TWI408994B - 有機發光顯示裝置之製造方法 - Google Patents

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Description

有機發光顯示裝置之製造方法 相關申請案之交互參照
本申請案係請求2008年4月24日於韓國智慧財產局申請的韓國專利申請案2008-38255號之權益，其揭示內容全合文以引用方式併入本文。
本發明之面向係關於有機發光顯示裝置與製造該有機發光顯示裝置的方法，而且更特別的是，係關於有機發光顯示裝置與製造該有機發光顯示裝置的方法，其中在該方法中減少了光罩的使用次數、減少了製程成本且簡化了製程。
一般而言，有機發光顯示裝置為包括有機發光二極體(OLED)以作為顯示元件的平坦顯示裝置，其中每一OLED具有像素電極；面對該像素電極之反向電極；及中間層，該中間層包括配置在該像素電極與該反向電極之間的發光層。這一類的有機發光顯示裝置包括控制每一OLED功能的薄膜電晶體(TFT)。
圖1A到圖1L為用於說明製造有機發光顯示裝置之傳統方法的橫截面視圖。根據該傳統方法，如圖1A中所說明，半導體層21被圖案 化並形成在基板10上，形成閘極絕緣層11以覆蓋該半導體層21，即將形成以作為閘極電極的傳導層23a形成在該閘極絕緣層11上，而用於閘極電極的光阻層23b形成在該傳導層23a的一部分之上。為了製造如圖1A所說明的構造，使用第一光罩製程以圖案化該半導體層21，及使用第二光罩製程以形成用於該閘極電極的該光阻層23b。
接下來，如同圖1B中所說明，藉由使用該光阻層23b來圖案化用於該閘極電極的傳導層23a以形成該閘極電極23。接著，如同圖1C中所說明的，在形成中間絕緣層13以覆蓋該閘極電極23之後，使用第三光罩製程以形成通孔13a，以曝露一部分的半導體層21。
在形成通孔13a之後，如圖1D所說明形成用於源極/汲極電極的傳導層25a，如此一來用於該源極/汲極電極的傳導層25a經由該通孔13a接觸該半導體層21。接下來，如同圖1E所說明的，使用第四光罩製程以形成光阻層25b在用於源極/汲極電極之傳導層25a的一部分之上。接下來，如同圖1F所說明，藉由使用該光阻層25b來圖案化用於該源極/汲極電極之傳導層25a，源極/汲極電極25與該閘極電極23絕緣並且分別接觸該半導體層21並形成以完成TFT 20。
接著，如同圖1G所說明，形成平面化層15以覆蓋源極/汲極電極25，而且使用第五光罩製程以形成用於接觸孔的光阻層15a，光阻層15a位在該平面化層15之全部表面上(除了將形成接觸孔之處外)。接下來，如同圖1H所說明，藉由使用用於該接觸孔之光阻 層15a來蝕刻該平面化層15，源極/汲極電極25其中之一藉由形成在平面化層15中之該接觸孔15c曝露出來。
接下來，如同圖11中所說明，形成用於像素電極之傳導層31a被以覆蓋平面化層15並且經由該接觸孔15c接觸該源極/汲極電極25其中之一。接著，使用第六光罩製程以形成用於該像素電極的光阻層31b在該傳導層31a之對應於像素電極被形成的區域之上。如同圖1K所說明，藉由使用該光阻層31b來圖案化該傳導層31a，形成接觸源極/汲極電極25其中之一的像素電極31。接著，形成用於像素定義層之絕緣層以覆蓋該像素電極31，而且該絕緣層經由第七光罩製程圖案化以形成像素定義層17，其中至少一部分的該像素電極31被曝露。接著，如同圖1L所說明的，包括發光層的中間層32經由第八光罩製程形成在該像素電極31上，而反向電極33被形成以覆蓋全部顯示區域，因此形成具有OLED 30作為像素的主動矩陣(AM)有機發光顯示裝置，該裝置的發光由該TFT 20控制。
然而，根據上述製造該有機發光顯示裝置的傳統方法，因為必須使用總數為八道之光罩製程以形成該TFT 20與該OLED 30，使用了很多光罩，而且該製程非常複雜。因此，該顯示裝置的製造成本高，而且良率低。
本發明的面向為提供有機發光顯示裝置與製造該有機發光顯示裝置的方法，在該方法中減少了光罩的使用次數、減少了製程成本並簡化了製程。
根據本發明之具體實例，提供了有機發光顯示裝置，該有機發光顯示裝置包括：具有閘極電極之薄膜電晶體(TFT)；與該閘極電極絕緣的源極電極與汲極電極；以及半導體層，該半導體層與該閘極電極絕緣並且與該源極電極與該汲極電極其中每一者接觸；及像素電極，該像素電極電氣連接至該源極電極與該汲極電極其中一者，其中該閘極電極包含第一傳導層與在該第一傳導層上的第二傳導層，該像素電極由與該閘極電極之第一傳導層之相同材料形成，且該像素電極與該閘極電極之該第一傳導層位於同一層上。
根據本發明之一面向，該第一傳導層可以由透明傳導材料形成。
根據本發明之一面向，該有機發光顯示裝置可以進一步包括電氣連接至該閘極電極之接線，其中該接線可以包含位在該閘極電極之該第一傳導層同一層上面的第一層傳導材料與位在與該閘極電極之該第二傳導層同一層上面的第二層傳導材料。
根據本發明之一面向，該接線可以由與該閘極電極相同之材料形成。
根據本發明之另一具體實例，提供用於製造一有機發光顯示裝置之一方法，該方法包括形成一第一傳導層與在該第一傳導層上之一第二傳導層，該第一傳導層被形成在一基板上；形成一圖案化光阻層在該第二傳導層的第一區域上對應於一閘極電極將形成之處與該第二傳導層的第二區域上對應於一像素電極將形成之處，其中該圖案化光阻層在該第一區域的厚度比在該第二區域厚度更 厚；藉由移除該第一傳導層與該第二傳導層沒有被該圖案化光阻層覆蓋之部分，並且移除在該第二區域上的該圖案化光阻層來圖案化該第一傳導層與該第二傳導層；及移除該第二區域之該第二傳導層以形成該像素電極並且移除殘留在該第一區域上之該圖案化光阻層以形成該閘極電極。
