JP4680841B2 - Pvd用筒状ターゲット - Google Patents

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Description

本発明は、スパッタリングや真空アーク蒸着等のPVD法(Physical Vapor Deposition:物理蒸着法)に使用されるPVD用筒状ターゲットに関するものである。
従来、Feやステンレス材からなる筒状の基材の外周面に、熱間等方圧加圧法(HIP法)によりCr等の蒸発材を接合(焼結)してなるPVD用筒状ターゲットが知られている。この種のPVD用筒状ターゲットにおいては、基材と蒸発材との熱膨張係数(熱膨張率)の差によりHIP処理の降温過程で基材が蒸発材よりも大きく収縮するため、蒸発材と基材の間に割れや剥離が発生していた。この現象はPVD用筒状ターゲットの全長や直径が小さい場合には顕在化し難いが、大型のPVD用筒状ターゲットにおいては目立つものとなる。
この様なPVD用筒状ターゲットを例えばPVD装置に組み込んで使用すると、使用中の温度上昇に伴い、基材と蒸発材との間に前記熱膨張係数の差に起因するずれがPVD用筒状ターゲットの軸方向に発生し、使用できない状態となるという問題があった。
かかる問題を解決すべく、例えば特許文献1には、基材の外周面に凸部又は凹部を形成することにより、両材の軸心方向のずれを規制することとしたPVD用筒状ターゲットが開示されている。
また、特許文献2や特許文献3には、蒸発材と基材の間にこれら両材の拡散を抑制する中間層を介在させ、これにより基材と蒸発材間の剥離や割れの発生を抑制することとしたPVD用筒状ターゲットが開示されている。
特開平7−173622号公報 特開平9−195039号公報 特開平5−230645号公報
しかしながら、上記引用文献2や引用文献3のPVD用筒状ターゲットを形成するにつき、蒸発材として2種類以上の元素で構成されるCrB等の材料を採用すると、該材料は基材を構成するFeや中間層として用いられるNi等に比して熱膨張係数が著しく小さいため、材料間の熱膨張差によりHIP処理後やPVD作業時にPVD用筒状ターゲット内に極めて大きな応力が残留し、これによって蒸発材に割れや剥離が発生してしまうという問題があった。
また、前記CrBの如き材料は極めて脆く、上記引用文献1の如き角ばっている角部を有する凸部又は凹部においては、該角部に応力が集中することにより容易に蒸発材に割れや剥離を生じてしまうという問題もある。
そこで、本発明は、基材と蒸発材の熱膨張差により両材の境界部に生じる残留応力による蒸発材の剥離や割れの発生を抑制することができると共に、両材の十分な密着性を確保することができるPVD用筒状ターゲットを提供するようにしたものである。
前記目的を達成するため、本発明においては以下の技術的手段を講じた。
即ち、本発明における課題解決のための技術的手段は、筒状の基材の外周面に蒸発材を被覆してなるPVD用筒状ターゲットにおいて、前記基材と蒸発材の境界部は、角部を丸めて形成される凸形状と凹形状の双方又は何れか一方の形状からなる噛合部を有していることを特徴としている。
これによれば、角部が曲面により構成されることとなり、角部への残留応力の集中を排除することができるので、応力集中に起因する蒸発材の剥離や割れを抑制することができる。また、噛合部を介して両材が噛み合った状態となるため、両材の熱膨張係数に差があったとしても、両材の密着性が確保されることとなる。
また、前記噛合部は、前記基材の周方向に亘って形成される凸条部と凹条部の双方又は何れか一方を備えていることが好ましい。
これにより、両材の境界部の密着性がPVD用筒状ターゲットの周方向に亘って確保されることとなる。
また、前記噛合部は、前記基材の軸方向に凸条部と凹条部を交互に連続してなる蛇腹状に形成されていることが好ましい。
これによれば、基材の外周面に凸条部と凹条部を形成する加工を容易に行うことができ、基材の製造コストを抑えることができる。
また、前記噛合部は、凸条部に凹条部を隣接してなるねじ状に形成されていることが好ましい。
これによれば、蒸発材の一部に該蒸発材の内周から外周に亘る割れが発生する場合にも、該割れは凸条部又は凹条部に沿って進展することとなり、割れがPDV用筒状ターゲットの周方向に円環状に繋がってしまうことを防止することができる。このため、割れにより蒸発材が二分してしまう虞はない。
