JP4990761B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、第１及び第２の電極に電圧が供給されることによってデータを表示する表示装置に関する。

従来より、上部電極と下部電極との間に電気光学媒体を介在させ、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することによって画像を表示する表示装置が知られている。斯かる表示装置として、反転駆動方式が採用された表示装置が知られている。反転駆動方式には、例えば、（１）上部電極及び下部電極の両方の電極に、電圧レベルが変化する電圧を供給する方式、（２）上部電極及び下部電極のうちの一方の電極に一定電圧を供給し、他方の電極に電圧レベルが変化する電圧を供給する方式、がある。

また、近年、携帯電話等の表示装置の急速な普及に伴ない、表示装置の低消費電力化が要求されている。この目的のため、例えば、ＷＯ２００４０９０８５４Ａ１号は、画素の各々にリフレッシュ回路を備えた表示装置を開示している。

ＷＯ２００４０９０８５４Ａ１号に開示されたリフレッシュ回路は、方式（１）が採用された表示装置には適用できる。しかし、ＷＯ２００４０９０８５４Ａ１号に開示されたリフレッシュ回路は、方式（２）が採用された表示装置には、適用できない。方式（２）は方式（１）よりも表示品位の向上を図ることができる等の理由から、表示装置に方式（２）を採用するケースが多くなっており、そのため、方式（２）が採用された表示装置の低消費電力化も望まれている。

本発明は、上記の課題を解決する表示装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成する本発明の表示装置は、第１及び第２の電極に電圧が供給されることによって画像を表示する表示装置であって、上記表示装置が、第１及び第２のリフレッシュ電圧を受け取る電圧選択手段を有し、上記電圧選択手段が、上記第１の電極上の電圧が第１のデータ電圧のとき、第１の経路を通じて上記第１の電極に上記第１のリフレッシュ電圧を供給し、上記第１の電極上の電圧が第２のデータ電圧のとき、第２の経路を通じて上記第１の電極に上記第２のリフレッシュ電圧を供給する。

斯かる電圧選択手段を有することによって、第１及び第２のリフレッシュ電圧をそれぞれ第１及び第２の経路を通じて第１の電極に供給することができる。第１及び第２のリフレッシュ電圧を第１の電圧に供給することによって、表示装置を低消費電力で駆動することができる。

以下に、カラー表示装置を取り挙げて本発明を説明するが、本発明は、例えば、モノクロ表示装置にも適用できることに注意されたい。

図１は、本発明の一実施例による表示装置１の概略図である。

表示装置１は、マトリックス状に並んだＲＧＢのサブ画素を有する。図１には、説明の便宜上、８個のサブ画素１００のみが具体的に示されている。これらサブ画素１００は、横方向に並ぶ３つのサブ画素によって、１つの画素１０を構成する。各サブ画素１００は２階調を表示することができる。従って、１つの画素１０は８色を表示することができる。

また、表示装置１はゲートドライバ２０及びソースドライバ３０を有する。ゲートドライバ２０は、リフレッシュラインＬrfrsh、サンプルラインＬsmpl、制御ラインＬg2及びＬg4、並びにゲートラインＬgateを駆動し、ソースドライバ３０はソースラインＬsrcを駆動する。ゲートドライバ２０及びソースドライバ３０がこれらラインを駆動することによって、表示装置１が画像を表示する。

図２は、図１に示す１つのサブ画素１００の拡大詳細図である。

サブ画素１００は、液晶容量Ｃ_ＬＣと蓄積容量Ｃｓとからなるサブ画素容量Ｃpixelを有している。この液晶容量Ｃ_ＬＣはサブ画素電極Ｅｐ及びコモン電極Ｅcomにより構成され、蓄積容量Ｃｓは蓄積容量電極Ｅｓ及びコモン電極省略することもできる。サブ画素電極Ｅｐは蓄積容量電極Ｅｓに接続されている。また、サブ画素１００は、サブ画素スイッチＳＷｐを有している。本実施例では、このサブ画素スイッチＳＷｐはｎ型ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）により構成されているが、他のスイッチ素子を用いることもできる。サブ画素スイッチＳＷｐのゲート端子Ｇｐは、ゲートラインＬgateに接続されている。また、サブ画素スイッチＳＷｐの主導電経路Ｐｐは、その一端がソースラインＬsrcに接続され、他端がサブ画素電極Ｅｐに接続されている。表示装置１は、サブ画素容量Ｃpixelに印加される電圧の極性を反転する反転駆動方式が採用されている。本実施例では、コモン電極Ｅcomに一定電圧を供給し、且つサブ画素電極Ｅｐ（及び蓄積容量電極Ｅｓ）に電圧レベルが変化する電圧を供給することによって、反転駆動方式を実現している。

更に、サブ画素１００は、リフレッシュ回路１０１を有している。リフレッシュ回路１０１は、サブ画素電極Ｅｐ（ノードＮ１）に書き込まれた電圧を、一旦記憶しておくためのサンプルコンデンサＣsmplを有している。更に、リフレッシュ回路１０１は、サブ画素電極Ｅｐ（ノードＮ１）に書き込まれた電圧をサンプルするためのサンプルスイッチＳＷsを有している。ここでは、サンプルスイッチＳＷsはｎ型ＴＦＴを用いて構成されているが、他のスイッチを使用することもできる。このサンプルスイッチＳＷsのゲート端子ＧsはサンプルラインＬsmplに接続されている。また、サンプルスイッチＳＷsの主導電経路Ｐsmplは、その一端がサブ画素電極Ｅｐに接続され他端がサンプルコンデンサＣsmplに接続されている。更に、リフレッシュ回路１０１は電圧選択回路１０２を有している。この電圧選択回路１０２は、サブ画素電極Ｅｐ（ノードＮ１）に書き込まれた電圧の極性を反転させるために備えられている。電圧選択回路１０２は、４つのスイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、及びＳＷ４を有している。ここでは、スイッチＳＷ１はｐ型ＴＦＴであり、残りの３つのスイッチＳＷ２、ＳＷ３、及びＳＷ４は、ｎ型ＴＦＴである。スイッチＳＷ１はスイッチＳＷ２に直列に接続されており、この直列接続されたスイッチＳＷ１及びＳＷ２が、１つの導電経路Ｐａを形成する。また、スイッチＳＷ３はスイッチＳＷ４に直列に接続されており、この直列接続されたスイッチＳＷ３及びＳＷ４が、別の１つの導電経路Ｐｂを形成する。直列接続されたスイッチＳＷ１及びＳＷ２と、直列接続されたスイッチＳＷ３及びＳＷ４は、互いに並列に接続されている。更に、スイッチＳＷ１及びＳＷ３のゲート端子Ｇ１及びＧ３は、サンプルコンデンサＣsmplに接続されている。スイッチＳＷ２及びＳＷ４のゲート端子Ｇ２及びＧ４は、それぞれ制御ラインＬg2及びＬg4に接続されている。

また、リフレッシュ回路１０１は、リフレッシュスイッチＳＷｒを有している。ここでは、リフレッシュスイッチＳＷｒはｎ型ＴＦＴを用いて構成されているが、他のスイッチを使用することもできる。このリフレッシュスイッチＳＷｒのゲート端子ＧｒはリフレッシュラインＬrfrshに接続されている。リフレッシュスイッチＳＷｒの主導電経路Ｐｒは、その一端がソースラインＬsrcに接続され、他端がサンプルコンデンサＣsmplと電圧選択回路１０２とに接続されている。電圧選択回路１０２は、ソースラインＬsrcからリフレッシュスイッチＳＷｒを通じて複数のリフレッシュ電圧を受け取り、受け取った複数のリフレッシュ電圧の中から、サブ画素電極Ｅｐに書き込むべきリフレッシュ電圧を選択し、この選択したリフレッシュ電圧をサブ画素電極Ｅｐに出力する。これによって、電圧選択回路１０２は、サブ画素電極Ｅｐ（ノードＮ１）に書き込まれた電圧の極性を反転させることができる。電圧選択回路１０２がサブ画素電極Ｅｐ（ノードＮ１）に書き込まれた電圧の極性をどのようにして反転しているかについては、後に詳述する。

全てのサブ画素１００は、上記の構成を有している。各サブ画素１００が有する７つのスイッチＳＷｐ、ＳＷs、ＳＷｒ、ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、及びＳＷ４は、スイッチＳＷ１のみがｐ型ＴＦＴであり、残りの６個のスイッチはｎ型ＴＦＴである。尚、これら７個のスイッチの各々をｎ型にするかｐ型にするかは、必要に応じて変更することもできる。

上記のように構成された表示装置１は、従来よりも低消費電力で反転駆動を行うことができる。この理由について、サブ画素１００のリフレッシュ回路１０１の動作とともに以下に説明する。

図３は、表示装置１が行うリフレッシュ動作の内容を概略的に示す図である。

表示装置１は、リフレッシュ動作を行う前に、先ず、データ書込期間ＴＤ１の間に、全てのサブ画素１００のサブ画素電極Ｅｐに、必要なデータ電圧を書き込む。全てのサブ画素１００のサブ画素電極Ｅｐにデータ電圧を書き込むには、例えば、通常のライン走査法を用いることができる。表示装置１は、全てのサブ画素１００のサブ画素電極Ｅｐにデータ電圧を書き込んだ後、リフレッシュ動作を行う。具体的には、表示装置１は、一定の周期Ｔrepで繰り返されるリフレッシュ期間ＴＲ１、ＴＲ２、...ＴＲｎにリフレッシュ動作を行う。表示装置１は、データ書込期間ＴＤ１に全てのサブ画素１００のサブ画素電極Ｅｐに書き込まれた電圧の極性を、最初のリフレッシュ期間ＴＲ１の間に、反転させる。但し、後述するように反転させる必要がない場合は、データ書込期間ＴＤ１に書き込まれた電圧をそのまま保持する。リフレッシュ期間ＴＲ１の終了後、ホールド期間ＴＨ１が始まる。

ホールド期間ＴＨ１では、リフレッシュ期間ＴＲ１の間に極性が反転した電圧が保持される。表示装置１は、ホールド期間ＴＨ１の間、極性が反転した電圧を保持するが、次のリフレッシュ期間ＴＲ２で電圧の極性を再度反転し、この再度極性の反転した電圧を、ホールド期間ＴＨ２の間保持する。以下、同様に、次のデータ書込期間ＴＤ２が来るまで、リフレッシュ期間及びホールド期間が交互に繰り返される。

次に、リフレッシュ期間とホールド期間で行われる具体的な動作について説明する。

図４は、表示装置１のタイミングチャートを示す。

図４には、データ書込期間ＴＤ１からホールド期間ＴＨ１までの電圧波形（Ａ）乃至（Ｉ）が示されている。電圧波形（Ｉ）の下には、第１の導電経路ＰａのスイッチＳＷ１及びＳＷ２の状態図（Ｊ）（即ち、スイッチＳＷ１及びＳＷ２がオンであるかオフであるか）、第２の導電経路ＰｂのスイッチＳＷ３及びＳＷ４の状態図（Ｋ）（即ち、スイッチＳＷ３及びＳＷ４がオンであるかオフであるか）も示されている。

本実施例では、コモン電極Ｅcomには０Ｖのコモン電位Ｖcomが供給されるが（波形（Ａ）参照）、コモン電圧Ｖcomは０Ｖ以外の電圧でもよい。尚、本実施例では、コモン電極Ｅcomに供給される電位０Ｖを基準にして、各電極上の電位、各ライン上の電位、及び各ノード上の電位を規定している。従って、以下では、これら電位を、コモン電極Ｅcomに供給される電位０Ｖとの差により規定される電圧として表現することにする。

