TWI760621B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於提供一種可良好地將處理液塗佈至被賦予浮起力而被搬送之基板的技術。

本發明之解決手段中，塗佈裝置1具備有：搬送機構5，其使藉由浮起平台部3而被賦予浮起力的浮起基板W於X方向上移動；測量器72，其測量浮起基板W之鉛直位置；及測量器移動部76，其使測量器72於Y方向上移動。測量器72係藉由於Y方向上被移動而測量Y方向之不同的複數地點的浮起基板W之鉛直位置。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於基板處理裝置及基板處理方法，尤其是關於對可適當地對被賦予浮起力而被搬送的基板塗佈處理液的技術。處理對象的基板例如包含有半導體基板、液晶顯示裝置及有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板。
在半導體裝置、液晶顯示裝置等之電子零件等之製造步驟中，使用有將塗佈液塗佈於基板表面的塗佈裝置。作為如此般之塗佈裝置，已知有一種裝置，其一面在將空氣吹送至基板背面而使基板浮起的狀態下搬送該基板，一面自於基板之寬度方向上所延伸的噴嘴對該基板之表面(相當於基板之主表面)吐出塗佈液而將塗佈液塗佈於基板(例如，專利文獻1)。
於專利文獻1所記載之基板處理裝置中，一面使基板在浮起平台上以水平姿勢浮起，一面保持基板之周緣部而使其於水平方向上行走，藉此搬送該基板，並自配置在基板搬送路徑之上方的狹縫噴嘴吐出塗佈液。
在專利文獻1之基板處理裝置中，於基板之上方具備 有測量基板之浮起高度的光學式距離感測器。其可一面配合基板之浮起高度而調整狹縫噴嘴之高度，一面供給塗佈液。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2012-142583號公報
然而，在專利文獻1中，由於光學式距離感測器被固定於狹縫噴嘴，故僅能在與搬送方向正交之橫向(基板之寬度方向)上被固定的位置進行測量基板之浮起高度。因此，無法獲得基板之橫向上的浮起高度之分布。其存在有例如於因浮起平台之浮起力不足等而導致於橫向上的基板浮起高度產生不均的情況下，會發生處理液之塗佈不良之虞。
因此，本發明之目的在於提供一種良好地將處理液塗佈於被賦予浮起力而被搬送之基板的技術。
為了解決上述課題，第1態樣為一種基板處理裝置，其係處理具有第1主表面及第2主表面的基板者；其具備有：浮起機構，其對上述第1主表面於鉛直方向朝上的基板賦予浮起力；搬送機構，其使被賦予有上述浮起力的上述基板即浮起基板於水平方向即第1方向上移動；噴嘴，其具有於與上述第1方向正交的水平方向即第2方向上延伸的吐出口，並可朝向上述浮起基板之上述第1主表面而自上述吐出口吐出處理液；測量器，其測量上述浮起基 板之鉛直位置；及測量器移動機構，其使上述測量器於上述第2方向上移動。
第2態樣為，於第1態樣之基板處理裝置中，上述測量器移動機構係使上述測量器朝上述第2方向及上述第1方向之上游側及下游側移動。
第3態樣為，於第2態樣之基板處理裝置中，進而具備有：緩衝部，其設置在相對於上述噴嘴而在上述第1方向之上游側之位置，且為至少與上述噴嘴之上述吐出口之前端部在水平方向上重疊的位置。
第4態樣為，於第3態樣之基板處理裝置中，上述測量器移動機構係使上述測量器在：可測量來自上述噴嘴之上述處理液於附著上述浮起基板之水平位置，即附著水平位置中上述浮起基板之鉛直位置的位置，至可測量上述噴嘴吐出上述處理液時的上述緩衝部之水平位置中之上述浮起基板之鉛直位置的位置之間，於上述第2方向上移動。
第5態樣為，於第1態樣至第4態樣中任一項之基板處理裝置中，具有複數個上述測量器，該等係在上述第2方向之不同的位置上進行測量上述浮起基板之鉛直位置。
第6態樣為，於第5態樣之基板處理裝置中，進而具備有：連結件，其連結上述複數個測量器；上述測量器移動機構係使上述連結件於上述第2方向上移動。
第7態樣為，於第1態樣至第6態樣中任一項之基板處理裝置中，上述浮起機構包含有：平台，其具有水平面；複數個噴出口，其被設置於上述水平面，並朝向上述鉛直方向之上側噴出 空氣；及複數個抽吸口，其被設置於上述水平面，並抽吸上述鉛直方向之上側之空氣。
第8態樣為，於第1態樣至第7態樣中任一項之基板處理裝置中，上述測量器移動機構係，在上述浮起基板之上述第1方向下游側之端部配置於上述平台之上述第1方向下游側之緣部的狀態下，使上述測量器於上述第2方向上移動。
第9態樣為一種基板處理方法，其係處理具有第1主表面及第2主表面的基板者；其包含有：(a)對上述第1主表面於鉛直方向朝上的基板賦予浮起力的步驟；(b)使藉由上述步驟(a)而被賦予浮起力的上述基板即浮起基板於水平方向即第1方向上移動的步驟；及(c)使測量上述浮起基板之鉛直位置的測量器於與上述第1方向正交的水平方向即第2方向移動，藉此測量上述浮起基板之上述第2方向之複數點上的鉛直位置的步驟。
根據第1態樣之基板處理裝置，藉由使測量器於第2方向上移動，可沿著第2方向進行測量鉛直位置。因此，可在基板沿著第2方向的複數點上進行測量鉛直位置。藉此，由於可檢測在第2方向上藉由浮起機構所產生之基板之浮起高度異常，因而可良好地將處理液塗佈至基板。
根據第2態樣之基板處理裝置，藉由使其於第1方向及第2方向上移動，可測量基板之第1主表面面內之複數點之鉛直位置。
根據第3態樣之基板處理裝置，於基板上存在有異物之情況下，緩衝部較噴嘴之吐出口更先與該異物產生碰撞。藉此， 可保護噴嘴之前端部有異物存在。
根據第4態樣之基板處理裝置，由於可於自噴嘴吐出處理液時配置緩衝部的水平位置上進行測量基板之鉛直位置，因而可檢測出緩衝部之位置上的浮起高度之異常。因此，可減低於塗佈處理時基板接觸至緩衝部之情形。
根據第5態樣之基板處理裝置，由於可同時地在複數點進行測量浮起基板之鉛直位置，因而相較於使單個測量器於Y方向上進行移動的情況，可使移動距離更為縮短，故可縮短測量時間。
根據第6態樣之基板處理裝置，可使複數個測量器一體地移動。因此，相較於使複數個測量器獨立地進行移動的情況，可使移動機構之構成簡化。
根據第7態樣之基板處理裝置，藉由一面對處理對象之基板噴出空氣，且一面進行抽吸，可精密地進行搬送。
根據第8態樣之基板處理裝置，由於浮起基板之下游側之端部被配置在平台之下游側之緣部，因而可檢測出因設置在平台之下游側端部之抽吸口的堵塞而所導致之基板浮起高度之異常。
根據第9態樣之基板處理方法，藉由使測量器於第2方向上移動，可沿著第2方向進行測量鉛直位置。因此，可在基板之沿著第2方向的複數點上進行測量鉛直位置。藉此，由於可在第2方向上檢測藉由浮起機構所產生的基板之浮起高度異常，因而可良好地將處理液塗佈於基板。
