CN1757266A

CN1757266A - 被成形用于物理气相沉积室中的线圈构造和形成线圈构造的方法

Info

Publication number: CN1757266A
Application number: CNA2004800055441A
Authority: CN
Inventors: J·D·迈兹; K·I·尼梅拉; L·霍姆
Original assignee: Honeywell International Inc
Current assignee: Honeywell International Inc
Priority date: 2003-02-28
Filing date: 2004-02-19
Publication date: 2006-04-05
Also published as: WO2004079764A2; EP1606977A2; KR20050105265A; US7791005B2; WO2004079764B1; WO2004079764A3; US20060124634A1; JP2006519315A

Abstract

本发明包括被构造用于物理气相沉积室中的线圈构造，且还包括形成适用于物理气相沉积室的线圈构造的方法。所述线圈构造可包括从线圈本体的外周延伸出来的一个或多个隔套凸出部。所述隔套凸出部与所述线圈本体结合成一体，且具有在其中延伸的凹部，凸出唇缘整体围绕所述凹部延伸。所述隔套凸出部进一步包括在凹部内的紧固件接收器，所述接收器被构造以接收用于使所述线圈与所述室连接的紧固件。形成所述线圈构造的方法可包括确定与线圈更换套件相关的组件的独立部件以及形成可替换至少两个所述部件的一件式构造。

Description

被成形用于物理气相沉积室中的线圈构造和形成线圈构造的方法

技术领域

本发明涉及被成形用于物理气相沉积室中的线圈构造，且还涉及形成线圈构造的方法。

背景技术

物理气相沉积(PVD)通常用于形成薄层。例如，物理气相沉积通常用于沉积半导体结构中所使用的薄层，且物理气相沉积对于沉积金属材料特别有用。物理气相沉积工艺通常被称作溅射工艺，这是由于该工艺包括从靶中溅射出所需材料。溅射材料被沉积到基板上以形成所需薄膜。

结合图1中的设备110对典型的物理气相沉积操作进行描述。设备110是离子金属等离子体(IMP)设备的实例，且包括具有侧壁114的室112。室112通常是高真空室。靶10被设置在室的上部区域中，且基板118被设置在室的下部区域中。基板118被保持在保持器120上，所述保持器通常包括静电卡盘。靶10将通过适当的支承构件(未示出)被保持，所述支承构件可包括动力源。可设置上部罩(未示出)以罩住靶10的边缘。靶10例如可包括铝、镉、钴、铜、金、铟、钼、镍、铌、钯、铂、铼、钌、银、锡、钽、钛、钨、钒和锌中的一种或多种。这些元素可以元素、化合物或合金的形式存在。靶可以是单块靶或可以是靶/靶座组件的一部分。

基板118可包括例如半导体晶片，例如，例如单晶硅晶片。

材料从靶10的表面中溅射出来且被导向基板118。溅射材料由箭头122表示。

通常情况下，溅射材料将沿多个不同方向离开靶表面。这样可能存在问题，且溅射材料优选被引导与基板118的上表面相对正交。因此，聚焦线圈126被设置在室112内。聚焦线圈可改进溅射材料122的取向，且被示出引导溅射材料与基板118的上表面相对正交。

线圈126通过销128被保持在室112内，所述销被示出延伸通过线圈的侧壁且还通过室112的侧壁114。销128通过固定螺丝130被保持处于所示构型。示意图图1示出了沿线圈126内表面的销的头部132和沿室侧壁114的外表面的固定螺丝的另一组头部130。

隔件140(通常被称作隔套)环绕销128延伸且被用以使线圈126与侧壁114隔开。

线圈126通常被设置在室112内作为包括销128、固定螺丝130、隔套140和图1中未示出的多种其它部件的套件。用于这种套件的线圈将包括环形圈(在此被称作环形线圈本体)，所述环形圈具有从其中延伸通过的孔。图2和图3分别示出了现有技术的典型的线圈构造200和250。线圈构造200或250中的任一种可被用于图1中的线圈126。两种线圈构造都是环形圈，所述环形圈大体上是圆形的(术语“大体上圆形”表示所述圈是圆形的以在应用工艺的公差内，所述应用工艺包括，但不限于，所述圈在严格的数学意义上是圆形的应用)。

