JP2011121153A - 研摩材 - Google Patents

研摩材 Download PDF

Info

Publication number
JP2011121153A
JP2011121153A JP2009282084A JP2009282084A JP2011121153A JP 2011121153 A JP2011121153 A JP 2011121153A JP 2009282084 A JP2009282084 A JP 2009282084A JP 2009282084 A JP2009282084 A JP 2009282084A JP 2011121153 A JP2011121153 A JP 2011121153A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
abrasive
manganese dioxide
polishing
particle
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009282084A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4940289B2 (ja
Inventor
Mikimasa Horiuchi
幹正 堀内
Ryutaro Kuroda
龍太郎 黒田
Yasuhide Yamaguchi
靖英 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Original Assignee
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Mining and Smelting Co Ltd filed Critical Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority to JP2009282084A priority Critical patent/JP4940289B2/ja
Priority to PCT/JP2010/067080 priority patent/WO2011070839A1/ja
Priority to EP10835761.7A priority patent/EP2511046B1/en
Priority to US13/513,917 priority patent/US20120240478A1/en
Priority to TW099137733A priority patent/TWI429736B/zh
Publication of JP2011121153A publication Critical patent/JP2011121153A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4940289B2 publication Critical patent/JP4940289B2/ja
Priority to US15/410,942 priority patent/US10323162B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409Abrasive particles per se

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】研摩処理が困難な炭化珪素を、高い面精度で研摩処理することができる研摩材を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡により観察された粒子の縦軸と横軸との比が3.0以下である非針状形態を有する二酸化マンガン粒子からなることを特徴とする研摩材である。その観察された粒子の縦軸の平均粒径DSEMが1.0μm以下が好ましく、また、レーザ回折・散乱法粒子径分布測定の体積基準の積算分率における50%径D50が2.0μm以下が好ましい。
【選択図】なし

