CN101552265B - 放射线摄像装置 - Google Patents

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Abstract

在固定基台(10)上配线基板(11)与(12)具有高低差地进行配置，其上安装有各在光感应部(21)、(31)之上堆积有闪烁器(25)、(35)的放射线摄像元件(2)、(3)。放射线摄像元件(2)被配置为其载置面比放射线摄像元件(3)的放射线入射面更为突出，另外，放射线摄像元件(2)的光感应部(21)与放射线摄像元件(3)的光感应部(31)，被接近配置为不重叠的程度。而且，放射线摄像元件(2)的光感应部(21)延伸至放射线摄像元件(3)侧的边缘附近为止，而形成有直到该位置为大致均匀厚度的闪烁器(25)。

Description

放射线摄像装置
本申请是申请日为2005年5月10日、申请号为200580015121.2、发明名称为放射线摄像装置的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及将放射线图像摄像的放射线摄像装置，特别是涉及用于乳房X射线摄影的用途的大型的放射线摄像装置。
背景技术
在医疗用、产业用的X射线摄影中，近年来，代替X射线感光薄膜，而使用放射线检测元件的放射线影像系统被广泛利用。此种放射线影像系统并非如X射线感光薄膜般，需要显影，可以实时地确认放射线影像等，方便性高、数据的保存性或处理的容易性等方面，都具有优点。
一般的放射线影像系统是通过闪烁器而将入射的放射线影像转换为可见光等(包括紫外线·红外线)，通过排列为1维或2维状的光检测元件而将转换后的光影像检测出，并作为对应影像数据的电信号而予以输出。特别是，在固体摄像元件的受光面上直接堆积闪烁器的构造的放射线检测元件，具有其处理容易的优点。
可是，固体摄像元件愈大画面化，其制造时的良率愈降低。因此，各摄像元件的大画面化有其界限。另一方面，放射线与可见光等不同，无法通过光学系统而缩小影像，因此，需要覆盖实像的尺寸的摄像元件。例如，在胸部的X射线摄像装置、或乳癌诊断用的乳腺摄像装置、颚部的全景照相摄像装置等中，已知有通过将小型的摄像元件排列为瓷砖状的对接(buttable)排列，而形成大画面的摄像元件的技术(例如，参考专利文献1)。
进而，作为缩小对接排列的各摄像元件间的边界部份的无效区域的技术，还已知有：将多个检测器由放射线入射方向来看进行前后错开而配置，以使得其摄像区域不相重叠的技术(例如，参考专利文献2)。
专利文献1：日本特开平9-153606号公报
专利文献2：日本特开2000-292546号公报
发明内容
发明所要解决的课题
如上所述，将摄像元件对接排列时，如专利文献2所记载的，在相互的边界部的无效区域的产生会成为问题。如依据专利文献2的技术，通过配置使其摄像区域不重叠，虽可使无效区域缩小，但是，在由放射线入射方向看被配置于前面的摄像元件所遮住的地方，放射线会由于基板等而衰减。特别是，在医疗用的放射线摄像装置中，为了减少被验者或操作者的暴露量，需要一面减少放射线量，一面能进行高灵敏度·高分辨率的测定的机器，此种衰减会使所获得的影像的分辨率变差，并不优选。
因此，本发明的课题在于提供：即使以少的放射线量，也能高灵敏度·高分辨率取得大画面的放射线影像的对接排列的放射线摄像装置。
解决课题的手段
为了解决上述课题，本发明的放射线摄像装置是，在2维排列像素而形成受光部的固体摄像元件的受光面，堆积闪烁器，其通过放射线入射而发出光，该光包括此固体摄像元件发出包含具有灵敏度的波长光的光的，将以保护膜覆盖闪烁器而形成的放射线摄像元件于基台上排列而配置m×n(m为2以上、n为1以上的整数)个，其特征为：在邻接配置的任意二个放射线摄像元件间，(1)一方的放射线摄像元件在基台的固定面，比另一方的放射线摄像元件的放射线入射面更突出于放射线入射方向，而且，(2)由放射线入射方向来看，被配置于背面的放射线摄像元件的受光部，在不被配置于前面的放射线摄像元件所遮住的状态下，两者接近地配置，(3)被配置于前面的放射线摄像元件的受光部，扩展至被配置于背面的放射线摄像元件侧的周缘部，直到该周缘部形成与受光部中心部略同一厚度的闪烁器。
根据本发明，在邻接配置于基台的放射线摄像元件间，该受光部被接近地配置。此时，由放射线入射方向来看，被配置于背面的放射线摄像元件的受光部不被配置于前面的放射线摄像元件所遮住，因此，即使在被配置于背面侧的放射线摄像元件中，受光部的全面也成为有效摄像区域。另外，被配置于前面的放射线摄像元件其受光部扩展至接近被配置于背面的放射线摄像元件侧的周缘部，因此，受光区域的边界被扩大至被配置于背面的放射线摄像元件侧为止。而且，通过直到周缘部为止使闪烁器形成为均匀厚度，可以扩大被配置于前面的放射线摄像元件的有效影像区域，同时，可实现区域内的摄像特性的均匀化。
在邻接配置的任意的2个放射线摄像元件中，可以被配置于由放射线入射方向来看，被配置于背面的放射线摄像元件的端部与被配置于前面的放射线摄像元件的端部重叠的位置。由此，从放射线入射方向看，受光部被接近地配置。
在邻接配置的任意二个放射线摄像元件中，在由放射线入射方向来看被配置于背面的放射线摄像元件中，可以从被配置在前面的放射线摄像元件所遮住的端部侧的受光部端部至外侧止堆积有闪烁器，且形成直到该受光部端部为止均匀厚度的闪烁器。
在被配置于背面的放射线摄像元件中，在由被配置于前面的放射线摄像元件所遮住的位置，也可以存在有受光部以外的部分。即可由受光部起朝外侧形成电路或保持部。而且，如直到受光部端部为止形成有均匀厚度的闪烁器，则容易地在受光部全体使摄像特性均匀化。
发明的效果
根据本发明，可不限制有效影像区域，而将各放射线摄像元件的受光部接近配置，因此，可一面抑制无效区域的产生，一面使有效影像区域内的摄像特性均匀化。因此，通过组合多个摄像元件，而通过对接排列来形成大画面的摄像元件，可以抑制由于摄像元件不同所产生的影像不均或失焦，即使是少的放射线量，也可以获得高灵敏度·高分辨率的影像。
