CN110676192A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置和基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110676192A
CN110676192A CN201910595463.XA CN201910595463A CN110676192A CN 110676192 A CN110676192 A CN 110676192A CN 201910595463 A CN201910595463 A CN 201910595463A CN 110676192 A CN110676192 A CN 110676192A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
floating
nozzle
measuring
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910595463.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110676192B (zh
Inventor
富藤幸雄
辻雅夫
大宅宗明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN110676192A publication Critical patent/CN110676192A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110676192B publication Critical patent/CN110676192B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715Changing the direction of the conveying path
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法,向被施加浮起力并搬运的基板良好地涂敷处理液。涂敷装置(1)具有:搬运机构(5),使由浮起工作台部(3)被施加浮起力的浮起基板(W)沿着X方向移动;测量器(72),测量浮起基板(W)的铅垂位置;以及测量器移动部(76),使测量器(72)沿着Y方向移动。测量器(72)通过沿着Y方向移动,测量Y方向的不同的多个地点上的浮起基板W的铅垂位置。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法,特别地,涉及一种向被施加浮起力来搬运的基板合适地涂敷处理液的技术。作为处理对象的基板包括例如半导体基板、液晶显示装置以及有机电致发光(EL:Electroluminescence)显示装置等平板显示器(FPD:Flat Panel Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板。
背景技术
在半导体装置及液晶显示装置等电子部件等的制造工序中,使用向基板的表面涂敷涂敷液的涂敷装置。作为这样的涂敷装置,已知具有如下装置:一边在向基板的背面吹送空气使基板浮起的状态下搬运该基板,一边从沿着基板的宽度方向延伸的喷嘴向该基板的表面(相当于基板的主面)喷出涂敷液,来对基板涂敷涂敷液(例如,专利文献1)。
在专利文献1所记载的基板处理装置中,在浮起工作台上使基板以水平姿势浮起,并且保持基板的周缘部使其沿水平方向移动,从而搬运该基板,并从配置在基板搬运路径的上方的狭缝喷嘴喷出涂敷液。
在专利文献1的基板处理装置中,在基板的上方具有测量基板的浮起高度的光学式距离传感器。根据基板的浮起高度,能够一边调整狭缝喷嘴的高度一边供给涂敷液。
专利文献1:日本特开2012-142583号公报
但是,在专利文献1中,由于光学式距离传感器被固定于狭缝喷嘴,因此在与搬运方向正交的横向(基板的宽度方向)上只能在固定的位置测量基板的浮起高度。因此,不能获取基板的横向的浮起高度的分布。例如,因浮起工作台的浮起力不足等而在横向的基板的浮起高度上产生偏差的情况下,存在引起处理液的涂敷不良的担忧。
发明内容
因此,本发明的目的在于,提供一种技术,能够向被施加浮起力来搬运的基板良好地涂敷处理液。
为了解决上述课题,第一方式是一种基板处理装置,处理具有第一主面及第二主面的基板,其中,所述基板处理装置具有:浮起机构,对所述第一主面在铅垂方向上向上的所述基板施加浮起力;搬运机构,使被施加所述浮起力的所述基板即浮起基板沿着第一方向移动,所述第一方向为水平方向;喷嘴,具有沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸的喷出口,能够从所述喷出口朝向所述浮起基板的所述第一主面喷出处理液,所述第二方向为水平方向;测量器,测量所述浮起基板的铅垂位置;以及测量器移动机构,使所述测量器沿着所述第二方向移动。
第二方式是第一方式的基板处理装置,其中,所述测量器移动机构使所述测量器朝向所述第二方向以及所述第一方向的上游侧以及下游侧移动。
第三方式是第二方式的基板处理装置,其中,所述基板处理装置还具备缓冲部,所述缓冲部设置于如下位置:相对于所述喷嘴位于所述第一方向的上游侧,且至少与所述喷嘴的所述喷出口的顶端部在水平方向上重叠。
第四方式是第三方式的基板处理装置,其中,所述测量器移动机构使所述测量器在第一位置至第二位置之间沿着所述第二方向移动,所述第一位置是能够测量所述浮起基板的来自所述喷嘴的所述处理液附着于所述浮起基板的水平位置即附着水平位置上的铅垂位置的位置,所述第二位置是能够测量所述浮起基板的所述喷嘴喷出所述处理液时的所述缓冲部的水平位置上的铅垂位置的位置。
第五方式是从第一方式至第四方式中的任一个所述基板处理装置,其中,所述基板处理装置具有多个所述测量器,多个所述测量器在所述第二方向的不同的位置测量所述浮起基板的铅垂位置。
第六方式是第五方式的基板处理装置,其中,所述基板处理装置还具备连接工具,所述连接工具连接所述多个测量器,所述测量器移动机构使所述连接工具沿着所述第二方向移动。
第七方式是第一方式至第六方式中的任一个所述的基板处理装置,其中,所述浮起机构包括:工作台,具有水平面;多个喷出口,设置于所述水平面,朝向所述铅垂方向的上侧喷出空气;多个抽吸口,设置于所述水平面,抽吸所述铅垂方向的上侧的空气。
第八方式是第一方式至第七方式中的任一个所述的基板处理装置,其中,所述测量器移动机构在所述浮起基板的所述第一方向下游侧的端部配置于所述工作台的所述第一方向下游侧的边缘部的状态下,使所述测量器沿着所述第二方向移动。
第九方式是一种基板处理方法,处理具有第一主面及第二主面的基板,其中,所述基板处理方法包括:工序(a),对所述第一主面在铅垂方向上向上的所述基板施加浮起力;工序(b),使通过所述工序(a)被施加浮起力的所述基板即浮起基板沿着第一方向移动,所述第一方向为水平方向;工序(c),通过使测量所述浮起基板的铅垂位置的测量器沿着与所述第一方向正交的第二方向移动,测量所述浮起基板上的所述第二方向的多个点的铅垂位置,所述第二方向为水平方向。
根据第一方式的基板处理装置,通过使测量器沿着第二方向移动,能够沿着第二方向测量铅垂位置。因此,能够在沿着基板的第二方向的多个点测量铅垂位置。由此,由于在第二方向上能够检测由浮起机构引起的基板的浮起高度异常,因此能够向基板良好地涂敷处理液。
