TWI396474B

TWI396474B - 多層配線基板的製造方法

Info

Publication number: TWI396474B
Application number: TW097109418A
Authority: TW
Inventors: Satoru Watanabe
Original assignee: Ngk Spark Plug Co
Priority date: 2007-03-22
Filing date: 2008-03-18
Publication date: 2013-05-11
Also published as: JP5078687B2; JP2008270768A; TW200904267A; CN101272663A; CN101272663B

Description

多層配線基板的製造方法

本發明係關於多層配線基板的製造方法。

近年來，隨著電氣機器、電子機器等的小型化，而在裝載於這些機器的配線基板等方面也被要求小型化和高密度化。為了因應市場的需求，而正在研討配線基板的多層化技術。作為此配線基板之多層化的方法，一般是採用所謂在核芯基板之正反兩面將樹脂絕緣層和導體層交互層積一體化，所謂的增層(build up)法。

在這種多層配線基板中，必須考慮到層間的電氣連接，並須對應下層的導體層而精度良好地層積上層的導體層。具體而言，在製造多層配線基板的時候，在下層之導體層的一部分上預先形成會成為用於下一層之對位的基準的對位標記，在此導體層上形成下一層的樹脂絕緣層。此時，因為對位標記係被覆蓋於樹脂絕緣層，所以藉由雷射加工而使此對位標記從樹脂絕緣層露出以後，藉由CCD照相機等的攝影手段來拍攝此對位標記。然後，將此攝影資料取入於電腦並進行對位標記的畫像辨識，根據此辨識的畫像，而在樹脂絕緣層上形成導通孔或形成下一層的導體層。如同這般，藉由雷射加工來露出對位標記，用於檢測出其位置的技術係揭露於例如專利文獻1和專利文獻2。另外，在專利文獻3中揭露了以雷射加工使樹脂絕緣層開孔，藉以形成下層的導體層露出為環狀之形態的對位標記的技術。

[專利文獻1]特開2003-60356號公報

[專利文獻2]特開平10-256737號公報

[專利文獻3]特開2005-244182號公報

不過，如同專利文獻1或專利文獻2藉由雷射加工來使對位標記露出，或如同專利文獻3藉由雷射加工來形成對位標記的情況下，因為變得需要用於此雷射加工的步驟，多層配線基板的製造成本增大。另外，若未適當設定雷射的輸出時，均勻地切削對位標記上部之樹脂絕緣層並進行開孔會很困難，就會發生由於雷射加工而切削到對位標記本身，或者是樹脂絕緣層的一部分會殘留在此對位標記上面的問題。因此，正研討著在不使對位標記露出的狀態下，介由樹脂絕緣層來讀取對位標記的手法。

具體而言，如第18圖所示，以覆蓋圓形之對位標記71的方式而形成樹脂絕緣層72以後，從上方介由樹脂絕緣層72而將位置檢測用光L1照射於對位標記71。然後，根據此位置檢測用光L1的反射光L2來進行畫像辨識處理，並檢測出對位標記71。不過，在對位標記71的上部，樹脂絕緣層72的表面會因為此對位標記71之厚度而上升，位置檢測用光L1會因為其表面的凹凸而漫射。其結果，對位標記71之輪廓變得不清楚，變得很難正確地進行畫像辨識。在此情況下，因為對位精度下降，所以在樹脂絕緣層72中無法在與各導體層之導體電路對應的正確位置上形成導通孔。因此，無法適當地進行層間的電氣連接，無法謀求導體電路的細微化。

而且，因為專利文獻1、2會因為焦點距離長而無法精度良好地形成對位標記。另外，專利文獻3因為係藉由雷射加工而使對位標記露出，所以還是無法精度良好地形成對位標記。

本發明係有鑑於上述課題而完成者，其目的為提供一種多層配線基板的製造方法，能確實地檢測出對位標記，將此對位標記作為位置基準，並於與導體電路對應之正確位置上形成導通孔。