また、上述の如き効果を良好に得るべく、前記凹条部のピッチを1mm以上20mm以下とし、凸条部の頂部と凹条部の底部間の間隔を0.5mm以上5mm以下とし、前記基材の軸心に対し凸条部と凹条部とを連結する斜面の傾斜角度を80°以下とし、凸条部の頂部及び凹条部の底部の曲率半径を0.5mm以上に設定していることが好ましい。
また、前記噛合部は、前記基材の外周面に複数の凸条部を備え、隣り合う凸条部と凸条部の間が平坦であることが好ましい。
これによれば、少数の凸条部を形成することで必要な部位の密着性を向上させることができるとともに、加工工数を低減することができる。
また、前記噛合部は、前記基材の一方の端部から他方の端部に亘って形成されていることが好ましい。
これによれば、前記残留応力を基材の一方の端部から他方の端部に亘るPVD用筒状ターゲットの全体に分散させることができ、より効果的に蒸発材の剥離や割れの発生を抑制することができる。
また、PVD用筒状ターゲットの全長に亘って両材の密着性を確保することができる。
なお、本発明における課題解決のための最も好ましい技術的手段は、筒状の基材の外周面に蒸発材を被覆してなるPVD用筒状ターゲットにおいて、前記基材と蒸発材の境界部は、角部を丸めて形成される凸条部と凹条部とを交互に連続して備えた噛合部を有しており、前記凹条部のピッチを1mm以上20mm以下とし、凸条部の頂部と凹条部の底部間の間隔を0.5mm以上5mm以下とし、前記基材の軸心に対し凸条部と凹条部とを連結する斜面の傾斜角度を80°以下とし、凸条部の頂部及び凹条部の底部の曲率半径を0.5mm以上に設定していることを特徴とする。
前記噛合部は、前記基材の外周面を軸方向に凹凸形状とすべく、当該基材の周方向に亘って形成される凸条部と凹条部を備えているとよい。
また、前記噛合部は、前記基材の外周面を周方向に凹凸形状とすべく、当該基材の周方向に配備された凸条部と凹条部を備えているとよい。
本発明によれば、基材と蒸発材の熱膨張差により両材の境界部に生じる残留応力による蒸発材の剥離や割れの発生を抑制することができると共に、両材の十分な密着性を確保することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図1は本発明に係るPVD用筒状ターゲット1の第1実施形態を示しており、該PVD用筒状ターゲット1は、円筒状の基材2と、該基材2の外周面を覆う蒸発材(ターゲット材)3とからなる。基材2は断面円形の中空体からなる。また、基材2と蒸発材3の境界部4には、角部を丸めて形成される凹凸形状の噛合部5が形成されている。
蒸発材3は、PVD法によりワークに被膜を形成すべき皮膜形成材により形成されており、HIP処理により基材2の外周面に所定厚さを有する層として一体接合されている。
本実施の形態においては、基材2としてステンレス材(SUS)を採用し、蒸発材3としてCrBを採用しているが、基材2としてFe又はFe系材料を採用することも可能であるし、蒸発材3として、CrAl、CrN、CrBSi、CrBTi、CrBV、TiB、TiSi、TiAlV、TiAlSi、N、TiN、B4C、BN、AlN、Al23、C等を採用することも可能である。
噛合部5は、基材2の外周面に形成される雄ねじ状部5aと蒸発材3の内周面に形成される雌ねじ状部5bとをPVD用筒状ターゲット1の一方の端部から他方の端部に亘って備えている。雄ねじ状部5aは、角部を丸めて基材の周方向に亘って形成される基材側凸条部(凸条部)6と基材側凹条部(凹条部)7とを基材2の軸方向に交互に連続して雄ねじ状に形成されている。また、雌ねじ状部5bは、基材側凸条部6に対向する蒸発材側凹条部8と基材側凹条部7を埋める蒸発材側凸条部9とを蒸発材3の軸方向に交互に連続して雌ねじ状に形成されている。
なお、本実施の形態のPVD用筒状ターゲット1は、直径A=140mm、長さB=600mmの外形寸法を有している。また、図2に示す如く、基材側凹条部7のピッチPを5mm、基材側凹条部7の底部と基材側凸条部6の頂部間の間隔である深さDを1mm、隣接する基材側凸条部6の頂部と基材側凹条部7の底部とを結ぶ直線の中心を通って基材2の軸心に平行な直線Lに対する基材側凸条部6と基材側凹条部7を連結する斜面の傾斜角度θAを32°、基材側凸条部6及び基材側凹条部7の頂部の曲率半径Rを1.3mmとしている。
本実施形態のPVD用筒状ターゲット1は以上の構成からなる。次に、該PVD用筒状ターゲット1の製造方法について説明する。
