TWI408828B - Radiation photography device - Google Patents

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TWI408828B
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Description

放射線攝影裝置
本發明係關於攝取放射線影像之放射線攝影裝置，特別是關於乳腺攝影法之用途所使用的大型之放射線攝影裝置。
在醫療用、產業用之X射線攝影中，近年來，代替X射線感光膜，而使用放射線檢測元件之放射線影像系統被廣泛利用。此種放射線影像系統並非如X射線感光膜般需要顯影，可以即時地確認放射線影像等，方便性高、資料的保存性或處理之容易性等方面，都具有優點。
一般的放射線影像系統係藉由閃爍器而將入射之放射線影像轉換為可見光等(包含紫外線、紅外線)，藉由排列為1維或2維狀之光檢測元件而將轉換後之光影像檢測出，並當成對應影像資料之電氣訊號而予以輸出。特別是，在固體攝影元件之受光面上直接沈積閃爍器之構造的放射線檢測元件，具有其之處理容易之優點。
可是，固體攝影元件愈大畫面化，其製造時之良率愈降低。因此，各攝影元件之大畫面化有其界限。另一方面，放射線與可見光等不同，無法藉由光學系統而縮小影像，因此，需要覆蓋實像之尺寸的攝影元件。例如，在胸部之X射線攝影裝置、或乳癌診斷用之乳腺攝影裝置、顎部之全景照相攝影裝置中，知道有藉由將小型的攝影元件排列為瓷磚狀之對接(buttable)排列，而形成大畫面之攝影元件之技術(例如，參考專利文獻1)。
進而，作為縮小對接排列之各攝影元件間的邊界部份之無效區域(dead area)的技術，也知道有：將多數之檢測器由放射線入射方向來看予以前後錯開而配置，以使得該攝影區域互相重疊之技術(例如，參考專利文獻2)。
專利文獻1：日本專利特開平9-153606號公報
專利文獻2：日本專利特開2000-292546號公報
如前述般，在將攝影元件對接排列之情形，如專利文獻2所記載般，相互之邊界部之無效區域之產生會成為問題。依據專利文獻2之技術，藉由配置使其攝影區域互相重疊，雖可使無效區域縮小，但是，在由放射線入射方向來看，在被配置於前面之攝影元件所遮住的處所，放射線受基板影響等而衰減。特別是，在醫療用之放射線攝影裝置中，為了減少被驗者或操作者的暴露量，要求能減少放射線量之同時，能進行高感度、高解析度之測定的機器，此種衰減會使所獲得之影像的解析度變差，並不理想。
因此，本發明之課題在於提供：即使以較少的放射線量，亦能高感度、高解析度取得大畫面之放射線影像的對接排列之放射線攝影裝置。
為了解決前述課題，本發明之放射線攝影裝置，係於2維排列畫素而形成有受光部之固體攝影元件的受光面沈積閃爍器，該閃爍器係藉由放射線入射使該固體攝影元件發出包含具有感度之波長光的光者，將以保護膜覆蓋閃爍器而形成之放射線攝影元件，於基台上並列m×n(m為2以上、n為1以上之整數)個而配置；其特徵為：於鄰接配置之任意二個放射線攝影元件間，(1)一方之放射線攝影元件對於基台之固定面，係較另一方之放射線攝影元件之放射線入射面更突出於放射線入射方向，而且，(2)由放射線入射方向來看，被配置於背面之放射線攝影元件的受光部，在不被配置於前面之放射線攝影元件所遮住之狀態下，兩者係近接配置，(3)被配置於前面之放射線攝影元件的受光部，係擴展至被配置於背面之放射線攝影元件側之周緣部，直到該周緣部為止形成有與受光部中心部略同一厚度之閃爍器。