作為用於解決上述課題的手段(手段1)，有一種多層配線基板的製造方法，該多層配線基板具備：核芯基板，其具有核芯主面；以及層積配線部，其係層積構成導體電路之金屬層以及層間樹脂絕緣層而成，且配置於前述核芯主面上，該方法之特徵為包含：導體電路等形成步驟，其在前述核芯主面上或者前述層間樹脂絕緣層上形成前述導體電路，同時在前述金屬層中與前述導體電路不同的位置上，形成由第1光反射部與隔著移除圖案而包圍此第1光反射部的第2光反射部所組成之對位標記；絕緣層形成步驟，其在前述金屬層上形成覆蓋前述導體電路以及前述對位標記的前述層間樹脂絕緣層；檢測步驟，其根據介由前述層間樹脂絕緣層而照射於前述對位標記的位置檢測用光之反射光，來檢測出前述對位標記；以及雷射開孔步驟，其使用測得之前述對位標記來作為位置基準並進行對位以後，對前述層間樹脂絕緣層照射雷射，並形成使前述導體電路之一部分露出的導通孔。

因此，藉由手段1的多層配線基板之製造方法，在導體電路等形成步驟中，在核芯主面上或者層間樹脂絕緣層上形成導體電路，同時在金屬層中與導體電路不同的位置上形成對位標記。在絕緣層形成步驟中，在金屬層上形成層間樹脂絕緣層，並藉由此層間樹脂絕緣層來覆蓋導體電路以及對位標記。本發明的對位標記係因為由第1光反射部與隔著既定寬度之移除圖案而包圍此第1光反射部的第2光反射部所組成，所以相較於如同習知技術未在對位標記之周圍形成金屬層圖案的情況，可抑制覆蓋對位標記的層間樹脂絕緣層之表面的凹凸。因此，在檢測步驟中，會抑制介由層間樹脂絕緣層而照射於對位標記的位置檢測用光之漫射。因此，在第1光反射部和包圍此第1光反射部的第2光反射部之表面上確實地反射位置檢測用光，根據此反射光而正確地檢測出對位標記的位置。以此方式，在雷射開孔步驟中，能在與導體電路對應之正確位置上形成導通孔，能謀求多層配線基板的導體電路之細微化。

位於前述移除圖案之正上方的前述層間樹脂絕緣層之表面高度、位於前述第1光反射部之正上方的前述層間樹脂絕緣層之表面高度以及位於前述第2光反射部之正上方的前述層間樹脂絕緣層之表面高度的不均能儘量小即可，具體而言，例如5μm以下為佳，特別是3μm以下為較佳。以此方式，因為覆蓋對位標記的層間樹脂絕緣層之表面凹凸變少，所以能夠確實地防止介由此層間樹脂絕緣層而照射於對位標記的位置檢測用光之漫射。因此，能確實檢測出對位標記的位置。

前述移除圖案的寬度並未被特別限定，但例如是10μm以上即可，甚至較佳為50μm以上、150μm以下。此移除圖案的寬度比50μm還要窄時，變得無法充分確保對位標記的辨識精度。另一方面，移除圖案的寬度比150μm還要寬時，層間樹脂絕緣層之表面高度不均會變大。因此，藉由將移除圖案的寬度設為50μm以上、150μm以下，能確實檢測出對位標記的位置。該寬度更佳為70μm以上、120μm以下。

前述第1光反射部的形狀以及前述移除圖案的形狀並未被特別限定，只要是可進行畫像辨識者，就能分別任意地進行選擇，但較佳為例如，前述第1光反射部是圓形狀，前述移除圖案同等寬度的環狀。在此情況下，能夠輕易地形成對位標記。此外，因為移除圖案為同等寬度，所以對位標記之輪廓變得鮮明，能藉由畫像辨識來確實檢測出對位標記的位置。

另外，在前述檢測步驟中，在藉由使用電腦的畫像識別處理來檢測出前述對位標記的情況下，前述位置檢測用光的種類並未被限定，但使用波長比較長的紅色區域的光即可，特別是紅外光為較佳。在此情況下，能夠藉由畫像辨識處理來取得更鮮明的畫像。

