TWI424287B - 投影光學系統、曝光裝置、曝光方法、顯示器的製造方法、光罩以及光罩的製造方法 - Google Patents

投影光學系統、曝光裝置、曝光方法、顯示器的製造方法、光罩以及光罩的製造方法 Download PDF

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Description

投影光學系統、曝光裝置、曝光方法、顯示器的製造方法、光罩以及光罩的製造方法
本發明是關於在基板等上投影光罩(mask)、光柵(reticle)等之像的投影光學系統、包括該投影光學系統的曝光裝置、使用該曝光裝置的曝光方法、使用該曝光裝置的顯示器的製造方法、光罩以及光罩的製造方法。
例如在製造半導體元件或液晶顯示元件等時，使用的投影曝光裝置是將光罩(光柵、光遮罩(photomask)等)圖案經由投影光學系統而投影於塗佈有抗蝕(resist)劑的感光板(plate)(玻璃板或半導體晶圓等)上。先前多使用的投影曝光裝置(stepper，步進機)是以步進重複(step and repeat)的方式，將各個光柵圖案於感光板上的各曝光照射(shot)區域一併曝光。近年來，提出一種步進掃描(step and scan)方式的投影曝光裝置，其並非使用1個較大的投影光學系統，取而代之是將具有等倍的倍率之較小的多個部分投影光學系統沿著掃描方向以特定間隔而配置成多列，一邊掃描光罩及感光板，一邊利用各部分投影光學系統，將各個光罩圖案於感光板上曝光(參照日本專利申請平成5－161588號公報)。
然而近年來，感光板日益大型化，已開始使用超過2 m見方的感光板。因此，當使用上述步進掃描方式的曝光裝置而於大型感光板上進行曝光時，由於部分投影光學系統具有等倍的倍率，因而光罩亦需大型化。又因必須維持光罩基板的平面性，所以光罩愈大型化，則成本愈高。而且，為了形成通常的TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)部，必須具有4~5層的光罩，因此需要很大的成本。
本發明之目的在於，提供一種具有放大倍率且具有良好光學性能的投影光學系統、包括該投影光學系統的曝光裝置、使用該曝光裝置的曝光方法、以及使用該曝光裝置的顯示器的製造方法。又，本發明之目的在於提供一種包括具有放大倍率的投影光學系統的曝光裝置中所使用的光罩及其製造方法。
根據本發明之第1實施例，提供一種曝光裝置，其可一邊使第1物體及第2物體沿著掃描方向而移動，一邊於上述第2物體上進行投影曝光，該曝光裝置的特徵在於，包括第1投影光學系統與第2投影光學系統，並且包括第1平臺；上述第1投影光學系統是指在上述第2物體上的部分區域即第1區域，形成上述第1物體上的部分之放大像；上述第2投影光學系統是指在上述第2物體上之不同於上述部分區域的第2區域，形成上述第1物體上之不同於上述部分的部分之放大像；上述第1平臺是指保持上述第1物體，並且使上述第1物體的上述部分及上述不同部分中的至少一方能夠沿著上述非掃描方向而移動；上述第1區域及上述第2區域沿著與上述掃描方向相交的非掃描方向以特定的間隔而排列著。
又，根據本發明之第2實施例，提供一種曝光裝置，其可一邊使第1物體及第2物體對投影光學裝置進行相對掃描，一邊進行投影曝光，該曝光裝置的特徵在於，包括保持上述第1物體的第1平臺以及保持上述第2物體的第2平臺，上述投影光學裝置包括多個投影光學系統，該多個投影光學系統沿著與掃描方向相交的非掃描方向而配置，並且分別具有放大倍率，該曝光裝置一邊使上述第1及上述第2平臺以與上述放大倍率之比對應的速度比而沿著上述掃描方向移動，一邊進行多次投影曝光，並且於上述多次投影曝光之間，使上述第1及第2平臺沿著上述非掃描方向而移動。
又，根據本發明之第3實施例，提供一種投影光學系統，其包括至少1個反射折射光學系統，該投影光學系統的特徵在於，上述反射折射光學系統是將第1面的像投影於第2面上的光學系統，其包括凹面反射鏡、第1透鏡群、第1光路偏轉面、第2透鏡群、第2光路偏轉面、以及第3透鏡群；上述凹面反射鏡配置於上述第1面與上述第2面之間的光路中；上述第1透鏡群配置於上述第1面與上述凹面反射鏡之間的光路中，且具有正折射力；上述第1光路偏轉面配置於上述第1透鏡群與上述凹面反射鏡之間的光路中，使光路偏轉；上述第2透鏡群配置於上述第1光路偏轉面與上述凹面反射鏡之間的光路中；上述第2光路偏轉面配置於上述第2透鏡群與上述第2面之間的光路中，使光路偏轉；上述第3透鏡群配置於上述第2光路偏轉面與上述第2面之間的光路中，且具有正折射力；當將上述第1透鏡群的焦距設為FPG1，且將上述第3透鏡群的焦距設為FPG3時，滿足條件1<FPG3/FPG1<2.5。
又，根據本發明之第4實施例，提供一種光罩，該光罩具有圖案區域，該光罩的特徵在於，上述圖案區域包括沿著第1方向而配置於奇數號的多個奇數列圖案區域，以及沿著上述第1方向而配置於偶數號的多個偶數列圖案區域，且更包括第1測量用標記(mark)與第2測量用標記；上述第1測量用標記與至少1個上述奇數列圖案區域或至少1個上述偶數列圖案區域具有第1位置關係；上述第2測量用標記與至少1個上述奇數列圖案區域或至少1個上述偶數列圖案區域具有第2位置關係。
又，根據本發明之第5實施例，提供一種光罩的製造方法，其特徵在於，包括下述步驟：將與形成於上述光罩上的所有圖案對應的所有圖案資料在第1方向上進行分割之步驟；在分割後的至少1個圖案資料之第1方向的端部，添加與共通區域對應的圖案資料，製作多個與分割後的各圖案資料對應的描繪資料之步驟；使用上述多個描繪資料，於上述光罩上描繪圖案之步驟；以及製作基準標記，使該基準標記與所描繪的各圖案之至少1個圖案具有特定的位置關係之步驟。
又，根據本發明之第6實施例，提供一種曝光方法，可一邊使第1物體及第2物體對投影光學裝置進行相對掃描，一邊進行投影曝光，該曝光方法的特徵在於，包括：第1曝光步驟、步進步驟、以及第2曝光步驟；上述第1曝光步驟使用沿著與掃描方向相交的非掃描方向而配置的多個投影光學系統，一邊使上述第2物體於上述掃描方向移動，一邊於上述第2物體上形成多個曝光區域；上述步進步驟使上述第2物體沿著上述非掃描方向而移動；上述第2曝光步驟使用上述多個投影光學系統，一邊使上述第2物體於上述掃描方向上移動，一邊於上述第2物體上形成多個曝光區域；上述投影光學系統是本發明的投影光學系統，於上述步進步驟中，將利用上述第2曝光步驟所形成的上述多個曝光區域中的至少1個區域，定位於利用上述第1曝光步驟所形成的上述多個曝光區域之間。
又，根據本發明之第7實施例，提供一種曝光方法，可一邊使第1物體及第2物體對投影光學裝置進行相對掃描，一邊進行投影曝光，該曝光方法的特徵在於，包括第1曝光步驟、第1步進步驟、第2曝光步驟、以及第2步進步驟；上述第1曝光步驟使用沿著與掃描方向相交的非掃描方向而配置的多個投影光學系統，一邊使上述第2物體於上述掃描方向上移動，一邊於上述第2物體上形成多個曝光區域；上述第1步進步驟使上述第2物體沿著上述非掃描方向而移動；上述第2曝光步驟使用上述多個投影光學系統，一邊使上述第2物體於上述掃描方向上移動，一邊於上述第2物體上形成多個曝光區域；上述第2步進步驟使上述第2物體沿著上述非掃描方向而移動；於上述第1步進步驟中，將利用上述第2曝光步驟所形成的上述多個曝光區域中的至少1個區域，定位於利用上述第1曝光步驟所形成的上述多個曝光區域之間；於上述第2步進步驟中，以超過下述寬度的方式，使上述第2物體沿著上述非掃描方向而移動，上述寬度是指利用上述第1或第2曝光步驟而形成於上述第2物體上的上述多個曝光區域之沿著上述非掃描方向的寬度。
又，根據本發明之第8實施例，提供一種顯示器的製造方法，其特徵在於，包括曝光步驟及顯影步驟；上述曝光步驟是使用本發明的曝光裝置，將特定的圖案於感光性基板上曝光；上述顯影步驟是對利用上述曝光步驟所曝光的上述感光性基板進行顯影。
又，根據本發明之第9實施例，提供一種顯示器的製造方法，其特徵在於，包括曝光步驟及顯影步驟；上述曝光步驟是使用本發明的曝光方法，將特定的圖案曝光於感光性基板上；上述顯影步驟是對利用上述曝光步驟所曝光的上述感光性基板進行顯影。
以下，參照圖式來說明本發明之實施例的投影光學系統。圖1是第1實施例的投影光學系統的結構圖。以下說明中，設定各圖中所示的XYZ正交座標系，並且一邊參照該XYZ正交座標系，一邊說明各部件的位置關係。XYZ正交座標系中，將X軸及Y軸設定為與下述曝光裝置中所使用的感光板P平行，將Z軸設定在與感光板P正交的方向上。圖中的XYZ座標系實際上是將XY平面設定為與水平面平行的面，將Z軸設定在鉛垂方向上。又，於下述曝光裝置中，將使光罩M及感光板P移動的方向(掃描方向)設定為X軸方向。
