JP5453806B2 - 露光装置、露光方法及びディスプレイの製造方法 - Google Patents

露光装置、露光方法及びディスプレイの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、マスク、レチクル等の像を基板等上に投影する投影光学系を備えた露光装置、該露光装置を用いた露光方法及びディスプレイの製造方法に関するものである。
例えば半導体素子又は液晶表示素子等を製造する際に、マスク（レチクル、フォトマスク等）のパターンを投影光学系を介してレジストが塗布されたプレート（ガラスプレート又は半導体ウエハ等）上に投影する投影露光装置が使用されている。従来はステップ・アンド・リピート方式でプレート上の各ショット領域にそれぞれレチクルのパターンを一括露光する投影露光装置（ステッパ）が多用されていた。近年、１つの大きな投影光学系を使用する代わりに、等倍の倍率を有する小さな複数の部分投影光学系を走査方向に沿って所定間隔で複数列に配置し、マスク及びプレートを走査させつつ各部分投影光学系でそれぞれマスクのパターンをプレート上に露光するステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置が提案されている（日本国特許出願平成５−１６１５８８号公報参照）。
ところで、近年、プレートが益々大型化し、２ｍ角を越えるプレートが使用されるようになってきている。ここで、上述のステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を用いて大型のプレート上に露光を行う場合、部分投影光学系が等倍の倍率を有するため、マスクも大型化する。マスクのコストは、マスク基板の平面性を維持する必要もあり、大型化すればするほど高くなる。また、通常のＴＦＴ部を形成するためには、４〜５レーヤ分のマスクが必要とされており多大なコストを要していた。
本発明の目的は、拡大倍率を有し良好な光学性能を有する投影光学系を備える露光装置、該露光装置を用いる露光方法及び該露光装置または該露光方法を用いるディスプレイの製造方法を提供することである。
この発明の第１の態様に従えば、第１物体と第２物体とを走査方向に沿って移動させつつ、前記第１物体に設けられたパターンの像を前記第２物体上に投影露光する露光装置において、前記走査方向と交差する非走査方向に所定間隔を置いて隣り合って配置され、それぞれ拡大倍率を有する第１投影光学系及び第２投影光学系と、前記非走査方向に沿って前記所定間隔を置いて設けられる第１パターン領域及び第２パターン領域と、前記第１パターン領域と前記第２パターン領域との間に設けられる第３パターン領域とを有する前記第１物体を保持し、前記走査方向及び前記非走査方向に移動可能な第１ステージと、前記第２物体を保持して移動可能な第２ステージと、前記第１ステージ及び前記第２ステージの移動を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記第１投影光学系が前記第１パターン領域の拡大像を前記第２物体の第１領域に投影露光するとともに前記第２投影光学系が前記第２パターン領域の拡大像を前記第２物体の前記第１領域から前記非走査方向に沿って前記所定間隔を置いた第２領域に投影露光するように前記第１ステージ及び前記第２ステージを移動させることと、前記第１パターン領域の拡大像が投影露光された前記第１領域と前記第２パターン領域の拡大像が投影露光された前記第２領域との間の前記第２物体の第３領域に、前記第１投影光学系又は前記第２投影光学系が前記第３パターン領域の拡大像を投影露光するように、前記第１ステージ及び前記第２ステージを少なくとも前記非走査方向に関して移動させることと、を含む制御を行うことを特徴とする露光装置が提供される。
また、本発明の第２の態様に従えば、第１物体と第２物体とを走査方向に沿って移動させつつ、前記第１物体に設けられたパターンの像を前記第２物体上に投影露光する露光方法において、前記走査方向と交差する非走査方向に沿って所定間隔を置いて設けられる第１パターン領域及び第２パターン領域と、前記第１パターン領域と前記第２パターン領域との間に設けられる第３パターン領域とを有する前記第１物体を準備することと、前記第１パターン領域の拡大像を第１投影光学系を介して前記第２物体の第１領域に投影露光するとともに、前記第１投影光学系に対して前記非走査方向に前記所定間隔を置いて隣り合って配置された第２投影光学系を介して前記第２パターン領域の拡大像を前記第２物体の前記第１領域から前記非走査方向に沿って前記所定間隔を置いた第２領域に投影露光するように前記第１物体及び前記第２物体を移動させることと、前記第１パターン領域の拡大像が投影露光された前記第１領域と前記第２パターン領域の拡大像が投影露光された前記第２領域との間の前記第２物体の第３領域に、前記第１投影光学系又は前記第２投影光学系を介して前記第３パターン領域の拡大像を投影露光するように、前記第１物体及び前記第２物体を少なくとも非走査方向に関して移動させることと、を含むことを特徴とする露光方法が提供される。
また、本発明の第３の態様に従えば、本発明の露光装置を用いて、マスクに形成されたパターンの拡大像を感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、を含むことを特徴とするディスプレイの製造方法が提供される。
また、本発明の第４の態様に従えば、本発明の露光方法を用いて、マスクに形成されたパターンの拡大像を感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、を含むことを特徴とするディスプレイの製造方法が提供される。
第１の実施の形態にかかる投影光学系の構成を示す図である。 第２の実施の形態にかかる投影光学系の構成を示す図である。 第３の実施の形態にかかる投影光学系の構成を示す図である。 第４の実施の形態にかかる露光装置の構成を示す図である。 第４の実施の形態にかかる露光装置の投影光学系の配置を示す図である。 第４の実施の形態にかかる露光装置を用いた露光方法を説明するための図である。 第４の実施の形態にかかる露光装置を用いた露光方法を説明するための図である。 第４の実施の形態にかかる露光装置を用いた露光方法を説明するための図である。 第４の実施の形態にかかる露光装置を用いた露光方法を説明するための図である。 実施の形態に係る正立像を形成する投影光学系を備える露光装置に用いられるマスクの構成を説明するための図である。 実施の形態に係る倒立像を形成する投影光学系を備える露光装置に用いられるマスクの構成を説明するための図である。 実施の形態に係るマスクのパターンをプレートに露光転写した状態を示す図である。 実施の形態に係る正立像を形成する投影光学系を備える露光装置に用いられるマスクの構成を説明するための図である。 実施の形態に係る倒立像を形成する投影光学系を備える露光装置に用いられるマスクの構成を説明するための図である。 実施の形態に係る正立像を形成する投影光学系を備える露光装置に用いられるマスクの構成を説明するための図である。 実施の形態に係る倒立像を形成する投影光学系を備える露光装置に用いられるマスクの構成を説明するための図である。 実施の形態に係る基準マークの形状を示す図である。 実施の形態に係るマスクの製造方法を説明するための図である。 実施の形態に係るマスクの製造方法を説明するための図である。 実施の形態に係るマスクの製造方法を説明するための図である。 この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態にかかる投影光学系について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る投影光学系の構成を示す図である。以下の説明においては、各図中に示したＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸が後述する露光装置に用いられるプレートＰに対して平行となるよう設定され、Ｚ軸がプレートＰに対して直交する方向に設定されている。図中のＸＹＺ座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。また、後述する露光装置においては、マスクＭ及びプレートＰを移動させる方向（走査方向）をＸ軸方向に設定している。
図１に示す投影光学系ＰＬ１は、マスク（第１面）Ｍ１の像をプレート（第２面）Ｐ１上に投影する反射屈折光学系であり、マスクＭ１とプレートＰ１との間の光路中に配置される凹面反射鏡ＣＣＭ１と、マスクＭ１と凹面反射鏡ＣＣＭ１との間の光路中に配置されて正の屈折力を有する第１のレンズ群ＰＧ１１と、第1のレンズ群ＰＧ１１と凹面反射鏡ＣＣＭ１との間の光路中に第１のレンズ群ＰＧ１１から−Ｚ軸方向に進行する光をＸ軸方向に反射するようにマスクＭ１面に対して４５°の角度で斜設され光路を偏向する第１の光路偏向面ＦＭ１１と、第１の光路偏向面ＦＭ１１と凹面反射鏡ＣＣＭ１との間の光路中に配置される第２のレンズ群ＰＧ２１と、第２のレンズ群ＰＧ２１とプレートＰ１との間の光路中に第２のレンズ群ＰＧ２１から−Ｘ軸方向に進行する光を−Ｚ軸方向に反射するようにマスクＭ１面に対して４５°の角度で斜設され光路を偏向する第２の光路偏向面ＦＭ２１と、第２の光路偏向面ＦＭ２１とプレートＰ１との間の光路中に配置されて、正の屈折力を有する第３のレンズ群ＰＧ３１とを備えている。