由放射线入射方向来看端部重叠而配置，可使受光部更接近地配置，因而能使无效区域变得更小。
在被配置于背面的放射线摄像元件中，与被配置于前面的放射线摄像元件不同，不需要将受光部接近周缘部附近而配置。通过将受光部设置于基板的中央附近，可以直到受光部的端部为止容易地形成均匀厚度的闪烁器，产品的良率更为提升。特别是，在将大小不同的2个放射线摄像元件邻接配置时，通过使配置于背面的放射线摄像元件大些，可以直到受光部的端部为止容易地形成均匀厚度的闪烁器，产品的良率更为提升。
附图说明
图1是关于本发明的放射线摄像装置的由放射线入射方向所见到的正面图。
图2是图1的II-II线剖面图。
图3是图2的放射线摄像元件的边界部分的放大图。
图4是表示在本发明的放射线摄像装置所使用的放射线摄像元件的制造工序的图。
图5是表示图4的工序的后续的图。
图6是表示图5的工序的后续的图。
图7是表示在本发明的放射线摄像装置中所使用的配线基板的图。
图8是表示图6的工序的后续的图。
图9是说明用于放射线摄像元件的载置的装置的图。
图10是说明利用本发明的放射线摄像装置的乳房X射线摄影的图。
图11是表示本发明的放射线摄像装置的第2实施方式的剖面构造图。
图12是图11的放射线摄像元件的边界部分的放大图。
图13是表示本发明的放射线摄像装置的第3实施方式的剖面构造图。
图14是图13的放射线摄像元件的边界部分的放大图。
符号的说明
1：基台
2、3、3a：放射线摄像元件
5：影像传感器
6：载置用装置
9：被验者
10：固定基台
10a、10b：载置面
11、12：配线基板
20、30：Si基板
21、31：光感应部
22、32：移位寄存器部
23、33：增幅部
24、34：焊盘部
25、35：闪烁器
26、36：保护膜
60：上空间
61：下空间
62：真空泵
70、71：平板
75：放射线源
90：乳房
100：放射线摄像装置
111、121：贯通孔
112、122：粘结件
具体实施方式
以下，参考附图，对本发明的适当的实施方式做详细说明。为了使说明容易理解，在各图中，对于相同的构成要素，尽可能赋予相同的参考符号，省略重复的说明。
在图1～图3中表示本发明的放射线摄像装置的第1实施方式。图1是由放射线入射方向所见到的正面图，图2是其II-II线剖面图，图3是图2中的放射线摄像元件的边界部分的放大图。
如图1～图3所示，此放射线摄像装置100，在基台1上以不同高度配置有放射线摄像元件2和3。各放射线摄像元件2、3是形成在Si基板20、30上的MOS(Metal-Oxide Semiconductor：金属氧化物半导体)型的影像传感器，形成为矩形平板状。此处，Si基板20的尺寸为184mm×231mm，Si基板30的尺寸为96mm×231mm，厚度都是725μm。
直到此Si基板20、30表面的邻接的2边的附近为止，配置有受光区域的光感应部(受光部)21、31。此2边在图1中，为被配置于另一方的放射线摄像元件2或3侧的边与位于图中下侧的边。各光感应部21、31是，进行光电转换的光电转换元件的多个光电二极管被排列为2维状而形成像素。在各光电二极管中，配置有分别对应的MOSFET(Field-Effect Transistor：场效应晶体管)，以控制在光电二极管所产生的电荷的读出。光感应部21的尺寸为179.4mm×209mm(面积约37500mm2)，具有3520×4416像素(合计约1550万像素)。另一方面，光感应部31的尺寸是其约一半的82.8mm×209mm(面积约17300mm2)，具有1760×4416像素(合计约780万像素)。
在沿着Si基板20、30的光感应部21、31的外侧的2边的区域，分别形成有移位寄存器部22、32及增幅部23、33，在其更外侧形成焊盘部24、34。
移位寄存器部22、32是分别通过光感应部21、31内的对应的MOSFET与未图示出的配线而电连接，控制MOSFET的驱动，而将在光电二极管所产生的电荷向增幅部23、33传输。
增幅部23、33分别由：多个增幅器(charge amplifier，电荷放大器)、并联连接于各增幅器的电容元件、及与它们并联连接的开关元件等所形成。增幅部23、33的各增幅器介由MOSFET而通过未图示出的配线与对应的光电二极管电连接。
焊盘部24、34由：通过未图示出的配线而分别连接于移位寄存器部22、32的焊盘部24a、34a、通过未图示出的配线而分别连接于增幅部23、33的焊盘部24b、34b所形成。
通过在芯片边缘形成电极或配线，具有不使因为切割所产生的微碎片或在该部分所产生的电子电洞对到达光感应部21、31的效果。
在光感应部21、31与其周围的Si基板20、30表面上，形成有通过放射线入射而产生包含特定波长的光线的闪烁器25、35。此处，闪烁器25、35连续形成直到光感应部21、31接近的Si基板20、30的侧壁部为止。另外，闪烁器25、35也可覆盖移位寄存器部22、32或增幅部23、33而形成。另外，移位寄存器部22、32或增幅部23、33优选为，它们的表面优选被光遮蔽部件及放射线遮蔽部件所覆盖，但是，在由闪烁器25、35所覆盖时，也可以是不具有放射线遮蔽部件的构成。放射线直接入射移位寄存器部22、32或增幅部23、33时，有时会成为噪声的原因，成为误动作的原因，通过以吸收放射线的闪烁器25、35进行覆盖，可以抑制此种噪声或误动作的发生。另外，需要使焊盘部24、34露出，因此，闪烁器25、35形成为不到达这些区域。
闪烁器25、35所产生的光，只要是包含光感应部21、31的光电二极管具有灵敏度的波长的光即可，除了可见光以外，也可以为紫外线或红外线。在闪烁器25、35中虽可使用各种材料，但是，优选发光效率好的掺杂Tl的CsI作为材料。此闪烁器25、35可通过蒸镀而在光感应部21、31的表面直接形成为柱状结晶。