根据第二方式的基板处理装置,通过沿着第一方向以及第二方向移动,能够测量基板的第一主面的面内的多个点的铅垂位置。
根据第三方式的基板处理装置,在基板上有异物的情况下,缓冲部先于喷嘴的喷出口与该异物冲突。由此,能够保护喷嘴的顶端部不受异物影响。
根据第四方式的基板处理装置,由于在从喷嘴喷出处理液时在缓冲部配置(相向)的基板的水平位置,能够测量基板的铅垂位置,因此能够检测缓冲部的位置上的浮起高度的异常。因此,在涂敷处理时,能够减少基板与缓冲部接触。
根据第五方式的基板处理装置,由于能够同时在多个点测量浮起基板的铅垂位置,因此与使单个测量器沿着Y方向移动的情况相比能够使移动距离变短,从而能够缩短测量时间。
根据第六方式的基板处理装置,能够使多个测量器一体地移动。因此,与使多个测量器独立地移动的情况相比,能够简化移动机构的结构。
根据第七方式的基板处理装置,通过向处理对象的基板喷出空气,并且抽吸空气,从而能够精密地搬运。
根据第八方式的基板处理装置,由于使浮起基板的下游侧的端部配置于工作台的下游侧的边缘部,因此能够检测因设置于工作台的下游侧的端部的抽吸口的堵塞而引起的基板的浮起高度的异常。
根据第九方式的基板处理方法,通过使测量器沿着第二方向移动,能够沿着第二方向测量铅垂位置。因此,能够在沿着基板的第二方向的多个点测量铅垂位置。由此,由于能够在第二方向上检测由浮起机构引起的基板的浮起高度异常,因此能够向涂敷基板良好地涂敷处理液。
附图说明
图1是示意地表示作为实施方式的基板处理装置的一个例子的涂敷装置1的整体结构的侧视图。
图2是从铅垂方向的上侧观察的实施方式的涂敷装置1的概略俯视图。
图3是表示实施方式的除了涂敷机构6之外的涂敷装置1的概略俯视图。
图4是沿图2所示的A-A线的位置上的涂敷装置1的概略剖视图。
图5是表示实施方式的浮起工作台部3的一部分的概略俯视图。
图6是表示喷嘴支撑体601和测量单元70的概略俯视图。
图7是表示喷嘴61、测量单元70以及缓冲部80的概略侧视图。
图8是表示喷嘴61、测量单元70以及缓冲部80的概略主视图。
图9是表示实施方式的控制单元9的概略框图。
图10A至图10D是表示涂敷装置1所执行的铅垂位置测量处理的各个工序的图。
图11A至图11D是表示涂敷装置1所执行的铅垂位置测量处理的各个工序的图。
其中,附图标记说明如下:
1 涂敷装置
3 浮起工作台部(浮起机构)
31 入口浮起工作台
32 涂敷工作台
321h 喷出口
322h 抽吸口
33 出口浮起工作台
5 搬运机构
6 涂敷机构
601 喷嘴支撑体
61 喷嘴
611 喷出口
63 喷嘴移动机构
70 测量单元
72 测量器
72a 投光部
72b 受光部
74 连接工具
76 测量器移动部(测量器移动机构)
80 缓冲部
9 控制单元
D1 第一方向
D2 第二方向
L11 涂敷位置
L13 预备喷出位置
L14 清洗位置
ML1、ML2 位置
S11 搬入工序
S12、S12a 测量工序
S13 搬出工序
S14 涂敷工序
W 基板、浮起基板
Wf 上面(第一主面)
具体实施方式
下面,参考附图对本发明的实施方式进行说明。此外,该实施方式所记载的结构构件只是例示,本发明的范围并不限于此。在附图中,为了便于理解,有时会根据需要夸大或简化各个部分的尺寸或数量来进行图示。
若无特别提示,表示相对或绝对位置关系的表述(例如,“平行”、“正交”、“中心”、“同心”、“同轴”等)不仅严谨地表示该位置关系,也表示在能得到公差或者相同程度的功能的范围内角度或距离相对地发生位移的状态。若无特别提示,表示等同状态的表述(例如,“相同”、“等同”、“均质”、“一致”等)不仅定量严谨地表示等同状态,也表示存在能得到公差或者相同程度的功能的差的状态。若无特别提示,表示形状的表述(例如,“四边形”或者“圆筒形”等)不仅严谨地表示几何学上的该形状,也表示在能够得到相同程度的效果的范围内例如具有凹凸或倒角等的形状。若无特别提示,所谓“~之上”不仅包括两个构件接触的情况,还包括两个构件分离的情况。
<1.第一实施方式>
图1是示意地表示作为实施方式的基板处理装置的一个例子的涂敷装置1的整体结构的侧视图。图2是从铅垂方向的上侧观察的实施方式的涂敷装置1的概略俯视图。图3是表示实施方式的除涂敷机构6之外的涂敷装置1的概略俯视图。图4是沿图2所示A-A线的位置上的涂敷装置1的概略剖视图。图5是表示实施方式的浮起工作台部3的一部分的概略俯视图。
涂敷装置1是一种狭缝涂敷机,其以水平姿势(基板W的上表面Wf(第一主面)以及下表面(第二主面)与水平面(XY平面)平行的姿势)搬运四边形的基板W,并对该基板W的上表面Wf涂敷处理液(涂敷液)。在各个图中,为了明确涂敷装置1的各个部的位置关系,将与搬运基板W的第一方向D1平行的方向作为“X方向”,将从输入输送器100朝向输出输送器110的方向设定为“+X方向”,将其相反方向设定为“-X方向”。将与X方向正交的水平方向设定为“Y方向”,将图1中朝向跟前侧的方向设定为“-Y方向”,将其相反方向设定为“+Y方向”。将与X方向及Y方向正交的铅垂方向设定为Z方向,将从浮起工作台部3观察朝向涂敷机构6侧的向上的方向设定为“+Z方向”,将其相反方向作为“-Z方向”。
涂敷装置1的基本结构及工作原理与日本特开2010-227850号公报、日本特开2010-240550公报所记载的内容部分共通或类似。因此,在本说明书中会适当省略涂敷装置1的各个结构中与上述公知文献所记载的装置相同或者基于技术常识等能够容易类推的结构。
涂敷装置1沿搬运基板W的第一方向D1(+X方向)依次具有输入输送器100、输入移载部2、浮起工作台部3、输出移载部4和输出输送器110。这些构件相互接近地配置,由此,形成基板W的搬运路径。此外,在以下的说明中,当与基板的搬运方向即第一方向D1相关联地表示位置关系时,有时将“第一方向的上游侧”简略为“上游侧”,将“第一方向D1的下游侧”简略为“下游侧”。在本例中,从某基准位置来观察,-X侧为“上游侧”,+X侧为“下游侧”。
输入输送器100具有辊柱输送器101和旋转驱动辊柱输送器101的旋转驱动机构102。通过辊柱输送器101的旋转,以水平姿势向下游侧(+X侧)搬运基板W。
输入移载部2具有辊柱输送器21和使辊柱输送器21旋转的旋转驱动机构22。通过辊柱输送器21进行旋转,从而沿+X方向搬运基板W。此外,通过辊柱输送器21进行升降,从而变更基板W的铅垂位置。通过输入移载部2的动作,从而将基板W从输入输送器100移载至浮起工作台部3。
浮起工作台部3沿第一方向D1包括三个平板状的工作台。具体而言,浮起工作台部3沿第一方向D1依次具有入口浮起工作台31、涂敷工作台32和出口浮起工作台33。上述各个工作台的上表面位于同一平面上。
在入口浮起工作台31及出口浮起工作台33的彼此的上表面上,矩阵状地设置有喷出从浮起控制机构35供给的空气(压缩空气)的多个喷出口31h、33h。通过从多个喷出口31h、33h喷出的压缩空气,向基板W施加浮起力,从而在基板W的下表面(第二主面)从各个工作台31、33的上表面离开的状态下,以水平姿势支撑基板W。基板W的下表面与工作台31、33的上表面之间的距离可以设为例如10μm(微米)~500μm。