投影光学系ＰＬ１の第１のレンズ群ＰＧ１１は、マスクＭ１側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ１０１、両凹レンズＬ１１１、両凸レンズＬ１２１、マスクＭ１側に平面を向けた平凸レンズＬ１３１により構成されている。第２のレンズ群ＰＧ２１は、両凸レンズＬ１４１、第１の光路偏向面ＦＭ１１側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ１５１、第１の光路偏向面ＦＭ１１側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ１６１、第１の光路偏向面ＦＭ１１側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ１７１により構成されている。第３のレンズ群ＰＧ３１は、両凹レンズＬ１８１、両凸レンズＬ１９１、第２の光路偏向面ＦＭ２１側に凸面を向けた平凸レンズＬ２０１、プレートＰ１側に凹面を向けた平凹レンズＬ２１１により構成されている。
次に、図２を参照して第２の実施の形態に係る投影光学系ＰＬ２について説明する。図２は、第２の実施の形態に係る投影光学系ＰＬ２の構成を示す図である。
図２に示す投影光学系ＰＬ２は、マスク（第１面）Ｍ２の像をプレート（第２面）Ｐ２上に投影する反射屈折光学系であり、マスクＭ２とプレートＰ２との間の光路中に配置される凹面反射鏡ＣＣＭ２と、マスクＭ２と凹面反射鏡ＣＣＭ２との間の光路中に配置されて正の屈折力を有する第１のレンズ群ＰＧ１２と、第1のレンズ群ＰＧ１２と凹面反射鏡ＣＣＭ２との間の光路中に第１のレンズ群ＰＧ１２から−Ｚ軸方向に進行する光をＸ軸方向に反射するようにマスクＭ２面に対して４５°の角度で斜設され光路を偏向する第１の光路偏向面ＦＭ１２と、第１の光路偏向面ＦＭ１２と凹面反射鏡ＣＣＭ２との間の光路中に配置される第２のレンズ群ＰＧ２２と、第２のレンズ群ＰＧ２２とプレートＰ２との間の光路中に第２のレンズ群ＰＧ２２から−Ｘ軸方向に進行する光を−Ｚ軸方向に反射するようにマスクＭ２面に対して４５°の角度で斜設され光路を偏向する第２の光路偏向面ＦＭ２２と、第２の光路偏向面ＦＭ２２とプレートＰ２との間の光路中に配置されて、正の屈折力を有する第３のレンズ群ＰＧ３２とを備えている。
第１のレンズ群ＰＧ１２は、マスクＭ２側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ１０２、両凹レンズＬ１１２、両凸レンズＬ１２２、マスクＭ２側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ１３２、マスクＭ２側に平面を向けた平凸レンズＬ１４２により構成されている。第２のレンズ群ＰＧ２２は、第１の光路偏向面ＦＭ１２側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ１５２、両凸レンズＬ１６２、両凹レンズＬ１７２、両凸レンズＬ１８２により構成されている。第３のレンズ群ＰＧ３は、両凹レンズＬ１９２、第２の光路偏向面ＦＭ２２側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ２０２、第２の光路偏向面ＦＭ２２側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ２１２、両凸レンズＬ２２２により構成されている。
次に、図３を参照して第３の実施の形態に係る投影光学系ＰＬ３について説明する。図３は、第３の実施の形態に係る投影光学系ＰＬ３の構成を示す図である。
図３に示す投影光学系ＰＬ３は、マスク（第１面）Ｍ３の像をプレート（第２面）Ｐ３上に投影するための反射屈折光学系ＰＬ３１及び反射屈折光学系ＰＬ３２を備えている。反射屈折光学系ＰＬ３１は、マスクＭ３と視野絞りＦＳとの間の光路中に配置される凹面反射鏡ＣＣＭ３１と、マスクＭ３と凹面反射鏡ＣＣＭ３１との間の光路中に配置されて正の屈折力を有する第１のレンズ群ＰＧ１３と、第1のレンズ群ＰＧ１３と凹面反射鏡ＣＣＭ３１との間の光路中に第１のレンズ群ＰＧ１３から−Ｚ軸方向に進行する光をＸ軸方向に反射するようにマスクＭ３面に対して４５°の角度で斜設され光路を偏向する第１の光路偏向面ＦＭ１３と、第１の光路偏向面ＦＭ１３と凹面反射鏡ＣＣＭ３１との間の光路中に配置される第２のレンズ群ＰＧ２３と、第２のレンズ群ＰＧ２３と視野絞りＦＳとの間の光路中に第２のレンズ群ＰＧ２３から−Ｘ軸方向に進行する光を−Ｚ軸方向に反射するようにマスクＭ３面に対して４５°の角度で斜設され光路を偏向する第２の光路偏向面ＦＭ２３と、第２の光路偏向面ＦＭ２３と視野絞りＦＳとの間の光路中に配置されて、正の屈折力を有する第３のレンズ群ＰＧ３３とを備えている。
反射屈折光学系ＰＬ３２は、反射屈折光学系ＰＬ３１と同一の構成を有する。即ち、視野絞りＦＳとプレートＰ３との間の光路中に配置される凹面反射鏡ＣＣＭ３２と、視野絞りＦＳと凹面反射鏡ＣＣＭ３２との間の光路中に配置されて正の屈折力を有する第４のレンズ群ＰＧ４３と、第４のレンズ群ＰＧ４３と凹面反射鏡ＣＣＭ３２との間の光路中に第４のレンズ群ＰＧ４３から−Ｚ軸方向に進行する光をＸ軸方向に反射するようにマスクＭ３面に対して４５°の角度で斜設され光路を偏向する第３の光路偏向面ＦＭ３３と、第３の光路偏向面ＦＭ３３と凹面反射鏡ＣＣＭ３２との間の光路中に配置される第５のレンズ群ＰＧ５３と、第５のレンズ群ＰＧ５３とプレートＰ３との間の光路中に第５のレンズ群ＰＧ５３から−Ｘ軸方向に進行する光を−Ｚ軸方向に反射するようにマスクＭ３面に対して４５°の角度で斜設され光路を偏向する第４の光路偏向面ＦＭ４３と、第４の光路偏向面ＦＭ４３とプレートＰ３との間の光路中に配置されて、正の屈折力を有する第６のレンズ群ＰＧ６３とを備えている。
第１のレンズ群ＰＧ１３は、マスクＭ３側に平面を向けた平凸レンズＬ１０３、両凹レンズＬ１１３、両凸レンズＬ１２３により構成されている。第２のレンズ群ＰＧ２３は、両凸レンズＬ１４３、第１の光路偏向面ＦＭ１３側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ１５３、第１の光路偏向面ＦＭ１３側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ１６３、第１の光路偏向面ＦＭ１３側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ１７３により構成されている。第３のレンズ群ＰＧ３３は、第２の光路偏向面ＦＭ２３側に凸面を向けた平凸レンズＬ１８３、第２の光路偏向面ＦＭ２３側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ１９３、第２の光路偏向面ＦＭ２３側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ２０３により構成されている。なお、第４のレンズ群ＰＧ４３、第５のレンズ群ＰＧ５３、第６のレンズ群ＰＧ６３は、それぞれ、第１のレンズ群ＰＧ１３、第２のレンズ群ＰＧ２３、第３のレンズ群ＰＧ３３と同一の構成を有する。
ここで、上述の第１〜第３の実施の形態において、第１のレンズ群ＰＧ１１、ＰＧ１２、ＰＧ１３の焦点距離をＦＰＧ１、第３のレンズ群ＰＧ３１、ＰＧ３２、ＰＧ３３の焦点距離をＦＰＧ３とするとき、
１ ＜ ＦＰＧ３／ＦＰＧ１ ＜ ２．５
の条件を満足する。
この条件式の下限を超えた場合には、投影倍率が１より小さくなり、拡大倍率を有する投影光学系を構成することができず、上限を超えた場合には、拡大側の像高が高くなり、非点収差、像面彎曲の補正が困難となる。
また、第１のレンズ群ＰＧ１１、ＰＧ１２、ＰＧ１３及び第３のレンズ群ＰＧ３１、ＰＧ３２、ＰＧ３３は、それぞれ正の屈折力を有しているため、２つの正レンズを有することにより、球面収差、像面彎曲の補正を容易にしている。
また、第２のレンズ群ＰＧ２１、ＰＧ２２、ＰＧ２３は、少なくとも１つの負レンズと、正レンズとを備えているため、第２のレンズ群ＰＧ２１、ＰＧ２２、ＰＧ２３内において色収差補正を行うことが可能となる。なお、第２のレンズ群ＰＧ２１、ＰＧ２２、ＰＧ２３内の少なくとも１つの負レンズと、正レンズとに異なる種類の光学部材を用いることがさらに好ましい。この構成に加えて、第１のレンズ群ＰＧ１１、ＰＧ１２、ＰＧ１３及び第３のレンズ群ＰＧ３１、ＰＧ３２、ＰＧ３３においても、それぞれ負レンズと正レンズとを備えていることが好ましい。これにより、各レンズ群において色収差補正を行うことが可能となるので、露光波長が広帯域化しても（例えばg線（４３６ｎｍ）からi線（３６５ｎｍ）にわたる波長域）、投影光学系全体として良好な色収差補正を達成することができる。
また、上述の第１及び第２の実施の形態においては、第３のレンズ群ＰＧ３１，ＰＧ３２が最も第２の光路偏向面側ＦＭ２１，ＦＭ２２に配置された負レンズＬ１８１，Ｌ１９２を有するため、像高の低い光線まで視野分離を行うことができ、広い露光領域を確保することができる。
以下、図面を参照して、本発明の第４実施の形態に係る露光装置について説明する。図４は、第４の実施の形態に係る露光装置の概略構成を示す図である。この実施の形態においては、上述の第１〜第３の実施の形態にかかる反射屈折型の投影光学系の何れかにより構成される投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２を備える投影光学装置ＰＬに対してマスク（第１物体）Ｍと、外径が５００ｍｍよりも大きいプレート（第２物体、感光基板）Ｐとを相対的に走査させつつマスクＭに形成されたパターン（原画パターン）の像をプレートＰ上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明する。ここで外形が、５００ｍｍよりも大きいとは、一辺若しくは対角線が５００ｍｍよりも大きいことをいう。