根據本發明之一面向，該第一傳導層可以由一透明傳導材料形成。
根據本發明之一面向，該方法可以進一步包括形成該圖案化光阻層在第三區域上對應於電氣連接至該閘極電極之接線將形成之處，同時形成該圖案化光阻層在該第一區域與該第二區域上，其中在該第三區域上之圖案化光阻層的厚度比在該第二區域上之圖案化光阻層的厚度還厚。
根據本發明之一面向，在該第三區域上該圖案化光阻層的厚度可以與在該第一區域上之該圖案化光阻層的厚度相同。
根據本發明之一面向，形成該圖案化光阻層在該第一區域與該第二區域上可以使用一半色調光罩(halftone mask)實現。
根據本發明之另一具體實例，提供製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含形成半導體層在基板上；形成閘極絕緣層在該基板上與該半導體層上；形成第一傳導層在該閘極絕緣層上及形成第二傳導層在該第一傳導層上；形成圖案化光阻層在該第二傳導層之第一區域上對應於閘極電極將被形成之處與該第二傳導層之第二區域上對應於像素電極將被形成之處，其中該第一區域具有比 該第二區域更厚的厚度；藉由移除該第一傳導層與該第二傳導層沒有被該光阻層覆蓋的部分、移除在該第二區域上的該圖案化光阻層及部分移除在該第一區域上的該圖案化光阻層來圖案化該第一傳導層與該第二傳導層；移除該第二區域之該第二傳導層以形成該像素電極及移除殘留在該第一區域上的該光阻層以形成該閘極電極；及形成電氣連接至該半導體層的源極與汲極電極，及其中該源極電極與該汲極電極其中之一電氣連接至該像素電極。
根據本發明之另一具體實例，提供製造有機發光顯示裝置之一方法，該方法包含使用相同光罩製程同時形成閘極電極與像素電極。
本發明之額外面向及/或優點將在接下來的實施方式中部分被提出，而且有些部分將在說明書中變得明顯，或可以由本發明之實施所得知。
10‧‧‧基板
11‧‧‧閘極絕緣層
13‧‧‧中間絕緣層
13a‧‧‧通孔
15‧‧‧平面化層
15a‧‧‧光阻層
15c‧‧‧接觸孔
17‧‧‧像素定義層
20‧‧‧TFT
21‧‧‧半導體層
23‧‧‧閘極電極
23a‧‧‧傳導層
23b‧‧‧光阻層
25‧‧‧源極/汲極電極
25a‧‧‧傳導層
25b‧‧‧光阻層
30‧‧‧OLED
31‧‧‧像素電極
31a‧‧‧傳導層
31b‧‧‧光阻層
32‧‧‧中間層
33‧‧‧反向電極
100‧‧‧基板
110‧‧‧閘極絕緣層
130‧‧‧中間絕緣層
130a‧‧‧通孔
130b‧‧‧開口
150‧‧‧像素定義層
150a‧‧‧絕緣層
150b‧‧‧光阻層
200‧‧‧TFT
210‧‧‧半導體層
230‧‧‧閘極電極
230a‧‧‧光阻層
231‧‧‧第一傳導層
231a‧‧‧第一傳導層
232‧‧‧第二傳導層
232a‧‧‧第二傳導層
250‧‧‧源極/汲極電極
250a‧‧‧傳導層
250b‧‧‧光阻層
300‧‧‧OLED
310‧‧‧像素電極
311‧‧‧第二傳導材料層
320‧‧‧中間層
330‧‧‧反向電極
410‧‧‧接線
411‧‧‧第一傳導層
412‧‧‧第二傳導層
A1‧‧‧第一區域
A2‧‧‧第二區域
A3‧‧‧第三區域
t1‧‧‧第一區域A1上之光阻層230a之厚度
t2‧‧‧第二區域A2上之光阻層230a之厚度
t3‧‧‧第三區域A3上之光阻層230a之厚度
t1’‧‧‧乾蝕刻後，第一區域A1上殘留之光阻層230a的厚度
t3’‧‧‧乾蝕刻後，第三區域A3上殘留之光阻層230a的厚度
本發明之該等及/或其他面向與優點將連結下列隨附圖式並藉由上述實施例之說明變得明顯且能輕易理解，其中：圖1A到圖1L為說明製造一有機發光顯示裝置之傳統方法的橫截面視圖；圖2A到圖2J為根據本發明之具體實例製造有機發光顯示裝置之方法的橫截面視圖，其中圖2J說明藉由此方法製造的該有機發光顯示裝置；及圖3A到圖3D為根據本發明另一具體實例製造有機發光顯示裝置之 方法的橫截面視圖，其中圖3D說明藉由此方法製造的該有機發光顯示裝置。
現在將詳細參照本發明之實施例，其中的例子將在隨附圖式中說明，其中類似的元件符號從頭至尾指稱相似的元件。該實施例將在以下藉由參照圖式說明以解釋本發明。
應該了解的是，當在這裡聲明的是一層「形成於一第二層之上」或「配置在一第二層之上」時，該第一層可以直接形成在該第二層上或該第一層可以直接配置在該第二層上，或可以有阻擋層介於該第一層與該第二層之間。進一步來說，在這裡使用以說明一裝置的用語「形成在…之上」被與像「位在…之上」或「配置在…之上」相同意義的用語一起使用，但不意欲限制任何相關之特殊製程。
圖2A到圖2J為根據本發明之一實施例說明製造有機發光顯示裝置之方法之橫截面視圖。第一，形成在圖2A中說明之該多層主體。特別的是，圖案化半導體層210經由第一光罩製程形成在基板100上。該基板100可以由任何合適材料形成，該合適材料舉例來說像是：玻璃材料、像是壓克力的塑膠材料或是金屬平板。如果需要的話，緩衝層(沒有顯示)可以在形成該半導體層210之前形成在該基板100上。
