TWI431609B - Active matrix display device - Google Patents

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Description

主動矩陣型顯示裝置
本發明係相關於一具有配置以行及列之矩陣狀之複數個畫素的主動矩陣型顯示裝置以及一具備其之電子機器。
習知的主動矩陣型顯示裝置，無論是動態畫面或靜止畫面的顯示模式均藉由驅動器來將資料寫入畫素中。在此情況，於顯示靜止畫面之時，時常地將相同的資料寫入畫素中。於是，於各個畫素中設置記憶體，以便在顯示靜止畫面之時，將記憶體所記憶的資料寫入畫素中，取代驅動器的驅動，以減少電力耗損(例如，參照專利文件1)。此技術一般被稱為MIP(Memory In Pixel)，即畫素記憶體技術。
一般來說，在MIP技術中，為了保持記憶在各畫素之記憶體的資料，須使用DRAM(動態隨機存取記憶體)或SRAM(靜態隨機存取記憶體)。其中，SRAM(靜態隨機存取記憶體)係以電晶體依序排列的電路所構成，DRAM(動態隨機存取記憶體)則以一個電晶體及一個電容器所構成，所以DRAM(動態隨機存取記憶體)在縮小電路面積及減少畫素間距方面較為有利。但是，DRAM(動態隨機存取記憶體)為了儲存電容器中所積蓄的微小電荷，需要定期進行更新(refresh)。至於使用DRAM(動態隨機存取記憶體)的畫素電路，則如國際公開號碼WO2004/090854A1(專利文件2)所記載。
圖1係顯示習知DRAM(動態隨機存取記憶體)之電路圖。DRAM(動態隨機存取記憶體)具有一個電晶體Q1以及一個電容器C1。電晶體Q1的源極端係與位元線11連接，閘極端則與字元線12連接。電容器C1的一端係與電晶體Q1的汲極端連接，另一端則接地。於寫入動作，最初，電晶體Q1因電壓藉由字元線12施加至其閘極而被開啟。接著，將位元線11之二進位資料「1」的電壓會通過電晶體Q1，將電荷積蓄至電容器C1。就這樣，利用電容器C1的充放電，使DRAM(動態隨機存取記憶體)以記憶以「1」或「0」來表示之資料的1位元記憶體。
於實際的使用中，在電晶體Q1的汲極端與電容器C1之間的連接點係另與電晶體Q2(圖中未示)的閘極端連接。電晶體Q2係作為電壓偵測元件，以偵測與電晶體Q2的閘極端連接之電容器C1之端的電壓是否在一預定值以上。一旦電晶體Q1因字元線12致能時，輸入電壓Vin 通過位元線11施加至電容器C1。此時，將與輸入電壓Vin 相等的電壓Vs 施加至電晶體Q2的閘極端，以致能電晶體Q2。
然而，使用上述之習知DRAM動態隨機存取記憶體)電路中，電壓偵測所得到的電壓值會受到於用來作為電壓偵測元件之元件特性(如閥值電壓)的影響。
有鑑於此問題，本發明之目的，係提供一種不受電壓偵測元件影響，且可穩定操作的畫素記憶體之電路的主動 矩陣型顯示裝置，以及一種具備此主動矩陣型顯示裝置的電子機器。
為了達成上述目的，本發明的主動矩陣型顯示裝置，包括：複數個畫素，係以行及列之矩陣狀配置，其中此等畫素，各具有：一顯示元件；一電容器，係記憶此顯示元件之電壓狀態為高的狀態或為低的狀態；一切換元件，係連接在此顯示元件與此電容器之間，且在此顯示元件之電壓狀態被記憶之取樣期間開啟；以及一電壓偵測電路，係偵測此電容器與此切換元件之間的電壓；此顯示裝置，另具有：一第一電容器電壓源，係與此電容器之沒有與此電壓偵測電路連接端連接，且在此取樣期間將一位於此顯示元件之電壓狀態之變動範圍內的預定電壓施加至此電容器；及/或一第二電容器電壓源，係與此顯示元件之沒有與此切換元件連接端連接，且在此取樣期間將一位於此顯示元件之電壓狀態之變動範圍內的預定電壓施加至此顯示元件。
如此，藉由將一預定電壓施加至使用記憶體電路之電容器之沒有與電壓偵測電路連接的端，及/或至顯示元件之之沒有與切換元件連接的端，便可提供一種不受電壓偵測元件影響，且可穩定操作的畫素記憶體之電路的主動矩陣型顯示裝置。