另外，闪烁器25、35，在光感应部21、31上方，直到其端部为止，形成为大致均匀的厚度。闪烁器25、35的厚度优选设为30～550μm左右。在本实施方式中，闪烁器25、35的厚度设定为165μm。
保护膜26、36形成为覆盖闪烁器25、35的表面并将它们分别进行密封。被作为闪烁器25、35使用的CsI具有吸收空气中的水蒸汽(湿气)而溶解的潮解性。为了防止水蒸汽渗入闪烁器25、35，以水蒸汽遮断性(水分不透过性)良好的耐湿保护膜进行覆盖。保护膜26、36可以使用水蒸汽遮断性良好的有机膜、无机膜及它们的组合，而优选使用例如，聚对二甲苯树脂(Three bond公司制造、商品名Palylene)或其一种的聚对氯二甲苯(同一公司制造，商品名Palylene C)。
此保护膜26、36是由Si基板20、30的受光面上的闪烁器25、35、及其周围的焊盘部24、34、与闪烁器25、35的边界区域起，超过形成有闪烁器25、35的侧壁部分而直到Si基板20、30的背面(光感应部21、31的形成面的相反面)连续地形成为一体。保护膜26、36的厚度优选为几μm～十几μm左右，在本实施方式中，设定为10μm。
另一方面，基台1由：上面形成为阶梯状的固定基台10、分别被固定在此固定基台10的载置面10a、10b上，且各放射线摄像元件2、3被固定在其上的配线基板11、12所形成。
固定基台10例如是陶瓷制，其尺寸为372×245mm，厚度在载置面10a部分为5mm，在载置面10b部分为4mm，10a和10b的高低差为1mm。载置面10a、10b都形成为比后述的配线基板11、12稍微宽些。
配线基板11、12也还是陶瓷制的基板，其尺寸是被设定为比对应的放射线摄像元件2、3稍宽些，例如，配线基板11为226×248mm，配线基板12为138×248mm。另外，厚度两者都是设定为3.2mm。
在配线基板11、12上设置有多个由表面贯穿至背面的贯通孔111、121(参考图2、3)。这些贯通孔111、121如由表面或背面侧来看，被等间隔配置于所画的格子线的交点上。以下，以p表示邻接的贯通孔111、121的间隔的间隔。这些贯通孔111、121只要仅设于分别载置放射线摄像元件2、3的区域内就足够，但是也可以突出载置区域而全面设置。贯通孔111、121的大小可考虑配线基板11、12的强度、厚度、贯通孔111、121的通气性而适当设定配置。在本实施方式中，贯通孔111、121的直径设为0.4mm～0.5mm左右，其间距p设定为20mm。
接着，具体说明此放射线摄像装置100的制造方法。首先，如图4所示，准备在矩形的Si基板20上已形成有光感应部21、移位寄存器部22(未图示)、增幅部23(未图示)、焊盘部24的影像传感器5。此处，光感应部21并非位于Si基板20的中央，而是靠近邻接的2边而配置。此影像传感器5例如可以通过在12英时(约30公分)直径的Si晶圆上通过使用步进机装置等公知的手法，在形成被集成化的电路后，切断为所期望的尺寸而制造。
接着，在罩上光罩的状态下将Si基板20配置于闪烁器的蒸镀室内使得比光感应部21更宽的区域露出，形成闪烁器25。此处，对光感应部21接近的Si基板20的侧壁部分，也使其由光罩露出。作为光罩可以使用利用沿着光感应部21的周围的2边的部分，及该部分的背面，而将Si基板20保持为相反向的蒸镀保持器。
在此状态下，通过真空蒸镀法，使在Si基板20的露出部分生长掺杂Tl的CsI的柱状结晶。被蒸镀的闪烁器25的厚度一到达所期望的厚度(例如，165μm)，则从蒸镀室取出形成有闪烁器25的影像传感器5(参考图5)。由此，可以形成由光感应部21的全面至邻接的侧壁部为止，具有大致均匀厚度的闪烁器25。
闪烁器25的素材CsI，其吸湿性高，如在露出状态下放置，会吸收空气中的水蒸汽而溶解(具有潮解性)。因此，为了保护闪烁器25，通过CVD(化学性蒸镀)法，以厚度10μm的Palylene包住影像传感器5的大致全体，而形成保护膜26。
在CSI的柱状结晶间虽有间隙，但是，Palylene会某种程度进入此狭窄间隙，因此，保护膜26与闪烁器25密接，而将闪烁器25密封。通过此Palylene涂布，可以在表面有微细凹凸的闪烁器25上形成均匀厚度的精密薄膜涂布层。另外，Palylene的CVD形成，真空度比金属蒸镀时低，可以在常温进行，因此，加工容易。
将如此形成的保护膜26在规定位置进行切断，去除不需要部分，使焊盘部24部分露出(参考图6)。在本实施方式中，虽只在包围闪烁器25的区域残留保护膜26，但是，也可以残留保护膜26至比此宽的区域。例如，也可以只使焊盘部24a、24b露出，其以外的区域以保护膜26进行覆盖。
由此，可以获得图1～图3所示的放射线摄像元件2。关于放射线摄像元件3，也可以通过同样的手法制造。
接着，如图7所示，准备具有贯通孔111的配线基板11，在配线基板11的放射线摄像元件2的载置面上格子状地涂布绝缘性树脂的粘结件112。此时，粘结件112避开贯通孔111而配置在与在水平方向上邻接的贯通孔111之间的大致中心位置上。具体为：涂布粘结件112使配置贯通孔111的格子线在格子线的延长方向的2方向分别错开0.5p的格子线上延伸。在本实施方式中，粘结件112的宽度为1mm、厚度为0.5mm左右。
涂布粘结件112后，在配线基板11的粘结件涂布面上面对放射线摄像元件2的背面(与Si基板20的光感应部21的形成面相反侧的表面)载置(参考图8)，在此状态下，将配线基板11导入如图9所示的装置6。此装置6采取朝所导入的配线基板11的上侧的空间60与朝下侧的空间61通过配线基板11被分离的构造。而且，具备将下侧的空间61内的空气排出的真空泵62。
将配线基板11导入装置6后，使真空泵62工作，将下侧的空间61内减压。配线基板11的贯通孔111通到下侧的空间61，因此，通过此减压，放射线摄像元件2的背面侧的气压比其表面(光感应部21形成面)侧的气压低。通过如此所产生的表面侧与背面侧的气压差，放射线摄像元件2被按压于配线基板11。由此，粘结件112会薄薄扩展于放射线摄像元件2与配线基板11之间。在此状态下，使粘结件112硬化，而将放射线摄像元件2固定于配线基板11。
