TWI423311B - 半導體晶圓之保護帶切斷方法及其裝置 - Google Patents

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Masayuki Yamamoto
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Description

半導體晶圓之保護帶切斷方法及其裝置
本發明係關於用以沿著晶圓外形將黏貼在半導體晶圓表面的保護帶切剪之半導體晶圓之保護帶切斷方法及其裝置。
黏貼在半導體晶圓表面之保護帶的切斷方法例如如次進行。在繞著通過半導體晶圓的中心的縱軸心回旋的支持臂的遊端部裝設具有切割刀刃的切割單元,伴隨著支持臂的迴旋,使切割刀刃沿著晶圓外周行進。藉此,沿著晶圓外形切斷保護帶(參照日本特開2005-123595號公報)。
當保護帶被切斷時,在保護帶的切口發生切屑成為微細塵埃而脫離。若該塵埃附著在保護帶上,即會在以後的晶圓處理中造成阻礙。尤其,當黏貼有保護帶的半導體晶圓在加熱環境下接受各種處理時,利用耐熱性佳者於保護帶。將用以提升耐熱性的物質(例如矽土等)掺入此種保護帶。此等掺入物質容易隨著帶切斷而成為微細塵埃而脫離。因此,變成更容易發生因塵埃而造成保護帶的污損。
本發明的目的係提供一種可一面適當地去除因帶切斷而發生的塵埃,一面進行保護帶之切斷的半導體晶圓之保護帶切斷方法及其裝置。
本發明為達成此種目的,採用如次構成。
一種半導體晶圓之保護帶切斷方法,係沿著晶圓外形,將黏貼在半導體晶圓的保護帶切剪者,前述方法包含以下步驟:
使切割刀刃沿著半導體晶圓的外周相對移動,並且藉連同切割刀刃一起對半導體晶圓進行相對移動的集塵構件,將發生在因切割刀刃所致之帶切斷部位而附著在保護帶之上面的塵埃掃集;
在結束帶切斷後,藉抽吸裝置,將以前述集塵構件掃集在預定部位的塵埃抽吸去除。
根據本發明之半導體晶圓之保護帶切斷方法,隨著帶切斷而脫離帶切口而附著在帶上的塵埃藉集塵構件被掃集在預定部位。在結束帶切斷之後,藉抽吸裝置,將該塵埃抽吸去除。由於在此情況下,塵埃聚集在一個部位,因此容易抽吸,可有效去除塵埃。因此,可避免因塵埃附著在保護帶所造成的污染,結果,可排除在後步驟的不良影響。例如,在背面研削中,當吸附保護帶面時,由於在其吸附面不存在塵埃,因此,平面保持半導體晶圓,而可進行均一的背面研削。
且在上述方法中,亦可如以下去除塵埃。
例如,藉抽吸裝置抽吸所聚集的塵埃,並且一面由空氣噴嘴對塵埃噴吹空氣,一面進行抽吸去除。
根據該方法,頑強地附著在帶上的塵埃亦藉鼓風脫離、保護帶表面,而可藉抽吸裝置確實地抽吸去除。
又,於上述方法中,在開始鼓風之前,先開始抽吸。
根據該方法,由於先進行藉抽吸裝置發生的吸塵作用,因此不會有因鼓風而脫離在保護帶上的塵埃會不經意逸散的情形。因此,當在無塵室內進行該處理時,不僅可抑制半導體晶圓污染,亦可抑制室內污染,而可維持高潔淨度。
又,在上述方法中,前述集塵構件係刷具,在該抽吸裝置前面,以刷具掃集塵埃,一面使刷具上升而與半導體晶圓分離,一面由前述空氣噴嘴對刷具及塵埃施行鼓風。
根據此方法,由於亦可去除附著在刷具上的塵埃,因此可更加提高保護帶表面、半導體晶圓、及無塵室內的潔淨度。
此外,在上述方法中,前述集塵構件係刷具,在前述抽吸裝置前面,以刷具掃集塵埃,在使刷具上升而與半導體晶圓分離之後,對刷具施以振動。
