TWI397461B - 四角單元之製備方法 - Google Patents

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Description

四角單元之製備方法
本發明係關於一種四角單元片體之製造方法，尤指一種由具有相對大尺寸之一四角基材切割出一或多種具有相對小的尺寸之四角單元片體的方法，其係使用具有多個切割器之一切割框架以製造四角單元片體。
切割具有一相對大尺寸之一四角基材，以製造出具有相對小尺寸之多個四角單元片體之技術係於各種領域被採用。舉例來說，使用設置有多個切割器之一切割框架，對具有一預定寬度與一大長度之一基材薄片進行重覆切割，以於單次切割過程中同時製造出多個四角單元片體。
所切割出的四角單元片體係經一檢查過程以檢查是否有缺陷，於檢查過程中，被檢查出有缺陷的四角單元片體係被分類為有缺陷的製品。若大量的四角單元片體被檢查出有缺陷，則材料耗損是嚴重的。
所切割的四角單元片體的缺陷主要係源自一四角基材(亦指一基布片材)。一般而言，一基布片材係由將一預定材料擠壓和展開而製成。該基布片材非常長，因此，將該基布片材捲繞於一滾軸上可使其於擠壓過程、展開過程、以及隨後的切割過程中容易處理。展開過程係將該基布片材的兩端固定於一預定的展開裝置而將其展開，其結果可能使得該基布片材的末端區域有缺陷。在捲繞過程中，固定於該滾軸上的該基布片材的末端區域被可能有缺陷。此外，若該滾軸有刮傷，則在該滾轉轉動期間，可能使該基布片材在接觸該滾軸處出現週期性缺陷。
例如若自具有上述缺陷的一基布片材切割出四角單元片體，則需處理有缺陷的四角單元片體，也因此使得製造成本增加。
習知技術中，用來製造四角單元片體的裝置已可減少四角單元片體的缺陷以解決上述問題。
此種技術舉例來說，習知係以一檢查單元檢查一四角單元片體狹縫在縱向方向上是否有缺陷，並於檢查出有缺陷時，將該四角單元片體傳送至一切碎單元以將該有缺陷的四角單元片體切碎並除去。但在此技術中，係製造出大量的碎片。
過程連續性係於四角單元片體被連續排列時嚴重惡化。此外，在下文中將闡述，當各種不同尺寸的四角單元片體同時自一基材上被切割出來及/或該四角單元片體以一預定傾角自該基材上被切割出來時，其係難以實際應用。
具體來說，該基材的尺寸(寬度)是明確規定的，但該四角單元片體的尺寸係隨需要而變化，其係由於各種因素，例如基材供應者的限制、製造過程的效率、以及該四角單元片體的需求上的變動。舉例來說，切割效率係依切割框架所配置的結構而有相當地變化，即，用來將基材切割出該等四角單元片體的切割器，於根據基材尺寸以切割出多個欲得到的四角單元片體時所排列的結構。低切割率使得產自基材且需於切割過程後清除的廢料量增加，其結果最終使得該等四角單元片體的製造成本增加。
當一基材的尺寸(寬度及長度)與特定的四角單元片體的尺寸為固定比例時，藉由以固定比例連續排列該等四角單元片體使其彼此間互相接觸，以降低一切割耗損率是可能的。但當無法形成固定比例時，該切割耗損率係依該等四角單元片體之排列結構而變化。此外，當該等四角單元片體係以與該基材的縱向方向呈一預定角度而被切割時，必然產生大量的碎片。
以一預定傾角於一虛擬框架上排列四角單元片體之過程之被表示於圖1中。具體來說，圖1表示依據一切割框架，於一虛擬四角座標系放置具有一相對小尺寸的四角單元片體之過程，其中該切割框架係自該基材切割出該等四角單元片體，以於該切割框架中設置切割器的排列。
請參照圖1，四角單元片體20係於一切割框架之一虛擬四角座標系10中以一45度角傾斜。將四角單元片體20不重疊地排列於該虛擬四角座標系10中的例子很多。舉例來說，指定一第一四角單元片體20的位置，接著可設置一第二四角單元片體21的位置，並對包括一第三四角單元片體22的多個四角單元片體重覆實行同樣的過程。
一般來說，較佳係將四角單元片體20、21及22排列為彼此相鄰以製造具有一高切割率(或一低切割耗損率)之一切割框架。舉例來說，將該第一四角單元片體20設置為其兩頂點係接觸至該虛擬四角座標系10之外週。在此狀態下，將該第二四角單元片體21設置至不同位置使其接觸該第一四角單元片體20的一邊。以相同的方法將該第三四角單元片體22設置於該第二四角單元片體21位置之後的不同位置，使得該第二四角單元片體21的一邊接觸該第一四角單元片體20及/或該第二四角單元片體21的一邊。此過程係就四角單元片體20、21及22之一最大數目而言，於一條件下被重覆實行，其中該等四角單元片體20、21及22係包括於該虛擬四角座標系10中。