先ず、断面中実の棒体からなる基材素材の外周に噛合部5の雄ねじ状部5aとなる基材側凸条部6及び基材側凹条部7をねじ状に形成する。
次に、基材素材を有底円筒状のカプセルに収容する。このとき、カプセルの軸心と基材素材の軸心を一致又は略一致させておくことが望ましい。そして、該カプセルと基材素材の間に蒸発材3を充填し、該カプセルを真空密閉した後、HIP処理により蒸発材3を焼結させると共に基材素材に接合させる。これにより、蒸発材3に基材素材の基材側凸条部6及び基材側凹条部7に対応して蒸発材側凸条部9及び蒸発材側凹条部8が形成されて雌ねじ状部5bが構成され、両材2、3の境界部4に噛合部5が形成されることとなる。
該HIP処理後、基材素材の中心部に冷却水路用の貫通穴2aを加工することにより基材2を形成し、両端と外周を所定の形状に仕上げ加工を施すことにより、PVD用筒状ターゲット1を完成する。
上述の如く噛合部5を形成するにつき、雄ねじ状部5aを形成する基材側凸条部6及び基材側凹条部7の寸法関係は以下の如く規定される。
基材側凹条部7のピッチPを1mm〜20mmの範囲に設定することとする。また、該ピッチPを2mm〜10mmの範囲に設定することがより好適であり、4mm〜7mmの範囲に設定することが最も好ましい。
図3に示す如く、基材側凸条部6及び基材側凹条部7は、軸心廻りに高速回転させると共に軸心方向に自動送りとした基材素材の外周面に切削刃10aを有する工具10を押し付けて基材素材を削り込むことにより形成される。このため、ピッチPを1mm未満とすると加工工数が増す一方、その後に蒸発材3を接合したときの密着効果を十分に得ることができない。
また、ピッチPを20mmより大きいものとすると、工具10の切削刃10aと基材素材との接触面積が大きなものとなって基材素材の回転に対する抵抗が増し、これによって加工速度が鈍化する。
また、ピッチPを20mmより大きいものとすると、HIP処理によって蒸発材3を接合する際に生じる残留応力をPVD用筒状ターゲット1全体に分散させることができず、基材2の外周を凹凸状とするにも拘わらず残留応力が局部的に作用することとなって蒸発材3に割れが生じてしまう結果を招来する虞がある。
例えば全長数十cmのPVD用筒状ターゲット(本実施の形態においては60cm)に対し基材側凹条部7のピッチPを数cmとすると、PVD用筒状ターゲットの長手方向に数個〜数十個の基材側凸条部6及び基材側凹条部7が列ぶこととなる。また、基材2として採用されるステンレス材の熱膨張係数17.3×10-6/Kであり、蒸発材3として採用されるCrBの熱膨張係数はステンレス材の熱膨張係数よりも一桁程度小さいことが知見されている。これらを組み合わせてPVD用筒状ターゲット1を形成すると、両材2、3の熱膨張差により該両材2、3の境界部4に発生する内部応力が大きなものとなる。加えて、CrBは極めて脆い材料である。
したがって、上記数個〜十数個程度の基材側凸条部6及び基材側凹条部7では、基材側凸条部6(基材側凹条部7)一個当たりで受け持つ応力が大きなものとなり、これによって該基材側凸条部6の近傍から蒸発材3に割れが生じる可能性が大きなものとなるのである。このため、軸方向の長さを数十cmとするPVD用筒状ターゲットで応力を分散させるのには少なくとも該PVD用筒状ターゲットの長手方向に数十個の基材側凸条部6及び基材側凹条部7を列べる必要があり、ピッチPを20mmよりも大きなものとした大きな凹凸形状では応力を分散させ難い。また、たとえピッチPを20mmよりも大きなものとした大型の凹凸とした場合に応力を分散させる効果が多少みられるとしても、図1に示す基材側凹条部7を埋める蒸発材側凸条部9の割合が増す。PVD法においては、蒸発材3の蒸発が蒸発材側凹条部8に到達する前に蒸発工程を終了するので、該蒸発材側凸条部9の増加は蒸発材3の無駄に繋がり、現実的ではない。
以上により、基材素材の加工の容易性や両材間の境界部4に生じる残留応力の効果的に分散させるべく、ピッチPを1mm〜20mmの範囲に設定することとしている。
また、図2に示す如く、基材側凸条部6の頂部と基材側凹条部7の底部の間の間隔を深さDとすると、該深さDは0.5mm〜5mmの範囲とされ、より好適には0.8mm〜3mmの範囲とされる。最も好ましくは1mm〜2mmの範囲とされる。