如图5所示,在涂敷工作台32的上表面上设置有喷出空气(压缩空气)的多个喷出口321h和抽吸涂敷工作台32的上方的气体的多个抽吸口322h。在涂敷工作台32的上表面,喷出口321h和抽吸口322h沿X方向及Y方向交替地设置。浮起控制机构35以来自各个喷出口321h的压缩空气的喷出量与各个抽吸口322h对气体的抽吸量达到平衡的方式进行控制,从而能够精密地控制基板W的下表面和涂敷工作台32的上表面之间的距离。由此,将通过涂敷工作台32的上方的基板W的上表面Wf的铅垂位置控制为既定值。作为浮起工作台部3的结构,可以适用日本特开2010-227850号公报所记载的结构。
涂敷工作台32沿+X方向依次具有上游区域32A、中间区域32B以及下游区域32C。此处,通过将涂敷工作台32的上表面沿X方向分别分割为1/3所获得的三个区域分别为上游区域32A、中间区域32B以及下游区域32C,中间区域32B成为占据涂敷工作台32的上表面的中央的区域。
与上游区域32A和下游区域32C相比,中间区域32B的的喷出口321h和抽吸口322h的分布密度(每个单面积的数量)变大。因此,中间区域32B与上游区域32A和下游区域32C相比,能够精密地控制基板W的浮起量。
在中间区域32B的上方设定喷嘴61的涂敷位置L11。即,在中间区域32B的上方配置有喷嘴61的喷出口611的状态下,向从涂敷工作台32提供有浮起力的基板W(以下,称为“浮起基板W”。)供给来自喷出口611的处理液。然后,从喷出口611喷出的处理液附着于浮起基板W时的水平方向的位置即水平位置也设定于中间区域32B的上方。这样,通过在能够精密地控制浮起量的中间区域32B上向浮起基板W供给处理液,能够良好地进行涂敷处理。
通过辊柱输送器21的旋转,经由输入移载部2搬入浮起工作台部3的基板W得到向+X方向的推动力,并被搬运到入口浮起工作台31上。浮起工作台部3上的基板W的搬运由搬运机构5进行。
搬运机构5具有卡盘51和吸附及移动控制机构52。卡盘51通过与基板W的下表面周缘部部分抵接而从下方支撑基板W。吸附及移动控制机构52具有对设置在向卡盘51上端的支撑部位的吸附垫施加负压,使基板W吸附保持于卡盘51的功能。此外,吸附及移动控制机构52还具有使卡盘51沿X方向直线状地往复移动的功能。
在卡盘51保持基板W的状态下,基板W的下表面位于比浮起工作台部3的各个工作台31、32、33的上表面更靠近+Z侧的位置。基板W通过卡盘51吸附保持周缘部,并通过由浮起工作台部3施加的浮起力整体维持水平姿势。
卡盘51保持从输入移载部2搬入至浮起工作台部3的基板W,在该状态下,卡盘51沿着+X方向移动,从而将基板W从入口浮起工作台31的上方经由涂敷工作台32的上方向出口浮起工作台33的上方搬运。基板W被交接至配置在出口浮起工作台33的+X侧的输出移载部4。
输出移载部4具有辊柱输送器41和旋转驱动该辊柱输送器41的旋转驱动机构42。通过辊柱输送器41的旋转,向基板W施加朝向+X方向的推动力,从而将基板W向第一方向D1搬运。通过输出移载部4的动作,将基板W从出口浮起工作台33的上方移载至输出输送器110。
输出输送器110具有使辊柱输送器111旋转的旋转驱动机构112。通过辊柱输送器111的旋转,沿+X方向搬运基板W并向涂敷装置1的外部搬出基板W。输入输送器100及输出输送器110也可以设置为涂敷装置1的一部分,也可以与涂敷装置1单独地设置。例如,输入输送器100也可以是设置在涂敷装置1的上游侧的其他单元的基板搬出机构。此外,输出输送器110也可以是设置在涂敷装置1的下游侧的其他单元的基板接收机构。
在基板W的搬运路径上,设置有向基板W的上表面Wf涂敷处理液的涂敷机构6。涂敷机构6具有包括喷出处理液的喷嘴61的喷嘴单元60、对喷嘴61进行定位的喷嘴移动机构63、以及维护喷嘴61的维护单元65。
喷嘴61是沿着与第一方向D1正交的第二方向D2(Y方向)延伸的构件,所述第二方向D2为水平方向。喷嘴61的下端部在宽度方向上延伸,并且具有向下开口的喷出口611。从喷出口611喷出处理液。
喷嘴移动机构63使喷嘴61在X方向和Z方向上移动来定位。通过喷嘴移动机构63的动作,喷嘴61被定位于涂敷工作台32的上方的涂敷位置L11。通过在喷嘴61被定位于涂敷位置L11的状态下,喷嘴61向基板W的上表面Wf喷出处理液,向基板W涂敷处理液。这样,涂敷位置L11是执行涂敷时的喷嘴61的位置。
通过在喷嘴61配置于涂敷位置L11的状态下,向基板W喷出处理液,在基板W的上表面Wf中的、除周缘部之外的内侧的涂敷对象区域形成处理液的涂膜。
维护单元65具有桶(vat)651、预备喷出辊652、喷嘴清洁器653以及维护控制机构654。桶651贮存用于清洗喷嘴61的清洗液。维护控制机构654控制预备喷出辊652以及喷嘴清洁器653。作为维护单元65的结构,例如,可以适用日本特开2010-240550号公报所记载的结构。
喷嘴移动机构63将喷嘴61定位于预备喷出位置L13,所述预备喷出位置L13是喷出口611在预备喷出辊652的上方与其表面相对的位置。喷嘴61在预备喷出位置L13从喷出口611向预备喷出辊652的表面喷出处理液(预备喷出处理)。喷嘴61在定位于上述的涂敷位置L11之前定位于预备喷出位置L13,执行预备喷出处理。由此,能够从初始阶段使向基板W的处理液的喷出稳定。若维护控制机构654使预备喷出辊652旋转,则从喷嘴61喷出的处理液与贮存于桶651的清洗液混合并被回收。
喷嘴移动机构63将喷嘴61定位在清洗位置L14,所述清洗位置L14是该喷嘴61的顶端部(包括喷出口611及其附近的区域)与喷嘴清洁器653的上方相对的位置。在喷嘴61处于清洗位置L14的状态下,喷嘴清洁器653一边喷出清洗液,一边沿喷嘴61的宽度方向(Y方向)移动,从而冲洗掉附着在喷嘴61的顶端部的处理液等。
喷嘴移动机构63还可以将喷嘴61定位在待机位置,所述待机位置是比清洗位置L14更靠下方且喷嘴61的下端部容纳在桶651内的位置。当在涂敷装置1未执行使用喷嘴61的涂敷处理时,可以将喷嘴61定位在该待机位置。虽然省略了图示,但是,还可以具有待机舱,所述待机舱用于防止定位于待机位置的喷嘴61的喷出口611的处理液干燥。
在图1中,处于预备喷出位置L13的喷嘴61用实线表示,处于涂敷位置L11、下游位置L12以及清洗位置L14的喷嘴61用虚线表示。
本实施方式的涂敷机构6仅具有一个喷嘴61,但也可以具有多个喷嘴61。也可以沿着第一方向D1隔开间隔地设置有多个喷嘴61。在该情况下,通过对多个喷嘴61供给不同的处理液,从而可以向基板W涂敷不同的处理液。此外,可以分别设置与各个喷嘴61对应的喷嘴移动机构63及维护单元65。此外,维护单元65也可以供两个以上的喷嘴61共用。
如图4所示,喷嘴单元60具有架桥结构,所述架桥结构包括在浮起工作台部3的上方沿着Y方向延伸的梁构件631和支撑该梁构件631的两侧端部的两个柱构件632、633。柱构件632、633从基台10向上方竖立设置。在柱构件632上安装有升降机构634,在柱构件633上安装有升降机构635。升降机构634、635例如包括滚珠螺杆机构。在升降机构634上安装有梁构件631的+Y侧端部,在升降机构635上安装有梁构件631的-Y侧端部,梁构件631由升降机构634、635支撑。升降机构634、635根据来自控制单元9的控制指令联动,从而梁构件631以水平姿势沿铅垂方向(Z方向)移动。