依據本發明，在鄰接配置於基台之放射線攝影元件間，其之受光部係被近接配置。此時，由放射線入射方向來看，被配置於背面之放射線攝影元件的受光部不被配置於前面的放射線攝影元件所遮住，因此，即使在配置於背面側之放射線攝影元件中，受光部之全面也成為有效攝影區域。另外，配置於前面之放射線攝影元件，係其之受光部擴展至近接配置於背面之放射線攝影元件側之周緣部，因此，受光區域之邊界被擴大至配置於背面之放射線攝影元件側為止。而且，藉由直到周緣部為止以均勻厚度形成閃爍器，如此則可以擴大配置於前面之放射線攝影元件的有效影像區域之同時，可達成區域內之攝影特性的均勻化。
在鄰接配置之任意2個放射線攝影元件中，由放射線入射方向來看，配置於背面之放射線攝影元件的端部與配置於前面之放射線攝影元件之端部，係被配置於互相重疊之位置。如此則，由放射線入射方向來看，受光部呈接近配置。
在鄰接配置之任意二個放射線攝影元件中，由放射線入射方向來看，於配置於背面之放射線攝影元件中，由配置在前面之放射線攝影元件所遮住之端部側的受光部端部至外側為止，沈積有閃爍器，且直到該受光部端部為止形成均勻厚度之閃爍器。
在配置於背面之放射線攝影元件中，在配置於前面之放射線攝影元件所遮住之位置，可以存在有受光部以外的部份。亦即，可由受光部起朝外側形成電路或保持部。而且，直到受光部端部為止形成有均勻厚度之閃爍器，如此則可使受光部全體之攝影特性均勻化。
如依據本發明，可以在不限制有效影像區域狀態下，將各放射線攝影元件之受光部近接配置，因此，可以抑制無效區域之產生，同時可使有效影像區域內的攝影特性均勻化。因此，藉由組合多數之攝影元件，藉由對接並列來形成大畫面之攝影元件，可以抑制由於攝影元件不同所產生之影像不均或失焦，即使以較少的放射線量，也可以獲得高感度、高解析度之影像。
由放射線入射方向來看，端部互相重疊而配置，可使受光部更呈近接配置，能使無效區域變得更小。
配置於背面之放射線攝影元件，係和配置於前面之放射線攝影元件不同，不需要將受光部近接周緣部附近而配置。藉由將受光部設置於基板的中央附近，可以直到受光部的端部為止容易地形成均勻厚度的閃爍器，產品的良率更為提升。特別是，在將大小不同之2個放射線攝影元件鄰接配置時，藉由使配置於背面之放射線攝影元件大些，可以直到受光部的端部為止容易地形成均勻厚度之閃爍器，產品的良率更為提升。
以下，參考所附圖面，針對本發明之適當的實施形態作詳細說明。為了使說明容易理解，在各圖面中，對於相同的構成要素，儘可能賦予相同的參考符號，重複之說明予以省略。
第1圖～第3圖係表示本發明之放射線攝影裝置的第1實施形態。第1圖係由放射線入射方向所見到的正面圖，第2圖係其之II-II線剖面圖，第3圖係第2圖之放射線攝影元件的邊界部份之放大圖。
如第1圖～第3圖所示般，此放射線攝影裝置100，係在基台1上以不同階差配置有放射線攝影元件2與3。各放射線攝影元件2、3，係形成在Si基板20、30上之MOS(Metal-Oxide Semiconductor：金屬氧化物半導體)型之影像感測器，形成為矩形平板狀。此處，Si基板20之尺寸為184mm×231mm，Si基板30之尺寸為96mm×231mm，兩者厚度都是725μm。
直到Si基板20、30表面之鄰接2邊的附近為止，配置有受光區域之光感應部(受光部)21、31。此2邊，在第1圖中，為配置於另一方之放射線攝影元件2或3側的邊與位於圖中下側之邊。各光感應部21、31，係使進行光電轉換之光電轉換元件亦即多數光二極體被排列為2維狀而形成畫素。於各光二極體配置有分別對應之MOSFET(Field-Effect Transisotr：場效電晶體)，以控制在光二極體所產生的電荷之讀出。光感應部21的尺寸為179.4mm×209mm(面積約37500mm2 )，具有3520×4416畫素(合計約1550萬畫素)。另一方面，光感應部31之尺寸為約其一半的82.8mm×209mm(面積約17300mm2 )，具有1760×4416畫素(合計約780萬畫素)。