雖經上述過程可得出具有最大切割率之一排列結構，但是，於切割該等四角單元片體以產生實際製品時，因為該等四角單元片體的缺陷，可能得出多個有缺陷的四角單元片體。
因此，四角單元片體製造方法的技術有很高的必要性，以有效計算出各情況所能製出之良好品質之製品的數目，俾於連續量產過程中減少製品之缺陷率，並可有效降低產品之缺陷率，即使於以一預定傾角自一基材切割出該等四角單元片體時，進而可避免浪費並降低該等四角單元片體之製造成本。
因此，本發明係用以解決上述問題以及目前未能解決的其他技術問題。
具體地說，本發明之一目的係提供一種製造四角單元片體之方法，其係以一檢測器檢查一四角基材之缺陷，當以多個切割框架自該四角基材虛擬切割出四角單元片體時計算一產量，選擇提供最大產量之一切割框架，以及以所選擇之切割框架自該四角基材切割出四角單元片體以製造該等四角單元片體，進而改善該等四角單元片體之一產品良率並降低該等四角單元片體之製造成本。
本發明之另一目的係提供一種四角單元片體之製造方法，其能考慮四角基材之缺陷位置，即使使用單一切割框架，亦可設置一四角基材之最佳切割位置，進而進一步達到如上述之改善效果。
本發明之又一目的係提供製造四角單元片體之一裝置，其可實現上述製造該等四角單元片體之方法。
根據本發明之一特色，本發明係提供一種由具有相對大尺寸之一四角基材切割出一或多種具有相對小的尺寸之四角單元片體的方法，其係使用包括多個切割器之一切割框架以製造該等四角單元片體，該方法包括：(a)一檢查步驟，其係於該四角基材之一縱向及一橫向方向對其進行掃描，以檢查該四角基材上的缺陷位置；(b)一計算步驟，其係計算以二或多種切割框架虛擬切割該四角基材之一產量；(c)一選擇步驟，其係於該計算步驟(b)所計算出之該產量之前30%範圍內選擇出一切割框架；以及(d)一製造步驟，其係使用於該選擇步驟(c)中所選擇之該切割框架切割該四角基材，以製造該等四角單元片體。
如上所述，由於例如產品要求等之各種因素，製造各種不同尺寸的四角單元片體是有必要的，因此各種不同的切割框架被設計出來。即，各種不同的切割框架係被準備以彈性地對製品的需求進行處理。另一方面，四角基材可能有不同式樣的缺陷。由於這個原因，生產效率係依據所欲切割之一四角基材而有相當變化，即使使用一特定切割框架。
根據本發明，當考慮上述切割框架與該四角基材之間的關係，依照具有一固有缺陷式樣之一特定四角基材使用各切割框架時，設置一虛擬切割狀態是可能的，因而不需實際對切割四角基材而能選擇顯示最佳切割效率的切割框架。
此處，「最佳切割效率」表示在綜合地考慮一切割效率、良好品質製品之一產量、四角單元片體依據其中尺寸之一需求程度、以及各切割框架的狀態時，最適合的切割效率。因此，針對一特定四角基材，可選擇所提供之製品產量在一預定範圍內且能同時滿足其他應適當考慮之事項之一切割框架。
具體而言，該等切割框架的排序係依據該等切割框架之產量而決定，其係包含產量在最大產量之前30%範圍內的切割框架，考慮各種應適當考慮之事項並於其中擇一。
產量在最大產量之前30%範圍之外的切割框架，由於自基材產生且需於切割後清除的碎片量大，因此即使其他事項較佳亦較不適合。
當降低製品之缺陷率，為了以高生產率製造四角單元片體，選擇步驟(c)係包含於其中選擇可提供最大產量之一切割框架。
每一切割框架可被視作一結構，其中設置有多個切割器以自一基材切割出多數個四角單元片體。每一切割框架係大概形成於一四角形狀中。
切割器的種類並未特別限定，只要切割器表現結構或特性以自基材切割出四角單元片體。一般來說，每一切割器可為用以切割之一刀，例如一金屬刀或一噴射水刀，或為用以切割之一光源，例如雷射。
如上所述，本發明中所使用的切割框架可為二或多種切割框架。舉例來說，切割框架之間可於切割器排序上互不相同、於切割尺寸上互不相同、或於切割器排序及切割尺寸上皆互不相同。因此，當使用各切割框架切割一特定的四角基材時，產量通常會改變。
在本發明的計算步驟(b)中，當使用各切割框架虛擬切割一特定的四角基材時，可計算出產量。
此處，產量可被定義，舉例來說，使用一切割框架自四角基材上切割出四角單元片體時之良好品質的四角單元片體與四角基材完整區堿之比例。但其中的標準係依所需而改變。