先ず、データ書込期間ＴＤ１の間に、ソースラインＬsrcからサブ画素スイッチＳＷｐを通じてサブ画素電極Ｅｐにデータ電圧が書き込まれる。各サブ画素１００は２階調表示を行うものであるので、書き込まれるデータ電圧は、各サブ画素１００が２階調のうちのどちらの階調を表示するかによって、異なる。ここでは、サブ画素容量Ｃ_ＬＣの両端に印加する電圧を５Ｖ及び０Ｖにすることによって２階調（第１及び第２の階調）の表示を行っているが、サブ画素容量Ｃ_ＬＣの両端に印加される電圧は、５Ｖ及び０Ｖ以外の電圧であってもよい。サブ画素容量Ｃ_ＬＣの両端に５Ｖの電圧が印加されると、サブ画素１００は第１の階調を表示し、サブ画素容量Ｃ_ＬＣの両端に０Ｖの電圧が印加されると、サブ画素１００は第２の階調を表示する。コモン電圧Ｖcomは０Ｖであるので、サブ画素容量Ｃ_ＬＣの両端に印加される電圧を０Ｖにするときには（即ち、サブ画素１００に第２の階調を表示させるときには）、サブ画素電極Ｅｐに０Ｖの電圧が書き込まれる。また、サブ画素容量Ｃ_ＬＣの両端に印加される電圧を５Ｖにするときには（即ち、サブ画素１００に第１の階調を表示させるときには）、サブ画素電極Ｅｐに５Ｖ又は−５Ｖの電圧を書き込めばよい。ここでは、表示装置１は反転駆動方式を採用しているので、サブ画素容量Ｃ_ＬＣの両端に５Ｖの電圧を印加するときには、サブ画素電極Ｅｐに５Ｖ及び−５Ｖのデータ電圧が交互に書き込まれる。従って、サブ画素電極Ｅｐには、０Ｖ、５Ｖ又は−５Ｖが書き込まれる場合があるが、図４においては、サブ画素電極Ｅｐに電圧５Ｖが書き込まれたとして説明を続ける。サブ画素電極Ｅｐに電圧５Ｖが書き込まれるとサブ画素１００は第１の階調を表示し、このとき、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は５Ｖとなる（波形（Ｈ）参照）。サブ画素電極Ｅｐに５Ｖの電圧が書き込まれた後、サブ画素スイッチＳＷｐはオフになる。

また、データ書込期間ＴＤ１の間、サンプルスイッチＳＷｓはオフに維持される。サンプルスイッチＳＷｓをオフにするためには、ノードＮ１に対するサンプルスイッチＳＷｓのゲート端子Ｇｓの電圧Ｖgs-n1、及びノードＮ２に対するサンプルスイッチＳＷｓのゲート端子Ｇｓの電圧Ｖgs-n2が、サンプルスイッチＳＷｓのしきい電圧Ｖthよりも十分に小さい必要がある。本実施例では、ｎ型スイッチのしきい電圧Ｖthはおよそ１Ｖであり、ｐ型スイッチのしきい電圧Ｖthはおよそ−１Ｖであると仮定する。サンプルスイッチＳＷｓはｎ型スイッチであるので、しきい電圧Ｖthはおよそ１Ｖである。従って、電圧Ｖgs-n1及びＶgs-n2は、しきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に小さい必要がある。これを実現するために、データ書込期間ＴＤ１の間に、サンプルラインＬsmplに−１０Ｖのサンプルライン電圧Ｖsmplを供給している（波形（Ｄ）参照）。これによって、電圧Ｖgs-n1は−１５Ｖに保持されるので、しきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に小さくなる。一方、電圧Ｖgs-n2はノードＮ２上の電圧Ｖｎ２に依存するが、この電圧Ｖｎ２はデータ書込期間ＴＤ１において不定であるので、電圧Ｖgs-n2も不定である。しかしながら、本実施例における電圧Ｖｎ２のとり得る値を考慮すると（図４の波形（Ｉ）及び後述する図５及び図６の波形（Ｉ）参照）、サンプルライン電圧Ｖsmplが−１０Ｖであれば、電圧Ｖgs-n2はデータ書込期間ＴＤ１においてしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に小さい値になる。従って、サンプルライン電圧Ｖsmplを−１０Ｖにすることによって（波形（Ｄ）参照）、電圧Ｖgs-n1及びＶgs-n2の両方がしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分小さくなるので、データ書込期間ＴＤ１の間、サンプルスイッチＳＷｓはオフである。サンプルスイッチＳＷｓがオンであるかオフであるかは、波形（Ｄ）の中にサンプルライン電圧Ｖsmplとともに示してある。

また、データ書込期間ＴＤ１の間、リフレッシュスイッチＳＷｒもオフに維持される。リフレッシュスイッチＳＷｒをオフにするためには、ノードＮ４に対するリフレッシュスイッチＳＷｒのゲート端子Ｇｒの電圧Ｖgr-n4、及びノードＮ３に対するリフレッシュスイッチＳＷｒのゲート端子Ｇｒの電圧Ｖgr-n3が、リフレッシュスイッチＳＷｒのしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に小さい必要がある。これを実現するために、データ書込期間ＴＤ１の間に、リフレッシュラインＬrfrshに−５Ｖのリフレッシュライン電圧Ｖrfrshを供給している（波形（Ｅ）参照）。電圧Ｖgr-n3はノードＮ３上の電圧Ｖｎ３に依存するが、この電圧Ｖｎ３はデータ書込期間ＴＤ１において不定であるので、電圧Ｖgr-n3も不定である。しかしながら、本実施例における電圧Ｖｎ３のとり得る値を考慮すると（図４の波形（Ｉ）の一点鎖線及び後述する図５及び図６の波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）、リフレッシュライン電圧Ｖrfrshが−５Ｖであれば、電圧Ｖgr-n3はしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に小さい値になる。一方、電圧Ｖgr-n4はノードＮ４上の電圧Ｖｎ４に依存するが、この電圧Ｖｎ４もデータ書込期間ＴＤ１において不定であるので、電圧Ｖgr-n4も不定である。しかしながら、本実施例における電圧Ｖｎ４のとり得る値を考慮すると（図４の波形（Ｂ）及び後述する図５及び図６の波形（Ｂ）参照）、リフレッシュライン電圧Ｖrfrshが−５Ｖであれば、電圧Ｖgr-n3はしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に小さい値になる。従って、リフレッシュライン電圧Ｖrfrshを−５Ｖにすることによって（波形（Ｅ）参照）、電圧Ｖgr-n3及びＶgr-n4の両方がしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分小さくなるので、データ書込期間ＴＤ１の間、リフレッシュスイッチＳＷｒはオフである。リフレッシュスイッチＳＷｓがオンであるかオフであるかは、波形（Ｅ）の中にリフレッシュライン電圧Ｖrfrshとともに示してある。

更に、データ書込期間ＴＤ１の間、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ２及びＳＷ４はオフに維持される。スイッチＳＷ２をオフにするためには、ノードＮ１に対するスイッチＳＷ２のゲート端子Ｇ２の電圧Ｖｇ２-n1、及び接続端Ｓ１２に対するスイッチＳＷ２のゲート端子Ｇ２の電圧Ｖｇ２-s12が、スイッチＳＷ２のしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に小さい必要がある。また、スイッチＳＷ４をオフにするためには、ノードＮ１に対するスイッチＳＷ４のゲート端子Ｇ４の電圧Ｖｇ４-n1、及び接続端Ｓ３４に対するスイッチＳＷ４のゲート端子Ｇ４の電圧Ｖｇ４-s34が、スイッチＳＷ４のしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に小さい必要がある。これを実現するために、データ書込期間ＴＤ１の間に、制御ラインＬg2及びＬg4に−５Ｖの制御ライン電圧Ｖｇ２及びＶｇ４を供給している（波形（Ｆ）及び（Ｇ）参照）。ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は５Ｖであるので（波形（Ｈ）参照）、電圧Ｖg2-n1及びＶg4-n1は−１０Ｖに保持され、しきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に小さくなる。一方、電圧Ｖg2-s12及びＶg4-s34はそれぞれ接続端Ｓ１２及びＳ３４上の電圧Ｖs12及びＶs34に依存するが、この電圧Ｖs12及びＶs34はデータ書込期間ＴＤ１において不定であるので、電圧Ｖg2-s12及びＶg4-s34も不定である。しかしながら、本実施例における電圧Ｖs12及びＶs34のとり得る値を考慮すると、制御ライン電圧Ｖｇ２及びＶｇ４が−５Ｖであれば、電圧Ｖg2-s12及びＶg4-s34はしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に小さい値になる。

従って、スイッチＳＷ２の電圧Ｖg2-n1及びＶg2-s12はいずれもしきい電圧Ｖthよりも十分小さく、スイッチＳＷ４の電圧Ｖg4-n1及びＶg4-s34も、しきい電圧Ｖthより十分小さい。従って、データ期間ＴＤ１の間、スイッチＳＷ２及びＳＷ４はともにオフである（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。

データ書込期間ＴＤ１の終了後、ブランク期間ＴＢ１が存在している。

ブランク期間ＴＢ１の間に、ソースラインＬsrcに０Ｖのソースライン電圧Ｖsrcが供給される（波形（Ｂ）参照）。尚、ブランク期間ＴＢ１の間に、０Ｖのソースライン電圧Ｖsrcがサブ画素電極Ｅｐに書き込まれると、サブ画素電極Ｅｐに、データ書込期間ＴＤ１に書き込まれた電圧５Ｖとは異なる電圧が書き込まれてしまうことになるので、サブ画素１００は正しい画像を表示しなくなる。これを防止するため、サブ画素スイッチＳＷｐはブランク期間ＴＢ１の間オフになっている。サブ画素スイッチＳＷｐをオフにするには、ノードＮ０に対するサブ画素スイッチＳＷｐのゲート端子Ｇｐの電圧Ｖgp-n0、及びノードＮ１に対するサブ画素スイッチＳＷｐのゲート端子Ｇｐの電圧Ｖgp-n1が、サブ画素スイッチＳＷｐのしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に小さい必要がある。これを実現するために、ブランク期間ＴＢ１の間、ゲートラインＬgateに−５Ｖのゲートライン電圧Ｖgateが供給される（波形（Ｃ）参照）。これによって、電圧Ｖgp-n0は−５Ｖに保持され、電圧Ｖgp-n1は−１０Ｖに保持される。従って、電圧Ｖgp-n0及びＶgp-n1はしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分小さく保持され、サブ画素スイッチＳＷｐはオフに保持される。サブ画素スイッチＳＷｐがオンであるかオフであるかは、波形（Ｃ）の中にゲートライン電圧Ｖgateとともに示してある。ブランク期間ＴＢ１の間、サブ画素スイッチＳＷｐはオフであるので、ブランク期間ＴＢ１の間に、０Ｖのソースライン電圧Ｖsrc（波形（Ｂ）参照）がサブ画素電極Ｅｐに書き込まれることが防止される。

また、ブランク期間ＴＢ１の間、サンプルライン電圧Ｖsmplは−１０Ｖのままであり、リフレッシュライン電圧Ｖrfrsh、制御ライン電圧Ｖｇ２及びＶｇ４は、−５Ｖのままであるので、スイッチＳＷｓ、ＳＷｒ、ＳＷ２及びＳＷ４は、オフのままである。

ブランク期間ＴＢ１の終了後、リフレッシュ期間ＴＲ１が始まる。

リフレッシュ期間ＴＲ１が始まると、先ず、リフレッシュライン電圧Ｖrfrshが−５Ｖから１０Ｖに変化する（波形（Ｅ）参照）。リフレッシュライン電圧Ｖrfrshは、リフレッシュ期間ＴＲ１の間、電圧１０Ｖである。一方、ソースライン電圧Ｖsrcは、リフレッシュ期間ＴＲ１の間、電圧０Ｖ、５Ｖ、−５Ｖ、０Ｖの順に変化する（波形（Ｂ）参照）。従って、リフレッシュライン電圧Ｖrfrshが１０Ｖであれば、リフレッシュスイッチＳＷｒの電圧Ｖgr-n4はリフレッシュ期間ＴＲ１の間５Ｖ以上になるので、電圧Ｖgr-n4はしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分大きい。つまり、リフレッシュ期間ＴＲ１の間、リフレッシュスイッチＳＷｒはオンである（波形（Ｅ）参照）。従って、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は、少なくともリフレッシュ期間ＴＲ１の間、ソースライン電圧Ｖsrcと同じである。ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３の波形は、波形（Ｉ）の中に一点鎖線で示してある。リフレッシュ期間ＴＲ１の中のブランク期間ＴＢ２を参照すると、ソースライン電圧Ｖsrcは０Ｖであるので（波形（Ｂ）参照）、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３も０Ｖとなる（波形（Ｉ）参照）。リフレッシュ期間ＴＲ１はブランク期間ＴＢ２を有しており、ブランク期間ＴＢ２の後、サンプル期間Ｔsmplが始まる。

サンプル期間Ｔsmplが始まると、先ず、サンプルライン電圧Ｖsmplが−１０Ｖから１０Ｖに変化する（波形（Ｄ）参照）。サンプルライン電圧Ｖsmplは、サンプル期間Ｔsmplの間、電圧１０Ｖである。また、サンプル期間Ｔsmplの間、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は５Ｖである（波形（Ｈ）参照）。従って、サンプルスイッチＳＷｓの電圧Ｖgs-n1は５Ｖとなる、つまり、しきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に大きくなるので、サンプルスイッチＳＷｓはオンとなる（波形（Ｄ）参照）。サンプルスイッチＳＷｓがオンであるので、ノードＮ１とＮ２とが電気的に接続される。ノードＮ１に接続されているサブ画素容量Ｃpixelは、ノードＮ２に接続されているサンプルコンデンサＣsmplの容量よりも数百倍大きいものであり、このため、ノードＮ１とＮ２とが電気的に接続されると、ノードＮ２上の電圧Ｖｎ２がノードＮ１上の電圧Ｖｎ１に実質的に等しくなる。ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は５Ｖであるので、ノードＮ２上の電圧Ｖｎ２も５Ｖになる（波形（Ｉ）の実線を参照）。この様子を波形（Ｈ）と（Ｉ）との間に、矢印Ａ１で模式的に示してある。このようにして、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１（サブ画素電極Ｅｐ）に書き込まれた電圧５Ｖが、サンプルコンデンサＣsmplに記憶される。サンプルコンデンサＣsmplがノードＮ２において電圧５Ｖを記憶したということは（波形（Ｉ）の実線を参照）、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に書き込まれた電圧が５Ｖであることを意味する。