且在此方法中,以一面對刷具施以振動,一面將落下的塵埃抽吸去除為更佳。
根據此方法,可持續使用未附著有塵埃之乾淨刷具。因此,可避免塵埃再次附著在保護帶。
又,在上述方法中,一面使空氣噴嘴朝向抽吸裝置接近,一面進行鼓風及抽吸。
根據此方法,藉由距離抽吸裝置較遠位置的鼓風,塵埃係逐漸被吹集在抽吸裝置。由於愈接近抽吸裝置,鼓風與抽吸愈會相乘而發生強大氣流,因此,可強力吹走塵埃,不殘留塵埃在帶上,而導引至抽吸裝置。
又,在上述方法中,藉該集塵構件,使在帶切斷部位所發生的塵埃聚集在比帶切斷部位更靠近晶圓側。
或者,在將藉該切割刀刃切斷帶後之晶圓外側的不用帶剝離去除之後,進行塵埃的抽吸去除。
根據此等方法,可避免在保護帶切斷後被切剪成晶圓形狀的不用帶側殘留塵埃。亦即,在將不用帶剝離回收時,可避免所附著的塵埃飛散而再污染保護帶等。
又,本發明為達成此種目的而採用如次構成。
一種半導體晶圓之保護帶切斷方法,係沿著晶圓外形,將黏貼在半導體晶圓的保護帶切剪者,前述裝置包含以下構成要素:
驅動手段,使切割刀刃沿著前述半導體晶圓的外周相對移動;
集塵構件,藉由與切割刀刃同向對前述半導體晶圓相對移動,聚集因利用切割刀刃而在帶切斷部位發生的塵埃;以及
抽吸裝置,面臨掃集前述塵埃之部位。
根據本發明之半導體晶圓之保護帶切斷裝置,可適當實現上述方法發明。
且,此裝置以具備有空氣噴嘴,其配置成與該抽吸裝置之抽吸開口相向,藉由鼓風,使所聚集的塵埃脫離保護帶較佳。
根據此構成,頑強附著在帶上的塵埃亦藉由鼓風而脫離保護帶表面,可藉抽吸裝置確實地抽吸去除。
又,在此構成中,較佳係在具備該切割刀刃的切割單元中裝設集塵構件。
根據此構成,可相對於因切割刀刃所致之帶切斷部位,經常將集塵構件維持在預定位置。因此,可正確地聚集在帶切口所發生的塵埃。
且,集塵構件以構成為可調節相對於移動方向的角度較佳。
根據此構成,即使在半導體晶圓的尺寸變更,切割刀刃的迴旋曲率不同情形下,亦可將集塵構件的設置角度形成為與移動曲率相對應的姿勢。亦即,可使塵埃構件經常劃接移動在帶切口上。因此,不管半導體晶圓的尺寸如何,可經常發揮適當的集塵功能。
以下參照圖示,說明本發明之實施例。
第1圖係顯示保護帶黏貼裝置之整體構成的立體圖。
此保護帶黏貼裝置係具備:晶圓供給/回收部1,供裝塡收納半導體晶圓(以下單稱為「晶圓」)W的匣盒C;晶圓搬送機構3,具有機械臂2;對位載台4;吸盤夾台5,載置且吸附保持晶圓W;帶供給部6朝向晶圓W供給表面保護用之保護帶T;分離件回收部7,從由帶供給部6所供給之具有分離件的保護帶T剝離回收分離件s;黏貼單元8,將保護帶T黏貼在載置於吸盤夾台5且被其吸附保持的晶圓W上;保護帶切斷裝置9,沿著晶圓W的外形將黏貼在晶圓W的保護帶T切剪切斷;剝離單元10,將黏貼在晶圓W而進行切斷處理後的不用帶T’剝離;以及帶回收部11等,將藉剝離單元10剝離的不用帶T’捲繞回收。以下對有關上述各構造部及機構的具體構成加以說明。
在晶圓供給/回收部1構成可並列裝塡兩台匣盒C。多數枚晶圓W成配線圖案面(表面)朝上的水平姿勢,多段插入而收納在各匣盒C。
晶圓搬送機構3所配備的機械臂2構成可水平進退移動,並且全體可迴旋及升降。接著,在機械臂2的前端具備呈馬蹄形的真空吸附式的晶圓保持部2a。該晶圓保持部2a插入多段收納在匣盒C的晶圓W彼此間之間隙,由背面吸附保持晶圓W,由匣盒C拉出所吸附保持的晶圓W,依對位載台4、吸盤夾台5、及晶圓供給/回收部1的順序進行搬送。
