TWI416640B - 源極驅動器、源極驅動器之製造方法、及液晶模組 - Google Patents

源極驅動器、源極驅動器之製造方法、及液晶模組 Download PDF

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TWI416640B TW097145743A TW97145743A TWI416640B TW I416640 B TWI416640 B TW I416640B TW 097145743 A TW097145743 A TW 097145743A TW 97145743 A TW97145743 A TW 97145743A TW I416640 B TWI416640 B TW I416640B
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Description

源極驅動器、源極驅動器之製造方法、及液晶模組
本發明係關於一種膜安裝型之源極驅動器、源極驅動器之製造方法、及包括該源極驅動器之液晶模組。
搭載於液晶面板等之液晶驅動器中，廣泛使用有絕緣膜上形成有配線圖案且安裝有半導體晶片之形態的TCP(Tape Carrier Package，捲帶式安裝)或COF(Chip on Film，覆晶薄膜)等安裝(package)。對於液晶驅動器而言，有構成於液晶面板內之像素區域內的電晶體之用以向源極電極供給信號的源極驅動器、及用以向閘極電極供給信號的閘極驅動器。
圖7係表示先前之液晶模組500之概略構成的圖。
如圖7所示，先前之液晶模組500包括液晶面板501、閘極驅動器502、源極驅動器503及輸入基板504。於液晶面板501中，在四邊中之一邊或者兩邊上設置有複數個源極驅動器503，在相對設置有源極驅動器503之一邊垂直的一邊或者兩邊上，設置有複數個閘極驅動器502。輸入基板504設置於源極驅動器503之與液晶面板501側相對之一側上。
於上述構成中，驅動信號及電源係自形成於輸入基板504上之配線而供給至閘極驅動器502及源極驅動器503中，藉此液晶面板501得到驅動。即，液晶模組500中，對閘極驅動器502之驅動信號及電源係自輸入基板504並經由 源極驅動器503及液晶面板501來進行供給(例如，參照專利文獻1)。
圖8表示先前之源極驅動器503之構成。
先前之源極驅動器503具有如下區域，安裝半導體晶片514，該區域劃分為總計四個區域：形成有對半導體晶片514之輸入端子之配線的輸入端子配線區域511，形成有對半導體晶片514之輸出端子之配線的輸出端子配線區域512，以及兩個通過式配線區域513。
又，如圖9所示，源極驅動器503係以兩端具有加工有連續之孔之鏈輪部515的長條帶之形態，實施一系列之製造工序，並於結束後，藉由沖孔將作為源極驅動器503之部分形成單片而製作。鏈輪部515係用於帶之送出/捲繞等之搬送用的部分。長條帶之形態中，使用者所使用之區域僅為源極驅動器503之部分，而殘留著鏈輪部515等之部分則被廢棄。
如圖10所示，源極驅動器503以輸出端子配線區域512處於液晶面板501側之方式被固著。而且，輸入端子配線區域511之配線連接著半導體晶片514之輸入端子與輸入基板504之配線，輸出端子配線區域512之配線連接著半導體晶片514之輸出端子與液晶面板501之配線。
於通過式配線區域513上，形成有用以對閘極驅動器502供給信號及電源之配線。閘極驅動器502係藉由自輸入基板504並通過源極驅動器503之通過式配線區域513所供給(箭頭X)之信號而驅動。即，源極驅動器503之通過式配線 區域513之功能係對閘極驅動器502供給驅動信號及電源。
再者，如圖7所示，無論對一個液晶面板501是否設置有複數個源極驅動器503，使用通過式配線區域513發揮功能者僅係搭載於液晶面板501之兩端的源極驅動器503。其他源極驅動器503之通過式配線區域513並未得到使用。例如，參照圖10，使用的是源極驅動器503a之左端側之通過式配線區域513，而並未使用源極驅動器503a之右端側之通過式配線區域513及源極驅動器503b之通過式配線區域513。
又，源極驅動器503中，就由半導體晶片514產生之熱而言，除了來自晶片自身之散熱外，亦有來自形成於輸入端子配線區域511之配線自身之散熱及經由該配線釋放至輸入基板504側，或者來自形成於輸出端子配線區域512之配線自身之散熱及經由該配線釋放至液晶面板501側。
[專利文獻1]
日本專利特開2002-116451號公報(平成14年4月19日公開)
然而，近年來，伴隨TV之高功能化及多輸出化，安裝於源極驅動器503中之半導體晶片514之發熱增大，故半導體晶片514之發熱多於以前之情形而成為問題。由此，業者期望一種經實施進一步散熱對策的源極驅動器。
本發明係鑒於上述先前之問題點而完成者，其目的在於提供一種可增加散熱量之源極驅動器、源極驅動器之製造 方法、及包括該源極驅動器之液晶模組。