在形成該半導體層210之後，形成閘極絕緣層110以覆蓋該基板100與該半導體層210。該閘極絕緣層可以由像是氧化矽或氮化矽的絕緣材料形成。接著，形成第一傳導層231a在該閘極絕緣層 110上，及形成第二傳導層232a在該第一傳導層231a上。該第一傳導層231a可以由透明傳導材料形成，該傳導材料像是：ITO、IZO、In2O3或其類似物，而且該第二傳導層232a可以由傳導材料形成，該傳導材料像是：Mo、W、Al、Cu、Ag或由前述各種傳導材料形成之合金。特別的是，為了將在稍後討論的理由，該第一傳導層231a可以由非常難以蝕刻移除之傳導材料形成(該傳導材料像是氧化銦錫(ITO)，氧化銦鋅(IZO)、In2O3或其類似物)，而且該第二傳導層232a可以由很容易以蝕刻移除之傳導材料形成(該傳導材料像是Mo、W、Al、Cu、Ag或其形成之合金)。該第一傳導層231a與該第二傳導層232a可以依序形成。也就是說，該第一傳導層231a可以形成在該閘極絕緣層110上，接著該第二傳導層232a可以形成在該傳導層231a上。或者舉例來說，藉由使用雷射引導之熱引導(LITI)製程，該第一傳導層231a與該第二傳導層232a可以同時舖蓋在該閘極絕緣層110上。
在該第一傳導層231a與該第二傳導層232a形成之後，光阻層230a經由第二光罩製程形成在該第二傳導層232a之區域上。特別的是，該光阻層230a形成在第一區域A1(該第一區域A1對應於閘極電極230(參見圖2C)形成之處)與第二區域A2(該第二區域A2對應至像素電極210(參見圖2C)形成之處)。該光阻層230a以這樣的方式形成：該第一區域A1之厚度t1比該第二區域A2之厚度t2還厚。具有不同厚度之該光阻層230a的形成可以使用單一光罩製程進行，舉例來說像是半色調光罩。
在形成該光阻層230a之後，圖案化該第一傳導層231a與該第二傳 導層232a，也就是說，以乾蝕刻移除該第一傳導層231a與該第二傳導層232a沒有被該光阻層230a覆蓋的部分。在該第二區域A2上的該光阻層230a也被移除。特別的是，在該乾蝕刻製程中，蝕刻在該第一區域A1上的該光阻層230a與在該第二區域A2上的該光阻層230a。因為在該第一區域A1上之該光阻層230a之厚度t1比在該第二區域A2上之該光阻層230a之厚度t2還厚，雖然該蝕刻移除了在該第二區域A2上之該光阻層230a，但並沒有完全移除在該第一區域A1上之該光阻層230a。在該第一區域A1上之該光阻層230a維持厚度t1’，如同圖2B中所說明。
當該第一傳導層231a與該第二傳導層232a在區域A1被圖案化之後，閘極電極230由該第一傳導層231之殘留部分與該第二傳導層232之殘留部分形成。在區域A2，像素電極310與第二傳導材料層311由該閘極電極230之該第一傳導層231與該第二傳導層232之相同材料形成。
接著，藉由從該第二區域A2移除該第二傳導材料層311及從該第一區域A1移除該光阻層230a，可得到如圖2C說明之多層主體，其中在該多層主體中，該閘極電極230包括位在該第一區域A1上之該第一傳導層231與位在該第一傳導層231上之該第二傳導層232；及該像素電極310，該像素電極310(藉由使用與該閘極電極230之該第一傳導層231相同之材料形成且位在與該閘極電極230之該第一傳導層231之同一層上)配置在該第二區域A2上。
在該第二區域A2上之該第二傳導材料層311與殘留在該第一區域A1上之該光阻層230a可以由乾蝕刻移除以獲得圖2C所顯示之該構 造。如同上述參照圖2A所說明的，當該第一傳導層231a可以由很難以蝕刻移除之透明傳導材料形成(該透明傳導材料像是ITO、IZO、In2O3或其類似物)，而且該第二傳導層232a可以由很容易以蝕刻移除之傳導層形成(該傳導層像是Mo、W、Al、Cu、Ag或其形成之合金)時，接著當使用乾蝕刻在圖2B所說明的該多層主體上時，在該第二區域A2之該第二傳導材料層311被輕易蝕刻，但是該像素電極310沒有被蝕刻，也沒有被過度蝕刻，而是殘留下來，因此獲得在圖2C中說明的該多層主體。
可以從上述說明中看見的是，該閘極電極230與該像素電極310兩者皆可以在使用二光罩製程之後形成。相反地，在參照圖1A到圖1L所說明之製造該有機發光顯示裝置之傳統方法中，只需要二光罩製程以形成該閘極電極23，但是進一步需要分離光罩製程以形成該像素電極31。因此根據本發明之具體實例，該傳統方法需要比使用在該製造有機發光顯示裝置之方法更多道光罩製程。因此，根據本發明之本具體實例之該製造有機發光顯示裝置之方法，可以簡化光罩製程，可以減少製造成本，增加良率。
接下來，如圖2C所說明，在形成閘極電極230與像素電極310之後，形成中間絕緣層130以覆蓋該閘極電極230與像素電極310。接著，如同圖2D所說明的，經由第三光罩製程形成曝露一部分該半導體層210之通孔130a及曝露至少一部分的該像素電極310之開口130b。該第三光罩製程也可以使用光阻。更進一步來說，因為該像素電極310由難以蝕刻之材料形成，無論有沒有使用乾蝕刻或溼蝕刻以形成該開口130b，該像素電極310沒有被過度蝕刻而只 是被曝露。
在形成通孔130a與該開口130b之後，用於源極/汲極電極的傳導層250a如圖2E所說明一樣被形成，如此一來該傳導層250a經由該通孔130a接觸該半導體層210。該傳導層250a也經由該開口130b接觸該像素電極310。該傳導層250a可以由傳導材料形成，該傳導材料像是Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其形成之化合物。
接下來，如圖2F所說明，使用第四光罩製程以形成用於源極/汲極電極之光阻層250b在該傳導層250a之一部分上該源極/汲極電極將被形成之處。接著，藉由使用該光阻層250b圖案化該傳導層250a，形成絕緣於該閘極電極230並且分別接觸該半導體層210之電極250以完成薄膜電晶體(TFT)200，如圖2G所說明。
如上所述，因為該像素電極310由很難蝕刻之透明傳導材料形成，該材料像是ITO、IZO、In2O3及其類似物，當該源極/汲極電極250形成時，該像素電極310沒有被蝕刻或是沒有被過度蝕刻，而是殘留下來。因此，可以獲得在圖2G中說明的多層主體。