深さDを0.5mm未満とすると、該深さDよりもHIP処理における基材2の収縮度合の方が大きなものとなって基材2と蒸発材3の噛み合い効果(密着効果)を十分に得ることができない虞がある。例えば、Cr(熱膨張係数α=6.5×10-6/K)と蒸発材3とし、Fe(熱膨張係数α=11.3×10-6/K)を基材2としてPVD用筒状ターゲット1を製造するにつき、基材2の直径を50mmとすると、温度差500℃での両材間の隙間は、(11.3−6.5)×10-6×500×50÷2=0.06mmとなって約60μmとなる。
即ち、HIP処理で昇温昇圧工程を経て蒸発材3を焼結した後、冷却工程(降温工程)において500℃程度まで冷却した時点で加圧が解かれたとすると、その後、常温まで冷却している間に基材2と蒸発材3との間に60μmの隙間ができるのである。該隙間はPVD用筒状ターゲット1をPVD装置に取り付けて使用する際に両材2、3の軸方向のずれを招来することとなって有害である。
この様に隙間を生じた状態であっても両材2、3のずれを確実に防止するには、例えばブラスト等によって数μm〜数十μm程度の凹凸深さで基材の外周面を荒らすのみでは不十分であり、少なくとも前記隙間の5倍、望ましくは10倍(数百μm)の凹凸深さが必要となる。
本実施の形態ではFeよりもさらに熱膨張係数の大きいステンレス材を基材2とし、Crよりもさらに熱膨張係数の小さいCrBを蒸発材3として採用しており、前記隙間は熱膨張係数の差に比例して拡がることから、深さDをより大きく設定する必要がある。
また、深さDを0.5mm未満とすると、図4に示す如く基材2の軸方向の収縮に伴って基材2の基材側凸条部6が蒸発材3の蒸発材側凸条部9と擦れ合い、これによって蒸発材3がその軸心の径外方向に基材2からの押圧力fを受けることとなり(くさび効果)、蒸発材3に容易に割れが発生してしまう虞がある。
一方、深さDを5mmより大きなものとすると、加工工数の増大や加工速度の鈍化につながることとなって好ましくない。
また、図5に示す如く、HIP処理の冷却工程により基材(基材素材)2は蒸発材3よりも大きく収縮するので、深さDを5mm以上の大きなものとして設定すると、基材2の収縮により基材側凸条部6が蒸発材側凸条部9を強く押圧することとなり、これによって極めて脆い蒸発材側凸条部9に容易に割れが発生することとなって好ましくない。
以上のことから、基材2と蒸発材3のずれ防止、加工の容易性及びHIP処理時の収縮による割れの発生の抑制を図るべく、深さDを0.5mm〜5mmの範囲に設定することとしている。
また、図2中に一点鎖線で示す基材2の軸心に平行な直線に対する基材側凸条部6と基材側凹条部7とを連結する斜面の各位置での傾斜角度θは、上記深さDとの関係によって設定される。該深さDを上述の如く設定することに鑑みれば、傾斜角度θは、0°<θ≦80°の範囲とされ、より好適には0°<θ≦60°の範囲とされる。最も好ましくは0°<θ≦45°の範囲とされる。
また、基材側凸条部6及び基材側凹条部7の頂部の曲率半径Rも傾斜角度θと同様であって、該深さDや傾斜角度θを上述の如く設定することに鑑みれば、曲率半径Rは0.5mm以上とされ、より好適には1mm以上とされる。最も好ましくは2mm以上とされる。
なお、この様に深さD、傾斜角度θ、曲率半径Rの範囲を設定可能であることに鑑みれば、互いに隣接する基材側凸条部6と基材側凹条部7とを正弦波状に形成することも可能であり、また、基材側凸条部6と基材側凹条部7の双方又は何れか一方の頂部を平坦に形成することも可能である。
本実施の形態によれば、両材2、3間の境界部4に設けられた噛合部5を構成する基材2の基材側凸条部6及び基材側凹条部7と、蒸発材3の蒸発材側凸条部9及び蒸発材側凹条部8とが角部を丸めて形成されているため、これらの角部での応力集中が排除されることとなり、境界部4にて蒸発材3に容易に割れが発生する虞はない。また、基材2と蒸発材3は、噛合部5を介して噛み合った状態となっているので、HIP処理時やPVD作業時の熱状態の変化により両材2、3が軸方向及び径方向に膨張又は収縮する場合にもこれら両材2、3の密着性は確保され、これによって両材2、3の軸方向へのずれ等が防止されることとなる。
また、基材2の基材側凸条部6及び基材側凹条部7がねじ状に形成されているため、蒸発材3の一部に該蒸発材3の内周から外周に亘る割れが発生する場合にも、該割れの進展は基材側凸条部6又は基材側凹条部7に沿うこととなり、割れがPVD用筒状ターゲット1の周方向に円環状に繋がってしまう虞はない。したがって、割れの発生により蒸発材3が二分してしまう虞はない。