固定后，将配置于与配线基板11的放射线摄像元件2的焊盘部24，及对应配置于面对面区域的未图示的焊盘部的焊盘部24，通过同样未图示出的导线进行连接(引线接合)。通过同样的手法，将放射线摄像元件3通过粘结件122而固定于配线基板12上。
如此，利用设置于配线基板11、12的贯通孔111、121，使放射线摄像元件2、3的表面与背面间产生气压差，通过所产生的气压差，将放射线摄像元件2、3按压于配线基板11、12而进行固定，因此，不需要在放射线摄像元件2、3的表面上设置按压用的多余空间，可将闪烁器25、35的形成面在放射线摄像元件2、3的表面中确保为最大限度。因此，对于光感应部21、31，可使放射线摄像元件2、3的面积变得紧密，可实现最终所获得的放射线摄像装置100的致密化。进而，通过气压差而以大致均匀的力量将放射线摄像元件2、3的表面全体按压于配线基板11、12，因此，即使在固定大面积、薄型的放射线摄像元件2、3，也可以抑制挠曲、变形、弯曲等的发生，能够确保受光面的平板性。进而不会对闪烁器25、35局部性施以力量，因此，在固定时，闪烁器25、35不会损伤，产品的良率也可以提升。
另外，保护膜26、36是侧壁的包围闪烁器25、35的部分迂回至放射线摄像元件2、3的背面侧而被夹于配线基板11、12之间而固定，因此，可以有效地防止保护膜26、36的剥离。此处，放射线摄像元件2、3的闪烁器25、35形成至侧壁的处所中，在被配置于放射线摄像装置100的情形，在图1中的形成下侧边的位置中，如将放射线摄像元件2、3配置于比配线基板11、12稍许(1mm程度)内侧时，可以防止在使用中，对侧壁上的保护膜26、36施加多余的力量，能有效地抑制由此部分的剥离。
另外，配线基板11、12在放射线摄像元件2、3的载置面的外侧区域也具有贯通孔111、121的情形，需要事先塞住此贯通孔111、121。塞住这些贯通孔111、121的方法，可由载置面侧以气密性薄膜覆盖这些贯通孔111、121、由相反侧以气密性的面板、光罩等覆盖。如此一来，在装置6内，上侧的空间60与下侧的空间61不会通过贯通孔111、121而直接连通，可使两空间60、61间确实产生气压差。
此处，通过使下空间61减压，而使两空间60、61产生气压差，但是，如果放射线摄像元件2、3的表面侧的气压比下侧的气压高，也可以利用其它的方法。例如，对上空间60送入气体(例如空气)，通过加压上空间60内的气体，使两空间60、61间产生气压差。进而，并用两方，加压上空间60内，减压下空间61内亦可。在此情形下，也可将下空间61内的气体导入上空间60内，使用单独的泵而进行加压与减压。另外，即使装置内不设置两方的空间，只设置进行加压或减压的空间60或61的一方，另一方设为开放状态亦可。另外，气体并不限定于空气，也可以使用氮气等，也可将装置6放入氮气盒中后来进行。
如此，在配线基板11、12上分别固定了放射线摄像元件2、3后，使放射线摄像元件2、3的光感应部21、31相接近而将配线基板11、12配置于个别的载置面10a、10b上并进行固定，可以获得图1～图3所示的放射线摄像装置100。
此处，在基台1上设置阶差而配置放射线摄像元件2、3，与在同一平面上排列放射线摄像元件2、3而配置的情形相比，可使放射线摄像元件2、3的光感应部21、31接近为不重叠的程度而配置。另外，由放射线入射方向来看，即使是使个别的光感应部21、31接近配置时，两放射线摄像元件2、3的端部不接触，因此，可以防止由于端部的闪烁器25、35或保护膜26、36的接触所致的破损。因此，由于保护膜26、36的损伤所致的剥离也可以进行抑制，得以确保闪烁器25、35的耐湿性。
放射线摄像元件2与3如由放射线入射方向来看，虽成为被配置于不同距离，但是，其距离是设为1～1.5mm的程度。在此种大画面的放射线摄像装置100中，是摄取通过由分开50公分程度的位置的放射线源大致垂直入射的放射线所形成的影像，此距离差不会使获得的影像或鲜明度、分辨率降低。因此，即使通过低暴露量的放射线量，也可以取得鲜明、分辨率高的影像。
在本实施方式中，于放射线入射方向被配置于背面的放射线摄像元件3中，射入光感应部31上的闪烁器35的放射线不被遮住，因此，直到其角落为止，都可设为有效的灵敏度区域。另一方面，于放射线入射方向被配置于前面的放射线摄像元件2中，可扩大有效的灵敏度区域到其端部边边。因此，邻接配置的光感应部21、31间的距离可以降低至约150μm的程度，元件的光感应部21、31间的无效区域D可以缩小至2～3像素份程度。另外，接近无效区域D的像素的输出不被损害，因此，在合成由两放射线摄像元件2、3所获得的影像信号时的影像处理变得容易，直到边界部分都可以获得鲜明的影像。另外，即使通过内插处理而求得无效区域的影像信息时，其的内插处理也变得容易。
根据本发明，以利用12英时晶圆的制造工序中，使用具有最大尺寸设为22×18cm尺寸以下的受光区域的影像传感器，可以实现具有27×22cm尺寸的受光区域的放射线摄像装置100。因此，可以达成制造成本的降低与良率的提升。
接着，说明本实施方式的工作。在乳房X射线摄影中，如图10所示，以放射线透过性的2片平板70、71夹住被验者9的乳房90，通过配置于平板71侧的放射线摄像装置100而摄取由放射线源75所发出的X射线的乳房90透过影像。此时，如将被验者9的躯体侧配置于图1所示的放射线摄像装置100的下边侧时，可使光感应部21、31接近躯体。
透过构成乳房90的透过X射线影像的乳房90的X射线(放射线)，透过平板71，而射入放射线摄像装置100的入射面(保护膜26、36表面)。射入的X射线(放射线)透过保护膜26、36到达闪烁器25、35而被吸收。闪烁器25、35与吸收的X射线的光量大致成比例而放射(发出)特定波长的光(在本实施方式中，为波长570nm)。