為了解決上述課題，本發明之源極驅動器係一種膜安裝型之源極驅動器，其係於膜基材之表面上安裝設有複數個可與外部連接之端子的半導體晶片，且於上述膜基材之表面分別形成與上述半導體晶片之端子中之輸入電信號之端子相連接的第1配線及與上述半導體晶片之端子中之輸出電信號之端子相連接的第2配線而成，其特徵在於：於上述膜基材之兩端具有形成連續之孔並在該膜基材之表面形成金屬部而成之鏈輪部，上述第1配線之未與上述半導體晶片之端子相連接之端部朝向未設置有上述鏈輪部之一端側而形成，且上述第2配線之未與上述半導體晶片之端子相連接之端部朝向與形成有上述第1配線之端部之一端側相對之一端側而形成，將上述半導體晶片之端子中未連接於上述第1配線及第2配線的端子與上述鏈輪部之金屬部加以連接的第3配線形成於上述膜基材之表面。
根據上述構成，於膜基材之表面形成有將半導體晶片之端子中未連接於第1配線及第2配線之端子、與鏈輪部之金屬部加以連接的第3配線，藉此可使半導體晶片上所產生之熱從第3配線自身進行散熱或者經由第3配線而亦釋放至鏈輪部。因此，可增加散熱量。
又，先前，鏈輪部係例如僅用於使齒輪嚙合於連續之孔，將製造步驟中之源極驅動器送出或捲繞者，在對源極驅動器進行沖孔之後便被廢棄。再者，於源極驅動器中，形成有當安裝於液晶面板上時，用以對閘極驅動器供給驅 動信號之配線。
對此，根據上述構成，使鏈輪部之金屬部與第3配線連接，而將鏈輪部用作釋放熱之部分。即，無需切去鏈輪部而使其保留原樣。此時，可無需形成先前所形成之配線，而使鏈輪部形成於無配線之部分內側。藉此，可減小源極驅動器之寬度，並亦可謀求材料之成本降低。或者，亦可不使鏈輪部形成於無配線之部分內側，而亦可使第1配線及第2配線成為粗間距。
本發明之源極驅動器較好的是，上述鏈輪部係由層積於上述膜基材之表面且包含銅或不銹鋼之散熱體所形成。藉此，除了來自第3配線自身之散熱外，經由第3配線傳導而來的熱可高效地自鏈輪部中釋放，因此可增大散熱量。
本發明之源極驅動器較好的是，上述第3配線係遍及由上述第1配線中兩端的第1配線與上述第2配線中兩端的第2配線所夾持之區域之整個面上，以與上述兩端之第1配線及兩端之第2配線電性絕緣的方式所形成。藉此，半導體晶片上所產生之熱之散熱面積及熱傳導面積增大，因此可增大散熱量。又，本發明之源極驅動器較理想的是，上述鏈輪部之金屬部與上述第3配線為一體形成。
本發明之源極驅動器較好的是，上述第1配線中兩端之第1配線之連接於上述半導體晶片端子之部分的形成方向與上述第2配線中兩端之第2配線之連接於上述半導體晶片端子之部分的形成方向，為大致垂直。
根據上述構成，使由兩端之第1配線與兩端之第2配線所 夾持之區域變寬，因此藉由散熱圖案之形成，而可使半導體晶片上所產生之熱之釋放口變寬。因此，可使之高效地進行散熱。
本發明之源極驅動器較好的是包括安裝於上述半導體晶片上側之表面且具有懸掛引線之金屬板，且上述懸掛引線與上述第3配線連接。藉此，亦可使熱從半導體晶片之上側之表面高效地釋放。因此，可增大散熱量。
本發明之源極驅動器較好的是，於以上述鏈輪部位於寬度方向之兩端之長條帶狀的形態製作後，沿寬度方向切斷而各自分離。藉此，由於源極驅動器係僅於寬度方向上被切斷而各自分離，故而單片化之模具成為廉價。
本發明之源極驅動器之製造方法，其係膜安裝型源極驅動器之製造方法，該膜安裝型源極驅動器係於膜基材之表面安裝設置有複數個可與外部連接之端子的半導體晶片，且於上述膜基材之表面分別形成與上述半導體晶片之端子中之輸入電信號之端子相連接之第1配線及與上述半導體晶片之端子中之輸出電信號之端子相連接之第2配線而成，其製造方法之特徵在於包含：第1步驟，其係於長條帶狀之膜基材之表面同時連續地形成上述第1配線、上述第2配線、金屬部及第3配線，上述第1配線係未與上述半導體晶片之端子相連接的端部朝向一方之長度方向者，上述第2配線係未與上述半導體晶片之端子相連接的端部朝向另一方之長度方向者，上述金屬部係位於該表面之兩端者，上述第3配線係將上述半導體晶片之端子中未連接於 上述第1配線及第2配線的端子與上述金屬部加以連接者；第2步驟，其係以連接於上述第1配線及第2配線之方式將上述半導體晶片連續地安裝；及第3步驟，其係於寬度方向上切斷上述膜基材，使上述源極驅動器各自分離。
根據上述構成，於膜基材之表面形成連接半導體晶片之端子中未連接於第1配線及第2配線之端子與金屬部的第3配線，藉此可使半導體晶片上所產生之熱從第3配線自身進行散熱或者經由第3配線而亦釋放至鏈輪部。因此，可增加散熱量。
又，先前，形成位於膜基材之兩端金屬部的部分，例如被用作鏈輪部。鏈輪部僅用於使齒輪嚙合於連續之孔，且將製造步驟中之源極驅動器送出或捲繞者，在對源極驅動器進行沖孔之後便被廢棄。再者，於源極驅動器中，形成有安裝於液晶面板上時，用以對閘極驅動器供給驅動信號之配線。
對此，根據上述構成，因於寬度方向上切斷膜基材而使連續地形成於膜基材上之源極驅動器各自分離，故而金屬部並未切除而保留原樣。而且，使金屬部與第3配線相連接，而用作釋放熱之部分。因此，可不形成先前所形成之配線，而使金屬部形成於無配線之部分內側。藉此，可減小源極驅動器之寬度，並且亦可謀求材料之成本降低。或者，亦可不使金屬部形成於無配線之部分內側，而使第1配線及第2配線形成為粗間距。
