JP2001350139A - 液晶表示セルおよびその製造方法 - Google Patents
液晶表示セルおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電極膜および配向膜との密着性に優れ、配向膜
にラビング処理を行なう際に配向膜に発生する静電気が
すみやかに除去され、配向膜の帯電を防止することがで
き、絶縁不良を起こすことのない透明電極保護膜が形成
された透明電極付基板を備えた液晶表示セルを提供す
る。 【解決手段】基板上に透明電極、透明電極保護膜および
配向膜が順次積層されている透明電極付基板を備えた液
晶表示セルにおいて、前記透明電極保護膜が、体積抵抗
率が１０3〜１０12Ω・ｃｍの範囲にある導電性微粒子
を含んでなる液晶表示セル。
にラビング処理を行なう際に配向膜に発生する静電気が
すみやかに除去され、配向膜の帯電を防止することがで
き、絶縁不良を起こすことのない透明電極保護膜が形成
された透明電極付基板を備えた液晶表示セルを提供す
る。 【解決手段】基板上に透明電極、透明電極保護膜および
配向膜が順次積層されている透明電極付基板を備えた液
晶表示セルにおいて、前記透明電極保護膜が、体積抵抗
率が１０3〜１０12Ω・ｃｍの範囲にある導電性微粒子
を含んでなる液晶表示セル。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、基板上に透明電極、透明
電極保護膜および配向膜が順次積層されてなる透明電極
付基板を備えた液晶表示セルおよびその製造方法に関
し、さらに詳しくは、絶縁性に優れるとともに、配向膜
にラビング処理を行なう際に配向膜に発生する静電気が
すみやかに除去され、配向膜の帯電を防止し得るような
透明電極保護膜が形成された透明電極付基板を備えた液
晶表示セルおよびその製造方法に関する。
電極保護膜および配向膜が順次積層されてなる透明電極
付基板を備えた液晶表示セルおよびその製造方法に関
し、さらに詳しくは、絶縁性に優れるとともに、配向膜
にラビング処理を行なう際に配向膜に発生する静電気が
すみやかに除去され、配向膜の帯電を防止し得るような
透明電極保護膜が形成された透明電極付基板を備えた液
晶表示セルおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】従来より、ガラス基板の表面にＩ
ＴＯなどの透明電極、ポリイミドなどの重合体からなる
配向膜が順次積層されてなる一対の透明電極付基板を、
それぞれの透明電極膜同士が対向するようにスペーサを
介して配置させ、このスペーサによって所定の間隔に開
けられた隙間に液晶を封入した液晶表示セルが知られて
いる。
ＴＯなどの透明電極、ポリイミドなどの重合体からなる
配向膜が順次積層されてなる一対の透明電極付基板を、
それぞれの透明電極膜同士が対向するようにスペーサを
介して配置させ、このスペーサによって所定の間隔に開
けられた隙間に液晶を封入した液晶表示セルが知られて
いる。
【０００３】この種の液晶表示セルでは、液晶内に混入
した異物やスペーサによって配向膜が傷つけられること
があり、その結果上下の電極間が導通し、表示不良が発
生する場合があった。また、配向膜にラビング処理を行
う際に静電気が発生し、この静電気が透明電極を通して
瞬時に大量に放電され、この放電過程で配向膜が発熱し
て破壊される場合があった。
した異物やスペーサによって配向膜が傷つけられること
があり、その結果上下の電極間が導通し、表示不良が発
生する場合があった。また、配向膜にラビング処理を行
う際に静電気が発生し、この静電気が透明電極を通して
瞬時に大量に放電され、この放電過程で配向膜が発熱し
て破壊される場合があった。
【０００４】このため、従来、上記のような液晶表示セ
ルの透明電極付基板には、その透明電極と配向膜との間
に絶縁性の保護膜を形成することが提案されている（特
開昭６０−２６００２１号公報、特開平１−１５０１１
６号公報、特開平２−２２１９２３号公報など参照）。
しかしながら、透明電極と配向膜との間にこのような絶
縁膜を形成すると、ラビング時に配向膜に帯電した静電
気が除去できず、配向膜に静電気が残留したままの状態
になる。このため基板上に透明電極、絶縁膜および配向
膜が順次積層されている透明電極付基板を備えた液晶表
示セルでは、表示不良が生じるという問題点があった。
ルの透明電極付基板には、その透明電極と配向膜との間
に絶縁性の保護膜を形成することが提案されている（特
開昭６０−２６００２１号公報、特開平１−１５０１１
６号公報、特開平２−２２１９２３号公報など参照）。
しかしながら、透明電極と配向膜との間にこのような絶
縁膜を形成すると、ラビング時に配向膜に帯電した静電
気が除去できず、配向膜に静電気が残留したままの状態
になる。このため基板上に透明電極、絶縁膜および配向
膜が順次積層されている透明電極付基板を備えた液晶表
示セルでは、表示不良が生じるという問題点があった。
【０００５】そこで、特開平４−３７７１４号公報に
は、透明電極形成面に酸化スズをスパッタリングする
か、あるいは、酸化スズ系微粒子を含む塗布液を塗布し
て表面抵抗が１０8〜１０13Ω／□の薄膜層を形成する
ことが開示されている。さらに、本願出願人は特開平５
−２３２４５９号公報にて、導電性微粒子と無機化合物
粒子を含み、表面抵抗が１０9〜１０13Ω／□の透明電
極保護膜は、上記問題を解決するとともに電極膜および
配向膜との密着性にも優れていることを提案している。
は、透明電極形成面に酸化スズをスパッタリングする
か、あるいは、酸化スズ系微粒子を含む塗布液を塗布し
て表面抵抗が１０8〜１０13Ω／□の薄膜層を形成する
ことが開示されている。さらに、本願出願人は特開平５
−２３２４５９号公報にて、導電性微粒子と無機化合物
粒子を含み、表面抵抗が１０9〜１０13Ω／□の透明電
極保護膜は、上記問題を解決するとともに電極膜および
配向膜との密着性にも優れていることを提案している。
【０００６】ところで、液晶パネルの透明電極上に絶縁
性薄膜を形成する場合、電気信号の遅延防止、電圧ロス
の低下（低消費電力化）の観点から、その膜厚は１５０
ｎｍ以下、望ましくは１００ｎｍ以下にする必要があ
る。なお、表面抵抗が１０8〜１０12Ω／□の絶縁性薄
膜を形成する場合も同様にこの膜厚上限の制約を受け
る。
性薄膜を形成する場合、電気信号の遅延防止、電圧ロス
の低下（低消費電力化）の観点から、その膜厚は１５０
ｎｍ以下、望ましくは１００ｎｍ以下にする必要があ
る。なお、表面抵抗が１０8〜１０12Ω／□の絶縁性薄
膜を形成する場合も同様にこの膜厚上限の制約を受け
る。
【０００７】前記した特開平４−３７７１４号公報に開
示された酸化スズは一般的に１０2Ω・ｃｍ程度以下の
体積抵抗を示し、電気伝導性が高い。このような電気伝
導性タイプの微粒子（酸化スズ系など）を用いて表面抵
抗を１０8〜１０12Ω／□であり、上記のような膜厚の
絶縁性薄膜を形成したときに、薄膜中の導電性微粒子が
たとえば図２に示すように薄膜中に分散した場合に、導
電性の高い微粒子は、単分散性が充分ではない場合があ
り、このため絶縁性が不充分となり、上下導通（電気リ
ーク）が起こりやすくなることがある。
示された酸化スズは一般的に１０2Ω・ｃｍ程度以下の
体積抵抗を示し、電気伝導性が高い。このような電気伝
導性タイプの微粒子（酸化スズ系など）を用いて表面抵
抗を１０8〜１０12Ω／□であり、上記のような膜厚の
絶縁性薄膜を形成したときに、薄膜中の導電性微粒子が
たとえば図２に示すように薄膜中に分散した場合に、導
電性の高い微粒子は、単分散性が充分ではない場合があ
り、このため絶縁性が不充分となり、上下導通（電気リ
ーク）が起こりやすくなることがある。
【０００８】さらに、酸化スズ系微粒子のような電気伝
導性の高い微粒子から絶縁性薄膜を形成させた液晶表示
装置は、製造工程中に、絶縁性薄膜内部に導電性異物が
混入することがあり、その結果、導電性異物によっても
上下透明電極の電気的短絡が生じて、液晶表示装置が動
作不良を起こすという問題点もあった。
導性の高い微粒子から絶縁性薄膜を形成させた液晶表示
装置は、製造工程中に、絶縁性薄膜内部に導電性異物が
混入することがあり、その結果、導電性異物によっても
上下透明電極の電気的短絡が生じて、液晶表示装置が動
作不良を起こすという問題点もあった。
【０００９】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術におけ
る問題点を解決しようとするものであって、電極膜およ
び配向膜との密着性に優れ、配向膜にラビング処理を行
なう際に配向膜に発生する静電気がすみやかに除去さ
れ、配向膜の帯電を防止することができ、絶縁不良を起
こすことのない透明電極保護膜が形成された透明電極付
基板を備えた液晶表示セルおよびその製造方法を提供す
ることを目的としている。
る問題点を解決しようとするものであって、電極膜およ
び配向膜との密着性に優れ、配向膜にラビング処理を行
なう際に配向膜に発生する静電気がすみやかに除去さ
れ、配向膜の帯電を防止することができ、絶縁不良を起
こすことのない透明電極保護膜が形成された透明電極付
基板を備えた液晶表示セルおよびその製造方法を提供す
ることを目的としている。
【００１０】
【発明の概要】本発明に係る液晶表示セルは、基板上に
透明電極、透明電極保護膜および配向膜が順次積層され
ている透明電極付基板を備えた液晶表示セルにおいて、
前記透明電極保護膜が、体積抵抗率が１０3〜１０12Ω
・ｃｍの範囲にある導電性微粒子を含んでなることを特
徴としている。
透明電極、透明電極保護膜および配向膜が順次積層され
ている透明電極付基板を備えた液晶表示セルにおいて、
前記透明電極保護膜が、体積抵抗率が１０3〜１０12Ω
・ｃｍの範囲にある導電性微粒子を含んでなることを特
徴としている。
【００１１】前記透明電極保護膜がさらに非導電性無機
化合物粒子を含んでいることが好ましい。本発明に係る
液晶表示セルの製造方法は、基板上に透明電極、透明電
極保護膜および配向膜が順次積層されている透明電極付
基板を備えた液晶表示セルを製造するに際して、基板上
に形成された透明電極の表面に、体積抵抗率が１０3〜
１０12Ω・ｃｍの範囲にある導電性微粒子およびマトリ
ックス前駆体が含有されている被膜形成用塗布液を塗布
し、得られた塗膜を硬化させて透明電極保護膜を形成す
る工程を含むことを特徴としている。
化合物粒子を含んでいることが好ましい。本発明に係る
液晶表示セルの製造方法は、基板上に透明電極、透明電
極保護膜および配向膜が順次積層されている透明電極付
基板を備えた液晶表示セルを製造するに際して、基板上
に形成された透明電極の表面に、体積抵抗率が１０3〜
１０12Ω・ｃｍの範囲にある導電性微粒子およびマトリ
ックス前駆体が含有されている被膜形成用塗布液を塗布
し、得られた塗膜を硬化させて透明電極保護膜を形成す
る工程を含むことを特徴としている。
【００１２】前記被膜形成用塗布液が、さらに非導電性
無機化合物微粒子を含有していることが好ましい。
