TWI411486B - 半導體裝置的製造方法 - Google Patents

Description

半導體裝置的製造方法

本發明有關雷射光束照射設備(包含雷射振盪器及用以導引雷射光至即將被照射之實體之光學系統的設備)及雷射光照射方法。進一步地，本發明亦有關半導體裝置的製造方法，包含上述雷射光照射方法之步驟。本發明有關使用印刷法之顯示裝置的製造方法。

近年來，在液晶電視和電漿電視之尺寸上的成長及成本上的降低已有所進展；因此，液晶電視和電漿電視已以比CRT(管狀物電視)更高的比例而獲取電視市場。與液晶電視和電漿電視之成本降低已有所進展的背景成對比的是，用以製造薄膜電晶體(下文中稱為TFT)於玻璃基板上之技術上的進步係可想像的。尤其，將顯著地增加，在大的基板之情況中的生產，以及將增加由一基板所獲得之產品的數量(數目)因此，主要成本會降低且生產會增加，而造成產品成本上的降低。

薄膜電晶體(下文中稱為TFT)和使用薄膜電晶體之電子電路係由堆疊諸如半導體膜、絕緣膜、或導電膜之薄膜於基板上，及由光微影技術而適當地形成預定的圖案所製造。光微影技術係藉由使用光和光罩以轉移圖案至基板之上的技術，該圖案係藉由使用光阻擋材料以形成電路或類似物之圖案於透明平面板的表面上而形成於光罩上，且一般使用於半導體積體電路及類似物的製程之中；然後，藉由使用被轉移至基板之圖案來做為罩幕，而利用光微影技術以部分地蝕刻所欲去除之絕緣膜、半導體膜、金屬膜、或類似物，以致使接觸孔可形成於所企望之位置中。

例如，在由使用光微影技術來獲得具有所欲形狀之接觸孔的情況中，首先，施加諸如阻體材料之光敏劑至基板上之薄膜；接著，透過預先形成所欲圖案於上之光罩以可使光敏劑敏化之具有波長的光來照射被施加光敏劑之基板；然後，轉移該光罩上所形成的圖案至該光敏劑(圖案化過程。當藉由施加顯影劑時，將使其中未執行圖案化之一部分光敏劑被去除自其上形成圖案之基板，及保留其中執行圖案化之一部分光敏劑(顯影處理)；之後，由乾蝕刻法或濕蝕刻法來去除其上並未保留阻體之一部分薄膜自基板(蝕刻處理)，且最後地，所保留的光敏劑係由移除劑所去除(去除處理)。因而，可形成具有所欲形狀之接觸孔。

使用光微影技術之習知的製造方法需要至少曝光、顯影、烘乾、去除、及類似步驟之多重步驟；因此，當光微影步驟之數目增加時，製造成本會不可避免地增加。為了要解決此問題，已作成使用較少數目之光微影步驟來製造TFT的嘗試(例如，請參閱專利文獻1：日本公開專利申請案第2000－133636號)。在該專利文獻1之中，一旦使用由光微影步驟所形成的阻體罩幕之後，阻體罩幕之體積會膨脹，且再被使用以做為具有不同形狀之阻體罩幕。

然而，針對光微影過程，必須執行至少五個處理步驟，包含光敏劑之施加、圖案化、顯影處理、蝕刻處理、及去除處理；因此，將耗費長時間來完成該等步驟，且將降低生產。此外，因為使用諸如光敏劑、顯影劑、和移除劑之化學溶液，因此，有害的廢棄溶液會產生於過程中，且藉以增加此一廢棄溶液的處理成本至製造成本以及化學溶液的主要成本。進一步地，可能造成由於化學溶液之環境污染。

本發明之目的在於提供一種藉由在TFT、使用TFT之電子電路、及由TFT所形成之顯示裝置的製造過程中之簡化步驟以增加生產率的技術。

本發明之雷射照射設備包含光學系統，將傳送自雷射振盪器之雷射光形成為線性光束於即將被照射之實體的表面上，其中自該光學系統所傳送之線性光束係透過罩幕而分束成為複數個雷射光束。注意的是，關於即將被照射之實體，光吸收層和光透射層係順序堆疊於基板上，且以複數個所分束之雷射光束來照射光透射層，使得複數個開口同時形成於光透射層和光吸收層之中。

本發明之雷射照射設備包含雷射振盪器，其發射出雷射光束；光學系統，其將雷射光束整形成為線性光束於即將被照射之實體的表面上；以及罩幕，其係設置於光學系統與即將被照射的實體之間，其中該線性光束係透過該罩幕而分束成為複數個雷射光束，且該複數個雷射光束係傳送至即將被照射之實體。

本發明之雷射照射設備包含雷射振盪器，其發射出雷射光束；光學系統，其將雷射光束整形成為線性光束於即將被照射之實體的表面上；罩幕；以及微透鏡陣列，其係由複數個透鏡所形成，其中該罩幕和微透鏡陣列係設置於光學系統與即將被照射的實體之間，該線性光束係透過該罩幕而分束成為複數個雷射光束，以及該複數個雷射光束係透過該微透鏡陣列而聚光，且接著傳送至即將被照射之實體。

在本發明之雷射照射設備中，罩幕和即將被照射之實體係設置以便具有由於微透鏡陣列之共軛關係。

在本發明之雷射照射設備中，該罩幕係其中形成複數個孔之罩幕，二元罩幕，或相移罩幕。

在本發明之雷射照射裝置中，即將被照射之實體係光吸收層和光透射層的堆疊。

在本發明之半導體裝置的製造方法中，包含形成光吸收層；形成光透射層於光吸收層之上；以均勻的能量來發射出線性雷射光束至罩幕上，且藉以分束線性雷射光束成為複數個雷射光束；以及發射該複數個雷射光束至光吸收層上之光透射層之上，且藉以形成複數個開口於光透射層和光吸收層之中。

在本發明之半導體裝置的製造方法中，包含形成光吸收層；形成光透射層於光吸收層之上；以均勻的能量來發射出線性雷射光束至罩幕上，且藉以分束線性雷射光束成為複數個雷射光束；透過包含複數個透鏡之微透鏡陣列來聚光該複數個雷射光束；以及發射所聚光之該等雷射光束至該光吸收層上之該光透射層之上，且藉以形成複數個開口於該光透射層和該光吸收層之中。

在本發明之半導體裝置的製造方法中，包含形成第一導電層；形成絕緣層於該第一導電層之上；以均勻的能量來發射出線性雷射光束至罩幕上，且藉以分束線性雷射光束成為複數個雷射光束；發射該複數個雷射光束至該第一導電層上之絕緣層之上，且藉以形成複數個開口於該絕緣層和第一導電層之中；以及形成第二導電層於該複數個開口之中及絕緣層之上，其中該第二導電層係以該複數個開口而電性連接至第一導電層。第一導電層係光吸收層，以及絕緣層係光透射層。

在本發明之半導體裝置的製造方法中，包含形成第一導電層；形成絕緣層於第一導電層之上；以均勻的能量來發射出線性雷射光束至罩幕上，且藉以分束線性雷射光束成為複數個雷射光束；透過包含複數個透鏡之微透鏡陣列來聚光該複數個雷射光束；發射所聚光之雷射光束至第一導電層上之絕緣層之上，且藉以形成複數個開口於絕緣層和第一導電層之中；以及形成第二導電層於該複數個開口之中及絕緣層之上，其中該第二導電層係以該複數個開口而電性連接至第一導電層。第一導電層係光吸收層，以及絕緣層係光透射層。

在本發明之半導體裝置的製造方法中，罩幕係其中形成複數個孔之罩幕，二元罩幕，或相移罩幕。

在上述結構中，可使用由諸如鈦(Ti)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉬(Mo)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、鎘(Cd)、鋅(Zn)、矽(Si)、鍺(Ge)、鋯(Zr)、或鋇(Ba)之元素所形成的材料於光吸收層。選擇性地，可使用包含上述元素來做為主要成份之合金材料，單層之氮化合物，氧化合物，碳化合物，或鹵素化合物，或其堆疊層。選擇性地，可使用其中瀰散能吸收光線之粒子的絕緣層，典型地，其中瀰散矽微晶之氧化矽膜。選擇性地，可使用其中溶解或瀰散色素之絕緣膜。光透射層可由任一材料所形成，只要該材料可透射雷射光即可，且例如可使用光透射有機樹脂或其類似物。

本發明亦可應用於顯示裝置。使用本發明之顯示裝置可為發光顯示裝置，液晶顯示裝置，或其類似物。在該發光顯示裝置之中，TFT係連接至發光元件，該發光元件包含含有機材料、無機材料、或有機材料和無機材料之混合物的層，而產生所謂電發光(在下文中亦稱為EL)之光發射的層於電極之間。

在本發明中，線性光束係傳送至罩幕上之複數個開口之內，而該複數個開口係以該線性光束的縱向方向所形成；因此，可分束該線性光束成為複數個雷射光束，且可同時形成複數個接觸孔於以該等雷射光束所照射的層間絕緣層之中。進一步地，藉由根據罩幕之開口來配置微透鏡陣列，則所聚光之雷射光束可傳送至即將被照射之實體的表面，藉以可使接觸孔最小化。藉由使用本發明，可易於以單一步驟來形成複數個接觸孔於層間絕緣層之中。

藉由使用本發明，無需使用包含用以形成接觸孔之許多步驟之複雜的光微影術方法；因此，可簡化該等步驟且可增加生產率。因而，可降低材料之損耗及成本。藉由本發明，可高產能地製造高度性能及高度可靠性之半導體裝置。

雖然本發明將參照附圖而藉由實施例模式來加以完整地敍述，但將由熟習於本項技藝之該等人士所瞭解的是，各式各樣的改變和修正可予以完成而不會背離本發明之精神和範疇；因此，本發明不應被解讀成為受限於下文實施例模式中之說明。注意的是，共同的部分及具有相似功能之部分係由相同的參考符號來表示於描繪實施例模式的所有圖式之中，且其重複的敍述將予以省略。注意的是，描述於下文之實施例模式可隨意地結合而實施。

(實施例模式1)

此實施例模式提供雷射光束照射設備及半導體裝置的製造方法，用以藉由雷射燒蝕而形成開口(所謂接觸孔)於光透射層之中。注意的是，雷射燒蝕意指用以處理薄膜或物質之方法，其中孔係由使用雷射光束而形成於薄膜或物質中或切割自薄膜或物質。薄膜或物質係以雷射光束來照射，且吸收該雷射光束於薄膜或物質中而轉換成為熱量，藉以去除一部分的薄膜或物質，以致形成孔或切割孔。

在此實施例模式中，其中在所欲的位置中具有直徑相等於或約略相等於接觸孔之直徑的複數個孔係以整形而具有線性形狀之雷射光束(線性光束)來照射之罩幕，以及在接觸開口形成步驟之前設置於該罩幕下方之基板係僅以透射穿過罩幕之雷射光束來照射。在此實施例模式中，藉由以線性光束穿過其中形成複數個孔之罩幕的照射，可同時形成複數個接觸孔。

注意的是，在此說明書之中，具有線性形狀於即將被照射之表面上的雷射光束係稱為線性光束；此處所使用之用語〝線性〞在嚴格的觀點中並非意指直線，而是意指具有大的縱橫比之矩形(例如10以上(較佳地，100以上)的縱橫比)。順便一提地，該雷射光束具有用以改善雷射燒蝕之效率的線性形狀；因此，該雷射光束可取代地具有矩形形狀或橢圓形形狀。

首先，將參照第1圖來敍述用於以雷射光(亦稱為雷射光束)來照射處理區之雷射光束照射設備的實例。第1圖中所示的雷射光束照射設備包含雷射振盪器1101，光學單元1107，反射鏡1108，雙合透鏡1109a 及 1109b，以及罩幕1110。注意的是，反射鏡1108或雙合透鏡1109a及1109b無需一定要設置，且其僅係提供光學系統於雷射振盪器1101與罩幕1110之間的所需，而該光學系統係用以整形自雷射振盪器1101所傳送之雷射光束成為線性光束於罩幕1110的表面之上。

此處，將參照第2A及2B圖來敍述第1圖中所示之雷射光束照射設備中之光學單元1107的實例。第2B圖係頂部平面示意圖，顯示第1圖中所示之雷射光束照射設備。在此實施例模式中，該光學單元1107設置有均勻器，且自雷射振盪器1101側起依序地包含球面透鏡1102a及1102b，柱面透鏡陣列1103a及1103b，柱面透鏡1104，柱面透鏡陣列1105a及1105b，以及柱面透鏡1106。此處，柱面透鏡陣列表示具有相同曲率之複數個柱面透鏡，而並排地配置著，且具有分束入射之雷射光束成為與所包含之柱面透鏡的數目相同數目之雷射光束。注意的是，在此實施例模式中，線性光束的短邊方向對應於其中形成於罩幕1110上之線性光束光點之寬度為窄的方向，而線性光束的長邊方向則對應於其中形成於罩幕1110上之線性光束光點之寬度為寬的方向。雷射光束係以箭頭所示之方向而自雷射振盪器1101來傳送。

在第2B圖之中，傳送自雷射振盪器1101之雷射光束係由球面透鏡1102a及1102b所變寬。注意的是，在其中傳送自雷射振盪器1101之光束的光點係充分地寬的情況中，並不需要球面透鏡1102a及1102b。隨後，光點係由柱面透鏡陣列1103a及1103b以線性形狀的長邊(長軸)方向來分束；之後，所分束的雷射光束係由設置在柱面透鏡陣列1103b後方之柱面透鏡1104而結合成為線性光束於罩幕1110之上。因此，使長邊方向中之線性光束光點的能量分佈均勻化(長軸均勻化)，以致可決定長邊方向中之長度。

接著，將參照第2A圖來敍述此實施例模式之光學系統側的示意圖。傳送自雷射振盪器1101之雷射光束係由球面透鏡1102a及1102b所變寬，在其中傳送自雷射振盪器1101之光束的光點係充分地寬的情況中並不需要此結構。隨後，光點係由柱面透鏡陣列1105a及1105b以短邊(短軸)方向來分束；之後，所分束的雷射光束係由設置在柱面透鏡陣列1105b後方之柱面透鏡1106而結合成為一光束，且接著，由雙合透鏡1109a及1109b所聚光。因此，使短邊方向中之線性光束光點的能量分佈均勻化(短軸均勻化)，以及以具有均勻化之能量分佈的線性光束來照射即將被照射的實體1111。

大致地，使雷射光束之能量分佈均勻係稱為〝均勻化〞，以及用於均勻化之光學系統係稱為〝均勻器〞。注意的是，光學單元1107的結構並未受限於第2A及2B圖中所示的結構。

注意的是，在第1圖中所示的雷射光束照射設備中，傳送自雷射振盪器1101之雷射光束會穿過光學單元1107；隨後，該雷射光束由反射鏡1108所反射，使得即將被照射之實體1111由該雷射光束所垂直地照射。由反射鏡1108所反射之雷射光束係由雙合透鏡1109a及1109b以線性光束之短邊方向來加以聚光。所聚光之線性光束到達其中具有直徑相等於或約略相等於接點直徑的孔係形成於所欲的位置中之罩幕1110，以及即將被照射之實體1111係僅以雷射光束透射穿過罩幕1110來加以照射，接觸開口係藉由雷射光束之照射所形成。注意的是，在罩幕1110的材料上並無特別的限制，只要該材料係不透射或不吸收雷射光束之材料即可。

進一步地，轉移機構1112及罩幕1110係以恆定的速度而轉於第1圖中之箭頭所示的方向中，且藉以全盤地執行雷射照射於即將被照射之實體1111。在此實施例模式中，可同時地傳送線性光束至罩幕1110中所形成的複數個孔之內，藉以可透過該罩幕來分束線性光束成為複數個雷射光束；因此，可同時地傳送複數個雷射光束至即將被照射之實體1111上的複數個部分之內。在此實施例模式之中，該轉移機構1112係XY台，且具有以X軸或Y軸方向來移動的機構；該轉移機構1112亦可具有可旋轉之機構。注意的是，在此實施例模式中，即將被照射之實體對應於基板上之光吸收層和光透射層的堆疊。

注意的是，當基板尺寸係大到足以由一次(單向)掃描而以雷射來照射時，罩幕1110必須具有與即將被照射之實體1111相同的大小。此外，例如當雷射照射係執行兩次(雙向)且由第一掃描及第二掃描所形成之接觸孔的位置相同時，則可再使用該罩幕1110；因此，該罩幕1110可具有用於一次掃描的尺寸。

接著，將參照第3A至3D圖來敍述由第1圖中所示之雷射光束照射設備來形成開口的方法。在此實施例模式中，如第3A至3D圖中所示，包含導電層721a及導電層721b之堆疊膜係形成於基板720之上，以做為光吸收層；以及絕緣層722係形成以做為光透射層。

導雷層721a及導電層721b具有堆疊層之結構。在此實施例模式中，導電層721b係使用相當容易汽化之低熔點金屬所形成(在此實施例模式中係鉻)，以及導電層721a係使用與導電層721b相較地不易汽化之高熔點金屬所形成(在此實施例模式中係鎢)。注意的是，在此實施例模式中，具有不同熔點之導電層係堆疊於絕緣層下方以做為導電層；然而，無庸置疑地，可使用單層的結構。注意的是，在絕緣層772之上並無任何限制，只要該絕緣層係由可透射雷射光之材料所形成的層即可。例如，可使用光透射有機樹脂或其類似物。

設置於絕緣層下方之層並非必須為導電層，且該層並未特別地受限，只要其係由可吸收雷射光使得能執行雷射燒蝕之材料所形成之層即可(亦稱為光吸收層)。例如，可使用由諸如鈦(Ti)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉬(Mo)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、鎘(Cd)、鋅(Zn)、矽(Si)、鍺(Ge)、鋯(Zr)、或鋇(Ba)之元素所形成的材料於光吸收層。選擇性地，可使用包含上述元素來做為主要成份之合金材料，單層之氮化合物，氧化合物，碳化合物，或鹵素化合物，或其堆疊層。選擇性地，可使用其中瀰散能吸收光線之粒子的絕緣膜，典型地，其中瀰散矽微晶之氧化矽膜。選擇性地，可使用其中溶解或瀰散色素之絕緣膜。光吸收層可由上述材料之任一材料所形成之層而形成為單層或堆疊層。

注意的是，做為用以形成光吸收層之方法，可使用施加法，電解電鍍法，PVD(物理氣相沈積)法，或CVD(化學氣相沈積)法。

接著，如第3B圖中所示，導電層721a和導電層721b(複數個照射區724)係選擇性地以雷射光723自絕緣層722側來照射。注意的是，雷射光723係傳送自第1圖中所示之雷射光束照射設備；此處，雷射光723透射穿過絕緣層722，但被吸收於導電層721b之中。導電層721b之照射區係由所傳送之雷射光的能量所加熱而汽化，且藉以破壞絕緣層722；因此，可去除導電層721b之照射區上的部分絕緣層722，使得可形成其中導電層721a及導電層721b係部分地暴露於該處之複數個開口725(請參閱第3C圖)。導電層721b被圖案化以成為導電層728a，以及絕緣層722被圖案化以成為絕緣層727a(請參閱第3C圖)；然後，形成導電層726於其中暴露導電層721a及導電層721b於該處的開口725之中，且藉以使導電層721a及721b可電性連接至導電層726(請參閱第3D圖)。

藉由此實施例模式之雷射光束照射設備，可同時地形成複數個接觸孔而無需使用複雜的光微影術方法。此外，在此實施例模式中，係使用具有均勻化之能量分佈的線性光束；因此，如與其中具有高斯分佈之雷射光束的情況相比較，可易於執行用以形成接觸孔之雷射燒蝕。

做為雷射振盪器1101，可使用能發射出紫外光、可見光、或紅外光之雷射振盪器；例如，可使用以下之雷射振盪器：KrF，ArF，XeCl，Xe或其類似物之準分子雷射振盪器；He，He－Cd，Ar，He－Ne，HF，或其類似物之氣體雷射振盪器；使用諸如摻雜有Cr，Nd，Er，Ho，Ce，Co，Ti，或Tm之YAG，GdVO₄ ，YVO₄ ，YLF或YAlO₃ 的晶體之固態雷射振盪器；以及GaN，GaAs，GaAlAs，InGaAsP，或其類似物之半導體雷射振盪器。在固態雷射振盪器的情況中，較佳地係使用基波之第一至第五諧波。為了要調整傳送自雷射振盪器之雷射光束的形狀或路徑，可設置包含快門，諸如反射鏡或半反射鏡之反射器，柱面透鏡，凸透鏡，及其類似物。

其中在第1圖中所示之設備中的實例，係顯示以雷射光來照射基板的正面表面；選擇性地，可由適當地改變光學系統及轉移機構1112而使用其中以雷射光來照射基板的背面表面之結構。

此處，基板被移動且以雷射光束來選擇性地照射；然而，本發明並未受限於此。可傳送雷射光束而以X軸及y軸方向來掃描雷射光束。

導電層721a及721b可由蒸鍍法，濺鍍法，PVD(物理氣相沈積)法，諸如低壓CVD(LPCVD)法或電漿CVD法之CVD(化學氣相沈積)法，或類似法所形成。選擇性地，可使用藉由轉移或繪製法來將組件形成為所欲圖案的方法，例如各式各樣的印刷法(諸如網版(油印機)印刷法、平版(石版)印刷法、凸版印刷法、或照像版(凹刻)印刷法之用以形成組件成為所欲圖案的方法)，滴注法，選擇性塗佈法，或類似法。做為導電層721a及721b，可使用鉻、鉬、鎳、鈦、鈷、鎢、及鋁的其中之一或複數個。

在第3A至3D圖之中，顯示其中導電層721b係由雷射光723之照射所汽化，開口725係形成於絕緣層722中，以及導電層721a維持堆疊的實例。第4A至4D圖顯示其中形成開口以到達絕緣層下方所形成之導電層的其他實例。注意的是，第4A至4D圖顯示其中形成一開口之其他實例；然而，無庸置疑的是，可以以與第3A至3D圖中所示方式相似的方式來同時地形成複數個開口。