1‧‧‧塗佈裝置
2‧‧‧輸入移載部
3‧‧‧浮起平台部(浮起機構)
4‧‧‧輸出移載部
5‧‧‧搬送機構
6‧‧‧塗佈機構
9‧‧‧控制單元
10‧‧‧基台
21、41、101、111‧‧‧滾筒傳送裝置
22、42、102、112‧‧‧旋轉驅動機構
31‧‧‧入口浮起平台
31h、33h、321h‧‧‧噴出口
32‧‧‧塗佈平台
32A‧‧‧上游區域
32B‧‧‧中間區域
32C‧‧‧下游區域
32UR、321UR‧‧‧上方區域
33‧‧‧出口浮起平台
35‧‧‧浮起控制機構
51‧‧‧夾頭
51L、51R‧‧‧夾頭構件
52‧‧‧吸著‧行走控制機構
60‧‧‧噴嘴單元
61‧‧‧噴嘴
63‧‧‧噴嘴移動機構(移動機構)
65‧‧‧維護單元
70‧‧‧測量單元
72‧‧‧測量器
72a‧‧‧投光部
72b‧‧‧受光部
74‧‧‧連結件
76‧‧‧測量器移動部(測量器移動機構)
78‧‧‧導件導軌部
80‧‧‧緩衝部
81L、81R、87L、87R‧‧‧行走導件
82L、82R、85、88L、88R‧‧‧線性馬達
83L、83R、86、89L、89R‧‧‧線性標尺
84L、84R‧‧‧行走導件
91‧‧‧CPU
92‧‧‧記憶體
93‧‧‧顯示部
100‧‧‧輸入傳送裝置
110‧‧‧輸出傳送裝置
322h‧‧‧抽吸口
511、636、637、666、667‧‧‧滑塊
512‧‧‧基座部
513‧‧‧支撐部
601‧‧‧噴嘴支撐體
603‧‧‧中間部
611‧‧‧吐出口
631、661‧‧‧樑構件
632、633、662、663‧‧‧柱構件
634、635‧‧‧升降機構
651‧‧‧槽
652‧‧‧預備吐出滾輪
653‧‧‧噴嘴清潔器
654‧‧‧維護控制機構
664‧‧‧板
D1‧‧‧第1方向
D2‧‧‧第2方向
L11‧‧‧塗佈位置
L12‧‧‧下游位置
L13‧‧‧預備吐出位置
L14‧‧‧洗淨位置
L11~L14‧‧‧停止位置
LW1、LW2‧‧‧既定位置
ML1、ML2‧‧‧位置
RY1、RY2、RY3‧‧‧測量範圍
S11‧‧‧搬入步驟
S12、S12a‧‧‧測量步驟
S13‧‧‧搬出步驟
S14‧‧‧塗佈步驟
S111、S111a‧‧‧停止階段
W‧‧‧基板(浮起基板)
Wf‧‧‧上表面(第1主表面)
圖1係示意性地顯示實施形態之基板處理裝置之一例即塗佈裝 置1之整體構成之側視圖。
圖2係自鉛直方向上側進行觀察實施形態之塗佈裝置1的概略俯視圖。
圖3係顯示實施形態之除去有塗佈機構6的塗佈裝置1之概略俯視圖。
圖4係沿著圖2所示之A-A線之位置上之塗佈裝置1之概略剖視圖。
圖5係顯示實施形態之浮起平台部3之一部分之概略俯視圖。
圖6係顯示噴嘴支撐體601及測量單元70之概略俯視圖。
圖7係顯示噴嘴61、測量單元70及緩衝部80之概略側視圖。
圖8係顯示噴嘴61、測量單元70及緩衝部80之概略前視圖。
圖9係顯示實施形態之控制單元9之概略方塊圖。
圖10(a)至(d)係顯示塗佈裝置1執行鉛直位置測量處理之各步驟之圖。
圖11(a)至(d)係顯示塗佈裝置1執行鉛直位置測量處理之各步驟之圖。
以下，一面參照所附圖式，一面對於本發明之實施形態進行說明。再者，該實施形態所記載之構成要素僅為例示，而非用以將本發明之範圍僅限定於該等構成要素。於圖式中，為容易理解，有依據需要而擴張或簡略地圖示各部分之尺寸、數量之情況。
除非另有說明，表示相對性或絕對性之位置關係之表現(例如「平行」「正交」「中心」「同心」「同軸」等)並非僅嚴格地表示該位置關係，其亦表示可在公差或可獲得相同程度之功能之範 圍內相對地於角度或距離上位移之狀態。除非另有說明，表示相等狀態之表現(例如「同一」「相等」「均質」「一致」等)並非僅表示定量上嚴格地相等之狀態，其亦表示存在有公差或可獲得相同程度之功能之差之狀態。除非另有說明，表示形狀之表現(例如「四角形」或「圓筒形」等)並非僅嚴格地表示幾何學上之該等形狀，在可獲得相同程度之功效之範圍內，亦表示例如具有凹凸、倒角等之形狀。除非另有說明，所謂「~之上」，除2個元件相接之情況以外，亦包含有2個元件相離之情況。
<1.第1實施形態>
圖1係示意性地顯示實施形態之基板處理裝置之一例即塗佈裝置1之整體構成之側視圖。圖2係自鉛直方向上側觀察實施形態之塗佈裝置1之概略俯視圖。圖3係顯示實施形態之除去塗佈機構6之塗佈裝置1之概略俯視圖。圖4係沿著圖2所示之A-A線之位置的塗佈裝置1之概略剖視圖。圖5係顯示實施形態之浮起平台部3之一部分之概略俯視圖。
塗佈裝置1係以水平姿勢(基板W之上表面Wf(第1主表面)及下表面(第2主表面)相對於水平面(XY平面)而成為平行的姿勢)搬送四角形之基板W，並且將處理液(塗佈液)塗佈於該基板W之上表面Wf的狹縫塗佈器。於各圖中，為明確地表示塗佈裝置1各部分之位置關係，將與搬送基板W之第1方向D1平行的方向設為「X方向」，將自輸入傳送裝置100朝向輸出傳送裝置110的方向設為「+X方向」，而將其之相反方向設為「-X方向」。將與X方向正交的水平方向設為「Y方向」，將朝向圖1之靠近自己的方 向設為「-Y方向」，而將其之相反方向設為「+Y方向」。將與X方向及Y方向正交的鉛直方向設為Z方向，將自浮起平台部3所觀察而朝向塗佈機構6側的向上方向設為「+Z方向」，而將其之相反方向設為「-Z方向」。
塗佈裝置1之基本構成、運作原理係與記載於日本專利特開2010-227850號公報、日本專利特開2010-240550號公報者部分地共通或類似。於此，在本說明書中，對於塗佈裝置1之各構成中與該等周知文獻所記載之物品相同或可基於技術常識等而容易地類推之構成，存在有適當地進行省略的情況。
塗佈裝置1係沿著搬送基板W的第1方向D1(+X方向)依序具備有輸入傳送裝置100、輸入移載部2、浮起平台部3、輸出移載部4、輸出傳送裝置110。該等係以彼此接近之方式所配置，藉此形成基板W之搬送路徑。再者，於以下之說明中，在與基板之搬送方向即第1方向D1建立關聯而顯示位置關係時，存在有將「第1方向D1之上游側」簡稱為「上游側」、「第1方向D1之下游側」簡稱為「下游側」的情況。在本例中，自某一基準位置所觀察時，-X側為「上游側」，+X側為「下游側」。
輸入傳送裝置100具備有滾筒傳送裝置101、及進行旋轉驅動滾筒傳送裝置101的旋轉驅動機構102。藉由滾筒傳送裝置101之旋轉，基板W係以水平姿勢朝下游側(+X側)被搬送。
輸入移載部2具備有滾筒傳送裝置21、及使滾筒傳送裝置21旋轉的旋轉驅動機構22。藉由滾筒傳送裝置21旋轉，基板W朝+X方向被搬送。此外，藉由滾筒傳送裝置21升降，而變更基板W之鉛直位置。藉由輸入移載部2之運作，基板W係自輸 入傳送裝置100被移載至浮起平台部3。
