JP5372824B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
<1.1.基板処理装置の概要>
図1は、第1実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示した上面図である。また、図2は、ノズルユニット5およびノズル洗浄待機ユニット9を取り外した場合における、基板処理装置1の概略構成を示した上面図である。
上流側の接触支持区間TAは、基板Wの下面に接触するコロ配列で基板Wを支持しつつ、それぞれのコロの回転によって基板を搬送する「コロ搬送方式」となっている。コロ搬送方式での基板支持は、基板Wの下面に接触して基板Wを支持する「接触支持形式」の1態様である。なお、本実施形態では、基板処理装置1の前段側に存在する上流ユニットの搬送も、コロ搬送方式となっている。
後述する支持形式転換区間TBをはさんで接触支持区間TAの下流側にある浮上支持区間TC1、TC2は、圧縮空気によって基板を浮上させることによって基板Wを支持する。一般に、基板を浮上させて基板を支持する形式が「浮上支持形式」であるが、この実施形態では、加圧気体(具体的には圧縮空気)によって浮上支持形式を実現しつつ、基板の両側端を吸着保持して基板を移動させる浮上搬送方式となっている。区間TC1、TC2のうち区間TC1は、処理液の塗布に直接に関係する塗布用搬送区間であり、区間TC2は基板を移載ロボット36に受け渡すための出口区間である。
接触支持区間TAと浮上支持区間TC1との間に設けられた支持形式転換区間TBは、接触支持区間TAと浮上支持区間TC1との間で、基板の支持方式を転換するための区間である。基板の支持形式ではなく搬送方式という観点から見れば、支持形式転換区間TBは、接触支持区間TAでの「接触搬送方式」としての「コロ搬送方式」と、浮上支持区間TC1、TC2での「浮上搬送方式」との間で、基板の搬送方式を転換する区間である。
<●コロコンベア30>
コロコンベア30は、回転する複数のコロ301の外周面の最上部が基板Wの下面に当接することで、基板Wに推進力を与え、下流方向に移動させる接触式の搬送装置である。駆動源であるモータと1本の回転軸302、さらにそれぞれ隣接する回転軸302同士において、タイミングベルト(図示せず)が掛け渡されているため、同じ回転速度を、同じタイミングで各回転軸302に与えることが可能である。これらの複数のコロ301は、後述する移載ユニット6のコロ601とは異なり、固定高さに設けられて基板の下面に接触するコロ群を構成する。
コロコンベア30の下流側には移載ユニット6が設置されている。この移載ユニット6はコロコンベア30と入口浮上ステージ10との間隔空間に設置されており、浮上パッド64と移載昇降コロコンベア60とを備えている。
移載ユニット6の下流側には入口浮上ステージ10が設置されている。この入口浮上ステージ10は、多数の空気の噴出孔10aが1枚の板状ステージ面の全面にわたって分布形成されており、圧縮空気の噴出による気体圧力で基板Wを浮上させて、基板Wを、入口浮上ステージ10の上面すなわち気体噴射面に対して非接触状態にすることが可能である。このときの基板Wの浮上高さは10〜500マイクロメートルとなる。入口浮上ステージ10におけるこのような基板浮上原理は、移載ユニット6における浮上パッド64の平行配列と同じである。
図3は、塗布ステージ4の表面を示した上面図である。入口浮上ステージ10の下流には塗布ステージ4が存在する。図1に示すように、この塗布ステージ4上において基板Wはスリットノズル55から処理液としてレジスト液を塗布される。
図5は、基板搬送チャック8とノズルユニット5とノズル洗浄待機ユニット9とのYZ断面を示した模式図である。
次に、図4で示した空気の各流路における気体の流量制御について説明する。
第1実施形態の基板処理装置1では、基板Wが塗布ステージ4に搬入される前に流量判定して、流量制御を行うように構成されていたが、流量制御を行うタイミングは、上記のようなものに限られるものではない。具体的には、塗布ステージ4上を基板Wが通過する間(レジスト液が塗布される期間を含む。)、流量計14a,14bによって検出される流量値が、記憶部71に格納された基準値と比較して、許容範囲内にあるかがどうかが判定される。
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
2 基板搬送装置
3 塗布装置
4 塗布ステージ
5 ノズルユニット
7 制御部
8 基板搬送チャック
10 入口浮上ステージ
11 出口浮上ステージ
13,19 ニードル弁
14a,14b 流量計
15,17 圧力計
18 ブロワ
201 圧縮機構
40a 噴出孔