第4A圖顯示其中僅執行雷射燒蝕於堆疊在絕緣層下方之導電層的上方導電層之上方部分的實例。導電層731及732以及絕緣層733係設置於基板730上，以及導電層734係設置於導電層732及絕緣層733之中所形成的開口750中。在該開口750中，導電層732暴露且與導電層734接觸，以及電性連接至該導電層734。

在絕緣層下方之導電層可為具有不同熔點之複數個種類的導電層之堆疊，或無庸置疑地，可為單層。第4B及4C圖顯示其中在絕緣層下方之導電層係單層的實例，第4B圖係其中僅執行雷射燒蝕於絕緣層下方之導電層之上方部分的實例，第4C圖係其中在絕緣層下方之導電層之一部分由雷射燒蝕所去除而暴露出基板740的實例。

在第4B圖之中，導電層736及絕緣層738係設置於基板735上，以及導電層739係設置於導電層736及絕緣層738之中所形成的開口751中。在該開口751中，導電層736暴露且與導電層739接觸，以及電性連接至該導電層739。如第4B圖中所示地，當僅在厚度方向中部分地去除導電層的上方部分時，可控制雷射光束照射條件(例如能量及照射時間)，或可將導電層736形成更厚。

在第4C圖之中，導電層741a及741b以及絕緣層743係設置於基板740上，以及導電層744係設置於開口752中以及在絕緣層743之上。在開口752中，導電層741a及741b暴露且與導電層744接觸，以及電性連接至該導電層744。上方導電層和下方導電層無需一定要彼此相互接觸於開口之底部，以及該上方導電層可形成以便與暴露在開口之側表面上之下方導電層接觸及電性連接。

進一步地，關於作用為接觸孔之開口的形狀，側表面無需垂直於底部表面，且該開口之側邊可如第4D圖中所示地成為錐狀。在第4D圖之中，導電層746及747以及絕緣層748係形成於基板745上，且開口753係形成於絕緣層748和導電層747之中。該開口753具有小臼形狀，以及該開口753之側表面係變細至底部表面。

因此，在設置於絕緣層中的開口之中，在該絕緣層下方之下方導電層係電性連接至絕緣層上的上方導電層。在此實施例模式中，第二導電層係由易於在第一導電層之上汽化的金屬所形成，且該第二導電層係由雷射光所汽化，藉以形成開口於第一及第二導電層上所形成的絕緣層之中。形成於絕緣層及導電層中之開口的大小和形狀可由雷射光束照射條件(諸如能量強度及照射時間)，及用於絕緣層和導電層之材料的性質(諸如熱傳導率，熔點，及沸點)所控制。第5A至5D圖顯示雷射光束光點的大小及所形成開口的大小之實例。注意的是，第5A至5D圖顯示其中形成一開口之實例；然而，無庸置疑的是，可與第3A至3D圖相似地同時形成複數個開口。

在基板300之上，堆疊第一導電層301a(301a1，301a2，及301a3)及第二導電層301b，且形成絕緣層302以便覆蓋該第一導電層301a(301a1，301a2，及301a3)及第二導電層301b。在第5A至5D圖之中，該第一導電層301a(301a1，301a2，及301a3)具有包含複數個薄膜之堆疊層結構，例如可使用鈦於第一導電層301a1，可使用鋁於第一導電層301a2，可使用鈦於第一導電層301a3，以及可使用鉻於第二導電層301b。針對第一導電層301a3，可取代地使用鎢、鉬、或其類似物；無庸置疑地，第二導電層301b亦可具有堆疊層結構，且可使用包含銅及鉻之堆疊層。

絕緣層302及第二導電層301b係以具有直徑L1之雷射光303照射，使得照射區304選擇性地形成於絕緣層302及第二導電層301b之中。當雷射光303的能量高時，第二導電層301b接收高的能量，以及傳送熱量至第二導電層301b中之照射區，且亦傳送熱量至其週邊，如第5C中所示。因此，在第二導電層301b之中，可形成具有比雷射光303之直徑L1更大的直徑L2之開口，且該開口亦形成於第二導電層301b上所形成的絕緣層302之中。如上述，第二導電層301b係分離成為第二導電層308a及308b，以及絕緣層302係分離成為絕緣層307a及307b，以致使開口305形成。導電膜306係形成於其中暴露第一導電層301a3於該處之開口305之中，且係電性連接至第一導電層301a(301a1，301a2，及301a3)以及第二導電層308a及308b(請參閱第5D圖)。

相對於依據雷射光之直徑所決定的照射區之大小的開口大小將根據雷射光的能量位準，且當雷射光的能量高到足以使第二導電層汽化時，該能量亦將傳送至照射區之週邊且使該第二導電層汽化；因此，可形成比以雷射光所照射之區域更大的開口於第二導電層之中。相反地，當雷射光的能量低時，可形成具有幾乎與照射區之大小相同大小的開口於第二導電層之中。此外，當第二導電層係使用具有高的熱傳導率且易於汽化之金屬材料所形成時，可易於傳送雷射光的能量；因此，可形成比照射區更大的開口。注意的是，在其中雷射光的能量比臨限值更高的情況，開口之大小將不會根據能量位準，而是相依於罩幕中之孔的直徑。

如上述，藉由控制雷射光之能量，可控制以雷射光所照射之第二導電層的汽化面積至某一程度；因此，亦可適當地控制形成於第二導電層及絕緣層中之開口的大小。

在由雷射光之照射而形成開口之後，可以以液體來清洗殘留於開口周圍之導電材料及絕緣材料，而去除殘留物。在此情況中，可使用諸如水之非反應性物質於清洗，或可使用會與絕緣層反應(溶解絕緣層)之諸如蝕刻劑之化學溶液。藉由蝕刻劑，可過蝕刻該開口，且可去除灰塵及其類似物，使得表面可進一步地平坦化；此外，可使開口變寬。

在此實施例模式中，線性光束係傳送至罩幕中之複數個開口之內，而該複數個開口係以該線性光束的縱向方向所形成；因此，可分束該線性光束成為複數個雷射光束，且可同時形成複數個接觸孔於以該等雷射光束所照射的層間絕緣層之中。藉由此實施例模式之雷射照射設備及雷射照射方法，可易於以單一步驟來形成複數個接觸孔於層間絕緣層之中。

依據此實施例模式，無需使用包含用以形成接觸孔之許多步驟之複雜的光微影術方法；因此，可簡化該等步驟且可增加生產率。因而，可降低材料之損耗及成本。

(實施例模式2)

在此實施例模式中，將敍述具有與實施例模式1之結構不同之結構的雷射光束照射設備，用以藉由使用線性光束之雷射燒蝕而同時地形成複數個接觸孔。在此實施例模式中，將敍述可由結合罩幕及微透鏡陣列而形成更窄之接觸孔的雷射光束照射設備。

將參照第6圖來說明此實施例模式之雷射光束照射設備的實例。如第6圖中所示，此實施例模式之雷射光束照射設備包含雷射振盪器1101，光學單元1107，反射鏡1108，雙合透鏡1109a及1109b，罩幕1110，及微透鏡陣列1113。注意的是，該微透鏡陣列1113係設置有許多透鏡以及具有使透射穿過各個透鏡之雷射光束的光點變窄的功能，且藉以投射該雷射光束於即將被照射的實體1111之上。此外，該雷射振盪器1101，光學單元1107，反射鏡1108，雙合透鏡1109a及1109b，以及罩幕1110可與實施例模式1相似。注意的是，反射鏡1108或雙合透鏡1109a及1109b無需一定要設置，且其僅係提供光學系統於雷射振盪器1101與罩幕1110之間的所需，而該光學系統係用以整形自雷射振盪器1101所傳送之雷射光束成為線性光束於罩幕1110的表面之上。

在此實施例模式中，與實施例模式1相似地，雷射振盪器1101、其中結合均勻器之光學單元1107、反射鏡1108、雙合透鏡1109a及1109b、以及罩幕1110可設置於罩幕1110的表面上，以致使線性光束之能量分佈均勻化。此外，該微透鏡陣列1113係設置使得罩幕1110和即將被照射之實體1111具有共軛關係；因此，可以以雷射光束來照射即將被照射之實體的表面，而保持罩幕1110之表面上的能量。也就是說，在此實施例模式中，雷射光束之能量分佈係均勻化於罩幕1110的表面上；因此，設置該罩幕1110和即將被照射之實體1111使得它們具有共軛關係，且藉此，可以以具有均勻化之能量分佈的雷射光束來照射即將被照射之實體1111。由分束透射穿過罩幕1110之雷射光束所獲得的複數個雷射光束之各個雷射光束將進入微透鏡陣列1113中所包含之複數個透鏡的其中之一。

此一配置允許雷射光束變窄以穿過微透鏡陣列1113來投射在即將被照射之實體1111的表面上，而保持罩幕1110之表面上的能量分佈。也就是說，可以以變窄且具有均勻化之能量分佈的雷射光束來照射即將被照射之實體1111的表面。

注意的是，在此實施例模式中，即將被照射之實體係由依序堆疊光吸收層及光透射層於基板之上所形成，藉由使用此實施例模式之雷射光束照射設備而以雷射光束來照射即將被照射之實體的表面，可同時地形成複數個接觸孔而無需使用複雜的光微影術方法。此外，在此實施例模式中，係使用具有均勻化之能量分佈的線性光束；因此，如與其中具有高斯分佈之雷射光束的情況相比較，可易於執行用以形成接觸孔之雷射燒蝕。

(實施例模式3)

此實施例模式提供與實施例模式1或2不同的雷射光束照射設備及半導體裝置之製造方法，用以由雷射燒蝕來形成複數個開口(接觸孔)於光透射層之中。

首先，將參照第7圖來說明用於雷射光(亦稱為雷射光束)來照射處理區之雷射光束照射設備的實例。第7圖中所示的雷射光束照射設備包含雷射振盪器1101、光學單元1107、反光鏡1108、雙合透鏡1109a及1109b、罩幕1110、以及斬光葉片1116。注意的是，反射鏡1108或雙合透鏡1109a及1109b無需一定要設置，且其僅係提供光學系統於雷射振盪器1101與罩幕1110之間的所需，而該光學系統係用以整形自雷射振盪器1101所傳送之雷射光束成為線性光束於罩幕1110的表面之上。在此實施例模式中，與實施例模式1或2個相似地，雷射振盪器1101、其中結合均勻器之光學單元1107、反射鏡1108、雙合透鏡1109a及1109b、以及罩幕1110可設置使得線性光束之能量分佈均勻化於罩幕1110的表面之上。

在第7圖中所示的雷射光束照射設備之中，傳送自雷射振盪器1101之雷射光束會穿過光學單元1107；隨後，該雷射光束由反射鏡1108所反射，使得即將被照射之實體1111由該雷射光束所垂直地照射。由反射鏡1108所反射之雷射光束係由雙合透鏡1109a及1109b以線性光束之短邊方向來加以聚光。所聚光之線性光束到達其中具有直徑相等於或約略相等於接觸孔直徑的孔係形成於所欲的位置中之罩幕1110，且僅透射穿過罩幕之雷射光束會到達斬光葉片1116。該斬光葉片1116係久缺扇狀物形狀之圖盤，馬達1115的旋轉功率透過驅動皮帶1114而傳送至斬光葉片1116，使得該斬光葉片1116旋轉。注意的是，例如斬光葉片1116之旋轉以藉由重複傳送及遮蔽光而變換連續光成為諸如閃爍之間歇光的盤狀物一般係稱為斬光盤。

在此實施例模式中，傳送至斬光葉片1116的雷射光束係僅當穿過切除自該斬光葉片1116之扇狀物形狀的部分時才會發出至即將被照射的實體1111；然後，藉由以雷射光束之照射，可將複數個接觸孔形成於即將被照射的實體1111之中。相反地，當雷射光束傳送至除了該扇狀物形狀的部分之外的部分時，雷射光束會被吸收於葉片部分中且並不會被傳送至即將被照射的實體1111。

大致地，在其中以線性光束來連續照射罩幕的情況中，當固定罩幕之位置且僅移動即將被照射的實體時，將形成沿著即將被照射的實體之移動方向的線性開口，而取代具有與形成於罩幕中之孔約略相同大小的孔；因此，在其中以線性光束來連續照射罩幕的情況中，該罩幕和即將被照射的實體必須一起移動。

然而，藉由使用此實施例模式中之斬光葉片，可將連續光變換成為間歇光；因此，即使在以雷射光束來連續照射罩幕的情況中，當固定罩幕且僅移動即將被照射的實體1111時，可形成各自具有與罩幕中之孔相同或約略相同之直徑的接觸孔於即將被照射之實體的複數個位置中；因而，可降低罩幕的大小。注意的是，在罩幕1110和斬光葉片1116之材料上並無特別的限制，只要是不會透射雷射光束之材料即可。

隨後，以恆定的速定來轉移該轉移機構1112於第7圖中之粗體箭頭所示的方向中，且藉以全盤地執行雷射照射至即將被照射的實體1111。在此實施例模式中，該轉移機構1112係XY台，以及具有以X軸或Y軸方向移動的機構；該轉移機構1112亦可具有旋轉的機構。注意的是，在此實施例模式中，即將被照射之實體係由順序堆疊光吸收層和光透射層於基板上所形成。

在此實施例模式中，可同時傳送線性光束至形成於罩幕1110中之複數個孔之內，藉以透過該罩幕來分束該線性光束成為複數個雷射光束；然後，可以以該等雷射光束來同時地照射即將被照射之實體1111的複數個部分。因此，藉由使用此實施例模式之雷射設備照射設備而以雷射光束來照射即將被照射的實體1111的表面，可同時形成複數個接觸孔於即將被照射的實體1111之中，而無需使用複雜的光微影術方法。此外，藉由使用斬光盤，可控制雷射光束照射的時間；因此，例如在其中連續形成對齊之接觸孔於整個基板中的情況之中，則僅需製備其中形成一行對齊之孔的罩幕，而使罩幕大小降低。

(實施例模式4)

針對當複數個接觸孔係由使用線性光束之雷射燒蝕所同時形成時之可使用以分束線性光束成為複數個光束的罩幕，可使用與實施例模式1至3中所述之結構不同的各式各樣的結構。在此實施例模式中，將參照圖式來敍述可使用以分束線性光束成為複數個光束之罩幕的實例。注意的是，可適當地使用此實施例模式中所述的罩幕來取代實施例模式1至3之任一實施例模式中所述的罩幕。

做為此實施例模式之罩幕，可使用第8A圖中所示之二元罩幕121a。該二元罩幕121a係由選擇性地形成吸收光之光遮蔽層123於具有光透射性質之基板122上所獲得，其中該光遮蔽層123係由鉻、氧化鉻、或其類似物所形成，以及該基板122係由石英或其類似物所形成。該二元罩幕121a可在除了其中形成光遮蔽層123於該處的地區之外的地區中透射光。

進一步地，當傳送至光遮蔽層123之雷射光束的能量高時，較佳的是，形成反射層124於具有光透射性質之基板122與光遮蔽層123之間，如第8B圖中所示。藉由提供該反射層124，可降低吸收於光遮蔽層中之雷射光束的光量；因此，可防止由於吸收雷射光束104所產生之能量轉換成為熱量及由於該熱量所造成之光遮蔽層圖案的變形。

注意的是，做為反射層124，可使用電介質反射鏡或具有反射率之層，該電介質反射鏡對應於其中交替地設置具有不同折射係數之兩種透明絕緣層的堆疊。在該情況中，當該兩種透明絕緣層之折射係數愈高或層的數目愈大時，將愈改善反射效率。注意的是，針對該電介質反射鏡，可依據照射之雷射光束的波長而適當地選擇；例如，做為反射可見光之電介質反射鏡的堆疊層結構，可使用二氧化鈦和二氧化矽的堆疊層結構、硫化鋅和氟化鎂的堆疊層結構、以及非晶矽和氮化矽的堆疊層結構、或其類似之堆疊層結構。

選擇性地，可使用由鋁、金、銀、鎳、或其類似物所形成之層來做為反射層；進一步地，可堆疊該電介質反射鏡和該反射層。

藉由使用該二元罩幕，可將線性光束分束成為複數個雷射光束；因此，可同時地以該等雷射光束來照射即將被照射之實體的複數個部分。

選擇性地，可使用相移罩幕來做為此實施例模式之罩幕。藉由該相移罩幕，可形成典型地具有窄的寬度之層或具有窄的寬度和短的長度之層的精密形狀。

做為該相移罩幕，例如可使用李文遜(Levenson)相移罩幕。李文遜相移罩幕表示具有週期性之許多精密的凸出物及凹處於基板表面上之罩幕，例如相移罩幕131；藉由該等凸出物及凹處，可調變透射穿過該相移罩幕之雷射光束的相位且部分地造成湮沒干涉，藉以可週期性地調變雷射光束的強度。此處，該等凸出物及凹處係設置使得相互鄰接之凹度與凸度間的相位差為180度；因此，如第9B圖中所示，180度的差異係產生於相位132之間。此將干涉透射該相移罩幕131之雷射光束，且因而形成具有第9C圖中所示之強度分佈133的雷射光束。

如第9A圖中所示，絕緣層722及光吸收層721係以第9C圖中所示的雷射光束來照射；因此，可充分地保持差異於其中在光吸收層中吸收雷射光束的地區與其中在光吸收層中並不吸收雷射光束的地區之間。因此，如第9D圖中所示地，可同時形成複數個開口在形成於基板720上的光吸收層721及絕緣層722之中。

注意的是，其中雷射光束的相位差係由形成凸出物和凹處於具有光透射性質的基板之表面上的模式係顯示於第9A至9D圖之中，可使用藉由使用光遮蔽層及相移器材料來產生雷射光束的相位差之相移罩幕來取代此模式。選擇性地，可結合地使用二元罩幕和相移罩幕。

接著，將敍述半色調相移罩幕以做為另一相移罩幕。

如第10A圖中所示，針對半色調相移罩幕160，選擇性地形成半透射性之相移器材料162於具有光透射性質之基板122上以取代光遮蔽層，其中該基板122係由石英或其類似物所形成。關於該情況中之雷射光束振幅分佈163，透射穿過相移器材料162之光的相位係相對於透射穿過除了其中未設置相移器材料162之地區外的地區之光的相位而反轉，如第10B圖中所示，因此，雷射光束強度分佈164會陡峭地增加於相移器材料162之介面，如第10C圖中所示。

光吸收層103係以具有第10C圖中所示之強度分佈的雷射光束來照射。因此，可充分地保持差異於其中在光吸收層中吸收雷射光束的地區與其中在光吸收層中並不吸收雷射光束的地區之間。因此，如第10D圖中所示地，可形成具有極窄寬度之開口在形成於基板720上的光吸收層721及絕緣層723之中。

做為此實施例模式之罩幕，可使用具有具備曲率至少在頂部部分之週邊，較佳地具備就整體而言類似於凸透鏡之半球面形狀之微透鏡、微透鏡陣列、或其類似物的罩幕。在第11A及11B圖之中，將敍述具有微透鏡陣列之罩幕。

微透鏡陣列係形成於罩幕171的表面上；此外，在並不需要以雷射光束來照射的地區中，設置光遮蔽層173。注意的是，該光遮蔽層173可以由相同於第8B圖中所示之反射層124的材料所形成。

如第11A圖中所示，光吸收層721係以雷射光束104透過罩幕171及具有光透射性質之絕緣層722來照射，該雷射光束104係部分地由光遮蔽層173所遮罩。光係由微透鏡陣列之各個透鏡所聚光；因此，該光吸收層721係選擇性地以被聚光之雷射光束104來照射。

因而，如第11B圖中所示，可形成精密的開口在形成於基板720上之光吸收層721和絕緣層722之中。

注意的是，微透鏡可由選擇性地排放及烘乾透明組成物而形成於透明基板上，以取代微透鏡陣列。此一微透鏡可使用聚亞醯胺、丙烯酸、乙酸乙烯脂樹脂、聚乙烯縮醛、聚苯乙烯、AS樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚丙烯、聚碳酸酯、賽璐珞、乙醋纖維素塑膠、聚乙烯、甲基戊烯樹脂、氯乙烯樹脂、聚酯樹脂、尿醛樹脂、或其類似物而形成。選擇性地，可使用PSG(磷矽酸鹽玻璃)、BPSG(硼磷矽酸鹽玻璃)、矽酸鹽為基之SOG(旋塗玻璃)、聚矽氮烷為基之SOG、烴基矽酸鹽為基之SOG、以及由聚甲基矽氧烷所代表之包含Si－CH₃ 鍵的SiO₂ 。

藉由使用此實施例模式中所述之罩幕來分束線性光束，可選擇性地同時形成複數個精密開口在形成於基板上的光吸收層之中；從而，可達成半導體裝置的小型化。

(實施例模式5)

在此實施例模式中，將藉由使用實施例模式1至4之任一實施例中所描述的雷射光束照射設備和雷射光束照射方法來說明顯示裝置的製造方法。

第12A圖係頂部平面視圖，顯示此實施例模式之顯示面板的結構，其中以矩陣來配置像素2702於該處之像素部分2701、掃描線輸入端子2703、及信號線輸入端子2704係形成於具有絕緣表面的基板2700之上。像素的數目可依據各式各樣的標準而設定：用於RGB全彩色顯示之XGA的像素數目可為1024×768×3(RGB)，用於RGB全彩色顯示之UXGA的像素數目可為1600×1200×3(RGB)，以及對應於RGB全彩色顯示之全亮點高可見的像素數目可為1920×1080×3(RGB)。

延伸自掃描線輸入端子2703之掃描線與延伸自信號線輸入端子2704之信號線相交，使得可以以矩陣來配置像素2702。該等像素2702的各個像素設置有開關元件以及連接至該開關元件之像素電極。該開關元件的典型實例為TFT，該TFT之閘極電極側係連接至掃描線，以及其源極或汲極側係連接至信號線，使得各個像素可由外部所輸入之信號來加以獨立地控制。