如图所示,在梁构件631的中央下部设置有沿Y轴方向延伸的喷嘴支撑体601。如图7和图8所示,在喷嘴支撑体601的下部安装有从-Y方侧观察的形状呈L字状的中间部603。喷嘴61安装于该中间部603的沿水平延伸的部分的下部。喷嘴61以使喷出口611向下的姿势安装于喷嘴支撑体601。通过升降机构634、635动作,喷嘴支撑体601和喷嘴61沿铅垂方向(Z方向)移动。
柱构件632、633能够在基台10上移动。沿着X方向延伸的两个移动引导部81L、81R设置在基台10的上表面上的+Y侧端部以及-Y侧端部。柱构件632经由安装在该柱构件632的下部的滑块636与+Y侧的移动引导部81L接合,柱构件633经由安装在该柱构件633的下部的滑块637与-Y侧的移动引导部81R接合。滑块636、637沿着移动引导部81L、81R在X方向上自由移动。
柱构件632、633通过线性马达82L、82R的动作在X方向上移动。线性马达82L、82R具有作为定子的磁铁模块和作为动子的线圈模块。磁铁模块设置于基台10,沿着X方向延伸。线圈模块分别安装在柱构件632、633的下部。线性马达82L、82R的动子根据来自控制单元9的控制指令进行动作,从而喷嘴单元60整体沿着X方向移动。由此,实现喷嘴61向X方向(第一方向D1)的移动。通过设置在滑块636、637附近的线性标尺83L、83R检测柱构件632、633的X方向位置。
这样,喷嘴支撑体601和喷嘴61通过升降机构634、635的动作而沿Z方向移动,通过线性马达82L、82R的动作在X方向上移动。即,通过控制单元9控制升降机构634、635以及线性马达82L、82R,实现喷嘴61向各个停止位置L11-L14的定位。因此,升降机构634、635及线性马达82L、82R作为喷嘴移动机构63发挥作用。
作为维护单元65,可以采用日本特开2010-240550号公报所记载的装置。桶651由沿着Y方向延伸的梁构件661支撑。梁构件661的两端部中的一端部由柱构件662支撑,另一端部由柱构件663支撑。柱构件662、663分别安装在沿着Y方向延伸的板664的Y方向两端部。
在板664的两端部的下方,分别设置有沿着X方向延伸的两个移动引导部84L、84R。两个移动引导部84L、84R设置在基台10的上表面。在板664的下表面的Y方向两端部中的+Y侧端部上设置有滑块666,在-Y侧端部上设置有滑块667。滑块666、667与移动引导部84L、84R接合,在X方向上自由移动。
在板664的下方设置有线性马达85。线性马达85具有定子即磁铁模块以及动子即线圈模块。磁铁模块设置在基台10上,并沿着X方向延伸。线圈模块设置在维护单元65(在此为板664)的下部。
线性马达85根据来自控制单元9的控制指令进行动作,从而维护单元65整体在X方向上移动。通过设置于滑块666、667附近的线性标尺86检测维护单元65的X方向位置。
如图4所示,卡盘51具有两个卡盘构件51L、51R。卡盘构件51L、51R具有相对于XZ平面相互对称的形状,并配置为在Y方向相互分离。
配置在+Y侧的卡盘构件51L由设置在基台10上且沿着X方向延伸的移动引导部87L支撑。卡盘构件51L具有基座部512,所述基座部512包括设置为在X方向上位置不同的两个水平的板部以及连接这些板部的连接部(参照图2)。在基座部512的两个板部的下部分别设置有一个滑块511。滑块511与移动引导部87L接合,由此,卡盘构件51L能够沿着移动引导部87L在X方向移动。
在基座部512的两个板部的每一个的上部分别设置有一个支撑部513。支撑部513向上方延伸,在其上端部设有吸附垫(未图示)。若基座部512沿移动引导部87L在X方向上移动,则两个支撑部513与其一体地在X方向上移动。此外,基座部512的两个板部位相互分离,通过这些板部位在X方向保持一定距离并移动,从而从外观上可以为作为一体的基座部发挥作用的结构。若根据基板的长度设定该距离,则能够应对各种长度的基板。
卡盘构件51L通过线性马达88L在X方向上移动。线性马达88具有定子即磁铁模块以及动子即线圈模块。磁铁模块设置在基台10上,并沿着X方向延伸。线圈模块设置在卡盘构件51L的下部。线性马达88L根据来自控制单元9的控制指令进行动作,从而卡盘构件51L沿着X方向移动。通过设置在移动引导部87L附近的线性标尺89L检测卡盘构件51L的X方向位置。
设置在-Y侧的卡盘构件51R与卡盘构件51L同样,具有基座部512以及两个支撑部513、513。此外,卡盘构件51R的形状相对于XZ平面与卡盘构件51L对称。在卡盘构件51R的基座部512的两个板部的下部分别设有一个滑块511。滑块511与移动引导部87R接合,由此,卡盘构件51R能够沿着移动引导部87R沿着X方向移动。
卡盘构件51R能够通过线性马达88R在X方向上移动。线性马达88R包括作为定子的磁铁模块和作为动子的线圈模块,所述磁铁模块沿着X方向延伸并设置在基台10上,所述线圈模块设置在卡盘构件51R的下部。线性马达88R根据来自控制单元9的控制指令进行动作,从而卡盘构件51R在X方向上移动。通过设置在移动引导部87R附近的线性标尺89R来检测卡盘构件51R的X方向位置。
控制单元9控制卡盘构件51L、51R的位置,以使二者在X方向上始终处于相同位置。由此,在外观上,一对卡盘构件51L、51R作为一体的卡盘51进行移动。与机械地结合卡盘构件51L、51R的情况相比,能够容易避免卡盘51与浮起工作台部3的相互干扰。
如图3所示,四个支撑部513分别与被保持的基板W的四角相对应地设置。即,卡盘构件51L的两个支撑部513分别保持基板W的+Y侧周缘部即第一方向D1上的上游侧端部和下游侧端部。卡盘构件51R的两个支撑部513、513分别保持基板W的-Y侧周缘部即第一方向D1上的上游侧端部和下游侧端部。根据需要,向各个支撑部513的吸附垫供给负压,由此,通过卡盘51从下方吸附保持基板W的四角。
卡盘51一边保持基板W一边在X方向上移动,从而搬运基板W。这样,用于向线性马达88L、88R、各个支撑部513供给负压的机构(未图示)作为图1所示的吸附及移动控制机构52发挥作用。
如图1以及图4所示,卡盘51比入口浮起工作台31、涂敷工作台32以及出口浮起工作台33的上表面更向上方远离地保持基板W。卡盘51保持基板W的下表面并搬运基板W。卡盘51仅保持基板W中比与各个工作台31、32、33相对的中央部分更靠Y方向外侧的周缘部的一部分。因此,基板W的中央部相对周缘部向下方弯曲。浮起工作台部3向此状态下的基板W的中央部施加浮起力,从而控制基板W的铅垂位置,将基板W维持为水平姿势。
<测量单元70>
图6是表示喷嘴支撑体601和测量单元70的概略俯视图。图7是表示喷嘴61、测量单元70以及缓冲部80的概略侧视图。图8是表示喷嘴61、测量单元70以及缓冲部80的概略主视图。
涂敷装置1具备测量单元70。测量单元70具备多个(此处为三个)测量器72。各个测量器72测量通过浮起工作台部3施加浮起力的基板W的上表面Wf的铅垂位置。详细地,测量器72通过测量从既定的铅垂方向的基准位置到上表面Wf的铅垂位置的距离来测量上表面Wf的铅垂位置。根据通过测量器72测量的上表面Wf的铅垂位置,基于涂敷工作台32的上表面的高度(铅垂位置)能够求出上表面Wf的高度。而且,基于从该上表面Wf的高度以及基板W的厚度,能够求出基板W的浮起量(从涂敷工作台32的上表面到浮起基板W的下表面的距离)。