於沿著Si基板20、30之光感應部21、31的外側2邊之區域，分別形成有移位暫存器部22、32及放大部23、33，在其更外側形成有接合銲墊部24、34。
移位暫存器部22、32係分別藉由未圖示之配線而電氣連接於光感應部21、32內之對應的MOSFET，控制MOSFET之驅動，而將光二極體所產生的電荷傳送至放大部23、33。
放大部23、33分別係由：多數放大器(充電放大器)，及並聯連接於各放大器之電容元件、及與彼等並聯連接之開關元件等所形成。放大部23、33之各放大器，係介由MOSFET而藉由未圖示出之配線與對應的光二極體電氣連接。
接合銲墊部24、34係由：藉由未圖示出之配線而分別連接於移位暫存器部22、32之接合銲墊部24a、34a，及藉由未圖示出之配線而分別連接於放大部23、33之接合銲墊部24b、34b所形成。
藉由在晶片邊緣形成電極或配線，具有不使因為切割所產生的微碎片或在該部份所產生的電子電洞對到達光感應部21、31之效果。
在光感應部21、31與其周圍之Si基板20、30表面上，形成有藉由放射線入射而產生包含特定波長之光的閃爍器25、35。此處，閃爍器25、35，係連續形成直到光感應部21、31呈近接之Si基板20、30的側壁部。另外，閃爍器25、35可覆蓋移位暫存器部22、32或放大部23、33而形成。另外，移位暫存器部22、32或放大部23、33較最好是彼等之表面以光遮蔽構件及放射線遮蔽構件所覆蓋，但是，在藉由閃爍器25、35覆蓋時，也可以是不具有放射線遮蔽構件之構成。放射線直接射入移位暫存器部22、32或放大部23、33時，會成為雜訊之原因，成為誤動作之原因，藉由吸收放射線之閃爍器25、35加以覆蓋，可以抑制此種雜訊或誤動作之產生。另外，需要使接合銲墊部24、34露出，因此，閃爍器25、35係形成為不到達這些區域。
閃爍器25、35所產生之光只要是包含光感應部21、31之光二極體具有感度之波長光即可，在可見光之外，也可以為紫外線或紅外線。閃爍器25、35雖可使用各種材料，但是，以發光效率好之摻雜Tl之CsI材料為佳。此閃爍器25、35可藉由蒸鍍而在光感應部21、31的表面直接形成為柱狀結晶。
另外，閃爍器25、35，係在光感應部21、31上方，直到其端部為止形成為大略均勻之厚度。閃爍器25、35的厚度以設為30～550μm之程度為佳。在本實施形態中，閃爍器25、35之厚度係設定為165μm。
形成保護膜26、36而覆蓋閃爍器25、35之表面並將彼等分別加以密封。被當成閃爍器25、35使用之CsI，係具有吸收空氣中的水蒸汽(溼氣)而溶解之潮解性。為了防止水蒸汽侵入閃爍器25、35，以水蒸汽遮斷性(水分不透過性)良好之耐溼保護膜加以覆蓋。保護膜26、36可以使用水蒸汽遮斷性良好之有機膜、無機膜及彼等的組合，例如，以使用聚對二甲苯樹脂(Three bond公司製造、商品名Palylene)或其之一種的聚對二甲氯(同一公司製造，商品名Palylene C)為佳。
此保護膜26、36，係由Si基板20、30之受光面上的閃爍器25、35、及其周圍之接合銲墊部24、34、與閃爍器25、35之邊界區域起，超過形成有閃爍器25、35之側壁部份而直到Si基板20、30的背面(光感應部21、31之形成面的相反面)連續地形成為一體。保護膜26、36之厚度以數μm～十數μm之程度為佳，在本實施形態中，設定為10μm。
另一方面，基台1係由：上面形成為階梯狀之固定基台10、及分別被固定在此固定基台10之載置面10a、10b上，且各放射線攝影元件2、3被固定在其上之配線基板11、12所形成。
固定基台10例如係陶瓷製，其尺寸為372×245mm，厚度在載置面10a部份為5mm，在載置面10b部份為4mm，10a和10b之階差為1mm。載置面10a、10都是形成為比後述之配線基板11、12稍微寬些。