第12A圖顯示其中輸入至掃描線及信號線之信號係由外部驅動器電路所控制之顯示面板的結構。選擇性地，驅動器IC2751可由COG(晶片在玻璃上)法而安裝於基板2700上，如第12A圖中所示。選擇性地，可使用如第12B圖中所示之TAB(卷帶自動接合)法來做為另一個實施例模式。該等驅動器IC可為形成於單晶半導體基板上之IC，或可為各自使用TFT而形成於玻璃基板上之電路。在第12A及12B圖中，各個驅動器IC2751係連接至FPC2750。進一步地，在其中設置於像素中之TFT係使用具有高結晶度之多晶(微晶)半導體所形成的情況中，可將掃描線驅動器電路形成於基板上。在其中設置於像素中之TFT係使用具有高遷移率之多晶(微晶)半導體、單晶半導體、或其類似物所形成的情況中，可將掃描線驅動器電路及信號線驅動器電路形成於一基板上。

接著，將參照第13A至20B圖來敍述具有反轉交錯之薄膜電晶體之顯示裝置的製造方法，第13A、14A、15A、16A、17A、18A、及19A圖係各自顯示該顯示裝置之像素部分的頂部平面視圖，第13B、14B、15B、16B、17B、18B、及19B圖係各自取沿著第13A、14A、15A、16A、17A、18A、及19A圖中之點虛線A－C的橫剖面視圖，第13C、14C、15C、16C、17C、18C、及19C圖係各自取沿著第13A、14A、15A、16A、17A、18A、及19A圖中之點虛線B－D的橫剖面視圖。第20A及20B圖係該顯示裝置之橫剖面視圖。

做為基板100，可使用由鋇硼矽酸鹽玻璃，鋁硼矽酸鹽玻璃，或其類似物所製成的玻璃基板；石英基板；金屬基板；或具有可耐受此製造方法之過程溫度之熱阻的塑膠基板。該基板100可由CMP法或其類似方法所拋光，以致使平坦化。絕緣層可形於基板100之上，該絕緣層可使用含有矽之氧化物材料或含有矽之氮化物材料而由諸如CVD法、電漿CVD法、濺鍍法、及旋轉塗佈法之各式各樣方法來形成具有單層或堆疊層之結構。可無需一定要此絕緣層；然而，此絕緣層具有阻擋來自基板100之污染物質及其類似物質的有利效應。

導電膜係形成於基板100之上，該導電膜可由濺鍍法、PVD(物理氣相沈積)法、CVD(化學氣相沈積)法(例如低壓CVD(LPCVD)法或電漿CVD法)、或類似方所形成。該導電膜可使用選擇自Ag、Au、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、Ta、W、Ti、Mo、Al、及Cu之元素，或含有上述元素之任一元素來做為其主要成份的合金材料或化合物材料所形成。選擇性地，可使用由摻雜有諸如磷之多晶矽膜所代表的半導體膜，或AgPdCu合金。選擇性地，可使用單層結構或包含複數個層之結構，例如可使用氮化鎢膜和鉬(Mo)膜之雙層結構，或其中依序堆疊具有50nm厚度之鎢膜、具有500nm厚度之鋁和矽的合金膜、及具有30nm厚度之氮化鈦膜的三層結構。在該三層結構的情況中，可使用氮化鎢膜來取代第一導電膜之鎢，可使用鋁和鈦的合金膜來取代第二導電膜之鋁和矽的合金膜，以及可使用鈦膜來取代第三導電膜之氮化鈦膜。

在此實施例模式中，閘極電極層係由選擇性地排放組成物所形成；因此，選擇性地形成閘極電極層可達成使處理步驟簡化之功效。

此實施例模式具有特徴在於，用以自液滴排放設備之排放出口來排放組成物的方法係根據其中形成導電層於該處的地區之大小及形狀而變化。對應於形成在相當寬的區域中之閘極導線的閘極電極層104(104a及104b)係由連續地自液滴排放設備136a及136b來排放組成物所形成，如第13B圖中所示；相反地，形成於相當小的區域中之閘極電極層105(105a及105b)係由自液滴排放設備137a及137b來滴下組成物所形成，如第13B及13C圖中所示。因此，用以排放液體組成物的方法可根據即將被形成之圖案而變化。

閘極電極層104(104a及104b)及閘極電極層105(105a及105b)可由選擇自Ag、Au、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、Ta、W、Ti、Mo、Al、及Cu之元素，或含有上述元素之任一元素來做為其主要成份的合金材料或化合物材料所形成。選擇性地，可使用上述元素之任一元素的混合物。同時，不僅可使用單層結構，而且可使用包含兩層以上的結構。

注意的是，當必須處理閘極電極層104(104a及104b)以及閘極電極層105(105a及105b)的形狀時，可形成罩幕層且可由乾蝕刻法或濕蝕刻法來處理閘極電極層104(104a及104b)以及閘極電極層105(105a及105b)。可使用ICP(電感耦合電漿)蝕刻法，且藉由適當地調整蝕刻條件(施加至線圈電極的功率量、施加至基板側上之電極的功率量、在基板側上的電極溫度、及類似條件)，可蝕刻電極層成為錐體之形狀。應注意的是，可適當地使用由Cl₂ 、BCl₃ 、SiCl₄ 、或CCl₄ 所代表之以氯為基的氣體，由CF₄ 、SF₆ 、或NF₃ 所代表之以氟為基的氣體，或O₂ 來做為蝕刻氣體。

做為罩幕層，可使用諸如環氧樹脂、酚醛樹脂、酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂、三聚氰胺樹脂、或氨脲樹脂之樹脂材料。此外，該罩幕層可由使用諸如苯并環丁烯、聚對二甲苯、氟化芳香醚、或聚亞醯胺之具有光透射性質的有機材料；由矽氧烷為基之聚合物或類似物的聚合作用所形成之化合物材料；含有可水溶之純體聚合物及可水溶之共聚物的組成物材料；或其類似物的液滴排放法所形成。選擇性地，可使用含有光敏劑之商售光阻材料，例如可使用正光阻或負光阻材料。在使用任一材料中，可適當地調整材料之表面張力和黏度，例如藉由調整溶劑的濃度或藉由添加介面活性劑或其類似物。

接著，形成閘極絕緣層106於閘極電極層104a、104b、105a及105b之上(第14B及14C圖)，該閘極絕緣層106可由矽之氧化物材料、矽之氮化物材料、或其類似物所形成，且可使用單層或堆疊層之結構。在此實施例模式中，係使用氮化矽膜和氧化矽膜之雙層結構；選擇性地，可使用氮氧化矽膜之單層結構或三層以上的堆疊層結構；較佳地，係使用密質膜之氮化矽膜。當使用銀、銅、或其類似物於由滴注法所形成的導電層時，則藉由形成氮化矽膜或NiB膜於該處之上以做為障壁膜，可獲得其中可防止雜質擴散及使表面平坦化的有利效應。為了要在低的沈積溫度形成具有較少閘極漏電流的密質絕緣膜，可混合含有諸如氬氣之稀有氣體元素的反應氣體至絕緣膜之內。

接著，形成半導體層，具有一導電型之半導體層可視需要地形成。進一步地，可形成包含其中形成n型半導體層之n通道薄膜電晶體的NMOD結構、包含其中形成p型半導體層之p通道薄膜電晶體的PMOS結構、或包含n通道薄膜電晶體及p通道薄膜電晶體的CMOS結構。為了要給與導電性，可以以給與導電性之元素來摻雜半導體層以形成雜質區於該半導體層之中，使用n通道TFT及p通道TFT可予以形成。取代n型半導體層的形成，可以以PH₃ 氣體來執行電漿處理，使得可給與導電性至半導體層。

用以形成半導體層之材料可為由使用甲矽烷或四氫化鍺所代表之半導體材料氣體的氣相沈積法或濺鍍法所形成之非晶半導體(下文中亦稱為〝AS〞)、由使用光能或熱能之非晶半導體的結晶化所形成之多晶半導體、半非晶半導體(亦稱為微晶且在下文中亦稱為〝SAS〞)，或其類似物。該半導體層可由各式各樣的方法(濺鍍法、LPCVD法、電漿CVD法、及其類似方法)所形成。

SAS係具有中間結構於非晶結構與結晶結構(包含單晶及多晶)之間以及穩定於自由能量中之第三狀態的半導體；此外，SAS包含具有短距離之大小及晶格失真的結晶區，具有0.5至20nm直徑之晶體區可予以觀察於至少一部分的膜之中。在其中含有矽做為主要成份的情況中，喇曼光譜會頻移至比520cm^－1 更低的頻率側，可視為產生自矽晶格之(111)及(220)的繞射峰值係由X射線繞射所觀察，SAS含有至少1原子百分比以上的氫或鹵素用以終止懸浮鍵。SAS係由含有矽之氣體的輝光放電分解(電漿CVD)所形成，可使用含有矽、SiH₄ 、Si₂ H₆ 、SiH₂ Cl₂ 、SiHCl₃ 、SiCl₄ 、SiF₄ 、或其類似物之氣體。進一步地，可混合F₂ 或GeF₄ 。含有矽之氣體可以以H₂ 或H₂ 與選擇自He、Ar、Kr、及Ne之一或複數種稀有氣體元素來稀釋，稀釋比例為1：2或1：100，壓力約為0.1至133巴(Pa)，以及電源頻率為1至120MHz，較佳地，13至60MHz。用以加熱基板的溫度較佳地係300℃以下，且SAS可同樣地形成於100至200℃。此處，較佳的是，在沈積中做為膜內所主要獲得的雜質元素之諸如氧、氮、及碳的氛圍成份之雜質濃度為1×20²⁰ cm^－3 或更低。尤其，氧濃度較佳地為5×10¹⁹ cm^－3 或更低，且更佳地為1×20¹⁹ cm^－3 或更低。進一步地，當含有諸如氦、氬、氪、或氛之稀有氣體元素以進一步促進晶格失真時，可增強穩定性，且可獲得有利的SAS。此外，做為該半導體層，可將使用以氫為基之氣體所形成的SAS層堆疊於使用以氟為基之氣體所形成的SAS層之上。

做為非晶半導體的典型實例，可給與氫化非晶矽，以及做為結晶半導體的典型實例，可給與多晶矽或其類似物。多晶矽(多結晶矽)可為：所謂高溫多晶矽，係使用形成於800℃以上之處理溫度的多晶矽來做為主要材料所形成；所謂低溫多晶矽，係使用形成於600℃以下之處理溫度的多晶矽來做為主要材料所形成；由添加可促進結晶之元素所結晶的多晶矽；或其類似物。無庸置疑的是，可如上述地使用半非晶半導體或包含結晶相於其一部分中的半導體。

當使用結晶半導體層於該半導體層時，該結晶半導體層可由各式各樣的方法所形成(雷射結晶法、熱結晶法、使用諸如鎳之可促進結晶之元素的熱結晶法、及其類似方法)。進一步地，微晶半導體，亦即，SAS，可由雷射照射以增強結晶性而結晶化。在其中並未引入可促進結晶之元素之情況中，在以雷射光來照射非晶矽膜之前，可將該非晶矽膜在氮氛圍中加熱於500℃，1小時，以排放出氫氣，使得該非晶矽膜中的氫濃度為1×10²⁰ 原子/cm³ 以下；此係因為，若該非晶矽膜含有大量的氫時，非晶矽膜會由於雷射光束照射而破裂。

在用以引入金屬元素至非晶半導體層之內的方法上並無特別的限制，只要其係可用以引入金屬元素至非晶半導體層之表面或內部的方法即可。例如，可使用濺鍍法、CVD法、電漿處理法(包含電漿CVD法)、吸收法、或用以施加金屬鹽的溶液之方法。在該等方法中，使用溶液的方法係簡易且有利的，其中可易於控制金屬元素的濃度；此時，所企望的是，藉由UV光照射、熱氧化法、具有含氫氧基或過氧化氫之臭氧水或類似物以改善非晶半導體層表面之可濕性使得水溶液可擴散於該非晶半導體層的整個表面上之處理，以形成氧化膜於氧氛圍之中。

為了要使非晶半導體層結晶化，可結合地執行熱處理及雷射光照射，或可多次地執行熱處理及雷射光照射的其中之一。

進一步地，結晶半導體層可由電漿方法直接形成於基板上；選擇性地，該結晶半導體層可由線性電漿方法選擇性地形成於基板上。

半導體層可由有機半導體材料以印刷法、滴注法、噴灑法、旋塗法、液滴排放法、或類似法所形成。在此情況中，並不需要蝕刻步驟；因此，可減少步驟的數目。做為該有機半導體，可使用諸如五環素之低分子材料、高分子材料、有機染料、導電性高分子材料、或其類似物。做為使用於本發明中之有機半導體材料，所欲的是其骨架包含共軛的雙重鍵之π電子共軛高分子材料。典型地，可使用諸如聚噻吩、聚笏、聚(3－烷基噻吩)、聚噻吩衍生物、或五環素之可溶性高分子材料。

此外，做為可使用於本發明中之有機半導體材料，存在有可藉由執行形成可溶性先質之後的過程來形成半導體層的材料。注意的是，此一有機半導體材料可為聚噻吩乙烯、聚(2,5－噻吩乙烯)、聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚丙炔乙烯、或其類似物。

該先質不僅可由熱處理，而且可由添加諸如氯化氫氣體之反應觸媒而改變成為有機半導體。此外，做為用以溶解可溶性有機半導體材料的溶劑，可使用甲苯、二甲苯、氯苯、二氯苯、氯仿、二氯甲烷、γ乳酸丁酯、乙二醇單丁醚、環己烷、N－甲基－2－吡咯烷酮(NMP)、環己酮、2－丁酮、二氧六環、二甲基甲醯胺(DMF)、四氫呋喃(THF)、及其類似物。

半導體膜107及具有一導電型之半導體膜108係形成於閘極電極層106之上(第14B及14C圖)。在此實施例模式中，係形成非晶半導體層來做為半導體膜107及具有一導電型之半導體膜108。在此實施例模式中，含有給與n型導電性之雜質元素磷(P)之n型半導體膜係形成以做為具有一導電型之半導體膜，具有一導電型之半導體膜作用為源極區和汲極區。可視需要地形成具有一導電型之半導體膜，且可形成含有給與n型導電性之雜質元素(P或As)的n型半導體膜，或含有給與p型導電性之雜質元素(B)的p型半導體膜。

與閘極電極層104及105相似地，半導體膜107及具有一導電型之半導體膜108係使用罩幕層而形成為所欲的形狀。含有用以形成罩幕層之材料的組成物係由液滴排放設備110a及110b而排放至半導體膜107及具有一導電型之半導體膜108，藉以選擇性地形成罩幕層109a及109b(請參閱第14A至14C圖)。

該半導體膜107及具有一導電型之半導體膜108係使用罩幕109a及109b而處理，藉以形成半導體層111a及111b，以及具有一導電層之半導體層112a及112b(請參閱第15B及15C圖)。

接著，藉由使用實施例模式1至3之任一實施例模式中所描述之雷射光束照射設備，可形成開口114於部分之閘極絕緣層106中，使得可暴露出設置於下方層側上之部分的閘極電極層105a(第15B圖)。在此實施例模式中，閘極電極層105a係以雷射光而選擇性地自閘極電極層106側來照射，且接著，由照射能量使閘極電極層105a之部分的所照射之地區汽化；然後，可去除該閘極電極層105a之所照射地區上的閘極電極層106，以形成開口114。隨後，形成源極電極層或汲極電極層121於其中暴露閘極電極層105a於該處的開口114中，且使該閘極電極層105a與源極電極層或汲極電極層121可相互電性連接；該源極電極層或汲極電極層之一部分可形成電容器(請參閱第15A及15B圖)。

在此實施例模式中，源極電極層或汲極電極層係由選擇性地排放組成物所形成。因此，選擇性地形成源極電極層或汲極電極層可達成簡化處理步驟之功效。

此實施例模式具有特徵在於，用以自液滴排放設備之排放出口來排放組成物的方法係根據其中形成源極電極層或汲極電極層於該處的地區之大小及形狀而變化。對應於形成在相當寬的區域中之源極導線或汲極導線的源極電極層或汲極電極層120及122係由連續地自液滴排放設備116a及116b來排放組成物所形成，如第15B及15C圖中所示；相反地，形成於相當小的區域中之源極電極層或汲極電極層121及123係由自液滴排放設備117a及117b來間歇性地滴下組成物所形成，如第15B及15C圖中所示。因此，用以排放液體組成物的方法可根據即將被形成之圖案而變化。

做為用以形成源極電極層或汲極電極層120、源極電極層或汲極電極層121、源極電極層或汲極電極層122、及源極電極層或汲極電極層123的導電性材料，可使用含有諸如Ag(銀)、Au(金)、Cu(銅)、W(鎢)、或Al(鋁)之金屬的粒子以做為其主要成份的組成物。選擇性地，可使用具有光透射性質之銦錫氧化物(ITO)、含有氧化矽之銦錫氧化物(ITSO)、有機銦、有機錫、氧化鋅、氮化鈦、或其類似物。

此外，例如相較於由旋塗法或類似法而形成在整個表面上，藉由結合液滴排放法，可降低材料之損耗以及成本。依據本發明，即使當由於降低尺寸及使薄型化而以密質且複雜的方式來配置導線及其類似物時，該等導線及類似物可以以良好的附著性而穩定地形成。

進一步地，在此實施例模式中，當源極電極層或汲極電極層係由液滴排放法而形成為所欲的形狀時，具有不同之可濕生的區域可形成於其中即將形成源極電極層或汲極電極層於該處的地區及其週邊部分之中，以做為預處理。在本發明中，當諸如導電層、絕緣層、及罩幕層之組件係由液滴排放法來排放液滴所形成時，具有相對於用以形成該等組件之材料的低可濕性之地區及高可濕性之地區係形成於該等組件的形成區之中；因此，可控制該等組件的形狀。藉由在該等形成區中之此處理，可形成具有不同的可濕性之區域於形成區之中；因此，液滴僅留在具有高的可濕性之地區中，且該等組件可以以高的可控制性而形成為所欲的形狀。當使用液體材料時，可使用比步驟來做為任一組件的預處理(諸如絕緣層、導電層、罩幕層、或導電層)。

源極電極層或汲極電極層120亦作用為源極導線層，以及源極電極層或汲極電極層122亦作用為電源線。在形成源極電極層或汲極電極層120、121、122、及123之後，將半導體層111a及111b以及具有一導電型之半導體層112a及112b形成為所欲的形狀。在此實施例模式中，半導體層111a及111b以及具有一導電型之半導體層112a及112b係由使用源極電極層或汲極電極層120、121、122及123來做為罩幕之蝕刻法所處理，藉以形成半導體層118a及118b以及具有一導電型之半導體層119a、119b、119c、及119d(請參閱第16B及16C圖)。

透過上述方法，可形成反轉交錯之電晶體的電晶體124a及124b(如第16A至16C圖所示)。

接著，形成絕緣層126於閘極絕緣層106以及電晶體124a及124b之上(第17B及17C圖)。做為絕緣層126，可使用無機材料(諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或氧化氮化矽)、光敏或非光敏有機材料(諸如聚亞醯胺、丙烯酸、聚醯胺、聚亞醯胺醯胺、阻體、或苯并環丁烯之有機樹脂)、由一種或複數種低電介質常數材料所形成之膜、其堆疊層結構、或類似物。選擇性地，可使用矽氧烷材料。

開口125係形成於絕緣層126中(第17C圖)，在此實施例模式中，該開口125係使用實施例模式1至3之任一實施例模式中所述的雷射光束照射設備而形成。在此實施例模式中，源極電極層或汲極電極層123係以雷射光自絕緣層126側來選擇性地照射，藉以由照射能量使源極電極層或汲極電極層123之部分的所照射區域汽化。去除該源極電極層或汲極電極層123之所照射區域上的絕緣層126，形第一電極層於其中暴露源極電極層或汲極電極層123於該處之開口125中，以及可相互電性連接該源極電極層或汲極電極層123與第一電極層。

含有導電性材料之組成物係選擇性地排放至絕緣層126以形成第一電極層，當自基板100側來傳送光時，第一電極層可由使用含有銦錫氧化物(ITO)、含有氧化矽之銦錫氧化物(ITSO)、含有氧化鋅(ZnO)之銦鋅氧化物(IZO)(銦鋅氧化物))、氧化鋅(ZnO)、摻雜有鎵(Ga)之ZnO、氧化錫(SnO₂ )、或其類似物之組成物來形成預定的圖案，且烘乾該組成物所形成。

在此實施例模式中，該第一電極層係由選擇性地排放組成物所形成。在此一方式中，當選擇性地形成第一電極層時，可簡化該方法。

在此實施例模式中，第一電極層係透過至少兩步驟所形成。在此實施例模式中，第一電極層係使用第一導電層和第二導電層所形成。當形成第一電極層時，含有導電性材料之第一液體組成物係施加於所欲形成之圖案的外側(對應於圖案的輪廓或邊緣部分)，且藉以形成具有框架形狀之第一導電層。如第17A至17C圖中所示，具有框架形狀之第一導電層127(127a及127b)係由液滴排放設備128a及128b而形成於絕緣層126之上。

較佳的是，第一導電層為類似於框架之封閉區。接著，施加含有導電性材料之第二液體組成物，以致使充填具有框架形狀之第一導電層內部的空間，藉以形成第二電極層。如第18A至18C圖中所示，第二導電層129係由液滴排放設備130而形成於絕緣層126上之第一導電層127的框架內部。第一導電層127及第二導電層129係形成為彼此相互接觸，且第一導電層127係形成環繞該第二導電層129；因此，第一導電層127和第二導電層129可使用成為連續之第一電極層134(請參閱第19A至19C圖)。

當導電層或其類似物係使用液體組成物所形成時，即將形成之導電層的形狀會大大地受到組成物之黏度、固化中之乾燥化條件(諸如溫度或壓力)、相對於形成區之可濕性、及類似者所影響；因此，具有低的黏度或相對於形成區之高的可濕性，可散佈液體組成物於其中形成導電層或其類似物於該處之地區上。相反地，具有高的黏度或相對於形成區之低的可濕性，將存在有其中空隙(亦稱為針孔)和不均勻性會形成之導電層的表面之中或之上以及平坦性的位準會降低之問題。

