TWI429774B - 用於氣相沉積應用之線圈及其製法 - Google Patents

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Description

用於氣相沉積應用之線圈及其製法
本發明之技術領域係用於氣相沉積設備之線圈。
電子元件及半導體元件被用於不斷增加數目之消費型產品及商用電子產品、通信產品及資料交換產品中。一些該等消費型產品及商用電子產品之實例為電視、電腦、行動電話、尋呼機、掌上型或手持式行事曆(organizer)、攜帶型無線電、汽車用立體聲收音機或遙控器。為滿足更快效能之需求，積體電路裝置特徵之特性尺寸已不斷減小。在許多常規用於半導體製造之方法中生產具有較小尺寸之裝置帶來新的挑戰。
由於該等產品之尺寸減小，因此構成該等產品之元件亦必須變為更小及/或更薄。一些需要減小尺寸或按比例縮小之元件實例為微電子晶片互連、半導體晶片元件、電阻器、電容器、印刷電路板或印刷線路板、布線、開關板、觸控板及晶片封裝。
當減小電子元件及半導體元件之尺寸或按比例縮小時，在按比例縮小之元件中，任何存在於較大元件中之疵點均會被誇大。因此，如有可能，則在按比例縮小元件以用於較小電子產品之前，應識別並校正存在於或可能存在於較大元件中之疵點。
為識別並校正電子元件、半導體元件及通信元件中的疵點，因此應分解元件並分析所用材料及製造該等元件之製造方法。在一些情況下，電子元件、半導體元件及通信元件/資料交換元件由諸如金屬、金屬合金、陶瓷、無機材料、聚合物或有機金屬材料之材料層組成。材料層通常為薄層(厚度大約為小於幾十埃)。為改良材料層之品質，應評定層之形成方法(諸如金屬或其他化合物之物理氣相沉積)，且如有可能應修正並改良。
為改良材料層之沉積方法，必須量測並量化表面及/或材料組合物，並檢測疵點或缺陷。對於材料之一層或多層沉積情況而言，不應監控材料之一實際層或多實際層，而應監控用於在基板或其他表面上製造材料層及製造置於靶材料與基板或其他表面間之介入設備(諸如線圈或準直儀)的材料之表面及該材料。舉例而言，當藉由濺鍍包含一金屬之靶標而於一表面或基板上沉積該金屬層時，自靶標偏轉或釋放之原子及分子必須傳經一允許平坦且均一之沉積之路徑至該基板或其他表面。自靶標偏轉及/或釋放之後，沿自然及預期路徑傳播之原子及分子將不均勻地沉積於表面或基板上，其包括表面或基板內溝槽及孔洞、周圍屏遮及腔室內的其他暴露表面。對於某些表面及基板而言，為在該表面或基板上獲得更均一之沉積、塗層及/或薄膜，更改偏離開靶標之原子及分子方向係必要的。
為此，需要開發並利用一可最大化表面及/或基板上塗層、薄膜或沉積之均一性的沉積設備及濺鍍腔系統。諸如由Honeywell Electronic MaterialsT M 所生產的線圈及線圈集(coil set)係置於濺鍍腔或離子化電漿設備中之消耗性產品，該濺鍍腔或離子化電漿設備更改濺鍍原子及/或分子之方向以在基板及/或合適表面上形成更均一之薄膜及/或層。基於背景考慮，該線圈作為感應耦合裝置存在於該等系統及/或沉積設備中以產生足夠密度之二級電漿以離子化至少一些自靶標濺鍍之金屬原子。在離子化金屬電漿系統中，形成初級電漿且其通常由磁控管限制於靶標附近，且隨後引起原子(諸如Ti原子)自靶標表面噴出。線圈系統所形成之二級電漿產生Ti、Cu及Ta離子(視所濺鍍材料而定)。該等金屬離子隨後藉由形成於基板(晶圓)表面之外鞘中之場而吸引至晶圓。如本文使用術語"外鞘"意謂形成於電漿與任何固體表面間之邊界層。此場可藉由對晶圓及/或基板施加偏壓而得以控制。
