JP2004124203A

JP2004124203A - 薄膜形成方法

Info

Publication number: JP2004124203A
Application number: JP2002292136A
Authority: JP
Inventors: Kikuo Maeda; 前田　菊男; Koji Fukazawa; 深沢　孝二; Koji Ozaki; 尾▲崎▼　浩司; Shigeru Tajima; 田島　茂; Kazuhiro Fukuda; 福田　和浩
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2002-10-04
Filing date: 2002-10-04
Publication date: 2004-04-22
Anticipated expiration: 2022-10-04
Also published as: JP4254190B2

Abstract

【課題】薄膜形成の際、基材の端部の部分の薄膜の膜厚を基材の端部以外のほとんどの部分と同じ膜厚に出来る薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２個の電極が対向する対向電極間（放電空間）を大気圧もしくはその近傍の圧力とし、該放電空間にガスを導入して高周波電圧を印加し、該ガスを励起させ、該励起したガスにより基材上に薄膜を形成する際に、一方の電極面と平行して相対的に移動する電極平面上に有する該基材の端部に接して、または該基材の端部の近傍にダミー基材を配置することを特徴とする薄膜形成方法。
【選択図】　　　　図８

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基材の薄膜形成方法に関し、特に均一な膜厚の薄膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＲＴ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、液晶画像表示装置等の画像表示装置の画面については、近年、その透過率やコントラストの向上、映り込み低減のために表面反射を低減させる反射防止技術等が多数提案されており、その一つの反射防止技術として、複数の異なる屈折率の膜を積層することによって、光の反射を減少させることが有効であるということが知られている。
【０００３】
このように基材に機能性の薄膜を複数積層することにより、新たな機能を持たせることが出来、複数の機能性薄膜を有する基材は、様々な技術分野で用いられている。上記のような基材の表面に特定の機能を付与した薄膜を形成する方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンビーム法、イオンプレーティング法、減圧下でのグロー放電を利用したプラズマＣＶＤ法などが知られている。
【０００４】
近年、例えば、大気圧プラズマ放電処理薄膜形成法が、蒸着法やスパッタリング法にくらべた時の生産設備の経済性、生産操作性の観点から考案され実用化されつつある（例えば、特許文献１参照。）。大気圧プラズマ放電処理方法のメリットとしては、真空にする必要がなく、また薄膜形成速度が早いことである。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−２４１１６５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
また、近年、上記画像表示装置の画面が大型化しつつあり、装置もそれに応じて大型化されるようになって来た。このような中で、薄膜形成した基材の膜厚の均一化が収率に大きく影響を及ぼすようになって来た。特に基材の端部（エッジ）の部分は印加される電界が、エッジが尖っていること、膜厚が急激に変化することと考えられる形成される膜厚が凸凹になり、このような部分は商品として不適切であり、裁ち落とすという無駄を生じ易い。更に裁ち落とすことによって、目的のサイズのものが出来なかったり、収率の低下で生産性のダウン、コストアップの原因となり好ましくない。
【０００７】
本発明は上記のような事情に鑑みなされたものであり、本発明の第１の目的は、薄膜形成の際、基材の端部の部分の薄膜の膜厚を基材の端部以外のほとんどの部分と同じ膜厚に出来る薄膜形成方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空プラズマＣＶＤ法、大気圧プラズマ放電処理方法等如何を問わず、薄膜形成の際に、基材の端部の薄膜膜厚の不均一性をなくし、収率よく、生産性に優れた薄膜形成方法を提案するものである。
【０００９】
特に、基材の大面積化に容易に対応出来る大気圧プラズマ放電処理方法による薄膜形成が好ましく、大気圧プラズマ放電処理方法は、電極の大きさを若干変えることによって小さいサイズから大面積のサイズまで対応出来、容易に大型化に対応出来るという特徴がある。
【００１０】
本発明は以下の構成よりなる。
（１）　少なくとも２個の電極が対向する対向電極間（放電空間）にガスを導入し、該放電空間に高周波電圧を印加し、該ガスを励起させ、該励起したガスに基材を晒すことにより該基材上に薄膜を形成する際に、一方の電極面と平行して相対的に移動する電極平面上に有する該基材の端部に接して、または該基材の端部の近傍にダミー基材を配置することを特徴とする薄膜形成方法。
【００１１】
（２）　少なくとも２個の電極が対向する対向電極間（放電空間）にガスを導入し、該放電空間に高周波電圧を印加し、該ガスを励起させ、該励起したガスを該放電空間外の処理空間に噴出させ、該処理空間において基材を該励起したガスに晒すことにより該基材上に薄膜を形成する際に、該対向電極の底面と平行して相対的に移動する架台上に有する該基材の端部に接して、または該基材の端部の近傍にダミー基材を配置することを特徴とする薄膜形成方法。
【００１２】
（３）　少なくとも２個の電極が対向する対向電極間（放電空間）を大気圧もしくはその近傍の圧力とし、該放電空間にガスを導入して高周波電圧を印加し、該ガスを励起させ、該励起したガスにより基材上に薄膜を形成する際に、一方の電極面と平行して相対的に移動する電極平面上に有する該基材の端部に接して、または該基材の端部の近傍にダミー基材を配置することを特徴とする薄膜形成方法。
【００１３】
（４）　少なくとも２個の電極が対向する対向電極間（放電空間）を大気圧もしくはその近傍の圧力とし、該放電空間にガスを導入して高周波電圧を印加し、該ガスを励起させ、該励起したガスを該放電空間外の処理空間に噴出させ、該処理空間において基材を該励起したガスに晒すことにより該基材上に薄膜を形成する際に、該対向電極と平行して相対的に移動する架台上に有する該基材の端部に接して、または該基材の端部の近傍にダミー基材を配置することを特徴とする薄膜形成方法。
【００１４】
（５）　前記基材の端部と前記ダミー基材の端部との距離を５ｍｍ以内として配置することを特徴とする（１）乃至（４）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００１５】
（６）　前記電極の底面と前記基材の面との距離をａとし、該電極の底面とダミー基材の面までの距離をｂとした時、（｜ａ−ｂ｜／ａ）×１００（％）が２０％以内とすることを特徴とする（１）乃至（５）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００１６】
（７）　前記基材が有する誘電率をｃとし、前記ダミー基材が有する誘電率をｄとした時、（｜ｃ−ｄ｜／ｃ）×１００（％）を２０％以内とすることを特徴とする（１）乃至（５）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００１７】
（８）　前記基材が枚葉基材であることを特徴とする（１）乃至（７）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００１８】
（９）　前記ダミー基材片を繰り返し使用することを特徴とする（１）乃至（８）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００１９】
（１０）　前記電極と前記基材が一方方向にまたは往復して相対的に移動することを特徴とする（１）乃至（９）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００２０】
（１１）　前記ガスが放電ガスと薄膜形成ガスを主構成成分とするものであることを特徴とする（１）乃至（１０）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００２１】
（１２）　前記ガスが放電ガスを主構成成分とするものであることを特徴とする（１）乃至（１０）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００２２】
（１３）　前記ガスが薄膜形成ガスを主構成成分とするものであることを特徴とする請求項（１）乃至（１０）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００２３】
（１４）　前記薄膜形成ガスが、有機金属化合物、ハロゲン化金属、金属水素化合物から選ばれる少なくとも一つの添加ガスを含有することを特徴とする（１１）または（１３）に記載の薄膜形成方法。
【００２４】
（１５）　前記有機金属化合物が下記一般式（Ｉ）で表されるものであることを特徴とする（１４）に記載の薄膜形成方法。
【００２５】
一般式（Ｉ）　Ｒ^１ _ｘＭＲ^２ _ｙＲ^３ _ｚ
式中、Ｍは金属、Ｒ^１はアルキル基、Ｒ^２はアルコキシ基、Ｒ^３はβ−ジケトン錯体基、β−ケトカルボン酸エステル錯体基、β−ケトカルボン酸錯体基及びケトオキシ基（ケトオキシ錯体基）から選ばれる基であり、金属Ｍの価数をｍとすると、ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｍであり、ｘ＝０〜ｍまたはｘ＝０〜ｍ−１であり、ｙ＝０〜ｍ、ｚ＝０〜ｍである。
【００２６】
（１６）　前記一般式（Ｉ）で表される有機金属化合物が、少なくとも一つのＲ^２のアルコキシ基を有するものであることを特徴とする（１５）に記載の薄膜形成方法。
【００２７】
（１７）　前記一般式（Ｉ）で表される有機金属化合物が、少なくとも一つのＲ^３のβ−ジケトン錯体基、β−ケトカルボン酸エステル錯体基、β−ケトカルボン酸錯体基及びケトオキシ基（ケトオキシ錯体基）から選ばれる基を有することを特徴とする（１５）または（１６）に記載の薄膜形成方法。
【００２８】
（１８）　前記一般式（Ｉ）で表される有機金属化合物のＭの金属が、チタン（Ｔｉ）、珪素（Ｓｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アンチモン（Ｓｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一つのものであることを特徴とする（１５）乃至（１７）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００２９】
（１９）　前記対向電極間に印加する電界が、周波数１００ｋＨｚを超える高周波電圧で、且つ１Ｗ／ｃｍ^２以上の電力密度を供給して放電させることを特徴とする（１）乃至（１８）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００３０】
（２０）　前記高周波電圧を印加する周波数を１５０ｋＨｚ以上とすることを特徴とする（１）乃至（１９）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００３１】
（２１）　前記高周波電圧をかける周波数を２００ｋＨｚ以上とすることを特徴とする（２０）に記載の薄膜形成方法。
【００３２】
（２２）　前記高周波電圧をかける周波数を８００ｋＨｚ以上とすることを特徴とする（２０）または（２１）に記載の薄膜形成方法。
【００３３】
（２３）　前記高周波電圧をかける周波数を１５０ＭＨｚ以下とすることを特徴とする（１９）乃至（２２）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００３４】