本發明之主動矩陣型顯示裝置之第一電容器電壓源包括一源極驅動器，用以透過一源極線提供資料至此等畫素，且此源極驅動器係透過此源極線與電容器連接。本發 明之主動矩陣型顯示裝置更包括：一共用驅動器，係透過一共用電極線與此等畫素及第二電容器電壓源相連。
如此，本發明之主動矩陣型顯示裝置可藉由利用既有的構造而不須設置專用的電壓源電路及線，以維持本發明之主動矩陣型顯示裝置原本的規模。
此電壓偵測電路係n型電晶體或p型電晶體，亦或是反向器電路，或者是差動放大電路。
如此，只要是可回應於施加至控制端之電壓動作的電路，均可依照用途而被應用為此電壓偵測電路。
再者，本發明之主動矩陣型顯示裝置，可以是使用液晶胞元(cell)作為內含在其畫素中之發光顯示元件的顯示裝置或是使用有機EL的OLED顯示裝置。
另外，本發明之主動矩陣型顯示裝置，可被組裝到手機、個人數位助理(PDA)、攜帶式音頻播放器以及攜帶式遊戲機之類的會受電力消費限制並以電池驅動的攜帶機器，以及顯示海報之類的廣告宣傳的監視器等電子機器中來使用。
藉由本發明，可提供一種不受電壓偵測元件影響，且可穩定操作的畫素記憶體之電路的主動矩陣型顯示裝置，以及一種具備此主動矩陣型顯示裝置的電子機器。
以下將參照附圖來說明本發明之較佳實施例。
圖2係顯示依照本發明之一實施例之主動矩陣型顯示裝置，而圖2所示之顯示裝置1，係具有一顯示部10、一源極驅動器20、一閘極驅動器30、一共用驅動器40以及一控制器50。
其中，顯示部10具有以行及列矩陣狀配置的複數個畫素100。源極驅動器20係透過源極線S1 ~Sm 與各個畫素連接，且以類比或數位的方式將影像資料供給至各個畫素。閘極驅動器30係透過閘極線G1 ~Gn 控制各個畫素的開啟或關閉。共用驅動器40係透過共用電極線COM1 ~COMn 與各個畫素連接，以依照各個畫素的驅動狀態改變共同電極線COM1 ~COMn 的電位。控制器50則用以同步化源極驅動器20、閘極驅動器30及共用驅動器40，以控制此等驅動器的動作。
於顯示部10中，各個畫素100係位於源極線S1 ~Sm 與閘極線G1 ~Gn 的交叉區域、且各個畫素100係具有至少一個的顯示元件(例如，液晶胞或有機EL等)以及對應之畫素記憶體。於靜止畫面顯示模式中，各畫素係以內建記憶體所記憶的資料取代透過源極線S1 ~Sm 所傳送至各畫素的資料來動作。因此，於靜止畫面顯示模式中，源極驅動器20可停止作用，而顯示部10仍可連續地顯示靜止畫面。
圖3係顯示依照本發明之一實施例之主動矩陣型顯示裝置之畫素電路的範例。
圖3所示之畫素100，具有畫素電容Cpix 以及第一電晶體Q11，此畫素電容Cpix 具有例如液晶胞的顯示元件C1c 以 及儲存電容器Cs 。其中，顯示元件C1c 之一端與共用電極線COMi 連接，另一端則透過第一電晶體Q11與源極線Si 連接。此外，第一電晶體Q11的閘極端係與閘極線Gi 連接。除此之外，儲存電容器Cs 之一端係與儲存電容線Lcs 連接，另一端則與顯示元件C1c 一樣透過第一電晶體Q11與源極線Si 連接。
可替代地，儲存電容器Cs 亦可不與儲存電容線Lcs 連接，而與共用電極線COMi 或下一列的閘極線G(i-1) 連接。一旦閘極驅動器30透過閘極線Gi 使得第一電晶體Q11開啟，使源極線Si 的電壓施加至顯示元件C1c 而使顯示元件C1c 發光(此時，通過液晶之光線會產生偏向)。再者，於圖3，雖然係以液晶電容元件來代表顯示元件C1c ，然而，顯示元件C1c 亦可採用OLED(有機發光二極體，Organic Light-Emitting Diode)之類的發光二極體。
