TWI427361B - Liquid crystal display device, and liquid crystal display device - Google Patents

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TWI427361B
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Yoshiro Toda
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Konica Minolta Holdings Inc
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Description

液晶顯示裝置之製造方法及液晶顯示裝置
本發明係關於液晶顯示裝置之製造方法及液晶顯示裝置，詳細而言，係關於具備透明導電層之液晶顯示裝置之製造方法及液晶顯示裝置，此透明導電層係具有優良的光透射性，電阻特性、均一性、及基材密接性。
一般而言，使用有TFT之主動矩陣型液晶顯示裝置，係構成為：具備以矩陣狀配置有像素電極及用以控制施加於上述像素電極之電壓的TFT之主動矩陣基板，於此主動矩陣基板與對向基板之間夾介有液晶，且由施加於像素電極與另一邊的電極間之電壓而驅動液晶。此時，係具有：以透明電極構成主動矩陣基板的像素電極，且於作為另一邊的電極而形成於對向基板之透明的共通電極之間施加電壓而驅動液晶之縱向電場方式的液晶顯示裝置；或是以成對的梳齒狀電極構成主動矩陣基板的像素電極與共通電極，且於這些電極間施加電壓而驅動液晶之橫向電場方式的液晶顯示裝置。不論何種方式，必須細微地將上述TFT及像素電極形成於主動矩陣基板，目前係採用微影技術以形成這些TFT及像素電極。
一般而言，稱為橫向電場方式之液晶顯示裝置，係與稱為縱向電場方式之液晶顯示裝置呈對比，且於夾介液晶層而互為對向配置之透明基板中，於該一邊或兩邊的液晶層側之相當於單位像素的區域面上，具有顯示用電極及基準電極，於該顯示用電極與基準電極之間，藉由與透明基板平行所產生之電場，將透射上述液晶層之光予以調變而構成。
另一方面，縱向電場方式的液晶顯示裝置，係於夾介液晶層而互為對向配置之透明基板的液晶層側之相當於單位像素的各個區域面上，使由透明電極所構成之像素電極與共通電極呈對向而具備，於此像素電極與共通電極之間，藉由與透明基板垂直所產生之電場，將透射上述液晶層之光予以調變而構成。橫向電場方式的液晶顯示裝置，與此縱向電場方式的液晶顯示裝置不同，為人所知者，即使於以對該顯示面呈較大的角度之視野中觀察，亦可辨識出鮮明的影像，亦即其所謂的角度視野較佳。關於由如此構成所形成之液晶顯示裝置，例如於日本特許出願公表平5－505247號公報、日本特公昭63－21907號公報、日本特開平6－160878號公報當中，係揭示有該詳細內容。
此橫向電場方式的液晶顯示裝置，於從該液晶顯示面板的表面外部施加有靜電等的較高電位時，會產生至目前為止不會於縱向電場方式的液晶顯示裝置中出現之顯示異常的缺失。亦即，橫向電場方式的液晶顯示裝置，於以液晶為間隔而配置為平行或幾乎平行之顯示用電極與基準電極之間，係完全不具備具有可將來自於外部的靜電等予以遮蔽的功能之導電層而構成。此係由於，若配置此導電層時，來自於顯示用電極的電場並非以基準電極側，而是以該導電層側為終端，因而無法依據該電場進行適當的顯示之故。
此外，由於不具有如此的遮蔽功能，因此於顯示用電極與基準電極之間，與透明基板平行所產生之對應於影像訊號的電場，會受到來自於外部的靜電等之影響。此來自於外部的靜電等，會使液晶顯示面板本身形成帶電，此帶電會產生與透明基板垂直之電場。
針對上述課題，係揭示有一種，於橫向電場方式的液晶顯示裝置中，於透明基板之與液晶層為相反側的一面上，藉由濺鍍法形成具有透光性之導電層，藉此，即使於從液晶顯示面板的表面外部施加有靜電等的較高電位時，亦可防止顯示異常的產生之液晶顯示裝置(例如參照專利文獻1)。
然而，於橫向電場方式或縱向電場方式的液晶顯示裝置中，於以濺鍍法形成導電層時，於電極部容易產生短路，且容易對透明基板形成破壞，而容易引起透明基板的破損等。此外，若於液晶層中填入液晶後，以濺鍍法形成導電層，則會於液晶層中產生氣泡等，而無法獲得具有高畫質的液晶顯示裝置。
此外，為人所知者有，將包含導電性微粒子之塗佈液予以塗佈以形成導電性層之方法，但於此方法中，於將以塗佈方式所形成之導電膜予以乾燥後，必須進行高溫下的燒結處理，因此於導電膜的形成中會花費較長時間，並且具有所形成的導電膜產生光透射性的降低或與基材的密接性的降低之課題。
[專利文獻1]日本特許第2758864號
本發明係鑒於上述課題而創作出之發明，目的在於提供一種具備透明導電層之液晶顯示裝置之製造方法及液晶顯示裝置，此透明導電層係具有優良的光透射性、電阻特性、均一性、及對基材的密接性。
本發明之上述目的，可藉由以下構成所達成。
1.一種液晶顯示裝置之製造方法，係具備液晶顯示面板、及用以讓光透射上述液晶顯示面板的顯示面側之背光單元；上述液晶顯示面板，於夾介液晶層而互為對向配置之透明基板中，於該一邊或兩邊的液晶層側之相當於單位像素的區域面上，具有顯示用電極及基準電極，於該基準電極與至少經由切換元件從影像訊號線供應有影像訊號之該顯示用電極之間，藉由與透明基板平行所產生之電場，將透射上述液晶層之光予以調變而構成之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵為：於上述液晶顯示面板的透明基板中，位於離上述背光單元較遠的一側之透明基板，係成為未形成上述切換元件之一側的透明基板，且於該透明基板之與液晶層為相反側的一面側，具備具有透光性之透明導電層，藉由至少使用氮氣作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法，至少於像素區域上形成該透明導電層。