この実施の形態にかかる露光装置は、マスクＭを均一に照明するための照明光学系ＩＬを備えている。照明光学系ＩＬは、例えば水銀ランプ又は超高圧水銀ランプからなる光源を備え、オプティカル・インテグレータ、視野絞り、コンデンサレンズ等から構成されている。光源から射出された露光光は、照明光学系ＩＬを通過し、マスクＭに設けられたパターンを照明する。マスクＭを通過した光は、複数の投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２を介してプレート上の露光領域にマスクＭのパターンを投影露光する。ここで、例えば投影光学系ＰＬ１０が第１の投影光学系に該当し、投影光学系ＰＬ１１が第２の投影光学系に該当する。
また、マスクＭは、マスクステージ（第１ステージ）ＭＳＴ上に保持されている。マスクステージＭＳＴは、走査方向（Ｘ軸方向）に長いストロークで移動可能であり、非走査方向（Ｙ軸方向）に所定量移動可能である。また、プレートＰは、プレートステージ（第２ステージ）ＰＳＴ上に保持されている。プレートステージＰＳＴは、走査方向（Ｘ軸方向）に長いストロークで移動可能であり、非走査方向（Ｙ軸方向）に所定量移動可能である。なお、マスクステージＭＳＴ及びプレートステージＰＳＴの移動は、制御部ＣＯＮＴにより制御される。即ち、制御部ＣＯＮＴは、マスクステージＭＳＴ及びプレートステージＰＳＴを投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２の拡大倍率に応じた速度比で走査方向に沿って移動するように制御し、マスクステージＭＳＴ及びプレートステージＰＳＴを投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２の拡大倍率に応じた移動量比で非走査方向に沿って移動するように制御する。
図５は、投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２の配列の状態を示す図である。投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２は、走査方向と直交する非走査方向（Ｙ軸方向）に離散的に並んで配置されている。投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２の投影倍率はそれぞれ２倍である。投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２により形成される露光領域をそれぞれＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３とすると、露光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３は、それぞれ所定の距離だけ離れている。ここで投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２の露光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３のＹ軸方向の実効露光幅をそれぞれＥＷとする。投影光学系ＰＬ１０と投影光学系ＰＬ１１とのＹ軸方向の間隔距離はＰＬＰで、投影光学系ＰＬ１１と投影光学系ＰＬ１２とのＹ軸方向の間隔距離もＰＬＰである。このとき、各投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２の実効露光幅ＥＷと投影光学系のＹ軸方向の間隔距離ＰＬＰとの関係は、
ＰＬＰ＝２×ＥＷ
である。
各投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２に対応するマスクＭ上の実効露光幅をＭＷとすると、
ＥＷ＝２×ＭＷ
である。
次に、図６を参照して、この実施の形態の係る露光装置を用いた露光方法の説明を行なう。先ず、図６を参照して工程１を説明する。この図に示すように、投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２により投影露光されるプレートＰ上の露光領域をそれぞれＰ１Ａ、Ｐ２Ａ、Ｐ３Ａ、マスクＭ上における照明領域をそれぞれＭ１Ａ、Ｍ２Ａ、Ｍ３Ａとする。ここで、例えば、照明領域Ｍ１Ａはマスク上の一部分とみなすことができ、照明領域Ｍ２Ａはマスク上の異なる部分とみなすことができる。また、例えば、露光領域Ｐ１Ａはプレート上の第１領域とみなすことができ、露光領域Ｐ２Ａはプレート上の第２領域とみなすことができる。なお、本実施の形態においては、マスク上の一部分（例えばＭ１Ａ）と異なる部分（例えばＭ２Ａ）とが１つのマスク上に一体的に形成されているが、異なるマスクに別々に形成されていても良い。例えば、一部分（ここではＭ１Ａ）が第１のマスク上に形成され、異なる部分（ここではＭ２Ａ）が第２のマスク上に形成されてもよい。この場合には、制御部ＣＯＮＴによりマスクステージＭＳＴを制御することで、マスク上の一部分又は異なる部分のみを非走査方向に移動させることが可能となる。
走査方向をＸ軸方向とし、マスクＭの走査速度をＶＭ、プレートＰの走査速度をＶＰとすると、
ＶＰ＝２×ＶＭ
の関係を満足する。従って、マスクＭのＸ軸方向の露光領域の長さをＭＸＬ、プレートＰのＸ軸方向の露光領域の長さをＰＸＬとすると、
ＰＸＬ＝２×ＭＸＬ
が成立する。
次に、図７を参照して、工程２を説明する。この図に示すように、工程１においてプレートＰ上の露光長ＰＸＬの露光が終了した後、プレートＰを−Ｙ軸方向にＳＰＢ（距離はＥＷに等しい）だけ移動させる。マスクＭはＹ軸方向にＳＭＢ（距離はＭＷに等しい）だけ移動させる。その後、走査露光を行う。このときプレートＰ上の露光される領域は、Ｐ１Ｂ、Ｐ２Ｂ、Ｐ３Ｂで、Ｐ１Ｂは、前の工程１で既に露光された隣接する露光領域Ｐ１Ａ、Ｐ２ＡとＹ軸方向において一部重なるように露光される。露光領域Ｐ２Ｂは、前の工程１で既に露光された隣接する露光領域Ｐ２Ａ、Ｐ３ＡとＹ軸方向において一部重なるように露光される。露光領域Ｐ３Ｂは、前の工程１で既に露光された隣接する露光領域Ｐ３ＡとＹ軸方向において一部重なるように露光される。
次に、図８を参照して、工程３を説明する。工程２においてプレートＰ上の露光長ＰＸＬの露光が終了した後、プレートＰを−Ｙ軸方向にＳＰＣ（距離は５×ＥＷに等しい）だけ移動させる。マスクＭはＹ軸方向にＳＭＣ（距離はＭＷに等しい）だけ移動させる。その後、走査露光を行う。このときプレートＰ上の露光される領域は、領域Ｐ１Ｃ、Ｐ２Ｃ、Ｐ３Ｃとなり、Ｐ１Ｃは、前の工程２で既に露光された隣接する露光領域Ｐ３ＢとＹ軸方向において一部重なるように露光される。
次に、図９を参照して、工程４を説明する。工程３においてプレートＰ上の露光長ＰＸＬの露光が終了した後、プレートＰを−Ｙ軸方向にＳＰＤ（距離はＥＷに等しい）だけ移動させる。マスクＭはＹ軸方向にＳＭＤ（距離はＭＷに等しい）だけ移動させる。その後、走査露光を行う。このときプレートＰ上の露光される領域は、領域Ｐ１Ｄ、Ｐ２Ｄ、Ｐ３Ｄとなり、Ｐ１Ｄは、前の工程３で既に露光された隣接する露光領域Ｐ１Ｃ、Ｐ２ＣのＹ軸方向において一部重なるように露光される。露光領域Ｐ２Ｄは、前の工程３で既に露光された隣接する露光領域Ｐ２Ｃ、Ｐ３ＣのＹ軸方向において一部重なるように露光される。露光領域Ｐ３Ｄは、前の工程３で既に露光された隣接する露光領域Ｐ３ＣとＹ軸方向において一部重なるように露光される。
以上の工程１〜４により、マスクＭでの領域面積ＳＭ＝１２×ＭＷ×ＭＸＬが、本発明の露光装置によりプレート上で領域面積ＳＰ＝１２×ＥＷ×ＰＸＬに露光される。
上記の関係式により、ＳＭとＳＰの間には
ＳＰ＝４×ＳＭ
が成立し、マスクＭの４倍の面積の領域が露光できる。
次に、上述の実施の形態にかかる露光方法で用いるマスクについて説明する。図１０は、たとえば上述の露光装置に備えられている投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２が正立像を形成する光学系により構成される場合のマスクを示す図である。マスクＭ１０は、図１０に示すように、複数の奇数列パターン領域Ｍ１０１（ここでは、３つのパターン領域）と、複数の偶数列パターン領域Ｍ１０２（ここでは、３つのパターン領域）とを備えている。ここで、複数の奇数列パターン領域Ｍ１０１とは、たとえば同図に示すように、Ｙ軸方向（非走査方向）に左から数えて奇数番目、すなわち１番目、３番目、５番目のパターン領域をいい、複数の偶数列パターン領域Ｍ１０２とは、同様にＹ軸方向（非走査方向）に左から数えて偶数番目、すなわち２番目、４番目、６番目のパターン領域をいうものとする。
また、少なくとも一対の隣接する奇数列パターン領域Ｍ１０１と偶数列パターン領域Ｍ１０２とは、Ｙ軸方向（非走査方向）の端部に同一のパターンを有する共通領域を有している。ここで、共通領域とは、少なくとも一対の隣接する奇数列パターン領域Ｍ１０１と偶数列パターン領域Ｍ１０２との隣接する側にそれぞれ形成される。たとえば図１０に示すように、共通領域Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５がそれぞれ形成されている。