如此由闪烁器25、35所放射的光线到达光感应部21、31，由各个光电二极管吸收，作为对应于光量的电荷而被蓄积一定时间(光电转换)。此光的光量是对应于入射的X射线的光量，因此，蓄积在各光电二极管的电信号成为对应入射的X射线的光量。即在各光电二极管中可获得对应于X射线影像的各像素的亮度的电信号(以下，称为各像素的影像信号)。
通过移位寄存器部22、32而操作对应各光电二极管的MOSFET，各光电二极管的电荷(对应各像素的影像信号)通过未图示的信号线而被读出于增幅部23、33的电荷放大器，在被放大后，由焊盘部24、34而被送至对应的配线基板11、12侧的焊盘部，由未图示的特定的电路被处理后，作为特定形式的影像数据信号而由输出端子输出。基于此输出信号，可以在监视器上表示X射线影像，且可以储存于特定的存储装置而进行保存。
本实施方式的放射线摄像装置100为，光感应部21、31被配置于装置的周缘部附近，因此，可以直到乳房90的底部部分而进行摄像。而且，可以确保放射线摄像元件2、3本身的平板性，而且，使两方的光感应部21、31接近配置，因此，可对乳房90整体摄取没有变形的精度高的X射线影像。另外，即使在魁梧女性的乳房X射线摄影时，也能由一次的放射线照射而良好地取得乳房90的由放射线得到的全体影像。因此，可以降低暴露量。而且，超过接近躯体的侧壁而形成有保护膜26、36，其被夹于配线基板11、12之间，所以可以确实防止由于与人体接触而使保护膜26、36剥离，汗水或水分由接触部分渗入而导致闪烁器25、35劣化。
图11是表示关于本发明的放射线摄像装置的第2实施方式的剖面构造图(对应第1实施方式的图2)，图12是该放射线摄像元件的边界部分的放大图。
在此实施方式中，由放射线入射方向来看，放射线摄像元件2与放射线摄像元件3的端部重叠配置方面，与图1～图3所示的第1实施方式不同。但是，个别的光感应部21、31并不重叠，被配置于背面的放射线摄像元件3的光感应部31被配置于不通过放射线摄像元件2所遮住的位置。
如此配置两摄像元件时，两放射线摄像元件2、3的端部区域重叠，由此可使在光感应部21、31间的边界所产生的无效区域D的宽度减少至第1实施方式的一半程度。因此，可将两者间的无效区域D减少至一半程度的2像素份以下，实质上也可以设为0像素。
图13是表示关于本发明的放射线摄像装置的第3实施方式的剖面构造图(对应第1实施方式的图2)，图14是该放射线摄像元件的边界部分的放大图。
此实施方式是第2实施方式的变形例，不同点为：被配置于背面的放射线摄像元件3a的光感应部31a不扩展至放射线摄像元件2侧的周缘部，从光感应部31a至端部之间，与其它的实施方式相比，可以设为比较宽的方面。
此处，在被配置于前面的放射线摄像元件2中，至有效受光区域的端部，为了一面确保摄像特性，一面通过遮住其它的放射线摄像元件3a，使得所产生的无效区域D变小，需要将光感应部21接近缘部而配置的同时，需要至端部形成均匀厚度的闪烁器25。因此，如前所述，优选至侧壁部分为止，大致均匀厚度连续形成闪烁器25，但是，需要在闪烁器25蒸镀工序上下工夫，在大型的放射线摄像元件2的情形中，特别需要时间。
但是，在被配置于背面的放射线摄像元件3a中，只要以光感应部31a不通过被配置于前面的放射线摄像元件2所遮住的限度(两光感应部21、31a不重叠的限度内)使光感应部31a接近放射线摄像元件2而配置即可，因此，不需要至侧壁部分以大致均匀的厚度形成闪烁器35a，可保持两端部而进行蒸镀。因此，被配置于背面侧的放射线摄像元件3a的制造工序可以简略化。
另外，在使大小不同的2个放射线摄像元件接近配置的情况中，通过增大配置于背面侧的放射线摄像元件，可以容易地形成直到受光部的端部为止为均匀厚度的闪烁器，产品的良率可以进一步提升。
在以上的说明中，作为保护膜26、36虽针对Palylene护膜做说明，但是，如在Palylene膜的表面设置由Al、Ag、Au等的金属薄膜所形成的反射膜，则可将由闪烁器25、35所反射的光导入光感应部21、31，可以获得亮度高的影像。为了保护此金属薄膜，也可以进一步在其背面施以Palylene膜等。另外，也可以以树脂等将保护膜26、36的周围固定于Si基板20、30。
另外，在上述实施方式中，作为闪烁器使用CsI(Tl)，但是，并不限定于此，也可以使用CsI(Na)、NaI(Tl)、LiI(Eu)、KI(Tl)等。
另外，对于上述实施方式中的聚对二甲苯，除了聚对二甲苯以外，也包含：聚单氯对二甲苯、聚二氯对二甲苯、聚四氯对二甲苯、聚氟对二甲苯、聚二甲基对二甲苯、聚二乙基对二甲苯等。
在以上说明中，虽说明了组合配置2个摄像元件的例子，但是，组合3个以上的摄像元件而形成大画面的摄像装置时，本发明也可以合适地使用。此时，只要在邻接的2个摄像元件间进行配置，使得上述的摄像元件间的关系成立即可。
产业上的可利用性
关于本发明的放射线摄像元件适合于乳房X射线摄影或胸部X射线摄影等的需要大画面的放射线摄像元件。

Claims (6)

1.一种放射线摄像装置，其特征在于，
具备固体摄像元件，该固体摄像元件通过树脂的粘结件而固定在具有贯通孔的配线基板上，
在所述固体摄像元件的表面侧与背面侧之间产生气压差之前，所述粘结件避开所述贯通孔而配置在水平方向上邻接的所述贯通孔之间，
在所述固体摄像元件的表面与背面之间产生气压差的状态下，使所述粘结件硬化，而将所述固体摄像元件固定于所述配线基板，
通过在所述固体摄像元件的表面与背面之间产生气压差，从而所述粘结件薄薄扩展于所述固体摄像元件和所述配线基板之间。
2.如权利要求1所述的放射线摄像装置，其特征在于，
在所述固体摄像元件的受光面堆积有闪烁器。
3.如权利要求2所述的放射线摄像装置，其特征在于，
所述闪烁器被保护膜覆盖。
4.如权利要求3所述的放射线摄像装置，其特征在于，
所述保护膜迂回至与所述固体摄像元件的受光面相反的一侧的面，
所述保护膜被夹于所述固体摄像元件和所述粘结件之间。
5.如权利要求1～4中的任意一项所述的放射线摄像装置，其特征在于，
所述配线基板形成有阶差，
在因所述阶差而高度不同的面上，固定有其他固体摄像元件。