2.如上述第1項所記載之液晶顯示裝置之製造方法，其中，上述液晶顯示面板為橫向電場方式，此橫向電場方式，係於夾介液晶層而互為對向配置之透明基板中，於該一邊的液晶層側之相當於單位像素的區域面上，具有顯示用電極及基準電極，於該基準電極與至少經由切換元件從影像訊號線供應有影像訊號之上述顯示用電極之間，藉由與透明基板平行所產生之電場，將透射上述液晶層之光予以調變。
3.如上述第1或2項所記載之液晶顯示裝置之製造方法，其中，上述大氣壓電漿法，為於電極間未配置製膜的基板之遠隔式的大氣壓電漿法。
4.如上述第1、2或3項所記載之液晶顯示裝置之製造方法，其中，於將液晶填入於上述透明基板間所設置之液晶層後，藉由至少使用氮氣作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法，於透明基板之與該液晶層為相反側的一面側，形成具有透光性之透明導電層。
5.一種液晶顯示裝置，係具備液晶顯示面板、及用以讓光透射上述液晶顯示面板的顯示面側之背光單元；上述液晶顯示面板，於夾介液晶層而互為對向配置之透明基板中，於該一邊或兩邊的液晶層側之相當於單位像素的區域面上，具有顯示用電極及基準電極，於該基準電極與至少經由切換元件從影像訊號線供應有影像訊號之該顯示用電極之間，藉由與透明基板平行所產生之電場，將透射上述液晶層之光予以調變而構成之液晶顯示裝置，其特徵為：於上述液晶顯示面板的透明基板中，位於離上述背光單元較遠的一側之透明基板，係成為未形成上述切換元件之一側的透明基板，且於該透明基板之與液晶層為相反側的一面側，具備具有透光性之透明導電層，該透明導電層係藉由至少使用氮氣作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法，至少形成於像素區域上。
6.如上述第5項所記載之液晶顯示裝置，其中，上述液晶顯示面板為橫向電場方式，此橫向電場方式，係於夾介液晶層而互為對向配置之透明基板中，於該一邊的液晶層側之相當於單位像素的區域面上，具有顯示用電極及基準電極，於該基準電極與至少經由切換元件從影像訊號線供應有影像訊號之上述顯示用電極之間，藉由與透明基板平行所產生之電場，將透射上述液晶層之光予以調變。
7.如上述第5或6項所記載之液晶顯示裝置，其中，上述大氣壓電漿法，為於電極間未配置製膜的基板之遠隔式的大氣壓電漿法。
8.如上述第5、6或7項所記載之液晶顯示裝置，其中，於將液晶填入於上述透明基板間所設置之液晶層後，藉由至少使用氮氣作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法，於透明基板之與該液晶層為相反側的一面側，形成具有透光性之透明導電層。
藉由本發明，可提供一種具備透明導電層之液晶顯示裝置之製造方法及液晶顯示裝置，此透明導電層係具有優良的光透射性、表面帶電防止特性、均一性、及基材密接性。
以下係詳細說明用以實施本發明之最佳型態。
本發明者們係鑒於上述課題進行精心的探討，結果發現一種具備透明導電層之液晶顯示裝置之製造方法，此透明導電層係具有優良的光透射性、電阻特性、均一性、基材密接性及硬度，因而完成本發明，此液晶顯示裝置之製造方法，係具備液晶顯示面板、及用以讓光透射該液晶顯示面板的顯示面側之背光單元；該液晶顯示面板，於夾介液晶層而互為對向配置之透明基板中，於該一邊或兩邊的液晶層側之相當於單位像素的區域面上，具有顯示用電極及基準電極，於該基準電極與至少經由切換元件從影像訊號線供應有影像訊號之該顯示用電極之間，藉由與透明基板平行所產生之電場，將透射該液晶層之光予以調變而構成之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵為：於該液晶顯示面板的透明基板中，位於離該背光單元較遠的一側之透明基板，係成為未形成該切換元件之一側的透明基板，且於該透明基板之與液晶層為相反側的一面側，具備具有透光性之透明導電層，藉由至少使用氮氣作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法，至少於像素區域上形成該透明導電層。
以往，關於在透明基板單體上形成透明導電層之方法，為人所知有蒸鍍法、濺鍍法、離子蒸鍍法、塗佈方式等，於組裝後的液晶顯示元件表面形成透明導電層之方法，就對於液晶顯示元件構件之影響、以及形成透射性極高之薄膜的透明導電層之觀點來看，乃具有較多的困難性。
如上述般，係有將包含導電性微粒子之塗佈液，塗佈於液晶顯示元件構件表面以形成導電性層之方法，但於此方法中，於將以塗佈方式所形成之導電膜予以乾燥後，必須進行高溫下的燒結處理，因此液晶顯示元件構件本身會暴露於高溫下而造成較大影響，此外，於導電膜的形成中會花費較長時間，再者，於組裝後的液晶顯示元件表面形成具有均一膜厚的導電膜，乃極為困難，並且具有所形成的導電膜產生光透射性的降低或與基材的密接性的降低之課題。此外，於以真空蒸鍍法形成導電膜之方法中，由於需於真空環境等較為嚴苛的條件下進行，因此，仍具有對組裝有導電膜之液晶顯示元件構件的特性、品質之影響，以及製程的組合方法變得困難而需花費較多心力等之缺失。此外，於使用濺鍍法對組裝後的液晶顯示元件表面形成透明導電層之方法中，於電極部容易產生短路，且容易對透明基板形成破壞，而容易引起透明基板的破損等。此外，若於液晶層中填入液晶之狀態下以濺鍍法形成導電層，則會於液晶層中產生氣泡等，而無法獲得具有高畫質的液晶顯示裝置。