Description

本発明は、二酸化マンガンからなる研摩材に関し、特に炭化珪素の研摩処理に好適な特定形状粒子の二酸化マンガンからなる研摩材に関する。
二酸化マンガンは、例えば、電解によって正極に析出させることによって製造され、アルカリマンガン電池の原料として大量に使用されている。この電解法により製造された粒子は、針状結晶の集合体であり(特許文献1、特許文献2参照)、これを粉砕して微粒の針状粒子を得る技術が知られている。
また、このような方法により製造された針状粒子の二酸化マンガンを研摩材として使用することが知られている(特許文献3参照)。このように電解法により得られた針状粒子の二酸化マンガンは、長軸が0.1μm程度の針状結晶の集合体であり、このような針状粒子の二酸化マンガンの研摩材が研摩性能に優れると言われている。
このように二酸化マンガンは、電池材料や研摩材の分野において化学的性能を向上させるために針状結晶が優れるものと考えられてきた。二酸化マンガンの研摩材は、被研摩物によっては、酸化珪素や酸化セリウムなどの他の研摩材に比較して高い研摩力を有している。例えば、タングステン(W)などの研摩が難しい被研摩物に、二酸化マンガンの研摩材が利用されている(特許文献4)。
ところで、近年、パワーエレクトロニクス半導体や白色LEDの基板材料として炭化珪素(SiC)が注目されているが、この炭化珪素は、硬度が非常に高く、難削材料として知られている。例えば、優れた研摩特性を有する酸化珪素の研摩材により炭化珪素を研摩処理する試みが行われるが、研摩速度もあまり大きくなく、面精度についても十分に満足できるものでない。そのため、炭化珪素のような難削材料を、素早く研摩でき、高い面精度を実現できる研摩技術が強く求められている。
特開平7−245109号公報 特開2008−210746号公報 特開平10−60415号公報 特開平9−22888号公報
本発明は、以上のような事情の背景になされたもので、炭化珪素のような難削材料を、高速で研摩処理し、高い面精度を実現できる、特定形状の二酸化マンガンからなる研摩材を提供することを目的とする。
本発明者は、炭化珪素のような硬度が高い難削材料を二酸化マンガンで研摩する場合、その二酸化マンガンの粒子の軸方位によって化学的作用の強度に相違があり、針状形態の粒子により構成された二酸化マンガンの研摩材では、研摩速度にムラが生じやすく、面精度にもムラが生じる研摩処理になることを突き止めた。そして、本発明者は、このような知見に基づき、特定形状粒子の二酸化マンガンからなる研摩材であると、飛躍的に研摩性能が向上し、特に研摩面粗さを非常に小さくできることを見出し、本発明を想到するに至った。
本発明は、走査電子顕微鏡により観察された粒子の縦軸と横軸との比が3.0以下である非針状形態を有する二酸化マンガン粒子からなる研摩材に関する。二酸化マンガンは、針状結晶になりやすく、針状形態の粒子を多数形成しやすい傾向があるが、非針状形態の粒子の二酸化マンガンであると、優れた研摩性能を備えたものとなり、炭化珪素のような難削材料を、高速で研摩でき、高い面精度を実現できるようになる。
本発明に係る研摩材は、非針状形態の粒子からなり、粒子形状は略球状である。具体的には、走査電子顕微鏡(SEM)で観察される粒子の長手軸を縦軸とし、この長手軸と垂直な軸を横軸と定義した場合、縦軸と横軸との比率(縦軸/横軸)が3.0以下であり、2.0以下であることが好ましい。この縦軸と横軸との比率が小さいほど、研摩表面粗さRaが小さくなり、被研摩面の面精度が向上し、研摩速度も大きくなる。この縦軸と横軸との比率は1.0〜1.5であることがより好ましい。
そして、本発明に係る研摩材は、走査電子顕微鏡で観察された粒子の縦軸(長手軸)の平均粒径DSEMが1.0μm以下であることが好ましい。研摩材の平均粒径が小さくなるほど、研摩表面粗さRaが小さくなる傾向となる。平均粒径DSEMは0.5μm以下がより好ましく、0.2μm以下がさらに好ましい。
そして、本発明に係る研摩材は、レーザ回折・散乱法粒子径分布測定の体積基準の積算分率における50%径D50が2.0μm以下であることが好ましい。微細な非針状粒子がある程度凝集した形態になると、研摩性能に優れる傾向となる。研摩材を構成する一次粒子は平均粒径DSEMで1.0μm以下であることが好ましいが、さらに二次粒子も小さい方が研摩性能が優れる傾向となる。レーザ回折・散乱法粒子径分布測定の体積基準の積算分率における50%径D50が2.0μm以下が好ましく、1.0μm以下がより好ましく、0.8μm以下がさらに好ましい。