配線基板11、12也還是陶瓷製之基板，其尺寸係被設定為比對應的放射線攝影元件2、3稍寬些，例如，配線基板11為226×248mm，配線基板12為138×248mm。另外，厚度兩者都是設定為3.2mm。
於配線基板11、12設置有多數之由表面貫穿至背面之貫穿孔111、121(參考第2、第3圖)。這些貫穿孔111、121，如由表面或背面側來看，係被配置於等間隔所畫之格子線的交叉點上。以下，以p表示鄰接之貫穿孔111、121的間隔亦即間距。這些貫穿孔111、121，只設於分別載置放射線攝影元件2、3之區域內雖已足夠，但是突出載置區域而設置於全面也沒有關係。貫穿孔111、121之大小可考慮配線基板11、12的強度、厚度、貫穿孔111、121的通氣性而適當設定。在本實施形態中，貫穿孔111、121的直徑係設為約0.4mm~0.5mm，其間距p係設定為20mm。
接著，具體說明此放射線攝影裝置100的製造方法。首先，如第4圖所示般，於矩形Si基板20上，準備形成有光感應部21、移位暫存器部22(未圖示出)、放大部23(未圖示出)、接合銲墊部24之影像感測器5。此處，光感應部21並非位於Si基板20的中央，而是靠近鄰接之2邊而配置。此影像感測器5，例如係藉由在12英吋(約30公分)直徑的Si晶圓上藉由使用步進機裝置等周知的手法，形成集成化之電路後，切斷為所期望之尺寸而製造。
接著，使比光感應部21更寬之區域呈露出般而罩上遮罩之狀態下，將Si基板20配置於閃爍器之蒸鍍室內，形成閃爍器25。此處，和光感應部21呈近接之Si基板20的側壁部份，也使其由遮罩露出。遮罩可以使用沿著光感應部21之周圍的2邊的部份，及利用該部份的背面而將Si基板20保持為相反方向之蒸鍍保持器。
在此狀態下，藉由真空蒸鍍法，使Si基板20的露出部份成長摻雜有Tl之CsI的柱狀結晶。被蒸鍍之閃爍器25的厚度一到達所期望的厚度(例如，165μm)，則由蒸鍍室取出形成有閃爍器25之影像感測器5(參考第5圖)。藉此，可以形成由光感應部21的全面至鄰接之側壁部為止，具有大略均勻厚度之閃爍器25。
閃爍器25之素材亦即CsI，其吸溼性高，如在露出狀態下放置，會吸收空氣中的水蒸汽而加以溶解(具有潮解性)。因此，為了保護閃爍器25，藉由CVD(化學蒸鍍)法，以厚度10μm之Palylene包住影像感測器5之略全體，而形成保護膜26。
在CsI之柱狀結晶間雖有間隙，但是，Palylene會某種程度進入此狹窄間隙，因此，保護膜26與閃爍器25密接，而將閃爍器25密封。藉由此Palylene塗佈，可以在表面有微細凹凸之閃爍器25上形成均勻厚度之精密薄膜塗佈層。另外，Palylene之CVD形成，真空度比金屬蒸鍍時低，可以在常溫進行，因此，加工容易。
將如此形成之保護膜26於特定位置加以切斷，去除不需要部份，使接合銲墊部24部份露出(參考第6圖)。在本實施形態中，雖只在包圍閃爍器25之區域殘留保護膜26，但是，殘留保護膜26至較其更寬之區域亦可。例如，只使接合銲墊部24a、24b露出，其以外之區域以保護膜26加以覆蓋亦可。
藉此，可以獲得第1圖～第3圖所示之放射線攝影元件2。關於放射線攝影元件3，也可以藉由同樣的手法製造。
接著，如第7圖所示般，準備具有貫穿孔111之配線基板11，於配線基板11的放射線攝影元件2之載置面以格子狀地塗佈絕緣性樹脂之接著構件112。此時，接著構件112係避開貫穿孔111而被配置在與水平方向鄰接之貫穿孔111之間的略中心位置上。具體為：將配置貫穿孔111之格子線，在格子線之延長方向的2方向分別錯開0.5p之格子線上延伸而塗佈接著構件112。在本實施形態中，接著構件112的寬度為1mm、厚度為0.5mm。