圖1所示的投影光學系統PL1是將光罩(第1面)M1之像投影於感光板(第2面)P1上的反射折射光學系統，該投影光學系統PL1包括凹面反射鏡CCM1、第1透鏡群PG11、第1光路偏轉面FM11、第2透鏡群PG21、第2光路偏轉面FM21、以及第3透鏡群PG31；上述凹面反射鏡CCM1配置於光罩M1與感光板P1之間的光路中；上述第1透鏡群PG11配置於光罩M1與凹面反射鏡CCM1之間的光路中，且具有正折射力；上述第1光路偏轉面FM11以與光罩M1面成45°角的方式斜設於第1透鏡群PG11與凹面反射鏡CCM1之間的光路中，以使從第1透鏡群PG11向－Z軸方向行進的光於X軸方向反射，由此使光路偏轉；上述第2透鏡群PG21配置於第1光路偏轉面FM11與凹面反射鏡CCM1之間的光路中；上述第2光路偏轉面FM21以與光罩M1面成45°角的方式斜設於第2透鏡群PG21與感光板P1之間的光路中，以使從第2透鏡群PG21向－X軸方向行進的光於－Z軸方向反射，由此使光路偏轉；上述第3透鏡群PG31配置於第2光路偏轉面FM21與感光板P1之間的光路中，且具有正折射力。
投影光學系統PL1的第1透鏡群PG11由在光罩M1側朝向凹面的正彎月透鏡(positive meniscus lees)L101、雙凹透鏡(biconcave lens)L111、雙凸透鏡(biconvex lens)L121、以及在光罩M1側朝向平面的平凸透鏡(plane－convex lens)L131所組成。第2透鏡群PG21由雙凸透鏡L141、在第1光路偏轉面FM11側朝向凹面的負彎月透鏡(negative meniscus lens)L151、在第1光路偏轉面FM11側朝向凸面的負彎月透鏡L161、以及在第1光路偏轉面FM11側朝向凹面的負彎月透鏡L171所組成。第3透鏡群PG31由雙凹透鏡L181、雙凸透鏡L191、在第2光路偏轉面FM21側朝向凸面的平凸透鏡L201、以及在感光板P1側朝向凹面的平凹透鏡L211所組成。
其次，參照圖2來說明第2實施例的投影光學系統PL2。圖2是第2實施例的投影光學系統PL2的結構圖。
圖2所示的投影光學系統PL2是將光罩(第1面)M2的像投影於感光板(第2面)P2上的反射折射光學系統，該投影光學系統PL2包括凹面反射鏡CCM2、第1透鏡群PG12、第1光路偏轉面FM12、第2透鏡群PG22、第2光路偏轉面FM22、以及第3透鏡群PG32；上述凹面反射鏡CCM2配置於光罩M2與感光板P2之間的光路中；上述第1透鏡群PG12配置於光罩M2與凹面反射鏡CCM2之間的光路中，且具有正折射力；上述第1光路偏轉面FM12以與光罩M2面成45°角的方式斜設於第1透鏡群PG12與凹面反射鏡CCM2之間的光路中，以使從第1透鏡群PG12向－Z軸方向行進的光於X軸方向反射，由此使光路偏轉；上述第2透鏡群PG22配置於第1光路偏轉面FM12與凹面反射鏡CCM2之間的光路中；上述第2光路偏轉面FM22以與光罩M2面成45°角的方式斜設於第2透鏡群PG22與感光板P2之間的光路中，以使從第2透鏡群PG22向－X軸方向行進的光於－Z軸方向反射，由此使光路偏轉；上述第3透鏡群PG32配置於第2光路偏轉面FM22與感光板P2之間的光路中，且具有正折射力。
第1透鏡群PG12由在光罩M2側朝向凹面的負彎月透鏡L102、雙凹透鏡L112、雙凸透鏡L122、在光罩M2側朝向凹面的負彎月透鏡L132、以及在光罩M2側朝向平面的平凸透鏡L142所組成。第2透鏡群PG22由在第1光路偏轉面FM12側朝向凸面的負彎月透鏡L152、雙凸透鏡L162、雙凹透鏡L172、以及雙凸透鏡L182所組成。第3透鏡群PG3由雙凹透鏡L192、在第2光路偏轉面FM22側朝向凹面的正彎月透鏡L202、在第2光路偏轉面FM22側朝向凸面的負彎月透鏡L212、以及雙凸透鏡L222所組成。
其次，參照圖3來說明第3實施例的投影光學系統PL3。圖3是第3實施例的投影光學系統PL3的結構圖。
圖3所示的投影光學系統PL3包括用以將光罩(第1面)M3之像投影於感光板(第2面)P3上的反射折射光學系統PL31以及反射折射光學系統PL32。反射折射光學系統PL31包括凹面反射鏡CCM31、第1透鏡群PG13、第1光路偏轉面FM13、第2透鏡群PG23、第2光路偏轉面FM23、以及第3透鏡群PG33；上述凹面反射鏡CCM31配置於光罩M3與視場光圈(visual field diaphragm)FS之間的光路中；上述第1透鏡群PG13配置於光罩M3與凹面反射鏡CCM31之間的光路中，且具有正折射力；上述第1光路偏轉面FM13以與光罩M3面成45°角的方式斜設於第1透鏡群PG13與凹面反射鏡CCM31之間的光路中，以使從第1透鏡群PG13向－Z軸方向行進的光於X軸方向反射，由此使光路偏轉；上述第2透鏡群PG23配置於第1光路偏轉面FM13與凹面反射鏡CCM31之間的光路中；上述第2光路偏轉面FM23以與光罩M3面成45°角的方式斜設於第2透鏡群PG23與視場光圈FS之間的光路中，以使從第2透鏡群PG23向－X軸方向行進的光於－Z軸方向反射，由此使光路偏轉；上述第3透鏡群PG33配置於第2光路偏轉面FM23與視場光圈FS之間的光路中，且具有正折射力。
反射折射光學系統PL32具有與反射折射光學系統PL31相同的結構。亦即，包括凹面反射鏡CCM32、第4透鏡群PG43、第3光路偏轉面FM33、第5透鏡群PG53、第4光路偏轉面FM43、以及第6透鏡群PG63；上述凹面反射鏡CCM32配置於視場光圈FS與感光板P3之間的光路中；上述第4透鏡群PG43配置於視場光圈FS與凹面反射鏡CCM32之間的光路中，且具有正折射力；上述第3光路偏轉面FM33以與光罩M3面成45°的角方式斜設於第4透鏡群PG43與凹面反射鏡CCM32之間的光路中，以使從第4透鏡群PG43向－Z軸方向行進的光於X軸方向反射，由此使光路偏轉；上述第5透鏡群PG53配置於第3光路偏轉面FM33與凹面反射鏡CCM32之間的光路中；上述第4光路偏轉面FM43以與光罩M3面成45°角的方式斜設於第5透鏡群PG53與感光板P3之間的光路中，以使從第5透鏡群PG53向－X軸方向行進的光於－Z軸方向反射，由此使光路偏轉；上述第6透鏡群PG63配置於第4光路偏轉面FM43與感光板P3之間的光路中，且具有正折射力。
第1透鏡群PG13由在光罩M3側朝向平面的平凸透鏡L103、雙凹透鏡L113、以及雙凸透鏡L123所組成。第2透鏡群PG23由雙凸透鏡L143、在第1光路偏轉面FM13側朝向凹面的負彎月透鏡L153、在第1光路偏轉面FM13側朝向凸面的負彎月透鏡L163、以及在第1光路偏轉面FM13側朝向凹面的負彎月透鏡L173所組成。第3透鏡群PG33由在第2光路偏轉面FM23側朝向凸面的平凸透鏡L183、於第2光路偏轉面FM23側朝向凸面的負彎月透鏡L193、以及於第2光路偏轉面FM23側朝向凸面的正彎月透鏡L203所組成。再者，第4透鏡群PG43、第5透鏡群PG53、第6透鏡群PG63分別具有與第1透鏡群PG13、第2透鏡群PG23、第3透鏡群PG33相同的結構。
此處，於上述第1~第3實施例中，當將第1透鏡群PG11、PG12、PG13的焦距設為FPG1，且將第3透鏡群PG31、PG32、PG33的焦距設為FPG3時，滿足條件1<FPG3/FPG1<2.5。
當超過該條件式的下限時，投影倍率會小於1，從而無法構成具有放大倍率的投影光學系統；當超過該條件式的上限時，放大側之像的高度會增高，從而對像散(astigmatism)、像面彎曲的修正變得困難。
又，第1透鏡群PG11、PG12、PG13及第3透鏡群PG31、PG32、PG33分別具有正折射力，故由於包括2個正透鏡，因而對球面像差、像面彎曲的修正變得容易。
又，由於第2透鏡群PG21、PG22、PG23包括至少1個負透鏡及正透鏡，因而能夠於第2透鏡群PG21、PG22、PG23內進行色像差(chromatic aberration)的修正。再者，更佳的是，使用與第2透鏡群PG21、PG22、PG23內的至少1個負透鏡及正透鏡不同種類的光學部件。較佳的是，除該構成之外，亦於第1透鏡群PG11、PG12、PG13及第3透鏡群PG31、PG32、PG33中分別包括負透鏡以及正透鏡。藉此，能夠於各透鏡群中進行色像差修正，因而即便使曝光波長寬頻帶化(例如自g線(436 nm)起遍及i線(365 nm)的波長區域)，亦可對整個投影光學系統實現良好的色像差修正。
又，於上述第1及第2實施例中，由於第3透鏡群PG31、PG32包括配置於最靠近第2光路偏轉面側FM21、FM22的負透鏡L181、L192，因而，甚至到像(image)高較低的光線為止亦可進行視場分離，故可確保較寬的曝光區域。