如同圖2F中所說明的，建構用於該源極/汲極電極的光阻層250b，如此一來，在蝕刻該傳導層250a以形成該源極/汲極電極250之後，該源極/汲極電極250接觸該像素電極310，如同圖2G所說明。
接著，如同圖2H中所說明的，形成用於像素定義層之絕緣層150a以覆蓋該源極/汲極電極250與該像素電極310，使用第五光罩製 程，如此一來除了曝露該像素電極310至少一部分的開口將被形成之處以外，形成用於該像素定義層之光阻層150b在該絕緣層150a上。該絕緣層150a可以由絕緣材料形成，該絕緣材料像是氧化矽或氮化矽。接著，如圖2I所說明，使用該光阻層150b蝕刻該絕緣層150a，如此一來形成曝露該像素電極310至少一部分的像素定義層150。接著，經由第六光罩製程形成包括發光層之中間層320在該像素電極310上，而且形成反向電極330以覆蓋該全部顯示區域。如同圖2J中所說明的，具有有機發光二極體(OLED)300作為像素之主動矩陣(AM)有機發光顯示裝置(該有機發光二極體之發光由該TFT 200控制)因此被製造。
該OLED 300之該中間層320可以由小分子量材料或聚合物材料形成。當使用小分子量材料時，該中間層320可以由堆疊以下各層形成：發光層(EML)與在單層或多層結構中的電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)與電子注入層(EIL)中之一或多者，而且可以使用各種有機材料，像是銅酞青素(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(NPB)、參-8-羥基喹啉鋁(Alq3)及其類似物。可以使用真空沉積方法形成這些層。當使用聚合物材料時，一般來說，該中間層320可以包括HTL與EML。舉例來說，可以使用聚-(3,4)-伸乙基-二氧基噻吩(PEDOT)來當作該HTL，及可以使用聚苯基乙烯(PPV)基底聚合物材料或聚茀(polyfluorene)基底聚合物材料來當作該EML。可以使用網版印刷方法或噴射印刷方法形成該HTL與該EML。然而，該中間層320的構造並不限制於此，而且可能變動。
可以形成該反向電極330以作為透明電極或作為反射電極。當該反向電極330為透明電極時，該反向電極330可以包括一由金屬形成之層，該金屬為具有一低功函數之金屬，像是：Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物，以及透明傳導層，像是ITO、IZO、ZnO或In2O3。當該反向電極330為反射電極，該反向電極330可以是由下列各者形成之層：Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物。形成該反向電極330之構造與材料並不限制於此，而且可以變動。
根據參照圖1A到圖1L所說明之製造該有機發光顯示裝置之傳統方法，需要總數為八道之光罩製程。然而，藉由使用根據本發明之本具體實例之製造有機發光顯示裝置的方法，可以使用僅有六道光罩之製程製造AM有機發光顯示裝置。因此，依照根據本發明之本具體實例之製造有機發光顯示裝置的方法，可以簡化製程，減低製造成本，也可以增加良率。
圖2J說明根據上述方法製造之有機發光顯示裝置。該有機發光顯示裝置包括TFT 200及像素電極310，該像素電極310電氣連接至該TFT 200之源極/汲極電極250其中之一。閘極電極230包括第一傳導層231與配置在該第一傳導層231上之第二傳導層232。該像素電極310藉由使用與該閘極電極230之該第一傳導層231相同之材料形成，且該像素電極與該閘極230之該第一傳導層231位在同一層上。這樣的一個第一傳導層231可以由透明傳導材料形成，該透明傳導材料像是ITO、IZO、In2O3或其類似物。根據本具體實例之該有機發光顯示裝置具有簡單構造，而且如上所述，與在圖 1L中所說明之該傳統有機發光顯示裝置相比，可以用更少光罩製程形成，因此使得製造良率增加、製造成本減低。
進一步來說，在圖1L中之該傳統有機發光顯示裝置是使用傳統方法製造而成，該像素電極31配置在該TFT 20之頂端表面，如此一來該閘極絕緣層11、該中間絕緣層13與該平面化層15被插入在該基板10與該像素電極31之間。然而在根據本發明之面向之圖2J的該有機發光顯示裝置(使用上述之製造該有機發光顯示裝置之方法製造)中，將該像素電極310配置於與該閘極電極230之第一傳導層231位在同一層上，如此一來，只有該閘極絕緣層110被插入在該像素電極310與該基板100之間。因此，如同參照圖2J所見，在底端發射型式有機發光顯示裝置中，從該中間層320發射的光到被發射至穿透該像素電極310與該基板100外側所經過之層的數目與在傳統有機發光顯示裝置在被發射到該外側之前通過的層的數目相比會大為減少。因此可以大大地加強光學效率。
根據本發明之面向之圖2J的該有機發光顯示裝置中包括之層的數目與圖1L中之該傳統有機發光顯示裝置中包括的層的數目相比也減少。因此，可能減化該有機發光顯示裝置之構造以增加良率、減少製造成本。
圖3A到圖3D為根據本發明之另一具體實例說明製造有機發光顯示裝置之方法的橫截面視圖。
首先，形成如圖3A中所說明之多層主體。特別的是，在基板100上經由第一光罩製程形成被圖案化之半導體層210。如果需要的 話，可以在該半導體層210形成前形成緩衝層(沒有顯示)在該基板100上。