本發明之源極驅動器之製造方法較好的是，於上述半導 體晶片上，具有懸掛引線之金屬板安裝於一方之表面上，上述第2步驟中，在將上述半導體晶片以安裝有上述金屬板之側為上側之方式安裝之後，將上述懸掛引線連接於上述第3配線。藉此，亦可從半導體晶片之上側之表面高效地釋放熱。因此，可增大散熱量。
本發明之液晶模組之特徵在於，包含：液晶面板；源極驅動器，其係於上述液晶面板之四側邊中一側邊或相對之兩側邊上設置有複數個；閘極驅動器，其係於上述液晶面板之四側邊中之對設置有上述源極驅動器之側邊垂直之側邊上設置有複數個；基板，其係連接於上述源極驅動器；及配線帶，其係配置於設置有上述閘極驅動器之側邊側之設置有上述源極驅動器之側邊之一端，且連接上述液晶面板與上述基板。
根據上述構成，可使源極驅動器之半導體晶片上所產生之熱經由第3配線及鏈輪部，而釋放至液晶面板及輸入基板。因此，可實現散熱性優異之液晶模組。
又，先前係經由形成於源極驅動器上之配線，而將來自基板之驅動信號供給至閘極驅動器，但根據上述構成，可藉由配線帶而將來自基板之驅動信號供給至閘極驅動器。因此，即便源極驅動器上並未形成有用以對閘極驅動器供給驅動信號之配線亦不受影響。又，雖然配線帶之零件數增加，但合併源極驅動器之成本降低部分等，總體可降低成本。
如以上，本發明之源極驅動器構成如下，其係將設置有 複數個可與外部連接之端子的半導體晶片安裝於膜基材之表面，且將上述半導體晶片之端子中之與輸入電信號之端子相連接的第1配線及與輸出電信號之端子相連接的第2配線分別形成於上述膜基材之表面而成的膜安裝型者，於上述膜基材之兩端具有連續之孔及在該膜基材之表面形成有金屬部而成之鏈輪部，上述第1配線之未與上述半導體晶片之端子相連接之端部朝向未設置有上述鏈輪部之一端側形成，且，上述第2配線之未與上述半導體晶片之端子相連接之端部朝向與形成有上述第1配線之端部之一端側相對的一端側形成，連接上述半導體晶片之端子中之未連接於上述第1配線及第2配線的端子與上述鏈輪部之金屬部的第3配線形成於上述膜基材之表面。
因此，於膜基材之表面形成連接半導體晶片之端子中未連接於第1配線及第2配線之端子與鏈輪部之金屬部的第3配線，藉此可使半導體晶片上所產生之熱從第3配線自身散熱或者經由第3配線而亦釋放至金屬部。因此，取得實現可增加散熱量之源極驅動器之效果。
又，使鏈輪部之金屬部與第3配線連接，而將鏈輪部用作釋放熱之部分。即，先前被廢棄之鏈輪部無需切除而保留原樣。此時，可不形成先前所形成之配線，而使鏈輪部形成於無配線之部分內側。藉此，取得如下效果：可減小源極驅動器之寬度，並且亦可謀求材料之成本降低。或者，亦可不使鏈輪部形成於無配線之部分內側，而使第1配線及第2配線形成為粗間距。
又，本發明之源極驅動器之製造方法，其係膜安裝型源極驅動器之製造方法該膜安裝型源極驅動器係於膜基材之表面安裝著設有複數個可與外部連接之端子的半導體晶片，且於上述膜基材之表面分別形成著上述半導體晶片之端子中之與輸入電信號之端子相連接之第1配線及與輸出電信號之端子相連接之第2配線而成，其製造方法包括：第1步驟，其係於長條帶狀之膜基材之表面同時連續地形成上述第1配線、上述第2配線、金屬部及第3配線，上述第1配線中未與上述半導體晶片之端子相連接的端部朝向一方之長度方向，上述第2配線中未與上述半導體晶片之端子相連接的端部朝向另一方之長度方向，上述金屬部位於該表面之兩端，上述第3配線連接上述半導體晶片之端子中未連接於上述第1配線及第2配線的端子與上述金屬部；第2步驟，其係以連接於上述第1配線及第2配線之方式而連續地安裝上述半導體晶片；及第3步驟，其係沿寬度方向切斷上述膜基材，使上述源極驅動器各自分離。
因此，於膜基材之表面形成連接半導體晶片之端子中未連接於第1配線及第2配線之端子與金屬部的第3配線，藉此可使半導體晶片上所產生之熱從第3配線自身散熱或者經由第3配線而亦釋放至金屬部。因此，取得實現可增加散熱量之源極驅動器之效果。
又，因沿寬度方向切斷膜基材而將連續地形成於膜基材上之源極驅動器各自分離，故而例如用作鏈輪部的金屬部並未切除而保留原樣。而且，使金屬部與第3配線相連 接，而用作釋放熱之部分。因此，可不形成先前所形成之配線，而使金屬部形成於無配線之部分內側。藉此，取得可減小源極驅動器之寬度，並且亦可謀求材料之成本降低之效果。或者，亦可不使金屬部形成於無配線之部分內側，而使第1配線及第2配線形成為粗間距。
本發明之液晶模組之構成為包含：液晶面板；源極驅動器，其係於上述液晶面板之四側邊中一側邊或相對之兩側邊上設置有複數個；閘極驅動器，其係於上述液晶面板之四側邊中之對設置有上述源極驅動器之側邊垂直之側邊上設置有複數個；基板，其係連接於上述源極驅動器；及配線帶，其係配置於設置有上述閘極驅動器之側邊側之設置有上述源極驅動器之側邊之一端，且連接上述液晶面板與上述基板。
由此，可使源極驅動器之半導體晶片上所產生之熱經由第3配線及鏈輪部而釋放至液晶面板及輸入基板。因此，取得可實現散熱性優異之液晶模組之效果。