例如，由製品之一切割率(當虛擬切割一四角基材時的效率)以及一產品良率(沒缺陷的四角單元片體的數目與以各切割框架以該切割率進行虛擬切割之四角單元片體的數目之比率)計算一產量。
具有高產量的切割框架係經由該計算步驟而決定，並且係於切割前選擇具有高產量的切割框架。因此，減少在切割四角基材後所產生的碎片量、以及針對相同的四角基材降低四角單元片體的製造成本是可能的。
四角單元片體可自各種不同形式的四角基材上切割而來。例如，四角單元片體係以一預定傾斜角度θ對四角基材進行切割而來。
該傾斜角度θ係依據四角單元片體的用途而改變。例如，該預定傾斜角度θ係與該四角基材之一下端呈45度或135度。或者，該預定傾斜角度θ係與該四角基材之一下端呈0度或90度。
一般而言，一切割框架與四角基材相比係有一較小的寬度。即，在切割框架的寬度之外的四角基材的頂端區域及末端區域係同碎片被清除。因此，為了增加產量，較佳係排列四角單元片體(具體來說，較佳係排列切割框架中的切割器)，使得四角基材的寬度可被最大限度地利用。另一方面，四角基材的缺陷可能造成與上述排列相反的結果。
雖然缺陷係依處理四角基材的方式而隨機產生，缺陷主要位於四角基材縱向方向上之四角基材之左側端，其係將四角基材於一滾軸上固定之處，以使四角基材捲繞於其該滾軸上，及/或四角基材橫向方向上之四角基材之兩端，其係將四角基材於一展開裝置上固定之處。然而，缺陷並非均勻發生在上述區域中，但上述區域有相對高之一缺陷分布。
因此，製造四角單元片體的方法較佳係更包括切割四角基材之一切割步驟，其中切割框架係於四角基材的縱向方向及/或橫向方向上虛擬移動，切割步驟係實行於選擇步驟(c)之前。
考慮到四角基材的缺陷分佈，使切割框架與四角基材之一切割起始端相距一預定距離、或使切割框架自四角基材之一上端或一下端依序相距一預定間隔是可能的。
即，切割框架係虛擬移動至缺陷分佈低處，也因此，切割出相對大量良好品質之四角單元片體是可能的。
較佳係將切割框架自四角基材之切端初始端虛擬移動至位於一區域之外一位置，在該區域中，若考慮四角基材上在其中縱向方向上的缺陷分佈，四角基材之縱向方向上的缺陷分佈是相對高的。四角基材的切割起始端係，例如在捲繞過程期間固定於一滾軸上之四角基材之末端區域。
如前所述，當切割框架虛擬移動使得切割框架自四角基材之上端或下端依序相距一預定間隔時，以四角基材的寬度的0.1至5%的移動間隔虛擬移動切割框架是可能的，且更佳係0.2及5公分。如上所述，因此，透過移動切割框架使其依序相距一預定間隔以增加產量是有可能的，進而增加製造良好品質之四角單元片體之機率。
同時，四角基材在其橫向方向上之缺陷分佈可能由於各種不同的原因而在四角基材的縱向方向上被改變。舉例來說，假設基材總長度是100，基材的前30部分中，相對大量的缺陷主要係分佈於其上端，基材接著的60部分中，相對大量的缺陷主要係分佈於其下端，而基材最後的30部分中，相對大量的缺陷主要係分佈於其上端。
因此，其較佳係移動切割框架至產量在四角基材橫向方向上有最大值的位置，以及於製造步驟(d)中，當產量在四角基材橫向方向上被改變時切割四角基材。
此時，切割框架被移動至四角基材之一位置，其於四角基材之橫向方向上的缺陷分佈低。較佳係當產量差為20%或更多時在四角基材之橫向方向上移動切割框架。
但是，考慮到四角單元片體之生產效率，較佳係於四角基材的橫向方向上移動切割框架，且以四角基材縱向方向來說，切割框架在四角基材橫向方向上被移動的次數係為三次或更少。
本發明之製造四角單元片體之方法中，四角基材係為一連續材料，其係具有一預定寬度以及相對長之一長度，且切割器被排列於一結構中，以依一預定長度重覆切割四角基材。
即，以所決定之具有最大產量之切割框架切割四角基材，也因此，改善四角單元片體之生產效率是有可能的。
本發明係使用各種不同的四方基材。例如，四方基材可為一薄膜，其包含一表層(一吸收層或一傳輸層)，該表層係僅於縱向方向或橫向方向上吸收或傳輸光或一電磁波的特定方向的波動。
根據本發明的另一特色，本發明係提供用以製造四角單元片體之一裝置。
具體來說，本發明係提供一種用以切割出一或多種四角單元片體之裝置，其中四角單元片體與具有一相對大尺寸的一四角基材相比，具有一相對小尺寸，以製造出四角單元片體，該裝置包括：一檢測器，用以於四角基材的縱向方向及橫向方向掃描四角基材，以檢查四角基材上缺陷的位置；一資料庫，用以儲存二或多個切割框架上的資訊；一計算器，用以當以各切割框架虛擬切割四角基材時，依據來自檢測器及資料庫的資訊計算一產量；多個切割器，用以自四角基材切割出多個四角單元片體；一切割框架，於其中切割器係被設置為對應於四角單元片體之一形式中；以及一位置調整器，用以移動切割框架，其中切割器係被設置於四角基材上。