如圖3所示，畫素100另可具有第二電晶體Q12、第三電晶體Q13、第四電晶體Q14以及取樣電容器C11。其中，取樣電容器C11之一端係與源極線Si 連接，另一端則透過第二電晶體Q12與位於顯示元件C1c 與第一電晶體Q11之間的連接點連接。第二電晶體Q12的閘極端係與取樣線Lsam 連接，第三電晶體Q13及第四電晶體Q14係串聯連接並插入一位於顯示元件C1c 與第一電晶體Q11間的連接點與源極線Si 之間。此外，第三電晶體Q13的閘極端係與一位於取樣電容器C11與第二電晶體Q12之間的連接點連接。另一方面，第四電晶體Q14的閘極端係與更新線Lref 連接。前述之取樣電 容器C11與第二電晶體Q12及第三電晶體Q13一同構成一DRAM(動態隨機存取記憶體)，其中第三電晶體Q13相當於電壓偵測元件。
在此，將以黑底(normally black)的液晶顯示器作為本發明的顯示裝置。以下，以顯示出白色的反向驅動為例，來說明圖3所示之畫素電路的動作。
圖4係顯示以圖3所示之畫素電路之動作為一範例的時序圖。
於初期狀態(~T11 )中，畫素電容Cpix 之透過第一電晶體Q11與源極Si 連接，其電壓(以下稱為畫素電壓)Vpix 係處於高的狀態(例如，5伏特)。另一方面，畫素電容Cpix 之另一端的電壓(亦即，共用電極線COMi 之電位)係藉由共用驅動器40來驅動則處於低的狀態(例如，0伏特)。此時，第一電晶體Q11、第二電晶體Q12、第三電晶體Q13以及第四電晶體Q14係為關閉的狀態。
接著，於時間T11 ，為了取樣畫素電壓Vpix ，藉由控制器50將取樣線Lsam 驅動為高的狀態。此時，第二電晶體Q12係開啟的狀態。因此，第二電晶體Q12與取樣電容器C11之間出現的電壓(以下稱為取樣電壓)Vs 係顯示相當於高的狀態的電壓(=5伏特)。之後，於時間T12 ，即使取樣線Lsam 被驅動為低的狀態，取樣電壓Vs 仍可藉由電容器C11而保持在高的狀態。
再者，在取樣線Lsam 處於高的狀態之取樣期間(即T11 ~T12 之間)，係藉由源極驅動器20將一相當於高的狀態與 相當於低的狀態之間的預定的中間電壓Vmid (例如，1.25伏特)供應至源極線Si 。
接著，在T13 ~T14 期間，為了預先將畫素電容Cpix 充電，便以閘極驅動器30將閘極線Gi 驅動為高的狀態，同時以源極驅動器20將源極線Si 驅動為高的狀態。此時，開啟第一電晶體Q11，以將畫素電容Cpix 與源極線Si 連接。另一方面，於預先充電期間之時間T13 ，以共用驅動器40將共用電極線COMi 驅動為高的狀態。
在預先充電期間T13 ~T14 結束之後，於時間T15 ，控制器50將更新線Lref 驅動為高的狀態。此時，致能第四電晶體Q14。藉此，將第三電晶體Q13的源極端與源極線Si 連接。一旦預先充電期間T13 ~T14 結束，則以源極驅動器20將源極線Si 驅動為低的狀態(=0伏特)。藉此，第三電晶體Q13之源極端的電壓亦為低的狀態(=0伏特)。再者，因為源極線Si 於取樣期間T11 ~T12 之間存在有中間電壓Vmid ，所以於第三電晶體Q13的閘極端出現有取樣電壓Vs =Vpix -Vmid 並藉此致能第三電晶體Q13。如此，畫素電容Cpix 便透過第三電晶體Q13及第四電晶體Q14與源極線Si 連接，而畫素電壓Vpix 則成為低的狀態(=0伏特)。之後，於時間T16 ，再次將更新線Lref 驅動為低的狀態。
最後，畫素電壓Vpix 與共用電壓Vcom 分別由各自的初期狀態反轉，即高的狀態/低的狀態互相對換。
在此狀態下，為了於下一個取樣時機T21 取樣現在的畫素電壓Vpix ，便以控制器50將取樣線Lsam 驅動為高的狀態。 此時，致能第二電晶體Q12。如此，第二電晶體Q12與取樣電容器C11之間所出現的取樣電壓Vs 係與畫素電容Cpix 連接而顯示為低的狀態(=0伏特)。之後，於時間T22 ，取樣線Lsam 係驅動為低的狀態。