對位載台4根據形成在其外周的缺口或定向平面(orientation flat),對藉由晶圓搬送機構3搬入載置的晶圓W進行對位。
吸盤夾台5對自晶圓搬送機構3轉載而成預定對位姿勢被載置的晶圓W進行真空吸附。此外,在該吸盤夾台5的上面形成有第2圖所示切割刀進刀槽13,俾後述保護帶切斷裝置9所配備的切割刀刃12沿著晶圓W的外形迴旋而將保護帶T切斷。
帶供給部6將自供給筒管14解捲放出之具有分離件的保護帶T捲繞導引至導引滾軸15群,構成將剝離分離件s的保護帶T導至黏貼單元8。供給筒管14構成賦與適度的旋轉阻力而不送出過剩的帶。
分離件回收部7配置成回收筒管16被朝捲繞方向旋轉驅動,該回收筒管16捲繞自保護帶T剝離之分離件s。
黏貼滾軸17面向前方水平設在黏貼單元8上。因此,黏貼單元8藉第11圖所示滑動導引機構18及未圖示之螺桿移送式驅動機構,以左右水平往復移動。
剝離滾軸19面向前方水平設在剝離單元10上。因此,剝離單元10藉滑動導引機構18及未圖示之螺桿移送式驅動機構,使其左右水平往復移動。
返回第1圖,帶回收部11配置成捲繞不用帶T’的回收筒管20被朝捲繞方向旋轉驅動。
保護帶切斷裝置9基本上以可繞位於吸盤夾台5中心上之位置的縱軸心X迴旋的方式,在可驅動升降的可動台21的下部並列裝設一對支持臂22。此外,在該支持臂22的遊端側所配備的切割單元23裝設刀刃尖端向下的切割刀刃12。亦即,支持臂22以縱軸心X為迴旋中心進行迴旋,藉此構成,切割刀刃12沿著晶圓W的外周移動而切剪保護帶T。其詳細構造顯示於第2圖至第5圖。
可動台21配置成藉由正逆旋轉驅動馬達24,沿著縱軌條25螺桿移送升降。以可繞縱軸心X轉動的方式裝設在該可動台21之遊端部的轉動軸26透過兩條皮帶28,與被配備在可動台21之上的馬達27減速連動。亦即,藉由馬達27的操作,使轉動軸26朝預定方向轉動。
接著,在由該轉動軸26向下延伸的支持構件29的下端部,支持臂22以可朝水平方向滑動調節的方式被貫穿支持。亦即,藉由支持臂22的滑動調節,調節與屬於切割刀刃12之迴旋中心之縱軸心X間的距離。亦即,可使切割刀刃12的迴旋半徑與晶圓直徑相對應而變更調節。
如第4圖所示,在支持臂22的遊端部固接有托架30。在此托架30裝設有切割單元23。如第3圖及第5圖所示,切割單元23由以下構成:轉動構件31,以可繞著縱向軸心Y而在預定範圍內轉動的方式被支持在托架30轉動;縱壁狀支持托架32,被連結在轉動構件31之端部下面;切割刀支持構件33,被連結在支持托架32之側面;托架34,被切割刀支持構件33支持;以及切割刀保持具35等,被安裝在此托架34。且,切割刀刃12可更換地被螺固於切割刀保持具35的側面。
在此,如第4圖所示,在轉動構件31的上方配設有藉由長孔36與突起37的扣合而與轉動構件31一體轉動的操作凸緣38。藉由以汽缸39轉動此操作凸緣38,變更切割單元23全體相對於支持臂22繞縱軸心Y的姿勢。藉此,可在預定範圍內,調整切割刀刃12相對於切斷保護帶T時之移動方向的角度(切入角度)。
相對於切割刀支持構件33,托架34透過導引軌條機構40,被可直線滑移地沿支持臂22的長邊方向(第5圖中紙面表背面方向)支持。此外,如第2圖所示,遍及切割刀支持構件33與托架34舖設有彈簧42。藉由該彈簧42的彈性復原力,托架34被朝接近縱軸心(迴旋中心)X的方向滑動彈壓。