（２４）　前記電力密度を１．２Ｗ／ｃｍ^２以上とすることを特徴とする（１９）に記載の薄膜形成方法。
【００３５】
（２５）　前記電力密度を５０Ｗ／ｃｍ^２以下とすることを特徴とする（２４）記載の薄膜形成方法。
【００３６】
（２６）　前記電力密度を２０Ｗ／ｃｍ^２以下とすることを特徴とする（２５）に記載の薄膜形成方法。
【００３７】
（２７）　前記高周波電圧が、連続したサイン波であることを特徴とする（１）乃至（２６）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００３８】
（２８）　対向電極の少なくとも一方が誘電体で被覆されていることを特徴とする（１）乃至（２７）の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
【００３９】
（２９）　前記誘導体の非誘電率が６〜４５の無機物であることを特徴とする（２８）に記載の薄膜形成方法。
【００４０】
（３０）　前記誘電体を被覆した電極の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以下であることを特徴とする（２８）または（２９）に記載の薄膜形成方法。
【００４１】
本発明を詳述する。
本発明は、前述のごとく優れたメリットを有する大気圧プラズマ放電処理方法を用いて、薄膜形成の際の基材の端部の薄膜の凸凹をなくし、端から端まで膜厚が一定となる薄膜形成方法について説明する。
【００４２】
基材の端部は端が尖ったエッジとなっていることから、放電集中が起こり易く、異常な薄膜堆積が起こり易い。相対的に移動している基材（例えば、基材が移動架台に搭載されて架台ごと移動するか、対向している電極が移動する）がグロー放電が起こっている中に入る際に異常放電となり、薄膜形成が乱される。
【００４３】
図１は、基材がグロー放電の中に入る際に生じる異常放電の様子を示したイラスト的図である。
【００４４】
図１において、固定電極２の下の移動している移動架台１Ａの上の基材Ｆが、グロー放電３の中に入りはじめ、基材Ｆの端部（エッジ）Ｅの部分で異常放電が起こっている様を爆発マーク４Ａで示している。矢印５Ｂ及び矢印５Ｃは基材Ｆの進行状況を示している。矢印５Ｂの後の移動架台１Ｂでは、グロー放電が基材の平らな部分で行われ、異常放電が起こっていない状態を示している。次の矢印５Ｃの後では、基材Ｆの終わりのエッジＥにおいて異常放電（爆発マーク４Ｃ）が起こっている様子を示している。図１または以下の図において、下側の架台が移動するように図示されているが、本発明においては、上側の電極が移動してもよく、基材が相対的に移動すればよい。
【００４５】
基材上に形成された膜は、基材端部ではグロー放電の異常放電等により正常な膜厚と異なる膜厚となり、更に品質的にも正常部とは異なる性能になってしまう。基材端部の膜厚異常は、電極の種類、形状、大きさ、グロー放電、基材の厚さ、材質によっても多少異なるが、膜厚がもっとも大きく影響するようである。連続して移送するフィルム基材の場合には、フィルムの両端部に起こるものの、フィルムの厚さが比較的小さいので、影響される範囲はかなり狭く、裁ち落とし幅も少なくて済む。これに対して、厚さの大きいガラス板基材のような枚葉の基材の場合には、エッジが四方にあるため、異常部分が広範囲に出来、特に四隅の角においてはそれが顕著である。
【００４６】
本発明者は、この課題の解決のために、基材の端部に、基材とほぼ同じ厚さまたほぼ同程度の誘電率を有するダミー基材を該端部に接して、またはわずかに離れた近傍に配置して基材の端部に極端な孤立的なエッジを作らせないようにすることによって解決することを見いだした。
【００４７】
図２は、移動架台上の基材の周辺にダミー基材を配置した平面図の一例である。図２は、移動架台１の上に基材Ｆを置き、そのエッジＥに密着してダミー基材を周辺に配置した図である。このように密着してなくとも、以上な放電が起こらない程度にわずかに離して配置してもよい。
【００４８】
図３は、ダミー基材を基材の周囲に配置してグロー放電の中を移動して薄膜形成しているイラスト的図である。
【００４９】
図３は、移動架台１の上に基材Ｆを乗せ、該基材ＦのエッジＥのまわりにダミー基材ＤＦを配置して、グロー放電３の中を薄膜形成している図で、グロー放電３が乱れることなく、移動している基材の先頭から後尾まで均一なグロー放電に晒している様子を表している。
【００５０】
ここでいう、グロー放電は、前述の種々の薄膜形成方法において、薄膜形成の際に発生する好ましい放電の様を表現しており、後述のような励起した薄膜形成ガスに基材面を晒すの同義である。
【００５１】
本発明において、基材の端部にダミー基材を周辺に配置する端部からのダミー基材との距離は、好ましくは５ｍｍ以内であり、より好ましくは２ｍｍ以内、更に好ましいのは１ｍｍ以内である。最も好ましいのは、密着して配置することである。
【００５２】
また、薄膜形成に使用する基材の表面と上方にある電極の底面との距離をａとし、架台上のダミー基材面と上方に有る電極の底面との距離ｂとした時、（｜ａ−ｂ｜／ａ）×１００（％）が２０％以内として薄膜を形成することが好ましく、この程度であれば異常放電は起こりにくくなる。より好ましくは１０％以内、更に好ましくは５％以内である。最も好ましいのは、差が全くない０％である。架台面が全くの平面である場合には、基材とダミー基材の厚さの差がほとんどないことが好ましく、最も好ましくは差が全くないことである。架台に段差がある場合には、上方の電極の底面と基材面及びダミー基材面との距離がほとんどないことが好ましいが、上記のように距離の割合が２０％以内であることが好ましい。
【００５３】
更に、基材とダミー基材の誘電率にも依存するから、基材と出来るだけ誘電率の等しいダミー基材を使用することが望まれる。本発明においては、基材が有する誘電率をｃとし、ダミー基材が有する誘電率をｄとした時、（｜ｃ−ｄ｜／ｃ）×１００（％）を２０％以内として薄膜形成することが好ましく、この程度あれば異常放電は起こりにくくなる。より好ましくは６％以内、最も好ましくは全く同質で誘電率の差のないものである。
【００５４】
なお、図面には図示してないが、基材の端部にダミー基材端部に接して、またはわずかに離れた近傍に配置して基材の端部とダミー基材の端部との間、またはダミー基材同士の端部との間に極端な孤立的なエッジを作らせないようにテープを貼ってつなぐこともより好ましい方法である。
【００５５】
本発明において、上述の方法のうち、最も扱い易くしかも安定した薄膜形成方法及び装置の代表として、大気圧プラズマ放電処理方法及び装置について述べることとする。
【００５６】
本発明に係る大気圧プラズマ放電処理方法は、上述のように、対向電極間（放電空間にガスを導入して二つの電極に高周波電圧を印加し放電ガスを励起させ、放電ガスからエネルギーを受けて励起した薄膜形成ガスに基材を晒すことによって、基材上に薄膜を形成させるという方法である。このようなガスの対向電極間（放電空間）への導入の仕方、基材にどこで薄膜を形成させるか等、大まかに言って下記の四つの方法がある。しかし、本発明においてはこれらに限定されない。
【００５７】
１）放電ガスと薄膜形成ガスを主構成成分とする混合ガスを放電空間に導入し、高周波電圧を印加し放電ガスと薄膜形成ガスを励起させ、該放電空間において励起した薄膜形成ガスに基材を晒す方法
２）放電ガスと薄膜形成ガスを主構成成分とする混合ガスを放電空間に導入し、高周波電圧を印加し放電ガスと薄膜形成ガスを励起させ、該放電空間から励起した薄膜形成ガスを基材のある放電空間外の処理空間にジェット状に吹き出させ、該処理空間において励起した薄膜形成ガスに基材を晒す方法
３）放電ガスを主構成成分とするガスと薄膜形成ガスを主構成成分とするガスを別々に放電空間に導入し、高周波電圧を印加し放電ガスと薄膜形成ガスを励起させ、該放電空間において励起した薄膜形成ガスに基材を晒す方法
４）放電空間に放電ガスを主構成成分のガスを導入し、高周波電圧を印加し放電ガスを励起させ、該励起したガスを放電空間外の処理空間にジェット状に吹き出させ、また薄膜形成ガスを主構成成分とするガスを別に処理空間に導入して、該放電空間から励起した放電ガスを別に処理空間に導入した薄膜形成ガスと接触させ、励起した薄膜形成ガスに基材を晒す方法。
【００５８】
大気圧プラズマ放電処理装置は、二つの電極が、例えば片方の電極がアース電極で、対向する位置に配置された他方の電極が印加電極で構成する対向電極、電圧印加手段、ガス供給手段及び電極温度調節手段を少なくとも有しているものであり、更に枚葉の基材に薄膜を形成する場合には基材を搭載して移動する移動手段を有している。以下図により説明する。
【００５９】
図４は、本発明に有用な薄膜形成装置の一例の概略図である。
図４の薄膜形成装置は、対向電極を有するプラズマ放電装置１０、高周波電圧を印加する電圧印加手段４０及び放電空間にガスを供給するガス供給手段５０及び移動手段７０を有している。
【００６０】
プラズマ放電装置１０には中央部にスリット１４を有する電極１１と移動架台電極１５があり、移動架台電極１５は印加電極の電極１１の下側に位置し、電極１１とアース電極の移動架台電極１５とで対向電極を構成している。１１Ａは電極の導電性金属質母材であり、１１Ｂはその上に被覆してある誘電体である。金属質母材及び誘電体については後述する。移動架台電極１５の上には基材（枚葉基材）Ｆを搭載しており、移動架台電極は移動手段７０により移動しながら基材Ｆの上に薄膜形成が行われるようになっており、薄膜形成後、移動架台電極は図４で右側（ガスに晒さない空間２０）に移動してするようになっている（移動架台電極１５′）。移動架台電極１５の移動手段は水平にスムースに移動出来る手段であれば制限なく、図示してないが、移動架台電極１５の底面（図面下側）に車輪を付けて、レールの上を移動するようなものでも、移動架台電極１５がリニアガイド上に載せられ、図示してない駆動装置（サーボモーターとボールねじ）により移動出来るようなものでも、また移動架台電極１５に車輪を付けて、レールの上を移動するようなものでも、更に移動架台電極１５が摺動により移動するものでもよい。４２はアース結線である（アース結線はこれに限らない）。なお、移動架台電極１５の１５Ａと１５Ｂは導電性の金属質母材とその上に被覆してある誘電体を示している。電極１１及び移動架台電極１５の内部は温度調節のためのジャケットになっている（不図示）。
【００６１】
薄膜形成は、まず、電極１１と移動架台電極１５とで構成される対向電極間の放電空間１３を大気圧近傍の圧力とし、ガス供給手段５０のガス供給装置５１から供給されるガスＭＧ（薄膜形成用のガス、ここでは後述の放電ガス、薄膜形成ガス、補助ガス等の混合ガス）を、ガス供給管５２から電極１１内のスリット１４を通して、電極１１の底面にあるスリット出口１２から放出させ、放電空間１３に満たす。電圧印加手段４０の高周波電源４１から高周波電圧を印加し、放電空間１３に放電を発生させて、ガスＭＧを励起して（先ず後述の放電ガスが励起し、次いで薄膜形成ガスがエネルギーを受け励起する）ガスＧ°とし、移動架台電極１５上に搭載されている基材Ｆの先頭から後尾まで進行に従ってガスＧ°に晒し、基材全体に薄膜が形成される。
【００６２】
移動架台電極１５′は、元の位置に戻りながら後尾であった基材Ｆを先頭から、該薄膜の上に薄膜が積層され、移動架台電極１５が移動しながら図４の左方向のガスに晒さない空間２０′に移動する。
【００６３】
本発明においては、対向電極のいずれが移動してもよく、基材Ｆが搭載されている電極が固定で、その対向する電極が移動してもよい。つまり相対的に移動するのである。
【００６４】
また、本発明において、移動する方向は、必ずしも両方向、つまり図５のように往復移動をしなくとも、ガスに晒される空間及びガスに晒されない空間が連続して並んでいて、一方向に移動してもよい。
【００６５】
更に、２種の異なったガスを用いる場合、対向電極を、ガスに晒されない空間を挟んで反対側にも同様な対向電極があってもよい。
【００６６】
プラズマ放電装置１０のプラズマ放電処理容器１０Ａはパイレックス（Ｒ）ガラス製の処理容器等が好ましく用いられるが、電極との絶縁がとれれば金属製を用いることも可能である。例えば、アルミニウムまたは、ステンレススティールのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けてもよく、該金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとってもよい。