図6及び図7は、本発明の第2実施形態である。本実施形態において、噛合部5は、基材2の軸方向に基材側凸条部6と基材側凹条部7を交互に連続して形成することにより蛇腹状とされている。これにより、両材2、3の境界部4の密着性がPVD用筒状ターゲット1の周方向に亘って確保されることはもちろん、基材2の加工が容易となり、基材2の低コスト化が図られるのである。即ち、上記第1実施形態の如く基材2の外周面に基材側凸条部6と基材側凹条部7とをねじ状に形成することとなると、基材素材の外周面に専用工具(図3に示す工具10)を宛がい、この状態で基材素材を軸心廻りに回転させつつ軸方向に自動送りしながら彫設する工程が必要となる。しかし、該工程は複数種の専用工具を作業の進捗状況に応じて交換することが必要となり、専用工具や加工工数の増大を招来して極めて困難且つ手間がかかるものとなる。
これに対し、本実施形態の如く基材2の外周面に基材側凸条部6と基材側凹条部7とを蛇腹状に形成する場合には、基材素材を軸方向に自動送りする必要はなく、専用工具を外周面に宛がった状態で基材素材を軸心廻りに回転させることによって形成することができる。したがって、本実施形態によれば、基材2の外周面に基材側凸条部6と基材側凹条部7をねじ状に形成する上記第1実施形態に比して専用工具や加工工数を減らすことができ、上記第1実施形態よりも容易に基材2を形成することができる。
また、基材2の一端から他端に亘って基材側凸条部6及び基材側凹条部7をねじ状に形成すると、基材2の端部に角ばった角部が形成される虞があり、該角部を丸める工程が必要となって加工工数が増える一方、本実施形態によれば、かかる角ばった角部が基材2の端部に形成されることはなく、これによっても加工工数の削減が図られることとなる。
また、図8及び図9は、本発明の第3実施形態である。本実施形態において、噛合部5は、基材2にディンプル加工を施すことにより該基材2の外周面に互いの間隔を等間隔として点在する複数の凹部12を備えてなる。各凹部12はすり鉢状の窪みとして形成されており、該凹部12の寸法関係は、図9に示す如く、凹部12のピッチlを1mm〜20mmとし、基材2の外周面上での直径rを1mm〜10mmとし、該外周面からの深さdを0.5mm〜5mm、望ましくは1mm〜3mmとして設定されている。
凹部12のピッチlを1mm未満とすると、基材2と蒸発材3の密着力が低下し基材2が蒸発材3から抜け落ちてしまう虞があり、該ピッチlを20mmよりも大きなものとする場合にも基材2と蒸発材3の密着力が低下して蒸発材3に対して基材2ががたつく虞がある。一方、該ピッチlを1mm〜20mmとすれば、この様な問題は生じないことを本願発明者らは知見している。
また、凹部12の直径rを1mm未満又は10mmより大きなものとすると基材2と蒸発材3の密着力が低下し基材2が蒸発材3から抜け落ちてしまう虞がある一方、該直径rを1mm〜10mmとすれば、この様な問題は生じないことを本願発明者らは知見している。
また、凹部12の深さdを0.5mm未満とすると、基材2と蒸発材3の密着力が低下し基材2が蒸発材3から抜け落ちてしまう虞がある。また、該深さdを5mmよりも大きなものとすると、基材2と蒸発材3の密着性は向上するものの、基材2の加工工数が増えることとなり、コスト増を招来することとなって好ましくない。これに対し、該深さdを0.5mm〜5mmとすれば、この様な問題は生じないことを本願発明者らは知見している。
本実施の形態によれば、基材2の外周に蒸発材3を接合するHIP処理時に両材2、3の熱膨張差により生じる残留応力がPVD用筒状ターゲット1の全体に分散されることとなる。
また、蒸発材3の内周面には、基材2の複数の凹部12と対向する位置に凸部13が形成されることとなる。該凸部13は、厚さが厚いことによりそれ以外の部分よりも強度が大きい。これにより、基材2の凹部12又は凹部12間と対向する位置を起点として蒸発材3に割れが発生する場合、即ち、蒸発材3の凸部13や凸部13間を起点として割れが発生する場合にも、該割れは強度の大きい凸部13に行き当たることによってその進展を妨げられることとなり、これによってさらなる割れの進展が抑制されるのである。
以上、本発明の実施の形態を詳述したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。例えば、図10の如く基材2の長手方向中央部にのみ噛合部5を設ける場合や図11の如く基材2の外周面の数箇所に基材側凸条部6を設け、隣り合う基材側凸条部6間を平坦とする場合にも、上記実施の形態と同様の効果を奏する。