本發明者們係鑒於上述課題進行精心的探討，結果可獲得一種透明導電層，此透明導電層，於作為組裝後的液晶顯示元件的表面構件之透明基材上，藉由至少使用氮氣作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法予以形成，藉此，可於大氣壓或其附近壓力下形成導電膜，此外亦可將導電膜形成時的處理溫度抑制於相對低溫，因此可抑制熱對液晶顯示元件之影響，而在不會引起透明基板的短路破損下，以簡便的方法獲得具有優良的光透射性、電阻特性、基材密接性之透明導電層。
以下係說明本發明之詳細內容。
《液晶顯示元件》
首先使用圖式，說明本發明之液晶顯示元件的基本構成。本發明之液晶顯示元件的構成，並不限定於在此所示之圖式。
第1圖係顯示本發明之具備背光單元之液晶顯示元件的構成的一例之概略剖面圖。
於第1圖中，液晶顯示面板100，係夾介以密封構件105密封兩端部之液晶層104，且於互為對向的位置上配置有透明基板103A及透明基板103B，透明基板103A的主表面側(於圖中為上側)係成為觀察側。於透明基板103B側配置有背光單元107，且從該背光單元107中，使均一的觀察光照射於透明基板103B的幾乎全域上。本發明中所謂的透明基板，是指可見光區域中的平均透射率為90%以上。
形成於透明基板103A與透明基板103B之間之液晶層104，係構成有在各透明基板的液晶層104側所形成之電子電路，以及以矩陣狀配置於該液晶層104的橫方向之多數個像素。
這些以矩陣狀所配置之各像素的集合，於從透明基板103A側觀察時，係構成該顯示區域。
構成顯示區域之各像素，係經由電子電路以供應訊號，藉此可分別獨自地控制來自於背光單元107的光透射，並藉此可播映任意畫像於顯示區域。
各像素之光透射的控制，較理想為採用，以平行於透明基板的面之方式產生各像素之液晶層104內所產生之電場之所謂的橫向電場方式。
如此構成之橫向電場方式的液晶顯示面板100，與縱向電場方式的液晶顯示面板相同，係於透明基板103A之與液晶層104為相反側的一面(觀察側的面)及透明基板103B之與液晶層104為相反側的一面(背光單元107側的面)，分別貼附有偏光板101、106。
於本發明之液晶顯示元件中，該特徵為：於透明基板103A中所貼附之偏光板101與該透明基板103A之間，具有藉由至少使用氮氣作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法所形成之透明導電層102。此透明導電層102係具有可將來自於外部的靜電等予以遮蔽之導電膜的功能。
第2圖係顯示進行全彩顯示之液晶顯示元件的構成的一例之概略剖面圖。
於第2圖中，陣列基板2係夾介液晶層103依序構成有配向膜10a、透明電極膜9及透明基板5a，於此透明基板5a之與透明電極為相反側的一面上，設置有背光13。透明電極9係對應於橫向電場方式，以將於每個像素為獨立之電極對予以形成之方式地進行圖案形成，但此於圖式中被省略。陣列基板2係具備密封構件4，此密封構件4係形成於包圍設置有包含液晶13之液晶層3之顯示區域的周邊區域，液晶層3包含少量的固形球狀間隔材11(例如0.3質量%)。彩色濾光片基板1係由中央的彩色像素區域7R、7G、7B以及周邊的黑色矩陣區域6所構成。於中央的彩色像素區域的上部，配置有透明基板5b，於其上部具有藉由至少使用稀有氣體作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法所形成之透明導電層12。
液晶顯示元件的組裝，係於使陣列基板2與彩色濾光片基板1互呈間隔之狀態下，配置於真空組裝裝置的真空處理室，於常壓下將彩色濾光片基板1正確地配置於陣列基板2上。一邊降低真空處理室的氣壓，一邊使2基板貼合一起，藉此使彩色濾光片基板1重疊於陣列基板2上。密封構件，例如可藉由包含因紫外線的使用而產生硬化之樹脂之接著劑以進行接著，然後藉由使用有稀有氣體之大氣壓電漿法，於透明基板5b上形成透明導電層12後，從密封構件的開口部，以真空插入法將液晶注入於液晶層3中，將密封構件4的開口部密封而形成進行全彩顯示之液晶顯示元件。
如上述般進行液晶顯示元件的組裝後，於將液晶注入於液晶層之方法中，係採用以真空插入法，將液晶注入於以密封構件將周圍予以密封之空狀態的液晶層之方法，但於此方法中，液晶填入於液晶層時乃花費較多時間，並且附著於周圍之液晶量較多，因此需具有後洗淨製程，或者是導致液晶的損失增多等，因而就時間上及經濟上而言，係包含須加以改良之因素。
對於上述課題，相對於在液晶顯示元件的組裝後將液晶注入於液晶層之方法，係採用下列方法，亦即於重疊透明基板前，於包圍顯示區域之周邊區域上設置密封構件4後，於滴入液晶後再將上側構件予以覆蓋而形成液晶層之方法。此方法係稱為液晶滴入法(ODF：One Drop Fill)，於本發明之液晶顯示元件的製造方法中，較理想亦適用此方法。關於此ODF法之詳細內容，例如可參考美國專利第5,263,888號說明書(Teruhisa Ishihara等、1993年11月23日)中所揭示之技術。
第3圖係顯示本發明之液晶顯示元件的構成的其他例子之概略剖面圖。
第3圖所示之液晶顯示元件亦為依據橫向電場方式之方法，係夾介液晶層3且於一邊的面側配置一對的電極9為多數個，且對分別為獨立之電極對施加獨立的電壓，藉此改變液晶層中之液晶(偏光元件)的配向以顯示畫像。
於第1圖~第3圖中，係說明夾介液晶層且於一邊的面側設置電極之橫向電場方式，但本發明之液晶顯示元件的構成，亦可採用夾介液晶層且於兩側設置電極之縱向電場方式。
《透明導電層》
本發明之液晶顯示元件的特徵為，係於透明基板之與液晶層為相反側的一面側，具備具有透光性之透明導電層，且藉由至少使用氮氣作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法，至少於像素區域上形成此透明導電層(亦稱為透明導電膜)。本發明中所謂的具有透光性之透明導電層，是指可見光區域中的平均透射率為90%以上之透明導電層。
以下係說明透明導電膜的形成材料及用以形成此透明導電膜之大氣壓電漿法。