【００６７】
図５は、図４の電極１１を底面側から見上げた斜視図である。電極の底面１１Ｔにはスリット出口１２が開いており、スリット１４は電極１１の内部を通り、電極１１上部ではガス供給管５２に接続している。電極１１の内部ではスリットが如何なる形をしていても構わないが、電極１１の底部スリット（直線）からはガスが電極の長さ方向に対して均一に同じ強さで吹き出すようになっていればよい。スリット出口１２の長さは該電極の長さよりやや短く、電極の底部１１Ｔ（対向している電極に相対する面）でスリット出口１２の両端部は閉じられている。また電極の内部には空洞があり、電極温度を調節出来るジャケットとなっている。電極の底面１１Ｔに開放されているスリット出口１２の幅は０．５〜１０ｍｍ程度あればよい。電極１１の本体は、金属質母材１１Ａで出来ている。該電極の底面１１Ｔ及び該底面に接する側面から３０ｍｍ以上の高さまで（勿論スリットの面も同様）立ち上がるように下記のような誘電体１１Ｂを金属質母材表面に被覆してある。
【００６８】
電極及び移動架台の母材は導電性の金属質のもので形作られている。また少なくとも一方の電極の導電性の金属質母材には、対向する電極の対向面上には固体誘電体が被覆されていることが好ましい。金属質母材及び誘電体の材質については、放電条件にも関係するので、詳しくは後述するが、ここでは概略的なことを以下述べておく。
【００６９】
導電性の金属質母材（図５において１１Ａ）としては、チタン金属またはチタン合金、銀、白金、ステンレススティール、アルミニウム、鉄等の金属等や、鉄とセラミックスとの複合材料またはアルミニウムとセラミックスとの複合材料を挙げることが出来るが、後述の理由からはチタン金属またはチタン合金が特に好ましい。
【００７０】
誘電体（図５において１１Ｂ）は、導電性の金属質母材の上に誘電体としてのセラミックスを溶射後、無機化合物の封孔材料を用いて封孔処理したセラミックス被覆処理したものである。セラミックス誘電体は片肉で１〜１０ｍｍ程度被覆されていればよい。溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、特に好ましく用いられる。また、誘電体層が、ガラスライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体であってもよい。
【００７１】
対向電極の電極間距離は、導電性の金属質母材に設けた誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して決定されるが、電極の一方に誘電体を設けた場合の誘電体表面と導電性の金属質母材表面の最短距離、上記電極の双方に誘電体を設けた場合の誘電体表面同士の距離としては、いずれの場合も均一な放電を行う観点から０．５〜２０ｍｍが好ましく、特に好ましくは０．５〜５ｍｍである。
【００７２】
電極の底面１１Ｔの金属質母材１１Ａ表面には大気圧プラズマ法により高密度、高密着性のアルミナ溶射膜が被覆されている。その後、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化させ封孔処理を行う。
【００７３】
図６は、本発明に有用な薄膜形成装置の一例の概略図である。図６は、放電空間と薄膜形成する空間とが別々になっているジェット方式といわれる薄膜形成装置である。
【００７４】
図６において、プラズマ放電装置１１０内に印加電極１１１とアース電極１１２の２個の電極で対向電極を構成している。電極１１１と１１２の１１１Ａと１１２Ａは導電性の金属質母材であり、１１１Ｂと１１２Ｂはその上に被覆してある誘電体である。この装置においては、該対向電極間が放電空間１１３となっており、該対向電極の底面（１１１と１１２との図面の下側）と移動架台１１６（または基材Ｆ面）とで形成するところは処理空間１１４である。移動架台１１６の上には基材Ｆが搭載されている。また、該移動架台１１６はアースに接地されておらず、電極ではなく単なる移動架台である。移動架台１１６は全体が絶縁体から出来ていてもよいが、金属製の台の周りを絶縁体で覆ったものでもよく、電気が絶縁されていればよい。
【００７５】
図６において、放電空間１１３及び処理空間１１４を大気圧近傍の圧力とし、ガスＭＧ（放電ガスと薄膜形成ガスの混合ガス）をガス供給管１５２から放電空間１１３に導入し、放電空間１１３に高周波電源１４１から高周波電圧を印加しガスＭＧを励起し、該励起したガスＧ°（励起した薄膜形成ガス）となり、ジェットのような流れでジェット噴出口１１５から処理空間１１４に噴射され、基材Ｆの上で薄膜形成が行われる。基材Ｆは移動架台１１５の上に搭載されており、該移動架台１１６が移動手段１７０によりガスに晒さない空間１２０及び１２０′に移動出来るようになっている。
【００７６】
図７は、本発明に有用な薄膜形成装置の一例の概略図である。
図７は薄膜形成に係るガスを分けて導入する電極を有する装置である。プラズマ放電装置２１０内の電極は少なくとも三つに分かれている。そのうちの一つの電極２１１は第１のガスＧ１が導入されるスリット２１４を有する独立した電極でアース電極となっている。これに対して、アース電極の両側に２個の電極２１２が電極２１１とで対向電極を構成している。対向電極の電極２１１と電極２１２との間は放電空間２１３となっている（この放電空間は電極２１１の両側面と電極２１１の壁で挟まれた空間で形成される）。対向電極（電極２１１と２１２）の下側には、基材Ｆを搭載している移動架台２１７があり、電極２１１と電極２１１の両方の電極の対向電極の底面と移動架台２１５とで作る励起ガスの晒す空間（処理空間ともいう）２１６が構成される。放電空間２１３、スリット２１４及び処理空間２１６を大気圧近傍の圧力としておく。第１のガスＧ１（ここでは薄膜形成ガスを主構成成分とするガス）は、ガス供給管２５２から電極２１１のスリット２１４を通り処理空間２１６に放出される。一方、同時に、第２のガスＧ２（放電ガスを主構成成分とするガス）は、ガス供給手段からガス供給管２５３を経て、放電空間２１３に導入され、高周波電源２４１から高周波電圧を印加し、第２のガスＧ２を励起し、ジェット状に噴出部２１５から処理空間２１６に噴出させる。励起した第２のガスＧ２と第１のガスＧ１は、処理空間２１６で混合し、ここで第１のガスＧ１は励起したガスＧ２からエネルギーを受け取り励起した第１のガス（薄膜形成ガス）Ｇ°となり、励起した薄膜形成ガスＧ°を移動架台上の基材に晒すことによって薄膜が形成される。なお、図７においては、金属質母材と誘電体については省略されている。
【００７７】
図８は、本発明に有用な図４のプラズマ放電装置を２基配列した薄膜形成装置の一例の概略図である。
【００７８】
図８は、２種の異なるガスを使用して交互に薄膜形成して積層する光学素子を作製するのに適した薄膜形成装置である。図８の左側の装置の記号は図４と同様であり、右側の装置の記号については、１１′は電極、１１′Ａは電極の金属質母材、１１′Ｂは電極の誘電体、１３′は放電空間、１４′はスリット、５２′はガス供給管、Ｆ′は移動した基材、ＤＦ′は移動したダミー基材である。ガス供給管５２からガスＭＧＡをスリット１４に導入し、スウィッチ４３に接続した高周波電源から高周波電圧を放電空間に印加し、放電空間１３において励起したガスＧＡ°に基材Ｆを晒して励起したガスＧＡ°により薄膜を形成した後、移動架台電極１５を右側に移動する。その時、スウィッチ４３をスウィッチ４３′に切り替える。電極１１′のスリット１４′にガス供給管５２′からガスＭＧＢを導入し、高周波電源４１から放電空間１３′に高周波電圧を印加し、ガスＭＧＢを励起させ、励起したガスＧＢ°に薄膜形成された基材を晒して、薄膜の上にガスＧＢ°により薄膜が形成される。この操作を繰り返すことによって、積層した光学素子を作製することが出来る。
【００７９】
図９は、本発明に有用な図６のプラズマ放電装置を２基配列した薄膜形成装置の一例の概略図である。
【００８０】
図９は、２種の異なるガスを使用して交互に薄膜形成して積層する光学素子を作製するのに適した薄膜形成装置である。図９の左側の装置の記号は図６と同様であり、右側の装置の記号については、１１１′及び１１２′は電極で対向電極を構成している。１１１′Ａ及び１１２′は電極の金属質母材、１１１′Ｂ及び１１２′Ｂは電極の誘電体、１１３′は放電空間、１１４′は処理空間、１１５′はジェット噴射口、１５２′はガス供給管、Ｆ′は移動した基材、ＤＦ′は移動したダミー基材である。
【００８１】
ガス供給管１５２からガスＭＧＡを放電空間１１３に導入し、スウィッチ１４３に接続した高周波電源から高周波電圧を放電空間に印加し、放電空間１１３において励起したガスＭＧＡをジェット状に噴射口１１５から移動架台１１６に噴射して、励起した薄膜形成ガスＧＡ°に基材Ｆを晒して薄膜を形成した後、移動架台１１６を右側に移動する。その時、スウィッチ１４３をスウィッチ１４３′に切り替える。電極対向の放電空間１１３′にガス供給管１５２′からガスＭＧＢを導入し、高周波電源１４１から放電空間１１３′に高周波電圧を印加しガスＭＧＢを励起させてジェット噴射口１１５′から処理空間１１４′に噴射させて、励起した薄膜形成ガスＧＢ°に基材Ｆ′を晒して、薄膜を形成させる。この操作を繰り返すことによって、積層した光学素子を作製することが出来る。
【００８２】
本発明において、放電プラズマ処理時の基材への影響を最小限に抑制するために、放電プラズマ処理時の基材の温度を常温（１５℃〜２５℃）〜３００℃の温度に調整することが好ましい。上記の温度範囲に調整するため、必要に応じて電極、基材は温度調節手段で冷却や加熱をしながら放電プラズマ処理される。
【００８３】
本発明において、プラズマ放電処理が大気圧もしくはその近傍の圧力で行われるが、ここで大気圧近傍とは、２０ｋＰａ〜１１０ｋＰａの圧力を表すが、本発明に記載の良好な効果を得るためには、９３ｋＰａ〜１０４ｋＰａが好ましい。
【００８４】
本発明に係る大気圧プラズマ放電処理方法において、対向する電極間に印加する高周波電圧は、１００ｋＨｚを越えた高周波電圧で、且つ、１Ｗ／ｃｍ^２以上の電力（出力密度）を供給し、薄膜形成ガスを励起してプラズマを発生させることによって、基材上に緻密な薄膜を形成することが出来る。
【００８５】
本発明において、対向電極間に印加する高周波電圧の周波数の上限値は、好ましくは１５０ＭＨｚ以下であり、より好ましくは１５ＭＨｚ以下である。また、高周波電圧の周波数の下限値としては、好ましくは２００ｋＨｚ以上、より好ましくは８００ｋＨｚ以上である。しかし、放電ガスの種類によっては３ｋＨｚ以上の高周波電源を使用することもある。
【００８６】
また、電極間に供給する電力の上限値とは、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ^２以下、より好ましくは２０Ｗ／ｃｍ^２以下である。下限値は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ^２以上である。尚、放電面積（ｃｍ^２）は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。
【００８７】
高周波電源より印加電極に印加される電圧の値は適宜決定されるが、例えば、電圧が１０Ｖ〜１０ｋＶ程度で、上記のように電源周波数は１００ｋＨｚを越えて１５０ＭＨｚ以下に調整される。
【００８８】
ここで電源の印加法に関しては、連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードとパルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モードのどちらを採用しても良いが連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られる。
【００８９】
本発明においては、このような電圧を印加して、均一なグロー放電状態を保つことが出来る電極をプラズマ放電処理装置に採用する必要がある。
【００９０】