各个测量器72具备投光部72a和受光部72b(参照图9),投光部72a具有输出规定波长的光的投光部72a,所述受光部72b包括检测从投光部72a输出并在基板W反射的光的光传感器(例如,线性传感器)。受光部72b是以非接触方式测量上表面Wf的铅垂位置的反射型传感器的一个例子。此外,可以用超声波代替光来测量上表面Wf的铅垂位置。该情况下,各个测量器72可以具备输出超声波的输出部和检测在上表面Wf反射的超音波的检测部。
测量单元70具备将三个测量器72相互连结的连接工具74。连接工具74是沿Y方向延伸的板状的构件,在连接工具74的上游侧(-X侧)的侧面安装有各个测量器72。此处,三个测量器72以在第二方向(Y方向)隔开间隔的状态安装于连接工具74。
测量单元70具备测量器移动部76(测量器移动机构)。测量器移动部76与连接工具74的+X侧面连接。测量器移动部76具备线性马达机构或滚珠螺杆机构等的驱动机构。测量器移动部76沿着设置于喷嘴支撑体601的-X侧面的中央部并沿Y方向延伸的导轨部78(参照图8),在Y方向移动。若测量器移动部76沿着Y方向移动,则通过使连接工具74沿着Y方向移动,三个测量器72一体地在Y方向(第二方向D2)移动。
如图8所示,通过三个测量器72分别沿着Y方向移动,位于最+Y侧的测量器72在Y方向上的测量范围RY1测量浮起基板W的铅垂位置,位于Y方向中央的测量器72在Y方向上的测量范围RY2测量浮起基板W的铅垂位置,位于-Y侧的测量器72在Y方向上的测量范围RY3测量浮起基板W的铅垂位置。如图8所示,各个测量范围RY1、RY2、RY3可以在Y方向上具有重叠范围,但不限于此。
三个测量器72相对于喷嘴61设置在上游侧(-X侧)。由于各个测量器72与喷嘴支撑体601连接,因此与安装于喷嘴支撑体601的喷嘴61一起移动。即,若喷嘴61通过喷嘴移动机构63在X方向和Z方向上移动,则各个测量器72也追随喷嘴61沿着同一方向移动。
<缓冲部80>
如图7和图8所示,在喷嘴支撑体601的-X侧的侧面上的中央部安装有缓冲部80。缓冲部80是沿Y轴方向(第二方向D2)延伸的板状的构件,与YZ平面平行地配置。缓冲部80设置于与喷出口611(喷嘴61的下端部)在第一方向D1上重叠的位置。
缓冲部80配置于比喷嘴61更靠搬运方向即第一方向D1的上游侧的位置。因此,在浮起基板W的上部附着有能够与喷出口611接触的高度的异物的情况下,在该异物与喷出口611接触之前与缓冲部80接触。由此,该异物附着于缓冲部80而从浮起基板W去除,因此,能够减少该异物与喷出口611接触。此外,可以在缓冲部80设置检测异物与缓冲部80接触的该振动传感器。然后,在该振动传感器检测到异物的接触的情况下,控制单元9可以控制搬运机构5,使浮起基板W的搬运停止。
图9是表示实施方式的控制单元9的概略框图。涂敷装置1具有用于控制各部的动作的控制单元9。控制单元9的硬件结构可以与一般的计算机相同。控制单元9具有进行各种计算处理的CPU91、存储基本程序的读取专用存储器即ROM、存储各种信息的自由读写的存储器92、以及包括显示各种信息的显示器的显示部93。作为存储器92,除了主存储装置(RAM)之外,还包括固定盘,所述固定盘存储控制用应用程序(程序)及数据等。控制单元9也可以具有承担与用户及外部装置的信息交换的接口部以及读取保存于便携式存储介质(光学式介质、磁介质、半导体存储器等)的信息(程序)的读取装置。
<铅垂位置测量处理>
涂敷装置1进行取得基于涂敷工作台32的基板W的铅垂位置的分布的检查(以下,称为铅垂位置测量处理。)。如上所述,在涂敷工作台32中,由于抽吸口322h进行气体的抽吸,因此有时抽吸异物。该情况下,由于抽吸口322h产生堵塞,因此因浮起基板W的浮起高度不足等而可浮起高度有可能产生异常。铅垂位置测量处理是为了检测这种浮起高度的异常而进行的。铅垂位置测量处理可根据涂敷装置1的基板W的制造计划在适当的时刻进行。例如,可以在对批次的最初基板、每日的最初基板、每日下午的最初基板进行涂敷处理的时刻进行,也可以在所有的对基板W进行涂敷处理的时刻进行。
铅垂位置测量处理可以使用实际上涂敷处理液的涂敷对象即基板W进行,也可以使用不涂敷处理液的非涂敷对象即基板W(以下,称为“替代基板W”。)进行。该替代基板W优选在上表面Wf上没有形成配线图案等图案。在基板W的上表面Wf有图案的情况下,由于来自测量器72的投光部72a的光被图案反射,朝向与受光部72b不同的方向,因此有时不能检测来自上表面Wf的反射光。因此,通过使用在上表面Wf不具有图案的替代基板W,测量器72能够良好地检测来自上表面Wf的反射光。因此,能够适当地检测铅垂位置的测量。
图10A至图10D是表示涂敷装置1所执行的铅垂位置测量处理的各工序的图。图10A至图10D表示对上述替代基板W进行的铅垂位置测量处理的情形。控制单元9在开始铅垂位置测量处理时,进行搬入工序S11。在搬入工序S11中,控制单元9控制搬运机构5,将从浮起工作台部3施加了浮起力的基板(浮起基板)W朝向第一方向D1的下游侧(+X方向)搬运。
搬入工序S11包括停止阶段S111。停止阶段S111是如图10B所示,控制单元9控制搬运机构5,将浮起基板W搬运至既定位置LW1后,使浮起基板W在既定位置LW1停止的阶段。若浮起基板W配置于既定位置LW1,则浮起基板W的下游侧端部(前端)的水平位置成为与涂敷工作台32的下游侧端部(边缘部)的水平位置相同或者比其稍微靠上游侧的位置。
控制单元9在停止阶段S111之后进行测量工序S12。测量工序S12是利用在Y方向上排列的三个测量器72,在涂敷工作台32的上方区域32UR上的多个地点检测浮起基板W的铅垂位置的工序。上方区域32UR是至少包括整个中间区域32B的上方的区域,在本例中,是包括比中间区域32B更靠上游侧的部分(上游区域32A的一部分)以及比中间区域32B更靠下游侧的部分(下游区域32C的一部分)的上方的区域。
在测量工序S12中,如图10B所示,控制单元9控制搬运机构5,将三个测量器72配置于比位于既定位置LW1的浮起基板W的下游侧端部稍微靠上游侧的水平位置。由此,成为三个测量器72能够测量比下游侧端部稍微靠上游侧的水平位置的浮起基板W的铅垂位置的状态。该状态下,控制单元9控制测量器移动部76使三个测量器72在Y方向(第二方向D2)上移动。在该Y方向移动期间,控制单元9使三个测量器72各自以规定周期测量浮起基板W的铅垂位置。由此,测量在沿Y方向延伸的一直线上的多个地点上的浮起基板W的铅垂位置。通过该三个测量器72的Y方向移动,不仅可以对替代的浮起基板W的上表面Wf上的、相当于涂敷对象区域的区域,还可以对从该区域向+Y侧和-Y侧超出的部分检测浮起基板W的铅垂位置。
控制单元9在完成三个测量器72的Y方向移动时,控制喷嘴移动机构63,使测量单元70朝向第一方向D1的上游侧(-X侧)移动(X方向移动)。此时的三个测量器72的移动量是使三个测量器72仅移动比涂敷工作台32的X方向的尺寸小的距离,更优选是比中间区域32B的X方向的尺寸小的距离即1螺距(pitch)大小的量。然后,控制单元9重新一边使三个测量器72进行Y方向移动,一边使三个测量器72各自测量Y方向的多个地点上的浮起基板W的铅垂位置。
这样,控制单元9通过交替地进行三个测量器72的X方向移动和Y方向移动,使三个测量器72在Y方向和X方向上锯齿形地移动。由此,控制单元9如图10C所示,测量涂敷工作台32的上方区域32UR的多个地点上的浮起基板W的铅垂位置。通过该测量工序S12,控制单元9取得涂敷在工作台32的上方区域32UR上的浮起基板W的铅垂位置的分布。