以下，參照圖式來說明本發明第4實施例的曝光裝置。圖4是第4實施例的曝光裝置的概略結構圖。本實施例中，將以一種曝光裝置為例而進行說明，該曝光裝置具有步進掃描方式，可一邊對光罩(第1物體)M及外徑大於500 mm的感光板(第2物體、感光基板)P在投影光學裝置PL上進行相對掃描，一邊將形成於光罩M上的圖案(原始圖案)之像轉印於感光板P上，上述投影光學裝置PL包括上述第1~第3實施例的反射折射型投影光學系統之任一個所組成的投影光學系統PL10、PL11、PL12。此處所謂外形大於500 mm，是指一邊或對角線大於500 mm。
本實施例的曝光裝置包括用以對光罩M進行均勻照明的照明光學系統IL。照明光學系統IL包括例如由汞燈或超高壓汞燈形成的光源，並且由光學積分器(optical integrator)、視場光圈、聚光透鏡(condenser lens)等所組成。由光源所射出的曝光光束通過照明光學系統IL，對設於光罩M上的圖案進行照明。通過光罩M的光經由多個投影光學系統PL10、PL11、PL12，將光罩M的圖案投影曝光於感光板上的曝光區域。此處，例如投影光學系統PL10相當於第1投影光學系統，投影光學系統PL11相當於第2投影光學系統。
又，光罩M保持於光罩平臺(第1平臺)MST上。光罩平臺MST能夠於掃描方向(X軸方向)上進行長衝程(stroke)移動，且能夠於非掃描方向(Y軸方向)上移動特定量。又，感光板P保持於感光板平臺(第2平臺)PST上。感光板平臺PST能夠於掃描方向(X軸方向)上進行長衝程移動，且能夠於非掃描方向(Y軸方向)上移動特定量。再者，光罩平臺MST及感光板平臺PST的移動藉由控制部CONT而控制。亦即，控制部CONT控制光罩平臺MST及感光板平臺PST以與投影光學系統PL10、PL11、PL12的放大倍率對應的速度比而沿著掃描方向移動，並且控制光罩平臺MST及感光板平臺PST以與投影光學系統PL10、PL11、PL12的放大倍率對應的移動量比而沿著非掃描方向移動。
圖5是表示投影光學系統PL10、PL11、PL12的排列狀態圖。投影光學系統PL10、PL11、PL12在與掃描方向正交的非掃描方向(Y軸方向)上分散地排列配置著。投影光學系統PL10、PL11、PL12的投影倍率分別為2倍。當使利用投影光學系統PL10、PL11、PL12而形成的曝光區域分別為EA1、EA2、EA3時，曝光區域EA1、EA2、EA3會各自相隔特定的距離。此處，將投影光學系統PL10、PL11、PL12的曝光區域EA1、EA2、EA3在Y軸方向的實效曝光寬度分別設為EW。投影光學系統PL10與投影光學系統PL11在Y軸方向的間隔距離為PLP，投影光學系統PL11與投影光學系統PL12在Y軸方向的間隔距離亦為PLP。此時，各投影光學系統PL10、PL11、PL12的實效曝光寬度EW與投影光學系統在Y軸方向的間隔距離PLP之關係為：PLP＝2×EW。
當將與各投影光學系統PL10、PL11、PL12對應的光罩M上的實效曝光寬度設為MW時，EW＝2×MW。
其次，參照圖6來說明使用上述實施例之曝光裝置的曝光方法。首先，參照圖6來說明步驟1。如該圖所示，將利用投影光學系統PL10、PL11、PL12進行投影曝光的感光板P上的曝光區域分別設為P1A、P2A、P3A，將光罩M上的照明區域分別設為M1A、M2A、M3A。此處，例如，照明區域M1A可視為光罩上的一部分，並且照明區域M2A可視為光罩上的不同部分。又，例如，曝光區域P1A可視為感光板上的第1區域，並且曝光區域P2A可視為感光板上的第2區域。再者，於本實施例中，光罩上的一部分(例如M1A)與不同的部分(例如M2A)是一體形成於1個光罩上的，但亦可分別形成於不同的光罩上。例如，亦可一部分(此處為M1A)形成於第1光罩上，而不同的部分(此處為M2A)形成於第2光罩上。於此情形時，利用控制部CONT來控制光罩平臺MST，藉此可僅使光罩上的一部分或不同的部分於非掃描方向上移動。
當將掃描方向設為X軸方向，且將光罩M的掃描速度設為VM，將感光板P的掃描速度設為VP時，滿足如下關係：VP＝2×VM。
因此，當將光罩M於X軸方向的曝光區域的長度設為MXL，且將感光板P於X軸方向的曝光區域的長度設為PXL時，下式成立：PXL＝2×MXL。
其次，參照圖7來說明步驟2。如該圖所示，當步驟1中之感光板P上的曝光長度為PXL的曝光結束後，使感光板P於－Y軸方向上移動SPB(距離等於EW)。使光罩M於Y軸方向上移動SMB(距離等於MW)。其後進行掃描曝光。此時，感光板P上所曝光的區域為P1B、P2B、P3B，其中P1B以與先前步驟1中已曝光的鄰接之曝光區域P1A、P2A在Y軸方向上部分重疊的方式而曝光。曝光區域P2B以與先前步驟1中已曝光的鄰接之曝光區域P2A、P3A在Y軸方向上部分重疊的方式而曝光。曝光區域P3B以與先前的步驟1中已曝光的鄰接之曝光區域P3A在Y軸方向上部分重疊的方式而曝光。
其次，參照圖8來說明步驟3。當步驟2中之感光板P上的曝光長度為PXL的曝光結束後，使感光板P於－Y軸方向上移動SPC(距離等於5×EW)。使光罩M於Y軸方向上移動SMC(距離等於MW)。其後進行掃描曝光。此時，感光板P上所曝光的區域為區域P1C、P2C、P3C，其中P1C以與先前步驟2中已曝光的鄰接之曝光區域P3B在Y軸方向上部分重疊的方式而曝光。
其次，參照圖9來說明步驟4。當步驟3中之感光板P上的曝光長度為PXL的曝光結束後，使感光板P於－Y軸方向移動SPD(距離等於EW)。使光罩M於Y軸方向只移動SMD(距離等於MW)。其後進行掃描曝光。此時，感光板P上所曝光的區域為區域P1D、P2D、P3D，其中P1D以與先前步驟3中已曝光的鄰接之曝光區域P1C、P2C在Y軸方向上部分重疊的方式而曝光。曝光區域P2D以與先前步驟3中已曝光的鄰接之曝光區域P2C、P3C在Y軸方向上部分重疊的方式而曝光。曝光區域P3D以與先前步驟3中已曝光的鄰接之曝光區域P3C在Y軸方向上部分重疊的方式而曝光。
由以上步驟1~4可知，光罩M上的區域面積SM＝12×MW×MXL，而利用本發明的曝光裝置於感光板上所曝光的區域面積SP＝12×EW×PXL。
根據上述關係式，SM與SP之間的下述關係式成立：SP＝4×SM，因而光罩M的4倍面積之區域可進行曝光。
其次，說明上述實施例的曝光方法中所使用的光罩。
圖10是表示例如當上述曝光裝置中包括的投影光學系統PL10、PL11、PL12是由形成正立像的光學系統所組成時的光罩之圖。光罩M10如圖10所示，包括多個奇數列圖案區域M101(此處為3個圖案區域)、以及多個偶數列圖案區域M102(此處為3個圖案區域)。在此，所謂多個奇數列圖案區域M101，是指例如於圖10所示，在Y軸方向(非掃描方向)上自左側數起的奇數號區域，即第1個、第3個、第5個圖案區域，而所謂多個偶數列圖案區域M102，同樣是指在Y軸方向(非掃描方向)上自左側數起的偶數號區域，即第2個、第4個、第6個圖案區域。
又，至少一對鄰接的奇數列圖案區域M101與偶數列圖案區域M102之Y軸方向(非掃描方向)的端部具有包括相同圖案的共通區域。此處，所謂共通區域，是分別形成於至少一對鄰接的奇數列圖案區域M101與偶數列圖案區域M102所鄰接之側。例如於圖10所示，分別形成有共通區域C1、C2、C3、C4、C5。
圖11表示例如當上述曝光裝置中所包括的投影光學系統PL10、PL11、PL12是由形成倒立像的光學系統所組成時的光罩之圖。如圖11所示，光罩包括多個奇數列圖案區域M101(此處為3個圖案區域)、以及多個偶數列圖案區域M102(此處為3個圖案區域)。此處，所謂多個奇數列圖案區域M101，是指例如於圖11所示，在Y軸方向(非掃描方向)上自左側數起的奇數號圖案區域，即第1個、第3個、第5個圖案區域，而多個偶數列圖案區域M102，同樣是指在Y軸方向(非掃描方向)上自左側數起的偶數號圖案區域，即第2個、第4個、第6個圖案區域。
又，至少一對鄰接的奇數列圖案區域M101與偶數列圖案區域M102之Y軸方向(非掃描方向)的端部形成具有相同圖案的共通區域。此處，共通區域分別形成於至少一對鄰接的奇數列圖案區域M101與偶數列圖案區域M102所鄰接之側的相反側。例如於圖11所示，分別形成有共通區域C1、C2、C3、C4、C5。
於圖10所示的光罩M10及圖11所示的光罩M11中，將共通區域C1~C5的全部或者一部分重疊並轉印曝光，以使至少一對鄰接的奇數列圖案區域M101與偶數列圖案區域M102的共通區域相互重合，而形成作為目標的1個圖案。圖12表示將光罩M10(M11)於感光板上曝光轉印後的狀態之圖。如圖12所示，於感光板P10上形成有已對奇數列圖案區域M101進行轉印曝光的區域P101、已對偶數列圖案區域M102進行轉印曝光的區域P102、以及已對共通區域C1~C5進行轉印曝光的區域P11、P12、P13、P14、P15。再者，圖中的EA1、EA2、EA3分別表示投影光學系統PL1、PL2、PL3的曝光區域，PLP表示鄰接的曝光區域中心的間隔。