6.如权利要求5所述的放射线摄像装置，其特征在于，
设置于所述阶差的高的一方的面上的固体摄像元件的侧面从所述阶差突出。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5000258B2 (ja) * 2006-10-18 2012-08-15 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
JP4685042B2 (ja) * 2007-02-16 2011-05-18 株式会社トクヤマ 放射線検出装置及び放射線の検出方法
JPWO2008108186A1 (ja) * 2007-03-08 2010-06-10 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線画像撮影装置
JP5101402B2 (ja) 2008-06-18 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
CN102203590A (zh) * 2008-11-04 2011-09-28 株式会社尼康 表面检查装置
KR101034468B1 (ko) * 2009-01-22 2011-05-17 (주)세현 엑스레이 검출기 및 이의 제조 방법
US7923693B2 (en) * 2009-04-18 2011-04-12 Faibis Aurel A Scintillator-block capable of efficient absorption of X-ray energy
JP5467839B2 (ja) * 2009-10-13 2014-04-09 日立アロカメディカル株式会社 放射線測定装置
DE102010019439A1 (de) * 2010-05-05 2011-11-10 Ziehm Imaging Gmbh Festkörper-Röntgenbilddetektor mit kreisförmiger Detektorfläche
US9357972B2 (en) 2012-07-17 2016-06-07 Cyber Medical Imaging, Inc. Intraoral radiographic sensors with cables having increased user comfort and methods of using the same
JP6081697B2 (ja) 2011-12-07 2017-02-15 浜松ホトニクス株式会社 センサユニット及び固体撮像装置
DE102012202500B4 (de) * 2012-02-17 2018-05-30 Siemens Healthcare Gmbh Digitaler Röntgendetektor und Verfahren zur Korrektur eines Röntgenbildes
JP2013217769A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Canon Inc 放射線検出装置
JP6071283B2 (ja) * 2012-07-04 2017-02-01 キヤノン株式会社 放射線検出装置及びその製造方法
JP6007694B2 (ja) 2012-09-14 2016-10-12 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
JP5395240B2 (ja) * 2012-09-26 2014-01-22 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
US8729479B1 (en) * 2012-12-27 2014-05-20 Ge Medical Systems Israel Ltd. Molecular breast imaging apparatus and method for concurrent dual-breast imaging
TWI521686B (zh) 2013-05-24 2016-02-11 友達光電股份有限公司 光偵測器及其製造方法
CZ2013669A3 (cs) * 2013-08-30 2015-01-07 České vysoké učení technické v Praze Ústav technické a experimentální fyziky Detektor ionizujícího záření umožňující vytvoření souvislého digitálního obrazu
JPWO2015076150A1 (ja) * 2013-11-20 2017-03-16 東レ株式会社 シンチレータパネル
US9526468B2 (en) 2014-09-09 2016-12-27 General Electric Company Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers
CN105628717B (zh) * 2014-10-30 2020-05-19 通用电气公司 光检测器、x射线检测装置和x射线成像设备
JP6072102B2 (ja) * 2015-01-30 2017-02-01 キヤノン株式会社 放射線撮影システム及び放射線撮影方法
JP2016151523A (ja) * 2015-02-18 2016-08-22 浜松ホトニクス株式会社 赤外線検出装置
EP3619553A1 (en) * 2017-05-01 2020-03-11 Koninklijke Philips N.V. Multi-layer radiation detector