因此，在本發明中，當決定其中形成導電層於該處之地區輪廓的第一導電層係由施加具有相當高的黏度及相對於形成區之低的可濕性之組成物所形成時，則變成所欲圖案之輪廓的側邊邊緣部分可以以高度可控制性來形成。當施加具有低的黏度及相對於形成區之高的可濕性之組成物於第一導電層的框架內部時，則由於產生於導電層的表面之中或之上的泡沫及其類似物之空隙、不均勻性、及類似者會降低，且可形成極為平坦和均勻的導電層。因此，藉由外側導電層和內側導電層之個別的形成，可以以高度可控制性來形成具有高位準之平坦性，低的缺陷，及所欲圖案的導電層。

第一導電層126可由CMP法或使用聚乙烯醇為基之多孔性材料所清潔及拋光，使得其表面平坦化。此外，在使用CMP法之拋光後，可使第一電極層126的表面接受紫外光照射、氧氣電漿處理、或其類似處理。

透過上述方法，可完成其中底部閘極TFT及第一電極層126相互連接於基板100上之用於顯示面板的TFT基板。在此實施例模式中之TFT為反轉交錯的TFT。

接著，選擇性地形成絕緣層131(亦稱為間壁)(第20A及20B圖)，該絕緣層131係形成以便具有開口部分於第一電極層126之上。在此實施例模式中，絕緣層131係形成於整個表面上且由使用諸如阻體之罩幕的蝕刻法所處理。當該絕緣層131係由可直接及選擇性地形成其之液滴排放法、印刷法、滴注法、或類似方法所形成時，則不一定需要藉由蝕刻法之處理。

絕緣層131可使用諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、或氮氧化鋁之無機絕緣材料；丙烯酸，甲基丙烯酸、或其衍生物；諸如聚亞醯胺、芳族聚醯胺、或聚苯并咪唑之熱阻高分子；在使用矽氧烷為基之材料做為起始材料所形成且含有矽、氧、及氫之化合物中，包含Si－O－Si鍵之無機矽氧烷的絕緣材料；或與矽鍵合之氫係以諸如甲基或苯基之有機基來替代之有機矽氧烷為基的絕緣材料而形成。選擇性地，可使用諸如丙烯酸或聚亞醯胺之光敏或非光敏材料。較佳的是，該絕緣層131係形成具有連續改變的曲率半徑，因為可改善即將形成於絕緣層131之上的電發光層132及第二電極層133的覆蓋性。

在由液滴排放法來排放組成物而形成絕緣層131之後，其表面可藉由以壓力來壓制而予以平坦化，以增強平坦性之位準。做為壓制之方法，可由輥形物體來掃描表面以降低該表面之凹度及凸度，或可由平板形物體來垂直地壓制該表面。選擇性地，在以溶劑或其類似物來軟化或溶化表面之後，可以以氣刀來去除該表面的凹度和凸度。選擇性地，可使用CMP法來拋光該表面，當表面由於液滴排放法而變成不均勻時，可使用此步驟來使表面平坦化。當藉由此步驟來增強平坦性的位準時，可防止顯示面板之不均勻的顯示，且因此，可顯示高清晰度的影像。

發光元件係形成於基板100之上，該基板100係用於顯示面板之TFT基板(請參閱第20A及20B圖)。

在形成發光元件中所包含之電發光層132之前，在大氣壓力中執行熱處理於200℃，以去除第一電極層134及絕緣層131中之水分或其表面上所吸收之水分。較佳地，在低壓之下執行熱處理於200至400℃，更佳地，在250至350℃，且持續地在低壓之下由真空蒸鍍法或液滴排放法來形成電發光層132，而無需暴露該基板於空氣。

做為電發光層132，發射出紅色(R)、綠色(G)、及藍色(B)之光的材料係由使用蒸鍍罩幕之蒸鍍法或其類似方法所選擇性地形成。選擇性地，發射出紅色(R)、綠色(G)、及藍色(B)之光的材料可與濾色片相似地由液滴排放法所形成(諸如低分子材料或高分子材料)，且因此，可分別地形成用於R，G，B之材料而無需使用罩幕，此係較佳的。形成第二電極層133於電發光層132之上，以及完成具有使用發光元件之顯示功能的顯示裝置。

雖然並未顯示於圖式中，但提供鈍化膜以便覆蓋第二電極層133係有效的。當形成顯示裝置時所提供的鈍化膜(保護膜)可具有單層結構或多層結構，該鈍化膜可使用含有氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO₂ )、氮氧化矽(SiON)、氧化氮化矽(SiNO)、氮化鋁(AlN)、氮氧化鋁(AlON)、含有比氧更多之氮的氧化氮化鋁(AlNO)、氧化鋁、似鑽石之碳(DLC)、或含氮之碳(CNx)之絕緣膜而以單層結構或多層結構所形成。例如，可使用含氮之碳(CNx)膜和氮化矽(SiN)膜之堆疊層，有機材料，或諸如苯乙烯聚合物之高分子的堆疊層。選擇性地，可使用矽氧烷材料。

在該情況中，較佳的是使用可提供有利之覆蓋性的膜來做為鈍化膜，且有效的是使用碳膜，尤其是DLC膜，來做為鈍化膜。DLC膜可在室溫至100℃的範圍中形成；因此，可易於以低的熱阻來將其形成於電發光層之上。DLC膜可由電漿CVD法(典型地，RF電漿CVD法，微波CVD法，電子迴旋加速器共振(ECR)CVD法，熱燈絲CVD法，或其類似方法)，燃燒火焰法，濺鍍法，離子束蒸鍍法，雷射蒸鍍法，或其類似方法所形成。做為沈積用之反應氣體，可使用氫氣及碳化氫為基之氣體(例如，CH₄ ，C₂ H₂ ，C₆ H₆ ，及其類似物)而由輝光放電所游離；然後，使離子加速以致使其衝擊施加負的自偏壓之陰極。進一步地，可使用C₂ H₄ 氣體及N₂ 氣體來做為反應氣體以形成CN膜。DLC膜具有對氧之高的阻隔效應；因此，可抑制電發光層的氧化。從而，可防止在隨後所執行之密封步驟期間之諸如電發光層氧化的問題。

形成密封材料，且使用密封基板來執行密封。隨後，可連接撓性導線板至閘極導電層，使得可獲得對外部部分之電性連接，該閘極導線層係形成以便電性連接至閘極電極層103。此亦應用於形成即將電性連接至源極電極層或亦係源極導電層或汲極電極層116的源極導電層。

在具有元件之基板100與密封基板之間的空間係以充填物來充填，且因而予以密封。可使用滴落法而取代以充填物來充填該空間，可充填諸如氮氣之惰性氣體以取代該充填物。此外，當設置乾燥劑於顯示裝置之中時，可防止發光元件中之由於水分的劣化；該乾燥劑可設置於密封基板側或具有元件之基板100側之上。選擇性地，可形成凹狀部分於其中在該處形成密封材料於基板中的地區之中，且可提供乾燥劑於該處。進一步地。當設置乾燥劑在對應於諸如驅動器電路區或密封基板之導線區之並未助成顯示的地區之位置之中時，即使該乾燥劑為不透明物質，亦不會減少孔徑比。該充填物可含有吸濕材料，且具有成為乾燥劑之功能；因此，完成具有使用發光元件之顯示功能的顯示裝置。

在此實施例模式中，開關TFT具有單一閘極的結構；然而，可替代地使用諸如雙重閘極結構之多重閘極的結構。當半導體層係由SAS或結晶半導體所形成時，雜質區可由添加給與一導電型之雜質所形成；在此情況中，半導體層可具有具備不同濃度之雜質區，例如通道區之附近及與閘極電極層重疊的地區可為低濃度雜質區，以及在該低濃度區的外側上之地區可為高濃度雜質區。

藉由本發明，無需使用包含用以形成接觸孔之許多步驟之複雜的光微影術方法；因此，可簡化該等步驟且可增加生產率。因而，可降低材料之損耗及成本。結果，可以以高的產能來製造出高性能及高度可靠的顯示裝置。

依據此實施例模式，線性光束係使用其中形成開口之罩幕所照射，因此，可在顯示面板的製造方法中有效率地形成接觸孔。例如，在全亮點高清晰度之面板的情況中，必須大約6.22百萬個接觸孔。依據此實施例模式，甚至在此一情況中，複數個接觸孔可由線性光束同時地形成，以致使生產率不會降低。進一步地，無需使用包含用以形成接觸孔之許多步驟之複雜的光微影術方法；因此，可簡化該等步驟。此外，因為無需使用大量的化學溶液，所以不必處置廢棄溶液；因此，可降低對環境之不利影響。

(實施例模式6)

在此實施例模式中，將敍述使用發光元件於顯示元件的發光顯示裝置，且將參照第21A及第21B圖來說明此實施例模式中之顯示裝置的製造方法。

做為具有絕緣表面之基板150上的基底膜，基底膜151a係使用氧化氮化矽膜而形成為10至200nm之厚度(較佳地，50至150nm)，以及基底膜151b係使用氮氧化矽膜而形成為50至200nm之厚度(較佳地，100至150nm)，其係由濺鍍法、PVD(物理氣相沈積)法、CVD(化學氣相沈積)法(諸如低壓CVD(LPCVD)法或電漿CVD法所形成。選擇性地，可使用丙烯酸，甲基丙烯酸、或其衍生物；諸如聚亞醯胺、芳族聚醯胺、或聚苯并咪唑之熱阻高分子；或矽氧烷樹脂，可使用諸如例如聚乙烯醇或聚乙烯醇縮丁醛之乙烯樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂、三聚氰胺樹脂、及氨脲樹脂之其他樹脂材料。選擇性地，可使用諸如苯環丁烯、聚對二甲苯、氟化芳香醚、或聚亞醯胺之有機材料，或含有可水溶之純體聚合物及可水溶之共聚物的組成物材料。進一步選擇性地，可使用諸如可光硬化之聚苯并噁咪的噁唑樹脂。

選擇性地，可使用液滴排放法，印刷法(可形成圖案之方法，諸如網版印刷法或平版印刷法)，諸如旋塗法、滴落法、滴注法、或類似方法之塗佈法。在此實施例模式之中，基底膜151a及151b係由電漿CVD法所形成。做為基板150，可使用玻璃基板、石英基板、矽基板、或具有絕緣膜形成於表面上之不鏽鋼基板。選擇性地，可使用具有能耐受此實施例模式中之處理溫度之熱阻的塑膠基板，或諸如膜的撓性基板。做為塑膠基板，可使用由PET(聚乙烯對苯二甲酯)、PEN(聚乙烯萘二甲酸酯)、或PES(聚醚碸)。做為撓性基板，可使用諸如丙烯酸之合成樹脂。因為在此實施例模式中所製造的顯示裝置具有其中光係透過基板150而自發光元件來提取之結構，所以基板150必須具有光透射之性質。

做為基底膜，可使用氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化氮化矽、或其類似物；而且，可使用單層結構或包含二或三層之堆疊層的結構。

接著，形成半導體膜於該基底膜之上，該半導體膜可由各式各樣的方法(諸如濺鍍法、LPCVD法、及電漿CVD法)而形成為25至200nm的厚度(較佳地，30至150nm)。在此實施例模式之中，較佳的是使用結晶半導體層，該結晶半導體層係由雷射以使非晶半導體膜結晶化所獲得。

如上述所獲得的半導體膜可摻雜有微量的雜質元素(硼或磷)，以使控制薄膜電晶體的臨限電壓；此一以雜質元素之雜質可在結晶化步驟之前被執行至非晶半導體膜。當以雜質元素來摻雜非晶半導體膜且然後使接受熱處理而結晶時，亦可執行雜質元素的活化。此外，可改善在摻雜法或類似方法中所造成的缺陷。

接著，由蝕刻法來處理該結晶半導體膜成為所欲的形狀，使得形成半導體層。

關於蝕刻方法，可使用電漿蝕刻法(乾蝕刻法)或濕蝕刻法。在處理大的基板的情況中，電漿蝕刻法係合適的。做為蝕刻氣體，係使用諸如CF₄ 或NF₃ 之以氟為基的氣體或諸如Cl₂ 或BCl₃ 之以氯為基的氣體，且可適宜地添加諸如He或Ar之惰性氣體至該蝕刻氣體。當採用使用氛圍放電之蝕刻方法時，局部放電方法亦係可行的，且無需在基板的全部表面上形成導電層。

在本發明中，用以形成導電層或電極層之導電層、用以形成預定圖案之罩幕層，及其類似物可由諸如液滴排放法之可選擇性地形成圖案的方法所形成。藉由液滴排放(噴出)法(根據其系統，亦稱為噴墨法)，針對特殊目的所混合之組成物的液滴係選擇性地排放(噴出)以形成預定的圖案(諸如導電層或絕緣層)。此時，可執行處理於形成區之上，以控制可濕性或黏著性。選擇性地，可使用可轉移或繪製圖案之方法，例如印刷法(諸如網版印刷法或平版印刷法之用以形成圖案的方法)、滴注法、或其類似方法。在此實施例模式中，閘極電極層、半導體層、源極電極層、汲極電極層、及其類似物可使用由實施例模式1中所述之液滴排放法或類似方法在複數個步驟中選擇性地及精確地所形成之導電層或半導體層來予以形成。從而，可簡化該方法且可防止材料之損耗；因此，可降低成本。

在此實施例模式中，可使用諸如環氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、酚醛清漆樹脂、三聚氰胺樹脂、或氨脲樹脂之樹脂材料來做為罩幕。選擇性地，可使用諸如苯并環丁烯、聚對二甲苯、氟化芳香醚、或聚亞醯胺之具有光透射性質的有機材料；由矽氧烷為基之聚合物或類似物的聚合作用所形成之化合物材料；含有可水溶之純體聚合物及可水溶之共聚物的組成物材料；或其類似物。進一步選擇性地，亦可使用含有光敏劑之商售光阻材料，例如可使用正光阻或負光阻材料。液滴排放法可由任一材料所使用，且可適當地調整材料的表面張力和黏度，例如藉由調整溶劑的濃度或藉由添加介面活性劑或其類似物。

形成覆蓋半導體層之閘極絕緣層，該閘極絕緣層係使用含有矽的絕緣膜，而由電漿CVD法、濺鍍法、或類似方法而形成為10至150nm。該閘極絕緣層可使用由氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、及氧化氮化矽所代表之諸如矽之氧化物材料或氮化物材料之材料所形成，且可為堆疊層或單一層。例如，該絕緣層可具有包含氮化矽膜、氧化矽膜、及氮化矽膜之三層的堆疊層結構，或氮氧化矽膜之單層結構或兩層之堆疊層結構。

接著，形成閘極電極層於閘極絕緣層之上，該閘極電極層可由濺鍍法、蒸鍍去、CVD法、或其類似方法所形成。該閘極電極層可使用選擇自鉭鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)、及釹(Nd)之元素，或含有該等元素做其主要成份之合金材料或化合物材料所形成。選擇性地，做為該閘極電極層，可使用由摻雜有諸如磷之雜質元素的多晶矽膜所代表的半導體膜或AgPdCu合金。該閘極電極層可具有單層結構或堆疊層結構。

在此實施例模式中，該閘極電極層係形成為錐體之形狀，但本發明並未受限於此。該閘極電極層可具有堆疊層結構，其中在該處僅一層具有錐體之形狀，而其他層則由各向異性蝕刻法來給與垂直之側表面。例如在此實施例模式中，錐體之角度可相異於該等堆疊的閘極電極層之間，或可為相同。由於該錐體的形狀，可改善堆疊於該處之上的膜之覆蓋性以及可降低缺陷；因此，可增強可靠性。

該閘極電極層可由用以形成閘極電極層之蝕刻步驟來蝕刻至某一程度且在厚度上予以縮減(所謂膜縮減)。

雜質元素被添加至半導體層以形成雜質區，該雜質區可由控制雜質元素的濃度而形成為高濃度雜質區及低濃度雜質區，具有低濃度雜質區之薄膜電晶體係稱為具有LDD(輕摻雜之汲極)結構的薄膜電晶體。此外，可形成低濃度雜質區以便與閘極電極重疊，此一薄膜電晶體稱為具有GOLD(閘極重疊之LDD)結構。薄膜電晶體之極性係由添加磷(P)或類似物至其雜質區而作成n型，在形成p通道薄膜電晶體的情況中，可添加硼(B)或類似物。

在此實施例模式中，以閘極絕緣層來插入其間而與閘極電極層重疊之雜質區的地區係表示為Lov區；此外，並未以閘極絕緣層插入其間來與閘極電極層重疊之雜質區的地區係表示為Loff區。在第21B圖之中，該等雜質區係由影線及空白所示，此並不意謂該空白未摻雜有雜質元素，而是使易於瞭解該等雜質區中之雜質元素的濃度分佈所反映出之罩幕和摻雜條件。應注意的是，此亦應用於此說明書中之其他圖式。

為了要使雜質元素活化，可執行熱處理、密集的光照射，或雷射光束照射。在與該活化之同時，可改善電漿對於閘極絕緣層及對於閘極絕緣層與半導體層間之介面的破壞。

接著，形成覆蓋閘極電極層及閘極絕緣層的第一層間絕緣層。在此實施例模式中，係使用絕緣層167及168的堆疊層結構，可由濺鍍法或電漿CVD法來形成氮化矽膜、氧化氮化矽膜、氮氧化矽膜、氧化矽膜、或其類似物來做為絕緣膜167及168。選擇性地，可使用含有矽之其他的絕緣層以成為單層或包含三或更多層之堆疊層結構。

進一步地，熱處理係以300至550℃而執行於氮氛圍中1至12小時；較佳地，此熱處理係執行於400至500℃。在此步驟中，係由層間絕緣層之絕緣膜167中所含的氫來終止半導體層中之懸浮鍵。在此實施例模式中，熱處理係執行於410℃。

該等絕緣膜167及168可使用選擇自氮化鋁(AlN)、氮氧化鋁(AlON)、含有比氧更多之氮的氧化氮化鋁(AlNO)、氧化鋁、似鑽石之碳(DLC)、含氮之碳(CN)、聚矽氮烷之材料，及含有無機絕緣材料之其他物質而形成。可使用含有矽氧烷之材料。選擇性地，可使用諸如聚亞醯胺、芳族聚醯胺、聚亞醯胺醯胺、阻體、或苯并環丁烯之有機絕緣材料。進一步選擇性地，可使用噁唑樹脂，且例如，可使用可光硬化之聚苯并噁唑或其類似物。

接著，到達半導體層之接觸孔(開口)係由使用阻體所形成之罩幕而形成於絕緣膜167及168以及閘極絕緣層之中。導電膜係形成以便覆蓋該開口，且蝕刻以致使形成電性連接至部分之源極區或汲極區的源極電極層或汲極電極層。為了要形成源極電極層或汲極電極層，導電膜係由PVD法、CVD法、蒸鍍法、或類似方法所形成，且然後，將該導電膜蝕刻以具有所欲的形狀。選擇性地，導電層可由液滴排放法、印刷法、滴注法、電解電鍍法、或類似方法而選擇性地形成於預定位置中。選擇性地，可使用回流方法或鑲嵌方法。該源極電極層或汲極電極層係由諸如Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、或Ba之金屬，或上述材料之任一材料的合金或金屬氮化物所形成。選擇性地，可使用該等材料之任一材料的堆疊層結構。

在此實施例模式中，包含於顯示裝置中之閘極電極層、半導體層、源極電極層、汲極電極層、導電層、及其類似物可由複數個步驟而排放包含形成材料之液體組成物所形成。例如，框架形狀之第一導電層係由第一排放步驟沿著導電層圖案之輪廓所形成，以及第二導電層係由第二排放步驟所形成，以便充填該第一導電層之框架。在該情況中，當決定其中形成導電層(絕緣層)之地區輪廓的第一導電層(絕緣層)係由施加具有相當高的黏度及相對於形成區之低的可濕性之組成物所形成時，則可以以高度的可控制性來形成將變成所欲圖案之輪廓的側邊邊緣部分。當施加具有低的黏度及相對於形區之高的可濕性之液體組成物於第一導電層(絕緣層)之框架內部時，可降低由於導電層之中或之上所產生之泡沫及類似物所造成的空隙、不均勻、及其類似物，且可形成具有高度平坦性及均勻的導電層(絕緣層)。因此，藉由分別形成導電層(絕緣層)之外側和內側，可以以高度的可控制性來形成具有高位準之平坦性、更少的缺陷、及所欲之圖案的導電層(絕緣層)。

透過上述步驟，可製造主動矩陣基板，其中具有p型雜質區於Lov區之中的p通道薄膜電晶體285，及具有n型雜質區於Lov區之中的n通道薄膜電晶體275係設置於週邊驅動器電路區204之中；以及具有n型雜質區於Loff區之中的多重通道型n通道薄膜電晶體265，及具有p型雜質區於Lov區之中的p通道薄膜電晶體255係設置於像素區206之中。

在該像素區中之薄膜電晶體的結構並未受限於此實施例模式之結構，可使用其中形成一個通道形成區之單一閘極的結構，其中形成兩個通道形區之雙重閘極的結構，或其中形成三個通道形成區之三重閘極的結構。此外，在週邊驅動器電路中之薄膜電晶體亦可使用單一閘極結構，雙重閘極結構，或三重閘極結構。

接著，形成絕緣膜181以做為第二層間絕緣層。在第21A及21B圖中，設置藉由劃線所分離之分離區201，附著EPC之外部端子連接區202，用於週邊部分之引線區的導線區203，週邊驅動器電路區204，及像素區206。導線179a及179b係設置於導線區203之中，以及連接到外部端子之端子電極層178係設置於外部端子連接區202之中。