再者，該一對共通區域C1~C5只要包括相互重合而形成1個圖案的圖案即可，形成於一對共通區域C1~C5的圖案無須完全相同。例如，於一對鄰接的奇數列圖案區域M101與偶數列圖案區域M102的共通區域中，奇數列圖案區域M101的共通區域或者偶數列圖案區域M102的共通區域之任一方，可包括完全不使用的無用圖案。
又，如圖10及圖11所示，光罩M10(M11)包括：形成為與奇數列圖案區域M101具有特定位置關係的多個第1基準標記m101，以及形成為與偶數列圖案區域M102具有特定位置關係的多個第2基準標記m102。此處，第1基準標記m101與第2基準標記m102是用以使光罩M10(M11)位置對準於裝置(例如光罩平臺MST)的對準標記、用以調整投影光學系統PL10、PL11、PL12之配置的配置調整用標記、用以檢測光罩圖案面於Z軸方向之變形的焦點位置檢測用標記、用以檢測由各個投影光學系統PL10、PL11、PL12所形成的奇數列圖案區域M101或偶數列圖案區域M102之像的相對位置偏差(連續誤差)的對準標記等。再者，第1基準標記可根據與偶數列圖案區域M102之特定的位置關係而形成於光罩M10(M11)上，第2基準標記可根據與奇數列圖案區域M101之特定的位置關係而形成於光罩M10(M11)上。
第1基準標記m101配置在與奇數列圖案區域M101為間隔特定距離的位置處(例如圖10或圖11中，與自左側起第1個奇數列圖案區域M101在X軸方向間隔距離為X1的第1基準標記m101)。同樣地，第2基準標記m102配置在與偶數列圖案區域M102為間隔特定距離的位置處(例如圖10或圖11中，與自左側起第6個偶數列圖案區域M102在X軸方向間隔距離為X2的第2基準標記m102)。再者，第1基準標記m101及第2基準標記m102亦可配置在奇數列圖案區域M101與偶數列圖案區域M102之間、奇數列圖案區域M101或偶數列圖案區域M102或者光罩上的其他部分。
進一步，圖13表示當投影光學系統PL10、PL11、PL12是由形成正立像的光學系統所組成時的光罩M10。圖14表示當投影光學系統PL10、PL11、PL12是由形成倒立像的光學系統所組成時的光罩M11。如圖13及圖14所示，至少1個第1基準標記m101配置於奇數列圖案區域M101(例如，自左側起第1個奇數列圖案區域M101)之有關Y軸方向的座標範圍內。同樣地，至少1個第2基準標記m102配置在與第1基準標記m101所配置的奇數列圖案區域M101不同的奇數列圖案區域M101(例如，自左側起第5個奇數列圖案區域M101)之有關Y軸方向的座標範圍內。例如當掃描光罩之前進行對準時，無須在對準後使光罩於Y軸方向移動，即可對光罩進行掃描。再者，第1基準標記或第2基準標記亦可配置於偶數列圖案區域M102之有關Y軸方向的座標範圍內。
例如當將第1基準標記作為對光罩在X及Y方向進行位置對準的對準標記，並且將第2基準標記作為對光罩在θ方向進行位置對準的對準標記時，較理想的是，將第1基準標記與第2基準標記在Y軸方向上盡可能地隔開間距而配置。亦即，如圖13及圖14所示，較理想的是，第1基準標記配置於自左側起第1個奇數列圖案區域M101之有關Y軸方向的座標範圍內，且第2基準標記配置於自左側起第5個奇數列圖案區域M101之有關Y軸方向的座標範圍內。此處，所謂θ方向，是指光罩相對於X及Y方向的偏移方向(傾斜方向)。
又，圖15表示當投影光學系統PL10、PL11、PL12是由形成正立像的光學系統所組成時的光罩M10，圖16表示當投影光學系統PL10、PL11、PL12是由形成倒立像的光學系統所組成時的光罩M11。如圖15及圖16所示，第1基準標記m101較理想的是，配置於奇數列圖案區域M101的共通區域C11之有關Y軸方向的座標範圍內。同樣地，第2基準標記m102較理想的是，配置於偶數列圖案區域M102的共通區域C12之有關Y軸方向的座標範圍內。利用該配置，例如第1基準標記m101或者第2基準標記m102不僅具有用以將光罩的位置對準裝置的對準標記的作用，或者用以調整投影光學系統之配置的配置調整用標記的作用，而且具有作為用以檢測由各個投影光學系統PL10、PL11、PL12而形成的奇數列圖案區域M101或偶數列圖案區域M102之像的相對位置偏移(連續誤差)的對準標記之作用。總之，當連續曝光時，只要測量第1基準標記m101與第2基準標記m102的相對位置偏移，即可判斷連續誤差之良否。
圖17表示本實施例中，形成於感光板上的第1基準標記m101a與第2基準標記m102a之一例。例如，將形成於光罩M上的第1基準標記m101設為十字形，將第2基準標記設為正方形。當使十字形的第1基準標記m101與正方形的第2基準標記m102於感光板P上以相互重合的方式進行曝光時，感光板P上會形成如圖17的標記。利用感光板外觀檢査裝置等來測量形成於感光板P上的第1基準標記m101a與第2基準標記102a的相對位置偏移，並判斷連續誤差之良否。再者，當連續誤差超過容許值時，不進行蝕刻步驟，而是於抗蝕劑剝離後，再次將光罩M的圖案於感光板上曝光。藉此，可減少無用的蝕刻步驟。此處，所謂感光板外觀檢査裝置，是指利用光學顯微鏡來檢測感光板上的圖案之偏移及連續誤差等的裝置。
於圖15及圖16中，將至少一對奇數列圖案區域M101中之一個奇數列圖案區域M101與另一個奇數列圖案區域M101在Y軸方向(非掃描方向)的配置間隔設為第1配置間隔L1。進一步，將至少一對偶數列圖案區域M102中之一個偶數列圖案區域M102與另一個偶數列圖案區域M102在Y軸方向(非掃描方向)的配置間隔設為第2配置間隔L2。此處，第1配置間隔L1與第2配置間隔L2大致相等。例如，於圖15或圖16中，將自左側數起的奇數號即第1個與第3個奇數列圖案區域M101在Y軸方向的配置間隔L1、與同樣地自左側數起的偶數號即第2個與第4個偶數列圖案區域M102在Y軸方向的配置間隔L2，配置成大致相等距離。此處，例如圖15或圖16中，所謂第1配置間隔L1，是指自左側數起的第1個奇數列圖案區域M101的中心位置與第3個奇數列圖案區域M101的中心位置在Y軸方向的間隔。同樣地，例如圖15或圖16中，所謂第2配置間隔L2，是指自左側數起的第2個偶數列圖案區域M102的中心位置與第4個偶數列圖案區域M102的中心位置在Y軸方向的間隔。
再者，例如於圖4所示，當本實施例的光罩上的圖案區域(奇數列圖案區域M101或偶數列圖案區域M102)是用以將圖案經由具有放大倍率的多個投影光學系統PL10、PL11、PL12而於感光板上曝光的原始圖案時，較理想的是，第1配置間隔L1或第2配置間隔L2與該多個投影光學系統PL10、PL11、PL12的視場區域在Y軸方向的間隔大致相等。
上述本實施例的光罩之說明中，所謂鄰接，是指奇數列圖案區域M101與偶數列圖案區域M102無須相連，而可間隔特定的距離。當奇數列圖案區域彼此鄰接及偶數列圖案區域彼此鄰接時亦同樣地，所謂鄰接，是指奇數列圖案區域彼此或偶數列圖案區域彼此無須相連，而可間隔特定的距離。
此處，就本實施例中所揭示的光罩圖案區域之有關Y軸方向的長度進行說明。例如，當使用具有可遍及感光板上的整個曝光區域而獲得均勻曝光量分佈之結構的曝光裝置時，本實施例(圖10、圖11、圖13~圖16)所示的光罩M中，形成於Y軸方向兩端的圖案區域(例如指圖10中，自左側起的第1個奇數列圖案區域M101以及自左側起的第6個偶數列圖案區域M102)之有關Y軸方向的圖案區域的長度，可短於其他圖案區域之有關Y軸方向的長度。例如圖10中，使自左側起的第1個奇數列圖案區域M101的共通區域C1之相反側的端部，短於共通區域C1的長度。同樣較理想的是，圖10中，使自左側起的第6個偶數列圖案區域M102的共通區域C5之相反側的端部，短於共通區域C5的長度。
又，於本實施例的光罩中，為了防止光罩上之周邊或部分區域所形成的無用圖案之曝光，以及自感光板洩漏的光所導致的誤曝光等，亦可於奇數列圖案區域、偶數列圖案區域以及共通區域的周邊或部分區域，例如由遮光板等形成遮光帶。
其次，說明上述光罩的製造方法。首先，對包括形成正立像的投影光學系統的曝光裝置中所使用的光罩之製造方法進行說明。如圖18所示，首先，在作為非掃描方向的Y方向上，分割所有與形成於光罩上的所有圖案對應的圖案資料。亦即，例如，將與所有圖案對應的所有圖案資料分割成3個奇數列圖案區域M101與3個偶數列圖案區域M102之6個圖案資料。
繼而，如圖19所示，於分割後的圖案資料之Y軸方向的端部，附加與共通區域對應的圖案資料C1~C5，製作與奇數列圖案區域M101及偶數列圖案區域M102對應的描繪資料。再者，於此情形時，共通區域分別形成於鄰接的奇數列圖案區域M101與偶數列圖案區域M102所鄰接之側。
其次，根據所製作的描繪資料，使用EB曝光裝置等，於光罩基板(blanks)上的特定位置，描繪多個奇數列圖案區域M101及多個偶數列圖案區域M102的圖案、以及基準標記m101~M104。以此方式而製造包括形成正立像的投影光學系統的曝光裝置中所使用的光罩M10(圖10等)。