在形成前述核芯基板的材料方面並未特別被限定，能考慮成本性、加工性、絕緣性、機器強度等而進行適當選擇。作為核芯基板，例如，能舉出樹脂基板、陶瓷基板、金屬基板等。作為樹脂基板的具體範例，有EP樹脂(環氧樹脂)基板、PI樹脂(聚醯亞胺樹脂)基板、BT樹脂(雙馬來醯亞胺-三樹脂)基板、PPE樹脂(聚苯醚樹脂)基板等。除此之外，也可以使用由這些樹脂和玻璃纖維(玻璃織布和玻璃不織布)或聚醯亞胺纖維等之有機纖維的複合材料所組成的基板。或者，也可以使用將環氧樹脂等之熱硬化性樹脂含浸於連續多孔質PTFE等之三維網目狀氟系樹脂基材的樹脂-樹脂複合材料所組成之基板等。作為前述陶瓷基板的具體範例，則有例如由氧化鋁基板、氧化鈹基板、玻璃陶瓷基板、結晶化玻璃等之低溫燒成材料所組成的基板等。作為前述金屬基板的具體範例，則有例如，由銅基板和銅合金基板、銅以外之金屬單體所組成的基板、銅以外之金屬的合金所組成的基板等。此外，也可以在前述核芯基板中形成貫通其上面及下面的複數個鍍通孔等，也可以在那些複數個鍍通孔內填入填充材料。另外，上述核芯基板可以是在其內部形成配線層的基板，也可以是埋入有晶片電容器和晶片阻抗等之電子零件的基板。

構成前述導體電路的金屬層之形成手法，係能考慮導電性及與層間樹脂絕緣層的緊密性等而進行適當的選擇。作為金屬層的材料範例，能舉出銅、銅合金、鎳、鎳合金、錫、錫合金等。另外，能以減成法(subtractive)、半加成法(semi-additive)、全加成法(full-additive)等之習知的手法來形成該金屬層。具體而言，能夠採用例如銅箔之蝕刻、無電解鍍銅或者電解鍍銅、無電解鍍鎳或者電解鍍鎳等的手法。此外，可由濺鍍或CVD等之手法形成金屬層以後進行蝕刻以形成導體電路，或藉由印刷導電性糊漿等來形成導體電路。

前述層間樹脂絕緣層係例如採用具有熱硬化性的樹脂而形成。作為熱硬化性樹脂的適當例，則列舉出了EP樹脂(環氧樹脂)、PI樹脂(聚醯亞胺樹脂)、BT樹脂(雙馬來醯亞胺-三樹脂)、苯酚樹脂、二甲苯樹脂、聚脂樹脂、矽樹脂等。即使在這些當中，較佳為選擇EP樹脂(環氧樹脂)、PI樹脂(聚醯亞胺樹脂)、BT樹脂(雙馬來醯亞胺-三樹脂)。例如，作為環氧樹脂，使用所謂的BP(雙酚)型、PN(苯酚酚醛清漆)型、CN(甲酚酚醛清漆)型者即可。特別是，以BP(雙酚)型為主體者即可，BPA(雙酚A)型和BPF(雙酚F)型為最佳。

在此，多層配線基板為具有至少一個以上之製品區域以及包圍前述製品區域之框部區域的情況下，前述對位標記並非形成於製品區域，還是形成於框部區域為較佳。製品區域內緊密聚集著多數的導體電路或通孔導體，欲在其中設置對位標記時就會阻礙製品全體的小型化。相對於此，因為若是最後不會成為製品的框部區域，即使在其上設置對位標記也不會特別阻礙到製品的小型化，另外，形成對位標記時的配置之自由度也很大。

以下，根據圖式來詳細說明將本發明具體化之多層配線基板的一實施形態。第1圖係多層配線基板的概略平面圖，第2圖係多層配線基板的截面圖。

如第1圖所示，多層配線基板11由平面觀看呈現矩形狀，且具有複數(在此為4×4個)個製品區域100，及包圍那些製品區域100的框部區域101。因為框部區域101不會成為製品，所以在最後會經過切割步驟而被切除。

如第2圖所示，構成多層配線基板11的核芯基板12係由玻璃環氧所組成的略矩形板狀之構件(厚度0.8mm)，並具有作為核芯主面的上面13以及下面14。核芯基板12的上面13形成有第1增層式(build up)層15(層積配線部)，核芯基板12的下面14形成有第2增層式層16(層積配線部)。在核芯基板12的製品區域100之既定處，係形成有使上面13以及下面14連通的多數個鍍通孔17。在位於鍍通孔17內的空洞部中，則填充有由加入銅填充物之環氧樹脂所組成的填充材料18。另外，在核芯基板12的上面13以及下面14係形成有由銅所組成之導體層19，各導體層19係電氣連接於鍍通孔17。