図１１は、例えば上述の露光装置に備えられている投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２が倒立像を形成する光学系により構成される場合のマスクを示す図である。図１１に示すように、マスクは、複数の奇数列パターン領域Ｍ１０１（ここでは、３つのパターン領域）と、複数の偶数列パターン領域Ｍ１０２（ここでは、３つのパターン領域）とを備えている。ここで、複数の奇数列パターン領域Ｍ１０１とは、たとえば同図に示すように、Ｙ軸方向（非走査方向）に左から数えて奇数番目、すなわち１番目、３番目、５番目のパターン領域をいい、複数の偶数列パターン領域Ｍ１０２とは、同様にＹ軸方向（非走査方向）に左から数えて偶数番目、すなわち２番目、４番目、６番目のパターン領域をいうものとする。
また、少なくとも一対の隣接する奇数列パターン領域Ｍ１０１と偶数列パターン領域Ｍ１０２とは、Ｙ軸方向（非走査方向）の端部に同一のパターンを有する共通領域が形成されている。ここで、共通領域は、少なくとも一対の隣接する奇数列パターン領域Ｍ１０１と偶数列パターン領域Ｍ１０２との隣接する側とは反対側にそれぞれ形成される。たとえば図１１に示すように、共通領域Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５がそれぞれ形成されている。
図１０に示すマスクＭ１０及び図１１に示すマスクＭ１１においては、少なくとも一対の隣接する奇数列パターン領域Ｍ１０１と偶数列パターン領域Ｍ１０２との共通領域は、重なり合って目的とする１つのパターンを形成するように、共通領域Ｃ１〜Ｃ５の全部又は一部が重畳して転写露光される。図１２は、マスクＭ１０（Ｍ１１）をプレート上に露光転写した状態を示す図である。図１２に示すように、プレートＰ１０には、奇数列パターン領域Ｍ１０１が転写露光された領域Ｐ１０１と偶数列パターン領域Ｍ１０２が転写露光された領域Ｐ１０２と共通領域Ｃ１〜Ｃ５が転写露光された領域Ｐ１１、Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４，Ｐ１５が形成される。なお、図中のＥＡ１，ＥＡ２，ＥＡ３は、それぞれ投影光学系ＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３の露光領域を示しており、ＰＬＰは、隣接する露光領域の中心の間隔を示している。
なお、該一対の共通領域Ｃ１〜Ｃ５は、重なり合って１つのパターンを形成させるパターンであればよく、一対の共通領域Ｃ１〜Ｃ５に形成されるパターンが完全に同一である必要はない。たとえば、一対の隣接する奇数列パターン領域Ｍ１０１と偶数列パターン領域Ｍ１０２との共通領域のうち、奇数列パターン領域Ｍ１０１の共通領域又は偶数列パターン領域Ｍ１０２の共通領域のどちらか一方に、全く使用しない不要なパターンがあってもよい。
また、図１０及び図１１に示すように、マスクＭ１０（Ｍ１１）は、奇数列パターン領域Ｍ１０１と所定の位置関係で形成された複数の第１基準マークｍ１０１と、偶数列パターン領域Ｍ１０２と所定の位置関係で形成された複数の第２基準マークｍ１０２とを備えている。ここで、第１基準マークｍ１０１と第２基準マークｍ１０２とは、マスクＭ１０（Ｍ１１）を装置（例えばマスクステージＭＳＴ）に位置合わせするためのアライメントマーク、投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２の配置調整をするための配置調整用マーク、マスクのパターン面のＺ軸方向の変形を検出するための焦点位置検出用マーク、投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２のそれぞれにより形成される奇数列パターン領域Ｍ１０１又は偶数列パターン領域Ｍ１０２の像の相対的な位置ずれ（継ぎ誤差）を検出するためのアライメントマークなどである。なお、第１基準マークは、偶数列パターン領域Ｍ１０２と所定の位置関係でマスクＭ１０（Ｍ１１）上に形成されてもよいし、第２基準マークは、奇数列パターン領域Ｍ１０１と所定の位置関係でマスクＭ１０（Ｍ１１）上に形成されてもよい。
第１基準マークｍ１０１は、奇数列パターン領域Ｍ１０１に対して所定距離だけ離間した位置に配置される（たとえば図１０又は図１１において、左から１番目の奇数列パターン領域Ｍ１０１からＸ軸方向の距離Ｘ１離れた第１基準マークｍ１０１）。同様に、第２基準マークｍ１０２は、偶数列パターン領域Ｍ１０２に対して所定距離だけ離間した位置に配置される（たとえば図１０又は図１１において、左から６番目の偶数列パターン領域Ｍ１０２からＸ軸方向の距離Ｘ２離れた第２基準マークｍ１０２）。なお、第１基準マークｍ１０１及び第２基準マークｍ１０２は、奇数列パターン領域Ｍ１０１と偶数列パターン領域Ｍ１０２との間、奇数列パターン領域Ｍ１０１又は偶数列パターン領域Ｍ１０２やマスク上の他の部分に配置されてもよい。
さらに、図１３に、投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２が正立像を形成する光学系により構成される場合のマスクＭ１０を示す。図１４に、投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２が倒立像を形成する光学系により構成される場合のマスクＭ１１を示す。図１３及び図１４に示すように、少なくとも１つの第１基準マークｍ１０１は、奇数列パターン領域Ｍ１０１（たとえば、左から１番目の奇数列パターン領域Ｍ１０１）のＹ軸方向に関する座標範囲内に配置される。同様に、少なくとも１つの第２基準マークｍ１０２は、第１基準マークｍ１０１が配置された奇数列パターン領域Ｍ１０１とは異なる奇数列パターン領域ｍ１０１（たとえば、左から５番目の奇数列パターン領域Ｍ１０１）のＹ軸方向に関する座標範囲内に配置される。たとえばマスクを走査する前にアライメントを行う場合、アライメント後にマスクをＹ軸方向に移動させることなく、マスクを走査することが可能となる。なお、第１基準マーク又は第２基準マークは、偶数列パターン領域Ｍ１０２のＹ軸方向に関する座標範囲内に配置されてもよい。
たとえば第１基準マークをマスクのＸ及びＹ方向の位置合わせをするアライメントマークとし、第２基準マークをマスクのθ方向の位置合わせするアライメントマークとした場合、第１基準マークと第２基準マークとはＹ軸方向に可能な限り離して配置されることが望ましい。すなわち、図１３及び図１４に示すように、第１基準マークは左から１番目の奇数列パターン領域Ｍ１０１のＹ軸方向に関する座標範囲内に配置され、第２基準マークは左から５番目の奇数列パターン領域Ｍ１０１のＹ軸方向に関する座標範囲内に配置されることが望ましい。ここで、θ方向とは、Ｘ及びＹ方向に対するマスクのずれ方向（傾き方向）をいう。
また、図１５に投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２が正立像を形成する光学系により構成される場合のマスクＭ１０を示し、図１６に投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２が倒立像を形成する光学系により構成される場合のマスクＭ１１を示す。図１５及び図１６に示すように、第１基準マークｍ１０１は、奇数列パターン領域Ｍ１０１の共通領域Ｃ１１のＹ軸方向に関する座標範囲内に配置されることが望ましい。同様に、第２基準マークｍ１０２は、偶数列パターン領域Ｍ１０２の共通領域Ｃ１２のＹ軸方向に関する座標範囲内に配置されることが望ましい。この配置により、たとえば第１基準マークｍ１０１又は第２基準マークｍ１０２は、マスクを装置に位置合わせするためのアライメントマーク又は投影光学系の配置調整をするための配置調整用マークとしての機能も有するだけでなく、投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２のそれぞれにより形成される奇数列パターン領域Ｍ１０１又は偶数列パターン領域Ｍ１０２の像の相対的な位置ずれ（継ぎ誤差）を検出するためのアライメントマークとしての機能を有する。つまり、継ぎ露光した場合に、第１基準マークｍ１０１と第２基準マークｍ１０２との相対的な位置ずれを計測すれば、継ぎ誤差の良否判定をすることができる。
本実施の形態において、プレート上に形成される第１基準マークｍ１０１ａと第２基準マークｍ１０２ａとの一例を図１７に示す。たとえば、マスクＭ上に形成する第１基準マークｍ１０１を十字形とし、第２基準マークを正方形とする。十字形の第１基準マークｍ１０１と正方形の第２基準マークｍ１０２とをプレートＰ上で互いに重なるように露光すると、プレートＰ上では図１７のようなマークが形成される。プレートＰ上に形成された第１基準マークｍ１０１ａと第２基準マーク１０２ａとの相対的な位置ずれをプレート外観検査装置などで計測し、継ぎ誤差の良否判定を行う。なお、継ぎ誤差が許容値を超える場合には、エッチング工程に進まず、レジスト剥離後に再度、マスクＭのパターンをプレート上に露光する。これにより、不要なエッチング工程を減らすことができる。ここで、プレート外観検査装置とは、プレート上のパターンのずれや継ぎ誤差などを光学顕微鏡で検出する装置である。
図１５及び図１６において、少なくとも一対の奇数列パターン領域Ｍ１０１のうち、一方の奇数列パターン領域Ｍ１０１と他方の奇数列パターン領域Ｍ１０１とのＹ軸方向（非走査方向）の配置間隔を第１の配置間隔Ｌ１とする。さらに、少なくとも一対の偶数列パターン領域Ｍ１０２のうち、一方の偶数列パターン領域Ｍ１０２と他方の偶数列パターン領域Ｍ１０２とのＹ軸方向（非走査方向）の配置間隔を第２の配置間隔Ｌ２とする。ここで、第１の配置間隔Ｌ１と第２の配置間隔Ｌ２はほぼ等しい。たとえば、図１５又は図１６において、左から数えて奇数番目である１番目と３番目との奇数列パターン領域Ｍ１０１のＹ軸方向の配置間隔Ｌ１と、同様に左から数えて偶数番目である２番目と４番目との偶数列パターン領域Ｍ１０２のＹ軸方向の配置間隔Ｌ２はほぼ等しい距離で配置されている。ここで、たとえば図１５又は図１６において、第１の配置間隔Ｌ１とは、左から数えて１番目の奇数列パターン領域Ｍ１０１の中心位置と、３番目の奇数列パターン領域Ｍ１０１の中心位置とのＹ軸方向における間隔である。同様に、たとえば図１５又は図１６において、第２の配置間隔Ｌ２とは、左から数えて２番目の偶数列パターン領域Ｍ１０２の中心位置と、４番目の偶数列パターン領域Ｍ１０２の中心位置とのＹ軸方向における間隔である。
