TWI429736B - 研磨材料 - Google Patents

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Description

研磨材料
本發明是有關由二氧化錳所成之研磨材，尤其是有關由適合碳化矽的研磨處理之有特定形狀粒子的二氧化錳所成之研磨材。
二氧化錳係例如藉由電解在正極析出而製造，而大量用來作為鹼性錳電池之原料。藉由此電解法所製造之粒子，有針狀結晶之聚合體(參照專利文獻1、專利文獻2)，已知有將該聚合體進行粉碎而得到微粒針狀粒子的技術。
已知以如此方法所製造的針狀粒子之二氧化錳作為研磨材使用者(參照專利文獻3)。藉由如此電解法所得的針狀粒子的二氧化錳，係長軸為0.1μm左右之針狀結晶的聚合體，如此針狀粒子的二氧化錳之研磨材可說是研磨性能優良者。
如此之二氧化錳在電池材料或研磨材之領域中，為了提高化學性能而認定以針狀結晶為優良。相較於氧化矽或氧化鈰等其它之研磨材，依被研磨物而言，二氧化錳之研磨材具有較高的研磨力。例如，在鎢(W)等之研磨困難的被研磨物中，係利用二氧化錳之研磨材(專利文獻4)。
然而，近年來，作為電力電子半導體或白色LED之基板材料的碳化矽(SiC)正受到業界重視，但此碳化矽已知是硬度非常高的難切削材料。雖然嘗試藉由例如，具有優良研磨特性的氧化矽之研磨材將碳化矽進行研磨處理，但研磨速度並不快，表面平坦度(Surface flatness)也不能充分滿足要求。因此殷切需要能將如碳化矽般的難切削材料，可以快速研磨、且表面平坦度高的研磨技術。
[先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開平7-245109號公報
專利文獻2：日本特開2008-210746號公報
專利文獻3：日本特開平10-60415號公報
專利文獻4：日本特開平9-22888號公報
本發明是在如以上所述情況的背景下而完成之發明，其目的是提供一種由特定形狀之二氧化錳所成的研磨材，可以將如碳化矽般的難切削材料進行高速研磨處理而實現高的表面平坦度者。
本發明人等在以二氧化錳研磨如碳化矽般之硬度高的難切削材料時，查出藉由此二氧化錳粒子之軸方位而有不同化學作用的強度，而由針狀形態之粒子所構成的二氧化錳之研磨材中，有容易發生研磨速度不均的情形，而形成表面平坦度不均勻的研磨處理。因此，本發明人根據如此之認知，發現由特定形狀粒子的二氧化錳作成研磨材時，可以突破性地提高研磨性能，尤其可以使研磨面粗糙度變得非常小，遂而完成本發明。
本發明是有關一種研磨材，其係由利用掃描電子顯微鏡觀察之粒子的縱軸與橫軸之比在0.3以下的具有非針狀形態之二氧化錳所成者。二氧化錳容易成為針狀結晶，有容易形成多數針狀形態之粒子的傾向，但如為非針狀形態之粒子的二氧化錳時，則變成具有優良的研磨性能者，可以將如碳化矽般的難切削材料高速地研磨，可以達成高的表面平坦度之要求。
本發明之研磨材係由非針狀形態的粒子所成，粒子形狀是略成球狀。具體上，如以掃描電子顯微鏡(SEM)所觀察到之粒子的長軸作為縱軸，並將與此長軸垂直的軸定義為橫軸時，縱軸與橫軸之比率(縱軸/橫軸)為3.0以下，而以2.0以下為佳。此縱軸與橫軸之比率愈小，則研磨表面粗糙度Ra變得愈小，被研磨面的表面平坦度提高，研磨速度也變大。此縱軸與橫軸之比率在1.0至1.5則更佳。
因此，本發明之研磨材，以掃描電子顯微鏡(SEM)所觀察到之粒子的縱軸(長軸)的平均粒徑DSEM 以在1.0μm以下為佳。研磨材之平均粒徑愈小，則研磨表面粗糙度Ra有變得愈小之傾向。平均粒徑DSEM 在0.5μm以下為較佳，0.2μm以下為更佳。