线圈200具有内周202和外周204；且相似的线圈250具有内周252和外周254。

线圈200具有从其中延伸通过的多个孔206、208和210，所述孔用于接收用以将线圈保持在物理气相沉积室内的销(例如图1中的销128)。相似地，线圈250包括多个从其中延伸通过的用于接收销的孔256、258和260。

线圈200包括被构造用于接收为线圈提供动力的一对电极组件的一对孔212和214。孔212和214通过狭缝216彼此分开。狭缝的形状对应于所谓的步入步出(step-in-and-step-out)构型。图3的线圈250包括被构造用于接收电极且通过狭缝266彼此分开的一对孔262和264。电极250的狭缝266的构型对应于“并行”(“side-by-side”)构型。

图4示出了图1所示类型的线圈与罩的附接情况，但比图1所示更加详细且更加准确地示出了细部。参见图4，适当地，如用于描述图1那样使用相同的附图标记，但应该理解，线圈可包括图2和图3中的线圈200或250。图4示出被附接到罩114上(即附接到室侧壁114上)的线圈126。附接利用了具有螺纹内部129的销128和被保持在该螺纹内部内的螺钉130。销128包括被插入线圈126内周内的头部132。螺钉130包括以所示构型凸出到罩114外部的头部131。

销128延伸通过导电隔套140。销128还延伸通过隔套140内的内部导体141。隔套和内部导体一起形成了具有在凹部145周围延伸的凸出唇缘143的构造。销延伸通过隔套和内部导体中的孔147。

介电材料隔件151被设置在包括隔套140和内部导体141的组件周围，且被用以将隔套140和内部导体141的传导材料与罩114隔开。隔件151可包括任何适当材料，且通常包括一种或多种陶瓷材料。相似的电介体153位于罩114内以使螺钉130与罩隔离开来。

线圈126将随时间而磨损，且提供用于更换线圈的套件。这种套件通常包括具有与图2或图3所示的构型相似的构型的线圈以及用于将线圈附接到罩上的多个独立部件，这些独立部件包括，例如，销(例如销128)、隔套(例如隔套140)和内部导体(例如内部导体141)。套件进行组装以便将线圈设置在室内。图5是沿部分组装的套件外周的视图。该视图示出了线圈126、隔套140、内部导体141和销128。图5的视图示出唇缘143完全围绕凹部145延伸。

用于将新线圈保持在溅射室内所使用的套件通常还包括要与线圈一起使用的电极组件。图6示出了电极组件的图解视图。图6示出了线圈126，所述线圈具有从其中延伸通过的孔161且具有孔内的销163。孔161可相当于例如前面结合图2和图3讨论的孔212、214、262和264中的任一个。销163具有螺纹内周165。夹具167被设置在销上，且螺钉169与销的内周165可螺合地接合。如本领域的技术人员所公知，适当的动力源将与电极连接且用于为线圈126提供动力。

图1至图6所示的线圈结构为典型的现有技术线圈结构。已构造出其它线圈结构。例如，已经构造了整体式线圈结构，其中电极组件与线圈结合成一体，且其中隔套和内部导体与线圈结合成一体。使电极、隔套和内部导体与线圈结合形成一体的优点在于这可消除销(例如，图4的销128和图6的销163)的使用，这样可通过消除要不然沿线圈内周存在的凹入销头而消除沿线圈内周表面的不连续性。消除线圈内周中的不连续性的优点在于这可增长线圈的寿命和改进线圈的性能。