如第9圖所示,在切割刀支持構件33的迴旋中心側,透過定子41固定裝設有沿著托架34之滑動方向之姿勢的汽缸43。此汽缸43之活塞桿43a配設成可抵接托架34的端面。
如第3圖至第8圖所示,在托架30中之切割刀刃行走方向之相反側裝設有集塵機構50,用以掃集伴隨著帶切斷發生而附著在保護帶T上面的微細塵埃。該集塵機構50由以下構成:縱托架51,被連結於托架30的端邊而朝下方延伸;水平托架52,水平連結固定在縱托架51下端;轉動支持構件53,被裝設在水平托架52下面;縱支持構件54,連結垂下於轉動支持構件53之下面;橫支持構件55,被安裝在縱支持構件54之側面;以及集塵構件56,被安裝在橫支持構件55之側面。
轉動支持構件53可繞縱軸心Z轉動地軸支連結於水平托架52。又,轉動支持構件53藉由將插通圓弧狀長孔57之具有手把的螺絲58螺入轉動支持構件53,予以固定,該圓弧狀長孔57繞軸心Z形成於水平托架52。轉動支。又,於水平托架52,在距縱軸心Z等距的複數部位(在該例中為兩部位)形成有銷孔59。將已插入任一銷孔59的定位銷60插入形成於轉動支持構件53之一部位的銷孔(未圖示),藉此可選擇轉動支持構件53之繞著軸心Z的轉動姿勢。
集塵構件56構成為在保持具56b密植細毛56a且在晶圓半徑方向寬度大的刷具。隨著切割單元23的下降,一到達切割刀刃12扎刺保護帶T的高度,細毛56a的毛端即接觸保護帶T。
集塵構件56可相對於橫支持構件55的側面,上下方向進行位置調節,而且以可自橫支持構件55裝卸地螺緊連結。又,橫支持構件55本身亦對縱支持構件54,沿水平方向(刷具寬幅方向)可調節位置地螺緊連結。因此,藉由該等之調節,可調節集塵構件56的作用高度與晶圓半徑的作用位置,並且藉由轉動支持構件53的相位設定,可調節對集塵構件56之移動方向的姿勢(角度)。
又,為了將藉上述集塵機構50所掃集的塵埃去除,如第7圖所示,在吸盤夾台5外周的預定部位配設固定有抽吸噴嘴61。又,在剝離單元10的背部裝設有空氣噴嘴62。
抽吸噴嘴61具有在晶圓圓周方向擴展的抽吸開口,經由導管63相連通連接於未圖示之抽吸裝置。又,空氣噴嘴62具有比抽吸噴嘴61的抽吸寬幅稍微窄之寬幅的開口。該空氣噴嘴62的前端係朝向斜下方,而與抽吸噴嘴61相對向。空氣噴嘴62與未圖示之空氣供給裝置連通連接。此外,空氣噴嘴62構成可以其基端軸為中心上下擺動,調節空氣噴出角度。
接著,根據第10圖至第13圖,說明使用上述實施例裝置,將保護帶T黏貼在晶圓W表面而進行切斷的一系列動作。
當發出黏貼指令時,首先,晶圓搬送機構3中的機械臂2向載置裝塡於匣盒台的匣盒C移動。晶圓保持部2a被插入收容在匣盒C之晶圓彼此間的間隙,藉晶圓保持部2a,將晶圓W自背面(下面)吸附保持而搬出。機械臂2係將所取出的晶圓W轉載至對位載台4。
載置於對位載台4的晶圓W利用形成在晶圓W外周的缺口n進行對位。對位完成的晶圓W再次被機械臂2搬出而載置於吸盤夾台5。
載置於吸盤夾台5的晶圓W係以其中心位於吸盤夾台5之中心上的方式在已對位的狀態下被吸附保持。此時,如第11圖所示,分別地,黏貼單元8與剝離單元10在左側的初期位置,又,保護帶切斷裝置9的切割刀刃12在上方的初期位置待機。
