後且對前述基板吐出前述機能液開始之前，控制前述風壓調整部，將前述風壓從第1壓力變更成比前述第1壓力大的第2壓力；及第2壓力變更處理，在對前述基板吐出前述機能液結束後，控制前述風壓調整部，將前述風壓從前述第2壓力變更成前述第1壓力。
4. 如請求項3之塗佈處理裝置，其中，具備有： 複數個前述托架，沿著前述搬送方向排列； 複數個前述平台，沿著前述搬送方向排列，且分別被配置於複數個前述托架各自的下方；及 複數個前述風壓調整部，與複數個前述平台對應地設置， 前述控制部，係在前述第1壓力變更處理中，針對每個前述平台，在從對應的前述托架對前述基板吐出前述機能液開始之前，控制前述風壓調整部，將前述風壓從前述第1壓力變更成前述第2壓力， 在前述第2壓力變更處理中，針對每個前述平台，在從對應的前述托架對前述基板吐出前述機能液結束後，控制前述風壓調整部，將前述風壓從前述第2壓力變更成前述第1壓力。
5. 如請求項4之塗佈處理裝置，其中，具備有： 複數個前述升降機構，與複數個前述托架對應地設置， 前述控制部，係控制複數個前述升降機構，針對每個前述托架，進行前述第1移動處理及前述第2移動處理，並控制複數個前述風壓調整部，針對每個前述平台，進行前述第1壓力變更處理及前述第2壓力變更處理。
6. 如請求項3~5中任一項之塗佈處理裝置，其中，具備有： 供氣部，對被設置於前述平台的複數個噴出口供給前述氣體， 前述風壓調整部，係指被設置於前述氣體之供給路徑的大氣開放閥。
7. 如請求項1之塗佈處理裝置，其中，具備有： 吸引部，經由被設置於前述平台的複數個吸引口吸引氛圍；及 吸引力調整部，調整前述吸引部所產生的吸引力， 前述控制部，係執行： 第1吸引力變更處理，在由前述搬送部所進行的前述基板之搬送開始後且對前述基板吐出前述機能液開始之前，控制前述吸引力調整部，將前述吸引力從第1吸引力變更成比前述第1吸引力大的第2吸引力；及第2吸引力變更處理，在對前述基板吐出前述機能液結束後，控制前述吸引力調整部，將前述吸引力從前述第2吸引力變更成前述第1吸引力。
8. 如請求項7之塗佈處理裝置，其中， 前述吸引力調整部，係指被設置於前述氛圍之吸引路徑的大氣開放閥。
9. 如請求項1~5中任一項之塗佈處理裝置，其中， 前述控制部，係基於描繪間隙資訊，執行「針對每個前述吐出噴頭調整前述機能液之吐出時間點」的時間點調整處理，該描繪間隙資訊，係針對每個前述吐出噴頭表示了在預定基板通過前述吐出噴頭之下方的期間之從前述吐出噴頭至前述機能液的彈著位置為止之距離的變化。
10. 如請求項9之塗佈處理裝置，其中，具備有： 測定部，被設置於比前述托架更靠前述搬送方向的上游側，測定前述基板的上方之從基準位置至前述基板之板面為止的距離， 前述控制部，係一邊使用前述測定部來測定從前述基準位置至前述基板之板面為止的距離，一邊基於所獲得的測定結果與預先取得的前述描繪間隙資訊來執行前述時間點調整處理。
11. 一種塗佈處理方法，其特徵係，包含有： 「一邊使用藉由氣體之風壓使基板上浮的平台來使前述基板上浮，一邊使用保持從前述平台上浮之前述基板且使其沿著搬送方向移動的搬送部來搬送前述基板」的工程； 「使用具備了被配置於前述平台的上方並吐出機能液之複數個吐出噴頭的托架，對藉由前述搬送部所搬送的前述基板吐出前述機能液」的工程； 「在由前述搬送部所進行的前述基板之搬送開始後且對前述基板吐出前述機能液開始之前，使用在進行對前述基板吐出前述機能液的處理位置與比前述處理位置上方的退避位置之間使前述托架升降的升降機構，使前述托架從前述退避位置移動至前述處理位置」的工程；及 「在對前述基板吐出前述機能液結束後，使用前述升降機構，使前述托架從前述處理位置移動至前述退避位置」的工程。
12. 一種塗佈處理程式，其特徵係， 使電腦執行如請求項11之塗佈處理方法。

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