其次，說明包括形成倒立像的投影光學系統的掃描型曝光裝置中所使用的光罩之製造方法。如圖18所示，首先，於作為非掃描方向的Y方向上分割所有與形成於光罩上的所有圖案對應的圖案資料。亦即，例如，將與所有圖案對應的所有圖案資料分割成3個奇數列圖案區域M101與3個偶數列圖案區域M102之6個圖案資料。其次，使奇數列圖案區域M101及偶數列圖案區域M102的圖案資料於Y軸方向反轉，並且如圖20所示，於分割後的圖案資料之Y軸方向的端部，附加與共通區域對應的圖案資料C1~C5，製作與奇數列圖案區域M101及偶數列圖案區域M102對應的描繪資料。再者，於此情形時，共通區域分別形成於與鄰接的奇數列圖案區域M101及偶數列圖案區域M102所鄰接之側的相反側。
隨後，根據所製作的描繪資料，使用EB曝光裝置等，於光罩基板(blanks)上的特定位置，描繪多個奇數列圖案區域M101及多個偶數列圖案區域M102、以及基準標記m101~M104。以此方式而製造包括形成倒立像的投影光學系統的曝光裝置中所使用的光罩M11(圖11等)。
再者，上述光罩的製造方法是將與所有圖案對應的所有圖案資料進行分割之後，附加與共通區域對應的圖案資料，但是亦可在分割包括與共通區域對應的圖案資料的所有圖案資料之後，根據分割後的圖案資料，利用EB曝光裝置等將該圖案資料描繪於光罩基板(blanks)上。
利用上述實施例的曝光方法，可製造微型裝置(半導體元件、攝像元件、液晶顯示元件、薄膜磁頭等)。以下，參照圖21的流程圖，說明利用上述實施例的曝光方法在作為感光性基板的感光板等上形成特定的電路圖案，由此而獲得作為微型裝置的液晶顯示元件(flat panel display，平板顯示器)時的方法之一例。
圖21中，於圖案形成步驟S401中，使用本實施例的曝光裝置，將光罩圖案於感光性基板(塗佈有抗蝕劑的玻璃基板等)上轉印曝光，進行所謂光微影蝕刻步驟。利用該光微影蝕刻步驟，可於感光性基板上形成包括多個電極等的特定圖案。其後，所曝光的基板通過顯影步驟、蝕刻步驟、抗蝕劑剝離步驟等各步驟，而於基板上形成特定圖案，並轉向下一個彩色濾光片形成步驟S402。
其次，於彩色濾光片形成步驟S402中，形成將R(Red，紅)、G(Green，綠)、B(Blue，藍)所對應的三個點之組多個排列成矩陣狀的彩色濾光片，或者將R、G、B三根條狀濾光片之組多個排列於水平掃描線方向上的彩色濾光片。繼而，於彩色濾光片形成步驟S402之後，實施單元(cell)組裝步驟S403。於單元組裝步驟S403中，使用具有圖案形成步驟S401中所獲得的特定圖案的其板、以及彩色濾光片形成步驟S402中所獲得的彩色濾光片等，來組裝液晶面板(液晶單元)。於單元組裝步驟S403中，例如，於具有圖案形成步驟S401中所獲得的特定圖案的基板與彩色濾光片形成步驟S402中所獲得的彩色濾光片之間，注入液晶，以此製造液晶面板(液晶單元)。
其後，於模組組裝步驟S404中，安裝使已組裝的液晶面板(液晶單元)進行顯示動作的電路、背光(back light)等各零件，由此完成液晶顯示元件。根據上述液晶顯示元件的製造方法，由於是使用較寬的曝光區域而進行曝光，因而可於高產量的基礎上，獲得作為平板顯示器的液晶顯示元件。
根據本發明的投影光學系統，可提供一種具有放大倍率且可進行良好的色像差修正的投影光學系統。
又，根據本發明的曝光裝置，不會伴隨光罩尺寸的大型化，即可具有較寬的曝光區域，從而可進行良好的曝光。
又，根據本發明的曝光方法，不會伴隨光罩尺寸的大型化，即可在較寬的曝光區域進行良好的曝光。
又，根據本發明之顯示器的製造方法，由於是利用本發明的曝光裝置或本發明的曝光方法來進行曝光，故可獲得良好的顯示器。
又，根據本發明的光罩，即使在大型感光板上轉印光罩圖案時，亦可避免光罩的大型化，故可使光罩的製造成本降低。
又，根據本發明之光罩的製造方法，可用於包括具有放大倍率的投影光學系統的曝光裝置中，因而可降低光罩的製造成本。
再者，以上所說明的實施例是為了易於理解本發明而揭示，但並非用以限定本發明。因此，實施例所揭示的各要素的主旨亦包含屬於本發明之技術範圍的所有設計變更及同等物。
又，本揭示與2006年2月16日提出的日本專利申請第2006－39446號、以及2007年1月25日提出的日本專利申請第2007－14631號所包含的主題相關，且其中所揭示的全部內容作為參考事項而明確地併入本文中。
[實施例]
以下就實施例1~實施例3進行說明，由於實施例1~實施例3的反射折射光學系統的結構分別與圖1~圖3所示的第1~第3實施例的反射折射光學系統的結構相同，因而於實施例1~實施例3的反射折射光學系統的說明中，使用第1~第3實施例的反射折射光學系統的說明中所使用的符號。又，表1~表3中顯示實施例1~實施例3的反射折射光學系統PL1~PL3的光學部件規格。表1~表3的光學部件規格中分別顯示有，第1行的面編號是沿著來自物體側的光線行進方向的面的順序，第2行是各面的曲率半徑(mm)，第3行的面間隔是光軸上的面間隔(mm)，第4行是光學部件的硝材相對於g線的折射率，第5行是光學部件的硝材相對於h線的折射率，第6行是光學部件的硝材相對於i線的折射率，第7行是透鏡的名稱。
(實施例1)
以下顯示實施例1的反射折射光學系統PL1的規格值。
(規格)物體側(玻璃基板側)數值孔徑(NA)：0.065投影倍率：1.5倍條件式的對應值：第1透鏡群的焦距FPG1＝906.5 mm第3透鏡群的焦距FPG3＝1429.8 mm | EPG3/EPG1 |＝1429.8/906.5＝1.6
以下顯示當各波長(g線、h線、i線)下的波面像差的rms值設為Wrms(g)、Wrms(h)、Wrms(i)時，各像高的值。
該實施例1的投影光學系統可對各波長下的波面像差進行良好的修正。
(實施例2)
以下顯示實施例2的反射折射光學系統PL2的規格值。
(規格)物體側(玻璃基板側)數值孔徑(NA)：0.056投影倍率：2倍條件式的對應值：第1透鏡群的焦距FPG1＝707 mm第3透鏡群的焦距FPG3＝1649 mm | EPG3/EPG1 |＝1649/707＝2.3
以下顯示當各波長(g線、h線、i線)下的波面像差的rms值設為Wrms(g)、Wrms(h)、Wrms(i)時，各像高的值。
該實施例2的投影光學系統可對各波長下的波面像差進行良好的修正。
(實施例3)
以下顯示實施例3的反射折射光學系統PL3的規格值。
(規格)物體側(玻璃基板側)數值孔徑(NA)：0.085投影倍率：1.25倍條件式的對應值：第1透鏡群的焦距FPG1＝741.7 mm第3透鏡群的焦距FPG3＝861.1 mm | EPG3/EPG1 |＝861.1/741.7＝1.2
以下顯示當各波長(g線、h線、i線)下的波面像差的rms值設為Wrms(g)、Wrms(h)、Wrms(i)時，各像高的值。
該實施例3的投影光學系統可對各波長下的波面像差進行良好的修正。
[產業上的可利用性]
本發明可適用於將光罩、光柵等之像投影於基板等上的投影光學系統、包括該投影光學系統的曝光裝置、使用該曝光裝置的曝光方法、使用該曝光裝置的顯示器的製造方法、光罩以及光罩的製造方法。
P、P1、P2、P3、P10．．．感光板
PL、PL1、PL2、PL3、PL10、PL11、PL12、PL31、PL32．．．投影光學系統
M1、M2、M3、M10、M11、M12．．．光罩
CCM1、CCM2、CCM31、CCM32．．．凹面反射鏡
PG11、PG12、PG13、PG21、PG22、PG23、PG31、PG32、PG33、PG43、PG53、PG63．．．透鏡群
FM11、FM12、FM13、FM21、FM22、FM23、FM33、FM43．．．光路偏轉面
L101、L202、L203．．．正彎月透鏡
L102、L132、L151、L152、L153、L161、L163、L171、L173、L193、L212．．．負彎月透鏡
L111、L112、L113、L172、L181、L192．．．雙凹透鏡
L121、L122、L123、L141、L143、L162、L182、L191、L222．．．雙凸透鏡
L103、L131、L142、L183、L201、L211．．．平凸透鏡
FS．．．視場光圈
IL．．．照明光學系統
MST．．．光罩平臺
M．．．第1物體
P101．．．已對奇數列圖案區域M101進行轉印曝光的區域
P102．．．已對偶數列圖案區域M102進行轉印曝光的區域
P11~P15．．．已對共通區域C1~C5進行轉印曝光的區域
PST．．．感光板平臺
CONT．．．控制部
PLP．．．投影光學系統之間在Y軸方向的間隔距離
EW．．．實效曝光寬度
M1A、M2A、M3A、M1B、M2B、M3B、M1C、M2C、M3C、M1D、M2D、M3D．．．照明區域
