TWI432386B - 附薄膜之玻璃基板的製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 273
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 260
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 263
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 6
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B23/00—Re-forming shaped glass
- C03B23/02—Re-forming glass sheets
- C03B23/023—Re-forming glass sheets by bending
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B23/00—Re-forming shaped glass
- C03B23/02—Re-forming glass sheets
- C03B23/023—Re-forming glass sheets by bending
- C03B23/025—Re-forming glass sheets by bending by gravity
- C03B23/0252—Re-forming glass sheets by bending by gravity by gravity only, e.g. sagging
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/26—Reflecting filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/281—Interference filters designed for the infrared light
- G02B5/282—Interference filters designed for the infrared light reflecting for infrared and transparent for visible light, e.g. heat reflectors, laser protection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
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Description
本發明係關於一種例如波長截止濾光器(cut filter)等之在玻璃基板的表面形成有薄膜之附薄膜之玻璃基板的製造方法。
以往，已知有在配置於攝像元件之受光面側的IR(Infrared radiation，紅外線)截止濾光器等之在玻璃基板的主面形成有薄膜之各種附薄膜之玻璃基板。附薄膜之玻璃基板係大多貼合在其他構件之表面來使用。因此，對於附薄膜之玻璃基板要求主面要為平坦。然而，在將薄膜形成在玻璃基板上時，在形成薄膜後，因為薄膜相對於玻璃基板朝薄膜之面方向相對地收縮或膨脹而會產生薄膜之面方向之膜應力，因而會有在玻璃基板產生翹曲之問題。有鑑於上述問題，在專利文獻1中，提案有各種附薄膜之玻璃基板之翹曲的減低方法。
例如，在專利文獻1中，揭示有一種在玻璃基板之一方主面形成有鏡膜之全反射鏡中，於另一方之主面形成有用以矯正翹曲之矯正膜的方法。
(專利文獻1)日本特開2007-241018號公報
(專利文獻2)日本特開平5-251427號公報
然而，在專利文獻1中所揭示之翹曲的減低方法中，除了鏡膜之外必須形成矯正膜，因此會有所需之薄膜增加，附薄膜之玻璃基板的製造步驟變得煩瑣，且製造成本上昇之問題。
再者，例如在專利文獻2中揭示有一種在表面形成有薄膜之半導體基板的製造方法，其係在對半導體基板賦予與因薄膜之形成而產生之半導體基板之翹曲相反方向的應變應力的狀態下形成薄膜之方法。在專利文獻2記載有：依據該方法，薄膜收縮之力與施加在半導體基板之應變應力變得均等，而可獲得平板狀之附薄膜之半導體基板。