再者，於取樣線Lsam 係驅動為高的狀態的取樣期間T21 ~T22 之間，以源極驅動器20將一相當於高的狀態與相當於低的狀態之間的預定的中間電壓Vmid (例如，1.25伏特)供應至源極線Si。
接著，在期間T23 ~T24 之間，為了預先充電畫素電容Cpix ，便以閘極驅動器30將閘極線Gi 驅動為高的狀態，同時以源極驅動器20將源極線Si 驅動為高的狀態。此時，開啟此第一電晶體Q11，以將畫素電容Cpix 與源極線Si 連接。如此，畫素電壓Vpix 便成為高的狀態。另一方面，於預先充電期間開始之時間T23 ，以共用驅動器40將共用電極線COMi 驅動為低的狀態。
在預先充電期間T23 ~T24 結束之後，於時間T25 ，以控制器50將更新線Lref 驅動為高的狀態。此時，致能第四電晶體Q14。藉此，將第三電晶體Q13的源極端與源極線Si 連接。一旦預先充電期間T23 ~T24 結束，則以源極驅動器20將源極線Si 驅動為低的狀態(=0伏特)。藉此，第三電晶體Q13之源極端的電壓亦為低的狀態(=0伏特)。再者，因為源極線Si 於取樣期間T21 ~T22 之間存在有中間電壓Vmid ，所以於第三電晶體Q13的閘極端出現有取樣電壓Vs =Vpix -Vmid <0V。因 此，第三電晶體Q13維持關閉。之後，於時間T26 ，更新線Lref 被驅動為低的狀態。
最後，畫素電壓Vpix 與共用電壓Vcom 分別由各自的狀態再次反轉，即高的狀態/低的狀態互相對換，以回復至各自的初期狀態。
如此，在依照本發明之一實施例的畫素電路中，於取樣期間中，透過源極線Si 將一相當於高的狀態與相當於低的狀態之間的預定的中間電壓Vmid 施加至取樣電容器C11之一相對於前述之與畫素電容Cpix 連接之端的另一端。以下，將說明於取樣期間中施加前述之預定的中間電壓Vmid 的必要性。
在取樣期間之前，亦即在畫素電容Cpix 與取樣電容器C11連接之前，電路整體電荷Q0 係表示為：Q0 =Cpix (Vpix -Vcom )+C11(Vs -VSi )
又，VSi 係源極線Si 的電壓。
接著，於取樣期間中，亦即在藉由致能第二電晶體Q12而使得畫素電容Cpix 與取樣電容器C11連接的情況下，電路整體電荷Qs 則表示為：Qs =Cpix (V0 -Vcom )+C11(V0 -VSi )
又，V0 係於畫素電容Cpix 與取樣電容器C11之間所出現的電壓(在此情況下，V0 =Vpix =Vs )。
在此，依據電荷保存法則Q0 =Qs ，則可求得電壓V0 為：V0 =(Vpix +Vs ‧C11/Cpix )/(1+C11/Cpix )
一般而言，可認為C11/Cpix ~0。所以，電壓V0 便可表示為：V0 =Vpix
因此，於取樣期間中，取樣電容器C11所積蓄的電荷Q1 便成為：Q1 =C11(Vpix -VSi )=C11(Vpix -Vmid )
而由於在取樣期間結束後，第二電晶體Q12便被關閉，故取樣電容器C11中仍保持此電荷。
之後，於更新期間中，雖然第二電晶體Q12仍然維持關閉，但源極線Si 的電壓VSi 會變成0伏特。此時，一旦取樣電壓Vs 成為Vg ，則依據電荷保存法則，下式便成立：Q1 =C11(Vpix -Vmid )=C11(Vg -0)
因此，電壓Vg 則可表示為：Vg =Vpix -Vmid
如此，於更新期間中的取樣電壓Vg 係向下位移一等於取樣期間中透過源極線Si 所施加的預定電壓Vmid 的量。