又，先前係經由形成於源極驅動器上之配線而將來自基板之驅動信號供給至閘極驅動器，但根據本發明，可藉由配線帶而將來自基板之驅動信號供給至閘極驅動器。因此，在源極驅動器即便未形成有用以對閘極驅動器供給驅動信號之配線亦不受影響。又，雖然配線帶之零件數增加，但合併源極驅動器之成本降低部分等，總體可謀求成本降低。
[實施形態1] (源極驅動器之構成)
如下所述，根據圖式對本發明之一實施形態進行說明。
圖1係表示本實施形態之源極驅動器100之一構成例的圖。
本實施形態之源極驅動器100，如圖1所示，於作為底材之膜基材107上，形成有輸入端子配線區域101、輸出端子配線區域102、及兩個熱傳導圖案104(第3配線)，並且安裝有半導體晶片105，且於膜基材107之兩端具有兩個鏈輪部103。即，源極驅動器100係膜安裝型之半導體裝置。
輸入端子配線區域101係形成有與半導體晶片105之輸入端子相連接之配線(第1配線)(未圖示)的區域。輸入端子配線區域101於自垂直於半導體晶片105之安裝面的方向進行觀察時，形成為自半導體晶片105之四側面中之一側面朝向未設置有鏈輪部103之端邊(圖中上側)變寬的形狀。
輸出端子配線區域102係形成有與半導體晶片105之輸出端子相連接之配線(第2配線)(未圖示)的區域。輸出端子配線區域102於自垂直於半導體晶片105之安裝面之方向進行觀察時，形成為自半導體晶片105之四側面中之設置有輸入端子配線區域101之部位以外的部位，朝向未設置有鏈輪部103之端邊(圖中下側)變寬的形狀。
鏈輪部103設於源極驅動器100之兩端。鏈輪部103係於源極驅動器100單片化前的長條帶之形態時，用於使齒輪嚙合於連續地設置之孔106，來用以將帶送出或進行捲繞 之搬送的部分。該動作係例如於形成配線之工序、將半導體晶片或其他晶片電容器等加以安裝之組裝工序、及將源極驅動器分離之工序等中進行者。為了確保能夠經受上述動作之強度，鏈輪部103於膜基材107上形成有銅箔(金屬部)。
熱傳導圖案104係以將半導體晶片105之突起端子與鏈輪部103之銅箔加以連接之方式而形成的配線。熱傳導圖案104一面使輸入端子配線區域101與輸出端子配線區域102之間與兩區域絕緣一面得以形成。
半導體晶片105於安裝面上形成有可與外部連接之複數個突起端子(金屬凸塊)。該突起端子由金等金屬構成，且具有用以輸入輸出信號之輸入端子及輸出端子、及不進行信號之輸入輸出而僅用以釋放熱之物理性端子。上述端子中，輸入端子連接於輸入端子配線區域101之配線，輸出端子連接於輸出端子配線區域102之配線。而且，上述物理性端子連接於熱傳導圖案104。再者，半導體晶片105具有例如720條左右之輸出。
具有上述構成之源極驅動器100中，由半導體晶片105中產生之熱，除了從晶片自身進行散熱以外，亦可從形成於輸入端子配線區域101之配線自身進行散熱及從該配線中釋放，或者從形成於輸出端子配線區域102之配線自身中進行散熱及從該配線中釋放，並且，進而可從熱傳導圖案104自身中進行散熱，及經由熱傳導圖案104而釋放至鏈輪部103。因此，可增加散熱量。
又，先前之源極驅動器503中，鏈輪部515僅用作搬送用，在對源極驅動器503進行沖孔後便被廢棄。而且，為了設置用以向閘極驅動器供給驅動信號之配線，而形成了僅使用配置於液晶面板之兩端側之源極驅動器503之通過式配線區域513。
與此相對，本實施形態之源極驅動器100中，使未被切下而保留原樣之鏈輪部103之銅箔與熱傳導圖案104連接並用作釋放熱之部分。而且，並未形成先前之形成於源極驅動器503的通過式配線區域513，而是將用作搬送用之鏈輪部103因未形成通過式配線區域513而形成於內側。藉此，可減小源極驅動器100之寬度，並且亦可相應地實現材料之成本降低。例如，先前之源極驅動器503之寬度為48mm，而本實施形態之源極驅動器100之寬度為35mm。
再者，亦可在未形成通過式配線區域513卻仍然維持著寬度之狀態下，使輸入端子配線區域101及輸出端子配線區域102擴寬，從而使配線形成為粗間距。
又，作為輸入端子配線區域101及輸出端子配線區域102所需之區域，係根據安裝有半導體晶片105之位置、及半導體晶片105之突起端子之布局(凸塊布局)而決定。藉此，於維持著突起端子之數量的狀態下對半導體晶片105之凸塊布局進行整理，藉此可擴大輸入端子配線區域101與輸出端子配線區域102之間的區域，儘可能地確保熱傳導圖案104較大，從而對於散熱性方面而言較為理想。藉此，由於半導體晶片105上所產生之熱之散熱面積及熱傳導面 積增加，故而可增大散熱量。
圖2表示對半導體晶片105之輸出端子側之凸塊布局進行整理後的源極驅動器110之一構成例。
與圖1所示之源極驅動器100相比，圖2所示之源極驅動器110係以輸出端子配線區域112從半導體晶片105之四側面中之三側面起變寬的方式而形成。詳細而言，輸入端子配線區域101之兩端的配線入射至半導體晶片105的方向(輸入端子配線區域101之兩端的配線連接於半導體晶片105之輸入端子之部分的形成方向)、與輸出端子配線區域112之兩端之配線入射至半導體晶片105的方向(輸出端子配線區域112之兩端之配線連接於半導體晶片105之輸出端子之部分的形成方向)，為大致垂直。