(透明導電層的形成材料)本發明之透明導電層，較理想為以從In2 O3 、摻雜Sn之氧化銦(ITO)、ZnO、In2 O3 －ZnO系非晶質氧化物(IZO)、摻雜Al之ZnO(AZO)、摻雜Ga之ZnO(GZO)、SnO2 、摻雜F之SnO2 (FTO)及TiO2 中所選出之透明導電層形成原材的至少1種為主成分。ITO及AZO膜係具有非晶質構造及結晶質構造。另一方面，IZO膜係具有非晶質構造。
於本發明中，透明導電層的表面比電阻，較理想為1×109 Ω/□以下，更理想為1×106 Ω/□以下。
本發明之透明導電層的形成方法的特徵為，係使用於大氣壓或大氣壓附近的壓力下對原材料進行電漿處理之大氣壓電漿法而形成。
於大氣壓電漿法中，透明導電層的主成分之金屬氧化物的形成中所使用之反應性氣體，例如有金屬有機化合物的一種之金屬醇氧化物(Metallic Alkoxide)、烷基(Alkyl)金屬、β－二酮酸鹽(β－Diketonate)、金屬羧酸鹽、金屬二烷基醯胺(Metallic Dialkyl Amide)等。此外，亦可使用由2種金屬所形成之雙醇氧化物或以其他有機基經一部分置換後後之化合物，較理想為使用具有揮發性者。
例如有六氟戊二烯酸乙酯銦(Indium Hexafluoro Pentadienoate)、甲基(三甲基)乙醯醋酸酯銦、乙醯丙酮銦、異丙氧化銦、三氟戊二烯酸乙酯銦、三(2,2,6,6－四甲基－3,5－庚二烯酸乙酯)銦、二－正丁基雙(2,4－戊二烯酸乙酯)錫、二－正丁基二乙醯氧基錫、二－三級丁基二乙醯氧基錫、四異丙氧基錫、四丁氧基錫、乙醯丙酮鋅等。在這當中，較理想為乙醯丙酮銦、三(2,2,6,6－四甲基－3,5－庚二烯酸乙酯)銦、二－正丁基二乙醯氧基錫。此外，上述化合物中，作為氧化錫膜(SnO2 )的製膜材料，較理想為二丁基錫二醋酸酯或四丁基錫、四甲基錫等。再者，亦可於氧化錫膜中包含氟或銻。
用於摻雜之反應性氣體，例如有異丙氧化鋁、乙醯丙酮鎳、乙醯丙酮錳、異丙氧化硼、正丁氧基銻、三－正丁基銻、二－正丁基雙(2,4－戊二烯酸乙酯)錫、二－正丁基二乙醯氧基錫、二－三級丁基二乙醯氧基錫、四異丙氧基錫、四丁氧基錫、四丁基錫、乙醯丙酮鋅、6氟化丙烯、8氟化環丁烷、4氟化甲烷等。
為了調整透明導電層的電阻值而使用之反應性氣體，例如有三異丙氧化鈦、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、六甲基二矽氧烷等。
(大氣壓電漿法)以下係說明本發明之透明導電層的形成中所適用之大氣壓電漿法。
於大氣壓附近中進行電漿處理之大氣壓電漿法，相較於真空下的電漿CVD法乃不需進行減壓，因此不僅具有較高的生產性，且由於電漿密度為高密度，所以製膜速度較快，此外，相較於一般的CVD法之條件，於大氣壓之高壓條件下，由於氣體的平均自由製程極短，因此可獲得極為平坦的膜，且此平坦的膜具有良好的光學特性。
本發明之透明導電層，於大氣壓或其附近壓力下，於產生高頻電場之放電空間中，供應含有透明導電層形成氣體之氣體並予以激發，並將透明基板曝置於該激發氣體中，藉此於透明基板上形成透明導電層。
於本發明中所謂的大氣壓或其附近壓力，大約為20kPa~110kPa，為了獲得本發明所記載之良好效果，較理想為93kPa~104kPa。
此外，於本發明中所謂的激發氣體，是指藉由獲得能量，使氣體分子的至少一部分從目前的狀態轉移至更高的狀態者，此係包含激發氣體分子、自由基化氣體分子、離子化氣體分子之氣體或其相當者。
亦即，將對向電極間(放電空間)設定為大氣壓或其附近壓力，並將包含放電氣體及金屬氧化物形成氣體(透明導電層形成氣體)之氣體導入至對向電極間，將高頻電壓施加於對向電極間，使金屬氧化物形成氣體形成為電漿狀態，接著將基材曝置於成為電漿狀態之金屬氧化物形成氣體中，而於透明基板上形成透明導電層。
接下來說明本發明之形成透明導電層之氣體。所使用的氣體，基本上為以放電氣體及透明導電層形成氣體為構成成分之氣體。
放電氣體，為於放電空間中成為激發狀態或電漿狀態，且擔負將能量賦予至透明導電層形成氣體而成為激發狀態或電漿狀態之功能的氣體，該特徵為使用氮氣。氮氣對於全氣體的100體積%，較理想為含有70.0~99.0體積%。
於本發明之透明導電層的形成中，透明導電層形成氣體，於放電空間中接受能量而成為激發狀態或電漿狀態，為形成透明導電性薄膜之氣體，且或為控制反應或促進反應之氣體。此透明導電層形成氣體對於全氣體，較理想為含有0.01~30體積%，更理想為含有0.1~3體積%。
於本發明中，於透明導電層的形成中，可藉由在透明導電層形成氣體中包含從氫氣、甲烷等碳氫化合物、及水當中所選出之還原性氣體，而更能夠使所形成的透明導電性薄膜更為均一且緻密，並提升導電性、密接性、及耐斷裂性。還原性氣體對於全氣體的100體積%，較理想為含有0.0001~10體積%，更理想為含有0.001~5體積%。
此外，本發明之透明導電層的形成，可藉由曝置於將放電氣體及氧化性氣體激發為電漿狀態之氣體中而形成，本發明中所使用之氧化性氣體，例如有臭氧、過氧化氫、二氧化碳等。此時放電氣體可使用從氦氣、氬氣中所選出之氣體。由氧化性氣體及放電氣體所形成之混合氣體之氧化性氣體成分的濃度，較理想為含有0.0001~30體積%，更理想為含有0.0o1~15體積%，尤其理想為含有0.01~10體積%。氣體之各濃度的最適值，可因基材溫度、氧化處理次數、處理時間之不同而選擇出適當條件。氧化性氣體較理想為氧氣、二氧化碳，更理想為氧氣與氮氣之混合氣體。此外，為了控制放電的區域，亦可混合數%~數十%之氬氣、氦氣等稀有氣體。
接下來使用圖式，說明本發明之大氣壓電漿法。
本發明中可適用之大氣壓電漿放電處理裝置，並無特別限定，主要有以下2種方式。