因此，本發明之用以製造四角單元片體的裝置係可透過檢測器檢測四角基材的缺陷、資料庫儲存切割框架上的資訊、以及計算器依據來自檢測器及資料庫的資訊於以各切割框架虛擬切割四角基材時計算產量，來決定出具有高產量範圍之特定之一切割框架。
並且，位置調整器將切割框架移至四角基材上分佈缺陷較少的位置。因此，於量產時依據缺陷位置快速移動切割框架是有可能的，進而可降低四角單元片體之缺陷率並大大增加生產效率。
檢測器的種類並未特別限定，只要檢測器可以掃描四角基材以檢查其之缺陷即可。例如，檢測器可為一高解析度之照相機。
本發明之實施例與附圖描述如下。應注意的是，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於所述實施例。
圖2係本發明一較佳實施例之製造四角單元片體之裝置之結構示意圖，圖3係圖2中之四角單元片體之切割方法之示意圖。
請參考圖2及圖3，用以製造四角單元片體之一裝置1000包括多個切割器800，其係用以自一四角基材306切割出多個四角單元片體302；多個切割框架304，於每一切割框架304中切割器800係被設置為對應四角單元片體302之一形式中；一檢測器600，用以於四角基材306的縱向方向L與橫向方向W掃描四角基材306，以檢查四角基材306上缺陷300的位置；一資料庫，用以儲存切割框架304上的資訊；一計算器500，用以當以各切割框架304虛擬切割四角基材306時，依據來自檢測器600以及資料庫700的資訊計算一產量；以及一位置調整器400，用以移動切割框架304，其中切割器800係被設置於四角基材306上分佈缺陷較少之一位置。
圖4係圖2及圖3中之四角單元片體之製造方法之流程圖。
請參照圖4，並同時參照圖2及圖3，製造四角單元片體的方法，包括：一檢查步驟S10，其係於四角基材306的縱向方向L及橫向方向W對其進行掃描，以檢查四角基材306上的缺陷300的位置；一計算步驟S20，其係於以二或多種切割框架304虛擬切割四角基材306時計算一產量；一選擇步驟S30，其係於計算步驟S20所計算出的產量的前30%範圍內選擇出一切割框架304；以及一製造步驟S40，其係使用於選擇步驟S30中所選擇的切割框架304切割四角基材306，以製造四角單元片體302。
於選擇步驟S30之前更實施有一切割步驟S31，其係於切割框架304虛擬移動於四角基底306的縱向方向L以及橫向方向W上時切割四角基材306。
圖5係圖4之計算步驟S31中之虛擬移動於縱向方向L上之切割框架之示意圖。
請參照圖5，一切割框架304a係自一四角基材306a的一切割起始點，虛擬移動一預定距離d1至在四角基材306a的縱向方向L上缺陷分佈相對較高的區域以外的一位置。
圖6係圖4之計算步驟S31中之虛擬移動於橫向方向W上之切割框架之示意圖。
請參照圖6，一切割框架304b係自一四角基材306之上端虛擬移動依序相距大約1公分之一預定間隔d2。計算在切割框架304b所移動至之各位置之產量，可得出有最大產量之一位置。
圖7係本發明一較佳實施例之考慮到缺陷位置且具有最大產量之製造四角單元片體之方法之示意圖。
請參照圖7，當一產量在圖4的計算步驟S30中於四角基材306c縱向方向L上被改變時，一切割框架304係在圖4的製造步驟S40中被移動至產量於四角基材306c橫向方向W上有最大值之一位置。
具體而言，當一產量差為20%或更多時，位於四角基材306c之下端之切割框架304c係被移動至四角基材306c(304c’)之上端以製造四角單元片體。
切割框架304c較佳係於四角基材306c的橫向方向W上移動，且基於四角基材306的縱向方向L來說，其移動次數係為三次或更少。
因此，於其內設置有切割器的切割框架304c係被移動至在四角基材306c上、由檢測器所檢查出之缺陷分佈相對少的一位置，並切割四角單元片體302，進而製造大量良好品質的四角單元片體。
產業利用性
由上所述，本發明之製造四角單元片體的方法係可針對具有一既有缺陷式樣之一特定四角基材，考慮其與各切割框架之間的關係，以對其設定一虛擬切割狀態，進而可選出顯示有最佳切割效率之切割框架而不需實際切割四角基材。此外，本發明之製造四角單元片體的方法可以所選擇之切割框架切割四角單元片體，進而於降低缺陷率的同時提供高生產率。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