また、本発明に係る研摩材は、その比表面積が20m/g以上であることが好ましい。20m/g未満であると、被研摩物との反応性が低下し、所望の研摩処理を完了するために、研磨時間が長くなる傾向となる。
本発明に係る研摩材は、二酸化マンガンの結晶構造がγ型またはβ型であることが好ましい。γ型またはβ型の結晶構造の二酸化マンガンは、その酸化作用が非常に高く、優れた研摩性能を実現しやすいためである。
本発明における、二酸化マンガンの結晶構造がγ型の研摩材は、電解反応により陽極表面に析出させたγ型二酸化マンガンを乾式にて粉砕する乾式粉砕工程を備える製造方法によることで実現できる。電解反応により得られた二酸化マンガンは、針状形態の粒子が多いが、この針状粒子を乾式粉砕することで、非針状粒子の二酸化マンガンにすることができる。この乾式粉砕工程では、高圧気流同士を衝突させて粒子を粉砕するジェットミル、回転刃とスクリーンとの間のせん断力で粒子を粉砕するアトマイザー、粒子を2つのローラー間で粉砕するローラーミルなどの粉砕機を用いることができる。特に、ジェットミルは微粉砕能力が高い上、針状粒子を略球形粒子に変形させる能力に優れるため、望ましい粉砕機である。また、乾式粉砕工程では、空気分級機や篩などを備えることで、均一化された粒径の研摩材を得ることができる。一方、針状形態の粒子が多い二酸化マンガンを、従来の湿式粉砕処理を行うと、特定の方向が優先的に粉砕される傾向があり、棒状や針状に粉砕されやすい。このような形状の粒子が多数存在すると、研摩面上での流動性が悪く、研摩面が均一に研摩されなかったり、傷の原因になりやすい。さらに、湿式粉砕では、水の存在下での粉砕の衝撃力による熱によって、二酸化マンガンの溶解、析出が生じて、非常に長い針状結晶が成長しやすい。乾式粉砕処理では、針状粒子の成長を生じさせず、非針状粒子、すなわち略球形粒子に粉砕する事が可能である。
また、本発明における、二酸化マンガンの結晶構造がβ型の研摩材は、電解反応により陽極表面に析出させたγ型二酸化マンガンを、200℃〜600℃の熱雰囲気において加熱する加熱工程と、加熱処理した二酸化マンガンを乾式にて粉砕する乾式粉砕工程とを備える研摩材の製造方法により実現できる。電解反応により陽極表面に析出させた二酸化マンガンはγ型の結晶構造であるが、これを200℃〜600℃の熱雰囲気において加熱することでβ型の結晶構造の二酸化マンガンとすることができる。この加熱工程でβ型の結晶構造の二酸化マンガンを、さらに上記した乾式粉砕処理することでβ型の結晶構造の二酸化マンガンからなる本発明の研摩材を得ることができる。加熱温度が200℃未満であると、γ型のままとなる傾向があり、600℃を超えると、二酸化マンガン(MnO)から三酸化二マンガン(Mn)に変化してしまう傾向となる。
以上説明したように、本発明に係る研摩材によれば、研摩処理が困難な炭化珪素を、非常に高速に、高い面精度で研摩処理することが可能となる。
実施例1の走査電子顕微鏡写真(10万倍)。
本発明の最良の実施形態について、実施例及び比較例を参照して説明する。
実施例1:この実施例1では、硫酸マンガン水溶液の電解分解により、陽極上に二酸化マンガンを析出させ、この析出した二酸化マンガンを用いた。この電解法により得られた二酸化マンガンを解砕機((株)パウレック製、アトマイザー)により解砕した後、ジェットミル(日本ニューマチック社製、PJM−200SP)にて粉砕(粉砕条件:時間当たり4kgの粉砕対象物を0.05MPaの圧縮空気を噴射して粉砕)し、レーザ回折・散乱法粒子径分布測定の体積基準の積算分率における50%径D50が0.45μmの二酸化マンガンの粒子からなる研摩材を製造した。この二酸化マンガンをX線回折によりその結晶構造を調べたところ、γ型であった。
この実施例1の研摩材について、走査型電子顕微鏡(FE−SEM:日立製作所製、S−4800)によって粒子形状を調べた。図1にその観察写真を示す。この観察写真の粒子は、各粒子は非針状で、略球形であることが判明した。また、FE−SEMによる10万倍の観察写真により、一次粒子と観察された100個の粒子について、その長軸長さと、長軸に垂直な短軸長さを測定したところ、長軸の平均長さが0.16μm、短軸の平均長さ0.11μmであり、また、各粒子の長軸長さと短軸長さとの比率を算出したところ、1.00〜1.25であった。さらに、この実施例1の研摩材について、BET法による比表面積の測定(JIS R 1626-1996(ファインセラミックス粉体の気体吸着BET法による比表面積の測定方法)の「6.2 流動法 の(3.5)一点法」に準拠。その際、キャリアガスであるヘリウムと、吸着質ガスである窒素の混合ガスを使用)したところ、40m/gであった。