本発明においては、印加電極に電圧を印加する電源としては、特に限定はないが、神鋼電機製高周波電源（３ｋＨｚ）、神鋼電機製高周波電源（５ｋＨｚ）、神鋼電機製高周波電源（１０ｋＨｚ）、春日電機製高周波電源（１５ｋＨｚ）、神鋼電機製高周波電源（５０ｋＨｚ）、ハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）、パール工業製高周波電源（２００ｋＨｚ）、パール工業製高周波電源（８００ｋＨｚ）、パール工業製高周波電源（２ＭＨｚ）、パール工業製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、パール工業製高周波電源（２７ＭＨｚ）、パール工業製高周波電源（１５０ＭＨｚ）等が使用出来る。好ましくは、１００ｋＨｚ超〜１５０ＭＨｚの高周波電源であり、より好ましくは、８００ｋＨｚ〜１５ＭＨｚのものである。
【００９１】
このような大気圧プラズマＣＶＤ法に使用する電極は、構造的にも、性能的にも過酷な条件に耐えられるものでなければならないので、下記のような導電性の金属質母材上に誘電体を被覆した電極が好ましい。
【００９２】
本発明に使用する誘電体被覆電極においては、様々な導電性の金属質母材と誘電体との間に特性が合うものが好ましく、その一つの特性として、導電性の金属質母材と誘電体との線熱膨張係数の差が１０×１０^−６／℃以下となる組み合わせのものである。好ましくは８×１０^−６／℃以下、さらに好ましくは５×１０^−６／℃以下、さらに好ましくは２×１０^−６／℃以下である。尚、線熱膨張係数とは、周知の材料特有の物性値である。
【００９３】
線熱膨張係数の差が、この範囲にある導電性の金属質母材と誘電体との組み合わせとしては、
▲１▼導電性の金属質母材が純チタンまたはチタン合金で、誘電体がセラミックス溶射被膜
▲２▼導電性の金属質母材が純チタンまたはチタン合金で、誘電体がガラスライニング
▲３▼導電性の金属質母材がステンレススティールで、誘電体がセラミックス溶射被膜
▲４▼導電性の金属質母材がステンレススティールで、誘電体がガラスライニング
▲５▼導電性の金属質母材がセラミックスおよび鉄の複合材料で、誘電体がセラミックス溶射被膜
▲６▼導電性の金属質母材がセラミックスおよび鉄の複合材料で、誘電体がガラスライニング
▲７▼導電性の金属質母材がセラミックスおよびアルミの複合材料で、誘電体がセラミックス溶射皮膜
▲８▼導電性の金属質母材がセラミックスおよびアルミの複合材料で、誘電体がガラスライニング
等がある。線熱膨張係数の差という観点では、上記▲１▼または▲２▼、及び▲５▼〜▲８▼が好ましく、特に▲１▼が好ましい。
【００９４】
本発明において、導電性の金属質母材は、上記の特性からはチタンまたはチタン合金が特に有用である。導電性の金属質母材をチタンまたはチタン合金とすることにより、誘電体を上記とすることにより、使用中の電極の劣化、特にひび割れ、剥がれ、脱落等がなく、過酷な条件での長時間の使用に耐えることが出来る。
【００９５】
本発明に有用な電極の導電性の金属質母材は、チタンを７０質量％以上含有するチタン合金またはチタン金属である。本発明において、チタン合金またはチタン金属中のチタンの含有量は、７０質量％以上であれば、問題なく使用出来るが、好ましくは８０質量％以上のチタンを含有しているものが好ましい。本発明に有用なチタン合金またはチタン金属は、工業用純チタン、耐食性チタン、高力チタン等として一般に使用されているものを用いることが出来る。工業用純チタンとしては、ＴＩＡ、ＴＩＢ、ＴＩＣ、ＴＩＤ等を挙げることが出来、何れも鉄原子、炭素原子、窒素原子、酸素原子、水素原子等を極僅か含有しているもので、チタンの含有量としては、９９質量％以上を有している。耐食性チタン合金としては、Ｔ１５ＰＢを好ましく用いることが出来、上記含有原子の他に鉛を含有しており、チタン含有量としては、９８質量％以上である。また、チタン合金としては、鉛を除く上記の原子の他に、アルミニウムを含有し、その他バナジウムや錫を含有しているＴ６４、Ｔ３２５、Ｔ５２５、ＴＡ３等を好ましく用いることが出来、これらのチタン含有量としては、８５質量％以上を含有しているものである。これらのチタン合金またはチタン金属はステンレススティール、例えばＡＩＳＩ３１６に比べて、熱膨張係数が１／２程度小さく、導電性の金属質母材としてチタン合金またはチタン金属の上に施された後述の誘電体との組み合わせがよく、高温、長時間での使用に耐えることが出来る。
【００９６】
一方、誘電体の求められる特性としては、具体的には、比誘電率が６〜４５の無機化合物であることが好ましく、また、このような誘電体としては、アルミナ、窒化珪素等のセラミックス、あるいは、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス等のガラスライニング材等がある。この中では、後述のセラミックスを溶射したものやガラスライニングにより設けたものが好ましい。特にアルミナを溶射して設けた誘電体が好ましい。
【００９７】
または、上述のような大電力に耐える仕様の一つとして、誘電体の空隙率が１０体積％以下、好ましくは８体積％以下であることで、好ましくは０体積％を越えて５体積％以下である。尚、誘電体の空隙率は、誘電体の厚み方向に貫通性のある空隙率を意味し、水銀ポロシメーターにより測定することが出来る。後述の実施例においては、島津製作所製の水銀ポロシメーターにより導電性の金属質母材に被覆された誘電体の空隙率を測定した。誘電体が、低い空隙率を有することにより、高耐久性が達成される。このような空隙を有しつつも空隙率が低い誘電体としては、後述の大気プラズマ溶射法等による高密度、高密着のセラミックス溶射被膜等を挙げることが出来る。さらに空隙率を下げるためには、封孔処理を行うことが好ましい。
【００９８】
上記、大気プラズマ溶射法は、セラミックス等の微粉末、ワイヤ等をプラズマ熱源中に投入し、溶融または半溶融状態の微粒子として被覆対象の母材に吹き付け、皮膜を形成させる技術である。プラズマ熱源とは、分子ガスを高温にし、原子に解離させ、さらにエネルギーを与えて電子を放出させた高温のプラズマガスである。このプラズマガスの噴射速度は大きく、従来のアーク溶射やフレーム溶射に比べて、溶射材料が高速で母材に衝突するため、密着強度が高く、高密度な被膜を得ることが出来る。詳しくは、特開２０００−３０１６５５に記載の高温被曝部材に熱遮蔽皮膜を形成する溶射方法を参照することが出来る。この方法により、上記のような被覆する誘電体（セラミック溶射膜）の空隙率にすることが出来る。
【００９９】
また、大電力に耐える別の好ましい仕様としては、誘電体の厚みが０．５〜２ｍｍであることである。この膜厚変動は、５％以下であることが望ましく、好ましくは３％以下、さらに好ましくは１％以下である。
【０１００】
誘電体の空隙率をより低減させるためには、上記のようにセラミックス等の溶射膜に、更に、無機化合物で封孔処理を行うことが好ましい。前記無機化合物としては、金属酸化物が好ましく、この中では特に酸化ケイ素（ＳｉＯ_ｘ）を主成分として含有するものが好ましい。
【０１０１】
封孔処理の無機化合物は、ゾルゲル反応により硬化して形成したものであることが好ましい。封孔処理の無機化合物が金属酸化物を主成分とするものである場合には、金属アルコキシド等を封孔液として前記セラミック溶射膜上に塗布し、ゾルゲル反応により硬化する。無機化合物がシリカを主成分とするものの場合には、アルコキシシランを封孔液として用いることが好ましい。
【０１０２】
ここでゾルゲル反応の促進には、エネルギー処理を用いることが好ましい。エネルギー処理としては、熱硬化（好ましくは２００℃以下）や、紫外線照射などがある。更に封孔処理の仕方として、封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な電極が出来る。
【０１０３】
本発明に係る誘電体被覆電極の金属アルコキシド等を封孔液として、セラミックス溶射膜にコーティングした後、ゾルゲル反応で硬化する封孔処理を行う場合、硬化した後の金属酸化物の含有量は６０モル％以上であることが好ましい。封孔液の金属アルコキシドとしてアルコキシシランを用いた場合には、硬化後のＳｉＯ_ｘ（ｘは２以下）含有量が６０モル％以上であることが好ましい。硬化後のＳｉＯ_ｘ含有量は、ＸＰＳにより誘電体層の断層を分析することにより測定する。
【０１０４】
本発明の薄膜形成方法に係る電極においては、電極の少なくとも基材と接する側のＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が１０μｍ以下になるように調整することが、本発明に記載の効果を得る観点から好ましいが、更に好ましくは、表面粗さの最大値が８μｍ以下であり、特に好ましくは、７μｍ以下に調整することである。このように誘電体被覆電極の誘電体表面を研磨仕上げする等の方法により、誘電体の厚み及び電極間距離を一定に保つことが出来、放電状態を安定化出来ること、更に熱収縮差や残留応力による歪やひび割れを無くし、かつ、高精度で、耐久性を大きく向上させることが出来る。誘電体表面の研磨仕上げは、少なくとも基材と接する側の誘電体において行われることが好ましい。更にＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定される中心線平均表面粗さ（Ｒａ）は０．５μｍ以下が好ましく、更に好ましくは０．１μｍ以下である。
【０１０５】
本発明に使用する誘電体被覆電極において、大電力に耐える他の好ましい仕様としては、耐熱温度が１００℃以上であることである。更に好ましくは１２０℃以上、特に好ましくは１５０℃以上である。また上限は５００℃である。なお、、耐熱温度とは、絶縁破壊が発生せず、正常に放電出来る状態において耐えられる最も高い温度のことを指す。このような耐熱温度は、上記のセラミックス溶射や、泡混入量の異なる層状のガラスライニングで設けた誘電体を適用したり、下記導電性の金属質母材と誘電体の線熱膨張係数の差の範囲内の材料を適宜選択する手段を適宜組み合わせることによって達成可能出来る。
【０１０６】
次に、本発明に使用する薄膜を形成する放電処理用ガスについて説明する。放電処理用ガスは、主として放電ガスと薄膜形成ガスを構成成分としている。更に補助ガス（添加ガスともいう）を成分に加えることもある。
【０１０７】
放電ガスとは、処理を可能なグロー放電を起こすことの出来るガスであり、それ自身がエネルギーを授受する媒体として働くガスで、プラズマ放電を発生させるに必要なガスである。放電ガスとしては、窒素、希ガス、空気、水素、酸素などがあり、これらを単独で放電ガスとして用いても、混合して用いてもかまわない。希ガスとしては、周期表の第１８属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等を挙げることが出来、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられる。放電ガスの量は、放電空間に供給する全ガス量に対し、９０〜９９．９体積％含有することが好ましい。
【０１０８】
本発明に使用する薄膜形成ガスとしては、有機金属化合物、ハロゲン金属化合物、金属水素化合物等を挙げることが出来る。
【０１０９】
本発明に有用な有機金属化合物は下記の一般式（Ｉ）で示すものが好ましい。
一般式（Ｉ）　Ｒ^１ _ｘＭＲ^２ _ｙＲ^３ _ｚ
式中、Ｍは金属、Ｒ^１はアルキル基、Ｒ^２はアルコキシ基、Ｒ^３はβ−ジケトン錯体基、β−ケトカルボン酸エステル錯体基、β−ケトカルボン酸錯体基及びケトオキシ基（ケトオキシ錯体基）から選ばれる基であり、金属Ｍの価数をｍとした場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｍであり、ｘ＝０〜ｍ、またはｘ＝０〜ｍ−１であり、ｙ＝０〜ｍ、ｚ＝０〜ｍで、何れも０または正の整数である。Ｒ^１のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等を挙げることが出来る。Ｒ^２のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、３，３，３−トリフルオロプロポキシ基等を挙げることが出来る。またアルキル基の水素原子をフッ素原子に置換したものでもよい。Ｒ^３のβ−ジケトン錯体基、β−ケトカルボン酸エステル錯体基、β−ケトカルボン酸錯体基及びケトオキシ基（ケトオキシ錯体基）から選ばれる基としては、β−ジケトン錯体基として、例えば、２，４−ペンタンジオン（アセチルアセトンあるいはアセトアセトンともいう）、１，１，１，５，５，５−ヘキサメチル−２，４−ペンタンジオン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン等を挙げることが出来、β−ケトカルボン酸エステル錯体基として、例えば、アセト酢酸メチルエステル、アセト酢酸エチルエステル、アセト酢酸プロピルエステル、トリメチルアセト酢酸エチル、トリフルオロアセト酢酸メチル等を挙げることが出来、β−ケトカルボン酸として、例えば、アセト酢酸、トリメチルアセト酢酸等を挙げることが出来、またケトオキシとして、例えば、アセトオキシ基（またはアセトキシ基）、プロピオニルオキシ基、ブチリロキシ基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等を挙げることが出来る。これらの基の炭素原子数は、上記例有機金属示化合物を含んで、１８以下が好ましい。また例示にもあるように直鎖または分岐のもの、また水素原子をフッ素原子に置換したものでもよい。