第1種方法為稱做遠隔型大氣壓電漿放電處理裝置之方法，係將高頻電壓施加於對向電極間，並將包含放電氣體之混合氣體供應至該對向電極間，將該混合氣體予以電漿化，之後將電漿化後的混合氣體及透明導電層形成氣體予以混合後，噴射至透明基板上而形成透明導電層之方法。
另1種方法為稱做直接型大氣壓電漿放電處理裝置之方法，於將包含放電氣體之混合氣體與透明導電層形成氣體予以混合後，於將透明基材載置於對向電極間之狀態下，將上述氣體導入至該放電空間，於對向電極間施加高頻電壓，而於透明基板上形成透明導電層之方法。
於本發明中，較理想為使用遠隔式大氣壓電漿法，亦即為使用不將製膜的基板配置於電極間之遠隔型大氣壓電漿放電處理裝置之方法。
第4圖係顯示本發明之遠隔型大氣壓電漿放電處理裝置的一例之概略圖。但本發明並不限定於此。此外，於以下的說明中，可能有包含對用詞等具有斷定的表現之情況，此係用以表示本發明之較佳的例子，並非用以限定本發明之用詞的意義或技術性範圍。
於第4圖中，大氣壓電漿放電處理裝置21，其連接於電源31之1對的電極41a、41b，係平行並列設置有2對。電極41a、41b，係分別以電介質42至少覆蓋當中之一邊，且藉由電源31，於該電極間所形成之放電空間43中施加有高頻電壓。
電極41a、41b的內部係成為中空構造44，於放電中，係藉由水、油等而接收因放電所產生的熱，且以能夠保持安定的溫度之方式進行熱交換。
此外，藉由圖中未記載之各個氣體供應手段，使包含放電所需之放電氣體的氣體22，通過流路24而被供應至放電空間43，並對此放電空間43施加高頻電壓以產生電漿放電，藉此可將包含放電氣體的氣體22予以電漿化。電漿化後的氣體22係被噴出至混合空間45。
另一方面，由各個氣體供應手段(圖中未顯示)所供應之包含透明導電層的形成中所需之氣體的混合氣體23，係通過流路25而被運送至相同的混合空間45，與上述電漿化後的放電氣體22會合並互相混合，然後噴往載置於移動承載台47上之透明基材，或是於最表面包含透明基材之液晶顯示元件單元(以下總稱為基材)46上。
與電漿化後的混合氣體接觸之透明導電層形成氣體，係因電漿能量達到活化而引起化學反應，藉此於基材46上形成透明導電層。
此遠隔型大氣壓電漿放電處理裝置係具有，使包含透明導電層的形成中所需之氣體的混合氣體，包夾於或是包圍於活化後的放電氣體中之構造。
載置有基材之移動承載台47，係具有可來回掃描或連續掃描之構造，且可因應必要而構成為以可保持基材溫度之方式地進行與上述電極為相同之熱交換之構造。
此外，亦可因應必要而設置用以將噴往基材46上之氣體予以排氣之廢氣排氣流路48。藉此可迅速地從放電空間45上或基材46上，將空間中所形成之不需要的副產物予以去除。
此遠隔型大氣壓電漿放電處理裝置係構成為，將放電氣體予以電漿化並活化後，再與包含透明導電層的形成中所需之氣體的混合氣體會合之構造。藉此，為了防止於電極表面堆積製膜物，如日本特願2003－095367號所記載般，亦可構成為，藉由將防污膜片等貼合於電極表面，於放電前使放電氣體與透明導電層的形成中所需之氣體予以混合之構造。
此外，於第4圖所記載之裝置中，高頻電源係以1個頻率數頻帶所進行，但亦可如日本特開2003－96569號公報所記載般，以於各個電極設置有不同頻率數的電源之方式予以實施。
此外，亦可於此遠隔型大氣壓電漿放電處理裝置中，於掃描方向上排列多數個承載台，以藉此提升製膜能力。
此外，雖然於遠隔型大氣壓電漿放電處理裝置中未顯示，但可藉由構成為包圍電極、承載台以使外部氣體不會進入之方式的構造，將裝置內保持於一定的氣體氛圍氣下，而製造出具有期望的高品質之透明帶電防止膜。
第5圖係顯示本發明之遠隔型大氣壓電漿放電處理裝置的其他例子之概略圖。
於上述第4圖中，供應包含放電氣體的氣體22之流路24，以及供應包含有透明導電層的形成中所需之氣體的混合氣體23之流路25，係分別平行地設置，但亦可如第5圖所示般，為將供應包含放電氣體的氣體22之流路24予以斜向形成，而提高與從流路25所供應之混合氣體23之間的混合效率之方法。
第6圖係顯示本發明之直接型大氣壓電漿放電處理裝置的一例之概略圖。
第6圖所示之直接型大氣壓電漿放電處理裝置，其連接於電源31之2個電極41，係以分別平行於移動承載台47之方式地並列設置。電極41及47係以電介質42至少覆蓋當中之一邊，且藉由電源31，於該電極41與47之間所形成之空間43中施加有高頻電壓。
電極41、47的內部係成為中空構造44，於放電中，係藉由水、油等而接收因放電所產生的熱，且以能夠保持安定的溫度之方式進行熱交換。
此外，藉由各個氣體供應手段(圖中未顯示)，使包含放電所需之放電氣體的氣體22通過流路24，且使包含透明導電層的形成中所需之氣體的混合氣體23通過流路25，並且於混合空間45會合並互相混合。混合後的氣體G係通過電極41間，被供應至電極41與47之間的空間43，且於空間43中施加高頻電壓而產生電漿放電，藉此將氣體G予以電漿化。藉由此電漿化後的氣體G，使透明導電層形成氣體達到活化而引起化學反應，藉此於基材(透明基材或是於最表面包含透明基材之液晶顯示元件單元)46上形成透明導電層。
載置有基材之移動承載台47，係具有可來回掃描或連續掃描之構造，且可因應必要而構成為以可保持基材溫度之方式地進行與上述電極為相同之熱交換之構造。
此外，亦可因應必要而設置用以將噴往基材46上之氣體予以排氣之廢氣排氣流路48。藉此可迅速地從放電空間45上或基材46上，將空間中所製膜之不需要的副產物予以去除。
此外，如日本特願2003－095367號所記載般，亦可構成為，藉由將防污膜片等貼合於電極表面，於放電前使放電氣體與透明導電層的形成中所需之氣體予以混合之構造。
此外，於第6圖所記載之裝置中，高頻電源係以1個頻率數頻帶所進行，但亦可如日本特開2003－96569號公報所記載般，以於各個電極設置有不同頻率數的電源之方式予以實施。
此外，亦可於此直接型大氣壓電漿放電處理裝置中，於掃描方向上排列多數個承載台，以藉此提升製膜能力。