EA1、EA2、EA3、P1A、P2A、P3A、P1B、P2B、P3B、P1C、P2C、P3C、P1D、P2D、P3D．．．曝光區域
M101．．．多個奇數列圖案區域
M102．．．多個偶數列圖案區域
m101、m102、m101a、m102a．．．基準標記
X1、X2．．．基準標記與圖案區域的相隔距離
C1~C5．．．圖案資料
C11、C12．．．共通區域
θ．．．光罩的位置對準方向
L1．．．奇數列圖案區域之間在Y軸方向的配置間隔
L2．．．偶數列圖案區域之間在Y軸方向的配置間隔
S401~S404．．．步驟
圖1是第1實施例的投影光學系統的結構圖。
圖2是第2實施例的投影光學系統的結構圖。
圖3是第3實施例的投影光學系統的結構圖。
圖4是第4實施例的曝光裝置的結構圖。
圖5是第4實施例的曝光裝置之投影光學系統的配置圖。
圖6是用以說明一種曝光方法，該曝光方法使用了第4實施例的曝光裝置。
圖7是用以說明一種曝光方法，該曝光方法使用了第4實施例的曝光裝置。
圖8是用以說明一種曝光方法，該曝光方法使用了第4實施例的曝光裝置。
圖9是用以說明一種曝光方法，該曝光方法使用了第4實施例的曝光裝置。
圖10是用以說明一種光罩的結構，該光罩使用於實施例之包括形成正立像的投影光學系統的曝光裝置中。
圖11是用以說明一種光罩的結構，該光罩使用於實施例之包括形成倒立像的投影光學系統的曝光裝置中。
圖12表示將實施例的光罩之圖案曝光轉印於感光板上的狀態圖。
圖13是用以說明一種光罩的結構，該光罩使用於實施例之包括形成正立像的投影光學系統的曝光裝置中。
圖14是用以說明一種光罩的結構，該光罩使用於實施例之包括形成倒立像的投影光學系統的曝光裝置中。
圖15是用以說明一種光罩的結構，該光罩使用於實施例之包括形成正立像的投影光學系統的曝光裝置中。
圖16是用以說明一種光罩的結構，該光罩使用於實施例之包括形成倒立像的投影光學系統的曝光裝置中。
圖17是表示實施例的基準標記的形狀。
圖18是用以說明實施例之光罩的製造方法。
圖19是用以說明實施例之光罩的製造方法。
圖20是用以說明實施例之光罩的製造方法。
圖21是表示本發明之實施例的作為微型裝置的液晶顯示元件之製造方法的流程圖。
IL．．．照明光學系統
MST．．．光罩平臺
M．．．第1物體
PL、PL10~PL12．．．投影光學系統
CONT．．．控制部
P．．．感光板
PST．．．感光板平臺

Claims (32)

  1. 一種曝光裝置，可一邊使第1物體及第2物體沿著掃描方向而移動，且一邊將上述第1物體的像曝光於上述第2物體上，該曝光裝置的特徵在於，包括：第1投影光學系統及第2投影光學系統，沿與上述掃描方向交叉的非掃描方向以規定間隔配置，分別具有各自的放大倍率；第1平臺，保持上述第1物體，並且使上述第1物體能夠沿著上述掃描方向及上述非掃描方向而移動，上述第1物體形成有於上述非掃描方向以上述規定間隔而配置的第1圖案區域及第2圖案區域、及配置於上述第1圖案區域與上述第2圖案區域之間的第3圖案區域；第2平臺，保持上述第2物體，並且使上述第2物體能夠沿著上述掃描方向及上述非掃描方向而移動；以及控制部，控制上述第1平臺與上述第2平臺的移動，其控制方式為：使上述第1投影光學系統把上述第1圖案區域的放大像投影至上述第2物體的第1區域，並使上述第2投影光學系統把上述第2圖案區域的放大像從上述第2物體的上述第1區域投影到於上述非掃描方向上以上述規定間隔配置的第2區域，以此方式使上述第1平臺移動與第2平臺移動，使上述第1投影光學系統或上述第2投影光學系統把上述第3圖案區域的放大像投影至上述第2物體的上述第 1區域與上述第2區域之間的第3區域，以此方式使上述第1平臺移動與上述第2平臺移動。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之曝光裝置，其中於上述第1投影光學系統把上述第1圖案區域的放大像投影至上述第1區域且上述第2投影光學系統把上述第2圖案區域的放大像投影至上述第2區域的狀態下，上述控制部進行使上述第1平臺與上述第2平臺沿上述掃描方向移動的控制，且於上述第1投影光學系統或上述第2投影光學系統把上述第3圖案區域的放大像投影至上述第3區域的狀態下，上述控制部進行使上述第1平臺與上述第2平臺沿上述掃描方向移動的控制。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之曝光裝置，其中於上述第1投影光學系統把上述第1圖案區域的放大像投影至上述第1區域且上述第2投影光學系統把上述第2圖案區域的放大像投影至上述第2區域的狀態開始，上述控制部使上述第1平臺與上述第2平臺沿上述非掃描方向移動，而成為上述第1投影光學系統或上述第2投影光學系統把上述第3圖案區域的放大像投影至上述第3區域的狀態。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之曝光裝置，其中該控制部控制上述第1平臺及上述第2平臺的移動，以使上述第1平臺及上述第2平臺以與上述第1投影光學系統及上述第2投影光學系統的放大倍率對應的速度比，沿著上述掃描方向移動。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之曝光裝置，其中：上述控制部控制上述第1平臺及上述第2平臺的移動，以使上述第1平臺及上述第2平臺的上述非掃描方向的位置，按照與上述第1投影光學系統及上述第2投影光學系統的放大倍率對應的移動量比而變化。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之曝光裝置，其中：上述第3圖案區域的放大像是以與上述第1區域及上述第2區域一部分重疊的方式，被投影至上述第3區域。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之曝光裝置，其中：上述規定間隔是等於上述第1投影光學系統及上述第2投影光學系統相對於上述第2物體沿著上述非掃描方向的實效曝光寬度的2倍。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之曝光裝置，其中上述第1投影光學系統及上述第2投影光學系統，包括至少1個反射折射光學系統，用以將上述第1物體的放大像投影至上述第2物體，其中上述反射折射光學系統包括：凹面反射鏡，配置於上述第1物體與上述第2物體之間的光路中；第1透鏡群，配置於上述第1物體與上述凹面反射鏡之間的光路中，且具有正折射力；第1光路偏轉面，配置於上述第1透鏡群與上述凹面反射鏡之間的光路中，使光路偏轉；第2透鏡群，配置於上述第1光路偏轉面與上述凹面 反射鏡之間的光路中；第2光路偏轉面，配置於上述第2透鏡群與上述第2物體之間的光路中，使光路偏轉；以及第3透鏡群，配置於上述第2光路偏轉面與上述第2物體之間的光路中，且具有正折射力；當將上述第1透鏡群的焦距設為FPG1，且將上述第3透鏡群的焦距設為FPG3時，滿足條件1<FPG3/FPG1<2.5。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之曝光裝置，其中：上述第1透鏡群包括第1及第2正透鏡，上述第3透鏡群包括第3及第4正透鏡。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之曝光裝置，其中：上述第2透鏡群包括至少1個負透鏡及正透鏡。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之曝光裝置，其中：上述第3透鏡群包括配置於最靠近上述第2光路偏轉面側的負透鏡。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之曝光裝置，其中：上述第1投影光學系統及上述第2投影光學系統各包括一對上述反射折射光學系統。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之曝光裝置，其中：上述第2物體為外徑大於500mm的基板。