【０１１０】
本発明において取り扱いの問題から、爆発の危険性の少ない有機金属化合物が好ましく、分子内に少なくとも一つ以上の酸素を有する有機金属化合物が好ましい。このようなものとしてＲ^２のアルコキシ基を少なくとも一つを含有する有機金属化合物、またＲ^３のβ−ジケトン錯体基、β−ケトカルボン酸エステル錯体基、β−ケトカルボン酸錯体基及びケトオキシ基（ケトオキシ錯体基）から選ばれる基を少なくとも一つ有する金属化合物が好ましい。
【０１１１】
なお、具体的な有機金属化合物については後述する。
本発明において、放電空間または処理空間に供給するガスには、放電ガス、薄膜形成ガスの他に、薄膜形成の反応を促進する補助ガスを混合してもよい。補助ガスとしては、酸化性ガスとして、酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、また還元性ガスとして水素、アンモニア、硫化水素等を挙げることが出来るが、酸化性ガスとしては酸素または一酸素化炭素及び還元性ガスとしては水素が好ましく、これらから選択される成分を混合させるのが好ましい。その含有量は全ガスに対して０．０１〜５体積％含有させることにより、反応促進され、且つ、緻密で良質な薄膜を形成することが出来る。
【０１１２】
上記形成された酸化物または複合化合物の薄膜の膜厚は、０．１〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
【０１１３】
本発明において、薄膜形成ガスに使用する有機金属化合物、ハロゲン化金属、金属水素化合物の金属として、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を挙げることが出来る。
【０１１４】
本発明の薄膜形成方法で、上記のような有機金属化合物、ハロゲン金属化合物、金属水素化合物等の金属化合物を放電ガスと共に使用することにより様々な高機能性の薄膜を得ることが出来る。本発明の薄膜の例を以下に示すが、本発明はこれに限られるものではない。
【０１１５】
電極膜　Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｓｉ
誘電体保護膜　ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ａｌ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３
透明導電膜　Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２
エレクトロクロミック膜　ＷＯ_３、ＩｒＯ_２、ＭｏＯ_３、Ｖ_２Ｏ_５
蛍光膜　ＺｎＳ、ＺｎＳ＋ＺｎＳｅ、ＺｎＳ＋ＣｄＳ
磁気記録膜　Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、γ−Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｃｏ、Ｆｅ_３Ｏ_４、Ｃｒ、ＳｉＯ_２、ＡｌＯ_３
超導電膜　Ｎｂ、Ｎｂ−Ｇｅ、ＮｂＮ
太陽電池膜　ａ−Ｓｉ、Ｓｉ
反射膜　Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ
選択性吸収膜　ＺｒＣ−Ｚｒ
選択性透過膜　Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２
反射防止膜　ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２
シャドーマスク　Ｃｒ
耐摩耗性膜　Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｔ、ＴｉＣ、ＴｉＮ
耐食性膜　Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ
耐熱膜　Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ
潤滑膜　ＭｏＳ_２
装飾膜　Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＴｉＣ、Ｃｕ
本発明において、特に好ましい金属化合物の金属は、上記のうちチタン（Ｔｉ）、珪素（Ｓｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アンチモン（Ｓｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一つのものであり、これらの金属と結合する金属化合物のうち、上記一般式（Ｉ）で示した有機金属化合物が好ましい。有機金属化合物の例示については後述する。
【０１１６】
ここで、上記の高機能の薄膜のうち反射防止膜（層）及び反射防止膜を積層した反射防止膜及び透明導電膜を有する基材について詳細に説明する。
【０１１７】
本発明に係る高機能の薄膜のうちの反射防止膜を有する基材の反射防止層は中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層それぞれの薄膜が積層されたものである。
【０１１８】
本発明に係る反射防止層薄膜形成ガスの高屈折率層を形成するチタン化合物、中屈折率層を形成する錫化合物、低屈折率層を形成する珪素化合物について述べる。反射防止層を有する反射防止膜を有する基材は、各屈折率層を基材上に直接または他の層を介して積層して得られるものであるが、積層は、例えば、前述の図のような大気圧プラズマ放電処理装置を、中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層の順に３層を積層するために、直列に３基並べて連続的に処理することが出来、この連続的積層処理は品質の安定や生産性の向上等から本発明の薄膜の形成に適している。また積層せずに、１層処理ごと処理し、逐次処理して積層してもよい。本発明において、反射防止層の上に防汚層を設ける場合には、上記のプラズマ放電処理装置を更にもう１基続けて設置し、４基並べて最後に防汚層を積層してもよい。また、反射防止層を設ける前に、基材の上に予めハードコート層や防眩層を塗布によって設けてもよく、また、その裏側に予めバックコート層を塗布によって設けてもよい。
【０１１９】
本発明に係る反射防止膜（層）を有する基材の反射防止層薄膜形成ガスには、適切な屈折率を得ることの出来る化合物であれば制限なく使用出来るが、本発明において、高屈折率層薄膜形成ガスとしてはチタン化合物を、中屈折率層薄膜形成ガスとしては錫化合物またはチタン化合物と珪素化合物の混合物（または高屈折率形成用のチタン化合物で形成した層と低屈折率層を形成する珪素化合物で形成した層を積層してもよい）を、また低屈折率層薄膜形成ガスとしては珪素化合物、フッ素化合物、あるいは珪素化合物とフッ素化合物の混合物を好ましく用いることが出来る。これらの化合物を屈折率を調節するために、何れかの層の形成用薄膜形成ガスとして２種以上混合して使用してもよい。
【０１２０】
本発明に有用な中屈折率層薄膜形成ガスに用いる錫化合物としては、有機錫化合物、錫水素化合物、ハロゲン化錫等であり、有機錫化合物としては、例えば、ジブチルジエトキシ錫、ブチル錫トリス（２，４−ペンタンジオナート）、テトラエトキシ錫、メチルトリエトキシ錫、ジエチルジエトキシ錫、トリイソプロピルエトキシ錫、エチルエトキシ錫、メチルメトキシ錫、イソプロピルイソプロポキシ錫、テトラブトキシ錫、ジエトキシ錫、ジメトキシ錫、ジイソプロポキシ錫、ジブトキシ錫、ジブチリロキシ錫、ジエチル錫、テトラブチル錫、錫ビス（２，４−ペンタンジオナート）、エチル錫アセトアセトナート、エトキシ錫（２，４−ペンタンジオナート）、ジメチル錫ジ（２，４−ペンタンジオナート）、ジアセトメチルアセタート錫、ジアセトキシ錫、ジブトキシジアセトキシ錫、ジアセトオキシ錫ジアセトアセトナート等、錫水素化合物等、ハロゲン化錫としては、二塩化錫、四塩化錫等を挙げることが出来、何れも本発明において、好ましく用いることが出来る。また、これらの薄膜形成ガスを２種以上同時に混合して使用してもよい。なお、このようにして、形成された酸化錫層は表面比抵抗値を１０^１１Ω／ｃｍ^２以下に下げることが出来るため、帯電防止層としても有用である。
【０１２１】
本発明に有用な高屈折率層薄膜形成ガスに使用するチタン化合物としては、有機チタン化合物、チタン水素化合物、ハロゲン化チタン等があり、有機チタン化合物としては、例えば、トリエトキシチタン、トリメトキシチタン、トリイソプロポキシチタン、トリブトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、メチルジメトキシチタン、エチルトリエトキシチタン、メチルトリイソプロポキシチタン、トリエチルチタン、トリイソプロピルチタン、トリブチルチタン、テトラエチルチタン、テトライソプロピルチタン、テトラブチルチタン、テトラジメチルアミノチタン、ジメチルチタンジ（２，４−ペンタンジオナート）、エチルチタントリ（２，４−ペンタンジオナート）、チタントリス（２，４−ペンタンジオナート）、チタントリス（アセトメチルアセタート）、トリアセトキシチタン、ジプロポキシプロピオニルオキシチタン等、ジブチリロキシチタン、チタン水素化合物としてはモノチタン水素化合物、ジチタン水素化合物等、ハロゲン化チタンとしては、トリクロロチタン、テトラクロロチタン等を挙げることが出来、何れも本発明において好ましく用いることが出来る。またこれらの薄膜形成ガスを２種以上を同時に混合して使用することが出来る。
【０１２２】
本発明に有用な低屈折率層薄膜形成ガスに使用する珪素化合物としては、有機珪素化合物、珪素水素化合物、ハロゲン化珪素化合物等を挙げることが出来、有機珪素化合物としては、例えば、テトラエチルシラン、テトラメチルシラン、テトライソプロピルシラン、テトラブチルシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルシランジ（２，４−ペンタンジオナート）、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン等、珪素水素化合物としては、テトラ水素化シラン、ヘキサ水素化ジシラン等、ハロゲン化珪素化合物としては、テトラクロロシラン、メチルトリクロロシラン、ジエチルジクロロシラン等を挙げることが出来、何れも本発明において好ましく用いることが出来る。また、前記フッ素化合物を使用することが出来る。これらの薄膜形成ガスを２種以上を同時に混合して使用することが出来る。また、屈折率の微調整にこれら錫化合物、チタン化合物、珪素化合物を適宜２種以上同時に混合して使用してもよい。
【０１２３】