所生产的整体式线圈结构已被用于改良的物理气相沉积设备。换句话说，整体式线圈组件不与可替换用于常规物理气相沉积设备的套件构造的组件相对应，而是代替地具有使它们适于除上述常规设备之外的设备的不同之处。例如，一种整体式线圈组件缺少图4和图5中的整体围绕凹部145延伸的唇缘143，而是代替地使用仅部分围绕该凹部延伸的唇缘。

所希望的是开发用于线圈构造的新型构型。

发明内容

在一个方面中，本发明包括被构造用于物理气相沉积室中的线圈构造。所述构造包括环形线圈本体，所述环形线圈本体具有内周和相对的外周。所述构造还包括从环形线圈本体的外周延伸出来的一个或多个隔套凸出部。至少一个隔套凸出部与环形线圈本体结合成一体，且具有在其中延伸的凹部，凸出唇缘整体围绕所述凹部延伸。隔套凸出部进一步包括在凹部内且被构造用以接收用于连接室内线圈的紧固件的紧固件接收器。

在一个方面中，本发明包括一种用于形成适于用于物理气相沉积室中的线圈构造的方法。材料被提供且被成形为包括环形线圈本体和从环形线圈本体外周中延伸出来的至少一个隔套凸出部的部件。所述成形可包括，例如，铸造、切削、锻造或粉末压制。

在一个方面中，本发明包括一种形成适于用于物理气相沉积室中的构造的方法。所述方法包括确定与线圈更换套件相关的组件的独立部件。所述部件包括环形线圈、隔套、销和内部导体。形成一件式构造，所述构造可替换线圈更换套件的至少两个部件，而不改变物理气相沉积室。

附图说明

下面结合下列附图对本发明的优选实施例进行描述，其中：

图1是被示出在物理气相沉积(例如溅射)工艺中的现有技术的物理气相沉积设备的图解横截面图；

图2是典型的现有技术聚焦线圈的视图；

图3是另一个典型的现有技术聚焦线圈的视图；

图4是包括被保持到溅射室侧壁上的聚焦线圈的现有技术组件的图解局部横截面图；

图5是包括线圈、隔套和内部传导构件的现有技术组件的局部侧视图；

图6是包括线圈和与线圈相关的电极部件的现有技术组件的图解局部横截面图；

图7是可根据本发明的一个方面形成的典型整体式线圈构造的图解视图；

图8是包括本发明的典型整体式线圈构造的组件的图解局部横截面图；

图9是本发明的典型整体式线圈构造的一个部段的图解局部侧视图；

图10是包括根据本发明的一个方面被附着到侧壁上的线圈的组件的图解横截面局部侧视图；

图11是用于图10构造的类型的隔套和线圈组件的局部侧视图；

图12是根据本发明的一个方面形成的整体式线圈构造的电极部分的图解横截面局部侧视图；

图13-图17是根据本发明的一个方面形成的典型整体式线圈构造的图解视图；

图18是适用于形成本发明的整体式线圈构造且被示出处于初步加工阶段的锻压设备的图解横截面图；

图19是被示出处于图18所示阶段之后的加工阶段的图18中的锻压设备的视图；

图20是适用于形成本发明的整体式线圈构造的块料的图解横截面图；和

图21是图20所示的块料的俯视图，且示出了对应于可从块料上切割下来以形成根据本发明的一个方面的整体式线圈构造的区域的虚线。

具体实施方式

本发明涉及可用于物理气相沉积室中的一件式线圈构造。正如在本披露内容的“背景技术”部分中所讨论地，与物理气相沉积室一起使用的聚焦线圈具有有限的寿命。聚焦线圈通常利用更换套件进行更换，这种套件包括多个部件，例如环形线圈、多个隔套、多个销和多个内部导体。使用线圈更换套件的典型反应室构造为铜200毫米IMPElectra^TM Endura溅射室。本发明的一个方面是要形成一件式构造，所述一件式构造可替换更换套件的至少两个部件，而不改变物理气相沉积室。