  14. 一種曝光方法，一邊使第1物體及第2物體沿著掃描方向而移動，且一邊將上述第1物體的像曝光於上述第2物體上，該曝光方法的特徵在於，包括： 準備上述第1物體，上述第1物體形成有於上述掃描方向與上述非掃描方向以規定間隔而配置的第1圖案區域及第2圖案區域、及配置於上述第1圖案區域與上述第2圖案區域之間的第3圖案區域；使上述第1圖案區域的放大像投影至上述第2物體的第1區域，並使上述第2圖案區域的放大像從上述第2物體的上述第1區域投影到於上述非掃描方向以上述規定間隔配置的第2區域，以此方式使上述第1物體及上述第2物體移動；以及使上述第3圖案區域的放大像投影至上述第2物體的上述第1區域與上述第2區域之間的第3區域，以此方式使上述第1物體及上述第2物體移動。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之曝光方法，包括：於上述第1圖案區域的放大像投影至上述第1區域且上述第2圖案區域的放大像投至上述第2區域的狀態下，使上述第1物體與上述第2物體沿上述掃描方向移動；以及於上述第3圖案區域的放大像投影至上述第3區域的狀態下，使上述第1物體與上述第2物體沿上述掃描方向移動。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之曝光方法，包括：於上述第1圖案區域的放大像投影至上述第1區域且上述第2圖案區域的放大像投影至上述第2區域的狀態開始，使上述第1物體與上述第2物體沿上述非掃描方向移動，而成為上述第3圖案區域的放大像投影至上述第3區 域的狀態。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之曝光方法，包括：以與投影至上述第2物體的上述第1圖案區域的放大像、及上述第2圖案區域的放大像的放大倍率對應的速度比，使上述第1物體及上述第2物體沿著上述掃描方向移動。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之曝光方法，包括：使上述第1物體及上述第2物體的上述非掃描方向的位置，按照與投影至上述第2物體的上述第1圖案區域的放大像及上述第2圖案區域的放大像的放大倍率對應的移動量比而變化，以此方式使上述第1物體及上述第2物體移動。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之曝光方法，包括：將上述第3圖案區域的放大像，以與上述第1區域及上述第2區域一部分重疊的方式，投影至上述第3區域。
  20. 如申請專利範圍第14項所述之曝光方法，其中：上述規定間隔，是等於上述第1圖案區域的放大像及上述第2圖案區域的放大像相對於上述第2物體分別沿著上述第1投影光學系統及上述第2投影光學系統的上述非掃描方向的實效曝光寬度的2倍。
  21. 如申請專利範圍第14項所述之曝光方法，其中上述第2物體是外徑大於500mm的基板。
  22. 一種具有圖案區域的光罩，其特徵在於，上述圖案區域包括沿著第1方向而配置於奇數號的多 個奇數列圖案區域，以及沿著上述第1方向而配置於偶數號的多個偶數列圖案區域，其中至少一對鄰接的上述奇數列圖案區域與上述偶數列圖案區域在上述第1方向的端部具有共通區域，該共通區域中具有相同圖案，上述圖案區域更包括第1基準標記及第2基準標記，上述第1基準標記與至少1個上述奇數列圖案區域或至少1個上述偶數列圖案區域具有第1位置關係；上述第2基準標記與至少1個上述奇數列圖案區域或至少1個上述偶數列圖案區域具有第2位置關係。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之具有圖案區域的光罩，其中：上述共通區域分別形成於至少一對鄰接的上述奇數列圖案區域與上述偶數列圖案區域的鄰接側。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之具有圖案區域的光罩，其中：上述共通區域分別形成於至少一對鄰接的上述奇數列圖案區域與上述偶數列圖案區域之鄰接側的相反側。
  25. 如申請專利範圍第22項所述之具有圖案區域的光罩，其中：上述第1位置關係，是將至少1個上述第1基準標記之有關上述第1方向的座標，配置於上述奇數列圖案區域之有關上述第1方向的座標範圍內，上述第2位置關係，是將至少1個上述第2基準標記 之有關上述第1方向的座標，配置於與上述第1基準標記具上述第1位置關係的上述奇數列圖案區域不同的上述奇數列圖案區域之有關上述第1方向的座標範圍內。
  26. 如申請專利範圍第22項所述之具有圖案區域的光罩，其中：上述第1位置關係，是將至少1個上述第1基準標記之有關上述第1方向的座標，配置於上述奇數列圖案區域的上述共通區域之有關上述第1方向的座標範圍內，上述第2位置關係，是將至少1個上述第2基準標記之有關上述第1方向的座標，配置於上述偶數列圖案區域的上述共通區域之有關上述第1方向的座標範圍內。
  27. 如申請專利範圍第22項所述之具有圖案區域的光罩，其中：至少一對上述奇數列圖案區域中之一個上述奇數列圖案區域與另一個上述奇數列圖案區域在上述第1方向的第1配置間隔、與至少一對上述偶數列圖案區域中之一個上述偶數列圖案區域與另一個上述偶數列圖案區域在上述第1方向的第2配置間隔大致相等。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之具有圖案區域的光罩，其中：上述圖案區域是用以將圖案經由具有放大倍率的多個投影光學系統而曝光於基板上的原始圖案，上述第1配置間隔設定為與上述多個投影光學系統的 光罩側的視場在上述第1方向上的間隔相對應。
  29. 如申請專利範圍第22項所述之具有圖案區域的光罩，其中：在上述共通區域與上述圖案區域的周圍，具有遮光帶。
  30. 一種光罩的製造方法，是申請專利範圍第22項至第29項中任一項所述之光罩的製造方法，其特徵在於，包括下述步驟：對與形成於上述光罩上的所有圖案對應的所有圖案資料在上述第1方向上進行分割之步驟；在分割後的至少1個圖案資料之上述第1方向的端部，添加與上述共通區域對應的圖案資料，製作與分割後的各圖案資料對應的多個描繪資料之步驟；根據上述多個描繪資料，於上述光罩上描繪圖案之步驟；以及製作基準標記，使該基準標記與所描繪的各圖案之至少1個圖案具有特定的位置關係之步驟。
  31. 一種顯示器的製造方法，其特徵在於，包括：曝光步驟，使用申請專利範圍第1項至第13項中任一項所述之曝光裝置，將光罩上所形成的圖案的放大像曝光於感光性基板上；以及顯影步驟，對已將上述圖案的放大像曝光的上述感光性基板進行顯影。
  32. 一種顯示器的製造方法，其特徵在於，包括：曝光步驟，使用申請專利範圍第14項至第21項中任 一項所述之曝光方法，將光罩上所形成的圖案的放大像曝光於感光性基板上；以及顯影步驟，對已將上述圖案的放大像曝光的上述感光性基板進行顯影。
TW096105002A 2006-02-16 2007-02-12 投影光學系統、曝光裝置、曝光方法、顯示器的製造方法、光罩以及光罩的製造方法 TWI424287B (zh)

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US20080151365A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
KR20160085375A (ko) 2004-05-17 2016-07-15 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US8917378B2 (en) 2007-12-20 2014-12-23 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device with plurality of projection optical systems and pattern having first partial pattern area and second partial area having overlaid area with first partial pattern area
JP5392549B2 (ja) * 2009-05-12 2014-01-22 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
TWI526787B (zh) * 2009-05-15 2016-03-21 尼康股份有限公司 A moving body device, a power transmission device, and an exposure device, and a device manufacturing method
DE102009045217B3 (de) * 2009-09-30 2011-04-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Katadioptrisches Projektionsobjektiv
US8461556B2 (en) * 2010-09-08 2013-06-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Using beam blockers to perform a patterned implant of a workpiece