上記の有機錫化合物、有機チタン化合物または有機珪素化合物は、取り扱い上の観点から金属水素化合物、アルコキシ金属が好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ないことから、アルコキシ金属が好ましく用いられる。また、上記の有機錫化合物、有機チタン化合物または有機珪素化合物を放電空間である電極間に導入するには、両者は常温常圧で、気体、液体、固体何れの状態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入出来るが、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用される。有機錫化合物、有機チタン化合物または有機珪素化合物を加熱により気化して用いる場合、テトラエトキシ金属、テトライソプロポキシ金属などの常温で液体で、沸点が２００℃以下である金属アルコキシドが反射防止膜の形成に好適に用いられる。上記アルコキシ金属は、溶媒によって希釈して使用されても良く、この場合、希ガス中へ気化器等により気化して混合ガスに使用すればよい。溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ｎ−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用出来る。
【０１２４】
薄膜形成ガスについて、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、混合ガス中の含有率は、０．０１〜１０体積％で有することが好ましいが、更に好ましくは、０．０１〜１体積％である。
【０１２５】
なお、中屈折率層については、上記珪素化合物、上記チタン化合物または上記錫化合物を、目標とする屈折率に合わせて適宜混合することによっても得ることが出来る。
【０１２６】
なお、各屈折率層の好ましい屈折率と膜厚は、例えば、中屈折率層の酸化錫層では屈折率として１．６〜１．８、また膜厚として５０〜７０ｎｍ程度、高屈折率層の酸化チタン層では屈折率として１．９〜２．４、また膜厚として８０〜１２０ｎｍ程度、低屈折率層の酸化珪素層では屈折率として１．３〜１．５、また膜厚として８０〜１２０ｎｍ程度である。
【０１２７】
また、移動架台電極または移動架台が、図８または９のように二つのプラズマ放電装置の間を何往復してもよく、例えば、ハーフミラーのような光学素子ではこのような交互に薄膜形成し１０数層積層するという場合もある。
【０１２８】
また、他の光学素子として、ハーフミラーのような、反射と透過の両方の性質を有するような光学素子は例えば、下記のように作製する。
【０１２９】
上述の酸化珪素を主成分とする低屈折率層と酸化チタンを主成分とする高屈折率層を交互に積層して５〜２０層設けることにより、ハーフミラーとしての性質を付与することが出来る。酸化珪素層には上述と同様な有機珪素化合物、また酸化チタン層には、やはり上述と同様な有機チタン化合物が用いられる。
【０１３０】
次に本発明に係る高機能膜の他の例として薄膜を有する透明導電膜の形成について説明する。
【０１３１】
前述の反射防止層を形成する際に使用する有機金属化合物の金属成分がインジウム等の透明性と導電性を有する薄膜を形成すると言う点が若干異なるが、有機基についてはほぼ同じような成分が用いられる。
【０１３２】
薄膜を形成する好ましい有機金属化合物の金属は、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及び錫（Ｓｎ）から選ばれる少なくとも１種の金属である。また、有機金属化合物の該金属の他に、ドーピングを行う金属としてジルコニウム（Ｚｒ）、アンチモン（Ｓｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）が有機金属化合物として好ましく用いられる。更に硼素（Ｂ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）等も用いれれる。
【０１３３】
本発明において、好ましい有機金属化合物の好ましい例は、インジウムトリス（２，４−ペンタンジオナート）、インジウムトリス（ヘキサフルオロペンタンジオナート）、インジウムトリアセトアセタート、トリアセトキシインジウム、ジエトキシアセトキシインジウム、トリイソポロポキシインジウム、ジエトキシインジウム（１，１，１−トリフルオロペンタンジオナート）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）インジウム、エトキシインジウムビス（アセトメチルアセタート）、ジ（ｎ）ブチル錫ビス（２，４−ペンタンジオナート）、ジ（ｎ）ブチルジアセトキシ錫、ジ（ｔ）ブチルジアセトキシ錫、テトライソプロポキシ錫、テトラ（ｉ）ブトキシ錫、ビス（２，４−ペンタンジオナート）亜鉛等を挙げることが出来る。これらの有機金属化合物は一般に市販（例えば、東京化成工業（株）等から）されている。
【０１３４】
本発明においては、上記分子内に少なくとも１つの酸素原子を有する有機金属化合物の他に、該有機金属化合物から形成された透明導電膜の導電性を更に高めるために該透明導電膜をドーピングすることが好ましく、透明導電膜形成ガスとしての該有機金属化合物とドーピング用有機金属化合物ガスを同時に混合して用いることが好ましい。ドーピングに用いられる有機金属化合物またはフッ素化合物の薄膜形成ガスとしては、例えば、トリイソプロポキシアルミニウム、トリス（２，４−ペンタンジオナート）ニッケル、ビス（２，４−ペンタンジオナート）マンガン、イソプロポキシボロン、トリ（ｎ）ブトキシアンチモン、トリ（ｎ）ブチルアンチモン、ジ（ｎ）ブチルビス（２，４−ペンタンジオナート）錫、ジ（ｎ）ブチルジアセトキシ錫、ジ（ｔ）ブチルジアセトキシ錫、テトライソプロポキシ錫、テトラブトキシ錫、テトラブチル錫、亜鉛ジ（２，４−ペンタンジオナート）、ジプロポキシゲルマニウム、ジ（ｎ）ブチルジアセトオキシゲルマニウム、ゲルマニウムトリス２，４−ペンタンジオナート、ガリウムトリス２，４−ペンタンジオナート、トリプロポキシガリウム、ブチルジアセトオキシガリウム、六フッ化プロピレン、八フッ化シクロブタン、四フッ化メタン等を挙げることが出来る。
【０１３５】
前記透明導電膜を形成するに必要な有機金属化合物と上記ドーピング用の透明導電膜形成ガスの比は、製膜する透明導電膜の種類により異なるが、例えば、酸化インジウムに錫をドーピングして得られるＩＴＯ膜においては、ＩｎとＳｎの比の原子数比が１００：０．１〜１００：１５の範囲になるように透明導電膜形成ガス量を調整することが必要である。好ましくは、１００：０．５〜１００：１０になるよう調整することが好ましい。酸化錫にフッ素をドーピングして得られる透明導電膜（ＦＴＯ膜という）においては、得られたＦＴＯ膜のＳｎとＦの比の原子数比が１００：０．０１〜１００：５０の範囲になるよう透明導電膜形成ガスの量比を調整することが好ましい。Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系アモルファス透明導電膜においては、ＩｎとＺｎの比の原子数比が１００：５０〜１００：５の範囲になるよう透明導電膜形成ガスの量比を調整することが好ましい。Ｉｎ：Ｓｎ比、Ｓｎ：Ｆ比及びＩｎ：Ｚｎ比の各原子数比はＸＰＳ測定によって求めることが出来る。
【０１３６】
本発明において、透明導電膜形成ガスは、混合ガスに対し、０．０１〜１０体積％含有させることが好ましい。
【０１３７】
本発明において、得られる透明導電膜は、例えば、ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯの酸化物膜、またはＳｂドープＳｎＯ_２、ＦドープＳｎＯ_２（ＦＴＯ）、ＡｌドープＺｎＯ、ＳｎドープＩｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）等ドーパントによるドーピングした複合酸化物を挙げることが出来、これらから選ばれる少なくとも一つを主成分とするアモルファス膜が好ましい。またその他にカルコゲナイド、ＬａＢ_６、ＴｉＮ、ＴｉＣ等の非酸化物膜、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属膜、ＣｄＯ等の透明導電膜を挙げることが出来る。
【０１３８】
上記形成される金属酸化物または金属複合化合物の透明導電膜の膜厚は、０．１〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
【０１３９】
本発明の透明導電膜を有する物品の製造方法により得られる透明導電膜は、高いキャリア移動度を有する特徴を持つ。よく知られているように透明導電膜の電気伝導率は以下の（１）式で表される。
【０１４０】
σ＝ｎ×ｅ×μ　（１）
ここで、σは電気伝導率、ｎはキャリア密度、ｅは電子の電気量、そしてμはキャリアの移動度である。電気伝導率σを上げるためにはキャリア密度ｎあるいはキャリア移動度μを増大させる必要があるが、キャリア密度ｎを増大させていくと２×１０^２１ｃｍ^−３付近から反射率が大きくなるため透明性が失われる。そのため、電気伝導率σを増大させるためにはキャリア移動度μを増大させる必要がある。本発明の透明導電膜の形成方法によれば条件を最適化することにより、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により形成された透明導電膜に近いキャリア移動度μを有する透明導電膜を形成することが可能であることが判明した。
【０１４１】
本発明の透明導電膜の形成方法は高いキャリア移動度μを有するため、ドーピングなしでも比抵抗値として１×１０^−３Ω・ｃｍ以下の比抵抗値の透明導電膜を得ることが出来る。ドーピングを行いキャリア密度ｎを増加させることで更に比抵抗値を下げることが出来る。また、必要に応じて比抵抗値を上げる薄膜形成ガスを用いることにより、比抵抗値として１×１０^−２Ω・ｃｍ以上の高比抵抗値の透明導電膜を得ることも出来る。透明導電膜の比抵抗値を調整するために用いる薄膜形成ガスとしては、例えば、チタントリイソプロポキシド、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン等を挙げることが出来る。
【０１４２】
本発明の透明導電膜の形成方法によって得られる透明導電膜は、キャリア密度ｎが、１×１０^１９ｃｍ^−３以上、より好ましい条件下においては、１×１０^２０ｃｍ^−３以上となるが、透明性は低下しない。
【０１４３】
本発明の優れた効果の一つとして、エッチングがある。各種ディスプレイ素子を電極として用いる場合、基板上に回路を描くパターニング工程は必須なものであり、パターニングが容易に行うことが出来るかが工程適性上重要な課題となっている。一般に、パターニングはフォトリソグラフィー法により行われることが多く、導通を必要としない部分はエッチングにより溶解、除去するため、該部分のエッチング液による溶解の速さ及び残渣のないことが重要な課題となっている。エッチング液には、通常、硝酸、塩酸、塩酸と硝酸の混酸、フッ酸、塩化第二鉄水溶液等が用いられ、これらのウェットエッチングする方法が主流である。
【０１４４】
透明性導電膜として、上記形成された酸化物または複合酸化物の薄膜の膜厚は、０．１〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
【０１４５】
基材について述べる。
ガラス板の基材としては、その材質は特に制限ないが、ソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス、超高純度ガラス、クリスタルガラス等を挙げることが出来、これらは好ましく用いることが出来る。なお、ハーフミラー用にはソーダライムガラスが好ましい。またガラス板は使用目的によりことなるが、厚さは０．１〜５ｍｍ程度のものが用いられ、好ましくは０．３〜２ｍｍである。
【０１４６】
樹脂フィルム、樹脂シート、樹脂レンズ、樹脂成形物等成形物の材質としては、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セルロースアセテートプロピオネートまたはセルロースアセテートブチレートのようなセルロースエステル、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートのようなポリエステル、ポリエチレンやポリプロピレンのようなポリオレフィン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコールコポリマー、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ポリメチルアクリレート、アクリレートコポリマー等を挙げることが出来る。
【０１４７】