为了说明本披露内容的目的，一件式线圈构造是由单块材料形成的构造。正如下面更详细地讨论地，一件式构造可由材料的单板锻造而成、从单块材料上切割下来、由熔融材料铸造而成或由已被压制成材料的单件的粉末形成。在下面更详细地讨论的一些方面中，本发明包括使用一件式构造以去除通过聚焦线圈内周表面的销的使用。在该方面中，一件式构造的使用可以是有利地，这是因为沿线圈内表面的不连续性可将不连续性引入由线圈产生的聚焦场内，且因此本发明可减轻且在特别的方面中去除聚焦场中的这种不连续性。

形成单件线圈构造可以是有利地，这是因为这种构造可消除与焊接特定材料的努力相关的问题。例如，铜通常不太容易进行焊接。因此，当结构中包含铜或其它难于焊接的材料时，使用一件式构造是特别有利的。

图7示出了可根据本发明的一个方面形成的典型的一件式线圈构造300。线圈构造300包括具有内周304和相对的外周306的环形线圈本体302。所示环形线圈本体大体上是圆形的，但应该理解环形线圈本体可具有其它环形形状。尽管所示环形本体具有步入步出狭缝构型，但应该理解，另一种可选方式是，环形本体在本发明的其它方面中可具有并行狭缝构型(未示出)，或可具有与步入步出狭缝构型或并行狭缝构型相比都不同的构型，包括例如，步入步出狭缝构型和并行狭缝构型的混合构型。这种混合构型可具有成一定角度的狭缝。

构造300具有从外周306延伸出来的多个隔套凸出部310。所示构型具有三个这种隔套凸出部，但应该理解本发明包括其中设置了三个以上或三个以下的隔套凸出部的方面。所示构造可被考虑以具有从外周306延伸出来的一个或多个隔套凸出部。构造300进一步包括从外周延伸出来的一对电极凸出部312。隔套凸出部310和电极凸出部312与线圈本体302结合成一体。

构造300可包括任何适当成分。在一些方面中，线圈包括与要用于物理气相沉积室中的靶相同的成分，且在其它方面中，线圈包括与用于物理气相沉积工艺的靶相容的成分。如果线圈成分未不利地影响由靶溅射-沉积出来的层，则线圈成分被认为与靶成分相容。线圈成分例如可包括铝、镉、钴、铜、金、铟、钼、镍、铌、钯、铂、铼、钌、银、锡、钽、钛、钨、钒和锌中的一种或多种。元素可以元素、化合物或合金的形式存在。

在特定的方面中，线圈构造300可包括，主要包括，或包含铜、铁、钽、钛和锆中的一种或多种。例如，构造300可包括具有至少99％的重量百分比的纯度的铜，且在一些方面中可包括具有至少99.99％的重量百分比的纯度的铜。另一种可选方式是，线圈300可包括具有至少99％的重量百分比的纯度的钛；至少99％的重量百分比的纯度的锆；至少99％的重量百分比的纯度的钨；或至少99％的重量百分比的纯度的钽。如果铜被用于线圈成分，则在一些方面中铜可相当于在本领域中被称作无氧元素(OFE)的成分，所述成分为含氧量非常低的成分。如果构造中包括铁，则铁例如可存在作为适当合金或组合物，例如不锈钢。

图7所示的组件可相当于适用于铜200毫米IMP Electra^TM Endura溅射室的线圈组件。

将隔套凸出部和电极凸出部结合形成一件式线圈构造300可被认为将线圈周边结合到一件式线圈构造设计内。一件式设计优选被构造以用于反应室，而不改变所述室，或换句话说替换多个套件部件。相对于使用常规线圈更换套件，这可具有许多优点。例如，相对于现有技术构造，在本发明的构造之间可具有更好的电接触，这是因为在本发明的构造中去除了现有技术构造的独立部件之间的多个界面。而且，由于在本发明的线圈构造中去除了许多独立的机加工结构，因此相对于现有技术构造而言，由于例如去除了沿本发明的线圈构造300的内周的不连续性，所以本发明的产品的微粒数可减少。