CN103246158B (zh) * 2012-02-14 2015-03-25 旺宏电子股份有限公司 掩模及其图案配置方法与曝光方法
DE102017105580A1 (de) * 2016-11-04 2018-05-09 Carl Zeiss Meditec Ag Operationsmikroskop

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004335864A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
US6973375B2 (en) * 2004-02-12 2005-12-06 Mykrolis Corporation System and method for flow monitoring and control
TW200604753A (en) * 2004-03-31 2006-02-01 Fuji Photo Film Co Ltd A correcting method and an exposure method of exposure device, and an exposure device
TW200604566A (en) * 2004-06-23 2006-02-01 Nikon Corp Optical projection system, exposuring device, and exposuring method
TW200604758A (en) * 2004-06-04 2006-02-01 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and method of manufacturing device

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6442655A (en) * 1987-08-11 1989-02-14 Nec Corp Structure of reticle
JPH05161588A (ja) 1991-12-16 1993-06-29 Mitsubishi Electric Corp 食器洗浄機の水位検出装置
JP3348467B2 (ja) 1993-06-30 2002-11-20 株式会社ニコン 露光装置及び方法
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US6157497A (en) * 1993-06-30 2000-12-05 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH0766113A (ja) * 1993-08-31 1995-03-10 Sanyo Electric Co Ltd レチクル及び位置合わせ用バーニアの形成方法
JP3477838B2 (ja) * 1993-11-11 2003-12-10 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
JP4132095B2 (ja) * 1995-03-14 2008-08-13 株式会社ニコン 走査型露光装置
DE19757074A1 (de) * 1997-12-20 1999-06-24 Zeiss Carl Fa Projektionsbelichtungsanlage und Belichtungsverfahren
JP4110606B2 (ja) 1998-02-12 2008-07-02 株式会社ニコン 走査型露光装置および露光方法
JP2000231184A (ja) * 1999-02-12 2000-08-22 Toshiba Corp アレイ基板とその製造方法
JP2000331909A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Nikon Corp 走査型露光装置
JP2001109169A (ja) 1999-10-13 2001-04-20 Nikon Corp 露光装置、露光方法およびマスク
JP2001168003A (ja) * 1999-12-06 2001-06-22 Olympus Optical Co Ltd 露光装置
EP1107064A3 (en) * 1999-12-06 2004-12-29 Olympus Optical Co., Ltd. Exposure apparatus
US6811953B2 (en) * 2000-05-22 2004-11-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for manufacturing therof, method for exposing and method for manufacturing microdevice
TWI232348B (en) * 2001-12-26 2005-05-11 Pentax Corp Projection aligner
JP2003248299A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Toshiba Corp マスク基板およびその製造方法
US6898025B2 (en) * 2002-06-04 2005-05-24 Pentax Corporation Projection aligner and optical system therefor
JP2004247487A (ja) * 2003-02-13 2004-09-02 Canon Inc 走査露光装置
JP2004327660A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005039211A (ja) * 2003-06-30 2005-02-10 Canon Inc 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
US6995833B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2005024941A (ja) * 2003-07-03 2005-01-27 Nikon Corp 投影光学系、投影露光装置、及び投影露光方法
JP2006039446A (ja) 2004-07-30 2006-02-09 Ricoh Co Ltd 画像形成方法、静電荷像現像用トナー
JP2007014631A (ja) 2005-07-08 2007-01-25 Sanyo Product Co Ltd 遊技機
JP4984810B2 (ja) * 2006-02-16 2012-07-25 株式会社ニコン 露光方法、露光装置及びフォトマスク
JP5071382B2 (ja) * 2006-03-20 2012-11-14 株式会社ニコン 走査露光装置及びマイクロデバイスの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004335864A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
US6973375B2 (en) * 2004-02-12 2005-12-06 Mykrolis Corporation System and method for flow monitoring and control
TW200604753A (en) * 2004-03-31 2006-02-01 Fuji Photo Film Co Ltd A correcting method and an exposure method of exposure device, and an exposure device
TW200604758A (en) * 2004-06-04 2006-02-01 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and method of manufacturing device
TW200604566A (en) * 2004-06-23 2006-02-01 Nikon Corp Optical projection system, exposuring device, and exposuring method

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