接著,如第11圖中的假想線所示,黏貼單元8的黏貼滾軸17下降,並且一面藉該黏貼滾軸17將保護帶T向下按壓,一面將晶圓W上朝前方(在第11圖中係向右)轉動。藉此,保護帶T黏貼在晶圓W的表面全體及吸盤夾台5的上面。
如第12圖所示,當黏貼單元8到達終端位置時,如第13圖所示,在上方待機的切割刀刃12下降。隨著該動作,切割刀刃12扎刺位於吸盤夾台5之切割刀進刀槽13的保護帶T。又,與此同時,集塵機構50中之集塵構件56的毛端在適度壓力下接觸保護帶T。
此時,如第9圖所示,對汽缸43供給高壓空氣而使活塞桿43a突出。托架34係抵抗彈簧42而滑移至外方之行程末端(stroke end)為止。切割刀刃12在向外離晶圓W的外周緣些許(數mm)的位置刺入保護帶T。此後,減低汽缸43的空氣壓,使活塞桿43a的突出力小於彈簧力。隨之,如第10圖所示,托架34在彈簧42的按壓彈壓力下朝晶圓中心側滑移,切割刀刃12的刀刃尖端在適當的接觸壓力下壓緊於晶圓W的外周緣。
在切割刀刃12的切斷開始位置中,若切割刀刃12對晶圓外周緣的壓緊設定結束,如第13圖所示,支持臂22即旋轉。隨之,切割刀刃12一面劃接晶圓外周緣,一面迴旋移動,而沿著晶圓外周切斷保護帶T。
若保護帶T的切斷結束,即如第14圖所示,切割刀刃12上升至原來待機位置。接著,剝離單元10一面向前移動,一面繼續將在晶圓W上被切剪切斷而殘留的不用帶T’捲緊而剝離。
若剝離單元10到達剝離結束位置,剝離單元10與黏貼單元8即後退移動而回復初期位置。此時,不用帶T’被捲繞在回收筒管20,並且一定量的保護帶T會自帶供給部6解捲放出。
若保護帶T的黏貼結束,即在吸盤夾台5的吸附被解除之後,將黏貼處理完成的晶圓W轉載至機械臂2的晶圓保持部2a而插入晶圓供給/回收部1的匣盒C,予以回收。
以上完成一次的帶黏貼處理,以後,繼續對應於新晶圓的搬入,依序反覆上述動作。
本實施例裝置在上述帶切斷過程中,藉集塵機構50,如下所示去除伴隨著保護帶T的切斷發生的微細塵埃。茲依據第15圖的流程圖對該除塵動作加以說明。
在切割刀刃12的切斷開始位置中,於切割刀刃12對晶圓外周緣的壓緊設定結束同時,刷具56亦移動至迴旋開始位置。亦即,集塵構件56(以下適當稱之為「刷具56」)位於抽吸噴嘴61之前(步驟S1)。
若切斷準備結束,切割刀刃12即迴旋,沿著晶圓外周將保護帶T切斷。隨之,集塵機構50的刷具56一面緊隨切割刀刃12後面,一面劃接移動保護帶T的上面,掃集由帶切口脫離而附著在帶上面的塵埃(步驟S2)。
此時,刷具56配設成在俯視下,相對於其移動方向呈稍微傾斜而與帶切口相交叉。因此,在帶切口的兩側附著在帶上面的塵埃被以傾斜姿勢移動的刷具56聚集在晶圓側的保護帶上。
刷具56的姿勢調節根據帶切口的曲率,亦即晶圓W直徑來進行。例如,如第8a圖所示,在大徑(例如12吋)之晶圓W中,繞縱軸心Z,朝遠離切割刀刃12的方向(在第8a圖中為順時計方向)轉動調節轉動支持構件53。或者,如第8b圖所示,在小徑(例如8吋)的晶圓W中,繞縱向軸心Z,朝接近切割刀刃12的方向(在第8b圖中為逆時針方向)轉動調節轉動支持構件53,藉此將刷具56相對於刷具移動方向的遲延角度θ調節在適於使塵埃聚集在晶圓側而掃集的角度範圍。