亦可考慮將上述專利文獻2所揭示之附薄膜之半導體基板的製造方法應用在附薄膜之玻璃基板的製造。然而，在將專利文獻2所揭示之方法應用在附薄膜之玻璃基板的製造時，必須在保持對玻璃基板施加應變應力之狀態的情形下進行薄膜之形成，而有薄膜之形成步驟變得煩瑣的問題。
本發明之目的在於提供一種可容易地製造翹曲少之附薄膜之玻璃基板的附薄膜之玻璃基板的製造方法。
本發明之附薄膜之玻璃基板的製造方法係一種在玻璃基板之主面上形成有薄膜之附薄膜之玻璃基板的製造方法，且為在形成薄膜後，因薄膜相對於玻璃基板朝薄膜之面方向相對地收縮或膨脹而使玻璃基板變形之附薄膜之玻璃基板的製造方法，該方法具備：變形步驟，藉由使玻璃基板塑性變形而將玻璃基板之主面形成為彎曲的形狀，以便在形成薄膜後之最終狀態下使玻璃基板之主面成為平坦；以及薄膜形成步驟，在經塑性變形之玻璃基板的主面上形成薄膜。依據上述方法，在形成薄膜後，藉由薄膜相對於玻璃基板朝薄膜之面方向相對地膨脹或收縮而使玻璃基板之主面成為平坦。因此，可獲得減低翹曲之附薄膜之玻璃基板。再者，在本發明之附薄膜之玻璃基板的製造方法中，由於無須另外形成翹曲減低用之薄膜，且亦無須在薄膜形成步驟中保持對玻璃基板施加應變應力之狀態，因而可容易地製造附薄膜之玻璃基板。
在本發明中，「薄膜形成後之最終狀態」係指附薄膜之玻璃基板的製造完成時之狀態。例如，以濺鍍法或蒸鍍法形成薄膜時，「薄膜形成後之最終狀態」係指在形成薄膜後將形成有薄膜之玻璃基板冷卻至室溫等使用溫度的狀態。再者，以溶膠凝膠(Sol-gel)法或旋塗法等濕式法形成薄膜時，「薄膜形成後之最終狀態」係指所形成之薄膜的乾燥結束後之狀態。
玻璃基板之塑性變形係可在例如將玻璃基板加熱至大於或等於比應變點低50℃之溫度之溫度的狀態下進行。藉此，可獲得翹曲少之彎曲形狀的玻璃基板，因此可使玻璃基板及於薄膜之應力的面內分佈減小。
要將薄膜形成在凸狀之主面及凹狀之主面中之哪一個主面，係依據薄膜與玻璃基板之組合而決定。具體而言，在形成薄膜後薄膜為對玻璃基板賦予壓縮應力之薄膜與玻璃基板之組合時，形成薄膜之主面係以凸狀為佳。另一方面，在形成薄膜後薄膜為對玻璃基板賦予拉伸應力之薄膜與玻璃基板之組合時，形成薄膜之主面係以凹狀為佳。
再者，亦可將薄膜形成在玻璃基板之雙方的主面。即使在此情形下，藉由應用本發明亦可獲得翹曲少之附薄膜之玻璃基板。
就薄膜之形成方法而言，例如可列舉濺鍍法或蒸鍍法等。以濺鍍法或蒸鍍法形成薄膜時，若薄膜之熱膨脹係數與玻璃基板之熱膨脹係數不同，則在形成薄膜後之冷卻步驟中會產生薄膜之收縮量與玻璃基板之收縮量之間的差，因此容易在薄膜與玻璃基板之間產生膜應力。因此，在玻璃基板容易產生翹曲。從而，在採用濺鍍法或蒸鍍法等之在形成薄膜時玻璃基板之溫度會上昇的方法時，本發明特別有效。
此外，在積層複數層而形成薄膜時，會有薄膜之膜應力變得更大且附薄膜之玻璃基板的翹曲變大的傾向。因此，在積層複數層而形成薄膜時，本發明特別有效。
在本發明中，玻璃基板之厚度雖無特別限定，但玻璃基板之厚度越薄，附薄膜之玻璃基板越容易產生翹曲，因此本發明係在玻璃基板薄時特別有效。本發明特別有效之玻璃基板的厚度範圍係0.1mm至100mm。
在本發明中，薄膜之厚度雖亦無特別限定，但薄膜相對於玻璃基板較厚時，在附薄膜之玻璃基板容易產生翹曲，因此本發明係在薄膜相對於玻璃基板之厚度大時特別有效。本發明特別有效之薄膜相對於玻璃基板之相對厚度((薄膜厚度)/(玻璃基板之厚度))的範圍係1/2500至1/20。
就由本發明製造之附薄膜之玻璃基板的具體例而言，係可列舉例如貼附在攝像元件之IR截止濾光器。當IR截止濾光器翹曲時，難以將IR截止濾光器貼附在攝像元件。因此，貼附於攝像元件之IR截止濾光器所容許的翹曲量特別少。因此，可有效地抑制翹曲之本發明在應用於貼附於攝像元件的IR截止濾光器之製造時係特別有效。
依據本發明，能提供一種可容易地製造翹曲少之附薄膜之玻璃基板之附薄膜之玻璃基板的製造方法。
第1圖係在本實施形態中作為製造對象之附薄膜之玻璃基板1的剖面圖。首先，參照第1圖說明附薄膜之玻璃基板1之構成。
如第1圖所示，附薄膜之玻璃基板1係具備玻璃基板10。玻璃基板10係可依據附薄膜之玻璃基板1之特性等適當選擇。玻璃基板10係可由例如硼矽酸玻璃基板等所構成。
玻璃基板10係具有彼此平行之第1及第2主面10a、10b。第1及第2主面10a、10b之各個為平坦者。在第1主面10a上形成有薄膜11。薄膜11係可依據附薄膜之玻璃基板1之特性等適當選擇。例如附薄膜之玻璃基板1為IR截止濾光器時，可將薄膜11作成為IR截止膜。再者，例如附薄膜之玻璃基板1為反射鏡時，可將薄膜11作成為反射膜。例如附薄膜之玻璃基板1為反射防止基板時，可將薄膜11作成為反射防止膜。