次に、実施例1の研摩材を用いて炭化珪素単結晶板を研摩処理した結果について説明する。研摩対象の炭化珪素単結晶板は、直径2インチ、厚さ250mmの6H−SiC単結晶であり、研摩面はon axis(結晶軸に垂直に切断されたウェハー面)とした。研摩処理前に、基板の被研摩表面を、AFM(原子間力顕微鏡:Veeco社製 NanoscopeIIIa)により表面粗さを測定したところ、Ra2.46nmであった。
研摩条件は、二酸化マンガン10wt%のスラリー濃度にした研摩材スラリーを用い、研摩荷重190g/cmとし、研摩パッド(IC−1000、ニッタ・ハース(株)製)に載置した単結晶基板を180分間の研摩処理を行った。研摩処理後、研摩面を水洗し、付着したスラリーを除去し乾燥した。その乾燥した研摩表面の任意の五個所について、AFMにより表面粗さを測定したところ、その平均Raは0.10nmであった。また、その研摩前と研摩後との基板重量を測定し、研摩速度を算出したところ、0.12μm/hrであった。
実施例2:この実施例2では、実施例1と同様な電解条件で陽極に析出した二酸化マンガンを、450℃、1時間の焼成処理を行ったものを用いた。焼成した二酸化マンガンは、実施例1と同様に解砕機により解砕した後、ジェットミルにて粉砕し、レーザ回折・散乱法粒子径分布測定の体積基準の積算分率における50%径D50が0.58μmの二酸化マンガンの粒子からなる研摩材を製造した。この二酸化マンガンをX線回折によりその結晶構造を調べたところ、β型であった。
この実施例2の研摩材について、実施例1と同様にFE−SEMによって粒子形状を調べたところ、観察された各粒子は、図1に示したような非針状で、略球形であることが判明した。また、FE−SEMによる10万倍の観察写真により、一次粒子と観察された100個の粒子について、その長軸長さと、長軸に垂直な短軸長さを測定したところ、長軸の平均長さが0.16μm、短軸の平均長さ0.13μmであり、また、各粒子の長軸長さと短軸長さとの比率を算出したところ、1.00〜1.67であった。さらに、この実施例2の研摩材について、BET法による比表面積を測定したところ、40m/gであった。
実施例2の研摩材を用いて、実施例1と同じ条件で炭化珪素単結晶板を研摩処理した結果、研摩表面の表面粗さはRa0.17nmであった。また、実施例2の研摩速度は、0.07μm/hrであった。
実施例3:この実施例3では、実施例1と同様な電解条件で陽極に析出した二酸化マンガンを用い、回転刃とスクリーンからなる衝撃粉砕機((株)レッチェ製、ビータミル)にて二回粉砕処理をして研摩材を製造した。レーザ回折・散乱法粒子径分布測定の体積基準の積算分率における50%径D50は、0.77μmの二酸化マンガンの研摩材であった。この二酸化マンガンをX線回折によりその結晶構造を調べたところ、γ型であった。
この実施例3の研摩材について、実施例1と同様にFE−SEMによって粒子形状を調べたところ、観察された各粒子は、図1に示したような非針状で、略球形であることが判明した。また、FE−SEMによる10万倍の観察写真により、一次粒子と観察された100個の粒子について、その長軸長さと、長軸に垂直な短軸長さを測定したところ、長軸の平均長さが0.23μm、短軸の平均長さ0.19μmであり、また、各粒子の長軸長さと短軸長さとの比率を算出したところ、1.00〜1.52であった。この実施例3の研摩材について、BET法による比表面積の測定したところ、41m/gであった。
実施例3の研摩材を用いて、実施例1と同じ条件で炭化珪素単結晶板を研摩処理した結果、研摩表面の表面粗さはRa0.10nmであった。また、実施例3の研摩速度は、0.10μm/hrであった。
比較例1:この比較例1では、実施例1と同じ条件の電解法で得られた二酸化マンガンを、湿式粉砕処理(Willy A.Bachofen AG Maschinengabrik社製、ダイノーミル:0.8mmφジルコニアビーズ使用)して研摩材を製造した。この比較例1の研摩材は、レーザ回折・散乱法粒子径分布測定の体積基準の積算分率における50%径D50が0.38であった。この二酸化マンガンをX線回折によりその結晶構造を調べたところ、γ型であった。