なお、本実施の形態のマスク上のパターン領域（奇数列パターン領域Ｍ１０１又は偶数列パターン領域Ｍ１０２）が、たとえば図４に示すように、拡大倍率を有する複数の投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２を介して基板にパターンを露光するための原画パターンである場合、第１の配置間隔Ｌ１又は第２の配置間隔Ｌ２は、該複数の投影光学系ＰＬ１０，ＰＬ１１，ＰＬ１２の視野領域のＹ軸方向における間隔とほぼ等しいことが望ましい。
上述した本実施の形態のマスクの説明において、隣接するとは、奇数列パターン領域Ｍ１０１と偶数列パターン領域Ｍ１０２とが接している必要はなく、所定の距離離れていてもよい。奇数列パターン領域同士及び偶数列パターン領域同士の場合も同様に、隣接するとは、奇数列パターン領域同士又は偶数列パターン領域同士が接している必要はなく、所定の距離離れていてもよい。
ここで、本実施の形態に示したマスクのパターン領域のＹ軸方向に関する長さについて説明する。たとえば、プレート上の露光領域の全面に亘って均一な露光量分布が得られるように構成された露光装置を用いる場合、本実施の形態（図１０、図１１、図１３〜図１６）に示したマスクＭは、Ｙ軸方向の両端に形成されるパターン領域（たとえば図１０においては、左から１番目の奇数列パターン領域Ｍ１０１と、左から６番目の偶数列パターン領域Ｍ１０２とである）のＹ軸方向に関するパターン領域の長さを、他のパターン領域のＹ軸方向に関する長さよりも短くしてもよい。たとえば図１０において、左から１番目の奇数列パターン領域Ｍ１０１の共通領域Ｃ１とは反対側の端部は、共通領域Ｃ１の長さ分を短くすることが望ましい。同様に、図１０において、左から６番目の偶数列パターン領域Ｍ１０２の共通領域Ｃ５とは反対側の端部は、共通領域Ｃ５の長さ分を短くすることが望ましい。
また、本実施の形態のマスクには、マスク上の周辺又は一部に形成された不要なパターンの露光やプレートからもれる光による誤露光を防止する等のために、奇数列パターン領域及び偶数列パターン領域と共通領域との周辺又は一部にたとえば遮光シートなどで遮光帯を形成させてもよい。
次に、上述のマスクの製造方法を説明する。先ず、正立像を形成する投影光学系を備える露光装置に用いられるマスクの製造方法を説明する。図１８に示すように、先ず、マスク上に形成する全パターンに対応する全パターンデータを非走査方向であるＹ方向に分割する。即ち、例えば、全パターンに対応する全パターンデータを３つの奇数列パターン領域Ｍ１０１と３つの偶数列パターン領域Ｍ１０２との６つのパターンデータに分割する。
次に、図１９に示すように、分割したパターンデータのＹ軸方向の端部に、共通領域に対応するパターンデータＣ１〜Ｃ５を付加し、奇数列パターン領域Ｍ１０１及び偶数列パターン領域Ｍ１０２に対応する描画データを作成する。なお、この場合に共通領域は隣接する奇数列パターン領域Ｍ１０１と偶数列パターン領域Ｍ１０２との隣接する側にそれぞれ形成される。
次に、作成した描画データに従って、ＥＢ露光装置などを用いて、マスク基板（ブランクス）上の所定の位置に、複数の奇数列パターン領域Ｍ１０１及び複数の偶数列パターン領域Ｍ１０２のパターンと、基準マークｍ１０１〜ｍ１０４とを描画する。このようにして、正立像を形成する投影光学系を備える露光装置に用いられるマスクＭ１０（図１０など）の製造が行なわれる。
次に、倒立像を形成する投影光学系を備える走査型露光装置に用いられるマスクの製造方法を説明する。図１８に示すように、先ず、マスク上に形成する全パターンに対応する全パターンデータを非走査方向であるＹ方向に分割する。即ち、例えば、全パターンに対応する全パターンデータを３つの奇数列パターン領域Ｍ１０１と３つの偶数列パターン領域Ｍ１０２との６つのパターンデータに分割する。次に、奇数列パターン領域Ｍ１０１と偶数列パターン領域Ｍ１０２とのパターンデータをＹ軸方向に反転させて、図２０に示すように、分割したパターンデータのＹ軸方向の端部に、共通領域に対応するパターンデータＣ１〜Ｃ５を付加し、奇数列パターン領域Ｍ１０１及び偶数列パターン領域Ｍ１０２に対応する描画データを作成する。なお、この場合に、共通領域は隣接する奇数列パターン領域Ｍ１０１と偶数列パターン領域Ｍ１０２との隣接する側とは反対側にそれぞれ形成される。
次に、作成した描画データに従って、ＥＢ露光装置などを用いて、マスク基板（ブランクス）上の所定の位置に、複数の奇数列パターン領域Ｍ１０１及び複数の偶数列パターン領域Ｍ１０２と、基準マークｍ１０１〜ｍ１０４とを描画する。このようにして、倒立像を形成する投影光学系を備える露光装置に用いられるマスクＭ１１（図１１など）の製造が行なわれる。
なお、上述したマスクの製造方法においては、全パターンに対応する全パターンデータを分割し、その後に共通領域に対応するパターンデータを付加したが、共通領域に対応するパターンデータを有する全パターンデータを分割し、分割したパターンデータに従って、ＥＢ露光装置などを用いてマスク基板（ブランクス）上に描画してもよい。
上述の実施の形態にかかる露光方法を用いて、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、上述の実施の形態にかかる露光方法を用いて感光性基板としてのプレート等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子（フラット・パネル・ディスプレイ）を得る際の手法の一例につき図２１のフローチャートを参照して説明する。
図２１において、パターン形成工程Ｓ４０１では、本実施の形態にかかる露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２へ移行する。
次に、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２の後に、セル組み立て工程Ｓ４０３が実行される。セル組み立て工程Ｓ４０３では、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。セル組み立て工程Ｓ４０３では、例えば、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。
その後、モジュール組み立て工程Ｓ４０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、広い露光領域を用いて露光を行なっているため、高いスループットのもとでフラット・パネル・ディスプレイとしての液晶表示素子を得ることができる。
本発明の投影光学系によれば、拡大倍率を有し良好に収差補正がされた投影光学系を提供することができる。
また、本発明の露光装置によれば、マスクサイズの大型化を伴うことなく広い露光領域を有し良好な露光を行うことができる。
また、本発明の露光方法によれば、マスクサイズの大型化を伴うことなく広い露光領域に対して良好な露光を行うことができる。
また、この発明のディスプレイの製造方法によれば、この発明の露光装置またはこの発明の露光方法を用いて露光を行なうため、良好なディスプレイを得ることができる。
また、この発明のマスクによれば、大型のプレートに対してマスクのパターンを転写する場合においてもマスクの大型化を避けることができるため、マスクの製造コストを低下させることができる。
また、本発明のマスクの製造方法によれば、拡大倍率を有する投影光学系を備える露光装置で用いることができ、マスクの製造コストを低減することができる。
なお、以上説明した実施の形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。従って、実施の形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や、均等物も含む趣旨である。
また、本開示は、２００６年２月１６日に提出された日本国特許出願２００６−３９４４６号、及び２００７年１月２５日に提出された日本国特許出願２００７−１４６３１号に含まれた主題に関連し、その開示の全てはここに参照事項として明白に組み込まれる。
以下に実施例１〜実施例３について説明するが、実施例１〜実施例３にかかる反射屈折光学系の構成は、図１〜図３に示す第１〜第３の実施の形態にかかる反射屈折光学系の構成とそれぞれ同一であるため、実施例１〜実施例３にかかる反射屈折光学系の説明には、第１〜第３の実施の形態にかかる反射屈折光学系の説明で用いた符号を用いる。また、実施例１〜実施例３にかかる反射屈折光学系ＰＬ１〜ＰＬ３の光学部材諸元を表１〜表３に示す。表１〜表３の光学部材諸元においては、第１カラムの面番号は物体側からの光線進行方向に沿った面の順序、第２カラムは各面の曲率半径（ｍｍ）、第３カラムの面間隔は光軸上の面間隔（ｍｍ）、第４カラムは、光学部材の硝材のｇ線に対する屈折率、第５カラムは光学部材の硝材のｈ線に対する屈折率、第６カラムは光学部材の硝材のｉ線に対する屈折率、第７カラムはレンズの名称をそれぞれ示している。
（実施例１）
実施例１にかかる反射屈折光学系ＰＬ１の諸元の値を示す。