尚、サンプル期間Ｔsmplの間、ノードＮ２上の電圧Ｖｎ２は５Ｖであるので（波形（Ｉ）の実線を参照）、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ１及びＳＷ３のゲート端子Ｇ１及びＧ３上の電圧も、５Ｖである。また、サンプル期間Ｔsmplの間、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は０Ｖである（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）。従って、ノードＮ３に対するスイッチＳＷ３のゲート端子Ｇ３の電圧Ｖg3-n3は５Ｖになる。スイッチＳＷ３のしきい電圧はおよそ１Ｖであるので、スイッチＳＷ３はオンである（状態図（Ｋ）参照）。スイッチＳＷ３がオンではあるが、スイッチＳＷ２及びＳＷ４はオフのままであるので（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）、ソースライン電圧Ｖsrcが電圧選択回路１０２を経由してノードＮ１に供給されることは無い。サンプル期間Ｔsmplが終了したら、ブランク期間ＴＢ３を経てリセット期間Ｔresetが始まる。

リセット期間Ｔresetでは、スイッチＳＷ１とＳＷ２との間の接続端Ｓ１２に電圧０Ｖを書き込むとともに、スイッチＳＷ３とＳＷ４との間の接続端Ｓ３４にも電圧０Ｖを書き込む動作が行われる。この目的のため、ゲートライン電圧Ｖgateは、リセット期間Ｔresetの開始時点（ｔre）において−５Ｖから１０Ｖに変化し、リセット期間Ｔresetの間１０Ｖに保持される（波形（Ｃ）参照）。リセット期間Ｔresetの間、ソースライン電圧Ｖsrcが０Ｖであるので（波形（Ｂ）参照）、サブ画素スイッチＳＷｐの電圧Ｖgp-n0は１０Ｖである。従って、サブ画素スイッチＳＷｐはオンとなる（波形（Ｃ）参照）。サブ画素スイッチＳＷｐがオンとなるので、ソースライン電圧Ｖsrc（０Ｖ）がノードＮ１に書き込まれ、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は５Ｖから０Ｖに変化する（波形（Ｈ）参照）。この様子を波形（Ｂ）と（Ｈ）との間に、矢印Ａ２で模式的に示してある。また、スイッチＳＷ２及びＳＷ４の制御ライン電圧Ｖｇ２及びＶｇ４も、リセット期間Ｔresetの開始時点（ｔre）において−５Ｖから１０Ｖに変化し、リセット期間Ｔresetの間、１０Ｖを維持する（波形（Ｆ）及び（Ｇ）参照）。リセット期間Ｔresetに、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は０Ｖになるので（波形（Ｈ）参照）、スイッチＳＷ２及びＳＷ４の電圧Ｖg2-n1及びＶg4-n1は１０Ｖとなる。従って、電圧Ｖg2-n1及びＶg4-n1はしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に大きくなり、スイッチＳＷ２及びＳＷ４はオンとなる（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。結局、ソースライン電圧Ｖsrc（０Ｖ）は、ノードＮ１だけでなく、スイッチＳＷ１とＳＷ２との間の接続端Ｓ１２に書き込まれるとともに、スイッチＳＷ３とＳＷ４との間の接続端Ｓ３４にも書き込まれる。このように、リセット期間Ｔresetに接続端Ｓ１２及びＳ３４に電圧０Ｖを書き込む理由については後述する。また、リセット期間Ｔresetの間、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３も０Ｖである（波形（Ｉ）の一点鎖線参照）。従って、リセット期間Ｔresetの間、接続端Ｓ１２及びＳ３４並びにノードＮ３上の電圧はいずれも０Ｖである。これに対して、リセット期間Ｔresetの間、ノードＮ２上の電圧Ｖｎ２は５Ｖである（波形（Ｉ）の実線参照）。従って、スイッチＳＷ１の電圧Ｖg1-s12及びＶg1-n3はいずれも５Ｖとなるので、スイッチＳＷ１はオフである（状態図（Ｊ）参照）。尚、スイッチＳＷ３はオンのままである（状態図（Ｋ）参照）。

リセット期間Ｔresetが終了したら、ブランク期間を挟んで第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1及び第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2が順に始まる。ここで、ソースライン電圧Ｖsrcは異なる２つのリフレッシュ電圧を有することに注意されたい。具体的には、ソースライン電圧Ｖsrcは、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の間、第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）を有するが、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の間、第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）を有する（波形（Ｂ）参照）。リフレッシュ期間ＴＲ１の間、リフレッシュスイッチＳＷｒはオンであるので、電圧選択回路１０２は、ソースラインＬsrcから、リフレッシュスイッチＳＷｒを通じて、第１及び第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1及びＴsub-r2に、それぞれ第１及び第２のリフレッシュ電圧５Ｖ及び−５Ｖを受け取る。電圧選択回路１０２は、この受け取った第１及び第２のリフレッシュ電圧５Ｖ及び−５Ｖのうち、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１（サブ画素電極Ｅｐ）に書き込まれた電圧の極性を反転するために必要なリフレッシュ電圧を選択し、ノードＮ１に供給する。図４では、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に電圧５Ｖが書き込まれているので（波形（Ｈ）参照）、極性を反転するには、電圧選択回路１０２は第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）を選択し、ノードＮ１に供給する必要がある。斯かる電圧の選択を実現するために、リフレッシュ回路１０１は、リセット期間Ｔresetが終了した後、以下のように動作する。

リセット期間Ｔresetの終了後、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の開始前に、ブランク期間ＴＢ４が存在している。ブランク期間ＴＢ４の間、制御ライン電圧Ｖｇ２及びＶｇ４は−５Ｖであるので（波形（Ｆ）及び（Ｇ）参照）、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ２及びＳＷ４はオフである（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。また、ソースライン電圧Ｖsrcは、ブランク期間ＴＢ４の間に、０Ｖの電圧から第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）に変化する（波形（Ｂ）参照）。リフレッシュスイッチＳＷｒはオンであるので（波形（Ｅ）参照）、この第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）は電圧選択回路１０２に供給される。また、ソースライン電圧Ｖsrcが５Ｖに変化すると、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３も０Ｖから５Ｖに変化する（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）。ノードＮ３はサンプルコンデンサＣsmplを介してノードＮ２に容量結合されているので、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３が０Ｖから５Ｖに変化すると、ノードＮ２の電圧Ｖｎ２が５Ｖから１０Ｖに変化する（波形（Ｉ）の実線を参照）。ブランク期間ＴＢ４の間にノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は５Ｖになるが、それに応じてノードＮ２の電圧が１０Ｖになるので、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ１はオフのままであり（状態図（Ｊ）参照）、一方、スイッチＳＷ３はオンのままである（状態図（Ｋ）参照）。

ブランク期間ＴＢ４が終了したら、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1が始まる。制御ライン電圧Ｖｇ２は−５Ｖから１０Ｖに変化し、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の間、１０Ｖを保つ（波形（Ｆ）参照）。従って、スイッチＳＷ２はオンになる（状態図（Ｊ）参照）。スイッチＳＷ２はオンになるが、スイッチＳＷ１はオフのままであるので、電圧選択回路１０２が受け取った第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）は、第１の導電経路Ｐａを経由してノードＮ１に出力されない。更に、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の間、制御ライン電圧Ｖｇ４は−５Ｖのままであるので（波形（Ｇ）参照）、スイッチＳＷ４はオフのままである（状態図（Ｋ）参照）。従って、電圧選択回路１０２が受け取った第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）は、第２の導電経路Ｐｂを経由してノードＮ１に出力されない。即ち、電圧選択回路１０２は、受け取った第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）をノードＮ１に出力しない。従って、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は０Ｖのままである。

第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の終了後、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の開始前に、ブランク期間ＴＢ５が存在している。ブランク期間ＴＢ５の間に、制御ライン電圧Ｖｇ２は−５Ｖに戻る（波形（Ｆ）参照）。従って、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ２はオフに戻る（状態図（Ｊ）参照）。また、ソースライン電圧Ｖsrcは、ブランク期間ＴＢ５の間に、第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）から第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）に変化する。リフレッシュスイッチＳＷｒはオンであるので（波形（Ｅ）参照）、この第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）は電圧選択回路１０２に供給される。また、ソースライン電圧Ｖsrcが５Ｖから−５Ｖへ変化すると、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３も５Ｖから−５Ｖに変化する（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）。ノードＮ３はサンプルコンデンサＣsmplを介してノードＮ２に容量結合されているので、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３が５Ｖから−５Ｖに変化すると、ノードＮ２の電圧Ｖｎ２が１０Ｖから０Ｖに変化する（波形（Ｉ）の実線を参照）。ブランク期間ＴＢ５の間にノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は−５Ｖになるが、それに応じてノードＮ２の電圧が０Ｖになるので、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ１はオフのままであり（状態図（Ｊ）参照）、一方、スイッチＳＷ３はオンのままである（状態図（Ｋ）参照）。

ブランク期間ＴＢ５が終了したら、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2が始まる。第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の間、制御ライン電圧Ｖｇ２は−５Ｖのままであるので（波形（Ｆ）参照）、スイッチＳＷ２はオフのままである（状態図（Ｊ）参照）。従って、電圧選択回路１０２が受け取った第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）は、第１の導電経路Ｐａを経由してノードＮ１に出力されない。しかし、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の開始時点（ｔr2）において、制御ライン電圧Ｖｇ４が−５Ｖから１０Ｖに変化することに注意されたい（波形（Ｇ）参照）。第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の開始時点（ｔr2）では、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は０Ｖであるので（波形（Ｈ）参照）、制御ライン電圧Ｖｇ４が１０Ｖになった瞬間、スイッチＳＷ４の電圧Ｖg4-n1は１０Ｖとなる。従って、電圧Ｖg4-n1はしきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に大きくなり、スイッチＳＷ４はオンに変化する（状態図（Ｋ）参照）。スイッチＳＷ３はオンのままであるので、スイッチＳＷ４がオンに変化することによって、電圧選択回路１０２が受け取った第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）は、第２の導電経路Ｐｂを経由してノードＮ１に出力される。即ち、電圧選択回路１０２は、受け取った第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）をノードＮ１に出力するので、ノードＮ１に電圧−５Ｖが書き込まれる。この様子を波形（Ｂ）と（Ｈ）との間に、矢印Ａ３で模式的に示してある。

第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の終了後、ブランク期間ＴＢ６が存在している。ブランク期間ＴＢ６の間に、ソースライン電圧Ｖsrcは−５Ｖから０Ｖに変化し（波形（Ｂ）参照）、それに応じてノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は−５Ｖから０Ｖに変化し（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）、更にノードＮ２上の電圧Ｖｎ２が０Ｖから５Ｖに変化する（波形（Ｉ）の実線を参照）。その後、リフレッシュラインＬrfrsh上のリフレッシュライン電圧Ｖrfrshが１０Ｖから−５Ｖに変化し、リフレッシュスイッチＳＷｒがオフになる（波形（Ｅ）参照）。これによって、リフレッシュ期間ＴＲ１が終了する。

上記のように、図４において、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に書き込まれた電圧Ｖｎ１（＝５Ｖ）は、サンプル期間Ｔsmplの間にサンプルコンデンサＣsmplに記憶される。そして、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1が開始する前に、第１の導電経路ＰａのスイッチＳＷ１はオフになるが（状態図（Ｊ）参照）、第２の導電経路ＰｂのスイッチＳＷ３はオンになる（状態図（Ｋ）参照）。従って、スイッチＳＷ４を第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1はオフにしておくことによってノードＮ１に第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）は書き込まれないが、スイッチＳＷ４を第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2はオンにしておくことによって、ノードＮ１に第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）が書き込まれる。このようにして、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に書き込まれた電圧５Ｖを、電圧−５Ｖに反転させることができる。表示装置１が有する全サブ画素１００のうち、データ書込期間ＴＤ１に正の極性の電圧５Ｖが書き込まれたサブ画素１００は、全て、図４に示すタイミングチャートに従って、一斉に第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）が書き込まれる。

