JP6722723B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
第6態様は、第1主面及び第2主面を有する基板を処理する基板処理装置であって、前記第1主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する浮上機構と、前記浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第1方向に移動させる搬送機構と、前記第1方向に直交する水平方向である第2方向に延びる吐出口を有し、前記浮上基板の前記第1主面に向けて処理液を前記吐出口から吐出可能なノズルと、前記浮上基板の鉛直位置を測定する測定器と、前記測定器を前記第2方向に移動させる測定器移動機構と、を備える。前記測定器移動機構は、前記浮上基板の前記第1方向下流側の端部が、前記浮上機構に含まれたステージの前記第1方向下流側の縁部に配された状態で、前記測定器を前記第2方向に移動させる。
第7態様は、第6態様の基板処理装置であって、前記測定器移動機構は、前記測定器を前記第2方向及び前記第1方向の上流側及び下流側に移動させる。
第8態様は、第7態様の基板処理装置であって、前記ノズルに対して前記第1方向の上流側の位置であって、少なくとも前記ノズルの前記吐出口の先端部と水平方向に重なる位置に設けられる緩衝部、をさらに備える。
第9態様は、第8態様の基板処理装置であって、前記測定器移動機構は、前記測定器を、前記ノズルからの前記処理液が前記浮上基板に付着する水平位置である付着水平位置における前記浮上基板の鉛直位置を測定可能な位置から、前記ノズルが前記処理液を吐出するときの前記緩衝部の水平位置における前記浮上基板の鉛直位置を測定可能な位置までの間で前記第2方向に移動させる。
第10態様は、第6態様から第9態様のいずれか1つの基板処理装置であって、前記第2方向の異なる位置で前記浮上基板の鉛直位置を測定する複数の前記測定器を有する。
第11態様は、第10の基板処理装置であって、前記複数の測定器を連結する連結具をさらに備える。前記測定器移動機構は、前記連結具を前記第2方向に移動させる。
第12態様は、第6態様から第11態様のいずれか1つの基板処理装置であって、前記浮上機構は、水平面を有する前記ステージと、前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側に向けてエアを噴出する複数の噴出口と、前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側のエアを吸引する複数の吸引口と、を含む。
第14態様は、第1主面及び第2主面を有する基板を処理する基板処理方法である。前記基板処理方法は、前記第1主面が鉛直方向の上向きの前記基板に浮上力を付与する浮上機構を有する基板処理装置を用いて行われる。前記基板処理方法は、(a)前記第1主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する工程と、(b)前記工程(a)によって浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第1方向に移動させる工程と、(c)前記浮上基板の鉛直位置を測定する測定器を、前記第1方向に直交する水平方向である第2方向に移動させることにより、前記浮上基板における前記第2方向の複数点における鉛直位置を測定する工程と、を含む。前記工程(c)において、前記浮上基板の前記第1方向下流側の端部が、前記浮上機構に含まれたステージの前記第1方向下流側の縁部に配された状態で、前記測定器が前記第2方向に移動させられる。
第6態様の基板処理装置によると、浮上基板の下流側の端部がステージの下流側の縁部に配置されるため、ステージの下流側の端部に設けられている吸引口の詰まりによる、基板の浮上高さの異常を検出できる。
第8態様の基板処理装置によると、基板上の異物があった場合に、ノズルの吐出口よりも先に緩衝部が当該異物に衝突する。これによって、ノズルの先端部を異物から保護できる。
第9態様の基板処理装置によると、ノズルから処理液を吐出する際に緩衝部が配置される水平位置において、基板の鉛直位置を測定できるため、緩衝部の位置における浮上高さの異常を検出できる。したがって、塗布処理の際に、基板が緩衝部に接触することを低減できる。
第10態様の基板処理装置によると、同時に複数点で浮上基板の鉛直位置を測定できるため、単一の測定器をY方向に移動させる場合よりも、移動距離を短くできるため、測定時間を短縮できる。
第11態様の基板処理装置によると、複数の測定器を一体に移動させることができる。このため、複数の測定器を独立に移動させる場合に比べて、移動機構の構成を簡易化できる。
第12態様の基板処理装置によると、処理対象の基板にエアを噴出しつつ、かつ、吸引することによって、精密に搬送できる。
第13態様の基板処理装置によると、ノズルから処理液を吐出する際に緩衝部が配置される水平位置において、基板の鉛直位置を測定できるため、緩衝部の位置における浮上高さの異常を検出できる。したがって、塗布処理の際に、基板が緩衝部に接触することを低減できる。
第14態様の基板処理装置によると、浮上基板の下流側の端部がステージの下流側の縁部に配置されるため、ステージの下流側の端部に設けられている吸引口の詰まりによる、基板の浮上高さの異常を検出できる。