在形成該半導體層210之後，使用絕緣材料形成閘極絕緣層110。接著，形成第一傳導層231a與在該第一傳導層231a上之第二傳導層232a在該閘極絕緣層110上。該第一傳導層231a可以由透明傳導材料形成，該透明傳導材料像是ITO、IZO、In2O3或其類似物，而該第二傳導層232a可以由透明傳導材料形成，該透明傳導材料像是Mo、W、Al、Cu、Ag，或是由這些材料形成的合金。
在形成該第一傳導層231a與該第二傳導層232a之後，經由第二光罩製程形成光阻層230a在該第二傳導層232a之區域上。特別的是，形成該光阻層230a在第一區域A1(該第一區域A1對應於一閘極電極230(見圖3C)將被形成之處)與第二區域A2(該第二區域A2對應於像素電極210(見圖3C)將被形成之處)以及第三區域A3(電氣連接至該閘極電極230的接線將被形成之處)。該光阻層230a以這樣的方式形成：將形成該閘極電極之第一區域A1的厚度t1會比將形成像素電極之第二區域A2的厚度t2還厚。在該第三區域A3上之該光阻層230a的厚度t3也比該第二區域A2上之該光阻層230a的厚度t2還厚。舉例來說，在該第三區域A3上之該光阻層230a的厚度t3可以與在該第一區域A1上之該光阻層230a的厚度t1相等。形成具有不同厚度之該光阻層230a可能使用單一光罩製程完成，舉例來說像是使用半色調光罩。
在形成該光阻層230a之後，圖案化該第一傳導層231a與該第二傳導層232a，也就是說，藉由乾蝕刻移除沒有被該光阻層230a覆蓋 的區域。也移除在該第二區域A2上的該光阻層230a。特別的是，在該乾蝕刻製程中，蝕刻了在該第一區域A1上之該光阻層230a、在該第二區域A2上之該光阻層230a、在該第三區域A3上之該光阻層230a。因為在該第一區域A1上之該光阻層230a的厚度t1與在該第三區域A3上之該光阻層230a的厚度t3比在該第二區域A2上之該光阻層230a的厚度t2還厚，雖然在該第二區域A2上之該光阻層230a被移除，但蝕刻並沒有完全移除在該第一區域A1上之該光阻層230a或在該第三區域A3上之該光阻層230a。在該第一區域A1上之該光阻層230a維持厚度t1’，而且在該第三區域A3上之該光阻層230a維持厚度t3’，如同在圖3B中所說明的。
當在區域A1處圖案化該第一傳導層231a與該第二傳導層232a，由該第一傳導層231與該第二傳導層232形成閘極電極230(也就是說，由該第一傳導層231a與該第二傳導層232a之殘留部分形成閘極電極230)。在區域A2，由與該閘極電極230之該第一傳導層231相同的材料形成像素電極310與第二傳導材料層311，且該像素電極310及一第二傳導材料層311與該閘極電極230之該第一傳導層231及該第二傳導層232位在相同層上。在區域A3，被形成之接線410包括第一傳導層411與在該第一傳導層411上的一第二傳導層412(也就是說，由該第一傳導層231a與該第二傳導層232a之殘留部分形成)。
接著，藉由移除在該第二區域A2上之該第二傳導材料層311、殘留在該第一區域A1上之該光阻層230a與殘留在該第三區域A3上之該光阻層230a，可以得到如同圖3C中所說明之多層主體，其中在 該多層主體中，該閘極電極230包括被配置在該第一區域A1之該第一傳導層231與在該第一傳導層231上之該第二傳導層232，而藉由使用與該閘極電極230之該第一傳導層231相同材料形成並與該閘極電極230之該第一傳導層231位在同一層上的該像素電極310被配置在該第二區域A2，形成包括該第一傳導層411之該接線410與在該第一傳導層411上之該第二傳導層412在該第三區域A3上。可以藉由乾蝕刻移除在該第二區域A2上之該第二傳導材料層311、殘留在該第一區域A1上之該光阻層230a、以及殘留在該第三區域A3上之該光阻層230a。
從上述說明可見，可以在使用只有兩道光罩之製程之後形成該閘極電極230、該像素電極310與該接線410。相對地來說，在參照圖1A到圖1L所說明之製造該有機發光顯示裝置的傳統方法中，只需要兩道製程以形成該閘極電極23，但是進一步需要分離的光罩製程以形成該像素電極31。因此，該傳統方法比使用根據本發明之本實施例製造該有機發光顯示裝置的方法需要更多光罩製程。因此，依照根據本發明之本實施例製造該有機發光顯示裝置的方法可以簡化製程、減低成本與增加良率。
接下來，在如圖3C所說明形成閘極電極230、該像素電極310與該接線410之後，實行近似於參照圖2D到圖2J所說明之製程，並且接著製造AM有機發光顯示裝置，該AM有機發光顯示裝置具有OLED 300以作為像素，該OLED 300之發光由TFT 200控制。
根據參照圖1A到圖1L所說明之製造該有機發光顯示裝置之傳統方法，需要總數為八道之光罩製程。然而，藉由使用根據本發明之 本實施例之製造有機發光顯示裝置的方法，可以使用總數為六道之光罩製程製造AM有機發光顯示裝置。因此，依照根據本發明之本實施例之製造有機發光顯示裝置的方法，可以簡化製程，減低製造成本，也可以增加良率。
圖3D說明根據上述方法製造之圖3D中之有機發光顯示裝置。該有機發光顯示裝置包括TFT 200、電氣連接至該TFT 200之源極/汲極電極250其中之一的像素電極310與接線410。閘極電極230包括第一傳導層231與在該第一傳導層231上之第二傳導層232。藉由使用與該閘極電極230之該第一傳導層231相同之材料形成該像素電極310，且該像素電極310與該閘極230之該第一傳導層231位在同一層上，該接線410具有相同構造並且由與該閘極電極230之相同層形成。這樣的一個第一傳導層231可以由透明傳導材料形成，該透明傳導材料像是ITO、IZO、In2O3或其類似物。根據本發明之該有機發光顯示裝置具有簡單構造，與在圖1L中所說明之該傳統有機發光顯示裝置相比，可以用更少光罩製程形成，因此使得製造良率增加、製造成本減低。