因此，本發明之研磨材在雷射繞射‧散射法粒徑分布測定之體積基準的累積分率中，50%粒徑D50 以2.0μm以下為佳。微細之非針狀粒子變得有某種程度之凝聚形態時，研磨性能有變優良之傾向。構成研磨材之一次粒子是以平均粒徑DSEM 在1.0μm以下為佳，但進一步二次粒子也以小粒徑者的研磨性能有變優良之傾向。雷射繞射‧散射法粒徑分布測定之體積基準的累積分率中，50%粒徑D50 以2.0μm以下為佳，以1.0μm以下較佳，尤以0.8μm以下更佳。
又，本發明之研磨材，其比表面積以在20m2 /g以上為佳。未達20 m2 /g時，與被研磨物之反應性會降低，要完成所期望之研磨處理時，研磨時間會有變長之傾向。
本發明之研磨材，二氧化錳之結晶結構以γ型或β型為佳。這是因為γ型或β型之結晶結構的二氧化錳之氧化作用非常高，可以容易實現優良之研磨性能的緣故。
本發明中，二氧化錳之結晶結構為γ型之研磨材，係可藉由具備將經由電解反應而在陽極表面析出之γ型二氧化錳進行乾式粉碎之乾式粉碎步驟的製造方法而實現。藉由電解反應而得之二氧化錳，雖然針狀形態的粒子多，但將此針狀形態粒子進行乾式粉碎，即可作成非針狀粒子的二氧化錳。在該乾式粉碎步驟中，可以使用使高壓氣流相互間衝突而粉碎粒子之噴射磨機(jet mill)、利用旋轉刀與篩網之間的剪切力使粒子粉碎之粉化器(atomizer)、使粒子在2個輥筒間粉碎之輥式研磨機等之粉碎機。尤其，由於噴射磨機的微粉碎能力高，加上，使針狀粒子變形成略呈球形之粒子之能力優良，因而成為期望之粉碎機。又，在乾式粉碎步驟中，由於具備空氣分級機及篩等，而可以得到均勻粒徑的研磨材。另一方面，將針狀形態粒子多的二氧化錳，進行以往之濕式粉碎處理時，在特定方向有優先粉碎之傾向，容易粉碎成棒狀或針狀。如此形狀之粒子多數存在時，在研磨面上之流動性變差，研磨面不被均勻研磨，而易於成為損傷之因素。再且，在濕式粉碎，由於有水存在下的粉碎衝擊力所產生的熱，會產生二氧化錳之溶解、析出，容易成長非常長的針狀結晶。相比之，在乾式粉碎處理中，不會有針狀粒子成長，而可粉碎成為非針狀粒子、亦即粉碎成略呈球形之粒子。
本發明中，二氧化錳之結晶結構為β型之研磨材，係可利用具備下述步驟之研磨材的製造方法而實現，該步驟係包括：將藉由電解反應而在陽極表面析出之γ型二氧化錳，在200℃至600℃熱環璄中進行加熱之加熱步驟，與將經加熱處理之二氧化錳以乾式進行粉碎之乾式粉碎步驟。藉由電解反應而在陽極表面析出的二氧化錳雖是γ型的結晶結構，但將其在200℃至600℃之熱環璄中加熱可以作成β型的結晶結構之二氧化錳。將在此加熱步驟之β型結晶結構的二氧化錳，進一步以上述之乾式粉碎處理可以得到由β型結晶結構之二氧化錳所成之本發明的研磨材。加熱溫度不到200℃時，則有仍然為γ型之傾向，超過600℃時，則有由二氧化錳(MnO2 )變成三氧化二錳(Mn2 O3 )之傾向。
如以上之說明，依本發明之研磨材，可將研磨處理困難的碳化矽以非常高的速率以及高表面平坦度進行研磨處理。
 [實施發明之最佳形態]
以下參照實施例及比較例說明本發明之最良好的實施形態。
實施例1：
在此實施例1，係藉由硫酸錳水溶液之電解分解，在陽極上析出二氧化錳，並使用此析出之二氧化錳。將由該電解法而得之二氧化錳利用軋碎機(Powrex(株)製，Atomizer)軋碎之後，由噴射磨機(日本PNEUMATIC公司製，PJM-200SP)粉碎(粉碎條件為：將每小時4kg之粉碎對象物用0.05 MPa的壓縮空氣噴射而粉碎)，製造由雷射繞射‧散射法粒徑分布測定之體積基準的累積分率中之50%粒徑D50 為0.45μm之二氧化錳粒子所成的研磨材。將該二氧化錳藉由X射線繞射調查其之結晶結構時，得知為γ型者。