10．．．虛擬四角座標系
1000．．．裝置
20‧‧‧第一四角單元片體
21‧‧‧第二四角單元片體
22‧‧‧第三四角單元片體
300‧‧‧缺陷
400‧‧‧位置調整器
500‧‧‧計算器
600‧‧‧檢測器
700‧‧‧資料庫
800‧‧‧切割器
d1‧‧‧預定距離
d2‧‧‧預定間隔
S10‧‧‧檢查步驟
S20‧‧‧計算步驟
S30‧‧‧選擇步驟
S31‧‧‧切割步驟
S40‧‧‧製造步驟
L‧‧‧縱向方向
W‧‧‧橫向方向
302,302a-302c‧‧‧四角單元片體
304,304a-304c,304c’‧‧‧切割框架
306,306a-306c‧‧‧四角基材
圖1係習知之於一預定趨勢下在一虛擬框架上排列四角單元片體之一流程。
圖2係本發明一較佳實施例之製造四角單元片體之裝置之結構示意圖。
圖3係圖2中之四角單元片體之切割方法之示意圖。
圖4係圖2及圖3中之四角單元片體之製造方法之流程圖。
圖5係圖4之計算步驟(S31)中之虛擬移動於縱向方向(L)上之切割框架之示意圖。
圖6係圖4之計算步驟(S31)中之虛擬移動於橫向方向(W)上之切割框架之示意圖。
圖7係本發明一較佳實施例之考慮到缺陷位置且具有最大產量之製造四角單元片體之方法之示意圖。
S10．．．檢查步驟
S20．．．計算步驟
S30．．．選擇步驟
S31．．．切割步驟
S40．．．製造步驟

Claims (21)

  1. 一種由具有相對大尺寸之一四角基材切割出一或多種具有相對小的尺寸之四角單元片體的方法，其係使用包括多個切割器之一切割框架以製造該等四角單元片體，該方法包括下列步驟：(a)一檢查步驟，其係於該四角基材之一縱向方向以及一橫向方向對其進行掃描，以檢查該四角基材上的缺陷位置；(b)一計算步驟，其係計算以二或多種切割框架虛擬切割該四角基材之一產量，其中該等切割框架之切割器安排及/或切割器尺寸係互不相同；(c)一選擇步驟，其係於該計算步驟(b)所計算出之該產量之前30%範圍內選擇出一切割框架；以及(d)一製造步驟，其係使用於該選擇步驟(c)中所選擇之該切割框架切割該四角基材，以製造該等四角單元片體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該選擇步驟(c)包括選擇提供最大產量之一切割框架。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該等切割器係分別為用以切割之一刀或一光源。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該刀係為一金屬刀或一噴射水刀，該光源係為雷射。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該等四角單元片體係為以相對於該四角基材之一預定傾斜角度θ，對該四角基材進行切割而來。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該預定傾斜角度θ係與該四角基材之一下端呈45度或135度。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該預定傾斜角度θ係與該四角基材之一下端呈0度或90度。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其更包括一切割步驟，其係於該切割框架虛擬移動於該四角基底之該縱向方向及/或該橫向方向上時切割該四角基材，且該切割步驟係於該選擇步驟(c)之前實施。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該等切割框架之虛擬移動係包括使該等切割框架與該四角基材之一切割起始端相距一預定距離。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該等切割框架之虛擬移動係包括該等切割框架係自該四角基材之一上端或一下端依序相距一預定間隔。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，更包括將該切割框架自該四角基材之該切割初始端，虛擬移動至在該四角基材之該縱向方向上缺陷分佈相對較高之一區域以外的一位置。