習知線圈懸於陶瓷電絕緣體上以防止與附著於加工腔室壁之加工腔室屏遮短路之線圈電位，且因此為地面電位。該金屬電漿將塗佈陶瓷電絕緣體並形成短路。形成為杯狀外形之屏遮被置於陶瓷周圍以提供自電漿至陶瓷之光密路徑(optically dense path)，其可防止於陶瓷上之金屬沉積。通常，包圍陶瓷之小杯樣屏遮附著於線圈，且較大杯樣屏遮附著於較小杯樣屏遮，因此該等杯相互之間電絕緣，但共同工作以遮蔽陶瓷。線圈在熱應力下增大並減小介於線圈背面與外部杯樣屏遮邊緣間之標稱間隙(nominal gap)，以產生短路並中斷基板上之沉積過程。
除上文所描述之問題及潛在疵點之外，物理氣相沉積(PVD)期間之粒子產生係減小微電子裝置製造中功能晶片產量之最有害因素之一。在PVD系統中，主要當沉積物在周圍腔室元件上積累及應力所誘導之破裂發生時產生粒子，該沉積物尤其係積累於用於離子化金屬電漿(IMP)濺鍍系統及自行離子化電漿(SIP)濺鍍系統之線圈上。沉積主要發生在線圈頂部。
由於所使用之金屬或金屬合金棒之尺寸，因此習知線圈及線圈集可為昂貴且難以製造的。因此，需要開發形狀及尺寸更優之線圈，其最終係用於沉積設備、濺鍍腔系統及/或離子化電漿沉積系統之更具成本效益之線圈及線圈集，而不引起短路，中斷沉積過程或不適當之金屬沉積。亦應需要保證該等線圈及線圈集與所使用之靶標具有相似壽命，因為減小線圈、線圈集與靶標間之壽命差異將最低限度地減小在均更換線圈與靶標之前，為了僅更換線圈而關閉設備或系統的次數。
本文描述一種用於氣相沉積系統之線圈組，其包括至少一個主體線圈，該主體線圈具有長度、高度、內邊緣、外邊緣及厚度，其中該主體線圈之厚度係以該內邊緣與該外邊緣間之距離為量測，且其中該主體線圈之至少部分厚度與一參考線圈相比至少減少20%。
本文亦描述一種用於氣相沉積系統之線圈組，其包括至少一個主體線圈，該主體線圈具有長度、高度、內邊緣、外邊緣及厚度，其中該主體線圈之厚度係以該內邊緣與該外邊緣間之距離為量測，且其中至少部分該主體線圈之至少部分高度與一參考線圈之高度相比至少減少20%。
已令人吃驚地開發出用於沉積設備、濺鍍腔系統及/或離子化電漿沉積系統，最終具有更大成本效益之更佳外形及尺寸之線圈，且其揭示於本文中。該等新穎線圈及線圈集可減少短路之可能性，最小化中斷沉積過程，且減少不適當金屬沉積。因為如較早所闡述之減小線圈、線圈集及靶標間之壽命差異將最低限度地減小在均更換線圈與靶標之前，為了僅更換線圈而關閉設備或系統的次數，因此該等新線圈及線圈集與所使用之靶標具有相似壽命。
為達到在增加線圈及線圈集之成本效益的同時，減小短路之可能性，最小化中斷沉積過程，減少不適當金屬沉積，最小化線圈及/或線圈集與靶標間之壽命差異，且最大化沉積於基板上之薄膜、塗層及/或層之均一性之目標，已開發出利用經改良尺寸及外形之線圈的線圈集。已令人驚訝地發現當線圈之至少一部分厚度減小時，線圈在濺鍍腔中之效能得以改進。
特定言之，本發明描述包含用於濺鍍沉積裝置之主體線圈之線圈組，其中該主體線圈之至少部分厚度與參考線圈相比至少減少20%。在一些實施例中，該主體線圈之至少部分厚度在該線圈部分的全高上至少減少20%，其中該厚度與參考線圈相比減少。在其他實施例中，該線圈之至少部分厚度在該線圈部分之至少部分高度上至少減少的20%，其中該厚度減少。在其他實施例中，該線圈之至少部分厚度在自該線圈之內邊緣至外邊緣之角度處減少。本發明描述形成及/或製造線圈組之方法，且其包含a)提供一線圈及b)減少至少20%之線圈厚度。