塗佈接著構件112之後，在配線基板11的接著構件塗佈面上面對放射線攝影元件2的背面(與Si基板20的光感應部21形成面相反側之表面)而載置(參考第8圖)，在此狀態下，將配線基板11導入如第9圖所示之裝置6。此裝置6，係採取朝所導入之配線基板11的上側之空間60與朝下側之空間61被配線基板11分離之構造。而且，具備將下側之空間61內的空氣予以排出之真空泵62。
將配線基板11導入裝置6之後，使真空泵62動作，將下側之空間61內減壓。配線基板11的貫穿孔111，係通過下側之空間61，因此，藉由此減壓使放射線攝影元件2的背面側之氣壓比其表面(光感應部21形成面)側的氣壓低。藉由如此所產生之表面側與背面側的氣壓差，放射線攝影元件2被按壓於配線基板11。藉此，接著構件112會薄薄擴展於放射線攝影元件2與配線基板11之間。在此狀態下，使接著構件112硬化，而將放射線攝影元件2固定於配線基板11。
固定後，使在與配線基板11的放射線攝影元件2之接合銲墊部24呈對向之區域上被配置的接合銲墊部(未圖示)，與對應之接合銲墊部24，藉由同樣未圖示出之導線予以連接(導線接合)。藉由同樣的手法，將放射線攝影元件3藉由接著構件122而固定於配線基板12上。
如此，利用設置於配線基板11、12之貫穿孔111、121，使放射線攝影元件2、3之表面與背面間產生氣壓差，藉由所產生的氣壓差將放射線攝影元件2、3按壓於配線基板11、12而加以固定，因此，不需要在放射線攝影元件2、3的表面上設置按壓用的多餘空間，可將閃爍器25、35之形成面在放射線攝影元件2、3的表面中確保為最大限度。因此，對於光感應部21、31，可使放射線攝影元件2、3的面積變得輕巧化(compact)，可達成最終所獲得之放射線攝影裝置100的輕巧化。進而，藉由氣壓差而以略均勻之力量將放射線攝影元件2、3的表面全體按壓於配線基板11、12，因此，即使在固定大面積、薄型之放射線攝影元件2、3，也可以抑制撓曲、變形、彎曲等之發生，能夠確保受光面的平板性。另外，不會對閃爍器23、35局部性施以力量，因此，在固定時閃爍器25、35不會損傷，產品的良率也可以提升。
另外，保護膜26、36，其之包圍側壁之閃爍器25、35的部份係被迂迴至放射線攝影元件2、3的背面側，而被夾入於配線基板11、12之間而固定，因此，可以有效地防止保護膜26、36之剝離。於此，放射線攝影元件2、3之閃爍器25、35直至側壁為止被形成之處所中，在被配置於放射線攝影裝置100之情形，在第1圖中之成為形成下側邊的位置之中，使放射線攝影元件2、3配置於比配線基板11、12稍許(1mm程度)內側時，可以防止在使用中對側壁上的保護膜26、36施加多餘的力量，能有效地抑制由該部份之剝離。
另外，配線基板11、12在放射線攝影元件2、3的載置面之外側區域也具有貫穿孔111、121之情形，需要事先塞住此貫穿孔111、121。塞住這些貫穿孔111、121之方法，可由載置面側以氣密性薄膜覆蓋這些貫穿孔111、121，由相反側以氣密性之面板、遮罩等覆蓋即可。如此一來，在裝置6內，上側之空間60與下側之空間61不會藉由貫穿孔111、121而直接連通，可使兩空間60、61間確實產生氣壓差。
此處，藉由使下空間61減壓，而使兩空間60、61產生氣壓差，但是，只要放射線攝影元件2、3之表面側的氣壓比下側之氣壓高，也可以利用其它之方法。例如，對上空間60送入氣體(例如空氣)，藉由加壓上空間60內之氣體，使兩空間60、61間產生氣壓差。進而，並用兩方，加壓上空間60內，減壓下空間61內亦可。在此情形下，也可將下空間61內的氣體導入上空間60內，使用單獨的泵而進行加壓與減壓。另外，即使裝置內不設置兩方之空間，只設置進行加壓或減壓之空間60或61之一方，另一方設為開放狀態亦可。另外，氣體並不限定於空氣，也可以使用氮氣等，也可將裝置6放入氮氣盒來進行。