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，更包括以該四角基材之一寬度之0.1至5%之移動間隔虛擬移動該等切割框架。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該等移動間隔係在0.2至5公分之間。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括移動該切割框架至該產量在該四角基材之該橫向方向上有最大值之一位置，以及於該製造步驟(d)中，當該產量在該四角基材之該橫向方向上被改變時，切割該四角基材。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，更包括當一產量差係為20%或更多時，在該四角基材之該橫向方向上移動該切割框架。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中，該切割框架係在該四角基材之該橫向方向上被移動，且基於該四角基材之該縱向方向，移動次數係為三次或更少。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該四角基材係為一連續材料，其係具有一預定寬度以及相對長之一長度，且該等切割器係被排列於一結構中，以依一預定長度重覆切割該四角基材。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該四角基材係為一薄膜，其包含一表層(一吸收層或一傳輸層)，該表層係僅於該縱向方向或該橫向方向上吸收或傳輸光或一電磁波之特定方向之一波動。
  19. 一種由具有相對大尺寸之一四角基材切割出具有一相對小尺寸之一或多種四角單元片體之裝置，以製造出該等四角單元片體，該裝置包括：一檢測器，係用以於該四角基材之一縱向方向及一橫向方向掃描該四角基材，以檢查該四角基材上缺陷之位置；一資料庫，係用以儲存二或多個切割框架上之資訊； 一計算器，係用以當以各切割框架虛擬切割該四角基材時，依據來自該檢測器以及該資料庫之該資訊計算一產量；多個切割器，係用以自該四角基材切割出多個四角單元片體；二或多種切割框架，其之切割器安排及/或切割器尺寸係互不相同，於其中該等切割器係被設置為對應於該等四角單元片體之一形式中；以及一位置調整器，係用以移動該切割框架，其中該等切割器係被設置於該四角基材上。
  20. 一種由具有相對大尺寸之一四角基材切割出一或多種具有相對小的尺寸之四角單元片體的方法，其係使用包括多個切割器之一切割框架以製造該等四角單元片體，該方法包括下列步驟：(a)一檢查步驟，其係於該四角基材之一縱向方向以及一橫向方向對其進行掃描，以檢查該四角基材上的缺陷位置；(b)一計算步驟，其係計算以二或多種切割框架虛擬切割該四角基材之一產量；(c)一選擇步驟，其係於該計算步驟(b)所計算出之該產量之前30%範圍內選擇出一切割框架；以及(d)一製造步驟，其係使用於該選擇步驟(c)中所選擇之該切割框架切割該四角基材，以製造該等四角單元片體； 其中，該方法更包括一切割步驟，其係於該切割框架虛擬移動於該四角基底之該縱向方向及/或該橫向方向上時切割該四角基材，且該切割步驟係於該選擇步驟(c)之前實施。
  21. 一種由具有相對大尺寸之一四角基材切割出一或多種具有相對小的尺寸之四角單元片體的方法，其係使用包括多個切割器之一切割框架以製造該等四角單元片體，該方法包括下列步驟：(a)一檢查步驟，其係於該四角基材之一縱向方向以及一橫向方向對其進行掃描，以檢查該四角基材上的缺陷位置；(b)一計算步驟，其係計算以二或多種切割框架虛擬切割該四角基材之一產量；(c)一選擇步驟，其係於該計算步驟(b)所計算出之該產量之前30%範圍內選擇出一切割框架；以及(d)一製造步驟，其係使用於該選擇步驟(c)中所選擇之該切割框架切割該四角基材，以製造該等四角單元片體；其中，該方法更包括移動該切割框架至該產量在該四角基材之該橫向方向上有最大值之一位置，以及於該製造步驟(d)中，當該產量在該四角基材之該橫向方向上被改變時，切割該四角基材。
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