浮起平台部3係沿著第1方向D1而包含有3個平板狀之平台。具體而言，浮起平台部3係沿著第1方向D1依序具備有入口浮起平台31、塗佈平台32、出口浮起平台33。該等各平台之上表面係位於同一平面上。
於入口浮起平台31及出口浮起平台33各者之上表面呈矩陣狀地設置有噴出自浮起控制機構35所供給之空氣(壓縮空氣)的複數個噴出口31h、33h。藉由自複數個噴出口31h、33h所噴出的壓縮空氣，對基板W賦予浮起力，在基板W之下表面(第2主表面)自各平台31、33之上表面離開的狀態下，以水平姿勢被支撐。基板W之下表面與平台31、33之上表面之距離例如可設為10-500μm(微米)。
如圖5所示，於塗佈平台32之上表面設置有噴出空氣(壓縮空氣)的複數個噴出口321h、及抽吸塗佈平台32上方之環境氣體的複數個抽吸口322h。在塗佈平台32之上表面，沿著X方向及Y方向交互地設置有噴出口321h與抽吸口322h。浮起控制機構35係以來自各噴出口321h的壓縮空氣之噴出量與自各抽吸口322h的環境氣體之抽吸量產生平衡之方式進行控制，藉此精密地控制基板W之下表面與塗佈平台32之上表面的距離。藉此，將通過塗佈平台32之上方的基板W之上表面Wf之鉛直位置控制在既定值。作為浮起平台部3之構成，可適用記載於日本專利特開2010-227850號公報者。
塗佈平台32朝向+X方向依序具有上游區域32A、中間區域32B、及下游區域32C。於此，藉由將塗佈平台32之上表面 於X方向上各分割為1/3而所獲得之3個區域分別為上游區域32A、中間區域32B、及下游區域32C，中間區域32B成為佔有塗佈平台32之上表面之中央的區域。
相較於上游區域32A及下游區域32C各者，在中間區域32B之側，噴出口321h及抽吸口322h之分布密度(每單位面積之數量)成為較大。因此，相較於上游區域32A及下游區域32C各者，中間區域32B成為可更精密地控制基板W之浮起量。
於中間區域32B之上方設定有噴嘴61之塗佈位置L11。即，於中間區域32B之上方配置有噴嘴61之吐出口611之狀態下，對自塗佈平台32被賦予有浮起力的基板W(以下亦稱為「浮起基板W」)供給來自吐出口611的處理液。而且，自吐出口611所吐出的處理液附著於浮起基板W時之水平方向之位置即水平位置亦設為中間區域32B之上方。如此，於可進行浮起量之精密控制的中間區域32B上對浮起基板W供給處理液，藉此可良好地進行塗佈處理。
經由輸入移載部2而被搬入至浮起平台部3的基板W係藉由滾筒傳送裝置21之旋轉而獲得朝+X方向的推進力，並被搬送至入口浮起平台31上。浮起平台部3中之基板W之搬送係藉由搬送機構5而進行。
搬送機構5具備有夾頭51及吸著‧行走控制機構52。夾頭51係藉由部分地抵接於基板W之下表面周緣部而自下方支撐基板W。吸著‧行走控制機構52具備有對被設置於夾頭51上端之支撐部位的吸著墊賦予負壓而使夾頭51吸著保持基板W的功能。此外，吸著‧行走控制機構52具備有使夾頭51沿著X方向直線狀 地往返行走的功能。
在夾頭51保持基板W的狀態下，基板W之下表面位於較浮起平台部3之各平台31、32、33之上表面更靠+Z側的位置。基板W係藉由夾頭51吸著保持周緣部，並藉由自浮起平台部3所賦予的浮起力而整體維持水平姿勢。
夾頭51保持自輸入移載部2被搬入至浮起平台部3的基板W，在此狀態下夾頭51朝+X方向移動，藉此，基板W自入口浮起平台31之上方經由塗佈平台32之上方而朝出口浮起平台33之上方進行搬送。基板W被傳送至配置在出口浮起平台33之+X側的輸出移載部4。
輸出移載部4具備有滾筒傳送裝置41、及旋轉驅動該滾筒傳送裝置41的旋轉驅動機構42。藉由滾筒傳送裝置41進行旋轉，對基板W賦予朝+X方向的推進力，基板W朝第1方向D1被搬送。藉由輸出移載部4之運作，基板W係自出口浮起平台33之上方被移載至輸出傳送裝置110。
輸出傳送裝置110具備有使滾筒傳送裝置111旋轉的旋轉驅動機構112。藉由滾筒傳送裝置111之旋轉而基板W朝+X方向被搬送並朝塗佈裝置1之外部被送出。輸入傳送裝置100及輸出傳送裝置110可作為塗佈裝置1之一部分而進行設置，亦可與塗佈裝置1為不同個體。例如，輸入傳送裝置100亦可為設置在塗佈裝置1之上游側的其他單元之基板送出機構。此外，輸出傳送裝置110亦可為設置在塗佈裝置1之下游側的其他單元之基板接取機構。
於基板W之搬送路徑上，設置有將處理液塗佈於基板W之上表面Wf的塗佈機構6。塗佈機構6具備有包含吐出處理液之噴嘴61的噴嘴單元60、進行定位噴嘴61的噴嘴移動機構63、進行維護噴嘴61的維護單元65。
噴嘴61為於與第1方向D1正交的水平方向即第2方向D2(Y方向)所延伸的構件。噴嘴61之下端部具有於寬度方向延伸且向下開口的吐出口611。處理液係自吐出口611被吐出。
噴嘴移動機構63使噴嘴61於X方向及Z方向上移動並進行定位。藉由噴嘴移動機構63之運作，噴嘴61被定位於塗佈平台32上方之塗佈位置L11。在噴嘴61被定位於塗佈位置L11之狀態下，噴嘴61朝向基板W之上表面Wf吐出處理液，藉此，處理液被塗佈於基板W。如此，塗佈位置L11為執行塗佈時之噴嘴61之位置。
在噴嘴61被配置於塗佈位置L11之狀態下，藉由將處理液吐出至基板W，而於基板W之上表面Wf中除了周緣部之內側的塗佈對象區域形成有處理液之塗佈膜。
維護單元65具備有槽651、預備吐出滾輪652、噴嘴清潔器653及維護控制機構654。槽651貯存有用於噴嘴61之洗淨的洗淨液。維護控制機構654進行控制預備吐出滾輪652及噴嘴清潔器653。作為維護單元65之構成，例如亦可適用於日本專利特開2010-240550號公報所記載的構成。
噴嘴移動機構63係將噴嘴61定位於吐出口611在預備吐出滾輪652上方而與該預備吐出滾輪652之表面所對向的預備吐出位置L13。噴嘴61係於預備吐出位置L13自吐出口611對預備吐出滾輪652之表面吐出處理液(預備吐出處理)。噴嘴61係於被定位至上述之塗佈位置L11之前被定位於預備吐出位置L13而執行預備吐出處理。藉此，可自初始階段起使處理液朝基板W之吐出產生穩定。當維護控制機構654使預備吐出滾輪652旋轉時，自噴嘴61所吐出之處理液係與被貯存於槽651之洗淨液進行混合而被回收。
噴嘴移動機構63係將噴嘴61定位於該噴嘴61之前端部(包含有吐出口611及其之附近的區域)與噴嘴清潔器653之上方所對向的洗淨位置L14。在噴嘴61位於洗淨位置L14之狀態下，噴嘴清潔器653一面吐出洗淨液，一面於噴嘴61之寬度方向(Y方向)移動，藉此沖洗附著於噴嘴61之前端部的處理液等。
噴嘴移動機構63亦可將噴嘴61定位於較洗淨位置L14更靠下方且將噴嘴61之下端部收納於槽651內的待機位置。於在塗佈裝置1中未執行使用噴嘴61的塗佈處理時，亦可將噴嘴61定位於該待機位置。雖省略圖示，但亦可具備有用以防止被定位於待機位置的噴嘴61之吐出口611的處理液之乾燥的待機箱。