無機化合物微粒子を含有していることが好ましい。
【００１３】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係る液晶表示セル
およびその製造方法について具体的に説明する。まず本
発明に係る液晶表示セルにつき、図面を参照して具体的
に説明する。図１は、本発明に係る液晶表示セルの一例
を模式的に表す断面図である。
およびその製造方法について具体的に説明する。まず本
発明に係る液晶表示セルにつき、図面を参照して具体的
に説明する。図１は、本発明に係る液晶表示セルの一例
を模式的に表す断面図である。
【００１４】この液晶表示セル１は、ガラス、プラスチ
ックなどの透明基板２１上に、ＩＴＯ薄膜などの透明電
極２２と、透明電極保護膜２３と、ポリイミドなどの重
合体からなる配向膜２４とが順次積層されてなる一対の
透明電極付基板２および２'を備えている。一対の透明
電極付基板２および２'は、透明電極２２、２２同士が
互いに対向するように複数のスペーサー粒子３、により
所定間隔の間隙ｄを設けて配置されている。また、この
間隙ｄには、液晶４が封入されている。
ックなどの透明基板２１上に、ＩＴＯ薄膜などの透明電
極２２と、透明電極保護膜２３と、ポリイミドなどの重
合体からなる配向膜２４とが順次積層されてなる一対の
透明電極付基板２および２'を備えている。一対の透明
電極付基板２および２'は、透明電極２２、２２同士が
互いに対向するように複数のスペーサー粒子３、により
所定間隔の間隙ｄを設けて配置されている。また、この
間隙ｄには、液晶４が封入されている。
【００１５】本発明に係る透明電極付基板２では、透明
電極付基板２の透明電極２２と配向膜２４との間に体積
抵抗率が１０3〜１０12Ω・ｃｍ、好ましくは１０5〜１
０10Ω・ｃｍの範囲にある導電性微粒子を含む透明電極
保護膜２３が形成されている。このような導電性微粒子
を含む透明電極保護膜２３は、液晶４内に混入した異物
やスペーサによって配向膜が傷つけられても上下の電極
間が導通しない程度の絶縁性を有していると同時に、配
向膜２４にラビング処理を行なう際に発生する静電気が
配向膜２４に帯電することなくすみやかに除去され、配
向膜２４に帯電した静電気に起因する表示画像のむらが
防止できる程度の導電性を有している。
電極付基板２の透明電極２２と配向膜２４との間に体積
抵抗率が１０3〜１０12Ω・ｃｍ、好ましくは１０5〜１
０10Ω・ｃｍの範囲にある導電性微粒子を含む透明電極
保護膜２３が形成されている。このような導電性微粒子
を含む透明電極保護膜２３は、液晶４内に混入した異物
やスペーサによって配向膜が傷つけられても上下の電極
間が導通しない程度の絶縁性を有していると同時に、配
向膜２４にラビング処理を行なう際に発生する静電気が
配向膜２４に帯電することなくすみやかに除去され、配
向膜２４に帯電した静電気に起因する表示画像のむらが
防止できる程度の導電性を有している。
【００１６】この透明電極保護膜２３に含まれる導電性
微粒子の体積抵抗率が１０12Ω・ｃｍを超えると、透明
電極保護膜の表面抵抗が１０13Ω／□を越えることがあ
り、配向膜２４に帯電した静電気の除去が困難になる。
一方、透明電極保護膜２３に含まれる導電性微粒子の体
積抵抗率が１０3Ω・ｃｍ未満であると、後述する透明
電極保護膜の表面抵抗が１０9〜１０13Ω／□の範囲に
あったとしても導電性微粒子の保護膜中の分布状態によ
っては絶縁性が不充分となり、上下の透明電極が導通す
ることがあり、この保護膜２３を通して、隣接する電極
間、たとえば隣接するセグメント電極間、ドットマトリ
ックス表示セルの場合には隣接するライン電極間が導通
したり、あるいは配向膜が損傷した際に上下電極間がシ
ョートするなどの現象が生じ、正常な表示ができなくな
ることがある。
微粒子の体積抵抗率が１０12Ω・ｃｍを超えると、透明
電極保護膜の表面抵抗が１０13Ω／□を越えることがあ
り、配向膜２４に帯電した静電気の除去が困難になる。
一方、透明電極保護膜２３に含まれる導電性微粒子の体
積抵抗率が１０3Ω・ｃｍ未満であると、後述する透明
電極保護膜の表面抵抗が１０9〜１０13Ω／□の範囲に
あったとしても導電性微粒子の保護膜中の分布状態によ
っては絶縁性が不充分となり、上下の透明電極が導通す
ることがあり、この保護膜２３を通して、隣接する電極
間、たとえば隣接するセグメント電極間、ドットマトリ
ックス表示セルの場合には隣接するライン電極間が導通
したり、あるいは配向膜が損傷した際に上下電極間がシ
ョートするなどの現象が生じ、正常な表示ができなくな
ることがある。
【００１７】この透明電極保護膜２３の膜厚は２０〜１
５０ｎｍの範囲にあることが好ましく、より好ましくは
３０〜１００ｎｍの範囲である。透明電極保護膜の膜厚
が上記範囲にあれば、液晶表示装置の電気信号の遅延や
駆動電圧のロスの低下に対する効果が向上し、優れた液
晶表示装置が得られる。このような導電性微粒子として
は、体積抵抗率が１０3〜１０12Ω・ｃｍの範囲にあれ
ば特に制限はなく用いることができる。
５０ｎｍの範囲にあることが好ましく、より好ましくは
３０〜１００ｎｍの範囲である。透明電極保護膜の膜厚
が上記範囲にあれば、液晶表示装置の電気信号の遅延や
駆動電圧のロスの低下に対する効果が向上し、優れた液
晶表示装置が得られる。このような導電性微粒子として
は、体積抵抗率が１０3〜１０12Ω・ｃｍの範囲にあれ
ば特に制限はなく用いることができる。
【００１８】具体的には、酸化亜鉛、酸化アンチモン、
酸化インジウムなどの導電性無機酸化物微粒子の少なく
とも１種を用いることができる。なおこの導電性無機酸
化物微粒子は、ＴｉＯ2-ＳｎＯ2などのような複合酸化
物粒子、あるいは前記導電性微粒子の外部を絶縁性材料
（ＳiＯ2、有機樹脂など）で被覆した複合型微粒子であ
ってもよい。
酸化インジウムなどの導電性無機酸化物微粒子の少なく
とも１種を用いることができる。なおこの導電性無機酸
化物微粒子は、ＴｉＯ2-ＳｎＯ2などのような複合酸化
物粒子、あるいは前記導電性微粒子の外部を絶縁性材料
（ＳiＯ2、有機樹脂など）で被覆した複合型微粒子であ
ってもよい。
【００１９】これらの導電性無機酸化物微粒子の中で、
酸化アンチモンのうち五酸化アンチモン、特に結晶水を
持ちパイロクロア構造をとるアンチモン酸（Ｓb2Ｏ5・
ｎＨ2Ｏ：ｎは０.０２〜４）は、配向膜が損傷した際な
どにも上下電極間が導通することがなく、配向膜のラビ
ング処理を行なう際に発生する静電気が帯電することも
なく、加えてイオン交換能を有しているので液晶中の可
動イオン（イオン性不純物）を吸着して低減することが
でき、このためＴＦＴ型液晶表示装置においては高電圧
保持率特性を持たせることができ、ＳＴＮ型液晶表示装
置においては可動イオンによる表示不良を抑制し、また
消費電力を低減することもできる。前記アンチモン酸に
ついては日本化学会誌（ＮＯ.４、４８８頁、１９８
３）に詳細に記載されているので参照されたい。
酸化アンチモンのうち五酸化アンチモン、特に結晶水を
持ちパイロクロア構造をとるアンチモン酸（Ｓb2Ｏ5・
ｎＨ2Ｏ：ｎは０.０２〜４）は、配向膜が損傷した際な
どにも上下電極間が導通することがなく、配向膜のラビ
ング処理を行なう際に発生する静電気が帯電することも
なく、加えてイオン交換能を有しているので液晶中の可
動イオン（イオン性不純物）を吸着して低減することが
でき、このためＴＦＴ型液晶表示装置においては高電圧
保持率特性を持たせることができ、ＳＴＮ型液晶表示装
置においては可動イオンによる表示不良を抑制し、また
消費電力を低減することもできる。前記アンチモン酸に
ついては日本化学会誌（ＮＯ.４、４８８頁、１９８
３）に詳細に記載されているので参照されたい。
【００２０】前記導電性微粒子は平均粒子径が１〜５０
ｎｍ、さらに好ましくは１０〜４０ｎｍの範囲である。
導電性微粒子の平均粒子径が上記範囲にあると透明電極
膜の表面が１〜１０ｎｍの均一な表面粗さ（Ｒa）を有
するので疎水性のポリイミド配向膜などとの密着性に優
れるとともに絶縁性薄膜の透明性を損なうこともない。
ｎｍ、さらに好ましくは１０〜４０ｎｍの範囲である。
導電性微粒子の平均粒子径が上記範囲にあると透明電極
膜の表面が１〜１０ｎｍの均一な表面粗さ（Ｒa）を有
するので疎水性のポリイミド配向膜などとの密着性に優
れるとともに絶縁性薄膜の透明性を損なうこともない。
【００２１】このような導電性微粒子の透明電極保護膜
中の含有量は、透明電極保護膜に含まれるマトリックス
の種類、必要に応じて添加される後述する非導電性無機
化合物粒子などの種類および量によって異なり、特に限
定されないが、透明電極保護膜を酸化物と窒化物で表し
たときの合計重量に対し、導電性微粒子を酸化物換算で
１〜５０重量％、好ましくは５〜３０重量％の範囲で含
んでいることが望ましい。このような範囲で導電性微粒
子を含んでいると透明電極間における電気リークを生じ
る欠陥が少なくなり、配向膜のラビング処理を行なう際
に発生する静電気が帯電することもない。
中の含有量は、透明電極保護膜に含まれるマトリックス
の種類、必要に応じて添加される後述する非導電性無機
化合物粒子などの種類および量によって異なり、特に限
定されないが、透明電極保護膜を酸化物と窒化物で表し
たときの合計重量に対し、導電性微粒子を酸化物換算で
１〜５０重量％、好ましくは５〜３０重量％の範囲で含
んでいることが望ましい。このような範囲で導電性微粒
子を含んでいると透明電極間における電気リークを生じ
る欠陥が少なくなり、配向膜のラビング処理を行なう際
に発生する静電気が帯電することもない。
【００２２】このような透明電極保護膜には、さらに非
導電性無機化合物粒子を含んでいることが好ましい。非
導電性無機化合物粒子としては、具体的に、ＳｉＯ2、
ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの酸化物、またはこれ
らの２種以上の混合物もしくは複合酸化物が好ましく用
いられる。またこの非導電性無機化合物粒子は、球状ま
たは球状に近い形状であることが好ましい。このような
非導電性無機化合物粒子の平均粒子径は２〜２００ｎ
ｍ、さらに好ましくは５〜５０ｎｍの範囲である。
導電性無機化合物粒子を含んでいることが好ましい。非
導電性無機化合物粒子としては、具体的に、ＳｉＯ2、
ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの酸化物、またはこれ
らの２種以上の混合物もしくは複合酸化物が好ましく用
いられる。またこの非導電性無機化合物粒子は、球状ま
たは球状に近い形状であることが好ましい。このような
非導電性無機化合物粒子の平均粒子径は２〜２００ｎ
ｍ、さらに好ましくは５〜５０ｎｍの範囲である。
【００２３】また、非導電性無機化合物粒子を含む場合
は、透明電極保護膜中に導電性微粒子と非導電性無機化
合物粒子の合計量が酸化物換算で５〜７０重量％の範囲
となるように含まれていることが好ましい。このような
範囲で非導電性無機化合物粒子を含んでいると、導電性