在核芯基板12之上面13上形成的第1增層式層15係具有由環氧樹脂組成之樹脂絕緣層20、21(層間樹脂絕緣層)及由銅組成之導體層22、23(金屬層)以各2層層積的構造。在本實施形態中，各樹脂絕緣層20、21的厚度是40μm左右，各導體層22、23的厚度是20μm左右。

在第2層樹脂絕緣層21的表面上的複數處，構成導體層23之導體電路的端子襯墊230係形成為陣列狀。第1層樹脂絕緣層20內設有複數個導通孔25以及通孔導體26，第2層樹脂絕緣層21內設有複數個導通孔27以及通孔導體28。介由這些通孔導體26、28，導體層19、22之導體電路190、220以及端子襯墊230會相互地電氣連接。另外，第2層樹脂絕緣層21的表面係被防焊部29所大致全體地覆蓋。在防焊部29的既定處，形成使端子襯墊230露出的開口部30。各端子襯墊230係介由未圖示之焊料凸塊而電氣連接於IC晶片(半導體積體電路元件)的連接端子。

在核芯基板12之下面14上形成的第2增層式層16係具有和上述第1增層式層15大致相同的構造。亦即，第2增層式層16係具有由環氧樹脂組成之樹脂絕緣層31、32及由銅組成之導體層33、34以各2層層積的構造。在第2層樹脂絕緣層32之下面上的複數處，構成導體層34之導體電路的BGA用襯墊340係形成為陣列狀。第1層樹脂絕緣層31內設有複數個導通孔25以及通孔導體26，第2層樹脂絕緣層32內設有複數個導通孔27以及通孔導體28。介由這些通孔導體26、28，導體層19、33之導體電路190、330以及BGA用襯墊340會相互地電氣連接。另外，第2層樹脂絕緣層32的下面係被防焊部36所大致全體地覆蓋。在防焊部36的既定處，形成使BGA用襯墊340露出的開口部37。BGA用襯墊340的表面上係配設有複數個焊料凸塊38，用以謀求和未圖示之主板(mother board)進行電氣連接，藉由各焊料凸塊38，多層配線基板11會被組裝於未圖示之主板上。

另外，如第1圖以及第2圖所示，在多層配線基板11的框部區域101之既定位置(成為基板之四個角隅的位置)中，在核芯基板12以及樹脂絕緣層20、31上設置對位標記41、42。此外，在本實施形態中，對位標記41與對位標記42係被配置於在樹脂絕緣層20、31之厚度方向上重疊的位置。使用在核芯基板12上形成的對位標記41，來作為用以在第1層樹脂絕緣層20、31上形成導通孔25的位置基準。另外，使用在樹脂絕緣層20、31上形成的對位標記42，來作為用以在第2層樹脂絕緣層21、32上形成導通孔27的位置基準。

如第3圖所示，對位標記41係由第1光反射部43及隔著既定寬度之移除圖案44而包圍此第1光反射部43的第2光反射部45所組成。在本實施形態中，第1光反射部43係形成為具有例如1mm之直徑的圓形狀，移除圖案44係形成為同等寬度(100μm的寬度)的環狀。這些第1光反射部43和移除圖案44係被配置於同心圓上。此外，對位標記42也一樣，係由圓形狀之第1光反射部43及隔著環狀之移除圖案44而包圍此第1光反射部43的第2光反射部45所組成。

在以此方式形成對位標記41、42的情況下，覆蓋此對位標記41、42的樹脂絕緣層20、21、31、32之表面的平坦度會提升。具體而言，對位標記41之位於移除圖案44正上方的樹脂絕緣層20之表面的高度H1、位於第1光反射部43正上方的樹脂絕緣層20之表面的高度H2以及位於第2光反射部45正上方的樹脂絕緣層20之表面的高度H3的不均係5μm以下(在本實施形態中為2μm~3μm左右)(參照第4圖)。