图8示出了包括被附接到室侧壁(也被称作罩)114上的线圈构造300的组件350的扩展区域。除了现有技术的线圈/隔套构造被本发明的线圈构造更换以外，图8中的组件与图4中的现有技术组件相似。参见图8，在适当的情况下使用图4和图7中的附图标记。

图8的横截面图示出与环形本体302结合成一体的隔套凸出部310，且因此示出在图8的构造中去除了图4所示的销128。这消除了沿线圈表面内周的不连续性。具体而言，在销128的头部132沿线圈126内周的地方，图4的线圈组件的内周具有不连续性，而线圈构造302的内周304没有这种不连续性。隔套凸出部310被示出模仿了图4构造中的隔套140、销128和内部导体141的组合形状。因此，隔套凸出部310具有在其中延伸的凹部315和整体围绕凹部延伸的凸出唇缘313。隔套凸出部310进一步包括在凹部底部的表面317和延伸通过表面317的孔329(在本发明的所示方面中，孔位于从表面317向外延伸的凸出部内，而不管孔延伸通过表面)。孔329上车有螺纹，且由此被构造以接收用以使线圈组件300与罩114连接的紧固件130(即螺钉130)。孔329可被认为是凹部内的紧固件接收器。用于图4的现有技术构造中的陶瓷隔件151也可用于图8的构造中，这是因为隔套凸出部310模仿了组合的现有技术构造的隔套140和内部导体141的尺寸。在一些方面中，隔套凸出部310与组合的隔套140和内部导体141相比可略有不同，以使得可以所希望地改变电介体151和153中的一个或二者的构型。换句话说，在本发明的线圈构造不模仿线圈套件的组合部件的程度上，可以所希望地改变陶瓷(例如电介体151和153)以适应在物理气相沉积室内的本发明的线圈构造。

图9是构造300的侧视图，图中示出隔套凸出部310的唇缘313整体围绕凹部315延伸。

结合图7-图9描述的本发明的所述方面在某种意义上已采用了与线圈更换套件的隔套组件相关的所有金属部件(即销、内部导体和隔套)，且使它们与环形聚焦线圈结合成一体。然而，应该理解，本发明包括其它方面，其中线圈更换套件的两个或多个部件被一件式组件更换。例如，本发明的一个方面是要确认线圈更换套件的金属部件包括环形线圈、隔套、销和内部导体且形成一件式结构，所述一件式结构可替换至少两个这种部件，而不改变这种套件所设计用于的物理气相沉积室。更换构造例如可以是用以替换隔套和内部导体的构造。本发明的这种方面被示于图10中的组件400中。参见组件400，在适当的情况下，使用与上面图4中的用于描述现有技术所使用的附图标记相似的附图标记。

组件400包括环形线圈本体402。线圈本体可与图4构造中的本体126相同，或可以是根据本发明的多个方面形成的变型本体(例如，本体可以是一种构造，其中电极与这种构造结合成一体，或其中除所示的隔套之外的其它隔套与构造结合成一体)。组件400包括前面描述的罩114、销128、螺钉130和介电部件151和153。构造400与图4构造的不同之处在于：图4的隔套和内部导体部件140和141已被单个一件式构造404所更换。构造404具有在其中延伸的凹部405和整体围绕凹部延伸的唇缘403以使得部件模仿组合的图4的隔套140和内部导体141，且因此部件404可直接替换组合的现有技术套件组件的隔套140和内部导体141。

图11是包括环形圈402和与销128销接在一起的隔套凸出部403的组件的侧视图。该侧视图示出唇缘403整体围绕隔套凸出部404的凹部405延伸。

再次参见图7的构造300，该构造具有与环形线圈本体302结合成一体的电极组件312。图12示出了构造300的扩展部分的横截面图，且示出了环形线圈本体和电极组件300的典型一件式构型。图12的构型模仿了图6的构型，且具体而言包括替换图6构造中的线圈126、销163和夹具167的独立部件的一件式构造。因此，图12的构造300可被用以更换在聚焦线圈的更换过程中用以更换电极组件的套件的多个独立部件。图12的构造的优点在于这消除了由于现有技术的销163的使用所致的沿线圈内表面的不连续性。在形成图12的一件式电极构造中销的去除与在形成图8的一件式隔套构造中销的去除是相似的。图8的一件式隔套构造和图12的一件式电极构造优选与本发明的线圈构造一起使用，以使得线圈构造没有延伸通过环形线圈本体的内周表面的销。