接著，說明附薄膜之玻璃基板1之製造方法。第2圖係將薄膜11成膜之前的玻璃基板10之剖面圖。本實施形態之製造方法的特徵係為，在形成薄膜11之前，藉由使玻璃基板10塑性變形而將玻璃基板10之第1及第2主面10a、10b形成為彎曲的形狀後，在玻璃基板10之第1或第2主面10a、10b上形成薄膜11，以便在第1圖所示之形成薄膜後之最終狀態下使玻璃基板10之第1及第2主面10a、10b成為平坦。具體而言，第2圖係顯示在玻璃基板10之彎曲成凹狀的第1主面10a上形成薄膜11之情形。
一般而言，在將薄膜形成在玻璃基板時，不論薄膜之形成方法為何，皆會在薄膜產生膜應力。例如，採用如濺鍍法或蒸鍍法等在形成薄膜時玻璃基板之溫度會上昇的方法時，若薄膜之熱膨脹係數與玻璃基板之熱膨脹係數不同，則在形成薄膜後之冷卻步驟中會產生薄膜之沿著面方向的收縮量與玻璃基板之沿著面方向的收縮量之間的差。從而，在形成薄膜後之冷卻步驟中會在薄膜產生薄膜之面方向的膜應力。因此，例如在將薄膜形成在平坦之玻璃基板時，在冷卻步驟中，在玻璃基板會產生翹曲。亦即，玻璃基板10之兩主面會彎曲。
相對於此，本實施形態係如上所述，在形成薄膜11之前，藉由使玻璃基板10塑性變形而將玻璃基板10之第1及第2主面10a、10b形成為彎曲的形狀，以便在形成薄膜後之最終狀態下使玻璃基板10之第1及第2主面10a、10b成為平坦。因此，藉由在形成薄膜後所產生之薄膜11之面方向的膜應力及玻璃基板10之彈性力，如第1圖所示，在形成薄膜後之最終狀態下第1及第2主面10a、10b成為平坦。因此，可獲得翹曲受到抑制之附薄膜之玻璃基板1。
再者，依據本實施形態之製造方法，無須形成翹曲減低用之薄膜，在薄膜形成步驟中亦無須保持於對玻璃基板施加應變應力之狀態，因而可容易地製造附薄膜之玻璃基板1。
再者，例如保持於對玻璃基板施加應變應力之狀態下形成薄膜時，在薄膜形成步驟中，會有因與保持具之接觸及藉由保持具而施加在玻璃基板之應力而在玻璃基板產生損傷或破裂/裂痕之虞。相對於此，本實施形態在薄膜11之形成步驟中，無須保持於對玻璃基板10施加應變應力之狀態，因而可防止在玻璃基板10產生損傷或破裂/裂痕。
再者，在保持於對玻璃基板施加應變應力之狀態下形成薄膜的方法中，在冷卻步驟中於薄膜產生之膜應力大時，在薄膜形成步驟中必須對玻璃基板賦予大的應變應力。因此，會有玻璃基板在薄膜形成步驟中損傷之虞。
相對於此，依據本實施形態之製造方法，在冷卻步驟中產生於薄膜之膜應力大時，預先使玻璃基板大大地塑性變形即可，無須對玻璃基板施加大的應變應力。因此，在薄膜形成步驟中可抑制玻璃基板之損傷。從而，依據本實施形態之製造方法，即使在冷卻步驟中薄膜11為產生大的膜應力者，亦能以高的良品率來製造翹曲受到抑制之附薄膜之玻璃基板1。
再者，在本實施形態中，玻璃基板10之厚度雖無特別限定，但玻璃基板10之厚度越薄時越容易在附薄膜之玻璃基板產生翹曲，因此本實施形態之附薄膜之玻璃基板的製造方法係在玻璃基板之厚度較薄時特別有效。本實施形態之附薄膜之玻璃基板的製造方法特別有效之玻璃基板10的厚度範圍係0.1mm至10mm。
再者，薄膜11之厚度雖亦無特別限定，但薄膜11相對於玻璃基板10較厚時，在附薄膜之玻璃基板容易產生翹曲，因此本實施形態之附薄膜之玻璃基板的製造方法係在薄膜相對於玻璃基板之相對厚度大時特別有效。本實施形態之附薄膜之玻璃基板的製造方法特別有效之薄膜11相對於玻璃基板10之相對厚度的範圍係1/2500至1/20。
以下，針對附薄膜之玻璃基板1的各製造步驟更詳細地進行說明。
就使玻璃基板10塑性變形之方法而言，可列舉以下之方法(1)至(5)。
(1)將玻璃基板10加熱至大於或等於比應變點低50℃之溫度的溫度(在下文中亦稱「比應變點低50℃之溫度以上的溫度」)並使之變形的方法。
(2)使用成形模具對玻璃基板10進行衝壓成形之方法。
(3)對玻璃基板10之一方主面側進行離子強化的方法。
(4)對玻璃基板10之一方主面進行研磨的方法。
(5)對玻璃基板10之一方主面側照射氬電漿的方法。
在該等方法中，係以採用(1)將玻璃基板10加熱至大於或等於比應變點低50℃之溫度的溫度並使之變形的方法為佳，該方法係可簡單地進行，且難以在玻璃基板10產生損傷等。
在將玻璃基板10加熱至應變點以上並使之變形時，具體而言，係依以下之順序進行玻璃基板10之塑性變形。