测量工序S12之后,或测量工序S12进行中,控制单元9可以判定测量出的各个铅垂位置是否正常。该判定可以通过将测量值与阈值比较来进行。在判定铅垂位置是异常的情况下,控制单元9可以通过规定的输出机构(显示部93、灯、扬声器等)向外部通知该情况。此外,在判定铅垂位置是异常的情况下,控制单元9也可以使涂敷装置1的动作停止。
控制单元9在测量工序S12完成时,控制单元9进行搬出工序S13。在测量工序S12中使用的基板W是非涂敷对象即替代基板W。因此,搬出工序S13如图10D所示,控制单元9控制搬运机构5,使浮起基板W向下游侧移动。由此,浮起基板W从涂敷工作台32上向下游侧搬出。由此,有可能将作为涂敷对象的下一基板W搬入涂敷工作台32。
图10A所示的铅垂位置测量处理可以使用涂敷对象的基板W进行。该情况下,在图10C所示的测量工序S12之后,控制单元9控制移动机构63,使喷嘴61向涂敷位置L11移动。涂敷位置L11是从喷嘴61喷出并附着于浮起基板W时的处理液的水平位置成为中间区域32B的内侧时的喷嘴61的位置。此外,控制单元9使浮起基板W向上游侧移动,使浮起基板W移动至开始涂敷时的位置。若喷嘴61和浮起基板W的移动完成,则控制单元9控制涂敷机构6从喷嘴61喷出处理液,并且控制搬运机构5使浮起基板W向下游侧移动。由此,在涂敷工作台32的中间区域32B上,向浮起基板W的涂敷对象区域涂敷处理液。
在本实施方式中,通过使测量器72沿Y方向(第二方向D2)移动,能够测量Y方向的多个地点的铅垂位置。由此,由于能够取得Y方向上的浮起基板W的铅垂位置的分布,因此能够良好地检测浮起基板W的浮起高度的异常。通过还使测量器72沿X方向(第一方向D1)移动,能够取得涂敷工作台32的上方区域32UR上的浮起基板W的铅垂位置的分布。由此,能够良好地测量有可能影响涂敷的区域上的浮起基板W的浮起高度的异常。由此,能够适当地实施涂敷处理。
此外,如图10B所示,浮起基板W的下游侧端部被配置于涂敷工作台32的下游侧端部(边缘部)。由此,对于浮起基板W而言,几乎很难受到来自位于比涂敷工作台32更靠上游侧的出口浮起工作台33的浮起力的影响。因此,能够检测设置于涂敷工作台32的下游侧端部的抽吸口322h的堵塞引起的浮起基板W的浮起高度的异常。
图11A至图11D表示涂敷装置1所执行的铅垂位置测量处理的各个工序。图11A至图11D表示对于涂敷对象的浮起基板W进行的铅垂位置测量处理的情形。控制单元9在开始铅垂位置测量处理时,如图11A所示,进行搬入工序S11。搬入工序S11与图10A所示的搬入工序相同。
搬入工序S11包括停止阶段S111a。停止阶段S111a是,如图11B所示,控制单元9控制搬运机构5,将浮起基板W搬运至既定位置LW2之后,使浮起基板W在既定位置LW2停止的阶段。若浮起基板W配置于既定位置LW2,则浮起基板W的下游侧端部的水平位置配置于下游区域32C的上方。此外,此时的下游侧端部的水平位置可以设置于涂敷工作台32的中间区域32B的上方,也可以设置于中间区域32B和下游区域32C的边界上。
控制单元9在停止阶段S111a之后,进行测量工序S12a。测量工序S12a与测量工序S12相同地,是通过沿Y方向排列的三个测量器72,在涂敷工作台32的上方区域321UR上的多个地点测量浮起基板W的铅垂位置的工序。上方区域321UR是包括进行处理液的涂敷的中间区域32B以及比中间区域32B更靠上游侧的部分(上游区域32A的一部分)的上方的区域。
在测量工序S12a中,如图11B所示,控制单元9控制搬运机构5,将三个测量器72配置于比位于既定位置LW2的浮起基板W的下游侧端部稍微靠上游侧的水平位置。由此,成为三个测量器72能够测量比下游侧端部稍微靠上游侧的水平位置上的浮起基板W的铅垂位置的状态。该状态下,控制单元9控制测量器移动部76使三个测量器72沿Y方向(第二方向D2)移动。
在该Y方向移动期间,控制单元9使三个测量器72各自以规定周期测量浮起基板W的铅垂位置。由此,测量沿Y方向延伸的一直线上的多个地点上的浮起基板W的铅垂位置。
控制单元9在完成三个测量器72的Y方向移动时,控制移动机构63,使测量单元70朝向第一方向D1的上游侧(-X侧)移动(X方向移动)。此时的三个测量器72的移动量是使三个测量器72仅移动比涂敷工作台32的X方向的尺寸,更优选是中间区域32B的X方向的尺寸小的距离即1螺距大小的量。然后,控制单元9重新一边使三个测量器72进行Y方向移动,一边使三个测量器72各自测量Y方向的多个地点上的浮起基板W的铅垂位置。
这样,控制单元9通过交替地进行三个测量器72的X方向移动和Y方向移动,使三个测量器72沿Y方向和X方向锯齿形地移动。由此,控制单元9如图11C所示,测量涂敷工作台32的上方区域321UR的多个地点上的浮起基板W的铅垂位置。通过该测量工序S12a,控制单元9取得涂敷工作台32的上方区域321UR上的浮起基板W的铅垂位置的分布。
测量工序S12a之后,或测量工序S12a进行中,控制单元9可以判定测量出的各个铅垂位置是否正常。该判定可以通过将测量值与阈值比较来进行。在判定铅垂位置是异常的情况下,控制单元9可以通过规定的输出机构(显示部93、灯、扬声器等)向外部通知该情况。此外,在判定铅垂位置是异常的情况下,控制单元9也可以使涂敷装置1的动作停止。
控制单元9在完成测量工序S12a时,进行涂敷工序S14。在涂敷工序S14中,控制单元9控制移动机构63使喷嘴61移动至涂敷位置L11。此外,可以在测量工序S12a的完成时刻进行各个测量器72的X方向移动,或者喷嘴61与测量器72之间的距离的设定,使得喷嘴61来到涂敷位置L11。该情况下,测量工序S12a之后,能够省略向涂敷工序S14过渡时的喷嘴61的移动。此外,控制单元9控制搬运机构5,使浮起基板W移动至从涂敷位置L11的喷嘴61向涂敷对象区域的上游侧端部供给处理液的既定的供给开始位置。此外,在既定位置LW2于该供给开始位置一致的情况下,能够省略浮起基板W的移动。若完成喷嘴61以及浮起基板W的移动,则控制单元9控制涂敷机构6从喷嘴61喷出处理液,并且控制搬运机构5使浮起基板W向下游侧移动。由此,在涂敷工作台32的中间区域32B上,向浮起基板W的涂敷对象区域涂敷处理液。
根据图11A至图11D所示的铅垂位置测量处理,在涂敷工作台32中的进行涂敷处理的中间区域32B中,能够取得Y方向上的浮起基板W的铅垂位置的分布。由此,关于Y方向能够良好地特定浮起基板W中有浮起量的异常的部位,因此能够减少涂敷不良的产生。此外,由于取得铅垂位置的分布的上方区域321UR小于与涂敷工作台32的几乎整个面对应的上方区域32UR,因此能够缩短测量时间。
在图11A至图11D所示的例子中,各个测量器72在测量工序S12a中在包括从测量位置ML1到测量位置ML2的范围移动。是能够测量来自喷嘴61的处理液附着于浮起基板W的水平位置上的浮起基板W的铅垂位置时的各个测量器72的水平位置。此外,测量位置ML2是能够测量喷嘴61喷出处理液时(即,喷嘴61配置于涂敷位置L11时)的缓冲部80的水平位置上的浮起基板W的铅垂位置时的各个测量器72的水平位置。由于通过在测量位置ML2配置各个测量器72,能够测量喷嘴61配置于涂敷位置L11时的缓冲部80的水平位置上的浮起基板W的铅垂位置,因此能够检测缓冲部80的水平位置上的浮起高度的异常。因此,涂敷处理时,能够减少浮起基板W与缓冲部80接触。