本發明亦描述一種用於氣相沉積系統之線圈組，其包括至少一個主體線圈，該主體線圈具有長度、高度、內邊緣、外邊緣及厚度，其中該主體線圈之厚度係以該內邊緣與該外邊緣間之距離為量測，且其中至少部分該主體線圈之至少部分高度與一參考線圈之高度相比至少減少20%。
如本文所使用短語"參考線圈"意謂其包含與"主體線圈"相同之材料。此外，認為參考線圈係習知線圈－意謂參考線圈與主體線圈相比厚度並無任何顯著地減小。"參考線圈"意謂用作為"對照"。
預期線圈組包含至少一個線圈，且在一些預期實施例中，線圈組包含至少兩個線圈。如下文所描述，預期線圈可包含任何合適材料，其包括金屬或金屬合金。視應用之需要而定，預期線圈可具有任何合適初始厚度。在一些實施例中，認為預期線圈係"薄"線圈。如本文所使用短語"薄線圈"意謂包含小於約5 mm厚度之線圈。該線圈亦具有高度。在一些實施例中，線圈高度小於約76 mm。在其他實施例中，線圈高度小於約50 mm。在其他實施例中，線圈高度小於約40 mm。且在其他實施例中，線圈高度小於約25 mm。此外，預期線圈具有長度。在一些實施例中，線圈長度可大於30 cm，大於60 cm及/或1.5公尺及以上。
在PVD系統中，粒子主要係當沉積物在周圍腔室元件上積累，及應力所誘導之破裂發生時產生，該沉積物尤其係積累於用於離子化金屬電漿(IMP)濺鍍系統及自行離子化電漿(SIP)濺鍍系統之線圈上。沉積主要發生在該等線圈之頂部。為處理物理氣相沉積(PVD)期間粒子產生之問題(其係減小微電子裝置製造中功能晶片產量之最有害因素之一)，因此開發出一新穎線圈設計。習知線圈設計具有橢圓形頂部或具有在外邊緣上有傾斜邊緣之頂部，但其仍具有狹窄平坦頂部。先前技術圖1展示具有放大展示橢圓形頂部110之習知線圈100。
圖2展示線圈200，其中該線圈之至少部分厚度在自線圈200之內邊緣210至外邊緣220之角度230處減少。可使用之典型角度為30或60度角(圖3A及3B所示)。自線圈內邊緣至外邊緣創造一角度之新穎設計產生之有線圈為有效"減小粒子屏遮線圈"。在PVD系統中，濺鍍原子以平均大於10 km/s之速度轟擊線圈。若線圈頂部邊緣被製成尖銳狀，則當原子碰撞線圈時，該原子係被敲離該線圈而非沉積於其上。對於斜面線圈邊緣之尖銳作用由電漿濺鍍進一步加強。由於所產生之尖銳頂部邊緣，因此通常應積累於習知線圈頂部表面上的沉積現經最小化。線圈之新尖銳頂部(如圖2中240所示)可藉由來自靶標之高速濺鍍原子之轟擊不斷地清除，而所暴露之傾斜部分(如圖2中250所示)可藉來自線圈內部之電漿清除。外部垂直線圈表面(如圖2中260所示)與射束方向平行，因此其聚集極少沉積。
在彼等實施例中，其中陶瓷電絕緣體用於懸置線圈且其中杯樣屏遮用於防止短路，已令人吃驚地發現若線圈厚度在該線圈之至少部分高度上至少減少20%，則可減少任何其他短路，可減少非欲求之金屬沉積且可減少中斷沉積過程。先前技術圖4展示習知線圈組400，其包括一線圈410、一陶瓷絕緣體420及多個杯樣屏遮430。該等類型之線圈組見於2004年6月28日申請之美國專利第10/880172號中，其由Honeywell International Inc.共同擁有且其全文以引用的方式併入本文。圖5展示本文所描述之線圈組之預期實施例，其包含具有減小厚度之線圈510、陶瓷絕緣體520及杯樣屏遮530。圖6展示線圈600之預期實施例的放大圖，其具有介於內邊緣610與外邊緣620間之減小厚度。在一些實施例中，線圈厚度可在該線圈之至少部分高度上至少減少30%。在其他實施例中，線圈厚度可在該線圈至少部分高度上至少減少50%。舉例而言，一預期線圈具有約3 mm厚度及約50 mm高度。為防止短路，線圈末端之最後4 mm可具有約1.5 mm之減小厚度，其原始厚度為約3 mm(減少量約50%)。此厚度減少量可在全部50 mm高度或部分50 mm高度。在一些實施例中，厚度可在以線圈高度為中心之大約30 mm部分上減少。一旦在RF線圈與外部杯之間產生間隙之後，短路之可能性即降低。