第3圖係使用於玻璃基板10之塑性變形的輔助工具20之平面圖。第4圖係第3圖所示之切出線Ⅳ-Ⅳ的剖面圖。如第3圖及第4圖所示，在輔助工具20形成有用以安置玻璃基板10之開口20a。在輔助工具20之開口20a的周邊部形成有環狀之缺口部20b。玻璃基板10係安置在該缺口部20b。玻璃基板10係在被安置在該缺口部20b之狀態下，加熱至大於或等於比應變點低50℃之溫度的溫度而被保持。
第5圖係加熱至大於或等於比應變點低50℃之溫度的溫度而被保持之玻璃基板10的剖面圖。如第5圖所示，由於玻璃基板10被加熱至大於或等於比應變點低50℃之溫度的溫度而被保持，因此會因玻璃基板10之本身重量而朝鉛直方向塑性變形成凸狀。在此狀態下，在維持於安置在輔助工具20之狀態下，藉由將玻璃基板10冷卻至室溫，即可獲得整體塑性變形成彎曲形狀之玻璃基板10。
再者，使玻璃基板10塑性變形時之溫度或保持時間可依據玻璃基板10之種類或使玻璃基板10變形之量等而適當設定。一般而言，玻璃基板10之保持溫度係以大於或等於比玻璃基板10之應變點低50℃之溫度且為軟化點以下的溫度為佳，更佳為玻璃轉移溫度附近或該溫度以下之溫度。
關於使玻璃基板10變形之量，係可預先測量例如在具有平坦之主面的玻璃基板形成薄膜時之玻璃基板的翹曲量，並依據其測量結果實驗性地決定。
薄膜11之成膜方法係可依據薄膜11之種類等適當地選擇。就薄膜11之成膜方法而言，可列舉例如濺鍍法或蒸鍍法等氣相法、或溶膠凝膠法或旋塗法等濕式法等。
要將薄膜11形成在第1及第2主面10a、10b中之哪一主面，係依據形成薄膜後之最終狀態下的薄膜11之膜應力的方向而決定。例如，在形成薄膜後之最終狀態下，薄膜11對玻璃基板10賦予沿著薄膜11之面方向的拉伸應力時，較佳為將薄膜11形成在凹狀之主面。另一方面，在形成薄膜後之最終狀態下，薄膜11對玻璃基板10賦予沿著薄膜11之面方向的壓縮應力時，較佳為將薄膜11形成在凸狀之主面。
本實施形態之附薄膜之玻璃基板的製造方法一般可應用在下述之薄膜11與玻璃基板10之組合的附薄膜之玻璃基板，亦即，在形成薄膜11後，因薄膜11相對於玻璃基板10朝薄膜11之面方向相對地膨脹或收縮而使玻璃基板變形的薄膜11與玻璃基板10的組合的附薄膜之玻璃基板。例如，本實施形態之附薄膜之玻璃基板的製造方法係適合應用在貼附於攝像元件之紅外線截止濾光器之製造。
第6圖係具有貼附在攝像元件2之作為附薄膜之玻璃基板之紅外線截止濾光器1之攝像元件單元3之剖視圖。攝像元件單元3係具備攝像元件2及紅外線截止濾光器1。攝像元件2係由例如電荷耦合元件(CCD:Charge-coupled Device)或互補金屬氧化半導體(CMOS:Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)等所構成。攝像元件2之受光面2a通常係形成為平坦。紅外線截止濾光器1係貼附在該平坦之受光面2a上。因此，對紅外線截止濾光器1要求要沒有翹曲。從而，可抑制翹曲之本實施形態之附薄膜之玻璃基板的製造方法係適合應用在紅外線截止濾光器1之製造。
再者，在第6圖所示之例中，雖係針對將玻璃基板10之第2主面10b貼附於攝像元件2之例子加以說明，但亦可將薄膜11之與玻璃基板10相反側的表面貼附在攝像元件2。
上述第1實施形態係說明將薄膜11僅形成1層之例，但本發明之附薄膜之玻璃基板的製造方法亦可應用在將積層有複數個薄膜之薄膜積層體形成在玻璃基板10之主面10a、10b上的情形。此時，與僅將薄膜11形成1層之情形相比較，在冷卻步驟中施加於玻璃基板之膜應力容易變大。因此會有在附薄膜之玻璃基板產生大的翹曲之傾向。從而，應用本發明之附薄膜之玻璃基板的製造方法係為有效。
就薄膜積層體之具體例而言，可列舉交互地積層有ZrO2
膜、TiO2
膜及Nb2
O3
膜等高折射率膜、及SiO2
等低折射率膜的多層膜等。
在上述實施形態中，係說明僅在玻璃基板10之一方主面10a形成薄膜之例子。但本發明並不限定於此構成。
第7圖係本實施形態之附薄膜之玻璃基板1的剖面圖。如第7圖所示，亦可在玻璃基板10之第1及第2主面10a、10b之兩方形成薄膜11a、11b。即使在此情形下，亦適合應用本發明之附薄膜之玻璃基板的製造方法。
在本實施形態中，在薄膜11a、11b中，從形成薄膜後至最終狀態為止之間的薄膜11a、11b之面方向的壓縮應力大者之薄膜係形成在凸狀之主面上，且拉伸應力大者之薄膜係形成在凹狀之主面上。