在圖1中，以實線表示位於預備吐出位置L13的噴嘴61，以虛線分別表示位於塗佈位置L11、下游位置L12及洗淨位置L14的噴嘴61。
本實施形態之塗佈機構6僅具備有1個噴嘴61，但亦可具備有複數個噴嘴61。複數個噴嘴61亦可沿著第1方向D1而隔開間隔進行設置。於此情況下，亦可藉由對複數個噴嘴61供給不同之處理液而將不同之處理液塗佈於基板W。此外，亦可分別設置對應於各噴嘴61的噴嘴移動機構63及維護單元65。再者，亦可以共用2個以上之噴嘴61之方式利用維護單元65。
如圖4所示，噴嘴單元60具有橋接構造，該橋接構造係包含有在浮起平台部3之上方於Y方向上延伸的樑構件631、及支撐該樑構件631之兩側端部的2個柱構件632、633。柱構件632、633係自基台10朝上方立設。於柱構件632安裝有升降機構634，於柱構件633安裝有升降機構635。升降機構634、635例如包含有滾珠螺桿機構。於升降機構634安裝有樑構件631之+Y側端部，於升降機構635安裝有樑構件631之-Y側端部，藉由升降機構634、635而支撐樑構件631。配合來自控制單元9之控制指令而使升降機構634、635連動，藉此使樑構件631保持水平姿勢而於鉛直方向(Z方向)上移動。
如圖所示，於樑構件631之中央下部設置有於Y軸方向所延伸的噴嘴支撐體601。如圖7及圖8所示，於噴嘴支撐體601之下部安裝有自-Y方向側所觀察之形狀為L字狀的中間部603。於該中間部603之朝水平延伸之部分的下部安裝有噴嘴61。噴嘴61係以使吐出口611向下的姿勢被安裝於噴嘴支撐體601。藉由使升降機構634、635進行運作，而噴嘴支撐體601及噴嘴61於鉛直方向(Z方向)進行移動。
柱構件632、633構成為可於基台10上移動。於X方向上延伸的2個行走導件81L、81R係被設置於基台10之上表面的+Y側端部及-Y側端部。柱構件632係經由安裝於該柱構件632之下部的滑塊636而卡合於+Y側之行走導件81L，柱構件633係經由安裝於該柱構件633之下部的滑塊637而卡合於-Y側之行走導件81R。滑塊636、637係沿著行走導件81L、81R而於X方向上移動自如。
柱構件632、633藉由線性馬達82L、82R之運作而於X方向上移動。線性馬達82L、82R具備有作為固定子的磁鐵模組、及作為移動子的線圈模組。磁鐵模組係被設置於基台10而於X方向上延伸。線圈模組係被安裝於柱構件632、633各者之下部。配合來自控制單元9的控制指令而使線性馬達82L、82R之移動子產生運作，藉此使噴嘴單元60整體沿著X方向移動。藉此可實現噴嘴61朝X方向(第1方向D1)之移動。柱構件632、633之X方向位置係藉由設置在滑塊636、637之附近的線性標尺83L、83R而被檢測。
如此，噴嘴支撐體601及噴嘴61係藉由升降機構634、635之運作而於Z方向上移動，藉由線性馬達82L、82R之運作而於X方向上移動。即，藉由控制單元9控制升降機構634、635及線性馬達82L、82R，可實現噴嘴61朝各停止位置L11-L14之定位。因此，升降機構634、635及線性馬達82L、82R係作為噴嘴移動機構63而發揮功能。
作為維護單元65，亦可採用記載於日本專利特開2010-240550號公報者。槽651係藉由於Y方向上延伸的樑構件661而被支撐。樑構件661之兩端部中，一端部係以柱構件662所支撐，另一端部係以柱構件663所支撐。柱構件662、663係分別被安裝於在Y方向上所延伸的板664之Y方向兩端部。
於板664兩端部之下方分別設置有於X方向上延伸之2個行走導件84L、84R。2個行走導件84L、84R係設置於基台10之上表面。板664下表面之Y方向兩端部中，於+Y側端部設置有滑塊666，於-Y側端部設置有滑塊667。滑塊666、667卡合於行走 導件84L、84R而成為於X方向上移動自如。
於板664之下方設置有線性馬達85。線性馬達85具備有作為固定子的磁鐵模組及作為移動子的線圈模組。磁鐵模組係被設置於基台10而於X方向上延伸。線圈模組係被設置於維護單元65(於此為板664)之下部。
配合來自控制單元9的控制指令而使線性馬達85進行運作，藉此使維護單元65整體於X方向上移動。維護單元65之X方向位置係藉由設置在滑塊666、667之附近的線性標尺86而被檢測。
如圖4所示，夾頭51具備有2個夾頭構件51L、51R。夾頭構件51L、51R係相對於XZ平面而具有相互對稱的形狀，而被配置為於Y方向上分離。
被配置於+Y側的夾頭構件51L被支撐於設在基台10而在X方向延伸的行走導件87L上。夾頭構件51L具備有基座部512，該基座部512包含有在X方向上使位置相異而所設置的2個水平之板部、及連接該等之板部的連接部(參照圖2)。於基座部512之2個板部之下部各一個地設置有滑塊511。滑塊511卡合於行走導件87L，藉此，夾頭構件51L係可沿著行走導件87L而於X方向上行走。
於基座部512之2個板部之上部各者各設置有一個支撐部513。支撐部513係朝上方延伸而在其之上端部具有吸著墊(未圖示)。當基座部512沿著行走導件87L而於X方向上移動時，2個支撐部513係與其一體地於X方向上移動。再者，亦可設為如下之構造，即，基座部512之2個板部位相互分離，該等之板部位係 一面於X方向上保持一定距離一面移動，藉此於外表上作為一體之基座部而發揮功能。若配合基板之長度而設定該距離，則可對應於各種長度之基板。
夾頭構件51L係藉由線性馬達88L而於X方向上移動。線性馬達88L具備有作為固定子的磁鐵模組及作為移動子的線圈模組。磁鐵模組係被設置於基台10而於X方向上延伸。線圈模組係被設置於夾頭構件51L之下部。配合來自控制單元9的控制指令而使線性馬達88L進行運作，藉此使夾頭構件51L沿著X方向移動。夾頭構件51L之X方向位置係藉由設置在行走導件87L之附近的線性標尺89L而被檢測。
被設置於-Y側的夾頭構件51R係與夾頭構件51L同樣，夾頭構件51R具備有基座部512與2個支撐部513、513。再者，夾頭構件51R之形狀係相對於XZ平面而與夾頭構件51L對稱。於夾頭構件51R之基座部512之2個板部之下部各設置有一個滑塊511。滑塊511卡合於行走導件87R，藉此，夾頭構件51R係可沿著行走導件87R而於X方向上行走。
夾頭構件51R係可藉由線性馬達88R而於X方向上移動。線性馬達88R包含有於X方向延伸且被設置在基台10上之作為固定子的磁鐵模組、及被設置於夾頭構件51R之下部之作為移動子的線圈模組。配合來自控制單元9之控制指令而使線性馬達88R進行運作，藉此夾頭構件51R於X方向上移動。夾頭構件51R之X方向位置係藉由設置在行走導件87R之附近的線性標尺89R而被檢測。