图7-图9和图12图解示出了本发明的典型整体式线圈构造。图13-图17提供了对本发明的典型整体式线圈构造的进一步图解说明，以帮助读者理解典型结构元件之间的各种关系。图13-图17的线圈本体可具有例如从约1英寸至约4.5英寸的高度，约2英寸是典型的。线圈本体可具有例如从约0.01英寸至约0.5英寸的厚度，约0.25英寸是典型的。图15和图17的螺纹孔可具有任何适当尺寸，且在一些应用中将是No.8孔(0.164英寸)。

本发明的一件式构造可通过任何适当工艺形成，包括锻造、机加工、铸造等。图18至图21示出了典型工艺。

首先参见图18，图中示出了在初步加工阶段的设备500。设备500包括一对元件502和504，所述元件被成形以使得当元件被压制在一起时，它们形成用于本发明的一件式构造的模子。材料506板被示出设置在元件502和504之间。材料506可包括用于形成本发明的构造的任何适当成分。

接下来参见图19，元件502和504被示出压制在一起且板的材料506被示出形成了本发明的一件式线圈构造。图18和图19的加工可被称作锻压工艺，且可在任何适当温度下实施。由来自图18和图19的锻压产生的一件式构造可被认为至少是本发明的最终一件式线圈构造的近似构造。在一些方面中，由锻压产生的线圈构造将适用于本发明的成形应用，且在其它方面中，材料将非常接近适于使用的构造，但除非随后进行机加工，否则不在所需公差内。

尽管图18和图19的方法被示出始于材料506的固体板，但应该理解这种固体板可由材料56的其它形式更换。例如，材料506可被设置为粉末，且用以形成所需一件式构造的压制可被用以将粉末变形为至少具有所需线圈构造的近似构造的固体材料。

接下来参见图20和图21，分别示出材料520的块料的横截面侧视图和顶视图。块料可包括用于形成本发明的一件式线圈构造的任何适当成分。图21的顶视图示出了虚线模板，在所述虚线模板处，本发明的线圈构造可从块料内切割下来。在随后的加工中，可通过适当工具或工具的组合，包括例如锯和冲头中的一种或二种，由块料机加工出线圈构造。由块料520机加工出的构造至少可是本发明的所需线圈构造的近似构造。

用于至少成形出所需一件式线圈构造的近似构造的另一种典型工艺是由熔融金属材料直接铸造出所述构造。具体而言，熔融材料被浇注入具有适当构型的模具内，以至少形成所需一件式线圈构造的近似构造。

本发明的各种方面可被描述如下。本发明的线圈使用标准Electra^TM200毫米铜线圈，且可使其所有的周边部件与线圈一体成为一个整体式组件。整体式线圈在溅射过程中可产生更少的微粒且可具有更长的寿命。线圈可具有步入步出间隙构型、并行间隙构型或任何其它间隙闭合几何形状。本发明的线圈构造可被用于任何尺寸的线圈，包括，但不限于，200毫米线圈。在一些方面中，本发明的线圈构造可被用于300毫米或更长的线圈。

图13-图17的附图示出了用于200毫米铜Endura型溅射室的线圈。线圈被用以在溅射过程中聚焦等离子体内的溅射介质。线圈在某种意义上是室内射频装置套件。本发明的线圈设计可消除用于现有技术的线圈设计中的隔套、销、内部导体和夹具的使用。图13-图17的本发明的线圈是整体式的且装配在铜200毫米IMP Electra^TM Endura溅射室中。本发明的方面之一在于新型线圈设计可由消费者安装使用以使用旧的线圈设计，而消费者不必改变套件类型。此外，多个周边部件被去除，且相对于现有技术的线圈，所述线圈可减少微粒排放量并增加线圈寿命，以使得寿命约为靶寿命的2至3倍。