この比較例1の研摩材について、実施例1と同様にFE−SEMによって粒子形状を調べたところ、観察された粒子には針状形態の粒子が多数含まれていることが確認された。また、FE−SEMによる10万倍の観察写真により、一次粒子と観察された100個の粒子について、その長軸長さと、長軸に垂直な短軸長さを測定したところ、長軸の平均長さが1.45μm、短軸の平均長さ0.14μmであり、また、各粒子の長軸長さと短軸長さとの比率を算出したところ、3.60〜10.50であった。さらに、この比較例1の研摩材について、BET法による比表面積を測定したところ、18m/gであった。
比較例1の研摩材を用いて、実施例1と同じ条件で炭化珪素単結晶板を研摩処理した結果、研摩表面の表面粗さはRa0.56nmであった。また、比較例1の研摩速度は、0.03μm/hrであった。
比較例2:この比較例2では、研摩材として市販のコロイダルシリカ(株式会社フジミインコーポレーテッド社製、Compol80)を用いた。この比較例2の研摩材は、レーザ回折・散乱法粒子径分布測定の体積基準の積算分率における50%径D50が0.10μmであった。比較例2の研摩材について、実施例1と同様にFE−SEMによって粒子形状を調べたところ、各粒子はほぼ球状であることが確認された。また、FE−SEMによる5万倍の観察写真により、一次粒子と観察された100個の粒子について、その長軸長さと、長軸に垂直な短軸長さを測定したところ、長軸の平均長さが0.08μm、短軸の平均長さ0.08μmであり、また、各粒子の長軸長さと短軸長さとの比率を算出したところ、1.00〜1.05であった。
この比較例2の研摩材を用い、スラリー濃度10wt%の研摩材スラリーとして、実施例1と同様な条件で研摩処理を行った。その結果、研摩表面の表面粗さはRa2.53nmで、研摩前と研摩後とではその表面粗さにほとんど変化がなかった。また、比較例2の研摩速度は、0.01μm/hrであった。
比較例3:この比較例3では、実施例1と同様な電解条件で得られた二酸化マンガン粉を850℃で焼成(1時間)したものを用いた。焼成後の酸化物の結晶構造をX線回折により同定したところ、三酸化二マンガン(Mn)であることが確認された。また、焼成後にビーズミルにより、平均粒径0.4μmになるまで粉砕処理を行った。比較例3の研摩材について、実施例1と同様にFE−SEMによって粒子形状を調べたところ、各粒子はほぼ球状であることが確認された。また、FE−SEMによる10万倍の観察写真により、一次粒子と観察された100個の粒子について、その長軸長さと、長軸に垂直な短軸長さを測定したところ、長軸の平均長さが0.31μm、短軸の平均長さ0.27μmであり、また、各粒子の長軸長さと短軸長さとの比率を算出したところ、1.00〜1.47であった。
そして、この粉砕処理後の三酸化二マンガン粉をスラリー濃度10wt%となるように、純水に分散させて、三酸化二マンガンスラリーを作製し、このスラリーを用い、実施例1と同条件で研摩試験を行った。その結果、研摩表面の表面粗さはRa2.33nmで、研摩前と研摩後とではその表面粗さにほとんど変化がなかった。また、比較例3の研摩速度は、0.02μm/hrであった。
比較例4:この比較例4では、研摩材として酸化希土(三井金属鉱業(株)社製/製品名 M601:CeO63wt%、La31wt%、Pr116wt%)を用いた。この比較例3の研摩材は、レーザ回折・散乱法粒子径分布測定の体積基準の積算分率における50%径D50が0.55μmであった。比較例3の研摩材について、実施例1と同様にFE−SEMによって粒子形状を調べたところ、各粒子はほぼ球状であることが確認された。また、FE−SEMによる5万倍の観察写真により、一次粒子と観察された100個の粒子について、その長軸長さと、長軸に垂直な短軸長さを測定したところ、長軸の平均長さが0.31μm、短軸の平均長さ0.23μmであり、また、各粒子の長軸長さと短軸長さとの比率を算出したところ、1.00〜1.71であった。
この比較例4の研摩材を用い、スラリー濃度10wt%の研摩材スラリーとして、実施例1と同様な条件で研摩処理を行った。その結果、研摩表面の表面粗さはRa2.50nmで、研摩前と研摩後とではその表面粗さにほとんど変化がなかった。また、比較例4の研摩速度は、0.01μm/hrであった。
本発明によれば、研摩処理が困難な炭化珪素を、非常に高速に、高い面精度で研摩処理することが可能となる。