在上述第1實施形態中，係說明玻璃基板10具有平坦之一對主面10a、10b的例，但玻璃基板10之形狀係只要具有主面10a者，則並無特別限定。例如，第2主面10b亦可形成為凸狀或凹狀。
在本實驗例中，在使玻璃基板10塑性變形之步驟中，藉由使以應變點以上之溫度保持玻璃基板10之保持時間變化，而進行用以確認可調節玻璃基板10之翹曲量的實驗。
將安置於第3圖及第4圖所示之輔助工具20的圓盤狀之玻璃基板10(日本電氣硝子(股)公司製，製品名「ABC」、直徑：200mm、厚度：0.4mm、應變點：650℃、玻璃轉移溫度：705℃、軟化溫度：950℃)花費15分鐘從室溫昇溫至650℃，並在650℃保持達預定之保持時間，之後，花費約10小時冷卻至室溫。接著，在朝周方向以中心角隔著45°間隔所設定之點A至H(參照第8圖)，測量所得之玻璃基板10之翹曲量。具體而言，如第9圖所示，以朝向平台21側形成凸狀之方式將玻璃基板10配置在平台21上，且在各點A至H中將厚薄規(thickness gauge)22(TSK社製NO.75A10)插入平台21與玻璃基板10之間，藉此測量玻璃基板10之各點A至H中的翹曲量。將所測量之各點A至H中的翹曲量中之最大翹曲量設為玻璃基板10之最大翹曲量。
第10圖係表示使保持時間做各種變化並進行上述實驗的結果。如第10圖所示得知，藉由使保持時間增長，玻璃基板10之最大翹曲量就會變大。由該結果可得知，藉由使保持時間變化，即可調節玻璃基板10之最大翹曲量。
準備5片圓盤狀之玻璃基板(日本電氣硝子(股)公司製，製品名「ABC」、直徑：200mm、厚度：0.4mm、應變點：650℃、玻璃轉移溫度：705℃、軟化溫度：950℃)，以與上述實驗例相同之方法測量各玻璃基板之翹曲量。5片玻璃基板之最大翹曲量係0mm至0.05mm。
接著，將各玻璃基板安置在第3圖及第4圖所示之輔助工具20，花費15分鐘從室溫升溫至650℃，且在650℃保持2小時，之後花費約10小時冷卻至室溫。針對加熱後之各玻璃基板，再度測量翹曲量。5片玻璃基板之最大翹曲量係0.45mm至0.55mm。
接著，藉由濺鍍法在約130℃下將交互地積層有ZrO2
膜與SiO2
膜之合計44層的積層膜形成在加熱後之各玻璃基板之凹狀的主面上，以完成附薄膜之玻璃基板。再者，ZrO2
膜之總膜厚為約2μm，SiO2
膜之總膜厚為約3μm。
測量所得之附薄膜之玻璃基板的翹曲量。5片玻璃基板之最大翹曲量係-0.05mm至0.05mm。
作為比較例者，在平板狀之玻璃基板(日本電氣硝子(股)公司製，製品名「ABC」、直徑：200mm、厚度：0.4mm、應變點：650℃、玻璃轉移溫度：705℃、軟化溫度：950℃)形成與上述實施例1同樣之薄膜，並測量翹曲量。將積層膜形成在平板狀之玻璃基板時的最大翹曲量係約0.6mm。
由以上之結果得知，藉由在形成薄膜前預先使玻璃基板彎曲，即可減低附薄膜之玻璃基板的翹曲量。
準備5片圓盤狀之玻璃基板(日本電氣硝子(股)公司製，製品名「ABC」、直徑：200mm、厚度：0.4mm、應變點：650℃、玻璃轉移溫度：705℃、軟化溫度：950℃)，以與上述實驗例相同之方法測量各玻璃基板之翹曲量。5片玻璃基板之最大翹曲量係0mm至0.05mm。
接著，將各玻璃基板安置在第3圖及第4圖所示之輔助工具20，花費15分鐘從室溫升溫至650℃，且在650℃保持4小時，之後花費約10小時冷卻至室溫。針對加熱後之各玻璃基板，再度測量翹曲量。5片玻璃基板之最大翹曲量係0.6mm至0.7mm。
接著，藉由濺鍍法在約130℃下將交互地積層有Nb2
O3
膜與SiO2
膜之合計4層的反射防止積層膜形成在加熱後之各玻璃基板之凸狀的主面上。再者，Nb2
O3
膜之總膜厚為約0.1μm，SiO2
膜之總膜厚為約0.2μm。
然後，藉由濺鍍法在約130℃下將交互地積層有Nb2
O3
膜與SiO2
膜之合計40層的紅外線截止積層膜形成在各玻璃基板之凹狀的主面上，以完成附薄膜之玻璃基板。Nb2
O3
膜之總膜厚為約1.5μm，SiO2
膜之總膜厚為約2.5μm。
測量所得之附薄膜之玻璃基板的翹曲量。5片玻璃基板之最大翹曲量係0.15mm至0.25mm。
作為比較例者，係在平板狀之玻璃基板(日本電氣硝子(股)公司製，製品名「ABC」、直徑：200mm、厚度：0.4mm、應變點：650℃、玻璃轉移溫度：705℃、軟化溫度：950℃)，與上述實施例2同樣地形成紅外線截止積層膜及反射防止積層膜，並測量翹曲量。將積層膜形成在平板狀之玻璃基板時的最大翹曲量係約1mm。