帶切斷結束,切割單元23即上升至退避位置(步驟S3)。此後,當剝離單元10前進移動而到達剝離結束位置,剝離單元10即後退移動(步驟S4)。若在剝離單元10的背部所配設的空氣噴嘴62到達預定的噴吹開始位置,如第14圖所示,首先,開始進行抽吸噴嘴61的抽吸(步驟S5)。此後,在預定時間(例如0.5至1.0秒)之後,空氣噴嘴62的鼓風朝向被聚集在抽吸噴嘴61之前的塵埃而開始(步驟S6)。
剝離單元10後退移動,空氣噴嘴62一面進行朝向帶上面的鼓風,一面朝向抽吸噴嘴61接近移動(步驟S7)。隨之,藉由刷具56的巡行移動而掃集在切斷開始位置附近的塵埃繼續藉鼓風脫離而被抽吸噴嘴61抽吸。
由於如以上,伴隨著切割刀刃12的迴旋切斷的保護帶T所發生的塵埃藉緊隨切割刀刃12後方的刷具56而被掃集至抽吸噴嘴61之前且被抽吸去除,因此,並不會發生在晶圓側的保護帶上堆積附著塵埃。因此,在後步驟的背面研削中,可將保護帶表面一面保持平坦度,一面吸附保持晶圓W,因此可保持研削後的晶圓W厚度均一。
又,當在無塵室內進行保護帶T之切斷時,由於所發生的塵埃不會飛散,因此可維持潔淨度。
接著,在第16圖至第18圖顯示使用其他實施例之除塵構造的除塵步驟。
此時,在剝離單元10的前部另外配置有可在上方退避位置與下方作用位置作升降切換的輔助抽吸噴嘴64。該輔助抽吸噴嘴64如以下操作。
亦即,如第16圖所示,在使切割刀刃12迴旋移動而將保護帶T切斷的過程中,輔助抽吸噴嘴64係位於上方退避位置。若帶切斷結束,即如第17圖所示,使輔助抽吸噴嘴64擺動下降至藉由隨同切割刀刃12迴旋移動的刷具56所掃集的塵埃之上為止,將塵埃的一部分預備抽吸去除。此後,如第18圖所示,在使剝離單元10前進移動而將不用帶T’捲繞回收之後,與上述實施例裝置同樣地,藉由鼓風與抽吸,將殘留在晶圓側之保護帶上的塵埃抽吸去除。
此時,在藉由輔助抽吸噴嘴64所進行之預備的除塵步驟中,主要藉輔助抽吸噴嘴64將堆積在比帶切口更為外側的不用帶T’的塵埃抽吸去除。藉此,當藉由剝離單元10的前進移動而捲繞回收不用帶T’時,可防止堆積在不用帶T’的塵埃在周圍逸散。
本發明不限於上述實施形態,可如下所示進行變形實施。
(1)在上述實施例中,亦可為如次構成來替代屬於集塵構件56的刷具。亦可利用由柔軟的樹脂材或具有滑性的樹脂材所構成的刀片、或由海綿材所構成的區塊(block)或板材來作為集塵構件56。此時,以構成去除因摩擦而發生的靜電較佳。且,靜電的去除可構成為藉電離劑所發生的離子噴吹保護帶T。
(2)較佳構成為:在帶切斷結束之後,切割單元23上升至返回退避位置為止,將附著在集塵構件56本身的塵埃去除。例如,在帶切斷結束之後,在刷具56的前端由保護帶T表面隔著微小距離上升的時間點使刷具56暫時停止。在該狀態下操作抽吸噴嘴61,並且隔著時間差,藉空氣噴嘴62朝向刷具56進行鼓風。此時,設定調節成鼓風氣流朝向抽吸噴嘴61的開口。
又,就其他例而言,亦可為藉切割單元23側之另外裝設的抽吸裝置進行去除的構成,或構成藉利用馬達之偏芯驅動的振動器等,對集塵構件56供給適度衝撞或振動而將所掃集的帶上的塵埃或附著在刷具56的塵埃拂落。
藉由該等構成,可避免在切割單元23升降移動時或待機中,附著在集塵構件56的塵埃落下飛散而污損晶圓W周圍。
且可一面拂落附著在刷具56的塵埃,一面藉抽吸噴嘴61抽吸。
(3)本發明亦可適用於使晶圓W相對於位置固定的切割刀刃12轉動,進行保護帶切斷的態樣。
※ 本發明在不悖離其思想或本質下,可以其他具體形式實施,因此,顯示發明之範圍者並非以上之說明,應參照所附加之申請專利範圍。