図1は、実施形態の基板処理装置の一例である塗布装置1の全体構成を模式的に示す側面図である。図2は、実施形態の塗布装置1を鉛直方向上側から見た概略平面図である。図3は、実施形態の塗布機構6を除いた塗布装置1を示す概略平面図である。図4は、図2に示すA−A線に沿う位置における塗布装置1の概略断面図である。図5は、実施形態の浮上ステージ部3の一部を示す概略平面図である。
図6は、ノズル支持体601および測定ユニット70を示す概略平面図である。図7は、ノズル61、測定ユニット70及び緩衝部80を示す概略側面図である。図8は、ノズル61、測定ユニット70及び緩衝部80を示す概略正面図である。
図7および図8に示すように、ノズル支持体601の−X側の側面における中央部には、緩衝部80が取り付けられている。緩衝部80は、Y軸方向(第2方向D2)に延びる板状の部材であり、YZ平面に平行に配置されている。緩衝部80は、吐出口611(ノズル61の下端部)と第1方向D1に重なる位置に設けられている。
塗布装置1は、塗布ステージ32による基板Wの鉛直位置の分布を取得する検査(以下、鉛直位置測定処理とも称する。)を行う。上述したように、塗布ステージ32において、吸引口322hは、雰囲気の吸引を行うため、異物を吸引する場合がある。この場合、吸引口322hに詰まりが起こることによって、浮上基板Wの浮上高さが不足するなど、浮上高さに異常が発生する可能性がある。鉛直位置測定処理は、このような浮上高さの異常を検出するために行われる。鉛直位置測定処理は、塗布装置1における基板Wの製造スケジュールに応じて、適宜のタイミングで行われるとよい。例えば、ロットの先頭基板、毎日の先頭基板、毎日午後の先頭基板を塗布処理するタイミングで行われてもよいし、すべての基板Wについて塗布処理するタイミングで行われてもよい。
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
3 浮上ステージ部(浮上機構)
31 入口浮上ステージ
32 塗布ステージ
321h 噴出口
322h 吸引口
33 出口浮上ステージ
5 搬送機構
6 塗布機構
601 ノズル支持体
61 ノズル
611 吐出口
63 ノズル移動機構
70 測定ユニット
72 測定器
72a 投光部
72b 受光部
74 連結具
76 測定器移動部
80 緩衝部
9 制御ユニット
D1 第1方向
D2 第2方向
L11 塗布位置
L13 予備吐出位置
L14 洗浄位置
ML1,ML2 位置
S11 搬入工程
S12,S12a 測定工程
S13 搬出工程
S14 塗布工程
W 基板、浮上基板
Wf 上面(第1主面)
Claims (14)
- 第1主面及び第2主面を有する基板を処理する基板処理装置であって、
前記第1主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する浮上機構と、
前記浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第1方向に移動させる搬送機構と、
前記第1方向に直交する水平方向である第2方向に延びる吐出口を有し、前記浮上基板の前記第1主面に向けて処理液を前記吐出口から吐出可能なノズルと、
前記浮上基板の鉛直位置を測定する測定器と、
前記測定器を前記第2方向及び前記第1方向の上流側及び下流側に移動させる測定器移動機構と、
前記ノズルに対して前記第1方向の上流側の位置であって、少なくとも前記ノズルの前記吐出口の先端部と水平方向に重なる位置に設けられる緩衝部と、
を備え、
前記測定器移動機構は、前記測定器を、前記ノズルからの前記処理液が前記浮上基板に付着する水平位置である付着水平位置における前記浮上基板の鉛直位置を測定可能な位置から、前記ノズルが前記処理液を吐出するときの前記緩衝部の水平位置における前記浮上基板の鉛直位置を測定可能な位置までの間で前記第2方向に移動させる、基板処理装置。 - 請求項1の基板処理装置であって、
前記第2方向の異なる位置で前記浮上基板の鉛直位置を測定する複数の前記測定器を有する、基板処理装置。 - 請求項2の基板処理装置であって、
前記複数の測定器を連結する連結具、
をさらに備え、
前記測定器移動機構は、前記連結具を前記第2方向に移動させる、基板処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記浮上機構は、
水平面を有するステージと、
前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側に向けてエアを噴出する複数の噴出口と、
前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側のエアを吸引する複数の吸引口と、
を含む、基板処理装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記測定器移動機構は、前記浮上基板の前記第1方向下流側の端部が、前記浮上機構に含まれたステージの前記第1方向下流側の縁部に配された状態で、前記測定器を前記第2方向に移動させる、基板処理装置。 - 第1主面及び第2主面を有する基板を処理する基板処理装置であって、