由以上之結果得知，即便在將薄膜形成在玻璃基板之兩面時，亦可藉由在形成薄膜前預先使玻璃基板彎曲，來減低附薄膜之玻璃基板的翹曲量。
1、10．．．玻璃基板
2．．．攝像元件
2a．．．受光面
3．．．攝像元件單元
10a．．．第1主面
10b．．．第2主面
11、11a、11b．．．薄膜
20．．．輔助工具
20a．．．開口
20b．．．缺口部
21．．．平台
22．．．厚薄規
第1圖係第1實施形態之附薄膜之玻璃基板的剖面圖。
第2圖係將薄膜成膜之前的玻璃基板之剖面圖。
第3圖係使用於玻璃基板之塑性變形的輔助工具之平面圖。
第4圖係第3圖所示之切出線Ⅳ-Ⅳ的剖面圖。
第5圖係使玻璃基板彎曲之狀態之玻璃基板的剖面圖。
第6圖係攝像元件單元之剖視圖。
第7圖係第3實施形態之附薄膜之玻璃基板的剖面圖。
第8圖係表示翹曲量之測量點之玻璃基板的平面圖。
第9圖係表示測量玻璃基板之翹曲量之步驟之玻璃基板的剖面圖。
第10圖係表示實驗例中之保持時間與玻璃基板之最大翹曲量之關係的曲線圖。
1．．．玻璃基板
10．．．玻璃基板
10a．．．第1主面
10b．．．第2主面
11．．．薄膜
Claims (8)
- 一種附薄膜之玻璃基板的製造方法，係為在玻璃基板之主面上形成有薄膜之附薄膜之玻璃基板的製造方法，其中，在形成前述薄膜後，藉由使前述薄膜相對於前述玻璃基板朝前述薄膜之面方向相對地收縮或膨脹而使前述玻璃基板變形，該附薄膜之玻璃基板的製造方法之特徵為具備：變形步驟，藉由使前述玻璃基板塑性變形而將前述玻璃基板之前述主面以凸狀之方式形成為彎曲的形狀，以便在形成前述薄膜後之最終狀態下使前述玻璃基板之主面成為平坦；以及薄膜形成步驟，在經前述以凸狀之方式塑性變形之玻璃基板的主面上形成前述薄膜。
- 如申請專利範圍第1項之附薄膜之玻璃基板的製造方法，其中，前述薄膜係為對玻璃基板賦予壓縮應力之薄膜。
- 如申請專利範圍第1項之附薄膜之玻璃基板的製造方法，其中，前述玻璃基板之塑性變形係在將前述玻璃基板加熱至大於或等於比應變點低50℃之溫度之溫度的狀態下進行。
- 如申請專利範圍第1項之附薄膜之玻璃基板的製造方法，其中，以濺鍍法或蒸鍍法形成前述薄膜。
- 如申請專利範圍第1項之附薄膜之玻璃基板的製造方法，其中，係積層複數層而形成前述薄膜。
- 如申請專利範圍第1項之附薄膜之玻璃基板的製造方法，其中，前述附薄膜之玻璃基板係貼附在攝像元件之紅外線截止濾光器(cut fitter)。
- 一種附薄膜之玻璃基板的製造方法，係為在玻璃基板之主面上形成有薄膜之附薄膜之玻璃基板的製造方法，其中，在形成前述薄膜後，藉由使前述薄膜相對於前述玻璃基板朝前述薄膜之面方向相對地收縮或膨脹而使前述玻璃基板變形，該附薄膜之玻璃基板的製造方法之特徵為具備：變形步驟，藉由使前述玻璃基板塑性變形而將前述玻璃基板之前述主面以凹狀之方式形成為彎曲的形狀，以便在形成前述薄膜後之最終狀態下使前述玻璃基板之主面成為平坦；以及薄膜形成步驟，在經前述塑性變形之玻璃基板的主面上，形成對玻璃基板賦予拉伸應力之薄膜。
- 如申請專利範圍第7項之附薄膜之玻璃基板的製造方法，其中，以濺鍍法或蒸鍍法形成前述薄膜。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008223752A JP5304112B2 (ja) | 2008-09-01 | 2008-09-01 | 薄膜付きガラス基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201022168A TW201022168A (en) | 2010-06-16 |
| TWI432386B true TWI432386B (zh) | 2014-04-01 |
Family
ID=41722053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW098128637A TWI432386B (zh) | 2008-09-01 | 2009-08-26 | 附薄膜之玻璃基板的製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110154861A1 (zh) |
| JP (1) | JP5304112B2 (zh) |
| KR (1) | KR101614179B1 (zh) |