微粒子の含有量、平均粒子径等に拘わらず配向膜との密
着性に優れた透明電極保護膜が得られるとともに、透明
電極保護膜の帯電防止性能（表面抵抗）や屈折率などを
所望の程度にコントロールすることができる。
は、透明電極保護膜中に導電性微粒子と非導電性無機化
合物粒子の合計量が酸化物換算で５〜７０重量％の範囲
となるように含まれていることが好ましい。このような
範囲で非導電性無機化合物粒子を含んでいると、導電性
微粒子の含有量、平均粒子径等に拘わらず配向膜との密
着性に優れた透明電極保護膜が得られるとともに、透明
電極保護膜の帯電防止性能（表面抵抗）や屈折率などを
所望の程度にコントロールすることができる。
【００２４】なお、本発明に係る液晶表示セルでは、ガ
ラス基板２１と透明電極膜２２との間にさらにＳｉＯ2
膜などのアルカリパッシベーション膜を形成した透明電
極付基板を用いることも可能である。上記のような本発
明に係る液晶表示セルは、たとえば以下のような製造方
法によって作製される。
ラス基板２１と透明電極膜２２との間にさらにＳｉＯ2
膜などのアルカリパッシベーション膜を形成した透明電
極付基板を用いることも可能である。上記のような本発
明に係る液晶表示セルは、たとえば以下のような製造方
法によって作製される。
【００２５】本発明に係る液晶表示セルの製造方法は、
基板上に形成された透明電極の表面に、体積抵抗率が１
０3〜１０12Ω・ｃｍの範囲にある導電性微粒子および
マトリックス前駆体とが含有されている被膜形成用塗布
液を塗布し、得られた塗膜を硬化させ透明電極保護膜を
形成する工程を含んでいる。上記のような透明電極保護
膜を形成する際に用いられる被膜形成用塗布液は、導電
性微粒子およびマトリックス前駆体が含有されてなる塗
布液であれば特に限定されないが、水および／または有
機溶媒中にマトリックス前駆体と導電性微粒子とが分散
されている被膜形成用塗布液が好ましい。
基板上に形成された透明電極の表面に、体積抵抗率が１
０3〜１０12Ω・ｃｍの範囲にある導電性微粒子および
マトリックス前駆体とが含有されている被膜形成用塗布
液を塗布し、得られた塗膜を硬化させ透明電極保護膜を
形成する工程を含んでいる。上記のような透明電極保護
膜を形成する際に用いられる被膜形成用塗布液は、導電
性微粒子およびマトリックス前駆体が含有されてなる塗
布液であれば特に限定されないが、水および／または有
機溶媒中にマトリックス前駆体と導電性微粒子とが分散
されている被膜形成用塗布液が好ましい。
【００２６】被膜形成用塗布液を調製する際に用いられ
るマトリックス前駆体は、被膜形成性を有していれば特
に限定されないが、以下に示す化合物またはその縮合体
を成分として、これらの成分の１種または２種以上から
なることが好ましい。上記のようなマトリックス前駆体
成分として、下記化学式（１） ＲaＳｉ(ＯＲ')4-a …（１） （式中、Ｒは−ＣnＨ2n+1であり、Ｒ'は−ＣnＨ2n+1ま
たは−Ｃ2Ｈ4ＯＣnＨ2n+1であり、ａは０〜３の整数で
あり、ｎは１〜４の整数である。）で示されるアルコキ
シシランを用いることが好ましい。
るマトリックス前駆体は、被膜形成性を有していれば特
に限定されないが、以下に示す化合物またはその縮合体
を成分として、これらの成分の１種または２種以上から
なることが好ましい。上記のようなマトリックス前駆体
成分として、下記化学式（１） ＲaＳｉ(ＯＲ')4-a …（１） （式中、Ｒは−ＣnＨ2n+1であり、Ｒ'は−ＣnＨ2n+1ま
たは−Ｃ2Ｈ4ＯＣnＨ2n+1であり、ａは０〜３の整数で
あり、ｎは１〜４の整数である。）で示されるアルコキ
シシランを用いることが好ましい。
【００２７】上記アルコキシシランとしては、具体的に
は、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、モ
ノメチルトリメトキシシラン、モノエチルトリエトキシ
シラン、モノエチルトリメトキシシラン、モノメチルト
リエトキシシランなどが挙げられる。また上記アルコキ
シシランは、そのままの状態で用いてもよく、また部分
加水分解して用いてもよい。このようなアルコキシシラ
ンの部分加水分解は、従来から行われている通常の方
法、たとえばメタノールまたはエタノールなどのアルコ
ールにアルコキシシランを混合し、水と酸とを加えて部
分加水分解する方法に従って行うことができる。
は、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、モ
ノメチルトリメトキシシラン、モノエチルトリエトキシ
シラン、モノエチルトリメトキシシラン、モノメチルト
リエトキシシランなどが挙げられる。また上記アルコキ
シシランは、そのままの状態で用いてもよく、また部分
加水分解して用いてもよい。このようなアルコキシシラ
ンの部分加水分解は、従来から行われている通常の方
法、たとえばメタノールまたはエタノールなどのアルコ
ールにアルコキシシランを混合し、水と酸とを加えて部
分加水分解する方法に従って行うことができる。
【００２８】また上記マトリックス前駆体成分として、
下記化学式（２）で表される金属アルコキシドまたはそ
の縮合体も好適に使用することができる。 Ｍ(ＯＲ)n …（２） （式中、Ｍは金属原子であり、Ｒはアルキル基または−
ＣmＨ2mＯＣlＨ2l+1（ｍは３〜１０、ｌは１〜４であ
り、ｎはＭの原子価と同じ整数である。）上記式（２）
においてＭは、金属であれば特に限定されることはない
が、好ましいＭは、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＣｅまたはＣｕである。
下記化学式（２）で表される金属アルコキシドまたはそ
の縮合体も好適に使用することができる。 Ｍ(ＯＲ)n …（２） （式中、Ｍは金属原子であり、Ｒはアルキル基または−
ＣmＨ2mＯＣlＨ2l+1（ｍは３〜１０、ｌは１〜４であ
り、ｎはＭの原子価と同じ整数である。）上記式（２）
においてＭは、金属であれば特に限定されることはない
が、好ましいＭは、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＣｅまたはＣｕである。
【００２９】このような金属アルコキシドとしては、具
体的には、テトラブトキシジルコニウム、ジイソプロポ
キシ−ジオクチルオキシチタニウム、ジエトキシ鉛など
が好ましく用いられる。さらに下記化学式（３）で表さ
れるアセチルアセトナトキレート化合物またはその縮合
体も、上記マトリックス前駆体成分として好ましい。
体的には、テトラブトキシジルコニウム、ジイソプロポ
キシ−ジオクチルオキシチタニウム、ジエトキシ鉛など
が好ましく用いられる。さらに下記化学式（３）で表さ
れるアセチルアセトナトキレート化合物またはその縮合
体も、上記マトリックス前駆体成分として好ましい。
【００３０】
【化１】
【００３１】〔ただし、式中、a+bは２〜４であり、aは
０〜３であり、bは１〜４であり、Ｒは−ＣnＨ2n+1（ｎ
＝３または４）であり、Ｘは−ＣＨ3、−ＯＣＨ3、−Ｃ
2Ｈ5または−ＯＣ2Ｈ5である。Ｍ1は周期率表第ＩＢ
族、第IIＡ、Ｂ族、第III Ａ、Ｂ族、第IVＡ、Ｂ族、第
ＶＡ、Ｂ族、第VIＡ族、第VII Ａ族、第VIII族から選ば
れる元素またはバナジル（ＶＯ）である。この内、これ
らの元素などとａ、ｂの好ましい組み合わせは、次表の
通りである。〕
０〜３であり、bは１〜４であり、Ｒは−ＣnＨ2n+1（ｎ
＝３または４）であり、Ｘは−ＣＨ3、−ＯＣＨ3、−Ｃ
2Ｈ5または−ＯＣ2Ｈ5である。Ｍ1は周期率表第ＩＢ
族、第IIＡ、Ｂ族、第III Ａ、Ｂ族、第IVＡ、Ｂ族、第
ＶＡ、Ｂ族、第VIＡ族、第VII Ａ族、第VIII族から選ば
れる元素またはバナジル（ＶＯ）である。この内、これ
らの元素などとａ、ｂの好ましい組み合わせは、次表の
通りである。〕
【００３２】
【表１】
【００３３】上記アセチルアセトナトキレート化合物の
具体例としては、ジブトキシ−ビスアセチルアセトナト
ジルコニウム、トリブトキシ−モノアセチルアセトナト
ジルコニウム、ビスアセチルアセトナト鉛、トリスアセ
チルアセトナト鉄、ジブトキシ−ビスアセチルアセトナ
トハフニウム、モノアセチルアセトナト−トリブトキシ
ハフニウムなどが挙げられる。
具体例としては、ジブトキシ−ビスアセチルアセトナト
ジルコニウム、トリブトキシ−モノアセチルアセトナト
ジルコニウム、ビスアセチルアセトナト鉛、トリスアセ
チルアセトナト鉄、ジブトキシ−ビスアセチルアセトナ
トハフニウム、モノアセチルアセトナト−トリブトキシ
ハフニウムなどが挙げられる。
【００３４】本発明においては、マトリックス前駆体と
して上述したアルコキシシラン、金属アルコキシドおよ
びアセチルアセトナトキレート化合物のそれぞれを単独
でまたは２種以上を混合して用いることもできる。上記
マトリックス前駆体成分として、さらに下記化学式
（４）で表される繰り返し単位を有するポリシラザンも
好ましい。
して上述したアルコキシシラン、金属アルコキシドおよ
びアセチルアセトナトキレート化合物のそれぞれを単独
でまたは２種以上を混合して用いることもできる。上記
マトリックス前駆体成分として、さらに下記化学式
（４）で表される繰り返し単位を有するポリシラザンも
好ましい。
【００３５】
【化２】
【００３６】上記式（４）において、Ｒ1、Ｒ2およびＲ
3は、それぞれ水素原子または炭素原子数１〜８のアル
キル基であり、アルキル基の中ではメチル基、エチル基
またはプロピル基が好ましい。特にＲ1、Ｒ2およびＲ3
がいずれも水素原子である場合が好ましく、この場合に
は、加熱時に分解するアルキル基がなく、加熱時に膜の
収縮が少なく、このため収縮ストレス時にクラックが生
じることが少なくなり、クラックのほとんどない透明電
極保護膜が得られる。
3は、それぞれ水素原子または炭素原子数１〜８のアル
キル基であり、アルキル基の中ではメチル基、エチル基
またはプロピル基が好ましい。特にＲ1、Ｒ2およびＲ3
がいずれも水素原子である場合が好ましく、この場合に
は、加熱時に分解するアルキル基がなく、加熱時に膜の
収縮が少なく、このため収縮ストレス時にクラックが生
じることが少なくなり、クラックのほとんどない透明電
極保護膜が得られる。
【００３７】また、上記式（４）で表わされる繰り返し
単位を有するポリシラザンは、直鎖状であっても、環状
であってもよく、直鎖状のポリシラザンと環状のポリシ
ラザンとが混合して含まれていてもよい。さらに、この
ようなポリシラザンの数平均分子量（ポリスチレン換算
の分子量）は、５００〜１０，０００、好ましくは１，
０００〜４，０００の範囲にあることが望ましい。数平
均分子量が５００未満では、加熱硬化時に低分子量のポ
リシラザンが揮発し、得られる電極保護膜が多孔質にな
りやすく、また、分子量が１０，０００を越えると、塗
布液の流動性が低下する傾向がある。
単位を有するポリシラザンは、直鎖状であっても、環状
であってもよく、直鎖状のポリシラザンと環状のポリシ
ラザンとが混合して含まれていてもよい。さらに、この
ようなポリシラザンの数平均分子量（ポリスチレン換算