次に、リセット期間Ｔresetに接続端Ｓ１２及びＳ３４に電圧０Ｖを書き込む理由について説明する。

上記のように、本実施例では、データ書込期間ＴＤ１に書き込まれた５Ｖの電圧を、−５Ｖの電圧に反転するために、スイッチＳＷ１をオフにするとともにスイッチＳＷ３をオンにしておく必要がある（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。スイッチＳＷ１のオン、オフは接続端Ｓ１２の電圧に依存し、スイッチＳＷ３のオン、オフは接続端Ｓ３４の電圧に依存するので、接続端Ｓ１２及びＳ３４上の電圧が不定であるとすると、スイッチＳＷ１及びＳＷ３を図４に示すタイミングチャートに従ってオン又はオフにすることができないおそれがある。従って、本実施例では、リセット期間Ｔresetを設けて、接続端Ｓ１２及びＳ３４に０Ｖの電圧を書き込んでいる。これによって、接続端Ｓ１２及びＳ３４の電圧が確定するので、スイッチＳＷ１及びＳＷ３は図４に示すタイミングチャートに従って確実にオン又はオフに変化する。従って、第１及び第２のリフレッシュ電圧（５Ｖ及び−５Ｖ）のうち、必要なリフレッシュ電圧をノードＮ１に書き込むことができる。尚、電圧選択回路１０２が正しく動作するのであれば、別の方法で接続端Ｓ１２及びＳ３４上の電圧を電圧を確定してもよい。

リフレッシュ期間ＴＲ１が終了したら、ホールド期間ＴＨ１が始まる。

ホールド期間ＴＨ１の間は、ソースライン電圧Ｖsrcは０Ｖの一定電圧であり、ゲートライン電圧Ｖgate、リフレッシュライン電圧Ｖrfrsh、制御ライン電圧Ｖｇ２及びＶｇ４は−５Ｖの一定電圧であり、サンプルライン電圧Ｖsmplは−１０Ｖの一定電圧である。これによって、サブ画素１００内のスイッチＳＷｐ、ＳＷｓ、ＳＷｒ、ＳＷ２、及びＳＷ４はオフのままに保持される。従って、ノードＮ１上の電圧−５Ｖ（波形（Ｈ）参照）は、ホールド期間ＴＨ１の間保持される。ノードＮ１に電圧−５Ｖが保持されるということは、サブ画素１００が第１の階調を表示していることを意味する。従って、サブ画素１００は、データ書込期間ＴＤ１からホールド期間ＴＨ１を通じて、第１の階調を表示し続ける。尚、図４では、ノードＶｎ１上の電圧Ｖｎ１が、リセット期間Ｔresetからブランク期間ＴＢ５まで、０Ｖになっている（波形（Ｈ）参照）。従って、サブ画素１００は、リセット期間Ｔresetからブランク期間ＴＢ５までは、第１の階調ではなく、第２の階調を表示することになる。しかし、リセット期間Ｔresetからブランク期間ＴＢ５までの時間間隔は非常に短いので、表示装置１を見る観測者は、サブ画素１００がリセット期間Ｔresetからブランク期間ＴＢ５の間に第２の階調を表示していることは認識できない。結局、観測者は、データ書込期間ＴＤ１からホールド期間ＴＨ１まで、サブ画素１００が第１の階調を連続的に表示しているように認識する。従って、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１が、リセット期間Ｔresetからブランク期間ＴＢ５の間、０Ｖであることは、観測者が第１の階調を認識する上で影響を与えないことに注意されたい。尚、表示装置１が適正に画像を表示するのであればリセット期間Ｔresetを省略することも可能である。

図４では、サブ画素１００に第１の階調を表示させるために、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に電圧５Ｖが書き込まれている。しかし、サブ画素１００に第１の階調を表示させるために、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に電圧−５Ｖが書き込まれる場合もある。そこで、次に、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に電圧−５Ｖが書き込まれた場合のリフレッシュ動作について説明する。

図５は、データ書込期間ＴＤ１に電圧−５Ｖが書き込まれたサブ画素１００におけるタイミングチャートを示す。

図５には、図４と同様に、電圧波形（Ａ）乃至（Ｉ）、第１の導電経路ＰａのスイッチＳＷ１及びＳＷ２の状態図（Ｊ）、並びに第２の導電経路ＰｂのスイッチＳＷ３及びＳＷ４の状態図（Ｋ）が示されている。図５に示す波形（Ａ）乃至（Ｉ）のうち、波形（Ａ）乃至（Ｇ）は、図４と全く同じ波形である。

先ず、データ書込期間ＴＤ１の間に、ノードＮ１（サブ画素電極Ｅｐ）に電圧−５Ｖが書き込まれ（波形（Ｈ）参照）、ブランク期間ＴＢ１を介してリフレッシュ期間ＴＲ１が始まる。図５では、図４とは異なり、ノードＮ１に電圧−５Ｖが書き込まれているが、データ書込期間ＴＤ１及びブランク期間ＴＢ１の間におけるリフレッシュ回路１０１の動作は、図４と同じである。

リフレッシュ期間ＴＲ１の間、リフレッシュスイッチＳＷｒはオンである（波形（Ｅ）参照）。従って、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は、リフレッシュ期間ＴＲ１の間、ソースライン電圧Ｖsrcと同じである（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）。ブランク期間ＴＢ２の間、ソースライン電圧Ｖsrcは０Ｖであるので（波形（Ｂ）参照）、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３も０Ｖとなる（波形（Ｉ）参照）。リフレッシュ期間ＴＲ１はブランク期間ＴＢ２を有しており、ブランク期間ＴＢ２の後、サンプル期間Ｔsmplが始まる。

サンプル期間Ｔsmplの間、サンプルライン電圧Ｖsmplは１０Ｖであり（波形（Ｄ）参照）、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は−５ｖである（波形（Ｈ）参照）。従って、サンプルスイッチＳＷｓの電圧Ｖgs-n1は１５Ｖとなる、つまり、しきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に大きくなるので、サンプルスイッチＳＷｓはオンとなる（波形（Ｄ）参照）。サンプルスイッチＳＷｓがオンであるので、ノードＮ１とＮ２とが電気的に接続され、ノードＮ２上の電圧Ｖｎ２がノードＮ１上の電圧Ｖｎ１と同じ−５Ｖになる（波形（Ｉ）の実線参照）。この様子を波形（Ｈ）と（Ｉ）との間に、矢印Ａ１で模式的に示してある。従って、サンプルコンデンサＣsmplはノードＮ２において−５Ｖの電圧を記憶する。これは、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に書き込まれた電圧が−５Ｖであることを意味する。

尚、サンプル期間Ｔsmplの間、ノードＮ２上の電圧Ｖｎ２は−５Ｖであるので（波形（Ｉ）の実線を参照）、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ１及びＳＷ３のゲート端子Ｇ１及びＧ３上の電圧も、−５Ｖである。また、サンプル期間Ｔsmplの間、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は０Ｖである（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）。従って、スイッチＳＷ１の電圧Ｖg1-n3は−５Ｖであり、スイッチＳＷ１はオンになる（状態図（Ｊ）参照）。スイッチＳＷ１がオンではあるが、スイッチＳＷ２及びＳＷ４はオフのままであるので（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）、ソースライン電圧Ｖsrcが電圧選択回路１０２を経由してノードＮ１に供給されることは無い。サンプル期間Ｔsmplが終了したら、ブランク期間ＴＢ３を経てリセット期間Ｔresetが始まる。

リセット期間Ｔresetでは、図４を参照しながら説明したように、サブ画素スイッチＳＷｐがオンとなるので（波形（Ｃ）参照）、ソースライン電圧Ｖsrc（０Ｖ）がノードＮ１に書き込まれ、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は−５Ｖから０Ｖに変化する。この様子を波形（Ｂ）と（Ｈ）との間に、矢印Ａ２で模式的に示してある。また、リセット期間Ｔresetの間、制御ラインＬｇ２及びＬｇ４上の制御ライン電圧Ｖｇ２及びＶｇ４は１０Ｖである（波形（Ｆ）及び（Ｇ）参照）。従って、スイッチＳＷ２及びＳＷ４の電圧Ｖg2-n1及びＶg4-n1は１０Ｖとなるので、スイッチＳＷ２及びＳＷ４はオンとなる（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。結局、図４の場合と同様に、０Ｖのソースライン電圧Ｖsrcが、スイッチＳＷ１とＳＷ２との間の接続端Ｓ１２に書き込まれるとともに、スイッチＳＷ３とＳＷ４との間の接続端Ｓ３４にも書き込まれる。また、リセット期間Ｔresetの間、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３も０Ｖである（波形（Ｉ）の一点鎖線参照）。従って、リセット期間Ｔresetの間、接続端Ｓ１２及びＳ３４並びにノードＮ３上の電圧はいずれも０Ｖである。これに対して、リセット期間Ｔresetの間、ノードＮ２上の電圧Ｖｎ２は−５Ｖである（波形（Ｉ）の実線参照）。従って、スイッチＳＷ３の電圧Ｖg3-s34及びＶg3-n3はいずれも−５Ｖとなるので、スイッチＳＷ３はオフである（状態図（Ｊ）参照）。尚、スイッチＳＷ１はオンのままである（状態図（Ｋ）参照）。

リセット期間Ｔresetが終了したら、ブランク期間を挟んで第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1及び第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2が順に始まる。図４を参照しながら説明したように、電圧選択回路１０２は、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1に第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）を受け取り、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2に第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）を受け取る。電圧選択回路１０２は、この受け取った第１及び第２のリフレッシュ電圧５Ｖ及び−５Ｖのうち、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１（サブ画素電極Ｅｐ）に書き込まれた電圧の極性を反転するために必要なリフレッシュ電圧を選択し、ノードＮ１に供給する。図５では、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に電圧−５Ｖが書き込まれているので（波形（Ｈ）参照）、極性を反転するには、電圧選択回路１０２は第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）を選択し、ノードＮ１に供給する必要がある。斯かる電圧の選択を実現するために、リフレッシュ回路１０１は、リセット期間Ｔresetが終了した後、以下のように動作する。

リセット期間Ｔresetの終了後、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の開始前に、ブランク期間ＴＢ４が存在している。ブランク期間ＴＢ４の間に、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ２及びＳＷ４はオフに戻る（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。また、ソースライン電圧Ｖsrcが０Ｖから５Ｖへ変化するので（波形（Ｂ）参照）、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３も０Ｖから５Ｖに変化する（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）。ノードＮ３はサンプルコンデンサＣsmplを介してノードＮ２に容量結合されているので、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３が０Ｖから５Ｖに変化すると、ノードＮ２の電圧Ｖｎ２が−５Ｖから０Ｖに変化する（波形（Ｉ）の実線を参照）。ブランク期間ＴＢ４の間にノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は５Ｖになるが、それに応じてノードＮ２の電圧Ｖｎ２が０Ｖになるので、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ１はオンのままであり（状態図（Ｊ）参照）、一方、スイッチＳＷ３はオフのままである（状態図（Ｋ）参照）。

ブランク期間ＴＢ４が終了したら、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1が始まる。第２の導電経路ＰｂのＳＷ３及びＳＷ４は両方ともオフであるので（状態図（Ｋ）参照）、電圧選択回路１０２が受け取った第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）は、第２の導電経路Ｐｂを経由してノードＮ１に出力されない。しかし、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の間、スイッチＳＷ２はオンとなるので（状態図（Ｊ）参照）、第１の導電経路ＰａのスイッチＳＷ１及びＳＷ２は両方ともオンである。従って、電圧選択回路１０２が受け取った第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）は、第１の導電経路Ｐａを経由してノードＮ１に出力される。即ち、電圧選択回路１０２は、ソースラインＬsrcから受け取った第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）をノードＮ１に出力するので、ノードＮ１に電圧５Ｖが書き込まれる（波形（Ｈ）参照）。この様子を波形（Ｂ）と（Ｈ）との間に、矢印Ａ３で模式的に示してある。

第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の終了後、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の開始前に、ブランク期間ＴＢ５が存在している。ブランク期間ＴＢ５の間、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ２及びＳＷ４はオフである（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。また、ブランク期間ＴＢ５の間に、ソースライン電圧Ｖsrc及びノードＮ３上の電圧Ｖｎ３が５Ｖから−５Ｖに変化する（波形（Ｂ）及び（Ｉ）参照）。ノードＮ３はサンプルコンデンサＣsmplを介してノードＮ２に容量結合されているので、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３が５Ｖから−５Ｖに変化すると、それに応じて、ノードＮ２の電圧Ｖｎ２が０Ｖから−１０Ｖに変化する（波形（Ｉ）の実線を参照）。ブランク期間ＴＢ５の間にノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は−５Ｖになるが、それに応じてノードＮ２の電圧が−１０Ｖになるので、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ１はオンのままであり（状態図（Ｊ）参照）、一方、スイッチＳＷ３はオフのままである（状態図（Ｋ）参照）。