| CN (1) | CN102137820A (zh) |
| TW (1) | TWI432386B (zh) |
| WO (1) | WO2010023853A2 (zh) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011230944A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 光学フィルム及びその製造方法 |
| JP5234201B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2013-07-10 | 株式会社ニコン | 撮像ユニットおよび撮像装置 |
| JP6254164B2 (ja) | 2012-08-31 | 2017-12-27 | コーニング インコーポレイテッド | 強化された薄型ガラス−ポリマー積層体 |
| JP6378884B2 (ja) * | 2014-01-24 | 2018-08-22 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
| CN113725235A (zh) * | 2015-01-14 | 2021-11-30 | 康宁股份有限公司 | 玻璃基板和包括所述玻璃基板的显示设备 |
| JP6636037B2 (ja) | 2015-03-20 | 2020-01-29 | ショット グラス テクノロジーズ （スゾウ） カンパニー リミテッドＳｃｈｏｔｔ Ｇｌａｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ （Ｓｕｚｈｏｕ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 成形ガラス物品および該成形ガラス物品の製造方法 |
| TWI673240B (zh) * | 2016-01-28 | 2019-10-01 | 積創科技股份有限公司 | 具有弧面結構之玻璃及其製造方法 |
| KR102233720B1 (ko) | 2016-03-17 | 2021-03-30 | 코닝 인코포레이티드 | 굽힘 가능한 전자 소자 모듈들, 물품들 및 이를 형성하는 본딩 방법들 |
| TWI655160B (zh) * | 2016-05-19 | 2019-04-01 | 美商蘋果公司 | 非對稱化學強化 |
| US10899660B2 (en) | 2016-05-19 | 2021-01-26 | Apple Inc. | Asymmetric chemical strengthening |
| CN106565111A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-04-19 | 广东星弛光电科技有限公司 | 一种3d玻璃视窗防护屏的复合印刷制备工艺 |
| US11286201B2 (en) * | 2017-01-31 | 2022-03-29 | AGC Inc. | Cover glass and glass laminate |
| TW201837009A (zh) | 2017-03-30 | 2018-10-16 | 日商日本碍子股份有限公司 | 暫時固定基板及電子元件的模塑方法 |
| TWI770110B (zh) | 2017-03-30 | 2022-07-11 | 日商日本碍子股份有限公司 | 暫時固定基板及電子元件的暫時固定方法 |
| JP2020203801A (ja) * | 2017-09-01 | 2020-12-24 | Ａｇｃ株式会社 | 膜付きガラス基板の製造方法、膜付きガラス基板、および膜の除去方法 |
| US11639307B2 (en) | 2018-07-13 | 2023-05-02 | Apple Inc. | Patterned asymmetric chemical strengthening |
| US11447416B2 (en) | 2018-12-20 | 2022-09-20 | Apple Inc. | Strengthened covers for electronic devices |