對此實施例1之研磨材，藉由掃描電子顯微鏡(FE-SEM：日立製作所製，S-4800)調查粒子形狀。第1圖表示此之觀察像片。該觀察像片之粒子，係被認定各粒子是非針狀之略呈球形者。又，由FE-SEM的10萬倍之觀察像片，對於一次粒子與所觀察之100個粒子，測定其之長軸長度，與垂直於長軸之短軸長度結果，長軸之平均長度為0.16μm，短軸之平均長度為0.11μm，又，算出各粒子之長軸長度與短軸長度之比率之結果，為1.00至1.25。又，對於該實施例1的研磨材，根據BET法的比表面積之測定(JIS R 1626，1996(精緻陶瓷粉體的氣體吸附BET法比表面積之測定法)的「6.2流動法之(3.5)一點法」。此時，係使用作為載氣之氦氣與作為吸附質氣體之氮氣的混合氣體)時，為40m2 /g。
其次，說明使用實施例1之研磨材並研磨處理碳化矽單結晶板之結果。研磨對象之碳化矽單結晶板，係直徑2英吋、厚度250 mm之6H-SiC單結晶，研磨面是作成on axis(在結晶軸垂直切斷之晶圓面)。研磨處理前，將基板之被研磨表面，藉由AFM(原子間力顯微鏡：Veeco公司製Nanoscope IIIa)測定表面粗糙度時，Ra為2.46nm。
研磨條件是使用作成二氧化錳濃度為10wt%之漿液狀的研磨漿(abrasive slurry)，研磨負重設定為190g/cm2 ，在研磨墊(IC-1000，Nittahaas(股)公司製)載置之單結晶基板進行180分鐘之研磨處理。研磨處理後，以水洗研磨面，除去附著之漿狀物並加以乾燥。對於該經過乾燥之研磨表面的任意5點，藉由AFM測定表面粗糙度之結果，其平均Ra是0.10 nm。又，測定該研磨前與研磨後之基板重量，算出研磨速度之結果，為0.12μm/hr。
實施例2：
在此實施例2，係使用以與實施例1同樣之電解條件下在陽極析出之二氧化錳經進行450℃、1小時之燒成處理者。經燒成之二氧化錳，與實施例1同樣經軋碎機軋碎之後，由噴射磨機粉碎，製造由雷射繞射‧散射法粒徑分布測定之體積基準的累積分率中之50%粒徑D50 為0.58μm之二氧化錳粒子所成的研磨材。該二氧化錳藉由X射線繞射調查其結晶結構之結果，為β型者。
對於此實施例2之研磨材，與實施例1同樣藉由FE-SEM調查其粒子形狀時。認定所觀察之各粒子是如第1圖所示的非針狀之略呈球形者。又，由FE-SEM的10萬倍之觀察像片，對於經觀察為一次粒子之100個粒子，測定其長軸長度，與垂直於長軸之短軸長度之結果，長軸之平均長度為0.16μm，短軸之平均長度為0.13μm，又，算出各粒子之長軸長度與短軸長度之比率時，為1.00至1.67。又，該實施例2的研磨材，根據BET法測定比表面積時，為40m2 /g。
使用實施例2之研磨材，與實施例1同樣之條件下研磨處理碳化矽單結晶板之結果，研磨表面之表面粗糙度Ra為0.17nm。又，實施例2之研磨速度是0.07μ.m/hr。
實施例3：
在此實施例3，使用與實施例1同樣之電解條件下在陽極析出之二氧化錳，在由圓刀片(Rotary Blade)與篩網所構成之鎚碎機(Retsch(股)公司製，打擊式粉碎機)進行二次粉碎處理後製得研磨材。其為雷射繞射‧散射法粒徑分布測定之體積基準的累積分率中之50%粒徑D50 為0.77 μm之二氧化錳的研磨材。該二氧化錳藉由X射線繞射調查其結晶結構時，為γ型者。
對於此實施例3之研磨材，與實施例1同樣藉由FE-SEM調查其粒子形狀時，認定所觀察之各粒子是如第1圖所示的非針狀之略呈球形者。又，由FE-SEM的10萬倍之觀察像片，對於經觀察為一次粒子之100個粒子，測定其長軸長度，與垂直於長軸之短軸長度時，長軸之平均長度為0.23μm，短軸之平均長度為0.19μm，又，算出各粒子之長軸長度與短軸長度之比率之結果，為1.00至1.52。對於該實施例3的研磨材，根據BET法測定比表面積結果，為41m2 /g。
使用實施例3之研磨材，與實施例1同樣之條件下研磨處理碳化矽單結晶板之結果，研磨表面之表面粗糙度Ra為0.10 nm。又，實施例3之研磨速度是0.10μm/hr。