接著，就上述構成之多層配線基板11的製造順序來進行說明。

首先，在基板準備步驟中，準備了將銅箔47貼附於核芯基板12之兩面而得的兩面覆銅層積板48(參照第5圖)。然後，使用YAG雷射或者碳酸氣體雷射來進行雷射開孔加工，在既定位置上預先形成貫通兩面覆銅層積板48的貫通孔。然後，藉由以往習知的手法來進行無電解鍍銅以及電解鍍銅來形成鍍通孔17以後，在此鍍通孔17內填入填充材18並使之熱硬化。

在導體電路等形成步驟中，進行基板兩面之銅箔47的蝕刻，藉以在核芯基板12上圖案化導體層19(導體電路190)。具體而言，無電解鍍銅以後，進行曝光以及顯影來形成既定圖案的抗鍍層。在此狀態下以無電解鍍銅層作為共同電極而施行電解鍍銅以後，首先溶解並除去抗鍍層，進一步以蝕刻來除去不需要的無電解鍍銅層。其結果，在核芯基板12之製品區域100上形成既定圖案的導體層19(導體電路190)，並且在框部區域101之既定位置(成為四角隅的位置)上形成對位標記41(參照第6圖)。

在絕緣層形成步驟中，在核芯基板12的上面13以及下面14，以分別將由環氧樹脂作為主要成分之膜狀絕緣樹脂材料重合的方式來進行配置。然後，利用真空壓接熱壓力機(未圖示)於真空下對這種層積物進行加壓加熱，藉以使膜狀絕緣樹脂材料硬化，並在上面13以及下面14各自形成第1層樹脂絕緣層20、31(參照第7圖)。此時，從膜狀絕緣樹脂材料滲出的環氧樹脂下降而被填充於對位標記41之移除圖案44，但因為移除圖案44之縫隙只有100μm那麼狹窄，所以幾乎不會發生因樹脂對移除圖案44填充而造成樹脂絕緣層20、31的厚度不均。

在檢測步驟中，使用環狀的照射器51，介由樹脂絕緣層20來向對位標記41照射紅外光L1(位置檢測用光)，根據其反射光L2來檢測出對位標記41(參照第8圖)。具體而言，根據來自對位標記41(第1光反射部43以及第2光反射部45)的反射光L2，藉由CCD照相機52來拍攝此對位標記41的像。然後，將此CCD照相機52的攝影資料取入至電腦53並進行畫像辨識處理，根據此辨識之畫像來檢測出對位標記41的位置。此外，在此畫像辨識處理中，對拍攝到的畫像進行二值化處理，根據此處理後的畫像資料來檢測出對位標記41的位置。

在雷射開孔步驟中，使用測得的對位標記41來作為位置基準，進行雷射照射裝置54的對位以後，將雷射L0照射於核芯基板12之上面13的樹脂絕緣層20(參照第9圖)。此外，使用碳酸氣體雷射器和YAG雷射等的照射裝置來作為雷射照射裝置54。藉由此雷射照射，在樹脂絕緣層20之既定位置上形成導通孔25，露出導體層19之導體電路190的一部分。另外，在核芯基板12之下面14的樹脂絕緣層31也同樣地在檢測步驟中檢測出對位標記41的位置，在雷射開孔步驟中照射雷射L0，藉以在既定位置形成導通孔25。

然後，藉由進行無電解鍍銅，在導通孔25內形成通孔導體26，同時在樹脂絕緣層20之上面全體形成無電解鍍銅層。爾後，進行曝光以及顯影來形成既定圖案的抗鍍層。然後，施行電解鍍銅以後，首先溶解並除去抗鍍層，進一步以蝕刻來除去不需要的無電解鍍銅層。其結果，在樹脂絕緣層20、31上之製品區域100中形成既定圖案的導體層 22、33(導體電路220、330)，同時在框部區域101形成對位標記42(參照第10圖)。

接著，與上述第1層樹脂絕緣層20、31的情況相同，藉由進行絕緣層形成步驟，來形成第2層樹脂絕緣層21、32。此外，在檢測步驟中檢測出對位標記42的位置，由雷射開孔步驟而照射雷射L0，藉以在樹脂絕緣層21、32之既定位置形成導通孔27(參照第11圖)。