Claims (10)

  1. 走査電子顕微鏡により観察された粒子の縦軸と横軸との比が3.0以下である非針状形態を有する二酸化マンガン粒子からなることを特徴とする研摩材。
  2. 観察された粒子の縦軸の平均粒径DSEMが1.0μm以下である請求項1記載の研摩材。
  3. レーザ回折・散乱法粒子径分布測定の体積基準の積算分率における50%径D50が2.0μm以下である請求項1または請求項2に記載の研摩材。
  4. 比表面積が20m/g以上である請求項1〜請求項3いずれかに記載の研摩材。
  5. 二酸化マンガンの結晶構造がγ型である請求項1〜請求項4いずれかに記載の研摩材。
  6. 二酸化マンガンの結晶構造がβ型である請求項1〜請求項4いずれかに記載の研摩材。
  7. 請求項1〜請求項6いずれかに記載の研摩材を含有する研摩材スラリー。
  8. 請求項5に記載の研摩材の製造方法であって、
    電解反応により陽極表面に析出させたγ型二酸化マンガンを乾式にて粉砕する乾式粉砕工程を備える研摩材の製造方法。
  9. 請求項6に記載の研摩材の製造方法であって、
    電解反応により陽極表面に析出させたγ型二酸化マンガンを、200℃〜600℃の熱雰囲気において加熱する加熱工程と、加熱処理した二酸化マンガンを乾式にて粉砕する乾式粉砕工程とを備える研摩材の製造方法。
  10. 請求項8または請求項9に記載の研摩材の製造方法により得られた研摩材を用いる研摩材スラリーの製造方法。
JP2009282084A 2009-12-11 2009-12-11 研摩材 Active JP4940289B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009282084A JP4940289B2 (ja) 2009-12-11 2009-12-11 研摩材
PCT/JP2010/067080 WO2011070839A1 (ja) 2009-12-11 2010-09-30 研摩材
EP10835761.7A EP2511046B1 (en) 2009-12-11 2010-09-30 Abrasive material
US13/513,917 US20120240478A1 (en) 2009-12-11 2010-09-30 Abrasive material
TW099137733A TWI429736B (zh) 2009-12-11 2010-11-03 研磨材料
US15/410,942 US10323162B2 (en) 2009-12-11 2017-01-20 Abrasive material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009282084A JP4940289B2 (ja) 2009-12-11 2009-12-11 研摩材