此外，雖然於直接型大氣壓電漿放電處理裝置中未顯示，但可藉由構成為包圍電極、承載台以使外部氣體不會進入之方式的構造，將裝置內保持於一定的氣體氛圍氣下，而製造出具有期望的高品質之透明帶電防止膜。
[實施例]
以下係以實施例具體說明本發明，但本發明並不限定於此。此外，於實施例中，使用「部」或「%」的表示者，在無特別說明時係表示「質量部」或「質量%」。
實施例1 《液晶顯示元件的製作》 [液晶顯示元件1的製作]
(液晶顯示元件單元的製作)依循日本特開2002－258262號公報所記載之方法，製作出由第2圖所記載的構成所形成之全彩的液晶顯示元件單元。惟係處於未將液晶13注入於液晶層13之狀態。
(透明導電層的形成)藉由下列大氣壓電漿法(直接型大氣壓電漿放電處理裝置)，於第2圖所記載的透明基板5b(玻璃基材)上，形成透明導電層(稱為電漿CVD法DP)。
<大氣壓電漿放電處理裝置>使用第6圖所記載的直接型大氣壓電漿放電處理裝置，於下列的製膜條件下形成透明導電層。
<電源條件>電源：SEREN社製高頻電源，100kHz、5W/cm2
<電極條件>第2電極(第6圖的41)的角形電極，係對30mm角狀的中空鈦管進行作為電介質之陶瓷噴鍍加工而製作。
電介質厚度：1mm電極寬度：300mm施加電極溫度：90℃第2電極間狹縫空隙：1.0mm電極間空隙：1.0mm
<氣體條件>放電氣體：氮氣、100slm輔助氣體：氫氣、0.3slm
<移動架台電極(第6圖的47)>材質：SUS316L移動架台電極的溫度：80℃
以將透明基板5b配置於最上方之方式，將上述製作出的液晶顯示元件單元配置於移動架台電極上，於100mm/sec的條件下連續進行掃描處理，而形成厚度12nm的透明導電層。在此，slm為Standard Litter per minutes的略稱。
[液晶顯示元件2的製作]
使用上述液晶顯示元件1所製作之液晶顯示元件單元，藉由下列大氣壓電漿法(遠隔型大氣壓電漿放電處理裝置)，於第2圖所記載的透明基板5b上，形成透明導電層(稱為電漿CVD法PJ)。
(大氣壓電漿放電處理裝置)使用第4圖所記載的遠隔型大氣壓電漿放電處理裝置，於下列的製膜條件下形成透明導電層。
<電源條件>電源：SEREN社製高頻電源，100kHz、5W/cm2
<電極條件>[電極1(第4圖所記載的41a)]角形電極41a，係對30mm角狀的中空鈦管進行作為電介質之陶瓷噴鍍加工而製作。
電介質厚度：1mm電極寬度：300mm施加電極溫度：90℃
[電極2(第4圖所記載的41b)]電極41b，係對厚度4mm的鈦板進行作為電介質之陶瓷噴鍍加工而製作。此外，更如第4圖所記載般，裝設20mm角狀的中空鈦管作為電極41b的冷卻構件。
電極間(放電)空隙：0.5mm移動架台－電極間空隙：1.0mm
<氣體條件>藉由通氣使四甲基錫氣化。Ar氣體：1slm、20℃放電氣體：氮氣、200slm輔助氣體：氧氣、0.3slm
以將透明基板5b配置於最上方之方式，將上述製作出的液晶顯示元件單元配置於移動架台上，於10mm/sec的條件下連續進行掃描處理，而形成厚度12nm的透明導電層。
[液晶顯示元件3的製作]
使用上述液晶顯示元件1所製作之液晶顯示元件單元，藉由下列濺鍍法，於第2圖所記載的透明基板5b上，形成透明導電層。
(依據濺鍍法之透明導電層的形成)以92：8的質量比將In2 O3 粉末(純度99.99%)及SnO2 粉末(純度99.99%)予以混合後，進行成形及燒結，而製作出直徑為20cm的In2 O3 －SnO2 系高密度燒結體。將所獲得之In2 O3 －SnO2 系高密度燒結體安裝於分批式DC磁控濺鍍裝置，以進行透明導電層的形成。靶材上的磁通量密度設定為1000Gauss。濺鍍氣體係使用氬氣及氬氣與氧氣的混合氣體，於其他系統中導入至處理室內，將處理室內的到達真空度設定於5×10－4 Pa以下，濺鍍時的氣體壓力設定為0.5Pa，為時10分鐘，於加熱至100℃之液晶顯示元件單元的透明基板5b上，形成膜厚為10nm之In2 O3 －SnO2 系透明導電層。
[液晶顯示元件4的製作]
使用上述液晶顯示元件1所製作之液晶顯示元件單元，藉由下列塗佈方式，於第2圖所記載的透明基板5b上，形成透明導電層。
(摻雜Sn之氧化銦(ITO)微粒子A分散液的調製)首先調製出使硝酸銦80g溶解於水700g而成之溶液，以及使錫酸鉀12g溶解於濃度10質量%的氫氧化鉀溶液而成之溶液，並一邊將系統內保持於pH為11，一邊將這些溶液於1小時中添加於保持為50℃之1000g的純水中。從所獲得之摻雜Sn之氧化銦水合物分散液中，將摻雜Sn之氧化銦水合物予以過濾並洗淨，之後再於水中分散而調製出固形分濃度為10質量%的金屬氧化物前驅體氫氧化物分散液。將此金屬氧化物前驅體氫氧化物分散液，於溫度100℃下進行噴霧乾燥，而調製出金屬氧化物前驅體氫氧化物粉體。將此金屬氧化物前驅體氫氧化物粉體，於氮氣氛圍氣下於550℃中加熱2小時。
接著以使濃度成為30質量%之方式地分散於乙醇中，更於硝酸水溶液中將pH調整至3.5後，一邊將此混合液保持於30℃，一邊砂磨機中進行0.5小時的粉碎而調製出溶膠。然後加入乙醇以調製出濃度20質量%之摻雜Sn之氧化銦微粒子分散液A。以SEM測定平均粒徑，該結果為25nm。
(著色劑粒子B分散液的調製)將碳黑微粒子(三菱化學株式會社(日本)製：MA230)32g，乙醇268g，四丁氧基鋯(日本曹達株式會社(日本)製：ZR－181、ZrO2 濃度15質量%)40g，6質量%的硝酸3g予以混合，將此混合液於砂磨機中進行1.5小時的粉碎處理，而調製出固形分濃度為9.7質量%的著色劑粒子分散液B。著色劑粒子分散液B中之碳黑微粒子的平均粒徑為40nm。