在預期實施例中，線圈材料包含與靶材料相同之材料；然而，線圈材料與靶材料並非總需相同。舉例而言，線圈可包含鉭或鈦，而靶標可包含鉭合金或鈦合金，諸如TaN或TiZr。用於生產線圈之材料可包含任何合適材料，諸如如適於靶材料之下文所列之材料，然而，吾人預期該材料可包含至少與靶材料相似及/或相容之材料。
在一些實施例中，包括感應系統亦為理想的，該感應系統可a)包含一簡易裝置/設備及/或機械裝備及一用於確定表面或材料之磨損、損耗及/或損壞之簡易方法；b)如與按照特殊維修計劃檢查材料品質相反，當必須維修時，可通知操作員；且c)可藉由減少及/或消除材料過早更換或修復來減少及/或消除材料浪費。本文所預期之感應裝置及感應系統可見於美國臨時專利申請案第60/410540號中，其全文併入本文中。
本文描述形成及/或生產線圈組之方法，且其包含a)提供一線圈；及b)至少減少20%之線圈厚度。預期方法亦包括a)提供一線圈；及b)至少減少20%之至少部分線圈之至少部分高度。線圈可由任何合適方法提供，其包括a)自供應商購買至少一些線圈；b)用由另一來源所提供之材料室內製備或生產至少一些線圈及/或c)用亦在室內或在遠處生產或提供之材料在室內製備或生產線圈。
本發明所預期之濺鍍靶標及濺鍍靶標組包含任何合適形狀及尺寸，其取決於應用及PVD方法中所用儀器。本發明所預期之濺鍍靶標亦包含一表面材料及一核心材料(其包括墊板)，其中該表面材料經由及/或環繞氣體腔室或氣流耦合於該核心材料。表面材料及核心材料通常可包含相同元素組成或化學組合物/組份，或者表面材料之元素組成及化學組合物可經改變或修正以使其與核心材料不同。在大部分實施例中，表面材料及核心材料包含相同元素組成或化學組合物。然而，在該等實施例中，其中當檢測靶標之有用壽命何時結束可為重要的，或者其中沉積諸材料之混合層係重要的，表面材料及核心材料可改變成包含不同元素組成或化學組合物。
表面材料為靶標恰好於任何可量測點暴露於能源之部分，且亦為傾向於產生表面塗層所需之原子及/或分子的全部靶材料部分。
濺鍍靶標及/或線圈通常可包含任何材料，其可a)可靠地形成濺鍍靶標或線圈；b)當由能源轟擊時，自該標靶(且有時係自線圈)濺鍍；且c)適於在晶圓或表面上形成最終層或前驅層。應瞭解儘管線圈包含被認為與所濺鍍材料相同或相似之材料，但是線圈可或不可濺鍍原子。線圈濺鍍主要取決於線圈對於電漿之偏向。預期用以製造合適濺鍍靶標及/或線圈之材料為金屬、金屬合金、導電聚合物、導電複合材料、介電材料、硬質罩幕材料(hardmask material)及任何其他合適濺鍍材料。如本文使用術語"金屬"意謂位於元素週期表之d－區及f－區中之元素，以及具有金屬樣特性之元素，諸如矽及鍺。如本文使用短語"d－區"意謂圍繞元素原子核之3d、4d、5d及6d軌道填充有電子之元素。如本文使用短語"f－區"意謂圍繞元素原子核之4f及5d軌道填充有電子之元素，其包括鑭系元素及錒系元素。較佳金屬包括鈦、矽、鈷、銅、鎳、鐵、鋅、釩、鋯、鋁及鋁基材料、鉭、鈮、錫、鉻、鉑、鈀、金、銀、鎢、鉬、鈰、鉕、釷、釕或其組合。更佳金屬包括銅、鋁、鎢、鈦、鈷、鉭、鎂、鋰、矽、錳、鐵或其組合。最佳金屬包括銅、鋁及鋁基材料、鎢、鈦、鋯、鈷、鉭、鈮、釕或其組合。所預期及較佳金屬之實例包括用於超微粒鋁及銅濺鍍靶標之鋁及銅；用於200 mm及300 mm濺鍍靶標以及其他mm－尺寸靶標之鋁、銅、鈷、鉭、鋯及鈦；及用於在表面層上沉積鋁之薄、高保形"晶種"層之鋁濺鍍靶標之鋁。應瞭解本文所使用短語"及其組合"意謂在一些濺鍍靶標中可存在金屬雜質，諸如具有鉻及鋁雜質之銅濺鍍靶標，或者可存在組成製造濺鍍靶標之金屬及其他材料之有意組合，諸如包括合金、硼化物、碳化物、氟化物、氮化物、矽化物、氧化物及其他化合物之靶標。