絕緣膜181可使用選擇自氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化氮化矽、氮化鋁(AlN)、含有氮之氧化鋁(亦稱為氮氧化鋁)(AlON)、含有氧之氮化鋁(亦稱為氧化氮化鋁)(AlNO)、氧化鋁、似鑽石之碳(DLC)、含氮之碳(CN)、PSG(磷矽酸鹽玻璃)、BPSG(硼磷矽酸鹽玻璃)、鋁土、及含有無機絕緣材料之其他物質。亦可使用矽氧烷樹脂。選擇性地，可使用諸如聚亞醯胺、丙烯酸、聚醯胺、聚亞醯胺醯胺、阻體、苯并環丁烯、聚矽氮烷、或低電介質常數材料(低k材料)之光敏或非光敏的有機絕緣材料。進一步選擇性地，可使用噁唑樹脂，例如可使用可光硬化之聚苯并噁唑或其類似物。必須的是，設置用於平坦化之層間絕緣層具有高的熱阻、高的絕緣性質、及高的平坦性位準；因此，該絕緣膜181較佳地係由旋塗法所代表的塗佈法所形成。

該絕緣膜181可由浸漬法，噴霧法，手術刀，輥塗佈器，簾幕塗佈器，刀塗佈器，CVD法，蒸鍍法，或類似者所形成。取代地，該絕緣膜181可由液滴排放法所形成。在該液滴排放法的情況中，可節省材料溶液。選擇性地，相似於液滴排放法之可轉移或繪製圖案的方法，例如可使用印刷法(諸如網版印刷法或平版印刷法之用以形成圖案的方法)、滴注法、或其類似方法。

微小的開口，亦即，接觸孔，係形成於像素區206中之絕緣膜181中，源極電極層或汲極電極層係透過形成於該絕緣膜181中之開口而電性連接至第一電極層185。在該絕緣膜181中所形成的開口可由雷射光之照射所形成，如實施例模式1至4中所示。在此實施例模式中，源極電極層或汲極電極層係使用相當易於汽化之低熔點金屬而形成(在此實施例模式中之鉻)，該源極電極層或汲極電極層係以雷射光自絕緣膜181側來選擇性地照射，且然後，部分之源極電極層或汲極電極層的所照射地區由照射能量所汽化。去除源極電極層或汲極電極層之照射區上的絕緣膜181以形成開口，第一電極層185係形成於其中暴露源極電極層或汲極電極層於該處的開口之中，且該源極電極層或汲極電極層與第一電極層185可相互電性連接。

第一電極層185作用為陽極或陰極，且可由主要含有選擇自Ti、Ni、W、Cr、Pt、Zn、Sn、In、及Mo之元素，或含有上述元素之任一元素來做為其主要成份之合金材料或化合物材料，例如TiN、TiSi_x N_y 、WSi_x 、WN_x 、WSi_x N_y 、或NbN之膜；或其堆疊膜所形成，而具有100至800nm的總厚度。

在此實施例模式中，使用發光元件來做為顯示元件，且第一電極層185具有光透射性質，使得來自發光元件之光可自第一電極層185側來提取。該第一電極層185係使用蝕刻成為所欲形狀之透明導電膜所形成。

在本發明中，其係光透射電極層之第一電極層185可特定地使用由光透射導電材料所形成的透明導電膜而形成，且可使用含有氧化鎢之氧化銦、含有氧化鎢之銦鋅氧化物、含有氧化鈦之氧化銦、含有氧化鈦之銦錫氧化物、或其類似物。無庸置疑地，可取代地使用銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、添加有氧化矽之銦錫氧化物(ITSO)。

此外，甚至在諸如金屬膜之不具有光透射性質的材料之情況中，當厚度變薄(較佳地，大約5至30nm)使得可透射光時，則光可透過第一電極層185來傳送。做為可使用於第一電極層185之金屬薄膜，可使用由鈦、鎢、鎳、金、鉑、銀、鋁、鎂、鈣、鋰、或其合金或類似物所形成的導電膜。

第一電極層185可由蒸鍍法、濺鍍法、CVD法、印刷法、滴注法、液滴排放法、或類似方法所形成。在此實施例模式中，第一電極層185係由使用含有氧化鎢之銦鋅氧化物的濺鍍法所形成。較佳地，該第一電極層185係形成為100至800nm之總厚度。

第一電極層126可由CMP法或使用聚乙烯醇為基之多孔材料來予以清潔及拋光，以致使其表面平坦化。此外，在使用CMP法來拋光之後，可使第一電極層126接受紫外光照射、氧氣電漿處理、或類似物。

熱處理可在形成第一電極層185之後執行。藉由該熱處理，可排放第一電極層185中所含的水分；因此，除氣或類似法無需發生於該第一電極層185之中。所以，即使當形成易於由於水分而劣化的發光元件於第一電極層之上，該發光元件並不會劣化。因此，可製造出高度可靠的顯示裝置。

接著，形成覆蓋第一電極層185之邊緣及源極電極層或汲極電極層之絕緣層186(亦稱為隔板或障壁)。

該絕緣層186可使用氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化氮化矽、或其類似物而形成，且具有單層結構或二或三層之堆疊層結構。選擇性地，該絕緣膜186可使用選擇自氮化鋁，含有氧比氮更多之氮氧化鋁，含有氮比氧更多之氧化氮化鋁，氧化鋁，似鑽石之碳(DLC)，含氮之碳，聚矽氮烷，及含有無機絕緣材料之其他物質而形成。可使用含有矽氧烷之材料。選擇性地，可使用諸如聚亞醯胺、丙烯酸、聚醯胺、聚亞醯胺醯胺、阻體、或苯并環丁烯之其係光敏或非光敏的有機絕緣材料。進一步選擇性地，可使用噁唑樹脂，例如可用可光硬化之聚苯并噁唑或其類似物。

絕緣層186可由濺鍍法、PVD(物理氣相沈積)法、諸如低壓CVD(LPCVD)法或電漿CVD法CVD(化學氣相沈積)法、或其類似方法所形成。選擇性地，可使用可選擇性地形成圖案之液滴排放法，可轉移或繪製圖案之印刷法(諸如網版印刷法或平版印刷法之用以形成圖案的方法)，滴注法，諸如旋塗法、浸漬法、或類似方法之塗佈法。

關於用以處理成為所欲形狀之蝕刻方法，可使用電漿蝕刻法(乾蝕刻法)或濕蝕刻法。在處理大的基板之情況中，電漿蝕刻法係適宜的。做為蝕刻氣體，可使用諸如CF₄ 或NF₃ 之以氟為基的氣體或諸如Cl₂ 或BCl₂ 之以氯為基的氣體，可適當地添加諸如He或Ar之惰性氣體至該蝕刻氣體。當採用使用氛圍放電之蝕刻方法時，局部放電方法亦係可行的，且無需形成罩幕層於基板的整個表面之上。

在第21A圖中所示的連接區205中，由相同於第二電極層之材料以及以相同於第二電極層之步驟所形成的導線層係電性連接至由相同於閘極電極層之材料以及以相同於閘極電極層之步驟所形成的導電層。

發光層188係形成於第一電極層185之上，雖然在第21A及21B圖中僅顯示一像素，但在此實施例模式中，對應R(紅)、G(綠)、及B(藍)之電場電極層係分別地形成。

然後，設置由導電膜所形成之第二電極層189於發光層188之上。做為該第二電極層189，可使用Al、Ag、Li、Ca、或其合金或化合物，例如MgAg、MgIn、AlLi、或CaF₂ 或氮化鈣。因而，形成包含第一電極層185，發光層188，及第二電極層189之發光元件190(請參閱第21B圖)。

在第21A及21B圖中所示之此實施例模式的顯示裝置中，來自發光元件190的光係透過第一電極層185側而傳送，且以第21B圖中之箭頭所示的方向來透射。

在此實施例模式中，可設置絕緣層以做為第二電極層189上之鈍化膜(保護膜)，以此方式來提供鈍化膜以便覆蓋第二電極層189係有效的。該鈍化膜可使用含有氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、氧化氮化矽、氮化鋁、氮氧化鋁、含有氮化氧更多的氧化氮化鋁、氧化鋁、似鑽石之碳(DLC)、或含氮之碳所形成，且該絕緣膜可具有單層結構或堆疊層結構。選擇性地，可使用矽氧烷樹脂。

在該情況中，較佳的是使用可提供有利之覆蓋性的膜來做為鈍化膜，且有效的是使用碳膜，尤其是DLC膜，來做為鈍化膜。DLC膜可在室溫至100℃的範圍中形成；因此，亦可易於以低的熱阻來將其形成於電發光層之上。DLC膜可由電漿CVD法(典型地，RF電漿CVD法，微波CVD法，電子迴旋加速器共振(ECR)CVD法，熱燈絲CVD法，或其類似方法)，燃燒火焰法，濺鍍法，離子束蒸鍍法，雷射蒸鍍法，或其類似方法所形成。做為沈積用之反應氣體，可使用氫氣或碳化氫為基之氣體(例如，CH₄ ，C₂ H₂ ，C₆ H₆ ，及其類似物)而由輝光放電所游離；且使離子加速以致使其衝擊施加負的自偏壓之陰極。進一步地，可使用C₂ H₄ 氣體及N₂ 氣體來做為反應氣體以形成CN膜。DLC膜具有對氧之高的阻隔效應；因此，可抑制發光層188的氧化。從而，可防止在隨後所執行之密封步驟期間之諸如發光層188氧化的問題。

形成發光元件190於上之基板150與密封基板195係以密封材料192而相互堅固地附著，以致使密封發光元件(第21A及21B圖)。做為密封材料192，典型地，可較佳地使用可見光硬化樹脂，紫外光硬化樹脂，或熱硬化樹脂。例如，可使用雙酚A液體樹脂，雙酚A固體樹脂，含溴之環氧樹脂，雙酚F樹脂，雙酚AD樹脂，酚醛樹脂，甲酚樹脂，酚醛清漆樹脂，環脂族環氧樹脂，表(Epi)－雙(Bis)型環氧樹脂，縮水甘油酯型樹脂，以縮水甘油胺為基之樹脂，雜環環氧樹脂，改良環氧樹脂，或其類似物。應注意的是，由密封材料所包圍的地區可以以充填物193來充填，或可藉由在氮氛圍中密封而充填有氮或其類似物。因為在此實施例模式之中係使用底部發射類型，所以該充填物無需具有光透射性質。然而，在其中透過充填物193來提取光的情況中，該充填物則必須具有光透射性質；典型地，可使用可見光硬化環氧樹脂，紫外光硬化環氧樹脂，或熱硬化環氧樹脂。透過上述步驟，可完成具有使用此實施例模式之發光元件之顯示功能的顯示裝置。進一步地，該充填物可以以液體狀態來滴落，以充填顯示裝置。在使用諸如乾燥劑之吸濕物質來做為充填物的情況中，可達成進一步的水分吸收；因此，可防止元件之劣化。

乾燥劑係設置於EL顯示面板中，以防止由於元件中之水分而劣化。在此實施例模式中，乾燥劑係設置於形成在密封基板上之凹處部分中，以使包圍像素區，且因此，可使用薄的設計。進一步地，當亦形成乾燥劑於對應於閘極導線層之地區中以致使水分吸收區域增加時，則該EL顯示器可具有高的水分吸收性。此外，當形成乾燥劑於並非自行發光的閘極導線層之上時，並不會減低光提取效率。

在此實施例模式中，發光元件係由玻璃基板所密封。應注意的是，該密封處理係用以保護發光元件以免遭受水分之處理，且可使用由覆蓋材料來機械性地密封發光元件的方法、以熱硬化樹脂或紫外光硬化樹脂來密封發光元件的方法、及由諸如金屬氧化物膜或金屬氮化物膜之具有高度障壁性質之薄膜來密封發光元件的方法之其中任一方法。做為覆蓋材料，可使用玻璃、陶質物、塑膠、或金屬，且在其中光係傳送至覆蓋材料側之情況中，必須使用具有光透射性質之材料。該覆蓋材料與其上形成發光元件之基板係以諸如熱硬化樹脂或紫外光硬化樹脂而相互附著，且該樹脂係由熱處理或紫外光照射處理所硬化，以形成密封的空間。而且，提供由氧化鋇所代表之水分吸收材料於此密封的空間之中係有效的，此水分吸收材料可設置於密封材料之上且與該密封材料接觸，或可設置於隔板的週邊之上或之中以便不會遮蔽來自發光元件之光。進一步地，在該覆蓋材料與其上形成發光元件之基板間的空間可以以熱硬化樹脂或紫外光硬化樹脂來充填。在此情況中，添加由氧化鋇所代表之水分吸收材料於熱硬化樹脂或紫外光硬化樹脂之中係有效的。

此外，源極電極層或汲極電極層與第一電極層無需相互直接接觸以電性連接，它們可透過導線層而相互連接。

此外，在EL顯示模組中，自外部部分所進入之光的反射光可使用延遲板或偏光板來予以阻擋。在頂部發射顯示裝置中，做為隔板之絕緣層可著色而使用為黑色矩陣，此隔板可由液滴排放法或類似方法所形成，可將碳黑或其類似物混合進入即將被使用之顏料材料的黑色樹脂或諸如聚亞醯胺之樹脂材料之內，且取代地，可使用其堆疊層。藉由液滴排放法，可複數次地排放不同材料至相同的地區以形成隔板。可將四分之一波板或半波板使用做為延遲板，且可將其設計成為能控制光。做為該結構，係順序地形成發光元件、密封基板(密封材料)、延遲板(四分之一波板(λ/4)及半波板(λ/2))、及偏光板於TFT基板之上，以及自發光元件所傳送之光係穿過該處而透射出，且自偏光板側來傳送至外部部分。該延遲板或偏光板可設置於傳送光之一側，或在其中光自兩側傳送之雙重發射顯示裝置的情況中，可設置於兩側。此外，可將抗反射膜設置於偏光板之外側。因而，可顯示更高清晰度及精確的影像。

在此實施例模式中，端子電極層178係在外部端子連接區202之中以插入於該處之間的各向異性導電層196而連接至FPC194，且電性連接至外部部分。此外，如第21A圖之顯示裝置頂部平面視圖中所示，除了各自包含信號線驅動器電路之週邊驅動器電路區204和週邊驅動器電路區209外，在此實施例模式中所製造的顯示裝置包含各自包含掃描線驅動器電路之週邊驅動器電路區207和週邊驅動器電路區208。

諸如上述電路之電路係形成於此實施例模式中；然而，本發明並未受限於此。IC晶片可由上述COG法或TAB法而安裝成為週邊驅動器電路；進一步地，可提供一或複數個閘極線驅動器電路及源極線驅動器電路。

在本發明之顯示裝置中，並無特別的限制於影像顯示之驅動方法上，且例如，可使用點順序驅動法、線順序驅動法、框順序驅動法、或其類似方法。典型地，可使用線順序驅動法，且可適宜地使用分時灰階驅動法及區域灰階驅動法。進一步地，輸入至顯示裝置之源極線的視頻信號可為類比信號或數位信號，而驅動器電路及比類信號則可依據該視頻信號而適當地設計。

此外，用以輻射熱量至裝置的外部部分之散熱片及具有管狀形狀的高度有效率之熱傳導裝置的散熱管可設置接觸於或鄰接於形成TFT於上之基板，使得可增強熱輻射效應。

藉由本發明，在顯示裝置中所包含之諸如導線的組件可予以形成為所欲的形狀。此外，因為可減少複雜之光微影步驟的數目且可透過所簡化的方法來製造顯示裝置，所以可降低材料之損耗及成本；因此，可高產能地製造出高性能及高度可靠的顯示裝置。

(實施例模式7)

薄膜電晶體可由本發明所形成，且顯示裝置可使用該薄膜電晶體而形成。當使用發光元件以及使用n通道電晶體來做為用以驅動該發光元件的電晶體時，光係以以下方式自發光元件來傳送：底部發射、頂部發射、或雙重發射。此處，將參照第22A至22C圖來說明各個情況中之發光元件的堆疊層結構。

在此實施例模式中，係使用應用本發明之通道保護式薄膜電晶體464，471，及481。薄膜電晶體481係設置於光透射基板480之上，且包含閘極電極層493，閘極絕緣膜497，半導體層494，n型半導體層495a，n型半導體層495b，源極電極層或汲極電極層487a，源極電極層或汲極電極層487b，通道保護層496，絕緣層499，以及導線層498。

在此實施例模式中，包含於顯示裝置中之閘極電極層，半導體層，源極電極層，汲極電極層，導線層，第一電極層，或類似物可由複數個步驟來排放包含形成材料之液體組成物所形成。如實施例模式1中所述，框架形狀之第一導電層係由第一排放步驟沿著導電層之圖案輪廓所形成，以及第二導電層係由第二排放步驟所形成，以便充填第一導電層的框架。

因此，當決定其中形成導電層(絕緣層)之地區輪廓的第一導電層(絕緣層)係由施加具有相當高的黏度及相對於形成區之低的可濕性之組成物所形成時，則可以以高度的可控制性來形成將變成所欲圖案之輪廓的側邊邊緣部分。當施加具有低的黏度及相對於形成區之高的可濕性之液體組成物於第一導電層(絕緣層)之框架內部時，可降低由於導電層之中或之上所產生之泡沫及類似物所造成的空隙、不均勻、及其類似物，且可形成具有高度平坦性及均勻性的導電層(絕緣層)。因此，藉由分別形成導電層(絕緣層)之外側和內側，可以以高度的可控制性來形成具有高位準之平坦性、更少的缺陷、及所欲之圖案的導電層。從而，可簡化方法且可防止材料的損耗；因此，可降低成本。

在此實施例模式中，係使用非晶半導體層來做為半導體層；然而，本發明並未受限於此實施例模式，且可使用結晶半導體層來做為半導體層，以及可使用n型半導體層來做為具有一導電類型之半導體層。取代n型半導體層之形成，可由電漿處理以PH₃ 氣體來給與導電性至該導電層。當使用例如多晶矽之結晶半導體層時，並未形成具有一導電型之半導體層，而具有一導電型之雜質區可由引入(添加)雜質至該結晶半導體層而形成。選擇性地，可使用諸如五環素之有機半導體；當有機半導體係由液滴排放法或類似法所選擇性地形成時，可簡化該方法。

將敍述其中使用結晶半導體層來做為該半導體層的情況。首先，使非晶半導體層結晶化，以形成結晶半導體層。在結晶化之步驟中，係添加可促進結晶化之元素(亦稱觸媒元素或金屬元素)至非晶半導體層，且由熱處理來執行結晶化(在550至750℃，3分鐘至24小時)。做為促進矽之結晶化的金屬元素，可使用選擇自鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉑(Pt)、銅(Cu)、及金(Au)之一種或數數種金屬。

為了要自結晶半導體層來去除促進結晶化之元素，或降低該結晶半導體層中之促進結晶化的元素數量，係形成含有雜質元素的半導體層以與該結晶半導體層接觸，且使作用為吸氣槽。做為雜質元素，可使用給與n型導電性之雜質元素、給與p型導電性之雜質元素、稀有氣體元素、或其類似物。例如，可使用選擇自磷(P)、氮(N)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)、硼(B)、氦(He)、氛(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、及氙(Xe)之一種或複數種元素。將n型半導體層形成為與含有促進結晶化之元素的結晶半導體層接觸，且執行熱處理(在550至750℃，3分鐘至24小時)；因為含於結晶半導體層中之促進結晶化的元素將移動進入n型半導體層之內，所以可去除或降低含於該結晶半導體層中之促進結晶化的元素，因此，形成半導體層。同時，此n型半導體層會變成含有促進結晶化之金屬元素的n型半導體層，而於稍後被形成為即將成為n型半導體層的所欲形狀。所以，該n型半導體層作用為半導體層的吸氣槽，且亦作用為源極區或汲極區。

該半導體層之結晶化步驟及吸氣步驟可由複數次的熱處理所執行。選擇性地，該結晶化步驟及吸氣步驟可由一次熱處理所執行；在此情況中，可執行熱處理於非晶半導體層之形成，促進結晶化之元素的添加，及作用為吸氣槽之半導體層的形成之後。

在此實施例模式中，閘極絕緣層係由堆疊複數個層所形成，且氧化氮化矽膜及氮氧化矽膜係堆疊於閘極電極層493之側以成為具有雙層結構之閘極絕緣膜497。較佳地，該等絕緣層係在相同的室中連續地形成於相同的溫度，雖改變反應氣體，但均維持著真空的狀態。當連續形成該等膜而維持著真空狀態時，可防止該等堆疊膜之間的介面遭受污染。

通道保護層496可由使用聚亞醯胺、聚乙烯醇、或其類似物之液滴排放法所形成；因而，可省略曝光步驟。該通道保護層可使用無機材料(諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或氧化氮化矽)，光敏或非光敏有機材料(有機樹脂材料)(諸如聚亞醯胺、丙烯酸、聚醯胺、聚亞醯胺醯胺、阻體、或苯并環丁烯)，低電介質常數之材料，及其類似物之一種或複數種，或其堆疊層結構而形成。選擇性地，可使用矽氧烷材料。做為製造方法，可使用諸如電漿CVD法或熱CVD法之氣相沈積法、或濺鍍法。選擇性地，可使用液滴排放法、滴注法、或印刷法(諸如網版印刷法或平版印刷法之用以形成圖案的方法。可使用由塗佈法所獲得的SOG膜、或其類似物。

首先，將參照第22A圖來說明其中傳送光至基板480側的情況，亦即，底部發射的情況。在此情況中，導線層488係與源極電極層或汲極電極層487b接觸；導線層498、第一電極層484、電發光層485、及第二電極層486係順序地堆疊，以便電性連接至薄膜電晶體481。至少相對於可見光，該基板480必須具有可透射光之光透射性質。

將參照第22B圖來說明其中傳送光至相對於基板460之側的情況，亦即，頂部發射的情況。薄膜電晶體461可相似於上述薄膜電晶體481而形成，電性連接至薄膜電晶體461之源極電極層或汲極電極層462係與即將被電性連接之第一電極層463接觸，第一電極層463、電發光層464、及第二電極層465係順序地理疊。源極電極層或汲極電極層462係具有反射率之金屬層，且如箭頭所示地向上反射來自發光元件所傳送之光。源極電極層或汲極電極層462及第一電極層463具有堆疊層之結構；因此，即使當第一電極層463係由光透射材料所形成且透射光時，光會在源極電極層或汲極電極層462之上反射，且然後以相反於基板460之方向來傳送。無庸置疑地，第一電極層463亦可使用具有反射率之金屬膜而形成。因為來自發光元件的光係透過第二電極層465而傳送，所以該第二電極層465係使用至少相對於可見光為具有光透射性質之材料所形成。