如此，在配線基板11、12上分別固定放射線攝影元件2、3之後，使放射線攝影元件2、3的光感應部21、31相近接而將配線基板11、12配置於個別之載置面10a、10b上並加以固定，可以獲得第1圖～第3圖所示之放射線攝影裝置100。
其中，藉由在基台1上設置階差而配置放射線攝影元件2、3，如此則與在同一平面上並列放射線攝影元件2、3而配置之情形相比，可使放射線攝影元件2、3之光感應部21、31以不互相重疊之程度而呈近接配置。另外，由放射線入射方向來看，即使是使個別之光感應部21、31近接配置時，兩放射線攝影元件2、3之端部亦不接觸，因此，可以防止由於端部的閃爍器25、35或保護膜26、36之接觸所致之破損。因此，由於保護膜26、36之損傷所致之剝離也可以加以抑制，得以確保閃爍器25、35之耐溼性。
放射線攝影元件2與3，由放射線入射方向來看，雖成為被配置於不同距離，但是，其距離係設為1～1.5mm之程度。在此種大畫面之放射線攝影裝置100中，係攝取藉由由分開50公分程度之位置的放射線源略垂直入射之放射線所形成之影像，此距離差不會使獲得之影像或鮮明度、解析度降低。因此，即使藉由低暴露量之放射線量，也可以取得鮮明、解析度高的影像。
在本實施形態中，於放射線入射方向被配置於背面之放射線攝影元件3中，射入光感應部31上之閃爍器35的放射線不被遮住，因此，直到其角落為止都可構成為有效之感度區域。另一方面，於放射線入射方向被配置於前面之放射線攝影元件2中，可擴大有效之感度區域到其端部邊邊。因此，鄰接配置之光感應部21、31間的距離可以降低至約150μm之程度，元件的光感應部21、31間之無效區域D可以縮小至2～3畫素份程度。另外，近接無效區域D之畫素的輸出不被損害，因此，在合成由兩放射線攝影元件2、3所獲得之影像訊號時之影像處理變得容易，直到邊界部份都可以獲得鮮明之影像。另外，即使藉由內插處理而求得無效區域之影像資訊時，其之內插處理也變得容易。
依據本發明，於利用12英吋晶圓之製造製程中，使用具有最大尺寸設為22×18cm尺寸以下之受光區域之影像感測器，可以實現具有27×22cm尺寸之受光區域的放射線攝影裝置100。因此，可以達成製造成本的降低與良率之提升。
接著，說明本實施形態之動作。在乳腺攝影法中，如第10圖所示般，以放射線透過性之2片平板70、71夾住被驗者9之乳房90，藉由配置於平板71側之放射線攝影裝置100而攝取由放射線源75所發出之X射線之乳房90透過影像。此時，如在被驗者9之軀體側配置第1圖所示之放射線攝影裝置100的下邊側時，可使光感應部21、31近接軀體。
透過乳房90之X射線(放射線)(其構成乳房90之透過X射線影像)係透過平板71，而射入放射線攝影裝置100的入射面(保護膜26、36表面)。射入之X射線(放射線)，係透過保護膜26、36到達閃爍器25、35而被吸收。閃爍器25、35，係與吸收的X射線之光量略成比例而放射(發出)特定波長之光(在本實施形態中，為波長570nm)。
如此由閃爍器25、35所放射之光到達光感應部21、31，在各個光二極體被吸收，當成對應於光量之電荷而被蓄積一定時間(光電轉換)。該光的光量係對應於入射之X射線的光量，因此，蓄積在各光二極體之電氣訊號成為對應入射之X射線的光量。亦即，可於各光二極體獲得對應X射線影像之各畫素亮度之電氣訊號(以下，稱為各畫素之影像訊號)。
藉由移位暫存器部22、32操作各光二極體所對應之MOSFET，各光二極體的電荷(對應各畫素之影像訊號)係通過未圖示出之訊號線而被讀出於放大部23、33之充電放大器，在被放大後，由接合銲墊部24、34而被送至對應之配線基板11、12側的接合銲墊部，在未圖示出之特定的電路被處理後，當成特定形式之影像資料訊號而由輸出端子被輸出。依據此輸出訊號可以在監視器上表示X射線影像、儲存於特定之記憶裝置而加以保存。