術語"金屬"亦包括合金、金屬/金屬複合物、金屬陶瓷複合物、金屬聚合複合物，以及其他金屬複合物。本文所預期之合金包含金、銻、砷、硼、銅、鍺、鎳、銦、鈀、磷、矽、鈷、釩、鐵、鉿、鈦、銥、鋯、鎢、銀、鉑、釕、鉭、錫、鋅、鋰、錳、錸及/或銠。特殊合金包包括金銻合金、金砷合金、金硼合金、金銅合金、金鍺合金、金鎳合金、金鎳銦合金、金鈀合金、金磷合金、金矽合金、金銀鉑合金、金鉭合金、金錫合金、金鋅合金、鈀鋰合金、鈀錳合金、鈀鎳合金、鉑鈀合金、鈀錸合金、鉑銠合金、銀砷合金、銀銅合金、銀鎵合金、銀金合金、銀鈀合金、銀鈦合金、鈦鋯合金、鋁銅合金、鋁矽合金、鋁矽銅合金、鋁鈦合金、鉻銅合金、鉻錳鈀合金、鉻錳鉑合金、鉻鉬合金、鉻釕合金、鈷鉑合金、鈷鋯鈮合金、鈷鋯銠合金、鈷鋯鉭合金、銅鎳合金、鐵鋁合金、鐵銠合金、鐵鉭合金、鉻氧化矽合金、鉻釩合金、鈷鉻合金、鈷鉻鎳合金、鈷鉻鉑合金、鈷鉻鉭合金、鈷鉻鉭鉑合金、鈷鐵合金、鈷鐵硼合金、鈷鐵鉻合金、鈷鐵鋯合金、鈷鎳合金、鈷鎳鉻合金、鈷鎳鐵合金、鈷鎳鉿合金、鈷鈮鉿合金、鈷鈮鐵合金、鈷鈮鈦合金、鐵鉭鉻合金、錳銥合金、錳鈀鉑合金、錳鉑合金、錳銠合金、錳釕合金、鎳鉻合金、鎳鉻矽合金、鎳鈷鐵合金、鎳鐵合金、鎳鐵鉻合金、鎳鐵銠合金、鎳鐵鋯合金、鎳錳合金、鎳釩合金、鎢鈦合金及/或其組合。在其他實施例中，亦預期描述於美國專利申請案第＿＿＿＿＿＿＿＿號(其他Prater/Lee申請案)中，包括釕鈦合金及釕鉭合金之組合物。
至於本發明所預期之用於濺鍍靶標及/或線圈之其他材料，認為以下組合物為預期濺鍍靶標、線圈及/或軸套(boss)之實例(儘管清單並非詳盡)：硼化鉻、硼化鑭、硼化鉬、硼化鈮、硼化鉭、硼化鈦、硼化鎢、硼化釩、硼化鋯、碳化硼、碳化鉻、碳化鉬、碳化鈮、碳化矽、碳化鉭、碳化鈦、碳化鎢、碳化釩、碳化鋯、氟化鋁、氟化鋇、氟化鈣、氟化鈰、冰晶石、氟化鋰、氟化鎂、氟化鉀、稀土金屬氟化物、氟化鈉、氮化鋁、氮化硼、氮化鈮、氮化矽、氮化鉭、氮化鈦、氮化釩、氮化鋯、矽化鉻、矽化鉬、矽化鈮、矽化鉭、矽化鈦、矽化鎢、矽化釩、矽化鋯、氧化鋁、氧化銻、氧化鋇、鈦酸鋇、氧化鉍、鈦酸鉍、鈦酸鋇鍶、氧化鉻、氧化銅、氧化鉿、氧化鎂、氧化鉬、五氧化鈮、稀土金屬氧化物、二氧化矽、一氧化矽、氧化鍶、鈦酸鍶、五氧化鉭、氧化錫、氧化銦、氧化銦錫、鋁酸鑭、氧化鑭、鈦酸鉛、鋯酸鉛、鋯－鈦酸鉛、鋁化鈦、鈮酸鋰、氧化鈦、氧化鎢、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、碲化鉍、硒化鎘、碲化鎘、硒化鉛、硫化鉛、碲化鉛、硒化鉬、硫化鉬、硒化鋅、硫化鋅、碲化鋅及/或其組合。