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011121153A true JP2011121153A (ja) 2011-06-23
JP4940289B2 JP4940289B2 (ja) 2012-05-30

Family

ID=44145392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009282084A Active JP4940289B2 (ja) 2009-12-11 2009-12-11 研摩材

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120240478A1 (ja)
EP (1) EP2511046B1 (ja)
JP (1) JP4940289B2 (ja)
TW (1) TWI429736B (ja)
WO (1) WO2011070839A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013054883A1 (ja) 2011-10-13 2013-04-18 三井金属鉱業株式会社 研摩材スラリー及び研摩方法
US8702826B2 (en) 2012-06-14 2014-04-22 Fujitsu Limited Abrasive agent, method for producing abrasive agents, and electronic device
WO2015049942A1 (ja) * 2013-10-03 2015-04-09 三井金属鉱業株式会社 研摩材、その製造方法及びそれを含む研摩スラリー
KR20170081191A (ko) 2014-11-07 2017-07-11 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마 방법 및 폴리싱용 조성물

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0320387A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 精密研磨用複合ダイヤモンド砥粒の製造方法
JP2000349052A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Seimi Chem Co Ltd Mn2O3粒子を含有する半導体用研磨剤
JP2001035818A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Seimi Chem Co Ltd 半導体用研磨剤
JP2002261051A (ja) * 2001-03-01 2002-09-13 Tosoh Corp 研磨用スラリー及びこれを用いた研磨方法
JP2006121111A (ja) * 1999-11-16 2006-05-11 Denso Corp メカノケミカル研磨装置
JP2007129249A (ja) * 1997-12-18 2007-05-24 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及びスラリー
WO2007069488A1 (ja) * 2005-12-16 2007-06-21 Jsr Corporation 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット
JP2009110767A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Nissan Motor Co Ltd 高出力リチウムイオン電池用正極電極
JP2009238891A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Hitachi Metals Ltd SiC単結晶基板の製造方法
JP2009263176A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Kanto Denka Kogyo Co Ltd マグネシウムアルミニウム複合酸化物表面被覆スピネル型マンガン酸リチウム及びその製造方法、並びにそれを使用する正極活物質及び非水電解質電池

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS605215A (ja) * 1983-06-22 1985-01-11 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 浄水用濾材
JP3138548B2 (ja) * 1992-09-11 2001-02-26 日本重化学工業株式会社 吸着剤用活性化二酸化マンガンおよびその製造方法
JP3375192B2 (ja) 1994-03-03 2003-02-10 三井金属鉱業株式会社 マンガン乾電池
JP3529902B2 (ja) 1995-07-04 2004-05-24 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3778386B2 (ja) 1996-06-11 2006-05-24 富士通株式会社 Mn酸化物を砥粒とする研磨剤の製造方法および半導体装置の製造方法
JP3998813B2 (ja) * 1998-06-15 2007-10-31 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2008210746A (ja) 2007-02-28 2008-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 二酸化マンガンおよびそれを用いた電池
JP2009093947A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Panasonic Corp 球状の電解二酸化マンガンおよびこれを用いたアルカリ一次電池

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0320387A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 精密研磨用複合ダイヤモンド砥粒の製造方法
JP2007129249A (ja) * 1997-12-18 2007-05-24 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及びスラリー
JP2000349052A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Seimi Chem Co Ltd Mn2O3粒子を含有する半導体用研磨剤
JP2001035818A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Seimi Chem Co Ltd 半導体用研磨剤
JP2006121111A (ja) * 1999-11-16 2006-05-11 Denso Corp メカノケミカル研磨装置
JP2002261051A (ja) * 2001-03-01 2002-09-13 Tosoh Corp 研磨用スラリー及びこれを用いた研磨方法
WO2007069488A1 (ja) * 2005-12-16 2007-06-21 Jsr Corporation 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット
JP2009110767A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Nissan Motor Co Ltd 高出力リチウムイオン電池用正極電極
JP2009238891A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Hitachi Metals Ltd SiC単結晶基板の製造方法
JP2009263176A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Kanto Denka Kogyo Co Ltd マグネシウムアルミニウム複合酸化物表面被覆スピネル型マンガン酸リチウム及びその製造方法、並びにそれを使用する正極活物質及び非水電解質電池