圖5係顯示n型電晶體的電壓-電阻特性。圖5(a)之電壓-電阻特性曲線501係顯示預定閥值電壓Vth (通常為大約0.6伏特)由高至低或由低至高之電阻變化。如此，電晶體之開啟/關閉的切換，係以如何在閥值電壓Vth 處不產生傾斜地變化為理想。但是，實際上之電晶體的電壓-電阻特性，係如同圖5(b)之曲線502及曲線503所示，在開啟/關閉的切換時電阻係呈緩坡度地變化。再者，電晶體在各個元件間或各個生產批量(lot)間都會具有不同的電壓-電阻特性，如前述 之曲線502及曲線503所示。此n型電晶體，特別是一依照本發明之一實施例的畫素電路所使用之第三電晶體Q13，就如同圖5(b)之電壓-電阻特性曲線503所示，其電阻低(Low)側的動作不安定。如此，藉由偵測電壓元件所偵測的電壓便會受到來自一被應用為偵測電壓元件之電晶體之閥值電壓的限制。但是，如圖5(c)的曲線504及曲線505所示，這種問題可藉由將施加至電晶體之閘極端的偵測電壓位移至其變動範圍的中心的方式而獲得改善。
如此，依照本發明之一實施例的畫素電路，係於取樣期間透過源極線Si而將預定的中間電壓Vmid 給予至取樣電容器C11之一相對於前述之與畫素電容Cpix 連接端的另一端，使得本發明之一實施例的畫素電路可不受限於被應用為電壓偵測元件之第三電晶體Q13之閥值電壓而能安定地動作。
圖6係顯示一依照本發明之一實施例的源極驅動器。
如圖6所示，源極驅動器20係具有一控制部21、一暫存器部22、一數位類比轉換部(D/A)23以及一緩衝/放大部24。其中，控制部21可依照外接或內建之記憶裝置所記憶的程式25來控制驅動器20之各部的動作。此外，暫存器部22可暫時儲存由顯示裝置本身的控制器(圖中未示)所供應的數位影像資料，數位類比轉換部23則可將暫存器部22所輸出之數位資料信號轉換成類比信號。最後，緩衝/放大部24可對數位類比轉換部23所輸出之類比資料信號或暫存器22所直接輸出的數位資料信號進行緩衝及放大，且透過源極 線S1 ~Sm 將這些信號供應至顯示部的各畫素。再者，於畫素電路的取樣期間中，數位類比轉換部23係回應來自控制部21的信號而將預定的中間電壓Vmid 供應至源極線Si 。
也就是說，應用於本實施例的源極驅動器20係與畫素內記憶顯示元件之取樣電容器C11連接(其電壓狀態為高的狀態或為低的狀態)之沒有與顯示元件連接端。如此，可於取樣期間T11 ~T12 中，一第一電容器電壓源將一位於顯示元件之電壓狀態之變動範圍內的預定電壓Vmid 施加至電容器C11。
替代地，亦可設置與源極驅動器20及源極線Si 不同之一專用電容器電壓源以及一專用線路，以施加一預定的中間電壓Vmid 至電容器C11。此一技術特徵在無法改變源極驅動器之規格的情況下，較為有利。
圖7係顯示圖3所示之畫素電路之動作的另一範例的時序圖。
至於圖7所顯示的範例與圖4所顯示的範例之間的相異點係在於：在圖7所顯示的範例中，在取樣期間中係將中間電壓Vmid 施加至共用電極線COMi ，而非源極線Si 。再者，於本範例中，中間電壓Vmid 係具有負值(<0)。
在取樣期間之前，亦即，在畫素電容Cpix 與取樣電容器C11連接之前，電路整體電荷Q0 係顯示為：Q0 =Cpix (Vpix -Vcom )+C11(Vs -VSi )
又，VSi 係源極線Si 的電壓。
接著，於取樣期間，亦即在藉由致能第二電晶體Q12而使得畫素電容Cpix 與取樣電容器C11連接的情況下，電路整體電荷Qs 則表示為：Qs =Cpix (V0 -Vcom -Vmid )+C11(V0 -VSi )
又，V0 係於畫素電容Cpix 與取樣電容器C11之間所出現的電壓(在此情況下，V0 =Vpix =Vs )。
在此，依據電荷保存法則Q0 =Qs ，則可求得電壓V0 為：V0 =(Vpix +Vmid +Vs ‧C11/Cpix )/(1+C11/Cpix )
一般而言，可認為C11/Cpix ~0。所以，電壓V0 便可表示為：V0 =Vpix +Vmid
因此，於取樣期間中，取樣電容器C11所積蓄的電荷Q1 便成為：Q1 =C11(Vpix +Vmid -VSi )
而由於在取樣期間結束後，第二電晶體Q12便被關閉，故取樣電容器C11保持此電荷。