1...晶圓供給/回收部
2...機械臂
2a...晶圓保持部
3...晶圓搬送機構
4...對位載台
5...吸盤夾台
6...帶供給部
7...分離件回收部
8...黏貼單元
9...保護帶切斷裝置
10...剝離單元
11...帶回收部
12...切割刀刃
13...切割刀進刀槽
14...供給筒管
15...導引滾軸
16...回收筒管
17...黏貼滾軸
18...滑動導引機構
19...剝離滾軸
20...回收筒管
21...可動台
22...支持臂
23...切割單元
24...馬達
25...縱軌條
26...轉動軸
27...馬達
28...皮帶
29...支持構件
30...托架
33...切割刀支持構件
34...托架
35...切割刀保持具
36...長孔
37...突起
38...操作凸緣
39...汽缸
40...導引軌條機構
41...定子
42...彈簧
43...汽缸
43a...活塞桿
50...集塵機構
51...縱托架
52...水平托架
53...轉動支持構件
54...縱支持構件
55...橫支持構件
56...集塵構件
56a...細毛
56b...保持具
57...長孔
58...螺絲
59...銷孔
60...定位銷
61...抽吸噴嘴
62...空氣噴嘴
63...導管
64...輔助抽吸噴嘴
C...匣盒
n...缺口
s...分離件
T...保護帶
T’...不用帶
W...半導體晶圓
※雖為了說明發明而圖示被認為目前較為合適的幾個形態,但是應理解發明並不限於如圖所示之構成及方策。
第1圖係顯示保護帶黏貼裝置整體的立體圖。
第2圖係顯示保護帶切斷裝置整體的側視圖。
第3圖係顯示保護帶切斷裝置之主要部位的立體圖。
第4圖係切割單元的俯視圖。
第5圖係集塵機構的俯視圖。
第6圖係顯示切割刀刃扎刺保護帶之時間點之主要部位的側面圖。
第7圖係除塵構造的俯視圖。
第8圖係顯示集塵構件之姿勢切換狀態的俯視圖。
第9圖係顯示切割刀刃扎刺保護帶之時間點之主要部位的側面圖。
第10圖係顯示切割刀刃接觸晶圓外周緣之狀態之主要部位的側面圖。
第11圖至第14圖係顯示保護帶黏貼步驟的正視圖。
第15圖係顯示除塵動作的流程圖。
第16圖係顯示其他實施例中之帶切斷步驟的正視圖。
第17圖係顯示其他實施例中之預備除塵步驟的正視圖。
第18圖係顯示其他實施例中之預備除塵步驟的正視圖。
5...吸盤夾台
6...帶供給部
7...分離件回收部
8...黏貼單元
9...保護帶切斷裝置
10...剝離單元
11...帶回收部
12...切割刀刃
17...黏貼滾軸
18...滑動導引機構
19...剝離滾軸
56...集塵構件
61...抽吸噴嘴
62...空氣噴嘴
63...導管
s...分離件
T’...不用帶
W...半導體晶圓

Claims (15)

  1. 一種半導體晶圓之保護帶切斷方法,係沿著晶圓外形將黏貼在半導體晶圓的保護帶切剪的半導體晶圓之保護帶切斷方法,該方法係包含以下步驟:使切割刀刃沿著半導體晶圓的外周相對移動,並且藉連同切割刀刃一起對半導體晶圓進行相對移動的集塵構件,將發生在因切割刀刃所致之帶切斷部位而附著在保護帶之上面的塵埃掃集;在結束帶切斷後,藉抽吸裝置,將以該集塵構件掃集在預定部位的塵埃抽吸去除。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保護帶切斷方法,其中以該抽吸裝置抽吸所聚集的塵埃,並且一面由空氣噴嘴對塵埃噴吹空氣,一面進行抽吸去除。