然後，藉由進行無電解鍍銅，在導通孔27內形成通孔導體28，同時在樹脂絕緣層21、32之上面全體形成無電解鍍銅層。爾後，進行曝光以及顯影來形成既定圖案的抗鍍層。然後，施行電解鍍銅之後，首先溶解並除去抗鍍層，進一步以蝕刻來除去不需要的無電解鍍銅層。其結果，在樹脂絕緣層21上之既定位置形成複數個端子襯墊230，同時在樹脂絕緣層32上之既定位置形成複數個BGA用襯墊340(參照第12圖)。

此外，在如同上述而形成的核芯基板12之上面以及下面的表面上塗佈感光性液態樹脂材料並使之硬化，藉以形成防焊部29、36。接著，以使玻璃遮罩在防焊部29、36的表面上重合的方式來進行配置，進行曝光以及顯影，在防焊部29、36上圖案化開口部30、37(參照第13圖)。

然後，對從各開口部30露出之端子襯墊230或從各開口部37露出之BGA用襯墊340，進行表面粗化處理以及進行鎳-金電鍍處理。爾後，利用習知的手法來進行焊料凸塊形成步驟，在BGA用襯墊340的表面上形成焊料凸塊38(參照第2圖)。具體而言，在防焊部36上載置既定圖案的遮罩，在BGA用襯墊340上印刷焊料糊漿以後，將此焊料糊漿進行回焊(reflow)。爾後，將以一大張的狀態而一體化的中間製品，使用切割刀具等的切斷器具而切割分離成各個小片，藉以完成多層配線基板。

為了確認本實施形態之製造方法的效果，而測定了核芯基板12上之導通孔25相對於導體電路190(襯墊)的位置精度。第14圖係表示其測定結果56。此外，在此係表示導通孔25之中心座標相對於襯墊之中心座標的偏移量(錯位量)。另外，作為比較例，如同習知技術，於第15圖表示使用圓形之對位標記71(直徑為1mm之尺寸的標記)而形成導通孔25時的位置精度之測定結果58。如第14圖以及第15圖所示，在本實施形態中，相較於習知技術的比較例，錯位量的不均減小，並精度良好地形成導通孔25。

第16圖係表示在本實施形態中，於檢測步驟所拍攝之對位標記41的畫像61，第17圖係表示比較例之對位標記71的畫像62。如第16圖所示，在本實施形態中，因為能取得對位標記41之輪廓為鮮明的畫像61，所以畫像辨識之對位標記41的識別度變得良好。其結果，更正確地檢測出對位標記41的位置，雷射加工之導通孔25的加工精度會提升。

另外，本案發明人係在上述檢測步驟中，將照射的位置檢測用光L1自紅外光換成紅色光(可見光)，而拍攝了對位標記41的畫像(圖示省略)。在此情況下，因為對位標記41的輪廓變得不清楚，所以相較於使用紅外光的情況，其畫像辨識是困難的。此外，本案發明人將對位標記41的移除圖案44之縫隙從100μm變更為200μm，並拍攝了此對位標記41的畫像(圖示省略)。在此情況下，在絕緣層形成步驟中，藉由將環氧樹脂填充於移除圖案44，覆蓋對位標記41的樹脂絕緣層20、31之表面的高度不均會變大。因此，對位標記41之輪廓不清楚，其辨識精度會惡化。

因此，能藉由本實施形態而獲得以下的效果。

(1)在本實施形態中，對位標記41、42係由第1光反射部43及隔著移除圖案44而包圍此第1光反射部43的第2光反射部45所組成，所以相較於如同習知技術未在對位標記71之周圍形成導體層的情況(參照第18圖)，可抑制覆蓋對位標記41、42的樹脂絕緣層20、21、31、32之表面的凹凸。因此，在檢測步驟中，能夠抑制介由樹脂絕緣層20、21、31、32而照射於對位標記41、42的位置檢測用光L1之漫射。因此，位置檢測用光L1會在第1光反射部43以及第2光反射部45的表面上被確實地反射，能根據此反射光L2而正確地檢測出對位標記41、42的位置。以此方式，能在與導體層19、22、33之導體電路190、220、330對應之正確位置上形成導通孔25、27，能謀求多層配線基板11之導體電路190、220、330的細微化。