（諸元）
物体側（ガラス基板側）開口数（ＮＡ）： ０．０６５
投影倍率： １．５倍
条件式の対応値：
第１レンズ群の焦点距離ＦＰＧ１＝９０６．５ｍｍ
第３レンズ群の焦点距離ＦＰＧ３＝１４２９．８ｍｍ
｜ＥＰＧ３／ＥＰＧ１｜＝１４２９．８／９０６．５
＝１．６
（表１）
（光学部材諸元）
r d n(g) n(h) n(i)
0 97.032 1.00000 1.00000 1.00000
1 -254.374 27.209 1.48032 1.48272 1.48677 L101
2 -172.584 13.935 1.00000 1.00000 1.00000
3 -166.928 20.000 1.46671 1.46964 1.47456 L111
4 449.499 10.438 1.00000 1.00000 1.00000
5 511.800 35.000 1.48032 1.48272 1.48677 L121
6 -352.458 10.649 1.00000 1.00000 1.00000
7 ∞ 22.265 1.48032 1.48272 1.48677 L131
8 -361.804 87.000 1.00000 1.00000 1.00000
9 ∞ -544.308 -1.00000 -1.00000 -1.00000 FM11
10 -478.242 -32.566 -1.48032 -1.48272 -1.48677 L141
11 319.098 -2.928 -1.00000 -1.00000 -1.00000
12 315.584 -18.000 -1.46671 -1.46964 -1.47456 L151
13 2137.264 -2.000 -1.00000 -1.00000 -1.00000
14 -531.834 -18.000 -1.46671 -1.46964 -1.47456 L161
15 -328.624 -24.987 -1.00000 -1.00000 -1.00000
16 333.432 -35.973 -1.46671 -1.46964 -1.47456 L171
17 441.158 -216.544 -1.00000 -1.00000 -1.00000
18 1846.398 216.544 1.00000 1.00000 1.00000 CCM1
19 441.158 35.973 1.46671 1.46964 1.47456 L171
20 333.432 24.987 1.00000 1.00000 1.00000
21 -328.624 18.000 1.46671 1.46964 1.47456 L161
22 -531.834 2.000 1.00000 1.00000 1.00000
23 2137.264 18.000 1.46671 1.46964 1.47456 L151
24 315.584 2.928 1.00000 1.00000 1.00000
25 319.098 32.566 1.48032 1.48272 1.48677 L141
26 -478.242 544.308 1.00000 1.00000 1.00000
27 ∞ -90.000 -1.00000 -1.00000 -1.00000 FM21
28 600.279 -20.000 -1.48032 -1.48272 -1.48677 L181
29 -578.059 -106.109 -1.00000 -1.00000 -1.00000
30 -1193.741 -31.322 -1.46671 -1.46964 -1.47456 L191
31 395.773 -2.000 -1.00000 -1.00000 -1.00000
32 -416.473 -31.993 -1.46671 -1.46964 -1.47456 L201
33 ∞ -3.466 -1.00000 -1.00000 -1.00000
34 ∞ -22.000 -1.48032 -1.48272 -1.48677 L211
35 -619.461 -158.343 -1.00000 -1.00000 -1.00000
各波長（ｇ線、ｈ線、ｉ線）での波面収差のｒｍｓ値をＷｒｍｓ(ｇ)、Ｗｒｍｓ(ｈ)、Ｗｒｍｓ(ｉ)するとき、各像高における値を示す。
像高（ｍｍ） Ｗｒｍｓ(ｇ) Ｗｒｍｓ(ｈ) Ｗｒｍｓ(ｉ)
４６．５ ５．０ｍλ ３．４ｍλ ４．８ｍλ
６３．０ ５．１ｍλ ３．５ｍλ ５．８ｍλ
７９．５ ５．５ｍλ ６．８ｍλ ６．７ｍλ
９６．０ ８．９ｍλ ９．４ｍλ １２．７ｍλ
この実施例１に係る投影光学系は、各波長での波面収差が良好に補正されている。
（実施例２）
実施例２にかかる反射屈折光学系ＰＬ２の諸元の値を示す。
（諸元）
物体側（ガラス基板側）開口数（ＮＡ）： ０．０５６
投影倍率： ２倍
条件式の対応値：
第１レンズ群の焦点距離ＦＰＧ１＝７０７ｍｍ
第３レンズ群の焦点距離ＦＰＧ３＝１６４９ｍｍ
｜ＥＰＧ３／ＥＰＧ１｜＝１６４９／７０７
＝２．３
（表２）
（光学部材諸元）
r d n(g) n(h) n(i)
0 41.235 1.00000 1.00000 1.00000
1 -306.121 45.000 1.48032 1.48272 1.48677 L102
2 -327.412 3.177 1.00000 1.00000 1.00000
3 -322.670 45.000 1.46671 1.46964 1.47456 L112
4 613.094 5.986 1.00000 1.00000 1.00000
5 1676.049 35.548 1.48032 1.48272 1.48677 L122
6 -224.580 6.992 1.00000 1.00000 1.00000
7 -181.457 20.000 1.46671 1.46964 1.47456 L132
8 -310.107 2.000 1.00000 1.00000 1.00000
9 ∞ 25.330 1.48032 1.48272 1.48677 L142
10 -268.581 90.000 1.00000 1.00000 1.00000
11 ∞ -214.629 -1.00000 -1.00000 -1.00000 FM12
12 -1116.037 -45.000 -1.46671 -1.46964 -1.47456 L152
13 -330.715 -22.158 -1.00000 -1.00000 -1.00000
14 -367.124 -45.000 -1.48032 -1.48272 -1.48677 L162
15 409.133 -2.000 -1.00000 -1.00000 -1.00000
16 548.409 -45.000 -1.46671 -1.46964 -1.47456 L172
17 -570.461 -5.736 -1.00000 -1.00000 -1.00000
18 -913.519 -45.000 -1.48032 -1.48272 -1.48677 L182
19 1946.161 -330.406 -1.00000 -1.00000 -1.00000
20 1719.098 330.406 1.00000 1.00000 1.00000 CCM2
21 1946.161 45.000 1.48032 1.48272 1.48677 L182
22 -913.519 5.736 1.00000 1.00000 1.00000
23 -570.461 45.000 1.46671 1.46964 1.47456 L172
24 548.409 2.000 1.00000 1.00000 1.00000
25 409.133 45.000 1.48032 1.48272 1.48677 L162
26 -367.124 22.158 1.00000 1.00000 1.00000
27 -330.715 45.000 1.46671 1.46964 1.47456 L152
28 -1116.037 214.629 1.00000 1.00000 1.00000
29 ∞ -95.000 -1.00000 -1.00000 -1.00000 FM22
30 406.592 -20.000 -1.48032 -1.48272 -1.48677 L192
31 -672.444 -117.758 -1.00000 -1.00000 -1.00000
32 570.508 -45.000 -1.46671 -1.46964 -1.47456 L202
33 394.103 -2.000 -1.00000 -1.00000 -1.00000
34 -642.658 -50.000 -1.59415 -1.60086 -1.61279 L212
35 -475.934 -3.880 -1.00000 -1.00000 -1.00000
36 -503.152 -50.000 -1.60329 -1.60769 -1.61517 L222
37 1079.099 -302.907 -1.00000 -1.00000 -1.00000
各波長（ｇ線、ｈ線、ｉ線）での波面収差のｒｍｓ値をＷｒｍｓ(ｇ)、Ｗｒｍｓ(ｈ)、Ｗｒｍｓ(ｉ)するとき、各像高における値を示す。
像高（ｍｍ） Ｗｒｍｓ(ｇ) Ｗｒｍｓ(ｈ) Ｗｒｍｓ(ｉ)
５６．０ ６．１ｍλ ７．１ｍλ ５．９ｍλ
７５．７ ６．５ｍλ ７．１ｍλ ６．２ｍλ
９５．３ ６．０ｍλ ６．３ｍλ ７．７ｍλ
１１５．０ １４．６ｍλ １７．３ｍλ ２５．３ｍλ
この実施例２に係る投影光学系は、各波長での波面収差が良好に補正されている。
（実施例３）