控制單元9係以使夾頭構件51L、51R於X方向上一 直成為同一位置之方式進行該等之位置控制。藉此，1對夾頭構件51L、51R表面上作為一體之夾頭51而進行移動。相較於以機械之方式結合夾頭構件51L、51R之情況，可容易地避免夾頭51與浮起平台部3的干涉。
如圖3所示，4個支撐部513分別配置為對應於所保持之基板W的四角。即，夾頭構件51L之2個支撐部513分別對基板W之+Y側周緣部且為在第1方向D1上之上游側端部與下游側端部進行保持。夾頭構件51R之2個支撐部513、513分別對基板W之-Y側周緣部且為在第1方向D1上之上游側端部與下游側端部進行保持。對各支撐部513之吸著墊配合需要而供給有負壓，藉此，基板W之四角係藉由夾頭51而自下方被吸著保持。
夾頭51係一面保持基板W一面於X方向移動，藉此搬送基板W。如此，線性馬達88L、88R、用以對各支撐部513供給負壓的機構(未圖示)係作為於圖1所示的吸著‧行走控制機構52而發揮功能。
如圖1及圖4所示，夾頭51係較入口浮起平台31、塗佈平台32及出口浮起平台33之上表面更朝上方遠離而保持基板W。夾頭51係保持基板W之下表面而進行搬送基板W。夾頭51僅保持基板W中較與各平台31、32、33對向的中央部分更靠Y方向外側的周緣部之一部分。因此，基板W之中央部係相對於周緣部而朝下方撓曲。浮起平台部3係藉由對該狀態下之基板W中央部賦予浮起力，而控制基板W之鉛直位置，並將基板W維持為水平姿勢。
<測量單元70>
圖6係顯示噴嘴支撐體601及測量單元70之概略俯視圖。圖7係顯示噴嘴61、測量單元70及緩衝部80之概略側視圖。圖8係顯示噴嘴61、測量單元70及緩衝部80之概略前視圖。
塗佈裝置1具備有測量單元70。測量單元70具備有複數個(於此為3個)測量器72。各測量器72係對藉由浮起平台部3而被賦予有浮起力的基板W之上表面Wf之鉛直位置進行測量。詳細而言，測量器72係測量既定之鉛直方向之基準位置至上表面Wf之鉛直位置為止之距離，藉此進行測量上表面Wf之鉛直位置。自藉由測量器72所測量的上表面Wf之鉛直位置，可求出自塗佈平台32之上表面之高度(鉛直位置)至上表面Wf之高度。進而，可自該上表面Wf之高度與基板W之厚度而求出基板W之浮起量(塗佈平台32之上表面至浮起基板W之下表面為止之距離)。
各測量器72具備有輸出既定波長之光的投光部72a、及包含有檢測自投光部72a所輸出而在基板W所反射之光的光感測器(例如線性感測器)的受光部72b(參照圖9)。受光部72b為以非接觸之方式測量上表面Wf之鉛直位置的反射型感測器之一例。再者，上表面Wf之鉛直位置亦可以超音波進行測量，以取代以光進行測量。於此情況下，較佳為各測量器72具備有輸出超音波的輸出部、及檢測在上表面Wf所反射之超音波的檢測部。
測量單元70具備有將3個測量器72相互地連結的連結件74。連結件74係於Y方向延伸之板狀構件，於連結件74之上游側(-X側)之側面安裝有各測量器72。於此，3個測量器72係在於第2方向(Y方向)上隔開間隔的狀態下被安裝於連結件74。
測量單元70具備有測量器移動部76(測量器移動機構)。測量器移動部76連結於連結件74之+X側面。測量器移動部76具備有線性馬達機構或滾珠螺桿機構等之驅動機構。測量器移動部76係沿著被設置在噴嘴支撐體601之-X側面中央部之於Y方向上所延伸的導件導軌部78(參照圖8)而於Y方向上移動。當測量器移動部76於Y方向上移動時，連結件74於Y方向上移動，藉此，3個測量器72一體地於Y方向(第2方向D2)上移動。
如圖8所示，3個測量器72於Y方向上各自移動，藉此在位於最靠+Y側之測量器72之Y方向上的測量範圍RY1、在位於Y方向中央之測量器72之Y方向上的測量範圍RY2、在位於-Y側之測量器72之Y方向上的測量範圍RY3進行測量浮起基板W之鉛直位置。如圖8所示，各測量範圍RY1、RY2、RY3亦可於Y方向上具有重疊，但其並非必須。
3個測量器72係相對於噴嘴61而被設置於上游側(-X側)。各測量器72由於被連結於噴嘴支撐體601，因此與被安裝於噴嘴支撐體601的噴嘴61一起移動。即，當噴嘴61藉由噴嘴移動機構63而於X方向及Z方向上移動時，各測量器72亦追隨噴嘴61而朝同一方向移動。
<緩衝部80>
如圖7及圖8所示，於噴嘴支撐體601之-X側之側面的中央部安裝有緩衝部80。緩衝部80係於Y軸方向(第2方向D2)上所延伸的板狀構件，其配置為平行於YZ平面。緩衝部80被設置於與吐出口611(噴嘴61之下端部)在第1方向D1上重疊的位置。
緩衝部80配置於較噴嘴61更靠搬送方向即第1方向D1之上游側。因此，於在浮起基板W之上部附著有可接觸於吐出口611的高度之異物之情況下，在該異物接觸至吐出口611之前接觸至緩衝部80。藉此，該異物附著於緩衝部80而自浮起基板W被除去，因此，可減低該異物接觸至吐出口611之情形。再者，亦可於緩衝部80設置有檢測異物接觸至緩衝部80之情形的振動感測器。而且亦可於該振動感測器檢測出異物接觸的情況下，控制單元9控制搬送機構5而使浮起基板W之搬送停止。
圖9係顯示實施形態之控制單元9之概略方塊圖。塗佈裝置1具備有用以控制各部分之動作的控制單元9。控制單元9之硬體構成亦可為與一般之電腦相同。控制單元9具備有進行各種運算處理的CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)91、儲存基本程式的讀取專用之記憶體即ROM(Read-Only Memory，唯獨記憶體)、儲存各種資訊的讀寫自如之記憶體92、及包含有顯示各種資訊之顯示器的顯示部93。作為記憶體92，除了主儲存裝置(RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體))以外，還包含有儲存控制用應用軟體(程式)及資料等的固定磁碟。控制單元9亦可具備有負責與使用者、外部裝置之資訊交換的介面部、及讀取被保存在具有可搬移性之儲存媒體(光學式媒體、磁性媒體、半導體記憶體等)之資訊(程式)的讀取裝置。
<鉛直位置測量處理>
塗佈裝置1進行取得藉由塗佈平台32所進行之基板W之鉛直位置之分布的檢查(以下亦稱為鉛直位置測量處理)。如上述般， 在塗佈平台32上，由於抽吸口322h進行環境氣體之抽吸，因而存在有抽吸異物的情況。於此情況下，因在抽吸口322h產生堵塞，而存在有浮起基板W之浮起高度不足等、於浮起高度發生異常的可能性。鉛直位置測量處理係為了檢測如此般之浮起高度之異常而被進行。較佳為，鉛直位置測量處理配合塗佈裝置1之基板W的製造時程而在適當之時間點進行。例如，可在對批次之前面基板、每天之前面基板、每天下午之前面基板進行塗佈處理之時間點被進行，亦可在對所有基板W進行塗佈處理之時間點被進行。