の分子量）は、５００〜１０，０００、好ましくは１，
０００〜４，０００の範囲にあることが望ましい。数平
均分子量が５００未満では、加熱硬化時に低分子量のポ
リシラザンが揮発し、得られる電極保護膜が多孔質にな
りやすく、また、分子量が１０，０００を越えると、塗
布液の流動性が低下する傾向がある。
【００３８】さらに、上記マトリックス前駆体成分とし
て、一般式ＲnＳｉ(ＯＲ')4-n（式中、ｎは０〜３の整
数、Ｒ、Ｒ'は、互いに同一でも異なっていてもよく、
それぞれ炭素数１〜８のアルキル基、アリール基または
ビニル基を表わす）で示されるアルコキシシランを加水
分解重縮合して得られるシリカゾルと、このアルコキシ
シランの部分加水分解物との反応物も好ましい。
て、一般式ＲnＳｉ(ＯＲ')4-n（式中、ｎは０〜３の整
数、Ｒ、Ｒ'は、互いに同一でも異なっていてもよく、
それぞれ炭素数１〜８のアルキル基、アリール基または
ビニル基を表わす）で示されるアルコキシシランを加水
分解重縮合して得られるシリカゾルと、このアルコキシ
シランの部分加水分解物との反応物も好ましい。
【００３９】本発明において透明電極保護膜を形成する
際に用いられる被膜形成用塗布液中には、上記マトリッ
クス前駆体成分に加えて、さらに導電性微粒子が含まれ
ている。このような導電性微粒子として、体積抵抗率が
１０3〜１０12Ω・ｃｍの導電性を示す微粒子であれば
特に限定されるものではなく、前述したと同様の導電性
微粒子を用いることができる。具体的には、酸化亜鉛、
酸化アンチモン、酸化インジウムなどの導電性無機酸化
物微粒子の１種または２種以上を用いることができる。
なおこの導電性無機酸化物微粒子は、ＴｉＯ2−ＳｎＯ2
などのような複合酸化物粒子、あるいは導電性微粒子の
外部を絶縁性材料（ＳiＯ2、有機樹脂など）で被覆した
複合型微粒子であってもよい。
際に用いられる被膜形成用塗布液中には、上記マトリッ
クス前駆体成分に加えて、さらに導電性微粒子が含まれ
ている。このような導電性微粒子として、体積抵抗率が
１０3〜１０12Ω・ｃｍの導電性を示す微粒子であれば
特に限定されるものではなく、前述したと同様の導電性
微粒子を用いることができる。具体的には、酸化亜鉛、
酸化アンチモン、酸化インジウムなどの導電性無機酸化
物微粒子の１種または２種以上を用いることができる。
なおこの導電性無機酸化物微粒子は、ＴｉＯ2−ＳｎＯ2
などのような複合酸化物粒子、あるいは導電性微粒子の
外部を絶縁性材料（ＳiＯ2、有機樹脂など）で被覆した
複合型微粒子であってもよい。
【００４０】これらの導電性微粒子は、被膜形成用塗布
液を調製する際に、粉末状またはコロイド粒子が分散し
たゾルの形態でマトリックスと混合されることが好まし
い。またこのような形態で被膜形成用塗布液中に含まれ
ている導電性微粒子の平均粒径は１〜５０ｎｍ、さらに
好ましくは１０〜４０ｎｍの範囲である。導電性微粒子
の平均粒子径が上記範囲にあると透明電極膜の表面が１
〜１０ｎｍの均一な表面粗さ（Ｒa）を有するので疎水
性のポリイミド配向膜などとの密着性に優れている。な
お、表面粗さ(Ra)は、JIS B0601-1982によって評価す
る。
液を調製する際に、粉末状またはコロイド粒子が分散し
たゾルの形態でマトリックスと混合されることが好まし
い。またこのような形態で被膜形成用塗布液中に含まれ
ている導電性微粒子の平均粒径は１〜５０ｎｍ、さらに
好ましくは１０〜４０ｎｍの範囲である。導電性微粒子
の平均粒子径が上記範囲にあると透明電極膜の表面が１
〜１０ｎｍの均一な表面粗さ（Ｒa）を有するので疎水
性のポリイミド配向膜などとの密着性に優れている。な
お、表面粗さ(Ra)は、JIS B0601-1982によって評価す
る。
【００４１】上記のようなマトリックス前駆体および導
電性微粒子とを含む被膜形成用塗布液を調製する際に
は、これらの溶媒または分散媒として水および／または
有機溶媒を用いることが好ましい。このような被膜形成
用塗布液を調製する際の有機溶媒としては、アルコール
類、エーテル類、ケトン類などから選ばれた通常の有機
溶媒が用いられる。これらの有機溶媒は単独でもしくは
２種以上を混合して用いてもよい。
電性微粒子とを含む被膜形成用塗布液を調製する際に
は、これらの溶媒または分散媒として水および／または
有機溶媒を用いることが好ましい。このような被膜形成
用塗布液を調製する際の有機溶媒としては、アルコール
類、エーテル類、ケトン類などから選ばれた通常の有機
溶媒が用いられる。これらの有機溶媒は単独でもしくは
２種以上を混合して用いてもよい。
【００４２】本発明で用いられる被膜形成用塗布液中に
は、マトリックス前駆体および導電性微粒子のような上
記成分に加えて、必要に応じて他の成分が添加される。
たとえば平均粒径が５０ｎｍ以下、好ましくは１０〜４
０ｎｍの範囲内にある非導電性の無機化合物微粒子が添
加された被膜形成用塗布液を用いると、配向膜との密着
性に優れた透明電極保護膜を形成することができる。ま
た、これらの無機化合物微粒子の種類を選択することに
より透明電極保護膜の屈折率が調節され、透明電極を形
成しているＩＴＯ膜などが外部から見えなくすることも
できる。
は、マトリックス前駆体および導電性微粒子のような上
記成分に加えて、必要に応じて他の成分が添加される。
たとえば平均粒径が５０ｎｍ以下、好ましくは１０〜４
０ｎｍの範囲内にある非導電性の無機化合物微粒子が添
加された被膜形成用塗布液を用いると、配向膜との密着
性に優れた透明電極保護膜を形成することができる。ま
た、これらの無機化合物微粒子の種類を選択することに
より透明電極保護膜の屈折率が調節され、透明電極を形
成しているＩＴＯ膜などが外部から見えなくすることも
できる。
【００４３】このような配向膜との密着性に優れた透明
電極保護膜を形成する際に用いられる無機化合物微粒子
としては、具体的には、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、
Ａｌ2Ｏ3などの酸化物、またはこれらの2種以上の混合
物もしくは複合酸化物が好ましく用いられる。またこの
無機化合物微粒子は、球状または球状に近い形状である
ことが好ましい。
電極保護膜を形成する際に用いられる無機化合物微粒子
としては、具体的には、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、
Ａｌ2Ｏ3などの酸化物、またはこれらの2種以上の混合
物もしくは複合酸化物が好ましく用いられる。またこの
無機化合物微粒子は、球状または球状に近い形状である
ことが好ましい。
【００４４】またこのような非導電性の無機化合物微粒
子は、水または有機溶媒に分散したゾルの状態で用いる
ことが好ましいが、無機化合物微粒子を被膜形成用塗布
液中に単分散または単分散に近い状態で分散できればゾ
ル以外の状態にある無機化合物微粒子を用いてもよい。
具体的には、この導電性微粒子は、被膜形成用塗布液中
に含まれるマトリックス前駆体の種類、必要に応じて被
膜形成用塗布液中に添加される上記のような無機化合物
微粒子などの種類および量によって異なり、特に限定さ
れないが、乾固成分の全量に対し酸化物換算で１〜５０
重量％、好ましくは５〜３０重量％の範囲で含まれてい
ることが望ましい。
子は、水または有機溶媒に分散したゾルの状態で用いる
ことが好ましいが、無機化合物微粒子を被膜形成用塗布
液中に単分散または単分散に近い状態で分散できればゾ
ル以外の状態にある無機化合物微粒子を用いてもよい。
具体的には、この導電性微粒子は、被膜形成用塗布液中
に含まれるマトリックス前駆体の種類、必要に応じて被
膜形成用塗布液中に添加される上記のような無機化合物
微粒子などの種類および量によって異なり、特に限定さ
れないが、乾固成分の全量に対し酸化物換算で１〜５０
重量％、好ましくは５〜３０重量％の範囲で含まれてい
ることが望ましい。
【００４５】塗布液中に非導電性の無機化合物粒子を含
む場合は、乾固成分の全量に対し酸化物換算で、導電性
微粒子と無機化合物粒子の合計量が５〜７０重量％の範
囲にあることが好ましい。また、被膜形成用塗布液中の
固形分濃度は、３〜１５重量％の範囲にあることが好ま
しい。被膜形成用塗布液中のマトリックス前駆体の濃度
は、酸化物換算で１〜１４重量％の範囲にあることが望
ましい。
む場合は、乾固成分の全量に対し酸化物換算で、導電性
微粒子と無機化合物粒子の合計量が５〜７０重量％の範
囲にあることが好ましい。また、被膜形成用塗布液中の
固形分濃度は、３〜１５重量％の範囲にあることが好ま
しい。被膜形成用塗布液中のマトリックス前駆体の濃度
は、酸化物換算で１〜１４重量％の範囲にあることが望
ましい。
【００４６】なお、被膜形成用塗布液中のマトリックス
前駆体として上記アルコキシシラン、金属アルコキシ
ド、アセチルアセトナトキレート化合物のような加水分
解性化合物を用いた場合、この被膜形成用塗布液の水分
濃度は、０.１〜４０重量％の範囲であることが好まし
い。上記のような被膜形成用塗布液をディッピング法、
スピナー法、スプレー法、ロールコーター法、フレキソ
印刷などの方法で基板上に形成された透明電極の表面に
塗布し、次いで透明電極表面に形成された被膜を常温〜
９０℃で乾燥し、さらに２００℃以上、好ましくは３０
０℃以上に加熱して硬化するなどの方法により、上記特
定の表面抵抗を有する透明電極保護膜が形成される。
前駆体として上記アルコキシシラン、金属アルコキシ
ド、アセチルアセトナトキレート化合物のような加水分
解性化合物を用いた場合、この被膜形成用塗布液の水分
濃度は、０.１〜４０重量％の範囲であることが好まし
い。上記のような被膜形成用塗布液をディッピング法、
スピナー法、スプレー法、ロールコーター法、フレキソ
印刷などの方法で基板上に形成された透明電極の表面に
塗布し、次いで透明電極表面に形成された被膜を常温〜
９０℃で乾燥し、さらに２００℃以上、好ましくは３０
０℃以上に加熱して硬化するなどの方法により、上記特
定の表面抵抗を有する透明電極保護膜が形成される。
【００４７】さらにこの透明電極表面に形成されている
透明電極保護膜には、好ましくは次のような方法で硬化
促進処理が行なわれる。すなわち、上記塗布工程または
乾燥工程の後に、あるいは乾燥工程中に、未硬化段階の
被膜に可視光線よりも波長の短い電磁波を照射するかあ
るいは未硬化段階の被膜を硬化反応を促進するガス雰囲
気中に晒す。
透明電極保護膜には、好ましくは次のような方法で硬化
促進処理が行なわれる。すなわち、上記塗布工程または
乾燥工程の後に、あるいは乾燥工程中に、未硬化段階の
被膜に可視光線よりも波長の短い電磁波を照射するかあ
るいは未硬化段階の被膜を硬化反応を促進するガス雰囲
気中に晒す。
【００４８】このような加熱前の未硬化段階の被膜に照
射する電磁波としては、具体的には紫外線、電子線、Ｘ
線、γ線などが例示されるが、紫外線が好ましい。たと
えば、発光強度が約２５０ｎｍと３６０ｎｍとにおいて
極大となり、光強度が１０ｍＷ／ｃｍ2以上である高圧
水銀ランプを紫外線源として使用し、１００ｍＪ／ｃｍ