実施例３にかかる反射屈折光学系ＰＬ３の諸元の値を示す。
（諸元）
物体側（ガラス基板側）開口数（ＮＡ）：０．０８５
投影倍率：１．２５倍
条件式の対応値：
第１レンズ群の焦点距離ＦＰＧ１＝７４１．７ｍｍ
第３レンズ群の焦点距離ＦＰＧ３＝８６１．１ｍｍ
｜ＥＰＧ３／ＥＰＧ１｜＝８６１．１／７４１．７
＝１．２
（表３）
（光学部材諸元）
r d n(g) n(h) n(i)
0 45.154 1.00000 1.00000 1.00000
1 ∞ 20.799 1.48032 1.48272 1.48677 L103
2 -226.224 4.715 1.00000 1.00000 1.00000
3 -196.402 15.000 1.46671 1.46964 1.47456 L113
4 588.156 30.699 1.00000 1.00000 1.00000
5 859.140 40.000 1.48032 1.48272 1.48677 L123
6 -274.898 90.000 1.00000 1.00000 1.00000
7 ∞ -347.770 -1.00000 -1.00000 -1.00000 FM13
8 -398.508 -28.365 -1.48032 -1.48272 -1.48677 L143
9 303.613 -2.962 -1.00000 -1.00000 -1.00000
10 299.514 -18.000 -1.46671 -1.46964 -1.47456 L153
11 2214.264 -2.000 -1.00000 -1.00000 -1.00000
12 -866.521 -18.000 -1.46671 -1.46964 -1.47456 L163
13 -312.592 -24.341 -1.00000 -1.00000 -1.00000
14 247.189 -70.000 -1.46671 -1.46964 -1.47456 L173
15 294.614 -172.194 -1.00000 -1.00000 -1.00000
16 1167.379 172.194 1.00000 1.00000 1.00000 CCM31
17 294.614 70.000 1.46671 1.46964 1.47456 L173
18 247.189 24.341 1.00000 1.00000 1.00000
19 -312.592 18.000 1.46671 1.46964 1.47456 L163
20 -866.521 2.000 1.00000 1.00000 1.00000
21 2214.264 18.000 1.46671 1.46964 1.47456 L153
22 299.514 2.962 1.00000 1.00000 1.00000
23 303.613 28.365 1.48032 1.48272 1.48677 L143
24 -398.508 347.770 1.00000 1.00000 1.00000
25 ∞ -180.018 -1.00000 -1.00000 -1.00000 FM23
26 -334.868 -20.056 -1.46671 -1.46964 -1.47456 L183
27 ∞ -2.000 -1.00000 -1.00000 -1.00000
28 -348.889 -20.000 -1.46671 -1.46964 -1.47456 L193
29 -191.372 -4.275 -1.00000 -1.00000 -1.00000
30 -205.694 -20.000 -1.48032 -1.48272 -1.48677 L203
31 -318.094 -54.176 -1.00000 -1.00000 -1.00000
32 ∞ -45.154 -1.00000 -1.00000 -1.00000 FS
33 ∞ -20.799 -1.48032 -1.48272 -1.48677
34 226.224 -4.715 -1.00000 -1.00000 -1.00000
35 196.402 -15.000 -1.46671 -1.46964 -1.47456
36 -588.156 -30.699 -1.00000 -1.00000 -1.00000
37 -859.140 -40.000 -1.48032 -1.48272 -1.48677
38 274.898 -90.000 -1.00000 -1.00000 -1.00000
39 ∞ 347.770 1.00000 1.00000 1.00000 FM33
40 398.508 28.365 1.48032 1.48272 1.48677
41 -303.613 2.962 1.00000 1.00000 1.00000
42 -299.514 18.000 1.46671 1.46964 1.47456
43 -2214.264 2.000 1.00000 1.00000 1.00000
44 866.521 18.000 1.46671 1.46964 1.47456
45 312.592 24.341 1.00000 1.00000 1.00000
46 -247.189 70.000 1.46671 1.46964 1.47456
47 -294.614 172.194 1.00000 1.00000 1.00000
48 -1167.379 -172.194 -1.00000 -1.00000 -1.00000 CCM32
49 -294.614 -70.000 -1.46671 -1.46964 -1.47456
50 -247.189 -24.341 -1.00000 -1.00000 -1.00000
51 312.592 -18.000 -1.46671 -1.46964 -1.47456
52 866.521 -2.000 -1.00000 -1.00000 -1.00000
53 -2214.264 -18.000 -1.46671 -1.46964 -1.47456
54 -299.514 -2.962 -1.00000 -1.00000 -1.00000
55 -303.613 -28.365 -1.48032 -1.48272 -1.48677
56 398.508 -347.770 -1.00000 -1.00000 -1.00000
57 ∞ 180.018 1.00000 1.00000 1.00000 FM43
58 334.868 20.056 1.46671 1.46964 1.47456
59 ∞ 2.000 1.00000 1.00000 1.00000
60 348.889 20.000 1.46671 1.46964 1.47456
61 191.372 4.275 1.00000 1.00000 1.00000
62 205.694 20.000 1.48032 1.48272 1.48677
63 318.094 54.191 1.00000 1.00000 1.00000
各波長（ｇ線、ｈ線、ｉ線）での波面収差のｒｍｓ値をＷｒｍｓ(ｇ)、Ｗｒｍｓ(ｈ)、Ｗｒｍｓ(ｉ)するとき、各像高における値を示す。
像高（ｍｍ） Ｗｒｍｓ(ｇ) Ｗｒｍｓ(ｈ) Ｗｒｍｓ(ｉ)
４０．０ ７．１ｍλ ５．６ｍλ ５．０ｍλ
５３．３ １１．５ｍλ ３．３ｍλ １２．６ｍλ
６６．７ ８．２ｍλ ４．５ｍλ １４．１ｍλ
８０．０ ２１．３ｍλ ２４．７ｍλ １３．９ｍλ
この実施例３に係る投影光学系は、各波長での波面収差が良好に補正されている。
本発明は、マスク、レチクル等の像を基板等上に投影する投影光学系を備えた露光装置、該露光装置を用いた露光方法及び該露光装置または該露光方法を用いたディスプレイの製造方法に好適に用いることが出来る。

Claims (23)

  1. 第１物体と第２物体とを走査方向に沿って移動させつつ、前記第１物体に設けられたパターンの像を前記第２物体上に投影露光する露光装置において、
    前記走査方向と交差する非走査方向に所定間隔を置いて隣り合って配置され、それぞれ拡大倍率を有する第１投影光学系及び第２投影光学系と、
    前記非走査方向に沿って前記所定間隔を置いて設けられる第１パターン領域及び第２パターン領域と、前記第１パターン領域と前記第２パターン領域との間に設けられる第３パターン領域とを有する前記第１物体を保持し、前記走査方向及び前記非走査方向に移動可能な第１ステージと、
    前記第２物体を保持して移動可能な第２ステージと、
    前記第１ステージ及び前記第２ステージの移動を制御する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記第１投影光学系が前記第１パターン領域の拡大像を前記第２物体の第１領域に投影露光するとともに前記第２投影光学系が前記第２パターン領域の拡大像を前記第２物体の前記第１領域から前記非走査方向に沿って前記所定間隔を置いた第２領域に投影露光するように前記第１ステージ及び前記第２ステージを移動させることと、前記第１パターン領域の拡大像が投影露光された前記第１領域と前記第２パターン領域の拡大像が投影露光された前記第２領域との間の前記第２物体の第３領域に、前記第１投影光学系又は前記第２投影光学系が前記第３パターン領域の拡大像を投影露光するように、前記第１ステージ及び前記第２ステージを少なくとも前記非走査方向に関して移動させること、を含む制御を行うことを特徴とする露光装置。