又，一面使輸入端子配線區域101與輸出端子配線區域112之間與兩區域絕緣，一面使熱傳導圖案114儘可能地形成得較寬。藉此，半導體晶片105上所產生之熱之釋放口變寬，因此容易經由熱傳導圖案114而釋放熱。因此，可高效地進行散熱。再者，亦可一體化地形成熱傳導圖案114與鏈輪部103之銅箔。
(源極驅動器之製造方法)
繼而，對本實施形態之源極驅動器100之製造方法進行說明。
圖3係表示本實施形態之源極驅動器100之製造流程的圖，圖3(a)~(e)表示上述各工序。再者，源極驅動器100係藉由捲帶(Reel To Reel)方式進行製造。
首先，如圖3(a)所示，準備好作為源極驅動器100之底材的長條帶狀之膜基材107。而且，於膜基材107之寬度方向之兩端，形成沿長度方向連續地配置之孔106。再者，膜基材107係由聚醯亞胺等有機樹脂材料構成之絕緣性膜基材。
繼而，如圖3(b)所示，形成輸入端子配線區域101之配線、輸出端子配線區域102之配線、鏈輪部103之銅箔、及熱傳導圖案104。詳細而言，於對膜基材107之一方之表面實施鍍銅之後，實施抗蝕劑、曝光、顯影工序，並利用蝕刻而使各部分圖案化。接著，藉由對剩餘之銅上實施鍍錫而形成各部分。藉此，可同時地一次性形成各部分。又，該等形成部分沿長度方向反覆地(連續地)形成於作為源極驅動器100而形成之每一個圖案上。
再者，輸入端子配線區域101之配線及輸出端子配線區域102之配線係以如下方式而形成，即，使不與半導體晶片105相連接之側的端部相互位於朝向相反之長度方向上。又，於輸入端子配線區域101之配線、輸出端子配線區域102之配線、及熱傳導圖案104上，利用阻焊劑來包覆由使用者用作接合部分之外部引線及安裝半導體晶片之內部引線以外的部分。
繼而，如圖3(c)所示，將半導體晶片105連續地安裝於每個圖案上。詳細而言，於膜基材107上，藉由熱與壓力來壓接半導體晶片105之突起端子與經鍍錫之配線，並藉由於金與錫上製成共晶來進行接合。藉此，半導體晶片105 固著於膜基材107上。一般而言，接合該半導體元件之工序被稱作內部引線焊接(ILB：Inner Lead Bonding)。於進行內部引線焊接(ILB)之後，將作為無溶劑類之環氧樹脂的底部填充材料，填充於半導體晶片與帶基材之間隙內，然後，進行固化(cure)而使底部填充樹脂硬化。
繼而，如圖3(d)所示，沿著切斷面P，於一條直線上將膜基材107切斷。切斷面P設定於膜基材107之寬度方向上，以不會對連續地形成之源極驅動器造成影響來進行切斷。藉此，如圖3(e)所示，可製作出經單片化之源極驅動器100。源極驅動器100呈大致長方形之形狀。
先前，如圖9所示，源極驅動器503係藉由模具進行沖孔而單片化，但本實施形態之源極驅動器100，並不是利用模具進行沖孔，而是沿著一條直線切斷使之單片化。藉此，源極驅動器100僅於固定之方向上加以切斷便製作而成，因此可使用廉價之單片化模具。又，源極驅動器100中，先前被廢棄之鏈輪部103保留於製品中，但將鏈輪部103用作散熱部。
又，如上所述，輸入端子配線區域101之配線、輸出端子配線區域102之配線、鏈輪部103之銅箔、及熱傳導圖案104為一次性同時形成，但亦可另外形成鏈輪部103之銅箔。即，於輸入端子配線區域101之配線、輸出端子配線區域102之配線、及熱傳導圖案104之形成前或形成後，藉由於膜基材107之表面積層不銹鋼(SUS)等金屬，而將鏈輪部103製成散熱體。藉此，經由熱傳導圖案104傳導而來之 熱，便從鏈輪部103中高效地進行散熱，因此可增大散熱量。
再者，藉此而製作之源極驅動器100可用於TCP、COF、及SOF(System on Film，薄膜系統)中之任一者。
又，上述源極驅動器100之製造方法中，如圖3(a)至圖3(b)所示，於膜基材107上加工孔106之後，使輸入端子配線區域101之配線、輸出端子配線區域102之配線、鏈輪部103之銅箔、及熱傳導圖案104形成圖案，但並不限於此。即，亦可輸入端子配線區域101之配線、輸出端子配線區域102之配線、鏈輪部103之銅箔、及熱傳導圖案104形成圖案之後，對孔106進行加工。
[實施形態2]
如下所示，根據圖式對本發明之其他實施形態進行說明。再者，本實施形態中所說明之情形以外之構成，與上述實施形態1相同。又，為了方便說明，對具有與上述實施形態1之圖式中所示的構件功能相同之構件，附上相同符號，並省略其說明。
圖4係表示本實施形態之源極驅動器200之一構成例的側面剖面圖。
本實施形態之源極驅動器200除了上述實施形態1之源極驅動器100之構成以外，亦如圖4所示，包括藉由接著材料203而貼附於半導體晶片105之上側之表面且具有懸掛引線202之散熱體201。
散熱體201係板狀之金屬板(熱擴散片)，可根據價格及 熱傳導性而從各種金屬中加以確定。散熱體201之尺寸可根據半導體晶片105之尺寸而自由地選擇，散熱體201之高度(厚度)可根據半導體晶片105之厚度、整體高度之限制、散熱效率之適當化來加以確定。
又，散熱體201中，懸掛引線202為至少兩條並形成為自側面懸垂。懸掛引線202藉由熱傳導圖案104與焊錫204而連接。又，懸掛引線202由金屬構成，亦可藉由與散熱體201一體成型而形成。再者，作為具有懸掛引線202之散熱體201，亦可使用先前之鑄模安裝中所使用之引線框。藉此，可提供廉價之製品。