これらの素材は単独であるいは適宜混合されて使用することも出来る。中でもゼオネックス（日本ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム（株）製）などの市販品を適宜使用することが出来る。更に、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルフォン及びポリエーテルスルフォンなどの固有複屈折率の大きい素材であっても、溶液流延製膜、溶融押し出し製膜等の条件、更には縦、横方向に延伸条件等を適宜設定することにより使用することが出来るものを得ることが出来る。樹脂フィルムの膜厚としては０．１〜２ｍｍが好ましい。
【０１４８】
これらの樹脂の表面にゼラチン、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、セルロースエステル樹脂等を塗設したものも使用出来る。またこれら基材の反対側の面に防眩層、クリアハードコート層、反射防止層、防汚層等を設けてもよい。また、必要に応じて接着層、アルカリバリアコート層、ガスバリア層や耐溶剤性層等を設けてもよい。また、本発明に係る基材は、上記の記載に限定されない。
【０１４９】
本発明の基材の薄膜形成において、フィルム状の基材よりも枚葉基材を用いることの方が本発明をより精度良く実施することが出来る。以下基材を枚葉基材ということがある。
【０１５０】
【実施例】
実施例１
〔ハーフミラーの作製〕
〈電極の作製〉
電極のサイズは、底面の長さ、幅、高さが５００ｍｍ×８０ｍｍ×１００ｍｍで、底面の中央には幅１ｍｍ、長さ４００ｍｍのスリットが開いており、図４及び図５に示したような電極を作製した。電極１１はチタン合金Ｔ６４の金属質母材１１Ａで作製した。図５の該電極の底面１１Ｔ及び該底面に接する側面の３０ｍｍの高さまで（勿論スリットの内部も同様）に下記のような誘電体１１Ｂを金属質母材表面に被覆した。
【０１５１】
電極の底面１１Ｔの金属質母材１１Ａ表面に大気圧プラズマ法により高密度、高密着性のアルミナ溶射膜を被覆した。その後、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化させ封孔処理を行った。また、電極の底から側面及びスリット内の誘電体の立ち上がりを３０ｍｍとした。最終的な誘電体の空隙率は５体積％であった。また、最終的な誘電体の膜厚は、１ｍｍ（膜厚変動±１％以内）、誘電体の比誘電率は１０であった。このようにして被覆した誘電体表面を研磨し、金属質母材と誘電体の熱膨張係数の差は１．８×１０^−６であった。また誘電体面を平滑にして、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が５μｍとなるように加工した。
【０１５２】
移動架台電極１５は、長さ、幅及び厚さが６００ｍｍ×６００ｍｍ×１００ｍｍ、肉厚１０ｍｍの中空になっている平板で、この移動架台電極１５がリニアガイド上に載せられ、図示してない駆動装置（サーボモーターとボールねじ）により移動出来るよう移動手段を有している。なお、移動架台電極もチタン合金Ｔ６４を金属質母材として形成し、電極の底面１１Ｔに相対する面を上記と同様に誘電体を電極の底面から３．５ｍｍの厚さに被覆した。中空になっている内部はジャケットとなっていて温度調節が出来るようにした。この電極を２個用意した。
【０１５３】
〈薄膜形成条件〉
図４に示したような薄膜形成装置を同じものを二つ並べて配置した図８の装置を用いた。高周波電源にはパール工業製の高周波電源１３．５６ＭＨｚを接続しし、スウィッチ４３及び４３′で切り替えられるようにした。電極１１及び１１′の底面と移動架台電極１５または１５′の電極間面を平行にして、電極間隙（電極底面とダミー基材面との距離ではない）を２ｍｍとし、移動架台の上の中央に、長さ４８０ｍｍ、幅３８０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの全く平坦なソーダライムガラス板を枚葉の基材Ｆ（電極底面と基材面との距離は１．５ｍｍ）として設置した。そしてその周辺に図２のように、表２に示したような間隔で同じ材質で、同じ厚さのダミー基材を配置した。
【０１５４】
放電空間１３の圧力を１０３ｋＰａとし、１基目のプラズマ放電装置のガス供給管５２から下記高屈折率層用混合ガス（ＭＧＡ）を放電空間１３に満たし、スウィッチ４３をＯＮにし、上記高周波電源４１から周波数１３．５６ＭＨｚ、２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度を供給して放電空間１３に高周波電圧を印加し、励起した高屈折率層用混合ガスＧＡ°に８分間晒し、１層目の高屈折率層を形成させた。薄膜形成後、スウィッチ４３をＯＦＦにして移動架台電極１５を次の（図中右側の）プラズマ放電装置に移動し、電極１１′と移動架台電極１５′との放電空間１３′の圧力を同様に１０３ｋＰａとし、下記低屈折率層用混合ガス（ＭＧＢ）を放電空間１３′に満たし、スウィッチ４３′をＯＮし上記高周波電源４１から周波数１３．５６ＭＨｚ、２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度を供給して放電空間１３′に高周波電圧を印加し、励起した低屈折率層用混合ガスＧＢ°に５分間晒し、第２層目としての低屈折率層を形成した。スウィッチ４３′をＯＦＦとした。低屈折率層形成後、移動架台電極１５を元のプラズマ放電装置（図中左側）に戻し、再び同様な第３層目の高屈折率層薄膜形成を行い、更に第４層目としての低屈折率層薄膜形成を行い、表１に示したような、積層ごとの放電時間をかけて高屈折率層側の薄膜形成装置で３〜８分を７回繰り返し、低屈折率層側の薄膜形成装置では１〜５分を７回繰り返して薄膜形成を行った。高屈折率層薄膜形成と低屈折率層薄膜形成を交互に７回、１４層の積層を行いハーフミラーを作製した。積層ごとの放電時間を表１に示した。
【０１５５】
【表１】

【０１５６】
《高屈折率層用混合ガス（ＭＧＡ）》
放電ガス：アルゴン　　　　　　　　　　　　　　　　　９９．３体積％
薄膜形成ガス：テトライソプロポキシチタン蒸気　　　　　０．２体積％
補助ガス：酸素ガス　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．５体積％
《低屈折率層用混合ガス（ＭＧＢ）》
放電ガス：アルゴン　　　　　　　　　　　　　　　　　９９．２体積％
薄膜形成ガス：テトラエトキシシラン蒸気　　　　　　　　０．３体積％
補助ガス：酸素ガス　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．５体積％
なお、上記薄膜形成ガス蒸気はリンテック（株）製の気化器を使用して気化後、アルゴンガス中に混合した。
【０１５７】
比較例１
移動架台電極１５の上のガラスの基材Ｆの端部の周囲にダミー基材ＤＦを配置しなかった以外は、実施例１と同様に行いハーフミラーを得た。
【０１５８】
〔測定・評価〕
（評価基準：６段階評価）
Ａ：端部の膜厚が、正常と全く変わらない
Ｂ：端部の膜厚が、正常部とほとんど変わらない
Ｃ：端部に、極微少な変化がわずかに見られる
Ｄ：端部に、微少な変化がわずかに見られる
Ｅ：端部に、わずかに変化がみられる
Ｆ：端部に、変化がはっきりと見られる。
【０１５９】
実施例１及び比較例１で作製したハーフミラーの端部膜厚変化の評価結果について表２に示した。
【０１６０】
【表２】

【０１６１】
（結果）
実施例１において、基材の端部にダミー基材を密着（間隔０ｍｍ）させた試料１は、端部の膜厚変化が全くなく、間隔を１ｍｍとした試料２は、端部の膜厚変化がほとんどなかった。間隔を２ｍｍとした試料３は、端部の膜厚変化が見られるものの極微少であった。更に、間隙を５ｍｍとした試料４は、膜厚変化は見られたが微少であったものの許容出来る範囲であった。これに対してダミー基材を配置しなかった比較例１では、端部の膜厚変化が非常に大きく、許容出来る範囲を大きくこえていた。
【０１６２】
実施例２
〔ハーフミラーの作製〕
基材ＦまたはＦ′とダミー基材ＤＦまたはＤＦ′を図２のように密着して配置し、表３のように、ダミー基材ＤＦまたはＤＦ′の厚さを変化させて電極１１または１１′の底面と該ダミー基材ＤＦまたはＤＦ′との距離を、基材Ｆ面と電極１１または１１′の底面との距離を変え、基材ＦまたはＦ′及びダミー基材ＤＦまたはＤＦ′とに段差をつけて配置した以外は実施例１の試料１と同様に（枚葉基材の材質及び枚葉基材とダミー基材の端部の間隔は密着して（０ｍｍ）配置）ハーフミラーを作製した。
【０１６３】
比較例２
移動架台電極１５の上に基材Ｆの端部の周囲にダミー基材を配置しなかった以外は、実施例２と同様に行った。
【０１６４】
評価は実施例１と同様に行った。なお、表３中、＋は電極底面とダミー基材面との距離が広くなっている（基材面よりダミー基材面が低く下がっている）ことを表し、−は電極底面とダミー基材面との距離が狭くなっている（基材面よりダミー基材面が高く上がっている）ダミー基材面が高いことを表している。
【０１６５】
実施例２及び比較例２の結果を表３に示した。
【０１６６】
【表３】

【０１６７】
（結果）
実施例２の電極底面と基材面の距離と電極底面とダミー基材面の差が全くない試料６は、実施例１の試料１と同じであり、全く変動がなかった。（｜ａ−ｂ｜／ａ）×１００（％）を５％とした試料７（ａ−ｂが＋）、８（ａ−ｂが−）の端部の膜厚変化は、ほとんどなかった。また、（｜ａ−ｂ｜／ａ）×１００（％）を１０％とした試料９（ａ−ｂが＋）、１０（ａ−ｂが−）は、極微少の端部膜厚変化が認められた。更に、（｜ａ−ｂ｜／ａ）×１００（％）を２０％とした試料１１（（ａ−ｂ）が＋）、１２（（ａ−ｂ）が−）は、端部の膜厚変化が微少ではあるがわずかに見られたが、許容範囲であった。これに対してダミー基材を配置しなかった比較例２の試料１３（比較例１と同一）では、端部膜厚変化が非常に大きく、許容出来る範囲を大きく超えていた。
【０１６８】
実施例３
〔ハーフミラーの作製〕
〈電極の作製〉
電極のサイズは、底面の長さ５００ｍｍ、幅８０ｍｍ、高さ１００ｍｍ、肉厚５ｍｍで、図６に示したような２個の角筒型の電極１１１と１１２（中は空洞になっている）を作製した。電極の金属質母材１１１Ａ及び１１２Ａをチタン合金Ｔ６４とし、対向電極を形成する面に誘電体１１１Ｂ及び１１２Ｂを３．５ｍｍの厚さで被覆し、更にその面に続く両側の面の誘電体の立ち上がりを３０ｍｍとした。誘電体の被覆は、実施例１の場合と同様に行った。２個の電極の誘電体のある面を向き合わせて、その間隔（放電空間となる）を１．５ｍｍとして平行になるように角筒の両端面を絶縁体例えば耐熱性の樹脂板（ポリイミドのような）で封鎖して固定した。２個の電極の間の導通性と、ジャケットとしての水漏れをチェックした。ガス供給管１５２は図５のガス供給管５２と同様なものを付けた。この電極を有する薄膜形成装置を図９のように２基配列した。
【０１６９】
〈移動架台〉
移動架台１１６は、長さ６００ｍｍ、幅６００ｍｍ、厚さが８０ｍｍステンレススティールの平板で、電極と相対する面には厚さ１０ｍｍの耐熱樹脂で被覆し、その表面を平滑にして、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が５μｍとなるように加工した。この移動架台１１６はリニアガイド上に載せられ、図示してない駆動装置（サーボモーターとボールねじ）により移動出来るよう移動手段を有している。
【０１７０】
〈薄膜形成条件〉
図６に示したような薄膜形成装置を同じものを二つ並べて配置した図９の薄膜形成装置を用いた。高周波電源１４１にはパール工業製の高周波電源１３．５６ＭＨｚを接続した。対向電極（１１１と１１２）底面と移動架台１１６面を平行にして、処理空間１１４を２ｍｍとし、移動架台の上の中央に、長さ４８０ｍｍ、幅３８０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの全く平坦な基材Ｆとしてのソーダライムガラス板を枚葉の基材Ｆとして設置した。その周辺に図２のように、表４に示した同じ厚さの誘電率が１０％以下ダミー基材を、枚葉基材に密着して配置した。薄膜形成する基材の誘電率が異なるダミー基材を、枚葉基材に密着して配置した。薄膜形成する基材の誘電率は８．２であった。
【０１７１】