進一步來說，在圖1L中之該傳統有機發光顯示裝置是使用傳統方法製造而成，該像素電極31配置在該TFT 20之頂端表面，如此一來該閘極絕緣層11、該中間絕緣層13與該平面化層15被插入在該基板10與該像素電極31之間。然而在根據本發明之面向之圖3D的該有機發光顯示裝置(藉由使用圖3A到圖3C所說明之製造該有機發光顯示裝置之方法製造)中，該像素電極310被配置於與該閘極電極230之第一傳導層231位在同一層上，如此一來，只有該閘 極絕緣層110被插入在該像素電極310與該基板100之間。因此，在底端發射型式有機發光顯示裝置中，從一後端有機發光顯示裝置之該中間層320發射的光到經由像素電極310與該基板100發射至外側所經過之層的數目與在傳統有機發光顯示裝置在被發射到該外側之前通過之層的數目相比會大為減少。因此可以大大地加強光學效率。
根據本發明之面向之圖3D的該有機發光顯示裝置中包括之層的數目與圖1L中之該傳統有機發光顯示裝置中包括之層的數目相比也減少了。因此，可能減少該有機發光顯示裝置之構造以增加良率、減少製造成本。
該有機發光顯示裝置與製造該有機發光顯示裝置之方法可以實施有機發光顯示裝置，減少了光罩使用次數的數目，減低了製造成本並且簡化了其中的製造。
雖然顯示並說明了本發明的一些實施例，習於此技藝者將可了解的是可以改變本實施例而不偏離本發明之原則與精神、以及由申請專利範圍與它們的等效物定義的範疇。
100‧‧‧基板
110‧‧‧閘極絕緣層
130‧‧‧中間絕緣層
150‧‧‧像素定義層
200‧‧‧TFT
210‧‧‧半導體層
230‧‧‧閘極電極
231‧‧‧第一傳導層
232‧‧‧第二傳導層
250‧‧‧源極/汲極電極
300‧‧‧OLED
310‧‧‧像素電極
320‧‧‧中間層
330‧‧‧反向電極
410‧‧‧接線
411‧‧‧第一傳導層
412‧‧‧第二傳導層
A1‧‧‧第一區域
A2‧‧‧第二區域
A3‧‧‧第三區域

Claims (11)

  1. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：形成第一傳導層及形成在該第一傳導層上之第二傳導層，該第一傳導層係形成在基板上；形成圖案化光阻層在該第二傳導層的第一區域上，該第二傳導層之第一區域對應於閘極電極將被形成之處，及形成圖案化光阻層在該第二傳導層的第二區域上，該第二傳導層之第二區域對應於像素電極將被形成之處，其中該圖案化光阻層在該第一區域的厚度比在該第二區域的厚度更厚；藉由移除該第一傳導層與該第二傳導層沒有被該圖案化光阻層覆蓋的部分及移除在該第二區域上的該圖案化光阻層，以圖案化該第一傳導層與該第二傳導層；及利用同一蝕刻製程移除該第二區域之該第二傳導層以形成該像素電極及移除殘留在該第一區域上的該圖案化光阻層以形成該閘極電極。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一傳導層係由透明傳導材料形成。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一傳導層係由比形成該第二傳導層之材料更難以蝕刻的材料形成。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一傳導層係由氧化銦錫、氧化銦鋅或In2O3形成，及該第二傳導層係由Mo、W、Al、Cu、Ag或其合金形成。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一傳導層與該第二傳導層係依序形成。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一傳導層與該第二傳導層係同時形成。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在該第一區域上之該圖案化光阻層在厚度方向上之部分移除與該第二區域上之該圖案化光阻層之移除同時發生。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在該第一區域與該第二區域上之該圖案化光阻層的形成係使用半色調光罩進行。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包括形成該圖案化光阻層在該第二傳導層之第三區域上，該第二傳導層之第三區域對應於電氣連接至該閘極電極之接線將形成之處，同時形成該圖案化光阻層在該第一區域與該第二區域上，及其中在該第三區域上之圖案化光阻層的厚度比在該第二區域上之圖案化光阻層的厚度還厚；及進一步包括從該第三區域移除該圖案化光阻層，同時從該第一區域移除該圖案化光阻層及從該第二區域移除該第二傳導層。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中在該第三區域上之該圖案化光阻層的厚度與在該第一區域上之該圖案化光阻層的厚度相等。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中在該第一區域、第二區域與第三區域上該圖案化光阻層的形成係使用半色調光罩來進行。