鉛直位置測量處理亦可使用在實際上塗佈有處理液的塗佈對象即基板W而進行，但亦可使用未塗佈有處理液的非塗佈對象即基板W(以下亦稱為「虛擬之基板W」)而進行。該虛擬之基板W較佳為於上表面Wf未形成有配線圖案等之圖案。於基板W之上表面Wf具有圖案之情況下，來自測量器72之投光部72a的光在圖案被反射而朝向與受光部72b不同的方向，因而存在有無法檢測出來自上表面Wf之反射光的情況。於此，藉由使用於上表面Wf不具有圖案的虛擬之基板W，測量器72可良好地檢測出來自上表面Wf的反射光。因此，可適當地進行鉛直位置之測量。
圖10係顯示塗佈裝置1執行鉛直位置測量處理之各步驟之圖。圖10係顯示對上述虛擬之基板W進行鉛直位置測量處理之情形。當開始鉛直位置測量處理時，控制單元9進行搬入步驟S11。於搬入步驟S11中，控制單元9控制搬送機構5，將自浮起平台部3被賦予有浮起力的基板(浮起基板)W朝向第1方向D1之下游側(+X方向)進行搬送。
搬入步驟S11包含有停止階段S111。如圖10(b)所示 般，停止階段S111為如下之階段，即，控制單元9控制搬送機構5，將浮起基板W搬送至既定位置LW1後，使浮起基板W在既定位置LW1停止。當將浮起基板W配置在既定位置LW1時，浮起基板W之下游側端部(前端)之水平位置係與塗佈平台32之下游側端部(緣部)之水平位置相同，或成為較其而稍微靠上游側的位置。
控制單元9係於停止階段S111之後進行測量步驟S12。測量步驟S12為如下步驟，即，藉由於Y方向上所排列之3個測量器72，在塗佈平台32之上方區域32UR上之複數個地點進行測量浮起基板W之鉛直位置。上方區域32UR為至少覆蓋中間區域32B整體之上方的區域，在本例中為覆蓋較中間區域32B更靠上游側之部分(上游區域32A之一部分)及較中間區域32B更靠下游側之部分(下游區域32C之一部分)之上方的區域。
如圖10(b)所示，於測量步驟S12中，控制單元9控制搬送機構5而將3個測量器72配置在較位於既定位置LW1的浮起基板W之下游側端部稍微靠上游側的水平位置。藉此，成為3個測量器72可測量較下游側端部稍微靠上游側之水平位置上的浮起基板W之鉛直位置的狀態。於此狀態下，控制單元9控制測量器移動部76而使3個測量器72於Y方向(第2方向D2)上移動。於該Y方向移動之期間，控制單元9使3個測量器72各者以既定周期進行測量浮起基板W之鉛直位置。藉此，測量於Y方向所延伸之一直線上之複數地點上的浮起基板W之鉛直位置。藉由該3個測量器72之Y方向移動，不僅可於虛擬之浮起基板W之上表面Wf上相當於塗佈對象區域的區域進行測量浮起基板W之鉛直位置，即便在自該區域朝+Y側及-Y側所超出的部分，仍可進行測量 浮起基板W之鉛直位置。
當3個測量器72之Y方向移動結束時，控制單元9控制噴嘴移動機構63，而使測量單元70朝向第1方向D1之上游側(-X側)移動(X方向移動)。此時之3個測量器72之移動量為塗佈平台32之X方向之尺寸，更佳為使其僅以較中間區域32B之X方向尺寸更小的距離即1間距量進行移動。接著，控制單元9一面再次使3個測量器72朝Y方向移動，一面使3個測量器72各者進行測量在Y方向之複數個地點上的浮起基板W之鉛直位置。
如此，控制單元9藉由交互地進行3個測量器72之X方向移動及Y方向移動，而使3個測量器72於Y方向及X方向上進行鋸齒狀地移動。藉此，如圖10(c)所示，控制單元9進行測量在塗佈平台32之上方區域32UR之複數地點上的浮起基板W之鉛直位置。藉由該測量步驟S12，控制單元9取得在塗佈平台32之上方區域32UR上的浮起基板W之鉛直位置之分布。
亦可於測量步驟S12之後，或於測量步驟S12之途中，使控制單元9進行判定所被測量之各鉛直位置是否為正常。此判定為將測量值與臨限值加以比較而進行即可。可於鉛直位置被判定為異常之情況下，控制單元9以既定之輸出手段(顯示部93、燈、揚聲器等)將該內容通知至外部。此外，亦可於鉛直位置被判定為異常之情況下，控制單元9使塗佈裝置1之動作停止。
當測量步驟S12結束時，控制單元9進行搬出步驟S13。在測量步驟S12所被使用的基板W係非塗佈對象即虛擬之基板W。因此，如圖10(d)所示，搬出步驟S13中，控制單元9控制搬送機構5，而使浮起基板W朝下游側移動。藉此，浮起基板W 係自塗佈平台32上朝下游側被搬出。藉此，可將成為塗佈對象的下一基板W朝塗佈平台32進行搬入。
於圖10所示之鉛直位置測量處理亦可使用塗佈對象之基板W而進行。於此情況下，在圖10(c)所示之測量步驟S12之後，控制單元9控制移動機構63而使噴嘴61移動至塗佈位置L11。塗佈位置L11為自噴嘴61所吐出而附著於浮起基板W時的處理液之水平位置成為中間區域32B之內側時的噴嘴61之位置。此外，控制單元9使浮起基板W朝上游側移動，而使浮起基板W移動至開始塗佈時之位置。當噴嘴61及浮起基板W之移動結束時，控制單元9控制塗佈機構6而自噴嘴61吐出處理液，並且控制搬送機構5而使浮起基板W朝下游側移動。藉此，於塗佈平台32之中間區域32B上，將處理液塗佈於浮起基板W之塗佈對象區域。
於本實施形態中，藉由使測量器72於Y方向(第2方向D2)上移動，而可進行測量Y方向之複數地點之鉛直位置。藉此，可取得Y方向上之浮起基板W之鉛直位置之分布，因此可良好地檢測出浮起基板W之浮起高度之異常。藉由使測量器72亦於X方向(第1方向D1)上移動，而可取得塗佈平台32之上方區域32UR的浮起基板W之鉛直位置之分布。藉此，可良好地檢測出有可能對塗佈造成影響之區域的浮起基板W之浮起高度之異常。藉此，可適當地實施塗佈處理。
此外，如圖10(b)所示，將浮起基板W之下游側端部配置在塗佈平台32之下游側端部(緣部)。藉此，對於浮起基板W而言，大致上難以受到來自較塗佈平台32位於上游側的出口浮起平台33之浮起力的影響。因此，可檢測出因被設置於塗佈平台32 之下游側端部的抽吸口322h之堵塞而所導致之浮起基板W之浮起高度之異常。
圖11係顯示塗佈裝置1執行鉛直位置測量處理之各步驟之圖。圖11顯示對於塗佈對象之浮起基板W所進行之鉛直位置測量處理之情況。當開始鉛直位置測量處理時，控制單元9如圖11(a)所示般進行搬入步驟S11。搬入步驟S11係與圖10(a)所示之搬入步驟相同。
搬入步驟S11包含有停止階段S111a。如圖11(b)所示般，停止階段S111a為如下之階段，即，控制單元9控制搬送機構5，將浮起基板W搬送至既定位置LW2後，使浮起基板W在既定位置LW2停止。當將浮起基板W配置在既定位置LW2時，浮起基板W之下游側端部之水平位置被配置在下游區域32C之上方。再者，此時之下游側端部之水平位置可為塗佈平台32之中間區域32B之上方，亦可為中間區域32B與下游區域32C的交界上。