先前，從半導體晶片105自身向大氣中釋放之散熱量，會因乾燥大氣之熱傳導率非常低而使得量不充分。對此，源極驅動器200中安裝有散熱體201，藉此形成有供半導體晶片105上所產生之熱從散熱體201釋放至大氣中之路徑。進而，藉由懸掛引線202將散熱體201與熱傳導圖案104加以連接，藉此形成有供半導體晶片105上所產生之熱從散熱體201並經由懸掛引線202及熱傳導圖案104而釋放至鏈輪部103之路徑。
藉此，亦可使由半導體晶片105之電性動作而產生之發熱從半導體晶片105之露出面(與形成於半導體晶片105之安裝面上之突起端子相反側之表面)高效地進行散熱，從而可增大散熱量。
又，半導體晶片105亦可經由接著材料203而預先安裝於散熱體201上。而且，將附散熱體201之半導體晶片105內 部引線焊接(ILB)於膜基材107上。藉此，可消除製造過程中之繁瑣。
[實施形態3]
如下所示，根據圖式對本發明之其他實施形態進行說明。再者，本實施形態中所說明之情形以外之構成，與上述實施形態1、2相同。又，為了方便說明，對具有與上述實施形態1、2之圖式中所示之構件相同功能之構件，附上相同符號並省略其說明。
圖5係表示本實施形態之液晶模組300之一構成例之圖。
如圖5所示，本實施形態之液晶模組300包括液晶面板301、閘極驅動器302、配線帶303、輸入基板304、及上述實施形態1之源極驅動器100。於液晶面板301中，在四邊中之一邊上設置有10個源極驅動器100，在相對設置有源極驅動器100之邊垂直之兩邊上，分別設置有3個閘極驅動器302。輸入基板304係設置於源極驅動器100之與液晶面板301側相對之一側上。又，輸入基板304係由未圖示之控制部等對信號輸出進行控制。
如圖6所示，源極驅動器100中，設置有輸入端子配線區域101之一側之側邊壓接於輸入基板304，設置有輸出端子配線區域102一側之側邊壓接於液晶面板301。又，閘極驅動器302之輸出側壓接於液晶面板301。再者，源極驅動器100及閘極驅動器302之數量並不限於上述，亦可根據液晶面板301之掃描線之數量及驅動器之輸出數來適當決定。
配線帶303係形成有用以對閘極驅動器302供給驅動信號 之配線的膜狀之帶。配線帶303中，一方之端邊壓接於液晶面板301，相對之另一方之端邊壓接於輸入基板304。
於上述構成中，自形成於輸入基板304上之配線將驅動信號及電源供給至閘極驅動器302及源極驅動器100，藉此液晶面板301受到驅動。亦即，液晶模組300中，如圖6所示，供給至閘極驅動器302之驅動信號及電源係自輸入基板304經由配線帶303及液晶面板301而供給(箭頭Y)。
因此，如圖10所示，先前係經由形成於源極驅動器503之通過式配線區域513之配線，將來自輸入基板504之驅動信號及電源供給至閘極驅動器502，但如圖6所示，本實施形態之液晶模組300係可藉由配線帶303，而將來自輸入基板304之驅動信號及電源供給至閘極驅動器302。藉此，先前有時藉由通過式配線區域513之形狀，而使配線局部為窄間距，但若使用本實施例之配線帶303，則可形成間距為等間隔之簡單配線。
因此，源極驅動器100中即便未形成用以對閘極驅動器302供給驅動信號之配線亦不會受到影響。因源極驅動器100之寬度減小，故液晶面板301之側邊之配置區域為空的，因此即便與先前為相同尺寸之液晶面板301及相同個數之源極驅動器100，亦可配置配線帶303。由此，雖然配線帶303之類零件數增加，但由於源極驅動器100之成本降低，從而可相應地總體上降低成本。
又，由源極驅動器100之半導體晶片105所產生之熱除了經由與先前相同之路徑釋放之外，在本實施例中進而可經 由熱傳導圖案104及鏈輪部103，而釋放至液晶面板301及輸入基板304。因此，可實現散熱性優異之液晶模組。
再者，上述係對液晶模組300中包括源極驅動器100的情況進行了說明，但並不限於此，亦可包括源極驅動器110及源極驅動器200。此時，可進一步提高液晶模組300之散熱性。
本發明並不限定於上述各實施形態，在請求項所示之範圍內可進行各種變更，即便係對不同實施形態中所分別揭示之技術性手段加以適當組合所得的實施形態，亦包含於本發明之技術性範圍內。
[產業上之可利用性]
本發明不僅可較佳地用於關於期望提高散熱量之膜安裝型之源極驅動器之領域中，而且可較佳地用於源極驅動器之製造之相關領域中，進而亦可廣泛地用於包括源極驅動器之液晶模組之領域中。
100、110、200‧‧‧源極驅動器
101‧‧‧輸入端子配線區域(第1配線)
102、112‧‧‧輸出端子配線區域(第2配線)
103‧‧‧鏈輪部
104、114‧‧‧熱傳導圖案(第3配線)
105‧‧‧半導體晶片
106‧‧‧孔
107‧‧‧膜基材
201‧‧‧散熱體(金屬板)
202‧‧‧懸掛引線
300‧‧‧液晶模組
301‧‧‧液晶面板
302‧‧‧閘極驅動器
303‧‧‧配線帶
304‧‧‧輸入基板(基板)