在一些方面中，可通过设置适当的线圈并将其安装在溅射套件中而使用本发明。在本发明的一定方面中，线圈是一件式(整体式)的，且可沿内周是没有滚花的，或在一些方面中可以沿内周是带有滚花的或要不然是粗糙的以形成微粒捕集器。线圈不具有由用于现有技术设计的凹入销所致的不连续的内径。因此，线圈可产生比现有技术设计更少的微粒。此外，使用线圈的操作者可避免必须安装通常与现有技术线圈相关的多个部件(例如，一个线圈、两个夹具、五个销、三个隔套和三个内部导体)，这是因为本发明的线圈是单件式的。本发明的线圈被认为具有比各种现有技术设计更好的通过其电连接装置的传导性。现有技术的电连接装置被连接到间隙处的销上，在所述间隙处它们仅接触线圈且不是线圈的一部分，这与本发明相反。一些现有技术的线圈具有约两个靶的典型寿命，而本发明的线圈可具有靶寿命的两或三倍的寿命。

本发明的线圈设计可与多种靶成分一起使用。通常情况下，线圈将具有与靶相同的成分，或在所需材料方面比靶更纯。因此，在线圈与用于进行铜的物理气相沉积的溅射室中的铜靶一起使用的应用中，本发明的线圈将由高纯铜制成。相反地，如果线圈例如与钛靶一起使用，则线圈将通常包括钛，且如果线圈被用于钽沉积过程中的溅射室中，则线圈将通常包括钽。另一种可选方式是，正如上面提到地，线圈可包括与靶相比不同的材料且与用于特定物理气相沉积工艺的靶相容。

本发明的一个方面可被认为涉及整体式线圈，其中各周边部件通常被设置为独立部件，且通过本线圈，现有技术中的线圈被形成在一件式构造中。本发明的线圈构造可优选直接用于室中，且不使用用于对线圈或室进行改型的套件。

Claims

1、一种被构造用于物理气相沉积室中的线圈构造，包括：

环形线圈本体，所述环形线圈本体具有内周和相对的外周；

从所述环形线圈本体的所述外周中延伸出来的一个或多个隔套凸出部；和

与所述环形线圈本体结合成一体且未通过延伸通过所述环形线圈本体的销被联接到所述环形本体上的至少一个所述隔套凸出部，所述至少一个隔套凸出部具有在其中延伸的凹部，凸出唇缘整体围绕所述凹部延伸，且具有在所述凹部内且被构造以接收用于使所述线圈与所述室连接的紧固件的紧固件接收器。

2、根据权利要求1所述的线圈构造，其中所述至少一个隔套凸出部具有在所述凹部底部的表面，且所述紧固件接收器是延伸通过所述表面且被构造以接收用于使所述线圈与所述室连接的紧固件的孔。

3、根据权利要求1所述的线圈构造，包括与所述环形线圈本体结合成一体的三个所述隔套凸出部。

4、根据权利要求1所述的线圈构造，进一步包括步入步出狭缝构型和在所述狭缝的相对侧上的一对夹具构造，所述夹具构造与所述环形线圈本体结合成一体。

5、根据权利要求1所述的线圈构造，进一步包括并行狭缝构型和在所述狭缝的相对侧上的一对夹具构造，所述夹具构造与所述环形线圈本体结合成一体。

6、根据权利要求1所述的线圈构造，包括含有以元素、化合物或合金中任一种形式存在的铝、镉、钴、铜、金、铟、钼、镍、铌、钯、铂、铼、钌、银、锡、钽、钛、钨、钒和锌中的一种或多种材料。