2以上、好ましくは１０００ｍＪ／ｃｍ2以上のエネルギ
ー量の紫外線を未硬化段階の被膜に照射すると、未硬化
段階の被膜の硬化反応が促進される。
射する電磁波としては、具体的には紫外線、電子線、Ｘ
線、γ線などが例示されるが、紫外線が好ましい。たと
えば、発光強度が約２５０ｎｍと３６０ｎｍとにおいて
極大となり、光強度が１０ｍＷ／ｃｍ2以上である高圧
水銀ランプを紫外線源として使用し、１００ｍＪ／ｃｍ
2以上、好ましくは１０００ｍＪ／ｃｍ2以上のエネルギ
ー量の紫外線を未硬化段階の被膜に照射すると、未硬化
段階の被膜の硬化反応が促進される。
【００４９】また、加熱前の未硬化段階の被膜の硬化反
応を促進するガスとしては、たとえばアンモニア、オゾ
ンなどが例示される。またこのようなガス雰囲気による
被膜の硬化促進は、未硬化段階の被膜を、ガス濃度が１
００〜１００，０００ｐｐｍ、好ましくは１０００〜１
０，０００ｐｐｍであるような上記活性ガス雰囲気下
で、１〜６０分処理することによって達成される。
応を促進するガスとしては、たとえばアンモニア、オゾ
ンなどが例示される。またこのようなガス雰囲気による
被膜の硬化促進は、未硬化段階の被膜を、ガス濃度が１
００〜１００，０００ｐｐｍ、好ましくは１０００〜１
０，０００ｐｐｍであるような上記活性ガス雰囲気下
で、１〜６０分処理することによって達成される。
【００５０】上述したような硬化促進処理を行うと、被
膜中にマトリックス前駆体成分として用いられているア
ルコキシシラン、金属アルコキシド、アセチルアセトナ
トキレート化合物などの重合が促進されると同時に、被
膜中に残存する水および溶媒の蒸発も促進される。この
ため、次の加熱工程において必要とされる加熱温度、加
熱時間などの加熱硬化条件が緩和され、本発明に係る被
膜付基材の製造を有利に進めることができる。
膜中にマトリックス前駆体成分として用いられているア
ルコキシシラン、金属アルコキシド、アセチルアセトナ
トキレート化合物などの重合が促進されると同時に、被
膜中に残存する水および溶媒の蒸発も促進される。この
ため、次の加熱工程において必要とされる加熱温度、加
熱時間などの加熱硬化条件が緩和され、本発明に係る被
膜付基材の製造を有利に進めることができる。
【００５１】また、このガス処理は、加熱硬化後に行っ
ても同様の効果が得られる。
ても同様の効果が得られる。
【００５２】
【発明の効果】本発明に係る液晶表示セルは、特定範囲
の体積抵抗率を有する導電性微粒子を含む透明電極保護
膜が透明電極付基板と配向膜との間に設けられているの
で、上下電極間が導通すること等もなく、また配向膜に
ラビング処理を行なう際に発生する静電気がこの透明電
極保護膜を通してすみやかに除去されて配向膜の帯電を
防止することができる。
の体積抵抗率を有する導電性微粒子を含む透明電極保護
膜が透明電極付基板と配向膜との間に設けられているの
で、上下電極間が導通すること等もなく、また配向膜に
ラビング処理を行なう際に発生する静電気がこの透明電
極保護膜を通してすみやかに除去されて配向膜の帯電を
防止することができる。
【００５３】本発明に係る液晶表示セルの製造方法によ
れば、基板上に透明電極、特定範囲の体積抵抗率を有す
る導電性微粒子を含む透明電極保護膜および配向膜が互
いに密着性よく順次積層された透明電極付基板を備えた
液晶表示セルが得られる。このため本発明によれば、配
向膜の帯電に起因する配向膜の破壊および液晶表示セル
中での液晶の配向不良が防止される。
れば、基板上に透明電極、特定範囲の体積抵抗率を有す
る導電性微粒子を含む透明電極保護膜および配向膜が互
いに密着性よく順次積層された透明電極付基板を備えた
液晶表示セルが得られる。このため本発明によれば、配
向膜の帯電に起因する配向膜の破壊および液晶表示セル
中での液晶の配向不良が防止される。
【００５４】さらに、本発明では、透明電極保護膜が特
定範囲の平均粒子径を有する導電性微粒子と必要に応じ
て特定範囲の平均粒子径を有する非導電性無機化合物粒
子を含んでいるので表面粗さが微細且つ均一である。こ
のため透明電極保護膜の表面に形成される配向膜は密着
性に優れ、しかも、液晶を異常配向させるほどの傷のな
い配向膜が得られる。したがって本発明によれば、表示
画像の色むらが改善された液晶表示セルが提供される。
定範囲の平均粒子径を有する導電性微粒子と必要に応じ
て特定範囲の平均粒子径を有する非導電性無機化合物粒
子を含んでいるので表面粗さが微細且つ均一である。こ
のため透明電極保護膜の表面に形成される配向膜は密着
性に優れ、しかも、液晶を異常配向させるほどの傷のな
い配向膜が得られる。したがって本発明によれば、表示
画像の色むらが改善された液晶表示セルが提供される。
【００５５】また、本発明に係る液晶表示セルは、透明
電極保護膜の抵抗が従来の絶縁膜に比べて小さいため、
表示回路のインピーダンスが下がり、その結果、液晶セ
ルの駆動電圧を下げることもできる。
電極保護膜の抵抗が従来の絶縁膜に比べて小さいため、
表示回路のインピーダンスが下がり、その結果、液晶セ
ルの駆動電圧を下げることもできる。
【００５６】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５７】
【実施例１】シリカゾルＡ（ヘキシレングリコール中に
平均粒径５nmのシリカ微粒子をＳｉＯ2濃度で１０重量
％含むシリカゾル）を６０ｇ、エチルシリケート２８
（多摩化学工業社製エチルシリケート、ＳｉＯ2濃度：
２８重量％）２１．４ｇ混合し１０分攪拌した後、ヘキ
シレングリコール１８５ｇ、６１％硝酸０．２ｇおよび
純水１４ｇを添加し，さらにヘキシレングリコール中に
平均粒径２０nmのＳｂ2Ｏ5・ｎＨ2Ｏ微粒子を固形分濃
度で１０重量％含む導電性微粒子分散ゾル１２０ｇを加
えて３時間撹拌し液Ｂを調製した。ジイソプロポキシ-
ジオクチルオキシチタニウムのイソプロピルアルコール
溶液（ＴｉＯ2濃度：１０重量％）３００ｇ、トリブト
キシ-モノアセチルアセトナトジルコニウムのブタノー
ル溶液（ＺｒＯ2濃度：１３．５%）４４．４ｇ、ヘキシ
レングリコール２５５ｇの混合物を液Ｂに加えて４８時
間攪拌し、無機酸化物換算で固形分濃度６重量％の透明
電極保護膜形成用塗布液を得た。
平均粒径５nmのシリカ微粒子をＳｉＯ2濃度で１０重量
％含むシリカゾル）を６０ｇ、エチルシリケート２８
（多摩化学工業社製エチルシリケート、ＳｉＯ2濃度：
２８重量％）２１．４ｇ混合し１０分攪拌した後、ヘキ
シレングリコール１８５ｇ、６１％硝酸０．２ｇおよび
純水１４ｇを添加し，さらにヘキシレングリコール中に
平均粒径２０nmのＳｂ2Ｏ5・ｎＨ2Ｏ微粒子を固形分濃
度で１０重量％含む導電性微粒子分散ゾル１２０ｇを加
えて３時間撹拌し液Ｂを調製した。ジイソプロポキシ-
ジオクチルオキシチタニウムのイソプロピルアルコール
溶液（ＴｉＯ2濃度：１０重量％）３００ｇ、トリブト
キシ-モノアセチルアセトナトジルコニウムのブタノー
ル溶液（ＺｒＯ2濃度：１３．５%）４４．４ｇ、ヘキシ
レングリコール２５５ｇの混合物を液Ｂに加えて４８時
間攪拌し、無機酸化物換算で固形分濃度６重量％の透明
電極保護膜形成用塗布液を得た。
【００５８】ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極を
ドットマトリックスセルが構成できるようにパターン状
に形成された透明電極付基板（旭硝子社製３０Ωタイ
プ）上に、得られた透明電極保護膜形成用塗布液をフレ
キソ印刷法で塗布し、得られた塗膜を１００℃で乾燥し
た後、高圧水銀ランプで６，０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外
線を照射し、次いで３００℃で３０分間焼成することに
より透明電極保護膜（１）を形成した。得られた透明電
極保護膜（１）の膜厚は触針式段差計サーフコム（東京
精密社製）で測定した。
ドットマトリックスセルが構成できるようにパターン状
に形成された透明電極付基板（旭硝子社製３０Ωタイ
プ）上に、得られた透明電極保護膜形成用塗布液をフレ
キソ印刷法で塗布し、得られた塗膜を１００℃で乾燥し
た後、高圧水銀ランプで６，０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外
線を照射し、次いで３００℃で３０分間焼成することに
より透明電極保護膜（１）を形成した。得られた透明電
極保護膜（１）の膜厚は触針式段差計サーフコム（東京
精密社製）で測定した。
【００５９】結果を表２に示す。この透明電極保護膜
（１）上にポリイミド樹脂で膜厚約５０nmの配向膜を形
成した後、得られた配向膜に２５℃、相対湿度約３０％
の条件下でラビング処理を行なった。こうしてガラス基
板上に透明電極、透明電極保護膜（１）および配向膜が
順次積層され、かつ配向膜がラビング処理された一対の
透明電極付基板を得た。
（１）上にポリイミド樹脂で膜厚約５０nmの配向膜を形
成した後、得られた配向膜に２５℃、相対湿度約３０％
の条件下でラビング処理を行なった。こうしてガラス基
板上に透明電極、透明電極保護膜（１）および配向膜が
順次積層され、かつ配向膜がラビング処理された一対の
透明電極付基板を得た。
【００６０】得られた一対の透明電極付基板を、透明電
極同士が互いに対向するように複数のスペーサー粒子を
介して離間させたままシーリング剤で固定し、ＳＴＮ液
晶を封入した後に液晶の封入口をＵＶ硬化樹脂で封止
し、その後１２０℃で１時間の加温処理を経て液晶表示
セルを作成した。線痕の測定 得られた液晶表示セルに静電ガンを用いて静電気を液晶
表示セルに印加し（液晶表示セルを帯電させ）、表示画
面上に透明電極配線に沿って現れる線状軌跡（線痕）の
消失程度の確認を実施した。この線痕は、一部の透明電
極配線に静電気が導入されることで、透明電極―絶縁膜
―配向膜−液晶層の各誘電体層やそれらの界面に静電気
が帯電し、その電荷の影響をうけて液晶が異常配向する
ことによって生じる。
極同士が互いに対向するように複数のスペーサー粒子を
介して離間させたままシーリング剤で固定し、ＳＴＮ液
晶を封入した後に液晶の封入口をＵＶ硬化樹脂で封止
し、その後１２０℃で１時間の加温処理を経て液晶表示
セルを作成した。線痕の測定 得られた液晶表示セルに静電ガンを用いて静電気を液晶
表示セルに印加し（液晶表示セルを帯電させ）、表示画
面上に透明電極配線に沿って現れる線状軌跡（線痕）の
消失程度の確認を実施した。この線痕は、一部の透明電
極配線に静電気が導入されることで、透明電極―絶縁膜
―配向膜−液晶層の各誘電体層やそれらの界面に静電気
が帯電し、その電荷の影響をうけて液晶が異常配向する
ことによって生じる。
【００６１】その結果を表２に併記する。なお上記線痕
については、次のような評価を行なった。 ○ …線痕が２秒以内で消失 △ …線痕が２秒から３０秒で消失 × …線痕が３０秒以上で消失ラビング傷の有無の観察 また、得られた液晶表示セルにＤＣ電圧を印加し液晶表
示セルに観察されるラビング方向に沿った傷の有無を調