圖1係表示本發明之源極驅動器之一實施形態的平面圖。
圖2係表示本發明之源極驅動器之其他實施形態的平面圖。
圖3(a)-(e)係表示本發明之源極驅動器之一實施例之製造工序的圖。
圖4係表示本發明之源極驅動器之進而其他實施形態的平面圖。
圖5係表示本發明之液晶模組之一實施形態的平面圖。
圖6係上述液晶模組之角部之放大圖。
圖7係表示先前之液晶模組之構成的平面圖。
圖8係表示先前之源極驅動器之構成的平面圖。
圖9係表示上述先前之源極驅動器之製作方法的圖。
圖10係上述先前之液晶模組之角部之放大圖。
100‧‧‧源極驅動器
101‧‧‧輸入端子配線區域(第1配線)
102‧‧‧輸出端子配線區域(第2配線)
103‧‧‧鏈輪部
104‧‧‧熱傳導圖案(第3配線)
105‧‧‧半導體晶片
106‧‧‧孔
107‧‧‧膜基材

Claims (10)

  1. 一種源極驅動器，其係於膜基材之表面安裝有半導體晶片，且於上述膜基材之表面分別形成第1配線及第2配線而成的膜安裝型源極驅動器；且上述半導體晶片設有複數個可與外部連接之端子，上述第1配線與上述半導體晶片之端子中輸入電信號之端子相連接，上述第2配線與上述半導體晶片之端子中輸出電信號之端子相連接；該源極驅動器之特徵在於：於上述膜基材之兩端具有鏈輪部，其係形成連續之孔及金屬部而成，且上述金屬部係形成於該膜基材之表面；上述第1配線之未與上述半導體晶片之端子相連接之端部係朝向未設置有上述鏈輪部之一端側而形成，且上述第2配線之未與上述半導體晶片之端子相連接之端部係朝向與形成有上述第1配線之端部之一端側相對向之一端側而形成；於上述膜基材之表面上形成有第3配線，上述第3配線將上述半導體晶片之端子中未連接於上述第1配線及第2配線的端子與上述鏈輪部之金屬部加以連接。
  2. 如請求項1之源極驅動器，其中上述鏈輪部係由層積於上述膜基材之表面且包含銅或不銹鋼之散熱體所形成。
  3. 如請求項1之源極驅動器，其中上述第3配線係遍及由上述第1配線中兩端之第1配線 與上述第2配線中兩端之第2配線所夾持之區域之整個面上，以與上述兩端之第1配線及兩端之第2配線電性絕緣的方式形成。
  4. 如請求項3之源極驅動器，其中上述鏈輪部之金屬部與上述第3配線係一體形成。
  5. 如請求項3之源極驅動器，其中上述第1配線中兩端之第1配線之與上述半導體晶片端子連接之部分的形成方向與上述第2配線中兩端之第2配線之與上述半導體晶片端子連接之部分的形成方向為大致垂直。
  6. 如請求項1之源極驅動器，其中包括安裝於上述半導體晶片上側之表面且具有懸掛引線之金屬板；上述懸掛引線與上述第3配線連接。
  7. 如請求項1之源極驅動器，其中上述源極驅動器於以上述鏈輪部位於寬度方向之兩端之長條帶狀的形態製作後，沿寬度方向切斷而各自分離。
  8. 一種源極驅動器之製造方法，該源極驅動器係於膜基材之表面安裝有半導體晶片，且於上述膜基材之表面分別形成第1配線及第2配線而成的膜安裝型源極驅動器；且上述半導體晶片設有複數個可與外部連接之端子，上述第1配線與上述半導體晶片之端子中之輸入電信號之端子相連接，上述第2配線與上述半導體晶片之端子中輸 出電信號之端子相連接；該製造方法之特徵在於包含：第1步驟，其係於長條帶狀之膜基材之表面同時連續地形成上述第1配線、上述第2配線、金屬部及第3配線，上述第1配線之未與上述半導體晶片之端子相連接的端部朝向一方之長度方向，上述第2配線之未與上述半導體晶片之端子相連接的端部朝向另一方之長度方向，上述金屬部係位於上述表面之兩端，上述第3配線係將上述半導體晶片之端子中未連接於上述第1配線及第2配線的端子與上述金屬部加以連接；第2步驟，其係以連接於上述第1配線及第2配線之方式將上述半導體晶片連續地安裝；及第3步驟，其係沿寬度方向切斷上述膜基材，使上述源極驅動器各自分離。
  9. 如請求項8之源極驅動器之製造方法，其中於上述半導體晶片，於一方之表面上安裝有具有懸掛引線之金屬板；上述第2步驟中，在將上述半導體晶片以安裝有上述金屬板之側成為上側之方式安裝之後，將上述懸掛引線連接於上述第3配線。
  10. 一種液晶模組，其特徵在於包含：液晶面板；如請求項1至7中任一項之源極驅動器，其係於上述液晶面板之四側邊中的一側邊或相對向之兩側邊上設置有複數個； 閘極驅動器，其係於上述液晶面板之四側邊中相對於設置上述源極驅動器之側邊為垂直之側邊上設置有複數個；基板，其係連接於上述源極驅動器；及配線帶，其係配置於設置有上述閘極驅動器之側邊側之設置有上述源極驅動器之側邊之端上，且將上述液晶面板與上述基板加以連接。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5325684B2 (ja) * 2009-07-15 2013-10-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2012073388A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
WO2013051236A1 (ja) * 2011-10-05 2013-04-11 パナソニック株式会社 表示装置