接著，將參照第22C圖來說明其中傳送光至基板470側及至相對於基板470側之側的情況，亦即，雙重發射的情況。薄膜電晶體471亦係通道保護式薄膜電晶體，電性連接至薄膜電晶體471之半導體層的源極電極層或汲極電極層477係電性連接至第一電極層472，第一電極層472、電發光層473、及第二電極層474係順序地堆疊。此時，當第一電極層472及第二電極層474均係使用至少相對於可見光為具有光透射性質之材料所形成，或均係形成具有使得光可透射之厚度時，則可實現雙重發射。在此情況中，至少相對於可見光，絕緣層和基板470必須具有可透射光的光透射性質。

藉由本發明，無需使用包含用以形成接觸孔之許多步驟之複雜的光微影術方法；因此，可簡化該等步驟且可增加生產率。所以可降低材料之損耗及成本；從而，可以以高產能來製造出高性能及高度可靠的顯示裝置。

(實施例模式8)

在此實施例模式中，將參照第23A至23D圖來說明描述於上述實施例模式中之可使用做為顯示裝置的顯示元件之發光元件的結構。

第23A至23D圖各自地顯示發光元件之元件結構，其中由混合有機化合物及無機化合物於該處之電發光層860係插入於第一電極層870與第二電極層850之間。如該等圖式中所示，電發光層860包含第一層804、第二層803、及第三層802，且尤其具有主要特徵在第一層804及第三層802。

首先，第一層804係具有對第二層803之傳輸孔的功能，且包含至少第一有機化合物及第一無機化合物，該第一無機化合物顯示相對於第一有機化合物之電子接受性質。重要的是，第一有機化合物與第一無機化合物並非單純地混合，而是該第一無機化合物具有相對於第一有機化合物之電子接受性質。具有此結構，許多電洞載體將產生於原始地幾乎不具有固有之載體的第一有機化合物之中，且因此，可獲得極為優異的電洞注入性質及電洞傳輸性質。

因此，關於第一層804，不僅可獲得由混合有機化合物和無機化合物所獲得之有利的效應(諸如熱阻之改善)，而且亦可獲得優異的導電性(尤其是第一層804中之電洞注入性質和電洞傳輸性質)。此優異的導電性係無法在其中僅單純地混合有機化合物與無機化合物而無法彼此電子地互動之傳統電洞傳輪層中所獲得的有利效應。此有利的效應可使驅動電壓比傳統情況更低。此外，因為第一層804可做得更厚而不會造成驅動電壓的上升，所以可抑制由於灰塵或類似物之元件的短路。

較佳的是，使用電洞傳輪有機化合物來做為第一有機化合物，因為電洞載體可如上述地產生於第一有機化合物之中。該電洞傳輪有機化合物包含，例如酞菁染料(縮寫：H₂ Pc)，銅酞菁染料(縮寫：CuPc)，酞菁醯釩染料(縮寫VOPc)，4,4’,4”－參(N,N－二苯胺基)三苯胺(縮寫：TDATA)，4,4’,4”－參[N－(3－甲苯基)－N－苯胺基]三苯胺(縮寫：MTDATA)，1,3,5－參[N,N－二(間甲苯基)胺基]苯(縮寫：m－MTDAB)，N,N’－聯苯基－N,N’－雙(3－甲苯基)－1,1’－二苯基－4,4’－二氨基(縮寫：TPD),4,4’－雙[N－(1－萘基)－N－苯胺基]二苯基(縮寫：NPB),4,4’－雙{N－[4－二(間甲苯基)胺基]苯基－N－苯胺基}－二苯基(縮寫：DNTPD)，4,4’,4”－參(N－咔唑基)三苯胺(縮寫：TCTA)，及其類似物。然而，本發明並未受阻於此。在上述化合物中，由TDATA，MTDATA，m－MTDAB，TPD，NPB，DNTPD，及TCTA所代表的芳香胺化合物可易於產生電洞載體，且係適用於第一有機化合物之化合物群組。

另一方面，第一無機化合物可為任何材料，只要該材料可易於自第一有機化合物接受電子即可，且可使用各式各樣種類的金屬氧化物和金屬氮化物。屬於週期表之群組4至12之任一過渡金屬的氧化物係較佳的，因為易於提供電子接受性質。特定地，例如可給氧化鈦、氧化鋯、氧化釩、氧化鉬、氧化鎢、氧化錸、氧化釕、氧化鋅及其類似物。在上述金屬氧化物中，屬於週期表之群組4至8之任一過渡金屬的氧化物大多具有高的電子接受性質，且係較佳的群組；尤其，氧化釩、氧化鉬、氧化鎢、及氧化錸係較佳的，因為它們可由真空蒸鍍所處理，且可易於使用。

應注意的是，該第一層804可由堆疊複數個層所形成，而各個層含有上述有機化合物及無機化合物之組合，或可進一步地含有另一有機化合物或無機化合物。

接著，將說明第三層802。該第三層802係具有傳輸電子至第二層803之功能的層，且包含至少第三有機化合物及第三無機化合物，而該第三無機化合物顯示電子施與之性質至第三有機化合物。重要的是，第三有機化合物與第三無機化合物並非單純地混合，而是該第三無機化合物具有相對於第三有機化合物之電子施與性質。具有此結構，許多電子載體將產生於原始地幾乎不具有固有之載體的第三有機化合物之中，且因此，可獲得極為優異的電子注入性質及電子傳輸性質。

因此，關於第三層802，不僅可獲得由混合有機化合物和無機化合物所獲得之有利的效應(諸如熱阻之改善)，而且亦可獲得優異的導電性(尤其是第三層802中之電子注入性質各電子傳輸性質)。此優異的導電性係無法在其中僅單純地混合有機化合物與無機化合物而無法彼此電子地互動之傳統電子傳輸層中所獲得的有利效應。此有利的效應可使驅動電壓此傳統情況更低。此外，因為第三層802可做得更厚而不會造成驅動電壓的上升，所以可抑制由於灰塵或類似物之元件的短路。

較佳的是，使用電子傳輸有機化合物來做為第三有機化合物，因為電子載體可如上述地產生於第三有機化合物之中。該電子傳輸有機化合物包含，例如參(8－羥基喹啉)鋁(縮寫：Alq₃ )，參(4－甲基－8－羥基喹啉)鋁(縮寫：Almq₃ )，雙(10－羥基苯基[h]－羥基喹啉)鈹(縮寫：BeBq₂ )，雙(2－甲基－8－羥基喹啉)(4－苯基苯酚)鋁(縮寫：BAlq)，雙[2－(2’－羥基苯基)苯噁唑啉]鋅(縮寫：Zn(BOX)₂ )，雙[2－(2’－羥基苯基)苯噻唑啉]鋅(縮寫：Zn(BTZ)₂ )，向紅菲咯啉(縮寫：BPhen)，2,9－二甲基－4,7－聯苯－1,10－鄰二氮菲(縮寫：BCP)，2－(4－聯苯基)－5－(4－第三丁基苯基)－1,3,4－噁二唑(縮寫：PBD)，1,3－雙[5－(4－第三丁基苯基)－1,3,4－噁二唑－2－基]苯(縮寫：OXD－7)，2,2’,2”－(1,3,5－三羥基苯基)－參(1－苯基－1H－苯并咪唑)(縮寫：TPBI)，3－(4－聯苯基)－4－苯基－5－(4－第三丁基苯基)－1,2,4－三噁唑(縮寫：TAZ)，3－(4－聯苯基)－4－(4－乙基苯基)－5－(4－第三丁基苯基)－1,2,4－三噁唑(縮寫：p－EtTAZ)，及其類似物。然而，本發明並未受限於此。在上述化合物中，各具有包含由Alq₃ ，Almq₃ ，BeBq₂ ，BAlq、Zn(BOX)₂ 、及Zn(BTZ)₂ 所代表之芳香環的螯狀化合物配位基之螯狀化合物金屬錯合物，具有由BPhen及BCP所代表之菲咯啉骨架的有機化合物，以及具有由PBD及OXD－7所代表之噁二唑骨架的有機化合物可易於產生電子載體，且係適用於第三有機化合物之化合物群組。

另一方面，第三無機化合物可為任何材料，只要該材料可易於施與電子至第三有機化合物即可，且可使用各式各樣種類的金屬氧化物及金屬氮化物。鹼金屬氧化物、鹼土金屬氧化物、稀土金屬氧化物、鹼金屬氮化物、鹼土金屬氮化物、及稀土金屬氮化物係較佳的，因為易於提供電子施與性質。特定地，例如可給定氧化鋰、氧化鍶、氧化鋇、氧化鉺、氮化鋰、氮化鎂、氮化鈣、氮化釔、氮化鑭、及其類似物。尤其，氧化鋰、氧化鋇、氮化鋰、氮化鎂、及氮化鈣係較佳的，因為它們可由真空蒸鍍所處理，且可易於使用。

應注意的是，該第三層802可由堆疊複數個層所形成，而各個層含有上述有機化合物及無機化合物之組合，或可進一步地含有另一有機化合物或無機化合物。

接著，將說明第二層803。該第二層803係具有發射光之功能的層，且包含具有發光性質之第二有機化合物。該第二層803可包含第二無機化合物，該第二層803可使用各式各樣的發光有機化合物及無機化合物而形成。然而，因為考慮到例如與流過第一層804或第三層802之電流相比較地，電流不易流過第二層803，所以第二層803的厚度較佳地為大約10至100nm。

在第二有機化合物上並無特別的限制。例如，該第二有機化合物可包含9,10－雙(2－萘基)蒽(縮寫：DNA)，9,10－雙(2－萘基)－2－第三丁基蒽(縮寫：t－BuDNA)，4,4’－雙(2,2聯苯基乙烯基)二苯基(縮寫：DPVBi)，香豆素30，香豆素6，香豆素545，香豆素545T，苝、紅熒烯、periflanthene，2,5,8,11－四(第三－丁基)苝(縮寫：TBP)，9,10－二苯基蒽(縮寫：DPA)，5,12－二苯基四苯，4－(二氰亞甲基)－2－甲基－[對－(二甲氨基)苯乙烯基]－4H－吡喃(縮寫：DCM1)，4－(二氰亞甲基)－2－甲基－6－[2－(四甲基久尼定－9－基)乙烯基]－4H－吡喃(縮寫：DCM2)，4－(二氰亞甲基)－2,6－雙[對－(二甲氨基)苯乙烯基]－4H－吡喃(縮寫：BisDCM)，及其類似物。選擇性地，可使用能發射出磷光的化合物，例如雙[2－4’,6”－二氟苯)吡啶基－N,C^2’ ]銥(甲基吡啶)(縮寫：FIrpic)，雙{2－[3’,5’－雙(三氟甲基)苯基]吡啶基－N,C^2’ }銥(甲基吡啶)(縮寫：Ir(CF₃ ppy)₂ (pic))，參(2－苯基吡啶基－N,C^2’ 銥(縮寫：Ir(ppy)₃ )，參(2－苯基吡啶基－N,C^2’ )銥(乙醯丙酮酸)(縮寫：Ir(ppy)₂ (acac))，雙[2－(2’－吩基)吡啶基－N,C^3’ ]銥(乙醯丙酮酸)(縮寫：Ir(pq)₂ acac))，雙(2－苯基喹啉－N,C^2’ )銥(乙醯丙酮酸)(縮寫：Ir(pq)₂ (acac))，或雙[2－(2’－苯吩基)吡啶基－N,C^3’ ]銥(乙醯基丙酮酸)(縮寫：Ir(btp)₂ (acac))。

進一步地，除了單重線激勵發光材料之外，可使用含有金屬複合物或其類似物的三重線激勵發光材料於第二層803。例如，在發射出紅、綠、及藍色之光的像素中，發射出紅色光而該紅色光之光亮度在相當短的時間中減半之像素係使用三重線激勵發光材料所形成，而其他像素則使用單重線激勵發光材料所形成。三重線激勵發光材料具有發光效率有利之特徵，以玫使功率消耗更少而獲得相同的光亮度。換言之，當使用三重線激勵發光材料於發射出紅色光的像素時，僅需施加小量的電流至發光元件；因此，可改善可靠性。發射出紅色光的像素及發射出綠色光的像素可使用三重線激勵發光材料而形成，以及發射出藍色光的像素可使用單重線激勵發光材料而形成，以便達成低的功率消耗。低的功率消耗可進一步地使用三重線激勵發光材料來形成可發射出具有高度可視性於人類眼睛之綠色光的發光元件而達成。

第二層803不僅可添加有上述發射光的第二有機化合物，而且可添加另外的有機化合物。做為可予以添加之化合物包含如上述之TDATA，MTDATA，m－MTDAB，TPD，NPB，DNTPD，TCTA，Alq₃ ，Almq₃ ，BeBq₂ ，BAlq，Zn(BOX)₂ ，Zn(BTZ)₂ ，BPhen，BCP，PBD，OXD－7，TPBI，TAZ，p－EtTAZ，DNA，t－BuDNA，及DPVBi，以及4，4’－雙(N－咔唑基)二苯基(縮寫：CBP)，1,3,5－參[4－(N－咔唑基)苯基]苯(縮寫：TCPB)，及其類似物。然而，本發明並未受限於此。較佳的是，除了第二有機化合物之外所添加的有機化合物應具有比該第二有機化合物更大的激勵能量，且應以比該第二有機化合物更大的量未添加，以便使該第二有機化合物有效率地發射出並(可防止第二有機化合物之濃度猝減)。選擇性地，做為另一功能，所添加的有機化合物可伴隨第二有機化合物而發射出光(可發射出白色光或類似光)。

第二層803可具有其中彩色顯示係由發光層之形成所執行之結構，而該發光層具有用於各個像素之不同的發射波長範圍。典型地，係形成對應於R(紅色)、G(綠色)、及B(藍色)之各個色的發光層；而且，在此情況中，可藉由提供可透射發射波長範圍的光之濾光片於像素的發光側而改善色純度及防止像素部分具有反射鏡表面。藉由提供濾光片，可省略已被視為必要之圓偏光板或其類似物，且進一步地，可消除自發光層所傳送之光的損失。此外，可降低當傾斜觀看像素部分(顯示螢幕)所發生之色調中的改變。

可使用低分子有機發光材料或高分子有機發光材料於第二層803之材料，高分子有機發光材料具有比低分子材料更高的物理強度及更高的耐久性。此外，因為高分子有機發光材料可由塗佈法所形成，所以可相當容易形成元件。

發射顏色係根據形成發光層的材料而定；因此，發射出所欲之光的發光元件可由選擇發光層用的適當材料而形成。做為可使用以形成發光層之高分子電發光材料，可給與聚對苯乙烯基材料、聚對苯基材料、聚噻吩基材料、聚芴基材料、及其類似物。

做為聚對苯乙烯基材料，可給與聚(對苯乙烯)[PPV]之衍生物，例如聚(2,5－二烷氧基－1,4－苯乙烯)[RO－PPV]、聚(2－(2’－乙基－己氧基)－5－甲氧基－1,4－苯乙烯)[MEH－PPV]，或聚(2－(二氧烷苯)－1,4－苯乙烯)[ROPh－PPV]。做為聚對苯基材料，可給與聚對苯[PPP]之衍生物，例如聚(2,5－二烷氧基－1,4－苯)[RO－PPP]或聚(2,5－二己氧基－1,4－苯)。做為聚噻吩基材料，可給與聚噻吩[PT]之衍生物，例如聚(3－烷氧噻吩)[PAT]、聚(3－己基噻吩)[PHT]、聚(3－環己基噻吩)[PCHT]、聚(3－環己基－4－甲基噻吩)[PCHMT]、聚(3,4－二環己基噻吩)[PDCHT]、聚[3－(4－辛基苯)－噻吩][POPT]、或聚[3－(4－辛基苯)－2,2－雙噻吩][PTOPT]。做為聚芴基材料，可給與聚芴[PF]之衍生物，例如聚(9,9－二烷基芴)[PDAF]或聚(9,9－二辛基芴)[PDOF]。

第二無機化合物可為任一無機化合物，只要第二有機化合物之光發射不易由該無機化合物所猝滅即可，且可使用各式各樣種類的金屬氧化物及金屬氮化物。尤其，具有屬於週期表之群組13或14之金屬的金屬氧化物係較佳的，因為第二有機化合物之光發射不易猝滅，且特定地，氧化鋁、氧化鎵、氧化矽、及氧化鍺係較佳的。然而，第二無機化合物並未受限於此。

應注意的是，該第二層803可由堆疊複數個層所形成，各個層含有如上述之有機化合物及無機化合物的組合，或可進一步含有另一有機化合物或無機化合物。發光層的層結構可予以改變，且取代特定之電子注入區或發光區之設置的是，可提供用以注入電子的電極層或可色散發光材料。除非背離本發明之精神，否則可准許此一改變。

使用上述該等材料所形成的發光元件係藉由順向偏壓而發射出光，使用發光元件所形成之顯示裝置的像素可由簡單矩陣模式或主動矩陣模式所驅動。在任一情況中，各個像素係藉由以特定的時序來施加順向偏壓於該處而發射出光；然而，針對某一週期，像素則在非發射狀態中；發光元件的可靠性可由施加逆向偏壓於該非發射時間中而改善。在發光元件中，存在有其中發射強度會在恆定的驅動條件之下減低的劣化模式，或其中非發光區會在像素之中增加及光亮度會明顯地減少的劣化模式。然而，劣化的累進可由執行其中順向及逆向地施加偏壓於該處之交變驅動而予以減緩；因此，可改善發光顯示裝置的可靠性。此外，可應用數位式驅動或類比式驅動。

濾色片(彩色層)可形成於密封基板之上，該濾色片(彩色層)可由蒸鍍法或液滴排放法所形成，高清晰度的顯示可使用濾色片(彩色層)而執行，此係因為在R、G、及B之各個顏色的發射頻譜中之寬闊的峰值可由濾色片(彩色層)來條正成為尖銳的峰值。

形成發射出單色光的材料且將該材料與濾色片或彩色轉換層結合，使得可執行全彩色顯示，例如該濾色片(彩色層)或彩色轉換層可形成於密封基板上，且附著於元件基板。

不用說地，可執行單色發射之顯示，例如可使用單色發射來形成區域彩色型顯示裝置。該區域彩色型顯示裝置係適用於被動矩陣顯示部分，且可主要地顯示文字和符號。

用於第一電極層870及第二電極層850的材料必須考慮功函數而選擇，該第一電極層870及第二電極層850可根據像結構而成為陽極或陰極。在其中驅動薄膜電晶體之極性為p通道型的情況中，第一電極層870較佳地用作陽極，以及第二電極層850較佳地用作陰極，如第22A圖中所示。在其中驅動薄膜電晶體之極性為n通道型的情況中，第一電極層870較佳地用作陰極，以及第二電極層850較佳地用作陽極，如第22B圖中所示。可使用於第一電極層870及第二電極層850之材料係如下文所述。較佳的是，使用具有高的功函數之材料(特定地，具有4.5eV以上之功函數的材料)於用作陽極之第一電極層870及第二電極層850的其中之一，以及具有低的功函數之材料(特定地，具有3.5eV以下之功函數的材料)於另一電極層。然而，因為第一層804在電洞注入性質及電洞傳輸性質中較為優異，以及第三層802在電子注入性質及電子傳輸性質中較為優異，所以第一電極層870及第二電極層850二者幾乎不受限於功函數，且可使用各式各樣的材料。

第22A及22B圖中之發光元件各自具有其中光係自第一電極層870來提取之結構，且因此，第二電極層850無需具有光透射性質。該第二電極層850可由主要含有選擇自Ti、Ni、W、Ct、Pt、Zn、Sn、In、Ta、Al、Cu、Au、Ag、Mg、Ca、Li、及Mo之元素，或含有上述元素之任一元素來做為其主要成份之合金材料或化合物材料，例如IiN、TiSi_x N_y 、WSi_x 、WN_x 、WSi_x N_y 、或NbN之膜；或其堆疊膜所形成，而具有100至800nm的總厚度。

第二電極層850可由蒸鍍法、濺鍍法、CVD法、印刷法、滴注法、液滴排放法、或其類似方法所形成。

此外，當使用與使用於第一電極層870的材料相似之光透射導電材料來形成第二電極層850時，光亦可自第二電極層850來提取，且可獲得其中自發光元件所傳送之光係傳送自第一電極層870及第二電極層850二者之雙重發射結構。

應注意的是，本發明之發光元件可由改變第一電極層870及第二電極層850之類型而變化。

第22B圖顯示其中電發光層860係藉由以此順序來堆疊第三層802、第二層803、及第一層804於第一電極層870側之上而形成的情況。

如上述，在本發明之發光元件中，插入於第一電極層870與第二電極層850之間的層係由電發光層860所形成，而該電發光層860包含其中結合有機化合物及無機化合物之層。該發光元件係設置有層(亦即，第一層804及第三層802)之有機－無機複合發光元件，而由混合有機化合物及無機化合物來提供高的載體注入性質及載體傳輸性質之功能。諸如高的載體注入性質及載體傳輸性質之功能無法僅由有機化合物或無機化合物的其中之一而獲得。此外，當設置於第一電極層870側之上時，第一層804及第三層802特別需成為其中結合有機化合物及無機化合物之層；以及當設置於第二電極層850側之上時，該第一層804及第三層802可僅含有有機化合物及無機化合物的其中之一。

進一步地，可使用各式各樣的方法來做為用以形成電發光層860之方法，而該電發光層860係其中混合有機化合物及無機化合物之層。例如，該方法包含共蒸鍍法，用以藉由電阻加熱法來二者皆有地蒸鍍有機化合物及無機化合物。選擇性地，針對共蒸鍍法，無機化合物可由電子束(EB)所蒸鍍，而有機化合物則由電阻加熱法所蒸鍍。進一步選擇性地，可使用用以濺鍍無機化合物而由電阻加熱法來蒸鍍有機化合物以同時沈積該二者之方法。取代地，電發光層860可由濕式法所形成。