比較例1：
在此比較例1，將使用與實施例1同樣之電解法所得之二氧化錳，以濕式粉碎處理(使用Willy A. Bachofen AG Maschinengabrik公司製，DYNO Mill：0.8 mm直徑氧化鋯珠)製造研磨材，此比較例1之研磨材的雷射繞射‧散射法粒徑分布測定之體積基準的累積分率中之50%粒徑D50 為0.38μm。該二氧化錳藉由X射線繞射調查其結晶結構結果，為γ型者。
對於此比較例1之研磨材，與實施例1同樣藉由FE-SEM調查其粒子形狀時，確認所觀察之粒子中含有多數針狀形態之粒子。又，由FE-SEM的10萬倍之觀察像片，對於經觀察為一次粒子之100個粒子，測定其長軸長度與垂直於長軸之短軸長度結果，長軸之平均長度為1.45μm，短軸之平均長度為0.14μm，又，算出各粒子之長軸長度與短軸長度之比率結果，為3.60至10.50。又，對於該比較例1的研磨材，根據BET法測定比表面積結果，為18m2 /g。
使用比較例1之研磨材，與實施例1同樣之條件下研磨處理碳化矽單結晶板之結果。研磨表面之表面粗糙度Ra為0.56 nm。又，比較例1之研磨速度是0.03μm/hr。
比較例2：
在此比較例2，作為研磨材是使用市售之凝膠狀二氧化矽(Fujimiinc公司製，Compo180)。此比較例2之研磨材的雷射繞射‧散射法粒徑分布測定之體積基準的累積分率中之50%粒徑D50 為0.10μm。
對於此比較例2之研磨材，與實施例1同樣藉由FE-SEM調查其粒子形狀結果，確認各粒子幾乎是球狀。又，由FE-SEM的5萬倍之觀察像片，對於經觀察為一次粒子之100個粒子，測定其長軸長度，與垂直於長軸之短軸長度結果，長軸之平均長度為0.08μm，短軸之平均長度為0.08μm，又，算出各粒子之長軸長度與短軸長度之比率結果，為1.00至1.05。
使用該比較例2的研磨材，作成漿液濃度10wt%之研磨漿，與實施例1同樣之條件下進行研磨處理。其結果係，研磨表面之表面粗糙度Ra為2.53 nm，在研磨前與研磨後其表面粗糙度幾乎沒有變化。又，比較例2之研磨速度是0.01μm/hr。
比較例3：
在此比較例3，使用與實施例1同樣之電解條件下所得之二氧化錳粉經850℃(1小時)燒成者。經燒成之氧化物的結晶結構，藉由X射線繞射同定時，確認是三氧化二錳(Mn2 O3 )。又，燒成後藉由打擊式粉碎機粉碎處理使平均粒徑成為0.4μm。對於比較例3之研磨材，與實施例1同樣藉由FE-SEM調查其粒子形狀時，確認各粒子幾乎是球狀。又，由FE-SEM的10萬倍之觀察像片，對於經觀察為一次粒子之100個粒子，測定其長軸長度，與垂直於長軸之短軸長度之結果，長軸之平均長度為0.31μm，短軸之平均長度為0.27μm，又，算出各粒子之長軸長度與短軸長度之比率結果，為1.00至1.47。
然後，將此粉碎處理後之三氧化二錳粉以成為漿液濃度10wt%之方式，分散在純水中，製作三氧化二錳漿液，使用該漿液，進行與實施例1同樣條件之研磨試驗。其結果係，研磨表面之表面粗糙度Ra為2.33 nm，在研磨前與研磨後其表面粗糙度幾乎沒有變化。又，比較例3之研磨速度是0.02μm/hr。
比較例4：
在此比較例4，使用作為研磨材之氧化稀土(三井金屬礦業(股)公司製/製品名M601：CeO2 63wt%、La2 O3 31wt%、Pr6 O11 6wt%)。此比較例4之研磨材的雷射繞射‧散射法粒徑分布測定之體積基準的累積分率中之50%粒徑D50 為0.55μm。對於比較例4之研磨材，與實施例1同樣藉由FE-SEM調查其粒子形狀結果，確認各粒子幾乎是球狀。又，由FE-SEM的5萬倍之觀察像片，對於經觀察為一次粒子之100個粒子，測定其長軸長度，與垂直於長軸之短軸長度結果，長軸之平均長度為0.31μm，短軸之平均長度為0.23μm，又，算出各粒子之長軸長度與短軸長度之比率結果，為1.00至1.71。