  2. 前記制御部は、前記第１投影光学系が前記第１パターン領域の拡大像を前記第１領域に投影し、前記第２投影光学系が前記第２パターン領域の拡大像を前記第２領域に投影する状態で、前記第１ステージ及び前記第２ステージを前記走査方向に沿って移動させることと、前記第１投影光学系又は前記第２投影光学系が前記第３パターン領域の拡大像を前記第３領域に投影する状態で、前記第１ステージ及び前記第２ステージを前記走査方向に沿って移動させることと、を含む制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
  3. 前記制御部は、前記第１投影光学系が前記第１パターン領域の拡大像を前記第１領域に投影し、前記第２投影光学系が前記第２パターン領域の拡大像を前記第２領域に投影する状態で、前記第１ステージ及び前記第２ステージを前記走査方向に沿って移動させた後、前記第１ステージ及び前記第２ステージの前記非走査方向に関する位置を移動させ、前記第１投影光学系又は前記第２投影光学系が前記第３パターン領域の拡大像を前記第３領域に投影可能な状態にさせることを含む制御を行うことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
  4. 前記制御部は、前記第１及び第２ステージを前記第１及び第２投影光学系の拡大倍率に応じた速度比で前記走査方向に沿って移動させることを含む制御を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。
  5. 前記制御部は、前記第１及び第２ステージの前記非走査方向に関する位置を前記第１及び第２投影光学系の拡大倍率に応じた移動量比で移動させることを含む制御を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
  6. 前記第３パターン領域の拡大像は、該拡大像の一部が、前記第１パターン領域の拡大像が投影露光された前記第１領域と前記第２パターン領域の拡大像が投影露光された前記第２領域とに重なるように前記第３領域に投影されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
  7. 前記所定間隔は、前記第２物体に対する前記第１投影光学系及び前記第２投影光学系の前記非走査方向に沿った実効露光幅の２倍に等しいことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
  8. 前記第１投影光学系及び前記第２投影光学系は、前記第１物体に設けられた前記パターンの拡大像を前記第２物体に投影するための少なくとも１つの反射屈折光学系を有し、
    前記反射屈折光学系は、
    前記第１物体と前記第２物体との間の光路中に配置される凹面反射鏡と、
    前記第1物体と前記凹面反射鏡との間の光路中に配置されて、正の屈折力を有する第１のレンズ群と、
    前記第1のレンズ群と前記凹面反射鏡との間の光路中に配置されて光路を偏向する第１の光路偏向面と、
    前記第１の光路偏向面と前記凹面反射鏡との間の光路中に配置される第２のレンズ群と、
    前記第２のレンズ群と前記第２物体との間の光路中に配置されて、光路を偏向する第２の光路偏向面と、
    前記第２の光路偏向面と前記第２物体との間の光路中に配置されて、正の屈折力を有する第３のレンズ群とを備え、
    前記第１のレンズ群の焦点距離をＦＰＧ１とし、前記第３のレンズ群の焦点距離をＦＰＧ３とするとき、
    １＜ＦＰＧ３／ＦＰＧ１＜２．５
    の条件を満足することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の露光装置。
  9. 前記第１のレンズ群は、第１及び第２の正レンズを備え、
    前記第３のレンズ群は、第３及び第４の正レンズを備えることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
  10. 前記第２のレンズ群は、少なくとも１つの負レンズと、正レンズとを備えていることを特徴とする請求項８又は９に記載の露光装置。
  11. 前記第３のレンズ群は、最も前記第２の光路偏向面側に配置された負レンズを有することを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
  12. 前記第１投影光学系及び前記第２投影光学系は、それぞれ一対の前記反射屈折光学系を備えていることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか一項に記載の露光装置。
  13. 前記第２物体は、外径が５００ｍｍよりも大きい基板であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の露光装置。
  14. 第１物体と第２物体とを走査方向に沿って移動させつつ、前記第１物体に設けられたパターンの像を前記第２物体上に投影露光する露光方法において、
    前記走査方向と交差する非走査方向に沿って所定間隔を置いて設けられる第１パターン領域及び第２パターン領域と、前記第１パターン領域と前記第２パターン領域との間に設けられる第３パターン領域とを有する前記第１物体を準備することと、
    前記第１パターン領域の拡大像を第１投影光学系を介して前記第２物体の第１領域に投影露光するとともに、前記第１投影光学系に対して前記非走査方向に前記所定間隔を置いて隣り合って配置された第２投影光学系を介して前記第２パターン領域の拡大像を前記第２物体の前記第１領域から前記非走査方向に沿って前記所定間隔を置いた第２領域に投影露光するように前記第１物体及び前記第２物体を移動させることと、
    前記第１パターン領域の拡大像が投影露光された前記第１領域と前記第２パターン領域の拡大像が投影露光された前記第２領域との間の前記第２物体の第３領域に、前記第１投影光学系又は前記第２投影光学系を介して前記第３パターン領域の拡大像を投影露光するように、前記第１物体及び前記第２物体を少なくとも非走査方向に関して移動させることと、
    を含むことを特徴とする露光方法。
  15. 前記第１投影光学系を介して前記第１パターン領域の拡大像を前記第１領域に投影し、前記第２投影光学系を介して前記第２パターン領域の拡大像を前記第２領域に投影する状態で、前記第１物体及び前記第２物体を前記走査方向に沿って移動させることと、
    前記第１投影光学系又は前記第２投影光学系を介して前記第３パターン領域の拡大像を前記第３領域に投影する状態で、前記第１物体及び前記第２物体を前記走査方向に沿って移動させることと、
    を含むことを特徴とする請求項１４に記載の露光方法。
  16. 前記第１投影光学系を介して前記第１パターン領域の拡大像を前記第１領域に投影し、前記第２投影光学系を介して前記第２パターン領域の拡大像を前記第２領域に投影する状態で、前記第１物体及び前記第２物体を前記走査方向に沿って移動させた後、前記第１物体及び前記第２物体の前記非走査方向に関する位置を移動させ、前記第１投影光学系又は前記第２投影光学系を介して前記第３パターン領域の拡大像を前記第３領域に投影可能な状態にさせることを含むことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の露光方法。
  17. 前記第１物体及び前記第２物体を前記第１投影光学系及び前記第２投影光学系の拡大倍率に応じた速度比で前記走査方向に沿って移動させることを含むことを特徴とする請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の露光方法。
  18. 前記第１物体及び前記第２物体の前記非走査方向に関する位置を前記第１投影光学系及び前記第２投影光学系の拡大倍率に応じた移動量比で移動させることを含むことを特徴とする請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の露光方法。
  19. 前記第３パターン領域の拡大像は、該拡大像の一部が、前記第１パターン領域の拡大像が投影露光された前記第１領域と前記第２パターン領域の拡大像が投影露光された前記第２領域とに重なるように前記第３領域に投影されることを特徴とする請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の露光方法。
  20. 前記所定間隔は、前記第２物体に対する前記第１投影光学系及び前記第２投影光学系の前記非走査方向に沿った実効露光幅の２倍に等しいことを特徴とする請求項１４〜１９のいずれか一項に記載の露光方法。
  21. 前記第２物体は、外径が５００ｍｍよりも大きい感光基板であることを特徴とする請求項１４〜２０のいずれか一項に記載の露光方法。
  22. 請求項１〜１３のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、マスクに形成されたパターンの拡大像を感光性基板上に露光する露光工程と、
    前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、
    を含むことを特徴とするディスプレイの製造方法。
  23. 請求項１４〜２１のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、マスクに形成されたパターンの拡大像を感光性基板上に露光する露光工程と、
    前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、
    を含むことを特徴とするディスプレイの製造方法。
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