(透明導電層形成用塗佈液的調製)以使調配比例成為86：14之方式，將上述調製出的摻雜Sn之氧化銦(ITO)微粒子A分散液與著色劑粒子B分散液予以混合，之後更以使固形分濃度成為1.0%之方式地以極性溶劑(乙醇/異丙基乙二醇/二丙酮醇＝質量比80/15/5)予以稀釋，而調製出透明導電層形成用塗佈液。
(透明導電層的形成)一邊將液晶顯示元件單元保持於35℃，一邊以旋轉法於200rpm、90秒的條件下，將上述透明導電層形成用塗佈液塗佈於透明基板5b上並予以乾燥。此時的膜厚為80nm。接著於180℃中進行30分鐘的燒結處理，而形成透明導電層。
《液晶顯示元件的評估》 [對液晶顯示元件之影響度的評估]
(顯示元件動作性的評估)將液晶注入於所製作之各液晶顯示元件的液晶層後，使進行動作並確認有否存在因短路等所造成之動作不良。於正常動作時為○，因短路等而造成動作不良時為×，以進行評估。
(對透明基板之適性的評估)以目視觀察形成有所製作之各液晶顯示元件的透明導電層之透明基板5b的破損狀態，未產生破損者為○，雖然僅有些許，但若產生破損者為△。
[透明導電層之表面比電阻的測定]
各透明導電層的表面比電阻(Ω/□)，係於常溫常濕(26℃、相對濕度50%)下，使用三菱Chemical Holding社(日本)製的Hiresta IP(MCP－HT450)、碳針MCP－HTP12，於施加電壓10V、測定時間10秒下進行測量。
依循上述測定所求取之表面比電阻值，若未滿1×105 (Ω/□)則判定為○，1×105 (Ω/□)以上且未滿1×108 (Ω/□)則判定為△，1×108 (Ω/□)以上則判定為×。
[透明導電層之光學性能的評估]
於製作上述各液晶顯示元件後，將形成有透明導電層之附有彩色濾光片的基板5b予以分解取出，對與形成有透明導電層之一面為相反側的透明基板面進行機械研磨，將彩色濾光片予以去除而形成0.3mm厚的透明基材。對此基材進行霧度及全光線透射率之比較。
(霧度的測定)使用霧度計(商品名稱：Haze Meter NDH2000、日本電色社(日本)製)，依循JIS K7105進行測定。依循上述測定所求取之霧度，若為0.3以下則判定為○，0.31~1.0未滿的範圍內則判定為△，1.0以上則判定為×。
(全光線透射率的測定)全光線透射率係使用分光光度計(商品名稱：UV3100、島津製作所(日本)製)進行測定。
透明導電層的全光線透射率，係對形成有透明導電層之0.3mm厚的透明基材樣本進行測定(透射率A)，此外亦同樣對不具有上述透明導電層之0.3mm厚的透明基材單獨樣本進行測定(透射率B)，並依循下式以求取透明導電層的全光線透射率C。
透明導電層的透射率C＝透射率A/透射率B×100
若依循上述測定所求取之透明導電層的全光線透射率C為99%以上，則判定為○，96~98%的範圍則判定為△，95%以下則判定為×。
[干涉波紋、白濁波紋的評估]
以上述各基板的帶電防止層為上方而放置於黑板上，從上方照射27W的三波長螢光燈，以目視方式調查干涉波紋的濃淡及白濁波紋的有無。評估係以未觀察出波紋者為○，觀察到些許波紋者為△，觀察到許多波紋者為×。
[透明導電層之密接性的評估]
於各透明導電層的表面上，使用黏著玻璃紙膠帶(Nichiban(日本)製、工業用24m m寬度的玻璃紙膠帶)，於相同處重覆進行10次的膠帶貼合及膠帶剝離，求取透明導電層產生剝離為止之剝離次數，依循下列基準進行密接性的評估。
○：即使進行10次的膠帶剝離，透明導電層亦不會產生剝離△：於4~9次的膠帶剝離操作下，透明導電層產生剝離×：於第1次的膠帶剝離操作下，透明導電層產生剝離
[鉛筆硬度的評估]
對上述各基板的帶電防止層表面進行鉛筆硬度的測定。鉛筆硬度係使用鉛筆硬度計(Yoshimitsu精機社(日本)製)，依循JIS K5400進行測定。
評估係以6H以上者為○，3H~5H的範圍者為△，2H以下者為×。
以上的評估結果如第1表所示。
從第1表所記載的結果中可得知，藉由本發明所規定之使用氮氣之大氣壓電漿法而形成透明導電層之本發明的樣本，相較於比較例，係不會對液晶顯示元件的構成構件產生影響，具有較佳的生產性，並且所形成之透明導電層具有優良的光透射性(透明性)、導電性(表面比電阻)、均一性及與透明基材之間的密接性、以及膜的硬度。
於實施例1之液晶顯示元件1~4的製作中，除了藉由ODF法，於重疊透明基板前，於包圍顯示區域之周邊區域上設置密封構件後滴入液晶，接著再將上側的透明基板予以覆蓋而形成液晶層之外，其他以同樣方式進行組裝，於液晶層中存在有液晶之狀態下，藉由實施例1所記載的各方法形成透明導電層，而製作出液晶顯示元件5~8。於液晶顯示元件5~8的製作中所使用之透明導電層形成方法，係分別對應於液晶顯示元件1~4的製作中所使用之透明導電層形成方法。
[液晶顯示元件的評估]
對於所製作之各液晶顯示元件，係以與實施例1所記載的方法為相同之方法，進行生產性、透明導電層的光透射性(全光線透射率)、導電性(表面比電阻)、及密接性的評估，此外更依循下列方法，進行液晶耐性的評估。
(液晶耐性的評估)對於所製作之各液晶顯示元件，係確認是否於液晶層中產生氣泡以及變色，並依循下列基準而進行液晶耐性的評估。
○：於液晶層中未產生氣泡，液晶亦完全不產生變質△：於液晶層中僅確認出微量的極細微氣泡，但液晶不產生變質，實用上為可容許之品質×：於液晶層中可明顯確認出氣泡的產生××：於液晶層中可明顯確認出氣泡的產生，且液晶產生變質
以上所獲得之結果如第2表所示。
從第2表所記載的結果中可得知，以ODF法填入液晶後，藉由本發明所規定之使用氮氣作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法而形成透明導電層之本發明的樣本，不會對液晶層產生不良影響，具有較佳的生產性，並且所形成之透明導電層具有優良的光透射性(全光線透射率)、導電性(表面比電阻)、及與透明基材之間的密接性。
1．．．彩色濾光片基板
2．．．陣列基板