本文所討論之由自靶標濺鍍原子或分子產生之薄層或薄膜可形成於任何數目或稠度之層上，其包括其他金屬層、基板層、介電層、硬質罩幕或蝕刻終止層、光微影層、抗反射層等。在一些較佳實施例中，介電層可包含由Honeywell International,Inc.所預期、生產或揭示之介電材料，其包括(但不限於)：a)FLARE(聚伸芳基醚)，諸如經頒予之美國專利第5959157號、第5986045號、第6124421號、第6156812號、第6172128號、第6171687號、第6214746號中，及在申請中之申請案第09/197478號、第09/538276號、第09/544504號、第09/741634號、第09/651396號、第09/545058號、第09/587851號、第09/618945號、第09/619237號、第09/792606號中所揭示之彼等化合物，b)金剛烷基材料，諸如申請中之申請案第09/545058號；2001年10月17日申請之PCT/US01/22204；2001年12月31日申請之PCT/US01/50182；2001年12月31日申請之60/345374；2002年1月8日申請之60/347195；及2002年1月15日申請之60/350187中所示之彼等材料，c)共同讓渡之美國專利第5,115,082號；第5,986,045號；及第6,143,855號；及共同讓渡之2001年4月26日公開之國際專利公開WO 01/29052；及2001年4月26日公開之WO 01/29141；及d)奈米多孔矽石材料及矽石基化合物，諸如於所頒予之US 6022812、US 6037275、US 6042994、US 6048804、US 6090448、US 6126733、US 6140254、US 6204202、US 6208014，及在申請中之申請案09/046474、09/046473、09/111084、09/360131、09/378705、09/234609、09/379866、09/141287、09/379484、09/392413、09/549659、09/488075、09/566287及09/214219中所揭示之彼等化合物，所有案件全文均以引用的方式併入本文，及e)Honeywell HOSP有機矽氧烷。
晶圓或基板可包含任何所需大體為固體的材料。特別所需之基板可包含玻璃、陶瓷、塑料、金屬或經塗覆金屬，或複合材料。在較佳實施例中，基板包含砷化矽或砷化鍺模具或晶圓表面，封裝表面(諸如見於鍍銅引線框、鍍銀引線框、鍍鎳引線框或鍍金引線框)，銅表面(諸如見於電路板或封裝互連跡線)，轉接壁(via－wall)或加強界面("銅"包括裸銅及其氧化物)，聚合物基封裝或板界面(諸如見於聚醯亞胺基繞曲封裝)，鉛或其他金屬合金焊接球表面，玻璃及聚合物(諸如聚醯亞胺)。在更佳實施例中，基板包含封裝及電路板工業中之普通材料，諸如矽、銅、玻璃或聚合物。
本發明所預期之基板層亦可包含至少兩層材料層。構成基板層之一層材料層可包括先前所描述之基板材料。構成基板層之材料其他層可包括聚合物層、單體層、有機化合物層、無機化合物層、有機金屬化合物層、連續層及奈米多孔層。
若需要材料為奈米多孔而非連續，則基板層亦可包含複數個空隙。空隙通常為球形，但可替代或另外具有任何合適外形，其包括管狀、薄層狀、圓盤狀，或其他外形。空隙可具有任何適當直徑亦為所預期。另外預期至少一些空隙可與相鄰空隙相連以產生具有顯著量之連接或"開口"多孔性之結構。空隙較佳地具有小於1微米之平均直徑，且具有小於100奈米之平均直徑更佳，且具有小於10奈米之平均直徑仍更佳。另外預期空隙可均一地或隨機地分散於基板層內。在一較佳實施例中，空隙均一地分散於基板層內。
因此，已揭示用於氣相沉積應用中之線圈的特殊實施例及應用，以及生產方法。然而，在不悖離本發明概念下，熟習此項技術者明顯應了解除已描述的修正之外，還可能存在更多修正。因此，除了在本文所揭示內容及申請專利範圍內，本發明主旨不應受到限制。此外，在解釋所揭示內容及申請專利範圍時，所用術語均應以與本文一致之最廣可能方式解釋。詳言之，術語"包含"應解釋為以非獨占式之方式提及元素、元件或步驟，其指示所提及之元素、元件或步驟可與未清楚參考之其他元素、元件或步驟一起存在，或利用，或組合。