ブランク期間ＴＢ５が終了したら、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2が始まる。第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の間、スイッチＳＷ２はオフのままであるので（状態図（Ｊ）参照）、電圧選択回路１０２が受け取った第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）は、第１の導電経路Ｐａを経由してノードＮ１に出力されない。また、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の間、制御ライン電圧Ｖｇ４は１０Ｖであり（波形（Ｇ）参照）、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は５Ｖであるので（波形（Ｈ）参照）、スイッチＳＷ４の電圧Ｖg4-n1は５Ｖである。従って、スイッチＳＷ４はオンになる（状態図（Ｋ）参照）。しかし、スイッチＳＷ３はオフのままであるので、電圧選択回路１０２が受け取った第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）は、第２の導電経路Ｐｂを経由してノードＮ１に出力されない。即ち、電圧選択回路１０２が受け取った第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）は、第１及び第２の導電経路Ｐａ及びＰｂを通過することはできず、ノードＮ１に出力されない。従って、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は５Ｖのままである（波形（Ｈ）参照）。

第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の終了後、ブランク期間ＴＢ６が存在している。ブランク期間ＴＢ６の間に、ソースライン電圧Ｖsrcは−５Ｖから０Ｖに変化し（波形（Ｂ）参照）、それに応じてノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は−５Ｖから０Ｖに変化し（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）、ノードＮ２上の電圧Ｖｎ２が−１０Ｖから−５Ｖに変化する（波形（Ｉ）の実線を参照）。その後、リフレッシュラインＬrfrsh上のリフレッシュライン電圧Ｖrfrshが１０Ｖから−５Ｖに変化し、リフレッシュスイッチＳＷｒがオフになる（波形（Ｅ）参照）。これによって、リフレッシュ期間ＴＲ１が終了する。

上記のように、図５において、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に書き込まれた電圧Ｖｎ１（＝−５Ｖ）は、サンプル期間Ｔsmplの間にサンプルコンデンサＣsmplに記憶される。そして、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1が開始する前に、第２の導電経路ＰｂのスイッチＳＷ３はオフになるが（状態図（Ｋ）参照）、第１の導電経路ＰａのスイッチＳＷ１はオンになる（状態図（Ｊ）参照）。従って、スイッチＳＷ２を第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1はオンにしておくことによってノードＮ１に第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）が書き込まれるが、スイッチＳＷ２を第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2はオフにしておくことによって、ノードＮ１に第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）は書き込まれない。このようにして、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に書き込まれた電圧−５Ｖを、電圧５Ｖに反転させることができる。表示装置１が有する全サブ画素１００のうち、データ書込期間ＴＤ１に負の極性の電圧−５Ｖが書き込まれたサブ画素１００は、全て、図５に示すタイミングチャートに従って、一斉に第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）が書き込まれる。

リフレッシュ期間ＴＲ１が終了したら、ホールド期間ＴＨ１が始まる。

ホールド期間ＴＨ１の間は、ソースライン電圧Ｖsrcは０Ｖの一定電圧であり、ゲートライン電圧Ｖgate、リフレッシュライン電圧Ｖrfrsh、制御ライン電圧Ｖｇ２及びＶｇ４は−５Ｖの一定電圧であり、サンプルライン電圧Ｖsmplは−１０Ｖの一定電圧である。これによって、サブ画素１００内のスイッチＳＷｐ、ＳＷｓ、ＳＷｒ、ＳＷ２、及びＳＷ４はオフのままに保持される。従って、ノードＮ１上の電圧５Ｖ（波形（Ｈ）参照）は、ホールド期間ＴＨ１の間保持される。ノードＮ１に電圧５Ｖが保持されるということは、サブ画素１００が第１の階調を表示していることを意味する。従って、サブ画素１００は、データ書込期間ＴＤ１からホールド期間ＴＨ１を通じて、第１の階調を表示し続ける。尚、図５では、ノードＶｎ１上の電圧Ｖｎ１が、リセット期間Ｔresetからブランク期間ＴＢ４まで、０Ｖになっている。従って、サブ画素１００は、リセット期間Ｔresetからブランク期間ＴＢ４までは、第１の階調ではなく、第２の階調を表示することになる。しかし、リセット期間Ｔresetからブランク期間ＴＢ４までの時間間隔は非常に短いので、表示装置１を見る観測者は、サブ画素１００がリセット期間Ｔresetからブランク期間ＴＢ４の間に第２の階調を表示していることは認識できない。結局、観測者は、データ書込期間ＴＤ１からホールド期間ＴＨ１まで、サブ画素１００が第１の階調を連続的に表示しているように認識する。従って、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１が、リセット期間Ｔresetからブランク期間ＴＢ４の間、０Ｖになることは、観測者が第１の階調を認識する上で影響を与えないことに注意されたい。

上記の例では、データ書込期間ＴＤ１に電圧５Ｖが書き込まれたときのリフレッシュ動作（図４参照）、及びデータ書込期間ＴＤ１に電圧−５Ｖが書き込まれたときのリフレッシュ動作（図５参照）、即ち、サブ画素１００が、第１の階調を表示するときのリフレッシュ動作について説明した。次に、サブ画素１００が、第２の階調を表示するときのリフレッシュ動作について説明する。

図６は、サブ画素１００が、第２の階調を表示するときのリフレッシュ動作のタイミングチャートを示す。

図６には、図４及び図５と同様に、電圧波形（Ａ）乃至（Ｉ）、第１の導電経路ＰａのスイッチＳＷ１及びＳＷ２の状態図（Ｊ）、並びに第２の導電経路ＰｂのスイッチＳＷ３及びＳＷ４の状態図（Ｋ）が示されている。図６に示す波形（Ａ）乃至（Ｉ）のうち、（Ａ）乃至（Ｇ）は、図４及び図５と全く同じ波形である。

サブ画素１００に第２の階調を表示させるには、ノードＮ１（サブ画素電極Ｅｐ）に電圧０Ｖを書き込む必要がある。そこで、データ書込期間ＴＤ１の間に、ノードＮ１（サブ画素電極Ｅｐ）に電圧０Ｖが書き込まれる（波形（Ｈ）参照）。データ書込期間ＴＤ１の終了後、ブランク期間ＴＢ１を介してリフレッシュ期間ＴＲ１が始まる。図６では、図４及び図５とは異なり、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に電圧０Ｖが書き込まれているが（波形（Ｈ）参照）、データ書込期間ＴＤ１及びブランク期間ＴＢ１の間におけるリフレッシュ回路１０１の動作は、図４及び図５と同じである。

リフレッシュ期間ＴＲ１の間、リフレッシュスイッチＳＷｒはオンである（波形（Ｅ）参照）。従って、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は、少なくともリフレッシュ期間ＴＲ１の間、ソースライン電圧Ｖsrcと同じである（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）。

サンプル期間Ｔsmplの間、サンプルライン電圧Ｖsmplは１０Ｖであり（波形（Ｄ）参照）、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は０Ｖである（波形（Ｈ）参照）。従って、サンプルスイッチＳＷｓの電圧Ｖgs-n1は１０Ｖとなる、つまり、しきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に大きくなるので、サンプルスイッチＳＷｓはオンとなる（波形（Ｄ）参照）。サンプルスイッチＳＷｓがオンであるので、ノードＮ１とＮ２とが電気的に接続され、ノードＮ２上の電圧Ｖｎ２がノードＮ１上の電圧Ｖｎ１と同じ０Ｖになる（波形（Ｉ）の実線参照）。この様子を波形（Ｈ）と（Ｉ）との間に、矢印Ａ１で模式的に示してある。尚、波形（Ｉ）には、２つの電圧Ｖｎ２（実線）及びＶｎ３（一点鎖線）が示されている。これら電圧Ｖｎ２及びＶｎ３は、基本的には同じ電圧レベルを有するのであるが、波形（Ｉ）が２つの電圧Ｖｎ２及びＶｎ３を示していることを認識しやすいように、波形（Ｉ）においては、電圧Ｖｎ２及びＶｎ３のレベルを僅かにずらして示してあることに注意されたい。このようにして、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１（サブ画素電極Ｅｐ）に書き込まれた電圧０Ｖが、サンプルコンデンサＣsmplに記憶される。サンプルコンデンサＣsmplがノードＮ２において電圧０Ｖを記憶したということは（波形（Ｉ）の実線を参照）、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に書き込まれた電圧が０Ｖであることを意味する。

サンプル期間Ｔsmplが終了したら、ブランク期間ＴＢ３を経てリセット期間Ｔresetが始まる。

リセット期間Ｔresetでは、図４及び図５を参照しながら説明したように、スイッチＳＷ１とＳＷ２との間の接続端Ｓ１２に電圧０Ｖを書き込むとともに、スイッチＳＷ３とＳＷ４との間の接続端Ｓ３４にも電圧０Ｖを書き込む動作が行われる。リセット期間Ｔresetの間、サブ画素スイッチＳＷｐはオンとなるので（波形（Ｃ）参照）、ソースライン電圧Ｖsrc（０Ｖ）がノードＮ１に書き込まれる。この様子を波形（Ｂ）と（Ｈ）との間に、矢印Ａ２で模式的に示してある。リセット期間ＴresetにノードＮ１に電圧０Ｖを書き込むことによって、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１がリセット期間Ｔresetの開始前に０Ｖからずれていたとしても、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１を０Ｖに確実に戻すことができる。また、スイッチＳＷ２及びＳＷ４の制御ライン電圧Ｖｇ２及びＶｇ４は、リセット期間Ｔresetの間、１０Ｖであるので（波形（Ｆ）及び（Ｇ）参照）、スイッチＳＷ２及びＳＷ４の電圧Ｖg2-n1及びＶg4-n1は１０Ｖとなり、その結果、スイッチＳＷ２及びＳＷ４はオンとなる（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。結局、０Ｖのソースライン電圧Ｖsrcは、スイッチＳＷ１とＳＷ２との間の接続端Ｓ１２にも書き込まれるとともに、スイッチＳＷ３とＳＷ４との間の接続端Ｓ３４にも書き込まれ、接続端Ｓ１２及びＳ３４上の電圧Ｖs12及びＶs34は０Ｖになる。接続端Ｓ１２及びＳ３４上の電圧Ｖs12及びＶs34は、波形（Ｈ）の中に、一点鎖線で示されている。また、リセット期間Ｔresetの間、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３も０Ｖである（波形（Ｉ）の一点鎖線参照）。従って、リセット期間Ｔresetの間、接続端Ｓ１２及びＳ３４上の電圧Ｖs12及びＶs34並びにノードＮ３上の電圧Ｖｎ３はいずれも０Ｖである。更に、リセット期間Ｔresetの間、ノードＮ２上の電圧Ｖｎ２も０Ｖである（波形（Ｉ）の実線参照）。従って、スイッチＳＷ１の電圧Ｖg1-s12及びＶg1-n3は０Ｖとなり、スイッチＳＷ３の電圧Ｖg3-s34及びＶg3-n3も０Ｖとなるので、スイッチＳＷ１及びＳＷ３の両方がオフである（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。

リセット期間Ｔresetが終了したら、ブランク期間を挟んで第１及び第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1及びＴsub-r2が順に始まる。図４及び図５を参照しながら説明したように、電圧選択回路１０２は、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1に第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）を受け取り、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2に第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）を受け取る。ここで注意しなければならないことは、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に書き込まれた電圧は０Ｖであることである。従って、もし、電圧選択回路１０２が、この受け取った第１又は第２のリフレッシュ電圧５Ｖ又は−５ＶをノードＮ１に供給してしまうと、ノードＮ１に５Ｖ又は−５Ｖの電圧が書き込まれてしまうので、サブ画素１００は誤った階調を表示することになる。そこで、サブ画素１００が正しい階調を表示し続けるようにするため、電圧選択回路１０２が受け取った第１及び第２のリフレッシュ電圧５Ｖ及び−５Ｖが、ノードＮ１に供給されないようにする必要がある。この目的のため、リフレッシュ回路１０１は以下のように動作する。

リセット期間Ｔresetの終了後、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の開始前に、ブランク期間ＴＢ４が存在している。ブランク期間ＴＢ４の間、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ２及びＳＷ４はオフに戻る（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。また、ソースライン電圧Ｖsrcが０Ｖから５Ｖへ変化するので（波形（Ｂ）参照）、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３も０Ｖから５Ｖに変化する（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）。ノードＮ３はサンプルコンデンサＣsmplを介してノードＮ２に容量結合されているので、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３が０Ｖから５Ｖに変化すると、ノードＮ２の電圧Ｖｎ２も０Ｖから５Ｖに変化する（波形（Ｉ）の実線を参照）。ブランク期間ＴＢ４の間にノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は５Ｖになるが、それに応じてノードＮ２の電圧Ｖｎ２も５Ｖになるので、スイッチＳＷ１及びＳＷ３はオフのままである（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。