在相同的方式中，針對第一電極層870及第二電極層850，可使用藉由電阻加熱法之蒸鍍法、EB蒸鍍法、濺鍍法、濕式法、或類似方法。

在第23C圖之中，具有反射率之電極層係使用於第23A圖之結構中的第一電極層870，以及具有光透射性質之電極層係使用於第23A圖之結構中的第二電極層850。自發光元件所傳送的光係由第一電極層870所反射，穿過第二電極層850而透射，且傳送。相似地，在第23D圖之中，具有反射率之電極層係使用於第23B圖之結構中的第一電極層870，以及具有光透射性質之電極層係使用於第23B圖之結構中的第二電極層850。自發光元件所傳送的光係由第一電極層870所反射，穿過第二電極層850而透射，且傳送。

藉由本發明，無需使用包含用以形成接觸孔之許多步驟之複雜的光微影術方法；因此，可簡化該等步驟且可增加生產率。所以可降低材料之損耗及成本；從而，可以以高產能來製造出高性能及高度可靠的顯示裝置。

(實施例模式9)

在此實施例模式中，將參照第24A至25C圖來說明描述於上述實施例模式中之可使用做為顯示裝置的顯示元件之發光元件的結構。

使用電發光之發光元件係根據發光材料是否為有機化合物或無機化合物而區別。大致地，前者稱為有機EL元件，以及後者稱為無機EL元件。

該無機EL元件係根據其元件結構而分類成為色散無機EL元件，及薄膜無機EL元件。前者與後者係不同的，其中前者具有發光材料的粒子係色散於結合劑中的電發光層，以及後者具有由發光材料之薄膜所形成的電發光層。然而，前者及後者就其中電子需由高的電場所加速而言係相同的。應注意的是，做為所獲得之光發射的機制，存在有使用施體位準及受體位準的施體－受體複合之光發射，及使用金屬離子的內殼電子躍遷之局部光發射。在許多情況中，大致的是，色散無機EL元件具有施體－受體複合之光發射，以及薄膜無機EL元件具有局部的光發射。

可使用於本發明中之發光材料包含將成為光發射中心之基底材料及雜質元素。可改變所含有的雜質元素，使得可獲得各式各樣顏色的光發射。做為用以形成發光材料之方法，可使用諸如固相方法及液相方法(共沈澱法)之各式各樣的方法。選擇性地，可使用噴霧高溫裂解法、複分解法、藉由先驅物之熱分解反應的方法、反向膠粒法、其中此一方法係與高溫烘烤法結合之方法，諸如低壓凍乾法之液相方法、或其類似方法。

固相方法係其中將基底材料及雜質元素或含有雜質元素之化合物計量、混合於灰泥中、加熱於電爐中、及烘烤以反應之，使得雜質元素包含於基底材料之中的方法。較佳地，該烘烤之溫度為700至1500℃，此係因為當溫度太低時，固相反應不會進行，而另一方面，當溫度太高時，基底材料會分解之故。該烘烤可執行於粉末狀態中；然而，較佳的是，以膠粒狀態來執行烘烤。雖然烘烤必須執行於相當高的溫度，但固相方法係容易的；因此，可達成高的生產率。所以固相方法適用於大量生產。

液相方法(共沈澱法)係其中使基底材料或含有基底材料之化合物與雜質元素或含有雜質元素之化合物反應於溶液中，使乾燥，且然後予以烘烤的方法。將發光材料的粒子均勻地分佈，且即使當微粒之尺寸小以及烘烤之溫度低時，亦可進行反應。

可使用硫化物、氧化物、或氮化物來做為使用於發光材料之基底材料。做為硫化物，可使用硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、硫化鈣(CaS)、硫化釔(Y₂ S₃ )、硫化鎵(Ga₂ S₃ )、硫化鍶(SrS)、硫化鋇(BaS)、或其類似物。做為氧化物，可使用氧化鋅(Zno)、氧化釔(Y₂ O₃ )、或其類似物。做為氮化物，可使用氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、氮化銦(InN)、或其類似物。選擇性地，可使用硒化鋅(ZnSe)、鍗化鋅(ZnTe)、或其類似物，或可使用諸如硫化鈣鎵(CaGa₂ S₄ )、硫化鍶鎵(SrGa₂ S₄ )、或硫化鋇鎵(BaGa₂ S₄ )之三元混合晶體。

做為局部光發射之光發射中心，可使用錳(Mn)、銅(Cu)、釤(Sm)、鋱(Tb)、鉺(Er)、銩(Tm)、銪(Eu)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、或其類似物。應注意的是，可添加諸如氟(F)或氯(Cl)之鹵素元素，鹵素元素可具有補償電荷的功能。

另一方面，做為施體－受體複合光發射之光發射中心，可使用含有形成施體位準之第一雜質元素及形成受體位準之第二雜質元素。做為第一雜質元素，可使用氟(F)、氯(Cl)、鋁(Al)、或其類似物；做為第二雜質元素，可使用銅(Cu)、銀(Ag)、或其類似物。

在其中施體－受體複合之光發射的發光材料係由固相方法所合成的情況中，將基底材料、第一雜質元素或含有第一雜質元素之化合物、及第二雜質元素或含有第二雜質元素之化合物各自地計量，混合於灰泥中，加熱於電爐中，及烘烤。做為基底材料，可使用上述基底材料之任一材料。做為第一雜質元素或含有第一雜質元素之化合物，可使用氟(F)、氯(Cl)、硫化鋁(Al₂ S₃ )、或其類似物。做為第二雜質元素或含有第二雜質元素之化合物，可使用銅(Cu)、銀(Ag)、硫化銅(Cu₂ S)、硫化銀(Ag₂ S)、或其類似物。較佳地，烘烤溫度為700至1500℃，此係因為當溫度太低時，固相反應不會進行，而另一方面，當溫度太高時，基底材料會分解之故。該烘烤可以以粉末狀態來執行；然而，較佳的是，以膠粒狀態來執行烘烤。

做為使用固相反應之情況中的雜質元素，可結合含有第一雜質元素及第二雜質元素之該等化合物。在此情況中，因為雜質元素易於擴散，且固相反應易於進行，所以可獲得均勻的發光材料。進一步地，因為不必要的雜質元素並未混合於其中，所以可獲得具有高純度的發光材料。做為含有第一雜質元素及第二雜質元素之化合物，可使用氯化銅(CuCl)、氯化銀(AgCl)、或其類似物。

應注意的是，該等雜質元素的濃度可為相對於基底材料之0.01至10原子百分比，且較佳地為0.05至5原子百分比。

在薄膜無機EL元件的情況中，電發光層係含有上述發光材料之層，而可由諸如電子加熱蒸鍍法或電子束蒸鍍(EB蒸鍍)法之真空蒸鍍法，諸如濺鍍法之物理氣相沈積(PVD)法，諸如金屬有機CVD法或低壓氫化物傳輸CVD法之化學氣相沈積(CVD)法、原子層磊晶(ALE)法、或其類方法所形成。

第24A至24C圖各自顯示可使用做為發光元件之薄膜無機EL元件。在第24A至24C圖中，各個發光元件包含第一電極層50、電發光層52、及第二電極層53。

第24B及24C圖中所示的發光元件各具有其中絕緣層係設置於第24A圖之發光元件的電極層與電發光層之間的結構。第24B圖中所示的發光元件具有絕緣層54於第一電極層50與電發光層52之間；第24C圖中所示的發光元件包含絕緣層54a於第一電極層50與電發光層52之間，以及絕緣層54b於第二電極層53與電發光層52之間。因此，絕緣層可設置於電發光層與夾置該電發光層之該等電極層的其中之一之間，或絕緣層可設置於電發光層與第一電極層之間以及電發光層與第二電極層之間。進一步地，該絕緣層可具有單層結構或包含複數個層之堆疊層結構。

此外，雖然絕緣層54係設置以與第24B圖中之第一電極層50接觸，但該絕緣層54亦可藉由反轉絕緣層與電發光層之位置而設置，與第二電極層53接觸。

在色散無機EL元件的情況中，形成其中發光材料的粒子瀰散於結合劑中之膜形狀的電發光層。當具有所欲微粒大小的粒子無法由發光材料的製造方法所獲得時，可藉由壓碎於灰泥或類似物中而將發光材料處理成為粒子狀態。該結合劑係用於以瀰散狀態來固定發光材料之粒子以保持電發光層之形狀的物質，該發光材料係由結合劑而均勻地瀰散且固定於電發光層之中。

在色散無機EL元件的情況中，做為電發光層之形成方法，可使用可選擇性地形成電發光層之液滴排放方法、印刷法(諸如網版印刷法或平版印刷法)、諸如旋塗法之塗佈法、浸漬法、滴注法、或其類似法。在電發光層的厚度上並無特殊的限制；然而，10至1000nm的厚度係較佳的。此外，在含有發光材料和結合劑的電發光層之中，發光材料的比例較佳地為50至80重量百分比。

第25A至25C圖各自顯示可使用以做為發光元件之色散無機EL元件的實例。在第25A圖之中，發光元件具有第一電極層60、電發光層62、及第二電極層63之堆疊層結構，其中由結合劑所保持之發光材料61包含於該電發光層62之中。

做為可使用於此實施例模式中之結合劑，可使用有機材料或無機材料，或有機材料及無機材料之混合材料。做為有機材料，可使用例如氰乙酯纖維素為基之樹脂之具有相當高電介質常數的聚合物，或諸如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯為基之樹脂、矽基樹脂、環氧樹脂、或偏二氟乙烯樹脂。選擇性地，可使用諸如芳族聚醯胺或聚苯并咪唑之熱阻高分子、或矽氧烷樹脂。矽氧烷樹脂對應於含有Si－O－Si鍵之樹脂，矽氧烷係由矽(Si)及氧(O)之鍵所形成之骨架結構所組成；做為其替代基，可使用含有至少氫之有機基(諸如烷基根或芳香烴)。取代地，可使用氟基、或含有至少氫之氟基及有機基來做為替代基。進一步選擇性地，可使用諸如例如聚乙烯醇或聚乙烯醇縮丁醛之乙烯樹脂、酚醛樹脂、酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂、三聚氰胺樹脂、氨脲樹脂、或噁唑樹脂(聚苯并噁唑)。電介質常數可由適當地混合該等樹脂與鈦酸鋇(BaTiO₃ )、鈦酸鍶(SrTiO₃ )、或其類似物之高電介質常數微粒子而予以控制。

做為包含於結合劑中之無機材料，可使用選擇自氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、含有氧及氮的矽、氮化鋁(AlN)、含有氧及氮的鋁、氧化鋁(Al₂ O₃ )、氧化鈦(TiO₂ )、BaTiO₃ 、SrTiO₃ 、鈦酸鉛(PbTiO₃ )、鈮酸鉀(KNbO₃ )、鈮酸鉛(PbNbO₃ )、氧化鉬(Ta₂ O₅ )、鉭酸鋇(BaTa₂ O₆ )、鉭酸鋰(LiTaO₃ )、氧化釔(Y₂ O₃ )、氧化鋯(ZrO₂ )、及含有無機絕緣材料之其他物質。藉由混合有機材料與高電介質常數無機材料(藉由添加或類似者)，可極佳地控制且進一步地增加含有發光材料和結合劑之發光層的電介質常數。當使用無機材料及有機材料的混合層於結合劑以具有高的電介質常數時，則可由發光材料來感應出更大量的電荷。

在製造方法中，發光材料係瀰散於含有結合劑的溶液中。做為可使用於此實施例模式之含有結合劑之溶液的溶劑，較佳的是，選擇可溶解結合劑材料以及可使溶液具有適用於形成發光層之方法(各式各樣的濕方法)及適用於所企望之膜厚度的黏度。可使用有機溶劑或其類似物，且例如，當使用矽氧烷樹脂來做為結合劑時，可使用丙二醇單二甲醚、丙二醇單二甲醚醋酸酯(亦稱為PGMEA)、3－甲氧基－3－甲基－1－丁烯醇(亦稱為MMB)、或其類似物。

第25B及25C圖中所示的發光元件各具有其中絕緣層係設置於第25A圖之發光元件的電極層與發光層之間的結構。第25B圖中所示的發光元件具有絕緣層64於第一電極層60與電發光層62之間，第25C圖中所示的發光元件包含絕緣層64a於第一電極層60與電發光層62之間，以及絕緣層64b於第二電極層63與電發光層62之間。因此，絕緣層可設置於電發光層與夾置該電發光層之該等電極層的其中之一之間，或絕緣層可設置於電發光層與第一電極層之間以及電發光層與第二電極層之間。進一步地，該絕緣層可具有單層結構或包含複數個層之堆疊層結構。

此外，雖然絕緣層64係設置以與第25B圖中之第一電極層60接觸，但該絕緣層64亦可藉由反轉絕緣層與電發光層之位置而設置，以與第二電極層63接觸。

雖然第24B及24C圖中之絕緣層54以及第25B及25C圖中之絕緣層64並未特別地受限，但該等絕緣層較佳地係具有高的電介質強度之密質膜，且更佳地，具有高的電介質常數。例如，可使用氧化矽(SiO₂ )、氧化釔(Y₂ O₃ )、氧化鈦(TiO₂ )、氧化鋁(Al₂ O₃ )、氧化鉿(HfO₂ )、氧化鉬(Ta₂ O₅ )、鈦酸鋇(BaTiO₃ )、鈦酸鍶(SrTiO₃ )、鈦酸鉛(PbTiO₃ )、氮化矽(Si₃ N₄ )、氧化鋯(ZrO₂ )、或其類似物，或其兩種以上之混合膜或堆疊層膜。該等絕緣膜可由濺鍍法、蒸鍍法、CVD法、或類似方法所形成。選擇性地，該等絕緣層可由瀰散該等絕緣材料之粒子於結合劑之中而形成。結合劑材料可由與電發光層中所包含之結合劑相同的材料及相同的方法所形成。該絕緣層之厚度並未特別地受限，且較佳地為10至1000nm的厚度。

在此實施例模式中所描述之發光元件可由施加電壓於夾置電發光層的電極對之間而發射出光，且可由直流驅動法或交法驅動法所操作。

藉由本發明，無需使用包含用以形成接觸孔之許多步驟之複雜的光微影術方法；因此，可簡化該等步驟且可增加生產率。所以可降低材料之損耗及成本；從而，可以以高產能來製造出高性能及高度可靠的顯示裝置。

(實施例模式10)

在此實施例模式中，將敍述使用液晶元件於顯示元件之液晶顯示裝置。

第26A圖係液晶顯示裝置之頂部平面視圖，以及第26B圖係沿著第26A圖之點虛線G－H所取得之橫剖面視。在第26A圖之頂部平面視圖中，省略抗反射膜。

如第26A圖中所述，像素區606，掃描線驅動區之驅動電路區608a及驅動電路區608b係以密封材料692而密封於基板600與相對基板695之間。以IC驅動器所形成之掃描線驅動器區的驅動電路區607係設置於基板600之上，電晶體622及電容器623設置於像素區606之中，具有電晶體620及621之驅動器電路設置於驅動電路區608b之中。如上述實施例中地，可使用絕緣基板來做為基板600。雖然存在有憂慮的是，由合成樹脂所形的基板一般具有比其他基板更低的溫度範圍，但是當製造方法係使用具有高的熱阻之基板所執行且然後由合成樹脂所形成的基板置換具有高的熱阻之基板時，則可使用由合成樹脂所形成的基板。

在此實施例模式中，包含於顯示裝置中之閘極電極層，半導體層，源極電極層、汲極電極層，導線層，第一電極層，及類似物可由複數個步驟來排放包含形成材料之液體組成物所形成。例如，框架形狀之第一導電層係由第一排放步驟沿著導電層之圖案輪廓所形成，以及第二導電層係由第二排放步驟所形成，以便充填第一導電層的框架。在該情況中，當決定其中形成導電層(絕緣層)之地區輪廓的第一導電層(絕緣層)係由施加具有相當高的黏度及相對於形成區之低的可濕性之組成物所形成時，則可以以高度的可控制性來形成將變成所欲圖案之輪廓的側邊邊緣部分。當施加具有低的黏度及相對於形成區之高的可濕性之液體組成物於第一導電層(絕緣層)之框架內部時，可降低由於導電層之中或之上所產生之泡沫及類似物所造成的空隙、不均勻、及其類似物，且可形成具有高度平坦性及均勻性的導電層(絕緣層)。因此，藉由分別形成導電層(絕緣層)之外側和內側，可以以高度的可控制性來形成具有高位準之平坦性、更少的缺陷、及所欲之圖案的導電層。從而，可簡化方法且可防止材料的損耗；因此，可降低成本。

進一步地，包含於顯示裝置中的閘極電極層、半導體層、源極電極層、汲極電極層、導電層、第一電極層、或其類似物可由濺鍍法或CVD法來形成導電膜及選擇性地蝕刻該導電膜而獲得。

在像素區606之中，將成為開關元件之電晶體622係以基底膜604a及604b插入於該處之間而設置。在此實施例模式中，使用多重閘極薄膜電晶體(TFT)來做為電晶體622，其包含具有用作源極區及汲極區之雜質區的半導體層、閘極絕緣層、具有兩層之堆疊層結構的閘極電極層、源極電極層、及汲極電極層。源極電極層或汲極電極層與半導體層之雜質區及像素電極層630接觸且電性連接。

源極電極層或汲極電極層具有堆疊層之結構，且源極電極層或汲極電極層644a及644b係透過形成於絕緣層165中的開口而電性連接至像素電極層630。形成於絕緣層615中之開口可如實施例模式1至3中所述地由雷射光之照射所形成。在此實施例模式中，源極電極層或汲極電極層644b係使用相當容易汽化之低熔點金屬(在此實施例模式中之鉻)所形成，以及源極電極層或汲極電極層644a係使用相較於源極電極層或汲極電極層644b所不易汽化之高熔點金屬(在此實施例模式中之鎢)而形成。源極電極層或汲極電極層644a及644b係以雷射光自絕緣層615側來選擇性地照射，且然後，該源極電極層或汲極電極層644b之所照射的地區由照射能量所汽化。接著，去除該源極電極層或汲極電極層644b之所照射地區上的絕緣層，以形成開口。像素電極層630係形成於其中暴露源極電極層或汲極電極層644a及644b之開口中，且源極電極層或汲極電極層644a及644b與像素電極層630可彼此電性連接。

該薄膜電晶體可由各式各樣的方法所製造，例如可使用結晶半導體膜於主動層，形成閘極電極於該結晶半導體膜之上而以閘極絕緣膜插入於該處之間，以及可使用該閘極電極來添加雜質元素至主動層。因此，當使用閘極電極以添加雜質元素時，可無需形成用以添加雜質元素的罩幕。該閘極電極可具有單層結構或堆疊層結構，該雜質區可為具有其濃度被控制之高濃度雜質區或低濃度雜質區。具有低濃度雜質區之薄膜電晶體的結構稱為LDD(輕摻雜之汲極)結構；選擇性地，該低濃度雜質區可形成以與閘極電極重疊，且此一薄膜電晶體之結構稱為GOLD(閘極重疊之LDD)結構。當使用磷(P)或其類似物於雜質區時，該薄膜電晶體的極性為n型；當添加硼(B)或其類似物時，該薄膜電晶體的極性為p型。然後，形成覆蓋閘極電極及其類似物的絕緣膜611及612，而結晶半導體膜的懸浮鍵可由混合進入絕緣膜611(及絕緣膜612)之內的氫元素所終止。

為了要進一步改善平坦性，可將絕緣層615形成為層間絕緣層。針對絕緣層615，可使用有機材料、無機材料、或其堆疊層結構，例如可使用選擇自氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化氮化矽、氮化鋁、氮氧化鋁、含有氮比氧更多之氧化氮化鋁、氧化鋁、似鑽石之碳(DLC)、聚矽氮烷、含氮之碳(CN)、PSG(磷矽酸鹽玻璃)、BPSG(硼磷矽酸鹽玻璃)、鋁土、及含有無機絕緣材料之任何其他物質。選擇性地，可使用有機絕緣材料。做為該有機材料，可使用光敏或非光敏材料，以及可使用聚亞醯胺、丙烯酸、聚醯胺、聚亞醯胺醯胺、阻體、苯并環丁烯、矽氧烷樹脂、或其類似物。應注意的是，矽氧烷樹脂係含有Si－O－Si鍵之樹脂，矽氧烷之骨架結構係由矽(Si)及氧(O)之鍵所形成。做為替代基，可使用含有至少氫之有機基(諸如烷基根或芳香烴)。取代地，可使用氟基或含有至少氫之氟基及有機基來做為替代基。

當使用結晶半導體膜時，可將像素區及驅動電路區形成於一基板上。在此情況中，在像素部分中之電晶體及在驅動電路區608b中之電晶體係同時地形成。使用於驅動電路區608a中的電晶體形成CMOS電路，雖然包含於CMOS電路中之薄膜電晶體具有GOLD結構，但其可具有相似於電晶體622之LDD結構。

在像素區中之薄膜電晶體的結構並未受限於此實施例模式中之該等結構，且可使用其中形成一個通道形成區之單一閘極結構、其中形成兩個通道形成區之雙重閘極結構、或其中形成三個通道形成區之三重閘極結構。在週邊驅動器電路區中之薄膜電晶體亦具有單一閘極結構、雙重閘極結構、或三重閘極結構。

應注意的是，用以製造薄膜電晶體之方法並未受限於此實施例模式中所述之該等方法。該薄膜電晶體可具有頂部閘極結構(諸如交錯型)、底部閘極結構(諸如反轉交錯型)、其中兩個閘極電極層配置於通道形成區之上方或下方而各具有閘極絕緣膜插入於該處之間的雙重閘極結構、或另一結構。

接著，所謂配向膜之絕緣層631係由印刷法或液滴排放法所形成，以便覆蓋像素電極層630。應注意的是，絕緣層631可由網版印刷法或平版印刷法所選擇性地形成。之後，執行磨擦處理；當液晶模式係例如VA模式時，在某些情況中並不執行此磨擦處理。用作配向膜之絕緣層633係與絕緣膜631相似。然後，藉由液滴排放法來形成密封材料692於該等像素的週邊地區之中。