JP6877289B2 (ja) * 2017-07-31 2021-05-26 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線出装置の製造方法
CN113287299A (zh) * 2019-01-10 2021-08-20 深圳帧观德芯科技有限公司 一种具有不同方向辐射检测器的图像传感器
KR20200137308A (ko) * 2019-05-29 2020-12-09 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 검출기와 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출 장치 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5464984A (en) * 1985-12-11 1995-11-07 General Imaging Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
US5381013A (en) * 1985-12-11 1995-01-10 General Imaging Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
US5198379A (en) * 1990-04-27 1993-03-30 Sharp Kabushiki Kaisha Method of making a MOS thin film transistor with self-aligned asymmetrical structure
US5629524A (en) * 1995-02-21 1997-05-13 Advanced Scientific Concepts, Inc. High speed crystallography detector
US5886353A (en) * 1995-04-21 1999-03-23 Thermotrex Corporation Imaging device
JP3544075B2 (ja) 1995-09-05 2004-07-21 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
GB2315157B (en) 1996-07-11 1998-09-30 Simage Oy Imaging apparatus
US5781606A (en) 1996-07-25 1998-07-14 Analogic Corporation X-ray tomography system with substantially continuous radiation detection zone
JPH1056040A (ja) 1996-08-08 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPH10135479A (ja) * 1996-09-03 1998-05-22 Toshiba Corp 薄膜トランジスタアレイ、およびこれを用いた画像表示装置
KR100514547B1 (ko) * 1997-02-14 2005-12-14 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 방사선검출소자및그제조방법
CA2261663C (en) * 1997-02-14 2001-08-28 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detection device and method of producing the same
WO1999045411A1 (en) 1997-02-18 1999-09-10 Simage Oy Semiconductor imaging device
US6323490B1 (en) * 1998-03-20 2001-11-27 Kabushiki Kaisha Toshiba X-ray semiconductor detector
US6175611B1 (en) * 1998-10-06 2001-01-16 Cardiac Mariners, Inc. Tiered detector assembly
JP3475847B2 (ja) 1999-04-07 2003-12-10 松下電器産業株式会社 Ｘ線画像センサ
GB9909574D0 (en) * 1999-04-26 1999-06-23 Simage Oy X-ray imaging system
JP3595759B2 (ja) 1999-07-02 2004-12-02 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
JP3347708B2 (ja) 1999-08-04 2002-11-20 キヤノン株式会社 ２次元画像入力装置及びそれを用いた画像処理システム
ATE512547T1 (de) * 1999-11-08 2011-06-15 Casio Computer Co Ltd Ansteuerungsverfahren für photosensorsystem
DE60138090D1 (de) * 2000-01-13 2009-05-07 Hamamatsu Photonics Kk Strahlungsbildsensor und szintillatorplatte
JP4234304B2 (ja) * 2000-05-19 2009-03-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