7、根据权利要求1所述的线圈构造，为具有至少99％的重量百分比的纯度的铜。

8、根据权利要求1所述的线圈构造，为具有至少99.99％的重量百分比的纯度的铜。

9、根据权利要求1所述的线圈构造，为具有至少99％的重量百分比的纯度的钛。

10、根据权利要求1所述的线圈构造，为具有至少99％的重量百分比的纯度的锆。

11、根据权利要求1所述的线圈构造，为具有至少99％的重量百分比的纯度的钨。

12、根据权利要求1所述的线圈构造，为具有至少99％的重量百分比的纯度的钽。

13、根据权利要求1所述的线圈构造，包括铁。

14、根据权利要求1所述的线圈构造，其中所述环形线圈本体大体上为圆形。

15、根据权利要求1所述的线圈构造，其中没有孔延伸通过所述环形线圈本体的所述内周。

16、一种形成适用于物理气相沉积室中的线圈构造的方法，包括：

提供材料；以及

将所述材料成形成部件，所述部件包括：

环形线圈本体，所述环形线圈本体具有内周和相对的外周；和

从所述环形线圈本体的所述外周延伸出来的至少一个隔套凸出部，所述隔套凸出部具有：

在其中延伸的凹部，凸出唇缘整体围绕所述凹部延伸；

在所述凹部底部的表面；和

延伸通过所述表面且被构造以接收用于使所述线圈与所述室连接的紧固件的孔。

17、根据权利要求16所述的方法，其中所述材料为块料，且所述成形包括从所述块料中至少除去所述部件的近似构造。

18、根据权利要求16所述的方法，其中所述材料为板，且所述成形包括由所述板至少锻压出所述部件的近似构造。

19、根据权利要求16所述的方法，其中所述材料为粉末，且所述成形包括将所述粉末至少压制成所述形状的近似形状。

20、根据权利要求16所述的方法，其中所述材料为熔融液体，且所述成形包括将所述液体浇注入模具内以将所述材料至少铸造成所述形状的近似形状。

21、根据权利要求16所述的方法，其中所述材料包括铜、钛、锆、钨、钽和铁中的一种或多种。

22、根据权利要求16所述的方法，其中所述材料包括至少99％的重量百分比的铜。

23、根据权利要求16所述的方法，其中所述材料包括至少99％的重量百分比的钛。

24、根据权利要求16所述的方法，其中所述材料包括至少99％的重量百分比的锆。

25、根据权利要求16所述的方法，其中所述材料包括至少99％的重量百分比的钨。

26、根据权利要求16所述的方法，其中所述材料包括至少99％的重量百分比的钽。

27、根据权利要求16所述的方法，其中所述材料包括铁。

28、根据权利要求16所述的方法，其中所述环形线圈本体大体上为圆形。

29、根据权利要求16所述的方法，其中所述部件被成形以使得没有孔延伸通过所述环形线圈本体的所述内周。

30、一种形成适用于物理气相沉积室中的构造的方法，包括：

确定与用于所述物理气相沉积室的线圈更换套件相关的组件的独立部件，所述部件包括环形线圈、隔套、销和内部导体；以及

形成一件式构造，所述一件式构造可替换所述线圈更换套件的至少两个所述部件，而不改变所述物理气相沉积室。

31、根据权利要求30所述的方法，其中所述至少两个所述部件包括所述隔套和内部导体。

32、根据权利要求30所述的方法，其中所述至少两个所述部件包括所有列出的所述部件。

33、根据权利要求30所述的方法，其中形成所述一件式构造包括：提供材料块料；并且

从所述块料中至少除去所述一件式构造的近似构造。

34、根据权利要求30所述的方法，其中形成所述一件式构造包括：提供材料板；并且

由所述板至少锻压出所述一件式构造的近似构造。

35、根据权利要求30所述的方法，其中形成所述一件式构造包括：提供粉末；并且

将所述粉末至少压制成所述一件式构造的近似构造。

36、根据权利要求30所述的方法，其中形成所述一件式构造包括至少铸造出所述一件式构造的近似构造。