控制單元9係於停止階段S111a後進行測量步驟S12a。測量步驟S12a係與測量步驟S12同樣，為如下之步驟，即，藉由於Y方向上所排列的3個測量器72，在塗佈平台32之上方區域321UR的複數個地點進行測量浮起基板W之鉛直位置。上方區域321UR為覆蓋進行有處理液之塗佈的中間區域32B及較中間區域32B更靠上游側之部分(上游區域32A之一部分)之上方的區域。
如圖11(b)所示，於測量步驟S12a中，控制單元9控制搬送機構5而將3個測量器72配置在較位於既定位置LW2的浮起基板W之下游側端部稍微靠上游側的水平位置。藉此，成為3個測量器72可測量較下游側端部稍微靠上游側之水平位置的浮起 基板W之鉛直位置的狀態。於此狀態下，控制單元9控制測量器移動部76而使3個測量器72於Y方向(第2方向D2)上移動。
於該Y方向移動之期間，控制單元9使3個測量器72各者以既定周期進行測量浮起基板W之鉛直位置。藉此，測量於Y方向所延伸之一直線上之複數地點的浮起基板W之鉛直位置。
當3個測量器72之Y方向移動結束時，控制單元9控制移動機構63，而使測量單元70朝向第1方向D1之上游側(-X側)移動(X方向移動)。此時之3個測量器72之移動量為使其較塗佈平台32之X方向之尺寸，更佳為較中間區域32B之X方向尺寸更小之距離即僅1間距量移動。接著，控制單元9一面再次使3個測量器72朝Y方向移動，一面使3個測量器72各者進行測量Y方向之複數個地點上的浮起基板W之鉛直位置。
如此，控制單元9藉由交互地進行3個測量器72之X方向移動及Y方向移動，而使3個測量器72於Y方向及X方向上鋸齒狀地移動。藉此，如圖11(c)所示，控制單元9進行測量塗佈平台32之上方區域321UR之複數地點的浮起基板W之鉛直位置。藉由該測量步驟S12a，控制單元9取得塗佈平台32之上方區域321UR的浮起基板W之鉛直位置之分布。
亦可於測量步驟S12a之後，或於測量步驟S12a之途中，使控制單元9判定所測量之各鉛直位置是否正常。該判定可設定為將測量值與臨限值加以比較而進行。可於鉛直位置被判定為異常之情況下，控制單元9以既定之輸出手段(顯示部93、燈、揚聲器等)將該內容通知至外部。此外，亦可於鉛直位置被判定為異常之情況下，控制單元9使塗佈裝置1之動作停止。
當測量步驟S12a結束時，控制單元9進行塗佈步驟S14。於塗佈步驟S14中，控制單元9控制移動機構63而使噴嘴61移動至塗佈位置L11。再者，亦可於測量步驟S12a之結束時間點，以使噴嘴61到達至塗佈位置L11之方式進行各測量器72之X方向移動，或進行噴嘴61與測量器72間之距離的設定。於此情況下，於測量步驟S12a之後可省略轉移至塗佈步驟S14時的噴嘴61之移動。此外，控制單元9係控制搬送機構5而使浮起基板W移動至處理液自塗佈位置L11之噴嘴61被供給至塗佈對象區域之上游側端部的既定之供給開始位置。再者，於既定位置LW2為與該供給開始位置一致的情況下，可省略浮起基板W之移動。當噴嘴61及浮起基板W之移動結束時，控制單元9控制塗佈機構6而自噴嘴61吐出處理液，且控制搬送機構5而使浮起基板W朝下游側移動。藉此，於塗佈平台32之中間區域32B上，對浮起基板W之塗佈對象區域進行塗佈處理液。
根據於圖11所示之鉛直位置測量處理，可於塗佈平台32中進行塗佈處理的中間區域32B取得Y方向上的浮起基板W之鉛直位置之分布。藉此，對於Y方向，可良好地特定出於浮起基板W上具有浮起量異常的部位，因此可減低塗佈不良之產生。此外，取得鉛直位置之分布的上方區域321UR係較與塗佈平台32之大致整面所對應的上方區域32UR為更小，因此可縮短測量時間。
在圖11所示之例中，於測量步驟S12a，各測量器72於包含自測量位置ML1至測量位置ML2的範圍移動。測量位置ML1為各測量器72可測量來自噴嘴61的處理液附著於浮起基板W之水平位置上的浮起基板W之鉛直位置時的各測量器72之水平位 置。測量位置ML2為各測量器72可測量噴嘴61吐出處理液時(即噴嘴61配置於塗佈位置L11時)之緩衝部80之水平位置上的浮起基板W之鉛直位置時的各測量器72之水平位置。藉由將各測量器72配置於測量位置ML2，可測量噴嘴61被配置於塗佈位置L11時的緩衝部80之水平位置上的浮起基板W之鉛直位置，因此可檢測出緩衝部80之水平位置上的浮起高度之異常。因此，可減低於塗佈處理時浮起基板W接觸至緩衝部80的情形。
<2.變形例>
以上，已對於實施形態進行說明，但本發明並非受上述內容所限定者，其可進行各種變形。
測量單元70無須具備有3個測量器72。例如，測量單元70亦可具備有2個或4個以上的測量器72。此外，測量單元70亦可具備有單一之測量器72。然而，藉由將複數個測量器72在Y方向上隔開間隔而進行配置，可在Y方向上在不同之複數個位置進行測量浮起基板W之鉛直位置。藉此，相較於設置單一之測量器72之情況，可更縮短各測量器72之移動距離，因此可縮短測量時間。
測量器移動部76(測量器移動機構)無須使3個測量器72一體地於Y方向上移動。例如，亦可設置有使3個測量器72個別地於Y方向上移動的測量器移動機構。然而，藉由使複數個測量器72一體地移動，可簡化使測量器72移動的構成。
無須使測量單元70藉由移動機構63而與噴嘴61一體地朝X方向移動。例如，亦可將測量單元70自噴嘴61獨立出來， 而設置使其於X方向上移動的測量器移動機構。然而，藉由使複數個測量器72與噴嘴61一體地移動，可簡化使測量器72移動的構成。
測量單元70亦可於X方向上隔開固定之間隔而具備有2個以上的測量器72。於此情況下，藉由各測量器72之Y方向移動，可同時地測量2條直線上的浮起基板W之鉛直位置。
亦可不將測量單元70安裝於噴嘴支撐體601，而是另外設置於其他之橋接構造體，並將測量單元70安裝於該橋接構造體。此外，由於維護單元65為橋接構造體，因此亦可相對於維護單元65之槽651而於Y方向及X方向上移動自如地安裝測量單元70。於此情況下，亦可設為不設置有驅動部而以手動使測量單元70移動的構成。
已詳細地說明本發明，但上述說明之所有態樣僅為例示，本發明並非受該等態樣所限制者。未例示之無數個變形例可解釋為不超出本發明之範圍而可推知者。上述各實施形態及各變形例所說明之各構成只要不相互矛盾即可適當地加以組合，或加以省略。
1‧‧‧塗佈裝置
3‧‧‧浮起平台部(浮起機構)
5‧‧‧搬送機構
6‧‧‧塗佈機構
31‧‧‧入口浮起平台
31h、33h、321h‧‧‧噴出口
32‧‧‧塗佈平台
32UR‧‧‧上方區域
33‧‧‧出口浮起平台
51R‧‧‧夾頭構件
61‧‧‧噴嘴
70‧‧‧測量單元
72‧‧‧測量器
74‧‧‧連結件