べた。この傷は透明電極保護膜と配向膜との密着性を知
る上での目安となる。すなわち、透明電極保護膜と配向
膜との密着性が悪いと、配向膜にラビング処理を行なう
際に配向膜に傷が付くことがある。配向膜に傷がある
と、液晶表示装置の作動中にこの傷が表示画面に観察さ
れ、表示上の不具合になることがあり、これはＤＣ電圧
の印加により目視観察で容易に判定できる。
については、次のような評価を行なった。 ○ …線痕が２秒以内で消失 △ …線痕が２秒から３０秒で消失 × …線痕が３０秒以上で消失ラビング傷の有無の観察 また、得られた液晶表示セルにＤＣ電圧を印加し液晶表
示セルに観察されるラビング方向に沿った傷の有無を調
べた。この傷は透明電極保護膜と配向膜との密着性を知
る上での目安となる。すなわち、透明電極保護膜と配向
膜との密着性が悪いと、配向膜にラビング処理を行なう
際に配向膜に傷が付くことがある。配向膜に傷がある
と、液晶表示装置の作動中にこの傷が表示画面に観察さ
れ、表示上の不具合になることがあり、これはＤＣ電圧
の印加により目視観察で容易に判定できる。
【００６２】上下伝導性の評価 上下導通性等の評価については，まず上記のドットマト
リックスタイプ液晶表示セルの作成工程中において、透
明電極保護膜と配向膜を有する基材上に通常の絶縁性ス
ペーサー粒子を散布した後に、その平均粒径より１.５
μmほど大きい弾性型のAuメッキスペーサ粒子（ＥW-P触
媒化成工業製）を５〜１０個／mm2程度散布し，その後
は通常のプロセスで液晶表示セルを作成した。所定の電
圧で表示画素部を全面点灯させた場合に、セル内部に混
入させたAuメッキスペーサ−粒子に起因する上下透明電
極の短絡による表示不良の程度を確認した。
リックスタイプ液晶表示セルの作成工程中において、透
明電極保護膜と配向膜を有する基材上に通常の絶縁性ス
ペーサー粒子を散布した後に、その平均粒径より１.５
μmほど大きい弾性型のAuメッキスペーサ粒子（ＥW-P触
媒化成工業製）を５〜１０個／mm2程度散布し，その後
は通常のプロセスで液晶表示セルを作成した。所定の電
圧で表示画素部を全面点灯させた場合に、セル内部に混
入させたAuメッキスペーサ−粒子に起因する上下透明電
極の短絡による表示不良の程度を確認した。
【００６３】 評価基準：○ ……上下電極間での電気的短絡が発生しない ：△ ……数カ所で上下電極間の電気的短絡が発生する ：× ……Auメッキスペーサ−部に起因した上下電極間の電気的短 絡がほとんどの場所で発生表面抵抗および耐電圧の半減期の測定 また、透明電極を形成しないアルカリパッシベーション
膜（ＳｉＯ2スパッタ）付ガラス基板上に上記した成膜
方法で透明電極保護膜（２）を形成し，その基材の表面
抵抗を表面抵抗計ハイレスタ（三菱油化社製）を用いて
測定した。また、同一基材の帯電圧の半減期を帯電減衰
装置（静電式スイープメモリーKM-511，春日電気（株）
社製）を用いて測定した。
膜（ＳｉＯ2スパッタ）付ガラス基板上に上記した成膜
方法で透明電極保護膜（２）を形成し，その基材の表面
抵抗を表面抵抗計ハイレスタ（三菱油化社製）を用いて
測定した。また、同一基材の帯電圧の半減期を帯電減衰
装置（静電式スイープメモリーKM-511，春日電気（株）
社製）を用いて測定した。
【００６４】屈折率の測定 さらに、シリコンウェハー上に同様な成膜方法で透明電
極保護膜（３）を形成させ，エリプソメータを用いてそ
の屈折率を測定した。結果を表２に示す。
極保護膜（３）を形成させ，エリプソメータを用いてそ
の屈折率を測定した。結果を表２に示す。
【００６５】
【実施例２】シリカゾルＣ（ヘキシレングリコール中に
平均粒径４５ｎｍのシリカ微粒子をＳｉＯ2濃度で１０
重量％含むシリカゾル）を３０ｇ、エチルシリケート２
８（ＳｉＯ2濃度：２８重量％）を９６．４ｇ、γ-グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン（ＳｉＯ2濃度：
２５．４重量％）７０．９ｇを混合し２０分攪拌した後
に、ヘキシレングリコール６６４．５ｇ、濃度６１重量
％の硝酸０．２ｇ、純水１８ｇおよびヘキシレングリコ
ール中に平均粒径２０ｎｍのＳｂ2Ｏ5・nＨ2Ｏ微粒子を
固形分濃度で１０重量％含む導電性微粒子分散ゾル１２
０ｇを加えて１２時間撹拌し、無機酸化物換算で固形分
濃度６重量％の透明電極保護膜形成用塗布液を得た。
平均粒径４５ｎｍのシリカ微粒子をＳｉＯ2濃度で１０
重量％含むシリカゾル）を３０ｇ、エチルシリケート２
８（ＳｉＯ2濃度：２８重量％）を９６．４ｇ、γ-グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン（ＳｉＯ2濃度：
２５．４重量％）７０．９ｇを混合し２０分攪拌した後
に、ヘキシレングリコール６６４．５ｇ、濃度６１重量
％の硝酸０．２ｇ、純水１８ｇおよびヘキシレングリコ
ール中に平均粒径２０ｎｍのＳｂ2Ｏ5・nＨ2Ｏ微粒子を
固形分濃度で１０重量％含む導電性微粒子分散ゾル１２
０ｇを加えて１２時間撹拌し、無機酸化物換算で固形分
濃度６重量％の透明電極保護膜形成用塗布液を得た。
【００６６】得られた透明電極保護膜形成用塗布液を用
いて、ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパター
ン状に形成された透明電極付基板（旭硝子(株)製：３０
Ωタイプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、得
られた塗膜を１００℃で乾燥した後、２００℃で３０分
間焼成することにより透明電極保護膜（１）を形成し
た。
いて、ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパター
ン状に形成された透明電極付基板（旭硝子(株)製：３０
Ωタイプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、得
られた塗膜を１００℃で乾燥した後、２００℃で３０分
間焼成することにより透明電極保護膜（１）を形成し
た。
【００６７】さらに、透明電極パターン上に上記の成膜
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
【００６８】得られた透明電極保護膜の膜厚（電極保護
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
【００６９】
【実施例３】チタニアゾル（ヘキシレングリコール中に
平均粒径２０ｎｍのチタニア微粒子をＴｉＯ2濃度で１
０重量％含むチタニアゾル）３０ｇ、エチルシリケート
４０（ＳｉＯ2濃度：４０重量％）３０ｇ、チタンオク
チレングリコレートのＩＰＡ溶液（ＴｉＯ2濃度：９重
量％）４００ｇを混合し２０分攪拌した後に、ヘキシレ
ングリコール４３５．８ｇ、濃度６１重量％の硝酸０．
２ｇ、および純水１４ｇを添加し、さらにヘキシレング
リコール中に平均粒径２０ｎｍのＳｂ2Ｏ5・nＨ2Ｏ微粒
子を固形分濃度で１０重量％含む導電性微粒子分散ゾル
９０ｇを加えて１２時間撹拌し、固形分濃度６重量％の
透明電極保護膜形成用塗布液を得た。
平均粒径２０ｎｍのチタニア微粒子をＴｉＯ2濃度で１
０重量％含むチタニアゾル）３０ｇ、エチルシリケート
４０（ＳｉＯ2濃度：４０重量％）３０ｇ、チタンオク
チレングリコレートのＩＰＡ溶液（ＴｉＯ2濃度：９重
量％）４００ｇを混合し２０分攪拌した後に、ヘキシレ
ングリコール４３５．８ｇ、濃度６１重量％の硝酸０．
２ｇ、および純水１４ｇを添加し、さらにヘキシレング
リコール中に平均粒径２０ｎｍのＳｂ2Ｏ5・nＨ2Ｏ微粒
子を固形分濃度で１０重量％含む導電性微粒子分散ゾル
９０ｇを加えて１２時間撹拌し、固形分濃度６重量％の
透明電極保護膜形成用塗布液を得た。
【００７０】得られた透明電極保護膜形成用塗布液を、
ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパターン状に
形成された透明電極付基板（旭硝子（株）製：３０Ωタ
イプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、得られ
た塗膜を１００℃で乾燥した後、高圧水銀ランプで６，
０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、次いで３００℃
で３０分間焼成することにより透明電極保護膜（１）を
形成した。
ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパターン状に
形成された透明電極付基板（旭硝子（株）製：３０Ωタ
イプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、得られ
た塗膜を１００℃で乾燥した後、高圧水銀ランプで６，
０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、次いで３００℃
で３０分間焼成することにより透明電極保護膜（１）を
形成した。
【００７１】さらに、透明電極パターン上に上記の成膜
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
【００７２】得られた透明電極保護膜の膜厚（電極保護
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
【００７３】
【実施例４】エチルシリケート２８（ＳｉＯ2濃度：２
８重量％）１５０ｇにブチルセロソルブ４０ｇ、ヘキシ
レングリコール３０４．４ｇ、濃度６１重量％の硝酸
０．４ｇおよび純水１５ｇを添加し、ヘキシレングリコ
ール中に平均粒径２０ｎｍのＳｂ2Ｏ５・nＨ2Ｏ微粒子
を固形分濃度で１０重量％含む導電性微粒子分散ゾル９
０ｇを加えて３時間撹拌し液Ｄを調製した。ジイソプロ
ポキシ-ジオクチルオキシチタニウムのイソプロピルア
ルコール溶液（ＴｉＯ2濃度：１０重量％）６０ｇ、ト
リブトキシ-モノアセチルアセトナトジルコニウムのブ
タノール溶液（ＺｒＯ2濃度：１３．５重量％）２２．
２ｇ、ヘキシレングリコール３１８ｇの混合物を液Ｄに
加えて４８時間攪拌し、無機酸化物換算で固形分濃度６
重量％の透明電極保護膜形成用塗布液を得た。
８重量％）１５０ｇにブチルセロソルブ４０ｇ、ヘキシ
レングリコール３０４．４ｇ、濃度６１重量％の硝酸
０．４ｇおよび純水１５ｇを添加し、ヘキシレングリコ
ール中に平均粒径２０ｎｍのＳｂ2Ｏ５・nＨ2Ｏ微粒子
を固形分濃度で１０重量％含む導電性微粒子分散ゾル９
０ｇを加えて３時間撹拌し液Ｄを調製した。ジイソプロ
ポキシ-ジオクチルオキシチタニウムのイソプロピルア
ルコール溶液（ＴｉＯ2濃度：１０重量％）６０ｇ、ト
リブトキシ-モノアセチルアセトナトジルコニウムのブ
タノール溶液（ＺｒＯ2濃度：１３．５重量％）２２．
２ｇ、ヘキシレングリコール３１８ｇの混合物を液Ｄに
加えて４８時間攪拌し、無機酸化物換算で固形分濃度６
重量％の透明電極保護膜形成用塗布液を得た。
【００７４】得られた透明電極保護膜形成用塗布液を、
ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパターン状に
形成された透明電極付基板（旭硝子(株)製：３０Ωタイ
プ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、得られた
塗膜を１００℃で乾燥した後、高圧水銀ランプで６,０
００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、次いで３００℃で
３０分間焼成することにより透明電極保護膜（１）を形
成した。
ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパターン状に
形成された透明電極付基板（旭硝子(株)製：３０Ωタイ
プ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、得られた
塗膜を１００℃で乾燥した後、高圧水銀ランプで６,０
００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、次いで３００℃で
３０分間焼成することにより透明電極保護膜（１）を形
成した。
【００７５】さらに、透明電極パターン上に上記の成膜
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
【００７６】得られた透明電極保護膜の膜厚（電極保護
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
【００７７】
【実施例５】エチルシリケート２８（ＳｉＯ2濃度：２
８重量％）と１０７．１ｇ、γ-グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン（ＳｉＯ2濃度：２５．４重量％）
７０．９ｇとを混合し、ヘキシレングリコール６７６．
８ｇ、６１％硝酸０．２ｇ、および純水２５ｇを添加し
た後、３時間攪拌しＥ液を調製した。珪酸液とアンチモ
ン酸カリウムを原料としてあらかじめ調製したＳｂ2Ｏ5
−ＳｉＯ2複合型ゾル（平均粒径１５ｎｍ、固形分濃度
で１０重量％、ヘキシレングリコール含む導電性微粒子
分散ゾル）１２０ｇをＥ液に加えて１２時間撹拌し、無
機酸化物換算で固形分濃度６重量％の透明電極保護膜形
成用塗布液を得た。
８重量％）と１０７．１ｇ、γ-グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン（ＳｉＯ2濃度：２５．４重量％）
７０．９ｇとを混合し、ヘキシレングリコール６７６．
８ｇ、６１％硝酸０．２ｇ、および純水２５ｇを添加し
た後、３時間攪拌しＥ液を調製した。珪酸液とアンチモ
ン酸カリウムを原料としてあらかじめ調製したＳｂ2Ｏ5
−ＳｉＯ2複合型ゾル（平均粒径１５ｎｍ、固形分濃度
で１０重量％、ヘキシレングリコール含む導電性微粒子
分散ゾル）１２０ｇをＥ液に加えて１２時間撹拌し、無
機酸化物換算で固形分濃度６重量％の透明電極保護膜形
成用塗布液を得た。
【００７８】得られた透明電極保護膜形成用塗布液を用
いて、ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパター
ン状に形成された透明電極付基板（旭硝子(株)製：３０
Ωタイプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、得
られた塗膜を１００℃で乾燥した後、２００℃で３０分
間焼成することにより透明電極保護膜（１）を形成し
た。
いて、ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパター
ン状に形成された透明電極付基板（旭硝子(株)製：３０
Ωタイプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、得
られた塗膜を１００℃で乾燥した後、２００℃で３０分
間焼成することにより透明電極保護膜（１）を形成し
た。
【００７９】さらに、透明電極パターン上に上記の成膜
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
【００８０】得られた透明電極保護膜の膜厚（電極保護
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
【００８１】
【比較例１】エチルシリケート２８（ＳｉＯ2濃度：２
８重量％）８５．７ｇ、ジプロピレングリコール１００
ｇ、ヘキシレングリコール２０２ｇ、濃度６１重量％の
硝酸０．２ｇおよび純水１２ｇを混合した後、３時間撹
拌し液Ｆを調製した。テトラノルマルブチルチタネート
（ＴｉＯ2濃度：２３．５重量％）１２７．７ｇ、ジル
コニウムノルマルプロポキシド（ＺｒＯ2濃度：２８
％）２１．４ｇ、ヘキシレングリコール４５１ｇの混合
物を液Ｆに加えて４８時間攪拌し、無機酸化物換算で固
形分濃度６重量％の透明電極保護膜形成用塗布液を得
た。
８重量％）８５．７ｇ、ジプロピレングリコール１００
ｇ、ヘキシレングリコール２０２ｇ、濃度６１重量％の
硝酸０．２ｇおよび純水１２ｇを混合した後、３時間撹
拌し液Ｆを調製した。テトラノルマルブチルチタネート
（ＴｉＯ2濃度：２３．５重量％）１２７．７ｇ、ジル
コニウムノルマルプロポキシド（ＺｒＯ2濃度：２８
％）２１．４ｇ、ヘキシレングリコール４５１ｇの混合
物を液Ｆに加えて４８時間攪拌し、無機酸化物換算で固
形分濃度６重量％の透明電極保護膜形成用塗布液を得
た。
【００８２】得られた透明電極保護膜形成用塗布液を、
ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパターン状に
形成された透明電極付基板（旭硝子（株）製：３０Ωタ
イプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、得られ
た塗膜を１００℃で乾燥した後、高圧水銀ランプで６、
０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、次いで３００℃
で３０分間焼成することにより透明電極保護膜を形成し
た。
ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパターン状に
形成された透明電極付基板（旭硝子（株）製：３０Ωタ
イプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、得られ
た塗膜を１００℃で乾燥した後、高圧水銀ランプで６、
０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、次いで３００℃
で３０分間焼成することにより透明電極保護膜を形成し
た。
【００８３】さらに、透明電極パターン上に上記の成膜
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
【００８４】得られた透明電極保護膜の膜厚（電極保護
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
【００８５】
【比較例２】エチルシリケート２８（ＳｉＯ2濃度：２
８重量％）８５．７ｇ、ヘキシレングリコール３７４
ｇ、６１％硝酸０．３ｇおよび純水２０ｇを混合した後
に１時間攪拌を行い、ヘキシレングリコール中に平均粒
径１０nmの酸化スズ微粒子を固形分濃度で１０重量％分
散して含む導電性微粒子分散ゾル１２０ｇを加えて１２
時間撹拌し液Ｇを調製した。ジイソプロポキシ-ジオク
チルオキシチタニウムのイソプロピルアルコール溶液
（ＴｉＯ2濃度：１０重量％）２４０ｇ、ヘキシレング
リコール１６０ｇの混合物を液Ｆに加えて４８時間攪拌
し、無機酸化物換算で固形分濃度６重量％の透明電極保
護膜形成用塗布液を得た。
８重量％）８５．７ｇ、ヘキシレングリコール３７４
ｇ、６１％硝酸０．３ｇおよび純水２０ｇを混合した後
に１時間攪拌を行い、ヘキシレングリコール中に平均粒
径１０nmの酸化スズ微粒子を固形分濃度で１０重量％分
散して含む導電性微粒子分散ゾル１２０ｇを加えて１２
時間撹拌し液Ｇを調製した。ジイソプロポキシ-ジオク
チルオキシチタニウムのイソプロピルアルコール溶液
（ＴｉＯ2濃度：１０重量％）２４０ｇ、ヘキシレング
リコール１６０ｇの混合物を液Ｆに加えて４８時間攪拌
し、無機酸化物換算で固形分濃度６重量％の透明電極保
護膜形成用塗布液を得た。
【００８６】得られた透明電極保護膜形成用塗布液を、
ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパターン状に
形成された透明電極付基板（旭硝子（株）製：３０Ωタ
イプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、得られ
た塗膜を１００℃で乾燥した後、高圧水銀ランプで６、
０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、次いで３００℃
で３０分間焼成することにより透明電極保護膜（１）を
形成した。
ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパターン状に
形成された透明電極付基板（旭硝子（株）製：３０Ωタ
イプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、得られ
た塗膜を１００℃で乾燥した後、高圧水銀ランプで６、
０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、次いで３００℃
で３０分間焼成することにより透明電極保護膜（１）を
形成した。
【００８７】さらに、透明電極パターン上に上記の成膜
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
【００８８】得られた透明電極保護膜の膜厚（電極保護
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
【００８９】
【比較例３】シリカゾルＡ（ヘキシレングリコール中に
平均粒径５nmのシリカ微粒子をＳｉＯ2濃度で１０重量
％含むシリカゾル）６０ｇ、エチルシリケートエチルシ
リケート２８（ＳｉＯ2濃度：２８重量％）８５．７
ｇ、メチルトリメトキシシラン（ＳｉＯ2濃度：４４重
量％）４０．９ｇの混合液に、ヘキシレングリコール６
７３．１ｇ、濃度６１重量％の硝酸０．３ｇ、純水２０
ｇ、およびヘキシレングリコール中に平均粒径１０ｎｍ
のアンチモンがドープされた酸化スズ微粒子を固形分濃
度で１０重量％分散して含む導電性微粒子分散ゾル１２
０ｇを加えて１２時間撹拌し、無機酸化物換算で固形分
濃度６重量％の透明電極保護膜形成用塗布液を得た。
平均粒径５nmのシリカ微粒子をＳｉＯ2濃度で１０重量
％含むシリカゾル）６０ｇ、エチルシリケートエチルシ
リケート２８（ＳｉＯ2濃度：２８重量％）８５．７
ｇ、メチルトリメトキシシラン（ＳｉＯ2濃度：４４重