ブランク期間ＴＢ４が終了したら、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1が始まる。第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の間、スイッチＳＷ４はオフのままであるので（状態図（Ｋ）参照）、電圧選択回路１０２が受け取った第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）は、第２の導電経路Ｐｂを経由してノードＮ１に出力されない。また、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の間、制御ライン電圧Ｖｇ２は１０Ｖであり（波形（Ｆ）参照）、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は０Ｖであるので（波形（Ｈ）参照）、スイッチＳＷ２の電圧Ｖg2-n1は１０Ｖである。従って、スイッチＳＷ２はオンになる（状態図（Ｊ）参照）。しかし、スイッチＳＷ１はオフのままであるので、電圧選択回路１０２が受け取った第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）は、第１の導電経路Ｐａを経由してノードＮ１に出力されない。即ち、電圧選択回路１０２が受け取った第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）は、第１及び第２の導電経路Ｐａ及びＰｂを通過することはできず、ノードＮ１に出力されない。従って、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は０Ｖのままである（波形（Ｈ）参照）。

第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の終了後、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の開始前に、ブランク期間ＴＢ５が存在している。ブランク期間ＴＢ５の間、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ２及びＳＷ４はオフである（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。また、ブランク期間ＴＢ５の間に、ソースライン電圧Ｖsrc及びノードＮ３上の電圧Ｖｎ３が５Ｖから−５Ｖに変化する（波形（Ｂ）及び（Ｉ）参照）。ノードＮ３はサンプルコンデンサＣsmplを介してノードＮ２に容量結合されているので、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３が５Ｖから−５Ｖに変化すると、それに応じて、ノードＮ２の電圧Ｖｎ２も５Ｖから−５Ｖに変化する（波形（Ｉ）の実線を参照）。ブランク期間ＴＢ５の間にノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は−５Ｖになるが、それに応じてノードＮ２の電圧も−５Ｖになるので、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ１及びＳＷ３はオフのままである（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。

ブランク期間ＴＢ５が終了したら、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2が始まる。第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の間、スイッチＳＷ２はオフのままであるので（状態図（Ｊ）参照）、電圧選択回路１０２が受け取った第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）は、第１の導電経路Ｐａを経由してノードＮ１に出力されない。また、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の間、制御ライン電圧Ｖｇ４は１０Ｖであり（波形（Ｇ）参照）、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は０Ｖであるので（波形（Ｉ）参照）、スイッチＳＷ４の電圧Ｖg4-n1は１０Ｖである。従って、スイッチＳＷ４はオンになる（状態図（Ｊ）参照）。しかし、スイッチＳＷ３はオフのままであるので、電圧選択回路１０２が受け取った第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）は、第２の導電経路Ｐｂを経由してノードＮ１に出力されない。即ち、電圧選択回路１０２が受け取った第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）は、第１及び第２の導電経路Ｐａ及びＰｂを通過することはできず、ノードＮ１に出力されない。従って、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は０Ｖのままである（波形（Ｈ）参照）。

従って、電圧選択回路１０２が受け取った第１及び第２のリフレッシュ電圧（５Ｖ及び−５Ｖ）は、いずれもノードＮ１に供給されない。この結果、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は、リフレッシュ期間ＴＲ１の間、０Ｖに保持される。

リフレッシュ期間ＴＲ１が終了したら、ホールド期間ＴＨ１が始まる。ホールド期間ＴＨ１の間は、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１が０Ｖに保持され続ける。表示装置１が有する全サブ画素１００のうち、データ書込期間ＴＤ１に電圧０Ｖが書き込まれたサブ画素１００は、全て、図６に示すタイミングチャートに従って、０Ｖの電圧がそのまま保持される。従って、リフレッシュ期間ＴＲ１からホールド期間ＴＨ１に渡って、第２の階調を表示し続ける。

尚、図６では、リセット期間Ｔresetにおいて接続端Ｓ１２及びＳ３４に０Ｖの電圧が書き込まれているので（矢印Ａ２参照）、接続端Ｓ１２及びＳ３４上の電圧Ｖs12及びＶs34は、リセット期間Ｔresetの間に、０Ｖに規定される。ここで、リセット期間Ｔresetにおいて接続端Ｓ１２及びＳ３４への電圧０Ｖの書込みが行われないと仮定してみる。この場合、接続端Ｓ１２及びＳ３４の電圧Ｖs12及びＶs34が不定のままで（即ち、０Ｖであるかどうかわからないままで）、第１及び第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1及びＴsub-r2が順に始まる。第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の間スイッチＳＷ２がオンであるので（状態図（Ｊ）参照）接続端Ｓ１２がノードＮ１に電気的に接続され、一方、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の間スイッチＳＷ４がオンであるので（状態図（Ｋ）参照）接続端Ｓ３４がノードＮ１に電気的に接続される。従って、もし、接続端Ｓ１２上の電圧Ｖs12又は接続端Ｓ３４上の電圧Ｖs34が０Ｖからずれていると、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１が０Ｖからずれるおそれがある。例えば、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１が曲線Ｃｖに従って変動し、最終的に０Ｖからｖn1'にずれるおそれがある（波形（Ｈ）参照）。この電圧ｖn1'は、ホールド期間ＴＨ１の間保持されることになるので、電圧ｖn1'が無視できないくらいの値であれば、画質の劣化が生じる恐れがある。

しかしながら、本実施例では、リセット期間Ｔresetにおいて接続端Ｓ１２及びＳ３４に電圧０Ｖを書き込んでいる。従って、第１及び第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1及びＴsub-r2にノードＮ１が接続端Ｓ１２及びＳ３４に接続されたときにも、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は確実に０Ｖに保持され、画質の劣化が防止される。尚、２つのスイッチＳＷ１とＳＷ２との間に形成される寄生容量Ｃ１２、及び２つのスイッチＳＷ３とＳＷ４との間に形成される寄生容量Ｃ３４は、サブ画素容量Ｃpixelと比較して、非常に小さいものである。例えば、寄生容量Ｃ１２及びＣ３４は、サブ画素容量Ｃpixelの数百分の１の大きさである。従って、寄生容量Ｃ１２及びＣ３４がサブ画素容量Ｃpixelに対して無視できるくらい小さい場合は、ｖn1'の値も無視できるので、画質の劣化は実質的に無視できる。この場合は、リセット期間Ｔresetに接続端Ｓ１２及びＳ３４に電圧０Ｖを書き込む動作を省略することも可能である。

本実施例では、データ書込期間ＴＤ１において、０Ｖ、５Ｖ、及び−５Ｖのうちのどの電圧がノードＮ１に書き込まれても、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1においてスイッチＳＷ２はオン、スイッチＳＷ４はオフであり、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2においてスイッチＳＷ２はオフ、ＳＷ４がオンはである。しかし、データ書込期間ＴＤ１の間にノードＮ１に５Ｖが書き込まれた場合には（図４参照）、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ３がオンとなり、データ書込期間ＴＤ１の間にノードＮ１に−５Ｖが書き込まれた場合には（図５参照）、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ１がオンとなる。従って、データ書込期間ＴＤ１の間にノードＮ１に５Ｖが書き込まれた場合には（図４参照）、電圧選択回路１０２は第２の導電経路Ｐｂを通じて第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2に第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）をノードＮ１に供給することができる。また、データ書込期間ＴＤ１の間にノードＮ１に−５Ｖが書き込まれた場合には（図５参照）、電圧選択回路１０２は第１の導電経路Ｐａを通じて第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）をノードＮ１に供給することができる。従って、データ書込期間ＴＤ１に、ノードＮ１に５Ｖ及び−５Ｖのどちらの電圧が書き込まれても、ノードＮ１に書き込まれた電圧の極性を反転させることができる。

一方、データ書込期間ＴＤ１の間にノードＮ１に０Ｖが書き込まれた場合には（図６参照）、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ１及びＳＷ３はともにオフとなるので、電圧選択回路１０２は第１及び第２のリフレッシュ電圧（５Ｖ及び−５Ｖ）をいずれも選択しない。従って、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は０Ｖに保持される。

図４乃至図６では、リフレッシュ期間ＴＲ１及びホールド期間ＴＨ１における動作について説明したが、先に説明したように、表示装置１は、リフレッシュ動作を繰返し行う（図３参照）。次に、ホールド期間ＴＨ１の後の表示装置１の動作について説明する。

ホールド期間ＴＨ１が終了したら、リフレッシュ期間ＴＲ２（図３参照）が始まる。リフレッシュ期間ＴＲ２では、前のリフレッシュ期間ＴＲ１においてノードＮ１に電圧−５Ｖ又は５Ｖが書き込まれたときは、その電圧の極性を更に反転する動作を行う。例えば、前のリフレッシュ期間ＴＲ１においてノードＮ１に電圧−５Ｖが書き込まれたとき（図４参照）は、リフレッシュ期間ＴＲ２においてその電圧−５Ｖの極性を反転させて５Ｖの電圧を書き込む動作を行う。電圧−５Ｖを５Ｖに書き替えるには、図５に示すリフレッシュ期間ＴＲ１と同じ動作を繰り返せばよい。この動作によって、電圧−５Ｖが５Ｖに書き替えられる。また、前のリフレッシュ期間ＴＲ１においてノードＮ１に電圧５Ｖが書き込まれたとき（図５参照）は、リフレッシュ期間ＴＲ２においてその電圧５ｖの極性を反転させて−５Ｖの電圧を書き込む動作を行う。電圧５Ｖを−５Ｖに書き替えるには、図４に示すリフレッシュ期間ＴＲ１と同じ動作を繰り返せばよい。この動作によって、電圧５Ｖが−５Ｖに書き替えられる。尚、前のリフレッシュ期間ＴＲ１においてノードＮ１に電圧０Ｖが書き込まれたとき（図６参照）は、リフレッシュ期間ＴＲ２においてその電圧０Ｖをそのまま維持する動作を行う。電圧０Ｖを維持するには、図６に示すリフレッシュ期間ＴＲ１と同じ動作を繰り返せばよい。この動作によって、電圧０Ｖがそのまま０Ｖに維持される。リフレッシュ期間ＴＲ２が終了したら、ホールド期間ＴＨ２が始まる。

ホールド期間ＴＨ２では、リフレッシュ期間ＴＲ２の終了時点でのノードＮ１上の電圧が保持される。ホールド期間ＴＨ２が終了したら、リフレッシュ期間ＴＲ３（図３参照）が始まる。リフレッシュ期間ＴＲ３では、前のリフレッシュ期間ＴＲ２においてノードＮ１に電圧−５Ｖ又は５Ｖが書き込まれたときは、その電圧の極性を更に反転する動作を行う。例えば、前のリフレッシュ期間ＴＲ２においてノードＮ１に電圧５Ｖが書き込まれたときは、リフレッシュ期間ＴＲ３においてその電圧５Ｖの極性を反転させて−５Ｖの電圧を書き込む動作を行う。電圧５Ｖを−５Ｖに書き替えるには、図４に示すリフレッシュ期間ＴＲ１と同じ動作を繰り返せばよい。この動作によって、リフレッシュ期間ＴＲ３において電圧５Ｖが−５Ｖに書き替えられる。また、前のリフレッシュ期間ＴＲ２においてノードＮ１に電圧−５Ｖが書き込まれたときは、リフレッシュ期間ＴＲ３においてその電圧−５Ｖの極性を反転させて５Ｖの電圧を書き込む動作を行う。電圧−５Ｖを５Ｖに書き替えるには、図５に示すリフレッシュ期間ＴＲ１と同じ動作を繰り返せばよい。この動作によって、リフレッシュ期間ＴＲ３において電圧−５Ｖが５Ｖに書き替えられる。尚、前のリフレッシュ期間ＴＲ２においてノードＮ１に電圧０Ｖが書き込まれたときは、リフレッシュ期間ＴＲ３においてその電圧０Ｖをそのまま維持する動作を行う。電圧０Ｖを維持するには、図６に示すリフレッシュ期間ＴＲ１と同じ動作を繰り返せばよい。この動作によって、電圧０Ｖがそのまま０Ｖに維持される。リフレッシュ期間ＴＲ３が終了したら、ホールド期間ＴＨ３が始まる。

ホールド期間ＴＨ３では、リフレッシュ期間ＴＲ３の終了時点でのノードＮ１上の電圧が保持される。

以下同様にして、次のデータ書込期間ＴＤ２（図３参照）が開始するまで、電圧の極性を５Ｖから−５Ｖ若しくは−５Ｖから５Ｖへと反転する動作、又は電圧０Ｖを維持する動作を行い続ける。