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9318339B2 (en) 2011-10-13 2016-04-19 Mitsui Mining & Smelting, Ltd Polishing slurry and polishing method
JP2017071787A (ja) * 2011-10-13 2017-04-13 三井金属鉱業株式会社 研摩材スラリー及び研摩方法
WO2013054883A1 (ja) 2011-10-13 2013-04-18 三井金属鉱業株式会社 研摩材スラリー及び研摩方法
US8702826B2 (en) 2012-06-14 2014-04-22 Fujitsu Limited Abrasive agent, method for producing abrasive agents, and electronic device
US9873824B2 (en) 2013-10-03 2018-01-23 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Abrasive material, method for producing same, and abrasive slurry containing same
WO2015049942A1 (ja) * 2013-10-03 2015-04-09 三井金属鉱業株式会社 研摩材、その製造方法及びそれを含む研摩スラリー
JP2015071715A (ja) * 2013-10-03 2015-04-16 三井金属鉱業株式会社 研摩材、その製造方法及びそれを含む研摩スラリー
KR20170081191A (ko) 2014-11-07 2017-07-11 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마 방법 및 폴리싱용 조성물
EP3263277A2 (en) 2014-11-07 2018-01-03 Fujimi Incorporated Polishing method and polishing composition
US10227517B2 (en) 2014-11-07 2019-03-12 Fujimi Incorporated Polishing method and polishing composition
US10759981B2 (en) 2014-11-07 2020-09-01 Fujimi Incorporated Polishing method and polishing composition
EP3792000A1 (en) 2014-11-07 2021-03-17 Fujimi Incorporated Polishing method and polishing composition
EP3800229A1 (en) 2014-11-07 2021-04-07 Fujimi Incorporated Polishing composition
US11015098B2 (en) 2014-11-07 2021-05-25 Fujimi Incorporated Polishing composition
EP4163057A1 (en) 2014-11-07 2023-04-12 Fujimi Incorporated Polishing method and polishing composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP4940289B2 (ja) 2012-05-30
EP2511046A1 (en) 2012-10-17
TWI429736B (zh) 2014-03-11
US20120240478A1 (en) 2012-09-27
TW201125961A (en) 2011-08-01
EP2511046A4 (en) 2017-05-10
EP2511046B1 (en) 2019-01-16
WO2011070839A1 (ja) 2011-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4827963B2 (ja) 炭化珪素の研磨液及びその研磨方法
KR100453802B1 (ko) 세륨계 연마제, 그 원료물질 및 그 제조방법
CN107585768B (zh) 一种氧化-还原法制备超细碳化钨粉末的方法
JP2006522005A (ja) ナノ多孔質超微細アルファ−アルミナ粉末及び該粉末を調製する凍結乾燥法
JP4940289B2 (ja) 研摩材
CN115893461B (zh) 一种纳米氧化铝抛光粉的生产工艺
TWI323741B (en) Abrasive particles, polishing slurry, and producing method thereof
WO2002008122A1 (fr) Poudre fine de diamant monocristalline a faible distribution en taille des particules et son procede de fabrication
JP2006225208A (ja) 高分散性の単結晶質ダイヤモンド微粉及びその製造方法
JP4131870B2 (ja) 研磨材粒子の品質評価方法、ガラス研磨方法及びガラス研磨用研磨材組成物
KR20170077492A (ko) 세륨계 복합 연마입자의 제조방법, 그에 의한 세륨계 복합 연마입자 및 그 세륨계 복합 연마입자를 포함하는 슬러리 조성물
CN105586005B (zh) 一种纳米刚玉磨料的制备方法
JP5259933B2 (ja) セリウム系研摩材用原料およびセリウム系研摩材の製造方法並びにセリウム系研摩材
US10323162B2 (en) Abrasive material
JP2001062705A (ja) 金属研磨用αアルミナ研磨材およびその製法
WO2007099799A1 (ja) セリウム系研摩材
JP6792554B2 (ja) 研磨砥粒、研磨スラリーおよび硬脆材の研磨方法、ならびに硬脆材の製造方法
JP4471072B2 (ja) ボールミル装置を用いた酸化セリウムの粉砕方法
JP2006096648A (ja) 微粒αアルミナの製造方法
JP2004175964A (ja) 高純度酸化セリウム研摩材の製造方法及びそれにより得られた高純度酸化セリウム研摩材
JP2014084420A (ja) 遊離砥粒研磨用酸化マンガン研磨剤及びその製造方法
CN115340824B (zh) 一种铈系研磨抛光材料的制备方法
JP2012236273A (ja) 遊離砥粒研磨用研磨剤及びその製造方法
JP3838871B2 (ja) セリウム系研摩材用原料の製造方法及びその方法により製造されるセリウム系研摩材用原料
JP2015140402A (ja) 遊離砥粒、遊離砥粒研磨用研磨剤及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110630

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110922

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110929

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20111101

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120202

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120227

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4940289

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250