3、104．．．液晶層
4、105．．．密封構件
5a、5b、103A、103B．．．透明基板
6．．．黑色矩陣區域
7R、7G、7B．．．彩色像素區域
8．．．保護膜
9．．．透明電極膜(電極)
10a、10b．．．配向膜
11．．．固形球狀間隔材
12、102．．．透明導電層
13、107．．．背光單元
21．．．大氣壓電漿放電處理裝置
22．．．包含放電氣體之氣體
23．．．混合氣體
24、25．．．流路
27．．．電極冷卻用構件
31．．．電源
41、41a、41b．．．電極
42．．．電介質
43．．．放電空間
44．．．中空構造
45．．．混合空間
46．．．基材
47．．．移動承載台、移動承載台電極
48．．．廢氣排氣流路
49．．．廢氣流路形成構件
100．．．液晶顯示面板
101、106．．．偏光板
A．．．上側基板
B．．．下側基板
C、D、E．．．電極單元
G．．．氣體
L．．．液晶(偏光元件)
第1圖係顯示本發明之具備背光單元之液晶顯示元件的構成的一例之概略剖面圖。
第2圖係顯示進行全彩顯示之液晶顯示元件的構成的一例之概略剖面圖。
第3圖係顯示本發明之液晶顯示元件的構成的其他例子之概略剖面圖。
第4圖係顯示本發明之遠隔型大氣壓電漿放電處理裝置的一例之概略圖。
第5圖係顯示本發明之遠隔型大氣壓電漿放電處理裝置的其他例子之概略圖。
第6圖係顯示本發明之直接型大氣壓電漿放電處理裝置的一例之概略圖。
100．．．液晶顯示面板
101、106．．．偏光板
102．．．透明導電層
103A、103B．．．透明基板
104．．．液晶層
105．．．密封構件
107．．．背光單元
A．．．上側基板
B．．．下側基板

Claims (8)

  1. 一種橫向電場方式液晶顯示裝置之製造方法，係具備液晶顯示面板、及用以讓光透射上述液晶顯示面板的顯示面側之背光單元；上述液晶顯示面板，於夾介液晶層而互為對向配置之透明基板中，於該一邊或兩邊的液晶層側之相當於單位像素的區域面上，具有顯示用電極及基準電極，於該基準電極與至少經由切換元件從影像訊號線供應有影像訊號之該顯示用電極之間，藉由與透明基板平行所產生之電場，將透射上述液晶層之光予以調變而構成之橫向電場方式液晶顯示裝置之製造方法，其特徵為：於上述液晶顯示面板的透明基板中，位於離上述背光單元較遠的一側之透明基板，係成為未形成上述切換元件之一側的透明基板，且於該透明基板之與液晶層為相反側的一面側，具備具有透光性之透明導電層，藉由至少使用氮氣作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法，至少於像素區域上形成該透明導電層。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之液晶顯示裝置之製造方法，其中，上述液晶顯示面板為橫向電場方式，此橫向電場方式，係於夾介液晶層而互為對向配置之透明基板中，於該一邊的液晶層側之相當於單位像素的區域面上，具有顯示用電極及基準電極，於該基準電極與至少經由切換元件從影像訊號線供應有影像訊號之上述顯示用電極之間，藉由與透明基板平行所產生之電場，將透射上述液晶層之光予以調變。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液晶顯示裝置之製造方法，其中，上述大氣壓電漿法，為於電極間未配置製膜的基板之遠隔式的大氣壓電漿法。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液晶顯示裝置之製造方法，其中，於將液晶填入於上述透明基板間所設置之液晶層後，藉由至少使用氮氣作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法，於透明基板之與該液晶層為相反側的一面側，形成具有透光性之透明導電層。
  5. 一種橫向電場方式液晶顯示裝置，係具備液晶顯示面板、及用以讓光透射上述液晶顯示面板的顯示面側之背光單元；上述液晶顯示面板，於夾介液晶層而互為對向配置之透明基板中，於該一邊或兩邊的液晶層側之相當於單位像素的區域面上，具有顯示用電極及基準電極，於該基準電極與至少經由切換元件從影像訊號線供應有影像訊號之該顯示用電極之間，藉由與透明基板平行所產生之電場，將透射上述液晶層之光予以調變而構成之橫向電場方式液晶顯示裝置，其特徵為：於上述液晶顯示面板的透明基板中，位於離上述背光單元較遠的一側之透明基板，係成為未形成上述切換元件之一側的透明基板，且於該透明基板之與液晶層為相反側的一面側，具備具有透光性之透明導電層，該透明導電層係藉由至少使用氮氣作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法，至少形成於像素區域上。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之液晶顯示裝置，其 中，上述液晶顯示面板為橫向電場方式，此橫向電場方式，係於夾介液晶層而互為對向配置之透明基板中，於該一邊的液晶層側之相當於單位像素的區域面上，具有顯示用電極及基準電極，於該基準電極與至少經由切換元件從影像訊號線供應有影像訊號之上述顯示用電極之間，藉由與透明基板平行所產生之電場，將透射上述液晶層之光予以調變。
  7. 如申請專利範圍第5或6項所記載之液晶顯示裝置，其中，上述大氣壓電漿法，為於電極間未配置製膜的基板之遠隔式的大氣壓電漿法。
  8. 如申請專利範圍第5或6項所記載之液晶顯示裝置，其中，於將液晶填入於上述透明基板間所設置之液晶層後，藉由至少使用氮氣作為薄膜形成氣體之大氣壓電漿法，於透明基板之與該液晶層為相反側的一面側，形成具有透光性之透明導電層。
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