本實施形態之放射線攝影裝置100，其之光感應部21、31被配置於裝置的周緣部附近，因此，可以直到乳房90之底部部份而進行攝影。因此，可以確保放射線攝影元件2、3本身之平板性，同時，使兩方之光感應部21、31近接配置，因此，可針對乳房90全體攝取沒有變形之精度高的X射線影像。另外，即使在魁梧女性之乳腺攝影時，能以一度之放射線照射而良好地取得乳房90之放射線的全體影像。因此，可以降低暴露量。而且，超過近接軀體之側壁而形成有保護膜26、36，其係被夾於配線基板11、12之間，可以確實防止由於與人體接觸所導致保護膜26、36之剝離、汗水或水分由接觸部份侵入所導致閃爍器25、35之劣化。
第11圖係顯示本發明之放射線攝影裝置之第2實施形態的剖面構造圖(對應第1實施形態之第2圖)，第12圖係該放射線攝影元件之邊界部份的放大圖。
在此實施形態中，由放射線入射方向來看，放射線攝影元件2與放射線攝影元件3之端部互相重疊配置之點，係與第1圖～第3圖所示之第1實施形態不同。但是，個別之光感應部21、31並不重疊，配置於背面之放射線攝影元件3的光感應部31，係被配置於不被放射線攝影元件2所遮住之位置。
如此配置兩攝影元件時，兩放射線攝影元件2、3的端部區域重疊，可使在光感應部21、31間的邊界所產生的無效區域D的寬度減少至第1實施形態之一半程度。因此，可將兩者間的無效區域D減少至一半程度之2畫素份以下，實質上也可以設為0畫素。
第13圖係表示本發明之放射線攝影裝置的第3實施形態之剖面構造圖(對應第1之實施形態之第2圖)，第14圖係該放射線攝影元件之邊界部份的放大圖。
此實施形態係第2實施形態之變形例，不同點為：配置於背面之放射線攝影元件3a的光感應部31a，係不擴展至放射線攝影元件2側的周緣部，由光感應部31a至端部為止之間，與其它的實施形態相比，可以設為比較寬之點。
此處，在配置於前面之放射線攝影元件2中，至有效受光區域的端部為止，為了確保攝影特性之同時，縮小因為遮住其它放射線攝影元件3a所產生的無效區域D，而需要將光感應部21近接緣部配置之同時，需要至端部為止形成均勻厚度之閃爍器25。因此，如前述般，以至側壁部份為止，以大略均勻厚度連續形成閃爍器25為佳，但是，需要在閃爍器25蒸鍍製程上下工夫，在大型之放射線攝影元件2的情形，特別需要時間。
但是，在配置於背面的放射線攝影元件3a中，只要在光感應部31a不被配置於前面之放射線攝影元件2所遮住之限度(兩光感應部21、31a不重疊之限度內)內，使光感應部31a近接放射線攝影元件2而配置即可，因此，不需要至側壁部份為止以大略均勻厚度形成閃爍器35a，可保持兩端部而進行蒸鍍。因此，配置於背面側之放射線攝影元件3a的製造製程可以簡略化。
另外，在使大小不同之2個放射線攝影元件鄰接配置之情形，藉由使配置於背面側之放射線攝影元件構成為比較大，可以容易地形成直到受光部端部為止為均勻厚度之閃爍器，產品的良率可以進一步提升。
在以上之說明中，作為保護膜26、36雖針對Palylene製單-膜構造之保護膜做說明，但是，如在Palylene膜的表面設置由Al、Ag、Au等金屬薄膜所形成的反射膜，將由閃爍器25、35所反射之光導入光感應部21、31，可以獲得亮度高的影像。為了此金屬薄膜的保護，進而在其表面施以Palylene膜等亦可。另外，以樹脂等將保護膜26、36之周圍固定於Si基板20、30亦可。
另外，在前述實施形態中，閃爍器係使用CsI(Tl)，但是，並不限定於此，也可以使用CsI(Na)、NaI(Tl)、LiI(Eu)、KI(Tl)等。
另外，前述實施形態之聚對二甲苯樹脂在聚對二甲苯之外，也包含：聚單氯對二甲苯、聚二氯對二甲苯、聚四氯對二甲苯、聚氟對二甲苯、聚二甲基對二甲苯、聚二乙基對二甲苯等。