量％）４０．９ｇの混合液に、ヘキシレングリコール６
７３．１ｇ、濃度６１重量％の硝酸０．３ｇ、純水２０
ｇ、およびヘキシレングリコール中に平均粒径１０ｎｍ
のアンチモンがドープされた酸化スズ微粒子を固形分濃
度で１０重量％分散して含む導電性微粒子分散ゾル１２
０ｇを加えて１２時間撹拌し、無機酸化物換算で固形分
濃度６重量％の透明電極保護膜形成用塗布液を得た。
【００９０】得られた透明電極保護膜形成用塗布液を用
いて、ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパター
ン状に形成された透明電極付基板（旭硝子（株）製：３
０Ωタイプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、
得られた塗膜を１００℃で乾燥した後、２００℃で３０
分間焼成することにより透明電極保護膜（１）を形成し
た。
いて、ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパター
ン状に形成された透明電極付基板（旭硝子（株）製：３
０Ωタイプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、
得られた塗膜を１００℃で乾燥した後、２００℃で３０
分間焼成することにより透明電極保護膜（１）を形成し
た。
【００９１】さらに、透明電極パターン上に上記の成膜
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
【００９２】得られた透明電極保護膜の膜厚（電極保護
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。それらの結果を表２に示
す。
【００９３】
【比較例４】シリカゾルＨ（ヘキシレングリコール中に
平均粒径２５ｎｍのシリカ微粒子をＳｉＯ2濃度で１０
重量％含むシリカゾル）１２０ｇ、エチルシリケート２
８（ＳｉＯ2濃度：２８重量％）６４．３ｇ、γ-グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン（ＳｉＯ2濃度：２
５．４重量％）１１８．１ｇの混合物に、ヘキシレング
リコール６８２．４ｇ、濃度６１重量％の硝酸０．２ｇ
および純水１５ｇを添加し１２時間撹拌した後、固形分
濃度６重量％の透明電極保護膜形成用塗布液を得た。
平均粒径２５ｎｍのシリカ微粒子をＳｉＯ2濃度で１０
重量％含むシリカゾル）１２０ｇ、エチルシリケート２
８（ＳｉＯ2濃度：２８重量％）６４．３ｇ、γ-グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン（ＳｉＯ2濃度：２
５．４重量％）１１８．１ｇの混合物に、ヘキシレング
リコール６８２．４ｇ、濃度６１重量％の硝酸０．２ｇ
および純水１５ｇを添加し１２時間撹拌した後、固形分
濃度６重量％の透明電極保護膜形成用塗布液を得た。
【００９４】得られた透明電極保護膜形成用塗布液を用
いて、ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパター
ン状に形成された透明電極付基板（旭硝子（株）製：３
０Ωタイプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、
得られた塗膜を１００℃で乾燥した後、２００℃で３０
分間焼成することにより透明電極保護膜（１）を形成し
た。
いて、ガラス基板上にＩＴＯからなる透明電極がパター
ン状に形成された透明電極付基板（旭硝子（株）製：３
０Ωタイプ）の電極面上に、フレキソ印刷法で塗布し、
得られた塗膜を１００℃で乾燥した後、２００℃で３０
分間焼成することにより透明電極保護膜（１）を形成し
た。
【００９５】さらに、透明電極パターン上に上記の成膜
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
条件で形成された透明保護膜付き基材を用いて、実施例
１と同様な手法で液晶表示セルを作成し、静電気による
線痕状態とラビング傷および上下電極の導通についての
評価を行った。また、アルカリパッシベーション膜付き
ガラス基板、シリコンウェハーにも上記の成膜条件で透
明電極保護膜（２）および（３）を形成した。
【００９６】得られた透明電極保護膜の膜厚（電極保護
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。
膜の膜の厚さは保護膜（１）〜（３）でいずれも同
一）、表面抵抗、耐電圧の半減期および屈折率を実施例
１と同様な手法で測定した。
【００９７】
【表２】
【図１】本発明に係る液晶表示セルを模式的に表す断面
図である。
図である。
【図２】単分散性の悪い導電性微粒子の保護膜中での分
布状態を示す模式図を示す。
布状態を示す模式図を示す。
１…液晶表示セル ２、２'…透明電極付基板 ３…スペーサー粒子 ４…液晶 ２１…透明基板 ２２…透明電極膜 ２３…透明電極保護膜 ２４…配向膜 ｄ…間隔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小 松 通 郎 福岡県北九州市若松区北湊町13番２号 触 媒化成工業株式会社若松工場内 Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HB12X HB18X HB19X HD05 HD07 JB02 JC17 KA05 KA08 LA01 MA04 MB04 2H092 GA25 GA26 GA27 JB79 NA14 NA17 NA25 PA02 QA07 QA10
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に透明電極、透明電極保護膜および
配向膜が順次積層されている透明電極付基板を備えた液
晶表示セルにおいて、 前記透明電極保護膜が、体積抵抗率が１０3〜１０12Ω
・ｃｍの範囲にある導電性微粒子を含んでなることを特
徴とする液晶表示セル。 - 【請求項２】前記透明電極保護膜がさらに非導電性無機
化合物粒子を含んでなることを特徴とする請求項１に記
載の液晶表示セル。 - 【請求項３】基板上に透明電極、透明電極保護膜および
配向膜が順次積層されている透明電極付基板を備えた液
晶表示セルを製造するに際して、 基板上に形成された透明電極の表面に、体積抵抗率が１
０3〜１０12Ω・ｃｍの範囲にある導電性微粒子および
マトリックス前駆体とが含有されている被膜形成用塗布
液を塗布し、得られた塗膜を硬化させ透明電極保護膜を
形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示セルの製
造方法。 - 【請求項４】前記被膜形成用塗布液が、さらに非導電性
無機化合物微粒子を含有していることを特徴とする請求
項３に記載の液晶表示セルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000166677A JP3913962B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 液晶表示セルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000166677A JP3913962B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 液晶表示セルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001350139A true JP2001350139A (ja) | 2001-12-21 |
| JP3913962B2 JP3913962B2 (ja) | 2007-05-09 |
Family
ID=18669959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000166677A Expired - Lifetime JP3913962B2 (ja) | 2000-06-02 | 2000-06-02 | 液晶表示セルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3913962B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007063375A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 無機膜形成用塗布液 |
| JP2007148136A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Optrex Corp | 液晶表示素子 |
| JP2008020850A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2014132469A (ja) * | 2006-05-10 | 2014-07-17 | Trendon Touch Technology Corp | 透明基板における透明電極が見えないようにする処理方法 |
| CN108292068A (zh) * | 2015-11-18 | 2018-07-17 | 金泰克斯公司 | 电光气体阻挡层 |
-
2000
- 2000-06-02 JP JP2000166677A patent/JP3913962B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007063375A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 無機膜形成用塗布液 |
| JP2007148136A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Optrex Corp | 液晶表示素子 |
| JP2014132469A (ja) * | 2006-05-10 | 2014-07-17 | Trendon Touch Technology Corp | 透明基板における透明電極が見えないようにする処理方法 |
| JP2008020850A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 |
| CN108292068A (zh) * | 2015-11-18 | 2018-07-17 | 金泰克斯公司 | 电光气体阻挡层 |
| JP2018537712A (ja) * | 2015-11-18 | 2018-12-20 | ジェンテックス コーポレイション | 電気光学ガスバリヤ |
| CN108292068B (zh) * | 2015-11-18 | 2021-06-25 | 金泰克斯公司 | 电光气体阻挡层 |
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