100．．．習知線圈
110．．．橢圓形頂部
200．．．線圈
210．．．內邊緣
220．．．外邊緣
230．．．角度
240．．．尖銳頂部
250．．．傾斜部分
260．．．垂直線圈外表面
400．．．習知線圈組
410．．．線圈
420．．．陶瓷絕緣體
430．．．杯樣屏遮
510．．．線圈
520．．．陶瓷絕緣體
530．．．杯樣屏遮
600．．．線圈
610．．．內邊緣
620．．．外邊緣
先前技術圖1展示習知線圈設計。
圖2展示預期線圈設計。
圖3A展示預期線圈設計。
圖3B展示預期線圈設計。
先前技術圖4展示習知線圈設計。
圖5展示預期線圈組設計。
圖6展示預期線圈設計之放大圖。
510．．．線圈
530．．．杯樣屏遮

Claims (17)

  1. 一種用於氣相沉積系統中之線圈組，其包含：至少一個金屬或金屬合金氣相沈積系統線圈，其包含大於30cm之長度、小於約76mm之高度、內邊緣、外邊緣及小於約5mm之最大厚度，其中該線圈之厚度係以該內邊緣與該外邊緣間之距離量測，且其中該線圈之第一部分厚度與該線圈之最大厚度相比減少至少20%，且其中該線圈之至少一部分厚度包含從該線圈之內邊緣至外邊緣的一個角度以形成具有一個點之頂部邊緣，且其中該線圈之外邊緣係垂直至該頂部邊緣的點。
  2. 如請求項1之線圈組，其中該金屬或金屬合金包含過渡金屬。
  3. 如請求項1之線圈組，其中該線圈之第一部分厚度與該線圈之最大厚度相比減少至少30%。
  4. 如請求項3之線圈組，其中該線圈之第一部分厚度與該線圈之最大厚度相比減少至少40%。
  5. 如請求項4之線圈組，其中該線圈之第一部分厚度與該線圈之最大厚度相比減少至少50%。
  6. 如請求項1之線圈組，其中介於該內邊緣與該外邊緣間之距離包含至少一30度角。
  7. 如請求項6之線圈組，其中介於該內邊緣與該外邊緣間之距離包含至少一60度角。
  8. 一種用於氣相沉積系統中之線圈組，該線圈組包含：一金屬或金屬合金氣相沈積系統線圈，其具有高度、 內邊緣、外邊緣、在該內邊緣與該外邊緣間量測之厚度、第一末端及在該第一末端之傾斜邊緣，其中該線圈之厚度係在從該內邊緣至該外邊緣的一個角度處減少以形成該傾斜邊緣，且其中該角度係介於30度與60度之間。
  9. 如請求項8之線圈組，其中該金屬或金屬合金包含過渡金屬。
  10. 如請求項8之線圈組，其中該傾斜邊緣包含一個點。
  11. 如請求項10之線圈組，其中該外邊緣至該點是直的。
  12. 一種用於氣相沉積系統中之線圈組，該線圈組包含：一環形金屬或金屬合金氣相沈積系統線圈，其具有直徑、內邊緣、外邊緣、頂部邊緣，及在該內邊緣與該外邊緣間之橫跨直徑的橫截面中量測之厚度，其中該線圈之厚度係在該線圈之頂部邊緣從該內邊緣至該外邊緣的一個角度處減少。
  13. 如請求項12之線圈組，其中該頂部邊緣是傾斜的。
  14. 如請求項12之線圈組，其中該頂部邊緣包含一個點。
  15. 如請求項14之線圈組，其中該外邊緣至該點是直的。
  16. 如請求項12之線圈組，其中該線圈是導電的。
  17. 如請求項12之線圈組，其中該角度係介於30度與60度之間。
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