放電空間１１３と処理空間１１４の圧力を１０３ｋＰａとし、１基目のプラズマ放電装置のガス供給管１５２から下記高屈折率層用混合ガス（ＭＧＡ）を放電空間１１３に満たし、スウィッチ１４３をＯＮにし、上記高周波電源１４１から周波数１３．５６ＭＨｚ、２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度を供給して放電空間１１３に高周波電圧を印加しガスＭＧＡを励起させてジェット噴射口１１５から移動架台に向けて励起したガスＭＧＡを噴射させ、励起した高屈折率層用混合ガスＧＡ°に基材Ｆを８分間晒し、１層目の高屈折率層を形成させた。薄膜形成後、スウィッチ１４３をＯＦＦにしてから移動架台１１６を次の（図中右側の）プラズマ放電装置に移動し、対向電極（１１１′と１１２′）の放電空間１１３′と処理空間１１４の圧力を同様に１０３ｋＰａとし、下記低屈折率層用混合ガス（ＭＧＢ）を放電空間１１３′に満たし、スウィッチ１４３′をＯＮし上記高周波電源１４１から周波数１３．５６ＭＨｚ、２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度を供給して放電空間１１３′に高周波電圧を印加しガスＭＧＢを励起させてジェット噴射口１１５′から移動架台に向けて励起したガスＭＧＢを噴射させ、励起した低屈折率層用混合ガスＧＢ°に基材Ｆ′を５分間晒し、第２層目としての低屈折率層を形成した。スウィッチ１４３′をＯＦＦとした。低屈折率層形成後、移動架台１１６を元のプラズマ放電装置（図中左側）に戻し、再び同様な第３層目の高屈折率層薄膜形成を行い、更に第４層目としての低屈折率層薄膜形成を行い、表１に示したような、積層ごとの放電時間をかけて高屈折率層側の薄膜形成装置で３〜８分を７回繰り返し、低屈折率層側の薄膜形成装置では１〜５分７回繰り返して薄膜形成を行った。高屈折率層薄膜形成と低屈折率層薄膜形成を交互に７回、１４層の積層を行いハーフミラーを作製した。
【０１７２】
《高屈折率層用混合ガス（ＭＧＡ）》
放電ガス：アルゴン　　　　　　　　　　　　　　　　　９９．３体積％
薄膜形成ガス：テトライソプロポキシチタン蒸気　　　　　０．２体積％
補助ガス：酸素ガス　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．５体積％
《低屈折率層用混合ガス（ＭＧＢ）》
放電ガス：アルゴン　　　　　　　　　　　　　　　　　９９．２体積％
薄膜形成ガス：テトラエトキシシラン蒸気　　　　　　　　０．３体積％
補助ガス：酸素ガス　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．５体積％
なお、上記薄膜形成ガス蒸気はリンテック（株）製の気化器を使用して気化後、アルゴンガス中に混合した。
【０１７３】
比較例３
移動架台１１６の上のガラスの基材Ｆの端部の周囲に、ダミー基材を配置しなかった以外は、実施例３と同様に行いハーフミラーを得た。
【０１７４】
なお、誘電率の異なるダミー基材は、基材と同じソーダライムガラスのうち誘電率７．０のもの、またけい酸塩ガラスであるが誘電率が６．６のものを使用した。
【０１７５】
実施例３及び比較例３の試料の端部膜厚変動率を実施例１の評価と同様に行い、その結果を表４に示した。
【０１７６】
【表４】

【０１７７】
（結果）
実施例３の枚葉基材とダミー基材との誘電率の差が全くない試料１４は、実施例１の試料１と同一であり、全く端部変動はなかった。（｜ｃ−ｄ｜／ｃ）×１００（％）を６％とした試料１５は、端部の膜厚変化は、ほとんどなかった。また、（｜ｃ−ｄ｜／ｃ）×１００（％）を２０％とした試料１６は、端部の膜厚変化がやや大きくみられたが許容出来る範囲であった。これに対し、ダミー基材を配置しなかった比較例３の試料１７（比較例１と同じ）では、端部の膜厚変化がひじょうに大きく、許容範囲を大きく超えていた。
【０１７８】
【発明の効果】
薄膜形成の際、基材の端部に膜厚の変動がなく、基材上全面積にわたって薄膜の膜厚均一にすることの出来る薄膜形成方法を提供出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】基材がグロー放電の中に入る際に生じる異常放電の様子を示したイラスト的図である。
【図２】移動架台上の基材の周辺にダミー基材を配置した平面図の一例である。
【図３】ダミー基材を基材の周囲に配置してグロー放電の中を移動して薄膜形成しているイラスト的図である。
【図４】本発明に有用な薄膜形成装置の一例の概略図である。
【図５】図４の電極を底面側から見上げた斜視図である。
【図６】本発明に有用な薄膜形成装置の一例の概略図である。
【図７】本発明に有用な薄膜形成装置の一例の概略図である。
【図８】本発明に有用な図４のプラズマ放電装置を２基配列した薄膜形成装置の一例の概略図である。
【図９】本発明に有用な図６のプラズマ放電装置を２基配列した薄膜形成装置の一例の概略図である。
【符号の説明】
１１　電極
１３　放電空間
１４　スリット
１５、１５′　移動架台電極
４１　高周波電源
Ｆ　基材

Claims

少なくとも２個の電極が対向する対向電極間（放電空間）にガスを導入し、該放電空間に高周波電圧を印加し、該ガスを励起させ、該励起したガスに基材を晒すことにより該基材上に薄膜を形成する際に、一方の電極面と平行して相対的に移動する電極平面上に有する該基材の端部に接して、または該基材の端部の近傍にダミー基材を配置することを特徴とする薄膜形成方法。
少なくとも２個の電極が対向する対向電極間（放電空間）にガスを導入し、該放電空間に高周波電圧を印加し、該ガスを励起させ、該励起したガスを該放電空間外の処理空間に噴出させ、該処理空間において基材を該励起したガスに晒すことにより該基材上に薄膜を形成する際に、該対向電極の底面と平行して相対的に移動する架台上に有する該基材の端部に接して、または該基材の端部の近傍にダミー基材を配置することを特徴とする薄膜形成方法。
少なくとも２個の電極が対向する対向電極間（放電空間）を大気圧もしくはその近傍の圧力とし、該放電空間にガスを導入して高周波電圧を印加し、該ガスを励起させ、該励起したガスにより基材上に薄膜を形成する際に、一方の電極面と平行して相対的に移動する電極平面上に有する該基材の端部に接して、または該基材の端部の近傍にダミー基材を配置することを特徴とする薄膜形成方法。
少なくとも２個の電極が対向する対向電極間（放電空間）を大気圧もしくはその近傍の圧力とし、該放電空間にガスを導入して高周波電圧を印加し、該ガスを励起させ、該励起したガスを該放電空間外の処理空間に噴出させ、該処理空間において基材を該励起したガスに晒すことにより該基材上に薄膜を形成する際に、該対向電極と平行して相対的に移動する架台上に有する該基材の端部に接して、または該基材の端部の近傍にダミー基材を配置することを特徴とする薄膜形成方法。
前記基材の端部と前記ダミー基材の端部との距離を５ｍｍ以内として配置することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記電極の底面と前記基材の面との距離をａとし、該電極の底面とダミー基材の面までの距離をｂとした時、（｜ａ−ｂ｜／ａ）×１００（％）が２０％以内とすることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記基材が有する誘電率をｃとし、前記ダミー基材が有する誘電率をｄとした時、（｜ｃ−ｄ｜／ｃ）×１００（％）を２０％以内とすることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記基材が枚葉基材であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記ダミー基材片を繰り返し使用することを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記電極と前記基材が一方方向にまたは往復して相対的に移動することを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記ガスが放電ガスと薄膜形成ガスを主構成成分とするものであることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記ガスが放電ガスを主構成成分とするものであることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記ガスが薄膜形成ガスを主構成成分とするものであることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記薄膜形成ガスが、有機金属化合物、ハロゲン化金属、金属水素化合物から選ばれる少なくとも一つの添加ガスを含有することを特徴とする請求項１１または１３に記載の薄膜形成方法。
前記有機金属化合物が下記一般式（Ｉ）で表されるものであることを特徴とする請求項１４に記載の薄膜形成方法。
一般式（Ｉ）　Ｒ^１ _ｘＭＲ^２ _ｙＲ^３ _ｚ
式中、Ｍは金属、Ｒ^１はアルキル基、Ｒ^２はアルコキシ基、Ｒ^３はβ−ジケトン錯体基、β−ケトカルボン酸エステル錯体基、β−ケトカルボン酸錯体基及びケトオキシ基（ケトオキシ錯体基）から選ばれる基であり、金属Ｍの価数をｍとすると、ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｍであり、ｘ＝０〜ｍまたはｘ＝０〜ｍ−１であり、ｙ＝０〜ｍ、ｚ＝０〜ｍである。
前記一般式（Ｉ）で表される有機金属化合物が、少なくとも一つのＲ^２のアルコキシ基を有するものであることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜形成方法。
前記一般式（Ｉ）で表される有機金属化合物が、少なくとも一つのＲ^３のβ−ジケトン錯体基、β−ケトカルボン酸エステル錯体基、β−ケトカルボン酸錯体基及びケトオキシ基（ケトオキシ錯体基）から選ばれる基を有することを特徴とする請求項１５または１６に記載の薄膜形成方法。
前記一般式（Ｉ）で表される有機金属化合物のＭの金属が、チタン（Ｔｉ）、珪素（Ｓｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アンチモン（Ｓｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一つのものであることを特徴とする請求項１５乃至１７の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記対向電極間に印加する電界が、周波数１００ｋＨｚを超える高周波電圧で、且つ１Ｗ／ｃｍ^２以上の電力密度を供給して放電させることを特徴とする請求項１乃至１８の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記高周波電圧を印加する周波数を１５０ｋＨｚ以上とすることを特徴とする請求項１乃至１９の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記高周波電圧をかける周波数を２００ｋＨｚ以上とすることを特徴とする請求項２０に記載の薄膜形成方法。
前記高周波電圧をかける周波数を８００ｋＨｚ以上とすることを特徴とする請求項２０または２１に記載の薄膜形成方法。
前記高周波電圧をかける周波数を１５０ＭＨｚ以下とすることを特徴とする請求項１９乃至２２の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記電力密度を１．２Ｗ／ｃｍ^２以上とすることを特徴とする請求項１９に記載の薄膜形成方法。
前記電力密度を５０Ｗ／ｃｍ^２以下とすることを特徴とする請求項２４に記載の薄膜形成方法。
前記電力密度を２０Ｗ／ｃｍ^２以下とすることを特徴とする請求項２５に記載の薄膜形成方法。
前記高周波電圧が、連続したサイン波であることを特徴とする請求項１乃至２６の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
対向電極の少なくとも一方が誘電体で被覆されていることを特徴とする請求項１乃至２７の何れか１項に記載の薄膜形成方法。
前記誘導体の非誘電率が６〜４５の無機物であることを特徴とする請求項２８に記載の薄膜形成方法。
前記誘電体を被覆した電極の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項２８または２９に記載の薄膜形成方法。