前記第1主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する浮上機構と、
前記浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第1方向に移動させる搬送機構と、
前記第1方向に直交する水平方向である第2方向に延びる吐出口を有し、前記浮上基板の前記第1主面に向けて処理液を前記吐出口から吐出可能なノズルと、
前記浮上基板の鉛直位置を測定する測定器と、
前記測定器を前記第2方向に移動させる測定器移動機構と、
を備え、
前記測定器移動機構は、前記浮上基板の前記第1方向下流側の端部が、前記浮上機構に含まれたステージの前記第1方向下流側の縁部に配された状態で、前記測定器を前記第2方向に移動させる、基板処理装置。 - 請求項6の基板処理装置であって、
前記測定器移動機構は、前記測定器を前記第2方向及び前記第1方向の上流側及び下流側に移動させる、基板処理装置。 - 請求項7の基板処理装置であって、
前記ノズルに対して前記第1方向の上流側の位置であって、少なくとも前記ノズルの前記吐出口の先端部と水平方向に重なる位置に設けられる緩衝部、
をさらに備える、基板処理装置。 - 請求項8の基板処理装置であって、
前記測定器移動機構は、前記測定器を、前記ノズルからの前記処理液が前記浮上基板に付着する水平位置である付着水平位置における前記浮上基板の鉛直位置を測定可能な位置から、前記ノズルが前記処理液を吐出するときの前記緩衝部の水平位置における前記浮上基板の鉛直位置を測定可能な位置までの間で前記第2方向に移動させる、基板処理装置。 - 請求項6から請求項9のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記第2方向の異なる位置で前記浮上基板の鉛直位置を測定する複数の前記測定器を有する、基板処理装置。 - 請求項10の基板処理装置であって、
前記複数の測定器を連結する連結具、
をさらに備え、
前記測定器移動機構は、前記連結具を前記第2方向に移動させる、基板処理装置。 - 請求項6から請求項11のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記浮上機構は、
水平面を有する前記ステージと、
前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側に向けてエアを噴出する複数の噴出口と、
前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側のエアを吸引する複数の吸引口と、
を含む、基板処理装置。 - 第1主面及び第2主面を有する基板を処理する基板処理方法であって、前記基板処理方法は、ノズルおよび緩衝部を有する基板処理装置を用いて行われ、前記基板処理方法は、
(a)前記第1主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する工程と、
(b)前記工程(a)によって浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第1方向に移動させる工程と、
(c)前記浮上基板の鉛直位置を測定する測定器を、前記第1方向に直交する水平方向である第2方向及び前記第1方向の上流側及び下流側に移動させることにより、前記浮上基板における前記第2方向の複数点における鉛直位置を測定する工程と、
を含み、
前記ノズルは、前記第2方向に延びる吐出口を有し、前記浮上基板の前記第1主面に向けて処理液を前記吐出口から吐出可能であり、
前記緩衝部は、前記ノズルに対して前記第1方向の上流側の位置であって、少なくとも前記ノズルの前記吐出口の先端部と水平方向に重なる位置に設けられ、
前記工程(c)において、前記測定器は、前記ノズルからの前記処理液が前記浮上基板に付着する水平位置である付着水平位置における前記浮上基板の鉛直位置を測定可能な位置から、前記ノズルが前記処理液を吐出するときの前記緩衝部の水平位置における前記浮上基板の鉛直位置を測定可能な位置までの間で前記第2方向に移動させられる、基板処理方法。 - 第1主面及び第2主面を有する基板を処理する基板処理方法であって、前記基板処理方法は、前記第1主面が鉛直方向の上向きの前記基板に浮上力を付与する浮上機構を有する基板処理装置を用いて行われ、前記基板処理方法は、
(a)前記第1主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する工程と、
(b)前記工程(a)によって浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第1方向に移動させる工程と、
(c)前記浮上基板の鉛直位置を測定する測定器を、前記第1方向に直交する水平方向である第2方向に移動させることにより、前記浮上基板における前記第2方向の複数点における鉛直位置を測定する工程と、
を含み、
前記工程(c)において、前記浮上基板の前記第1方向下流側の端部が、前記浮上機構に含まれたステージの前記第1方向下流側の縁部に配された状態で、前記測定器が前記第2方向に移動させられる、基板処理方法。
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