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110024531A (ko) * 2009-09-02 2011-03-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101094308B1 (ko) * 2010-01-19 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101108164B1 (ko) * 2010-02-03 2012-02-06 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101233348B1 (ko) 2010-06-09 2013-02-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120031772A (ko) * 2010-09-27 2012-04-04 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120042037A (ko) * 2010-10-22 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
KR20120043404A (ko) * 2010-10-26 2012-05-04 삼성모바일디스플레이주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR101736319B1 (ko) * 2010-12-14 2017-05-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101889748B1 (ko) * 2011-01-10 2018-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101881462B1 (ko) * 2011-02-10 2018-07-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101805753B1 (ko) * 2011-06-13 2017-12-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101811703B1 (ko) * 2011-08-04 2017-12-26 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
CN103515375B (zh) 2012-06-18 2016-01-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、以及显示装置
KR20150044736A (ko) * 2013-10-17 2015-04-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 유기 발광 표시 장치, 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
KR102293123B1 (ko) 2015-04-08 2021-08-24 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 유기 발광 표시 장치, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102537439B1 (ko) * 2016-01-15 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN107887398B (zh) * 2017-11-14 2022-01-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板以及显示装置
KR20220167438A (ko) 2021-06-11 2022-12-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002107762A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Sharp Corp 液晶用マトリクス基板の製造方法
TW565724B (en) * 2001-12-28 2003-12-11 Fujitsu Display Tech Thin film transistor device and method of manufacturing the same
US20050230684A1 (en) * 2004-03-11 2005-10-20 Chang-Su Seo Top-emission organic light-emitting display device and method of fabricating the same

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0315827A (ja) * 1989-06-14 1991-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレー及び液晶表示装置
JPH1031233A (ja) 1996-07-15 1998-02-03 Sony Corp 反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法