然後，以間隔物637插入於該處之間而將設置有用作配向膜之絕緣層633的相對基板695、用作相對電極之導電層634、用作濾色片之彩色層635、偏光器641(亦稱為偏光板)、以及偏光器642附著至TFT基板之基板600。液晶層632係設置於該處之間的空間中，因為此實施例模式之液晶顯示裝置為透射型，所以亦設置偏光器(偏光板)643於基板側，該側係相對於其中形成元件於該處之側。偏光器可使用黏著層而設置於基板600上，充填物可混合至密封材料之內，以及屏蔽膜(黑色矩陣)或其類物可形成於相對基板695之上。應注意的是，當液晶顯示裝置執行全彩色顯示時，濾色片或其類似物可由顯示紅色(R)、綠色(G)、及藍色(B)之材料所形成；以及當液晶顯示裝置執行單色顯示時，彩色層可予以省略或可由顯示至少一顏色之材料所形成。

應注意的是，當以背光來設置RGB發光二極體(LED)或類似物，且使用藉由分時來執行彩色顯示之場順序方法時，則存在有其中無需設置濾色片之情況。黑色矩陣可設置以與電晶體及CMOS電路重疊，因為黑色矩陣可降低由於電晶體及CMOS電路中之導線所引起之外部光的反射。選擇性地，該黑色矩陣可設置以與電容器重疊，因為該黑色矩陣可防止由於包含在電容器中之金屬膜的反射。

做為用以形成液晶層之方法，可使用藉由該方法可附著設置有元件之基板600與相對基板695，且然後，可使用毛細管現象來注入液晶之滴注法(滴落法)或注入法的方法，該滴落法可使用於當使用大的基板而難以應用注入法的時候。

間隔物可由藉由該方法可噴霧各自具有數微米(μm)之大小的粒子之方法所設置。在此實施例模式中，係使用藉由該方法可形成樹脂膜於基板的整個表面上且然後加以蝕刻之方法，用於間隔物之材料係由旋塗器所施加，且接著，執行光曝射及顯影，以形成預定的圖案。進一步地，該材料係以150至200℃來加熱於純淨的爐及其類似物之中以使硬化。在此方式中所製造出之間隔物可根據光曝射及顯影處理的條件而具有各式各樣的形狀；較佳的是，間隔物具有具備扁平頂部之柱體形狀，使得當附著相對基板時，可確保液晶顯示裝置的機械強度。該間隔物之形狀並未特別地受限，且可為圓錐形、角錐形、或類似形狀。

然後，以各向異性之導電層696插入於該處之間而設置其係用於連接之導線板的FPC694於電性連接至像素區的端子電極層678a及678b之上，該FPC694可傳送外部信號及外部電位。透過上述步驟，可製造出具有顯示功能之液晶顯示裝置。

包含於電晶體中之導線及閘極電極層、像素電極層630、及用作相對電極層之導電層634可使用銦錫氧化物(ITO)、其中氧化鋅(ZnO)與氧化銦混佮之銦鋅氧化物(IZO)、其中氧化矽(SiO₂ )與氧化銦混合之導電材料、有機銦、有機錫、含有氧化鎢之氧化銦、含有氧化鎢之銦鋅氧化物，含有氧化鈦之氧化銦、含有氧化鈦之銦錫氧化物；諸如鎢(W)、鉬(Mo)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉻(Cr)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鋁(Al)、銅(Cu)、或銀(Ag)之金屬；該等金屬之合金；或其金屬氮化物所形成。

延遲板可設置於偏光板與液晶層之間。

注意的是，在此實施例模式中，所描述的是TN液晶面板；然而，上述方法可類似地應用於其他模式的液晶面板。例如，此實施例模式可應用於其中液晶係由施加電場而以平行於玻璃基板之方向來配向之同平面切換模式的液晶面板。進一步地，此實施例模式亦可應用於VA(垂直配向)模式液晶面板。

第27及28圖各自顯示VA液晶面板的像素結構，第27圖係平面視圖，以及第28圖顯示沿著線I－J所取得之橫剖面結構。在下文說明中，均將使用該二圖式。

在此像素結構中，係設置複數個像素電極於一像素中，且各個像電極連接至TFT。各個TFT係建構以便由不同的閘極信號所驅動；換言之，多域像素具有其中所施加至各個像素電極之信號係獨立地被控制之結構。

像素電極層1624係透過開口(接觸孔)1623而以導線層1618來連接至TFT1628；此外，像素電極層1626係透過開口(接觸孔)1627而以導線層1619來連接至TFT1629。TFT1628之閘極導線層1602及TFT1629之閘極電極層1603係分開的，以使能接收不同的閘極信號。相反地，作用為資料線之導線層1616係由TFT1628及1629所共同地使用。

包含導電材料之第一組成物係沿著像素電極層1624及像素電極層1626的各個圖案的輪廓而由第一液滴排放步驟所排放，以致使框架形狀之第一導電層形成。包含導電材料之第二組成物係排放以便充填該框架形狀之第一導電層，使得形成第二導電層。該第一導電層及第二導電層可使用成為連續的像素電極層，以致可形成像素電極層1624及1626。

因為可由本發明來簡化該方法且可由本發明來防止材料的損耗，所以可以以高的生產率而低成本地製造出顯示裝置。

該等像素電極層1624及1626的形狀係不同的，且該等像素電極層1624及1626係由裂隙1625所分離，像素電極層1626係形成以便包圍延伸成為V形狀之像素電極層1624。施加電壓至像素電極層1624之時序係使相異於TFT1628及1629中，藉以控制液晶的配向。光屏蔽膜1632，彩色層1636，及相對電極層1640係形成於相對基板1601之上。平面膜1637係形成於彩色層1636與相對電極層1640之間，使得可防止液晶之混亂的配向。第29圖顯示相對基板側之上的結構，相對電極層1640係由不同的像素所共同使用，以及裂隙1641被形成。在像素電極層1624及1626之側的裂隙1641及裂隙1625係設置以便交變地相互有趾的，且因此，可有效地產生傾斜的電場以控制液晶的配向。從而，液晶的配向方向可根據位置而變化；因此，可使視角變寬。

液晶面板可使用有機化合物和無機化合物之複合材料於像素電極層而製造；使用此一像素電極層，無需再使用含有銦做為其主要成份之透明導電膜，而可解決材料的瓶頸。

藉由本發明，無需使用包含用以形成接觸孔之許多步驟之複雜的光微影術方法；因此，可簡化該等步驟且可增加生產率。所以可降低材料之損耗及成本；從而，可以以高產能來製造出高性能及高度可靠的顯示裝置。

(實施例模式11)

電視機(亦簡稱為TV或電視接收機)可使用由本發明所形成之顯示裝置而完成。第30圖係顯示電視機之主要結構的方塊圖。

在第30圖之中，可使用以下模式之任一模式：其中僅形成像素部分901，而掃描線驅動器電路903及信號驅動器電路902係由TAB法或由COG法所安裝之模式；其中像素部分901及掃描線驅動器電路903係形成於基板上，而信號線驅動器電路902係個別地安裝成為驅動器IC之模式；其中像素部分901、信號線驅動器電路902、及掃描線驅動器電路903係形成於一基板上之模式；以及類似模式。

在第30圖之中，用以放大由調諧器904所接收之信號中之視頻信號的視頻信號放大器電路905，用以轉換輸出自視頻信號放大器電路905之信號成為分別對應於紅、綠、及藍之顏色的色度信號之視頻信號處理電路906，用以轉換視頻信號以便將其輸入至驅動器IC的控制電路907，及類似電路係設置於視頻信號的輸入側，而成為其他外部電路之結構。控制電路907輸出信號至掃描線側及信號線側二側；在數位驅動的情況中，可設置信號驅動電路908於信號線側，以及可劃分輸入之數位信號成為m件而供應。

在由調諧器904所接收的信號中，聲頻信號係傳送至聲頻信號放大器電路909，且其輸出係透過聲頻信號處理電路910而供應至揚聲器913。控制電路911接收控制資訊於接收站上(接收頻率)或自輸入部分912接收音量，以及傳送信號至調諧器904或聲頻信號處理電路910。

電視機可由結合顯示模組至機架之內而完成，如第31A及31B圖中所示。當使用液晶顯示模組來做為顯示模組時，可製造出液晶電視機；當使用EL顯示模組時，可製造出EL電視機；選擇性地，可製造電漿電視、電子紙、或其類似物。在第31A圖之中，主螢幕2003係使用顯示模組而形成，且揚聲器部分2009、操作開關、及其類似物係設置以做為其附件裝備。因此，電視機可由本發明所完成。

顯示面板2002係結合於機架2001之中，藉由使用接收器2005，除了可接收一般的TV廣播之外，亦可由透過調變解調變器2004來連接至有線或無線通訊網路，而以單向(自發射器至接收器)或以雙向(在發射器與接收器之間，或接收器之間)來執行資訊之通訊。該電視機可由結合於機架中之開關或由分離自主體之遙控裝置2006所操作，而顯示即將被輸出之資訊的顯示部分2007亦可設置於此遙控裝置之中。

此外，在該電視機之中，用以顯示頻道、音量、或類似物之結構可藉由以除了主螢幕2003之外的第二顯示面板來形成子螢幕2008而予以額外地設置。在此結構中，主螢幕2003及子螢幕2008可使用本發明之液晶顯示面板而形成。選擇性地，主螢幕2003可使用在視角中優異的EL顯示面板而形成，以及子螢幕2008可使用能低功率消耗地顯示之液晶顯示面板而形成。為了要使低功率消耗為優先，可使用其中主螢幕2003係使用液晶顯示面板而形成，子螢幕2008係使用EL顯示面板而形成，以及子螢幕能快閃地開啟及關閉之結構。藉由本發明，即使是使用此一大的基板、許多的TFT及電子組件，亦可製造出高度可靠的顯示裝置。

第31B圖顯示具有例如20吋至800吋顯示部分之大的顯示部分之電視機，包含機架2010、顯示部分2011、其係操作部分之遙控裝置2012、揚聲器部分2013、及類似物。本發明係應用來製造顯示部分2011。第31B圖中所示的電視機係牆壁懸掛型，而無需寬廣的空間。

不用說地，本發明並未受限於電視機，而是亦可應用於各式各樣的用途，尤其是具有大面積之顯示媒體，例如個人電腦之監看器，在火車站、機場、或類似處之資訊顯示板，或在街上的廣告顯示板。

(實施例模式12)

本發明之電子器具包含電視機(亦簡稱為TV或電視接收機)，諸如數位相機及數位攝影機之照像機，行動電話機(亦稱稱為行動電話)，諸如PDA之手持式資訊終端機，手持式遊戲機，用於電腦之監看器，電腦，諸如車用音響組合之聲頻再生裝置，配置有記錄媒體之影像再生裝置，家用遊戲機，及其類似物。將參照第32A至32E來說明其特定的實例。

第32A圖中所示之手持式資訊終端機包含主體9201，顯示部分9202，及其類似物。本發明之顯示裝置可應用於顯示部分9202；因此，透過簡化之方法而以低成本所製造地，可低成本地提供高度可靠的手持式資訊終端機。

第32B圖中所示之數位攝影機包含顯示部分9701，顯示部分9702，及其類似物。本發明之顯示裝置可應用於顯示部分9701；因此，透過簡化之方法而以低成本所製造地，可低成本地提供高度可靠的數位攝影機。

第32C圖中所示之行動電話包含主體9101，顯示部分9102，及其類似物。本發明之顯示裝置可應用於顯示部分9102；因此，透過簡化之方法而以低成本所製造地，可低成本地提供高度可靠的行動電話。

第32D圖中所示之手持式電視機包含主體9301，顯示部分9302，及其類似物。本發明之顯示裝置可應用於顯示部分9302；因此，透過簡化之方法而以低成本所製造地，可低成本地提供高度可靠的手持式電視機。本發明之顯示裝置可應用於各式各樣類型的電視機，包含安裝在諸如行動電話之手持式終端機上的小尺寸者，其係可攜式之中等尺寸者，及大尺寸者(例如在尺寸上為40吋以上)。

第32E圖中所示之手持式電腦包含主體9401，顯示部分9402，及其類似物。本發明之顯示裝置可應用於顯示部分9402；因此，透過簡化之方法而以低成本所製造地，可低成本地提供高度可靠的手持式電腦。

如上述，使用本發明之顯示裝置，可提供可高品質地及優異可視性地顯示影像之高性能電子器具。

此申請案係依據2006年8月31日在日本專利局中所申請之日本專利申請案序號第2006－235522號，該申請案的全部內容係結合於本文中以供參考。

1101．．．雷射振盪器

1107．．．光學單元

1108．．．反射鏡

1109a，1109b．．．雙合透鏡

1110，171．．．罩幕

1111．．．即將被照射的實體

1112．．．轉移機構

1102a，1102b．．．球面透鏡

1105a，1105b，1103a，1103b．．．柱面透鏡陣列

1104，1106．．．柱面透鏡

720，730，740，735，745，300，122，2700，100，150，480，460，470，600．．．基板

721a，721b，726，728a，731，732，734，736，739，741a，741b，744，747，634．．．導電層

722，727a，733，738，743，748，302，307a，307b，126，131，186，499，54a，54b，615，631，633．．．絕緣層

723．．．雷射光

724，304．．．照射區

725，751，752，753，305，114，125．．．開口

301a，301a1，301a2，301a3，127．．．第一導電層

301b，308b，308b，129．．．第二導電層

L1，L2．．．直徑

306．．．導電膜

1113．．．微透鏡陣列

1114．．．驅動皮帶

1115．．．馬達

1116．．．斬光葉片

121a．．．二元罩幕

123，173．．．光遮蔽層

124．．．反射層

104．．．雷射光束

131，160．．．相移罩幕

132．．．相位

721，103．．．光吸收層

162．．．相移器材料

164．．．雷射光束強度分佈

2701，901．．．像素部分

2702．．．像素

2703．．．掃描線輸入端子

2704．．．信號線輸入端子

136a，136b，110a，110b，117a，117b，116a，116b，130，137a，137b．．．液滴排放設備

104a，104b，493，105a，105b．．．閘極電極層

106，497．．．閘極絕緣層

107，108．．．半導體膜

109a，109b．．．罩幕層

111a，111b，118a，118b，119a，119b，119c，119d，112a，112b．．．半導體層

120，121，487a，487b，462，477，644a，644b，122，123．．．源極電極層或汲極電極層

124a，124b，622，620，621．．．電晶體

132，485，473，860，52，62．．．電發光層

133，198，486，465，474，850，53，63．．．第二電極層

134，185，126，484，463，472，870，50，60．．．第一電極層

151a，151b，604a，604b．．．基底膜

167，168，181，611，612．．．絕緣膜

285，255．．．p通道薄膜電晶體

275，265．．．n通道薄膜電晶體

204，207，208．．．週邊驅動器電路區

206，606．．．像素區

201．．．分離區

202．．．外部端子連接區

203．．．導線區

178，678a，678b．．．端子電極層

179a，179b．．．導線

205．．．連接區

188．．．發光層

190．．．發光元件

195．．．密封基板

192，692．．．密封材料

193．．．充填物

461，471，481．．．通道保護式薄膜電晶體

480．．．發光基板

494．．．半導體層

495a，495b．．．n型半導體層

498．．．導線層

496．．．通道保護層

471．．．薄膜電晶體

804．．．第一層

803．．．第二層

802．．．第三層

61．．．發光材料

623．．．電容器

695，1601．．．相對基板

608a，608b．．．驅動電路區

630，1624，1626．．．像素電極層

635，1636．．．彩色層

641，642，643．．．偏光器

637．．．間隔物

632．．．液晶層

696．．．各向異性導電層

1625．．．裂隙

1640．．．相對電極層

1637．．．平面膜

1632．．．光屏蔽膜

902．．．信號線驅動器電路

903．．．掃描線驅動器電路

904．．．調諧器

905．．．視頻信號放大器電路

906．．．視頻信號處理電路

907，911．．．控制電路

908．．．信號驅動電路

909．．．聲頻信號放大器電路

910．．．聲頻信號處理電路

912．．．輸入部分

913．．．揚聲器

2003．．．主螢幕

2009，2013．．．楊聲器部分

2001，2010．．．機架

2002．．．顯示面板

2005．．．接收器

2004．．．調變解調變器

2007，2011，9202，9701，9702，9102，9302，9402．．．顯示部分

2006．．．遙控裝置

2008．．．子螢幕

9201，9101，9301，9401．．．主體

第1圖係顯示本發明之示意圖；第2A及2B圖係顯示本發明之示意圖；第3A至3D圖係顯示本發明之示意圖；第4A至4D圖係顯示本發明之示意圖；第5A至5D圖係顯示本發明之示意圖；第6圖係顯示本發明之示意圖；第7圖係顯示本發明之示意圖；第8A及8B圖係顯示本發明之示意圖；第9A至9D圖係顯示本發明之示意圖；第10A至10D圖係顯示本發明之示意圖；第11A及11B圖係顯示本發明之示意圖；第12A及12B圖係各顯示顯示面板之結構的視圖；第13A至13C圖係顯示本發明之顯示裝置的製造方法之視圖；第14A至14C圖係顯示本發明之顯示裝置的製造方法之視圖；第15A至15C圖係顯示本發明之顯示裝置的製造方法之視圖；第16A至16C圖係顯示本發明之顯示裝置的製造方法之視圖；第17A至17C圖係顯示本發明之顯示裝置的製造方法之視圖；第18A至18C圖係顯示本發明之顯示裝置的製造方法之視圖；第19A至19C圖係顯示本發明之顯示裝置的製造方法之視圖；第20A及20B圖係各顯示本發明之顯示裝置的視圖；第21A及210B圖係各顯示本發明之顯示裝置的視圖；第22A至22C圖係各顯示本發明之顯示裝置的視圖；第23A至23D圖係各顯示可應用於本發明之發光元件的結構之視圖；第24A至24C圖係各顯示可應用於本發明之發光元件的結構之視圖；第25A至25C圖係各顯示可應用於本發明之發光元件的結構之視圖；第26A及26B圖係顯示本發明之顯示裝置的視圖；第27圖係各顯示本發明之顯示裝置的視圖；第28圖係各顯示本發明之顯示裝置的視圖；第29圖係各顯示本發明之顯示裝置的視圖；第30圖係方塊圖，顯示應用本發明之電子器具的主要結構；第31A及31B圖係各顯示應用本發明之電子器具的視圖；以及第32A至32E圖係各顯示應用本發明之電子器具的視圖。

1101．．．雷射振盪器

1107．．．光學單元

1108．．．反射鏡

1109a，1109b．．．雙合透鏡

1110．．．罩幕

1111．．．即將被照射的實體

1112．．．轉移機構

Claims (8)

1. 一種半導體裝置的製造方法，包含：形成一光吸收層；形成一光透射層於該光吸收層之上；均勻化一線性雷射光束之能量分佈；以一均勻的能量來發射出該線性雷射光束至一罩幕上，且藉以分束該線性雷射光束；以及在第一週期發射該被分束的線性雷射光束至該光吸收層上之該光透射層之上，且藉以形成第一開口於該光透射層和該光吸收層之中；在第二週期發射該被分束的線性雷射光束至該光吸收層上之該光透射層之上，且藉以形成第二開口於該光透射層和該光吸收層之中；及在該第一週期和該第二週期之間的週期間，遮蔽該被分束的線性雷射光束通過該光透射層。
2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中該罩幕係一具有複數個孔之罩幕，一二元罩幕，或一相移罩幕。
3. 一種半導體裝置的製造方法，包含：形成一光吸收層；形成一光透射層於該光吸收層之上；均勻化一線性雷射光束之能量分佈；以一均勻的能量來發射出該線性雷射光束至一罩幕上，且藉以分束該線性雷射光束成為複數個雷射光束； 透過包含複數個透鏡之一微透鏡陣列來聚光該複數個雷射光束之每一個，使得形成複數個所聚光之雷射光束；以及發射該複數個所聚光之雷射光束至該光吸收層上之該光透射層之上，且藉以形成複數個開口於該光透射層和該光吸收層之中，其中該微透鏡陣列係配置在使得該複數個雷射光束之一入射在該微透鏡陣列中所包含之該複數個透鏡之一上的位置。
4. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置的製造方法，其中該罩幕係一具有複數個孔之罩幕，一二元罩幕，或一相移罩幕。
5. 一種半導體裝置的製造方法，包含：形成一第一導電層；形成一絕緣層於該第一導電層之上；以一均勻的能量來發射出一線性雷射光束至一罩幕上，且藉以分束該線性雷射光束成為複數個雷射光束；發射該複數個雷射光束至該第一導電層上之該絕緣層之上，且藉以形成複數個開口於該絕緣層和該第一導電層之中；以及形成一第二導電層於該複數個開口之中及該絕緣層之上，其中該第二導電層係電性連接至在該複數個開口中的該第一導電層，其中該第一導電層係一光吸收層，以及 其中該絕緣層係一光透射層。
6. 如申請專利範圍第5項之半導體裝置的製造方法，其中該罩幕係一具有複數個孔之罩幕，一二元罩幕，或一相移罩幕。
7. 一種半導體裝置的製造方法，包含：形成一第一導電層；形成一絕緣層於該第一導電層之上；以一均勻的能量來發射出一線性雷射光束至一罩幕上，且藉以分束該線性雷射光束成為複數個雷射光束；透過包含複數個透鏡之一微透鏡陣列來聚光該複數個雷射光束；發射所聚光之該等雷射光束至該第一導電層上之該絕緣層之上，且藉以形成複數個開口於該絕緣層和該第一導電層之中；以及形成一第二導電層於該複數個開口之中及該絕緣層之上，其中該第二導電層係電性連接至在該複數個開口中的該第一導電層，其中該第一導電層係一光吸收層，以及其中該絕緣層係一光透射層。
8. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置的製造方法，其中該罩幕係一具有複數個孔之罩幕，一二元罩幕，或一相移罩幕。