76‧‧‧測量器移動部(測量器移動機構)
80‧‧‧緩衝部
322h‧‧‧抽吸口
601‧‧‧噴嘴支撐體
603‧‧‧中間部
611‧‧‧吐出口
D1‧‧‧第1方向
LW1‧‧‧既定位置
S11‧‧‧搬入步驟
S12‧‧‧測量步驟
S13‧‧‧搬出步驟
S111‧‧‧停止階段
W‧‧‧基板(浮起基板)
Wf‧‧‧上表面(第1主表面)

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，其係處理具有第1主表面及第2主表面的基板者；其具備有：浮起機構，其對上述第1主表面於鉛直方向朝上的基板賦予浮起力；搬送機構，其使被賦予上述浮起力的上述基板即浮起基板於水平方向即第1方向上移動；噴嘴，其具有於與上述第1方向正交的水平方向即第2方向上延伸的吐出口，並可朝向上述浮起基板之上述第1主表面自上述吐出口吐出處理液；測量器，其測量上述浮起基板之鉛直位置；測量器移動機構，其使上述測量器朝上述第2方向及上述第1方向之上游側及下游側移動；及緩衝部，其設置在相對於上述噴嘴而在上述第1方向之上游側之位置，且為至少與上述噴嘴之上述吐出口之前端部在水平方向上重疊的位置；上述測量器移動機構係使上述測量器在：可測量來自上述噴嘴之上述處理液於附著上述浮起基板之水平位置，即附著水平位置中上述浮起基板之鉛直位置的位置，至可測量上述噴嘴吐出上述處理液時的上述緩衝部之水平位置中上述浮起基板之鉛直位置的位置之間，於上述第2方向上移動。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，具有複數個上述測量器，該等係在上述第2方向之不同的位置上進行測量上述浮起基板之鉛直位置。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，進而具備有：連結件，其連結上述複數個測量器；上述測量器移動機構係使上述連結件於上述第2方向上移動。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述浮起機構包含有：平台，其具有水平面；複數個噴出口，其被設置於上述水平面，並朝向上述鉛直方向之上側噴出空氣；及複數個抽吸口，其被設置於上述水平面，並抽吸上述鉛直方向之上側之空氣。
  5. 一種基板處理裝置，其係處理具有第1主表面及第2主表面的基板者；其具備有：浮起機構，其對上述第1主表面於鉛直方向朝上的基板賦予浮起力；搬送機構，其使被賦予上述浮起力的上述基板即浮起基板於水平方向即第1方向上移動；噴嘴，其具有於與上述第1方向正交的水平方向即第2方向上延伸的吐出口，並可朝向上述浮起基板之上述第1主表面自上述吐出口吐出處理液；測量器，其測量上述浮起基板之鉛直位置；及測量器移動機構，其使上述測量器於上述第2方向上移動；上述測量器移動機構係，在上述浮起基板之上述第1方向下游側之端部配置於上述浮起機構所包含之平台之上述第1方向下游側之緣部的狀態下，使上述測量器於上述第2方向上移動。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中，上述測量器移動機構係使 上述測量器朝上述第2方向及上述第1方向之上游側及下游側移動。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中，進而具備有：緩衝部，其設置在相對於上述噴嘴而在上述第1方向之上游側之位置，且為至少與上述噴嘴之上述吐出口之前端部在水平方向上重疊的位置。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中，上述測量器移動機構係使上述測量器在：可測量來自上述噴嘴之上述處理液於附著上述浮起基板之水平位置，即附著水平位置中上述浮起基板之鉛直位置的位置，至可測量上述噴嘴吐出上述處理液時的上述緩衝部之水平位置中上述浮起基板之鉛直位置的位置之間，於上述第2方向上移動。
  9. 如請求項5至8中任一項之基板處理裝置，其中，具有複數個上述測量器，該等係在上述第2方向之不同的位置上進行測量上述浮起基板之鉛直位置。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中，進而具備有：連結件，其連結上述複數個測量器；上述測量器移動機構係使上述連結件於上述第2方向上移動。
  11. 如請求項5至8中任一項之基板處理裝置，其中，上述浮起機構包含有：平台，其具有水平面；複數個噴出口，其被設置於上述水平面，並朝向上述鉛直方向之上側噴出空氣；及複數個抽吸口，其被設置於上述水平面，並抽吸上述鉛直方向之上側之空氣。
  12. 一種基板處理方法，其係處理具有第1主表面及第2主表面的基板者；上述基板處理方法係使用具有噴嘴及緩衝部之基板處理裝置來進行，上述基板處理方法包含有：(a)對上述第1主表面於鉛直方向朝上的基板賦予浮起力的步驟；(b)使藉由上述步驟(a)而被賦予浮起力的上述基板即浮起基板於水平方向即第1方向上移動的步驟；及(c)使測量上述浮起基板之鉛直位置的測量器朝與上述第1方向正交的水平方向即第2方向及上述第1方向之上游側及下游側移動，藉此測量上述浮起基板之上述第2方向之複數點上的鉛直位置的步驟；上述噴嘴係具有於上述第2方向上延伸的吐出口，並可朝向上述浮起基板之上述第1主表面自上述吐出口吐出處理液，上述緩衝部係設置在相對於上述噴嘴而在上述第1方向之上游側之位置，且為至少與上述噴嘴之上述吐出口之前端部在水平方向上重疊的位置，於上述步驟(c)中，上述測量器在：可測量來自上述噴嘴之上述處理液於附著上述浮起基板之水平位置，即附著水平位置中上述浮起基板之鉛直位置的位置，至可測量上述噴嘴吐出上述處理液時的上述緩衝部之水平位置中上述浮起基板之鉛直位置的位置之間，於上述第2方向上移動。
  13. 一種基板處理方法，其係處理具有第1主表面及第2主表面的基板者；上述基板處理方法係使用具有對上述第1主表面於鉛直方向朝上的上述基板賦予浮起力之浮起機構的基板處理裝置來進 行，上述基板處理方法包含有：(a)對上述第1主表面於鉛直方向朝上的基板賦予浮起力的步驟；(b)使藉由上述步驟(a)而被賦予浮起力的上述基板即浮起基板於水平方向即第1方向上移動的步驟；及(c)使測量上述浮起基板之鉛直位置的測量器於與上述第1方向正交的水平方向即第2方向移動，藉此測量上述浮起基板之上述第2方向之複數點上的鉛直位置的步驟；於上述步驟(c)中，在上述浮起基板之上述第1方向下游側之端部配置於上述浮起機構所包含之平台之上述第1方向下游側之緣部的狀態下，使上述測量器於上述第2方向上移動。
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