JP4850763B2 (ja) * 1999-03-26 2012-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6838696B2 (en) 2000-03-15 2005-01-04 Advanced Display Inc. Liquid crystal display
JP2001339072A (ja) 2000-03-15 2001-12-07 Advanced Display Inc 液晶表示装置
US7223643B2 (en) 2000-08-11 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP4954401B2 (ja) 2000-08-11 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP2002134756A (ja) 2000-10-26 2002-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2002366057A (ja) 2001-06-11 2002-12-20 Toshiba Corp 表示装置
JP3857142B2 (ja) 2002-01-11 2006-12-13 シャープ株式会社 液晶用マトリクス基板の製造方法
KR100853220B1 (ko) 2002-04-04 2008-08-20 삼성전자주식회사 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
KR100579182B1 (ko) 2002-10-30 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법
US7224118B2 (en) * 2003-06-17 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode
JP4593179B2 (ja) 2003-06-17 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR100659532B1 (ko) * 2003-11-28 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
US7056834B2 (en) * 2004-02-10 2006-06-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Forming a plurality of thin-film devices using imprint lithography
KR100712095B1 (ko) * 2004-02-17 2007-05-02 삼성에스디아이 주식회사 표시장치의 제조방법
KR101107252B1 (ko) 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 일렉트로-루미네센스 표시 패널의 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법
KR101162772B1 (ko) * 2005-04-06 2012-07-04 삼성모바일디스플레이주식회사 발광표시장치 및 그 제조방법
JP5060738B2 (ja) * 2006-04-28 2012-10-31 株式会社ジャパンディスプレイイースト 画像表示装置
JP2008129314A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置およびその製造方法
KR20080078164A (ko) * 2007-02-22 2008-08-27 삼성전자주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR101374102B1 (ko) * 2007-04-30 2014-03-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조 방법
US8153352B2 (en) * 2007-11-20 2012-04-10 Eastman Kodak Company Multicolored mask process for making display circuitry

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002107762A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Sharp Corp 液晶用マトリクス基板の製造方法
TW565724B (en) * 2001-12-28 2003-12-11 Fujitsu Display Tech Thin film transistor device and method of manufacturing the same
US20050230684A1 (en) * 2004-03-11 2005-10-20 Chang-Su Seo Top-emission organic light-emitting display device and method of fabricating the same

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