(2)本實施形態的情況下，因為對位標記41、42之移除圖案44的寬度為100μm，所以能減少覆蓋此對位標記41、42的樹脂絕緣層20、21、31、32之表面的凹凸，能夠提升畫像識別的對位標記41、42之識別精度。

(3)本實施形態的情況下，因為對位標記41、42之第1光反射部43為圓形狀，移除圖案44為環狀，所以能輕易地形成對位標記41、42。此外，因為移除圖案44是同等寬度，所以對位標記41、42的輪廓變得鮮明，能藉由畫像辨識來確實檢測出對位標記41、42的位置。

(4)本實施形態的情況下，在檢測步驟中，因為使用紅外光來作為位置檢測用光，所以能藉由畫像辨識來取得更鮮明的畫像61，因而能確實檢測出對位標記41、42的位置。

(5)本實施形態的情況下，對位標記41、42並非形成於製品區域100，而是形成於包圍此製品區域100的框部區域101。在多層配線基板11中，多數導體電路190、220、330或通孔導體26、28會緊密聚集於製品區域100內，欲在此設置對位標記41、42時，會阻礙製品全體的小型化。相對於此，如同本實施形態，藉由在最後不會成為製品的框部區域101上設置對位標記41、42，能謀求製品的小型化。另外，形成對位標記41、42時的配置之自由度也變大，成為實用上較理想者。

此外，本發明之實施形態亦可如同以下進行變更。

．上述實施形態的多層配線基板11係由樹脂材料組成核芯基板12的有機型多層配線基板，但也可以將本發明應用於由陶瓷材料或金屬材料所組成的多層配線基板。

．在上述實施形態的絕緣層形成步驟中，是使用膜狀絕緣樹脂材料來形成樹脂絕緣層20、21、31、32者，但除此之外，也可以藉由進行液態防焊部的塗佈以及乾燥，以形成樹脂絕緣層20、21、31、32。

．上述實施形態的對位標記41、42係第1光反射部43 為圓形狀，移除圖案44為環狀，但並非侷限於此，也可以變更為例如四角形狀、三角形狀的第1光反射部43或移除圖案44。另外，在對位標記41與對位標記42方面，也可以使那些形狀或尺寸有所差異。此外，在上述實施形態中，對位標記41與對位標記42係形成於在樹脂絕緣層20、31之厚度方向上重疊的位置，但也可以形成為偏離此位置。

．上述實施形態中，多層配線基板11的封裝形態是BGA(球閘陣列封裝)，但並非僅侷限於BGA，也可以是例如PGA(插針網格陣列)或LGA(平面閘格陣列)等。

接著，除了申請專利範圍所記載之技術思想以外，以下則列舉由前述實施形態所掌握之技術思想。

11‧‧‧多層配線基板

12‧‧‧核芯基板

13‧‧‧作為核芯主面的上面

14‧‧‧作為核芯主面的下面

15、16‧‧‧作為層積配線部的增層式層

19、22、23、33、34‧‧‧作為金屬層的導體層

20、21、31、32‧‧‧作為層間樹脂絕緣層的樹脂絕緣層

41、42‧‧‧對位標記

43‧‧‧第1光反射部

44‧‧‧移除圖案

45‧‧‧第2光反射部

190、220、330‧‧‧導體電路

L0‧‧‧雷射

L1‧‧‧位置檢測用光

L2‧‧‧反射光

H1、H2、H3‧‧‧層間樹脂絕緣層的表面高度

第1圖係表示將本發明具體化的一實施形態之多層配線基板的概略平面圖。

第2圖係表示將本發明具體化的一實施形態之多層配線基板的主要部分截面圖。

第3圖係表示一實施形態的對位標記之平面圖。

第4圖係表示覆蓋對位標記的樹脂絕緣層表面之高度不均的截面圖。

第5圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第6圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第7圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第8圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第9圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第10圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第11圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第12圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第13圖係用於說明一實施形態之多層配線基板的製造方法的截面圖。

第14圖係表示一實施形態的對位精度之測定結果的說明圖。

第15圖係表示比較例的對位精度之測定結果的說明圖。

第16圖係表示於一實施形態的對位標記之畫像的說明圖。

第17圖係表示於比較例的對位標記之畫像的說明圖。

第18圖係表示以往覆蓋對位標記的樹脂絕緣層表面之高度不均的截面圖。