| WO2020195932A1 (ja) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 日本碍子株式会社 | 仮固定基板、複合基板および電子部品の剥離方法 |
| CN114716139A (zh) * | 2022-04-19 | 2022-07-08 | 安徽精卓光显技术有限责任公司 | 玻璃盖板的制备方法及玻璃盖板、屏幕及电子设备 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1309333A (en) * | 1970-01-19 | 1973-03-07 | Glaverbel | Process for bending glass |
| JPH1180928A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-26 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成方法および装置 |
| FR2855168B1 (fr) * | 2003-05-19 | 2007-03-30 | Saint Gobain | Bombage de vitrages par gravite sur une multiplicite de supports |
| US20060087739A1 (en) * | 2004-10-21 | 2006-04-27 | Jds Uniphase Corporation | Low net stress multilayer thin film optical filter |
| JP2007193132A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Seiko Epson Corp | 光学部品の製造方法 |
| JP2007241018A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Epson Toyocom Corp | 全反射ミラー |
| JP2007334087A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Epson Toyocom Corp | 光学部品の製造方法 |
-
2008
- 2008-09-01 JP JP2008223752A patent/JP5304112B2/ja active Active
-
2009
- 2009-08-21 KR KR1020117003798A patent/KR101614179B1/ko active IP Right Grant
- 2009-08-21 CN CN2009801342022A patent/CN102137820A/zh active Pending
- 2009-08-21 US US13/061,187 patent/US20110154861A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-21 WO PCT/JP2009/004014 patent/WO2010023853A2/ja active Application Filing
- 2009-08-26 TW TW098128637A patent/TWI432386B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110073425A (ko) | 2011-06-29 |
| JP2010058989A (ja) | 2010-03-18 |
| TW201022168A (en) | 2010-06-16 |
| CN102137820A (zh) | 2011-07-27 |
| WO2010023853A3 (ja) | 2010-04-08 |
| KR101614179B1 (ko) | 2016-04-20 |
| WO2010023853A2 (ja) | 2010-03-04 |
| JP5304112B2 (ja) | 2013-10-02 |
| US20110154861A1 (en) | 2011-06-30 |
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