之後，於更新期間中，雖然第二電晶體Q12仍然維持關閉，但是源極線Si 的電壓VSi 會變成0伏特。此時，一旦取樣電壓Vs 成為Vg ，則依據電荷保存法，下式便成立：Q1 =C11(Vpix +Vmid -VSi )=C11(Vg -0)
因此，電壓Vg 則可表示為：Vg =Vpix +Vmid
如此，於更新期間中的取樣電壓Vg 係向上位移一等於取樣期間中以共用驅動器40透過共用電極線COMi 所施加 的預定中間電壓Vmid 的量。但是，於本範例中，中間電壓Vmid 係具有負值，故實際上取樣電壓Vg 仍係向下位移一等於中間電壓Vmid 的量。如此，參照圖5所示，一依照本發明之一實施例的畫素電路可不受限於被應用為電壓偵測元件之第三電晶體Q13之閥值電壓而安定地動作。
也就是說，本實施例所採用的共用驅動器40係與顯示元件C1c 之沒有與畫素內記憶顯示元件之電容器C11連接(其電壓狀態為高的狀態或為低的狀態)連接的端。如此，可於取樣期間T11 ~T12 中，一第二電容器電壓源將一位於顯示元件之電壓狀態之變動範圍內的預定電壓Vmid 施加至顯示元件C1c 。
替代地，亦可設置與共用驅動器40及共用線COMi 不同之一專用電容器電壓源以及一專用線路，以施加一預定的中間電壓Vmid 至顯示元件C1c 。此一技術特徵在無法改變共用驅動器之規格的情況下，較為有利。
以上說明的實施例，係使用n型電晶體作為電壓偵測元件。但是，本發明亦可使用p型電晶體，或是使用下述的電路來取代電壓偵測元件。
圖8係顯示依照本發明之一實施例之畫素電路所使用之電壓偵測電路的範例。於圖8中，為了容易理解，僅顯示形成在畫素電路內之DRAM(動態隨機存取記憶體)電路及與DRAM(動態隨機存取記憶體)電路之輸出連接的電壓偵測電路。
其中，圖8(a)係顯示在圖3所顯示之畫素電路中，使用p型電晶體及n型電晶體所構成的反向器電路71，以作為電壓偵測電路並用來取代作為電壓偵測元件之第三電晶體Q13的情況。如圖8(a)所示，反向器電路71的輸出Out係與顯示元件C1c 與第一電晶體Q11之間的連接點連接。
另一方面，圖8(b)係顯示在圖3所顯示的畫素電路中，使用差動放大電路72，其包含電流鏡電路及定電流電路，以作為電壓偵測電路並用來取代作為電壓偵測元件之第三電晶體Q13的情況。如圖8(b)所示，差動放大電路72的輸出Out係與顯示元件C1c 與第一電晶體Q11之間的連接點連接。
無論是電壓偵測電路71或72，於取樣期間中，兩者都透過源極線Si 或共用電極線COMi 而被施加預定的中間電壓Vmid ，藉此在偵測電壓之變動範圍的中心處位移。
圖9係顯示一具備有依照本發明之一實施例之主動矩陣型顯示裝置的電子機器的範例。
雖然，圖9所顯示的電子機器200係為膝上型PC，但電子機器200亦可為手機、個人數位助理(PDA)、汽車導航裝置、或可攜式遊戲機等電子機器。如圖9所示，電子機器200係具有一包含一可顯示影像之顯示模組的顯示裝置1。
雖然，以上係針對本發明之較佳實施型態來說明，但是本發明所請求保護的範圍並不限於前述之各較佳實施型態。也就是說，本發明所請求保護的範圍可在不損及本發明之主旨的前提下進行修改。
例如，雖然上述實施例係說明為了在電壓偵測電路之偵測電壓之變動範圍的中心進行位移，所以將中間電壓Vmid 施加於源極線Si 或共用電極線COMi 之一，但其實亦可同時將中間電壓Vmid 施加於源極線Si 及共用電極線COMi 。
1‧‧‧顯示裝置
10‧‧‧顯示部
11‧‧‧位元線
12‧‧‧字元線
20‧‧‧源極驅動器
21‧‧‧控制部
22‧‧‧暫存器部
23‧‧‧數位類比轉換部
24‧‧‧緩衝/放大部
25‧‧‧程式
30‧‧‧閘極驅動器
40‧‧‧共用驅動器
50‧‧‧控制器
71‧‧‧反向器電路
72‧‧‧差動放大電路
100‧‧‧畫素
200‧‧‧電子機器
501、502、503、504、505‧‧‧曲線
Q1、Q2‧‧‧電晶體
C1‧‧‧電容器
S1 ~Sm ‧‧‧源極線