使用該比較例4的研磨材，作成漿液濃度10wt%之研磨漿，與實施例1同樣條件下進行研磨處理，其結果，研磨表面之表面粗糙度Ra為2.50 nm，在研磨前與研磨後其表面粗糙度幾乎沒有變化。又，比較例4之研磨速度是0.01μm/hr。
[產業上的可利用性]
依照本發明，可使研磨處理困難之碳化矽能以非常高的速率以及高表面平坦度進行研磨處理。
第1圖表示實施例1之掃描電子顯微鏡照片(10萬倍)。

Claims (14)

  1. 一種研磨材，其特徵為：由利用掃描電子顯微鏡所觀察之粒子的縱軸與橫軸之比為1.0至1.5(惟，不包含1.5)的粒子的縱軸之平均粒徑DSEM 為1.0μm以下之具有非針狀形態之二氧化錳粒子所成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之研磨材，其中，雷射繞射．散射法的粒徑分布測定之體積基準的累積分率中之50%粒徑D50 為2.0μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之研磨材，其中，比表面積為20m2 /g以上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之研磨材，其中，二氧化錳之結晶結構為γ型。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之研磨材，其中，二氧化錳之結晶結構為β型。
  6. 一種研磨漿，係含有申請專利範圍第1至5項中任一項所述之研磨材。
  7. 一種研磨材之製造方法，係申請專利範圍第4項所述的研磨材之製造方法，其具備將藉由電解反應而在陽極表面析出之γ型二氧化錳進行乾式粉碎之乾式粉碎步驟。
  8. 一種研磨材之製造方法，係申請專利範圍第5項所述的研磨材之製造方法，其具備將藉由電解反應而在陽極表面析出之γ型二氧化錳，在200℃至600℃之熱環境中進行加熱的加熱步驟， 與將經加熱處理之二氧化錳進行乾式粉碎之乾式粉碎步驟。
  9. 一種研磨漿之製造方法，係使用藉由申請專利範圍第7項或第8項所述的研磨材之製造方法而得之研磨材。
  10. 如申請專利範圍第2項所述之研磨材，其中，彼表面積為20m2 /g以上。
  11. 如申請專利範圍第2項所述之研磨材，其中，二氧化錳之結晶結構為γ型。
  12. 如申請專利範圍第3項所述之研磨材，其中，二氧化錳之結晶結構為γ型。
  13. 如申請專利範圍第2項所述之研磨材，其中，二氧化錳之結晶結構為β型。
  14. 如申請專利範圍第3項所述之研磨材，其中，二氧化錳之結晶結構為β型。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103890127B (zh) * 2011-10-13 2015-09-09 三井金属矿业株式会社 研磨剂浆料及研磨方法
JP5935531B2 (ja) 2012-06-14 2016-06-15 富士通株式会社 研磨剤及び研磨剤の製造方法
JP6033750B2 (ja) * 2013-10-03 2016-11-30 三井金属鉱業株式会社 研摩材、その製造方法及びそれを含む研摩スラリー
JP6611485B2 (ja) 2014-11-07 2019-11-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨方法およびポリシング用組成物

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS605215A (ja) * 1983-06-22 1985-01-11 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 浄水用濾材