表示装置１は、このような動作を行うことによって、画像を表示し続ける。

本実施例では、全てのソースラインＬsrcは、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1において、第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）が一斉に供給され、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2において、第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）が一斉に供給される（波形（Ｂ）参照）。このとき、全てのサブ画素１００の電圧選択回路１０２は、サンプルコンデンサＣsmplがノードＮ２に記憶した電圧に基づいて、第１又は第２のリフレッシュ電圧（５Ｖ又は−５Ｖ）をノードＮ１に供給するか、又は第１及び第２のリフレッシュ電圧のノードＮ１への供給を阻止する。これによって、全てのサブ画素１００は同時にリフレッシュ動作を行う。即ち、表示装置１は、各リフレッシュ期間ＴＲ１、・・・、ＴＲｎにおいて、ソースドライバ３０（図１参照）から各ソースラインＬsrcに第１及び第２のリフレッシュ電圧（５Ｖ及び−５Ｖ）を一回供給することによって、全てのサブ画素１００を同時にリフレッシュできる。従って、各ソースラインＬsrcに、例えばＮ個のサブ画素１００が接続されていても、各ソースラインＬsrcにＮ個のデータ電圧を連続的に供給する必要はなく、第１及び第２のリフレッシュ電圧を１回供給すればよい。これによって、ソースラインＬsrcにソースライン電圧Ｖsrcを供給するソースドライバ３０を、より低消費電力で駆動することができる。

また、表示装置１は、各リフレッシュ期間ＴＲ１、・・・、ＴＲｎにおいて、サブ画素スイッチＳＷｐをオンにしており（リセット期間Ｔreset参照）、サブ画素スイッチＳＷｐをオンにするために、各ゲートラインＬgateには１０Ｖのオン電圧（波形（Ｃ）参照）が１回だけ供給されている。従って、各ゲートラインＬgateに、例えばＭ個のサブ画素１００が接続されていても、各ゲートラインＬgateにＭ個のオン電圧を連続的に供給する必要はない。これによって、ゲートラインＬgateにゲートライン電圧Ｖgateを供給するゲートドライバ２０を、より低消費電力で駆動することが可能となる。

更に、表示装置１は、各リフレッシュ期間ＴＲ１、・・・、ＴＲｎにおいて、全てのサブ画素１００が同時にリフレッシュ動作を行うので、フリッカを低減することも可能となる。

次に、別の実施例について説明する。

図７は、別のリフレッシュ回路１１１を備えたサブ画素１００を示す概略図である。

図７及び図２のリフレッシュ回路１１１及び１０１の相違点は、図７のリフレッシュ回路１１１において、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ１及びＳＷ３側がノードＮ１に接続され、スイッチＳＷ２及びＳＷ４側がノードＮ３に接続されている点のみである。

以下に、このリフレッシュ回路１１１の動作について説明する。

図８は、リフレッシュ回路１１１のタイミングチャートを示す。

図８には、図４と同様に、電圧波形（Ａ）乃至（Ｉ）、第１の導電経路ＰａのスイッチＳＷ１及びＳＷ２の状態図（Ｊ）、並びに第２の導電経路ＰｂのスイッチＳＷ３及びＳＷ４の状態図（Ｋ）が示されている。図５に示す波形（Ａ）乃至（Ｉ）のうち、（Ａ）乃至（Ｇ）は、図４と全く同じ波形である。

先ず、データ書込期間ＴＤ１の間に、ノードＮ１（サブ画素電極Ｅｐ）に電圧が書き込まれる（波形（Ｈ）参照）。ここでは、データ書込み期間ＴＤ１には、図４と同様に、５Ｖの電圧が書き込まれたとして説明を続ける。データ書込期間ＴＤ１及びブランク期間ＴＢ１の動作は、図４と同じであるので、説明を省略する。ブランク期間ＴＢ１の終了後、リフレッシュ期間ＴＲ１が始まる。

リフレッシュ期間ＴＲ１の間、リフレッシュスイッチＳＷｒはオンである（波形（Ｅ）参照）。従って、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は、リフレッシュ期間ＴＲ１の間、ソースライン電圧Ｖsrcと同じである（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）。リフレッシュ期間ＴＲ１はブランク期間ＴＢ２を有しており、このブランク期間ＴＢ２の後、サンプル期間Ｔsmplが始まる。

サンプル期間Ｔsmplの間、サンプルライン電圧Ｖsmplは１０Ｖであり（波形（Ｄ）参照）、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は５ｖである（波形（Ｈ）参照）。従って、サンプルスイッチＳＷｓの電圧Ｖgs-n1は５Ｖとなる、つまり、しきい電圧Ｖth（≒１Ｖ）よりも十分に大きくなるので、サンプルスイッチＳＷｓはオンとなる（波形（Ｄ）参照）。サンプルスイッチＳＷｓがオンであるので、ノードＮ１とＮ２とが電気的に接続され、ノードＮ２上の電圧Ｖｎ２がノードＮ１上の電圧Ｖｎ１と同じ５Ｖになる（波形（Ｉ）の実線参照）。この様子を波形（Ｈ）と（Ｉ）との間に、矢印Ａ１で模式的に示してある。このようにして、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１（サブ画素電極Ｅｐ）に書き込まれた電圧５Ｖが、サンプルコンデンサＣsmplに記憶される。サンプルコンデンサＣsmplがノードＮ２において電圧５Ｖを記憶したということは（波形（Ｉ）の実線を参照）、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に書き込まれた電圧が５Ｖであることを意味する。

尚、サンプル期間Ｔsmplの間、スイッチＳＷ２及びＳＷ４はオフであるので（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）、ソースライン電圧Ｖsrcが電圧選択回路１０２を経由してノードＮ１に供給されることは無い。サンプル期間Ｔsmplが終了したら、ブランク期間ＴＢ２経てリセット期間Ｔresetが始まる。

リセット期間Ｔresetでは、サブ画素スイッチＳＷｐがオンとなるので（波形（Ｃ）参照）、ソースライン電圧Ｖsrc（０Ｖ）がノードＮ１に書き込まれ、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は５Ｖから０Ｖに変化する（波形（Ｈ）参照）。この様子を波形（Ｂ）と（Ｈ）との間に、矢印Ａ２で模式的に示してある。また、リセット期間Ｔresetの間、スイッチＳＷ２及びＳＷ４の制御ライン電圧Ｖｇ２及びＶｇ４は、１０Ｖであり（波形（Ｆ）及び（Ｇ）参照）、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は０Ｖである（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）。従って、スイッチＳＷ２及びＳＷ４の電圧Ｖg2-n3及びＶg4-n3は１０Ｖとなるので、スイッチＳＷ２及びＳＷ４はオンとなる（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。結局、ソースライン電圧Ｖsrc（０Ｖ）が、リフレッシュスイッチＳＷｒからスイッチＳＷ２及びＳＷ４を通じて、接続端Ｓ１２及びＳ３４にも書き込まれる。リセット期間Ｔresetの斯かる動作によって、接続端Ｓ１２及びＳ３４に０Ｖの電圧が書き込まれるので、接続端Ｓ１２及びＳ３４上の電圧が０Ｖに確定される。

尚、リセット期間Ｔresetの間、接続端Ｓ１２上の電圧及びノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は０Ｖ（波形（Ｈ）参照）であり、ノードＮ２の電圧Ｖｎ２は５Ｖ（波形（Ｉ）の実線を参照）であるので、スイッチＳＷ１はオフになるが（状態図（Ｊ）参照）、スイッチＳＷ３はオンになる（状態図（Ｋ）参照）。従って、第２の導電経路Ｐｂ全体がオンとなり、この結果、ノードＮ３がノードＮ１に接続される。結局、ノードＮ１は、ソースラインＬsrcからサブ画素スイッチＳＷｐを通じて０Ｖの電圧が書き込まれるとともに、ソースラインＬsrcから、リフレッシュスイッチＳＷｒ及び第２の導電経路Ｐｂを通じて０Ｖの電圧が書き込まれる。

リセット期間Ｔresetが終了したら、ブランク期間を挟んで第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1及び第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2が順に始まる。電圧選択回路１０２は、ソースラインＬsrcから、リフレッシュスイッチＳＷｒを通じて、第１及び第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1及びＴsub-r2に、それぞれ第１及び第２のリフレッシュ電圧５Ｖ及び−５Ｖを受け取る。電圧選択回路１０２は、この受け取った第１及び第２のリフレッシュ電圧５Ｖ及び−５Ｖのうち、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１（サブ画素電極Ｅｐ）に書き込まれた電圧の極性を反転するために必要なリフレッシュ電圧を選択し、ノードＮ１に供給する。図８では、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に電圧５Ｖが書き込まれているので（波形（Ｈ）参照）ので、極性を反転するには、電圧選択回路１０２は第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）を選択し、ノードＮ１に供給する必要がある。斯かる電圧の選択を実現するために、リフレッシュ回路１１１は、リセット期間Ｔresetが終了した後、以下のように動作する。

リセット期間Ｔresetの終了後、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の開始前に、ブランク期間ＴＢ４が存在している。ブランク期間ＴＢ４の間、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ２及びＳＷ４はオフである（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。また、ソースライン電圧Ｖsrcが０Ｖから５Ｖへ変化するので、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３も０Ｖから５Ｖに変化する（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）。ノードＮ３はサンプルコンデンサＣsmplを介してノードＮ２に容量結合されているので、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３が０Ｖから５Ｖに変化すると、ノードＮ２の電圧Ｖｎ２が５Ｖから１０Ｖに変化する（波形（Ｉ）の実線を参照）。

ブランク期間ＴＢ４が終了したら、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1が始まる。制御ライン電圧Ｖｇ２は、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の間、１０Ｖであるので（波形（Ｆ）参照）、スイッチＳＷ２はオンになる（状態図（Ｊ）参照）。スイッチＳＷ２はオンになるが、スイッチＳＷ１はオフであるので、電圧選択回路１０２が受け取った第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）は、第１の導電経路Ｐａを経由してノードＮ１に出力されない。更に、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の間、制御ライン電圧Ｖｇ４は−５Ｖのままであるので（波形（Ｇ）参照）、スイッチＳＷ４はオフのままである（状態図（Ｋ）参照）。従って、電圧選択回路１０２が受け取った第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）は、第２の導電経路Ｐｂを経由してノードＮ１に出力されない。即ち、電圧選択回路１０２は、受け取った第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）をノードＮ１に出力しない。従って、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は０Ｖのままである。

第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の終了後、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の開始前に、ブランク期間ＴＢ５が存在している。ブランク期間ＴＢ５の間、電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ２及びＳＷ４はオフである（状態図（Ｊ）及び（Ｋ）参照）。また、ブランク期間ＴＢ５の間に、ソースライン電圧Ｖsrcが５Ｖから−５Ｖに変化する（波形（Ｂ）参照）。ソースライン電圧Ｖsrcが５Ｖから−５Ｖに変化すると、それに応じて、ノードＮ２の電圧Ｖｎ２が１０Ｖから０Ｖに変化する（波形（Ｉ）参照）。ブランク期間ＴＢ５の間、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１は０Ｖであり、ノードＮ２上の電圧Ｖｎ２は１０Ｖから０Ｖに変化するので、スイッチＳＷ１はオフのままであり（状態図（Ｊ）参照）、一方、スイッチＳＷ３はオンからオフに変化する（状態図（Ｋ）参照）。

ブランク期間ＴＢ５が終了したら、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2が始まる。第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の間、スイッチＳＷ２はオフのままであるので（状態図（Ｊ）参照）、電圧選択回路１０２が受け取った第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）は、第２の導電経路Ｐｂを経由してノードＮ１に出力されない。また、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の間、制御ライン電圧Ｖｇ４は１０Ｖであり（波形（Ｇ）参照）、ノードＮ３上の電圧Ｖｎ３は−５Ｖであるので（波形（Ｉ）の一点鎖線を参照）、スイッチＳＷ４の電圧Ｖg4-n3は１５Ｖである。従って、スイッチＳＷ４はオンになる（状態図（Ｋ）参照）。スイッチＳＷ４がオンになると、接続端３４の電圧がノードＮ３上の電圧Ｖｎ３と同じ−５Ｖとなるので、スイッチＳＷ３の電圧Ｖg3-s34は５Ｖになる。従って、スイッチＳＷ３もオンとなる。このようにして、スイッチＳＷ３及びＳＷ４がオンになるので、第２の導電経路Ｐｂは全体がオンとなり、その結果、第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）が第２の導電経路Ｐｂを経由してノードＮ１に書き込まれる。この様子を波形（Ｂ）と（Ｈ）との間に、矢印Ａ３で模式的に示してある。

第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2の終了後、リフレッシュスイッチＳＷｒがオフになり、これによって、リフレッシュ期間ＴＲ１が終了する。