COM1 ~COMn ‧‧‧共用電極線
G1 ~Gn ‧‧‧閘極線
Cpix ‧‧‧畫素電容
C1c ‧‧‧顯示元件
Cs ‧‧‧儲存電容器
Q11‧‧‧第一電晶體
Q12‧‧‧第一電晶體
Q13‧‧‧第三電晶體
Q14‧‧‧第四電晶體
Lcs ‧‧‧儲存電容線
C11‧‧‧取樣電容器
Lsam ‧‧‧取樣線
Lref ‧‧‧更新線
Vpix ‧‧‧畫素電壓
Vs ‧‧‧取樣電壓
Vmid ‧‧‧中間電壓
Vcom ‧‧‧共用電壓
Vth ‧‧‧閥值電壓
圖1顯示一般的DRAM(動態隨機存取記憶體)。
圖2顯示依照本發明之一實施例之主動矩陣型顯示裝置。
圖3顯示依照本發明之一實施例之畫素電路的範例。
圖4顯示圖3所示之畫素電路之動作之一範例的時序圖。
圖5顯示n型電晶體之電壓-電阻特性。
圖6顯示依照本發明之一實施例之源極驅動器。
圖7顯示圖3所示之畫素電路之動作之另一範例的時序圖。
圖8顯示依照本發明之一實施例之畫素電路所使用之電壓偵測電路的範例。
圖9顯示一具備有依照本發明之一實施例之主動矩陣型顯示裝置之電子機器的範例。
100‧‧‧畫素
Si ‧‧‧源極線
COMi ‧‧‧共用電極線
Gi ‧‧‧閘極線
Cpix ‧‧‧畫素電容
C1c ‧‧‧顯示元件
Cs ‧‧‧儲存電容器
C11‧‧‧取樣電容器
Q11‧‧‧第一電晶體
Q12‧‧‧第一電晶體
Q13‧‧‧第三電晶體
Q14‧‧‧第四電晶體
Lsam ‧‧‧取樣線
Lcs ‧‧‧儲存電容線
Lref ‧‧‧更新線
Vs ‧‧‧取樣電壓
Vpix ‧‧‧畫素電壓

Claims (8)

  1. 一種主動矩陣型顯示裝置，包括：複數個畫素，係以行及列之矩陣狀配置，其中該等畫素，各具有：一顯示元件；一電容器，係記憶該顯示元件之電壓狀態為高的狀態或為低的狀態；一切換元件，係連接在該顯示元件與該電容器之間，且在該顯示元件之電壓狀態被記憶之取樣期間開啟；以及一電壓偵測電路，係偵測該電容器與該切換元件之間的電壓；該顯示裝置，另具有：一第一電容器電壓源，係與該電容器之沒有與該電壓偵測電路連接端連接，且在該取樣期間藉由一源極線使該電容器產生一電壓變化；及一第二電容器電壓源，係與該顯示元件之沒有與該切換元件連接端連接，且在該取樣期間使該顯示元件產生另一電壓變化。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣型顯示裝置，其中該第一電容器電壓源包括一源極驅動器，用以透過該源極線提供資料至該等畫素，且該源極驅動器係透過該源極線與該電容器連接。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣型顯示裝置，其中該顯示裝置更包括： 一共用驅動器，係透過一共用電極線與該等畫素及該第二電容器電壓源相連。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣型顯示裝置，其中該電壓偵測電路係為n型電晶體或p型電晶體。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣型顯示裝置，其中該電壓偵測電路係一反向器電路。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣型顯示裝置，其中該電壓偵測電路係一差動放大電路。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣型顯示裝置，其中該顯示元件為液晶電容元件。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣型顯示裝置，其中該顯示元件為有機發光二極體。
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