また、図12の如く基材2の周方向に凸部14を所定のピッチで配備することにより、基材2の外周面を軸方向に凹凸形状とするばかりでなく周方向にも凹凸形状とする構成を採用することができる。
また、基材2の外周面に複数の凹部12を不等間隔で配備する構成も採用も可能であり、凹部12を凸部とする場合にも、本実施の形態と同様の効果を奏する。
本発明に係るPVD用筒状ターゲットの第1実施形態の軸方向断面図である。 基材の要部を拡大して示す軸方向断面図である。 基材素材に凸条部及び凹条部を形成している状態を示す斜視図である。 境界部を拡大して示す軸方向断面図である。 境界部を拡大して示す他の軸方向断面図である。 本発明に係るPVD用筒状ターゲットの第2実施形態の軸方向断面図である。 PVD用筒状ターゲットの斜視図である。 本発明に係るPVD用筒状ターゲットの第3実施形態の基材の斜視図である。 境界部を拡大して示す軸方向断面図である。 本発明に係るPVD用筒状ターゲットの他の実施形態の軸方向断面図である。 本発明に係るPVD用筒状ターゲットの他の実施形態の軸方向断面図である。 本発明に係るPVD用筒状ターゲットの他の実施形態の径方向断面図である。
符号の説明
1 PVD用筒状ターゲット
2 基材
3 蒸発材
4 境界部
5 噛合部
6 基材側凸条部
7 基材側凹条部
8 蒸発材側凹条部
9 蒸発材側凸条部
12 凹部
13 凸部

Claims (6)

  1. 筒状の基材の外周面に蒸発材を被覆してなるPVD用筒状ターゲットにおいて、
    前記基材と蒸発材の境界部は、角部を丸めて形成される凸条部と凹条部とを交互に連続して備えた噛合部を有しており、
    前記凹条部のピッチを1mm以上20mm以下とし、凸条部の頂部と凹条部の底部間の間隔を0.5mm以上5mm以下とし、前記基材の軸心に対し凸条部と凹条部とを連結する斜面の傾斜角度を80°以下とし、凸条部の頂部及び凹条部の底部の曲率半径を0.5mm以上に設定していることを特徴とするPVD用筒状ターゲット。
  2. 前記噛合部は、前記基材の外周面を軸方向に凹凸形状とすべく、当該基材の周方向に亘って形成される凸条部と凹条部を備えていることを特徴とする請求項1に記載のPVD用筒状ターゲット。
  3. 前記噛合部は、前記基材の軸方向に凸条部と凹条部を交互に連続してなる蛇腹状に形成されていることを特徴とする請求項2に記載のPVD用筒状ターゲット。
  4. 前記噛合部は、凸条部に凹条部を隣接してなるねじ状に形成されていることを特徴とする請求項2に記載のPVD用筒状ターゲット。
  5. 前記噛合部は、前記基材の外周面を周方向に凹凸形状とすべく、当該基材の周方向に配備された凸条部と凹条部を備えていることを特徴とする請求項1に記載のPVD用筒状ターゲット。
  6. 前記噛合部は、前記基材の一方の端部から他方の端部に亘って形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載のPVD用筒状ターゲット。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060226003A1 (en) * 2003-01-22 2006-10-12 John Mize Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer
US9659758B2 (en) * 2005-03-22 2017-05-23 Honeywell International Inc. Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production
US20060278520A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-14 Lee Eal H Use of DC magnetron sputtering systems
DE102007044651B4 (de) * 2007-09-18 2011-07-21 W.C. Heraeus GmbH, 63450 Rohrsputtertarget mit grabenförmig strukturierter Außenfläche des Trägerrohres sowie Verfahren zu seiner Herstellung