在以上說明中，雖說明組合2個攝影元件而配置之例子，但是，組合3個以之攝影元件而形成大畫面的攝影裝置時，本發明也可以合適地使用。在此情形，只要配置為在鄰接之2個攝影元件間，前述之攝影元件間的關係成立即可。
 產業上之利用可能性
本發明之放射線攝影元件，係適合於乳腺攝影法或胸部X射線攝影等需要大畫面之放射線攝影元件。
1．．．基台
2、3、3a．．．放射線攝影元件
5．．．影像感測器
6．．．載置用裝置
9．．．被驗者
10．．．固定基台
10a、10b．．．載置面
11、12．．．配線基板
20、30．．．Si基板
21、31．．．光感應部
22、32．．．移位暫存器部
23、33．．．放大部
24、34．．．接合銲墊部
24a．．．接合銲墊部
24b．．．接合銲墊部
25、35．．．閃爍器
26、36．．．保護膜
34a．．．接合銲墊部
34b．．．接合銲墊部
60．．．上空間
61‧‧‧下空間
62‧‧‧真空泵
70、71‧‧‧平板
75‧‧‧放射線源
90‧‧‧乳房
100‧‧‧放射線攝影裝置
111、121‧‧‧貫穿孔
112、122‧‧‧接著構件
第1圖係關於本發明之放射線攝影裝置之由放射線入射方向所見到的正面圖。
第2圖係第1圖之II-II線剖面圖。
第3圖係第2圖之放射線攝影元件的邊界部份之放大圖。
第4圖係顯示關於本發明之放射線攝影裝置所使用的放射線攝影元件之製造製程圖。
第5圖係顯示第4圖之製程的連續圖。
第6圖係顯示第5圖之製程的連續圖。
第7圖係顯示在關於本發明之放射線攝影裝置所使用的配線基板圖。
第8圖係顯示第6圖之製程的連續圖。
第9圖係說明放射線攝影元件之載置所使用的裝置圖。
第10圖係說明關於本發明之放射線攝影裝置所致之乳腺攝影法圖。
第11圖係顯示關於本發明之放射線攝影裝置的第2實施形態之剖面構造圖。
第12圖係第11圖之放射線攝影元件之邊界部份的放大圖。
第13圖係顯示關於本發明之放射線攝影裝置的第3實施形態之剖面構造圖。
第14圖係第13圖之放射線攝影元件的邊界部份之放大圖。
1．．．基台
2．．．放射線攝影元件
3．．．放射線攝影元件
10．．．固定基台
11．．．配線基板
12．．．配線基板
21．．．光感應部
22．．．移位暫存器部
23．．．放大部
24．．．接合銲墊部
24a．．．接合銲墊部
24b．．．接合銲墊部
25．．．閃爍器
26．．．保護膜
31．．．光感應部
32．．．移位暫存器部
33．．．放大部
34．．．接合銲墊部
34a．．．接合銲墊部
34b．．．接合銲墊部
35．．．閃爍器
36．．．保護膜
100．．．放射線攝影裝置

Claims (1)

  1. 一種放射線攝影裝置，係於2維排列畫素而形成受光部之固體攝影元件的受光面，沈積閃爍器，將放射線攝影元件於基台上並列m×n(m為2以上、n為1以上之整數)個而配置；其特徵為：於鄰接配置之任意二個放射線攝影元件間，使一方之放射線攝影元件對於基台之固定面，比另一方之放射線攝影元件之放射線入射面更突出於放射線入射方向，而且，由放射線入射方向來看，配置於背面之放射線攝影元件的受光部，係在不被配置於前面之放射線攝影元件遮住之狀態下被配置；由放射線入射方向來看，在配置於背面之放射線攝影元件之中，係自配置於前面的放射線攝影元件所遮住的端部側之受光部端部至外側為止沈積有閃爍器，配置於背面的放射線攝影元件，係較配置於前面的放射攝影元件為大；配置於背面的放射線攝影元件所具備的閃爍器之，比起受光部端部更成為外側的部分之其中至少一部分，係位在配置於前面的放射線攝影元件，與構成配置於背面的放射線攝影元件之半導體基板之間。
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