40b 吸引孔
55 スリットノズル
71 記憶部
73 報知機構
7a 流量判定部
82 搬送チャックリニアスケール
BW 後方端
FW 前方端
L1 供給ライン
L2 吸引ライン
POS1 始端位置
POS2 終端位置
STD 基準値データ
W 基板
Claims (11)
- 搬送される基板に対して処理を行う基板処理装置であって、
基板に向けて気体を供給することにより、前記基板に浮上力を付与する気体供給部と、
基板に向けて供給される気体の供給流量を検出する供給流量検出部と、
前記浮上力が付与される基板の位置を検出する位置検出部と、
前記供給流量検出部によって検出される供給流量と、前記位置検出部によって検出される基板の位置に対応した供給流量の基準とを比較することによって、前記供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する供給流量判定部と、
を備える基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記判定部によって、前記供給流量検出部が検出する供給流量が許容範囲外の値であると判定される場合に、許容範囲内に収まるように前記気体供給部から供給される気体の流量を制御する流量制御部、
をさらに備える基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記気体供給部から供給された気体を基板に向けて噴射する複数の噴出孔が形成された平面を有するステージと、
前記ステージの平面の上方において、基板に対して所定の処理を行う処理部と、
をさらに備える基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置において、
前記処理部が、
基板の進行方向に対して直交する方向に延びるスリット状の吐出口から処理液を吐出して基板に塗布するスリットノズルと、
前記スリットノズルに対して、前記処理液を供給する処理液供給部と、
を備える基板処理装置。 - 請求項3または4に記載の基板処理装置において、
基板の位置に対応する前記供給流量の基準のうち、基板が前記ステージ上に進入した位置に対応する基準が、前記ステージ上から退出した位置に対応する基準よりも小さい基板処理装置。 - 請求項3から5までのいずれか1項に記載の基板処理装置において、
基板がステージ上に進入する前に、前記供給流量判定部が、前記供給流量検出部の検出する供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する基板処理装置。 - 請求項3から6までのいずれか1項に記載の基板処理装置において、
前記ステージ上に進入する前から退出するまでの間、前記供給流量判定部が、前記供給流量検出部の検出する供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する基板処理装置。 - 請求項1から7までのいずれか1項に記載の基板処理装置において、
気体を吸引することによって、前記浮上力が付与される基板の高さ位置を調節する気体吸引部、
をさらに備える基板処理装置。 - 請求項8に記載の基板処理装置において、
前記気体吸引部によって吸引される気体の吸引流量を検出する吸引流量検出部と、
前記吸引流量検出部によって検出される吸引流量と、前記位置検出部によって検出される基板の位置に対応する吸引流量の基準とを比較することによって、前記吸引流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する吸引流量判定部と、
を備える基板処理装置。 - 搬送される基板に対して、処理を行う基板処理方法であって、
(a) 基板に向けて気体を供給することにより、前記基板に浮上力を付与する工程と、
(b) 前記(a)工程において基板に向けて供給される気体の供給流量を検出する工程と、
(c) 前記(a)工程において浮上力が付与される基板の位置を検出する工程と、
(d) 前記(b)工程において検出される供給流量と、前記(c)工程において検出される基板の位置に対応する供給流量の基準とを比較することによって、前記供給量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する工程と、
を有する基板処理方法。 - 請求項10に記載の基板処理方法において、
前記(b)工程において、検出される供給流量が許容範囲外の値であると判定される場合に、許容範囲内に収まるように前記(a)工程において供給する気体流量を制御する工程、
をさらに有する基板処理方法。
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