上記のように、図８において、表示装置１は、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1の間、スイッチ１及びＳＷ４はオフであるので、電圧選択回路１０２は第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）をノードＮ１に出力しない。しかし、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2に第２の導電経路Ｐｂの全体がオンになるので、第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）が第２の導電経路Ｐｂを経由してノードＮ１に書き込まれる。このようにして、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に書き込まれた電圧５Ｖを、−５Ｖに反転させることができる。

リフレッシュ期間ＴＲ１が終了したら、ホールド期間ＴＨ１が始まり、ノードＮ１に書き込まれた電圧−５Ｖが保持される。ノードＮ１に電圧−５Ｖが保持されるということは、サブ画素１００が第１の階調を表示していることを意味する。従って、サブ画素１００は、データ書込期間ＴＤ１からホールド期間ＴＨ１を通じて、第１の階調を表示し続ける。尚、図８では、ノードＶｎ１上の電圧Ｖｎ１が、リセット期間Ｔresetからブランク期間ＴＢ５まで０Ｖになっているが、リセット期間Ｔresetからブランク期間ＴＢ５までの時間間隔は非常に短いので、観測者は、データ書込期間ＴＤ１からホールド期間ＴＨ１まで、連続的に第１の階調を認識する。従って、ノードＮ１上の電圧Ｖｎ１が、リセット期間Ｔresetからブランク期間ＴＢ５の間、０Ｖになることは、観測者が第１の階調を認識する上で影響を与えないことに注意されたい。

図８は、サブ画素１００に第１の階調を表示させるためにデータ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に電圧５Ｖが書き込まれた場合のリフレッシュ動作を説明している。もし、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に電圧−５Ｖが書き込まれた場合は、第１のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r1にノードＮ１に第１のリフレッシュ電圧（５Ｖ）が書き込まれるとともに、第２のサブリフレッシュ期間Ｔsub-r2にノードＮ１に第２のリフレッシュ電圧（−５Ｖ）は書き込まれない。従って、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に書き込まれた電圧−５Ｖを、電圧５Ｖに反転させることができる。

また、データ書込期間ＴＤ１にノードＮ１に電圧０Ｖが書き込まれた場合は、電圧選択回路１０２は第１及び第２のリフレッシュ電圧（５Ｖ及び−５Ｖ）をノードＮ１に供給しないので、ノードＮ１は電圧０Ｖを維持する。

リフレッシュ期間ＴＲ１が終了したら、ホールド期間ＴＨ１の間は、リフレッシュ期間ＴＲ１終了時点におけるノードＮ１上の電圧Ｖｎ１を保持し続け、以後、リフレッシュ動作とホールド動作を繰返し行う。

図７に示すリフレッシュ回路１１１を用いても、ソースドライバ３０及びゲートドライバ２０（図１参照）を、低消費電力で駆動することができる。

尚、上記の実施例では、サンプルラインＬsmpl、制御ラインＬｇ２及びＬｇ４は、ゲートドライバ２０から電圧が供給されているが、サンプルラインＬsmpl、制御ラインＬｇ２及びＬｇ４の全部又は一部が、ソースドライバ３０から電圧が供給されるようにすることもできる。

以下に、リフレッシュ回路の別の変形例について幾つか説明する。

図９は、図２に示すリフレッシュ回路１０１の変形例であるリフレッシュ回路１２１を有する画素１００を示す概略図である。

図９と図２との相違点は、図２ではサンプルコンデンサＣsmplの一端がリフレッシュスイッチＳＷｒと電圧選択回路１０２との間のノードＮ３に接続されているが、図９ではサンプルコンデンサＣsmplの一端がソースラインＬsrcに直に接続されている点のみである。サンプルコンデンサＣsmplの一端がソースラインＬsrcに直に接続されてはいるが、リフレッシュ回路１２１のリフレッシュ期間及びホールド期間における動作は、図２に示すリフレッシュ回路１０１と基本的に同じである。従って、図９に示すリフレッシュ回路１２１を備えても、ゲートドライバ２０及びソースドライバ３０を低消費電力で駆動することができる。

図１０は、図２に示すリフレッシュ回路１０１の変形例であるリフレッシュ回路１３１を有する画素１００を示す概略図である。

図１０と図２との相違点は、図１０では補償ラインＬcompが備えられている点と、図２ではサンプルコンデンサＣsmplの一端がノードＮ３に接続されているが、図１０ではサンプルコンデンサＣsmplの一端が補償ラインＬcompに接続されている点である。リフレッシュ回路１３１のリフレッシュ期間及びホールド期間における動作は、図２に示すリフレッシュ回路１０１と基本的に同じである。従って、図１０に示すリフレッシュ回路１３１を備えても、ゲートドライバ２０及びソースドライバ３０を低消費電力で駆動することができる。

図９のリフレッシュ回路１２１では、ノードＮ２がサンプルコンデンサＣsmplによってソースラインＬsrcに容量結合されているので、ソースライン電圧Ｖsrcの変化に依存してノードＮ２上の電圧Ｖｎ２も変化する。従って、図９のリフレッシュ回路１２１では、ノードＮ２に接続されているスイッチＳＷ１及びＳＷ３は、ソースライン電圧Ｖsrcに依存してオン状態又はオフ状態になる。一方、図１０のリフレッシュ回路１３１では、サンプルコンデンサＣsmplがソースラインＬsrcではなく補償ラインＬcompに接続されているので、ノードＮ２上の電圧Ｖｎ２をソースライン電圧Ｖsrcとは別個独立に調節することが可能となる。従って、図１０のリフレッシュ回路１３１では、補償ラインＬcomp上の電圧を調節することによって、ノードＮ２に接続されているスイッチＳＷ１及びＳＷ３を、ソースライン電圧Ｖsrcとは別個独立にオン状態又はオフ状態に調節でき、電圧選択回路１０２の動作を、より好適なものにすることが可能となる。

尚、図７に示すリフレッシュ回路１１１も、図９及び図１０に示すような変形をすることができる。

これまでの実施例では、リフレッシュ回路はリフレッシュスイッチＳＷｒを有していたが、リフレッシュスイッチＳＷｒを備えない構成も可能である。以下に、リフレッシュスイッチＳＷｒを備えていないリフレッシュ回路の例について説明する。

図１１及び図１２は、リフレッシュスイッチＳＷｒを備えていないリフレッシュ回路１４１及び１５１を備えたサブ画素１００を示す概略ブロック図である。

図１１のリフレッシュ回路１４１は、図９のリフレッシュ回路１２１からリフレッシュスイッチＳＷｒを取り除き、ノードＮ３をノードＮ４に直に接続することによって構成される。図１２のリフレッシュ回路１５１は、図１０のリフレッシュ回路１３１からリフレッシュスイッチＳＷｒを取り除き、ノードＮ３をノードＮ４に直に接続することによって構成される。図１１及び図１２に示すリフレッシュ回路１４１及び１５１のリフレッシュ期間及びホールド期間における動作は、図２に示すリフレッシュ回路１０１と基本的に同じである。従って、図１１及び図１２に示すリフレッシュ回路１４１及び１５１を備えても、ゲートドライバ２０及びソースドライバ３０を低消費電力で駆動することができる。

図１１及び図１２では、ソースラインＬsrcが電圧選択回路１０２のスイッチＳＷ１及びＳＷ３に直に接続されている。従って、図１１及び図１２では、図９及び図１０と比較して、ソースラインＬsrcに接続される寄生容量が増えるが、リフレッシュスイッチＳＷｒ及びリフレッシュラインＬrfrshが不要となるので、表示装置１の高精細化及び小型化には有利である。図７に示すリフレッシュ回路１１１も、図１１及び図１２に示すような変形をすることができる。

尚、上記の実施例では、本発明を、３つのサブ画素１００の組合せにより１つの画素１０が構成される表示装置１に適用した例について説明したが、本発明は、サブ画素１００の各々が１つの画素を構成する表示装置（例えば、白黒表示をする装置）にも適用できる。

また、上記の実施例では、本発明を、３つのサブ画素１００の組合せにより１つの画素１０が構成される表示装置１に適用した例について説明したが、本発明は、２つ又は４つ以上のサブ画素１００の組合せにより１つの画素１０が構成される表示装置にも適用できる。

本発明の一実施例による表示装置１の概略図である。 図１に示す１つのサブ画素１００の拡大詳細図である。 表示装置１が行うリフレッシュ動作の内容を概略的に示す図である。 表示装置１のタイミングチャートを示す。 データ書込期間ＴＤ１に電圧−５Ｖが書き込まれたサブ画素１００におけるタイミングチャートを示す。 サブ画素１００が、第２の階調を表示するときのリフレッシュ動作のタイミングチャートを示す。 別のリフレッシュ回路１１１を備えたサブ画素１００を示す概略図である。 リフレッシュ回路１１１のタイミングチャートを示す。 図２に示すリフレッシュ回路１０１の変形例であるリフレッシュ回路１２１を有する画素１００を示す概略図である。 図２に示すリフレッシュ回路１０１の変形例であるリフレッシュ回路１３１を有する画素１００を示す概略図である。 リフレッシュスイッチＳＷｒを備えていないリフレッシュ回路１４１を備えたサブ画素１００を示す概略ブロック図である。 リフレッシュスイッチＳＷｒを備えていないリフレッシュ回路１５１を備えたサブ画素１００を示す概略ブロック図である。

符号の説明

１ 表示装置
１０ 画素
２０ ゲートドライバ
３０ ソースドライバ
１００ サブ画素
１０１、１１１、１２１、１３１、１４１、１５１ リフレッシュ回路
１０２ 電圧選択回路

Claims (3)

1. ＲＧＢの３つのサブ画素で一つの画素を構成するサブ画素を複数有し、それぞれサブ画素電極（Ｎ１）と共通電極(Ｅcom)を構成する第１及び第２の電極に電圧が供給されることによって画像を表示する表示装置であって、
   前記サブ画素は、ゲートがゲートラインに接続され、ソースラインとサブ画素電極間に接続されたサブ画素スイッチを構成するサブ画素トランジスタ（Ｐｐ）と、ゲートがリフレッシュライン（Ｌrfrsh）に接続され、前記ソースラインとサンプリングコンデンサ(Ｃsmpl)の一端に接続されたリフレッシュスイッチを構成するリフレッシュトランジスタ（Ｐｒ）と、前記リフレッシュライン（Ｌrfrsh）から、前記リフレッシュトランジスタ（Ｐｒ）を介して、所定の第１のリフレッシュ電圧及びその反転電圧である第２のリフレッシュ電圧、もしくは他の電圧である第３のリフレッシュ電圧を受け取る電圧選択手段とを含むリフレッシュ回路を有し、
   前記電圧選択手段は、第１のスイッチ（Ｐａ）を構成する直列接続された第１及び第２のトランジスタ（ＳＷ１、ＳＷ２）を有する第１の経路（Ｐａ）と、第２のスイッチ（Ｐｂ）を構成する直列接続された第３及び第４のトランジスタ（ＳＷ３、ＳＷ４）を有する第２の経路（Ｐｂ）を有し、
   前記第１のスイッチと前記第２のスイッチは並列接続され、前記第１及び第３のトランジスタのゲート電極は前記サンプリングコンデンサ(Ｃsmpl)の他端に接続され、前記第２及び第４のトランジスタのゲート電極は前記画素電極に接続され、
   前記ソースライン(Ｌsrc)から前記リフレッシュスイッチ（Ｐｒ）を介して前記第１の電極に第１のデータを書き込む期間、すなわち前記第１の電極上の電圧が第１のデータ電圧のとき、前記第１の経路を通じて前記第１の電極に前記第１のリフレッシュ電圧を供給し、前記第１の電極上の電圧が前記第１のデータ電圧の反転電圧である第２の電圧のとき、前記第２の経路を通じて前記第１の電極に前記第２のリフレッシュ電圧を供給し、データ書き込み期間の間に前記第１のトランジスタはオフとされ、前記第３のトランジスタはオンとされる、表示装置。
2. 前記電圧選択手段が、
   前記ソースライン(Ｌsrc)から前記リフレッシュスイッチ（Ｐｒ）を介して前記第１の電極に第３のデータを書き込む期間、すなわち前記第１の電極上の電圧がコモン電圧である第３のデータ電圧のとき、前記第２の経路を通じて前記第１の電極に前記第３のリフレッシュ電圧を供給する、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記サンプリングコンデンサは、前記第２の電極上の電圧に対する前記第１の電極上の電圧の絶対値と、前記第２の電極上の電圧に対する前記第１の電極上の電圧の極性とを記憶し、
   前記第１及び第３のトランジスタが、前記サンプリングコンデンサに記憶された前記第１のリフレッシュ電圧およびその反転電圧である前記第２のリフレッシュ電圧の絶対値及び極性により制御される、請求項１に記載の表示装置。

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