<2.变形例>
以上,说明了实施方式,但是本发明并不限定于上述实施方式,能够进行各种变形。
测量单元70无须具备三个测量器72。例如,测量单元70可以具备两个或者四个以上的测量器72。此外,测量单元70也可以具备单个测量器72。但是,通过将多个测量器72沿着Y方向隔开间隔配置,能够沿Y方向在不同的多个位置测量浮起基板W的铅垂位置。由此,由于与设置单个测量器72的情况相比能够缩短各个测量器72的移动距离,因此能够缩短测量时间。
测量器移动部76(测量器移动机构)无须使三个测量器72一体地沿Y方向移动。例如,也可以设置使三个测量器72分别单独地沿Y方向移动的测量器移动机构。但是,通过使多个测量器72一体地移动,能够简化使测量器72移动的结构。
无须通过移动机构63使测量单元70与喷嘴61一体地沿X方向移动。例如,也可以设置使测量单元70与喷嘴61独立地沿X方向移动的测量器移动机构。但是,通过使多个测量器72与喷嘴61一体地移动,能够简化使测量器72移动的结构。
测量单元70可以沿X方向隔开恒定的间隔具备两个以上的测量器72。该情况下,通过各个测量器72的Y方向移动,能够同时测量两个直线上的浮起基板W的铅垂位置。
也可以将测量单元70不是安装于喷嘴支撑体601,而且另外设置其他架桥结构体,将测量单元70安装于该架桥结构体。此外,由于维护单元65是架桥结构体,因此也可以相对于维护单元65的桶651沿Y方向以及X方向自由移动地安装测量单元70。该情况下,也可以不用设置驱动部,设置为通过手动使测量单元70移动的结构。
详细地说明了本发明,但上述说明在所有方面均为例示,本发明并不仅限于此。应理解为,在不脱离本发明的范围的情况下,能够想到未例示的众多变形例。只要不相互矛盾,上述各个实施方式及各个变形例中所说明的各个结构能够适当组合或省略。

Claims (9)

1.一种基板处理装置,处理具有第一主面及第二主面的基板,其中,所述基板处理装置具有:
浮起机构,对所述第一主面在铅垂方向上向上的所述基板施加浮起力;
搬运机构,使被施加所述浮起力的所述基板即浮起基板沿着第一方向移动,所述第一方向为水平方向;
喷嘴,具有沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸的喷出口,能够从所述喷出口朝向所述浮起基板的所述第一主面喷出处理液,所述第二方向为水平方向;
测量器,测量所述浮起基板的铅垂位置;以及
测量器移动机构,使所述测量器沿着所述第二方向移动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述测量器移动机构使所述测量器朝向所述第二方向以及所述第一方向的上游侧以及下游侧移动。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备缓冲部,所述缓冲部设置于如下位置:相对于所述喷嘴位于所述第一方向的上游侧,且至少与所述喷嘴的所述喷出口的顶端部在水平方向上重叠。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
所述测量器移动机构使所述测量器在第一位置至第二位置之间沿着所述第二方向移动,所述第一位置是能够测量所述浮起基板的来自所述喷嘴的所述处理液附着于所述浮起基板的水平位置即附着水平位置上的铅垂位置的位置,所述第二位置是能够测量所述浮起基板的所述喷嘴喷出所述处理液时的所述缓冲部的水平位置上的铅垂位置的位置。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置具有多个所述测量器,多个所述测量器在所述第二方向的不同的位置测量所述浮起基板的铅垂位置。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备连接工具,所述连接工具连接多个所述测量器,
所述测量器移动机构使所述连接工具沿着所述第二方向移动。
7.根据权利要求1至权利要求6中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述浮起机构包括:
工作台,具有水平面;
多个喷出口,设置于所述水平面,朝向所述铅垂方向的上侧喷出空气;以及
多个抽吸口,设置于所述水平面,抽吸所述铅垂方向的上侧的空气。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述测量器移动机构在所述浮起基板的所述第一方向下游侧的端部配置于所述浮起机构包括的工作台的所述第一方向下游侧的边缘部的状态下,使所述测量器沿着所述第二方向移动。
9.一种基板处理方法,处理具有第一主面及第二主面的基板,其中,所述基板处理方法包括:
工序(a),对所述第一主面在铅垂方向上向上的所述基板施加浮起力;
工序(b),使通过所述工序(a)被施加浮起力的所述基板即浮起基板沿着第一方向移动,所述第一方向为水平方向;以及
工序(c),通过使测量所述浮起基板的铅垂位置的测量器沿着与所述第一方向正交的第二方向移动,测量所述浮起基板上的所述第二方向的多个点的铅垂位置,所述第二方向为水平方向。
CN201910595463.XA 2018-07-03 2019-07-03 基板处理装置和基板处理方法 Active CN110676192B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-126654 2018-07-03
JP2018126654A JP6722723B2 (ja) 2018-07-03 2018-07-03 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110676192A true CN110676192A (zh) 2020-01-10
CN110676192B CN110676192B (zh) 2024-08-27

Family

ID=69068874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910595463.XA Active CN110676192B (zh) 2018-07-03 2019-07-03 基板处理装置和基板处理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6722723B2 (zh)
KR (1) KR102525265B1 (zh)
CN (1) CN110676192B (zh)
TW (1) TWI760621B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7316331B2 (ja) * 2021-09-02 2023-07-27 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006297317A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Dainippon Printing Co Ltd 塗工方法
JP2007204278A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Asahi Kosan Kk 基板浮上搬送装置