JP4703815B2 (ja) * 2000-05-26 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｍｏｓ型センサの駆動方法、及び撮像方法
US6800836B2 (en) * 2000-07-10 2004-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup device, radiation image pickup device and image processing system
JP4283427B2 (ja) * 2000-08-03 2009-06-24 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器およびシンチレータパネル
JP4447752B2 (ja) 2000-08-03 2010-04-07 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
US6800857B2 (en) * 2000-08-10 2004-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Large-area fiber plate, radiation image pickup apparatus utilizing the same and producing method therefor
JP2002059363A (ja) 2000-08-23 2002-02-26 Chemitoronics Co Ltd ウエーハ支持体
JP2002164523A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Canon Inc 放射線撮像装置及びその製造方法
JP2003017676A (ja) 2001-04-27 2003-01-17 Canon Inc 放射線撮像装置およびそれを用いた放射線撮像システム
JP4681774B2 (ja) 2001-08-30 2011-05-11 キヤノン株式会社 撮像素子、その撮像素子を用いた撮像装置、及びその撮像装置を用いた撮像システム
SE523589C2 (sv) * 2002-02-15 2004-05-04 Xcounter Ab Apparat och metod för detektering av strålning med användning av skanning
US7189971B2 (en) 2002-02-15 2007-03-13 Oy Ajat Ltd Radiation imaging device and system
JP3743562B2 (ja) 2002-02-25 2006-02-08 富士写真フイルム株式会社 蓄積性蛍光体パネル
JP4133429B2 (ja) * 2003-02-24 2008-08-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置
US7355184B2 (en) * 2003-04-07 2008-04-08 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detecting apparatus and method for manufacturing the same
US7247858B2 (en) 2003-04-10 2007-07-24 Agfa Healthcare, N.V. Method for creating a contiguous image using multiple X-ray imagers
DE60322662D1 (de) * 2003-04-10 2008-09-18 Agfa Healthcare Nv Verfahren zur Erzeugung einem zusammenhängenden Bildes mit mehreren Röntgenabbildungsvorrichtungen
JP4163991B2 (ja) * 2003-04-30 2008-10-08 株式会社モリタ製作所 Ｘ線ｃｔ撮影装置及び撮影方法
JP2005164523A (ja) 2003-12-05 2005-06-23 Sysmex Corp 試料吸引分注装置およびそれを備えた標本作製装置
US7067817B2 (en) * 2004-01-29 2006-06-27 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation image sensor and making method of same
JP4563042B2 (ja) * 2004-01-29 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 放射線イメージセンサ
JP4335025B2 (ja) * 2004-01-29 2009-09-30 浜松ホトニクス株式会社 放射線イメージセンサおよびその製造方法
JP2006090709A (ja) 2004-09-21 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 蓄積性蛍光体パネル
DE102005045895B3 (de) * 2005-09-26 2007-06-14 Siemens Ag CMOS Röntgenflachdetektor

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2002-164523A 2002.06.07
JP特开2002-59363A 2002.02.26

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