DE112014001116T5 (de) * 2013-03-04 2015-12-24 Ps4 Luxco S.A.R.L. Halbleitervorrichtung
JP5657767B2 (ja) * 2013-10-30 2015-01-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6711582B2 (ja) * 2015-10-14 2020-06-17 ホシデン株式会社 プラグコネクタ及びアダプタ
KR102392683B1 (ko) * 2015-11-30 2022-05-02 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 내장형 표시장치
JP2018085522A (ja) * 2017-12-21 2018-05-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN110323198B (zh) * 2019-07-26 2024-04-26 广东气派科技有限公司 非接触式上下芯片封装结构及其封装方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245324A (ja) * 1994-03-07 1995-09-19 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2003108017A (ja) * 2001-09-27 2003-04-11 Pioneer Electronic Corp フラットパネル型表示装置
JP2004111996A (ja) * 1996-03-26 2004-04-08 Canon Inc 接続構造体及び表示装置
JP2005109254A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Optrex Corp 集積回路搭載基板およびこれを備えた表示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4862827A (en) * 1988-06-28 1989-09-05 Wacker-Chemie Gmbh Apparatus for coating semiconductor components on a dielectric film
US6184965B1 (en) * 1996-03-26 2001-02-06 Canon Kabushiki Kaisha Circuit connection structure
AU4321997A (en) * 1996-10-17 1998-05-15 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of its manufacture, circuit substrate, and film carrier tape
KR100385082B1 (ko) * 2000-07-27 2003-05-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP3832576B2 (ja) 2002-03-28 2006-10-11 セイコーエプソン株式会社 配線基板、半導体装置及びその製造方法、パネルモジュール並びに電子機器
JP2005064479A (ja) * 2003-07-31 2005-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 回路モジュール
JP4781097B2 (ja) * 2005-12-05 2011-09-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 テープキャリアパッケージ及びそれを搭載した表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245324A (ja) * 1994-03-07 1995-09-19 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2004111996A (ja) * 1996-03-26 2004-04-08 Canon Inc 接続構造体及び表示装置
JP2003108017A (ja) * 2001-09-27 2003-04-11 Pioneer Electronic Corp フラットパネル型表示装置
JP2005109254A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Optrex Corp 集積回路搭載基板およびこれを備えた表示装置

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