US20090194414A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Nolander Ira G Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof
US20130140173A1 (en) * 2011-06-10 2013-06-06 Séverin Stéphane Gérard Tierce Rotary sputter target assembly
CN103397301A (zh) * 2013-07-17 2013-11-20 中国南玻集团股份有限公司 圆筒旋转银靶及其制备方法
US11183373B2 (en) 2017-10-11 2021-11-23 Honeywell International Inc. Multi-patterned sputter traps and methods of making
CN112743075A (zh) * 2020-12-29 2021-05-04 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种管状靶材的绑定方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07173622A (ja) * 1993-12-17 1995-07-11 Kobe Steel Ltd Pvd法用円筒状ターゲット

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6417862A (en) 1987-07-10 1989-01-20 Fujitsu Ltd Sputtering device
US5354446A (en) * 1988-03-03 1994-10-11 Asahi Glass Company Ltd. Ceramic rotatable magnetron sputtering cathode target and process for its production
JPH05230645A (ja) 1991-12-24 1993-09-07 Asahi Glass Co Ltd セラミックス回転カソードターゲット及びその製造法
JPH07228967A (ja) 1994-02-17 1995-08-29 Mitsubishi Materials Corp 長尺円筒状スパッタリングターゲット
JPH08109472A (ja) 1994-10-14 1996-04-30 Asahi Glass Co Ltd スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
US5593624A (en) * 1995-05-24 1997-01-14 Lewis; Eugene R. Method for making cellular packaging board with inhibitor
JP3810840B2 (ja) 1996-01-16 2006-08-16 株式会社神戸製鋼所 アークイオンプレーティング装置に用いる積層ターゲット及びその製造方法
JP2000199055A (ja) 1999-01-06 2000-07-18 Hitachi Metals Ltd Crタ―ゲット材およびその製造方法
WO2002020866A1 (fr) * 2000-09-08 2002-03-14 Asahi Glass Company, Limited Cible cylindrique et procede de fabrication de ladite cible
PL1752556T3 (pl) 2005-08-02 2008-03-31 Applied Mat Gmbh & Co Kg Katoda cylindryczna do napylania jonowego

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07173622A (ja) * 1993-12-17 1995-07-11 Kobe Steel Ltd Pvd法用円筒状ターゲット

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