JP2767897B2 (ja) * 1989-06-16 1998-06-18 住友電気工業株式会社 精密研磨用複合ダイヤモンド砥粒の製造方法
JP3138548B2 (ja) * 1992-09-11 2001-02-26 日本重化学工業株式会社 吸着剤用活性化二酸化マンガンおよびその製造方法
JP3375192B2 (ja) 1994-03-03 2003-02-10 三井金属鉱業株式会社 マンガン乾電池
JP3529902B2 (ja) 1995-07-04 2004-05-24 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3778386B2 (ja) 1996-06-11 2006-05-24 富士通株式会社 Ｍｎ酸化物を砥粒とする研磨剤の製造方法および半導体装置の製造方法
JP2007129249A (ja) * 1997-12-18 2007-05-24 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及びスラリー
JP3998813B2 (ja) * 1998-06-15 2007-10-31 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2000349052A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Seimi Chem Co Ltd Ｍｎ２Ｏ３粒子を含有する半導体用研磨剤
JP2001035818A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Seimi Chem Co Ltd 半導体用研磨剤
JP4345746B2 (ja) * 1999-11-16 2009-10-14 株式会社デンソー メカノケミカル研磨装置
JP2002261051A (ja) * 2001-03-01 2002-09-13 Tosoh Corp 研磨用スラリー及びこれを用いた研磨方法
JP5182483B2 (ja) * 2005-12-16 2013-04-17 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット
JP2008210746A (ja) 2007-02-28 2008-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 二酸化マンガンおよびそれを用いた電池
JP2009093947A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Panasonic Corp 球状の電解二酸化マンガンおよびこれを用いたアルカリ一次電池
JP5300241B2 (ja) * 2007-10-29 2013-09-25 日産自動車株式会社 高出力リチウムイオン電池用正極電極
JP5358996B2 (ja) * 2008-03-26 2013-12-04 日立金属株式会社 ＳｉＣ単結晶基板の製造方法
JP2009263176A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Kanto Denka Kogyo Co Ltd マグネシウムアルミニウム複合酸化物表面被覆スピネル型マンガン酸リチウム及びその製造方法、並びにそれを使用する正極活物質及び非水電解質電池

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