  3. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓之保護帶切斷方法,其中在開始鼓風之前,先開始進行抽吸。
  4. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓之保護帶切斷方法,其中該集塵構件係刷具;在該抽吸裝置之前,以刷具將塵埃聚集;一面使該刷具上升而與半導體晶圓分離,一面由該空氣噴嘴對該刷具及塵埃施行鼓風。
  5. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓之保護帶切斷方法,其中該集塵構件係刷具;在該抽吸裝置之前,以刷具將塵埃聚集;在使刷具上升而與半導體晶圓分離之後,對刷具施以振動。
  6. 如申請專利範圍第5項之半導體晶圓之保護帶切斷方法,其中一面對該刷具施以振動,一面將落下的塵埃抽吸去除。
  7. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓之保護帶切斷方法,其中一面使該空氣噴嘴朝向該抽吸裝置接近,一面進行鼓風及抽吸。
  8. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保護帶切斷方法,其中藉該集塵構件,使在帶切斷部位所發生的塵埃聚集在比帶切斷部位更靠近晶圓側。
  9. 如申請專利範圍第8項之半導體晶圓之保護帶切斷方法,其中在將藉該切割刀刃切斷帶後之晶圓外側的不用帶剝離去除之後,進行塵埃的抽吸去除。
  10. 一種半導體晶圓之保護帶切斷裝置,係沿著晶圓外形將黏貼在半導體晶圓的保護帶切剪的半導體晶圓之保護帶切斷方法,該裝置係包含以下構成要素:驅動手段,使切割刀刃沿著該半導體晶圓的外周相對移動;集塵構件,藉由與切割刀刃同向對該半導體晶圓進行相對移動,聚集因利用切割刀刃而在帶切斷部位發生的塵埃;以及抽吸裝置,面臨已將該塵埃聚集之部位。
  11. 如申請專利範圍第10項之半導體晶圓之保護帶切斷裝置,其中該裝置又包含以下構成要素:空氣噴嘴,配置成與該抽吸裝置之抽吸開口相向,藉由鼓風,使所聚集的塵埃脫離保護帶。
  12. 如申請專利範圍第10項之半導體晶圓之保護帶切斷裝置,其中在具備該切割刀刃的切割單元裝設集塵構件。
  13. 如申請專利範圍第10項之半導體晶圓之保護帶切斷裝置,其中構成為可調節相對於該集塵構件之移動方向的角度。
  14. 如申請專利範圍第10項之半導體晶圓之保護帶切斷裝置,其中又包含以下構成要素:該集塵構件係刷具,對該刷具施以振動的振動器。
  15. 如申請專利範圍第10項之半導體晶圓之保護帶切斷裝置,其中另外包含以下之構成要素:帶供給機構,朝向該半導體晶圓供給保護帶;黏貼單元,將保護帶黏貼於該半導體晶圓;剝離機構,將藉該切割刀刃切剪的保護帶剝離;輔助抽吸噴嘴,該剝離單元係配設在該黏貼單元的後方,該輔助抽吸噴嘴抽吸聚集在該剝離單元前側的塵埃。
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