JP2009237485A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Nec Lcd Technologies Ltd 現像装置及び現像方法
JP2010034309A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布装置および基板処理システム
JP2014149204A (ja) * 2013-01-31 2014-08-21 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 形状測定装置および撮像装置
KR20160138313A (ko) * 2014-04-17 2016-12-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판들을 위한 캐리어
JP2018043200A (ja) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社Screenホールディングス 塗布装置および塗布方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4033841B2 (ja) * 2004-02-12 2008-01-16 東京エレクトロン株式会社 浮上式基板搬送処理方法及びその装置
JP4942589B2 (ja) * 2007-08-30 2012-05-30 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
KR101175284B1 (ko) * 2009-09-15 2012-08-21 주식회사 탑 엔지니어링 페이스트 디스펜서 및 그 제어방법
JP5933920B2 (ja) * 2010-12-24 2016-06-15 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5486030B2 (ja) 2012-02-15 2014-05-07 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
CN103383468B (zh) * 2013-06-28 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 封框胶涂布设备的检测系统及检测方法、封框胶涂布机

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006297317A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Dainippon Printing Co Ltd 塗工方法
JP2007204278A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Asahi Kosan Kk 基板浮上搬送装置
JP2009237485A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Nec Lcd Technologies Ltd 現像装置及び現像方法
JP2010034309A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布装置および基板処理システム
JP2014149204A (ja) * 2013-01-31 2014-08-21 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 形状測定装置および撮像装置
KR20160138313A (ko) * 2014-04-17 2016-12-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판들을 위한 캐리어
JP2018043200A (ja) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社Screenホールディングス 塗布装置および塗布方法
CN107824392A (zh) * 2016-09-15 2018-03-23 株式会社斯库林集团 涂敷装置和涂敷方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
徐临燕;栗大超;刘瑞鹏;傅星;胡小唐;张文栋;: "基于弯曲测试技术的纳米梁厚度的精密测量", 纳米技术与精密工程, no. 01, 15 January 2010 (2010-01-15) *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020006282A (ja) 2020-01-16
TW202012291A (zh) 2020-04-01
CN110676192B (zh) 2024-08-27
KR20200004260A (ko) 2020-01-13
KR102525265B1 (ko) 2023-04-24
JP6722723B2 (ja) 2020-07-15
TWI760621B (zh) 2022-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101299816B1 (ko) 도포 방법 및 도포 장치
JP5346643B2 (ja) 基板塗布装置および基板塗布方法
TWI670788B (zh) 基板處理裝置
JP5933920B2 (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP5303129B2 (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP2018043200A (ja) 塗布装置および塗布方法
TWI571316B (zh) Coating device
CN108305843B (zh) 基板处理装置及基板处理装置的异常状况检测方法
KR101034163B1 (ko) 도포 장치 및 도포 방법
CN210837662U (zh) 载物台测定夹具及涂敷装置
CN110676192B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
CN209785888U (zh) 基板处理装置
JP2011082230A (ja) 基板塗布装置
CN108525942B (zh) 上浮量计算装置、涂覆装置以及涂覆方法
CN108305847B (zh) 基板搬运装置、基板搬运方法以及基板处理装置
JP6860357B2 (ja) 塗布装置および塗布方法
TWI757814B (zh) 塗佈裝置、高度檢測方法及塗佈方法
CN110880461A (zh) 基板处理装置
KR20200123017A (ko) 도포 장치 및 도포 방법
JP2012253215A (ja) 塗布装置及び塗布方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant